Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array
Номер патента: US20210257012A1
Опубликовано: 19-08-2021
Автор(ы): Aaron Michael Lowe, Armin Saeedi Vahdat, Richard J. Hill
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-08-2021
Автор(ы): Aaron Michael Lowe, Armin Saeedi Vahdat, Richard J. Hill
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory structures and related cross-point memory arrays, electronic systems, and methods of forming memory structures
Номер патента: US9397145B1. Автор: Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-19.