Data structure of defective address information and defective address information encoding method for memory array
Номер патента: US20160104545A1
Опубликовано: 14-04-2016
Автор(ы): Jen-Chien Fu, Shih-Jia Zeng
Принадлежит: Lite On Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-04-2016
Автор(ы): Jen-Chien Fu, Shih-Jia Zeng
Принадлежит: Lite On Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Non-volatile memory saving cell information in a non-volatile memory array
Номер патента: EP2737484A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Hari M. Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-06-04.