Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1
Опубликовано: 20-06-2024
Автор(ы): Claudia Palattella, Ferdinando Bedeschi, Pierguido Garofalo, Umberto Di Vincenzo
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Current references for memory cells

Номер патента: US11942151B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Current references for memory cells

Номер патента: US20230335191A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory cell

Номер патента: US20130010524A1. Автор: John D. Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

System and method for reading memory cells

Номер патента: EP4070311A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: US20210287744A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: EP4059019A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: WO2021096685A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory cell programming that cancels threshold voltage drift

Номер патента: US11887665B2. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory circuit comprising a plurality of 1T1R memory cells

Номер патента: US12033696B2. Автор: Laurent Grenouillet,Carlo Cagli,Olivier Billoint. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-09.

Writing method for resistive memory cell and resistive memory

Номер патента: US09734908B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Self-biasing current reference

Номер патента: EP2898512A1. Автор: David Francis Mietus. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-29.

Self-biasing current reference

Номер патента: WO2014047114A1. Автор: David Francis Mietus. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-27.

Programming method and reading method for memory device

Номер патента: US11276464B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Programming method and reading method for memory device

Номер патента: US20210043254A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Programming method and reading method for memory device

Номер патента: US20200105341A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Systems and methods for memory cell accesses

Номер патента: US11948634B2. Автор: Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory cell read operation techniques

Номер патента: US12094533B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Francesco Mastroianni,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Systems and methods for memory cell accesses

Номер патента: US20220246209A1. Автор: Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory cells for storing operational data

Номер патента: US20220172782A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Memory cells for storing operational data

Номер патента: US11783897B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: EP4115420A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-11.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: WO2021178109A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-09-10.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20210280244A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20220068385A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Smart read scheme for memory array sensing

Номер патента: US20140241090A1. Автор: Yingchang Chen,Jeffrey Koon Yee Lee. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-28.

Technologies for dynamic biasing for memory cells

Номер патента: US20230317154A1. Автор: Yasir Mohsin Husain,Xuming Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Access line having a resistive layer for memory cell access

Номер патента: US11862215B2. Автор: Chandrasekhar MANDALAPU,Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan,Sateesh Talasila. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatus, method and system to reduce memory window latency and read disturb in a memory device for memory operations

Номер патента: US20230267988A1. Автор: LU LIU,Raymond Zeng,Hemant P. Rao,Phoebe P. Yeoh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory cell read operation techniques

Номер патента: US20240038301A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Francesco Mastroianni,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

On-the-fly programming and verifying method for memory cells based on counters and ecc feedback

Номер патента: US20210280223A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Decoding architecture for memory tiles

Номер патента: US11804264B2. Автор: Andrea Martinelli,Claudio Nava,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Decoding architecture for memory tiles

Номер патента: US20220336015A1. Автор: Andrea Martinelli,Claudio Nava,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Integrated Circuit Having a Memory Cell Arrangement and Method for Reading a Memory Cell State Using a Plurality of Partial Readings

Номер патента: US20090185425A1. Автор: Detlev Richter,Roberto Ravasio,Gert Koebernik,Girolamo Gallo,Mirko Reissmann,Ramirez Xavier Veredas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-23.

Techniques for multi-level chalcogenide memory cell programming

Номер патента: US12033695B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and apparatus for faster deterimation of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US20160372192A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Sensing memory cells using array control lines

Номер патента: US20190371380A1. Автор: James Hart,Tz-yi Liu,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen,Jeffrey Koon Yee Lee,Yadhu Vamshi Vancha. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Method and apparatus for faster determination of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US09953706B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Circuit and a method of determining the resistive state of a resistive memory cell

Номер патента: EP1847999A9. Автор: Jens Egerer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-06-15.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: WO2019126416A2. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Operations on memory cells

Номер патента: EP3718110A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-07.

Apparatuses including memory cells and methods of operation of same

Номер патента: EP4456070A2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: EP3729437A2. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Programming techniques for polarity-based memory cells

Номер патента: WO2023278946A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-05.

Operations on memory cells

Номер патента: US20210005263A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Accessing memory cells in parallel in a cross-point array

Номер патента: US09934850B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory cell with temperature modulated read voltage

Номер патента: US20220230680A1. Автор: Chao-I Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Apparatus, system and method to sense a logic state of a memory cell in a three-dimensional memory device

Номер патента: US12062410B2. Автор: Balaji Srinivasan,Ashraf B. Islam,Nicolas L. IRIZARRY,Yasir Mohsin Husain,Jaydip Bharatkumar Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Varying-polarity read operations for polarity-written memory cells

Номер патента: US20240312518A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US12082513B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Sidewall structures for memory cells in vertical structures

Номер патента: US20240298553A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US12051463B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Generating patterns for memory threshold voltage difference

Номер патента: US11978513B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US11869577B2. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US20230238050A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US20240203481A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: WO2021112956A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20210166746A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20220130444A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: EP4070314A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

On-the-fly programming and verifying method for memory cells based on counters and ECC feedback

Номер патента: US11776590B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: EP3750187A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US20190252606A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: WO2019156857A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-15.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US20200119273A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US20220059763A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

On-the-fly programming and verifying method for memory cells based on counters and ecc feedback

Номер патента: EP3876233A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-08.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US11842783B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Two-terminal one-time programmable fuses for memory cells

Номер патента: US11948630B2. Автор: Federico Nardi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US20240177792A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Technologies for current biasing for memory cells

Номер патента: US20230307043A1. Автор: Ashraf B. Islam,Yasir Mohsin Husain,Jonathan Y. Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Clamp elements, memories, and apparatuses for memories and methods for forming the same

Номер патента: US20140247654A1. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Memory cells with sidewall and bulk regions in planar structures

Номер патента: US20240147872A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Sidewall structures for memory cells in vertical structures

Номер патента: EP4348715A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Memory cells with sidewall and bulk regions in planar structures

Номер патента: WO2022251792A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-12-01.

Bus circuits for memory devices

Номер патента: WO2016036441A3. Автор: Balaji Srinivasan,Nicolas L. IRIZARRY. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-08-25.

Bus circuits for memory devices

Номер патента: WO2016036441A2. Автор: Balaji Srinivasan,Nicolas L. IRIZARRY. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-03-10.

Bus circuits for memory devices

Номер патента: US20160071553A1. Автор: Balaji Srinivasan,Nicolas L. IRIZARRY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US20220399055A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Sidewall structures for memory cells in vertical structures

Номер патента: US11903333B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory apparatus with gated phase-change memory cells

Номер патента: US20130322168A1. Автор: Daniel Krebs,Gael Close. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US20240312534A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Electronic device and method for reading data stored in resistive memory cell

Номер патента: US09984748B1. Автор: Tae-hoon Kim,Seung-Hwan Lee,Hyun-Jeong Kim,Woo-Tae LEE,Myoung-Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20210020239A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20200294586A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20220208262A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20200035297A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Refresh of neighboring memory cells based on read status

Номер патента: US20240321350A1. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Techniques for parallel memory cell access

Номер патента: US20240304244A1. Автор: Andrea Martinelli,Maurizio Rizzi,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory cell structures

Номер патента: US09825091B2. Автор: Heng Cao,Shengfen Chiu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Apparatus and methods for forming a memory cell using charge monitoring

Номер патента: US20150124517A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Brent Keeth,Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Memory cell including multi-level sensing

Номер патента: US20190043570A1. Автор: Bruce Querbach,Christopher CONNOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US20200342939A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09978450B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

MEMORY CELLS, METHODS OF FORMING MEMORY CELLS, AND METHODS OF FORMING PROGRAMMED MEMORY CELLS& xA;

Номер патента: EP2257980A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Memory cells, methods of forming memory cells, and methods of forming programmed memory cells

Номер патента: WO2009099732A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-08-13.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20210193211A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US10937483B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-02.

Current separation for memory sensing

Номер патента: WO2019125797A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20190287601A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Current separation for memory sensing

Номер патента: EP3729434A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20190189178A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Overwrite read methods for memory devices

Номер патента: US20200388332A1. Автор: Daniel Bedau,Christopher J. Petti,Michael K. Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-10.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US09735200B2. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Digital address compensation for memory devices

Номер патента: US20210217463A1. Автор: Christian Peters,Jan Otterstedt,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-15.

Dedicated commands for memory operations

Номер патента: US20210319829A1. Автор: Marco Dallabora,Graziano Mirichigni,Daniele Balluchi,Danilo Caraccio,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Apparatus for providing adjustable reference voltage for sensing read-out data for memory

Номер патента: US09859000B1. Автор: Chi-Shun Lin,Douk-Hyoun Ryu,Seow-Fong Lim,Ngatik Cheung,Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Apparatus for memory device testing and field applications

Номер патента: US20190385690A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Apparatus for memory device testing and field applications

Номер патента: US20190006022A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20160329377A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20190006420A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20170358627A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Select device for memory cell applications

Номер патента: EP3207575A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-23.

Select device for memory cell applications

Номер патента: WO2016060973A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-04-21.

Storing one data value by programming a first memory cell and a second memory cell

Номер патента: US20230290413A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Storing one data value by programming a first memory cell and a second memory cell

Номер патента: US20240249777A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240233819A9. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: WO2007015864A2. Автор: David Gaun,Colin S. Bill,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Eugene Gershon. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-02-08.

Memory cell having resistive and capacitive storage elements

Номер патента: US09911495B2. Автор: Brent E. BUCHANAN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-06.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US12014778B2. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Voltage profile for reduction of read disturb in memory cells

Номер патента: WO2021080829A1. Автор: Hongmei Wang,Mingdong Cui,Michel Ibrahim Ishac. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-29.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US11763891B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20240290389A1. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: WO2007015864A3. Автор: David Gaun,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Colin S Bill,Eugene Gershon. Владелец: Eugene Gershon. Дата публикации: 2008-05-22.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: EP1911035A2. Автор: David Gaun,Colin S. Bill,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Eugene Gershon. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-16.

Devices, methods, and systems for calibrating a sensing capacitor used in a sensing circuit for reading memory cells

Номер патента: US20240312507A1. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Palludo. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and apparatus for storing data in a reference layer in magnetoresistive memory cells

Номер патента: US09990976B1. Автор: Jon Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US09953705B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for reading out a resistive memory cell and a memory cell for carrying out the method

Номер патента: US09865343B2. Автор: Ilia Valov,Rainer Waser,Jan Van Den Hurk,Elke Linn. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device including memory cell and sense amplifer, and IC card including semiconductor device

Номер патента: US9543007B2. Автор: Ryotaro Azuma,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11482281B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: WO2021050984A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2021-03-18.

Reading a multi-level memory cell

Номер патента: US20240321347A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Agostino Pirovano,Mattia Robustelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Distributed write driver for memory array

Номер патента: US20240170051A1. Автор: Mohit Gupta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Lower power high speed decoding based dynamic tracking for memories

Номер патента: US09978442B2. Автор: Rui Li,Sei Seung Yoon,Bin Liang,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Gate drive voltage boost schemes for memory array ii

Номер патента: EP2467853A1. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Advanced programming verification schemes for memory cells

Номер патента: US20150193293A1. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Barak Rotbard,Shai Ojalvo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Word line drivers for memory devices

Номер патента: US20240194256A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Bidirectional Selector Device for Memory Applications

Номер патента: US20220352255A9. Автор: Zhiqiang Wei,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Bidirectional Selector Device for Memory Applications

Номер патента: US20210313393A1. Автор: Zhiqiang Wei. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Writing a multibit resistance-switching memory cell including a dummy resistance, resistance switching elements and diodes

Номер патента: EP2415052A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20220383087A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Non-volatile SRAM memory cell, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09842650B2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai,Tatsuro Toya. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Remapping Memory Cells Based on Future Endurance Measurements

Номер патента: US20140115296A1. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-04-24.

Multi-Bit Resistance-Switching Memory Cell

Номер патента: US20120140546A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-07.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Strategic memory cell reliability management

Номер патента: US12112057B2. Автор: Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile variable capacitive device including resistive memory cell

Номер патента: US20130148410A1. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Logic drive using standard commodity programmable logic IC chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US12057837B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of exchanging data with memory cells or other devices and their addressing

Номер патента: RU2625023C2. Автор: . Владелец: Косухин Вячеслав Алексеевич. Дата публикации: 2017-07-11.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20240355398A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Redundancy schemes for memory cell repair

Номер патента: US09911510B1. Автор: Young Suk Kim,Lalit Gupta,Fakhruddin Ali Bohra,Vivek Nautiyal,Pranay Prabhat,Jungtae Kwon,Shri Sagar Dwivedi,Satinderjit Singh. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: US10468085B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-05.

Operation method for memory device

Номер патента: US20220013180A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Po-Kai Hsu,Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Operation method for memory device

Номер патента: US20240282380A1. Автор: Yi-Chen Fan,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Improved timing circuit for memories

Номер патента: EP4213151A1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Improved timing circuit for memories

Номер патента: WO2018009298A1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-01-11.

Inspection method for memory integrity, nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US10762970B2. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Timing circuit for memories

Номер патента: US09858988B1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Improved timing circuit for memories

Номер патента: EP3482396A1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-15.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240136009A1. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240233856A9. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Far End Driver for Memory Clock

Номер патента: US20240290366A1. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Programming techniques for memory devices having partial drain-side select gates

Номер патента: US20220399063A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Method and system for trimming voltage or current references

Номер патента: US20080012596A1. Автор: Klaus Hummler,Richard Lewison,Vincent Acierno. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-01-17.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US12119079B2. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US20240371418A1. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Circuit for memory cell recovery

Номер патента: US20130272077A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jente B. Kuang,Carl J. Radens,Rouwaida N. Kanj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Fractional program commands for memory devices

Номер патента: US09966142B2. Автор: Gary B. Bronner,Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210319843A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20230187010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Yield recovery scheme for memory

Номер патента: US20240096405A1. Автор: Brian C. Gaide. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US12040038B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20200083225A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Redundancy concept for memory circuits having ROM memory cells

Номер патента: US5986952A. Автор: Manfred Bromba,Eckehard Plättner,Konrad SCHÖNEMANN,Jochen Breilmann,Roderick McConnell,Klaus Bernauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-16.

Method and apparatus for memory fault tolerance

Номер патента: US20130141995A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-06.

Method and apparatus for memory fault tolerance

Номер патента: US8705298B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2014-04-22.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20230395114A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20240096390A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Edge word line concurrent programming with verify for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US12046302B2. Автор: Xiang Yang,Ken Oowada,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Reference word line and data propagation reproduction circuit for memories provided with hierarchical decoders

Номер патента: US5754483A. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi,Marco Fontana,Antonio Barcella. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Method and apparatus for memory fault tolerance

Номер патента: US20130141996A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-06.

Method and apparatus for memory fault tolerance

Номер патента: US8897086B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-25.

Memory array with multiplexed select lines and two transistor memory cells

Номер патента: US12131766B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Two-stage read/write 3D architecture for memory devices

Номер патента: US09851915B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: US12019506B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Precharge circuitry for memory

Номер патента: WO2021228953A1. Автор: Adam Makosiej. Владелец: Xenergic. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device with sense amplifier for memory cells

Номер патента: US7242628B2. Автор: Tadashi Haruki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20220199155A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Current reference operative drive-sense circuit (DSC) with voltage amplifier

Номер патента: US20240103664A1. Автор: Phuong Huynh,Richard Stuart Seger, JR.,Daniel Keith Van Ostrand,Patrick Troy Gray. Владелец: Sigmasense LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods and devices for determining writing current for memory cells

Номер патента: US20060203537A1. Автор: Hung-Cheng Sung,Der-Shin Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US8687419B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Control circuitry for memory cells

Номер патента: US20120314508A1. Автор: Luca Milani,Rainer Herberholz,Justin Penfold,Kwangseok Han. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

Write assist circuit for memory device

Номер патента: US20230335186A1. Автор: Chia-Che Chung,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-19.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Automatic test-pattern generation for memory-shadow-logic testing

Номер патента: US20180025787A1. Автор: Nishu Kohli. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-01-25.

Method and apparatus for memory fault tolerance

Номер патента: WO2012158222A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: MaxLinear, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Automatic test-pattern generation for memory-shadow-logic testing

Номер патента: US20150179282A1. Автор: Nishu Kohli. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2015-06-25.

Automatic test-pattern generation for memory-shadow-logic testing

Номер патента: US09812219B2. Автор: Nishu Kohli. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional (3-d) write assist scheme for memory cells

Номер патента: US20220343958A1. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Three-dimensional (3-d) write assist scheme for memory cells

Номер патента: US20190096458A1. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Techniques for memory cell refresh

Номер патента: US20230317134A1. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US12131779B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Multi-pass programming process for memory device which omits verify test in first program pass

Номер патента: EP3711053A1. Автор: Yingda Dong,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Maintenance operations for memory devices

Номер патента: US20220404969A1. Автор: Ning Chen,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Multinary bit cells for memory devices and network applications and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136457B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

First read solution for memory

Номер патента: US09952944B1. Автор: Alon Eyal,Idan Alrod,Eran Sharon,Liang PANG,Evgeny Mekhanik. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Test mode circuit for memory apparatus

Номер патента: US09852809B2. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Write-tracking circuit for memory

Номер патента: US09830978B2. Автор: Wei Fang,Zengbo Shi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Proactive edge word line leak detection for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US20230125748A1. Автор: Xiang Yang,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

Current Magnitude Compensation for Memory Cells in a Data Storage Array

Номер патента: US20110007550A1. Автор: Markus Jan Peter Siegert,Andrew John Carter,Michael Xuefei Tang,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-01-13.

Bit writability implementation for memories

Номер патента: US09875776B1. Автор: Rakesh Kumar Sinha,Priyankar Mathuria,Sharad Kumar Gupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Folded addressing method for memory architectures

Номер патента: US6370076B1. Автор: Luigi Penza,Gianluca Blasi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-04-09.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: WO2013033375A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US11763873B2. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Gated ferroelectric memory cells for memory cell array and methods of forming the same

Номер патента: US12069868B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US12068018B2. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Voltage generator for memory array

Номер патента: US20100246282A1. Автор: Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Gated Ferroelectric Memory Cells for Memory Cell Array and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240357834A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US20240371428A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory cell heights

Номер патента: US20090109752A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20220130470A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Write Algorithm for Memory

Номер патента: US20180315464A1. Автор: William J. Gallagher,Yi-Chun Shih,Yu-Der Chih,Yi-Chieh Chiu,Chien-Ye Lee,Jenn-Jou Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Methods and devices for memory reads with precharged data lines

Номер патента: US20140029353A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Two-pass corrective programming for memory cells that store multiple bits and power loss management for two-pass corrective programming

Номер патента: US12068034B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Michele Incarnati,Akira Goda,Daniel J. Hubbard,Huai-Yuan Tseng,James Fitzpatrick,Umberto Siciliani,Walter Di Francesco,Jeffrey S. McNeil,Giovanni Maria Paolucci,Dave Scott Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Lifetime markers for memory devices

Номер патента: US20110242901A1. Автор: Todd Marquart. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Apparatuses and methods for memory including ferroelectric memory cells and dielectric memory cells

Номер патента: US11901005B2. Автор: Scott J. Derner,Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: US20180374527A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: EP3510597A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-17.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: US20200090726A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: WO2018048608A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-03-15.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: SG11201901209VA. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Current reference operative drive-sense circuit (DSC)

Номер патента: US11914812B2. Автор: Phuong Huynh,Richard Stuart Seger, JR.,Daniel Keith Van Ostrand,Patrick Troy Gray. Владелец: Sigmasense LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Electronic device, over-erase detection and elimination methods for memory cells

Номер патента: US11862259B2. Автор: Ying Sun,Hong Nie. Владелец: China Flash Co Ltd Shanghai. Дата публикации: 2024-01-02.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20180151202A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20170162233A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US20120294100A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: EP2712445A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2014-04-02.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: WO2012158223A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Vadim Smolyakov. Владелец: Gulak, Glenn. Дата публикации: 2012-11-22.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US20150023122A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20190139584A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US9881653B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US9576614B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Read algorithm for memory device

Номер патента: US11869565B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory cell capacitor structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397401A1. Автор: Yuan He,Sheyang NING,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Robust functionality for memory management associated with high-temperature storage and other conditions

Номер патента: US20230395115A1. Автор: Angelo Visconti,Jonathan J. Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US20230048326A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: EP4385019A2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory device including address table and operating method for memory controller

Номер патента: EP4273707A1. Автор: Changmin Lee,Dohan Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Taekyeong Ko,Bobae KIM,Chinam Kim,Byeongnoh Kim,Kyeongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US11756630B2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory with respective power voltages for memory cells

Номер патента: US20180277199A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Adaptive Control of Programming Currents for Memory Cells

Номер патента: US20120106259A1. Автор: PING Wang,Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US20230253024A1. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US11961547B2. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Timing circuit for memories

Номер патента: US20180012649A1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Far end driver for memory clock

Номер патента: US12009055B2. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: WO2023014413A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Efficient and robust random access memory cell suitable for programmable logic configuration control

Номер патента: US20020001222A1. Автор: Rafael Camarota. Владелец: Adaptive Silicon Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

System and Method for Memory Array Decoding

Номер патента: US20110305095A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: Winston Lee. Дата публикации: 2011-12-15.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US20230282252A1. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: EP4348651A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: US20230043349A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Shared bit lines for memory cells

Номер патента: US20210305262A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu,Ruey-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US11990202B2. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Circuit for memory cell recovery

Номер патента: US20130077415A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jente B. Kuang,Carl J. Radens,Rouwaida N. Kanj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US20210149573A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US20220011957A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Selectors on interface die for memory device

Номер патента: US20180096734A1. Автор: Ryota Suzuki,Tomoyuki Shibata,Chikara Kondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Selectors on interface die for memory device

Номер патента: US09881693B2. Автор: Ryota Suzuki,Tomoyuki Shibata,Chikara Kondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory cell circuit for executing specific tests on memory cells that have been designated by address data

Номер патента: US6108803A. Автор: Ichiro Sase. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-22.

Error control for memory device

Номер патента: US20220310189A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Fractional program commands for memory devices

Номер патента: US20210174875A1. Автор: Gary Bela Bronner,Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-06-10.

Method and apparatus for memory redundancy in a microprocessor

Номер патента: US20090316460A1. Автор: Mamun Rashid,Ioannis Orginos,Mark E. Steigerwald. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Error control for memory device

Номер патента: WO2021252163A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-16.

Fractional program commands for memory devices

Номер патента: US20180301194A1. Автор: Gary Bela Bronner,Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-10-18.

Error control for memory device

Номер патента: US20210383888A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory sub-system for memory cell touch-up

Номер патента: US11967386B2. Автор: Bin Wang,Pitamber Shukla,Scott A. Stoller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory sub-system for memory cell touch-up

Номер патента: US20230377664A1. Автор: Bin Wang,Pitamber Shukla,Scott A. Stoller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: EP4381505A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Self-latched control circuit for memory program operation

Номер патента: US20060133162A1. Автор: Chien-fan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Quick precharge for memory sensing

Номер патента: US20210134340A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Data masking for memory

Номер патента: US12050784B2. Автор: Daniele Vimercati,Jahanshir Javanifard,Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Self reference for ferroelectric memory

Номер патента: US20210383854A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: US11908506B2. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20230057464A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Apparatuses and methods for decoding addresses for memory

Номер патента: US11869592B2. Автор: Gary L. Howe,Scott E. Smith. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Integrated circuit with switching unit for memory cell coupling, and method for producing an integrated circuit for memory cell coupling

Номер патента: US7791940B2. Автор: Andreas Taeuber. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-09-07.

Verify before program resume for memory devices

Номер патента: US20200142819A1. Автор: Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2020-05-07.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: EP3621079A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Apparatuses and methods for decoding addresses for memory

Номер патента: US20200227118A1. Автор: Gary L. Howe,Scott E. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: EP3984033A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: US20200395056A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: WO2020251754A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated Circuit with Switching Unit for Memory Cell Coupling, and Method for Producing an Integrated Circuit for Memory Cell Coupling

Номер патента: US20090091976A1. Автор: Andreas Taeuber. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-04-09.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US11557371B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210090681A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Error detection method for memory device

Номер патента: US11797193B2. Автор: Shih-Chung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Write Driver Boost Circuit for Memory Cells

Номер патента: US20240135983A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Self-reference for ferroelectric memory

Номер патента: US20190287600A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Self reference for ferroelectric memory

Номер патента: US20200395058A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Self-reference for ferroelectric memory

Номер патента: US20180247687A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-30.

Self-reference for ferroelectric memory

Номер патента: EP3586336A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Silicon-on-insulator sense amplifier for memory cell

Номер патента: US20060170460A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Restore function for memory cells using negative bitline-selection

Номер патента: US5798975A. Автор: Stefan Buttner,Dieter Wendel,Friedrich Wernicke,Jürgen Pille. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-08-25.

Test method for memory chip and device therefor

Номер патента: EP4258266A1. Автор: Dong Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Segmented reference trimming for memory arrays

Номер патента: US20200066335A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Low power wake up for memory

Номер патента: US11854587B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20230267989A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Temperature and leakage compensation for memory cells in an analog neural memory system used in a deep learning neural network

Номер патента: EP3844680A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Low power wake up for memory

Номер патента: US20240087618A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Temperature and leakage compensation for memory cells in an analog memory system for use in a deep learning neural network

Номер патента: EP4138079A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US11862221B2. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20240185911A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US11929109B2. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Error protection for memory devices

Номер патента: US20130246895A1. Автор: Christophe Laurent,Richard Fackenthal,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Error protection for memory devices

Номер патента: EP2845101A1. Автор: Christophe Laurent,Richard Fackenthal,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-11.

Error protection for memory devices

Номер патента: WO2013138083A1. Автор: Christophe Laurent,Richard Fackenthal,Paolo Amato. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220130446A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220199145A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Sense timing coordination for memory

Номер патента: EP4374373A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

On-chip characterization of noise-margins for memory arrays

Номер патента: US20090116325A1. Автор: Keith A. Jenkins,Kevin G. Stawiasz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Differential and Hierarchical Sensing for Memory Circuits

Номер патента: US20080175085A1. Автор: Matthew R. Wordeman,William Robert Reohr,Paul C. Parries,John Edward Barth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Power reduction in cmos imagers by trimming of master current reference

Номер патента: US20040037105A1. Автор: Giuseppe Rossi,Sandor Barna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Neighbor bit line coupling enhanced gate-induced drain leakage erase for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11881266B2. Автор: Xiang Yang,Ohwon KWON,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Counter management for memory systems

Номер патента: US11948656B1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Systems and Methods for Memory Operation Using Local Word Lines

Номер патента: US20230307024A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Imprint management for memory

Номер патента: WO2021061359A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for memory storage and access

Номер патента: US11892906B2. Автор: Thomas Kern,Michael Goessel,Thomas Rabenalt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-06.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US20140211569A1. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US9117524B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-25.

Method for memory cell erasure with a programming monitor of reference cells

Номер патента: US20130343127A1. Автор: ANDREI Mihnea,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US20240094921A1. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20210090641A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Edge word line data retention improvement for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11961572B2. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device having error correction function and error correction method for memory device

Номер патента: US20180260275A1. Автор: Seung Yeob Lee,Joon Sung YANG. Владелец: Research & Business Foundation Sungkyunwan University. Дата публикации: 2018-09-13.

Imprint management for memory

Номер патента: US20220044759A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Imprint management for memory

Номер патента: EP4035158A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Imprint management for memory

Номер патента: US20210090680A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Imprint management for memory

Номер патента: US20230253064A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for memory storage and access

Номер патента: US20240126640A1. Автор: Thomas Kern,Michael Goessel,Thomas Rabenalt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-18.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: EP4035010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: WO2021061365A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Counter management for memory systems

Номер патента: US20240096436A1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Top electrode last scheme for memory cell to prevent metal redeposit

Номер патента: US20230380304A1. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory array and operation method for memory device, including data inversion

Номер патента: US9620239B2. Автор: Chia-Chi Yang,Chen-Yi Huang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory array and operation method for memory device

Номер патента: US20150318050A1. Автор: Chia-Chi Yang,Chen-Yi Huang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for memory cell erasure with a programming monitor of reference cells

Номер патента: US20120327712A1. Автор: ANDREI Mihnea,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Top electrode last scheme for memory cell to prevent metal redeposit

Номер патента: US11800818B2. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Dual bit line driver for memory

Номер патента: US20030012053A1. Автор: Christophe Chevallier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Parallel access for memory subarrays

Номер патента: US20210020213A1. Автор: Graziano Mirichigni,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Signal sensing circuits for memory system using dynamic gain memory

Номер патента: US5646883A. Автор: Wolfgang Krautschneider,Klaus J. Lau. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-07-08.

Multiple select gates with non-volatile memory cells

Номер патента: US7433231B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Write assist for memories with resistive bit lines

Номер патента: US20180261279A1. Автор: Russell Homer,Alfred Yeung,Abhiram Saligram Chandrashekar. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Write assist for memories with resistive bit lines

Номер патента: WO2018106866A1. Автор: Russell Homer,Alfred Yeung,Abhiram Saligram Chandrashekar. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2018-06-14.

Raw bit error rate based trim level adjustments for memory

Номер патента: US11994942B2. Автор: Christopher Moore,Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Ezra E. Hartz,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Pre-charge circuit and method for memory devices with shared sense amplifiers

Номер патента: US20030043666A1. Автор: Michael Killian,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Automated vdm adjustment for memory device

Номер патента: WO2023034330A1. Автор: Fangfang Zhu,Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Techniques for memory cell refresh

Номер патента: US11929107B2. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Global write driver for memory array structure

Номер патента: WO2015119830A1. Автор: Ajay Bhatia,Michael Dreesen. Владелец: 1/Apple Inc.. Дата публикации: 2015-08-13.

System, method and apparatus for memory with semaphore controlled access of component ram cells by an external component

Номер патента: WO2010079450A2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib,Oren Agam,Moshe Meyassed,Yair Alpern,Josh Meir. Владелец: ZIKBIT LTD.. Дата публикации: 2010-07-15.

Automated voltage demarcation (VDM) adjustment for memory device

Номер патента: US11798614B2. Автор: Fangfang Zhu,Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory controller, memory system, recording and reproducing method for memory system, and recording apparatus

Номер патента: US20110191552A1. Автор: Takeaki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Systems and methods for memory refresh

Номер патента: US20220068363A1. Автор: David R. Brown,Joo-Sang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Refresh operations for memory cells based on susceptibility to read errors

Номер патента: WO2021162730A1. Автор: Jiahui Yuan,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-19.

Global write driver for memory array structure

Номер патента: US20150227456A1. Автор: Ajay Bhatia,Michael Dreesen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US20230317165A1. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Compensating for memory input capacitance

Номер патента: US20190229075A1. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Refresh operations for memory cells based on susceptibility to read errors

Номер патента: EP4049278A1. Автор: Jiahui Yuan,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-31.

Memory controller, memory system, recording and reproducing method for memory system, and recording apparatus

Номер патента: US20100020619A1. Автор: Takeaki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Memory controller, memory system, recording and reproducing method for memory system, and recording apparatus

Номер патента: US7936609B2. Автор: Takeaki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: US20200185019A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: US20220020417A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: WO2020123151A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-18.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: EP3895165A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-20.

Sensing and tuning for memory die power management

Номер патента: US11133053B2. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Circuit and method for memory device with defect current isolation

Номер патента: US6154401A. Автор: Brent Keeth,Stephen L. Casper,David Pinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Maintenance operations for memory devices

Номер патента: US11861167B2. Автор: Ning Chen,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Test mode circuit for memory apparatus

Номер патента: US20170186499A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-06-29.

Encoding method and system for memory device including qlc cells

Номер патента: US20190213074A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Aman BHATIA. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Sensing and tuning for memory die power management

Номер патента: US20240005978A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Layout of transmission vias for memory device

Номер патента: US20180005995A1. Автор: Kayoko Shibata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Write-tracking circuit for memory

Номер патента: US20170287552A1. Автор: Wei Fang,Zengbo Shi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for forming a homogeneous bottom electrode via (beva) top surface for memory

Номер патента: US20200144172A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for forming a homogeneous bottom electrode via (beva) top surface for memory

Номер патента: US20190096795A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Multinary bit cells for memory devices and network applications and method of manufacturing the same

Номер патента: US11749341B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Multinary bit cells for memory devices and network applications and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220208260A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Temperature compensation for memory cells in an analog neural memory system used in a deep learning neural network

Номер патента: US20200350015A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Multinary bit cells for memory devices and network applications and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230360698A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Multi-pass programming process for memory device which omits verify test in first program pass

Номер патента: WO2020139423A1. Автор: Yingda Dong,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-02.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20200090727A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20180358077A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US20230395122A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Proactive edge word line leak detection for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11783903B2. Автор: Xiang Yang,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: US8762630B2. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Read circuit for memory

Номер патента: US5898622A. Автор: Richard Ferrant. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-04-27.

System, method and apparatus for memory with control logic to control associative computations

Номер патента: WO2010079448A2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib,Oren Agam,Moshe Meyassed,Yair Alpern,Josh Meir. Владелец: ZIKBIT LTD.. Дата публикации: 2010-07-15.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: US20130311714A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US20210241811A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: EP2751659A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Asymmetrical multi-gate string driver for memory device

Номер патента: US20190122737A1. Автор: Haitao Liu,Akira Goda,Guangyu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Methods of forming pillars for memory cells using sequential sidewall patterning

Номер патента: WO2011056534A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Yoichiro Tanaka,Christopher J. Petti. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2011-05-12.

Two-layer code with low parity cost for memory sub-systems

Номер патента: WO2020257057A1. Автор: James Fitzpatrick,Sanjay Subbarao. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Row clear features for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US11881251B2. Автор: Gary L. Howe,Brian W. Huber,Scott E. Smith,Miles S. Wiscombe,Tony M. Brewer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Two-pass corrective programming for memory cells that store multiple bits and power loss management for two-pass corrective programming

Номер патента: US20240071510A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Michele Incarnati,Akira Goda,Daniel J. Hubbard,Huai-Yuan Tseng,James Fitzpatrick,Umberto Siciliani,Walter Di Francesco,Jeffrey S. McNeil,Giovanni Maria Paolucci,Dave Scott Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Row clear features for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US20240161809A1. Автор: Gary L. Howe,Brian W. Huber,Scott E. Smith,Miles S. Wiscombe,Tony M. Brewer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Dynamic leakage control for memory arrays

Номер патента: EP2387786A1. Автор: Shinye Shiu,Vincent R. von Kaenel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2011-11-23.

Read assist circuit for memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240038296A1. Автор: Yorinobu FUJINO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device including address table and operating method for memory controller

Номер патента: US20230350809A1. Автор: Changmin Lee,Dohan Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Taekyeong Ko,Bobae KIM,Chinam Kim,Byeongnoh Kim,Kyeongjin Cho. Владелец: Seong Haseob Seon. Дата публикации: 2023-11-02.

Device Aware Test for Memory Units

Номер патента: NL2023751B1. Автор: Hamdioui Said,TAOUIL Mottaqiallah. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2021-05-12.

Electrodes, method and apparatus for memory structure

Номер патента: AU2002339770B2. Автор: Geirr I. Leistad,Hans Gude Gudesen. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-05.

Dynamic bit-scan techniques for memory device programming

Номер патента: US10971222B2. Автор: Lei Lin,Henry Chin,Cynthia Hsu,Zhuojie Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-06.

Dynamic bit-scan techniques for memory device programming

Номер патента: US20190371395A1. Автор: Lei Lin,Henry Chin,Cynthia Hsu,Zhuojie Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: WO2023018453A2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-02-16.

Dynamic bit-scan techniques for memory device programming

Номер патента: US20200126613A1. Автор: Lei Lin,Henry Chin,Cynthia Hsu,Zhuojie Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-23.

Dynamic bit-scan techniques for memory device programming

Номер патента: WO2019236151A1. Автор: Lei Lin,Henry Chin,Cynthia Hsu,Zhoujie LI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

Programming techniques for memory devices having partial drain-side select gates

Номер патента: US11823744B2. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Drive circuit with improved timing margin for memory device

Номер патента: US20240021241A1. Автор: Masaru Haraguchi,Yoshisato Yokoyama,Yorinobu FUJINO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US11740814B2. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Data masking for memory

Номер патента: US20230350582A1. Автор: Daniele Vimercati,Jahanshir Javanifard,Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Automated voltage demarcation (vdm) adjustment for memory device

Номер патента: US20230410878A1. Автор: Fangfang Zhu,Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Granular refresh rate control for memory devices

Номер патента: US20200327928A1. Автор: Cyril Guyot,Yongjune Kim,Won Ho Choi,Yuval Cassuto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Quick precharge for memory sensing

Номер патента: US11626150B2. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Quick precharge for memory sensing

Номер патента: US20220084577A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

OPTIMIZING fuseROM USAGE FOR MEMORY REPAIR

Номер патента: US20150012786A1. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Optimizing fuseROM usage for memory repair

Номер патента: US09852810B2. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatuses and methods for providing power for memory refresh operations

Номер патента: US10438646B1. Автор: Harish N. Venkata,Jason M. Brown. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Buried signal wires for memory applications

Номер патента: WO2021260377A1. Автор: Yew Keong Chong,Mudit Bhargava,Rahul Mathur,Saurabh Pijuskumar Sinha,Brian Tracy CLINE. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2021-12-30.

Method and apparatus for process corner compensation for memory state sensing

Номер патента: US20180254089A1. Автор: Qiang Tang,Kalyan C. Kavalipurapu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Write driver boost circuit for memory cells

Номер патента: US11881250B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Power source switching circuit for memory device

Номер патента: US20240145019A1. Автор: Sang Ho Lee,Hyoung Kyu Kim,Il Jun KIM,Kwon Young OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Buried Signal Wires for Memory Applications

Номер патента: US20230354571A1. Автор: Yew Keong Chong,Mudit Bhargava,Rahul Mathur,Saurabh Pijuskumar Sinha,Brian Tracy CLINE. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Non-linear load element for memory cell

Номер патента: WO1985003168A1. Автор: Thomas S. W. Wong. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1985-07-18.

Granular refresh rate control for memory devices

Номер патента: WO2020209906A1. Автор: Cyril Guyot,Yongjune Kim,Won Ho Choi,Yuval Cassuto. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Voltage supply structure for memory cell capable of securing area margin, semiconductor apparatus including the same, and operating method of the semiconductor apparatus

Номер патента: US20240221816A1. Автор: Eun Gu Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Write Driver Boost Circuit for Memory Cells

Номер патента: US20220262423A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Response control for memory modules that include or interface with non-compliant memory technologies

Номер патента: EP3025238A1. Автор: Gregg B. Lesartre,Andrew R. Wheeler,John E. Tillema,Alan J. WADE. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-06-01.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US12039189B2. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Bimodal operation mode of ferroelectric and electret memory cells and memory units on their basis

Номер патента: RU2329553C1. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен,Гёран ГУСТАФССОН,Исак ЭНГКУИСТ. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2008-07-20.

Data transmission circuits for memory devices

Номер патента: GB2259384A. Автор: Dae-Je Chin,Byung-Hyuk Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-03-10.

Connections for memory electrode lines

Номер патента: US20160133300A1. Автор: Fabio Pellizzer,Hernan A. Castro,Everardo Torres Flores. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-05-12.

Program Verify Adaptation for Memory Devices

Номер патента: US20200310904A1. Автор: Ming Jin. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Shaping codes for memory

Номер патента: WO2014081632A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-30.

Parallel access for memory subarrays

Номер патента: EP4000065A1. Автор: Graziano Mirichigni,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Parallel access for memory subarrays

Номер патента: US20220013157A1. Автор: Graziano Mirichigni,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Shaping codes for memory

Номер патента: US20150178158A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US20240153550A1. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatus configured to program memory cells using an intermediate level for multiple data states

Номер патента: US20180211714A1. Автор: Christian Caillat,Akira Goda,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Initialization techniques for memory devices

Номер патента: US20220223211A1. Автор: Antonino Pollio,Alessandro Magnavacca,Giuseppe Vito Portacci,Mauro Luigi Sali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Interface protocol configuration for memory

Номер патента: US11749318B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Partial local self-boosting of a memory cell channel

Номер патента: US20100238731A1. Автор: Takao Akaogi,Ya-Fen Lin,YouSeok Suh,Yi-Ching Wu,Colin Stewart Bill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Method and circuit for locating anomalous memory cells

Номер патента: US20050169089A1. Автор: Matteo Patelmo,Massimo Bassi,Stefano Scuratti,Rosario Portoghese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-08-04.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Programming non-volatile storage includng reducing impact from other memory cells

Номер патента: EP2561511A1. Автор: Ken Oowada,Yingda Dong,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-02-27.

Analog content addressable memory device, analog content addressable memory cell and method for data searching and comparing thereof

Номер патента: US20230395148A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20200005849A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20190108866A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: EP3449484A1. Автор: Eric S. CARMEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Iterative memory cell charging based on reference cell value

Номер патента: WO2007134301A2. Автор: Michael J. Cornwell,Christopher P. Dudte. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Programming memory cells with concurrent storage of multi-level data as single-level data for power loss protection

Номер патента: US20220406398A1. Автор: Xiang Yang,Toru Miwa,Ken Oowada,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Methods and systems to improve write response times of memory cells

Номер патента: US20100165756A1. Автор: Feroze A. Merchant,John Reginald Riley,Vinod Sannareddy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10395714B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10127963B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-13.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US20170316815A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Method and device for reading dual bit memory cells using multiple reference cells with two side read

Номер патента: US20030081458A1. Автор: Kazuhiro Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: EP3580759A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-18.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180366175A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180226116A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20210104270A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: WO2018148064A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2018-08-16.

Techniques for memory error correction

Номер патента: US20230043306A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20050052911A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20040047192A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Memory cell array of a static random access memory and a static random access memory including the same

Номер патента: US20240233812A1. Автор: Hyunjun Kim,Seongook JUNG,Keonhee Cho,Sekeon Kim,Kyeongrim Baek. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-11.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US11127450B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

Method and device for multi-level programming of a memory cell

Номер патента: EP1020870A1. Автор: Chin Hsi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-19.

Methods and apparatus to select addresses for memory training

Номер патента: US20240257890A1. Автор: Zhiguo Wei,Yanyang Tan,John Vancleve Lovelace. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including memory cell

Номер патента: US20240257852A1. Автор: Taehwan Kim,Jongsun Park. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and circuit for locating anomalous memory cells

Номер патента: US7072239B2. Автор: Matteo Patelmo,Massimo Bassi,Stefano Scuratti,Rosario Portoghese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-04.

Programmable logic device memory cell circuit

Номер патента: EP1025564A1. Автор: Bruce B. Pedersen,David E. Jefferson. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-08-09.

Content addressable memory and content addressable memory cell

Номер патента: US20240355408A1. Автор: Chi-Chang Shuai,Yi-Hsin TSENG,Yen-Yao Wang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods and systems for memory initialization of an integrated circuit

Номер патента: US09891683B2. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US09799388B1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US20240086338A1. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Layout of a memory cell of an integrated circuit

Номер патента: US20200320174A1. Автор: Amira Rozenfeld,Rolf Sautter,Shankar Kalyanasundaram,Rajesh Veerabhadraiah,Ananth Nag Raja Darla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Data invalidation for memory

Номер патента: WO2022251777A1. Автор: Simon J. Lovett,Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-12-01.

Data invalidation for memory

Номер патента: EP4348431A1. Автор: Simon J. Lovett,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Matrix-vector multiplications based on charge-summing memory cell strings

Номер патента: EP4390926A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: WO2022212129A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-06.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US20230267987A1. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Method and circuit for simultaneously programming memory cells

Номер патента: US20060245269A1. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-11-02.

Arbitration for memory diagnostics

Номер патента: US20190035486A1. Автор: Kevin W. Gorman,Michael R. Ouellette,Aravindan J. BUSI,Kiran K. Narayan,Deepak I. Hanagandi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20160104527A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Receiver architecture for memory reads

Номер патента: US20150106538A1. Автор: Li Pan,Nan Chen,Narasimhan Vasudevan,Michael Thomas Fertsch. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US11748276B2. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Scalable prediction failure analysis for memory used in modern computers

Номер патента: US9196383B2. Автор: Challis L. Purrington, Sr.,Tu T. Dang,Michael C. Elles,Juan Q. Hernandez,Dwayne A. Lowe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

Integrated DRAM memory cell and DRAM memory

Номер патента: US6445609B2. Автор: Alexander Frey,Werner Weber,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-03.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20200035286A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20140208054A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device enabling refreshing of redundant memory cell instead of defective memory cell

Номер патента: US20150049564A1. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-02-19.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Techniques for reading memory cells in a memory device during a multi-pass programming operation

Номер патента: US12057169B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Zhenni Wan,Bo Lei,Nidhi AGRAWAL. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device having different numbers of bits stored in memory cells

Номер патента: US20210043244A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Concurrent slow-fast memory cell programming

Номер патента: US20230307055A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Computer-readable medium encoding a back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7742327B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-22.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20070201261A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for driving memory cells of a dynamic semiconductor memory and circuit configuration

Номер патента: US20030103376A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Sommer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: US12080359B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US12056063B2. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory with NAND type memory cells having NOR gate operation delay means

Номер патента: US5768209A. Автор: Hirokazu Nagashima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7787285B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20080278992A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Apparatus and methods for determining memory cell data states

Номер патента: US20230274786A1. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Apparatus and methods for programming memory cells responsive to an indication of age of the memory cells

Номер патента: US11735253B2. Автор: Pin-Chou Chiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

High-speed programmable ROM, memory cell structure therefor, and method for writing data on/reading data from the programmable ROM

Номер патента: US20050122760A1. Автор: Young-Keun Lee,Yong-jae Choo,Young-sook Do,Joong-Eon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

ROM storing information by using pair of memory cells

Номер патента: US20070064465A1. Автор: Satoyuki Miyako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Scalable prediction failure analysis for memory used in modern computers

Номер патента: US20140013170A1. Автор: Challis L. Purrington, Sr.,Tu T. Dang,Michael C. Elles,Juan Q. Hernandez,Dwayne A. Lowe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Method and apparatus for adaptive memory cell overerase compensation

Номер патента: US20100020607A1. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Integrated DRAM memory cell and DRAM memory

Номер патента: US20010036102A1. Автор: Alexander Frey,Werner Weber,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US12094516B2. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for programming of a semiconductor memory cell

Номер патента: EP1168363B1. Автор: Boaz Eitan,Eduardo Maayan,Zeev Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2006-08-09.

Content addressable memory device, content addressable memory cell and method for single-bit multi-level data searching and comparing

Номер патента: US12094534B2. Автор: Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Data memory with redundant memory cells used for buffering a supply voltage

Номер патента: US6724667B2. Автор: Sabine Kling,Andreas Baenisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-20.

Sensing amplifier, method and controller for sensing memory cell

Номер патента: US20240321325A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus for determining memory cell data states

Номер патента: US12112819B2. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device including memory cell for generating reference voltage

Номер патента: US09972371B2. Автор: Soo-ho Cha,Chankyung Kim,Sungchul Park,Kwangchol CHOE,Hoyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of forming an integrated circuit chip having two types of memory cells

Номер патента: US09935001B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Cryptographic processing device having a non-volatile memory including memory cells in an initial or a variable state

Номер патента: US09921975B2. Автор: Takuji Maeda,Shinji Inoue,Yoshikazu Katoh,Masato Suto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Authentication system having a non-volatile memory including memory cells in initial or variable states and a host computer for performing authentication therebetween

Номер патента: US09898598B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US09875792B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09837142B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US20010028597A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Multi-program of memory cells without intervening erase operations

Номер патента: US20240221840A1. Автор: Ezra Edward Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Vertical memory cell and conductive shield structure

Номер патента: WO2023076261A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Richard E. Fackenthal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-04.

Memory cell

Номер патента: EP1132919A3. Автор: Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-08-21.

Method and apparatus for selecting memory cells within a memory array

Номер патента: US20040141393A1. Автор: James Eaton,Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of determining binary signal of memory cell and apparatus thereof

Номер патента: US20090055700A1. Автор: Hyun-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Method for trimming non-volatile memory cells

Номер патента: US20020196660A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

High density flash memory cell device, cell string and fabrication method therefor

Номер патента: US20110254076A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Memory device with memory cell structure including ferroelectric data storage layer, and a first gate and a second gate

Номер патента: US10896711B2. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Seung Hyun Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631B1. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Detecting over programmed memory cells after programming of adjacent memory cells

Номер патента: EP1652191A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Jeffrey W. Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-05-03.

Nonvolatile memory cell array

Номер патента: WO1988002174A2. Автор: Raymond Alexander Turi,Alan David Poeppelman. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 1988-03-24.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Memory cell sensing architecture

Номер патента: US20240257855A1. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Memory device including ternary memory cell

Номер патента: US20220413800A1. Автор: Myoung Kim,Jae Won Jeong,Youngeun CHOI,Kyung Rok Kim,Wooseok Kim. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory cell, memory using the memory cell, memory cell manufacturing method, and memory recording/reading method

Номер патента: US7436697B2. Автор: Motoyoshi Murakami,Yasuhiro Gotoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US11735244B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Data reading method in semiconductor storage device capable of storing three-or multi-valued data in one memory cell

Номер патента: US5682347A. Автор: Katsuki Hazama. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Single-Port Read Multiple-Port Write Storage Device Using Single-Port Memory Cells

Номер патента: US20140177324A1. Автор: Sheng Liu,Ting Zhou. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Testing memory cells

Номер патента: US20190066813A1. Автор: Martin Perner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Track charge loss based on signal and noise characteristics of memory cells collected in calibration operations

Номер патента: US12073899B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Replacement data storage circuit storing address of defective memory cell

Номер патента: US20100153775A1. Автор: Hiroshi Sugawara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-17.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: EP3143650A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-03-22.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: US20170249983A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Apparatus and method for controlling erasing data in ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190287602A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Techniques to adapt dc bias of voltage regulators for memory devices as a function of bandwidth demand

Номер патента: EP3767430A1. Автор: Setul M. Shah,William SHELUNG,Ohruval PATEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

Programming and verifying method for multilevel memory cell array

Номер патента: US11250921B1. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ming Ku,Ying-Je Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-15.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631A3. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Improved system for programming a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1568043A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Sameer S. Haddad,Zhizheng Liu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Mitigating reliability degradation of analog memory cells during long static and erased state retention

Номер патента: US9455040B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Moshe Neerman,Avraham Poza Meir,Yael Shur,Etai Zaltsman,Meir Dalal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor storing device for reading out or writing data from/in memory cells

Номер патента: US20030202416A1. Автор: Yoshinori Doi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: EP1590810A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-02.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: WO2004070727A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-08-19.

Performing read operations on grouped memory cells

Номер патента: US20220392500A1. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US12062389B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for programming a memory device suitable to minimize the lateral coupling effects between memory cells

Номер патента: US20060203544A1. Автор: Angelo Visconti,Mauro Bonanomi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-14.

Devices, methods, and systems for calibrating a read voltage used for reading memory cells

Номер патента: US20240265959A1. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Palludo. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device for multiplication using memory cells with different thresholds based on bit significance

Номер патента: US20240304255A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12100611B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Integration of memory cell and logic cell

Номер патента: US20240306361A1. Автор: Jui-Lin Chen,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Apparatuses and methods including memory cells, digit lines, and sense amplifiers

Номер патента: US20220036940A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20240354027A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

One-ladder read of memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US20240304250A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Power reduction for a sensing operation of a memory cell

Номер патента: US09990977B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Negative supply rail positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09984730B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Programming memory cells to be programmed to different levels to an intermediate level from a lowest level

Номер патента: US09953718B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Twin memory cell interconnection structure

Номер патента: US09941012B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Ground reference scheme for a memory cell

Номер патента: US09934837B2. Автор: Daniele Vimercati,Umberto Di Vincenzo,Christopher John Kawamura,Scott James Derner,Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09899072B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory Cell Device and Method for Operating a Memory Cell Device

Номер патента: US20200202901A1. Автор: Gunther Lehmann,Steffen Schumann,Prashant Chaudhry,Frederic Gueganton,Gurushiddappa Naduvinamane. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory Cell Device and Method for Operating a Memory Cell Device

Номер патента: US20210375330A1. Автор: Gunther Lehmann,Steffen Schumann,Prashant Chaudhry,Frederic Gueganton,Gurushiddappa Naduvinamane. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-02.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US12033692B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096466A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096467A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: US12020762B2. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Sensing techniques for a memory cell

Номер патента: US20210020221A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180090679A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for evaluating sram memory cell and computer readable recording medium which records evaluation program of sram memory cell

Номер патента: US20100115352A1. Автор: Kazuyuki Nakamura. Владелец: Kyushu Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2010-05-06.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1568037A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: US20040105312A1. Автор: Yi He,Mark Randolph,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Pauling Chen,Binh Le,Edward Runnion. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: WO2004051663A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-06-17.

Apparatus and methods for managing data storage among groups of memory cells of multiple reliability ranks

Номер патента: US20200167087A1. Автор: Carla L. Christensen,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of erasing memory cell

Номер патента: US20110158003A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US6999334B2. Автор: Frederick A. Perner,Anthony Holden. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-14.

Memory configuration including a plurality of resistive ferroelectric memory cells

Номер патента: US20010033516A1. Автор: Kurt Hoffmann,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-25.

System and method for identification of faulty or weak memory cells under simulated extreme operating conditions

Номер патента: WO2002103706A2. Автор: Dhrumil Gandhi,Mark Templeton. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20180233182A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG192499A1. Автор: Lim Louis,Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Siow Lee Chwa,Donghua Liu,Swee Tuck Woo,Low Rachel. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Programming nonvolatile memory cells through a series of predetermined threshold voltages

Номер патента: US20200202945A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG158882A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-02-26.

Circuit for enhancing robustness of sub-threshold SRAM memory cell

Номер патента: US9236115B2. Автор: Yue Feng,Yuan Chen,Jun Yang,Hong Chang,Fei Pan,Xinning Liu,Na Bai,Longxing Shi,Jiafeng Zhu,Cai Gong,Yifeng Deng,Yingcheng Xia. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-12.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Sense amplifier for bidirectional sensing of memory cells of a non-volatile memory

Номер патента: US20210193230A1. Автор: Seungpil Lee,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory cell

Номер патента: EP1293988A3. Автор: Lung T. Tran,Heon Lee. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-07-14.

Method of Screening Static Random Access Memories for Unstable Memory Cells

Номер патента: US20130028036A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US9490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: EP4409576A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Structure of post-process one-time programmable read only memory cell

Номер патента: US20040114415A1. Автор: Wenying Wen. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Sram cell controlled by flash memory cell

Номер патента: US20070189062A1. Автор: William Plants. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Memory cell sensing using two step word line enabling

Номер патента: US12073864B2. Автор: Makoto Kitagawa,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Floating body volatile memory cell two-pass writing method

Номер патента: WO2007002054A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US20240257880A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190267095A1. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20240265969A1. Автор: Richard J. Huang,Fu-Chang Hsu,I-Wei Huang,Jui-Hsin Chang,Re-Peng Tsay,Chiahaur Chang. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Integrated circuits including first and second power supply nodes for writing and reading memory cells

Номер патента: US20240286401A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having parallel test function

Номер патента: US5394369A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Memory devices including tri-state memory cells

Номер патента: US20240282370A1. Автор: Yuan He,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device with memory cells arranged in high density

Номер патента: US20040156255A1. Автор: Yasuhiko Tsukikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Layout pattern of memory cell circuit

Номер патента: US6043521A. Автор: Koji Nii,Koji Shibutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Systems and methods to reduce interference between memory cells

Номер патента: US20080205155A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Method for the allocation of addresses in the memory cells of a rechargeable energy accumulator

Номер патента: US20090207680A1. Автор: Joachim Froeschl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Integrated memory having a plurality of memory cell arrays and method for operating the integrated memory

Номер патента: US20020110043A1. Автор: Robert Feurle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282369A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240274187A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240274186A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Storage devices having enhanced error detection and memory cell repair

Номер патента: US20240257889A1. Автор: Dong Kim,Inhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device performing signed multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240304252A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: WO2024162973A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Louisa Schneider,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for the allocation of addresses in the memory cells of a rechargeable energy accumulator

Номер патента: US7821226B2. Автор: Joachim Froeschl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2010-10-26.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US12106809B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Simplified operations to read memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US12073892B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US12131786B2. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Dynamic adjustment of memory cell digit line capacitance

Номер патента: US09934839B2. Автор: Charles Ingalls,Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Full sequence program for edge word line quad-level memory cells

Номер патента: US20240363167A1. Автор: Yanjie Wang,Sisi Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor storage apparatus and memory system comprising memory cell holding data value of multiple bits

Номер патента: US09922707B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Data reading procedure based on voltage values of power supplied to memory cells

Номер патента: US09905284B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Hiroshi Sukegawa,Kenichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device

Номер патента: US09853211B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having uniform layout

Номер патента: US5973970A. Автор: Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Redundancy memory cell access circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080316838A1. Автор: Eunsung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US12014770B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Protecting memory cells from in-process charging effects

Номер патента: US20190206498A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory module with failed memory cell repair function and method thereof

Номер патента: US20090129182A1. Автор: Chun Shiah,Ho-Yin Chen,Tzu Jen Ting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

Matrix-Vector Multiplications Based on Charge-Summing Memory Cell Strings

Номер патента: US20240212763A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-27.

Flash memory cell and method to achieve multiple bits per cell

Номер патента: US20030142541A1. Автор: Christoph Ludwig,Georg Tempel,Danny Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.

Method and circuit arrangement for reading out and for storing binary memory cell signals

Номер патента: US6721219B2. Автор: Helmut Schneider,Dominique Savignac,Sabine Kling,Athanasia Chrysostomides,Peter Pfefferl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-13.

Memory device including multiple decks of memory cells and pillars extending through the decks

Номер патента: US20220068956A1. Автор: Roger W. Lindsay,John Hopkins,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Shawn D. Lyonsmith,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Lisa M. Clampitt,Kevin Y. Titus,Martin Jared Barclay,Pavithra Natarajan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Ferroelectric memory with series connected memory cells

Номер патента: EP1514275A1. Автор: Michael Jacob. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-16.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

3D memory semiconductor devices and structures with memory cells preliminary class

Номер патента: US12041792B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US11776633B2. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210143142A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210066272A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US20200194084A1. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190287623A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

All level coarse/fine programming of memory cells

Номер патента: US20230317171A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Superconductive Memory Cells and Devices

Номер патента: US20240249770A1. Автор: Faraz Najafi. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shield structures

Номер патента: US20240251543A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory cell array latchup prevention

Номер патента: US20140211547A1. Автор: Helmut Puchner,Nayan Patel,Shahin Sharifzadeh,Ravindra M Kapre. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Integrated dram circuit, method for refreshing memory cells, and method for preventing a data integrity attack

Номер патента: EP4369341A1. Автор: Kaveh Razavi,Michele MARAZZI. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2024-05-15.

Method and apparatus for writing memory cells

Номер патента: EP1282136A1. Автор: Manish Sharma,Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-02-05.

Memory cell with stability switch for stable read operation and improved write operation

Номер патента: US20060171188A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Method for programming of memory cells, in particular of the flash type, and corresponding programming architecture

Номер патента: US7944751B2. Автор: Davide Torrisi,Alessandro Tumminia,Edoardo Nocita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Memory and a data path architecture for memory addressing

Номер патента: EP4224325A1. Автор: Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Methods and apparatus utilizing expected coupling effect in the programming of memory cells

Номер патента: US20100259978A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20170004887A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Memory Cell and Method of Manufacturing a Memory Cell

Номер патента: US20130020631A1. Автор: Navab Singh,Vincent Pott. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20060146620A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Charging a capacitance of a memory cell and charger

Номер патента: US6597606B2. Автор: Kerry D. Tedrow. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20080225573A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen V. Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20070247896A1. Автор: Kenneth Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US7038969B2. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Device to be used for reading out a memory cell, and method for reading out a memory cell

Номер патента: US20060280008A1. Автор: Edvin Paparisto,Stephan Rogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-14.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20160141049A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Coding method of multi-level memory cell

Номер патента: US20020181278A1. Автор: Cheng-Jye Liu,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Data processing system, method, and product for automatically performing timing checks on a memory cell using a static timing tool

Номер патента: US20030099129A1. Автор: Christopher Durham,Peter Klim,Matthew Amatangelo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Random Access Memory With A Plurality Of Symmetrical Memory Cells

Номер патента: US20070041240A1. Автор: Juergen Pille,Chad Adams,Torsten Mahuke,Oto Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US20240296896A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20240312530A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Post-program conditioning of stacked memory cells prior to an initial read operation

Номер патента: US09940232B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods and apparatus to read memory cells based on clock pulse counts

Номер патента: US09928914B2. Автор: Feng Pan,Ramin Ghodsi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US09922721B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Enhanced charge storage materials, related semiconductor memory cells and semiconductor devices, and related systems and methods

Номер патента: US09871044B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney,Sumeet C. Pandey,Karl W. Holtzclaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12033884B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

3d memory semiconductor devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240224545A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional (3d) memory cell with read/write ports and access logic on different tiers of the integrated circuit

Номер патента: EP2973706A1. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

System and method for reducing leakage in memory cells using wordline control

Номер патента: US20050105323A1. Автор: Jonathan Lachman,Todd Mellinger,J. Hill. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-05-19.

Regulation method for the source terminal voltage in a non-volatile memory cell during a program phase and corresponding program circuit

Номер патента: US6822905B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-23.

Current reference circuit and an electronic device including the same

Номер патента: US09946290B2. Автор: Sung-jin Kim,Ji-Hyun Kim,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Low-voltage current reference and method thereof

Номер патента: US20090261801A1. Автор: Ryan Andrew Jurasek,Bret Roberts Dale,Darin James Daudelin,Dave Eugene Chapmen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Current reference circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09996100B2. Автор: Ho-Young Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Precision current reference generator circuit

Номер патента: US09785178B1. Автор: Mohammed Sulaiman BENSALEH,Abdulfattah Mohammad OBEID,Syed Manzoor QASIM,Syed Arsalan Jawed,Yasir Mehmood Siddiqi,Ahmed Kassem,Shahab Ahmed Najmi. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2017-10-10.

Current reference circuit for low supply voltages

Номер патента: US20020196071A1. Автор: Antonino Conte,Oreste Concepito. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Temperature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: WO1999066973A3. Автор: Andreas Rusznyak. Владелец: Andreas Rusznyak. Дата публикации: 2002-05-30.

Integrated circuit current reference

Номер патента: US20080231249A1. Автор: Jeffrey G. Barrow. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Temperature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: EP1144034A2. Автор: Andreas Rusznyak. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Temperature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: WO1999066973A2. Автор: Andreas Rusznyak. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 1999-12-29.

Redundancy and swapping scheme for memory repair

Номер патента: US20240232028A1. Автор: Simon J. Lovett,Jaeil Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Motor control apparatus for vehicles and current reference generation method using the same

Номер патента: US09843282B2. Автор: Sang Min Kim. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Touchup for memory device using embedded encoder/decoder

Номер патента: US20240289218A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Touchup for memory device using embedded encoder and decoder

Номер патента: WO2024178374A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods and apparatuses for a CMOS-based process insensitive current reference circuit

Номер патента: US09977454B1. Автор: Hareesh Pathamadai Krishnamoorthy. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Bandgap current reference

Номер патента: US11714444B2. Автор: Avinash Shreepathi Bhat,Boqiang Xiao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-01.

Fully Integrated Adjustable DC Current Reference Based on an Integrated Inductor Reference

Номер патента: US20140132239A1. Автор: Bogdan Alexandru Georgescu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-15.

CMOS low voltage current reference

Номер патента: US5745000A. Автор: David William Boerstler,Daniel Mark Dreps. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-04-28.

Start-up circuit and method for a self-biased zero-temperature-coefficient current reference

Номер патента: WO2009039061A3. Автор: James R Hellums. Владелец: James R Hellums. Дата публикации: 2009-05-14.

Start-up circuit and method for a self-biased zero-temperature-coefficient current reference

Номер патента: WO2009039061A2. Автор: James R. Hellums. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-03-26.

Memory device and control method for memory device

Номер патента: US11983068B1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Current reference apparatus

Номер патента: US20030111698A1. Автор: Siva Narendra,Vivek De,Stephen Tang,Zachary Keer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Temperature-compensated current reference circuit

Номер патента: WO2004025390A3. Автор: Mauro Chinosi,Lorenzo Bedarida,Giorgio Oddone. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Temperature independent current reference

Номер патента: US5889394A. Автор: Walter Czarnocki. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-30.

Cmos circuit for generating a current reference

Номер патента: CA2284956C. Автор: Marco Burzio,Emanuele Balistreri. Владелец: Telecom Italia Lab SpA. Дата публикации: 2003-08-12.

Data type identification schemes for memory systems

Номер патента: US20240289053A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Data separation configurations for memory systems

Номер патента: US20240289031A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Flipped gate current reference

Номер патента: US11480982B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Mohammad Al-Shyoukh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Voltage controlled variable current reference

Номер патента: WO1998005125A1. Автор: Lan Lee,Saleel Awsare. Владелец: Exel Microelectronics, Inc.. Дата публикации: 1998-02-05.

Supply independent current reference generator in cmos technology

Номер патента: US20120217951A1. Автор: M. Jeroen Fonderie. Владелец: Touchstone Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Adaptive data relocation for improved data management for memory

Номер патента: US20230048133A1. Автор: Luigi Esposito,Massimo Iaculo,Paolo Papa,Alberto Sassara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Division operations for memory

Номер патента: US10055196B2. Автор: Kyle B. Wheeler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-21.

Usage-based temporal degradation estimation for memory elements

Номер патента: US9058448B2. Автор: Jae-Joon Kim,Aditya Bansal,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Usage-based temporal degradation estimation for memory elements

Номер патента: US20130138403A1. Автор: Jae-Joon Kim,Aditya Bansal,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Bandgap current reference

Номер патента: US20230324941A1. Автор: Avinash Shreepathi Bhat,Boqiang Xiao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Shared Pick-Up Regions for Memory Devices

Номер патента: US20230354573A1. Автор: Feng-Ming Chang,Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Chao-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory cell folding operations using host system memory

Номер патента: US20240160352A1. Автор: Sridhar Prudviraj Gunda,Jameer Mulani,Ritesh Tiwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Current reference circuit

Номер патента: EP4180900A1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory cell access techniques for memory systems

Номер патента: US11880595B2. Автор: Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Maintenance operations for memory devices

Номер патента: US20210019050A1. Автор: Ning Chen,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Decoding Status Flag Techniques for Memory Circuits

Номер патента: US20230325274A1. Автор: Farid Nemati,Yi Chun Chen,Gregory S. Mathews,Kevin C. Wong,Kalpana Bansal,Steven R. Hutsell. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Cache architectures with address delay registers for memory devices

Номер патента: US11954035B2. Автор: Nicola Del Gatto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Cache architectures for memory devices

Номер патента: US20230100015A1. Автор: Nicola Del Gatto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory device, display device equipped with memory device, drive method for memory device, and drive method for display device

Номер патента: US20120179923A1. Автор: Shuji Nishi,Yuhichiroh Murakami,Yasushi Sasaki,Seijirou Gyouten,Shige Furuta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Address obfuscation for memory

Номер патента: US11853230B2. Автор: Donald M. Morgan,Bryce D. Cook,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for computer-assisted operation of a memory unit and execution of application programs having memory checking for memory errors

Номер патента: AU2023202494B2. Автор: Andreas Schallenberg,Stefan Gerken,Markus Seemann. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Read-write control method for memory, and corresponding memory and server

Номер патента: US09990276B2. Автор: Ming Xie,Jianfeng Xu,Yue Wu,Wenzheng Li,Chaoyu ZHONG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Dynamic power allocation for memory using multiple interleaving patterns

Номер патента: WO2024112431A1. Автор: Vincent Vacquerie,Alexis Lefebvre. Владелец: GoPro, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

Reducing processor resource consumption for memory access and enabling shared memory access

Номер патента: US20210056055A1. Автор: Sumanta K. Bahali,Peter R. Seidel,Jeffrey R. Hamilton,Juan Q. Hernandez,Brian E. Bigelow. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Serial communication method and system for memory access

Номер патента: US12019568B2. Автор: Yongseok Choi. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for computer-assisted operation of a memory unit and execution of application programs having memory checking for memory errors

Номер патента: AU2023202494A1. Автор: Andreas Schallenberg,Stefan Gerken,Markus Seemann. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2023-11-09.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US20240281371A1. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Testing for memory devices using dedicated command and address channels

Номер патента: US20240281350A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Error rates for memory with built in error correction and detection

Номер патента: US12111726B2. Автор: Monish Shah. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

System and method for memory compression for deep learning networks

Номер патента: US12118212B2. Автор: Andreas Moshovos,Alberto DELMAS LASCORZ,Sayeh SHARIFYMOGHADDAM,Isak Edo Vivancos. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2024-10-15.

System and method for memory compression for deep learning networks

Номер патента: CA3178577A1. Автор: Andreas Moshovos,Alberto DELMAS LASCORZ,Sayeh SHARIFYMOGHADDAM,Isak Edo Vivancos. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2021-11-18.

Method and system for memory management and memory storage device thereof

Номер патента: US09940021B2. Автор: Chun-Yang Hu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and device for memory size adapted serial data transfer

Номер патента: RU2597502C2. Автор: Флориан ХАРТВИХ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2016-09-10.

Methods and device to reduce the requirements for memory for software applications in the process control systems

Номер патента: RU2634220C2. Автор: Дэвид Кёртис ИНГРЭМ. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2017-10-24.

Frequency monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022066439A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

An apparatus and method for memory encryption with reduced decryption latency

Номер патента: EP1654661A2. Автор: Carlos Rozas,Gary Graunke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-10.

Systems and methods for memory serviceability mitigation

Номер патента: US20240078158A1. Автор: Vivek Viswanathan Iyer,Michael Wayne Arms,Balasingh Ponraj Samuel. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-03-07.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Network, method and memory cell array for region proposal

Номер патента: WO2022093118A1. Автор: Arindam Basu,Sumon Kumar BOSE. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

Techniques for memory system standby mode control

Номер патента: US20240281158A1. Автор: Junam Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Frequency regulation for memory management commands

Номер патента: US12086415B2. Автор: Donald Martin Morgan,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus for memory integrated management of cluster system

Номер патента: US12118394B2. Автор: Kang Ho Kim,Taehoon Kim,Kwang-Won Koh,Changdae KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-10-15.

Completion flag for memory operations

Номер патента: US12050773B2. Автор: Jonathan S. Parry,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Technologies for memory replay prevention using compressive encryption

Номер патента: US11775332B2. Автор: David M. Durham,Siddhartha Chhabra,Michael E. Kounavis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Data storage device and method for memory-die-state-aware host command submission

Номер патента: US12067289B2. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Dynamic additive attention adaption for memory-efficient multi-domain on-device learning

Номер патента: US20230342604A1. Автор: LI YANG,Deliang Fan,Adnan Siraj Rakin. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2023-10-26.

Systems and methods for memory representation and management

Номер патента: US20240303191A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Access operation status signaling for memory systems

Номер патента: US12124322B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Deping He,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Techniques for memory error correction

Номер патента: US12124333B2. Автор: Kai Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Systems and methods for memory representation and management

Номер патента: EP4432066A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Method and system for memory attack mitigation

Номер патента: US20220197827A1. Автор: Vilas K. SRIDHARAN,Sudhanva Gurumurthi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method and system for memory attack mitigation

Номер патента: EP4264474A1. Автор: Vilas K. SRIDHARAN,Sudhanva Gurumurthi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Unauthorized access command logging for memory

Номер патента: WO2020139540A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-02.

Method and computer program product for memory management in a mass storage device

Номер патента: WO2009072970A1. Автор: Mikael Sundstrom. Владелец: Oricane Ab. Дата публикации: 2009-06-11.

Method and computer program product for memory management in a mass storage device

Номер патента: EP2218007A1. Автор: Mikael Sundstrom. Владелец: Oricane Ab. Дата публикации: 2010-08-18.

Systems and methods for memory representation and tracking

Номер патента: US20240311297A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Systems and methods for memory representation and tracking

Номер патента: EP4432100A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Method and device for memory size adapted serial data transfer

Номер патента: RU2596582C2. Автор: Флориан ХАРТВИХ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2016-09-10.

Page coloring with color inheritance for memory pages

Номер патента: US20080055617A1. Автор: Uday Savagaonkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Realm identifiers for realms for memory access control

Номер патента: US20200142839A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Martin WEIDMANN. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Realm identifiers for realms for memory access control

Номер патента: WO2019002817A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Martin WEIDMANN. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-01-03.

Method, apparatus and computer program for memory retention

Номер патента: WO2011020902A1. Автор: Anders Carlsson,Thomas Olsson. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2011-02-24.

Method and optical network unit router for memory access control

Номер патента: US20240289171A1. Автор: Fei Yan,Weihua Huang. Владелец: Airoha Technology Suzhou Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus and methods for programming data states of memory cells

Номер патента: US20240320144A1. Автор: Yoshihiko Kamata,Koichi Kawai,Akira Goda,Huai-Yuan Tseng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device for multiplication using memory cells having different bias levels based on bit significance

Номер патента: US20240303039A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Dynamic logical page sizes for memory devices

Номер патента: US12130747B2. Автор: Sushil Kumar,David Aaron Palmer,Venkata Kiran Kumar Matturi,Sharath Chandra Ambula,Sri Ramya Pinisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US09933972B2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Modeling memory cell skew sensitivity

Номер патента: US20130332136A1. Автор: Randy W. Mann,Bipul C. Paul,Anurag Mittal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

Memory device performing signed multiplication using sets of two memory cells

Номер патента: US20240303296A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device performing signed multiplication using sets of four memory cells

Номер патента: US20240303038A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Technologies for memory confidentiality, integrity, and replay protection

Номер патента: EP3314522A1. Автор: Men Long,David M. Durham,Siddhartha Chhabra,Eugene M. KISHINEVSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-02.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Generation of a current reference to control a brushless motor

Номер патента: US20140265953A1. Автор: Steven J. Collier-Hallman. Владелец: Steering Solutions IP Holding Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Buried metal signal rail for memory arrays

Номер патента: WO2024051689A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kohji Hosokawa,Nicholas Anthony Lanzillo,Geoffrey Burr,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-14.

Reduced pitch memory subsystem for memory device

Номер патента: US20240234311A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Vladimir Mikhalev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Low voltage current reference circuits

Номер патента: US20050046469A1. Автор: Stephen Geissler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Variable capacitances for memory cells within a cell group

Номер патента: WO2003103050A3. Автор: Michael Jacob,Daisaburo Takashima,Joerg Wohlfahrt,Norbert Rehm. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2004-03-11.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Back-end-of-line selector for memory device

Номер патента: US20240276738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Doped sidewall spacer/etch stop layer for memory

Номер патента: US12127483B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Contact for memory cell

Номер патента: US8361832B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: US20240315150A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: US20240188308A1. Автор: Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: US12108604B2. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory having a memory cell array

Номер патента: US20010032991A1. Автор: Franz Hofmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Current reference based selective harmonic current mitigation pulsed width modulation

Номер патента: US20180226879A1. Автор: Hui Zhao,Shuo Wang,Amirhossein Moeini. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Metal oxide liner for cross-point phase change memory cell

Номер патента: US20220102625A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Hari Chandrasekaran,Hoi-sung Chung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Buried metal signal rail for memory arrays

Номер патента: US20240079326A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kohji Hosokawa,Nicholas Anthony Lanzillo,Geoffrey Burr,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Fabrication of electrodes for memory cells

Номер патента: EP3815148A1. Автор: Yao Jin,Hongqi Li,Andrea Gotti,Yongjun J. Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Fabrication of electrodes for memory cells

Номер патента: US20210098697A1. Автор: Yao Jin,Hongqi Li,Andrea Gotti,Yongjun J. Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Fabrication of electrodes for memory cells

Номер патента: WO2019236273A1. Автор: Yao Jin,Hongqi Li,Andrea Gotti,Yongjun J. Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-12.

Fabrication of electrodes for memory cells

Номер патента: US11545623B2. Автор: Yao Jin,Hongqi Li,Andrea Gotti,Yongjun J. Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Reduced pitch memory subsystem for memory device

Номер патента: US11973031B2. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Vladimir Mikhalev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Low-resistance contact to top electrodes for memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US20240260480A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Tunable timer for memory arrays

Номер патента: US5120987A. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Bottom-electrode interface structure for memory

Номер патента: US20230363178A1. Автор: Tzu-Yu Lin,Yao-Wen Chang,Chia-Wen Zhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Via landing enhancement for memory device

Номер патента: US11785862B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Chang-Jen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Bottom-electrode interface structure for memory

Номер патента: US11792996B2. Автор: Tzu-Yu Lin,Yao-Wen Chang,Chia-Wen Zhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Sidewall spacer structure for memory cell

Номер патента: US11818962B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Huang Huang,Chia-Hua Lin,Yao-Wen Chang,Yuan-Tai Tseng,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Thickened sidewall dielectric for memory cell

Номер патента: US20100197131A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Ron Weimer,Kyu Min,Tom Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Thickened Sidewall Dielectric for Memory Cell

Номер патента: US20200203360A1. Автор: Ronald A. Weimer,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Thomas M. Graettinger,Kyu S. Min. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Thickened sidewall dielectric for memory cell

Номер патента: US20140159136A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Ron Weimer,Kyu Min,Tom Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Thickened sidewall dielectric for memory cell

Номер патента: US20120032252A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Ron Weimer,Kyu Min,Tom Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Sidewall spacer structure for memory cell

Номер патента: US20230389445A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Huang Huang,Chia-Hua Lin,Yao-Wen Chang,Yuan-Tai Tseng,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Multi-gate selector switches for memory cells and methods of forming the same

Номер патента: US20230380186A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Back-end-of-line selector for memory device

Номер патента: US11997855B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Self-aligned etching techniques for memory formation

Номер патента: US20230395704A1. Автор: John Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Formation for memory cells

Номер патента: US20230397431A1. Автор: Marcello Mariani,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: US11957068B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Contact for memory cell

Номер патента: US20100068879A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Contact for memory cell

Номер патента: US20130149861A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Contact for memory cell

Номер патента: US8728932B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-20.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: EP4348714A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Dopant-modulated etching for memory devices

Номер патента: US20240049610A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory apparatus and methods including merged process for memory cell pillar and source structure

Номер патента: US20230345722A1. Автор: Byeung Chul Kim,Richard J. Hill,Damir Fazil,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: WO2021015895A1. Автор: Mahendra Pakala,Ellie Y. Yieh,Arvind Kumar,Sanjeev MANHAS. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-28.

Dopant-modulated etching for memory devices

Номер патента: US11800816B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: WO2020159663A1. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-08-06.

N, n '-substituted 3, 7-diazabicyclo[3,3,1]nonane drug for memory regeneration in health and disease in patients of all age groups, based pharmaceutical composition and method of application thereof

Номер патента: RU2417082C2. Автор: Сергей Олегович Бачурин,Николай Серафимович Зефиров,Владимир Викторович Григорьев,Мстислав Игоревич Лавров,Владимир Александрович Палюлин,Константин Владимирович Анохин,Наталья Викторовна Комисарова,Анна Александровна Тиунова. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Физиологически Активных Веществ Ран (Ифав Ран). Дата публикации: 2011-04-27.

Storage capacitor for DRAM memory cell

Номер патента: US5867362A. Автор: Anchor Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Low-resistance contact to top electrodes for memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US11985906B2. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Divider and contact formation for memory cells

Номер патента: US20230354601A1. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Single-crystal transistors for memory devices

Номер патента: US11862668B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Masihhur R. Laskar,Nicholas R. Tapias,Darwin Franseda Fan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Single-crystal transistors for memory devices

Номер патента: US20240105766A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Masihhur R. Laskar,Nicholas R. Tapias,Darwin Franseda Fan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor structure, semiconductor structure for memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240188278A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Interconnect structures for integration of memory cells and logic cells

Номер патента: US20240306362A1. Автор: Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory cell

Номер патента: EP1280209A3. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-05-12.

Phase change memory cell with heat shield

Номер патента: US20140252294A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Line bending control for memory applications

Номер патента: US11864372B2. Автор: Ishtak Karim,Patrick Van Cleemput,Gorun Butail,Shruti Thombare. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Line bending control for memory applications

Номер патента: WO2020112616A1. Автор: Ishtak Karim,Patrick Van Cleemput,Gorun Butail,Shruti Thombare. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-04.

Metal hybrid charge storage structure for memory

Номер патента: WO2022267007A1. Автор: Fei Wang,Jie Li,Xingui ZHANG,Dipanjan Basu,Meng-Wei Kuo,Minsheng Wang,Guangyu Huang,Qun Gao,Randy Koval,Henok MEBRAHTU,Guanjie LI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-12-29.

Metal hybrid charge storage structure for memory

Номер патента: US20220415908A1. Автор: Fei Wang,Jie Li,Xingui ZHANG,Dipanjan Basu,Meng-Wei Kuo,Minsheng Wang,Guangyu Huang,Qun Gao,Randy Koval,Henok MEBRAHTU,Guanjie LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Via landing enhancement for memory device

Номер патента: US20200127189A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Chang-Jen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Line bending control for memory applications

Номер патента: US20240172413A1. Автор: Ishtak Karim,Patrick Van Cleemput,Gorun Butail,Shruti Thombare. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Line bending control for memory applications

Номер патента: US20220028864A1. Автор: Ishtak Karim,Patrick Van Cleemput,Gorun Butail,Shruti Thombare. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: EP3833380A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2021-06-16.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: CA3109141A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2020-02-13.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: AU2019320099A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2021-04-01.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: US20210322451A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2021-10-21.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: WO2020033972A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory cells which include transistors having gap channel material

Номер патента: EP3639298A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Method for forming pcm and rram 3-d memory cells

Номер патента: US20170133435A1. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

SRAM memory cell, memory cell arrangement and method for fabricating a memory cell arrangement

Номер патента: US20040099902A1. Автор: Thomas Schulz,Christian Pacha,Erhard Landgraf,Richard Luyken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-27.

Methods Of Forming Memory Cells

Номер патента: US20110147826A1. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

For memory on package with reduced thickness

Номер патента: US20240334715A1. Автор: Phani Alaparthi,Samarth Alva,Navneet Kumar SINGH,Gaurav HADA,Aiswarya M. Pious,Ritu Bawa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory cells and methods of fabrication

Номер патента: US09935264B2. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick,Scott E. Sills,Chet E. Carter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Array of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09881972B2. Автор: Tuman Earl Allen, III,Denzil S. Frost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09837472B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

CD8(+) Stem-Like Chronic Memory Cell Based Therapies and Compositions Related Thereto

Номер патента: US20240226166A1. Автор: Rafi Ahmed,Daniel Yunmin Chang,Tahseen H. Nasti. Владелец: EMORY UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-11.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US20050032289A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20130221318A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Memory cells and memory cell arrays

Номер патента: EP2769414A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Memory device having memory cell strings and separate read and write control gates

Номер патента: WO2023009941A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Yingda Dong,Albert Fayrushin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-02.

Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Patterning Chalcogenide-Containing Stacks

Номер патента: US20120015475A1. Автор: Jun Liu,Jerome Imonigie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Patterning Chalcogenide-Containing Stacks

Номер патента: US20130149834A1. Автор: Jun Liu,Jerome Imonigie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1550133A1. Автор: Göran Gustafsson,Johan Carlsson,Henrik Ljungcrantz,Niclas Edvardsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-07-06.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Stagger memory cell array

Номер патента: US20070272985A1. Автор: Yeou-Lang Hsieh,Ching-Kun Huang,Jeng-Dong Sheu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Simplified process for defining the tunnel area in non-aligned, non-volatile semiconductor memory cells

Номер патента: US6444526B1. Автор: Bruno Vajana,Matteo Patelmo,Giovanna Dalla Libera,Nadia Galbiati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-03.

Cd8(+) stem-like chronic memory cell based therapies and compositions related thereto

Номер патента: WO2023283232A2. Автор: Rafi Ahmed,Daniel Yunmin Chang,Tahseen H. Nasti. Владелец: EMORY UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-12.

Self-aligned dual-floating gate memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030168692A1. Автор: James Hsu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-11.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Induction memory cell

Номер патента: US10778222B2. Автор: Jerome Porter, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-15.

Arrays of elevationally-extending strings of memory cells and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09985049B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory arrays and methods of forming memory cells

Номер патента: US09893277B2. Автор: John K. Zahurak,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor, methods of forming a tier of an array of memory cells, and methods of forming an array of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor

Номер патента: US09837420B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming memory cells in an array

Номер патента: US7378311B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-27.

NAND ferroelectric memory cell with three-dimensional structure and preparation method thereof

Номер патента: US11917830B2. Автор: Min Liao,Qijun Yang,Yichun ZHOU,Yanwei HUAN,Siwei DAI,Zhaotong LIU. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US9837604B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated planar transistors and memory cell array architectures

Номер патента: US20230197571A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory cells having a plurality of control gates and memory cells having a control gate and a shield

Номер патента: US20130146960A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20180108708A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20150333104A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: WO2013109920A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20140339494A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20150221864A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Cd8(+) stem-like chronic memory cell based therapies and compositions related thereto

Номер патента: WO2023283232A3. Автор: Rafi Ahmed,Daniel Yunmin Chang,Tahseen H. Nasti. Владелец: EMORY UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory cells having a plurality of control gates and memory cells having a control gate and a shield

Номер патента: US20140138754A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Contactless channel write/erase flash memory cell and its fabrication method

Номер патента: US20020114179A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: EP3238283A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: WO2016105750A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20170125671A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: EP1166364A1. Автор: John Caywood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-02.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: WO2000057483A1. Автор: John Caywood. Владелец: John Caywood. Дата публикации: 2000-09-28.

Heat dissipating device for memory modules and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2009020265A1. Автор: Yun Kyung Myung. Владелец: Il Chang Precision Co., Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Integrated circuit memory cells and methods of forming

Номер патента: WO2005064672A2. Автор: Alexander Paterson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-07-14.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Programmable Array logic Circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: US20030222675A1. Автор: Richard Lienau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Method for fabricating memory cell structure employing contiguous gate and capacitor dielectric layer

Номер патента: US20040191985A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Programmable conductor memory cell structure and method therefor

Номер патента: US20060208249A1. Автор: Terry Gilton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Integrated circuit memory cells and methods of forming

Номер патента: EP1700339A2. Автор: Alexander Paterson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-13.

A programmable array logic circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: WO2001054133A9. Автор: Richard M Lienau. Владелец: Richard M Lienau. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory cells and memory cell formation methods using sealing material

Номер патента: US20150357565A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Memory cell based on a phase-change material

Номер патента: US20240334712A1. Автор: DANIEL Benoit. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US09935154B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Phase change memory cells

Номер патента: US09773977B2. Автор: Roberto Bez,Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: EP1340254A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-13.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELLS

Номер патента: US20120001270A1. Автор: Kenneth Trevor Monk. Владелец: ICERA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory cell for high-speed eeprom with controlled potential of under-gate region

Номер патента: RU2465659C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Олег Михайлович Орлов,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2012-10-27.

Memory cell for complementary metal-oxide-semiconductor ram structure

Номер патента: RU2580071C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук"(ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.