Semiconductor memory device capable of adaptively controlling bias and method of operating the same
Номер патента: US20240096401A1
Опубликовано: 21-03-2024
Автор(ы): Sang-Yun Kim, Sun Young Kim, Younghun Seo
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-03-2024
Автор(ы): Sang-Yun Kim, Sun Young Kim, Younghun Seo
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Gate stack, capacitorless dynamic random access memory including the gate stack and methods of manufacturing and operating the same
Номер патента: US20090021979A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-22.