Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor devices and their manufacturing methods

Semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP6808460B2
Опубликовано: 06-01-2021
Автор(ы): 秀将 大重
Принадлежит: Canon Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device having a through-silicon via and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899297B1. Автор: Victor Y. Lu,Pu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor devices and methods for their manufacture

Номер патента: DE102014100564A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor Device Comprising an Oxygen Diffusion Barrier and Manufacturing Method

Номер патента: US20170018457A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Baumgartl Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US09865639B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721873B2. Автор: Masazumi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices and methods for their manufacture

Номер патента: DE102014116262A1. Автор: Peter Brandl,Andrew Wood,Thomas Ostermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor device including plural types of resistors and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US09601427B2. Автор: Kotaro Nagakura. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09922961B2. Автор: Yoshifumi ZAIZEN,Masaki Okamoto,Masaki HANEDA,Satoru Wakiyama,Kazunori Nagahata,Reijiroh Shohji,Yutaka Ooka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09754990B2. Автор: Masaki Okamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09431448B2. Автор: Masaki Okamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device with etched landing pad surface and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240023308A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device having multilayered metal interconnection structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6087250A. Автор: Yasuhito Hyakutake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Semiconductor device having wiring line with hole, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030146515A1. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210183820A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20220028833A1. Автор: Hidekazu Hayashi,Takuro Okubo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US11444061B2. Автор: Hidekazu Hayashi,Takuro Okubo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8466518B2. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120038000A1. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor devices and method for their manufacture

Номер патента: US20030211723A1. Автор: Ling Yun,Rick Teo Kok Hin. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device having a surface insulator layer and manufacturing method therefor

Номер патента: US10312093B2. Автор: FENG CHEN,Xianming Zhang,Ling TANG,Leibin Yuan,Feng DOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor device, electronic device including the same and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20150162247A1. Автор: Myeongcheol Kim,Yong-Joon Choi,Cheol Kim,Geumjung Seong,Hak-sun Lee,Ji-Eun Han,Haegeon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device with shallow trench isolation and its manufacture method

Номер патента: US7211480B2. Автор: Hiroyuki Ota,Kengo Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020100953A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030030076A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor device having dual-stishallow trench isolation and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101166268B1. Автор: 노리유키 미츠히라,다케히코 나카하라,야스스케 스즈키,쥰 스미노. Владелец: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-07-17.

Integrated semiconductor device having an insulating structure and a manufacturing method

Номер патента: US20110309441A1. Автор: Hans Weber,Matthias Stecher,Lincoln O'riain,Birgit von Ehrenwall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12033970B2. Автор: Dong Hyun Kim,Jae Hun Bae,Min Hwa Chang,Won Chul Do,Seok Geun Ahn,Young Rae Kim,Min Yoo,Ah Ra Jo. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09524906B1. Автор: Glenn A. Rinne,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Eun Sook Sohn,In Bae Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having a multi-layer pad and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20000009043A. Автор: 김진현,이태철. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-02-15.

Semiconductor device with a multilayer connection structure and manufacturing method therefor

Номер патента: DE4202294C2. Автор: Hiroyuki Fujii,Shigeru Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-06-16.

Semiconductor device with a conductive layer and its manufacturing method

Номер патента: DE19750896B4. Автор: Shigeru Harada,Hiroshi Tobimatsu,Takahiro Itami Kawasaki. Владелец: Renesas Semiconductor Engineering Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor device having a conductive layer and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20040211958A1. Автор: Tadashi Matsuno,Mari Otsuka,Hideki Osamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140073090A1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Teramikros Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150008579A1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US09640478B2. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150318244A1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722030B1. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679901B1. Автор: Chin-Lung Lin,Shih-Fang Tzou,Le-Tien Jung,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Harn-Jiunn Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with multi-layer dielectric

Номер патента: US12040273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355733A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Wei-Ting YEH,Zheng-Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680031B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having a soi structure and a manufacturing method thereof

Номер патента: GB9713535D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-03.

Micro- pattern, capacitor, semiconductor devices and electronic system and its manufacturing method

Номер патента: CN108206134A. Автор: 黄灿,金钟赫,河淳穆,金载熙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME AND MANUFACTURING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150162247A1. Автор: Kim Cheol,Kim Myeongcheol,Lee Hak-Sun,CHOI Yong-Joon,HAN Ji-Eun,SEONG GeumJung,JUNG Haegeon. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device preventing the arcing defect and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100764456B1. Автор: 이완기. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-05.

Semiconductor device with siliceous metal wiring layer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN1457095A. Автор: 宇佐美达矢,大音光市,竹胁利至,山西信之. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-11-19.

Semiconductor device comprising an oxygen diffusion barrier and manufacturing method

Номер патента: US9601368B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device having a stacked fin structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10163728B2. Автор: Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-25.

Power semiconductor device with buried gate bus and the manufacturing method therefor

Номер патента: TW200635039A. Автор: Jun Zeng,Po-I Sun. Владелец: Pyramis Corp. Дата публикации: 2006-10-01.

Semiconductor device having an ultra-thin substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190181117A1. Автор: Ronald Huemoeller. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09960328B2. Автор: David Clark,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09646982B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282828A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Kyoungwoo Lee,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818851B2. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786556B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620482B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Yu-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US12051628B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US20240363426A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437490B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chao-Wen Shih,Hung-Yi Kuo,Tsung-Yuan Yu,Pi-Lan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Soi-type semiconductor device using electro-chemical etching method and manufacturing method of active drive liquid crystal display device using the same

Номер патента: JPH1070188A. Автор: Saikan Kin,Churuki Kan,▲チュル▼煕 韓,Kitoku Ri,煕▲徳▼ 李,載官 金. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1998-03-10.

Semiconductor device having field shield isolation region and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100281889B1. Автор: 황민욱,백원식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-03-02.

Semiconductor device having trench type isolation structure and manufacturing method

Номер патента: KR950021370A. Автор: 김재갑. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-26.

Semiconductor device with shallow trench isolation and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20060141740A1. Автор: Dae-Ho Jeong. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: TW527685B. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-11.

Manufacturing method for optical device, and optical device

Номер патента: US20240153985A1. Автор: Yu Wang,Zhilei HUANG,Qiujun QIN. Владелец: Beijing Seetrum Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20190288000A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180061710A1. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09461057B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456125A2. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09564504B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09564503B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160126325A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190081040A1. Автор: Toshiyuki Kanaya,Tsuyoshi Hosono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, power amplification circuit, and electronic device

Номер патента: US20240274688A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Device isolation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4451317A1. Автор: LIU Yuan,Tianyi Zhang,Ming Pan,Yanjun Chen,Can Zhong,Fengjie Tang,Peng GOU,Xiran ZUO,Guidong JIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735109B2. Автор: Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09640624B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Substrate structure, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09607877B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-28.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041774B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US11195749B2. Автор: Yoshiharu Kato,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09947658B2. Автор: yu-sheng Wu,Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660042B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device manufacturing method with reduced gate electrode height loss and related devices

Номер патента: US10535750B2. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200235220A1. Автор: Chen-Chiang Liu,Kuo-Sheng Shih,Hung-Kwei Liao,Ming-Tsung Hsu,Yung-Yao Shih. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10818813B2. Автор: Takashi Ogura,Shigeaki Shimizu,Shinichi Watanuki,Tomoo Nakayama,Teruhiro KUWAJIMA,Futoshi Komatsu,Hiroyuki OKUAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100698B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Chieh Chang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US09905644B2. Автор: Satoshi Eguchi,Tetsuya Iida,Akio Ichimura,Natsuo Yamaguchi,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831242B2. Автор: Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12125794B2. Автор: Chen-Hua Yu,Su-Chun YANG,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao,Wen-Lin Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020127869A1. Автор: Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020013066A1. Автор: Kazuo Maeda,Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321239A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta,Shigeyuki SAKUMA,Mitsuo SEKISAWA,Takehiro Endo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09647068B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450075B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10170483B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768178B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having crack-resisting ring structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559063B2. Автор: Takeshi Watanabe,Junya Ishii,Hiroyasu Kitajima,Yoshitsugu Kawashima,Hirofumi SAITOU,Tatsuki Kojima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Advanced semiconductor devices and method for their manufacture

Номер патента: FR1544067A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1968-10-31.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170133386A1. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Trench power device and source capacitor integration and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246562A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Heterogeneous integrated circuits and devices thereof with a surrogate substrate and transferred semiconductor devices

Номер патента: US09524872B1. Автор: Andrew T. Hunter,Peter D. Brewer,Yakov Royter. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device, multi-chip semiconductor device, device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5682496B2. Автор: 正司 竹中,克義 山本,竹中　正司,山本　克義. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Semiconductor Device Active Region Profile and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230117516A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device active region profile and method of forming the same

Номер патента: US20240339541A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US20220223712A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US11848370B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180190786A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20050142789A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US6939773B2. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190214477A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160365423A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US9941379B2. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20110318904A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Matthias Stecher,Thomas Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09929259B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09620629B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Complementary metal oxide semiconductor device with dual-well and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543303B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9337327B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and wire bonding apparatus

Номер патента: US09887174B2. Автор: Naoki Sekine. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057506B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Da-Wen Lin,Chia-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226312A1. Автор: Dong Hyun Kim,Min Hwa Chang,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Young Rae Kim,Wang Gu Lee,Mi Kyeong Choi,Jin Ryang Hwang. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09941180B2. Автор: Dong Hyun Kim,Min Hwa Chang,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Young Rae Kim,Wang Gu Lee,Mi Kyeong Choi,Jin Ryang Hwang. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508592B2. Автор: Takahiro Iguchi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having high-density capacitor elements, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010053578A1. Автор: Atsushi Tominaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device for providing spike voltage protection and manufacturing method thereof

Номер патента: US11848321B2. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

High voltage semiconductor device with esd self-protection capability and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230023179A1. Автор: Hee Hwan JI. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: KR101124898B1. Автор: 오사무 오카다,아이코 미즈사와,다케시 와카바야시,이치로 미하라. Владелец: 가부시키가이샤 테라미크로스. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: EP2076922B1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aido Mizusawa. Владелец: Teramikros Inc. Дата публикации: 2012-09-05.

Infra-red radiation imaging devices and methods for their manufacture

Номер патента: EP0061803B1. Автор: Ian Martin Baker. Владелец: Philips Electronics UK Ltd. Дата публикации: 1986-10-15.

Infra-red radiation imaging devices and methods for their manufacture

Номер патента: GB2095905B. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1985-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379482A1. Автор: Hung-Pin Chang,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130075733A1. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09536994B2. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230090278A1. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12014968B2. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device with transistor and capacitor and its manufacture method

Номер патента: TW200402142A. Автор: Toshiya Suzuki,Katsuhiko Hieda,Jun Lin. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-01.

Contact structures for semiconductor devices and method for their manufacture

Номер патента: EP0468136B1. Автор: Alan G. c/o A.N. Solheim Solheim. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-01-07.

Semiconductor devices and methods for their manufacture

Номер патента: DE102011053819A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Hans-Jörg TIMME,Franz Hirler,Dr. Santos Rodriguez Francisco Javier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device, power conversion device, moving body and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: DE112020007447T5. Автор: Ryutaro Date. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210125907A1. Автор: Hou Shang-Yun,HUANG Sung-Hui,Huang Kuan-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-04-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220359357A1. Автор: Hou Shang-Yun,HUANG Sung-Hui,Huang Kuan-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LOW DIELECTRIC INSULATING FILM AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140073090A1. Автор: Okada Osamu,Wakabayashi Takeshi,Mizusawa Aiko,Mihara Ichiro. Владелец: TERAMIKROS, INC.. Дата публикации: 2014-03-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN ULTRA-THIN SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190181117A1. Автор: Huemoeller Ronald. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device of silicon-on-insulator type and manufacturing method, for use in microelectronics

Номер патента: FR2807211A1. Автор: Takuji Matsumoto,Toshiaki Iwamatsu,Yuuichi Hirano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-10-05.

Semiconductor device with transistor and capacitor and its manufacture method

Номер патента: KR100867476B1. Автор: 히에다가쯔히꼬,린준,스즈끼도시야. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-11-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH A MOUNTING FRAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2752334B1. Автор: Seiichi Ito,Sadayoshi Arakawa,Kenichi Nishiyama,Koei Maruyama. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2002-07-12.

Semiconductor device having a thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030042542A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Takashi Ipposhi,Shigeto Maegawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor device including a columnar intermediate region and manufacturing method thereof

Номер патента: US8058686B2. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-15.

Semiconductor device having trench-type gate and its manufacturing method capable of simplifying manufacturing steps

Номер патента: US20090227102A1. Автор: Wataru Sumida. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor Device Including Trench Transistor Cell Array and Manufacturing Method

Номер патента: US20140327053A1. Автор: Manfred Schneegans,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device having a fin structure and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259840A1. Автор: Yong-Seung Kim,Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Kwan-Heum Lee,Hyun-Ho NOH,Yu-yeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-22.

Transition device for flexible device and preparation method therefor, and manufacturing method for flexible device

Номер патента: WO2019227955A1. Автор: 龚云平. Владелец: 浙江清华柔性电子技术研究院. Дата публикации: 2019-12-05.

Nitride semiconductor device having a silicon-containing layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US8163576B2. Автор: Yuji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Semiconductor device assembly, crimping power semiconductor module, and manufacturing method

Номер патента: EP4254490A1. Автор: Han Li,Wenhao Zhang,Haihui Luo,Yongdian PENG,Xingfeng Li,Guiqin CHANG,Tingchang SHI,Liangxing LI,Guozhong DONG. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device with non-volatile memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378284A1. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho,Jae Hoon Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Passive devices and modules for transceiver and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1276152A2. Автор: Insang Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080073798A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210280543A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: RU2544887C2. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Масанори ОГУРА,Тецунобу КОТИ,Масаси КИТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09985073B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786776B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09704912B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437639B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837460B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Yosuke Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240203832A1. Автор: Koji Watanabe,Tetsu Ohtou,Tomonari Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508774B2. Автор: Koji Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215462A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9041202B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Packaged semiconductor device having improved reliability and inspectionability and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3968372B1. Автор: Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-11-06.

Packaged semiconductor device having improved reliability and inspectionability and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3968372A1. Автор: Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-03-16.

Semiconductor device, built-up type semiconductor device using the same, base substrate, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TW200807588A. Автор: Yuji Yano,Yoshiki Sota,Katsumasa Murata. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2008-02-01.

A printed circuit board substrate for a semiconductor device package and a semiconductor device package using the same, and a manufacturing method thereof

Номер патента: DE19827237B4. Автор: Yong Tae Susung Kwon,Jin Sung Cheongju Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor device, semiconductor package for use therein, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040082102A1. Автор: Takaaki Sasaki. Владелец: Takaaki Sasaki. Дата публикации: 2004-04-29.

INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN INSULATING STRUCTURE AND A MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140287560A1. Автор: Weber Hans,Stecher Matthias,"ORiain Lincoln",von Ehrenwall Birgit. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

Resin-sealed semiconductor device, lead frame with die pads, and manufacturing method for lead frame with die pads

Номер патента: CN1790687A. Автор: 福田敏行,山田雄一郎,河崎知树,尾方秀一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-21.

Semiconductor device having element for test and its manufacturing method

Номер патента: JP2002164517A. Автор: Miki Miyajima,幹 宮嶋. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-07.

Semiconductor device having vertical field effect transistor, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2010056215A. Автор: Kiyoshi Takeuchi,潔 竹内. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Devices and stacked microelectronic packages with parallel conductors and intra-conductor isolator structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20150092372A1. Автор: Michael B. Vincent,Zhiwei Gong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-02.

Wire bonded integrated circuit devices and method for their manufacture

Номер патента: CA951026A. Автор: Arthur N. Gardiner. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1974-07-09.

Organic el display device and organic el display device manufacturing method

Номер патента: US20190341576A1. Автор: Takashi Ochi,Akihiro Matsui,Takeshi Hirase,Tohru Sonoda,Tohru Senoo,Hisao Ochi,Jumpei Takahashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10079157B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266189A1. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180308826A1. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10438933B2. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11705189B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and semiconductor device producing substrate and their manufacture method

Номер патента: CN100555608C. Автор: 细川和人,池永知加雄,吉川桂介,桶结卓司,池村和弘,关谦太朗. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-10-28.

Semiconductor device, electronic apparatus and their manufacturing methods, electronic equipment

Номер патента: CN1531088A. Автор: ,泽本俊宏. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-22.

Semiconductor device having highly stable bonding layer and manufacturing method for device

Номер патента: EP3723116A1. Автор: LEI Wei,Peng Xu,Ren Zhang,Mei Han,Xiaoyong Li,HUI Teng,Renyi Yang,Tewei Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-14.

Sensing field effect transistor devices and method of their manufacture

Номер патента: US09470652B1. Автор: Stephen R. Hooper,Raymond M. Roop,Leo M. Higgins, III. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180006039A1. Автор: Yu Ming-Hua,Lee Yi-Jing,KWOK Tsz-Mei,Li Kun-Mu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device including multiple field effect transistors and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030151099A1. Автор: Keiichi Yamada,Kenji Yoshiyama,Katsuya Okada,Motoshige Igarashi,Keiichi Higashitani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Trench power device and source capacitor integration and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246562A4. Автор: Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186308A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Ming-Yu Yen,Hung-Chih Chen,Chin-Wei Liang,Kai-Fung Chang,Sheng-Feng Weng,Yi-Yang Lei,Hung-Chou LIAO,Cheyu LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Anodic aluminum oxide film-based interposer for electrical connection and manufacturing method therefor, semiconductor package and manufacturing method therefor, multi-stacked semiconductor device and manufacturing method therefor, display and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240112968A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332032A1. Автор: Hyun Cho,Dong Jin Kim,Jae Hun Bae,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Won Chul Do,Jun Hwan Park,Ji Hun Lee,Dong Hoon Han,Curtis Zwenger,Seung Nam Son,Won Myoung Ki. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2589484A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110233794A1. Автор: Yasuaki Iwata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Direct cooling type semiconductor package unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266251A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341322A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148255A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266321A1. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966276B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Seong Min Seo,Ji Hun Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536858B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Seong Min Seo,Ji Hun Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150243562A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082643B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9230865B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148845A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20080017922A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240312852A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100295116A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134975A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220059493A1. Автор: Yoshiharu Okada,Masatoshi Kawato,Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09991213B2. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09633926B2. Автор: Yuya Takano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Embedded packaging module and manufacturing method for the same

Номер патента: US20200251438A1. Автор: HUI Li,Kai Lu,Zengsheng WANG,Xuetao Guo. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200243514A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device, electric power conversion device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12095382B2. Автор: Eiichi Ide,Nobutake Tsuyuno,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837369B2. Автор: Kazuyuki Nakagawa,Shinji Baba,Toshihiro Iwasaki,Yoshikazu Shimote. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812388B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09646994B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09589969B1. Автор: Yu-Wei Chang,Chui-Ya Peng,Austin Hsu,Kung-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor package device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466581B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Nai-wei LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09837544B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Ballistic transport semiconductor device based on nano array and manufacturing method

Номер патента: US20200227541A1. Автор: Fu Chen,Xiaodong Zhang,Yong Cai,Guohao Yu,Baoshun Zhang,Wenxin TANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor devices and method for their manufacture

Номер патента: FR1242704A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1960-09-30.

Semiconductor devices and method for their manufacture

Номер патента: FR1467518A. Автор: . Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1967-01-27.

Ohmic contact structure and manufacturing method therefor, and application thereof

Номер патента: US20240258395A1. Автор: Wangping WANG,Jieli TAN,Jiangshi XU. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170133386A1. Автор: Yu Ming-Hua,Lee Yi-Jing,KWOK Tsz-Mei,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device with back gate negative capacitor and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: CN106653857A. Автор: 朱慧珑,朱正勇,贾昆鹏. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-10.

Metal oxide semiconductor device capable of reducing on-resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200066878A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-02-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CRACK-RESISTING RING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140027928A1. Автор: Watanabe Takeshi,ISHII Junya,SAITOU Hirofumi,KITAJIMA Hiroyasu,KOJIMA Tatsuki,KAWASHIMA Yoshitsugu. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF REDUCING ON-RESISTANCE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200066878A1. Автор: Huang Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor Device Including Trench Transistor Cell Array and Manufacturing Method

Номер патента: US20140327053A1. Автор: Zundel Markus,Schneegans Manfred. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device having wiring of laminated structure and manufacturing method

Номер патента: KR950025957A. Автор: 가오루 미까기. Владелец: 닛본덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-09-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A DIFFUSED GUARD RING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2450505A1. Автор: Andre Peyre Lavigne,Annie Collumeau. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1980-09-26.

Semiconductor device having improved safe operating areas and manufacturing method therefor

Номер патента: US10347715B2. Автор: Kenji Suzuki,Tetsuo Takahashi,Koichi Nishi,Mitsuru Kaneda,Ryu KAMIBABA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device having faceted silicide contacts and associated manufacturing method

Номер патента: JP5785496B2. Автор: ビン ヤン フランク,ビン ヤン フランク,パル ロヒト,ハーグローブ マイケル. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-09-30.

High Quality Non-polar Semiconductor Device having Substrate Surface Nitridation Layer and Manufacturing Method thereof

Номер патента: KR101143277B1. Автор: 박현성,남옥현,이관현. Владелец: 한국산업기술대학교산학협력단. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor device without a short channel eefect and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100265826B1. Автор: 김종식,우영탁,엄재철. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Semiconductor device including iodine-doped CuO film and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20230077188A. Автор: 이현주,김보경,박재훈,방성근. Владелец: 한림대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device having an electrode containing boron and manufacturing method thereof

Номер патента: US7586163B2. Автор: Koichi Kato,Yasushi Nakasaki,Koichi Muraoka,Yuichiro Mitani,Daisuke Matsushita,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-08.

ELECTRONIC FIELD EFFECT DEVICES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE

Номер патента: US20130126909A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Scarsbrook Geoffrey Alan,Friel Ian,Balmer Richard Stuart. Владелец: DIAMOND MICROWAVE DEVICES LIMITED. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor p-nu junction devices and method for their manufacture

Номер патента: US3298878A. Автор: Emeis Reimer,Hoffmann Arnulf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1967-01-17.

asymmetrically conductive elements for junction devices and method for their manufacture

Номер патента: FR1446619A. Автор: . Владелец: Westinghouse Brake and Signal Co Ltd. Дата публикации: 1966-07-22.

The manufacture method and the mobile body drive method of mobile body device, pattern formation device and pattern formation method, device manufacturing method, mobile body device

Номер патента: CN101611470A. Автор: 青木保夫,工藤芳彦,白数广. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-12-23.

Method for determining pretreatment conditions of heat treatment furnace, pretreatment method of heat treatment furnace, heat treatment device, and heat-treated semiconductor wafer manufacturing method and manufacturing device

Номер патента: TWI740285B. Автор: 桑野嘉宏. Владелец: 日商勝高股份有限公司. Дата публикации: 2021-09-21.

Thin film transistor, display device, and thin film transistor manufacturing method

Номер патента: US11955559B2. Автор: Shigeru Ishida,Takao Matsumoto,Yoshiaki Matsushima,Nobutake Nodera,Ryohei Takakura,Satoru Utsugi,Satoshi Michinaka. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Plate member substrate holding device exposure device and exposure method and device manufacturing method

Номер патента: KR101261658B1. Автор: 히로유키 나가사카,도모하루 후지와라. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-05-07.

Mobile device, exposure device and exposure method, and component manufacturing method

Номер патента: TWI454859B. Автор: 田中慶一. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2014-10-01.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: EP1860688A4. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: AGC Seimi Chemical Ltd. Дата публикации: 2010-08-18.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: TW200643157A. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: Seimi Chem Kk. Дата публикации: 2006-12-16.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: EP1860688A1. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: AGC Seimi Chemical Ltd. Дата публикации: 2007-11-28.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: WO2006098141A1. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2006-09-21.

The stripping off device and stripping means and the manufacture method of electronic device of substrate

Номер патента: CN103972133B. Автор: 伊藤泰则,宇津木洋,泷内圭. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-25.

Thin film battery module, thin film battery package, thin film battery package manufacturing device, and thin film battery package manufacturing method

Номер патента: US09728754B2. Автор: Yong Yeon Kim,San Moo Kwon,Soo Tae Choi,Eun Hang Cho,Eun Jong Hwang,Sung Gyu Bang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Thin film manufacturing method, thin film manufacturing device, and liquid crystal display device manufacturing method

Номер патента: US20130134034A1. Автор: Hironobu Inoue,Hiroaki Yonekura. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Thin film battery module, thin film battery package, thin film battery package manufacturing device, and thin film battery package manufacturing method

Номер патента: US20140370364A1. Автор: Yong Yeon Kim,San Moo Kwon,Soo Tae Choi,Eun Hang Cho,Eun Jong Hwang,Sung Gyu Bang. Владелец: GS Energy Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device, electronic apparatus and their manufacturing methods, elecronic equipment

Номер патента: CN1531089A. Автор: 青柳哲理. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-22.

Semiconductor devices and methods for their manufacture

Номер патента: DE102006057352A1. Автор: Yasushi Takahashi,Koji Terada,Tetsuya Toyota Kanata,Shinichi Umekawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-06-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LOW DIELECTRIC INSULATING FILM AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20150008579A1. Автор: Okada Osamu,Wakabayashi Takeshi,Mizusawa Aiko,Mihara Ichiro. Владелец: TERA PROBE, INC.. Дата публикации: 2015-01-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LOW DIELECTRIC INSULATING FILM AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20150318244A1. Автор: Okada Osamu,Wakabayashi Takeshi,Mizusawa Aiko,Mihara Ichiro. Владелец: TERA PROBE, INC.. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device having curved package body profile and manufacturing method thereof

Номер патента: KR970018431A. Автор: 에이치. 우슬레이 알랜,더블유. 메이스 에버리트. Владелец: 빈센트 비. 인그라시아. Дата публикации: 1997-04-30.

Semiconductor device using junction leak current and its manufacture method

Номер патента: KR100780539B1. Автор: 삼본스기야스히로,오따히로유끼,스가따니신지,모미야마요이찌. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device having polycrystalline silicon film resistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US6750531B2. Автор: Toshihiko Omi,Nobuo Takei,Keisuke Uemura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-06-15.

Semiconductor device with capacitor and fuse and its manufacture method

Номер патента: TWI246767B. Автор: Masayoshi Omura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2006-01-01.

Semiconductor device with capacitor and fuse and its manufacturing method

Номер патента: KR100718614B1. Автор: 오무라마사요시. Владелец: 야마하 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-05-16.

SWITCHED-CAPACITOR CIRCUIT, A RADIO FREQUENCY DEVICE, AND A SWITCHED-CAPACITOR CIRCUIT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180269862A1. Автор: JIA Hai Long. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor devices and their manufacture

Номер патента: US20020008327A1. Автор: John Cutter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222517A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method the same

Номер патента: US09379141B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871143B2. Автор: Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620650B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780276B2. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220122981A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290905A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140151720A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Wei-Chou Lan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Manufacturing method of semiconductor device, manufacturing method of electronic appliance, semiconductor device, display device, memory device, and electronic appliance

Номер патента: US09947802B2. Автор: Masayuki Kimura,Yukiko TOJO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768095B2. Автор: Kazunori Uchiyama,Naoki Hakamada,Tadafumi Yoshida,Tomo SASAKI,Masataka DEGUCHI,Akio Kitami. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Composite element chip, a semiconductor device and manufacturing method thereof, a printing head, and an image forming apparatus

Номер патента: US09614125B2. Автор: Takahito Suzuki,Taishi Kaneto. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991395B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Switching element, switching element manufacturing method, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09893276B2. Автор: Naoki Banno,Munehiro Tada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09716049B2. Автор: Nobutaka Shimizu,Kazuyuki Urago. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653488B2. Автор: Yi-Ting Lee,Chien-Hao Wu,Hsien-Tang Hu. Владелец: Hannstar Display Nanjing Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437744B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same

Номер патента: US20240201223A1. Автор: Toshitsugu Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865712B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US09847311B2. Автор: Takuya Kadoguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472664B1. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor devices, lens modules and their manufacturing methods, and electronic devices

Номер патента: JP6967830B2. Автор: 啓之 伊藤,実 石田,洋志 田澤,卓 齋藤,利章 白岩,宣年 藤井,弘康 松谷,啓示 大島,正喜 岡本. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-11-17.

Power semiconductor device having low gate input resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201143092A. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Jia-Fu Lin,Shian-Hau Liao. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Electronic devices with cavity-type, permeable material filled packages, and methods of their manufacture

Номер патента: US20140146509A1. Автор: Stephen R. Hooper,Darrel R. Frear,William C. Stermer, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-29.

Light emitting device and fluidic manufacture thereof

Номер патента: US09722145B2. Автор: Mark Albert Crowder,Paul John Schuele,Kenji Alexander Sasaki. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Electronic devices with cavity-type, permeable material filled packages, and methods of their manufacture

Номер патента: US09510495B2. Автор: Stephen R. Hooper,Darrel R. Frear,William C. Stermer, JR.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor unit, semiconductor device, light-emitting device, display device and method, semi-conductor device manufacturing method

Номер патента: CN106133930A. Автор: 大前晓,片冈祐亮,大桥达男,西中逸平,琵琶刚志. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-16.

Manufacturing method of semiconductor device and adhesive film used for manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5976326B2. Автор: 謙司 大西,俊平 田中,雄一郎 宍戸,文輝 浅井. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Surface treatment method of silicon substrate, manufacturing method of semiconductor device, semiconductor manufacturing device, transfer element and manufacturing method of the same, and solar cell and manufacturing method of the same

Номер патента: TW201501193A. Автор: Hikaru Kobayashi,Kentaro IMAMURA. Владелец: Hikaru Kobayashi. Дата публикации: 2015-01-01.

Methods for Purifying Organic Semiconductor Devices, Compositions, Compounds and Their Applications

Номер патента: JP7001815B2. Автор: 征夫 谷,哲也 渡邉. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-02-04.

Methods for Purifying Organic Semiconductor Devices, Compositions, Compounds and Their Applications

Номер патента: JPWO2019193953A1. Автор: 征夫 谷,哲也 渡邉,渡邉　哲也. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Thermoelectric device and manufacturing mold and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230010940A1. Автор: YI WU,Mingzhe RONG,Chunping NIU,Hailong He,Hongrui REN. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor devices and method, semi-conductor device manufacturing method

Номер патента: CN103681673B. Автор: 金子贵昭,砂村润,林喜宏,古武直也,齐藤忍. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Manufacturing method of semiconductor device and mold used in this manufacturing method

Номер патента: JP3902846B2. Автор: 景仁 西林. Владелец: ユー・エム・シー・ジャパン株式会社. Дата публикации: 2007-04-11.

Organic insulating film, manufacturing method thereof, semiconductor device using such organic insulating film and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100649917B1. Автор: 오또고이찌,우사미다쯔야,모리따노보루,엔도가즈히꼬. Владелец: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-11-27.

Semiconductor device with junction field-effect transistor and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120080728A1. Автор: Rajesh Kumar Malhan. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A FIN STRUCTURE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190006469A1. Автор: KIM Dong-woo,Shin Dong-Suk,Kim Yong-Seung,Noh Hyun-ho,Lee Kwan-heum,Jo Yu-yeong. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING IMPROVED RELIABILITY AND INSPECTIONABILITY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220084980A1. Автор: Minotti Agatino. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2022-03-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A FIN STRUCTURE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190259840A1. Автор: KIM Dong-woo,Shin Dong-Suk,Kim Yong-Seung,Noh Hyun-ho,Lee Kwan-heum,Jo Yu-yeong. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device with non-volatile memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359674A1. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho,Jae Hoon Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device with MOS field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: DE4200753C2. Автор: Hiroshi Kimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-26.

Semiconductor device having electrode of polyside structure and manufacturing method thereof

Номер патента: KR950028175A. Автор: 히로유끼 오오타. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-10-18.

Semiconductor device including the overlay mark and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100698750B1. Автор: 임병진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-03-23.

Semiconductor device with relatively high breakdown voltage and manufacturing method

Номер патента: CN101203960B. Автор: 简·雄斯基,安科·黑林格. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2012-09-26.

Semiconductor device with metal-bonded heat dissipator and manufacturing method for the same

Номер патента: US9991434B2. Автор: Masatsugu Ichikawa,Takehito Shimatsu,Satoshi SHICHIJO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with vertical electron injection and its manufacturing method

Номер патента: US7820461B2. Автор: Fabrice Letertre,Robert Baptist. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor device controllable by electric field effect and manufacturing method thereof

Номер патента: JP3728073B2. Автор: チハニ イエネ. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2005-12-21.

Grooved semiconductor device of self-aligned metal silicide and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102456574A. Автор: 张崇兴,梁安杰,苏冠创. Владелец: HONGKONG SHANGMOSIFEITE SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2012-05-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH JUNCTIONS WITH DIELECTRIC POCKETS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2791179B1. Автор: Thomas Skotnicki,Malgorzata Jurczak,Maryse Paoli,Romain Gwoziecki. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2003-08-22.

Semiconductor device having fin field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080054374A1. Автор: Noriaki Mikasa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH JUNCTIONS WITH DIELECTRIC POCKETS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2791179A1. Автор: Thomas Skotnicki,Malgorzata Jurczak,Maryse Paoli,Romain Gwoziecki. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2000-09-22.

Semiconductor device using anisotropic conductive adhesive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101256998A. Автор: 褚福堂,黄明玉,程至谦. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2008-09-03.

Cap for a chip device having a groove, device provided with said cap, assembly consisting of the device and a wire element, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09888573B2. Автор: Jean Brun,Dominique Vicard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Devices for thermal management of photovoltaic devices and methods of their manufacture

Номер патента: US20150162473A1. Автор: Sung-Wei CHEN,Christopher J. Rothfuss. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2015-06-11.

Molding apparatus and manufacturing method of molded semiconductor device

Номер патента: US12011859B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Hsiang Chiu,Sheng-Feng Weng,Yao-Tong Lai,Chia-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor component, package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294984A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh,Chi-Hwang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Intermixing of cadmium sulfide layers and cadmium telluride layers for thin film photovoltaic devices and methods of their manufacture

Номер патента: US20120024380A1. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Intermixing of cadmium sulfide layers and cadmium telluride layers for thin film photovoltaic devices and methods of their manufacture

Номер патента: EP2448004A1. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2012-05-02.

Oxygen getter layer for photovoltaic devices and methods of their manufacture

Номер патента: EP2549542A3. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Jeffrey Todd Knapp,Robert Dwayne Grossman. Владелец: First Solar Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2015-02-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

DEVICES FOR THERMAL MANAGEMENT OF PHOTOVOLTAIC DEVICES AND METHODS OF THEIR MANUFACTURE

Номер патента: US20150162473A1. Автор: Rothfuss Christopher J.,Chen Sung-Wei. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2015-06-11.

Cadmium sulfide layers for use in cadmium telluride based thin film photovoltaic devices and methods of their manufacture

Номер патента: CN102234775A. Автор: R·D·戈斯曼,M·J·帕沃尔. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2011-11-09.

SEALED IMPLANTED EYE DEVICES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE

Номер патента: RU2013107367A. Автор: Жан-Ноэль ФЕР,Урбан ШНЕЛЛЬ,Амитава ГУПТА,Рональд Д. БЛУМ,Жан-Кристоф РУЛЕ,Уолтер ДОЛЛ,Роланд МИХАЭЛИ. Владелец: Эленза, Инк.. Дата публикации: 2014-09-10.

Electrical devices and process for their manufacture

Номер патента: SE9703295L. Автор: Andrej Litwin,Sven Erik Mattisson. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1999-03-12.

Refractive index matching of thin film layers for photovoltaic devices and methods of their manufacture

Номер патента: AU2012203184A1. Автор: Robert Dwayne Gossman. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Display devices and methods for their manufacture

Номер патента: DE102012112660B4. Автор: Dongho Lee,Soonjae Hwang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

SOLID STATE MICROWAVE DEVICE AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE

Номер патента: FR2400262A1. Автор: . Владелец: National Res Development. Дата публикации: 1979-03-09.

Cadmium sulfide layers for use in cadmium telluride based thin film photovoltaic devices and methods of their manufacture

Номер патента: EP2383363A1. Автор: Robert Dwayne Gossman,Mark Jeffrey Pavol. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

Cadmium sulfide layers for use in cadmium telluride based thin film photovoltaic devices and methods for their manufacture

Номер патента: AU2011201779A1. Автор: Robert Dwayne Gossman,Mark Jeffrey Pavol. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2011-11-17.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243084A1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321780A1. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Shih-Wei Chen,Po-Chun Lin,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Chun-Ti LU,Zheng-Gang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12113022B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748154B1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Manufacturing method of soi high-voltage power device

Номер патента: US20120021569A1. Автор: Dawei He,Zhongjian Wang,Dawei Xu,Xinhong Cheng,Chao Xia,Yuehui Yu. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340492A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device and driving method thereof and manufacturing method of display substrate

Номер патента: US11410586B2. Автор: Guodong Liu,Donghui Zhang,Zhenyu Han,Xiaoye MA,Huan Ni,Xiaofang GU,Ruifang DU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device and driving method thereof and manufacturing method of display substrate

Номер патента: US20210407354A1. Автор: Guodong Liu,Donghui Zhang,Zhenyu Han,Xiaoye MA,Huan Ni,Xiaofang GU,Ruifang DU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device and driving method thereof and manufacturing method of display substrate

Номер патента: WO2020062798A1. Автор: Guodong Liu,Donghui Zhang,Zhenyu Han,Xiaoye MA,Huan Ni,Xiaofang GU,Ruifang DU. Владелец: HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-02.

Molded semiconductor device and manufacturing method of molded semiconductor device

Номер патента: US20240293962A1. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Hsiang Chiu,Sheng-Feng Weng,Yao-Tong Lai,Chia-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09997484B2. Автор: Hideo Aoki,Masatoshi Fukuda,Takeori Maeda,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

SPIN DEVICE, AND OPERATING METHOD THEREFOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20200058339A1. Автор: HONG Jin Pyo,PARK Hae Soo. Владелец: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University. Дата публикации: 2020-02-20.

Exposure device and exposure method, and device-manufacturing method

Номер патента: KR102203305B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2021-01-14.

Exposure device and exposure method, and device-manufacturing method

Номер патента: KR102311833B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2021-10-12.

Spin device, and operating method therefor and manufacturing method therefor

Номер патента: US10885960B2. Автор: Jin Pyo Hong,Hae Soo PARK. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-01-05.

HEMT device and self-isolation method and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113394096B. Автор: 郭炜,叶继春,徐厚强,戴贻钧. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2022-05-31.

Exposure device and exposure method, and device-manufacturing method

Номер патента: EP2905805A4. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-11-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230253275A1. Автор: Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US10714487B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240339429A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4443481A2. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240339495A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor package including antenna substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837701B2. Автор: Han-Chee Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09425313B1. Автор: Yuan-Shun Chao,Chao-Hsuing Chen,Hou-Yu Chen,Chie-Iuan Lin,Kuo Lung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11574916B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device thermal management module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355699A1. Автор: Dae Young Kong,Hyoung Soon Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC EL DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200043997A1. Автор: Sonoda Tohru,OCHI Takashi,TAKAHASHI Jumpei,MATSUI Akihiro,HIRASE TAKESHI,SENOO TOHRU,OCHI Hisao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC EL DISPLAY PANEL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190189713A1. Автор: Kondo Masahiko. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

ORGANIC EL DISPLAY DEVICE AND ORGANIC EL DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200303670A1. Автор: Kawato Shinichi,Ohara Masanori,Koike Eiji,Niboshi Manabu,Tsukamoto Yuto,ITO Asae,Mitsui Seiichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

ORGANIC EL DISPLAY DEVICE AND ORGANIC EL DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190341576A1. Автор: Sonoda Tohru,OCHI Takashi,TAKAHASHI Jumpei,MATSUI Akihiro,HIRASE TAKESHI,SENOO TOHRU,OCHI Hisao. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230170324A1. Автор: Kousuke Hirata,Ryousuke Kouda. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220181491A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905467B2. Автор: Chi-Wen Liu,Hsin-Chieh Huang,Chih-Sheng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09799566B1. Автор: Shun-Jang Liao,Shu-Hui Wang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780201B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431435B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007004595A3. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto. Владелец: Noriaki Kawamoto. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985031B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device manufacturing method, x-ray diffraction device and semiconductor pattern transfer system

Номер патента: US20240231234A1. Автор: Yasuhiro Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus, semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240313151A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09443592B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Kiyoshi Kato,Takayuki Inoue,Toshihiko Takeuchi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179261A1. Автор: Yuji Takahashi,Kazuya Sekiguchi,Daisuke Ono,Tatsuhiko Miura,Tsuyoshi Kachi,Katsuhiro Mitsui,Yoshio Fukayama,Tomokuni Chino. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Vertical junctionless transistor device and manufacturing methods

Номер патента: US09673322B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640648B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09458535B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device for adjusting threshold thereof

Номер патента: US09443990B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Kiyoshi Kato,Takayuki Inoue,Toshihiko Takeuchi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09437682B2. Автор: Hiroshi Kono,Makoto Mizukami,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030317A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Han-Yu Tang,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method and testing method of the same

Номер патента: US20030062623A1. Автор: Akio Inohara,Hirokazu Yoshida,Atsushi Ono,Makoto Kanda,Motoji Shiota,Yasunori Chikawa,Satoru Tone,Norimitsu Nie. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10453968B2. Автор: Hai Yang Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379458A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09536998B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431260B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US11777031B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230378252A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20230387298A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20220181495A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11152515B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180315603A1. Автор: Guang Li YANG,Dae Sub Jung,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220352372A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258119A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09576802B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Photonic semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US11853870B2. Автор: Zhan SU,Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Yanfei BAI,Jinghui ZOU. Владелец: Nanjing Guangzhiyuan Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150008507A1. Автор: Yasufumi Morimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12074215B2. Автор: Tomomi Yamanobe,Yoshinobu Takeshita,Kazutaka Kodama,Minako Oritu. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer

Номер патента: US20090170252A1. Автор: Takashi Nakagawa,Toru Tatsumi,Kensuke Takahashi,Kenzo Manabe,Makiko Oshida,Nobuyuki Ikarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20030203561A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020027252A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device with tunable epitaxy structures and method of forming the same

Номер патента: US12112989B2. Автор: Chih-Hsiang Huang,Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Tzu-Hsiang HSU,Szu-Chi Yang,Chong-De LIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711661B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Manufacturing method for semiconductor device, annealing device, and annealing method

Номер патента: US09449848B2. Автор: Kiyotaka Miyano,Tomonori Aoyama,Tatsunori Isogai,Wakana KAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Pitch reduction technology using alternating spacer depositions during the formation of a semiconductor device and systems including same

Номер патента: SG173362A1. Автор: Ardavan Niroomand,Shuang Meng,Baosuo Zhou,Mirzafer K Abatchev,Paul A Morgan,Joseph Greeley,Brian J Coppa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343866A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-11-04.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060223274A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871130B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09735325B2. Автор: Mitsuyoshi Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711651B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09633859B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027590B2. Автор: Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220069123A1. Автор: Chen-Yi Lee,Yi-Cheng CHIU,Sheng-Fu Hsu,Chiu-Hua Chung,Tien-Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299207A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064505A1. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080102572A1. Автор: Hirotaka Komatsubara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09887298B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871101B2. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Carlos H. Diaz,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812544B2. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09799758B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device using metal oxide

Номер патента: US09515189B2. Автор: XIANYU Wenxu,Chang-youl Moon,Jeong-Yub Lee,Yong-young Park,Woo-Young YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09502546B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222430A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Huang-Chao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210265485A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Capacitor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12041765B2. Автор: Yuichi Sato,Tomoaki Moriwaka,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7745318B2. Автор: Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-29.

Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US7897524B2. Автор: Masaki Kamimura,Kenichi Yoshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9130039B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363593A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062640B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09773874B2. Автор: Yutaka Fukui,Nobuo Fujiwara,Yasuhiro Kagawa,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09583577B2. Автор: Masaaki Ogawa,Chisato Furukawa,Takako Motai,Wakana Nishiwaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09570484B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09484456B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046593B2. Автор: Wei Wang,King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Danfeng MAO,Jinhan Zhang,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240250148A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194772A1. Автор: Qiyue Zhao,Zhiwen DONG,Shaopeng CHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190139956A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Ting-Chun Kuan,Kuan-Jung Chen,Ming-Feng Lee,Kai-Di Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213197A1. Автор: Sichao LI,Haohua MA. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258312A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Ting-Chun Kuan,Kuan-Jung Chen,Ming-Feng Lee,Kai-Di Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Field-Effect Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140061647A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20020180053A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method, circuit board and electronic device thereof

Номер патента: US20040212100A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12021122B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230290772A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307010A1. Автор: Yoshiyuki Takasu,Fumiharu Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2737722C1. Автор: Николай Александрович Брюхно,Василий Васильевич Афанаскин,Маргарита Юрьевна Котова,Александр Евгеньевич Яценко. Владелец: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2020-12-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472676B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Vertical semiconductor device, manufacturing method therefor, integrated circuit and electronic device

Номер патента: US12096623B2. Автор: Huilong Zhu,Kunpeng JIA,Weixing Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor for Device and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20080265436A1. Автор: Yoshihito Fujiwara,Masahito Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220123137A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297231A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11961921B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Flexible semiconductor devices based on flexible freestanding epitaxial elements

Номер патента: US20140319533A1. Автор: Scott M. Zimmerman,Karl W. Beeson,William R. Livesay,Richard L. Ross. Владелец: Goldeneye Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4404274A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120217478A1. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09818895B2. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer

Номер патента: US09666697B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Takayuki Inoue,Toshihiko Takeuchi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006861A1. Автор: Katsuhiro Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240304718A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US09786669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryoji Nomura,Masayuki Sakakura,Tamae Takano,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711608B1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method and operating method for the same

Номер патента: US09450048B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7968448B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Jack Chen,Ching-Yu Ni,Wen-Cheng Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110037147A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8110923B2. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-07.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240268130A1. Автор: Kiseok LEE,Hyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240268129A1. Автор: Jinwoo Han,Jay-Bok Choi,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Seokhan Park,Keunnam Kim,Hongjun LEE,Hyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3792980A1. Автор: JianFeng Zhang,Eddie Huang,Jingjing CUI. Владелец: Ween Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276706A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4383340A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240304720A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355757A1. Автор: Jeonghyun Kim,Sangjin Kim,Jaesuk PARK,Changmin Park,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09553144B2. Автор: Toru Mori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20240357812A1. Автор: Byung Woo Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240097023A1. Автор: Shingo Sato,Tsuyoshi Kachi,Katsura Miyashita,Yuhki FUJINO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20240222490A1. Автор: Zilan Li,Lezhi WANG. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Insulated gate type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1671374A2. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050085036A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090206398A1. Автор: Haruo Nakazawa,Manabu Takei,Noriyuki Iwamuro,Akio Sugi,Koh Yoshikawa,Kouta Takahashi. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508620B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466756B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09443934B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Optical semiconductor device package, optical semiconductor device, and manufacturing method for optical semiconductor device package

Номер патента: US20200251634A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Akinobu KITTAKA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250133A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Kai-Wen Cheng,Chi-Min Chen,Yin-Hao Wu,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220246750A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Manufacturing method for semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120217497A1. Автор: Fumito Shoji,Noriteru Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001226A1. Автор: Akio Iwabuchi,Shuichi Kaneko. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240274493A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Hui-Chang Yu,Shu-Shen Yeh,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Lateral Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140027848A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor chip scale package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09941240B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09670592B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09425354B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09406810B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120241758A1. Автор: Yuichi Minoura,Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030020066A1. Автор: Shigenori Kido,Yukihiro Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040368B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductror device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090096020A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device manufacturing system, semiconductor device inspection device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12051629B2. Автор: Younghwan Kim,Youngsu Ryu,Seunghwa Hyun,Hwayoung Park,Yusang Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050212057A1. Автор: Shigeru Kusunoki,Norifumi Tokuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062696B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076558A1. Автор: Kiyoyuki Morita,Hiroyuki Kamada,Keita Uchiyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7411260B2. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080079099A1. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device and manufacture method

Номер патента: US20240258392A1. Автор: Feng Wen HSU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240306368A1. Автор: Shosuke Fujii,Kotaro Noda,Takeru MAEDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837516B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Bo Qin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831205B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728618B2. Автор: Naoya Okamoto,Yuichi Minoura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679998B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Bo Qin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09564527B2. Автор: Tadahiro Imada,Toshihiro Ohki,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461062B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device, and manufacturing method for same

Номер патента: US09450087B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Battery cell, battery, electrical device, and manufacturing method and device for battery cell

Номер патента: EP4429012A2. Автор: Zhijun Guo,Qingkui Chi,Kun FANG,Linlin Zhu,Zhisheng CHAI. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Series-fed antenna, communication device, and method for manufacturing series-fed antenna

Номер патента: EP4135128A1. Автор: Yuxiang Zhou,Jie Peng,Xiaopan YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Battery manufacturing method and battery manufacturing apparatus

Номер патента: US20170309947A1. Автор: Kazuyoshi Honda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Battery manufacturing method and battery manufacturing apparatus

Номер патента: US09935330B2. Автор: Kazuyoshi Honda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Damage prevention electrode assembly, damage prevention electrode assembly manufacturing device, and damage prevention electrode assembly manufacturing method

Номер патента: EP4435913A1. Автор: Ju Hwan Baek,Jin Soo Lee,Seung Bae Lee,Kwang Un JO. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Electrode active material layer manufacturing device, and electrode active material layer manufacturing method employing same

Номер патента: EP4443545A1. Автор: Takahiro Ogawa,Yuto HOSONO. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Insulating composition and device, and process for their manufacture

Номер патента: FR1414332A. Автор: . Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1965-10-15.

FILLING MEASURES FOR ELECTRICAL CABLES AND OTHER ELECTRICAL DEVICES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURING

Номер патента: DE2519929A1. Автор: William Robert Burk. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1975-11-27.

Ceramic Microelectronic Devices and Methods of their Manufacture

Номер патента: US20200411250A1. Автор: Ali Moalemi,Euan Patrick Armstrong. Владелец: Eulex Components Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Industrial watertight electrical connection devices and processes for their manufacture

Номер патента: DE1640059A1. Автор: Auf Nichtnennung Antrag. Владелец: SATRA ACHAT ET TRANSACTIONS ETS Ste. Дата публикации: 1970-10-29.

Battery cell, battery, electrical device, and battery cell manufacturing method

Номер патента: EP4318740A1. Автор: Xiaoming Ge,Manman Wang,Yulei FAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Lithium-ion battery manufacturing device and manufacturing method

Номер патента: US20240014436A1. Автор: Shinya Kobayashi,Hideaki Horie,Ryosuke KUSANO,Yusuke Nakashima,Mayu NAITOU. Владелец: APB Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Thin film manufacturing method, thin film manufacturing device, and liquid crystal display device manufacturing method

Номер патента: US20130134034A1. Автор: Hironobu Inoue,Hiroaki Yonekura. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Composite ceramics composition for ultra high frequency device and ceramic substrate thereby and manufacturing method of the same

Номер патента: KR20230099059A. Автор: 김동현,신효순,김효태. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2023-07-04.

Thin film battery module, thin film battery package, thin film battery package manufacturing device, and thin film battery package manufacturing method

Номер патента: US20140370364A1. Автор: Yong Yeon Kim,San Moo Kwon,Soo Tae Choi,Eun Hang Cho,Eun Jong Hwang,Sung Gyu Bang. Владелец: GS Energy Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Left handed body, wave guide device and antenna using this body, manufacturing method for this body

Номер патента: US20110012791A1. Автор: Bernard Viala,Evangéline Benevent,Kevin Garello. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-01-20.

Laser light source device and laser light source device manufacturing method

Номер патента: JP6173303B2. Автор: 昌史 井出,剛男 小味山,薫 依田. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-02.

Expanding unit, multiple aperture plasma membrane manufacture device and multiple aperture plasma membrane manufacture method

Номер патента: CN107098190A. Автор: 渡边耕一郎,渡边耕郎,高冈裕二. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Cold cathode display device and cold cathode display device manufacturing method

Номер патента: CN1557011A. Автор: 彦,西村邦彦,中田修平. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Combination of image display device and diffractive optical filter and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180088349A1. Автор: Makoto Okada,Daisuke Seki,Yosuke SAKOHIRA. Владелец: Nalux Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Optical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09819153B2. Автор: Manabu Matsuda,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Correlated electron switch structures and their manufacture

Номер патента: EP3516707A1. Автор: Gregory Munson Yeric,Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2019-07-31.

Correlated electron switch structures and their manufacture

Номер патента: WO2018055346A1. Автор: Gregory Munson Yeric,Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-29.

Lead free solder alloy and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2009084798A1. Автор: Hyun Kyu Lee,Sang Ho Jeon,Yong Cheol Chu,Kang Hee KIM,Myoung Ho Chun. Владелец: DUKSAN HI-METAL CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-09.

Resistive switching devices and methods for their manufacture and operation

Номер патента: WO2023170172A1. Автор: Ming Xiao,Judith Driscoll,Markus HELLENBRAND. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2023-09-14.

Thermoelectric device and manufacturing mold and manufacturing method therefor

Номер патента: US11980101B2. Автор: YI WU,Mingzhe RONG,Chunping NIU,Hailong He,Hongrui REN. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2024-05-07.

Non-volatile memory element, non-volatile memory device, non-volatile semiconductor device, and non-volatile memory element manufacturing method

Номер патента: WO2010087211A1. Автор: 三河巧,有田浩二,三谷覚,藤井覚. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2010-08-05.

Non-volatile memory element, non-volatile memory device, non-volatile semiconductor device, and non-volatile memory element manufacturing method

Номер патента: CN102292814A. Автор: 三河巧,有田浩二,藤井觉,三谷觉. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-21.

Non-volatile memory element, non-volatile memory device, non-volatile semiconductor device, and non-volatile memory element manufacturing method

Номер патента: CN102292814B. Автор: 三河巧,有田浩二,藤井觉,三谷觉. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-23.

Semiconductor device having transition metal oxide film and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5368741B2. Автор: 峻 昊 鄭,將 銀 李,世 忠 呉,キョン 兌 南,寅 圭 白. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-18.

Origami-based stretchable electronic device and methods for their manufacture

Номер патента: US11683881B2. Автор: Yongkai Li,Hongyu Yu. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2023-06-20.

Lead free solder alloy and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100272598A1. Автор: Hyun Kyu Lee,Sang Ho Jeon,Yong Cheol Chu,Kang Hee KIM,Myoung Ho Chun. Владелец: Duksan Hi Metal Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-28.

Metal heating body, metal heating device, and metal heating body manufacturing method

Номер патента: US20230328846A1. Автор: Ruguo Hu. Владелец: Wuhu Aldoc Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

High dynamic range image sensing device and image sensing method and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103139488A. Автор: 刘智民. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2013-06-05.

Spin device, and operating method therefor and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2018080159A1. Автор: 홍진표,박해수. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-05-03.

WIRELESS POWER TRANSFER DEVICE, SUPPLIED-POWER CONTROL METHOD FOR WIRELESS POWER TRANSFER DEVICE, AND WIRELESS-POWER-TRANSFER-DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160056638A1. Автор: Hatanaka Takezo,TSUDA Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Wireless power transfer device, supplied-power control method for wireless power transfer device, and wireless-power-transfer-device manufacturing method

Номер патента: EP2985879A4. Автор: Hisashi Tsuda,Takezo Hatanaka. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-12-21.

COMBINATION OF IMAGE DISPLAY DEVICE AND DIFFRACTIVE OPTICAL FILTER AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20180088349A1. Автор: Okada Makoto,Seki Daisuke,SAKOHIRA Yosuke. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

CAP FOR A CHIP DEVICE HAVING A GROOVE, DEVICE PROVIDED WITH SAID CAP, ASSEMBLY CONSISTING OF THE DEVICE AND A WIRE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150230336A1. Автор: Brun Jean,Vicard Dominique. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2015-08-13.

Organic light-emitting element, light source device and organic light-emitting element manufacturing method

Номер патента: WO2013011833A1. Автор: 広貴 佐久間,荒谷　介和,石原　慎吾,俊一郎 信木. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2013-01-24.

Flexible printed laminate board manufacturing device and flexible printed laminate board manufacturing method

Номер патента: KR102385839B1. Автор: 히데아키 다나카,야스유키 이토,다카시 나카오,요시타카 노모토. Владелец: 니폰 메크트론 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-04-11.

Organic el display device, and organic el display device manufacturing method

Номер патента: WO2018066038A1. Автор: 通 園田,久雄 越智,越智　貴志,純平 高橋,剛 平瀬,亨 妹尾,松井　章宏. Владелец: シャープ株式会社. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Electronic atomization device and atomization assembly thereof, and manufacturing method of atomization assembly

Номер патента: US12121064B2. Автор: Chunfeng Zhang,Hongming Zhou,Jianxin XIAO,Caiqiang ZHU,Chaoyong BIE. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Display device and display panel thereof, and manufacturing method for display device

Номер патента: US20210165295A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Water treatment device and ion concentration adjusted water manufacturing method

Номер патента: EP3842130A1. Автор: Yasushi Shimizu,Toshio Takagi,Katsuyuki Murata,Naoto TANIGAKI. Владелец: Kotobuki Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Noodle string cutting device, noodle manufacturing device, and noodle and instant noodle manufacturing method

Номер патента: CA3165445C. Автор: Yoshiaki Nagayama. Владелец: Sanyo Foods Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Electronic atomization device and atomization assembly thereof, and manufacturing method of atomization assembly

Номер патента: US20220071290A1. Автор: Chunfeng Zhang,Hongming Zhou,Jianxin XIAO,Caiqiang ZHU,Chaoyong BIE. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4012758A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240244841A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240298438A1. Автор: Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Perovskite materials and their use in photovoltaic devices

Номер патента: AU2022357457A1. Автор: Alice Taylor,Laura Miranda PEREZ,Christopher Case,Matthew KLUG,Christina KAMARAKI. Владелец: Oxford Photovoltaics Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Perovskite materials and their use in photovoltaic devices

Номер патента: EP4410069A1. Автор: Alice Taylor,Laura Miranda PEREZ,Christopher Case,Matthew KLUG,Christina KAMARAKI. Владелец: Oxford Photovoltaics Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240331738A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210302495A1. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-30.

Storage device and its control method and manufacturing method

Номер патента: US20060082919A1. Автор: Yukio Abe,Yoshifumi Obara,Shunji Saitou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: US09925033B2. Автор: Richard George Cartledge,John P. Cartledge. Владелец: Edwards Lifesciences CardiAQ LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Driving device and method for a droplet injecting nozzle, film manufacturing device and method, electronic machine and manufacturing method of device

Номер патента: TWI237596B. Автор: Hidenori Usuda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Compound paper yarn, compound paper yarn manufacturing device, and compound paper yarn manufacturing method

Номер патента: EP3957784A1. Автор: Toru Itoi. Владелец: Itoi LSR Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Driving device and method for a droplet injecting nozzle, film manufacturing device and method, electronic machine and manufacturing method of device

Номер патента: TW200402365A. Автор: Hidenori Usuda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-16.

AlN bulk single crystal and semiconductor device, and AlN single crystal bulk manufacturing method

Номер патента: JP5461859B2. Автор: 俊郎 永田,ウイナカー アルブレヒト,エペルバーム ボリス,ビッカーマン マティアス,フィリップ オクタビアン,ハイマン パウル. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2014-04-02.

Three-dimensional shaping device and three-dimensional shaped object manufacturing method

Номер патента: EP3756856A1. Автор: Koichi Saito,Kohei YUWAKI,Masayuki GOZU. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-12-30.

Three-dimensional shaping device and three-dimensional shaped object manufacturing method

Номер патента: US20200406548A1. Автор: Koichi Saito,Kohei YUWAKI,Masayuki GOZU. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150227378A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: TWI656478B. Автор: 黒川義元. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

semiconductor device using Atomic Layer Deposition processing and manufacturing method at the same

Номер патента: KR100809000B1. Автор: 이정희,김윤수,조현익,공성호,도관우,함성호,배남진. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-03-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE USING A POLYMER CONTAINING PHOTORESIST, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2773152B1. Автор: Jae Chang Jung,Min Ho Jung,Cheol Kyu Bok,Ki Ho Baik. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-10.

Semiconductor device with dual cavity pressure structures and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI676590B. Автор: Peter Smeys,李大成,Daesung Lee,強 信二世,Ii Jong Shin,彼得 史梅斯. Владелец: 美商伊凡聖斯股份有限公司. Дата публикации: 2019-11-11.

Semiconductor device with electrically broken fuse and its manufacture method

Номер патента: US20070171691A1. Автор: Tetsuo Ashizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Devices and methods for improved interdental cleaning and therapy

Номер патента: US8602776B2. Автор: Wilkie J. Stadeker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-10.

Three-dimensional shaping device and three-dimensional shaped object manufacturing method

Номер патента: EP3756856B1. Автор: Koichi Saito,Kohei YUWAKI,Masayuki GOZU. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-10-26.

Natural mineral substances and their Compositions and manufacturing methods

Номер патента: KR101743159B1. Автор: 김덕수,진태원. Владелец: 진태원. Дата публикации: 2017-06-02.

Security devices and methods for their manufacture

Номер патента: MY202478A. Автор: Darryl MUNDY. Владелец: De La Rue Int Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Improved surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: CA2823328A1. Автор: Richard G. Cartledge,John P. Cartledge,Ralph E. Gaskins, Jr.. Владелец: VASINTEC Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Improved surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: CA2823328C. Автор: Richard G. Cartledge,John P. Cartledge,Ralph E. Gaskins, Jr.. Владелец: Edwards Lifesciences CardiAQ LLC. Дата публикации: 2019-11-19.

Surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: US11766323B2. Автор: Richard George Cartledge,John P. Cartledge. Владелец: Edwards Lifesciences CardiAQ LLC. Дата публикации: 2023-09-26.

Surgical Implant Devices and Methods for Their Manufacture and Use

Номер патента: US20130123909A1. Автор: Richard George Cartledge,John P. Cartledge,Ralph Edward Gaskins, JR.. Владелец: Syntheon Cardiology LLC. Дата публикации: 2013-05-16.

OCCLUSION DEVICES AND METHODS OF THEIR MANUFACTURE AND USE

Номер патента: US20130184658A1. Автор: Duncan Jeffrey B.. Владелец: W. L. Gore & Associates, Inc.. Дата публикации: 2013-07-18.

Surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: US20200113669A1. Автор: Richard George Cartledge,John P. Cartledge. Владелец: Edwards Lifesciences CardiAQ LLC. Дата публикации: 2020-04-16.

SURGICAL IMPLANT DEVICES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE AND USE

Номер патента: US20170172724A1. Автор: Cartledge John P.,Cartledge Richard George,Gaskins Ralph Edward. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

SURGICAL IMPLANT DEVICES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE AND USE

Номер патента: US20200188085A1. Автор: Cartledge John P.,Cartledge Richard George. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

SURGICAL IMPLANT DEVICES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE AND USE

Номер патента: US20180206976A1. Автор: Cartledge John P.,Cartledge Richard George. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

SURGICAL IMPLANT DEVICES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE AND USE

Номер патента: US20160324625A1. Автор: Cartledge John P.,Cartledge Richard George. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

OCCLUSION DEVICES AND METHODS OF THEIR MANUFACTURE AND USE

Номер патента: US20190314030A1. Автор: Duncan Jeffrey B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: US9585743B2. Автор: Richard George Cartledge,John P. Cartledge,Ralph Edward Gaskins, JR.. Владелец: Edwards Lifesciences CardiAQ LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: US9408607B2. Автор: Richard G. Cartledge,John P. Cartledge,Ralph E. Gaskins, Jr.. Владелец: Edwards Lifesciences CardiAQ LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

Improved surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: KR20180004830A. Автор: 리차드. 지. 카틀렛지,존 피. 카틀렛지,랄프 이. 개스킨스. Владелец: 에드워즈 라이프사이언시스 카디에이큐 엘엘씨. Дата публикации: 2018-01-12.

Improved surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: KR101814855B1. Автор: 리차드. 지. 카틀렛지,존 피. 카틀렛지,랄프 이. 개스킨스. Владелец: 에드워즈 라이프사이언시스 카디에이큐 엘엘씨. Дата публикации: 2018-01-04.

Improved surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: KR101953056B1. Автор: 리차드. 지. 카틀렛지,존 피. 카틀렛지,랄프 이. 개스킨스. Владелец: 에드워즈 라이프사이언시스 카디에이큐 엘엘씨. Дата публикации: 2019-02-27.

Improved surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: CN103491899A. Автор: R·E·加斯金斯,R·G·卡特利奇,J·P·卡特利奇. Владелец: Xin Siang Cardiology Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-01.

Occlusion devices and methods of their manufacture and use

Номер патента: CA2860582A1. Автор: Jeffrey B. Duncan. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

PURCHASING DEVICES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE AND APPLICATION

Номер патента: RU2014133151A. Автор: Джеффри Б. ДАНКЭН. Владелец: В.Л. Гор Энд Ассошиейтс, Инк.. Дата публикации: 2016-03-10.

Improved surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: WO2012092408A1. Автор: Richard G. Cartledge,John P. Cartledge,Ralph E. Gaskins. Владелец: Vasintec, Inc.. Дата публикации: 2012-07-05.

Implantable shape-memory occlusion devices and methods of their manufacture and use

Номер патента: AU2013207866A1. Автор: Jeffrey B. Duncan. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Occlusion devices and methods of their manufacture and use

Номер патента: CA3055966A1. Автор: Jeffrey B. Duncan. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: US20230355373A1. Автор: Richard George Cartledge,John P. Cartledge. Владелец: Edwards Lifesciences CardiAQ LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

OPTICAL DEVICES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE

Номер патента: US20200139742A1. Автор: Lister Adam. Владелец: DE LA RUE INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2020-05-07.

Security devices and methods for their manufacture

Номер патента: US20200139744A1. Автор: Darryl MUNDY. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

PROTECTED DEVICES AND METHODS OF THEIR MANUFACTURE

Номер патента: EA201992219A1. Автор: Дэррил Манди. Владелец: Де Ля Рю Интернешнл Лимитед. Дата публикации: 2020-07-03.

Body in the form of a plastic pipe or tube, as well as device and method for their manufacture

Номер патента: FR1344969A. Автор: Pernhaupt. Владелец: . Дата публикации: 1963-12-06.

Planar optical devices and methods for their manufacture

Номер патента: US6506289B2. Автор: Kai-An Wang,Richard E. Demaray,Hongmei Zhang,Ravi B. Mullapudi,Douglas P. Stadtler,Rajiv Pethe. Владелец: Symmorphix Inc. Дата публикации: 2003-01-14.

Optical devices and methods for their manufacture

Номер патента: EP3648982A1. Автор: Adam Lister. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2020-05-13.

Magnetic devices and method for their manufacture

Номер патента: BE607205A. Автор: Rabah Abd-El-Rahman Shahbender. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1961-12-01.

Optical devices and methods for their manufacture

Номер патента: CA3068915A1. Автор: Adam Lister. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

security devices and methods for their manufacture

Номер патента: SA519410490B1. Автор: داريل موندي،. Владелец: دي لا رو انترناشيونال ليمتد. Дата публикации: 2022-02-02.

Clutch disc for electromagnetic clutch devices and process for their manufacture

Номер патента: DE3935342C2. Автор: Dwight E Booth,Daniel L Deyoung. Владелец: Dana Inc. Дата публикации: 2001-11-29.

Pharmaceutical aerosol medical devices and methods for their manufacture

Номер патента: GB8902798D0. Автор: . Владелец: POLYMED LAB. Дата публикации: 1989-03-30.

Non-planar microfluidic devices and methods for their manufacture

Номер патента: US6814938B2. Автор: Stephen D. O'connor,Christoph D. Karp,Vincent K. Gustafson. Владелец: Nanostream Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

OPENING DEVICE AND METHOD FOR THEIR MANUFACTURE.

Номер патента: ATE37338T1. Автор: Lars Carlsson. Владелец: Tetra Pak AB. Дата публикации: 1988-10-15.

Air cushions for transport protection devices and processes for their manufacture

Номер патента: DE2121793A1. Автор: Gerhard Paul 5101 Richterich; Thomaschewski Hubertus Paulus 5100 Aachen Buchner. Владелец: Uniroyal Ag, 5100 Aachen. Дата публикации: 1972-11-16.

Radiation delivery devices and methods for their manufacture

Номер патента: US6749553B2. Автор: Jack C. White,Michael R. Moody,Richard A. Brauckman,Glenn A. Dill. Владелец: Theragenics Corp. Дата публикации: 2004-06-15.

Medical devices and methods for their manufacture

Номер патента: GB2210320B. Автор: Abdul Sattar Saudagar. Владелец: Polymed Laboratories Inc. Дата публикации: 1989-11-01.

Security devices and methods for their manufacture

Номер патента: GB201816843D0. Автор: . Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2018-11-28.

Position measuring device and position measuring method, mobile body driving system and mobile body driving method, pattern forming device and pattern forming method, exposure device and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: TW200736574A. Автор: Akihiro Watanabe,Toru Imai,Susumu Makinouchi. Владелец: Sendai Nikon Corp. Дата публикации: 2007-10-01.

Measurement device and measurement method, exposure device and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: WO2016125790A1. Автор: 哲寛 上田. Владелец: 株式会社ニコン. Дата публикации: 2016-08-11.

Glass substrate, cover glass, assembly, assembly manufacturing method, in-vehicle display device, and in-vehicle display device manufacturing method

Номер патента: US20240166560A1. Автор: Yusuke Fujiwara,Izuru Kashima. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

UNPACKING DEVICE AND METHOD, AND UNPACKED CONTENT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130125517A1. Автор: GOMI Kazuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA YASKAWA DENKI. Дата публикации: 2013-05-23.

Triple-sheet manufacturing method and soldered using this device, and residual flux pickup cartridges manufacturing method and cartridges

Номер патента: KR101425715B1. Автор: 홍성철. Владелец: 홍성철. Дата публикации: 2014-07-31.

Optical medium enabling copy detection, copy detection device and method, and optical media manufacture method and system

Номер патента: EP2405431A1. Автор: Mohamed Karroumi. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2012-01-11.

Display device and driving method therefor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230089004A1. Автор: HUI Wang,XIN Yi,Huijuan YU,Yanni LIU,Shengguang WANG,Jinming Zhu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Liquid crystal aligning agent, liquid crystal alignment film and manufacturing method for the same, liquid crystal display device, and phase difference film and manufacturing method for the same

Номер патента: KR102237289B1. Автор: 코우지 가시시타,타카시 오카다,료우 가와지리. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-04-06.

Optical axis orientation measuring device, optical axis orientation measuring method, spherical surface wave device manufacturing device, and spherical surface wave device manufacturing method

Номер патента: US20090236170A1. Автор: Susumu Segawa,Yusuke Ebi. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Three-Dimensional Shaping Device And Three-Dimensional Shaped Object Manufacturing Method

Номер патента: US20230405934A1. Автор: Masaaki Ogihara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Glass substrate, cover glass, assembly, assembly manufacturing method, in-vehicle display device, and in-vehicle display device manufacturing method

Номер патента: WO2021006043A1. Автор: 出 鹿島,祐輔 藤原. Владелец: Ａｇｃ株式会社. Дата публикации: 2021-01-14.

Glass substrate, cover glass, assembly, assembly manufacturing method, in-vehicle display device, and in-vehicle display device manufacturing method

Номер патента: EP3998242A4. Автор: Yusuke Fujiwara,Izuru Kashima. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

High-pressure tank liner manufacturing device and high-pressure tank liner manufacturing method

Номер патента: US20230417369A1. Автор: Takaharu Sato,Shinya Sato,Mikio Ishiyama,Yuka Kishi,Junya YOSHIOKA. Владелец: Yachiyo Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

ELECTRONIC ATOMIZATION DEVICE AND ATOMIZATION ASSEMBLY THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD OF ATOMIZATION ASSEMBLY

Номер патента: US20220071290A1. Автор: ZHOU Hongming,XIAO Jianxin,ZHANG Chunfeng,ZHU Caiqiang,BIE Chaoyong. Владелец: SHENZHEN SMOORE TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2022-03-10.

DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD FOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20210080791A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND REFLECTIVE POLARIZING PLATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170115528A1. Автор: Ohmuro Katsufumi,Saitoh Yukito,YONEMOTO Takashi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2017-04-27.

DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD FOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20210165295A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Microlens, optical plate, diffuser plate, light guide plate, backlight, projection screen, projection system, electro-optical device and electronic apparatus, and microlens manufacturing method

Номер патента: JP4225291B2. Автор: 宏宣 長谷井. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-02-18.

Air-packing device and its charge valve and manufacturing method

Номер патента: CN105151529B. Автор: 聂会平,张嘉盈. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-08.

The stripping off device and stripping means and the manufacture method of electronic device of substrate

Номер патента: CN103972142B. Автор: 伊藤泰则,宇津木洋,泷内圭. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Liquid crystal panel, liquid crystal display device, and reflective polarizing plate and manufacturing method thereof

Номер патента: US10175528B2. Автор: Katsufumi Ohmuro,Yukito Saitoh,Takashi Yonemoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

Plug for contacting a cable with an implantable device and cable with plug and manufacturing method

Номер патента: DE102018204610A1. Автор: Thomas Alexander Schlebusch. Владелец: Kardion GmbH. Дата публикации: 2019-10-02.

Air packaging device and inflation valve thereof and manufacturing method

Номер патента: TWI609824B. Автор: hui-ping Nie. Владелец: Nie hui ping. Дата публикации: 2018-01-01.

Noodle wire cutting device, noodle manufacturing device, and noodle and instant noodle manufacturing method

Номер патента: KR20220098220A. Автор: 요시아키 나가야마. Владелец: 산요 푸즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-11.

Noodle string cutting device, noodle manufacturing device, and noodle and instant noodle manufacturing method

Номер патента: EP4082347B1. Автор: Yoshiaki Nagayama. Владелец: Sanyo Foods Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

WATER TREATMENT DEVICE AND ION CONCENTRATION ADJUSTED WATER MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20210214247A1. Автор: Takagi Toshio,Shimizu Yasushi,Murata Katsuyuki,TANIGAKI Naoto. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200272009A1. Автор: Nakagawa Teruhisa. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

THREE-DIMENSIONAL SHAPING DEVICE AND THREE-DIMENSIONAL SHAPED OBJECT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200406548A1. Автор: Saito Koichi,YUWAKI Kohei,GOZU Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Metal band stabilizing device and hot-dip metal band manufacturing method

Номер патента: WO2017110667A1. Автор: 雄亮 石垣,西名　慶晃. Владелец: Ｊｆｅスチール株式会社. Дата публикации: 2017-06-29.

Acoustic sensor device, acoustic analysis diagnosis device, and acoustic analysis diagnosis device manufacturing method

Номер патента: TW200718927A. Автор: Toshiyuki Matsumoto,Naoki Ikeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-05-16.

Liquid crystal display device and liquid crystal display device manufacturing method

Номер патента: WO2012017883A1. Автор: 祐一郎 山田,智至 榎本,菊地　英夫,真伸 水▲崎▼,仲西　洋平,健史 野間,祐樹 原. Владелец: 東洋合成工業株式会社. Дата публикации: 2012-02-09.

Heat shield member, single crystal pulling device, and single crystal silicon ingot manufacturing method

Номер патента: KR102253607B1. Автор: 료타 스에와카,카오루 카지와라,슌지 쿠라가키,šœ지 쿠라가키,카즈미 타나베. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2021-05-18.

Variable power optical system, optical device, and variable power optical system manufacturing method

Номер патента: WO2020250671A1. Автор: 幸介 町田. Владелец: 株式会社ニコン. Дата публикации: 2020-12-17.

Filament three-dimensional conjugate manufacturing device and filament three-dimensional conjugate manufacturing method

Номер патента: JP6909823B2. Автор: 晃 水野,水野　晃,昌和 小島,将志 渕上,成孝 牧野. Владелец: Airweave Inc. Дата публикации: 2021-07-28.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190284044A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Laminated sheet and fixed laminated sheet and their manufacture method and method of use

Номер патента: RU2684368C2. Автор: Йосиаки Нецу. Владелец: Дай Ниппон Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-04-08.

Bionic implants and their manufacturing methods

Номер патента: RU2747014C2. Автор: Артур Фрыдрыхевич. Владелец: Аф Практыка Стоматологична Артур Фрыдрыхевич. Дата публикации: 2021-04-23.

Improved surgical implant devices and methods for their manufacture and use

Номер патента: AU2016203520A1. Автор: John Cartledge,Richard Cartledge,Ralph Gaskins. Владелец: Syntheon TAVR LLC. Дата публикации: 2016-07-21.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in or relating to semiconductor devices, more particularly photosensitive devices and methods for their manufacture

Номер патента: AU248812B2. Автор: Antonius Maria Bakker and Aaldert Van Volpert Marthus. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1963-05-02.

Improvements in or relating to semiconductor devices, more particularly photosensitive devices and methods for their manufacture

Номер патента: AU447661A. Автор: Antonius Maria Bakker and Aaldert Van Volpert Marthus. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1963-05-02.

Electronic semiconductor devices and method of their manufacture

Номер патента: CA752575A. Автор: Weiss Herbert,Wilhelm Manfred. Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1967-02-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AT LEAST ONE CONTACT, AND MANUFACTURING METHOD FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AT LEAST ONE CONTACT

Номер патента: US20120292641A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

Resistive switching devices and methods for their manufacture and operation

Номер патента: GB202217303D0. Автор: . Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2023-01-04.

Resistive switching devices and methods for their manufacture and operation

Номер патента: GB202203210D0. Автор: . Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ZINC OXIDE THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120104383A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor Device Having Shared Contact Hole and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120187504A1. Автор: Igarashi Motoshige,Igarashi Yuki. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor Device Having a Through Contact and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20130099308A1. Автор: Zundel Markus,Gruber Hermann,Meiser Andreas Peter,GROSS Thomas. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device with improved charge transfer characteristics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR970052450A. Автор: 정상일. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-29.

Semiconductor device with shallow-trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102104040A. Автор: 李秋德,何荣,朱作华,曾令旭. Владелец: Hejian Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-22.

Wiring board for bump bonding, semiconductor device assembled from the wiring board and manufacturing method of wiring board for bump bonding

Номер патента: KR100335875B1. Автор: 간다에이자부로,시모지다쿠미. Владелец: 아오야기 모리키. Дата публикации: 2002-05-08.

A kind of semiconductor device multistage field plate terminal structure and manufacture method thereof

Номер патента: CN103178104B. Автор: 刘江,金锐,王耀华,赵哿,高明超. Владелец: Smart Grid Research Institute of SGCC. Дата публикации: 2015-08-19.

Wiring board for bump bonding, semiconductor device assembled from the wiring board and manufacturing method of wiring board for bump bonding

Номер патента: SG84538A1. Автор: SHIMOJI Takumi,Kanda Eizaburo. Владелец: Sumitomo Metal Mining Co. Дата публикации: 2001-11-20.

Wiring board for bump bonding, semiconductor device assembled from the wiring board and manufacturing method of wiring board for bump bonding

Номер патента: TW465266B. Автор: Takumi Shimoji,Eizaburo Kanda. Владелец: Sumitomo Metal Mining Co. Дата публикации: 2001-11-21.

Suspension of gold-coated silver nanoplates and their uses and manufacturing methods

Номер патента: JP6987939B2. Автор: 芳和 宗,愛美 中村,重明 鈴木,雄太 宮澤. Владелец: Dai Nippon Toryo KK. Дата публикации: 2022-01-05.

Surgical Implant Devices and Methods for Their Manufacture and Use

Номер патента: US20120239133A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-20.

REFRACTIVE INDEX MATCHING OF THIN FILM LAYERS FOR PHOTOVOLTAIC DEVICES AND METHODS OF THEIR MANUFACTURE

Номер патента: US20120024362A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

ELECTRONIC FIELD EFFECT DEVICES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE

Номер патента: US20120241763A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Scarsbrook Geoffrey Alan,Friel Ian,Balmer Richard Stuart. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

OXYGEN GETTER LAYER FOR PHOTOVOLTAIC DEVICES AND METHODS OF THEIR MANUFACTURE

Номер патента: US20130019934A1. Автор: Knapp Jeffrey Todd,Feldman-Peabody Scott Daniel,Gossman Robert Dwayne. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2013-01-24.

STABILIZED BACK CONTACT FOR PHOTOVOLTAIC DEVICES AND METHODS OF THEIR MANUFACTURE

Номер патента: US20130019948A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2013-01-24.

RIB ELEMENTS FOR PHOTOVOLTAIC DEVICES AND METHODS OF THEIR MANUFACTURE

Номер патента: US20130112246A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,Isom Jed Emeron. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2013-05-09.

COMPOSITE ENCAPSULATION MATERIAL FOR PHOTOVOLTAIC DEVICES AND METHODS OF THEIR MANUFACTURE

Номер патента: US20130112257A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,Isom Jed Emeron. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2013-05-09.

Carbonic acid absorbents, particularly for gas protection devices, and process for their manufacture.

Номер патента: CH198006A. Автор: Draeger Otto Dr Heinrich. Владелец: Draeger Otto Dr Heinrich. Дата публикации: 1938-05-31.

Barrier layer devices and methods for their manufacture

Номер патента: CA866447A. Автор: P. Lepselter Martin,R. Ligenza Joseph. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1971-03-16.

Information recording devices and method for their manufacture

Номер патента: BE617447A. Автор: E A Damerau,R H Jenkins. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1962-08-31.

Radiation delivery devices and methods for their manufacture

Номер патента: AU2001266592A1. Автор: Jack C. White,Michael R. Moody,Richard A. Brauckman,Glenn A. Dill. Владелец: Theragenics Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Thermoelectric materials,devices and methods for their manufacture

Номер патента: GB201418193D0. Автор: . Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2014-11-26.

HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSING DEVICE AND IMAGE SENSING METHOD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130128083A1. Автор: LIU Chih-Min. Владелец: HIMAX IMAGING LIMITED. Дата публикации: 2013-05-23.

Exposing device and exposing method, and device manufacturing method

Номер патента: CN100490064C. Автор: 谷津修,西永寿,北尚宪,水野恭志,萩原恒幸,引间郁雄,丰田光纪,中川正弘,江村望. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-05-20.

Fixing device, and heating roller and its manufacturing method

Номер патента: JP2005338623A. Автор: Makoto Murata,Toshio Kojima,誠 村田,Eiji Sawamura,栄二 沢村,Atsushi Ishibe,Hidenori Machida,秀則 町田,敏男 小島,篤 石部. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Portable electronic device and antenna structure thereof and manufacturing method of antenna

Номер патента: CN103036022A. Автор: 张胜杰,罗文魁,许馨卉. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2013-04-10.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120154460A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-06-21.

Variable magnification optical system, imaging device, and variable magnification optical system manufacturing method

Номер патента: JP6205855B2. Автор: 浩史 山本,山本　浩史,柴田　悟,悟 柴田. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-10-04.

Variable magnification optical system, imaging device, and variable magnification optical system manufacturing method

Номер патента: JP6205858B2. Автор: 浩史 山本,山本　浩史,柴田　悟,悟 柴田. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-10-04.

Variable-magnification optical system, optical device, and variable-magnification optical system manufacturing method

Номер патента: JP6205702B2. Автор: 雅史 山下,昭彦 小濱. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-10-04.

Developer amount regulating blade, developing device, and developer amount regulating blade manufacturing method

Номер патента: JP4804821B2. Автор: 亨 石垣,圭子 多賀,和明 岩田,直彦 仲野. Владелец: Canon Chemicals Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

COLOR FILTER FORMED SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE, AND COLOR FILTER FORMED SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: JP6186743B2. Автор: 誠治 俵屋,俵屋　誠治,裕樹 坂田,充史 小野. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-08-30.

Surface emitting laser element, surface emitting laser array, optical scanning device, image formation device and surface emitting laser element manufacturing method

Номер патента: JP2014096515A. Автор: Naoto Jikutani,直人 軸谷,Kazuhiro Harasaka,和宏 原坂. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Micro-fluidic paper chip manufacturing device and micro-fluidic paper chip manufacturing method

Номер патента: CN104475178A. Автор: 傅建中,贺永,吴文斌. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2015-04-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MASS FLOW CONTROLLER, MASS FLOW CONTROLLER SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND GAS FLOW RATE ADJUSTING METHOD

Номер патента: US20120000542A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120001222A1. Автор: CHOI Kwang Ki,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O.,KIM Chung Song. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HEAT PIPE TYPE COOLING DEVICE AND RAILCAR CONTROL EQUIPMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120002373A1. Автор: KITAJIMA Hironori,SAKAYORI Hitoshi,SHIRAISHI Yuuzou. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CARRIER COMPRISING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR LUMINOUS DEVICE AND CARRIER SYSTEM

Номер патента: US20120002409A1. Автор: . Владелец: OSRAM AG. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GRAPHENE PROCESSING FOR DEVICE AND SENSOR APPLICATIONS

Номер патента: US20120003438A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Housing of semiconductor device

Номер патента: RU2477544C1. Автор: Владимир Андреевич Кожевников,Тамара Ивановна Бражникова,Олег Васильевич Марченко,Олег Николаевич Пахомов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" (ОАО "НИИЭТ"). Дата публикации: 2013-03-10.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.