Method for forming a resist pattern
Номер патента: US20240219834A1
Опубликовано: 04-07-2024
Автор(ы): Shun KUBODERA, Takahiro Kishioka, Tokio Nishita
Принадлежит: Nissan Chemical Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-07-2024
Автор(ы): Shun KUBODERA, Takahiro Kishioka, Tokio Nishita
Принадлежит: Nissan Chemical Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming a 3d pattern structure on a 3d substrate and device having color resists pattern
Номер патента: US20170192356A1. Автор: Ming-An Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-06.