Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method for forming a thin semiconductor device

Номер патента: US20140220742A1
Опубликовано: 07-08-2014
Автор(ы): Kahlil HOSSEINI
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US20210305198A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US11756917B2. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-12.

Lead frame, method for partial noble plating of said lead frame and semiconductor device having said lead frame

Номер патента: CA2186695C. Автор: Hideo Horita,Chiaki Hatsuta. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2001-08-07.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240120268A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Seonghwan Park,KyoungHee Park,HunTaek LEE,Younghoon Jeon. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Lead frame, method for partially plating lead frame with noble meta and semiconductor device formed by using the lead frame

Номер патента: KR100266726B1. Автор: 히데오 호리타,치아키 하츠타. Владелец: 기타지마 요시토시. Дата публикации: 2000-09-15.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240332209A1. Автор: KyoWang Koo,JiSik MOON,Hyunseok Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Jin Beifu bonding wire, method for manufacturing the same, semiconductor wire bonding structure, and semiconductor device

Номер патента: CN115398607A. Автор: 安德优希,川野将太,崎田雄祐,平井祐佳. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2022-11-25.

Carrier substrate for a semiconductor device and a method for forming a carrier substrate for a semiconductor device

Номер патента: US20190295857A1. Автор: Bernd Waidhas,Georg Seidemann,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method for selectively forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20230411305A1. Автор: Seonghwan Park,KyoungHee Park,Bom Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, circuit board, electronic apparatus, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20040115920A1. Автор: Masahiro Kubo,Ichiro Hazeyama,Sakae Kitajo,Hirobumi Inoue,Hidehiko Kuroda,Takao Yamazaki,Yoshimichi Sogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Method for producing plate shape body, lead wire frame and semiconductor device

Номер патента: CN1237611C. Автор: 坂本则明,小林义幸,阪本纯次,前原荣寿,高桥幸嗣,真下茂明,大川克实. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-18.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20010038152A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Semiconductor device packages

Номер патента: EP4430663A1. Автор: Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Multilayer structure for a semiconductor device and a method of forming a multilayer structure for a semiconductor device

Номер патента: US20160211206A1. Автор: Teck Kheng Lee,Bok Leng Ser. Владелец: Institute of Technical Education. Дата публикации: 2016-07-21.

Multilayer structure for a semiconductor device and a method of forming a multilayer structure for a semiconductor device

Номер патента: US9806013B2. Автор: Teck Kheng Lee,Bok Leng Ser. Владелец: Institute of Technical Education. Дата публикации: 2017-10-31.

Package for high-power semiconductor devices

Номер патента: US20150104906A1. Автор: Deep C. Dumka,Tarak A. Railkar. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Package for high-power semiconductor devices

Номер патента: US20160155681A9. Автор: Deep C. Dumka,Tarak A. Railkar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

METHOD FOR PACKAGING A CHIP WITH PARTICULARLY OPTICAL SENSORS AND SEMICONDUCTOR DEVICE OR PACKAGE CONTAINING SUCH A CHIP

Номер патента: FR2798000A1. Автор: Remi Brechignac,Juan Exposito. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-03-02.

Method of forming a metal wire in a semiconductor device

Номер патента: US5573978A. Автор: Gyeong S. Cho. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Fabrication method for chip size package and non-chip size package semiconductor devices

Номер патента: US7632711B2. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100353223B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2002-09-18.

APPARATUSES AND METHODS FOR ARRANGING THROUGH-SILICON VIAS AND PADS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200212008A1. Автор: KITANO Tomohiro. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240250019A1. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Edge Seal for Bonded Stacks of Different Size Semiconductor Devices

Номер патента: US20240038613A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Carrier substrate for a semiconductor device and a method for forming a carrier substrate for a semiconductor device

Номер патента: US20190295857A1. Автор: Seidemann Georg,Waidhas Bernd,Koller Sonja. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11955423B2. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Methods of forming a gate contact for a semiconductor device above the active region

Номер патента: US09899321B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacture of an electronic power module by means of additive technology and corresponding substrate and module

Номер патента: RU2750688C2. Автор: Раби КАЗАКА,Стефан АЗЗОПАРДИ,Донатьен Энри Эдуар МАРТИНО. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2021-07-01.

Packaged semiconductor devices with wireless charging means

Номер патента: US10097030B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Ming-Hung Tseng,Tzu-Sung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor device and method for producing a carrier element suitable for a semiconductor device

Номер патента: WO2019114968A1. Автор: Choo Kean Lim,Choon Keat OR,Choon Kim LIM,Siew Yan CHUA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-06-20.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US10847433B2. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Semiconductor device with a thin semiconductor chip and a rigid wiring substrate and method for the production and further processing of thin semiconductor chips

Номер патента: DE102004010956B9. Автор: Edward Fürgut,Holger Wörner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-08-05.

Method of forming semiconductor device using high stress cleave plane

Номер патента: US20230299060A1. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

METHOD FOR ASSEMBLING SUBSTRATES BY DEPOSITING A THIN OXIDE OR NITRIDE BONDING LAYER AND STRUCTURE THUS ASSEMBLED

Номер патента: FR2888402B1. Автор: Cioccio Lea Di,Marc Zussy,Marek Kostrzewa. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-12-21.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170221843A1. Автор: Kuei-Sung CHANG,Nien-Tsung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20020109225A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Computech International Ventures Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

APPARATUSES AND METHODS FOR COUPLING CONTACT PADS TO A CIRCUIT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Igeta Masahiko,Terui Yoshimi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A3. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2002-11-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-02-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: EP1309991A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-05-14.

Film for forming spacer, method for manufacturing semiconductor wafer conjugant, semiconductor wafer conjugant and semiconductor device

Номер патента: TW201133653A. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2011-10-01.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: EP3682481A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-22.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for forming metal chalcogenide thin films on a semiconductor device

Номер патента: US09711396B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Eugene Givens,Fu Tang,Jacob Huffman Woodruff. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for fabricating a pad-layer/fuse-layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100413582B1. Автор: 이기민. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2003-12-31.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Polycrystalline film, method for forming polycrystalline film, laser crystallization device and semiconductor device

Номер патента: US11791160B2. Автор: Hiroshi Ikenoue,Jun Gotoh,Kaori Saito. Владелец: V Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for making deep trench isolation of cis device, and semiconductor device structure

Номер патента: US20220230909A1. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Jialong Li,Wensheng QIAN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Methods of forming a masking pattern and a semiconductor device structure

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464A3. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Conductive powder formation method, device for forming conductive powder, and method of forming semiconductor device

Номер патента: US20180301375A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20070108593A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US09786785B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming a dielectric layer in a semiconductor device by using etch stop layers

Номер патента: US20020055202A1. Автор: Chih-Sheng Yang,Kuei-Chang Tsai,Yun-Liang Ouyang,Chih-hung Shu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for forming epitaxial Co self-align silicide for semiconductor device

Номер патента: US6077750A. Автор: Jeong Soo Byun,Dong Kyun Sohn. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Methods for forming dielectric materials with selected polarization for semiconductor devices

Номер патента: US20220044922A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily,Dina H. Triyoso,Steven P. CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Methods for forming dielectric materials with selected polarization for semiconductor devices

Номер патента: WO2022035618A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara Tapily,Dina H. Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: US6303481B2. Автор: Dong Su Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for forming a contact window in a semiconductor device

Номер патента: WO2003028084A1. Автор: Dev Alok,Juanita A. Barone,Regina Conrad. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor Device, a Semiconductor Wafer Structure, and a Method for Forming a Semiconductor Wafer Structure

Номер патента: US20150028456A1. Автор: Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-29.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: WO2019050630A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for manufacturing soi structure in desired region of a semiconductor device

Номер патента: US20090186463A1. Автор: Min Jung SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Method for forming photo mask for use in fabricating semiconductor device

Номер патента: US5679499A. Автор: Atsushi Yamamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Method of forming a salicide layer for a semiconductor device

Номер патента: US7763533B2. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of Forming a Salicide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20090221121A1. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for forming interlayer dielectric film, interlayer dielectric film, semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20090127669A1. Автор: Yoshihiro Hayashi,Hironori Yamamoto,Fuminori Ito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for manufacturing a multi-layer wiring structure of a semiconductor device

Номер патента: US5851917A. Автор: Sang-In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-22.

Methods for forming contacts for dual stress liner CMOS semiconductor devices

Номер патента: US7816271B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kyoung Woo Lee,Ja Hum Ku,WanJae Park,Chong Kwang Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for providing a self-aligned pad protection in a semiconductor device

Номер патента: US20150357234A1. Автор: Michael Rogalli,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method

Номер патента: US8945988B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Method for producing laminate, producing apparatus for laminate, laminate, and semiconductor device

Номер патента: US20240177993A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for forming hardmask formation by hybrid materials in semiconductor device

Номер патента: US11948843B2. Автор: Chung-Ting Ko,Sung-En Lin,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Manufacturing method for filling a trench or contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US5824562A. Автор: Tai-su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-20.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US11988969B2. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US20230057823A1. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Resist reflow measurement key and method of forming a fine pattern of a semiconductor device using the same

Номер патента: US20050089776A1. Автор: Gi-sung Yeo,Doo-Youl Lee,Han-ku Cho,Jung-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of forming a wiring layer for a semiconductor device

Номер патента: US5633207A. Автор: Hiroyuki Yano,Katsuya Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Method of forming a via plug in a semiconductor device

Номер патента: USRE36475E. Автор: Kyeon K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Method of forming a polycide gate of a semiconductor device

Номер патента: US5908791A. Автор: Sang-jin Lee,Seok-hyun Han,Kyoung-bo Shim,Dae-sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for producing a semiconductor body, semiconductor body and power semiconductor device

Номер патента: WO2024056185A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming a contact element of a semiconductor device and contact element structure

Номер патента: US20180350679A1. Автор: Jim Shih-Chun Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: US20090068834A1. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Methods of forming a silicon-insulator layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US11195713B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of forming a polycide electrode in a semiconductor device

Номер патента: US6630409B2. Автор: Hiroshi Murase. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-10-07.

Method of forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20140162427A1. Автор: Byoung-Yong Gwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Methods for performing a gate cut last scheme for FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09991361B2. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for inspecting pattern and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09965851B2. Автор: Seunghune YANG,Kiho Yang,Kaiyuan Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20220199437A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20080118737A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Method for forming sidewall in fork-shaped structure and semiconductor device with fork-shaped structure

Номер патента: EP4228008A1. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Apparatuses and methods for extracting defect depth information and methods of improving semiconductor device manufacturing processes using defect depth information

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Byoung-Ho Lee,Jeong-Ho Ahn,Dong-ryul Lee,Jong-Cheon Sun,Dong-Chul Ihm,Soo-bok Chin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for Forming Sidewall in Forksheet Structure and Forksheet Semiconductor Device

Номер патента: US20230261081A1. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US6660573B2. Автор: Myoung-Sik Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7364829B2. Автор: Takahisa Namiki,Koji Nozaki,Junichi Kon,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-29.

Methods for forming assemblies and packages that include stacked semiconductor devices separated a distance defined by adhesive material interposed therebetween

Номер патента: US20040157375A1. Автор: James Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Methods for performing a gate cut last scheme for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device manufacturing process including forming a bonded assembly and substrate recycling

Номер патента: US20230335441A1. Автор: Takuya MAEHARA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20200312687A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for inspecting pattern and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20160275663A1. Автор: Seunghune YANG,Kiho Yang,Kaiyuan Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Primer composition, method of forming a primer layer on a semiconductor device, and method of encapsulating a semiconductor device

Номер патента: US20150344730A1. Автор: Joachim Mahler,Swee Kah Lee,Jagen KRISHNAN,Soon Lock Goh,Yik Yee TAN,Chew Theng TAI,Poh Cheng LIM,Peh Hean TEH. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-03.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: EP4248490A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Oreste Donzella,Mike Von den Hoff,Barry Saville,Thomas Groos,Justin LACH,Narayani Narasimhan,Chet LENOX,Kara SHERMAN,Teng Song LIM. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

PRIMER COMPOSITION, METHOD OF FORMING A PRIMER LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF ENCAPSULATING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150344730A1. Автор: Mahler Joachim,Lee Swee Kah,Goh Soon Lock,Tan Yik Yee,Krishnan Jagen,Tai Chew Theng,LIM Poh Cheng,TEH Peh Hean. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-03.

Methods for Manufacturing Adhesive Compositions, Film Adhesives, Adhesive Sheets, and Semiconductor Devices

Номер патента: JPWO2020026757A1. Автор: 祐也 平本,昌典 夏川,紘平 谷口. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

A method of forming a conductive coating on a semiconductor device

Номер патента: WO2001082351A1. Автор: Ulf Smith,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2001-11-01.

Method for producing semiconductor wafer assembly, semiconductor wafer assembly, and semiconductor device

Номер патента: EP2400542A1. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Method of forming a wiring pattern for a semiconductor device

Номер патента: KR0171050B1. Автор: 하라다 유수께,다나까 히로유끼. Владелец: 오끼뎅끼 고오교오가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-03-30.

Protective layers formed on semiconductor device components so as to reduce or eliminate the occurrence of delamination thereof and cracking therein

Номер патента: US20040183210A1. Автор: Tongbi Jiang,Shijian Luo,S. Hinkle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device, electrical device system, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US9484472B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and semiconductor package

Номер патента: US11948920B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Chia-Yin Chen,Yang-Chih Hsueh,Yan-Zuo Tsai,I-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Composition for forming alpha-ray-shielding film, laminate, and semiconductor device

Номер патента: CN115210328A. Автор: 荒山恭平,宫田哲志,横山宪文. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-10-18.

Method for manufacturing external connection electrode, external connection electrode, and semiconductor device

Номер патента: JP3589794B2. Автор: 純一 河西,正孝 水越,豊 牧野,城次 藤森,健一 永重,英二 渡辺,博行 依田,実 仲田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-11-17.

Thermal Conducting Sheet, Method for Manufacturing Thermal Conducting Sheet, Heat Dissipation Member, and Semiconductor Device

Номер патента: US20190019739A1. Автор: Aramaki Keisuke,Kanaya Hiroki,Uchida Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100367809B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2003-01-10.

Method for low stress flip-chip assembly of fine-pitch semiconductor devices

Номер патента: US8530360B2. Автор: Abram M. Castro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Electromagnetic wave absorbing heat transfer sheet, method for producing electromagnetic wave absorbing heat transfer sheet, and semiconductor device

Номер патента: WO2018061712A1. Автор: 久村　達雄. Владелец: デクセリアルズ株式会社. Дата публикации: 2018-04-05.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat-radiating member, and semiconductor device

Номер патента: CN111739856A. Автор: 荒卷庆辅,金谷纮希,大门正英. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-10-02.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat-radiating member, and semiconductor device

Номер патента: CN111725162A. Автор: 荒卷庆辅,金谷纮希,大门正英. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Method of forming a metal bump on a semiconductor device

Номер патента: US7846831B2. Автор: Takeshi Matsumoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12033940B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09978680B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Direct plasma densification process and semiconductor devices

Номер патента: US09711399B2. Автор: Jason A. FARMER,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

METHOD FOR FORMING A CONNECTING STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE102014117338B4. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Cheng Hsiung Tsai,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

A method for forming a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR100326811B1. Автор: 이정훈,황치선. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-04.

Method for forming a metal contact on a semiconductor device

Номер патента: FR1535262A. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1968-08-02.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

Forming multilayer interconnections for a semiconductor device by vapor phase growth process

Номер патента: US4670967A. Автор: Yoshikazu Hazuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-06-09.

Direct plasma densification process and semiconductor devices

Номер патента: US20160307797A1. Автор: Jason A. FARMER,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Direct plasma densification process and semiconductor devices

Номер патента: EP3087584A1. Автор: Jason A. FARMER,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-02.

Method of forming a metallization system of a semiconductor device by using a hard mask for defining the via size

Номер патента: US20100197133A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Method for fabricating interconnect lines with reduced line capacitance in semiconductor devices

Номер патента: JP4014234B2. Автор: − プー ジェング シン. Владелец: テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2007-11-28.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for evaulating of molding material with dams formed on a semiconductor substrate to define slits for capturing the fillers contained in the molding material

Номер патента: US20020088974A1. Автор: Masaru Takahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

METHOD FOR FORMING A PROTECTIVE COATING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2676595A1. Автор: Bentz Peter Otto. Владелец: Dow Corning GmbH. Дата публикации: 1992-11-20.

Semiconductor device and method for generating integrated circuit layout

Номер патента: US20240014202A1. Автор: Chun-Cheng Ku,Kuan-Jung Jhu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Resin solution composition, polyimide resin, and semiconductor device

Номер патента: US20070066796A1. Автор: Toshio Shiobara,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN111278883B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Jxtg Energy Corp. Дата публикации: 2022-12-30.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100420780B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-03-02.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100415239B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-01-14.

ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBING HEAT CONDUCTIVE SHEET, METHOD FOR PRODUCING ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBING HEAT CONDUCTIVE SHEET, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190080978A1. Автор: Aramaki Keisuke,KUBO Yusuke,RYOSON Hiroyuki,KUMURA Tatsuo. Владелец: DEXERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-14.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for producing coaxial cables having a thin-walled, radially closed outer conductor

Номер патента: US20240055158A1. Автор: Ralf Egerer,Olaf Petersen,Steven DINKEL. Владелец: Nexans SA. Дата публикации: 2024-02-15.

Method For Fracturing And Forming A Pattern Using Shaped Beam Charged Particle Beam Lithography

Номер патента: US20160103390A1. Автор: Michael Tucker,Akira Fujimura. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US20050142848A1. Автор: Kang Shin,Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US7160810B2. Автор: Sang Wook Ryu,Kang Sup Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-09.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for forming dual gate of a semiconductor device

Номер патента: US20020164857A1. Автор: Jae-Hee Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of forming a photoresist layer

Номер патента: US09875892B2. Автор: Chih-Chien Wang,Hung-Chang Hsieh,Chun-Wei Chang,Wang-Pen Mo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for forming low dielectric constant layer

Номер патента: US20020132494A1. Автор: Wen-Yi Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Contact Isolation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210066116A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-03-04.

Contact isolation in semiconductor devices

Номер патента: US11862452B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: EP4391065A1. Автор: Hu Liang,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: WO2024132524A1. Автор: Hu Liang,Jens Baringhaus,Kevin Dannecker,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-06-27.

High-voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070155107A1. Автор: Choul Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20120244674A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-27.

A method for forming a meterial layer in a semiconductor device using liquid phase deposition

Номер патента: SG54195A1. Автор: Faivel S Pintchovski. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-11-16.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: TW200814145A. Автор: Jae-Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same

Номер патента: US20110049720A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-03.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for forming align key pattern in semiconductor device

Номер патента: US5578519A. Автор: Yun-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-11-26.

Method for forming interlayer dielectric film for semiconductor device by using polyhedral molecular silsesquioxane

Номер патента: US7470634B2. Автор: Hyeon Jin Shin,Hyun Dam Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-30.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for forming a thin film in semiconductor device and manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: KR100636022B1. Автор: 임승현,여인석,나규태,차용원,주경희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-18.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: US20080090359A1. Автор: Sinan Goktepeli,James Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-04-17.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11817348B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

A method for forming a thin film and semiconductor devices

Номер патента: EP0483669A3. Автор: Takashi Akahori,Akira Tanihara. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1992-12-23.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Method for forming an isolation region in a semiconductor device and resulting structure using a two step oxidation process

Номер патента: US6420241B2. Автор: Jong Choul Kim,Se Aug Jang,Young Bog Kim,In Seok Yeo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Method for forming metal wire using titanium film in semiconductor device having contact holes

Номер патента: TW569383B. Автор: Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2004-01-01.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Method for forming a thin film and semiconductor devices

Номер патента: KR100228259B1. Автор: 다까시 아까호리,사또시 다니하라. Владелец: 스미또모 메탈 인더스트리즈 리미티드. Дата публикации: 1999-11-01.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2020185762A8. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: US20070117366A1. Автор: Martin Kordesch,Howard Bartlow,Richard Woodin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Process for etching copper containing metallic film and for forming copper containing metallic wiring

Номер патента: US5569627A. Автор: Junichi Sato,Keiji Shinohara,Toshiharu Yanagida,Yukihiro Kamide. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-10-29.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: EP1548814A3. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of forming a photoresist layer

Номер патента: US20150243500A1. Автор: Chih-Chien Wang,Hung-Chang Hsieh,Chun-Wei Chang,Wang-Pen Mo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for implanting ions to a wafer for manufacturing of semiconductor device and method of fabricating graded junction using the same

Номер патента: TWI278921B. Автор: Sun-Hwan Hwang,Seung-Woo Jin,Kyoung-Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-11.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US12110435B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7772131B2. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20160133520A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Pattern-forming method using electron beams for euv rays and use of this method for forming a fine circuit of a semiconductor device

Номер патента: EP3745207A1. Автор: Hideaki Tsubaki,Koji Shirakawa,Toru Tsuchihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

Methods for forming a metal contact in a semiconductor device in which an ohmic layer is formed while forming a barrier metal layer

Номер патента: US7223689B2. Автор: Gil-heyun Choi,Hee-sook Park,Kwang-jin Moon,Sang-bum Kang,Seong-Geon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-29.

Methods for forming a metal contact in a semiconductor device in which an ohmic layer is formed while forming a barrier metal layer

Номер патента: US20070197015A1. Автор: Gil-heyun Choi,Hee-sook Park,Kwang-jin Moon,Sang-bum Kang,Seong-Geon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Method for increasing tensile stress in a thin film using collimated electromagnetic radiation and semiconductor device with the thin film of increased tensile stress

Номер патента: TWI332256B. Автор: Masanobu Igeta,Cory Wajda,Gerrit J Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Conductive spacers for semiconductor devices and methods of forming

Номер патента: US20080272398A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Viraj Y. Sardesai,Gregory Costrini,Leland Chang,Gary Bela Bronner,Ramachandra Divakaruni,Haizhou Yin,David Michael Fried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240290869A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming a gate electrode of a semiconductor device, gate electrode structure for a semiconductor device and according semiconductor device structure

Номер патента: US20140264626A1. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Martin Trentzsch,Alban Zaka,Nicolas Sassiat,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for forming a metal contact in a semiconductor device having a barrier metal layer formed by homogeneous deposition

Номер патента: US20060134930A1. Автор: Dong-Ki Jeon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Laser processing method, method for forming a flash memory, insulated gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US7622343B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-24.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method for forming a gate electrode of a semiconductor device, gate electrode structure for a semiconductor device and according semiconductor device structure

Номер патента: SG2014012116A. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Martin Trentzsch,Alban Zaka,Nicolas Sassiat,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Method for forming a self align contact in semiconductor device and manufacturing a semiconductor device using for same

Номер патента: KR100457038B1. Автор: 황기현,신승목,한재종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-10.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464B1. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-29.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20040091419A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-13.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: TW200415217A. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-16.

METHODS FOR FORMING A PHOTO-MASK AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190051527A1. Автор: Lin Chun-Hung,Huang Ching-Chun,HSU Chung-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

SPUTTERING SYSTEM AND METHOD FOR FORMING A METAL LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Gossman Robert Dwayne,Kennerly Stacey Joy,Torres Victor,Lilienfeld David,Dudoff Gregory Keith. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Method for forming a sealed interface on a semiconductor device

Номер патента: US5266517A. Автор: Michael C. Smayling,Jack Reynolds. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-11-30.

Method for forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100688719B1. Автор: 박철수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-28.

Method for forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100523618B1. Автор: 정병현,서보민. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-24.

A method for forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: KR100649824B1. Автор: 박형순,유철휘,박점용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-24.

Method for forming a via hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100414565B1. Автор: 고창진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-07.

A method for forming a conductive line of a semiconductor device

Номер патента: KR100440082B1. Автор: 김재홍. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-15.

A method for forming a field oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100400277B1. Автор: 송운영,서대영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

A method for forming a metal line of a semiconductor device

Номер патента: KR100557612B1. Автор: 정종열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-03-10.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100585082B1. Автор: 한재현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-30.

A method for forming a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR100569523B1. Автор: 김진웅,김한민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-07.

A method for forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: KR100414731B1. Автор: 권판기,이상익,남철우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-13.

A method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR101031480B1. Автор: 박상희,김태훈,이창헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-04-26.

Method for forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100425935B1. Автор: 허상범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-03.

method for forming a storage node in a semiconductor device

Номер патента: KR100388213B1. Автор: 류재옥,박계순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-19.

Method for forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100260524B1. Автор: 김태규,임일호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

A method for forming a poly silicon layer in semiconductor device

Номер патента: KR100573482B1. Автор: 동차덕. Владелец: 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-04-24.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100200297B1. Автор: 박상균. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100197671B1. Автор: 염승진,유상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

A method for forming a metal line of a semiconductor device

Номер патента: KR101043411B1. Автор: 김종수,김홍진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-06-22.

A method for forming a field oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100419754B1. Автор: 김형균,윤영식,이근일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-21.

A method for forming a mim capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100842471B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-07-01.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: CN101145515B. Автор: 郑载昌. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-29.

Method for forming a cylindrical capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20050099113A. Автор: 임현석,김정욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-13.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100197991B1. Автор: 김대영,박철수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

A method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR101004513B1. Автор: 복철규,문승찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-12-31.

A laminated structure having an oxide semiconductor thin film layer, a method for producing a laminated structure, a thin film transistor, and a display device

Номер патента: TWI430451B. Автор: Shigeo Matsuzaki,Koki Yano,Shigekazu Tomai,Yuki Tsuruma,Kazuaki Ebata. Владелец: Idemitsu Kosan Co. Дата публикации: 2014-03-11.

Method for forming a contact opening in a semiconductor device

Номер патента: US7202171B2. Автор: Shane J. Trapp. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-10.

A method for forming a metal line of a semiconductor device

Номер патента: KR100583099B1. Автор: 남기봉,김용택. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-24.

Method for forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100596493B1. Автор: 김동윤,박용현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-03.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20070148945A1. Автор: Eui Kyu Ryou. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for forming a separation film of a semiconductor device

Номер патента: KR980006053A. Автор: 전영권. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

A method for forming a conductive line of a semiconductor device

Номер патента: KR100440081B1. Автор: 김진웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20060009024A1. Автор: Jae Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100202183B1. Автор: 전선애. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100200308B1. Автор: 류재옥. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for Forming a Gate Dielectric of a Semiconductor Device

Номер патента: KR100769135B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-22.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100197670B1. Автор: 진성곤,서윤석. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

A method for forming a field oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100499625B1. Автор: 박명규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for forming a conductive layer in a semiconductor device

Номер патента: JP4731193B2. Автор: 剛三 牧山. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-07-20.

Method for forming a conductive pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20080070407A1. Автор: Jae-Hong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100192974B1. Автор: 차승준. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

A method for forming a gate electrode of a semiconductor device

Номер патента: KR100620670B1. Автор: 여인석,장세억. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-13.

Method for Forming a Gate Dielectric of a Semiconductor Device

Номер патента: KR100769134B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-22.

A semiconductor device with metallic electrodes and a method for use in forming such a device

Номер патента: GB2420016A. Автор: Adrian Derek Geisow,John Christopher Rudin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-05-10.

Method for forming a gate dielectric of a semiconductor device

Номер патента: US7550346B2. Автор: Jeong Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method for forming a junction region of a semiconductor device

Номер патента: US20050164461A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Yu-Kun Chen,Neng-Hui Yang,Hsiang-Ying Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

A METHOD FOR PRODUCING A THIN FILM PHOTOVOLTAIC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH IMPROVED OPTICAL PRIORITIES

Номер патента: ES524740A0. Автор: . Владелец: Exxon Research and Engineering Co. Дата публикации: 1984-08-01.

Method for forming a MIM capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20060141735A1. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming a strained channel in a semiconductor device

Номер патента: US20080124875A1. Автор: Syun-Ming Jang,Yun-Hsiu Chen,Yi-Ching Lin,Kuo-Hua Pan,Ken Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Method for forming a gate dielectric of a semiconductor device

Номер патента: US20070032021A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

A method for forming a borderless contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100400308B1. Автор: 윤준호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

Method for forming a strained channel in a semiconductor device

Номер патента: TW200822235A. Автор: Syun-Ming Jang,Yun-Hsiu Chen,Yi-Ching Lin,Kuo-Hua Pan,Ken Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-05-16.

A method for forming a micro contact of a semiconductor device

Номер патента: TW392301B. Автор: Kyu-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-01.

Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20040201007A1. Автор: Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Yoshitaka Hamada,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-14.

Systems and methods for fabricating cross-pillar superjunction structures for semiconductor power conversion devices

Номер патента: US20240038836A1. Автор: Reza Ghandi,Collin William Hitchcock. Владелец: GE Infrastructure Technology LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for Forming a PN Junction and Associated Semiconductor Device

Номер патента: US20190067309A1. Автор: La Rosa Francesco,Regnier Arnaud,NIEL Stephan. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Method for Forming a PN Junction and Associated Semiconductor Device

Номер патента: US20170345836A1. Автор: La Rosa Francesco,Regnier Arnaud,NIEL Stephan. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method for forming a copper metal line in semiconductor device

Номер патента: KR100474857B1. Автор: 최경근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for forming a dual damascene pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100539446B1. Автор: 류상욱,전호열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-27.

Method for forming a deep contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR20060064998A. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-14.

Method for forming a dual polysilicon gate of semiconductor device

Номер патента: KR100594324B1. Автор: 김욱제,오용철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-30.

Method for forming a deep contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100681209B1. Автор: 조용태,황창연. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-09.

Method for forming a high dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: KR100510546B1. Автор: 이내인,이종호,정형석,김윤석,도석주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-26.

Method for forming a dual damascene pattern in semiconductor device

Номер патента: KR101005738B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for the anisotropic etching of metal films in the fabrication of interconnects

Номер патента: US5350484A. Автор: Xiao-Chun Mu,Donald S. Gardner,David B. Fraser. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-09-27.

Method for forming a photo resist pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100745946B1. Автор: 고차원,복철규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Production method of T-shaped gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US5304511A. Автор: Masayuki Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9029957B2. Автор: Ahn Sook YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-12.

METHODS FOR FORMING DIELECTRIC MATERIALS WITH SELECTED POLARIZATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220044922A1. Автор: Clark Robert D.,Consiglio Steven P.,Tapily Kandabara N.,Triyoso Dina H.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Method for forming local interconnection line for use in semiconductor device

Номер патента: KR100526870B1. Автор: 고용선,권성운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-09.

Methods for forming contacts for dual stress liner CMOS semiconductor devices

Номер патента: KR101465703B1. Автор: 이경우,구자흠,박완재,장종광,데오도로스 이. 스탄데르트. Владелец: 인터내셔널 비즈니스 머신즈 코오퍼레이션. Дата публикации: 2014-11-28.

Device and method for receiving and for processing a thin wafer

Номер патента: EP1304726A3. Автор: Thomas Schmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-07-27.

Method for forming barrier layer for dielectric layers in semiconductor devices

Номер патента: US9508548B2. Автор: Ting-Chun Wang,Yu-Ting Lin,Sheng-Wen Chen,Che-Hao Chang,Wei-Ming You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming dielectric layer for metallic pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100557944B1. Автор: 김찬배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-10.

Systems and Methods for in SITU Maintenance of a Thin Hardmask During an Etch Process

Номер патента: US20190115225A1. Автор: Ting Chih-Yuan,WU Chung-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

Systems and Methods for In SITU Maintenance of a Thin Hardmask During an Etch Process

Номер патента: US20160155648A1. Автор: Ting Chih-Yuan,WU Chung-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

Systems and Methods for In Situ Maintenance of a Thin Hardmask During an Etch Process

Номер патента: US20150279685A1. Автор: Ting Chih-Yuan,WU Chung-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-10-01.

METHODS FOR FORMING SILICON-CONTAINING EPITAXIAL LAYERS AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180323059A1. Автор: Tolle John,Goodman Matthew,Margetis Joe,Vyne Robert,Bhargava Nupur. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

METHOD FOR FORMING VIA PROFILE OF INTERCONNECT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20160351669A1. Автор: Chang Che-Cheng,CHENG Tai-Shin,CHEN Wei-Ting,SHIAO Wei-Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-12-01.

METHODS FOR FORMING LOW TEMPERATURE SEMICONDUCTOR LAYERS AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180350588A1. Автор: Raisanen Petri,Hsu Peng-Fu,MOUSA MOATAZ BELLAH. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

METHOD FOR FORMING METAL CHALCOGENIDE THIN FILMS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160372365A1. Автор: Maes Jan Willem,Tang Fu,Givens Michael Eugene,Xie Qi,Woodruff Jacob Huffman. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

METHOD FOR MANUFACTURING A STRUCTURE COMPRISING A THIN SEMI-CONDUCTIVE LAYER ON A SUBSTRATE

Номер патента: FR2725074B1. Автор: Michel Bruel,Thierry Poumeyrol. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1996-12-20.

Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures

Номер патента: US10446393B2. Автор: John Tolle,Matthew Goodman,Robert Vyne,Joe Margetis,Nupur Bhargava. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-15.

Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures

Номер патента: US10886123B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Petri Raisanen,Moataz Bellah Mousa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-01-05.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100189733B1. Автор: 박주석. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100190053B1. Автор: 김성의. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for forming titanium silicide ohmic contact layer of semiconductor device

Номер патента: KR100626741B1. Автор: 손현철,엄장웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-22.

Method for detecting the width of a thin film by using the critical dimension check point

Номер патента: KR100192141B1. Автор: 장성우. Владелец: 왕중일. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming dual poly silicon gate electrode in semiconductor device

Номер патента: KR100582365B1. Автор: 안현주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-22.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100189992B1. Автор: 이재경,박찬식,조경환,이성한. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for forming laterally varying doping concentrations and a semiconductor device

Номер патента: CN103531450A. Автор: Y.加利纳,F.J.尼德诺斯泰德,H-J.舒尔策. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-22.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100203906B1. Автор: 김영복. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for cutting out at least a thin layer in a substrate or ingot, in particular made of semiconductor materials

Номер патента: KR100742790B1. Автор: 미셀 로쉬. Владелец: 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지. Дата публикации: 2007-07-25.

Method for forming the landing plug contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100745052B1. Автор: 남기원,박상수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

METHOD FOR PRODUCING A DEVICE USING A THIN FILM FILM STRUCTURE

Номер патента: FR2646001A1. Автор: Jean-Marc Coutellier,Francois Maurice,Paul-Louis Meunier,Alain Jacobelli. Владелец: EUROP COMPOSANTS ELECTRON. Дата публикации: 1990-10-19.

A method for forming capacitor using polysilicon plug structure in semiconductor device

Номер патента: KR100464938B1. Автор: 정경철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-05.

Method for forming gate electrode and salicide contact of semiconductor devices

Номер патента: KR100315451B1. Автор: 김서원. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-28.

Method for the catastrophic transfer of a thin layer after co-implantation

Номер патента: KR101120621B1. Автор: 구옛푸옹 구엔,이안 카이포르끄,크리스텔 라가헤-브랑샤르드. Владелец: 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스. Дата публикации: 2012-03-16.

Method for cutting out at least a thin layer in a substrate or ingot, in particular made of semiconductor material(s)

Номер патента: AU2001254866A1. Автор: Michel Roche. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2001-10-30.

Method for forming metal line with oxidation layer and semiconductor device providing with said metal line

Номер патента: KR100664865B1. Автор: 황상일. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-01-03.

Method for forming contact hole with different depth of semiconductor device

Номер патента: KR100257771B1. Автор: 서원준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-06-01.

Method for forming sti to prevent poly stringer in semiconductor device

Номер патента: KR100763702B1. Автор: 김정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for forming fully silicided gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: US7659189B2. Автор: Chien-Ting Lin,Li-Wei Cheng,Che-Hua Hsu,Guang-Hwa Ma,Yao-Tsung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

Method for forming contact hole in metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR950015589A. Автор: 서동량. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-06-17.

Systems and methods for in situ maintenance of a thin hardmask during an etch process

Номер патента: US9257298B2. Автор: Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Method for forming the gate oxide of metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: EP1014432A1. Автор: Thomas Vogelsang,Wilfried Haensch,Juergen Faul. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-06-28.

Method for insulating patterns formed in a thin film of oxidizable semi-conducting material

Номер патента: US20060121653A1. Автор: Maud Vinet,Jean-Charles Barbe,Thierry Poiroux,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2006-06-08.

METHOD FOR REPAIRING A LINE OF A THIN FILM IMAGE SENSOR OR DISPLAY AND THE STRUCTURE PRODUCED BY IT

Номер патента: DE69421522D1. Автор: Roger Salisbury. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-12-09.

Method for forming an electrical interconnect in a silicon semiconductor device

Номер патента: JP2685253B2. Автор: ラッセル・クレイグ・エルナンガー,ヨハネス・エリザベス・ヨセフ・シュミッツ. Владелец: フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ. Дата публикации: 1997-12-03.

A vapor deposition method for continuously depositing and treating a thin film layer on a substrate

Номер патента: DE102011056913A1. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2012-06-28.

Method for forming transistors with different channel lengths in semiconductor device

Номер патента: CN114628326A. Автор: 李俊杰,周娜,申靖浩. Владелец: Zhenxin Beijing Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Method for forming contact hole buried metal wiring in semiconductor device

Номер патента: KR970053577A. Автор: 조경수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Method for forming fine contact and conductive line in semiconductor device

Номер патента: KR970052274A. Автор: 신동원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-29.

Apparatus and method for detecting failure in a mechanical press

Номер патента: US20200047442A1. Автор: Kwok Pun LAW,Hong Yeung LI,Cho Wai LEUNG. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of forming a protective film in a semiconductor device

Номер патента: GB9727080D0. Автор: Min Jae Kim,Sun Oo Kim,Yong Sun Sohn,Chung Tae Kim,Dong Sunsheen. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-18.

Forming a protective film in a semiconductor device

Номер патента: GB2320809A8. Автор: Min Jae Kim,Sun Oo Kim,Yong Sun Sohn,Chung Tae Kim,Dong Sunsheen. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-04.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: TW444299B. Автор: Sung-Gyu Pyo,Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-07-01.

Method of forming a sog film in a semiconductor device

Номер патента: GB9610103D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-24.

CONDUCTIVE POWDER FORMATION METHOD, DEVICE FOR FORMING CONDUCTIVE POWDER, AND METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180301375A1. Автор: Chou You-Hua,Chuang Kuo-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

method and apparatus for forming a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100466309B1. Автор: 김병희,최길현,최경인,강상범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of fabricating a thin, free-standing semiconductor device layer and of making a three-dimensionally integrated circuit

Номер патента: EP1195808B1. Автор: Barbara Vasquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072171A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11848383B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Washing solution and washing method for semiconductor substrate

Номер патента: US20230402275A1. Автор: Atsushi Mizutani. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11855163B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device, electrical device system, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20140225209A1. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240113183A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method for manufacturing semiconductor memory device, semiconductor wafer and semiconductor memory device

Номер патента: US20170077107A1. Автор: Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20140248758A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-09-04.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080054475A1. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Tantalum semiconductor contacts and method for fabricating same

Номер патента: CA1111570A. Автор: Hormazdyar M. Dalal,Majid Ghafghaichi,Hans Wimpfheimer,Lucian A. Kasprzak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-10-27.

Process for producing semiconductor devices

Номер патента: US4626450A. Автор: Shuji Ikeda,Takashi Aoyagi,Akihiko Tani,Kouichi Nagasawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-12-02.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Flexible semiconductor device and method for producing same, image display device using the flexible semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102812541A. Автор: 平野浩一,铃木武,增田忍. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20210226033A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods of forming a protection layer on a semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20170179246A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11996466B2. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Mehtod for forming inter layer insulting film in the semiconductor device

Номер патента: KR100301530B1. Автор: 김창규,조웅래. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2001-10-19.

PROCESS FOR FORMING METALLIZED ZONES ON A SERIES OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2383522A1. Автор: Giulio Iannuzzi,Carlo Cognetti De Martis,Vittorio Del Bo,Luciano Gandolfi. Владелец: SGS ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1978-10-06.

Process for forming deposited film and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP0420590B1. Автор: Shigeyuki C/O Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu C/O Canon Kabushiki Kaisha Ikeda,Kazuaki C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohmi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-03-27.

Method for doping semiconductor layer, method for producing thin film semiconductor element and thin film semiconductor device

Номер патента: CN1251307C. Автор: 町田晓夫,碓井节夫,达拉姆·P·戈塞恩. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Process for forming deposited film and process for preparing semiconductor device

Номер патента: EP0420589A2. Автор: Shigeyuki C/O Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu C/O Canon Kabushiki Kaisha Ikeda,Kazuaki C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohmi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-04-03.

Process for forming deposited film and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP0420590A2. Автор: Shigeyuki C/O Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu C/O Canon Kabushiki Kaisha Ikeda,Kazuaki C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohmi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-04-03.

Material for forming adhesion reinforcing layer, adhesion reinforcing layer, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US7830013B2. Автор: Tadahiro Imada,Yoshihiro Nakata,Ei Yano,Junichi Kon. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2021067150A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Systems for forming insulative coatings for via holes in semiconductor devices

Номер патента: US20050282383A1. Автор: Warren Farnworth. Владелец: Farnworth Warren M. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of forming a gate contact in a semiconductor device

Номер патента: US20040043592A1. Автор: Jonathan Davis,Francis Goodwin,Michael Rennie. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2004-03-04.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11955341B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20180145149A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Ju-Yuan TZENG,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Method of forming a selective spacer in a semiconductor device

Номер патента: US20080157131A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Willy Rachmady,Rajwinder Singh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor assemblies with system and method for smoothing surfaces of 3d structures

Номер патента: US20230317511A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20190088763A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan,Ju-Yuan TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: TW200525642A. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Tec. Дата публикации: 2005-08-01.

METHOD OF FORMING A PLANAR SURFACE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, AND RELATED METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20140162455A1. Автор: Zagrebelny Andrey V.,Varghese Sony,Lu Jin,Carswell Andrew Dennis Watson,Huang Wayne Hai-Wei,Kondoju Siddartha,Ramakrishnan Suresh,Sakai Kozaburo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US20140369115A1. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-18.

Method of forming a planar surface for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US9153451B2. Автор: Jin Lu,Andrew Dennis Watson Carswell,Wayne Hai-Wei Huang,Siddartha Kondoju,Suresh Ramakrishnan,Kozaburo Sakai,Sony Varghese,Andrey V. Zagrebelny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Method for chemically mechanically polishing organic film, method of manufacturing semiconductor device, and program therefor

Номер патента: US20070000872A1. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Yukiteru Matsui,Atsushi Shigeta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for chemically mechanically polishing organic film, method of manufacturing semiconductor device, and program therefor

Номер патента: US7402521B2. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Yukiteru Matsui,Atsushi Shigeta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Heterodyne interference lithography apparatus, method for drawing pattern using the same device, wafer, and semiconductor device

Номер патента: KR101229786B1. Автор: 김건우,이주형,양민양,강봉철,노지환. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2013-02-05.

Method for manufacturing molecular beam epitaxial growth device and optical semiconductor device

Номер патента: KR960012304A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-04-20.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US9312376B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-12.

Film for use in semiconductors, method for making a film for use in semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: TW200821368A. Автор: Akitsugu Sasaki,Takashi Hirano,Naoya Oda. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2008-05-16.

Method of forming a conductive structure in a semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090280615A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Jin-Gyun Kim,Dong-kak Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

METHOD FOR IMPROVING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING SiGe FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY USING THIS METHOD

Номер патента: KR100519202B1. Автор: 요시다아끼라,바바도모야. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-10-06.

Method for stabilizing cleaning baths for SI wafers, especially for semiconductor devices

Номер патента: EP0390254A2. Автор: Johannes Engelbertus A. M. Van Den Meerakker. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-10-03.

Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device using photo enhanced CVD

Номер патента: US5094966A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1992-03-10.

Method for producing ohmic contacts on silicon carbide substrate of semiconductor device of e.g. power electronics device, involves producing oxide layer on surface of substrate, and applying contact metallization layer on contact region

Номер патента: DE102011078331A1. Автор: Michael Grieb,Thomas Suenner,Tim Behrens,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-08-09.

It is used to form the method for pattern and the method using this method manufacturing semiconductor devices

Номер патента: CN110323139A. Автор: 千宰协. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-10-11.

Silicon carbide semiconductor base substance, crystal axis alignment method for the same, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2018037560A. Автор: Yasuyuki Kawada,泰之 河田,Takeshi Tawara,河田　泰之,武志 俵,俵　武志. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

PLATE WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR PRODUCING PLATES WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: RU2009122487A. Автор: Сейдзи НАКАХАТА,Кенсаку МОТОКИ,Сейдзи НАКАХАТА (JP),Кенсаку МОТОКИ (JP). Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp). Дата публикации: 2010-12-20.

Method of forming a via plug in a semiconductor device and a semiconductor device using its method

Номер патента: GB9425300D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-02-15.

Method of forming a via plug in a semiconductor device and a semiconductor device using its method

Номер патента: HK1010423A1. Автор: Kyeong Keon Choi. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1999-06-17.

Method of forming a wiring structure in a semiconductor device

Номер патента: US7829458B2. Автор: Jae-Choel Paik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-09.

METHODS OF FORMING A PROTECTION LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20170179246A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Park Chanro. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Methods for removing selected fins that are formed for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20150318215A1. Автор: Ruilong Xie,William J. Taylor, Jr.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

METHODS OF FORMING A PROTECTION LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150364326A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Park Chanro. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Method of forming a barrier layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070117382A1. Автор: Sangwook Park,Kyeongmo Koo,Jaihyung Won,Hyeonill Um,Junhyuk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Inspection apparatus and method for film carrier tapes for mounting electronic components and semiconductor devices

Номер патента: KR100852225B1. Автор: 마사히코 야마모토,요시히로 고잔,사치오 노토,기요히토 고바야시. Владелец: 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-08-14.

Method for reducing line edge roughness for trench etch, and semiconductor device thereof

Номер патента: CN100477135C. Автор: P·勒温哈德特,D·乐,H·H·朱,E·沃加纳. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

METHODS OF FORMING A CHANNEL REGION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE BY PERFORMING A TRIPLE CLADDING PROCESS

Номер патента: US20160005834A1. Автор: Behin-Aein Behtash,Pawlak Bartlomiej Jan,Salmani-Jelodar Mehdi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

ADVANCED PROCESS CONTROL METHOD FOR CONTROLLING WIDTH OF SPACER AND DUMMY SIDEWALL IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160027649A1. Автор: Tsuei Cherng-Chang,TSAI Hsien-Chieh,LIN Tz-Wei,YANG Sheng-Jen,LIN Hung-Yin,LU Chen-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

METHOD FOR SELECTIVELY DEPOSITING A GROUP IV SEMICONDUCTOR AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190027584A1. Автор: Tolle John,Margetis Joe. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METHOD FOR ELECTRICALLY CONNECTING WAFERS USING BUTTING CONTACT STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED THROUGH THE SAME

Номер патента: US20140138847A1. Автор: Jeon In Gyun. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

METHODS FOR DEPOSITING A DOPED GERMANIUM TIN SEMICONDUCTOR AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190067004A1. Автор: Kohen David,Profijt Harald Benjamin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

METHOD FOR FABRICATING CONTACTS TO NON-PLANAR MOS TRANSISTORS IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170103981A1. Автор: Hung Yu-Hsiang,Jenq Jyh-Shyang,LIN CHIEN-TING,Hsu Chih-Kai,Fu Ssu-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

ADVANCED PROCESS CONTROL METHOD FOR CONTROLLING WIDTH OF SPACER AND DUMMY SIDEWALL IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150140692A1. Автор: Tsuei Cherng-Chang,TSAI Hsien-Chieh,LIN Tz-Wei,YANG Sheng-Jen,LIN Hung-Yin,LU Chen-Hsiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-05-21.

Etching Composition And Method For Selectively Removing Silicon Nitride During Manufacture Of A Semiconductor Device

Номер патента: US20220298182A1. Автор: LEE Yi-Chia,LIU Wen Dar,WU Aiping,Ge Jhih Kuei,Sun Laisheng. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2022-09-22.

METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL SUPER JUNCTION DRIFT LAYER OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160315142A1. Автор: ZHANG BO,Zhang Jinping,LI Zehong,SONG Wenlong,SONG Xunyi,GU Hongming,ZOU Youbiao. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

METHOD FOR PROVIDING A SELF-ALIGNED PAD PROTECTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150357234A1. Автор: Lehnert Wolfgang,Rogalli Michael. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

METHOD FOR ELIMINATING DISLOCATIONS IN ACTIVE AREA AS WELL AS SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190341262A1. Автор: Zhou Jun,Li Yun,XU Jingjing,LUO Qingwei. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures

Номер патента: US11018002B2. Автор: John Tolle,Joe Margetis. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-05-25.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100223751B1. Автор: 정명준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for manufacturing a spin on glass film in a semiconductor device

Номер патента: KR100246779B1. Автор: 권혁진,홍상기,전상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method of forming a tungsten contact in a semiconductor device and equipment of forming a tungsten contact

Номер патента: KR100583637B1. Автор: 이상우,최길현,최경인,이종명. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-26.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100234416B1. Автор: 김창규,최지현,백민수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-12-15.

Method for integrating selective ruthenium deposition into manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: KR101506755B1. Автор: 켄지 스즈키. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-03-27.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100226724B1. Автор: 김홍선. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

A method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100407682B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-01.

Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures

Номер патента: US10236177B1. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for fabricating isolation layer using fluid dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: KR100881135B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-02.

Method of forming a device isolation structure of semiconductor device

Номер патента: KR100214534B1. Автор: 서재범. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Method for manufacturing wine glass type contact hole of the semiconductor device

Номер патента: KR100781455B1. Автор: 강병주. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-12-03.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100239453B1. Автор: 박진원. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-01-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100235972B1. Автор: 김천수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-15.

method of forming a multi-layer in a semiconductor device and method of forming a capacitor and a gate dielectric layer using the same

Номер патента: KR100505056B1. Автор: 김경석,박영욱,최한메,임은택,강동조. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-07-29.

A method of forming a trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR100317041B1. Автор: 신수호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-22.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100200731B1. Автор: 이한신,신헌종. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100232888B1. Автор: 김시범. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-01.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100226743B1. Автор: 김대일. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: CA2759856A1. Автор: Shin Harada,Takeyoshi Masuda,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

METHOD FOR MAKING AT LEAST ONE DEEP LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2548831A1. Автор: Pieter Johannes Wilhel Jochems. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-01-11.

METHOD FOR ESTABLISHING AN ELECTRICAL INTERCONNECTION STRUCTURE ON A SILICON SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2624304B1. Автор: Russell Craig Ellwanger,Johannes Elisabeth Jos Schmitz. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-05-04.

A method of forming a resist pattern for a semiconductor device

Номер патента: DE19503985B4. Автор: Sang Man Bae. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

METHOD FOR SELF-ALIGNING METAL CONTACTS ON A SELF-ALIGNED SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2663157B1. Автор: Collot Philippe,Schmidt Paul Erick. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1992-08-07.

The method for controlling the wafer bow in III-V type semiconductor devices

Номер патента: CN109103099A. Автор: S.肯南,P.W.金,S.E.朴,M.唐加尔,万建伟. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-12-28.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6798293B2. Автор: 太郎 西口,健二 平塚. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

Apparatus and method for flattening an insulating layer by etching in a semiconductor device

Номер патента: EP0620585A1. Автор: Yasukazu Intell. Property Division Mase,Masahiro Intell. Property Division Abe,Ken-Ichi Intell. Property Division Tomita,Kazuyuki Intell. Property Division Yahiro,Akira Intell. Property Division Ishiguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-10-19.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100226728B1. Автор: 고정덕. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017090285A1. Автор: 太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7070437B2. Автор: 勉 堀,圭司 和田,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-05-18.

Method of forming a isolation layer in a semiconductor device and manufacturing a flash memory cell using the same

Номер патента: KR100427537B1. Автор: 이승철,동차덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-28.

Method for providing increased dopant concentration in selected regions of semiconductor devices

Номер патента: EP0313777A2. Автор: David Stanasolovich,Jeffrey R. Barber,Harish N. Kotecha,David D. Meyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-05-03.

Method for producing a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: DE19620022A1. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-21.

Method for removing circle defect on the metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR100702796B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-03.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100869742B1. Автор: 심천만. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-11-21.

A method of forming a resist pattern and a semiconductor device manufacturing method

Номер патента: DE102006058795B4. Автор: Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6954316B2. Автор: 勉 堀,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Method of forming a device isolation structure of semiconductor device

Номер патента: KR100214536B1. Автор: 김준용. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Method for examining the defect of gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: KR100591149B1. Автор: 나유석. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-19.

Method for fabricating a trench of dual damascene interconnection in semiconductor device

Номер патента: KR100642486B1. Автор: 이기민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for cleaning the inside of a pipe of a semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: JP2910761B1. Автор: 康 佐々木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-23.

METHOD FOR PRODUCING AT LEAST ONE DEEP LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2548831B1. Автор: Pieter Johannes Wilhel Jochems. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1988-10-14.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JPWO2019044029A1. Автор: 勉 堀,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of forming a fine pattern of a semiconductor device using a double patterning technique

Номер патента: US7977204B2. Автор: Yong-Il Kim,Makoto Yoshida,Hyeong-Sun HONG,Bong-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-12.

Method for adjusting effective work function of gate structure in semiconductor device

Номер патента: JP2014146789A. Автор: Spessot Alessio,Caillat Christian,Kauerauf Thomas,トーマス・カウエラウフ,アレッシオ・スペソット,クリスチャン・カイヤ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-08-14.

Method for producing a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: DE19620022C2. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Methods of forming a channel region for a semiconductor device by performing a triple cladding process

Номер патента: TWI578524B. Автор: 巴特羅梅 詹 帕拉克,本塔旭 本漢艾影塔,傑羅達 邁赫迪 沙曼尼. Владелец: 格羅方德半導體公司. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for adjusting transport position of wafer, adjustment apparatus, and semiconductor device

Номер патента: WO2023035434A1. Автор: 刘洋. Владелец: 长鑫存储技术有限公司. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6856156B2. Автор: 圭司 和田,太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-04-07.

Advanced process control method for controlling width of spacer and dummy sidewall in semiconductor device

Номер патента: US9613816B2. Автор: Cherng-Chang TSUEI,Chen-Hsiang LU,Hsien-Chieh TSAI,Tz-Wei LIN,Sheng-Jen YANG,Hung-Yin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A4. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-10-26.

METHOD FOR IMPLANTING IONS NOT SUBJECT TO MASS ANALYSIS AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED USING THE SAME

Номер патента: FR2524200A1. Автор: Takashi Tokuyama,Tadashi Saitoh,Katsumi Tokiguchi,Haruo Itoh,Terunori Warabisako. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-09-30.

Method for fabricating a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: GB9610393D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-24.

Method for manufacturing a shallow trench isolation layer of the semiconductor device

Номер патента: KR100503344B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-26.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017090285A9. Автор: 太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2018-04-19.

Method of forming a gate pattern and a semiconductor device

Номер патента: US20120235243A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

METHOD OF FORMING A FINE PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140162427A1. Автор: GWAK Byoung-Yong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of forming a contact element of a semiconductor device and contact element structure

Номер патента: US20180350679A1. Автор: Jim Shih-Chun Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20020006727A1. Автор: Sung Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-17.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device with copper seed

Номер патента: US6593236B2. Автор: Sung Gyu Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-15.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100407680B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-01.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100398038B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-19.

Method of forming a metal wire in a semiconductor device

Номер патента: KR100854910B1. Автор: 김은수,김석중,김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100363847B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-06.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100612542B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-11.

method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100576046B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-03.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100456259B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-09.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100511128B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-08-26.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100924611B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-11-02.

Method of forming a BPSG film in a semiconductor device

Номер патента: KR100335774B1. Автор: 김춘환,문영화. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method of forming a insulating layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100466818B1. Автор: 유춘근,김태경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-24.

Methods of forming a contact structure in a semiconductor device having selective barrier metal

Номер патента: KR100629260B1. Автор: 오준환,최승만,서봉석,김일룡,이선정. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-29.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: KR100451039B1. Автор: 안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-02.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100472859B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005597A. Автор: 남기원,임태정. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100361209B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-18.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR101044611B1. Автор: 조일현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-06-29.

Method of forming a conductor layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100260525B1. Автор: 진규안. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

Method of forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: KR980005524A. Автор: 최창주. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor devices

Номер патента: KR20050059924A. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-06-21.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100358047B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100593126B1. Автор: 표성규,이상협,김시범,김삼동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-26.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100559041B1. Автор: 김시범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-03-10.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100538632B1. Автор: 민우식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005513A. Автор: 진성곤,서윤석. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a well region in a semiconductor device

Номер патента: KR100942076B1. Автор: 곽노열,한일근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-12.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100265010B1. Автор: 남기원,하정우. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-10-02.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100452039B1. Автор: 고창진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-08.

Method of forming a tungsten plug in a semiconductor device

Номер патента: KR100223913B1. Автор: 오승언. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100317495B1. Автор: 정성희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR20010114051A. Автор: 표성규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-29.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100834266B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-05-30.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100398034B1. Автор: 민우식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-19.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100568792B1. Автор: 이병주. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-06.

Method of forming a contact-hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100751669B1. Автор: 김연수,김태경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-23.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100230353B1. Автор: 신헌종. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-15.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100546207B1. Автор: 박신승. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-24.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR20010112964A. Автор: 표성규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method of forming a isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100408862B1. Автор: 류두열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-06.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor devices

Номер патента: KR101128890B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-03-26.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: KR100451036B1. Автор: 민경열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-02.

Method of forming a polysilicon pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100262532B1. Автор: 김수호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-10-02.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100361208B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-18.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100387257B1. Автор: 박상균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-11.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100822592B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-16.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: KR100351254B1. Автор: 박대규,차태호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-09.

Method of forming a dielectric layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100964194B1. Автор: 황성보. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-06-17.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100407681B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-01.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100472856B1. Автор: 민우식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100276566B1. Автор: 이성권. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100521050B1. Автор: 이세영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-10-11.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100323875B1. Автор: 이병주. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-02-16.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR20080099999A. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-14.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100811443B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-07.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100671610B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of forming a oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR100671629B1. Автор: 이창진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100399910B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-29.

Method of forming a isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100427538B1. Автор: 동차덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-28.

Method of forming a damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100598308B1. Автор: 김대희,권세한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-10.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100347533B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-03.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR20020037805A. Автор: 이성권. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-23.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR20010112965A. Автор: 표성규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005606A. Автор: 최병진. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a gate oxide in a semiconductor device

Номер патента: KR100408863B1. Автор: 한상규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-06.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100309809B1. Автор: 표성규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-15.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100913000B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005516A. Автор: 김대영,박철수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100919344B1. Автор: 임용현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-09-25.

Method of forming a isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR20050118474A. Автор: 이성훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-19.

Method of forming a damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100607355B1. Автор: 길민철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-31.

Method of forming a gate spacer in a semiconductor device

Номер патента: KR100833440B1. Автор: 현찬순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100870264B1. Автор: 정우영,신용철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-25.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100356482B1. Автор: 백성학. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

Method of forming a shared contact in a semiconductor device

Номер патента: US8426310B2. Автор: Olubunmi O. Adetutu,Mark D. Hall,Ted R. White. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-04-23.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100642886B1. Автор: 정우영,김종훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-03.

Method of forming a photoresist pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR20080095606A. Автор: 안상준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-29.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100680460B1. Автор: 김태경,윤종윤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of forming a dielectric spacer in a semiconductor device

Номер патента: KR100653035B1. Автор: 신진홍. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of forming a contact plug in a semiconductor device

Номер патента: KR100784100B1. Автор: 한상엽,김현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-12-10.

Method of forming a pattern structure for a semiconductor device

Номер патента: CN102376566A. Автор: 金建秀,朴正桓,金钟赫,尹永培,白贤喆,曹盛纯,申光植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-14.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: GB0029288D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-17.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100602314B1. Автор: 김태규,홍성훈,이문화,조수민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-14.

Method of forming a micro pattern of a semiconductor device

Номер патента: US7892981B2. Автор: Woo-Yung JUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: TWI263268B. Автор: Cha-deok Dong,Kwang-Chul Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-01.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100383756B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-14.

Forming a conductive structure in a semiconductor device

Номер патента: US6291868B1. Автор: Randhir P. S. Thakur,Yongjun Jeff Hu,James Beck,Ronald A. Weimer,Pai Hung Pan,Deepa Ratakonda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-18.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100431105B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-12.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6492268B1. Автор: Sung Gyu Pyo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR970067638A. Автор: 최승봉. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-10-13.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR0163086B1. Автор: 신지철,이성학. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100368304B1. Автор: 김우현,김호성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-24.

Method of forming a passivation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100290469B1. Автор: 김선우. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-12.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: TWI234807B. Автор: Choon-Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-21.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100521051B1. Автор: 이동호,김상범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-12.

Methods of forming a contact structure in a semiconductor device

Номер патента: US6417097B1. Автор: Min-wk Hwang,Jun-Yong Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-09.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6723645B2. Автор: Sung Gyu Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-20.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100607348B1. Автор: 김재헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-28.

Method of forming a insulating layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100401348B1. Автор: 장민식,기영종. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-11.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100380150B1. Автор: 이재곤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-11.

Method of forming a dielectric layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100680500B1. Автор: 진규안. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of forming a micro pattern of a semiconductor device

Номер патента: TWI345813B. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100448592B1. Автор: 유춘근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-13.

Methods of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7485574B2. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-03.

Method of forming a target pattern for a semiconductor device

Номер патента: TWI609237B. Автор: 劉如淦,林緯良,陳俊光,羅冠昕,曾晉沅,洪繼正,高蔡勝. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6737349B2. Автор: Choon Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-18.

Method of forming a matal line in a semiconductor device

Номер патента: KR20050118470A. Автор: 김동준. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-19.

Method of forming a contact plug for a semiconductor device

Номер патента: USRE45232E1. Автор: Dae Hee Weon,Seok Kiu Lee. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-11-04.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100567540B1. Автор: 이세영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Methods of forming a contact structure in a semiconductor device

Номер патента: TW511235B. Автор: Min-wk Hwang,Jun-Yong Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of forming a metal wire in a semiconductor device

Номер патента: KR20080060590A. Автор: 김은수,김석중,서영희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-02.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005611A. Автор: 류재옥. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a via hole in a semiconductor device

Номер патента: US20030109123A1. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Toshiyuki Orita. Дата публикации: 2003-06-12.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20030143843A1. Автор: Choon Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-31.

Method of forming a isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: KR100843047B1. Автор: 김은수,조휘원,정철모,김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-01.

Method of forming a barrier metal in a semiconductor device

Номер патента: TW200411818A. Автор: Chang-Jin Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of forming a damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100673238B1. Автор: 이재중. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Method of forming a gate pattern and a semiconductor device

Номер патента: US8741744B2. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method of forming a film and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: DE112020004152T5. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroyuki Nishinaka,Masahiro Yoshimoto,Daisuke Tahara. Владелец: Kyoto Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of forming a metal gate in a semiconductor device

Номер патента: TW516131B. Автор: Dae-Gyu Park,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-01.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: TW503517B. Автор: Sung-Gyu Pyo. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2002-09-21.

ZINC IMMERSION COATING SOLUTIONS, DOUBLE-ZINCATE METHOD, METHOD OF FORMING A METAL PLATING FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160108254A1. Автор: Hayashi Mariko,KOYAMA Yuichi,GODA Tatsuya. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Methods of Forming a Silicon-Insulator Layer and Semiconductor Device Having the Same

Номер патента: US20190385842A1. Автор: Storbeck Olaf,Hirschler Joachim,Hutzler Michael,Plappert Mathias,Roesner Michael,Erbert Christoffer,KRIVEC Stefan,Ehrentraut Georg,Neumann Ingmar,Heinrici Markus,Goeschl Klaus,Koell Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Method of forming a field oxide layer in semiconductor device

Номер патента: KR100590383B1. Автор: 김영준,박상욱,송필근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-19.

Method of forming a field oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR100220236B1. Автор: 최영관. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-09-15.

Method of forming a nanostructure comprising nanowires and semiconductor device including the nanostructure

Номер патента: EP3141523B1. Автор: Yeongtek OH,Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-21.

Method of forming a trench isolation structure and semiconductor device

Номер патента: TW546688B. Автор: Keita Kumamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-08-11.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Substrate for forming high-strength thin semiconductor element and method for manufacturing high-strength thin semiconductor element

Номер патента: CA2259777A1. Автор: Osamu Anzawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US20220037476A1. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US11901420B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Bipolar shell resurfaced perovskite quantum dots and methods for producing same

Номер патента: WO2022100636A1. Автор: Edward Sargent,Peter Chun,Makhsud SAIDAMINOV,Sjoerd HOOGLAND,Fanglong YUAN,Quan LYU,Giovanni Francesco COTELLA,Yitong DONG,Ya-Kun WANG. Владелец: Quan LYU. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US5917221A. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09741861B2. Автор: Changseung WOO,Soonhwan HONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US12113086B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US20220165926A1. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2022-05-26.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US11881548B2. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11769837B2. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20220165877A1. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: EP4248490A4. Автор: John Robinson,David W Price,Oreste Donzella,Barry Saville,Thomas Groos,Den Hoff Mike Von,Justin LACH,Narayani Narasimhan,Chet LENOX,Kara SHERMAN,Teng Song LIM,Robert J Rathert. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

A method for forming a contact line of a semiconductor device

Номер патента: KR100348222B1. Автор: 고복림. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-09.

Radiation emitting semiconductor device

Номер патента: US20030173575A1. Автор: Dominik Eisert,Uwe Strauss,Volker Haerle,Frank Kuehn,Manfred Mundbrod-Vangerow,Ulrich Zehnder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-18.

A method for forming a storage node of a semiconductor device

Номер патента: KR100499641B1. Автор: 진승우,이태혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-05.

A method for forming a storage node of a semiconductor device

Номер патента: KR100457161B1. Автор: 김정기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-16.

A method for forming a storage node of a semiconductor device

Номер патента: KR100979378B1. Автор: 김준동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-08-31.

Method for forming a storage electrode on a semiconductor device

Номер патента: US6558999B2. Автор: Jeong Ho Kim,Yu Chang Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

METHOD FOR FORMING A FINE PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2704689B1. Автор: Hong Jong-Seo,Kim Jae-Jo,Kim Hyoung-sub,Lee Kang-Hyun,Han Min-Seog,Hong Jung-In. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-15.

Structures and methods for reducing junction leakage in semiconductor devices

Номер патента: US8633513B2. Автор: Daniel Doyle,Jeffrey Gleason. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Method for Forming a Stress-Reduced Field-Effect Semiconductor Device

Номер патента: US20160300914A1. Автор: Mauder Anton,Hirler Franz,Zundel Markus,Hutzler Michael,Baumgartl Johannes,Blank Oliver,Siemieniec Ralf,Sedlmaier Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

A wiring, a method for manufacturing the wiring, and a thin film transistor array substrate including the wiring, and a method for manufacturing the substrate

Номер патента: KR100859512B1. Автор: 이재갑,양희정,정창오,홍성진,조범석,강봉주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-09-22.

Optical Inspection Method for a Display Cell of a Thin Film Structure and False Terminal Unit for Use with the Method

Номер патента: KR20160016593A. Автор: 나오 무라카미,사토루 고시오,타다토시 나카니시,서창시. Владелец: 닛토덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-02-15.

Method for processing semiconductors using a combination of electron beam and optical lithography

Номер патента: WO2013126153A1. Автор: Kamal Tabatabaie,William J. Davis,Paul J. Duval. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2013-08-29.

Method for forming a capacitor storage node in semiconductor device

Номер патента: KR960011817B1. Автор: Jong-Sung Park,Moon-Moo Jung. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-30.

Method for modifying the properties of a thin layer of a substrate for applications in making electronic and optoelectronic components

Номер патента: FR2839505A1. Автор: Volodymyr Lysenko,Olivier Marty. Владелец: Universite Claude Bernard Lyon 1 UCBL. Дата публикации: 2003-11-14.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

METHOD FOR PRODUCING A MICROSYSTEM HAVING A THIN FILM MADE OF LEAD ZIRCONATE TITANATE

Номер патента: US20150091007A1. Автор: Giebeler Carsten,Schreiter Matthias,Steinkopff Thorsten,Wersing Wolfram. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

METHOD FOR MODIFYING THE PROPERTIES OF A THIN LAYER AND SUBSTRATE USING THE PROCESS

Номер патента: FR2839505B1. Автор: Volodymyr Lysenko,Olivier Marty. Владелец: Universite Claude Bernard Lyon 1 UCBL. Дата публикации: 2005-07-15.

Method for coating a substrate with a thin-film structure

Номер патента: DE602005019825D1. Автор: Toshimitsu Hirai,Shinri Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for forming sidewall in fork-shaped structure and semiconductor device with fork-shaped structure

Номер патента: EP4228008A4. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor module and method for mounting the same

Номер патента: US20050116330A1. Автор: Tomotoshi Sato,Rina Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Apparatus and Method For Generating Test Pattern Data For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080040639A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

High aspect ratio channel semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180082901A1. Автор: Niamh Waldron,Bernardette Kunert,Weiming Guo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US20230402478A1. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US11798969B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor

Номер патента: US20140131705A1. Автор: Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240021736A1. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Mold for measuring the flow property, method for measuring the flow property, resin composition for encapsulating semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201128177A. Автор: Atsunori Nishikawa. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2011-08-16.

High voltage semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20050139916A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: JPWO2008126729A1. Автор: 英男 大野,浦山　雅夫,雅夫 浦山,川崎　雅司,雅司 川崎,大野　英男. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-07-22.

Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101013474B1. Автор: 고자와미와,노자키고지,나미키다카히사,곤주니치. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2011-02-14.

Normally-off gallium nitride-based semiconductor devices

Номер патента: US8802516B2. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Method for monitoring the shape of the processed surfaces of semiconductor devices and equipment for manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20040048399A1. Автор: Hiroyuki Yano,Katsuya Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

Method for reduction of filaments between electrodes

Номер патента: US4878996A. Автор: Howard L. Tigelaar,Allan T. Mitchell,Kalipatnam V. Rao,Shaym G. Garg. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-11-07.

Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: EP1609835A1. Автор: Masahito Ide,Katsuya Ouchi,Manabu Tsumura,C/o Nichia Corporation KURAMOTO Masafumi,C/o Nichia Corporation MIKI Tomohide. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2005-12-28.

METHOD FOR THINNING, METALIZING, AND DICING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE USING THE METHOD

Номер патента: US20150108612A1. Автор: NUMAGUCHI Hiroyuki. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160211378A1. Автор: WON Seok-Jun,Lee Chul-Woong,Kim Young-Tak,KIM Kook-Tae,Son Ho-Sung,Yi Ji-Hye. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Method of forming a conductive line for a semiconductor device using a carbon nanotube and semiconductor device manufactured using the method

Номер патента: CN100369205C. Автор: 堀井秀树,裵恩珠,崔原凤. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-13.

Heat-curable silicon resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, and method for producing light emitting device and encapsulated light emitting semiconductor device using the same

Номер патента: KR20140081736A. Автор: 도시오 시오바라,츠토무 가시와기. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2014-07-01.

METHODS FOR PERFORMING A GATE CUT LAST SCHEME FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Huang Haigou,Wu Xusheng,DAI Xintuo. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method for CVD and apparatus for performing the same in semiconductor device processing

Номер патента: KR100375102B1. Автор: 김종우,김광식,이희태,박윤세. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-03-08.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN111278882B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Jxtg Energy Corp. Дата публикации: 2022-12-30.

Method for fabricating a lower plate for a capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100338959B1. Автор: 박상희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-01.

Production method for copolymer film, copolymer film for med therefrom, and semiconductor device using said copolymer film

Номер патента: CN1269866C. Автор: 林喜宏,川原润. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Method for manufacturing peripheral dummy gate of transistor for testing semiconductor device

Номер патента: KR100223941B1. Автор: 남상혁. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for adjusting characteristic size of reticle pattern for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN107845573B. Автор: 李东根,郑镛席,权星元,金熙范. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-28.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on substrate

Номер патента: AU742589B2. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Evergrand Holdings Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

Light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: CN101197408B. Автор: 井手正仁,三木伦英,大内克哉,藏本雅史,津村学. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-08.

Light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: CN101197408A. Автор: 井手正仁,三木伦英,大内克哉,藏本雅史,津村学. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2008-06-11.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN112424256B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Eneos Corp. Дата публикации: 2023-02-17.

Organic Compound, Organic Semiconductor Material, Organic Thin Film And Method For Producing The Same, Organic Semiconductor Composition, And Organic Semiconductor Device

Номер патента: US20180062087A1. Автор: Sadamitsu Yuichi,Shinamura Shoji,Hamada Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Thermal Conducting Sheet, Method for Manufacturing Thermal Conducting Sheet, Heat Dissipation Member, and Semiconductor Device

Номер патента: US20220084902A1. Автор: Aramaki Keisuke,Kanaya Hiroki,Uchida Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20200312687A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat dissipating member, and semiconductor device

Номер патента: CN108463882B. Автор: 荒卷庆辅,内田俊介,金谷纮希,野村优,内田信一. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2022-05-13.

Method for arranging wiring line including power reinforcing line and semiconductor device having power reinforcing line

Номер патента: US20030211722A1. Автор: Won-suk Yang,Jae-Young Lee,Ki-nam Kim,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-13.

Thermal conducting sheet, method for manufacturing thermal conducting sheet, heat dissipation member, and semiconductor device

Номер патента: KR101947333B1. Автор: 게이스케 아라마키,신이치 우치다,히로키 가나야. Владелец: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-02-12.

Method for protecting semiconductor integrated circuit against reverse engineering and semiconductor device

Номер патента: CN111610425A. Автор: 村上洋树. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Non-contact method for monitoring and controlling plasma charging damage in a semiconductor device

Номер патента: US6251697B1. Автор: Pradip K. Roy,Carlos M. Chacon. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Thermal conducting sheet, method for manufacturing thermal conducting sheet, heat dissipation member, and semiconductor device

Номер патента: EP3404708A4. Автор: Shinichi Uchida,Hiroki Kanaya,Keisuke Aramaki. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2019-09-11.

Structure and Method for Monitoring Variation Within an Active Region of a Semiconductor Device Using Scaling

Номер патента: US20080288188A1. Автор: William Y. Chang,Sharon L. Von Bruns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: IL303364A. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

METHODS OF FORMING A MASKING PATTERN AND A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Baars Peter,Moll Hans-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Method of forming a storage node in a semiconductor device

Номер патента: KR100342828B1. Автор: 류재옥,안성환. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-07-02.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100942074B1. Автор: 정우영,안상준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-12.

Method for fracturing and forming a pattern using curvilinear characters with charged particle beam lithography

Номер патента: US8039176B2. Автор: Michael Tucker,Akira Fujimura. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2011-10-18.

Method of forming a capacitor electrode of a semiconductor device

Номер патента: KR960015782B1. Автор: 임찬,우상호,전하응. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-11-21.

Methods for use in forming a capacitor

Номер патента: US6200874B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Garo Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-03-13.

Method of forming a gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100580118B1. Автор: 이성훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-12.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method for production of precursor particles and precursor particle produced by this method

Номер патента: RU2751079C1. Автор: Сяо ЧЖАН,Брайан ЙОНЕМОТО. Владелец: Микроваст Пауэр Системс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-07-09.

Apparatus and method for depositing uniform charge on a thin oxide semiconductor wafer

Номер патента: US6060709A. Автор: Roger L. Verkuil,Gregory S. Horner,Tom G. Miller. Владелец: Keithley Instruments LLC. Дата публикации: 2000-05-09.

Method for coating luminescent screens with a thin film of organic material.

Номер патента: DK88759C. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1960-03-28.

Organic photoelectric semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8692235B2. Автор: Ten-Chin Wen,Sung-Nien Hsieh,Tzung-Fang Guo,Wei-Chou Hsu,Chen-Yan Li. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2014-04-08.

Multi-layer ceramic battery and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240154214A1. Автор: Young Joo OH,Jung Rag Yoon,Jong Kyu Lee. Владелец: Samhwa Capacitor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method For Fracturing And Forming A Pattern Using Shaped Beam Charged Particle Beam Lithography

Номер патента: US20130316273A1. Автор: Fujimura Akira,Tucker Michael. Владелец: D2S, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

Method For Fracturing And Forming A Pattern Using Shaped Beam Charged Particle Beam Lithography

Номер патента: US20160103390A1. Автор: Fujimura Akira,Tucker Michael. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Method for making pyroelectric sensors comprising a thin pyroelectric film requiring electric polarisation

Номер патента: AU2001287587A1. Автор: Paul Muralt,Bert Willing. Владелец: École Polytechnique De Montréal. Дата публикации: 2002-02-18.

Method for producing doped organic nanoparticles, method for producing a functional layer, functional layer, and organic semiconductor device

Номер патента: EP4299647A1. Автор: Christoph Brabec,Junyi Xu,Thomas HEUMÜLLER. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for gluing components, forming a temperature-resistant adhesive layer

Номер патента: US20110221308A1. Автор: Roland Mueller,Gerhard Hueftle,Irene Jennrich,Patrick Stihler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Method for protecting gate edges from charge gain/loss in semiconductor device

Номер патента: US6808996B1. Автор: Yu Sun,Mark T. Ramsbey,Sameer S. Haddad,Chi Chang,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-10-26.

Method for coating and forming novel material layer structure of high-frequency circuit board and article thereof

Номер патента: US20240244763A1. Автор: LongKai LI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Dynamically adjusting operation of a circuit within a semiconductor device

Номер патента: US20090072855A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Raghukiran Sreeramaneni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for reducing particles and defects during flash memory fabrication

Номер патента: US20030181008A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Providing high availability for a thin-provisioned container cluster

Номер патента: US20200036649A1. Автор: Huamin Chen,Jay Vyas. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Providing high availability for a thin-provisioned container cluster

Номер патента: US20180375787A1. Автор: Huamin Chen,Jay Vyas. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Providing high availability for a thin-provisioned container cluster

Номер патента: US20210250304A1. Автор: Huamin Chen,Jay Vyas. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Providing high availability for a thin-provisioned container cluster

Номер патента: US10999213B2. Автор: Huamin Chen,Jay Vyas. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2021-05-04.

Method for forming a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR970077192A. Автор: 이강현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

Method for forming a ROM coding in a semiconductor device

Номер патента: US6933217B2. Автор: Ju-wan Ko. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-08-23.

System and method for reclaiming unused space from a thinly provisioned data container

Номер патента: US7603532B2. Автор: Vijayan Rajan,David Brittain Bolen,Douglas P. Doucette. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2009-10-13.

System and method for reclaming unused space from a thinly provisioned data container

Номер патента: WO2006044706A3. Автор: Vijayan Rajan,David Brittain Bolen,Douglas P Doucette. Владелец: Network Appliance Inc. Дата публикации: 2006-08-31.

System and method for reclaiming unused space from a thinly provisioned data container

Номер патента: US20060085471A1. Автор: Vijayan Rajan,Douglas Doucette,David Bolen. Владелец: Network Appliance Inc. Дата публикации: 2006-04-20.

Inverter for forming high-speed power driving circuit of semiconductor device

Номер патента: KR100410813B1. Автор: 여정현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-30.

Method for manufacturing a dynamic random access memory cell

Номер патента: US5270239A. Автор: Jae K. Kim,Wi S. Min. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-12-14.

A method for analog-to-digital conversion, analog-to-digital converter, semiconductor device for detecting the distribution of physical quantities and electronic device

Номер патента: DE602005013469D1. Автор: Noriyuki Fukushima,Yoshikazu Nitta,Yoshinori Muramatsu,Yukihiro Yasui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for producing ceramic and apparatus for producing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: KR100476495B1. Автор: 나토리에이지. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-03-17.

Making method for light emitting device by ink jet printing and semiconductor device using the same

Номер патента: KR20230068909A. Автор: 박병주. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for manufacturing material for use in manufacturing electroluminescent organic semiconductor devices

Номер патента: EP2381503B1. Автор: Janos Veres. Владелец: Polyphotonix Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING AND FORMING A LIST OF UPDATE AGENTS

Номер патента: US20170373923A1. Автор: Kazachkov Andrey V.,Zakharov Evgeny S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming a via-hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100332109B1. Автор: 곽노정,진성곤. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-10.

Method for gluing components, forming a temperature-resistant adhesive layer

Номер патента: US8709201B2. Автор: Roland Mueller,Gerhard Hueftle,Irene Jennrich,Patrick Stihler. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-04-29.

Method for transferring data form a server of virtual private network to mobile node

Номер патента: KR100407324B1. Автор: 정태성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-11-28.

Method of forming a gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: CN1832134A. Автор: 李圣勋. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-13.

Method of forming a gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: CN1832134B. Автор: 李圣勋. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

Systems and methods for stable and elevated idle-mode temperature for assembled semiconductor devices

Номер патента: EP4409378A1. Автор: Marc Beuchat,Phani Kumar Kandula,Nikos Kaburlasos,David N. Lombard,Eric J.M. Moret,John Kelbert,Brad Bittel,Mark J. LUCKEROTH,Rodrigo VIVI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for fabricating active devices on a thin membrane structure using porous silicon or porous silicon carbide

Номер патента: US5604144A. Автор: Anthony D. Kurtz. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 1997-02-18.

Manufacturing method for a micromechanical component having a thin-layer capping

Номер патента: US20110018078A1. Автор: Ando Feyh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

A hot press forming apparatus and a method for hot press forming a blank

Номер патента: EP3962673A1. Автор: Lars Sandberg,Joakim INNALA,Petter ULFBERG. Владелец: Autotech Engineering SL. Дата публикации: 2022-03-09.

Method for incorporating an additive into a thin film formed on a substrate

Номер патента: US6723377B2. Автор: Jean-Paul Cano,Yves Leclaire. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2004-04-20.

Apparatus and method for high speed forming a hinged carton

Номер патента: US4549876A. Автор: Thomas R. Baker,William H. Hittenberger,Boris J. Posen. Владелец: Kliklok LLC. Дата публикации: 1985-10-29.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for the continuous casting of a thin strip and device for carrying out said method

Номер патента: AU3408899A. Автор: Gerald Hohenbichler,Gerald Eckerstorfer. Владелец: Acciai Speciali Terni SpA. Дата публикации: 1999-10-18.

Method for increasing the straightness of a thin wire

Номер патента: US11884991B2. Автор: Yang Yu,Zhen Yun LIU,Muhammad Shahzali Bin JOLANI. Владелец: Heraeus Materials Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for increasing the straightness of a thin wire

Номер патента: EP3885465A8. Автор: Yu Yang,Yun Liu Zhen,Shahzali Bin Jolani Muhammad. Владелец: Heraeus Materials Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Method for continuous hot forming a honeycomb filler from prepreg

Номер патента: RU2673049C1. Автор: Вячеслав Юрьевич Шестопалов,Андрей Геннадьевич Вопилов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная компания "РБ-Композит". Дата публикации: 2018-11-21.

Method for induction bend forming a pressure-resistant pipe having a large wall thickness and a large diameter

Номер патента: CA2965580C. Автор: August Wilhelm Schäfer. Владелец: AWS Schäfer Technologie GmbH. Дата публикации: 2020-04-28.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US11898266B2. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US20230340689A1. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Systems and methods for stable and elevated idle-mode temperature for assembled semiconductor devices

Номер патента: WO2023055461A1. Автор: Marc Beuchat,Phani Kumar Kandula,Nikos Kaburlasos,David N. Lombard,Eric J.M. Moret,Rodrigo De Oliveira Vivi,John Kelbert,Brad Bittel,Mark J. LUCKEROTH. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-04-06.

Apparatus and method for the parallel and independent testing of voltage-supplied semiconductor devices

Номер патента: US6903565B2. Автор: Udo Hartmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

Device and methods for reducing peak noise and peak power consumption in semiconductor devices under test

Номер патента: US20200049765A1. Автор: Jong-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Systems and methods for dynamic blocks forming a passageway

Номер патента: US9795866B2. Автор: Jeb Belcher,Earl Wilson Belcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for laminating and forming a composite laminate in a single operation

Номер патента: EP1401647A2. Автор: David D'arcy Clifford. Владелец: Dofasco Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Apparatus and method for identifying proper orientation and electrical conductivity between a semiconductor device and a socket or contactor

Номер патента: US20080218174A1. Автор: James Barnett,Carlos Cisneros,Charles Engle,Maria Evans. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Method for manufacturing conductive mesh, thin film sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240241610A1. Автор: Jian Zhou,Feng Qu,Biqi LI,Mengwen JIA. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for areal selective forming of thin film

Номер патента: US20240368762A1. Автор: Ha Na Kim,Ju Hwan Jeong,Han Bin Lee,Kyu Ho Cho,Woong Jin CHOI,Hyeon Sik Cho,Myeong Il Kim,Sun Young BAIK. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for common sugars determination in thin sorbent layer

Номер патента: RU2642264C2. Автор: Алексей Иванович Сливкин,Ольга Валерьевна Тринеева,Елена Федоровна Сафонова,Александра Александровна Назарова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2018-01-24.

Roll and method for manufacturing powder

Номер патента: EP4400213A1. Автор: Kenichi Harai. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for measuring residual stress in thin plate

Номер патента: EP4375634A1. Автор: Wei Li,Cheng Liu,Qing Li,Mingdong Huang,Kai Li,Xiaoyu Song,Guojun Wang,Haiyun Luo,Junqiang Wang,Xueguang DONG,Hailong CAO,Dongnan HUANG,Fuguan CONG,Siping ZHANG,Yibin REN. Владелец: Chinalco Advanced Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Apparatus and method for forming an article

Номер патента: US20010048185A1. Автор: Donald Weder,Frank Craig,Michael King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Apparatus for forming an article

Номер патента: US6296466B2. Автор: Donald E. Weder,Frank Craig,Michael J. King. Владелец: Southpac Trust International Inc, Highland. Дата публикации: 2001-10-02.

Method for manufacturing confectionery product

Номер патента: RU2670011C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2018-10-17.

Method for applying aqueous treatment solution onto surface of moving steel strip

Номер патента: RU2651545C2. Автор: Андреа МАРМАНН,Михель ВИЛЬД,Пауль МИХЕЛЬС. Владелец: ТиссенКрупп Рассельштайн ГмбХ. Дата публикации: 2018-04-20.

Photomask layout for a semiconductor device and method of forming a photomask pattern using the photomask layout

Номер патента: US20080113278A1. Автор: Sang-Hee Lee,Ho-June Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Pharmaceutical gel composition for treatment of diseases, method for obtaining same and respective kit

Номер патента: RU2333743C2. Автор: Петер РОМЕЙС,Хорст БАУЭР,Томас РАЙССМАН,Бертольд РЕСЛЕР. Владелец: Центарис Гмбх. Дата публикации: 2008-09-20.

Welding control method for automatic welding, control device, welding system, program, and welding method

Номер патента: US20240351127A1. Автор: Tatsuya Yoshimoto,Naohide FURUKAWA,Keita OZAKI. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Preparative method and apparatus for a thin-layer chromatograph

Номер патента: US20200182839A1. Автор: Kihachiro Okura. Владелец: Yamazen Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Preparative method and apparatus for a thin-layer chromatograph

Номер патента: US11204345B2. Автор: Kihachiro Okura. Владелец: Yamazen Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Method for manufacturing thin film, and thin film

Номер патента: US20030099778A1. Автор: Ville Voipio. Владелец: JANESKO Oy. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for measuring thickness of a thin film layer on glass

Номер патента: US20240027185A1. Автор: Yu-Lin Liu,Hsiang-Chen Wang,Ching-Yi Huang,Yu-Ming Tsao,Yu-Yang Chen. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for generating map information, determination method, and program

Номер патента: EP3632306A1. Автор: Hidetaka Arimura,Ze Jin,Kazuya Hirakawa. Владелец: Kyushu University NUC. Дата публикации: 2020-04-08.

Method for Generating Map Information, Determination Method, and Program

Номер патента: US20210145291A1. Автор: Hidetaka Arimura,Ze Jin,Kazuya Hirakawa. Владелец: Kyushu University NUC. Дата публикации: 2021-05-20.

Thin film specimen for tensile test and physical property evaluation method for thin film specimen

Номер патента: EP4036551A1. Автор: Yong Seok Choi,Han Sol Lee,Jee Soon Choi. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Thin film specimen for tensile test and physical property evaluation method for thin film specimen

Номер патента: US20220390337A1. Автор: Yong Seok Choi,Han Sol Lee,Jee Soon Choi. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Systems and methods for linear spines forming a spherical basket for improved tissue contact and current delivery

Номер патента: EP4215141A3. Автор: Thanh Nguyen,Keshava Datta,Kevin Mark Okarski,Abubakarr BAH. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for manufacturing of embossed substrates with digital printing

Номер патента: RU2731530C2. Автор: Бугарциц БРАНКО,Ирена БРАНКОВ СТОЯНОВИЦ. Владелец: Таркетт ГДЛ С.А.. Дата публикации: 2020-09-03.

The method for determining simple sugars in a thin layer of sorbent

Номер патента: RU2016110353A. Автор: Алексей Иванович Сливкин,Ольга Валерьевна Тринеева,Елена Федоровна Сафонова,Александра Александровна Назарова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2017-09-22.

Method for measuring characteristic of thin film

Номер патента: US11835447B1. Автор: Tae Dong KANG. Владелец: Auros Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for measuring charactheristic of thin film

Номер патента: US20230384213A1. Автор: Tae Dong KANG. Владелец: Auros Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Systems and methods for bladder pressure forming a preform into a shaped body

Номер патента: EP4360857A1. Автор: Vijay V. Pujar,Katherine E. Waugh,Christopher C. Koroly. Владелец: Rohr Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Apparatuses and methods for controlling wordlines and sense amplifiers

Номер патента: US09984739B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Photoresist composition, method for forming a photoresist pattern and method for forming a protection layer of a semiconductor device using the photoresist composition

Номер патента: KR100729256B1. Автор: 김재현,박석봉,김원미. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-15.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: CA1268688A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-05-08.

Method for forming protective surface film on aluminum shaped articles

Номер патента: CA1198038A. Автор: Akira Hasegawa,Koichi Tanikawa. Владелец: Yoshida Kogyo KK. Дата публикации: 1985-12-17.

Apparatus for forming a photosensitive film of a semiconductor device and a method for forming the photosensitive film using the same

Номер патента: KR100193899B1. Автор: 권창헌. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

A photoresist monomer and a method for producing the same, a photoresist copolymer and a method for producing the same, a photoresist composition, a method for forming a photoresist pattern, and a semiconductor device.

Номер патента: JP3587743B2. Автор: ▲みん▼鎬 鄭,載昌 鄭,基鎬 白,根守 李,次元 高. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-10.

Device and method for detecting a substance using a thin film resonator (FBAR) having an insulating layer

Номер патента: US9046464B2. Автор: Thomas Huber,Matthias Schreiter,Martin Nirschl,Dana Pitzer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-06-02.

Method for forming a metal matrix composite structure

Номер патента: GB2619852A. Автор: Yang Kun,LIANG Daniel,Yan Shiqin,Yob Andrew. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2023-12-20.

Method for forming a metal matrix composite structure

Номер патента: AU2022246294A1. Автор: Kun Yang,Shiqin Yan,Daniel Liang,Andrew YOB. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for forming a metal matrix composite structure

Номер патента: US20240181559A1. Автор: Kun Yang,Shiqin Yan,Daniel Liang,Andrew YOB. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Method for analyzing quality of thin surface layer of PCB

Номер патента: US20230251216A1. Автор: Jian Zheng,Guojin LUO. Владелец: Guangzhou Termbray Electronics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Systems and Methods for Linear Spines Forming a Spherical Basket for Improved Tissue Contact and Current Delivery

Номер патента: IL300020A. Автор: Nguyen Thanh,Datta Keshava,Mark Okarski Kevin,Bah Abubakarr. Владелец: Bah Abubakarr. Дата публикации: 2023-08-01.

Systems and Methods for Linear Spines Forming a Spherical Basket for Improved Tissue Contact and Current Delivery

Номер патента: IL309667A. Автор: Thomas Beeckler Christopher,Mark Okarski Kevin,Khan Ishan. Владелец: Khan Ishan. Дата публикации: 2024-07-01.

Systems and methods for tripodic spines forming a spherical basket for improved tissue contact and current delivery

Номер патента: EP4215142B1. Автор: Thanh Nguyen,Keshava Datta,Kevin Mark Okarski,Abubakarr BAH. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

A method for forming a field oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100944346B1. Автор: 김재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-02.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20080131814A1. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-05.

A contact portion of a wires, a method for manufacturing the contact portion, a thin film transistor array panel including the contact portion, and a method for manufacturing the panel

Номер патента: KR100870009B1. Автор: 이영준,공향식,백범기,임승택,최권영,강봉주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-11-21.

Transparent screen and method for manufacturing transparent screen

Номер патента: US20170336704A1. Автор: Kosuke MIZOSHITA. Владелец: Arc Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

System and Method for Detecting the Absence of a Thin Nutrient Film in a Plant Growing Trough

Номер патента: US20160183487A1. Автор: KABAKOV Bentsion. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

METHOD FOR INCREASING THE STRAIGHTNESS OF A THIN WIRE

Номер патента: US20210301366A1. Автор: Yu Yang,LIU Zhen Yun,JOLANI Muhammad Shahzali Bin. Владелец: Heraeus Materials Singapore Pte., Ltd.. Дата публикации: 2021-09-30.

TOOLING AND A METHOD FOR WEAKENING AN OUTLINE IN A THIN PLASTICS CARD

Номер патента: US20160368161A1. Автор: BOSQUET Olivier,Simmoneaux Gregory. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

METHOD FOR THE TRIBOMECHANICAL CONDITIONING OF A THIN-WALLED CYLINDER/LINER, AND CYLINDER LINER

Номер патента: US20160375537A1. Автор: ZHMUD Boris,Meirelles Tomanik Antonio Eduardo,Kolar Christian,Granlund Mattias. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

METHOD FOR MAKING A WINDOW IN A THIN PLASTIC LAYER

Номер патента: US20180370062A1. Автор: LAMY Nicolas. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Tooling assembly and method for explosively forming features in a thin-walled cylinder

Номер патента: US20220362829A1. Автор: Paul S. Blanton,James M. Shuler,Kurt R. Eberl,William M. Housley,Joshua P. Flach. Владелец: Battelle Savannah River Alliance LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for manufacturing a honeycomb

Номер патента: RU2651012C1. Автор: Алексей Михайлович Крюков,Валерий Семёнович Волков,Юрий Германович Мурашкин,Галина Сергеевна Шуль. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2018-04-18.

Method for forming pre-metal dielectric layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100508531B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-08-17.

Method for improving the strength of a thin glass

Номер патента: FI120832B. Автор: Markku Rajala,Matti Putkonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2010-03-31.

Device and method for detecting a substance using a thin film resonator (fbar) having an insulating layer

Номер патента: CN104764802A. Автор: M.尼尔施尔,T.胡贝尔,D.皮策尔,M.施雷特. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-07-08.

METHOD FOR DETERMINING THE VISCOSITY OF A THIN FILM

Номер патента: FR2958750B1. Автор: Stefan Landis,Etienne Rognin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2012-03-30.

ANTIREFLECTIVE ORGANIC COATING COMPOSITION, METHOD FOR FORMING PHOTORESIST PATTERNS USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE THEREBY

Номер патента: FR2842533B1. Автор: Jae Chang Jung,Ki Soo Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-24.

METHOD FOR DETERMINING THE VISCOSITY OF A THIN FILM

Номер патента: FR2958750A1. Автор: Stefan Landis,Etienne Rognin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2011-10-14.

Method for making a window in a thin plastic layer

Номер патента: EP3389963A1. Автор: Nicolas LAMY. Владелец: Idemia France SAS. Дата публикации: 2018-10-24.

Device and method for detecting the motion of a thin body

Номер патента: WO2011038716A1. Автор: Johann Hofer,Reinhold Hoenicka,Felix Mednikov,Christian Pfaffinger. Владелец: MICRO-EPSILON MESSTECHNIK GMBH & CO. KG. Дата публикации: 2011-04-07.

Method for evaluating the permeability of a thin membrane

Номер патента: EP0344807A2. Автор: Hiroji C/O Hamamatsu Photonics Muraki,Toshiaki C/O Hamamatsu Photonics Ito,Mitsuo C/O Hamamatsu Photonics Hiramatsu. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 1989-12-06.

Method for controlling the thickness of a thin film during its manufacture

Номер патента: DE69032005T2. Автор: Susumu Komoriya,Masataka Shiba,Yashuhiko Nakayama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-09-17.

METHOD FOR DETERMINING THE THICKNESS OF A THIN FILM BY MULTI-WAVELENGTH INTERFEROMETRY, COMPUTER PROGRAM PRODUCT, CORRESPONDING STORAGE MEANS AND SYSTEM

Номер патента: FR3030032B1. Автор: Mokrane Malek,Pascal Picart,Jorge Garcia-Sucerquia. Владелец: Univ Nat Colombia. Дата публикации: 2020-07-10.

Method for determining the permeability of a thin membrane

Номер патента: DE68928289D1. Автор: Hiroji C O Hamamatsu Ph Muraki,Toshiaki C O Hamamatsu Pho Ito,Mitsuo C O Hamamatsu Hiramatsu. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 1997-10-09.

Method for monitoring the resistance of a thin metallic film during its oxidation

Номер патента: DE1808103A1. Автор: Jean Joly,Georges Dubois. Владелец: Lignes Telegraphiques et Telephoniques LTT SA. Дата публикации: 1969-09-25.

Method for determining the thickness of a thin layer by multi-wavelength interferometry and corresponding computer program package, storage means and system

Номер патента: EP3230686A1. Автор: Mokrane Malek,Pascal Picart,Jorge Garcia-Sucerquia. Владелец: Universidad Nacional de Colombia . Дата публикации: 2017-10-18.

Method for pressurizing the interior of a thin-walled container, and resulting pressurized container

Номер патента: CA2702282A1. Автор: Jean-Tristan Outreman. Владелец: Jean-Tristan Outreman. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for the tribomechanical conditioning of a thin-walled cylinder/liner, and cylinder/liner

Номер патента: WO2015078702A1. Автор: Boris Zhmud,Christian KOLAR,Antonio Eduardo Meirelles Tomanik,Mattias GRANLUND. Владелец: APPLIED NANO SURFACES SWEDEN AB. Дата публикации: 2015-06-04.

METHOD FOR FIXING AN OBJECT TO A thin-walled GLASFIBER ENHANCED PROFILE PRODUCED by pultrusion, AND WINDOW WITH SUCH PROFILE

Номер патента: DK2472021T3. Автор: Johnny Christian Nyggard Rasmussen. Владелец: VKR Holding AS. Дата публикации: 2016-05-30.

Method for pressurizing the interior of a thin-walled container, and resulting pressurized container

Номер патента: WO2009053615A3. Автор: Jean-Tristan Outreman. Владелец: Jean-Tristan Outreman. Дата публикации: 2009-06-18.

Method for aligning pole tips in a thin film head

Номер патента: KR100212386B1. Автор: 코헨 우리,아민 누룰. Владелец: 시게이트 테크놀로지 인터내셔날. Дата публикации: 1999-08-02.

METHOD FOR THE CONTINUOUS PRODUCTION OF A THIN STEEL STRIP

Номер патента: ATA15612002A. Автор: Gerald Dipl Ing D Hohenbichler. Владелец: Voest Alpine Ind Anlagen. Дата публикации: 2004-02-15.

Tooling and method for fragilizing the contour in a thin plastic card

Номер патента: EP3016786B1. Автор: Olivier Bosquet,Gregory Simmoneaux. Владелец: Idemia France SAS. Дата публикации: 2019-03-06.

Method for making a window in a thin plastic layer

Номер патента: WO2017103541A1. Автор: Nicolas LAMY. Владелец: OBERTHUR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for incorporating an additive into a thin film formed on a substrate and uses thereof in ophthalmic optics

Номер патента: US20030020869A1. Автор: Jean-Paul Cano,Yves Leclaire. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2003-01-30.

Tool and method for weakening a contour in a thin plastic card

Номер патента: WO2015001228A1. Автор: Olivier Bosquet,Gregory Simmoneaux. Владелец: OBERTHUR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2015-01-08.

Method for producing a luminescent oxygen-sensitive material

Номер патента: RU2665003C1. Автор: Юрий Владимирович Миронов,Наталья Андреевна Воротникова,Юрий Андреевич Воротников,Михаил Александрович Шестопалов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-08-24.

PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, MONOMER FOR PRODUCING RESIN FOR SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESS, RESIN, METHOD FOR PRODUCING RESIN, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM

Номер патента: US20180299776A1. Автор: GOTO Akiyoshi,Yonekuta Yasunori,Hatakeyama Naoya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-10-18.

System and method for designing simulant composition

Номер патента: US20210210172A1. Автор: Ronald Krauss,Joseph McNamara,Alexander DeMasi,Michael Brogden. Владелец: US Department of Homeland Security. Дата публикации: 2021-07-08.

System and method for designing simulant composition

Номер патента: US11114183B2. Автор: Ronald Krauss,Joseph McNamara,Alexander DeMasi,Michael Brogden. Владелец: US Department of Homeland Security. Дата публикации: 2021-09-07.

Systems, devices, and methods for designing and forming a surgical implant

Номер патента: US11931795B2. Автор: Robert E. Isaacs. Владелец: Nuvasive Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Systems, devices, and methods for designing and forming a surgical implant

Номер патента: US20240189886A1. Автор: Robert E. Isaacs. Владелец: Nuvasive Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for reading an identification code on a glass sheet

Номер патента: US9875384B2. Автор: Brice Dubost,Guillaume Counil,Michele Schiavoni,Emmanuel Mimoun. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for molding and forming flip-flop and mold thereof

Номер патента: US11865802B2. Автор: Ching-Hao Chen,Liang-Hui Yeh. Владелец: Otrajet Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

System, method, and apparatus for use in forming a composite structure

Номер патента: US11969957B2. Автор: Andrew Hopkins,Scott Fisher,Christopher Gary Harris,Anton Troshchenovskyy,John R Henry. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-04-30.

Systems and methods for linear spines forming a spherical basket for improved tissue contact and current delivery

Номер патента: US20240216046A1. Автор: Christopher Thomas Beeckler,Kevin Mark Okarski,Ishan KHAN. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Systems and methods for linear spines forming a spherical basket for improved tissue contact and current delivery

Номер патента: EP4215141A2. Автор: Thanh Nguyen,Keshava Datta,Kevin Mark Okarski,Abubakarr BAH. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2023-07-26.

Systems and methods for bladder pressure forming a preform into a shaped body

Номер патента: US20240139795A1. Автор: Vijay V. Pujar,Katherine E. Waugh,Christopher C. Koroly. Владелец: Rohr Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Systems and methods for linear spines forming a spherical basket for improved tissue contact and current delivery

Номер патента: EP4393431A1. Автор: Christopher Thomas Beeckler,Kevin Mark Okarski,Ishan KHAN. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of correcting layout for semiconductor process using machine learning, method of manufacturing semiconductor device using the same, and layout correction system performing the same

Номер патента: US20240143886A1. Автор: Jungmin Kim,Kyeonghwan Kang,Hungbae AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US20200363978A1. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US11449258B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

DEVICE AND METHODS FOR REDUCING PEAK NOISE AND PEAK POWER CONSUMPTION IN SEMICONDUCTOR DEVICES UNDER TEST

Номер патента: US20200049765A1. Автор: HWANG Jong-Tae. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

APPARATUSES AND METHODS FOR EXTRACTING DEFECT DEPTH INFORMATION AND METHODS OF IMPROVING SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESSES USING DEFECT DEPTH INFORMATION

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Lee Dong-Ryul,Ahn Jeong-Ho,Chin Soo-Bok,LEE Byoung-ho,Sun Jong-Cheon,Ihm Dong-Chul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for measuring aberation of lens in exposing device of semiconductor device

Номер патента: KR100682177B1. Автор: 김희범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-12.

Production method for exposure mask, exposure mask, and production method of semiconductor device

Номер патента: WO2003071590A1. Автор: Minoru Sugawara. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for use in forming a read sensor for a magnetic head

Номер патента: US7194797B2. Автор: Mustafa Michael Pinarbasi. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2007-03-27.

Method for straightening and forming a preformed tube in which a fiber for an optical waveguide is stretched

Номер патента: JPH0686303B2. Автор: リンチ・ブリアン,パ−タス・フレツド・ポ−ル. Владелец: ウエスタ−ン エレクトリツク カムパニ−，インコ−ポレ−テツド. Дата публикации: 1994-11-02.

Method for induction bend forming a compression-resistant pipe having a large wall thickness and a large diameter

Номер патента: US20180036780A1. Автор: August Wilhelm Schaefer. Владелец: AWS SCHAEFER TECHNOLOGIE GMBH. Дата публикации: 2018-02-08.

METHOD FOR ESTIMATING THE END OF LIFETIME FOR A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140125366A1. Автор: Rannestad Bjørn,Thøgersen Paul Bach. Владелец: KK-ELECTRONIC A/S. Дата публикации: 2014-05-08.

SYSTEMS AND METHODS FOR DEPOPULATING PINS FROM CONTACTOR TEST SOCKETS FOR PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180106835A1. Автор: Tong Kay Chan,Ata Hisashi,Shwe Thiha. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

SYSTEM AND METHOD FOR DISTINGUISHING LEAKS FORM A DISENGAGED CANISTER CONDITION IN A REDUCED PRESSURE TREATMENT SYSTEM

Номер патента: US20180137746A1. Автор: Lawhorn Thomas Paul. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Systems and Methods for Depopulating Pins from Contactor Test Sockets for Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20200141974A1. Автор: Tong Kay Chan,Ata Hisashi,Shwe Thiha. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

METHOD FOR INSPECTING PATTERN AND AN APPARATUS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160275663A1. Автор: Yang Seunghune,YANG Kiho,CHI KAIYUAN. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Method for building and forming a plug in a horizontal wellbore

Номер патента: US8899332B2. Автор: Harold Dean Brannon,Harold Gene Hudson. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2014-12-02.

DEVICE, SYSTEM AND METHOD FOR APPLYING AND FORMING A PRE-FABRICATED MATERIAL INTO A SHAPE

Номер патента: DE2921099A1. Автор: John G Warhol. Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-11-29.

Apparatus and method for collecting contaminants from an air flow for manufacturing semiconductor devices and system using the same

Номер патента: US20070039470A1. Автор: Ha-Na Kim,Yo-han Ahn,Dong-Seok Ham,Chang-Min Cho,Kwang-Min Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-22.

Method for induction bend forming a compression-resistant pipe having a large wall thickness and a large diameter, and induction pipe bending device

Номер патента: CA2979430A1. Автор: August Wilhelm Schäfer. Владелец: AWS Schäfer Technologie GmbH. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for induction bend forming a compression-resistant pipe having a large wall thickness and a large diameter ,and induction pipe bending device

Номер патента: EP3288694A1. Автор: August Wilhelm Schäfer. Владелец: AWS Schäfer Technologie GmbH. Дата публикации: 2018-03-07.

Method for induction bend forming a pressure-resistant pipe having a large wall thickness and a large diameter

Номер патента: CA2965580A1. Автор: August Wilhelm Schäfer. Владелец: AWS Schäfer Technologie GmbH. Дата публикации: 2016-11-03.

METHOD FOR APPLYING AND FORMING A PROTECTIVE OR TOP COATING, APPARATUS THEREFOR, AND A PRODUCT THEREOF.

Номер патента: NL2005407C2. Автор: Alexander Paul Splinter. Владелец: Alexander Paul Splinter. Дата публикации: 2012-03-28.

Method for induction bend forming a compression-resistant pipe having a large wall thickness and a large diameter

Номер патента: WO2016173583A1. Автор: August Wilhelm Schäfer. Владелец: AWS Schäfer Technologie GmbH. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for laminating and forming a composite laminate in a single operation

Номер патента: US20020153094A1. Автор: David Clifford. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Systems And Methods For Predicting And Managing Power And Energy Use Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210157966A1. Автор: Huilgol Ninad,Crowl Lawrence. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Circuit and method for reducing number of data input and output and semiconductor device

Номер патента: JPH1152028A. Автор: Gyu-Hong Kim,金奎泓. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-02-26.

Method for manufacturing the half tone phase shift mask of semiconductor device

Номер патента: KR100588910B1. Автор: 박세진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-09.

Method for manufacturing iron silicide layer, semiconductor substrate, and optical semiconductor device

Номер патента: JP3979115B2. Автор: 健志 山口,一樹 水嶋,文夫 長谷川,崇 末益. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2007-09-19.

Method for metal plating, pretreating agent, and semiconductor wafer and semiconductor device using same

Номер патента: CN1420944A. Автор: 熊谷正志,关口淳之辅,伊森徹. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-28.

Cable section and method for splicing cables forming a multi-strand cable for people transportation

Номер патента: CN111065777A. Автор: B·隆加蒂. Владелец: Face Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-24.

Method for extracting the distribution of charge stored in a semiconductor device

Номер патента: WO2006128922A1. Автор: Arnaud Furnémont. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw. Дата публикации: 2006-12-07.

"METHODS FOR MEASURING DENSITY, FORMING A DIGITAL HOLE IMAGE, AND FOR DENSITY RECORDING"

Номер патента: BRPI0409092B1. Автор: L. Moake Gordon,A. Truax Jerome. Владелец: Halliburton Energy Services, Inc.. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for filling and forming a transportable container for bulk goods

Номер патента: CA2724667A1. Автор: Stanley Davis,Dave Ours,Sharon Juntunen,Clark Kreider. Владелец: Kellogg Co. Дата публикации: 2009-12-17.

Carbon hybrid fiber including conductive complex, method for manufacturing the same, and functional textile assembly and semiconductor device using the same

Номер патента: KR20150144502A. Автор: 오영석,이강은,이원오,정병문,엄문광,성동기,이제욱. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2015-12-28.

Method for filling and forming a transportable container for bulk goods

Номер патента: WO2009152317A1. Автор: Stanley Davis,Dave Ours,Sharon Juntunen,Clark Kreider. Владелец: Kellogg Company. Дата публикации: 2009-12-17.

Photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, patterned cured film, and semiconductor device

Номер патента: KR20230029588A. Автор: 마사히로 하시모토,데루아키 스즈키,유 아오키,요시미 하마노. Владелец: 레조낙 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2023-03-03.

Method for filling and forming a transportable container for bulk goods

Номер патента: EP2296975A1. Автор: Stanley Davis,Dave Ours,Sharon Juntunen,Clark Kreider. Владелец: Kellogg Co. Дата публикации: 2011-03-23.

Systems and Methods for Tripodic Spines Forming a Spherical Basket for Improved Tissue Contact and Current Delivery

Номер патента: IL300004A. Автор: Nguyen Thanh,Datta Keshava,Mark Okarski Kevin,Bah Abubakarr. Владелец: Bah Abubakarr. Дата публикации: 2023-08-01.

METHOD FOR FRACTURING AND FORMING A PATTERN USING SHAPED BEAM CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY

Номер патента: US20130122406A1. Автор: Fujimura Akira,Tucker Michael. Владелец: D2S, INC.. Дата публикации: 2013-05-16.

Systems, Devices, and Methods for Designing and Forming a Surgical Implant

Номер патента: US20140137618A1. Автор: Robert E. Isaacs. Владелец: Nuvasive Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

METHOD FOR ACQUIRING AND FORMING A SPECTROMETRY IMAGE BY ADAPTED SPATIAL SAMPLING

Номер патента: US20190086262A1. Автор: Richard Simon,LADEN Sébastien,KOUZNETSOV Dmitri. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Method For Fracturing And Forming A Pattern Using Shaped Beam Charged Particle Beam Lithography

Номер патента: US20150106772A1. Автор: Fujimura Akira,Tucker Michael. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

SYSTEMS AND METHODS FOR DYNAMIC BLOCKS FORMING A PASSAGEWAY

Номер патента: US20170197138A1. Автор: BELCHER JEB,BELCHER EARL WILSON. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Rewinding machine and relative method for rewinding and forming a roll of paper

Номер патента: US20190193974A1. Автор: Giovanni Buffa,Fabio Picchi. Владелец: Gambini Spa. Дата публикации: 2019-06-27.

SYSTEMS, DEVICES, AND METHODS FOR DESIGNING AND FORMING A SURGICAL IMPLANT

Номер патента: US20200196996A1. Автор: Isaacs Robert E.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Systems, Devices, and Methods for Designing and Forming a Surgical Implant

Номер патента: US20170224398A1. Автор: Isaacs Robert E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

METHOD FOR THREE STAGE FORMING A HOT GLASS SHEET WITH TRANSVERSE CURVATURE

Номер патента: US20160362324A1. Автор: JR. James P.,Nitschke David B.,Nitschke Dean M.,Grzeszczak Jeffrey A.,SCHNABEL,JINKA Ashoka G.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

System And Method For KVM Appliance Forming A Secure Peripheral Sharing Switch To Prevent Data Leakage

Номер патента: US20160371511A1. Автор: Balducci Michael J.. Владелец: AVOCENT HUNTSVILLE CORP.. Дата публикации: 2016-12-22.

Systems, devices, and methods for designing and forming a surgical implant

Номер патента: US20220410251A1. Автор: Robert E. Isaacs. Владелец: Nuvasive Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100456420B1. Автор: 최재성. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2004-11-10.

Method for Producing Crystal Form A of Gefitinib

Номер патента: JP6871255B2. Автор: メルシャ，ペトル,スコウマル，ラドミール. Владелец: シントン・ベスローテン・フェンノートシャップ. Дата публикации: 2021-05-12.

Composition and manufacturing method for EVA foam forming a marble pattern

Номер патента: KR102243438B1. Автор: 김우겸. Владелец: 김우겸. Дата публикации: 2021-04-22.

Systems, devices, and methods for designing and forming a surgical implant

Номер патента: US9636181B2. Автор: Robert E. Isaacs. Владелец: Nuvasive Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for assembling elements forming a paving panel or wall-covering panel

Номер патента: FR2630770A1. Автор: . Владелец: Boyer Jean Claude. Дата публикации: 1989-11-03.

Cold rolling mill and method for cold roll forming a metallic strip

Номер патента: EP1406735A1. Автор: Olaf Norman Jepsen,Michael Zielenbach,Manfred Stachuletz,Udo Brockes,Angela STACHULETZ-KÜHBACHER. Владелец: Sms Siemag AG. Дата публикации: 2004-04-14.

Rewinding machine and relative method for rewinding and forming a roll of paper

Номер патента: EP3502022B1. Автор: Giovanni Buffa,Fabio Picchi. Владелец: Gambini Spa. Дата публикации: 2020-09-16.

Device, installation and method for mixing to form a mixture

Номер патента: CN109152996B. Автор: B.菲舍尔,S.桑瓦尔德,B.罗特. Владелец: IPCO Germany GmbH. Дата публикации: 2022-03-04.

Cold rolling mill and method for cold roll forming a metallic strip

Номер патента: EP1406735B1. Автор: Olaf Norman Jepsen,Michael Zielenbach,Manfred Stachuletz,Udo Brockes,Angela STACHULETZ-KÜHBACHER. Владелец: Sms Siemag AG. Дата публикации: 2005-02-09.

Method for acquiring and forming a spectrometry image by adapted spatial sampling

Номер патента: EP3440443A1. Автор: Simon Richard,Dmitri Kouznetsov,Sébastien LADEN. Владелец: Horiba France SAS. Дата публикации: 2019-02-13.

System and method for KVM appliance forming a secure peripheral sharing switch to prevent data leakage

Номер патента: GB201700923D0. Автор: . Владелец: Avocent Huntsville LLC. Дата публикации: 2017-03-08.

System and method for kvm appliance forming a secure peripheral sharing switch to prevent data leakage

Номер патента: IL247692B. Автор: . Владелец: Vertiv IT Systems Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

The method for forming protection layer of metal interconnects in semiconductor device

Номер патента: TW332338B. Автор: Rae Lee Jeong,Jae Kim Min. Владелец: Hyundai Eletronics Ind Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-21.

METHOD FOR CREATING A “PLUG” ON A THIN INTESTINAL DRIVING LOOP FOR INTERNAL DRAINING OF ABDOMINAL CAVITY

Номер патента: RU2003120993A. Автор: Сергей Геннадьевич Измайлов,Дмитрий Иванович Булдаков,Алексей Анатольевич Бодров,Владимир Леонидович Мартынов,Владимир Петрович Ильченко,Дмитрий Германович Колчин,Сергей Геннадьевич Измайлов (RU),Владимир Леонидович Мартынов (RU),Владимир Петрович Ильченко (RU),Дмитрий Германович Колчин (RU),Алексей Анатольевич Бодров (RU),Дмитрий Иванович Булдаков (RU). Владелец: Военно-медицинский институт Федеральной пограничной службы Российской Федерации при Нижегородской государственной медицинской академии (ВМИ ФПС РФ при НГМА) (RU). Дата публикации: 2005-02-20.

Method for forming laminated synthetic leather

Номер патента: NZ533450A. Автор: Swei Mu Wang. Владелец: Swei Mu Wang. Дата публикации: 2005-10-28.

Method for use in forming a magnet unit for a loudspeaker

Номер патента: GB202314235D0. Автор: . Владелец: PSS Belgium NV. Дата публикации: 2023-11-01.

HEXACENE DERIVATIVE, METHOD FOR FORMING HEXACENE, METHOD FOR FORMING HEXACENE CRYSTAL, PROCESS FOR MAKING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140124740A1. Автор: Chow Ta-Hsin,Watanabe Motonori. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for manufacturing dual-layer gate of a metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW457569B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-10-01.

Manufacturing method for increasing the current driving capability of high-power semiconductor device

Номер патента: TW452871B. Автор: Lin-Jung Huang,Ke-Yu Yu,Yun-Shiang Ge. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-01.

Detecting method for inner short-circuit on internumerical structures in encased semiconductor devices

Номер патента: CS334287A1. Автор: Jaroslav Rndr Homola,Jaroslav Rndr Zamastil,Ilja Prom Fyz Muller,Miroslav Rndr Skaloud. Владелец: Miroslav Rndr Skaloud. Дата публикации: 1989-02-10.

Method for forming a junction region of a semiconductor device

Номер патента: KR980006065A. Автор: 구본성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for forming a junction region of a semiconductor device

Номер патента: TWI228278B. Автор: Chin-Cheng Chien,Yu-Kun Chen,Neng-Hui Yang,Hsiang-Ying Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-21.

Method for forming a junction region of a semiconductor device

Номер патента: TW200409213A. Автор: Chin-Cheng Chien,Yu-Kun Chen,Neng-Hui Yang,Hsiang-Ying Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

Method for joining and forming a metal racket frame and the throat yoke

Номер патента: TW200810901A. Автор: cheng-zong Zhang. Владелец: cheng-zong Zhang. Дата публикации: 2008-03-01.

Method for splicing and forming a woven band

Номер патента: TWI286173B. Автор: Li-Ling Li. Владелец: Li-Ling Li. Дата публикации: 2007-09-01.

Method for splicing and forming a woven band

Номер патента: TW200607892A. Автор: Li-Ling Li. Владелец: Li-Ling Li. Дата публикации: 2006-03-01.

METHODS FOR FORMING A CONTACT METAL LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130189840A1. Автор: Gandikota Srinivas,Lei Yu,Fu Xinyu,Shah Kavita,YU SANG HO. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-07-25.

METHOD FOR CHECKING ALIGNMENT ACCURACY OF A THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120007628A1. Автор: Chiou Chi-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

Method for Determining the Viscosity of a Thin Film

Номер патента: US20120095705A1. Автор: Landis Stefan,Rognin Etienne. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique et aux Energies Altematives. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for chromatographically determining amines in a thin sorbent layer

Номер патента: SU1670598A1. Автор: Людмила Ивановна Трубникова. Владелец: Уфимский научно-исследовательский институт гигиены и профзаболеваний. Дата публикации: 1991-08-15.

A kind of method for forming n-type buried regions in the semiconductor device

Номер патента: CN104392912B. Автор: 胡强,张世勇,王思亮. Владелец: Dongfang Electric Corp. Дата публикации: 2017-11-10.

Method for forming an alignment key pattern of a semiconductor device

Номер патента: KR970072014A. Автор: 권오철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for manufacturing a chip from a thin wafer

Номер патента: JP4288092B2. Автор: ケンネマン ビートリッツ. Владелец: ケンネマン ビートリッツ. Дата публикации: 2009-07-01.

Method for forming low dielectric constant insulator film and semiconductor device using the same

Номер патента: JPH10209148A. Автор: Toshiaki Hasegawa,利昭 長谷川. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-08-07.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: TW411580B. Автор: Bi-Lin Chen,Shiang-Yuan Jeng,Hau-Jie Liou. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-11-11.

Preventive method of a fading and corrosion the metallic layer for forming a bonding pad of a semiconductor device

Номер патента: KR930010341B1. Автор: 김이주. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1993-10-16.

Method for preparing sterile self-gelling alginate system

Номер патента: RU2535035C1. Автор: Андрей Павлович Морыганов,Наталия Дмитриевна Олтаржевская,Мария Анатольевна Коровина,Игорь Вячеславович Гусев,Ирина Михайловна Липатова,Анна Анатольевна Юсова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КОЛЕТЕКС". Дата публикации: 2014-12-10.

Collimator for forming of metal thin film in the semiconductor device

Номер патента: KR970000962B1. Автор: Kyung-Soo Cho. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-01-21.

METHODS FOR NORMALIZING STRAIN IN SEMICONDCUTOR DEVICES AND STRAIN NORMALIZED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130032894A1. Автор: Bernstein Kerry,Balch Bruce,Ellis-Monaghan John Joseph,Habib Nazmul. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

Method for laminating and forming a composite laminate in a single operation

Номер патента: AU2002308462A1. Автор: David D'arcy Clifford. Владелец: Dofasco Inc. Дата публикации: 2002-11-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120012862A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-19.

METHOD FOR TESTING TRAP DENSITY OF GATE DIELECTRIC LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NO SUBSTRATE CONTACT

Номер патента: US20120187976A1. Автор: Huang Ru,Fan Jiewen,Wang Runsheng,Wang Yangyuan,Zou Jibin,Liu Changze. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL CRYSTAL SUBSTRATE, EPITAXIAL CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299061A1. Автор: Momoi Hajime,Kakuta Koji. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

METHODS FOR REMOVING SILICON NITRIDE SPACER, FORMING TRANSISTOR AND FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130109173A1. Автор: LIU HUANXIN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for correcting error of alignment measurement and production of semiconductor device

Номер патента: JPH1089921A. Автор: Yoshikatsu Tomimatsu,喜克 富松. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-04-10.

Method for improving critical size differences of different areas of semiconductor device

Номер патента: CN103295894A. Автор: 秦伟,高慧慧,杨渝书. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-11.

Porous silica film precursor composition, method for producing porous silica film, porous silica film, and semiconductor device

Номер патента: JP5988817B2. Автор: 貴久 山崎,正明 平川,高博 中山,一誠 東條,中山　高博,平川　正明,剛 加賀美. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2016-09-07.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6969628B2. Автор: 勉 堀,圭司 和田,太郎 西口. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Method for manufacturing circuit board with built-in part, and semiconductor device

Номер патента: JP2015002295A. Автор: Shigeo Nakamura,茂雄 中村,中村　茂雄,弘久 奈良橋,Hirohisa Narabashi. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2015-01-05.

Method for manufacturing p-type group iii nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: JP2021182597A. Автор: 隆弘 藤井,Takahiro Fujii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

LAPAROSCOPIC SURGICAL PLASMOTRON FOR CUTTING BIO-TISSUES AND COAGULATION OF VESSELS AND METHOD FOR PRODUCING AND FORMING A PLASMA JET IN IT

Номер патента: RU2006124473A. Автор: Алексей Сергеевич Береснев,Алексей Сергеевич Береснев (RU). Владелец: Гриценко Алла Алексеевна (RU). Дата публикации: 2008-01-20.

Method for manufacturing p-type boron phosphide semiconductor layer, compound semiconductor device, and light emitting diode

Номер патента: JP3639275B2. Автор: 隆 宇田川. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-04-20.

Evaluation method for evaluating positional relationship between PN junction surface of semiconductor device and bottom of trench

Номер патента: JP4815861B2. Автор: 規仁 戸倉,建策 山本,善彦 尾関. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-11-16.

Adhesive film, method for producing cured body, cured body, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: JP6617811B2. Автор: 茂雄 中村,中村　茂雄,賢司 川合. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2019-12-11.

Method for carrying out auger analysis on bonding pad of semiconductor device structure

Номер патента: CN102455306A. Автор: 李明,段淑卿,齐瑞娟,杨卫明,芮志贤. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

A method of forming a fine pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR970030391A. Автор: 추창웅. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-06-26.

Method for producing gallium nitride substrate, gallium nitride substrate, and semiconductor device

Номер патента: JP2009073710A. Автор: Osamu Yamada,Koichi Hiranaka,修 山田,Tsutomu Takauo,力 高魚,Takamasa Matsuda,恭昌 松田,Takashi Minemoto,尚 峯本,弘一 平中,健 畑山,Takeshi Hatayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for measuring gate-to-body current of metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW546484B. Автор: Ke-Wei Su,Jau-Kang He. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-11.

Method for Fracturing and Forming a Pattern Using Curvilinear Characters with Charged Particle Beam Lithography

Номер патента: US20120025108A1. Автор: Fujimura Akira,Tucker Michael. Владелец: D2S, INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

Method for Fracturing and Forming a Pattern Using Circular Characters with Charged Particle Beam Lithography

Номер патента: US20120034554A1. Автор: Fujimura Akira,Tucker Michael. Владелец: D2S, INC.. Дата публикации: 2012-02-09.

METHOD OF FORMING A PATTERN STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120045901A1. Автор: Kim Keon-Soo,Park Jung-Hwan,YOON Young-bae,KIM Jong-hyuk,CHO Seong-Soon,Shin Kwang-Shik,Back Hyun-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR970072093A. Автор: 황재성. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100255158B1. Автор: 이호석,은용석. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-01.

Method of forming a tungsten plug in a semiconductor device

Номер патента: KR100336837B1. Автор: 김충환,김재필,김동오,임가순. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR970077209A. Автор: 안성환,이영철,백현철. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-12-12.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR970067646A. Автор: 길명군,송정호,조찬섭. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-10-13.

Method of forming a tungsten plug of a semiconductor device

Номер патента: KR980005642A. Автор: 오세중,이주일. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005650A. Автор: 김상욱,이해정. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005623A. Автор: 최양규. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005636A. Автор: 이근호. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005622A. Автор: 김진웅,김근태. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005525A. Автор: 김진웅. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980011914A. Автор: 이명범,유봉영. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005527A. Автор: 정진기. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005651A. Автор: 김상욱,김대희,성일석. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Cold rolling mill and method for cold roll forming a metallic strip

Номер патента: AU2002331246A1. Автор: Olaf Norman Jepsen,Michael Zielenbach,Manfred Stachuletz,Udo Brockes,Angela STACHULETZ-KÜHBACHER. Владелец: Sms Demag Ag. Дата публикации: 2003-03-03.

Method of forming a gate electrode on the semiconductor device

Номер патента: KR970003894B1. Автор: Sang-Ho Woo,Jong-Chol Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-03-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.