High aspect ratio channel semiconductor device and method of manufacturing same
Номер патента: US20180082901A1
Опубликовано: 22-03-2018
Автор(ы): Bernardette Kunert, Niamh Waldron, Weiming Guo
Принадлежит: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-03-2018
Автор(ы): Bernardette Kunert, Niamh Waldron, Weiming Guo
Принадлежит: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device including transistor and method for fabricating the same
Номер патента: US20220328687A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.