Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

METHOD FOR FORMING MULTI-GATE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220085162A1
Опубликовано: 17-03-2022
Автор(ы): CHEN I-Sheng, Chen Tzu-Chiang, CHENG Chao-Ching, CHIANG Hung-Li, Huang Shih-Syuan
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

MULTI-GATE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200083327A1. Автор: Chen Tzu-Chiang,CHIANG Hung-Li,CHEN I-Sheng,CHENG Chao-Ching,Huang Shih-Syuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-03-12.

MULTI-GATE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190348498A1. Автор: Chen Tzu-Chiang,CHIANG Hung-Li,CHEN I-Sheng,CHENG Chao-Ching,Huang Shih-Syuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20190348498A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Structure and method for multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20240162331A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20200083327A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for forming multi-gate semiconductor device

Номер патента: US11824088B2. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Multi gate semiconductor device

Номер патента: US20230207559A1. Автор: Nam Kyu Cho,Sang Gil Lee,Seok Hoon Kim,Pan Kwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for manufacturing for forming source/drain contact features and devices manufactured thereof

Номер патента: US20240266407A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Junction FET semiconductor device with dummy mask structures for improved dimension control and method for forming the same

Номер патента: US09818866B2. Автор: Han-Chung Lin,Hua-Chou Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming sidewall in fork-shaped structure and semiconductor device with fork-shaped structure

Номер патента: EP4228008A1. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Method for forming hardmask formation by hybrid materials in semiconductor device

Номер патента: US11948843B2. Автор: Chung-Ting Ko,Sung-En Lin,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for forming multi-gate semiconductor structure

Номер патента: US20230420567A1. Автор: Yu-Wen Wang,chun-ming Yang,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Gate-all-around/multi-gate semiconductor device with body contact, method of manufacturing gate-all-around/multi-gate semiconductor device with body contact, and electronic apparatus

Номер патента: US20240072135A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09525045B1. Автор: Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US09786785B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for forming isolation with multi-step structure

Номер патента: US20200411363A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Kuang-Cheng Tai,Chih-Hung Hsieh,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Tien-Shao Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240363430A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Chih-Yi Wang,Wei-Che Chen,Wei-Hao Chang,Ying-Hsien Chen,Kun-Szu Tseng,Hung-Chun Lee,Yun-Yang He,Chang-Yih Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Formation method of semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US11742428B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12051700B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US12132111B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12034062B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US09502409B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chih Chieh Yeh,Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Ching-Fang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20150162334A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chih-Chieh Yeh,Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Ching-Fang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Methods for forming multi-gate transistors

Номер патента: US20240290870A1. Автор: Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods for forming multi-gate transistors

Номер патента: US11973128B2. Автор: Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Multi-Gate Semiconductor Device With Inner Spacer And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230010657A1. Автор: Chia-Pin Lin,Chih-Hao Yu,Bone-Fong Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for Forming Sidewall in Forksheet Structure and Forksheet Semiconductor Device

Номер патента: US20230261081A1. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for forming sidewall in fork-shaped structure and semiconductor device with fork-shaped structure

Номер патента: EP4228008A4. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240250152A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

MULTI-GATE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190123189A1. Автор: WU Cheng-Hsien,Yeh Ling-Yen,Chen Tzu-Chiang,CHEN I-Sheng,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20190237573A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Carlos H. Diaz,Ling-Yen Yeh,I-Sheng Chen,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

MULTI-GATE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200403095A1. Автор: WU Cheng-Hsien,Yeh Ling-Yen,Chen Tzu-Chiang,CHEN I-Sheng,DIAZ Carlos H.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2020-12-24.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US10269965B1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Carlos H. Diaz,Ling-Yen Yeh,I-Sheng Chen,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230187552A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Carlos H. Diaz,Ling-Yen Yeh,I-Sheng Chen,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220367685A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11948998B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220367685A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Methods for forming fins for metal oxide semiconductor device structures

Номер патента: US09607987B2. Автор: Tahir Ghani,Martin D. Giles. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods for forming FinFETs with non-merged epitaxial fin extensions

Номер патента: US09484440B2. Автор: Hong He,Shogo Mochizuki,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Metal gates for multi-gate semiconductor devices and method thereof

Номер патента: US20230395435A1. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US9312376B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-12.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20170278756A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09831130B2. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with supporting structures and method for forming the same

Номер патента: US20240047549A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Planarization process for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09859165B1. Автор: Li-Chieh Wu,Hui-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200058793A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and associated method for manufacturing

Номер патента: US20140183627A1. Автор: Rongyao Ma,Tieshing Li. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Contact structure with insulating cap and method for forming the same

Номер патента: US20240371998A1. Автор: Yi-Ju Chen,Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Fu-Hsiang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for producing thereof

Номер патента: EP4135050A1. Автор: Hans Weber,Andreas Vörckel,Tobias Höchbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09929245B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor product with low-leakage current and method for forming the same

Номер патента: US20220393017A1. Автор: Yi-Hsiung Lin,Chieh Chih Ting,Simon Yaou-Dong Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Method for forming a crystalline protective polysilicon layer

Номер патента: US20220084887A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Kuan-Jung Chen,Wen-Chih Chiang,Cheng-Hung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for forming a crystalline protective polysilicon layer

Номер патента: US20240222197A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Kuan-Jung Chen,Wen-Chih Chiang,Cheng-Hung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing semiconductor device using a gettering layer

Номер патента: US09385210B2. Автор: Hiroki Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor devices with a rare earth metal oxide layer

Номер патента: US12062576B2. Автор: Kenichi Sano,Pinyen Lin,Po-Cheng Wang,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Kuan-Kan HU,Che Chi Shih,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and associated method for manufacturing

Номер патента: US09418983B2. Автор: Tiesheng Li,Rongyao Ma. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09799665B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20210013338A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240372000A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09660084B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods for forming integrated circuit having guard rings

Номер патента: US20200357787A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods for forming integrated circuit having guard rings

Номер патента: US11398467B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09870955B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for forming semiconductor nanowire transistors

Номер патента: US09520484B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09548354B1. Автор: Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Po-Heng Lin,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: EP4391065A1. Автор: Hu Liang,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: WO2024132524A1. Автор: Hu Liang,Jens Baringhaus,Kevin Dannecker,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09536964B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20130126981A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chih-Chieh Yeh,Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Ching-Fang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

MULTI-GATE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150162334A1. Автор: Yu Tsung-Hsing,Goto Ken-Ichi,Wu Zhiqiang,Hsieh Wen-Hsing,SHEU YI-MING,WANG CHIH-CHING,Ho Jon-Hsu,Huang Ching-Fang,YEH Chih-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Silicon carbide semiconductor base substance, crystal axis alignment method for the same, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2018037560A. Автор: Yasuyuki Kawada,泰之 河田,Takeshi Tawara,河田　泰之,武志 俵,俵　武志. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: CA2759856A1. Автор: Shin Harada,Takeyoshi Masuda,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Polycrystalline film, method for forming polycrystalline film, laser crystallization device and semiconductor device

Номер патента: US11791160B2. Автор: Hiroshi Ikenoue,Jun Gotoh,Kaori Saito. Владелец: V Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Multi-gate semiconductor devices with improved hot-carrier injection immunity

Номер патента: US09614041B1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for forming semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US12040400B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20220352366A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor devices with counter-doped nanostructures

Номер патента: US20240379755A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for fabricating finfet isolation structure

Номер патента: US20170110557A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Method for fabricating FinFET isolation structure

Номер патента: US09917176B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US10847433B2. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of making a CMOS semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (SOI) wafer

Номер патента: US09466720B2. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for forming barrier layer for dielectric layers in semiconductor devices

Номер патента: US9508548B2. Автор: Ting-Chun Wang,Yu-Ting Lin,Sheng-Wen Chen,Che-Hao Chang,Wei-Ming You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures

Номер патента: US10446393B2. Автор: John Tolle,Matthew Goodman,Robert Vyne,Joe Margetis,Nupur Bhargava. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072171A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11848383B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Multi-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN108074983B. Автор: 吴志强,刘佳雯,江宏礼,吴忠政,梁英强,魏焕昇,许义明. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-02.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11855163B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240113183A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Flexible semiconductor device and method for producing same, image display device using the flexible semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102812541A. Автор: 平野浩一,铃木武,增田忍. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

An integrated circuit device and a method for forming the same

Номер патента: EP4391040A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09502520B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

METHOD FOR SELECTIVELY DEPOSITING A GROUP IV SEMICONDUCTOR AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190027584A1. Автор: Tolle John,Margetis Joe. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METHOD FOR FABRICATING CONTACTS TO NON-PLANAR MOS TRANSISTORS IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170103981A1. Автор: Hung Yu-Hsiang,Jenq Jyh-Shyang,LIN CHIEN-TING,Hsu Chih-Kai,Fu Ssu-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures

Номер патента: US11018002B2. Автор: John Tolle,Joe Margetis. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-05-25.

The method for controlling the wafer bow in III-V type semiconductor devices

Номер патента: CN109103099A. Автор: S.肯南,P.W.金,S.E.朴,M.唐加尔,万建伟. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-12-28.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017090285A1. Автор: 太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6856156B2. Автор: 圭司 和田,太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-04-07.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017090285A9. Автор: 太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200365696A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200044035A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09899265B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09524965B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for forming semiconductor device structure with metal-semiconductor compound layer

Номер патента: US20210384301A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210091192A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09768069B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Chia-Chun Liao,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Epitaxial Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240372007A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of fabricating multi-gate semiconductor devices with improved carrier mobility

Номер патента: US20090159972A1. Автор: Nadine Collaert,Stefan Jakschik. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20160064486A1. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: US20240222462A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150187940A1. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device having buried gate structure, method for manufacturing the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09589960B1. Автор: Kyung-Kyu Min. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for controlling transistor delay of nanowire or nanosheet transistor devices

Номер патента: WO2019112954A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Anton J. DeVillers. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for forming multilayer film including oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595435B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi Oota,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for forming epitaxial Co self-align silicide for semiconductor device

Номер патента: US6077750A. Автор: Jeong Soo Byun,Dong Kyun Sohn. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device using photo enhanced CVD

Номер патента: US5094966A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1992-03-10.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7070437B2. Автор: 勉 堀,圭司 和田,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-05-18.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240243186A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210313449A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240322009A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Fin shape contacts and methods for forming fin shape contacts

Номер патента: US09728615B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09525038B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Fin field effect transistor (finFET) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US10361085B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US20170213738A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Methods for forming semiconductor device

Номер патента: US09633858B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170077267A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore PteLtd. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120007172A1. Автор: Seung Wan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device and fabrication method for forming the same

Номер патента: US09847419B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20240355901A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG,Chia-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device structure with inner spacer layer and method for forming the same

Номер патента: US20230215936A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09911808B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US20160190013A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12100765B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09935173B1. Автор: Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194564A1. Автор: Chung-Yeh Lee,Sheng-Wei FU,Tsung-Yeh CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device having fin-type channel and method for forming the same

Номер патента: US09865460B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09786754B1. Автор: Chih-Ping Lin,Chung-Yeh Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09941215B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods for forming fin structures for semiconductor devices

Номер патента: US09934961B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US12051594B2. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US7851310B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Li-Cheng Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960044B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Systems and methods for porous capping layers

Номер патента: GB2625513A. Автор: Clark Andrew,Hammond Richard. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20190371920A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09899520B2. Автор: Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film

Номер патента: US09735280B2. Автор: Kosei Noda,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for forming a semiconductor device having insulating parts or layers formed via anodic oxidation

Номер патента: US09570576B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Source/drain structure for semiconductor device

Номер патента: US12040384B2. Автор: LUNG Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140235058A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Klemens Pruegl,Wolfgang Lehnert,Franz Hirler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Source/drain structure for semiconductor device

Номер патента: US20230064000A1. Автор: LUNG Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device including gas spacers and method of manufacture

Номер патента: US12068389B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087776B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Source/drain structure for semiconductor device

Номер патента: US20240339525A1. Автор: LUNG Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Strained source and drain (SSD) structure and method for forming the same

Номер патента: US09660052B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080780B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Jing-Yi Lin,Chong-De LIEN,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371972A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Jing-Yi Lin,Chong-De LIEN,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for implanting ions to a wafer for manufacturing of semiconductor device and method of fabricating graded junction using the same

Номер патента: TWI278921B. Автор: Sun-Hwan Hwang,Seung-Woo Jin,Kyoung-Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-11.

Multi-gate semiconductor device with self-aligned epitaxial source and drain

Номер патента: EP2517231A1. Автор: Tahir Ghani,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Anand S. Murthy,Kuan-Yueh Shen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

METHODS FOR FORMING SILICON-CONTAINING EPITAXIAL LAYERS AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180323059A1. Автор: Tolle John,Goodman Matthew,Margetis Joe,Vyne Robert,Bhargava Nupur. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures

Номер патента: US10886123B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Petri Raisanen,Moataz Bellah Mousa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-01-05.

Method for forming laterally varying doping concentrations and a semiconductor device

Номер патента: CN103531450A. Автор: Y.加利纳,F.J.尼德诺斯泰德,H-J.舒尔策. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-22.

Multi-gate semiconductor device with self-aligned epitaxial source and drain

Номер патента: TW201137985A. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Kuan-Yueh Shen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Method for doping semiconductor layer, method for producing thin film semiconductor element and thin film semiconductor device

Номер патента: CN1251307C. Автор: 町田晓夫,碓井节夫,达拉姆·P·戈塞恩. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US20140369115A1. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-18.

METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL SUPER JUNCTION DRIFT LAYER OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160315142A1. Автор: ZHANG BO,Zhang Jinping,LI Zehong,SONG Wenlong,SONG Xunyi,GU Hongming,ZOU Youbiao. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6954316B2. Автор: 勉 堀,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JPWO2019044029A1. Автор: 勉 堀,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09437709B2. Автор: De Yuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20070108593A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Methods for forming dielectric materials with selected polarization for semiconductor devices

Номер патента: US20220044922A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily,Dina H. Triyoso,Steven P. CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Methods for forming dielectric materials with selected polarization for semiconductor devices

Номер патента: WO2022035618A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara Tapily,Dina H. Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for forming a mental wiring pattern on a semiconductor device

Номер патента: US6296988B1. Автор: Bok-Hyung Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2001-10-02.

Method for forming photo mask for use in fabricating semiconductor device

Номер патента: US5679499A. Автор: Atsushi Yamamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Method for providing a self-aligned pad protection in a semiconductor device

Номер патента: US20150357234A1. Автор: Michael Rogalli,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method

Номер патента: US8945988B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Method for producing a semiconductor body, semiconductor body and power semiconductor device

Номер патента: WO2024056185A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Multi-gate semiconductor device for memory and method for forming the same

Номер патента: US12075608B2. Автор: Huai-Ying Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for Forming Multi-Gate Device with Dual Channel

Номер патента: US20150001593A1. Автор: Kuo Chih-Wei,CHEN Hou-Yu,YANG Shyh-Horng. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Methods for performing a gate cut last scheme for FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09991361B2. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming transistors with different channel lengths in semiconductor device

Номер патента: CN114628326A. Автор: 李俊杰,周娜,申靖浩. Владелец: Zhenxin Beijing Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

MULTI-GATE SEMICONDUCTOR DEVICES WITH IMPROVED HOT-CARRIER INJECTION IMMUNITY

Номер патента: US20170077233A1. Автор: ZHANG ZHIHONG,ZUO JIANG-KAI,Yang Hongning. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20110089500A1. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-04-21.

Methods for performing a gate cut last scheme for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Methods for removing selected fins that are formed for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20150318215A1. Автор: Ruilong Xie,William J. Taylor, Jr.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

METHODS FOR PERFORMING A GATE CUT LAST SCHEME FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Huang Haigou,Wu Xusheng,DAI Xintuo. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

MULTI-GATE SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210257491A1. Автор: WEI Hung-Yu,Jen Kai,PENG Pei-Hsiu. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150179528A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device structure with glue layer and method for forming the same

Номер патента: US20230290638A1. Автор: Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Cheng-Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Methods for forming a semiconductor device using tilted reactive ion beam

Номер патента: US20190295848A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230154824A1. Автор: Chia-Che Chung,Ming-Tzong Yang,Hsien-Hsin Lin,Chee-Wee Liu,Wen-Kai Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US12107163B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160049522A1. Автор: Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and method for forming silicide layers

Номер патента: WO2008115542A1. Автор: Romain Coppard,Jérôme LOLIVIER. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor device structure and method for forming same

Номер патента: US20240332395A1. Автор: Zeyong CHEN,Yunbo Chen,Yohtz Julian CHANG,Canyang HUANG. Владелец: Guangzhou Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6008076A. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: TW201203540A. Автор: Shinichiro Takatani. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2012-01-16.

METHOD FOR FORMING VIA PROFILE OF INTERCONNECT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20160351669A1. Автор: Chang Che-Cheng,CHENG Tai-Shin,CHEN Wei-Ting,SHIAO Wei-Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for forming fully silicided gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: US7659189B2. Автор: Chien-Ting Lin,Li-Wei Cheng,Che-Hua Hsu,Guang-Hwa Ma,Yao-Tsung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

APPARATUSES AND METHODS FOR COUPLING CONTACT PADS TO A CIRCUIT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Igeta Masahiko,Terui Yoshimi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for making deep trench isolation of cis device, and semiconductor device structure

Номер патента: US20220230909A1. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Jialong Li,Wensheng QIAN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US20210305198A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US11756917B2. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device structure with contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313065A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09761690B2. Автор: Chun-Mao Chiou,Chia-Fu Hsu,Shih-Chieh Hsu,Lung-En Kuo,Jian-Cun KE,You-Di Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Mechanisms for semiconductor device structure

Номер патента: US09425048B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Epitaxial process for forming semiconductor devices

Номер патента: US20130130461A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09741824B2. Автор: Huojin Tu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and fabrication thereof

Номер патента: US20110260220A1. Автор: Min-Hwa Chi,Mu-Chi Chiang,Cheng-Ku Chen,Wen-Chuan Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160211378A1. Автор: WON Seok-Jun,Lee Chul-Woong,Kim Young-Tak,KIM Kook-Tae,Son Ho-Sung,Yi Ji-Hye. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09818834B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US10050116B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for forming a via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09997401B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09583356B1. Автор: Chung-Bin Tseng,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Yi-Hung Chen,Yi-Jie Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Device and method for forming sharp extension region with controllable junction depth and lateral overlap

Номер патента: US20130264614A1. Автор: Effendi Leobandung,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190067012A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chun-Hsiung Lin,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chun-An Lin,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Device and method for forming sharp extension region with controllable junction depth and lateral overlap

Номер патента: US20130264612A1. Автор: Effendi Leobandung,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Silicon phosphide semiconductor device

Номер патента: US11749567B2. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09997417B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09799565B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09502412B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09455194B1. Автор: Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Ssu-I Fu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20130115743A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-09.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09613805B1. Автор: Rudolf Berger,Werner Schustereder,Johannes Laven,Holger Schulze,Roman Baburske,Thomas Gutt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with an interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09478626B2. Автор: Chih-Hung Lu,Wei-Chin Chen,Chia-Der Chang,Guo-Chiang CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09704750B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for reducing loss of silicon cap layer over SiGe source/drain in a CMOS device

Номер патента: US09685382B1. Автор: Jialei Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Method for forming semiconductor device structure having oxide layer

Номер патента: US20200020544A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09960084B1. Автор: Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Wen-Jiun Shen,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Replacement channels for semiconductor devices and methods for forming the same using dopant concentration boost

Номер патента: US09627539B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09412621B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220068723A1. Автор: TAO Hu,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiao Dong Shi. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20060163668A1. Автор: Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures

Номер патента: US12094936B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with an interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09911650B2. Автор: Chih-Hung Lu,Wei-Chin Chen,Chia-Der Chang,Guo-Chiang CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09496367B2. Автор: Hung-Chang Hsu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Yi-Chun Lo,Chia-Der Chang,Tien-Chun Wang,Guo-Chiang CHI,Chia-Ping LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118882A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for forming semiconductor device with low sealing loss

Номер патента: US20160141386A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Yen-Liang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for fabricating semiconductor device having fin structure that includes dummy fins

Номер патента: US09608090B2. Автор: En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Conversion process utilized for manufacturing advanced 3D features for semiconductor device applications

Номер патента: US09553174B2. Автор: Ludovic Godet,Christopher Hatem,Martin A. Hilkene,Matthew D. Scotney-Castle. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for forming semiconductor device with low sealing loss

Номер патента: US09362382B1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Yen-Liang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Methods for forming a transistor

Номер патента: EP1759409A2. Автор: Victor Moroz,Lori D. Washington,Faran Nouri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Dual gate of semiconductor device capable of forming a layer doped in high concentration over a recessed portion of substrate for forming dual gate with recess channel structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090121224A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20190326178A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118883A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12131945B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09773887B2. Автор: Chao-Hung Lin,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09755056B2. Автор: Ying-Tsung Chen,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09721804B1. Автор: Huang-Ren Wei,Hsuan-Sheng Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming metal chalcogenide thin films on a semiconductor device

Номер патента: US09711396B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Eugene Givens,Fu Tang,Jacob Huffman Woodruff. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

High-voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070155107A1. Автор: Choul Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20010038152A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9520483B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for manufacturing soi structure in desired region of a semiconductor device

Номер патента: US20090186463A1. Автор: Min Jung SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for forming a metal silicide layer in a semiconductor device

Номер патента: US7005373B2. Автор: Kwan-Jong Roh,In-sun Park,Eung-joon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-28.

Method for forming a fine contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US5767019A. Автор: Sang Wook Kim,Hae Jung Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Method for forming interlayer dielectric film, interlayer dielectric film, semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20090127669A1. Автор: Yoshihiro Hayashi,Hironori Yamamoto,Fuminori Ito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Methods for forming contacts for dual stress liner CMOS semiconductor devices

Номер патента: US7816271B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kyoung Woo Lee,Ja Hum Ku,WanJae Park,Chong Kwang Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Method for forming gate electrode and salicide contact of semiconductor devices

Номер патента: KR100315451B1. Автор: 김서원. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-28.

Method for manufacturing a multi-layer wiring structure of a semiconductor device

Номер патента: US5851917A. Автор: Sang-In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-22.

Manufacturing method for filling a trench or contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US5824562A. Автор: Tai-su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-20.

Tantalum semiconductor contacts and method for fabricating same

Номер патента: CA1111570A. Автор: Hormazdyar M. Dalal,Majid Ghafghaichi,Hans Wimpfheimer,Lucian A. Kasprzak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-10-27.

Production method of T-shaped gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US5304511A. Автор: Masayuki Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US11988969B2. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US20230057823A1. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for producing ohmic contacts on silicon carbide substrate of semiconductor device of e.g. power electronics device, involves producing oxide layer on surface of substrate, and applying contact metallization layer on contact region

Номер патента: DE102011078331A1. Автор: Michael Grieb,Thomas Suenner,Tim Behrens,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-08-09.

METHODS FOR DEPOSITING A DOPED GERMANIUM TIN SEMICONDUCTOR AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190067004A1. Автор: Kohen David,Profijt Harald Benjamin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures

Номер патента: US10236177B1. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-03-19.

METHOD FOR SELF-ALIGNING METAL CONTACTS ON A SELF-ALIGNED SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2663157B1. Автор: Collot Philippe,Schmidt Paul Erick. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1992-08-07.

Method for inspecting pattern and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09965851B2. Автор: Seunghune YANG,Kiho Yang,Kaiyuan Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20220199437A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Apparatuses and methods for extracting defect depth information and methods of improving semiconductor device manufacturing processes using defect depth information

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Byoung-Ho Lee,Jeong-Ho Ahn,Dong-ryul Lee,Jong-Cheon Sun,Dong-Chul Ihm,Soo-bok Chin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-16.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semiconductor device

Номер патента: US09568537B1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20080118737A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Methods for forming assemblies and packages that include stacked semiconductor devices separated a distance defined by adhesive material interposed therebetween

Номер патента: US20040157375A1. Автор: James Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7364829B2. Автор: Takahisa Namiki,Koji Nozaki,Junichi Kon,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-29.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20200312687A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for inspecting pattern and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20160275663A1. Автор: Seunghune YANG,Kiho Yang,Kaiyuan Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-22.

Lead frame, method for partial noble plating of said lead frame and semiconductor device having said lead frame

Номер патента: CA2186695C. Автор: Hideo Horita,Chiaki Hatsuta. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2001-08-07.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: EP4248490A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Oreste Donzella,Mike Von den Hoff,Barry Saville,Thomas Groos,Justin LACH,Narayani Narasimhan,Chet LENOX,Kara SHERMAN,Teng Song LIM. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, circuit board, electronic apparatus, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20040115920A1. Автор: Masahiro Kubo,Ichiro Hazeyama,Sakae Kitajo,Hirobumi Inoue,Hidehiko Kuroda,Takao Yamazaki,Yoshimichi Sogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145594A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09947792B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with advanced pad structure resistant to plasma damage and method for forming the same

Номер патента: US09385081B2. Автор: Yao-Hsiang Liang,Hung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

MULTI-GATE SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140103438A1. Автор: Yu Tsung-Hsing,Goto Ken-Ichi,Wu Zhiqiang,Hsieh Wen-Hsing,SHEU YI-MING,WANG CHIH-CHING,Ho Jon-Hsu,Huang Ching-Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: JPWO2008126729A1. Автор: 英男 大野,浦山　雅夫,雅夫 浦山,川崎　雅司,雅司 川崎,大野　英男. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-07-22.

Method for reduction of filaments between electrodes

Номер патента: US4878996A. Автор: Howard L. Tigelaar,Allan T. Mitchell,Kalipatnam V. Rao,Shaym G. Garg. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-11-07.

Method for manufacturing peripheral dummy gate of transistor for testing semiconductor device

Номер патента: KR100223941B1. Автор: 남상혁. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same

Номер патента: US20110049720A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-03.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US09484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12033940B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09978680B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09666587B1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

A method for forming a inter-layer oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100447253B1. Автор: 염승진,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-07.

METHOD FOR FORMING A MULTIPLE LEVEL CONNECTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE4125221A1. Автор: Han-su Kim,Jang-Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-07-16.

Method for forming a hard mask pattern in a semiconductor device

Номер патента: CN101447398A. Автор: 郑宇荣. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-03.

Method for forming a gate of a high integration semiconductor device

Номер патента: US20020093066A1. Автор: Young-Hun Bae,Won-sung Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09960167B1. Автор: Yu-Chieh Lin,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09455135B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09780199B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for generating integrated circuit layout

Номер патента: US20240014202A1. Автор: Chun-Cheng Ku,Kuan-Jung Jhu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for arranging wiring line including power reinforcing line and semiconductor device having power reinforcing line

Номер патента: US20030211722A1. Автор: Won-suk Yang,Jae-Young Lee,Ki-nam Kim,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-13.

Method for forming control gate salicide

Номер патента: US9330924B2. Автор: Huanxin Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for forming control gate salicide

Номер патента: US20160093498A1. Автор: Huanxin Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Method for forming inductor in semiconductor device

Номер патента: US20050037589A1. Автор: Young Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: EP4449835A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for forming fin structures for non-planar semiconductor device

Номер патента: US09786502B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Rai-Min Huang,Wen-An Liang,Kuan-Hsien Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming low dielectric constant layer

Номер патента: US20020132494A1. Автор: Wen-Yi Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2020185762A8. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for forming a titanium dioxide layer

Номер патента: US6251803B1. Автор: Hsin-Chih Liao,Ming-Kwei Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: EP1548814A3. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US12110435B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: US6303481B2. Автор: Dong Su Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Methods for forming porous insulator structures on semiconductor devices

Номер патента: US7285502B2. Автор: Tongbi Jiang,Warren M. Farnworth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-23.

Method of making a semiconductor device using trench isolation regions to maintain channel stress

Номер патента: US20150099335A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-04-09.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20040091419A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-13.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: TW200415217A. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-16.

Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20040201007A1. Автор: Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Yoshitaka Hamada,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-14.

METHODS FOR FORMING DIELECTRIC MATERIALS WITH SELECTED POLARIZATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220044922A1. Автор: Clark Robert D.,Consiglio Steven P.,Tapily Kandabara N.,Triyoso Dina H.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Method for forming dielectric layer for metallic pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100557944B1. Автор: 김찬배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-10.

METHODS FOR FORMING LOW TEMPERATURE SEMICONDUCTOR LAYERS AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180350588A1. Автор: Raisanen Petri,Hsu Peng-Fu,MOUSA MOATAZ BELLAH. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

METHOD FOR FORMING METAL CHALCOGENIDE THIN FILMS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160372365A1. Автор: Maes Jan Willem,Tang Fu,Givens Michael Eugene,Xie Qi,Woodruff Jacob Huffman. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method for forming a gate oxide layer of a semiconductor device

Номер патента: KR20010091519A. Автор: 황철주,양두영. Владелец: 황 철 주. Дата публикации: 2001-10-23.

A method for forming a contact hole pattern of a semiconductor device

Номер патента: KR20050002368A. Автор: 복철규,이원욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-07.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100203906B1. Автор: 김영복. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

A method for forming capacitor using polysilicon plug structure in semiconductor device

Номер патента: KR100464938B1. Автор: 정경철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-05.

Method for forming a gate oxide layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100440501B1. Автор: 황철주,양두영. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2004-07-15.

Method for forming metal line with oxidation layer and semiconductor device providing with said metal line

Номер патента: KR100664865B1. Автор: 황상일. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-01-03.

Method for forming the gate oxide of metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: EP1014432A1. Автор: Thomas Vogelsang,Wilfried Haensch,Juergen Faul. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-06-28.

A method for forming a fine pattern transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100673099B1. Автор: 복철규,김희범,임창문. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Washing solution and washing method for semiconductor substrate

Номер патента: US20230402275A1. Автор: Atsushi Mizutani. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for producing laminate, producing apparatus for laminate, laminate, and semiconductor device

Номер патента: US20240177993A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Material for forming adhesion reinforcing layer, adhesion reinforcing layer, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US7830013B2. Автор: Tadahiro Imada,Yoshihiro Nakata,Ei Yano,Junichi Kon. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11955341B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-01-19.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: TW200525642A. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Tec. Дата публикации: 2005-08-01.

Heterodyne interference lithography apparatus, method for drawing pattern using the same device, wafer, and semiconductor device

Номер патента: KR101229786B1. Автор: 김건우,이주형,양민양,강봉철,노지환. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2013-02-05.

Method for manufacturing molecular beam epitaxial growth device and optical semiconductor device

Номер патента: KR960012304A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-04-20.

METHOD FOR IMPROVING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING SiGe FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY USING THIS METHOD

Номер патента: KR100519202B1. Автор: 요시다아끼라,바바도모야. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-10-06.

It is used to form the method for pattern and the method using this method manufacturing semiconductor devices

Номер патента: CN110323139A. Автор: 千宰协. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-10-11.

PLATE WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR PRODUCING PLATES WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: RU2009122487A. Автор: Сейдзи НАКАХАТА,Кенсаку МОТОКИ,Сейдзи НАКАХАТА (JP),Кенсаку МОТОКИ (JP). Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp). Дата публикации: 2010-12-20.

Etching Composition And Method For Selectively Removing Silicon Nitride During Manufacture Of A Semiconductor Device

Номер патента: US20220298182A1. Автор: LEE Yi-Chia,LIU Wen Dar,WU Aiping,Ge Jhih Kuei,Sun Laisheng. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for fabricating isolation layer using fluid dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: KR100881135B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-02.

Method for fabricating interconnect lines with reduced line capacitance in semiconductor devices

Номер патента: JP4014234B2. Автор: − プー ジェング シン. Владелец: テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2007-11-28.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6798293B2. Автор: 太郎 西口,健二 平塚. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

Method for cleaning the inside of a pipe of a semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: JP2910761B1. Автор: 康 佐々木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-23.

Method for adjusting effective work function of gate structure in semiconductor device

Номер патента: JP2014146789A. Автор: Spessot Alessio,Caillat Christian,Kauerauf Thomas,トーマス・カウエラウフ,アレッシオ・スペソット,クリスチャン・カイヤ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-08-14.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A4. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-10-26.

Method for manufacturing a shallow trench isolation layer of the semiconductor device

Номер патента: KR100503344B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-26.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A4. Автор: Marius K Orlowski,James D Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: WO2005104225A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-12-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09484207B2. Автор: Yu-Sheng Su,Chia-Cheng Lin,Hung-Jui Chang,Shu-Huei Suen,Jeng-Chang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09558990B2. Автор: KYUNG Kyu Min. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Improving mosfet performance by employing an improved method for forming halo implants

Номер патента: EP1188181A2. Автор: Rajesh Rengarajan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-20.

Method for forming a wafer structure, a method for forming a semiconductor device and a wafer structure

Номер патента: US09793167B2. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20130137234A1. Автор: Peter Baars,Matthias Goldbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7338876B2. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-04.

Methods for forming semiconductor device having uniform fin pitch

Номер патента: US20220020593A1. Автор: Min Gyu Sung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20070184601A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Structures and methods for reducing stress in three-dimensional memory device

Номер патента: US20210050446A1. Автор: Jian Hua SUN,Ji XIA,Sizhe Li,Qinxiang Wei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09337206B2. Автор: Guanhua LI,Haewan YANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor optical devices and method for forming

Номер патента: US7494832B2. Автор: Yang Du,Leo Mathew,Voon-Yew Thean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-02-24.

Method for forming self aligned contacts

Номер патента: US20020098640A1. Автор: Ii-Wook Kim,Jong-Sam Kim,Dong-kuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

A method for forming a self-aligned contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100609523B1. Автор: 남상혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-04.

METHOD FOR ELECTRICALLY CONNECTING WAFERS USING BUTTING CONTACT STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED THROUGH THE SAME

Номер патента: US20140138847A1. Автор: Jeon In Gyun. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for producing semiconductor wafer assembly, semiconductor wafer assembly, and semiconductor device

Номер патента: EP2400542A1. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020094657A1. Автор: Woo-Seok Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US09853035B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US20240222358A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming hybrid bonding with through substrate via (tsv)

Номер патента: US20180005977A1. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20240274441A1. Автор: Yi-Chung Chen,Yu-Ting Huang,Wei-Nan CHUANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09793210B2. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230290642A1. Автор: Yu-Jen Huang,Hsiu-Han Liao,Chu-Chun HSIEH. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20180190658A1. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US10262895B2. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09947668B2. Автор: Dongjin Lee,Jiyoung Kim,Kang-Uk Kim,Sungho Jang,Chan Min Lee,Juyeon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US12113086B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230063571A1. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US20230402478A1. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US11798969B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US7160810B2. Автор: Sang Wook Ryu,Kang Sup Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-09.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US20050142848A1. Автор: Kang Shin,Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming buried word line in semiconductor device

Номер патента: US20110027988A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Se-Aug Jang,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240250019A1. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for forming multi gate oxide layer

Номер патента: KR101025919B1. Автор: 강영석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-03-30.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming metal wire using titanium film in semiconductor device having contact holes

Номер патента: TW569383B. Автор: Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2004-01-01.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Method and apparatus for a direct buried strap for same level interconnections for semiconductor devices

Номер патента: EP1292979A2. Автор: Michael Stetter,Frank Grellner. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464A3. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Method for forming align key pattern in semiconductor device

Номер патента: US5578519A. Автор: Yun-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-11-26.

Method for forming interlayer dielectric film for semiconductor device by using polyhedral molecular silsesquioxane

Номер патента: US7470634B2. Автор: Hyeon Jin Shin,Hyun Dam Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-30.

Method for forming graphene barrier layer for semiconductor device and contact structure formed by the same

Номер патента: US20230081962A1. Автор: Won Jun Yoon,Jee Hye Park,Dong Woo Kim,Tae Sung Kim,Jin Ho Jeon,Hong Ki PARK,Woo Hoon SUN,Keon Jung LEE. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Conductive powder formation method, device for forming conductive powder, and method of forming semiconductor device

Номер патента: US20180301375A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for forming an isolation region in a semiconductor device and resulting structure using a two step oxidation process

Номер патента: US6420241B2. Автор: Jong Choul Kim,Se Aug Jang,Young Bog Kim,In Seok Yeo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Semiconductor Device, a Semiconductor Wafer Structure, and a Method for Forming a Semiconductor Wafer Structure

Номер патента: US20150028456A1. Автор: Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11955423B2. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464B1. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-29.

METHOD FOR FORMING A DUAL DAMASCENE STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH

Номер патента: US20140175669A1. Автор: Lee Chul-Ho,LEE Sung-jae,MOON Joon-Young,PARK You-Jung,YOON Yong-Woon,LEE Chung-Heon,Cho Youn-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Method for forming local interconnection line for use in semiconductor device

Номер патента: KR100526870B1. Автор: 고용선,권성운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-09.

Methods for forming contacts for dual stress liner CMOS semiconductor devices

Номер патента: KR101465703B1. Автор: 이경우,구자흠,박완재,장종광,데오도로스 이. 스탄데르트. Владелец: 인터내셔널 비즈니스 머신즈 코오퍼레이션. Дата публикации: 2014-11-28.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100189733B1. Автор: 박주석. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100190053B1. Автор: 김성의. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for forming titanium silicide ohmic contact layer of semiconductor device

Номер патента: KR100626741B1. Автор: 손현철,엄장웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-22.

Method for forming dual poly silicon gate electrode in semiconductor device

Номер патента: KR100582365B1. Автор: 안현주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-22.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100189992B1. Автор: 이재경,박찬식,조경환,이성한. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for forming the landing plug contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100745052B1. Автор: 남기원,박상수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2784229B1. Автор: Chang Hyum Cho,Kyu Hyun Lee,Lae Goo Lee,Sang Sub Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-12.

Method for forming a metal line pattern of the semiconductor device

Номер патента: KR100827488B1. Автор: 문주형. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-05-06.

Method for forming a metallic wiring layer in a semiconductor device

Номер патента: DE4200809C2. Автор: Chang-Soo Park,Sang-In Lee,Jeong-Ha Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-12-12.

METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2784229A1. Автор: Chang Hyum Cho,Kyu Hyun Lee,Lae Goo Lee,Sang Sub Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-04-07.

Method for forming a field oxide layer of a semiconductor device

Номер патента: DE4109184C2. Автор: Taek-Yong Jang,Weon-Sik Paek,Weon-Taek Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-12-21.

Method for forming a self aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: US6177320B1. Автор: Sang-Sup Jeong,Chang-jin Kang,Hong-Sik Jeong,Chul Jung,Chan-ouk Jung,Jae-Goo Lee,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-23.

Method for forming a self aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: GB9909492D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-23.

Method for forming contact hole with different depth of semiconductor device

Номер патента: KR100257771B1. Автор: 서원준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-06-01.

Method for forming sti to prevent poly stringer in semiconductor device

Номер патента: KR100763702B1. Автор: 김정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for forming contact hole in metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR950015589A. Автор: 서동량. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-06-17.

Method for forming a metal interconnection layer of a semiconductor device using a modified dual damascene process

Номер патента: TWI313495B. Автор: LEE Kyung-Woo,KIM Jae-Hak,Lee Soo-Geun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-11.

Method for forming an electrical interconnect in a silicon semiconductor device

Номер патента: JP2685253B2. Автор: ラッセル・クレイグ・エルナンガー,ヨハネス・エリザベス・ヨセフ・シュミッツ. Владелец: フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ. Дата публикации: 1997-12-03.

Method for forming a copper metal interconnection of a semiconductor device using two seed layers

Номер патента: US20070155145A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for forming contact hole buried metal wiring in semiconductor device

Номер патента: KR970053577A. Автор: 조경수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Method for forming fine contact and conductive line in semiconductor device

Номер патента: KR970052274A. Автор: 신동원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-29.

Apparatus and method for detecting failure in a mechanical press

Номер патента: US20200047442A1. Автор: Kwok Pun LAW,Hong Yeung LI,Cho Wai LEUNG. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

CONDUCTIVE POWDER FORMATION METHOD, DEVICE FOR FORMING CONDUCTIVE POWDER, AND METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180301375A1. Автор: Chou You-Hua,Chuang Kuo-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

Method for the anisotropic etching of metal films in the fabrication of interconnects

Номер патента: US5350484A. Автор: Xiao-Chun Mu,Donald S. Gardner,David B. Fraser. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-09-27.

Mehtod for forming inter layer insulting film in the semiconductor device

Номер патента: KR100301530B1. Автор: 김창규,조웅래. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2001-10-19.

PROCESS FOR FORMING A FIELD OXIDE LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2669467B1. Автор: Paek Weon-Sik,Jang Taek-Yong,Choi Weon-Taek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-07-04.

PROCESS FOR FORMING METALLIZED ZONES ON A SERIES OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2383522A1. Автор: Giulio Iannuzzi,Carlo Cognetti De Martis,Vittorio Del Bo,Luciano Gandolfi. Владелец: SGS ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1978-10-06.

Process for forming deposited film and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP0420590B1. Автор: Shigeyuki C/O Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu C/O Canon Kabushiki Kaisha Ikeda,Kazuaki C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohmi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-03-27.

Process for forming deposited film and process for preparing semiconductor device

Номер патента: EP0420589A2. Автор: Shigeyuki C/O Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu C/O Canon Kabushiki Kaisha Ikeda,Kazuaki C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohmi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-04-03.

Process for forming deposited film and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP0420590A2. Автор: Shigeyuki C/O Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu C/O Canon Kabushiki Kaisha Ikeda,Kazuaki C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohmi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-04-03.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2021067150A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Systems for forming insulative coatings for via holes in semiconductor devices

Номер патента: US20050282383A1. Автор: Warren Farnworth. Владелец: Farnworth Warren M. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor assemblies with system and method for smoothing surfaces of 3d structures

Номер патента: US20230317511A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for chemically mechanically polishing organic film, method of manufacturing semiconductor device, and program therefor

Номер патента: US20070000872A1. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Yukiteru Matsui,Atsushi Shigeta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for chemically mechanically polishing organic film, method of manufacturing semiconductor device, and program therefor

Номер патента: US7402521B2. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Yukiteru Matsui,Atsushi Shigeta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Film for use in semiconductors, method for making a film for use in semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: TW200821368A. Автор: Akitsugu Sasaki,Takashi Hirano,Naoya Oda. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2008-05-16.

Method for stabilizing cleaning baths for SI wafers, especially for semiconductor devices

Номер патента: EP0390254A2. Автор: Johannes Engelbertus A. M. Van Den Meerakker. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-10-03.

Inspection apparatus and method for film carrier tapes for mounting electronic components and semiconductor devices

Номер патента: KR100852225B1. Автор: 마사히코 야마모토,요시히로 고잔,사치오 노토,기요히토 고바야시. Владелец: 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-08-14.

Method for reducing line edge roughness for trench etch, and semiconductor device thereof

Номер патента: CN100477135C. Автор: P·勒温哈德特,D·乐,H·H·朱,E·沃加纳. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20020109225A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Computech International Ventures Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100367809B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2003-01-10.

Thermal Conducting Sheet, Method for Manufacturing Thermal Conducting Sheet, Heat Dissipation Member, and Semiconductor Device

Номер патента: US20190019739A1. Автор: Aramaki Keisuke,Kanaya Hiroki,Uchida Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

ADVANCED PROCESS CONTROL METHOD FOR CONTROLLING WIDTH OF SPACER AND DUMMY SIDEWALL IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160027649A1. Автор: Tsuei Cherng-Chang,TSAI Hsien-Chieh,LIN Tz-Wei,YANG Sheng-Jen,LIN Hung-Yin,LU Chen-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

ADVANCED PROCESS CONTROL METHOD FOR CONTROLLING WIDTH OF SPACER AND DUMMY SIDEWALL IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150140692A1. Автор: Tsuei Cherng-Chang,TSAI Hsien-Chieh,LIN Tz-Wei,YANG Sheng-Jen,LIN Hung-Yin,LU Chen-Hsiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-05-21.

APPARATUSES AND METHODS FOR ARRANGING THROUGH-SILICON VIAS AND PADS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200212008A1. Автор: KITANO Tomohiro. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-02.

METHOD FOR PROVIDING A SELF-ALIGNED PAD PROTECTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150357234A1. Автор: Lehnert Wolfgang,Rogalli Michael. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

METHOD FOR ELIMINATING DISLOCATIONS IN ACTIVE AREA AS WELL AS SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190341262A1. Автор: Zhou Jun,Li Yun,XU Jingjing,LUO Qingwei. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Method for manufacturing a spin on glass film in a semiconductor device

Номер патента: KR100246779B1. Автор: 권혁진,홍상기,전상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for integrating selective ruthenium deposition into manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: KR101506755B1. Автор: 켄지 스즈키. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-03-27.

Methods for Manufacturing Adhesive Compositions, Film Adhesives, Adhesive Sheets, and Semiconductor Devices

Номер патента: JPWO2020026757A1. Автор: 祐也 平本,昌典 夏川,紘平 谷口. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for manufacturing wine glass type contact hole of the semiconductor device

Номер патента: KR100781455B1. Автор: 강병주. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-12-03.

METHOD FOR MAKING AT LEAST ONE DEEP LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2548831A1. Автор: Pieter Johannes Wilhel Jochems. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-01-11.

METHOD FOR PACKAGING A CHIP WITH PARTICULARLY OPTICAL SENSORS AND SEMICONDUCTOR DEVICE OR PACKAGE CONTAINING SUCH A CHIP

Номер патента: FR2798000A1. Автор: Remi Brechignac,Juan Exposito. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-03-02.

METHOD FOR ESTABLISHING AN ELECTRICAL INTERCONNECTION STRUCTURE ON A SILICON SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2624304B1. Автор: Russell Craig Ellwanger,Johannes Elisabeth Jos Schmitz. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-05-04.

Method for fabricating a pad-layer/fuse-layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100413582B1. Автор: 이기민. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2003-12-31.

Apparatus and method for flattening an insulating layer by etching in a semiconductor device

Номер патента: EP0620585A1. Автор: Yasukazu Intell. Property Division Mase,Masahiro Intell. Property Division Abe,Ken-Ichi Intell. Property Division Tomita,Kazuyuki Intell. Property Division Yahiro,Akira Intell. Property Division Ishiguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-10-19.

Method for providing increased dopant concentration in selected regions of semiconductor devices

Номер патента: EP0313777A2. Автор: David Stanasolovich,Jeffrey R. Barber,Harish N. Kotecha,David D. Meyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-05-03.

Method for producing plate shape body, lead wire frame and semiconductor device

Номер патента: CN1237611C. Автор: 坂本则明,小林义幸,阪本纯次,前原荣寿,高桥幸嗣,真下茂明,大川克实. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-18.

Method for producing a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: DE19620022A1. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-21.

Method for removing circle defect on the metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR100702796B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-03.

Method for examining the defect of gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: KR100591149B1. Автор: 나유석. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-19.

Method for fabricating a trench of dual damascene interconnection in semiconductor device

Номер патента: KR100642486B1. Автор: 이기민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-02.

METHOD FOR PRODUCING AT LEAST ONE DEEP LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2548831B1. Автор: Pieter Johannes Wilhel Jochems. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1988-10-14.

Method for producing a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: DE19620022C2. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for adjusting transport position of wafer, adjustment apparatus, and semiconductor device

Номер патента: WO2023035434A1. Автор: 刘洋. Владелец: 长鑫存储技术有限公司. Дата публикации: 2023-03-16.

Jin Beifu bonding wire, method for manufacturing the same, semiconductor wire bonding structure, and semiconductor device

Номер патента: CN115398607A. Автор: 安德优希,川野将太,崎田雄祐,平井祐佳. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2022-11-25.

Advanced process control method for controlling width of spacer and dummy sidewall in semiconductor device

Номер патента: US9613816B2. Автор: Cherng-Chang TSUEI,Chen-Hsiang LU,Hsien-Chieh TSAI,Tz-Wei LIN,Sheng-Jen YANG,Hung-Yin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

METHOD FOR IMPLANTING IONS NOT SUBJECT TO MASS ANALYSIS AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED USING THE SAME

Номер патента: FR2524200A1. Автор: Takashi Tokuyama,Tadashi Saitoh,Katsumi Tokiguchi,Haruo Itoh,Terunori Warabisako. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-09-30.

Method for fabricating a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: GB9610393D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-24.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364427A1. Автор: Takashi KANSAKU. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-17.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09824882B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09758373B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20180166285A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09875927B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09842768B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Shu-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Wafer level package (WLP) and method for forming the same

Номер патента: US09520372B1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09425087B1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200144063A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for forming a semiconductor device has a lengthened channel length

Номер патента: US20090124085A1. Автор: Hung-Ming Tsai,Ying Cheng CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for cleaning via of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09761488B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09536751B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods for forming interconnection structures in an integrated cluster system for semicondcutor applications

Номер патента: US09508561B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Mehul B. Naik,He REN,Takehito KOSHIZAWA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: US20240222118A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: WO2024144886A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for forming passivation protection for an interconnection structure

Номер патента: WO2015134118A1. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Yong Cao,Yana Cheng,Mei-Yee Shek,Sree Rangasai V. Kesapragada. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-11.

Method for forming thermal oxide film on semiconductor substrate and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240274477A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09627202B2. Автор: DAE-YONG KANG,Sung-Wook Hwang,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for forming a hard mask for gate electrode patterning and corresponding device

Номер патента: US20060081917A1. Автор: Chien-Hao Chen,Tze-Liang Lee,Shih-Chang Chen,Chao-Cheng Chen,Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020127869A1. Автор: Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020013066A1. Автор: Kazuo Maeda,Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for forming low dielectric constant fluorine-doped layers

Номер патента: US7579271B2. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-08-25.

Method for forming pattern and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20130023118A1. Автор: Dong-Kwon Kim,Myeong-Cheol Kim,Do-hyoung Kim,Soo-Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for forming a hard mask pattern and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09793472B2. Автор: Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,Yoonjong Song,Yong-Seok Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming a nitridized interface on a semiconductor substrate

Номер патента: US20010044222A1. Автор: Jonathan Taylor,David Jendresky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device structure with fine boron nitride spacer patterns and method for forming the same

Номер патента: US20220037155A1. Автор: Pei-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US12087579B2. Автор: Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang,Wei-Hsin Lin,Po-Cheng LAI,Yu-Hsin Hsu,Yi-Hsuan Lin,Kuan-Shien LEE,Wang Cheng Shih,Ming Che Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures

Номер патента: US09583381B2. Автор: Kevin J. Torek,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Michael Hyatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09524865B2. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Systems and Methods for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20150170912A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process

Номер патента: US20070059926A1. Автор: Jae Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200301280A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for forming field oxide

Номер патента: US20060094254A1. Автор: Shih-Chi Lai,Jen Chieh Chang,Yi Fu Chung. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Method for forming an oxynitride layer

Номер патента: US20030077915A1. Автор: Chia-Lin Ku,Yung-Hsien Wu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-04-24.

Film forming method, semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020013068A1. Автор: Tomomi Suzuki,Kazuo Maeda,Youichi Yamamoto,Hiroshi Ikakura,Kouichi Ohira,Yoshimi Shioya,Yuichiro Kotake,Shoji Ohgawara. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190155156A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Mechanisms for Forming Patterns Using Multiple Lithography Processes

Номер патента: US20170372891A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Tsai-Sheng Gau,Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Method for forming insulating film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160240374A1. Автор: Shigeru Kasai,Kohei Kawamura,Yutaka Fujino,Akira Tanihara,Kotaro Miyatani,Kenichi KOTE,Takuya Kurotori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Bipolar shell resurfaced perovskite quantum dots and methods for producing same

Номер патента: WO2022100636A1. Автор: Edward Sargent,Peter Chun,Makhsud SAIDAMINOV,Sjoerd HOOGLAND,Fanglong YUAN,Quan LYU,Giovanni Francesco COTELLA,Yitong DONG,Ya-Kun WANG. Владелец: Quan LYU. Дата публикации: 2022-05-19.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US20220165926A1. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2022-05-26.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US11881548B2. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for evaulating of molding material with dams formed on a semiconductor substrate to define slits for capturing the fillers contained in the molding material

Номер патента: US20020088974A1. Автор: Masaru Takahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US5728597A. Автор: Suk Soo Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Protective layers formed on semiconductor device components so as to reduce or eliminate the occurrence of delamination thereof and cracking therein

Номер патента: US20040183210A1. Автор: Tongbi Jiang,Shijian Luo,S. Hinkle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: EP4248490A4. Автор: John Robinson,David W Price,Oreste Donzella,Barry Saville,Thomas Groos,Den Hoff Mike Von,Justin LACH,Narayani Narasimhan,Chet LENOX,Kara SHERMAN,Teng Song LIM,Robert J Rathert. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for forming a capacitor for use in a semiconductor device

Номер патента: US7361547B2. Автор: Yong-Sun Ko,In-seak Hwang,Ki-Hyun Hwang,Kwang Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Film for forming spacer, method for manufacturing semiconductor wafer conjugant, semiconductor wafer conjugant and semiconductor device

Номер патента: TW201133653A. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2011-10-01.

Semiconductor device and method for producing a carrier element suitable for a semiconductor device

Номер патента: WO2019114968A1. Автор: Choo Kean Lim,Choon Keat OR,Choon Kim LIM,Siew Yan CHUA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor module and method for mounting the same

Номер патента: US20050116330A1. Автор: Tomotoshi Sato,Rina Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Apparatus and Method For Generating Test Pattern Data For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080040639A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and semiconductor package

Номер патента: US11948920B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Chia-Yin Chen,Yang-Chih Hsueh,Yan-Zuo Tsai,I-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Mold for measuring the flow property, method for measuring the flow property, resin composition for encapsulating semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201128177A. Автор: Atsunori Nishikawa. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2011-08-16.

Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101013474B1. Автор: 고자와미와,노자키고지,나미키다카히사,곤주니치. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2011-02-14.

Method for monitoring the shape of the processed surfaces of semiconductor devices and equipment for manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20040048399A1. Автор: Hiroyuki Yano,Katsuya Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

Composition for forming alpha-ray-shielding film, laminate, and semiconductor device

Номер патента: CN115210328A. Автор: 荒山恭平,宫田哲志,横山宪文. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-10-18.

Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: EP1609835A1. Автор: Masahito Ide,Katsuya Ouchi,Manabu Tsumura,C/o Nichia Corporation KURAMOTO Masafumi,C/o Nichia Corporation MIKI Tomohide. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2005-12-28.

METHOD FOR THINNING, METALIZING, AND DICING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE USING THE METHOD

Номер патента: US20150108612A1. Автор: NUMAGUCHI Hiroyuki. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-23.

Heat-curable silicon resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, and method for producing light emitting device and encapsulated light emitting semiconductor device using the same

Номер патента: KR20140081736A. Автор: 도시오 시오바라,츠토무 가시와기. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2014-07-01.

Method for CVD and apparatus for performing the same in semiconductor device processing

Номер патента: KR100375102B1. Автор: 김종우,김광식,이희태,박윤세. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-03-08.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN111278882B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Jxtg Energy Corp. Дата публикации: 2022-12-30.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN111278883B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Jxtg Energy Corp. Дата публикации: 2022-12-30.

Method for fabricating a lower plate for a capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100338959B1. Автор: 박상희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-01.

Production method for copolymer film, copolymer film for med therefrom, and semiconductor device using said copolymer film

Номер патента: CN1269866C. Автор: 林喜宏,川原润. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100420780B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-03-02.

Method for adjusting characteristic size of reticle pattern for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN107845573B. Автор: 李东根,郑镛席,权星元,金熙范. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-28.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on substrate

Номер патента: AU742589B2. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Evergrand Holdings Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

Light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: CN101197408B. Автор: 井手正仁,三木伦英,大内克哉,藏本雅史,津村学. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-08.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100415239B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-01-14.

Light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: CN101197408A. Автор: 井手正仁,三木伦英,大内克哉,藏本雅史,津村学. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2008-06-11.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN112424256B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Eneos Corp. Дата публикации: 2023-02-17.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100353223B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2002-09-18.

Organic Compound, Organic Semiconductor Material, Organic Thin Film And Method For Producing The Same, Organic Semiconductor Composition, And Organic Semiconductor Device

Номер патента: US20180062087A1. Автор: Sadamitsu Yuichi,Shinamura Shoji,Hamada Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Thermal Conducting Sheet, Method for Manufacturing Thermal Conducting Sheet, Heat Dissipation Member, and Semiconductor Device

Номер патента: US20220084902A1. Автор: Aramaki Keisuke,Kanaya Hiroki,Uchida Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBING HEAT CONDUCTIVE SHEET, METHOD FOR PRODUCING ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBING HEAT CONDUCTIVE SHEET, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190080978A1. Автор: Aramaki Keisuke,KUBO Yusuke,RYOSON Hiroyuki,KUMURA Tatsuo. Владелец: DEXERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20200312687A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat dissipating member, and semiconductor device

Номер патента: CN108463882B. Автор: 荒卷庆辅,内田俊介,金谷纮希,野村优,内田信一. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2022-05-13.

Lead frame, method for partially plating lead frame with noble meta and semiconductor device formed by using the lead frame

Номер патента: KR100266726B1. Автор: 히데오 호리타,치아키 하츠타. Владелец: 기타지마 요시토시. Дата публикации: 2000-09-15.

Method for low stress flip-chip assembly of fine-pitch semiconductor devices

Номер патента: US8530360B2. Автор: Abram M. Castro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Electromagnetic wave absorbing heat transfer sheet, method for producing electromagnetic wave absorbing heat transfer sheet, and semiconductor device

Номер патента: WO2018061712A1. Автор: 久村　達雄. Владелец: デクセリアルズ株式会社. Дата публикации: 2018-04-05.

Thermal conducting sheet, method for manufacturing thermal conducting sheet, heat dissipation member, and semiconductor device

Номер патента: KR101947333B1. Автор: 게이스케 아라마키,신이치 우치다,히로키 가나야. Владелец: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-02-12.

Method for manufacturing external connection electrode, external connection electrode, and semiconductor device

Номер патента: JP3589794B2. Автор: 純一 河西,正孝 水越,豊 牧野,城次 藤森,健一 永重,英二 渡辺,博行 依田,実 仲田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-11-17.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat-radiating member, and semiconductor device

Номер патента: CN111739856A. Автор: 荒卷庆辅,金谷纮希,大门正英. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-10-02.

Method for protecting semiconductor integrated circuit against reverse engineering and semiconductor device

Номер патента: CN111610425A. Автор: 村上洋树. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Non-contact method for monitoring and controlling plasma charging damage in a semiconductor device

Номер патента: US6251697B1. Автор: Pradip K. Roy,Carlos M. Chacon. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Thermal conducting sheet, method for manufacturing thermal conducting sheet, heat dissipation member, and semiconductor device

Номер патента: EP3404708A4. Автор: Shinichi Uchida,Hiroki Kanaya,Keisuke Aramaki. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2019-09-11.

Structure and Method for Monitoring Variation Within an Active Region of a Semiconductor Device Using Scaling

Номер патента: US20080288188A1. Автор: William Y. Chang,Sharon L. Von Bruns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat-radiating member, and semiconductor device

Номер патента: CN111725162A. Автор: 荒卷庆辅,金谷纮希,大门正英. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Fabrication method for chip size package and non-chip size package semiconductor devices

Номер патента: US7632711B2. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: IL303364A. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09837422B2. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: EP3682481A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-22.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20210020669A1. Автор: Chin-Yu Lin,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Su-Yu Yeh,Huai-Jen Tung,Chia-Yun Chen,Ta-Cheng Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991290B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576986B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US09741762B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09935235B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20190304837A1. Автор: Han-Liang Tseng,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Chip packages and methods for forming the same

Номер патента: US20190172805A1. Автор: Wang-Lai Yang. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Chip packages and methods for forming the same

Номер патента: US10770417B2. Автор: Wang-Lai Yang. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Chip packages and methods for forming the same

Номер патента: US20200388585A1. Автор: Wang-Lai Yang. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200144500A1. Автор: Soo Gil Kim,Joo Young MOON,Young Seok Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200403155A1. Автор: Soo Gil Kim,Joo Young MOON,Young Seok Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming a semiconductor package with stress reduction design

Номер патента: US20240334608A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device structure with protection cap and method for forming the same

Номер патента: US20190371653A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20190139895A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Via for semiconductor device connection

Номер патента: US20240250020A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20200118932A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09905633B1. Автор: Chi-Han YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A3. Автор: Sinan Goktepeli,James D Burnett. Владелец: James D Burnett. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A2. Автор: Sinan Goktepeli,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for forming semiconductor device structure with graphene layer

Номер патента: US10818596B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274525A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Source down semiconductor devices and methods of formation thereof

Номер патента: US09911686B2. Автор: Michael Roesner,Martin Mischitz,Manfred Schneegans,Andreas Meiser,Michael Pinczolits. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for forming void-free polysilicon and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09460964B2. Автор: Hyung-Kyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: EP2115771A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-11-11.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: WO2008106284A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066124A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for manufacturing a semiconductor device, as well as a semiconductor substrate

Номер патента: US20060234468A1. Автор: Takeshi Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240332209A1. Автор: KyoWang Koo,JiSik MOON,Hyunseok Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09991125B2. Автор: Chun-Chieh Lin,Huang-Yi Huang,Chen-Yuan Kao,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09786593B1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282517A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20140367864A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070116863A1. Автор: Kazunari Kimino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Methods for forming dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US12080560B2. Автор: Xiaohong Zhou,Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09875934B2. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09673053B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Yi-Wei Chen,Wen-Chin Lin,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Chih-Hsun Lin,Jia-Feng Fang,Wei-Jen Wu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods for forming conductive vias, and associated devices and systems

Номер патента: US20220208606A1. Автор: Dale W. Collins,David S. Pratt,Raju Ahmed,David A. Kewley,Trupti D. Gawai,Radhakrishna Kotti,Ahmed M. Elsied,Chelsea M. Jordan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Methods for forming conductive vias, and associated devices and systems

Номер патента: US20240258167A1. Автор: Dale W. Collins,David S. Pratt,Raju Ahmed,David A. Kewley,Trupti D. Gawai,Radhakrishna Kotti,Ahmed M. Elsied,Chelsea M. Jordan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Cured resin film, semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240352275A1. Автор: Masaya TOBA,Yu Aoki,Yuki IMAZU,Yoshimi HAMANO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

3D packages and methods for forming the same

Номер патента: US09793187B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu,Kung-Chen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240105467A1. Автор: Sanghyun SON,YoungUk Noh,Myungho JUNG. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures

Номер патента: US11769670B2. Автор: Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures

Номер патента: US11769670B2. Автор: Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20210408228A1. Автор: Xiguang Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming hybrid bonding with through substrate via (TSV)

Номер патента: US09991244B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240213144A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device with pure copper wirings and method of manufacturing a semiconductor device with pure copper wirings

Номер патента: US20010035583A1. Автор: Takeshi Kubota,Mitsutoshi Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010005616A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074110B2. Автор: Jung-Kuo Tu,Ching-Kai Shen,Yi-Chuan Teng,Wei-Chu LIN,Hung-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Backside and sidewall metallization of semiconductor devices

Номер патента: US20240194486A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Che Ming Fang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US12106965B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-01.

3D packages and methods for forming the same

Номер патента: US09553070B2. Автор: Chen-Hua Yu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240234309A9. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming semiconductor package structure

Номер патента: US20240258193A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for forming a three-component nitride film containing metal and silicon

Номер патента: EP1044288A2. Автор: Kyoung-Soo Yi,Sang-Won Kang,Won-Yong Koh. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-18.

Semiconductor Devices with a Nitrided Capping Layer

Номер патента: US20230029002A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Chi Chuang,Yuting CHENG,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Tzu Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

System and method for photolithography in semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060172520A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Burn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device structure having air gap and methods of forming the same

Номер патента: US20230386901A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

System and method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09721853B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ming-Te Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming dielectric films of anodized aluminum-silicon alloy having effect of switching conductivity

Номер патента: RU2657096C2. Автор: Александр Степанович Рудый,Аркадий Евгеньевич Бердников,Валерий Николаевич Гусев,Александр Афанасьевич Попов,Владимир Дмитриевич Черномордик,Михаил Олегович Изюмов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова" (ЯрГУ). Дата публикации: 2018-06-08.

Processing system and methods for forming void-free and seam-free tungsten features

Номер патента: US20240209500A1. Автор: Kai Wu,Kazuya DAITO,Harpreet Singh,Michael C. Kutney,Peiqi Wang,Wei Min Chan,Xi CEN,Mingrui ZHAO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

System and method for forming solder bumps

Номер патента: WO2021018466A1. Автор: Jae-Woong Nah,Jeng-Bang Yau,Peter Jerome Sorce,Eric Peter Lewandowski. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2021-02-04.

Bonding contacts having capping layer and method for forming the same

Номер патента: US20210091033A1. Автор: YUAN Li,Liang Ma,Jie Pan,Xianjin Wan,Si Ping HU,Shu Liang Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device having stacked capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240268094A1. Автор: Yen-Min RUAN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US11916037B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US20230238354A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US20190198341A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US11018015B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Radiation Detector and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180315882A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Hacker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for manufacturing capacitor array, capacitor array, and semiconductor device

Номер патента: US20230231007A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device, method for manufacturing same, light-emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US20170084793A1. Автор: Tae Geun Kim,Kyung Heon KIM. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US8153449B2. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-04-10.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US20110223692A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-15.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: EP2156467A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-02-24.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080048228A1. Автор: Takashi Sakoh,Mami Toda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device, method for manufacturing same, light-emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US09768359B2. Автор: Tae Geun Kim,Kyung Heon KIM. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Composition for forming resist protection film for lithography and method for forming pattern of semiconductor device using the same

Номер патента: US09423692B2. Автор: Jae Hyun Kim,Hyun Jin Kim,Man Ho Han,Jong Kyoung Park. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing a front electrode of a semiconductor device

Номер патента: US20160260851A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2016-09-08.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing the same

Номер патента: US12046696B2. Автор: Martin Behringer,Tansen Varghese,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20050271823A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Resist compound for photolithography, method for forming the same, and method for manufacturing semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240255849A1. Автор: JINKYUN Lee,Gayoung KIM,Yejin KU. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing a front electrode of a semiconductor device

Номер патента: US09508877B2. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220029035A1. Автор: Chih-Hsien Chen,Wen-Chih Lu,Han-Liang Tseng,Yin Chen,Kwang-Ming Lin,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN,Jiunn-Liang Yu,Si-Twan CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20090184290A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Device and method for individual finger isolation in an optoelectronic device

Номер патента: US20130049154A1. Автор: Andreas Hegedus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Methods for forming articles having very small channels therethrough, and such articles, and methods of using such articles

Номер патента: WO2003079374A3. Автор: Thomas W. Eagar,Christopher S. Musso. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210217906A1. Автор: Chih-Hsien Chen,Wen-Chih Lu,Han-Liang Tseng,Yin Chen,Kwang-Ming Lin,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN,Jiunn-Liang Yu,Si-Twan CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for Manufacturing a Radiation-Emitting Semiconductor Component and Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200013926A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor die package with ring structure and method for forming the same

Номер патента: US12068260B2. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Chen Lee,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor die package with ring structure and method for forming the same

Номер патента: US20240363551A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Chen Lee,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US09676892B2. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Organic photoelectric semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8692235B2. Автор: Ten-Chin Wen,Sung-Nien Hsieh,Tzung-Fang Guo,Wei-Chou Hsu,Chen-Yan Li. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2014-04-08.

Method for producing doped organic nanoparticles, method for producing a functional layer, functional layer, and organic semiconductor device

Номер патента: EP4299647A1. Автор: Christoph Brabec,Junyi Xu,Thomas HEUMÜLLER. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for protecting gate edges from charge gain/loss in semiconductor device

Номер патента: US6808996B1. Автор: Yu Sun,Mark T. Ramsbey,Sameer S. Haddad,Chi Chang,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-10-26.

Method for forming laminated resin film and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20110306185A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for processing the beam of neutral particles based on the technology for processing the beam of gas cluster ions and obtained by such as a product

Номер патента: RU2648961C2. Автор: Майкл Дж. УОЛШ,Шон Р. КИРКПАТРИК,Аллен Р. КИРКПАТРИК. Владелец: Эксодженезис Корпорейшн. Дата публикации: 2018-03-28.

Method for producing treatment for processing insulating coating, method for producing steel sheet with insulating coating and device for producing mortar for processing for formation of insulation

Номер патента: RU2753539C1. Автор: Тосито ТАКАМИЯ,Такаси ТЭРАСИМА,Карин КОКУФУ,Макото ВАТАНАБЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-08-17.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Dynamically adjusting operation of a circuit within a semiconductor device

Номер патента: US20090072855A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Raghukiran Sreeramaneni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for reducing particles and defects during flash memory fabrication

Номер патента: US20030181008A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Inverter for forming high-speed power driving circuit of semiconductor device

Номер патента: KR100410813B1. Автор: 여정현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-30.

Method for manufacturing a dynamic random access memory cell

Номер патента: US5270239A. Автор: Jae K. Kim,Wi S. Min. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-12-14.

A method for analog-to-digital conversion, analog-to-digital converter, semiconductor device for detecting the distribution of physical quantities and electronic device

Номер патента: DE602005013469D1. Автор: Noriyuki Fukushima,Yoshikazu Nitta,Yoshinori Muramatsu,Yukihiro Yasui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for producing ceramic and apparatus for producing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: KR100476495B1. Автор: 나토리에이지. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-03-17.

Making method for light emitting device by ink jet printing and semiconductor device using the same

Номер патента: KR20230068909A. Автор: 박병주. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for manufacturing material for use in manufacturing electroluminescent organic semiconductor devices

Номер патента: EP2381503B1. Автор: Janos Veres. Владелец: Polyphotonix Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: US09529037B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Kk Wind Solutions As. Дата публикации: 2016-12-27.

Systems and methods for stable and elevated idle-mode temperature for assembled semiconductor devices

Номер патента: EP4409378A1. Автор: Marc Beuchat,Phani Kumar Kandula,Nikos Kaburlasos,David N. Lombard,Eric J.M. Moret,John Kelbert,Brad Bittel,Mark J. LUCKEROTH,Rodrigo VIVI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US11898266B2. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US20230340689A1. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Systems and methods for stable and elevated idle-mode temperature for assembled semiconductor devices

Номер патента: WO2023055461A1. Автор: Marc Beuchat,Phani Kumar Kandula,Nikos Kaburlasos,David N. Lombard,Eric J.M. Moret,Rodrigo De Oliveira Vivi,John Kelbert,Brad Bittel,Mark J. LUCKEROTH. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-04-06.

Apparatus and method for the parallel and independent testing of voltage-supplied semiconductor devices

Номер патента: US6903565B2. Автор: Udo Hartmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

Device and methods for reducing peak noise and peak power consumption in semiconductor devices under test

Номер патента: US20200049765A1. Автор: Jong-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Apparatus and method for identifying proper orientation and electrical conductivity between a semiconductor device and a socket or contactor

Номер патента: US20080218174A1. Автор: James Barnett,Carlos Cisneros,Charles Engle,Maria Evans. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089508B2. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12022739B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for forming a resist pattern

Номер патента: US20240219834A1. Автор: Tokio Nishita,Takahiro Kishioka,Shun KUBODERA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming memristive structures based on composite oxides with nanoparticle agglomerate

Номер патента: RU2767721C1. Автор: Владимир Петрович Жалнин,Вадим Анатольевич Шахнов,Андрей Игоревич Власов,Константин Александрович Муравьев,Александр Александрович Расюк,Олег Вячеславич Косьянов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана (Национальный Исследовательский Университет)". Дата публикации: 2022-03-18.

Apparatuses and methods for controlling wordlines and sense amplifiers

Номер патента: US09984739B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for forming a pattern and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050153245A1. Автор: Yasunobu Onishi,Yasuhiko Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for forming pre-metal dielectric layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100508531B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-08-17.

ANTIREFLECTIVE ORGANIC COATING COMPOSITION, METHOD FOR FORMING PHOTORESIST PATTERNS USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE THEREBY

Номер патента: FR2842533B1. Автор: Jae Chang Jung,Ki Soo Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-24.

PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, MONOMER FOR PRODUCING RESIN FOR SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESS, RESIN, METHOD FOR PRODUCING RESIN, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM

Номер патента: US20180299776A1. Автор: GOTO Akiyoshi,Yonekuta Yasunori,Hatakeyama Naoya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-10-18.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US20200363978A1. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US11449258B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

DEVICE AND METHODS FOR REDUCING PEAK NOISE AND PEAK POWER CONSUMPTION IN SEMICONDUCTOR DEVICES UNDER TEST

Номер патента: US20200049765A1. Автор: HWANG Jong-Tae. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

APPARATUSES AND METHODS FOR EXTRACTING DEFECT DEPTH INFORMATION AND METHODS OF IMPROVING SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESSES USING DEFECT DEPTH INFORMATION

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Lee Dong-Ryul,Ahn Jeong-Ho,Chin Soo-Bok,LEE Byoung-ho,Sun Jong-Cheon,Ihm Dong-Chul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for measuring aberation of lens in exposing device of semiconductor device

Номер патента: KR100682177B1. Автор: 김희범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-12.

Production method for exposure mask, exposure mask, and production method of semiconductor device

Номер патента: WO2003071590A1. Автор: Minoru Sugawara. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2003-08-28.

METHOD FOR ESTIMATING THE END OF LIFETIME FOR A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140125366A1. Автор: Rannestad Bjørn,Thøgersen Paul Bach. Владелец: KK-ELECTRONIC A/S. Дата публикации: 2014-05-08.

SYSTEMS AND METHODS FOR DEPOPULATING PINS FROM CONTACTOR TEST SOCKETS FOR PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180106835A1. Автор: Tong Kay Chan,Ata Hisashi,Shwe Thiha. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Systems and Methods for Depopulating Pins from Contactor Test Sockets for Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20200141974A1. Автор: Tong Kay Chan,Ata Hisashi,Shwe Thiha. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

METHOD FOR INSPECTING PATTERN AND AN APPARATUS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160275663A1. Автор: Yang Seunghune,YANG Kiho,CHI KAIYUAN. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Apparatus and method for collecting contaminants from an air flow for manufacturing semiconductor devices and system using the same

Номер патента: US20070039470A1. Автор: Ha-Na Kim,Yo-han Ahn,Dong-Seok Ham,Chang-Min Cho,Kwang-Min Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-22.

Systems And Methods For Predicting And Managing Power And Energy Use Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210157966A1. Автор: Huilgol Ninad,Crowl Lawrence. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Circuit and method for reducing number of data input and output and semiconductor device

Номер патента: JPH1152028A. Автор: Gyu-Hong Kim,金奎泓. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-02-26.

Method for manufacturing the half tone phase shift mask of semiconductor device

Номер патента: KR100588910B1. Автор: 박세진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-09.

Method for manufacturing iron silicide layer, semiconductor substrate, and optical semiconductor device

Номер патента: JP3979115B2. Автор: 健志 山口,一樹 水嶋,文夫 長谷川,崇 末益. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2007-09-19.

Method for metal plating, pretreating agent, and semiconductor wafer and semiconductor device using same

Номер патента: CN1420944A. Автор: 熊谷正志,关口淳之辅,伊森徹. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-28.

Method for extracting the distribution of charge stored in a semiconductor device

Номер патента: WO2006128922A1. Автор: Arnaud Furnémont. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw. Дата публикации: 2006-12-07.

Carbon hybrid fiber including conductive complex, method for manufacturing the same, and functional textile assembly and semiconductor device using the same

Номер патента: KR20150144502A. Автор: 오영석,이강은,이원오,정병문,엄문광,성동기,이제욱. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2015-12-28.

Photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, patterned cured film, and semiconductor device

Номер патента: KR20230029588A. Автор: 마사히로 하시모토,데루아키 스즈키,유 아오키,요시미 하마노. Владелец: 레조낙 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2023-03-03.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US10604859B2. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US20180087169A1. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for manufacture of mineral fiber panel containing one or more cavities of predetermined shape

Номер патента: RU2265091C2. Автор: Оле Легтольт ПЕДЕРСЕН. Владелец: РОКВУЛ ИНТЕРНЭШНЛ А/С. Дата публикации: 2005-11-27.

Antiembolic protection device, method for its folding and forming device

Номер патента: RU2742690C2. Автор: Оливер ШУМАХЕР,Михаель ПФЕННИГ,Виктор Альфонсе ХИМЕНЕС ДИАС,Конрад РАСМУС,Карл ФОН МАНГОЛЬД. Владелец: Протембис Гмбх. Дата публикации: 2021-02-09.

Photoresist compositions, methods for forming pattern using the same, and methods for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220128905A1. Автор: Jung Min Lee,Jong Hoon Kim,Suk Koo Hong,Eun Shoo Han,Sung An Do,Hong Joon Lee,Seung Chul Kwon,Sin Hae Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Preparation of treatment composition and bath maintenance system and method for treatment formed therefrom

Номер патента: RU2721259C1. Автор: Эрик Л. МОРРИС,Гордон Л. ПОСТ,Майкл А. МЭЙО,Эдвард Ф. РАКИЕВИЧ,Майкл Дж. ПАУЛИК. Владелец: Прк-Десото Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2020-05-18.

Method for forming a two-thread two-line chain stitch and a device for its implementation

Номер патента: RU2756206C1. Автор: Олег Петрович Бутенко,Виктория Анатольевна Зинькова,Ольга Викторовна Костина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова». Дата публикации: 2021-09-28.

Method for manufacturing a component of a device for precipitation of drops (variants)

Номер патента: RU2310566C2. Автор: Пол Рэймонд ДРУРИ. Владелец: Ксаар Текнолоджи Лимитед. Дата публикации: 2007-11-20.

Method for integrated processing of mixed wastes into useful products

Номер патента: RU2742647C2. Автор: Мария Александровна Соничева,Юрий Александрович Кортунов,Захар Владимирович Тимошенко,Михаил Юрьевич Марцинковский. Владелец: Михаил Юрьевич Марцинковский. Дата публикации: 2021-02-09.

Method for manufacturing a smoking product

Номер патента: RU2771509C1. Автор: Норио ЯМАМОТО,Риодзи Фудзита,Кадзухико КАТАЯМА,Такеси Синкава. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2022-05-05.

Extrusion head, extruder and method for forming extruded or co-extruded pieces of food product, extruded or co-extruded pieces of food product formed by means of specified method

Номер патента: RU2753243C2. Автор: Эмильен ЭСТЭВ,Реми ТОНЕ БРЮШЕ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2021-08-12.

System, machine-readable media and method for core analysis by images

Номер патента: RU2760105C1. Автор: Ксения Ахатовна Габдрахманова,Тимур Венерович Мамяшев,Дмитрий Александрович Степанов,Тимур Альфредович Салимов,Данил Петрович Кульминский,Владислав Владимирович Ефимов,Владислав Игоревич Горбунов. Владелец: Публичное акционерное общество «Газпром нефть». Дата публикации: 2021-11-22.

Pharmaceutical substance for forming drug preparations based on gramicidin c and a method for production thereof (versions), pharmaceutical substance for forming drug preparations of prolonged action based on gramicidin c and a method for production thereof (versions)

Номер патента: RU2733715C2. Автор: Владлен Борисович Калустов,Александр Алексеевич Дранников. Владелец: Акционерное Общество "Производственная Фармацевтическая Компания Обновление". Дата публикации: 2020-10-06.

Polylayers glass container from transparent glass and amber pigmented glass and method for manufacturing the same

Номер патента: RU2266261C2. Автор: Рональд Т. МАЙЕРС,Рональд А. ЧИРИНЧОНЕ,У. Алан ПУЛОС. Владелец: Оуэнс-Броквэй Гласс Контейнер Инк.. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for forming an osteochondral defect in animal experiments

Номер патента: RU2759474C1. Автор: Евгений Александрович Коновалов. Владелец: Евгений Александрович Коновалов. Дата публикации: 2021-11-15.

Method for forming an open stamped element, in particular for forming a wrapping box of tray with a lid type, and cardboard machine

Номер патента: RU2756945C2. Автор: Маурицио ЧЕЧИ. Владелец: Тайбер Пэк С.П.А.. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for intensive growing potatoes with soil enrichment with water using a supersorbent with drop irrigation

Номер патента: RU2729812C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2020-08-12.

Method for forming of ceramic coat, target for performing the same, and method for manufacturing the target

Номер патента: RU2320772C2. Автор: Бертран СЕН-РАМОН,Андре МАЛИ,Кристоф ШАПЮ,Кирилл ДЕЛАЖ,Изабель ПОРТЕ. Владелец: Снекма Моторс. Дата публикации: 2008-03-27.

System and method for forming appliance for oral care

Номер патента: RU2707516C2. Автор: Алан СОРРЕНТИНО,Стивен Нельсон. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2019-11-27.

METHOD FOR FORMING A LAYER OF A SINGLE-PHASE OXIDE (Fe,Cr)2O3 WITH A RHOMBOHEDRAL STRUCTURE ON A SUBSTRATE MADE OF STEEL OR A HEAT-RESISTANT ALLOY

Номер патента: RU2769915C1. Автор: Оливье РАККЮР,Жан-Мари ГЕНТЗБИТТЕЛЬ,Оливье СИКАРДИ,Франсис БУРГИНЬОН,Пьер-Жан МАРШЕ. Владелец: Маннесманн Пресизьон Тюб Франс. Дата публикации: 2022-04-08.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming multi-gate device

Номер патента: CN102856181A. Автор: 陈大鹏,徐秋霞,殷华湘. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-02.

The method for forming protection layer of metal interconnects in semiconductor device

Номер патента: TW332338B. Автор: Rae Lee Jeong,Jae Kim Min. Владелец: Hyundai Eletronics Ind Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-21.

HEXACENE DERIVATIVE, METHOD FOR FORMING HEXACENE, METHOD FOR FORMING HEXACENE CRYSTAL, PROCESS FOR MAKING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140124740A1. Автор: Chow Ta-Hsin,Watanabe Motonori. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for manufacturing dual-layer gate of a metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW457569B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-10-01.

Manufacturing method for increasing the current driving capability of high-power semiconductor device

Номер патента: TW452871B. Автор: Lin-Jung Huang,Ke-Yu Yu,Yun-Shiang Ge. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-01.

Detecting method for inner short-circuit on internumerical structures in encased semiconductor devices

Номер патента: CS334287A1. Автор: Jaroslav Rndr Homola,Jaroslav Rndr Zamastil,Ilja Prom Fyz Muller,Miroslav Rndr Skaloud. Владелец: Miroslav Rndr Skaloud. Дата публикации: 1989-02-10.

Method for forming a gate electrode of a nonvolatile semiconductor device

Номер патента: KR980012447A. Автор: 홍영기. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

A kind of method for forming n-type buried regions in the semiconductor device

Номер патента: CN104392912B. Автор: 胡强,张世勇,王思亮. Владелец: Dongfang Electric Corp. Дата публикации: 2017-11-10.

Method for forming an alignment key pattern of a semiconductor device

Номер патента: KR970072014A. Автор: 권오철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for forming low dielectric constant insulator film and semiconductor device using the same

Номер патента: JPH10209148A. Автор: Toshiaki Hasegawa,利昭 長谷川. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-08-07.

MULTI-GATE SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130113042A1. Автор: Yu Tsung-Hsing,Goto Ken-Ichi,Wu Zhiqiang,Hsieh Wen-Hsing,SHEU YI-MING,WANG CHIH-CHING,Ho Jon-Hsu,Huang Ching-Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-05-09.

Collimator for forming of metal thin film in the semiconductor device

Номер патента: KR970000962B1. Автор: Kyung-Soo Cho. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-01-21.

METHODS FOR NORMALIZING STRAIN IN SEMICONDCUTOR DEVICES AND STRAIN NORMALIZED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130032894A1. Автор: Bernstein Kerry,Balch Bruce,Ellis-Monaghan John Joseph,Habib Nazmul. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120012862A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-19.

METHOD FOR TESTING TRAP DENSITY OF GATE DIELECTRIC LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NO SUBSTRATE CONTACT

Номер патента: US20120187976A1. Автор: Huang Ru,Fan Jiewen,Wang Runsheng,Wang Yangyuan,Zou Jibin,Liu Changze. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL CRYSTAL SUBSTRATE, EPITAXIAL CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299061A1. Автор: Momoi Hajime,Kakuta Koji. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

METHODS FOR REMOVING SILICON NITRIDE SPACER, FORMING TRANSISTOR AND FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130109173A1. Автор: LIU HUANXIN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for correcting error of alignment measurement and production of semiconductor device

Номер патента: JPH1089921A. Автор: Yoshikatsu Tomimatsu,喜克 富松. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-04-10.

Method for improving critical size differences of different areas of semiconductor device

Номер патента: CN103295894A. Автор: 秦伟,高慧慧,杨渝书. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-11.

Porous silica film precursor composition, method for producing porous silica film, porous silica film, and semiconductor device

Номер патента: JP5988817B2. Автор: 貴久 山崎,正明 平川,高博 中山,一誠 東條,中山　高博,平川　正明,剛 加賀美. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2016-09-07.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6969628B2. Автор: 勉 堀,圭司 和田,太郎 西口. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Method for manufacturing circuit board with built-in part, and semiconductor device

Номер патента: JP2015002295A. Автор: Shigeo Nakamura,茂雄 中村,中村　茂雄,弘久 奈良橋,Hirohisa Narabashi. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2015-01-05.

Method for manufacturing p-type group iii nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: JP2021182597A. Автор: 隆弘 藤井,Takahiro Fujii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing p-type boron phosphide semiconductor layer, compound semiconductor device, and light emitting diode

Номер патента: JP3639275B2. Автор: 隆 宇田川. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-04-20.

Evaluation method for evaluating positional relationship between PN junction surface of semiconductor device and bottom of trench

Номер патента: JP4815861B2. Автор: 規仁 戸倉,建策 山本,善彦 尾関. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-11-16.

Adhesive film, method for producing cured body, cured body, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: JP6617811B2. Автор: 茂雄 中村,中村　茂雄,賢司 川合. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2019-12-11.

Method for carrying out auger analysis on bonding pad of semiconductor device structure

Номер патента: CN102455306A. Автор: 李明,段淑卿,齐瑞娟,杨卫明,芮志贤. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

Method for producing gallium nitride substrate, gallium nitride substrate, and semiconductor device

Номер патента: JP2009073710A. Автор: Osamu Yamada,Koichi Hiranaka,修 山田,Tsutomu Takauo,力 高魚,Takamasa Matsuda,恭昌 松田,Takashi Minemoto,尚 峯本,弘一 平中,健 畑山,Takeshi Hatayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for measuring gate-to-body current of metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW546484B. Автор: Ke-Wei Su,Jau-Kang He. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-11.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

STRUCTURE PROVIDED WITH ZEOLITE SEPARATION MEMBRANE, METHOD FOR PRODUCING SAME, METHOD FOR SEPARATING MIXED FLUIDS AND DEVICE FOR SEPARATING MIXED FLUIDS

Номер патента: US20120000358A1. Автор: MORI Nobuhiko,KAWAI Masaaki,SATOH Aya,TOMITA Toshihiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REPAIRING GAS TURBINE BLADES AND GAS TURBINE BLADE

Номер патента: US20120000890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR FORMING SURFACE PROCESSED DATA

Номер патента: US20120001908A1. Автор: Takahashi Kenji,Kikuta Mamoru,Miura Kenjiro,Uzuyama Daijiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING CAPSULE SERIES, AND RELATED CAPSULE SERIES

Номер патента: US20120003285A1. Автор: Bibette Jérôme,Chu Liang-yin,Santanach Carreras Enric,Royere Audrey,Bremond Nicolas. Владелец: CAPSUM. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING HEAD

Номер патента: US20120001976A1. Автор: . Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVELY TRACKING MULTIPLE MOVING OBJECTS USING A MONITORING CAMERA

Номер патента: US20120002056A1. Автор: HONG Sang-Jin,NAM Yun-Young,CHO Shung-Han,KIM Yang-Weon,CHO We-Duke,HWANG Yong-Hyeon. Владелец: Ajou University Industry-Academic Corporation Foundation. Дата публикации: 2012-01-05.

AMINE AQUEOUS SOLUTION FOR FORMING AN ACTIVE LAYER OF POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE, POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE PREPARED THEREBY, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method For Producing A Porcelain Enamel Logo On A Porcelain Enamel Background On A Grill Component With Preselected Colors

Номер патента: US20120003445A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SERIAL VALVES AND HUBS FOR TUBULAR DEVICES AND METHODS FOR MAKING AND USING THEM

Номер патента: US20120004622A1. Автор: . Владелец: AUST DEVELOPMENT, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EASY OPEN END

Номер патента: US20120000340A1. Автор: Kubo Hiroshi,Kojima Katsumi,Yamanaka Yoichiro,Tada Masaki,Iwasa Hiroki. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Corrosion Protection Treatment

Номер патента: US20120000591A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for grouping precursor and fragment ions using selected ion chromatograms

Номер патента: US20120001066A1. Автор: Geromanos Scott J.,Silva Jeffrey Cruz,GORENSTEIN Marc Victor,LI Guo-Zhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20120003598A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEIC ACID MOLECULE CAPABLE OF BINDING TO 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON, METHOD FOR DETECTING COMPOUND HAVING 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON USING THE NUCLEIC ACID MOLECULE, AND USE OF THE NUCLEIC ACID MOLECULE

Номер патента: US20120003749A1. Автор: . Владелец: NEC SOFT, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Uses of Protein Precursors as Prodrugs

Номер патента: US20120004398A1. Автор: Wang Yan,SHEN Wei-Chiang. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and Method for Fixing a Component in Position on a Component Carrier

Номер патента: US20120000601A1. Автор: Fessler-Knobel Martin,Huttner Roland. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DESIGNING METHOD FOR DIMPLE PATTERN OF GOLF BALL

Номер патента: US20120004053A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND ASSOCIATED METHOD FOR PREVENTING OVERFILLING IN A DISHWASHER

Номер патента: US20120000535A1. Автор: Poyner Dennis A.,Mitchell Glen,Duckworth Jason,DeFilippi John,Francisco Virgil J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

EMBOSSED TEXTURED WEBS AND METHOD FOR MAKING

Номер патента: US20120003423A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for coiling rolled rod and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2270730C1. Автор: Андрей Владимирович Лукьянов,нов Андрей Владимирович Лукь,Владимир Станиславович Некипелов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МТ груп". Дата публикации: 2006-02-27.

Method for actualization of digital area map and device for realization of said method

Номер патента: RU2246695C2. Автор: В.Л. Кашин,Л.И. Яблонский. Владелец: 29 Нии Мо Рф. Дата публикации: 2005-02-20.

Method for preventing aircraft from colliding with ground and device based on said method

Номер патента: RU2262746C1. Автор: В.И. Бабуров,Т.Б. Гальперин,А.В. Маслов,Н.В. Мороз,Ю.Г. Волчок,С.В. Губкин,О.И. Саута,Г.Г. Пухов,М.А. Водов. Владелец: ЗАО "ВНИИРА-Навигатор". Дата публикации: 2005-10-20.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Form manufacturing method for articles of laminate polymeric composition materials

Номер патента: RU2309044C1. Автор: Евгений Федорович Харченко,Анна Станиславовна Твердова,Галина Анатольевна Мокеева. Владелец: Закрытое акционерное общество Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты". Дата публикации: 2007-10-27.

Method for one-positional measurement of laser emission source coordinates and device for realization of said method

Номер патента: RU2269795C1. Автор: Александр Юрьевич Козирацкий,Юрий Леонтьевич Козирацкий,Руслан В чеславович Перевозов,Руслан Вячеславович Перевозов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военный институт радиоэлектроники. Дата публикации: 2006-02-10.

Method for forming nano-(micro-)systems from carbon nanotubes

Номер патента: RU2306257C1. Автор: Эдуард Анатольевич Ильичев,Геннадий Сергеевич Рычков,Константин Анатольевич Царик,Эдуард Алексеевич Полторацкий,Виталий Николаевич Инкин,Василий Газизович Гарипов. Владелец: ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина". Дата публикации: 2007-09-20.

Method and device for forming high-speed no-containing gas flow for action on biological object

Номер патента: RU2597131C2. Автор: Евгений Владимирович Печёнкин. Владелец: Евгений Владимирович Печёнкин. Дата публикации: 2016-09-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.