Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

반도체 소자의 트랜지스터 형성 방법

Номер патента: KR101025736B1
Опубликовано: 04-04-2011
Автор(ы): 최신규
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20190326178A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118883A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118882A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Method to simultaneously form both fully silicided and partially silicided dual work function transistor gates during the manufacture of a semiconductor device, semiconductor devices, and systems including same

Номер патента: US20060205133A1. Автор: Suraj Mathew,Jigish Trivedi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-14.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for forming epitaxial Co self-align silicide for semiconductor device

Номер патента: US6077750A. Автор: Jeong Soo Byun,Dong Kyun Sohn. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Method for implanting ions to a wafer for manufacturing of semiconductor device and method of fabricating graded junction using the same

Номер патента: TWI278921B. Автор: Sun-Hwan Hwang,Seung-Woo Jin,Kyoung-Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-11.

Method for forming laterally varying doping concentrations and a semiconductor device

Номер патента: CN103531450A. Автор: Y.加利纳,F.J.尼德诺斯泰德,H-J.舒尔策. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-22.

Method for doping semiconductor layer, method for producing thin film semiconductor element and thin film semiconductor device

Номер патента: CN1251307C. Автор: 町田晓夫,碓井节夫,达拉姆·P·戈塞恩. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL SUPER JUNCTION DRIFT LAYER OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160315142A1. Автор: ZHANG BO,Zhang Jinping,LI Zehong,SONG Wenlong,SONG Xunyi,GU Hongming,ZOU Youbiao. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming the MOS transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100400249B1. Автор: 박상욱,곽노열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

METHOD FOR ELIMINATING DISLOCATIONS IN ACTIVE AREA AS WELL AS SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190341262A1. Автор: Zhou Jun,Li Yun,XU Jingjing,LUO Qingwei. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240243186A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Fin field effect transistor (finFET) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US10361085B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US20170213738A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170077267A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore PteLtd. Дата публикации: 2017-03-16.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160043173A1. Автор: Chun-Hsiung Lin,Huan-Just Lin,Chi-Cheng Hung,Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

METHOD FOR IMPROVING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING SiGe FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY USING THIS METHOD

Номер патента: KR100519202B1. Автор: 요시다아끼라,바바도모야. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-10-06.

Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device using photo enhanced CVD

Номер патента: US5094966A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1992-03-10.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A4. Автор: Marius K Orlowski,James D Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: WO2005104225A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-12-06.

Improving mosfet performance by employing an improved method for forming halo implants

Номер патента: EP1188181A2. Автор: Rajesh Rengarajan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7338876B2. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-04.

Method for fabricating recess gate and recess channel in semiconductor device

Номер патента: CN101399194B. Автор: 赵瑢泰,金殷美. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-22.

Method for controlling surface charge on wafer surface in semiconductor fabrication

Номер патента: US20160307757A1. Автор: Chen-Hsiang LU,Shao-Yen Ku,Weibo Yu,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for forming sidewall in fork-shaped structure and semiconductor device with fork-shaped structure

Номер патента: EP4228008A1. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210313449A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20210013338A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and associated method for manufacturing

Номер патента: US20140183627A1. Автор: Rongyao Ma,Tieshing Li. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for forming field cut-off layer in semiconductor device

Номер патента: CN105206516A. Автор: 胡强,张世勇,王思亮. Владелец: Dongfang Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-30.

METHOD FOR DETERMINING CHARACTERISTICS SMALLER THAN A MICROMETER IN SEMICONDUCTOR DEVICES.

Номер патента: NL8204152A. Автор: . Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1983-05-16.

Method for forming gate electrode and salicide contact of semiconductor devices

Номер патента: KR100315451B1. Автор: 김서원. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-28.

METHOD FOR SELECTIVELY DEPOSITING A GROUP IV SEMICONDUCTOR AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190027584A1. Автор: Tolle John,Margetis Joe. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures

Номер патента: US11018002B2. Автор: John Tolle,Joe Margetis. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-05-25.

Methods for forming contacts for dual stress liner CMOS semiconductor devices

Номер патента: US7816271B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kyoung Woo Lee,Ja Hum Ku,WanJae Park,Chong Kwang Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Structure of and fabricating method for a thin film transistor

Номер патента: US5578838A. Автор: Seok W. Cho,Jong M. Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-26.

Fabricating method for a thin film transistor with a negatively sloped gate

Номер патента: US5766988A. Автор: Jong Moon Choi,Seok Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Methods of forming transistors and methods of manufacturing semiconductor devices including the same

Номер патента: KR101617252B1. Автор: 최두환,윤정봉,최창원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-05-02.

Semiconductor device structure with glue layer and method for forming the same

Номер патента: US20230290638A1. Автор: Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Cheng-Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US9312376B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor device and method for forming silicide layers

Номер патента: WO2008115542A1. Автор: Romain Coppard,Jérôme LOLIVIER. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2008-09-25.

Method for forming semiconductor device with low sealing loss

Номер патента: US20160141386A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Yen-Liang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Dual gate of semiconductor device capable of forming a layer doped in high concentration over a recessed portion of substrate for forming dual gate with recess channel structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090121224A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230091153A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

A method for forming rectangular-shape spacers for semiconductor devices

Номер патента: WO2005069362A1. Автор: Huicai Zhong,Srikanteswara Dakshina-Murthy. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-07-28.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for forming fully silicided gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: US7659189B2. Автор: Chien-Ting Lin,Li-Wei Cheng,Che-Hua Hsu,Guang-Hwa Ma,Yao-Tsung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

Method for forming a gate of a high integration semiconductor device

Номер патента: US20020093066A1. Автор: Young-Hun Bae,Won-sung Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072171A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11848383B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

An apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor substrates

Номер патента: WO2007024332A3. Автор: Pedro Vagos. Владелец: Accent Optical Tech Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

An apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor substrates

Номер патента: WO2007024332A2. Автор: Pedro Vagos. Владелец: Accent Optical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

Method for forming self-aligned isolation trenches in semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20150171162A1. Автор: Tzung-Han Lee,Yaw-Wen Hu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Polycrystalline film, method for forming polycrystalline film, laser crystallization device and semiconductor device

Номер патента: US11791160B2. Автор: Hiroshi Ikenoue,Jun Gotoh,Kaori Saito. Владелец: V Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150179528A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190067012A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chun-Hsiung Lin,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chun-An Lin,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US20160190013A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20160064486A1. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Methods for forming a semiconductor device using tilted reactive ion beam

Номер патента: US20190295848A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with supporting structures and method for forming the same

Номер патента: US20240047549A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US12051594B2. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for forming semiconductor device structure having oxide layer

Номер патента: US20200020544A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150187940A1. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140235058A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Klemens Pruegl,Wolfgang Lehnert,Franz Hirler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device including gas spacers and method of manufacture

Номер патента: US12068389B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11145733B1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Po-Wen Su,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US20220223712A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US11848370B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for forming a split-gate device

Номер патента: US20150279854A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for forming a self align contact in semiconductor device and manufacturing a semiconductor device using for same

Номер патента: KR100457038B1. Автор: 황기현,신승목,한재종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-10.

Production method of T-shaped gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US5304511A. Автор: Masayuki Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

METHOD FOR FORMING ELEMENTS LESS THAN MICRON IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2517881B1. Автор: Eliezer Kinsbron,William Thomas Lynch. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-03-21.

METHOD FOR FORMING MICRON LOWER SIZE ELEMENTS IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2517881A1. Автор: Eliezer Kinsbron,William Thomas Lynch. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1983-06-10.

Method for forming junction of vertical cell in semiconductor device

Номер патента: KR101116357B1. Автор: 이보미. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-09.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9520483B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for manufacturing soi structure in desired region of a semiconductor device

Номер патента: US20090186463A1. Автор: Min Jung SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Tantalum semiconductor contacts and method for fabricating same

Номер патента: CA1111570A. Автор: Hormazdyar M. Dalal,Majid Ghafghaichi,Hans Wimpfheimer,Lucian A. Kasprzak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-10-27.

Method for forming a fine contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US5767019A. Автор: Sang Wook Kim,Hae Jung Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Manufacturing method for filling a trench or contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US5824562A. Автор: Tai-su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-20.

Methods for forming shallow junctions in semiconductor wafers

Номер патента: EP1019952A1. Автор: Daniel F. Downey. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2000-07-19.

Methods for forming ultrashallow junctions with low sheet resistance

Номер патента: WO2002086953A1. Автор: Daniel F. Downey. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240322009A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Epitaxial process for forming semiconductor devices

Номер патента: US20130130461A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device and method for producing thereof

Номер патента: EP4135050A1. Автор: Hans Weber,Andreas Vörckel,Tobias Höchbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-02-15.

Method for Forming Sidewall in Forksheet Structure and Forksheet Semiconductor Device

Номер патента: US20230261081A1. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for preventing key hole from being generated in semiconductor device

Номер патента: KR100423065B1. Автор: 안성환,임태정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-10.

Method for forming sidewall in fork-shaped structure and semiconductor device with fork-shaped structure

Номер патента: EP4228008A4. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

METHOD FOR CONTROLLING SURFACE CHARGE ON WAFER SURFACE IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20160307757A1. Автор: Ku Shao-Yen,Chuang Jui-Ping,LU Chen-Hsiang,Yu Weibo. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Method for manufacturing a spin on glass film in a semiconductor device

Номер патента: KR100246779B1. Автор: 권혁진,홍상기,전상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12100765B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Floating gate prevention and capacitance reduction in semiconductor devices

Номер патента: US20210013322A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20130115743A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220068723A1. Автор: TAO Hu,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiao Dong Shi. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Source/drain structure for semiconductor device

Номер патента: US12040384B2. Автор: LUNG Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Source/drain structure for semiconductor device

Номер патента: US20230064000A1. Автор: LUNG Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20240274667A1. Автор: Kei-Wei Chen,Pei-Ren Jeng,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE,Chun-An Lin,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for forming dual gate of a semiconductor device

Номер патента: US20020164857A1. Автор: Jae-Hee Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11728406B2. Автор: De-Wei YU,Cheng-Po CHAU,Yun Chen Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20200044048A1. Автор: De-Wei YU,Cheng-Po CHAU,Yun Chen Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20130320416A1. Автор: Youfeng He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same

Номер патента: US20110049720A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-03.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

High-voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070155107A1. Автор: Choul Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: EP4391065A1. Автор: Hu Liang,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: WO2024132524A1. Автор: Hu Liang,Jens Baringhaus,Kevin Dannecker,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-06-27.

A method for forming a poly silicon layer in semiconductor device

Номер патента: KR100573482B1. Автор: 동차덕. Владелец: 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-04-24.

Method for forming a metal silicide layer in a semiconductor device

Номер патента: US7005373B2. Автор: Kwan-Jong Roh,In-sun Park,Eung-joon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-28.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Flexible semiconductor device and method for producing same, image display device using the flexible semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102812541A. Автор: 平野浩一,铃木武,增田忍. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US20140369115A1. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-18.

Silicon carbide semiconductor base substance, crystal axis alignment method for the same, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2018037560A. Автор: Yasuyuki Kawada,泰之 河田,Takeshi Tawara,河田　泰之,武志 俵,俵　武志. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: CA2759856A1. Автор: Shin Harada,Takeyoshi Masuda,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017090285A1. Автор: 太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6856156B2. Автор: 圭司 和田,太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-04-07.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017090285A9. Автор: 太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2018-04-19.

Method for forming control gate salicide

Номер патента: US9330924B2. Автор: Huanxin Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for forming control gate salicide

Номер патента: US20160093498A1. Автор: Huanxin Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Methods for forming contacts for dual stress liner CMOS semiconductor devices

Номер патента: KR101465703B1. Автор: 이경우,구자흠,박완재,장종광,데오도로스 이. 스탄데르트. Владелец: 인터내셔널 비즈니스 머신즈 코오퍼레이션. Дата публикации: 2014-11-28.

METHOD FOR MAKING AT LEAST ONE DEEP LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2548831A1. Автор: Pieter Johannes Wilhel Jochems. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-01-11.

METHOD FOR PRODUCING AT LEAST ONE DEEP LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2548831B1. Автор: Pieter Johannes Wilhel Jochems. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1988-10-14.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Silicon phosphide semiconductor device

Номер патента: US11749567B2. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200365696A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200044035A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for forming semiconductor device structure with metal-semiconductor compound layer

Номер патента: US20210384301A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210091192A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures

Номер патента: US12094936B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160049522A1. Автор: Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20150171103A1. Автор: Kazuhiko Sato,Hiroshi Ishida. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: US6303481B2. Автор: Dong Su Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for forming a high dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: KR100510546B1. Автор: 이내인,이종호,정형석,김윤석,도석주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-26.

Method for making high gain bipolar transistors in CMOS process

Номер патента: US20020084494A1. Автор: Chi-Cheong Shen,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

METHOD FOR FORMING VIA PROFILE OF INTERCONNECT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20160351669A1. Автор: Chang Che-Cheng,CHENG Tai-Shin,CHEN Wei-Ting,SHIAO Wei-Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for forming the gate oxide of metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: EP1014432A1. Автор: Thomas Vogelsang,Wilfried Haensch,Juergen Faul. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-06-28.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194564A1. Автор: Chung-Yeh Lee,Sheng-Wei FU,Tsung-Yeh CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US7851310B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Li-Cheng Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for forming semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US12040400B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing for forming source/drain contact features and devices manufactured thereof

Номер патента: US20240266407A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Formation method of semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US11742428B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for forming semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20220352366A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12051700B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20190371920A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230127045A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US12068193B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220271148A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US12046516B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Iii-v semiconductor device

Номер патента: US20220406926A1. Автор: Benoit Bakeroot. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-12-22.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

System and method for reducing mutual coupling for noise reduction in semiconductor device packaging

Номер патента: US20220208672A1. Автор: Ajay Kumar Sharma,Rishi BHOOSHAN,Sumit Varshney,Frank Martin Paglia. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-06-30.

Methods for forming shallow trench isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20050142802A1. Автор: Young Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for making deep trench isolation of cis device, and semiconductor device structure

Номер патента: US20220230909A1. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Jialong Li,Wensheng QIAN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20010038152A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US20210305198A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-09-30.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20070108593A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Methods for forming dielectric materials with selected polarization for semiconductor devices

Номер патента: US20220044922A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily,Dina H. Triyoso,Steven P. CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Methods for forming dielectric materials with selected polarization for semiconductor devices

Номер патента: WO2022035618A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara Tapily,Dina H. Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-02-17.

System and method for reducing mutual coupling for noise reduction in semiconductor device packaging

Номер патента: US11488904B2. Автор: Ajay Kumar Sharma,Rishi BHOOSHAN,Sumit Varshney,Frank Martin Paglia. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-11-01.

Method for forming a mental wiring pattern on a semiconductor device

Номер патента: US6296988B1. Автор: Bok-Hyung Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2001-10-02.

Method for forming photo mask for use in fabricating semiconductor device

Номер патента: US5679499A. Автор: Atsushi Yamamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Method for forming interlayer dielectric film, interlayer dielectric film, semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20090127669A1. Автор: Yoshihiro Hayashi,Hironori Yamamoto,Fuminori Ito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for manufacturing a multi-layer wiring structure of a semiconductor device

Номер патента: US5851917A. Автор: Sang-In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-22.

Method for providing a self-aligned pad protection in a semiconductor device

Номер патента: US20150357234A1. Автор: Michael Rogalli,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method

Номер патента: US8945988B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Method for producing a semiconductor body, semiconductor body and power semiconductor device

Номер патента: WO2024056185A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US11756917B2. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Methods for forming a transistor

Номер патента: EP1759409A2. Автор: Victor Moroz,Lori D. Washington,Faran Nouri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US10050116B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device structure with inner spacer layer and method for forming the same

Номер патента: US20230215936A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Device and method for forming sharp extension region with controllable junction depth and lateral overlap

Номер патента: US20130264614A1. Автор: Effendi Leobandung,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Device and method for forming sharp extension region with controllable junction depth and lateral overlap

Номер патента: US20130264612A1. Автор: Effendi Leobandung,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20170278756A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Thin film transistor and method for manufacturing the same array substrate and display device

Номер патента: US20180294361A1. Автор: Xianxue Duan,Hui An,Dezhi Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Method for forming a crystalline protective polysilicon layer

Номер патента: US20240222197A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Kuan-Jung Chen,Wen-Chih Chiang,Cheng-Hung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230154824A1. Автор: Chia-Che Chung,Ming-Tzong Yang,Hsien-Hsin Lin,Chee-Wee Liu,Wen-Kai Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: US20240222462A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming a crystalline protective polysilicon layer

Номер патента: US20220084887A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Kuan-Jung Chen,Wen-Chih Chiang,Cheng-Hung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for forming isolation with multi-step structure

Номер патента: US20200411363A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Kuang-Cheng Tai,Chih-Hung Hsieh,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Tien-Shao Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Systems and methods for porous capping layers

Номер патента: GB2625513A. Автор: Clark Andrew,Hammond Richard. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-06-26.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20130137234A1. Автор: Peter Baars,Matthias Goldbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for controlling transistor delay of nanowire or nanosheet transistor devices

Номер патента: WO2019112954A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Anton J. DeVillers. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20070184601A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Method for fabricating finfet isolation structure

Номер патента: US20170110557A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Method for forming different types of devices

Номер патента: US20210384198A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for forming different types of devices

Номер патента: US20240251539A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED ISOLATION TRENCHES IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150171162A1. Автор: LEE TZUNG-HAN,Hu Yaw-Wen. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12034062B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20200083327A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Etching method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120094445A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Methods for Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20160343577A1. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-24.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9735258B2. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9613873B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170263507A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170179251A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

METHODS FOR FORMING SILICON-CONTAINING EPITAXIAL LAYERS AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180323059A1. Автор: Tolle John,Goodman Matthew,Margetis Joe,Vyne Robert,Bhargava Nupur. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures

Номер патента: US10446393B2. Автор: John Tolle,Matthew Goodman,Robert Vyne,Joe Margetis,Nupur Bhargava. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-15.

Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures

Номер патента: US10886123B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Petri Raisanen,Moataz Bellah Mousa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-01-05.

Methods for performing a gate cut last scheme for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

METHODS FOR PERFORMING A GATE CUT LAST SCHEME FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Huang Haigou,Wu Xusheng,DAI Xintuo. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

METHODS FOR DEPOSITING A DOPED GERMANIUM TIN SEMICONDUCTOR AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190067004A1. Автор: Kohen David,Profijt Harald Benjamin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures

Номер патента: US10236177B1. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-03-19.

METHOD FOR SELF-ALIGNING METAL CONTACTS ON A SELF-ALIGNED SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2663157B1. Автор: Collot Philippe,Schmidt Paul Erick. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1992-08-07.

The method for controlling the wafer bow in III-V type semiconductor devices

Номер патента: CN109103099A. Автор: S.肯南,P.W.金,S.E.朴,M.唐加尔,万建伟. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-12-28.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7070437B2. Автор: 勉 堀,圭司 和田,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-05-18.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6954316B2. Автор: 勉 堀,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JPWO2019044029A1. Автор: 勉 堀,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464A3. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Method for forming graphene barrier layer for semiconductor device and contact structure formed by the same

Номер патента: US20230081962A1. Автор: Won Jun Yoon,Jee Hye Park,Dong Woo Kim,Tae Sung Kim,Jin Ho Jeon,Hong Ki PARK,Woo Hoon SUN,Keon Jung LEE. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Conductive powder formation method, device for forming conductive powder, and method of forming semiconductor device

Номер патента: US20180301375A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for forming a copper metal line in semiconductor device

Номер патента: KR100474857B1. Автор: 최경근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for forming multiple layer metal wiring in semiconductor device

Номер патента: KR100223748B1. Автор: 홍기로. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for forming ultra fine contact holes in semiconductor devices

Номер патента: US7001710B2. Автор: Sang-Tae Choi,Seung-Weon Paek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-21.

Method for forming connection between conductive layers in semiconductor devices

Номер патента: KR940027133A. Автор: 유의규. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-12-10.

Method for forming storage node contact plug in semiconductor device

Номер патента: TW200735188A. Автор: Hae-Jung Lee,Ik-Soo Choi,Chang-Youn Hwang,Hyung-Hwan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-16.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464B1. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-29.

Method for forming pattern and gate electrode in semiconductor processing

Номер патента: KR100554514B1. Автор: 강희성,류충렬. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-03.

Method for cleaning the inside of a pipe in semiconductor device fabricating machine

Номер патента: US6214130B1. Автор: Yasushi Sasaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-04-10.

Method for forming a gate oxide layer of a semiconductor device

Номер патента: KR20010091519A. Автор: 황철주,양두영. Владелец: 황 철 주. Дата публикации: 2001-10-23.

METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2784229B1. Автор: Chang Hyum Cho,Kyu Hyun Lee,Lae Goo Lee,Sang Sub Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-12.

Method for forming a gate oxide layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100440501B1. Автор: 황철주,양두영. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2004-07-15.

METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2784229A1. Автор: Chang Hyum Cho,Kyu Hyun Lee,Lae Goo Lee,Sang Sub Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-04-07.

Method for forming a self aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: GB9909492D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-23.

Method for forming a metal interconnection layer of a semiconductor device using a modified dual damascene process

Номер патента: TWI313495B. Автор: LEE Kyung-Woo,KIM Jae-Hak,Lee Soo-Geun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-11.

Method for forming an electrical interconnect in a silicon semiconductor device

Номер патента: JP2685253B2. Автор: ラッセル・クレイグ・エルナンガー,ヨハネス・エリザベス・ヨセフ・シュミッツ. Владелец: フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ. Дата публикации: 1997-12-03.

Method for forming a copper metal interconnection of a semiconductor device using two seed layers

Номер патента: US20070155145A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

CONDUCTIVE POWDER FORMATION METHOD, DEVICE FOR FORMING CONDUCTIVE POWDER, AND METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180301375A1. Автор: Chou You-Hua,Chuang Kuo-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

Method for Metal Deposition of Submicron Contact Holes in Semiconductor Body

Номер патента: KR970067651A. Автор: 콘라트 히버,헬무트 트라이헬,하인리히 쾨르너. Владелец: 로더리히 네테부쉬; 롤프 옴케. Дата публикации: 1997-10-13.

Method for improving interconnection between aluminum and copper in semiconductor metal line process

Номер патента: KR100877268B1. Автор: 김건희. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-01-07.

Process for forming deposited film and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP0420590B1. Автор: Shigeyuki C/O Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu C/O Canon Kabushiki Kaisha Ikeda,Kazuaki C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohmi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-03-27.

Process for forming deposited film and process for preparing semiconductor device

Номер патента: EP0420589A2. Автор: Shigeyuki C/O Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu C/O Canon Kabushiki Kaisha Ikeda,Kazuaki C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohmi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-04-03.

Process for forming deposited film and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP0420590A2. Автор: Shigeyuki C/O Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu C/O Canon Kabushiki Kaisha Ikeda,Kazuaki C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohmi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-04-03.

PLATE WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR PRODUCING PLATES WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: RU2009122487A. Автор: Сейдзи НАКАХАТА,Кенсаку МОТОКИ,Сейдзи НАКАХАТА (JP),Кенсаку МОТОКИ (JP). Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp). Дата публикации: 2010-12-20.

Method for reducing line edge roughness for trench etch, and semiconductor device thereof

Номер патента: CN100477135C. Автор: P·勒温哈德特,D·乐,H·H·朱,E·沃加纳. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

Method for integrating selective ruthenium deposition into manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: KR101506755B1. Автор: 켄지 스즈키. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-03-27.

METHOD FOR ESTABLISHING AN ELECTRICAL INTERCONNECTION STRUCTURE ON A SILICON SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2624304B1. Автор: Russell Craig Ellwanger,Johannes Elisabeth Jos Schmitz. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-05-04.

Method for providing increased dopant concentration in selected regions of semiconductor devices

Номер патента: EP0313777A2. Автор: David Stanasolovich,Jeffrey R. Barber,Harish N. Kotecha,David D. Meyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-05-03.

Method for producing a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: DE19620022A1. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-21.

Method for cleaning the inside of a pipe of a semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: JP2910761B1. Автор: 康 佐々木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-23.

Method for producing a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: DE19620022C2. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

METHOD FOR IMPLANTING IONS NOT SUBJECT TO MASS ANALYSIS AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED USING THE SAME

Номер патента: FR2524200A1. Автор: Takashi Tokuyama,Tadashi Saitoh,Katsumi Tokiguchi,Haruo Itoh,Terunori Warabisako. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-09-30.

Method for fabricating a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: GB9610393D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-24.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010005616A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160211378A1. Автор: WON Seok-Jun,Lee Chul-Woong,Kim Young-Tak,KIM Kook-Tae,Son Ho-Sung,Yi Ji-Hye. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Method for producing ohmic contacts on silicon carbide substrate of semiconductor device of e.g. power electronics device, involves producing oxide layer on surface of substrate, and applying contact metallization layer on contact region

Номер патента: DE102011078331A1. Автор: Michael Grieb,Thomas Suenner,Tim Behrens,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for detecting EPI induced buried layer shifts in semiconductor devices

Номер патента: US20060038553A1. Автор: Xiaoju Wu,Qingfeng Wang,Xinfen Chen,John Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device and fabrication thereof

Номер патента: US20110260220A1. Автор: Min-Hwa Chi,Mu-Chi Chiang,Cheng-Ku Chen,Wen-Chuan Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Method and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130267077A1. Автор: Mao-Lin Huang,Chun-An Lin,Yu-Hsing Chang,Ming-Hwei Hong,Tsung-Da Lin,Ray-Nien Kwo,Tun-Wen Pi,Pen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

Contact structure with silicide and method for forming the same

Номер патента: US12080769B2. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Chieh Wu,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Shih-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20220199437A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Apparatuses and methods for extracting defect depth information and methods of improving semiconductor device manufacturing processes using defect depth information

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Byoung-Ho Lee,Jeong-Ho Ahn,Dong-ryul Lee,Jong-Cheon Sun,Dong-Chul Ihm,Soo-bok Chin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-16.

Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20080118737A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Methods for forming assemblies and packages that include stacked semiconductor devices separated a distance defined by adhesive material interposed therebetween

Номер патента: US20040157375A1. Автор: James Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7364829B2. Автор: Takahisa Namiki,Koji Nozaki,Junichi Kon,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-29.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20200312687A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for inspecting pattern and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20160275663A1. Автор: Seunghune YANG,Kiho Yang,Kaiyuan Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-22.

Lead frame, method for partial noble plating of said lead frame and semiconductor device having said lead frame

Номер патента: CA2186695C. Автор: Hideo Horita,Chiaki Hatsuta. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2001-08-07.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US10847433B2. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, circuit board, electronic apparatus, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20040115920A1. Автор: Masahiro Kubo,Ichiro Hazeyama,Sakae Kitajo,Hirobumi Inoue,Hidehiko Kuroda,Takao Yamazaki,Yoshimichi Sogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12033940B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming the MOS transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100574487B1. Автор: 서문식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-27.

Method for forming shallow trench isolation film in semiconductor device

Номер патента: KR100499409B1. Автор: 이병석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-05.

Method of making a semiconductor device using trench isolation regions to maintain channel stress

Номер патента: US20150099335A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-04-09.

Method for forming self-aligning contact structure in semiconductor IC device

Номер патента: CN1319886A. Автор: 金允基,朴东建,朴钟佑. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-31.

METHOD FOR PRODUCING COMPLETE VERTICAL BIPOLAR TRANSISTORS IN COMPOSITION OF INTEGRAL CIRCUITS

Номер патента: RU2006131310A. Автор: Михаил Иванович Лукасевич,Михаил Иванович Лукасевич (RU). Владелец: Самсунг Электроникс Ко., Лтд (KR). Дата публикации: 2008-03-10.

Method for integration of three bipolar transistors in a semiconductor body, multilayer component, and semiconductor arrangement

Номер патента: US7397109B2. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2008-07-08.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9508817B2. Автор: Chun-Hsiung Lin,Huan-Just Lin,Chi-Cheng Hung,Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

METHODS OF FORMING TRANSISTORS AND METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THE TRANSISTORS

Номер патента: US20140087533A1. Автор: YUN Jung-Bong,CHOI DOO-WHAN,Choi Chang-Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-27.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: JPWO2008126729A1. Автор: 英男 大野,浦山　雅夫,雅夫 浦山,川崎　雅司,雅司 川崎,大野　英男. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-07-22.

Method for manufacturing peripheral dummy gate of transistor for testing semiconductor device

Номер патента: KR100223941B1. Автор: 남상혁. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Contact Isolation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210066116A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-03-04.

Contact isolation in semiconductor devices

Номер патента: US11862452B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-02.

An integrated circuit device and a method for forming the same

Номер патента: EP4391040A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor product with low-leakage current and method for forming the same

Номер патента: US20220393017A1. Автор: Yi-Hsiung Lin,Chieh Chih Ting,Simon Yaou-Dong Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145594A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200058793A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor devices with a rare earth metal oxide layer

Номер патента: US12062576B2. Автор: Kenichi Sano,Pinyen Lin,Po-Cheng Wang,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Kuan-Kan HU,Che Chi Shih,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods for forming integrated circuit having guard rings

Номер патента: US20200357787A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20060163668A1. Автор: Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Methods for forming semiconductor device having uniform fin pitch

Номер патента: US20220020593A1. Автор: Min Gyu Sung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6008076A. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming a semiconductor device having asymmetric dielectric regions and structure thereof

Номер патента: WO2006104562A2. Автор: Leo Mathew,Venkat R. Kolagunta,David C. Sing. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

Method for forming an isolating trench with a dielectric material

Номер патента: US20070087516A1. Автор: Uwe Wellhausen,Henry Heidemeyer,Joern Regul. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-19.

Method and structure for forming vertical transistors with shared gates and separate gates

Номер патента: US20200083111A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US9564490B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20170104069A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20160118464A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for forming interlayer insulating film in semiconductor device

Номер патента: US8048802B2. Автор: Ho-Yeong Choe. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-11-01.

Method for forming a three-component nitride film containing metal and silicon

Номер патента: EP1044288A2. Автор: Kyoung-Soo Yi,Sang-Won Kang,Won-Yong Koh. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364427A1. Автор: Takashi KANSAKU. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-17.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20180166285A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200144063A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066124A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: US20240222118A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: WO2024144886A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Method for forming a hard mask for gate electrode patterning and corresponding device

Номер патента: US20060081917A1. Автор: Chien-Hao Chen,Tze-Liang Lee,Shih-Chang Chen,Chao-Cheng Chen,Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: EP3682481A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-22.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-14.

Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures

Номер патента: US11769670B2. Автор: Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20210408228A1. Автор: Xiguang Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20240274441A1. Автор: Yi-Chung Chen,Yu-Ting Huang,Wei-Nan CHUANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures

Номер патента: US11769670B2. Автор: Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-26.

Backside and sidewall metallization of semiconductor devices

Номер патента: US20240194486A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Che Ming Fang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Systems and Methods for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20150170912A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for fabrication of floating gate in semiconductor device

Номер патента: US20090176320A1. Автор: Jin-Ho Kim,Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Processing system and methods for forming void-free and seam-free tungsten features

Номер патента: US20240209500A1. Автор: Kai Wu,Kazuya DAITO,Harpreet Singh,Michael C. Kutney,Peiqi Wang,Wei Min Chan,Xi CEN,Mingrui ZHAO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

METHOD OF ENHANCING HIGH-k FILM NUCLEATION RATE AND ELECTRICAL MOBILITY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE BY MICROWAVE PLASMA TREATMENT

Номер патента: US20150249009A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210043505A1. Автор: HAO Zhang,Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Xuezhen JING,Zhangru XIAO,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for forming an interconnect pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20020142614A1. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for increasing efficiency of doping and changing conductivity type of amorphous hydrogenated silicon slightly doped with acceptor impurities

Номер патента: RU2660220C2. Автор: Денис Михайлович Жигунов,Павел Константинович Кашкаров,Андрей Георгиевич Казанский,Павел Анатольевич Форш. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-07-05.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Semiconductor device structure with contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313065A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230290642A1. Автор: Yu-Jen Huang,Hsiu-Han Liao,Chu-Chun HSIEH. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US20050142848A1. Автор: Kang Shin,Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming buried word line in semiconductor device

Номер патента: US20110027988A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Se-Aug Jang,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Methods for regulating surface sensitivity of insulating films in semiconductor devices

Номер патента: WO2000077831A3. Автор: Giovanni Antonio Foggiato,Joseph Ellul,Sasangan Ramanathan,Dilip Vijay,Asharf R Khan,Hariram Krishnamoorthy. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

Method for forming low dielectric constant layer

Номер патента: US20020132494A1. Автор: Wen-Yi Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for forming align key pattern in semiconductor device

Номер патента: US5578519A. Автор: Yun-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-11-26.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240250019A1. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for Controlling an End-to-End Distance in Semiconductor Device

Номер патента: US20190259613A1. Автор: Yu-Lien Huang,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Cheng-Hua Yang,Huang-Ming Chen,Yang-Cheng WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Methods for Controlling an End-to-End Distance in Semiconductor Device

Номер патента: US20200083046A1. Автор: Yu-Lien Huang,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Cheng-Hua Yang,Huang-Ming Chen,Yang-Cheng WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for reducing pattern deformation and photoresist poisoning in semiconductor device fabrication

Номер патента: EP1576657A2. Автор: LU You,Darin A. Chan,Christopher F. Lyons,Scott A. Bell,Srikanteswara Dakshina-Murthy,Chih Yuh Yang,Pei-Yuan Gao,Mark S. Chang,Marina V. Plat,Philip A. Fisher,Douglas J. Bonser,Marilyn I. Wright. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-21.

Method for reducing pattern deformation and photoresist poisoning in semiconductor device fabrication

Номер патента: TWI307917B. Автор: Dakshina-Murthy Srikanteswara,LU You,Darin Chan,A Fisher Philip,F Lyons Christopher,S Chang Mark,Gao Pei-Yuan,I Wright Marilyn,A Bell Scott,J Bonser Douglas,V Plat Marina,Yuh Yang Chih. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-03-21.

Method for reducing pattern deformation and photoresist poisoning in semiconductor device fabrication

Номер патента: EP1576657B1. Автор: LU You,Darin A. Chan,Christopher F. Lyons,Scott A. Bell,Srikanteswara Dakshina-Murthy,Chih Yuh Yang,Pei-Yuan Gao,Mark S. Chang,Marina V. Plat,Philip A. Fisher,Douglas J. Bonser,Marilyn I. Wright. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-01-13.

Method for reducing pattern deformation and photoresist poisoning in semiconductor device fabrication

Номер патента: WO2004012246A2. Автор: LU You,Darin A. Chan,Christopher F. Lyons,Scott A. Bell,Srikanteswara Dakshina-Murthy,Chih Yuh Yang,Pei-Yuan Gao,Mark S. Chang,Marina V. Plat,Philip A. Fisher,Douglas J. Bonser,Marilyn I. Wright. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-02-05.

System and Method for Measuring Thermal Performance of Substrates used in Semiconductor Device Assembly

Номер патента: US20240222168A1. Автор: Tomin LIU,Mutharasu DEVARAJAN,Vishnu Chandar JANAKIRAMAN. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2020185762A8. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: EP1548814A3. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Method for forming a titanium dioxide layer

Номер патента: US6251803B1. Автор: Hsin-Chih Liao,Ming-Kwei Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Method for forming interlayer dielectric film for semiconductor device by using polyhedral molecular silsesquioxane

Номер патента: US7470634B2. Автор: Hyeon Jin Shin,Hyun Dam Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-30.

METHODS FOR FORMING ON-CHIP CAPACITOR STRUCTURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220068947A1. Автор: Chen Liang. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Method for forming a dual damascene pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100539446B1. Автор: 류상욱,전호열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-27.

Method for forming self-aligned contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100441998B1. Автор: 서준,송종희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-07-30.

Method for forming a deep contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR20060064998A. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-14.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100681212B1. Автор: 정채오. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-09.

A method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100825011B1. Автор: 김명진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-24.

Method for forming inter-layer insulating film in semiconductor device

Номер патента: KR100244410B1. Автор: 이성구,이한승. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method for forming an isolation layer dielectric in semiconductor device

Номер патента: KR100605583B1. Автор: 유철휘. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-31.

Method for forming damascene type metal wire in semiconductor device using chemical mechanical planarization and spin etch process

Номер патента: KR100528449B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-11-15.

A method for forming capacitor charge storage electrodes in semiconductor devices

Номер патента: KR100490656B1. Автор: 박찬동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-01.

Method for forming multiple layer metal wiring in semiconductor device

Номер патента: KR100243002B1. Автор: 윤강식,윤기석. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method for forming interconnection between metal lines in semiconductor device fabrication process

Номер патента: KR100620159B1. Автор: 박철수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-01.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR20060010933A. Автор: 김형균,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-03.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100460770B1. Автор: 김응수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100703836B1. Автор: 윤양한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-06.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100614575B1. Автор: 은병수,진성곤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-25.

A method for forming damascene type metal wire in semiconductor device

Номер патента: KR100324596B1. Автор: 임태정,조정일. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-02-16.

Method for forming a deep contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100681209B1. Автор: 조용태,황창연. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-09.

Method for forming an isolation layer dielectric in semiconductor device

Номер патента: KR20060075053A. Автор: 유철휘. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-04.

Method for forming silicon-rich nitride layer in semiconductor device

Номер патента: KR100498419B1. Автор: 남석우,이세진,형용우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-08.

Methods for Forming On-Chip Capacitor Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: KR20230012623A. Автор: 량 천. Владелец: 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for forming a dual damascene pattern in semiconductor device

Номер патента: KR101005738B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for forming metal interlayer insulating film in semiconductor device

Номер патента: JPH0777219B2. Автор: 昶圭 金,志鉉 崔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-08-16.

Method for forming the bit line contact in semiconductor device

Номер патента: KR100668726B1. Автор: 최동구,김준동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-26.

Method for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: TW202211325A. Автор: 陳亮. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2022-03-16.

Method for forming pattern of a layer in semiconductor device

Номер патента: KR100641553B1. Автор: 김영실. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-01.

Method for forming storage node of capacitor in semiconductor device

Номер патента: TW200625547A. Автор: Sung-Kwon Lee,Jun-Hyeub Sun,Sung-Yoon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-16.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100429555B1. Автор: 전승준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-03.

Methods for forming porous insulator structures on semiconductor devices

Номер патента: US7285502B2. Автор: Tongbi Jiang,Warren M. Farnworth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-23.

Method for forming cylinder type storage node in semiconductor device

Номер патента: KR100368935B1. Автор: 이원준,안태혁,정상섭,최성길,정대혁. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2003-01-24.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR20040059444A. Автор: 김현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-05.

Method for forming storage node of capacitor in semiconductor device

Номер патента: US7410866B2. Автор: Sung-Kwon Lee,Jun-Hyeub Sun,Sung-Yoon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Method for forming an isolation region in a semiconductor device and resulting structure using a two step oxidation process

Номер патента: US6420241B2. Автор: Jong Choul Kim,Se Aug Jang,Young Bog Kim,In Seok Yeo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Method for forming storage node of capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100721548B1. Автор: 이성권,조성윤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-23.

Method for forming storage node contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR20020093261A. Автор: 김태훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-16.

Method for forming self aligned contacts

Номер патента: US20020098640A1. Автор: Ii-Wook Kim,Jong-Sam Kim,Dong-kuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for forming zig-zag bordered openings in semiconductor structures and structures formed

Номер патента: US6316835B1. Автор: C. H. Chen,Y. C. Chao,Y. M. Tsui,W. R. Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-11-13.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method for producing hyperabrupt doping profiles in semiconductors

Номер патента: US4559091A. Автор: Robert A. Metzger,Dwight C. Streit,Frederick G. Allen. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1985-12-17.

Semiconductor Device, a Semiconductor Wafer Structure, and a Method for Forming a Semiconductor Wafer Structure

Номер патента: US20150028456A1. Автор: Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-29.

Apparatus for heating and cooling semiconductor wafers in semiconductor wafer processing equipment

Номер патента: US5248370A. Автор: Chiu-Wing Tsui,Richard H. Crockett. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1993-09-28.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11955423B2. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for forming self aligned contact hole in semiconductor

Номер патента: KR100839527B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-06-19.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20040091419A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-13.

Method for forming inter-metal dielectric layer in semiconductor

Номер патента: KR100450569B1. Автор: 이재석. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-09-30.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: TW200415217A. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-16.

Methods for forming backside alignment markers useable in semiconductor lithography

Номер патента: US7223674B2. Автор: Peter Benson,Pary Baluswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-29.

Method for measuring sub millimeter wave semiconductor circuits in semiconductor module, involves completely covering thermal conductive plate on top surface of semiconductor component, which is made from dielectric material

Номер патента: DE102012025433A1. Автор: Mario Pauli,Thomas Blank,Thomas Zwick,Benjamin Göttel. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2014-06-26.

Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20040201007A1. Автор: Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Yoshitaka Hamada,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-14.

Methods for controlling an end-to-end distance in semiconductor device

Номер патента: US20190164759A1. Автор: Yu-Lien Huang,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Cheng-Hua Yang,Huang-Ming Chen,Yang-Cheng WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Methods for Controlling an End-to-End Distance in Semiconductor Device

Номер патента: US20200083046A1. Автор: Yang Cheng-Hua,Lin Huan-Just,HUANG Yu-Lien,Li Tsai-Chun,Chen Huang-Ming,Wu Yang-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

METHOD FOR FORMING A DUAL DAMASCENE STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH

Номер патента: US20140175669A1. Автор: Lee Chul-Ho,LEE Sung-jae,MOON Joon-Young,PARK You-Jung,YOON Yong-Woon,LEE Chung-Heon,Cho Youn-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

METHODS FOR CONTROLLING AN END-TO-END DISTANCE IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190164759A1. Автор: Yang Cheng-Hua,Lin Huan-Just,HUANG Yu-Lien,Li Tsai-Chun,Chen Huang-Ming,Wu Yang-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-30.

Methods for Controlling an End-to-End Distance in Semiconductor Device

Номер патента: US20190259613A1. Автор: Yang Cheng-Hua,Lin Huan-Just,HUANG Yu-Lien,Li Tsai-Chun,Chen Huang-Ming,Wu Yang-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

method for removing photoresist after metal layer etching in semiconductor device

Номер патента: KR100439844B1. Автор: 김재필. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-07-12.

Method for in-situ forming oxide and nitride in semiconductor device

Номер патента: KR100548550B1. Автор: 진승우,이태혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for manufacturing isolation pattern of word line in semiconductor device

Номер патента: KR100701684B1. Автор: 조영만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for reducing pattern deformation and photoresist poisoning in semiconductor device fabrication

Номер патента: AU2003254254A1. Автор: LU You,Darin A. Chan,Christopher F. Lyons,Scott A. Bell,Srikanteswara Dakshina-Murthy,Chih Yuh Yang,Pei-Yuan Gao,Mark S. Chang,Marina V. Plat,Philip A. Fisher,Douglas J. Bonser,Marilyn I. Wright. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-02-16.

Method for reducing pattern deformation and photoresist poisoning in semiconductor device fabrication

Номер патента: TW200405414A. Автор: Dakshina-Murthy Srikanteswara,LU You,Chih Yuh Yang,Marina V Plat,Douglas J Bonser,Scott A Bell,Da Rin Chan,A Fisher Philip,F Lyons Christopher,S Chang Mark,Gao Pei-Yuan,I Wright Marilyn. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Methods for regulating surface sensitivity of insulating films in semiconductor devices

Номер патента: TW563223B. Автор: Joseph Ellul,Sasangan Ramanathan,Dilip Vijay,Asharf R Khan,Hariram Krishnamoorthy. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2003-11-21.

METHODS FOR FORMING DIELECTRIC MATERIALS WITH SELECTED POLARIZATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220044922A1. Автор: Clark Robert D.,Consiglio Steven P.,Tapily Kandabara N.,Triyoso Dina H.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Systems and methods for monitoring a condition of lamps used in semiconductor fabrication processing

Номер патента: US20240110283A1. Автор: Junwei Su,Shujin Huang,Peter Bryan Ruckle,Daw Gen Lim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-04.

METHODS FOR FORMING LOW TEMPERATURE SEMICONDUCTOR LAYERS AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180350588A1. Автор: Raisanen Petri,Hsu Peng-Fu,MOUSA MOATAZ BELLAH. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

METHOD FOR FORMING METAL CHALCOGENIDE THIN FILMS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160372365A1. Автор: Maes Jan Willem,Tang Fu,Givens Michael Eugene,Xie Qi,Woodruff Jacob Huffman. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

A method for forming a self-aligned contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100609523B1. Автор: 남상혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-04.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100189733B1. Автор: 박주석. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

A method for forming a inter-layer oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100447253B1. Автор: 염승진,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-07.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100190053B1. Автор: 김성의. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for forming titanium silicide ohmic contact layer of semiconductor device

Номер патента: KR100626741B1. Автор: 손현철,엄장웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-22.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100189992B1. Автор: 이재경,박찬식,조경환,이성한. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

A method for forming a contact hole pattern of a semiconductor device

Номер патента: KR20050002368A. Автор: 복철규,이원욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-07.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100203906B1. Автор: 김영복. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming a metal line pattern of the semiconductor device

Номер патента: KR100827488B1. Автор: 문주형. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-05-06.

Method for forming a metallic wiring layer in a semiconductor device

Номер патента: DE4200809C2. Автор: Chang-Soo Park,Sang-In Lee,Jeong-Ha Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-12-12.

Method for forming metal line with oxidation layer and semiconductor device providing with said metal line

Номер патента: KR100664865B1. Автор: 황상일. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-01-03.

Method for forming a field oxide layer of a semiconductor device

Номер патента: DE4109184C2. Автор: Taek-Yong Jang,Weon-Sik Paek,Weon-Taek Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-12-21.

Method for forming a self aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: US6177320B1. Автор: Sang-Sup Jeong,Chang-jin Kang,Hong-Sik Jeong,Chul Jung,Chan-ouk Jung,Jae-Goo Lee,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-23.

Method for forming contact hole with different depth of semiconductor device

Номер патента: KR100257771B1. Автор: 서원준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-06-01.

Method for forming contact hole in metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR950015589A. Автор: 서동량. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-06-17.

METHOD FOR FORMING A MULTIPLE LEVEL CONNECTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE4125221A1. Автор: Han-su Kim,Jang-Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-07-16.

Method for forming a hard mask pattern in a semiconductor device

Номер патента: CN101447398A. Автор: 郑宇荣. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-03.

A method for forming a fine pattern transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100673099B1. Автор: 복철규,김희범,임창문. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Apparatus and method for detecting failure in a mechanical press

Номер патента: US20200047442A1. Автор: Kwok Pun LAW,Hong Yeung LI,Cho Wai LEUNG. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Platen constructure of polishing device and method for changing polishing pad fixed the platen in semiconductor wafer polishing device

Номер патента: KR100643495B1. Автор: 김경현,고용선,민충기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-10.

Method for reducing reactive ion etching (RIE) lag in semiconductor fabrication processes

Номер патента: US6900136B2. Автор: Chen-Kuei Chung,Hui-Chuan Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-05-31.

Method for producing structures on multicrystalline silicon surfaces in semiconductor production comprises applying phosphoric acid solution to surface and heating to specified minimum temperature or above

Номер патента: DE102007054484B3. Автор: Detlef Dr. Sontag. Владелец: DEUTSCHE CELL GMBH. Дата публикации: 2009-03-12.

Method for detecting the transition of different materials in semiconductor structures

Номер патента: WO1999004425A1. Автор: Andrea Schilp,Volker Becker,Franz LÄRMER. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1999-01-28.

Platen constructure of polishing device and method for changing polishing pad fixed the platen in semiconductor wafer polishing device

Номер патента: KR20060054712A. Автор: 김경현,고용선,민충기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-23.

Washing solution and washing method for semiconductor substrate

Номер патента: US20230402275A1. Автор: Atsushi Mizutani. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for controlling charged particle of plasma etcher in semiconductor

Номер патента: KR100266671B1. Автор: 김낙섭. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-10-02.

Method for the anisotropic etching of metal films in the fabrication of interconnects

Номер патента: US5350484A. Автор: Xiao-Chun Mu,Donald S. Gardner,David B. Fraser. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-09-27.

Method for producing laminate, producing apparatus for laminate, laminate, and semiconductor device

Номер патента: US20240177993A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Mehtod for forming inter layer insulting film in the semiconductor device

Номер патента: KR100301530B1. Автор: 김창규,조웅래. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2001-10-19.

PROCESS FOR FORMING A FIELD OXIDE LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2669467B1. Автор: Paek Weon-Sik,Jang Taek-Yong,Choi Weon-Taek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-07-04.

PROCESS FOR FORMING METALLIZED ZONES ON A SERIES OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2383522A1. Автор: Giulio Iannuzzi,Carlo Cognetti De Martis,Vittorio Del Bo,Luciano Gandolfi. Владелец: SGS ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1978-10-06.

Material for forming adhesion reinforcing layer, adhesion reinforcing layer, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US7830013B2. Автор: Tadahiro Imada,Yoshihiro Nakata,Ei Yano,Junichi Kon. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2021067150A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11955341B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor assemblies with system and method for smoothing surfaces of 3d structures

Номер патента: US20230317511A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: TW200525642A. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Tec. Дата публикации: 2005-08-01.

Method for chemically mechanically polishing organic film, method of manufacturing semiconductor device, and program therefor

Номер патента: US20070000872A1. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Yukiteru Matsui,Atsushi Shigeta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for chemically mechanically polishing organic film, method of manufacturing semiconductor device, and program therefor

Номер патента: US7402521B2. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Yukiteru Matsui,Atsushi Shigeta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Heterodyne interference lithography apparatus, method for drawing pattern using the same device, wafer, and semiconductor device

Номер патента: KR101229786B1. Автор: 김건우,이주형,양민양,강봉철,노지환. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2013-02-05.

Method for manufacturing molecular beam epitaxial growth device and optical semiconductor device

Номер патента: KR960012304A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-04-20.

Method for stabilizing cleaning baths for SI wafers, especially for semiconductor devices

Номер патента: EP0390254A2. Автор: Johannes Engelbertus A. M. Van Den Meerakker. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-10-03.

It is used to form the method for pattern and the method using this method manufacturing semiconductor devices

Номер патента: CN110323139A. Автор: 千宰协. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-10-11.

Methods for removing selected fins that are formed for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20150318215A1. Автор: Ruilong Xie,William J. Taylor, Jr.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Inspection apparatus and method for film carrier tapes for mounting electronic components and semiconductor devices

Номер патента: KR100852225B1. Автор: 마사히코 야마모토,요시히로 고잔,사치오 노토,기요히토 고바야시. Владелец: 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-08-14.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20020109225A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Computech International Ventures Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100367809B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2003-01-10.

Thermal Conducting Sheet, Method for Manufacturing Thermal Conducting Sheet, Heat Dissipation Member, and Semiconductor Device

Номер патента: US20190019739A1. Автор: Aramaki Keisuke,Kanaya Hiroki,Uchida Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

METHOD FOR ELECTRICALLY CONNECTING WAFERS USING BUTTING CONTACT STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED THROUGH THE SAME

Номер патента: US20140138847A1. Автор: Jeon In Gyun. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

Etching Composition And Method For Selectively Removing Silicon Nitride During Manufacture Of A Semiconductor Device

Номер патента: US20220298182A1. Автор: LEE Yi-Chia,LIU Wen Dar,WU Aiping,Ge Jhih Kuei,Sun Laisheng. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2022-09-22.

APPARATUSES AND METHODS FOR ARRANGING THROUGH-SILICON VIAS AND PADS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200212008A1. Автор: KITANO Tomohiro. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-02.

METHOD FOR PROVIDING A SELF-ALIGNED PAD PROTECTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150357234A1. Автор: Lehnert Wolfgang,Rogalli Michael. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Methods for Manufacturing Adhesive Compositions, Film Adhesives, Adhesive Sheets, and Semiconductor Devices

Номер патента: JPWO2020026757A1. Автор: 祐也 平本,昌典 夏川,紘平 谷口. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for manufacturing wine glass type contact hole of the semiconductor device

Номер патента: KR100781455B1. Автор: 강병주. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-12-03.

METHOD FOR PACKAGING A CHIP WITH PARTICULARLY OPTICAL SENSORS AND SEMICONDUCTOR DEVICE OR PACKAGE CONTAINING SUCH A CHIP

Номер патента: FR2798000A1. Автор: Remi Brechignac,Juan Exposito. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-03-02.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6798293B2. Автор: 太郎 西口,健二 平塚. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

Method for fabricating a pad-layer/fuse-layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100413582B1. Автор: 이기민. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2003-12-31.

Apparatus and method for flattening an insulating layer by etching in a semiconductor device

Номер патента: EP0620585A1. Автор: Yasukazu Intell. Property Division Mase,Masahiro Intell. Property Division Abe,Ken-Ichi Intell. Property Division Tomita,Kazuyuki Intell. Property Division Yahiro,Akira Intell. Property Division Ishiguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-10-19.

Method for producing plate shape body, lead wire frame and semiconductor device

Номер патента: CN1237611C. Автор: 坂本则明,小林义幸,阪本纯次,前原荣寿,高桥幸嗣,真下茂明,大川克实. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-18.

Method for removing circle defect on the metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR100702796B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-03.

Method for producing semiconductor wafer assembly, semiconductor wafer assembly, and semiconductor device

Номер патента: EP2400542A1. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Method for adjusting transport position of wafer, adjustment apparatus, and semiconductor device

Номер патента: WO2023035434A1. Автор: 刘洋. Владелец: 长鑫存储技术有限公司. Дата публикации: 2023-03-16.

Jin Beifu bonding wire, method for manufacturing the same, semiconductor wire bonding structure, and semiconductor device

Номер патента: CN115398607A. Автор: 安德优希,川野将太,崎田雄祐,平井祐佳. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2022-11-25.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A4. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-10-26.

Method for manufacturing a shallow trench isolation layer of the semiconductor device

Номер патента: KR100503344B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-26.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Fuse part in semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120088361A1. Автор: Byung-Duk LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Fuse part in semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20090243033A1. Автор: Byung-Duk LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20180190658A1. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US10262895B2. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A2. Автор: Sinan Goktepeli,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-22.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A3. Автор: Sinan Goktepeli,James D Burnett. Владелец: James D Burnett. Дата публикации: 2009-04-16.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: EP2115771A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-11-11.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: WO2008106284A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for manufacturing a semiconductor device, as well as a semiconductor substrate

Номер патента: US20060234468A1. Автор: Takeshi Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US20240222358A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for forming high-drain-voltage tolerance MOSFET transistor in a CMOS process flow with double well dose approach

Номер патента: US20080248623A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Michael Yu,Chih-Ping Chao,Yung Chih Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7220638B2. Автор: Osamu Yamaguchi,Kouichi Tani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20160379931A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20180130742A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor Structure with Resistor Layer and Method for Forming the Same

Номер патента: US20180026031A1. Автор: Yu-Hung Lin,Hon-Lin Huang,Chun-Hsien Huang,I-Tseng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Fuse of Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20090236687A1. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Fuse of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8017454B2. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-13.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Method for forming a semiconductor device has a lengthened channel length

Номер патента: US20090124085A1. Автор: Hung-Ming Tsai,Ying Cheng CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Structures and methods for reducing stress in three-dimensional memory device

Номер патента: US20210050446A1. Автор: Jian Hua SUN,Ji XIA,Sizhe Li,Qinxiang Wei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor optical devices and method for forming

Номер патента: US7494832B2. Автор: Yang Du,Leo Mathew,Voon-Yew Thean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-02-24.

Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film

Номер патента: US20240254616A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Masahiro Watanabe,Hitomi Sato,Yuki Imoto,Kenichi Okazaki,Takashi Shimazu,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120043605A1. Автор: Se In KWON,Hyun Jin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Systems and methods for producing ultrapure water for semiconductor fabrication processes

Номер патента: US20230295027A1. Автор: En Tian LIN,Shih-Hsiung Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Bipolar shell resurfaced perovskite quantum dots and methods for producing same

Номер патента: WO2022100636A1. Автор: Edward Sargent,Peter Chun,Makhsud SAIDAMINOV,Sjoerd HOOGLAND,Fanglong YUAN,Quan LYU,Giovanni Francesco COTELLA,Yitong DONG,Ya-Kun WANG. Владелец: Quan LYU. Дата публикации: 2022-05-19.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US20220165926A1. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2022-05-26.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US11881548B2. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for evaulating of molding material with dams formed on a semiconductor substrate to define slits for capturing the fillers contained in the molding material

Номер патента: US20020088974A1. Автор: Masaru Takahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

method for forming bottom electrode of capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100345664B1. Автор: 오수진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-07-24.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US5728597A. Автор: Suk Soo Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Protective layers formed on semiconductor device components so as to reduce or eliminate the occurrence of delamination thereof and cracking therein

Номер патента: US20040183210A1. Автор: Tongbi Jiang,Shijian Luo,S. Hinkle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for forming a capacitor storage node in semiconductor device

Номер патента: KR960011817B1. Автор: Jong-Sung Park,Moon-Moo Jung. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-30.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230063571A1. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for forming bump of metal line in semiconductor

Номер патента: KR100559513B1. Автор: 김영실. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-10.

Processing method for fabricating electrical contacts to mesa structures in semiconductor devices

Номер патента: WO1992005473A1. Автор: Roger P. Holmstrom,Edmund Meland,F. David Crawford. Владелец: Gte Laboratories Incorporated. Дата публикации: 1992-04-02.

Method for forming a capacitor for use in a semiconductor device

Номер патента: US7361547B2. Автор: Yong-Sun Ko,In-seak Hwang,Ki-Hyun Hwang,Kwang Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Film for forming spacer, method for manufacturing semiconductor wafer conjugant, semiconductor wafer conjugant and semiconductor device

Номер патента: TW201133653A. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2011-10-01.

Measuring method for life of small number of carrier in semiconductor

Номер патента: JPS5727043A. Автор: Toshiki Ito,Kunihiko Hara. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1982-02-13.

Semiconductor device and method for producing a carrier element suitable for a semiconductor device

Номер патента: WO2019114968A1. Автор: Choo Kean Lim,Choon Keat OR,Choon Kim LIM,Siew Yan CHUA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor module and method for mounting the same

Номер патента: US20050116330A1. Автор: Tomotoshi Sato,Rina Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Apparatus and Method For Generating Test Pattern Data For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080040639A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US20230402478A1. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US11798969B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and semiconductor package

Номер патента: US11948920B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Chia-Yin Chen,Yang-Chih Hsueh,Yan-Zuo Tsai,I-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method for generating integrated circuit layout

Номер патента: US20240014202A1. Автор: Chun-Cheng Ku,Kuan-Jung Jhu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Mold for measuring the flow property, method for measuring the flow property, resin composition for encapsulating semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201128177A. Автор: Atsunori Nishikawa. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2011-08-16.

Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101013474B1. Автор: 고자와미와,노자키고지,나미키다카히사,곤주니치. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2011-02-14.

Method for monitoring the shape of the processed surfaces of semiconductor devices and equipment for manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20040048399A1. Автор: Hiroyuki Yano,Katsuya Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

Composition for forming alpha-ray-shielding film, laminate, and semiconductor device

Номер патента: CN115210328A. Автор: 荒山恭平,宫田哲志,横山宪文. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-10-18.

Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: EP1609835A1. Автор: Masahito Ide,Katsuya Ouchi,Manabu Tsumura,C/o Nichia Corporation KURAMOTO Masafumi,C/o Nichia Corporation MIKI Tomohide. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2005-12-28.

METHOD FOR THINNING, METALIZING, AND DICING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE USING THE METHOD

Номер патента: US20150108612A1. Автор: NUMAGUCHI Hiroyuki. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-23.

Heat-curable silicon resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, and method for producing light emitting device and encapsulated light emitting semiconductor device using the same

Номер патента: KR20140081736A. Автор: 도시오 시오바라,츠토무 가시와기. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2014-07-01.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN111278882B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Jxtg Energy Corp. Дата публикации: 2022-12-30.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN111278883B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Jxtg Energy Corp. Дата публикации: 2022-12-30.

Method for fabricating a lower plate for a capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100338959B1. Автор: 박상희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-01.

Production method for copolymer film, copolymer film for med therefrom, and semiconductor device using said copolymer film

Номер патента: CN1269866C. Автор: 林喜宏,川原润. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100420780B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-03-02.

Method for adjusting characteristic size of reticle pattern for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN107845573B. Автор: 李东根,郑镛席,权星元,金熙范. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-28.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on substrate

Номер патента: AU742589B2. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Evergrand Holdings Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

Light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: CN101197408B. Автор: 井手正仁,三木伦英,大内克哉,藏本雅史,津村学. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-08.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100415239B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-01-14.

Light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: CN101197408A. Автор: 井手正仁,三木伦英,大内克哉,藏本雅史,津村学. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2008-06-11.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN112424256B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Eneos Corp. Дата публикации: 2023-02-17.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100353223B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2002-09-18.

Organic Compound, Organic Semiconductor Material, Organic Thin Film And Method For Producing The Same, Organic Semiconductor Composition, And Organic Semiconductor Device

Номер патента: US20180062087A1. Автор: Sadamitsu Yuichi,Shinamura Shoji,Hamada Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Thermal Conducting Sheet, Method for Manufacturing Thermal Conducting Sheet, Heat Dissipation Member, and Semiconductor Device

Номер патента: US20220084902A1. Автор: Aramaki Keisuke,Kanaya Hiroki,Uchida Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBING HEAT CONDUCTIVE SHEET, METHOD FOR PRODUCING ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBING HEAT CONDUCTIVE SHEET, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190080978A1. Автор: Aramaki Keisuke,KUBO Yusuke,RYOSON Hiroyuki,KUMURA Tatsuo. Владелец: DEXERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-14.

APPARATUSES AND METHODS FOR COUPLING CONTACT PADS TO A CIRCUIT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Igeta Masahiko,Terui Yoshimi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20200312687A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat dissipating member, and semiconductor device

Номер патента: CN108463882B. Автор: 荒卷庆辅,内田俊介,金谷纮希,野村优,内田信一. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2022-05-13.

Method for uniform electric characteristics of transistor in wafer

Номер патента: KR100588914B1. Автор: 이동진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-09.

Method for arranging wiring line including power reinforcing line and semiconductor device having power reinforcing line

Номер патента: US20030211722A1. Автор: Won-suk Yang,Jae-Young Lee,Ki-nam Kim,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-13.

Lead frame, method for partially plating lead frame with noble meta and semiconductor device formed by using the lead frame

Номер патента: KR100266726B1. Автор: 히데오 호리타,치아키 하츠타. Владелец: 기타지마 요시토시. Дата публикации: 2000-09-15.

Method for low stress flip-chip assembly of fine-pitch semiconductor devices

Номер патента: US8530360B2. Автор: Abram M. Castro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Electromagnetic wave absorbing heat transfer sheet, method for producing electromagnetic wave absorbing heat transfer sheet, and semiconductor device

Номер патента: WO2018061712A1. Автор: 久村　達雄. Владелец: デクセリアルズ株式会社. Дата публикации: 2018-04-05.

Thermal conducting sheet, method for manufacturing thermal conducting sheet, heat dissipation member, and semiconductor device

Номер патента: KR101947333B1. Автор: 게이스케 아라마키,신이치 우치다,히로키 가나야. Владелец: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-02-12.

Method for manufacturing external connection electrode, external connection electrode, and semiconductor device

Номер патента: JP3589794B2. Автор: 純一 河西,正孝 水越,豊 牧野,城次 藤森,健一 永重,英二 渡辺,博行 依田,実 仲田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-11-17.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat-radiating member, and semiconductor device

Номер патента: CN111739856A. Автор: 荒卷庆辅,金谷纮希,大门正英. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-10-02.

Method for protecting semiconductor integrated circuit against reverse engineering and semiconductor device

Номер патента: CN111610425A. Автор: 村上洋树. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Non-contact method for monitoring and controlling plasma charging damage in a semiconductor device

Номер патента: US6251697B1. Автор: Pradip K. Roy,Carlos M. Chacon. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Thermal conducting sheet, method for manufacturing thermal conducting sheet, heat dissipation member, and semiconductor device

Номер патента: EP3404708A4. Автор: Shinichi Uchida,Hiroki Kanaya,Keisuke Aramaki. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2019-09-11.

Structure and Method for Monitoring Variation Within an Active Region of a Semiconductor Device Using Scaling

Номер патента: US20080288188A1. Автор: William Y. Chang,Sharon L. Von Bruns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

System and method for thermal protection of a transistor in an electrically powered vehicle

Номер патента: DE102012015841A1. Автор: Lewei Qian. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat-radiating member, and semiconductor device

Номер патента: CN111725162A. Автор: 荒卷庆辅,金谷纮希,大门正英. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Fabrication method for chip size package and non-chip size package semiconductor devices

Номер патента: US7632711B2. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US20100097084A1. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US8519732B2. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2013-08-27.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

System and method for photolithography in semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060172520A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Burn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240213144A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US20180033686A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Chih-ching Cheng,Fang-Yi WU,Chia-Hsin TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor dielectric structure and method for making the same

Номер патента: US20010023989A1. Автор: Milind Weling,Rao Annapragada. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and apparatus for providing mask in semiconductor processing

Номер патента: WO2007136515A1. Автор: Jonathan Kim,Camelia Rusu,Yoojin Kim. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-29.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200144500A1. Автор: Soo Gil Kim,Joo Young MOON,Young Seok Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200403155A1. Автор: Soo Gil Kim,Joo Young MOON,Young Seok Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device structure with protection cap and method for forming the same

Номер патента: US20190371653A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20190139895A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Via for semiconductor device connection

Номер патента: US20240250020A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20200118932A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for forming semiconductor device structure with graphene layer

Номер патента: US10818596B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274525A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020094657A1. Автор: Woo-Seok Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282517A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods for forming passivation protection for an interconnection structure

Номер патента: WO2015134118A1. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Yong Cao,Yana Cheng,Mei-Yee Shek,Sree Rangasai V. Kesapragada. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-11.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20140367864A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182846A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods for forming conductive vias, and associated devices and systems

Номер патента: US20220208606A1. Автор: Dale W. Collins,David S. Pratt,Raju Ahmed,David A. Kewley,Trupti D. Gawai,Radhakrishna Kotti,Ahmed M. Elsied,Chelsea M. Jordan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Methods for forming conductive vias, and associated devices and systems

Номер патента: US20240258167A1. Автор: Dale W. Collins,David S. Pratt,Raju Ahmed,David A. Kewley,Trupti D. Gawai,Radhakrishna Kotti,Ahmed M. Elsied,Chelsea M. Jordan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for forming thermal oxide film on semiconductor substrate and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240274477A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020127869A1. Автор: Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020013066A1. Автор: Kazuo Maeda,Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182803A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070116863A1. Автор: Kazunari Kimino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Methods for forming dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US12080560B2. Автор: Xiaohong Zhou,Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for insulating components of semiconductor devices by means of grooves

Номер патента: RU2187174C2. Автор: Мун-хан ПАРК,Суг-хун ХОНГ,Ю-гюн СИН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2002-08-10.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240105467A1. Автор: Sanghyun SON,YoungUk Noh,Myungho JUNG. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Method for forming hybrid bonding with through substrate via (tsv)

Номер патента: US20180005977A1. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for forming pattern and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20130023118A1. Автор: Dong-Kwon Kim,Myeong-Cheol Kim,Do-hyoung Kim,Soo-Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for forming a nitridized interface on a semiconductor substrate

Номер патента: US20010044222A1. Автор: Jonathan Taylor,David Jendresky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device with pure copper wirings and method of manufacturing a semiconductor device with pure copper wirings

Номер патента: US20010035583A1. Автор: Takeshi Kubota,Mitsutoshi Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Method for forming a semiconductor structure having a strained silicon layer

Номер патента: US20070277728A1. Автор: Mariam G. Sadaka,Bich-Yen Nguyen,Ted R. White,Voon-Yew Thean,Alexander L. Barr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device structure with fine boron nitride spacer patterns and method for forming the same

Номер патента: US20220037155A1. Автор: Pei-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074110B2. Автор: Jung-Kuo Tu,Ching-Kai Shen,Yi-Chuan Teng,Wei-Chu LIN,Hung-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20210020669A1. Автор: Chin-Yu Lin,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Su-Yu Yeh,Huai-Jen Tung,Chia-Yun Chen,Ta-Cheng Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240234309A9. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process

Номер патента: US20070059926A1. Автор: Jae Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200301280A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor Devices with a Nitrided Capping Layer

Номер патента: US20230029002A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Chi Chuang,Yuting CHENG,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Tzu Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US12087579B2. Автор: Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang,Wei-Hsin Lin,Po-Cheng LAI,Yu-Hsin Hsu,Yi-Hsuan Lin,Kuan-Shien LEE,Wang Cheng Shih,Ming Che Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190155156A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Mechanisms for Forming Patterns Using Multiple Lithography Processes

Номер патента: US20170372891A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Tsai-Sheng Gau,Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11776810B2. Автор: Chun-Yen Chang,Yee-Chia Yeo,Chia-Cheng Chen,Chih-Kai Yang,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Ya Hui Chang,Chun-Hung Wu,Yu-Tien Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for Forming a Protective Layer for Use In Packaging a Semiconductor Die

Номер патента: US20040183163A1. Автор: Tongbi Jiang,Zhiping Yin,Mike Connell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for forming semiconductor package structure

Номер патента: US20240258193A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230411156A1. Автор: Chun-Yen Chang,Yee-Chia Yeo,Chia-Cheng Chen,Chih-Kai Yang,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Ya Hui Chang,Chun-Hung Wu,Yu-Tien Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for forming field oxide

Номер патента: US20060094254A1. Автор: Shih-Chi Lai,Jen Chieh Chang,Yi Fu Chung. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Method for forming an oxynitride layer

Номер патента: US20030077915A1. Автор: Chia-Lin Ku,Yung-Hsien Wu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-04-24.

Film forming method, semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020013068A1. Автор: Tomomi Suzuki,Kazuo Maeda,Youichi Yamamoto,Hiroshi Ikakura,Kouichi Ohira,Yoshimi Shioya,Yuichiro Kotake,Shoji Ohgawara. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device structure having air gap and methods of forming the same

Номер патента: US20230386901A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20220384251A1. Автор: Yu-Jui Chang,Kwang-Ming Lin,Ya-Huei Kuo,Chih-Cherng Liao,Ya-Ting Chang,Tsung-Hsiung LEE,Pei-Yu Chang,Kai-Chuan KAN,zheng-xian Wu,I-Ping Lee,Yow-Shiuan LIU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for forming insulating film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160240374A1. Автор: Shigeru Kasai,Kohei Kawamura,Yutaka Fujino,Akira Tanihara,Kotaro Miyatani,Kenichi KOTE,Takuya Kurotori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for forming isolation film

Номер патента: US6656851B1. Автор: Young-Kuk Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-12-02.

Method for forming pattern using hard mask

Номер патента: US20080160778A1. Автор: Ki-Won Nam,Ky-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for forming wiring on semiconductor device

Номер патента: US20230352341A1. Автор: Hiroshi Komatsu. Владелец: Connectec Japan Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device structure with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210351140A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for forming and filling isolation trenches

Номер патента: EP1338033A2. Автор: Andreas Knorr,Rajeev Malik,Mihel Seitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-27.

Semiconductor package structure having ring portion with recess for adhesive and method for forming the same

Номер патента: US11749575B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Fu Kao,Hui-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Method for removing semiconductor fins using alternating masks

Номер патента: US20160042964A1. Автор: Chia-Chu Liu,Kuei-Shun Chen,Hua-Tai Lin,Cheng-Cheng Kuo,Jeng-Shiun Ho,Ching-Che Tsai,Tzu-Chun Lo,Min-Hung Cheng,Hsiao-Wei Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20220238345A1. Автор: Atsushi Takahashi,Yuya Nagata,Ayata Harayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for controlling temperature of furnace in semiconductor fabrication process

Номер патента: US20190096714A1. Автор: Jih-Churng Twu,Yueh-Ting YANG,Yi-Chi Huang,Feng-Yu CHEN,Shu-Han CHAO,Jian-Lun LO,Yuan-Hsiao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor devices, memory devices, and methods for forming the same

Номер патента: WO2023130203A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device forming method and semiconductor device

Номер патента: EP4325576A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for forming inductor in semiconductor device

Номер патента: US20050037589A1. Автор: Young Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

System and method for forming solder bumps

Номер патента: WO2021018466A1. Автор: Jae-Woong Nah,Jeng-Bang Yau,Peter Jerome Sorce,Eric Peter Lewandowski. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for extracting trap time constant of gate dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US20160153923A1. Автор: Xing Zhang,Shaofeng Guo,Ru Huang,Runsheng Wang,Xiaobo JIANG,Pengpeng REN,Mulong LUO. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-02.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: WO2022071981A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-04-07.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: EP4200899A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Bonding contacts having capping layer and method for forming the same

Номер патента: US20210091033A1. Автор: YUAN Li,Liang Ma,Jie Pan,Xianjin Wan,Si Ping HU,Shu Liang Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device having stacked capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240268094A1. Автор: Yen-Min RUAN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US11916037B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US20230238354A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US8974617B2. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-03-10.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US20140166194A1. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US20190198341A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US11018015B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for manufacturing capacitor array, capacitor array, and semiconductor device

Номер патента: US20230231007A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device, method for manufacturing same, light-emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US20170084793A1. Автор: Tae Geun Kim,Kyung Heon KIM. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US8153449B2. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-04-10.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US20110223692A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-15.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: EP2156467A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080048228A1. Автор: Takashi Sakoh,Mami Toda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Method for manufacturing a front electrode of a semiconductor device

Номер патента: US20160260851A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2016-09-08.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing the same

Номер патента: US12046696B2. Автор: Martin Behringer,Tansen Varghese,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Resist compound for photolithography, method for forming the same, and method for manufacturing semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240255849A1. Автор: JINKYUN Lee,Gayoung KIM,Yejin KU. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20090184290A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Device and method for individual finger isolation in an optoelectronic device

Номер патента: US20130049154A1. Автор: Andreas Hegedus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20050271823A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Methods for forming articles having very small channels therethrough, and such articles, and methods of using such articles

Номер патента: WO2003079374A3. Автор: Thomas W. Eagar,Christopher S. Musso. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210217906A1. Автор: Chih-Hsien Chen,Wen-Chih Lu,Han-Liang Tseng,Yin Chen,Kwang-Ming Lin,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN,Jiunn-Liang Yu,Si-Twan CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for Manufacturing a Radiation-Emitting Semiconductor Component and Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200013926A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and method for setting voltage in semiconductor device

Номер патента: US20160291628A1. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220029035A1. Автор: Chih-Hsien Chen,Wen-Chih Lu,Han-Liang Tseng,Yin Chen,Kwang-Ming Lin,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN,Jiunn-Liang Yu,Si-Twan CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor die package with ring structure and method for forming the same

Номер патента: US12068260B2. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Chen Lee,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for surface roughness enhancement in semiconductor capacitor manufacturing

Номер патента: US20030114005A1. Автор: Helmut Tews,Rajarao Jammy,Uwe Schroeder,Stephan Kudelka,Irene Mcstay,Stephen Rahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Chip packages and methods for forming the same

Номер патента: US10770417B2. Автор: Wang-Lai Yang. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20190304837A1. Автор: Han-Liang Tseng,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20040009435A1. Автор: Eun-Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Chip packages and methods for forming the same

Номер патента: US20190172805A1. Автор: Wang-Lai Yang. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Chip packages and methods for forming the same

Номер патента: US20200388585A1. Автор: Wang-Lai Yang. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Method For Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20080081408A1. Автор: Myung Hwan Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20020192906A1. Автор: Sang-Ho Woo,Eui-Sik Kim,Kwang-seok Jeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for improved semiconductor processing equipment tool pedestal / pad vibration isolation and reduction

Номер патента: US20180283486A1. Автор: Suk K. Kim-Whitty. Владелец: Sk Commercial Construction Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: WO2024124771A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for improved semiconductor processing equipment tool pedestal/pad vibration isolation and reduction

Номер патента: WO2018184033A1. Автор: Suk K. Kim-Whitty. Владелец: SK COMMERCIAL CONSTRUCTION, INC.. Дата публикации: 2018-10-04.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: EP4409643A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for forming capacitor opening hole, and method for forming memory capacitor

Номер патента: EP4002504A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Method and Apparatus for Forming Oriented Nanowire Material and Method for Forming Conductive Structure

Номер патента: US20150380131A1. Автор: Feng Bai,Zhen Liu,Tao Ren,Yiming Zhao,Ruiyong WANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240213403A1. Автор: Yung-Hsiang Lin,Tien-Yu Wang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Stacked semiconductor package structure having films and method for manufacturing the films

Номер патента: US20020151102A1. Автор: CHEN PENG,Wen Lee,Jichen Wu,Nai Yeh,Meng Tsai,C.F. Wang. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Method for making diodes for middle-wave ir range of spectrum

Номер патента: RU2647978C2. Автор: Наталья Дмитриевна Ильинская,Борис Анатольевич Матвеев,Максим Анатольевич Ременный,Анна Александровна Усикова,Ольга Вениаминовна Иванова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИоффеЛЕД". Дата публикации: 2018-03-21.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220102429A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Adapter board and method for forming same, packaging method, and package structure

Номер патента: US20210398892A1. Автор: Chen Wei,CAI Qiaoming,Yang Lie Yong,Lu Xiao Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Organic photoelectric semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8692235B2. Автор: Ten-Chin Wen,Sung-Nien Hsieh,Tzung-Fang Guo,Wei-Chou Hsu,Chen-Yan Li. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2014-04-08.

Method for forming cylindrical capacitor lower plate in semiconductor device

Номер патента: US5858834A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kiyotaka Sakamoto,Shuji Fujiwara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Hardware-software methods for predicting critical states of transistors in frequency converter

Номер патента: RU2754962C1. Автор: Сергей Иванович Кокташев,Дмитрий Олегович Анисимов,Владимир Владимирович Квитков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «ТРАНСМАШ». Дата публикации: 2021-09-08.

Method for producing doped organic nanoparticles, method for producing a functional layer, functional layer, and organic semiconductor device

Номер патента: EP4299647A1. Автор: Christoph Brabec,Junyi Xu,Thomas HEUMÜLLER. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for forming laminated resin film and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20110306185A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for processing the beam of neutral particles based on the technology for processing the beam of gas cluster ions and obtained by such as a product

Номер патента: RU2648961C2. Автор: Майкл Дж. УОЛШ,Шон Р. КИРКПАТРИК,Аллен Р. КИРКПАТРИК. Владелец: Эксодженезис Корпорейшн. Дата публикации: 2018-03-28.

Tubular sofc with cathode current collector and method for forming cathode fuel collector

Номер патента: RU2754352C1. Автор: Александр Владимирович Сивак,Илья Алексеевич Гвоздков,Егор Александрович Левченко,Руслан Сергеевич Тимербулатов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский центр "ТОПАЗ" (ООО "НИЦ "ТОПАЗ"). Дата публикации: 2021-09-01.

Method for forming high energy density clumps in electron flow and a drift klystron

Номер патента: RU2654537C1. Автор: Олег Юрьевич Масленников,Игорь Анатольевич Гузилов. Владелец: Демидова Елена Викторовна. Дата публикации: 2018-05-21.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL HETEROSTRUCTURES EuO/Ge

Номер патента: RU2768948C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Иван Сергеевич Соколов,Андрей Михайлович Токмачев,Вячеслав Григорьевич Сторчак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2022-03-25.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: WO2016116565A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2016-07-28.

Cold Forming Method for Forming Power Pins and Power Pin Formed Thereof

Номер патента: US20160336675A1. Автор: Manzhi Zhou,Guangdong Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-17.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Dynamically adjusting operation of a circuit within a semiconductor device

Номер патента: US20090072855A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Raghukiran Sreeramaneni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for forming vertical channel transistor in semiconductor device and layout of mask for wordline for it

Номер патента: KR101035410B1. Автор: 정진기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-20.

Devices and Methods for Automatic Thermal Bias of Transistors in Musical Devices

Номер патента: US20220085768A1. Автор: Christopher Benson. Владелец: Benson Amps Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for reducing particles and defects during flash memory fabrication

Номер патента: US20030181008A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor integrated circuit and method for switching source potential of transistor in semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP3770741B2. Автор: 聡 江渡,英樹 加納,正人 松宮,雅人 瀧田,徹 古賀,俊和 中村,邦範 川畑,綾子 北本,正智 長谷川,祐樹 石井. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

APPARATUSES AND METHODS FOR DEACTIVATING A DELAY LOCKED LOOP UPDATE IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210065782A1. Автор: MAE Kenji,MIYANO Kazutaka,Satoh Yasuo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Apparatuses and methods for deactivating a delay locked loop update in semiconductor devices

Номер патента: US11049543B2. Автор: Yasuo Satoh,Kazutaka Miyano,Kenji Mae. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-29.

Method for conditioning semiconductor-on-insulator transistors in programmable logic devices

Номер патента: CA2431432C. Автор: Austin H. Lesea,Robert J. Francis. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2006-05-02.

Inverter for forming high-speed power driving circuit of semiconductor device

Номер патента: KR100410813B1. Автор: 여정현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-30.

Method for manufacturing a dynamic random access memory cell

Номер патента: US5270239A. Автор: Jae K. Kim,Wi S. Min. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-12-14.

A method for analog-to-digital conversion, analog-to-digital converter, semiconductor device for detecting the distribution of physical quantities and electronic device

Номер патента: DE602005013469D1. Автор: Noriyuki Fukushima,Yoshikazu Nitta,Yoshinori Muramatsu,Yukihiro Yasui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for producing ceramic and apparatus for producing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: KR100476495B1. Автор: 나토리에이지. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-03-17.

Making method for light emitting device by ink jet printing and semiconductor device using the same

Номер патента: KR20230068909A. Автор: 박병주. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for manufacturing material for use in manufacturing electroluminescent organic semiconductor devices

Номер патента: EP2381503B1. Автор: Janos Veres. Владелец: Polyphotonix Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Devices and Methods for Automatic Thermal Bias of Transistors in Musical Devices

Номер патента: US20220085768A1. Автор: BENSON Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Method for conditioning semiconductor-on-insulator transistors in programmable logic devices

Номер патента: CA2431432A1. Автор: Austin H. Lesea,Robert J. Francis. Владелец: Robert J. Francis. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

A method for removing surface contaminants on moulds used in semiconductor packaging tools

Номер патента: MY136708A. Автор: Chen Qiong,LU Yongfeng,Song Wendong,Gow Cheng Pak,Tay Huck Wee,Hwa Teik Hing Thomas,Jason Ngin Yan Koon,Jason Sim Yak Hui,Lim Lui Ching Dawn. Владелец: Advanced Systems Automation Ltd. Дата публикации: 2008-11-28.

Apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor workpieces

Номер патента: WO2007008311A3. Автор: Steve Hummel,Andrzej Buczkowski. Владелец: Andrzej Buczkowski. Дата публикации: 2008-01-10.

Apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor workpieces

Номер патента: WO2007008311A2. Автор: Steve Hummel,Andrzej Buczkowski. Владелец: Nanometrics Incorporated. Дата публикации: 2007-01-18.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US11898266B2. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US20230340689A1. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Systems and methods for stable and elevated idle-mode temperature for assembled semiconductor devices

Номер патента: WO2023055461A1. Автор: Marc Beuchat,Phani Kumar Kandula,Nikos Kaburlasos,David N. Lombard,Eric J.M. Moret,Rodrigo De Oliveira Vivi,John Kelbert,Brad Bittel,Mark J. LUCKEROTH. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-04-06.

Apparatus and method for the parallel and independent testing of voltage-supplied semiconductor devices

Номер патента: US6903565B2. Автор: Udo Hartmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

Apparatus and method for identifying proper orientation and electrical conductivity between a semiconductor device and a socket or contactor

Номер патента: US20080218174A1. Автор: James Barnett,Carlos Cisneros,Charles Engle,Maria Evans. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089508B2. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12022739B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for forming memristive structures based on composite oxides with nanoparticle agglomerate

Номер патента: RU2767721C1. Автор: Владимир Петрович Жалнин,Вадим Анатольевич Шахнов,Андрей Игоревич Власов,Константин Александрович Муравьев,Александр Александрович Расюк,Олег Вячеславич Косьянов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана (Национальный Исследовательский Университет)". Дата публикации: 2022-03-18.

Method for forming a resist pattern

Номер патента: US20240219834A1. Автор: Tokio Nishita,Takahiro Kishioka,Shun KUBODERA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

A method for removing surface contaminants on moulds used in semiconductor packaging tools

Номер патента: EP1039977A4. Автор: Qiong Chen,Wendong Song,Yongfeng Lu,Huck Wee Tay,Teik Hing Thomas Hwa,Lui Ching Dawn Lim,Jason Yan Koon Ngin,Jason Yak Hui Sim,Cheng Pak Gow. Владелец: Advanced Systems Automation Ltd Singapore. Дата публикации: 2003-08-13.

Systems and methods for programmable chip enable and chip address in semiconductor memory

Номер патента: TW200912632A. Автор: Jian Chen,Long Pham,Tien-Chien Kuo,Alex Mak,Loc Tu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-03-16.

APPARATUSES AND METHODS FOR REDUCING ACCESS DEVICE SUB-THRESHOLD LEAKAGE IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210050042A1. Автор: Lam Boon Hor,Major Karl L.,Hilde Shawn M.,Marley Travis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-18.

Apparatuses and methods for reducing access device sub-threshold leakage in semiconductor devices

Номер патента: US10998022B2. Автор: Boon Hor Lam,Karl L. Major,Shawn M. Hilde,Travis Marley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-04.

System and method for implementing photoetching process in being manufactured in semiconductor devices

Номер патента: CN104049468B. Автор: 张书豪,陈家桢,陈政宏,严涛南,简上杰,吴瑞庆,简铭进. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for forming a pattern and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050153245A1. Автор: Yasunobu Onishi,Yasuhiko Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for forming pre-metal dielectric layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100508531B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-08-17.

ANTIREFLECTIVE ORGANIC COATING COMPOSITION, METHOD FOR FORMING PHOTORESIST PATTERNS USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE THEREBY

Номер патента: FR2842533B1. Автор: Jae Chang Jung,Ki Soo Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-24.

METHOD FOR USING ACOUSTIC WAVES FOR PURGING FILTERS IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT

Номер патента: US20150079518A1. Автор: Jacobson Guy. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Method for producing adhesive tape for housing used in semiconductor field

Номер патента: KR100718811B1. Автор: 김애란. Владелец: 김애란. Дата публикации: 2007-05-16.

Circuit and method for supplying voltage source of sense amplifier in semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100738959B1. Автор: 정봉화. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-12.

Systems and methods for programmable chip enable and chip address in semiconductor memory

Номер патента: TWI380165B. Автор: Jian Chen,Long Pham,Tien chien Kuo,Alex Mak,Loc Tu. Владелец: SanDisk Technologies Inc. Дата публикации: 2012-12-21.

Internal signal generator and method for generating an internal address for use in semiconductor memory device

Номер патента: TWI320188B. Автор: Beom-Ju Shin. Владелец: . Дата публикации: 2010-02-01.

PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, MONOMER FOR PRODUCING RESIN FOR SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESS, RESIN, METHOD FOR PRODUCING RESIN, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM

Номер патента: US20180299776A1. Автор: GOTO Akiyoshi,Yonekuta Yasunori,Hatakeyama Naoya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-10-18.

Methods for planarization and encapsulation of micromechanical devices in semiconductor processes

Номер патента: EP0820599B1. Автор: Joseph T. Kung. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

method for outputting internal information through test pin in semiconductor memory and output circuit therefore

Номер патента: KR100394575B1. Автор: 이광진,김남석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-08-14.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US20200363978A1. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US11449258B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

APPARATUSES AND METHODS FOR EXTRACTING DEFECT DEPTH INFORMATION AND METHODS OF IMPROVING SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESSES USING DEFECT DEPTH INFORMATION

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Lee Dong-Ryul,Ahn Jeong-Ho,Chin Soo-Bok,LEE Byoung-ho,Sun Jong-Cheon,Ihm Dong-Chul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for measuring aberation of lens in exposing device of semiconductor device

Номер патента: KR100682177B1. Автор: 김희범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-12.

Production method for exposure mask, exposure mask, and production method of semiconductor device

Номер патента: WO2003071590A1. Автор: Minoru Sugawara. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2003-08-28.

METHOD FOR ESTIMATING THE END OF LIFETIME FOR A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140125366A1. Автор: Rannestad Bjørn,Thøgersen Paul Bach. Владелец: KK-ELECTRONIC A/S. Дата публикации: 2014-05-08.

SYSTEMS AND METHODS FOR DEPOPULATING PINS FROM CONTACTOR TEST SOCKETS FOR PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180106835A1. Автор: Tong Kay Chan,Ata Hisashi,Shwe Thiha. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Systems and Methods for Depopulating Pins from Contactor Test Sockets for Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20200141974A1. Автор: Tong Kay Chan,Ata Hisashi,Shwe Thiha. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

METHOD FOR INSPECTING PATTERN AND AN APPARATUS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160275663A1. Автор: Yang Seunghune,YANG Kiho,CHI KAIYUAN. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Apparatus and method for collecting contaminants from an air flow for manufacturing semiconductor devices and system using the same

Номер патента: US20070039470A1. Автор: Ha-Na Kim,Yo-han Ahn,Dong-Seok Ham,Chang-Min Cho,Kwang-Min Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-22.

Method for Testing a Plurality of Transistors in a Target Chip

Номер патента: US20150002184A1. Автор: Ouyang Xu,Shao Kangpeng,Zheng Yongjun. Владелец: Semitronix Corporation. Дата публикации: 2015-01-01.

Systems And Methods For Predicting And Managing Power And Energy Use Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210157966A1. Автор: Huilgol Ninad,Crowl Lawrence. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Circuit and method for reducing number of data input and output and semiconductor device

Номер патента: JPH1152028A. Автор: Gyu-Hong Kim,金奎泓. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-02-26.

Method for manufacturing the half tone phase shift mask of semiconductor device

Номер патента: KR100588910B1. Автор: 박세진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-09.

Method for manufacturing iron silicide layer, semiconductor substrate, and optical semiconductor device

Номер патента: JP3979115B2. Автор: 健志 山口,一樹 水嶋,文夫 長谷川,崇 末益. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2007-09-19.

Method for metal plating, pretreating agent, and semiconductor wafer and semiconductor device using same

Номер патента: CN1420944A. Автор: 熊谷正志,关口淳之辅,伊森徹. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-28.

Method for extracting the distribution of charge stored in a semiconductor device

Номер патента: WO2006128922A1. Автор: Arnaud Furnémont. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw. Дата публикации: 2006-12-07.

Carbon hybrid fiber including conductive complex, method for manufacturing the same, and functional textile assembly and semiconductor device using the same

Номер патента: KR20150144502A. Автор: 오영석,이강은,이원오,정병문,엄문광,성동기,이제욱. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2015-12-28.

Photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, patterned cured film, and semiconductor device

Номер патента: KR20230029588A. Автор: 마사히로 하시모토,데루아키 스즈키,유 아오키,요시미 하마노. Владелец: 레조낙 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2023-03-03.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US10604859B2. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US20180087169A1. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

System, apparatus and method for contaminant reduction in semiconductor device fabrication equipment components

Номер патента: EP1784595A2. Автор: Darwin G. Enicks,Carl E. Friedrichs,Richard A. Brucher. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Method for manufacture of mineral fiber panel containing one or more cavities of predetermined shape

Номер патента: RU2265091C2. Автор: Оле Легтольт ПЕДЕРСЕН. Владелец: РОКВУЛ ИНТЕРНЭШНЛ А/С. Дата публикации: 2005-11-27.

Photoresist compositions, methods for forming pattern using the same, and methods for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220128905A1. Автор: Jung Min Lee,Jong Hoon Kim,Suk Koo Hong,Eun Shoo Han,Sung An Do,Hong Joon Lee,Seung Chul Kwon,Sin Hae Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Apparatus for preventing cross talk and interference in semiconductor devices during test

Номер патента: US20040262603A1. Автор: John Blondin,Gene Patrick,Kevin Potasiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Antiembolic protection device, method for its folding and forming device

Номер патента: RU2742690C2. Автор: Оливер ШУМАХЕР,Михаель ПФЕННИГ,Виктор Альфонсе ХИМЕНЕС ДИАС,Конрад РАСМУС,Карл ФОН МАНГОЛЬД. Владелец: Протембис Гмбх. Дата публикации: 2021-02-09.

Preparation of treatment composition and bath maintenance system and method for treatment formed therefrom

Номер патента: RU2721259C1. Автор: Эрик Л. МОРРИС,Гордон Л. ПОСТ,Майкл А. МЭЙО,Эдвард Ф. РАКИЕВИЧ,Майкл Дж. ПАУЛИК. Владелец: Прк-Десото Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2020-05-18.

Method for manufacturing a smoking product

Номер патента: RU2771509C1. Автор: Норио ЯМАМОТО,Риодзи Фудзита,Кадзухико КАТАЯМА,Такеси Синкава. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for forming a two-thread two-line chain stitch and a device for its implementation

Номер патента: RU2756206C1. Автор: Олег Петрович Бутенко,Виктория Анатольевна Зинькова,Ольга Викторовна Костина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова». Дата публикации: 2021-09-28.

Extrusion head, extruder and method for forming extruded or co-extruded pieces of food product, extruded or co-extruded pieces of food product formed by means of specified method

Номер патента: RU2753243C2. Автор: Эмильен ЭСТЭВ,Реми ТОНЕ БРЮШЕ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2021-08-12.

Method for intensive growing potatoes with soil enrichment with water using a supersorbent with drop irrigation

Номер патента: RU2729812C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2020-08-12.

System, machine-readable media and method for core analysis by images

Номер патента: RU2760105C1. Автор: Ксения Ахатовна Габдрахманова,Тимур Венерович Мамяшев,Дмитрий Александрович Степанов,Тимур Альфредович Салимов,Данил Петрович Кульминский,Владислав Владимирович Ефимов,Владислав Игоревич Горбунов. Владелец: Публичное акционерное общество «Газпром нефть». Дата публикации: 2021-11-22.

Pharmaceutical substance for forming drug preparations based on gramicidin c and a method for production thereof (versions), pharmaceutical substance for forming drug preparations of prolonged action based on gramicidin c and a method for production thereof (versions)

Номер патента: RU2733715C2. Автор: Владлен Борисович Калустов,Александр Алексеевич Дранников. Владелец: Акционерное Общество "Производственная Фармацевтическая Компания Обновление". Дата публикации: 2020-10-06.

Polylayers glass container from transparent glass and amber pigmented glass and method for manufacturing the same

Номер патента: RU2266261C2. Автор: Рональд Т. МАЙЕРС,Рональд А. ЧИРИНЧОНЕ,У. Алан ПУЛОС. Владелец: Оуэнс-Броквэй Гласс Контейнер Инк.. Дата публикации: 2005-12-20.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for producing a bioresorbable tube based on methacrylized gelatine and methacrylized fibroin and a method for reconstructing a small intestine wall experimentally using such a tube

Номер патента: RU2714200C1. Автор: Иван Викторович Бессонов,Мария Николаевна Копицына,Александр Владимирович Куликов,Михаил Михайлович Мойсенович,Дмитрий Александрович Куликов,Юрий Николаевич Филюшкин,Алла Аликовна Рамонова,Анастасия Юрьевна Архипова,Александр Владимирович Федулов,Константин Вольдемарович Шайтан,Полина Александровна Глазкова,Дарья Валерьевна Мосальская,Дмитрий Юрьевич Семенов,Анастасия Михайловна Мойсенович,Ирина Анатольевна Кондратьева,Андрей Сергеевич Колосов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Method for treatment of acute pulmonary insufficiency and device for its implementation savelieva b.s.

Номер патента: RU2745759C1. Автор: Борис Михайлович Рачков,Борис Сергеевич Савельев. Владелец: Борис Сергеевич Савельев. Дата публикации: 2021-03-31.

Method for forming collection and long-term deposition of grapes in vitro

Номер патента: RU2764104C1. Автор: Наталья Петровна Дорошенко,Валентина Георгиевна Пузырнова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный Ростовский аграрный научный центр" (ФГБНУ ФРАНЦ). Дата публикации: 2022-01-13.

Method for formation of cavitational zones in flow of non-burning liquid and control of their destruction, and also device for implementation of method

Номер патента: RU2657389C1. Автор: Герман Евсеевич Иткин,Никита Анатольевич Федоров. Владелец: Герман Евсеевич Иткин. Дата публикации: 2018-06-13.

Method for two-level management and system for its implementation (options)

Номер патента: RU2665096C1. Автор: Валерий Анатольевич Селифанов. Владелец: Валерий Анатольевич Селифанов. Дата публикации: 2018-08-28.

Method for forming of ceramic coat, target for performing the same, and method for manufacturing the target

Номер патента: RU2320772C2. Автор: Бертран СЕН-РАМОН,Андре МАЛИ,Кристоф ШАПЮ,Кирилл ДЕЛАЖ,Изабель ПОРТЕ. Владелец: Снекма Моторс. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for producing a metal tape with a bronze layer with a corrugated surface for impregnation with a fluoroplastic paste

Номер патента: RU2764531C1. Автор: Ахнаф Раисович Гарифуллин,Василий Николаевич Корнопольцев. Владелец: Василий Николаевич Корнопольцев. Дата публикации: 2022-01-18.

Mask blank and method for manufacturing transfer mask

Номер патента: US20090233190A1. Автор: Masahiro Hashimoto. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor device with transducer and method for forming the same

Номер патента: US20240050987A1. Автор: Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Ming-Hsien Yang,Sheng Kai Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for treating surface with use of electric discharge

Номер патента: RU2319789C2. Автор: Акихиро ГОТО,Масао АКИЁСИ,Кацухиро МАЦУО,Хироюки ОТИАИ,Мицутоси ВАТАНАБЕ,Такаси ФУРУКАВА. Владелец: Исикавадзима-Харима Хеви Индастриз Ко., Лтд. Дата публикации: 2008-03-20.

Film-forming liquid for forming an insulating coating on sheet of anisotropic electrical steel, method for manufacturing sheet of anisotropic electrical steel, and sheet of anisotropic electrical steel

Номер патента: RU2753929C1. Автор: Кадзутоси ТАКЕДА,Суити ЯМАДЗАКИ,Хироясу ФУДЗИИ,Тору НАГАИ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2021-08-24.

Method for forming a rolled combined grass cover

Номер патента: RU2764735C1. Автор: Алексей Александрович Зайцев. Владелец: Алексей Александрович Зайцев. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for forming energy-efficient track of operated vehicle when operated vehicle is moving along section of path that includes mandatory deceleration point

Номер патента: RU2771477C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Омникомм Онлайн". Дата публикации: 2022-05-04.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Method for forming optical communication channel for transmitting acoustic signals

Номер патента: RU2758327C1. Автор: Дмитрий Александрович Тимонов. Владелец: Дмитрий Александрович Тимонов. Дата публикации: 2021-10-28.

System for forming a power-efficient track of an operated vehicle during movement of the operated vehicle along a motorway

Номер патента: RU2764741C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-01-20.

Method and apparatus for forming cryptocode structures for imitation-resistant data transmission over communication channels

Номер патента: RU2764960C1. Автор: Олег Анатольевич Финько,Дмитрий Владимирович Самойленко,Сергей Александрович Диченко,Игорь Олегович Шарапов,Евгений Сергеевич Начинов. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное орденов Жукова и Октябрьской Революции Краснознаменное училище имени генерала армии С.М. Штеменко" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-01-24.

Method for forming a block of ice for subsequent movement thereof

Номер патента: RU2770219C1. Автор: Юрий Васильевич Иванщиков,Юрий Николаевич Доброхотов,Андрей Евгеньевич Макушев,Николай Николаевич Пушкаренко,Людмила Михайловна Корнилова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чувашский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2022-04-14.

Set and method for local delivery of beneficial effects

Номер патента: RU2750210C2. Автор: Курт БИННЕР,Александру ПАУНЕСКУ. Владелец: Джонсон энд Джонсон Консьюмер Инк.. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for producing of mineral wool and apparatus for effectuating the same

Номер патента: RU2266264C2. Автор: Эрик ОСТРАНД,Бьярне ВАЛЛИ,Бь рне ВАЛЛИ,Микаэль ПЕРАНДЕР. Владелец: Парок Груп Ой Аб. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for applying functional elements to flat components

Номер патента: RU2593796C2. Автор: Кристиан МЮЛЛЕР-НИХУУС. Владелец: Федераль-Могуль Силинг Системз Гмбх. Дата публикации: 2016-08-10.

Production method for form-stable feed for pets (versions) and feed produced by this method (versions)

Номер патента: RU2361419C2. Автор: Ким Джин ФРИЗЕН,Харри Мид КЛАРК III,Крейг Ричард КОУЛИ,Уилльям Дэвид ШЕНХЕРР. Владелец: Хилл`С Пет Ньютришн, Инк.. Дата публикации: 2009-07-20.

Method for forming carbon-carbon bond

Номер патента: EP3971156A1. Автор: Hironao Sajiki,Shinji Nakamura,Hitoshi Takada,Tsuyoshi Yamada,Yoshinari Sawama. Владелец: Organo Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Method for forming thin film

Номер патента: WO2003041142A1. Автор: Won-Yong Koh,Choon-Soo Lee. Владелец: Genitech Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for forming thin film

Номер патента: EP1454347A1. Автор: Won-Yong 105-605 Hanul Apt. KOH,Choon-Soo 113-402 Hanmaeul Apt. 200-4 LEE. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-08.

Method for producing of structure for providing prolonged release of aromatizer in chewing gum, composition (versions) and method for producing of chewing gum containing such a structure

Номер патента: RU2266012C2. Автор: Джо Х. СОНГ,Дональд Дж. ТАУНСЕНД,Джеймс Р. МАКСВЕЛЛ. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for forming multilayer woven casing

Номер патента: RU2752183C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2021-07-23.

Method for forming a signature for detecting unauthorised access to a computer obtained using remote administration means, and system implementing the method

Номер патента: RU2769651C2. Автор: Сергей Николаевич Иванов. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2022-04-04.

Method and mask for making watermarked paper, method for making resulting watermarked paper mask, and method for authenticating watermarked paper

Номер патента: RU2748464C2. Автор: Иван ТЬЕРРИ,Стефан МАЛЛОЛЬ. Владелец: Обертюр Фидюсьер Сас. Дата публикации: 2021-05-25.

Method for production of l-glutamic acid

Номер патента: RU2282662C2. Автор: Такаюки КОДА,Хироси УЕДА,Масаказу САТО. Владелец: Адзиномото Ко., Инк.. Дата публикации: 2006-08-27.

Machine and method for confectionary product production

Номер патента: RU2452191C2. Автор: Луис БОРДЕРА,Хоан Ф. ФОРНАГУЕРА,Деннис ЭБЭД,Энди ДЖИЛ,Мелхор БЛАЗКЕЗ,Эмили РОМЕРО. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2012-06-10.

Method for manufacturing a one-piece lining of an upper supporting garment section

Номер патента: RU2658817C1. Автор: Елена Георгиевна Андреева,Галина Петровна Зарецкая,Марина Анатольевна Гусева,Татьяна Васильевна Мезенцева,Олег Вячеславович Кащеев,Асмик Араевна Симонян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет им. А.Н. Косыгина (Технологии. Дизайн. Искусство)". Дата публикации: 2018-06-22.

Method for forming spatial configurations of laser sources in schemes for direct irradiation of spherical targets at installations for laser thermonuclear synthesis

Номер патента: RU2749835C1. Автор: Сергей Викторович Бондаренко,Людмила Владимировна Солнышкова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-06-17.

Method for manufacturing printed goods, device for the continuous production of printed goods and device for synthesized image formation

Номер патента: RU2747162C2. Автор: Аксель ЛУНДВАЛЛЬ. Владелец: Роллинг Оптикс Инновейшн АБ. Дата публикации: 2021-04-28.

Cladding and the method for its formation

Номер патента: RU2759409C1. Автор: Константин Юрьевич Севенард. Владелец: Константин Юрьевич Севенард. Дата публикации: 2021-11-12.

Method for arrangement of modules in measuring device

Номер патента: RU2759246C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-11-11.

Method for automatic monitoring of the condition of asbestos-cement discharge pipelines in a closed irrigation system

Номер патента: RU2762365C1. Автор: Михаил Александрович Бандурин,Павел Григорьевич Пасниченко,Александр Сергеевич Шишкин,Владимир Владимирович Ванжа,Александр Александрович Солодунов,Ахмед Асланович Сидаков,Федор Сергеевич Литовка,Елена Владимировна Дегтярева,Евгений Владимирович Долобешкин,Нелли Олеговна Черняева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2021-12-20.

Heat exchanger, method for formation thereof and use thereof

Номер патента: RU2667565C2. Автор: Петер Ян КОЛ. Владелец: Интергэс Хитинг Эссетс Б.В.. Дата публикации: 2018-09-21.

Method for forming intrastomal pocket for keratoprosthesis implantation using femtosecond laser

Номер патента: RU2644850C1. Автор: Борис Эдуардович Малюгин,Андрей Владимирович Головин,Евгения Владимировна Ковшун,Анна Владимировна Энкина. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-02-14.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-03.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: US20050216799A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375B1. Автор: Mohamed c/o NXP Semiconductors AZIMANE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-05-21.

Method for producing secondarily dehydrated highly-water-absorbent polymer for highly-water-absorbent recycled polymer, and method for producing highly-water-absorbent recycled polymer

Номер патента: EP4357098A1. Автор: Takayoshi Konishi,Eiji Morita,Kazumitsu Suzuki,Shimpei Hasegawa. Владелец: Unicharm Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for forming fixed images

Номер патента: EP2649495A1. Автор: YASUHIRO Hidaka,Akihiro Eida. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2013-10-16.

Method for manufacturing metallic dental crown and mold material for forming dental crown occlusal portion used for the method

Номер патента: US20020031750A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Methods for forming tissue thickness compensator arrangements for surgical staplers

Номер патента: RU2649525C2. Автор: Фредерик Э. ШЕЛТОН IV,Ричард В. ТИММ,Стивен Г. ХОЛЛ,Тамара ВАЙДЕНХАУЗ,Мэттью М. ЛЭНГ,Марк Д. ТИММЕР. Владелец: Этикон Эндо-Серджери, Инк.. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for forming contour charges from emulsion explosives

Номер патента: RU2672078C1. Автор: Сергей Андреевич Толстунов,Сергей Петрович Мозер,Владимир Арнольдович Белин,Михаил Николаевич Оверченко. Владелец: Михаил Николаевич Оверченко. Дата публикации: 2018-11-09.

Method for automated text processing computer device realising said method

Номер патента: RU2460154C1. Автор: Александр Юрьевич Бредихин,Николай Евгеньевич Сергейчев. Владелец: Александр Юрьевич Бредихин. Дата публикации: 2012-08-27.

Systems and methods for forming cavities and perforation channels in well

Номер патента: RU2411352C2. Автор: Лоренс Дж. ЛЕЙСИНГ,Роберт Майкл РЭМСИ,Хауард Л. МАКГИЛЛ. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Бв. Дата публикации: 2011-02-10.

Method for performing dynamic hydromassage procedures

Номер патента: RU2613409C1. Автор: Андрей Николаевич Алексеев. Владелец: Андрей Николаевич Алексеев. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for forming restriction in open end of container and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2283200C2. Автор: Эндрю ХАЛАС,Рене МЕНЕГЕН,Жан Ив Роман ПРУБЕ. Владелец: Рексам Беверидж Кэн Компани. Дата публикации: 2006-09-10.

Method for forming risk group for developing allergic pathology in preschool children living in territory with high content of manganese and nickel

Номер патента: RU2725045C1. Автор: Ольга Юрьевна Устинова,Константин Петрович Лужецкий,Ольга Анатольевна Маклакова,Светлана Леонидовна Валина,Ирина Евгеньевна Штина,Венера Галимзяновна МАКАРОВА,Дарья Александровна Эйсфельд. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2020-06-29.

Method and device for forming a wrapped container using pressing and converting

Номер патента: RU2721027C1. Автор: Марк Дж. МОРГАН,Майкл С. КАЗМИЕРСКИ,Рональд Дж. УИЛСОН. Владелец: Пейпер Машинери Корпорейшн. Дата публикации: 2020-05-15.

Method for forming chiral structure

Номер патента: RU2656288C1. Автор: Владимир Александрович Бурдин,Дмитрий Сергеевич Клюев,Олег Владимирович Осипов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (ФГБОУ ВО ПГУТИ). Дата публикации: 2018-06-04.

New polymorphic forms of trimebutine maleate, method for production and application

Номер патента: RU2770300C2. Автор: Владимир Викторович Нестерук,Кирилл Константинович Сыров. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Валента - Интеллект". Дата публикации: 2022-04-15.

Method for milling spiral cone gear wheels and hypoid gear wheels, finely sharpened cutter for performing the same and method of using such cutter

Номер патента: RU2306209C2. Автор: Карл Мартин РИББЕК. Владелец: КЛИНГЕЛЬНБЕРГ ГмбХ. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for forming image of objects with subdiffraction resolution in millimetric, terahertz, infrared and optical ranges of wave lengths

Номер патента: RU2631006C1. Автор: Игорь Владиленович Минин,Олег Владиленович Минин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ). Дата публикации: 2017-09-15.

Method for making an object of spatial-visual art and an object of spatial-visual art made by this method

Номер патента: RU2751524C2. Автор: Геннадий Валериевич Ромин. Владелец: Геннадий Валериевич Ромин. Дата публикации: 2021-07-14.

System and method for forming bound substrates

Номер патента: RU2669455C2. Автор: Вэй ХУН,Цзин ЧЖОУ,Мандакини КАНУНГО,Нэнси И. ДЖИА,Джеймс Р. БИЧНЕР,Пол Дж. МакКонвилл. Владелец: Зирокс Корпорейшн. Дата публикации: 2018-10-11.

Method for producing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for suppressing introduction of dislocation into aluminum nitride growth layer

Номер патента: US20230392282A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara,Taku Murakawa. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-12-07.

Pattern forming method, semiconductor device manufacturing method and phase shift photomask having dummy gate patterns

Номер патента: US20100255423A1. Автор: Masashi Fujimoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Pattern forming method, semiconductor device manufacturing method and phase shift photomask having dummy gate patterns

Номер патента: US20060210889A1. Автор: Masashi Fujimoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

Method for detecting a priori defective transistors

Номер патента: RU2234163C1. Автор: нов В.А. Емель,В.А. Емельянов,М.И. Горлов,А.П. Жарких. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2004-08-10.

Method for reducing thermal budget in forming capacitor in semiconductor integrated circuit

Номер патента: TW508723B. Автор: Wang-Cheng Shr,Lan-Lin Jau. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-11-01.

METHODS FOR FORMING A CONTACT METAL LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130189840A1. Автор: Gandikota Srinivas,Lei Yu,Fu Xinyu,Shah Kavita,YU SANG HO. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-07-25.

HEXACENE DERIVATIVE, METHOD FOR FORMING HEXACENE, METHOD FOR FORMING HEXACENE CRYSTAL, PROCESS FOR MAKING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140124740A1. Автор: Chow Ta-Hsin,Watanabe Motonori. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for manufacturing dual-layer gate of a metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW457569B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-10-01.

Manufacturing method for increasing the current driving capability of high-power semiconductor device

Номер патента: TW452871B. Автор: Lin-Jung Huang,Ke-Yu Yu,Yun-Shiang Ge. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-01.

Detecting method for inner short-circuit on internumerical structures in encased semiconductor devices

Номер патента: CS334287A1. Автор: Jaroslav Rndr Homola,Jaroslav Rndr Zamastil,Ilja Prom Fyz Muller,Miroslav Rndr Skaloud. Владелец: Miroslav Rndr Skaloud. Дата публикации: 1989-02-10.

Method for Imparting a Controlled Amount of Stress in Semiconductor Devices for Fabricating Thin Flexible Circuits

Номер патента: US20120217622A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-30.

Method for rounding corner of thin film component in semiconductor device

Номер патента: TW559921B. Автор: Shin-Yi Tsai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-01.

Method for forming a gate electrode of a nonvolatile semiconductor device

Номер патента: KR980012447A. Автор: 홍영기. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

A kind of method for forming n-type buried regions in the semiconductor device

Номер патента: CN104392912B. Автор: 胡强,张世勇,王思亮. Владелец: Dongfang Electric Corp. Дата публикации: 2017-11-10.

Method for forming an alignment key pattern of a semiconductor device

Номер патента: KR970072014A. Автор: 권오철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for forming low dielectric constant insulator film and semiconductor device using the same

Номер патента: JPH10209148A. Автор: Toshiaki Hasegawa,利昭 長谷川. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-08-07.

Nondestructive method for detection of mobility of charge carrier in semiconductor structures using half-insulating substrates and device which implements said method

Номер патента: RU95103452A. Автор: В.Я. Принц,И.А. Панаев. Владелец: Институт физики полупроводников СО РАН. Дата публикации: 1997-01-20.

Circuits and Methods for Characterizing Random Variations in Device Characteristics in Semiconductor Integrated Circuits

Номер патента: US20120179412A1. Автор: Kosonocky Stephen V.,Frank David J.,Bhavnagarwala Azeez. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-12.

Method for contactless measurement of the hall coefficient in semiconductors and metals

Номер патента: SU438946A1. Автор: Юрас Карлович Пожела,Войтекуе Людвико Ряука,Римантас Болеслово Толутис. Владелец: Институт Физики Полупроводников Ан Лит.Сср. Дата публикации: 1974-08-05.

Method for determining parameters of minority charge carriers in semiconductors

Номер патента: SU1660532A1. Автор: Р.Р. Варданян. Владелец: Ереванский политехнический институт им.К.Маркса. Дата публикации: 1995-10-27.

METHOD FOR DETERMINING THE CONCENTRATION OF CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2013118609A. Автор: Владимир Георгиевич Литвинов,Александр Антонович Корнилович,Александр Валерьевич Ермачихин,Дмитрий Сергеевич Кусакин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-10-27.

Method for control of defectiveness and resilient deformation in semiconductor heterostructures layers

Номер патента: RU2436076C1. Автор: Кира Львовна Енишерлова-Вельяшева,Юрий Владимирович Колковский,Александр Всеволодович Лютцау,Элла Моисеевна Темпер. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2011-12-10.

Method for generating and identifying non-linear signal in semiconductor non-linear oscillation system

Номер патента: CN102495321B. Автор: 曹俊诚,王长. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2014-04-16.

Method for controlling traps of auxiliary charge carriers in semiconductors

Номер патента: SU805873A1. Автор: В.Я. Принц. Владелец: Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср. Дата публикации: 1983-05-30.

Method for detection of parameters of charge carriers in semiconductors

Номер патента: SU1493023A1. Автор: Р.Р. Варданян,Г.А. Мартиросян. Владелец: Ереванский политехнический институт им.К.Маркса. Дата публикации: 1996-01-20.

Collimator for forming of metal thin film in the semiconductor device

Номер патента: KR970000962B1. Автор: Kyung-Soo Cho. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-01-21.

METHODS FOR NORMALIZING STRAIN IN SEMICONDCUTOR DEVICES AND STRAIN NORMALIZED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130032894A1. Автор: Bernstein Kerry,Balch Bruce,Ellis-Monaghan John Joseph,Habib Nazmul. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120012862A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-19.

METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL CRYSTAL SUBSTRATE, EPITAXIAL CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299061A1. Автор: Momoi Hajime,Kakuta Koji. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

Method for correcting error of alignment measurement and production of semiconductor device

Номер патента: JPH1089921A. Автор: Yoshikatsu Tomimatsu,喜克 富松. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-04-10.

Method for improving critical size differences of different areas of semiconductor device

Номер патента: CN103295894A. Автор: 秦伟,高慧慧,杨渝书. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-11.

Porous silica film precursor composition, method for producing porous silica film, porous silica film, and semiconductor device

Номер патента: JP5988817B2. Автор: 貴久 山崎,正明 平川,高博 中山,一誠 東條,中山　高博,平川　正明,剛 加賀美. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2016-09-07.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6969628B2. Автор: 勉 堀,圭司 和田,太郎 西口. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Method for manufacturing circuit board with built-in part, and semiconductor device

Номер патента: JP2015002295A. Автор: Shigeo Nakamura,茂雄 中村,中村　茂雄,弘久 奈良橋,Hirohisa Narabashi. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2015-01-05.

Method for manufacturing p-type group iii nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: JP2021182597A. Автор: 隆弘 藤井,Takahiro Fujii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing p-type boron phosphide semiconductor layer, compound semiconductor device, and light emitting diode

Номер патента: JP3639275B2. Автор: 隆 宇田川. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-04-20.

Evaluation method for evaluating positional relationship between PN junction surface of semiconductor device and bottom of trench

Номер патента: JP4815861B2. Автор: 規仁 戸倉,建策 山本,善彦 尾関. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-11-16.

Adhesive film, method for producing cured body, cured body, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: JP6617811B2. Автор: 茂雄 中村,中村　茂雄,賢司 川合. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2019-12-11.

Method for carrying out auger analysis on bonding pad of semiconductor device structure

Номер патента: CN102455306A. Автор: 李明,段淑卿,齐瑞娟,杨卫明,芮志贤. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

Method for producing gallium nitride substrate, gallium nitride substrate, and semiconductor device

Номер патента: JP2009073710A. Автор: Osamu Yamada,Koichi Hiranaka,修 山田,Tsutomu Takauo,力 高魚,Takamasa Matsuda,恭昌 松田,Takashi Minemoto,尚 峯本,弘一 平中,健 畑山,Takeshi Hatayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for measuring gate-to-body current of metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW546484B. Автор: Ke-Wei Su,Jau-Kang He. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-11.

Method for forming transistor emitter zone

Номер патента: RU2542591C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-02-20.

Method for contactless determination of temperature field non-uniformity in semiconductor light sources

Номер патента: RU2538070C1. Автор: Юлия Сергеевна Гончарова,Елена Владимировна Саврук,Серафим Всеволодович Смирнов. Владелец: Серафим Всеволодович Смирнов. Дата публикации: 2015-01-10.

Method for coiling rolled rod and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2270730C1. Автор: Андрей Владимирович Лукьянов,нов Андрей Владимирович Лукь,Владимир Станиславович Некипелов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МТ груп". Дата публикации: 2006-02-27.

Method for obtaining vinyl ethers of aminophenols

Номер патента: RU2640808C1. Автор: Борис Александрович Трофимов,Нина Кузьминична Гусарова,Людмила Андреевна Опарина,Никита Александрович Колыванов,Оксана Валерьевна Высоцкая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Иркутский институт химии имени А.Е. Фаворского Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-01-12.

Form manufacturing method for articles of laminate polymeric composition materials

Номер патента: RU2309044C1. Автор: Евгений Федорович Харченко,Анна Станиславовна Твердова,Галина Анатольевна Мокеева. Владелец: Закрытое акционерное общество Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты". Дата публикации: 2007-10-27.

Method for one-positional measurement of laser emission source coordinates and device for realization of said method

Номер патента: RU2269795C1. Автор: Александр Юрьевич Козирацкий,Юрий Леонтьевич Козирацкий,Руслан В чеславович Перевозов,Руслан Вячеславович Перевозов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военный институт радиоэлектроники. Дата публикации: 2006-02-10.

Method for forming of configured chocolate articles (versions), method for manufacture of mold, and mold

Номер патента: RU2246223C2. Автор: И.Б. Эльдарханова,А.И. Коваленский. Владелец: ООО "Кондитерская фабрика "Конфаэль". Дата публикации: 2005-02-20.

Method for processing disperse thermo-plastic materials by induction-linked plasma and method for forming a flow of material for realization thereof

Номер патента: RU2257689C2. Автор: Л.А. Иванов,Н.Н. Киселев,В.А. Слугин,В.А. Побережный,М.В. Побережный. Владелец: Закрытое акционерное общество "СПЕЦХИММОНТАЖ" (ЗАО "СХМ"). Дата публикации: 2005-07-27.

Method for generating voltage at electric arc welding and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2247013C2. Автор: Н.М. Чуйко,Д.Н. Чуйко. Владелец: Чуйко Дмитрий Николаевич. Дата публикации: 2005-02-27.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Method for drawing parts of sheet material (variants)

Номер патента: RU2292976C2. Автор: Игорь Юрьевич Ананченко,Валерий Алексеевич Жарков,Павел Иванович Кандауров. Владелец: Открытое акционерное общество "АВТОВАЗ". Дата публикации: 2007-02-10.

Method for forming of tuber layer in potato cultivation

Номер патента: RU2316944C2. Автор: Борис Лазаревич Охотников,Валерий Александрович Андреев. Владелец: ФГОУ ВПО Уральская государственная сельскохозяйственная академия. Дата публикации: 2008-02-20.

Method for forming structure of jet holes of shower gauzes made by pressure die casting of thermoplastic materials

Номер патента: RU2296672C1. Автор: Андрей Николаевич Алексеев. Владелец: Андрей Николаевич Алексеев. Дата публикации: 2007-04-10.

Method for forming "grape bowl ru" of fruit shoots (version of russian logic - version 3)

Номер патента: RU2535171C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-12-10.

Method for determining and compensating for deviation of gyro-stabilized platform and device for realization of said method

Номер патента: RU2285902C1. Автор: Сергей Александрович Зайцев,Геннадий Николаевич Румянцев,нцев Геннадий Николаевич Рум,Маргарита Александровна Шаврина,Вадим Германович Батаргин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственный центр автоматики и приборостроения им. акад. Н.А. Пилюгина" (ФГУП "НПЦ АП"). Дата публикации: 2006-10-20.

Method for recognition of speech patterns and device for realization of method

Номер патента: RU2268504C1. Автор: Людмила Антоновна Гиголо,Виталий Олегович Сахаров. Владелец: Открытое акционерное общество "Корпорация "Фазотрон-Научно-исследовательский институт радиостроения". Дата публикации: 2006-01-20.

Method for recognition of speech patterns and device for realization of method

Номер патента: RU2268504C9. Автор: Людмила Антоновна Гиголо,Виталий Олегович Сахаров. Владелец: Открытое акционерное общество "Корпорация "Фазотрон-Научно-исследовательский институт радиостроения". Дата публикации: 2006-06-27.

Method for forming "grape bowl ru" of fruit shoots (version of russian logic - version 2)

Номер патента: RU2535084C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-12-10.

Method for forming neotympanic membrane in subtotal tympanic defects

Номер патента: RU2537785C1. Автор: Иса Туктарович Мухамедов,Сергей Викторович Савин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-клинический центр оториноларингологии Федерального медико-биологического агентства России" (ФГБУ НКЦО ФМБА России). Дата публикации: 2015-01-10.

Method for forming butt welded seams on tubes

Номер патента: RU2285595C1. Автор: Сергей Иванович Козий,Геннадий Андреевич Батраев,Софь Сергеевна Козий,Софья Сергеевна Козий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ремонтно-механический завод". Дата публикации: 2006-10-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.