반도체 소자의 트랜지스터 형성 방법
Номер патента: KR101025736B1
Опубликовано: 04-04-2011
Автор(ы): 최신규
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-04-2011
Автор(ы): 최신규
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same
Номер патента: US20190326178A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-10-24.