Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

반도체 소자의 층간절연막 형성 방법

Номер патента: KR20060075053A
Опубликовано: 04-07-2006
Автор(ы): 유철휘
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Zeolite sol and manufacturing method thereof, composition for forming porous film, porous film and manufacturing method thereof, interlayer insulating film and semiconductor device

Номер патента: JP4170735B2. Автор: 勤 荻原,不二夫 八木橋,勝 笹子,秀夫 中川. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Method for producing porous insulating compound (alternatives), composite used for producing porous insulating material (alternatives), and semiconductor device

Номер патента: RU2195050C2. Автор: Пол Э. КОЛ. Владелец: Джорджиэ Тек Рисеч Копэрейшн. Дата публикации: 2002-12-20.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Film forming method, semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020013068A1. Автор: Tomomi Suzuki,Kazuo Maeda,Youichi Yamamoto,Hiroshi Ikakura,Kouichi Ohira,Yoshimi Shioya,Yuichiro Kotake,Shoji Ohgawara. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for forming an oxynitride layer

Номер патента: US20030077915A1. Автор: Chia-Lin Ku,Yung-Hsien Wu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: EP4152393A1. Автор: Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor dielectric structure and method for making the same

Номер патента: US20010023989A1. Автор: Milind Weling,Rao Annapragada. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method for forming semiconductor device that includes covering metal gate with multilayer dielectric

Номер патента: US20210327760A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Yu-Shih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US20160190013A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with isolating layer on side and bottom surfaces

Номер патента: US9583565B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with isolating layer on side and bottom surfaces

Номер патента: US20150357408A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Method for forming multi-layer wiring structure

Номер патента: US20030073303A1. Автор: Hiroyuki Iida,Yoshio Hagiwara,Atsushi Matsushita,Kazuto Ohbuchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Method for forming low dielectric constant layer

Номер патента: US20020132494A1. Автор: Wen-Yi Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for forming an inter-metal dielectric layer

Номер патента: US20010019883A1. Автор: Water Lur,Wen-Yi Hsieh,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070148938A1. Автор: Sang-Yeop Han,Seung-A Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Substrates with Buried Isolation Layers and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170154808A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Manfred Engelhardt,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for forming a nitridized interface on a semiconductor substrate

Номер патента: US20010044222A1. Автор: Jonathan Taylor,David Jendresky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device structure with fine boron nitride spacer patterns and method for forming the same

Номер патента: US20220037155A1. Автор: Pei-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for forming insulating film and for manufacturing integrated circuit

Номер патента: US20030008523A1. Автор: Masahiro Takahashi,Masashi Takahashi,Hiroaki Uchida,Toshio Nagata,Hirotaka Mori,Katsuji Yoshida,Hidetsugu Uchida,Yoshirou Tsurugida,Akihiko Ohara,Takashi Ohsako. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for fabricating isolation layer using fluid dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: KR100881135B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-02.

Method for forming amorphous carbon film, amorphous carbon film, multilayer resist film, manufacturing method of semiconductor device, and computer readable recording medium

Номер патента: TWI413187B. Автор: Hiraku Ishikawa,Eisuke Morisaki,Tadakazu Murai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-10-21.

Method for selectively forming symmetrical or asymmetrical features using a symmetrical photomask during fabrication of a semiconductor device and electronic systems including the semiconductor device

Номер патента: EP2160754A4. Автор: Hongbin Zhu,Jeremy Madsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-21.

Method for forming copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US8252686B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Soon Park,Choon Kun Ryu,Seung Jin Yeom,Sung Jun Kim,Noh Jung Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-28.

METHOD FOR FORMING DOPED METAL OXIDE FILMS ON A SUBSTRATE BY CYCLICAL DEPOSITION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20200118817A1. Автор: BLOMBERG Tom,Zhu Chiyu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US10529563B2. Автор: Chiyu Zhu,Tom Blomberg. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-01-07.

PROCESS FOR FORMING SILICON OXYCARBON LAYER ON GLASS, GLASS OBTAINED AND USE THEREOF IN SEMICONDUCTOR LAYER GLAZING

Номер патента: FR2657866A1. Автор: Oudard Jean-Francois,SAUVINET Vincent,Cobo Hedilla Angel Francisco. Владелец: Saint Gobain Vitrage International SA. Дата публикации: 1991-08-09.

METHOD FOR MAKING DRY ANISOTROPIC CORROSION OF CONDUCTIVE TRACKS, CONTAINING ALUMINUM OR ALUMINUM ALLOYS, IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS.

Номер патента: FR2673764A1. Автор: FRANK Wolfgang. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-09-11.

Method for improving continuity of work function thin film

Номер патента: US20230290634A1. Автор: Yanxia Hao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for forming interlayer insulating film in semiconductor device

Номер патента: US8048802B2. Автор: Ho-Yeong Choe. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-11-01.

Semiconductor devices and forming methods thereof

Номер патента: US20200388543A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Method for forming isolation layer and method for fabricating nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US20100203702A1. Автор: Young-Kwang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12051615B2. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230386892A1. Автор: Ning Xi,Shijie BAI,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for forming a crystalline protective polysilicon layer

Номер патента: US20240222197A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Kuan-Jung Chen,Wen-Chih Chiang,Cheng-Hung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US20140167227A1. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for forming a crystalline protective polysilicon layer

Номер патента: US20220084887A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Kuan-Jung Chen,Wen-Chih Chiang,Cheng-Hung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Method and apparatus for providing mask in semiconductor processing

Номер патента: WO2007136515A1. Автор: Jonathan Kim,Camelia Rusu,Yoojin Kim. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20150287828A1. Автор: Miao Xu,Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20180166285A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200144063A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230298931A1. Автор: Tianyi Zhang,Hao Zou,Yan XIE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for forming a hard mask for gate electrode patterning and corresponding device

Номер патента: US20060081917A1. Автор: Chien-Hao Chen,Tze-Liang Lee,Shih-Chang Chen,Chao-Cheng Chen,Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Methods for forming passivation protection for an interconnection structure

Номер патента: WO2015134118A1. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Yong Cao,Yana Cheng,Mei-Yee Shek,Sree Rangasai V. Kesapragada. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-11.

Method For Metal Gate Surface Clean

Номер патента: US20150200089A1. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen,He Hui Peng,Yung-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240213023A1. Автор: Chan Hwang,Seung Yoon Lee,Jeong Jin Lee,Doo Gyu LEE,Min-Cheol KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234330A9. Автор: Hong-Ki Kim,Sangwoo PAK. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming pattern and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20130023118A1. Автор: Dong-Kwon Kim,Myeong-Cheol Kim,Do-hyoung Kim,Soo-Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process

Номер патента: US20070059926A1. Автор: Jae Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230013215A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for forming semiconductor-on-insulator (soi) substrate

Номер патента: US20240282775A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yu-Hung Cheng,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for forming semiconductor device with low sealing loss

Номер патента: US20160141386A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Yen-Liang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for the formation of a polysilicon layer with a controlled, small silicon grain size during semiconductor device fabrication

Номер патента: US6294442B1. Автор: Abu-Hena Mostafa Kamal. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

METHOD FOR FORMING DOPED METAL OXIDE FILMS ON A SUBSTRATE BY CYCLICAL DEPOSITION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180286675A1. Автор: BLOMBERG Tom,Zhu Chiyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: KR20230108246A. Автор: 치유 주,톰 블롬베르크. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2023-07-18.

Mask for forming selection area diffraction grating and growing selection area and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: KR100424774B1. Автор: 하홍춘. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-05-17.

Method for producing ZnTe system compound semiconductor single crystal, ZnTe system compound semiconductor single crystal, and semiconductor device

Номер патента: US20080090327A1. Автор: Kenji Sato,Tetsuya Yamamoto,Toshiaki Asahi,Atsutoshi Arakawa. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20160064486A1. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Selective Etching Method and Method for Forming an Isolation Structure of a Memory Device

Номер патента: US20100167494A1. Автор: Dae Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150187940A1. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364427A1. Автор: Takashi KANSAKU. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-17.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220102194A1. Автор: SHANG Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12014950B2. Автор: SHANG Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12094784B2. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Sung-En Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Contact Isolation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210066116A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-03-04.

Contact isolation in semiconductor devices

Номер патента: US11862452B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device with flowable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013629A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020127869A1. Автор: Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020013066A1. Автор: Kazuo Maeda,Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Multi-gate FETs and methods for forming the same

Номер патента: US10103025B2. Автор: Wen-Tai Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-16.

Method for fabricating finfet isolation structure

Номер патента: US20170110557A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Contact formation through low-tempearature epitaxial deposition in semiconductor devices

Номер патента: US20190148377A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Resist material and method for forming semiconductor structure using resist layer

Номер патента: US20180164684A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Han Wu,Ya-Ching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Silicon phosphide semiconductor device

Номер патента: US11749567B2. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020094657A1. Автор: Woo-Seok Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for patterning a graphene layer and method for manufacturing a display substrate

Номер патента: US20150357239A1. Автор: Shi Shu,Yue Shi,Chuanxiang XU,Bing Sun,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: US20240222118A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method For Fabricating Semiconductor Structures

Номер патента: US20240172410A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device with Controlled End-to-End Critical Dimension and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200118820A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: WO2024144886A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US12051594B2. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Structure and formation method of semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200058793A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Method for forming thermal oxide film on semiconductor substrate and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240274477A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Systems and methods for porous capping layers

Номер патента: GB2625513A. Автор: Clark Andrew,Hammond Richard. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120108078A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134975A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070252232A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures

Номер патента: US12094936B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230064568A1. Автор: Biao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Source/drain structure for semiconductor device

Номер патента: US12040384B2. Автор: LUNG Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230070135A1. Автор: Zhe Wang,Lu Zou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140235058A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Klemens Pruegl,Wolfgang Lehnert,Franz Hirler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20180190658A1. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US10262895B2. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor device including gas spacers and method of manufacture

Номер патента: US12068389B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for fabrication of floating gate in semiconductor device

Номер патента: US20090176320A1. Автор: Jin-Ho Kim,Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6008076A. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Method for forming an interface free layer of silicon on a substrate of monocrystalline silicon

Номер патента: US20030060028A1. Автор: Giuseppe Ferla,Peter Ward,Simona Lorenti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-03-27.

Vertical field-effect transistor late gate recess process with improved inter-layer dielectric protection

Номер патента: US20200321448A1. Автор: Ruilong Xie,Hemanth Jagannathan,Wenyu Xu,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Methods for Reducing Contact Depth Variation in Semiconductor Fabrication

Номер патента: US20190067099A1. Автор: Yun Lee,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Sheng-Hsiung Wang,Yi-Jyun HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20230387117A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing junction semiconductor wafer

Номер патента: EP4421887A1. Автор: Junya Ishizaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for forming semiconductor layer and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: EP2360743A3. Автор: Sang Hoon Han,Dae Sung Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for forming semiconductor layer and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: US20110195539A1. Автор: Sang Hoon Han,Dae Sung Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Method for manufacturing semiconductor device with semiconductor capping layer

Номер патента: US12094757B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Hui-Cheng Chang,Tsai-Yu Huang,Po-Kai Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200301280A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Apparatuses including a semiconductor transistor and methods for forming same

Номер патента: US20240014289A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230282739A1. Автор: Po-hsun Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Photoresist composition for forming insulation film, insulation film for organic electroluminescence element and method for its formation

Номер патента: EP1321821A4. Автор: Motofumi Kashiwagi,Noriyuki Mitao. Владелец: Nippon Zeon Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-23.

Source/drain epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100626B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device structure with inner spacer layer and method for forming the same

Номер патента: US20230215936A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device with isolation structures

Номер патента: US11830773B2. Автор: Huang-Lin Chao,Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor Device With Isolation Structures

Номер патента: US20230386925A1. Автор: Huang-Lin Chao,Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: WO2009094376A3. Автор: Amitabh Jain. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-10-15.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: US20090184375A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: US20110133287A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Method for forming high density patterns

Номер патента: WO2009075959A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Ardavan Niroomand,Baosuo Zhou. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method for forming insulating structure of high electron mobility transistor

Номер патента: US20210074838A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160049522A1. Автор: Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: EP3241239A1. Автор: Lujiang Huangfu,Chien Hung Liu,Zuqiang Wang,Yucheng CHAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-08.

Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US20170005115A1. Автор: Lujiang Huangfu,Chien Hung Liu,Zuqiang Wang,Yu Cheng Chan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20220416086A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US12062540B2. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20060163668A1. Автор: Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Systems and Methods for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20150170912A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220320133A1. Автор: HAO Zhang,Haifeng Guo,Xiuzhong Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for forming an absorber layer of a thin film solar cell

Номер патента: US8569101B2. Автор: Tadahiro Kubota,Daisuke Okamura,Katustoshi Nosaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Method for forming quantum dot

Номер патента: US20040053469A1. Автор: Sung-Eon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Array substrate, method for forming array substrate, and display device

Номер патента: US20210359141A1. Автор: Xueru MEI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US12087579B2. Автор: Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang,Wei-Hsin Lin,Po-Cheng LAI,Yu-Hsin Hsu,Yi-Hsuan Lin,Kuan-Shien LEE,Wang Cheng Shih,Ming Che Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190155156A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device structure with gate stack and method for forming the same

Номер патента: US20240014041A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12034062B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of forming isolation layer structure and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US8017495B2. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-13.

Method of forming isolation layer structure and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US20110117721A1. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-19.

Method for the electrolytic removal of plastic mold flash or blled from the metal surfaces of semiconductor devices or similar electronic components and the solution composition to be used

Номер патента: SG52756A1. Автор: Van Der Henricus Johan Heijden. Владелец: Meco Equip Eng. Дата публикации: 1998-09-28.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: US20240222462A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: EP3682481A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-22.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4199043A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Method for Manufacturing Semiconductor Structure

Номер патента: US20220319848A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12046472B2. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for planarizing an isolating layer

Номер патента: US20030045105A1. Автор: Werner Graf,Albrecht Kieslich,Klaus Feldner,Hermann Sachse. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-06.

Method of forming capacitor in semiconductor device by using a polysilicon pattern in a trapezoid shape

Номер патента: US20040002189A1. Автор: Byung-Jun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

Method for stabilizing low dielectric constant materials

Номер патента: US20020115305A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Sheng Yang,Yung-Tsung Wei,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Optical semiconductor device, method for manufacturing the same, and optical module and optical communication apparatus provided with the optical semiconductor device

Номер патента: US20020003914A1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Methods for forming integrated circuit isolation layers using oxygen diffusing layers

Номер патента: US5814551A. Автор: Sung-Han Lee,Jae-kyung Lee,Chan-Sik Park,Kyung-hwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-29.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: EP2115771A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-11-11.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: WO2008106284A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same

Номер патента: US20110049720A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-03.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for producing cavities with submicrometer patterns in a semiconductor device using a freezing process liquid

Номер патента: US20030042612A1. Автор: Rainer Leuschner,Egon Mergenthaler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-06.

Isolation body for semiconductor devices and method to form the same

Номер патента: US20070132034A1. Автор: Mark Bohr,Sunit Tyagi,Giuseppe Curello,Hemant Deshpande. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-06-14.

Optoelectronic apparatuses and methods for manufacturing optoelectronic apparatuses

Номер патента: US20130207126A1. Автор: Lynn K. Wiese,Seshasayee (Sai) S. Ankireddi. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for forming diffusion barrier film, metal line comprising said diffusion barrier film in semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR20160108784A. Автор: 이현정,김상덕,김수현,이정엽,염승진. Владелец: 영남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of interconnecting semiconductor devices and assembly of interconnected semiconductor devices

Номер патента: US20240266320A1. Автор: Yifan Guo. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Isolation layer having a bilayer structure for a semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8841198B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Hwan Kim,Kwang Kee Chae,Ok Min Moon,Young Bang LEE,Sung Eun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-09-23.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Integrated Circuit Devices and Methods for Making Such Devices

Номер патента: US20240213312A1. Автор: Gaspard Hiblot,Boon Teik CHAN,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-27.

Process for the forming of isolation layers of a predetermined thickness in semiconductor wafers for the manufacturing of integrated circuits

Номер патента: AU6723900A. Автор: Marco Balucani,Aldo Ferrari,Vitaly Bondarenko,Giulio Lamedica,Valentina Yakovtseva,Anatoly Kuzmich Panfilenko. Владелец: Shine Spa. Дата публикации: 2001-02-19.

METHODS FOR FORMING A METALLIC FILM ON A SUBSTRATE BY A CYCLICAL DEPOSITION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190252196A1. Автор: LESKELA Markku,Ritala Mikko,Väyrynen Katja. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Methods for forming a metallic film on a substrate by a cyclical deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US10468262B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-11-05.

Devices and methods for enhancing insertion loss performance of an antenna switch

Номер патента: US11855012B2. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Devices and methods for enhancing insertion loss performnce of an antenna switch

Номер патента: US20240071961A1. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for reducing the charge carrier concentration in order to lower the storage charge in semiconductor components by means of two implantation stages

Номер патента: DE59610170D1. Автор: Dr Phil Strack,Dipl-Ing Fh Porst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-03.

Material for forming exposure light-blocking film, multilayer interconnection structure and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: CN101021680A. Автор: 尾崎史朗,中田义弘. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-08-22.

Material for forming exposure light-blocking film, multilayer interconnection structure and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US7728065B2. Автор: Yoshihiro Nakata,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-01.

Process for forming a low carbon, low resistance metal film during the manufacture of a semiconductor device and systems including same

Номер патента: US20060261441A1. Автор: Eugene Marsh,Brenda Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-23.

Methods for depositing a molybdenum metal film on a dielectric surface of a substrate and related semiconductor device structures

Номер патента: US20190067003A1. Автор: Qi Xie,Chiyu Zhu,Kiran Shrestha,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Henri Tuomas Antero Jussila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for manufacturing temporary protective film, reel body, packaging body, packing body, temporary protective body, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2021053726A1. Автор: 孝博 黒田,直己 友利,友宏 名児耶. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for forming fin field effect transistor (finfet) device structure

Номер патента: US20210343711A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Uei JANG,Chung-Shu WU,Wei-Yeh TANG,An-Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US9401368B2. Автор: Yun Yang,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US20050142848A1. Автор: Kang Shin,Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230290642A1. Автор: Yu-Jen Huang,Hsiu-Han Liao,Chu-Chun HSIEH. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of fabricating semiconductor device having fine contact holes

Номер патента: US20080096391A1. Автор: Joo-Young Kim,Jae-Hwang Sim,Dong-Hwa Kwak,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US20020137307A1. Автор: CHANG Kim,Wan Kim. Владелец: Kim Wan Shick. Дата публикации: 2002-09-26.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

System and method for photolithography in semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060172520A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Burn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Methods for fabricating integrated circuits with isolation regions having uniform step heights

Номер патента: US20160126132A1. Автор: Martin Trentzsch,Carsten Grass,Sören Jansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20130137234A1. Автор: Peter Baars,Matthias Goldbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for forming fin field effect transistor (FinFET) device structure

Номер патента: US11923359B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Uei JANG,Chung-Shu WU,Wei-Yeh TANG,An-Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20210265208A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Hsin-Ping Chen,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20200105598A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Hsin-Ping Chen,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220028990A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for forming pattern using hard mask

Номер патента: US20080160778A1. Автор: Ki-Won Nam,Ky-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Multilevel interconnection structure and method for forming the same

Номер патента: US12100652B2. Автор: Zhang-Ying YAN,Xin-Yong WANG. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US10050116B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20080157377A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Methods for forming a semiconductor device using tilted reactive ion beam

Номер патента: US20190295848A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062610B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

A method for forming a stacked fet device

Номер патента: EP4199057A1. Автор: Naoto Horiguchi,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-21.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Methods for forming dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US12080560B2. Автор: Xiaohong Zhou,Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20240274441A1. Автор: Yi-Chung Chen,Yu-Ting Huang,Wei-Nan CHUANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20210020669A1. Автор: Chin-Yu Lin,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Su-Yu Yeh,Huai-Jen Tung,Chia-Yun Chen,Ta-Cheng Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for forming an electrical insulating layer on bit lines of the flash memory

Номер патента: US20020175139A1. Автор: Chien-Wei Chen,Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Method for forming a semiconductor device has a lengthened channel length

Номер патента: US20090124085A1. Автор: Hung-Ming Tsai,Ying Cheng CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20090305481A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor device with increased channel length and width and method for manufacturing the same

Номер патента: US7687362B2. Автор: Young Ho Lee,Dong Sun Sheen,Seok Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Semiconductor device with increased channel length and width and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080185663A1. Автор: Young Ho Lee,Dong Sun Sheen,Seok Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Fin field effect transistor (finFET) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US10361085B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Device and method for forming sharp extension region with controllable junction depth and lateral overlap

Номер патента: US20130264614A1. Автор: Effendi Leobandung,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US20170213738A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Device and method for forming sharp extension region with controllable junction depth and lateral overlap

Номер патента: US20130264612A1. Автор: Effendi Leobandung,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor structure including 3d capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240258304A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ling-Sung Wang,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for forming an interconnect pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20020142614A1. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200294985A1. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Source/drain structure for semiconductor devices

Номер патента: US20220367633A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240243186A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200144500A1. Автор: Soo Gil Kim,Joo Young MOON,Young Seok Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200403155A1. Автор: Soo Gil Kim,Joo Young MOON,Young Seok Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device with fins

Номер патента: US11742414B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Methods for forming fin field-effect transistors

Номер патента: US12068199B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Chia Tai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020025662A1. Автор: Hiroyuki Umimoto,Michikazu Matsumoto,Susumu Akamatsu,Satoe Miyata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate-field effect transistors

Номер патента: US20080220581A1. Автор: Brian J. Greene,Scott D. Allen,Chun-Yung Sung,Christian Lavoie,Huilong Zhu,Sunfei Fang,Rajarao Jammy,Zhijiong Luo,Hung Ng,Cyril Cabral,Kevin K. Dezfulian,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for manufacturing bonded wafer

Номер патента: US20130102126A1. Автор: Hiroji Aga,Nobuhiko Noto,Satoshi Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Isolation method of semiconductor device

Номер патента: US5447885A. Автор: Hyun-Jin Cho,Oh-Hyun Kwon,Heung-mo Yang,Yun-sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4404258A1. Автор: Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Resistive random access memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210151504A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Method for controlling transistor delay of nanowire or nanosheet transistor devices

Номер патента: WO2019112954A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Anton J. DeVillers. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5698891A. Автор: Hiroshi Tomita,Kikuo Yamabe,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7338876B2. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-04.

Method for forming inside nitride spacer for deep trench device DRAM cell

Номер патента: US20030064589A1. Автор: Arnd Scholz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Methods for forming semiconductor device having uniform fin pitch

Номер патента: US20220020593A1. Автор: Min Gyu Sung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200365696A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for eliminating divot formation and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20230275131A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Yu-Wen Tseng,Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20130115743A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200044035A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032284A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for forming an isolating trench with a dielectric material

Номер патента: US20070087516A1. Автор: Uwe Wellhausen,Henry Heidemeyer,Joern Regul. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-19.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230189508A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for forming isolation film

Номер патента: US6656851B1. Автор: Young-Kuk Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-12-02.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20170278756A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023313A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Method for forming an undoped region under a source/drain

Номер патента: US12068395B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Meng-Ku Chen,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu,Ji-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure with isolation layer and method for forming the same

Номер патента: US20240105521A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Po-Nien Chen,Chih-Yung Lin,Hsiao-Han Liu,Chung-Pin Huang,Da-Zhi Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080157290A1. Автор: Eunjong SHIN. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210328042A1. Автор: Chun-Shun Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for forming buried word line in semiconductor device

Номер патента: US20110027988A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Se-Aug Jang,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12094777B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device structure with gate dielectric layer and method for forming the same

Номер патента: US20240120334A1. Автор: Jeng-Ya Yeh,Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device structure with gate stack and method for forming the same

Номер патента: US20240079277A1. Автор: Pei-Yu Wang,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200161468A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070120185A1. Автор: Toshiaki Komukai,Hideaki Harakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US11521975B2. Автор: Ying-Chu YEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Method for forming a three-component nitride film containing metal and silicon

Номер патента: EP1044288A2. Автор: Kyoung-Soo Yi,Sang-Won Kang,Won-Yong Koh. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-18.

Method for manufacturing semiconductor device structure

Номер патента: US20240274472A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

An integrated circuit device and a method for forming the same

Номер патента: EP4391040A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Packaging structure, packaging method, and semiconductor device

Номер патента: EP4307351A1. Автор: LIANG Chen,Wei Jiang,Hongwen Li,Kai Tian,Mengfan LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100052019A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuru Yoshikawa. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070131964A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Multi-layer dielectric refill for profile control in semiconductor devices

Номер патента: US20240274695A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chi-Hsiang Chang,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for forming diffusion break structure in fin field effect transistor

Номер патента: US20230274981A1. Автор: Yu Zhang,Xiaobo Guo,Rui Qian,Lulu LAI. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Packaged integrated circuit having stacked die and method for making

Номер патента: US20210066217A1. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066124A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Structure and formation method of semiconductor device with magnetic element

Номер патента: US20200075448A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for manufacturing a semiconductor device, as well as a semiconductor substrate

Номер патента: US20060234468A1. Автор: Takeshi Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160126309A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240213144A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20060105540A1. Автор: Kousuke Hara,Toyokazu Sakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Fuse part in semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120088361A1. Автор: Byung-Duk LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Fuse part in semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20090243033A1. Автор: Byung-Duk LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor devices with implanted sti regions and methods of forming the same

Номер патента: US20240297244A1. Автор: Huang-Lin Chao,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming a semiconductor device structure having an isolation layer to isolate a conductive feature and a gate electrode layer

Номер патента: US11756995B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Schottky diode and method for fabricating the same

Номер патента: US20110233713A1. Автор: Jin-Yeong Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20200118932A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210313449A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Methods for forming conductive vias, and associated devices and systems

Номер патента: US20220208606A1. Автор: Dale W. Collins,David S. Pratt,Raju Ahmed,David A. Kewley,Trupti D. Gawai,Radhakrishna Kotti,Ahmed M. Elsied,Chelsea M. Jordan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A4. Автор: Marius K Orlowski,James D Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: WO2005104225A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-11-03.

Methods for forming conductive vias, and associated devices and systems

Номер патента: US20240258167A1. Автор: Dale W. Collins,David S. Pratt,Raju Ahmed,David A. Kewley,Trupti D. Gawai,Radhakrishna Kotti,Ahmed M. Elsied,Chelsea M. Jordan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure with backside self-aligned contact and method for forming same

Номер патента: US20240290850A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Yun Ju FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming semiconductor device structure with graphene layer

Номер патента: US10818596B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-12-06.

Prevention of contact bottom void in semiconductor fabrication

Номер патента: US12062578B2. Автор: Yun Lee,Chung-Ting Ko,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10446648B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Methods for forming shallow junctions in semiconductor wafers

Номер патента: EP1019952A1. Автор: Daniel F. Downey. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2000-07-19.

Isolation structure, semiconductor device having the same, and method for fabricating the isolation structure

Номер патента: US9105684B2. Автор: Hyun-Tae JUNG,Hyung-Suk Choi,Da-soon Lee,Eung-ryul Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US20180033686A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Chih-ching Cheng,Fang-Yi WU,Chia-Hsin TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210043505A1. Автор: HAO Zhang,Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Xuezhen JING,Zhangru XIAO,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Methods for forming ultrashallow junctions with low sheet resistance

Номер патента: WO2002086953A1. Автор: Daniel F. Downey. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device structure having air gap and methods of forming the same

Номер патента: US20230386901A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240282719A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11915967B2. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A3. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Vishnu K Khemka,Todd C Roggenbauer. Владелец: Todd C Roggenbauer. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160372381A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor devices including metal gate protection and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12074111B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for producing a semiconductive device comprising a back gate

Номер патента: US20240213091A1. Автор: Heimanu Niebojewski,Benoit Bertrand,Thomas Bedecarrats. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20230238422A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20050230709A1. Автор: Ga Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A2. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer,Vishnu K. Khemka. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060141757A1. Автор: Kang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Image-sensor chip-scale package and method for manufacture

Номер патента: US20210111221A1. Автор: Chien-Chan YEH,Ying-Chih Kuo. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12101934B2. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Reduction of sti corner defects during spe in semiconductor device fabrication using dsb substrate and hot technology

Номер патента: US20130029471A1. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Periannan R. Chidambaram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming an ordered array of silicon nanocrystals or nanoclusters in a dielectric matrix

Номер патента: RU2692406C2. Автор: Александр Афанасьевич Попов,Денис Михайлович Жигунов,Ирина Александровна Каменских. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-06-24.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

Plate design to decrease noise in semiconductor devices

Номер патента: US20190131414A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240038838A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8324049B2. Автор: Jin-A Kim,Seok-Ho JIE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110101499A1. Автор: Jin-A Kim,Seok-Ho JIE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Plate design to decrease noise in semiconductor devices

Номер патента: US11923429B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Plate design to decrease noise in semiconductor devices

Номер патента: US20210376100A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Plate design to decrease noise in semiconductor devices

Номер патента: US20200227528A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Plate design to decrease noise in semiconductor devices

Номер патента: US20200227529A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for forming well of semiconductor device

Номер патента: US5759884A. Автор: Kang-Sik Youn. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150179528A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing the generation of a bridge between a recess gate and a PLC plug

Номер патента: US7855109B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Hwan Kim,Kwang Kee Chae,Ok Min Moon,Young Bang LEE,Sung Eun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100163980A1. Автор: Hyun-Tae Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Reducing parasitic capacitance in semiconductor devices

Номер патента: US20240096943A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160268429A1. Автор: Chih-Hsiang Huang,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US12074193B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Structure and Method for FinFET Device with Asymmetric Contact

Номер патента: US20200365734A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor Devices with a Nitrided Capping Layer

Номер патента: US20230029002A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Chi Chuang,Yuting CHENG,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Tzu Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20050156211A1. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Reducing Parasitic Capacitance in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210376072A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US7122877B2. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-17.

Method for forming an isolation region in a semiconductor device and resulting structure using a two step oxidation process

Номер патента: US6420241B2. Автор: Jong Choul Kim,Se Aug Jang,Young Bog Kim,In Seok Yeo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100013028A1. Автор: Yoshiko Kato,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: US11270912B2. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-08.

Semiconductor device structure with protection cap and method for forming the same

Номер патента: US20190371653A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Interconnect structure and method for manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US20220189871A1. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Interconnect structure and method for manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US11637062B2. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US10714487B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Method for Forming a Via Hole Self-aligned with a Metal Block on a Substrate

Номер патента: US20210183698A1. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20190139895A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Methods for Forming Through Vias

Номер патента: US20130273698A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Da-Yuan Shih,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

High performance isolated vertical bipolar junction transistor and method for forming in a cmos integrated circuit

Номер патента: US20160372376A1. Автор: Amitava Chatterjee,Derek W. Robinson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058390A1. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Via for semiconductor device connection

Номер патента: US20240250020A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240322009A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US6881998B2. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-19.

Method for forming align key pattern in semiconductor device

Номер патента: US5578519A. Автор: Yun-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-11-26.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

A method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: EP3836198A1. Автор: Christopher Wilson,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim,Martin O´TOOLE. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-16.

Floating gate prevention and capacitance reduction in semiconductor devices

Номер патента: US20210013322A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Interconnect structure and method for manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US20230268268A1. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A3. Автор: Sinan Goktepeli,James D Burnett. Владелец: James D Burnett. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A2. Автор: Sinan Goktepeli,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090315141A1. Автор: Ki-Moon Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190067012A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chun-Hsiung Lin,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chun-An Lin,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20210013338A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Fabrication method for single and dual gate spacers on a semiconductor device

Номер патента: US20070015324A1. Автор: Chih-Cheng Wang,Chao-Hsi Chung,Chu-Chun Hu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

Mechanisms for forming radio frequency (rf) area of integrated circuit structure

Номер патента: US20160099169A1. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device structure with glue layer and method for forming the same

Номер патента: US20230290638A1. Автор: Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Cheng-Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Structure and method for eliminating metal contact to P-well or N-well shorts or high leakage paths using polysilicon liner

Номер патента: US20040137722A1. Автор: Jack Mandelman,Haining Yang,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Structure and method for eliminating metal contact to P-well of N-well shorts or high leakage paths using polysilicon liner

Номер патента: US20050062133A1. Автор: Jack Mandelman,Haining Yang,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-24.

Ion implantation method in semiconductor device

Номер патента: US20050176224A1. Автор: JUNG Myung Jin,Kim Dae Kyeun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274525A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12100765B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor devices, nonvolatile memory devices including the same, electronic systems including the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240306384A1. Автор: Chang Heon Lee,Byung Joo Go,Hak Seon Kim,Sung Kweon Baek,Jae Hwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for interconnecting semiconductor devices

Номер патента: US5536683A. Автор: Sun-Chieh Chien,Jeng Ping Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-07-16.

Method for fabricating semiconductor device with recessed pad layer

Номер патента: US11876079B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032283A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device with supporting structures and method for forming the same

Номер патента: US20240047549A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

System and method for reducing mutual coupling for noise reduction in semiconductor device packaging

Номер патента: US20220208672A1. Автор: Ajay Kumar Sharma,Rishi BHOOSHAN,Sumit Varshney,Frank Martin Paglia. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-06-30.

Epitaxial process for forming semiconductor devices

Номер патента: US20130130461A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230378174A1. Автор: Ju Youn Kim,Eui Chul Hwang,Hyung Joo Na,Bong Seok Suh,Sang Min Yoo,Joo Ho Jung,Sung Moon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11101269B2. Автор: Ju Youn Kim,Hyung Joo Na,Bong Seok Suh,Sang Min Yoo,Joo Ho Jung,Sung Moon LEE,Eui Chui Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20200203475A1. Автор: Po-An Chen,Syed Neyaz Imam. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297217A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Fu-Hsiang Su,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20140367864A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20110318904A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Matthias Stecher,Thomas Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Interconnect structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20220130755A1. Автор: Sung-Li Wang,Chun-Hsien Huang,Chien Chang,Chih-Wei Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Ken-Yu Chang,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Chun-I Tsai,Chi-Hung Chuang,Kai-Yi Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Isolation method of semiconductor device

Номер патента: US5141884A. Автор: Oh H. Kwon,Dong J. Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-08-25.

Methods of forming an isolation layer and methods of manufacturing semiconductor devices having an isolation layer

Номер патента: US8524569B2. Автор: Bo-Un Yoon,Dae-hyuk Kang,Kun-tack Lee,Jung-Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-03.

Method for forming integrated semiconductor device with 2D material layer

Номер патента: US11935890B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Cheng-Yi Peng,Carlos H. Diaz,Ling-Yen Yeh,Meng-Hsuan Hsiao,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor devices with backside contacts and isolation

Номер патента: US20220165733A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282517A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods, apparatus and system for forming on-chip metal-insulator-meal (mim) capacitor

Номер патента: US20200402976A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230154824A1. Автор: Chia-Che Chung,Ming-Tzong Yang,Hsien-Hsin Lin,Chee-Wee Liu,Wen-Kai Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US20240222358A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210091192A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170077267A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore PteLtd. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for forming an opening in polymer-based dielectric

Номер патента: US20020177300A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Chih-Chien Liu,Tong-Yu Chen,Chingfu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12057351B2. Автор: Chieh Cheng,Yu-Chuan Chen,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan,Yi Chen Ho,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Alignment Structure for Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210257310A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Improving mosfet performance by employing an improved method for forming halo implants

Номер патента: EP1188181A2. Автор: Rajesh Rengarajan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-20.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for forming isolation with multi-step structure

Номер патента: US20200411363A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Kuang-Cheng Tai,Chih-Hung Hsieh,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Tien-Shao Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for forming semiconductor device structure with metal-semiconductor compound layer

Номер патента: US20210384301A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070018276A1. Автор: Masayuki Itou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for forming an opening in polymer-based dielectric

Номер патента: US20030199132A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Chih-Chien Liu,Tong-Yu Chen,Chingfu Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Method for forming contact window

Номер патента: US20010046782A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for making an embedded memory MOS

Номер патента: US20020098650A1. Автор: Chien-Li Kuo,Sun-Chieh Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182846A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182803A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070116863A1. Автор: Kazunari Kimino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding

Номер патента: US20230017372A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210320124A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for insulating components of semiconductor devices by means of grooves

Номер патента: RU2187174C2. Автор: Мун-хан ПАРК,Суг-хун ХОНГ,Ю-гюн СИН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2002-08-10.

Semiconductor device with transistor in semiconductor subtrate and insulated contact plug extending trough the substrate

Номер патента: US9917129B2. Автор: Takashi Yokoyama,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with transistor in semiconductor substrate and insulated contact plug extending through the substrate

Номер патента: US20180158862A1. Автор: Takashi Yokoyama,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234537A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Device Comprising a Fuse Structure and a Method for Manufacturing such Semiconductor Device

Номер патента: US20140127895A1. Автор: Wolfgang Walter,Uwe Seidel,Hubert Werthmann,Michael Schrenk,Gabriele Bettineschi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-08.

Capacitive isolator and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240213142A1. Автор: Zhiwei Dong. Владелец: 2pai Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for forming semiconductor device structure having oxide layer

Номер патента: US20200020544A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Isolation layer structure, method of forming the same and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US20110298036A1. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-08.

Isolation layer structure, method of forming the same and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US8237240B2. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-07.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240105467A1. Автор: Sanghyun SON,YoungUk Noh,Myungho JUNG. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods for forming electrostatic discharge protection clamps with increased current capabilities

Номер патента: US20140235026A1. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Amaury Gendron. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Method for forming fin field effect transistor (finfet) device structure with conductive layer between gate and gate contact

Номер патента: US20200058794A1. Автор: Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8421234B2. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor structure implementing series-connected transistor and resistor and method for forming the same

Номер патента: US20220005734A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device and method for forming silicide layers

Номер патента: WO2008115542A1. Автор: Romain Coppard,Jérôme LOLIVIER. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2008-09-25.

Method for forming hybrid bonding with through substrate via (tsv)

Номер патента: US20180005977A1. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for forming high-drain-voltage tolerance MOSFET transistor in a CMOS process flow with double well dose approach

Номер патента: US20080248623A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Michael Yu,Chih-Ping Chao,Yung Chih Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220068723A1. Автор: TAO Hu,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiao Dong Shi. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures

Номер патента: US11769670B2. Автор: Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures

Номер патента: US11769670B2. Автор: Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-26.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Methods for forming electrostatic discharge protection clamps with increased current capabilities

Номер патента: US9018071B2. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Amaury Gendron. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-04-28.

Semiconductor device and associated method for manufacturing

Номер патента: US20140183627A1. Автор: Rongyao Ma,Tieshing Li. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20210408228A1. Автор: Xiguang Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20200258848A1. Автор: Myoung Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240234309A9. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing semiconductor device with through silicon via structure

Номер патента: US20200105647A1. Автор: Chi REN,Ju-Bao ZHANG,Zhao-Bing LI. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device with through silicon via structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US10546801B2. Автор: Chi REN,Ju-Bao ZHANG,Zhao-Bing LI. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor device having gate electrode and electronic system including the same

Номер патента: EP3968386A1. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-16.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20070184601A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Method, mould, and housing for forming an electronic component package

Номер патента: WO2024085748A1. Автор: Wilhelmus Gerardus Joseph Gal,Sebastianus Hubertus Maria Kersjes. Владелец: BESI NETHERLANDS B.V.. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for forming control gate salicide

Номер патента: US9330924B2. Автор: Huanxin Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Dual gate of semiconductor device capable of forming a layer doped in high concentration over a recessed portion of substrate for forming dual gate with recess channel structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090121224A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor device with pure copper wirings and method of manufacturing a semiconductor device with pure copper wirings

Номер патента: US20010035583A1. Автор: Takeshi Kubota,Mitsutoshi Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080093701A1. Автор: Eun-Mi Hong,Kwang-tae Kim,Ji-hoon Park,Tea-kwang Yu,Kong-Sam Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070069304A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11574916B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20190326178A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118883A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120235248A1. Автор: Ho-Ung KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Method for forming control gate salicide

Номер патента: US20160093498A1. Автор: Huanxin Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Contact formation in semiconductor devices

Номер патента: US20180277483A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Hiroaki Niimi,Jiseok Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Transistor with embedded isolation layer in bulk substrate

Номер патента: US11749717B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010005616A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Method, mould, and housing for forming an electronic component package

Номер патента: NL2033364B1. Автор: Hubertus Maria Kersjes Sebastianus,Gerardus Joseph Gal Wilhelmus. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2024-05-08.

CFET with Different Channel Materials for NFET and PFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240274474A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110006435A1. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074110B2. Автор: Jung-Kuo Tu,Ching-Kai Shen,Yi-Chuan Teng,Wei-Chu LIN,Hung-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230253242A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118882A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor structure, method for manufacturing same

Номер патента: US20230010014A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Trench isolation for semiconductor devices

Номер патента: US20010013631A1. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Backside and sidewall metallization of semiconductor devices

Номер патента: US20240194486A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Che Ming Fang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Digital Isolator Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230420496A1. Автор: Hongxu Yang,Hualun CHEN,Hongfeng JIN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20180005897A1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5913114A. Автор: Chang-Ki Jeon,Cheol-Joong Kim,Sun-Hak Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150200152A1. Автор: Sung-Dong Cho,Sin-Woo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-16.

Insulating structures in semiconductor device

Номер патента: US20230395654A1. Автор: Chen-Yu Tai,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method for forming same

Номер патента: US20230024253A1. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Technique for forming contacts for buried doped regions in a semiconductor device

Номер патента: US20040152324A1. Автор: Manfred Horstmann,Ralf Bentum. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Method for forming coating film for lithography

Номер патента: US9502247B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Taku Morisawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20060220099A1. Автор: Shuichi Kikuchi,Toshiyuki Takahashi,Shigeaki Okawa,Kiyofumi Nakaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-05.

High aspect ratio channel semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180082901A1. Автор: Niamh Waldron,Bernardette Kunert,Weiming Guo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

Etching method for single-isolated magnetic tunnel junction

Номер патента: US20210399215A1. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Hongyue Sun,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Huiqun REN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

System and method for achieving planar alignment of a substrate during solder ball mounting for use in semiconductor fabrication

Номер патента: US20040149804A1. Автор: Art Bayot. Владелец: Art Bayot. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor device having channel structure with 2D material

Номер патента: US11942536B2. Автор: Robert D. Clark,Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for producing a channel region layer in a voltage controlled semiconductor device

Номер патента: US5786251A. Автор: Lennart Zdansky,Christopher Harris,Bo Bijlenga,Mietek Bakowski. Владелец: ABB Research Ltd Sweden. Дата публикации: 1998-07-28.

System and method for determining near--surface lifetimes and the tunneling field of a dielectric in a semiconductor

Номер патента: US6011404A. Автор: Pradip K. Roy,Yi Ma. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11961908B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240222502A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices with a rare earth metal oxide layer

Номер патента: US12062576B2. Автор: Kenichi Sano,Pinyen Lin,Po-Cheng Wang,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Kuan-Kan HU,Che Chi Shih,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having stacked capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240268094A1. Автор: Yen-Min RUAN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device

Номер патента: US20220359846A1. Автор: Ming Chyi Liu,Yung-Chang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for Forming Backside Illumination CMOS Image Sensor

Номер патента: US20230290805A1. Автор: Han Wang,XIAO FAN,Guanglong Chen. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US8741708B2. Автор: Leo Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240258394A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for making isolation region of cis device, and semiconductor device structure

Номер патента: US20220199659A1. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Yuanyuan QUI,Zhenqiang GUO. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Biosensors, method for forming the same, and method of operating the same

Номер патента: US11668671B2. Автор: Jui-Cheng Huang,Yu-Jie Huang,Yi-Hsing HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Methods for forming integrated circuit having guard rings

Номер патента: US20200357787A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210134970A1. Автор: Kai-Tai Chang,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for forming inductor in semiconductor device

Номер патента: US20050037589A1. Автор: Young Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Printed circuit board having jumper lines and the method for making said printed circuit board

Номер патента: US20030085772A1. Автор: Wen-Yen Lin,Wen-Bo Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060030111A1. Автор: Satoshi Onai,Shinobu Teranaka. Владелец: Gifu Sanyo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor devices with a rare earth metal oxide layer

Номер патента: US20230020731A1. Автор: Kenichi Sano,Pinyen Lin,Po-Cheng Wang,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Kuan-Kan HU,Che Chi Shih,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US20190198341A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US11018015B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor devices with dielectric fins and method for forming the same

Номер патента: US11735591B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device having enhanced photo sensitivity and method for manufacture thereof

Номер патента: US8124495B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Shou-Gwo Wuu,Jeng-Shyan Lin,Chien-Hsien Tseng,Ho-Ching Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

CMOS Image Sensor and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230275110A1. Автор: Junwen LIU. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for forming a memory and memory

Номер патента: US20210383843A1. Автор: Zhe Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Isolation layers in stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230066265A1. Автор: Pinyen Lin,Wei-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for manufacturing a front electrode of a semiconductor device

Номер патента: US20160260851A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2016-09-08.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Vertical internally-connected trench cell (V-ICTC) and formation method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030098483A1. Автор: John Walsh,Brian Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Image Sensor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100103298A1. Автор: Chang Hun Han. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080048228A1. Автор: Takashi Sakoh,Mami Toda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Device and method for individual finger isolation in an optoelectronic device

Номер патента: US20130049154A1. Автор: Andreas Hegedus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20060134866A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20060205157A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Image sensing device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234466A1. Автор: Han Seung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing thin film transistor, and thin film transistor

Номер патента: US20190386030A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Semiconductor device and fabrication thereof

Номер патента: US20110260220A1. Автор: Min-Hwa Chi,Mu-Chi Chiang,Cheng-Ku Chen,Wen-Chuan Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200194665A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US12051738B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Li-Yang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for detecting EPI induced buried layer shifts in semiconductor devices

Номер патента: US20060038553A1. Автор: Xiaoju Wu,Qingfeng Wang,Xinfen Chen,John Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device having metal layer and method of fabricating same

Номер патента: US20160268403A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

System and method for forming solder bumps

Номер патента: WO2021018466A1. Автор: Jae-Woong Nah,Jeng-Bang Yau,Peter Jerome Sorce,Eric Peter Lewandowski. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194564A1. Автор: Chung-Yeh Lee,Sheng-Wei FU,Tsung-Yeh CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422480A1. Автор: Dong Yan,Wei Li,Jun Wei,Zijie Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

CMOS image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US7682863B2. Автор: Hyuk Woo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Thin film transistor, method for manufacturing thereof and display device

Номер патента: US20210210529A1. Автор: WEI YANG,Lizhong Wang,Tianmin Zhou,Xiaming ZHU,Jipeng Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device including structure connecting frontside and backside metal and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402367A1. Автор: Chia-Tien Wu,Wei-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087843B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Wan-Yi Kao,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Fang-Yi LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for extracting trap time constant of gate dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US20160153923A1. Автор: Xing Zhang,Shaofeng Guo,Ru Huang,Runsheng Wang,Xiaobo JIANG,Pengpeng REN,Mulong LUO. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-02.

Formation method of semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US11742428B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Bipolar junction transistor integrated with pip capacitor and method for making the same

Номер патента: US20100283123A1. Автор: Jian-Bin Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-11-11.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20070176207A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20060032762A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Adapter board and method for forming same, packaging method, and package structure

Номер патента: US20210398892A1. Автор: Chen Wei,CAI Qiaoming,Yang Lie Yong,Lu Xiao Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Method and Apparatus for Forming Oriented Nanowire Material and Method for Forming Conductive Structure

Номер патента: US20150380131A1. Автор: Feng Bai,Zhen Liu,Tao Ren,Yiming Zhao,Ruiyong WANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384080A1. Автор: Huaxiang Yin,Jinbiao Liu,Junfeng Li,Junjie Li,Guilei Wang,Henry H. Radamson,Zhenzhen KONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for producing a composition for forming an organic film

Номер патента: US10047244B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Motoaki Iwabuchi,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Bidirectional power device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12021128B2. Автор: Shaohua Zhang. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Display panel, method for fabricating the same and display device

Номер патента: US10859876B2. Автор: Yuansheng Zang,Huizi LI. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: WO2022071981A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-04-07.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: EP4200899A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Packaging structure, manufacturing method therefor and semiconductor device

Номер патента: EP4307352A1. Автор: LIANG Chen,Hongwen Li,Kai Tian,Changhao QUAN,Yuxia Wang,Yingdong GUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150249154A1. Автор: Joong-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US9564490B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Planarizing agent for forming organic film, composition for forming organic film, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: EP4235302A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Yasuyuki Yamamoto,Toshiharu Yano,Kenta Ishiwata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20170104069A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20160118464A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for integrally forming an electrical fuse device and a MOS transistor

Номер патента: US20070221966A1. Автор: Liang-Kai Han,Chiang-Ming Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Method for manufacturing an emitter for high-speed heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20170365687A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-12-21.

Method for manufacturing an emitter for high-speed heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US9947760B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20100190305A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US11916037B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Adapter board and method for forming same, packaging method, and package structure

Номер патента: US20230223329A1. Автор: Chen Wei,CAI Qiaoming,Yang Lie Yong,Lu Xiao Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US20230238354A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US20230292629A1. Автор: Yu-Jen Wang,Dian-Hau Chen,Chen-Chiu Huang,Tzu-Ting Liu,Hung-Chao Kao,Liang-Wei WANG,Chih-Pin CHIU,Chih-Chuan SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US11758723B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Bonding contacts having capping layer and method for forming the same

Номер патента: US20210091033A1. Автор: YUAN Li,Liang Ma,Jie Pan,Xianjin Wan,Si Ping HU,Shu Liang Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Composition for forming underlayer film for imprinting, method for producing composition for forming underlayer film for imprinting, pattern producing method, method for manufacturing semiconductor element, cured product, and kit

Номер патента: US12091497B2. Автор: Yuichiro Goto,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing microcontacts

Номер патента: RU2655953C1. Автор: Лариса Александровна Васильева,Владимир Михайлович Акимов,Евгений Алексеевич Климанов,Никита Александрович Иродов. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2018-05-30.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230328955A1. Автор: Deyuan Xiao,Weiping BAI,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230066323A1. Автор: Chee-Wee Liu,Yu-Shiang Huang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-03-02.

Composition For Forming Adhesive Film, Patterning Process, And Method For Forming Adhesive Film

Номер патента: US20240103370A1. Автор: Seiichiro Tachibana,Takeru Watanabe,Daisuke Kori,Takashi Sawamura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Composition for forming adhesive film, patterning process, and method for forming adhesive film

Номер патента: EP4325293A3. Автор: Seiichiro Tachibana,Takeru Watanabe,Daisuke Kori,Takashi Sawamura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor structure with isolating feature and method for forming the same

Номер патента: US20210202742A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US8974617B2. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-03-10.

Integrated circuits using guard rings for esd, systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20130084680A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20220045186A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US20140166194A1. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-06-19.

Integrated circuits using guard rings for ESD, systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US8772092B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the device

Номер патента: US20020025630A1. Автор: Masao Tanimoto,Seichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Image sensor and method for forming the same

Номер патента: US20240297193A1. Автор: Wei-Lung Tsai,Ching-Chiang Wu. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20240008247A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inspection apparatus for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20020158647A1. Автор: Masaaki Sugimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for forming a coating film on a facet of a semiconductor laser diode

Номер патента: US20080089377A1. Автор: Chie Fukuda,Hiroyuki Ichikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device, method for manufacturing same, light-emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US20170084793A1. Автор: Tae Geun Kim,Kyung Heon KIM. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20230301064A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor product with low-leakage current and method for forming the same

Номер патента: US20220393017A1. Автор: Yi-Hsiung Lin,Chieh Chih Ting,Simon Yaou-Dong Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Space transformer comprising an isolation resistor for a probe card, and method for manufacturing same

Номер патента: US20110254578A1. Автор: Min Soo Kim,Sung Man Yoon. Владелец: Imtech Inc Korea. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Method for laser processing a transparent material

Номер патента: US20240261893A1. Автор: S. Abbas Hosseini. Владелец: Rofin-Sinar Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure with contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313065A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor power entity and method for producing such entity by hybrid bonding

Номер патента: WO2023179845A1. Автор: Andreas Munding,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US11588049B2. Автор: Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Method of forming semiconductor device with gate

Номер патента: US20200295188A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145594A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for manufacturing capacitor array, capacitor array, and semiconductor device

Номер патента: US20230231007A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Package structure and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20230395543A1. Автор: LIANG Chen,Wei Jiang,Hongwen Li,Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Structures and methods for reducing stress in three-dimensional memory device

Номер патента: US20210050446A1. Автор: Jian Hua SUN,Ji XIA,Sizhe Li,Qinxiang Wei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for forming a capacitor in a memory cell in a dynamic random access memory device

Номер патента: US5897983A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kazuki Yokota,Masanobu Zenke,Tomomi Kurokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US8153449B2. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-04-10.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US20110223692A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-15.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US20160190069A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US9318443B2. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Method for forming image sensor device

Номер патента: US20190181174A1. Автор: Chi-Yuan Wen,Shih-Shiung Chen,Kun-Yu Lin,Yu-Lung Yeh,Ming-Chi Wu,Chun-Chieh Fang,Chien-Nan Tu,Ji-Heng Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: EP2156467A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-02-24.

Method for forming light pipe structure with high quantum efficiency

Номер патента: US11769778B2. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tzu-Ming WANG,Tsun-Kai Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing the same

Номер патента: US12046696B2. Автор: Martin Behringer,Tansen Varghese,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US7851310B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Li-Cheng Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

Resist compound for photolithography, method for forming the same, and method for manufacturing semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240255849A1. Автор: JINKYUN Lee,Gayoung KIM,Yejin KU. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure with modified spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230187535A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Kuo-Feng Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Ming-Chang Wen,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG,Hsuan-Chih Wu,Min-Chia Lee,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for forming Schottky Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20070281451A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Methods and apparatus for forming light emitting diodes

Номер патента: US20220216363A1. Автор: Shiva Rai. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Methods for forming image sensors

Номер патента: US20230378218A1. Автор: Chia-Ping Lai,Chung-Chuan Tseng,Chiao-Chi Wang,Yeh-Hsun Fang,Szu-Chien Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for forming an isolated inner lead from a leadframe

Номер патента: US20100122454A1. Автор: Wen-Jeng Fan,Yu-Mei Hsu. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US10468497B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-11-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP3832733A1. Автор: Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Semiconductor Device and Method For Manufacturing Same

Номер патента: US20210234041A1. Автор: Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US20180061961A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Field effect transistor and method for fabricating field effect transistor

Номер патента: US20160013272A1. Автор: Yi Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US20230268386A1. Автор: Pinyen Lin,Cheng-Ming Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen,Kuan-Da Huang,Che-Chi SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for forming semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US12040400B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming image sensor

Номер патента: US20190057993A1. Автор: Yu-Jui HSIEH,Po-Nan Chen. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220029035A1. Автор: Chih-Hsien Chen,Wen-Chih Lu,Han-Liang Tseng,Yin Chen,Kwang-Ming Lin,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN,Jiunn-Liang Yu,Si-Twan CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for manufacturing for forming source/drain contact features and devices manufactured thereof

Номер патента: US20240266407A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20090184290A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20050271823A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Methods for forming articles having very small channels therethrough, and such articles, and methods of using such articles

Номер патента: WO2003079374A3. Автор: Thomas W. Eagar,Christopher S. Musso. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2012-04-05.

Method for forming semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20220352366A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Method for forming Zener Zap Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20090093116A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for manufacturing printed-circuit board

Номер патента: US20090321266A1. Автор: Harufumi Kobayashi,Yoshimi Egawa. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for making organic light emitting diode array

Номер патента: US20180315960A1. Автор: Yang Wei,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Hao-Ming Wei. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device comprising transistor structures and methods for forming same

Номер патента: US20090026522A1. Автор: Venkatesan Ananthan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20230232626A1. Автор: Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Radio frequency switch for multi-band filter applications and methods for forming the same

Номер патента: US20230422643A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: WO2023123204A1. Автор: Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222460A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210217906A1. Автор: Chih-Hsien Chen,Wen-Chih Lu,Han-Liang Tseng,Yin Chen,Kwang-Ming Lin,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN,Jiunn-Liang Yu,Si-Twan CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for Manufacturing a Radiation-Emitting Semiconductor Component and Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200013926A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and method for setting voltage in semiconductor device

Номер патента: US20160291628A1. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US20100097084A1. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US8519732B2. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2013-08-27.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12051700B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20200243434A1. Автор: Peng-Hsin Lee. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for forming inside nitride spacer for deep trench device dram cell

Номер патента: US20030062557A1. Автор: Arnd Scholz,Prakash Dev. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor devices

Номер патента: US11729963B2. Автор: Daeyoung MOON,Jamin KOO,Hyokyoung Kim,Jonghyeok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor die package with ring structure and method for forming the same

Номер патента: US12068260B2. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Chen Lee,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices having high-resistance region and methods of forming the same

Номер патента: US20160064375A1. Автор: Jae-Hyun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (mim) capacitor structure

Номер патента: US20160233158A1. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor optical devices and method for forming

Номер патента: US7494832B2. Автор: Yang Du,Leo Mathew,Voon-Yew Thean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-02-24.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20190371920A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for surface roughness enhancement in semiconductor capacitor manufacturing

Номер патента: US20030114005A1. Автор: Helmut Tews,Rajarao Jammy,Uwe Schroeder,Stephan Kudelka,Irene Mcstay,Stephen Rahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Method for fabricating memory and memory

Номер патента: US20220336467A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for fabricating semiconductor device with guard ring

Номер патента: US20230395594A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Chip packages and methods for forming the same

Номер патента: US20190172805A1. Автор: Wang-Lai Yang. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Chip packages and methods for forming the same

Номер патента: US10770417B2. Автор: Wang-Lai Yang. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Methods for forming lateral trench optical detectors

Номер патента: US20020115300A1. Автор: MIN Yang,Kern Rim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Methods for forming lateral trench optical detectors

Номер патента: EP1362380A1. Автор: MIN Yang,Kern Rim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-11-19.

Method For Fabricating A Photovoltaic Module Including Laser Cutting Of A Photovoltaic Label

Номер патента: US20230207721A1. Автор: Mathieu Baudrit. Владелец: Sono Motors GmbH. Дата публикации: 2023-06-29.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWERING A MICROPROCESSOR FROM AN ISOLATED SECONDARY SIDE TO ENABLE OFF-LINE COMMUNICATION ON AN LED DRIVER

Номер патента: US20160323943A1. Автор: Lavigne Eric,Ghanem Mohamed Cherif,Giguere Francois. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

Devices, systems and methods for multiple channel communication across an isolation barrier

Номер патента: US20230275621A1. Автор: Simone Fabbro,Karl Norling,Matteo Bassi,Fabio Padovan,Saleh Karman,Natasa Pojak. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Systems and methods for improving generator efficiency in an isolated power consumption system

Номер патента: WO2014092822A1. Автор: David Sterling Potter,Eduardo Alberto Alegria,Mark Allen PUCCINELLI,Erin Lee MINEAR. Владелец: Chevron U.S.A. INC.. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for processing the beam of neutral particles based on the technology for processing the beam of gas cluster ions and obtained by such as a product

Номер патента: RU2648961C2. Автор: Майкл Дж. УОЛШ,Шон Р. КИРКПАТРИК,Аллен Р. КИРКПАТРИК. Владелец: Эксодженезис Корпорейшн. Дата публикации: 2018-03-28.

Transmission line and manufacture method of isolating layer thereof

Номер патента: US12087466B2. Автор: Tsun Yi KO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for forming groove in metal strip surface, and method for manufacturing oriented electromagnetic steel sheet

Номер патента: EP4219776A1. Автор: Takeshi Omura,Shigehiro Takajo. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for manufacturing low cost electroluminescent (EL) illuminated membrane switches

Номер патента: US20060026821A1. Автор: William Stevenson,James Lau. Владелец: Novatech Electroluminescent Inc. Дата публикации: 2006-02-09.

Method for forming laminated resin film and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20110306185A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for Forming Pouch

Номер патента: US20240297377A1. Автор: Yong Su Choi,Sung Ryul KWON,Dong Gyun SEOL,Gi Beom KANG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for forming groove on metal strip surface and method for manufacturing grain-oriented electrical steel sheet

Номер патента: US20230366101A1. Автор: Takeshi Omura,Shigehiro Takajo,Nobuko Nakagawa. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming an electrically conductive multilayer coating with anti-corrosion properties onto a metallic substrate

Номер патента: WO2019201871A1. Автор: Nicolas Boscher,Jean-Baptiste CHEMIN. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Дата публикации: 2019-10-24.

Method for forming groove on metal strip surface, and method for producing grain-oriented electromagnetic steel sheet

Номер патента: EP4219775A1. Автор: Takeshi Omura,Shigehiro Takajo,Nobuko Nakagawa. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Reaction chamber arrangement and a method for forming a reaction chamber arrangement

Номер патента: US20130164566A1. Автор: Klaus Elian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-06-27.

Electrolytic capacitor and method for improved electrolytic capacitor anodes

Номер патента: US20180047515A1. Автор: James Wong. Владелец: Composite Materials Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Method for forming a fuel cell electrode using a resole binder

Номер патента: US20040058801A1. Автор: Phillip Waitkus,Bohumir Lepeska,Theodore Morrison,Paschal Sciarra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

Stable filter and method for forming the same

Номер патента: US20060103490A1. Автор: Chia-Ho Lin. Владелец: HIGH & LOW ELECTRONIC Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Electrolytic capacitor and method for improved electrolytic capacitor anodes

Номер патента: EP3496884A1. Автор: James Wong. Владелец: Composite Materials Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-19.

Electron gun, electron beam application device, and method for forming multi-electron beam

Номер патента: EP4432328A1. Автор: Hokuto Iijima. Владелец: Photo Electron Soul Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for forming amorphous carbon film

Номер патента: EP1741801B1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2009-08-12.

Method for preparing sulfur-polyacrylonitrile (span)

Номер патента: US20230287153A1. Автор: Mei Cai,Fang DAI,Robert D. Schmidt,Shuru Chen. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for forming amorphous carbon film

Номер патента: EP1741801A3. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Method for forming electrically conductive impregnated fibers and fiber pellets

Номер патента: WO2003022026A1. Автор: Cameron G Cofer,Dale E Mccoy. Владелец: PARKER HANNIFIN CORPORATION. Дата публикации: 2003-03-13.

Peak and gain calibration of a receiver in an isolation product

Номер патента: US11750231B2. Автор: Carlos J. Briseno-Vidrios,Gabor Marek. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods and circuits for transferring a signal across an isolation barrier

Номер патента: WO2024020681A1. Автор: XIANG Yu,Yang Chen,Yan-Fei Liu,Binghui He,Bo SHENG. Владелец: Queen's University At Kingston. Дата публикации: 2024-02-01.

Systems and methods for improving generator efficiency in an isolated power consumption system

Номер патента: US20140163755A1. Автор: David Potter,Eduardo Alberto Alegria,Mark Puccinelli,Aaron Mineai. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Systems and methods for propagating digital data across an isolation barrier

Номер патента: US8497700B2. Автор: Geoffrey T Haigh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-30.

Systems and Methods for Monitoring and Controlling the Operation of Extreme Ultraviolet (EUV) Light Sources Used in Semiconductor Fabrication

Номер патента: US20090046273A1. Автор: Kevin Kemp,Stefan Wurm,Vivek Bakshi. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Communication method for elements that form an electricity distribution network and devices for implementing the method

Номер патента: EP3370370B1. Автор: Thierry Schuffenecker,Roland Kogler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-09.

APPARATUSES AND METHODS FOR USING LOOK-AHEAD DUTY CYCLE CORRECTION TO DETERMINE DUTY CYCLE ADJUSTMENT VALUES WHILE A SEMICONDUCTOR DEVICE REMAINS IN OPERATION

Номер патента: US20200162066A1. Автор: Gans Dean D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US20030092275A1. Автор: Chun Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Microsystem and method for making a microsystem

Номер патента: EP4386340A2. Автор: Lutz Eckart,John Phair. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method for forming flash memory cell

Номер патента: US20020177274A1. Автор: Ping-Yi Chang,Wan-Yi Liu,Shu-Li Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device with improved overlay margin and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100203705A1. Автор: JOON-SOO PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US6649526B2. Автор: Chun Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12022739B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Display panel, method for fabricating the same and display device

Номер патента: US20190094584A1. Автор: Yuansheng Zang,Huizi LI. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for manufacturing electric film body

Номер патента: US20140072780A1. Автор: Noboru Otabe,Takayasu SUGAI. Владелец: Micronics Japan Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240324172A1. Автор: Yanghee Lee,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for manufacturing quartz piece

Номер патента: US20080000058A1. Автор: Takehiro Takahashi. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Composition for forming underlayer film, color filter, method for manufacturing color filter, solid-state imaging element, and image display device

Номер патента: US20230350289A1. Автор: Masahiro Mori,Shoichi Nakamura,Kazuya Oota,Akio Mizuno,Hirotaka MOTOHASHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for fabricating AND-type flash memory cell

Номер патента: US20040157403A1. Автор: Chang Han,Bong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for manufacturing organic transistor and organic transistor

Номер патента: US20090256144A1. Автор: Masataka Kano,Kazuhito Tsukagoshi,Takeo MINARI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-10-15.

Semiconductor device having trench top isolation layer and method for forming the same

Номер патента: US20040209422A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tieh-Chiang Wu,Feng-Chuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Method for forming airtight structure of electroacoustic device and airtight structure thereof

Номер патента: US20230024491A1. Автор: Chia-Yen Li,Hung-Wei Chen,Sheng-Wei Chen,Ting-Yu Wang,Tan-Chih WU,Yi-Ku HUANG,Chene-Lun LEE,Hsuan-Yi LIAO,Jen-Hsin CHAN. Владелец: Meiloon Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240268100A1. Автор: Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089508B2. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Systems and methods for signal path isolation for neutral-host hardware

Номер патента: US20240305329A1. Автор: Johannes STEIGERT. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for automatic determination of frequency characteristic steepness of an isolated power connection

Номер патента: RU2722642C1. Автор: Борис Ильич Аюев,Тарас Вячеславович Купчиков,Евгений Иванович Сацук,Андрей Васильевич Жуков,Геннадий Феликсович Бинько,Андрей Владимирович Черезов,Пинкус Янкелевич Кац,Богдан Андранович. Владелец: Акционерное общество "Научно-технический центр Единой энергетической системы" (АО "НТЦ ЕЭС"). Дата публикации: 2020-06-02.

Method for forming electrical circuits populated with electronic components on non-planar objects

Номер патента: US20200404793A1. Автор: Johann Junginger,Chad S. Smithson,Tianxiao Xu,Ethen Shen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for manufacturing wiring substrate

Номер патента: US20210235584A1. Автор: Shinichiro Ichikawa,Takanori Doi. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Isolation method for high-performance computer system, and high-performance computer system

Номер патента: US20240073100A1. Автор: YUAN Li,Yang Ou,ZHANG Luo,Jianmin Zhang,Yan Sun,Jinbo Xu,Mingche LAI,Junsheng CHANG,Pingjing LU,Xingyun QI,Zeyu XIONG,Zicong WANG. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming pattern on substrate structure without using mask layer and substrate structure

Номер патента: US20230199968A1. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming memristive structures based on composite oxides with nanoparticle agglomerate

Номер патента: RU2767721C1. Автор: Владимир Петрович Жалнин,Вадим Анатольевич Шахнов,Андрей Игоревич Власов,Константин Александрович Муравьев,Александр Александрович Расюк,Олег Вячеславич Косьянов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана (Национальный Исследовательский Университет)". Дата публикации: 2022-03-18.

Hybrid structure and methods for forming the same

Номер патента: CA3007236A1. Автор: Marcus Alexander Erickson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2014-09-15.

Hybrid structure and methods for forming the same

Номер патента: CA3007236C. Автор: Marcus Alexander Erickson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-12-15.

Novel tacrolimus analogues, a neuroprotective composition comprising the same, an immunosuppressive composition comprising the same, a method for preparing the same, and a mutant for producing the same

Номер патента: US20130230559A1. Автор: Jae Jong Kim,Si Kyu Lim,Yeo Joon Yoon. Владелец: Industry Collaboration Foundation of Ewha University. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device feature density gradient verification

Номер патента: US20130346935A1. Автор: Chung-Hui Chen,Chien-Hung Chen,Po-Zeng Kang,Young-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Systems and methods for milling paving material with an isolated actuator

Номер патента: US20240309594A1. Автор: J. Tron Haroldsen,Nathan Douglas Dibb. Владелец: Asphalt Zipper Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method for measuring ventricular function

Номер патента: US20030036707A1. Автор: Henry Holzgrefe. Владелец: Bristol Myers Squibb Co. Дата публикации: 2003-02-20.

Container-based language runtime loading an isolated method

Номер патента: US20190138319A1. Автор: Michael Haupt,John Rose,Brian Goetz. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Container-based language runtime using a variable-sized container for an isolated method

Номер патента: US20180032347A1. Автор: Michael Haupt,John Rose,Brian Goetz. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Method for designing width of isolation coal pillar and gasifier in underground gasification under aquifer facing overlying strata

Номер патента: CA3163363A1. Автор: Xiaopeng Liu,Guangli GUO,Youyou Xu,Huaizhan LI,Jianfeng ZHA. Владелец: Zha Jianfeng. Дата публикации: 2021-06-10.

Apparatus and method for providing continuous access to an isolation space while maintaining isolation

Номер патента: US7789820B2. Автор: Charles K. Akers,Theodore A. M. Arts. Владелец: Charles K. Akers. Дата публикации: 2010-09-07.

Methods for activation and expansion of natural killer cells and uses thereof

Номер патента: US20200390816A1. Автор: Elizabeth SHPALL,Katy REZVANI,Lucilla Nassif Kerbauy. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods for activation and expansion of natural killer cells and uses therof

Номер патента: EP3755349A1. Автор: Elizabeth SHPALL,Katy REZVANI,Lucila Nassif KERBAUY. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2020-12-30.

Systems and methods for pressure-regulated volume control during cardiopulmonary bypass and perfusion procedures

Номер патента: WO2017091449A1. Автор: Charles R. Bridges. Владелец: Cardio-Myogen, LLC. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device feature density gradient verification

Номер патента: US20130198710A1. Автор: Chung-Hui Chen,Chien-Hung Chen,Po-Zeng Kang,Young-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Systems and methods for measuring reduced pressure employing an isolated fluid path

Номер патента: US20110288535A1. Автор: Christopher Brian Locke,Aidan Marcus Tout. Владелец: Kci Licensing Inc. Дата публикации: 2011-11-24.

Systems and methods for measuring reduced pressure employing an isolated fluid path

Номер патента: CA2795233A1. Автор: Christopher Brian Locke,Aidan Marcus Tout. Владелец: Kci Licensing Inc. Дата публикации: 2011-11-24.

Casting method for a product formed an inside flow passage and the product

Номер патента: KR20200067485A. Автор: 이철웅,유진호,이지용,조영래. Владелец: 엠에이치기술개발 주식회사. Дата публикации: 2020-06-12.

Apparatus and method for guiding and forming an extruded plastic strand

Номер патента: DE102004052972B4. Автор: Heinrich Dohmann,Reinhard Witt,Ralf Mickley,Norbert Dr. Kreth. Владелец: Battenfeld Extrusionstechnik GmbH. Дата публикации: 2010-10-28.

Crucible structure and method for forming isolating layer of crucible

Номер патента: US11534794B2. Автор: Ying-Ru Shih,Yu-Min YANG,Sung-Lin Hsu,Bo-Kai Wang,Huang-Wei Lin. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Crucible structure and method for forming isolating layer of crucible

Номер патента: US20200398304A1. Автор: Ying-Ru Shih,Yu-Min YANG,Sung-Lin Hsu,Bo-Kai Wang,Huang-Wei Lin. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Apparatus and method for accelerating release and recycling of endogenous phosphorus from eutrophic water body

Номер патента: EP4299535A1. Автор: Li Lin,Meng Long,Rui Li,Qingyun LI,Zhenhua Wang,Yanping Hu,Xianqiang Tang. Владелец: CHANGJIANG RIVER SCIENTIFIC RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for manufacturing a microelectromechanical systems (MEMS) device with different electrical potentials and an etch stop

Номер патента: US9221674B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Kuei-Sung CHANG,Yu-Chia Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Spot-size converter, photonic device and method for fabricating spot-size converter

Номер патента: EP4414758A1. Автор: Shiwei Song,Weiqi Sun,Qingyang YU,Yingcong ZHOU,Hanxiao LIANG,Yipin SONG,Haicang WU,Wenhao MAO,Zhouyu ZHANG. Владелец: Nanjing Lycore Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for forming energy-efficient track of operated vehicle when operated vehicle is moving along section of path that includes mandatory deceleration point

Номер патента: RU2771477C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Омникомм Онлайн". Дата публикации: 2022-05-04.

Method for forming optical communication channel for transmitting acoustic signals

Номер патента: RU2758327C1. Автор: Дмитрий Александрович Тимонов. Владелец: Дмитрий Александрович Тимонов. Дата публикации: 2021-10-28.

Film-forming liquid for forming an insulating coating on sheet of anisotropic electrical steel, method for manufacturing sheet of anisotropic electrical steel, and sheet of anisotropic electrical steel

Номер патента: RU2753929C1. Автор: Кадзутоси ТАКЕДА,Суити ЯМАДЗАКИ,Хироясу ФУДЗИИ,Тору НАГАИ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2021-08-24.

Set and method for local delivery of beneficial effects

Номер патента: RU2750210C2. Автор: Курт БИННЕР,Александру ПАУНЕСКУ. Владелец: Джонсон энд Джонсон Консьюмер Инк.. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for forming intrastomal pocket for keratoprosthesis implantation using femtosecond laser

Номер патента: RU2644850C1. Автор: Борис Эдуардович Малюгин,Андрей Владимирович Головин,Евгения Владимировна Ковшун,Анна Владимировна Энкина. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-02-14.

A method for preparing a conductive strain sensor on the surface of a device

Номер патента: EP2162713A1. Автор: René Jos Houben,Roland Anthony Tacken,Hendrik Enting,Hendrik Rendering,Raymond Turk. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2010-03-17.

A method for preparing a conductive strain sensor on the surface of a device

Номер патента: WO2008140309A1. Автор: René Jos Houben,Roland Anthony Tacken,Hendrik Enting,Hendrik Rendering,Raymond Turk. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2008-11-20.

Spot-size converter, photonic device and method for fabricating spot-size converter

Номер патента: US20240272356A1. Автор: Shiwei Song,Weiqi Sun,Qingyang YU,Yingcong ZHOU,Hanxiao LIANG,Yipin SONG,Haicang WU,Wenhao MAO,Zhouyu ZHANG. Владелец: Nanjing Lycore Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for producing a bioresorbable tube based on methacrylized gelatine and methacrylized fibroin and a method for reconstructing a small intestine wall experimentally using such a tube

Номер патента: RU2714200C1. Автор: Иван Викторович Бессонов,Мария Николаевна Копицына,Александр Владимирович Куликов,Михаил Михайлович Мойсенович,Дмитрий Александрович Куликов,Юрий Николаевич Филюшкин,Алла Аликовна Рамонова,Анастасия Юрьевна Архипова,Александр Владимирович Федулов,Константин Вольдемарович Шайтан,Полина Александровна Глазкова,Дарья Валерьевна Мосальская,Дмитрий Юрьевич Семенов,Анастасия Михайловна Мойсенович,Ирина Анатольевна Кондратьева,Андрей Сергеевич Колосов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Method for forming an active layer on the surface of the electrode for collecting biopotentials

Номер патента: RU2749599C1. Автор: Руслан Феликсович Шеханов,Анатолий Викторович Балмасов,Валерия Сергеевна Белова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный химико-технологический университет". Дата публикации: 2021-06-15.

Method and apparatus for forming cryptocode structures for imitation-resistant data transmission over communication channels

Номер патента: RU2764960C1. Автор: Олег Анатольевич Финько,Дмитрий Владимирович Самойленко,Сергей Александрович Диченко,Игорь Олегович Шарапов,Евгений Сергеевич Начинов. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное орденов Жукова и Октябрьской Революции Краснознаменное училище имени генерала армии С.М. Штеменко" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-01-24.

Material For Forming Adhesive Film, Patterning Process, And Method For Forming Adhesive Film

Номер патента: US20240310731A1. Автор: Yusuke Biyajima,Mamoru WATABE,Shohel IWAMORI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Material for forming adhesive film, patterning process, and method for forming adhesive film

Номер патента: EP4428615A1. Автор: Yusuke Biyajima,Mamoru WATABE,Shohei Iwamori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Forming systems and methods for forming an elongate charge of composite material

Номер патента: US20240181726A1. Автор: John Dempsey Morris,Derek John Flolid. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for making mold for forming anti-flare lens

Номер патента: US8454864B2. Автор: Chien-Feng Huang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-04.

Method for producing phenolic resin

Номер патента: PH12021550649A1. Автор: Ryosuke Asahara,Shuji NISHIGAKI. Владелец: Futamura Kagaku Kk. Дата публикации: 2022-02-14.

Method for isolated fraction retrograde hepatic perfusion in experiment

Номер патента: RU2740570C1. Автор: Александр Сергеевич Рыбаков,Иван Васильевич Гайворонский,Дмитрий Александрович Суров,Иван Анатольевич Соловьев,Валерий Сергеевич Тягун,Игорь Сергеевич Железняк,Дмитрий Юрьевич Анохин,Ренат Алиевич Акбашев,Вячеслав Андреевич Ветошкин,Виктория Анатольевна Ильина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное военное образовательное учреждение высшего образования "Военно-медицинская академия имени С.М. Кирова" Министерства обороны Российской Федерации (ВМедА). Дата публикации: 2021-01-15.

Method for sugar solution production and device for such production

Номер патента: RU2564571C2. Автор: Хироюки КУРИХАРА,Ацуси МИНАМИНО,Юки ЯМАМОТО,Кацусиге ЯМАДА. Владелец: Торэй Индастриз, Инк.. Дата публикации: 2015-10-10.

Method for producing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for suppressing introduction of dislocation into aluminum nitride growth layer

Номер патента: US20230392282A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara,Taku Murakawa. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for forming micro-electro-mechanical system (mems) structure

Номер патента: US20190315620A1. Автор: Kai-Fung Chang,Len-Yi Leu,Lien-Yao TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Method and device for forming an isolated visualization of body structures

Номер патента: WO2003049040A2. Автор: Rafael Wiemker,Thomas Blaffert. Владелец: Philips Corporate Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2003-06-12.

Method and device for forming an isolated visualization of body structures

Номер патента: EP1459262A2. Автор: Rafael Wiemker,Thomas Blaffert. Владелец: Philips Corporate Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2004-09-22.

Method for Monitoring the Spinning Process on a Spinning Device, Spinning Position of an Air-Spinning Machine and Spinning Device

Номер патента: US20220195637A1. Автор: Roland Werner,Thomas Weide,Anja KOETZSCH. Владелец: Saurer Intelligent Technology AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Devices and methods for detecting pancreatic lipase

Номер патента: US20240218421A1. Автор: THOMAS Jordan,Arvind DEV,Adam St. Hilaire,Paige Pomeroy. Владелец: Idexx Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Hepatectomy method for orthotopic liver transplantation

Номер патента: RU2661733C1. Автор: Могели Шалвович Хубутия,Сергей Сергеевич Дыдыкин,Владимир Алексеевич Гуляев,Мурад Сафтарович Новрузбеков,Олег Даниелович Олисов. Владелец: Государственное бюджетное учреждение здравоохранения города Москвы "Научно-исследовательский институт скорой помощи им. Н.В. Склифосовского Департамента здравоохранения города Москвы". Дата публикации: 2018-07-19.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: US20210039136A1. Автор: Akihiro Nishimura. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: CA3095439A1. Автор: Akihiro Nishimura. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for producing light-accumulating transfer sheet, light-accumulating transfer sheet and transfer method for light-accumulating transfer sheet

Номер патента: US10717270B2. Автор: Katsuo SANARI. Владелец: Santoshoji Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

Method for producing light-accumulating transfer sheet, light-accumulating transfer sheet and transfer method for light-accumulating transfer sheet

Номер патента: US20190039371A1. Автор: Katsuo SANARI. Владелец: Santoshoji Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Extreme ultraviolet (euv) mask absorber and method for forming the same

Номер патента: US20190227427A1. Автор: Jed H. Rankin,Lei Zhuang,Amr Y. Abdo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Method for manufacturing flexible substrate with surface structure copying from a template

Номер патента: US20130034698A1. Автор: Si-Chen Lee,Chieh-Hung Yang,Chun-Yuan Hsueh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-02-07.

Method and device for forming an isolated visualization of body structures

Номер патента: WO2003049040A3. Автор: Rafael Wiemker,Thomas Blaffert. Владелец: Philips Corp Intellectual Pty. Дата публикации: 2004-03-11.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US10604859B2. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Active light ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, active light ray-sensitive or radiation-sensitive film, method for forming pattern, and method for producing electronic device

Номер патента: EP4023635A1. Автор: Takamitsu Tomiga,Yasunori Yonekuta,Kohei Higashi,Fumihiro Yoshino,Naoya HATAKEYAMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Thermally insulated hose and method for producing the same

Номер патента: EP2113700A3. Автор: Noriaki Fujimoto,Nobuo Shindo. Владелец: Tigers Polymer Corp. Дата публикации: 2016-10-05.

Image forming system and method for controlling image forming operation

Номер патента: US20150248095A1. Автор: Shoichi Nakamura. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2015-09-03.

Image forming system and method for controlling image forming operation

Номер патента: US9354575B2. Автор: Shoichi Nakamura. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: US20200398308A1. Автор: Kenji Sakai,Nobuhiko Narita,Hirokazu OKAZAKI,Tatsuo Kuramochi. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: US20210245198A1. Автор: Satoshi Ishida,Akiko Senda,Kenta TAKEMURA. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US20180087169A1. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

A method for stuffing articles in envelopes

Номер патента: WO2013054314A1. Автор: Francesco Ponti. Владелец: C.M.C. S.R.L.. Дата публикации: 2013-04-18.

Coating liquid for forming undercoat layer, method for preparing coating liquid for forming undercoat layer, electrophotographic photoreceptor, image-forming apparatus, and electrophotographic cartridge

Номер патента: US20090208249A1. Автор: Kozo Ishio,Hiroe Fuchigami. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Core locking assembly and method for orientation of asymmetric tooling

Номер патента: CA2592524A1. Автор: Bruce E. Lawton,Daniel P. Barrows. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Core locking assembly and method for orientation of asymmetric tooling

Номер патента: EP1831002A1. Автор: Bruce E. Lawton,Daniel P. Barrows. Владелец: Bausch and Lomb Inc. Дата публикации: 2007-09-12.

Core locking assembly and method for orientation of asymmetric tooling

Номер патента: WO2006073575A1. Автор: Bruce E. Lawton,Daniel P. Barrows. Владелец: Bausch & Lomb Incorporated. Дата публикации: 2006-07-13.

Method for producing flavan derivative

Номер патента: EP1997815A4. Автор: Takashi Higuchi,Keisuke Suzuki,Ken Ohmori. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2009-07-29.

Method for making a bung for a metal cask

Номер патента: AU2001235542A1. Автор: Jean-Claude Carayon,Lucien Brun. Владелец: Gallay SA. Дата публикации: 2001-07-31.

Solutions and methods for forming an exogenous flexible film on a plant and plants including the exogenous flexible film

Номер патента: EP3697210A1. Автор: Luis Fernando Hernandez Aguilar,Brian James Tipton,Sean Calvin Musser,John Mark Christensen. Владелец: Cultiva LLC. Дата публикации: 2020-08-26.

Solutions and methods for forming an exogenous flexible film on a plant and plants including the exogenous flexible film

Номер патента: US11737454B2. Автор: Luis Fernando Hernandez Aguilar,Brian James Tipton,Sean Calvin Musser,John Mark Christensen. Владелец: Cultiva LLC. Дата публикации: 2023-08-29.

Decorative holder for a light source, blank therefore, greetings cards and method for forming such a holder

Номер патента: GB201320666D0. Автор: . Владелец: SCHELTEMA YVETTE E. Дата публикации: 2014-01-08.

Method for detecting a liquid composition applied onto a cellulose blank structure with a detection system and a detection system

Номер патента: US20240255422A1. Автор: Olle HÖGBLOM. Владелец: PulPac AB. Дата публикации: 2024-08-01.

Apparatus and method for forming an article

Номер патента: US20010048185A1. Автор: Donald Weder,Frank Craig,Michael King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

System, apparatus and method for contaminant reduction in semiconductor device fabrication equipment components

Номер патента: EP1784595A2. Автор: Darwin G. Enicks,Carl E. Friedrichs,Richard A. Brucher. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Apparatus and method for forming alignment layer

Номер патента: US20040246419A1. Автор: Nobuo Okazaki,Hiroki Nakano,Yukito Saitoh,Shuhichi Odahara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for preventing TMR MRR drop of slider and micro-texture forming method in same process

Номер патента: US20080000075A1. Автор: Hongtao Ma,Hongxin Fang,Baohua Chen. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Compositions and methods for fusarium disease control

Номер патента: RU2736382C1. Автор: Кристофер Дж. Грэндлик,Уэйн А. ГРИН,Янне С. Керовуо,Райан Т. МАККАНН. Владелец: Монсанто Текнолоджи Ллс. Дата публикации: 2020-11-16.

Method for processing nitride snf in salt melts with removal of the residual amount of the chlorinating agent

Номер патента: RU2758450C1. Автор: Вадим Юрьевич Селявский,Александр Сергеевич Житков,Дмитрий Александрович Ушаков,Сергей Геннадьевич Овченков,Артем Олегович Харитонов. Владелец: Акционерное общество «Прорыв». Дата публикации: 2021-10-28.

Method for Forming an Extreme Ultraviolet Lithography Pellicle

Номер патента: US20210191255A1. Автор: Ivan Pollentier,Cedric Huyghebaert,Emily Gallagher,Marina Timmermans,Elie Schapmans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for forming a unassembled electrophoresis gel cassette

Номер патента: US20240167979A1. Автор: Kuan-Lin Lee. Владелец: Smobio Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and apparatus for forming an object with a natural fibre-based substance

Номер патента: WO2024134544A2. Автор: Fiorenzo Parrinello,Fabrizio Pucci,Giovanni MAZZOTTI,Marcello Zama,Francesco PIRAZZOLI,Davide ZANOTTI. Владелец: Sacmi Cooperativa Meccanici Imola Societa' Cooperativa. Дата публикации: 2024-06-27.

Solutions and methods for forming an exogenous flexible film, which includes a supplemental component, on a plant and plants including the exogenous flexible film

Номер патента: US20230016007A1. Автор: Luis Fernando Hernandez Aguilar,Brian James Tipton,Sean Calvin Musser,Victoria Towers,Daniel Manriquez. Владелец: Cultiva LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Undercut Anchor, Setting Tool for Setting an Undercut Anchor and Setting Method for an Undercut Anchor

Номер патента: US20240191739A1. Автор: Jürgen Bergfelder,Alexander Wollmann. Владелец: Keil Befestigungstechnik GmbH. Дата публикации: 2024-06-13.

Needle adaptor and assembly for forming an injection device for administering a fluid to a subject

Номер патента: US20220387727A1. Автор: Koen Catharina Lodewijk Beyers,Timothi Julio Steven VAN MULDER,Nette MEERS,Quinten VAN AVONDT,Vanessa Vicky Jill VANKERCKHOVEN,Alejandra R#OS CORTÉS. Владелец: Idevax. Дата публикации: 2022-12-08.

Ratchet wheel and method for making the same

Номер патента: US20190368067A1. Автор: Yi-Fu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for inkjet printing on molded article

Номер патента: US20150298456A1. Автор: Hiroaki Kikuchi,Katsumi Hashimoto,Sei NAKAGAWA. Владелец: Nippon Closures Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method and apparatus for forming an object with a natural fibre-based substance

Номер патента: WO2024134544A3. Автор: Fiorenzo Parrinello,Fabrizio Pucci,Giovanni MAZZOTTI,Marcello Zama,Francesco PIRAZZOLI,Davide ZANOTTI. Владелец: Sacmi Cooperativa Meccanici Imola Societa' Cooperativa. Дата публикации: 2024-07-25.

A method for initiating an arc; a controller and a welding apparatus with a stick welder for achieving such a method

Номер патента: CA2576899A1. Автор: Todd G. Batzler,Edward Beistle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Isocyanate-functional polymer components and polyurethane articles formed from recycled polyurethane articles and associated methods for forming same

Номер патента: US12054589B2. Автор: Rajesh Kumar,Steven Wujcik,Nikolay Lebediniski,Christopher Milantoni. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

An orthopaedic trauma plate and method for forming same

Номер патента: EP3937852A1. Автор: Gavin Kane O'Neill,Lina YAN. Владелец: National University Hospital Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Apparatus and methods for forming an attachment pad in high strength steel materials

Номер патента: CA3226531A1. Автор: Peter L. Busuttil. Владелец: KUKA Systems North America LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Method and apparatus for forming an optical multilayer filter

Номер патента: EP1170396A3. Автор: Emiko Japan Aviation Elec. Ind. Ltd. Nishida,Noboru Japan Aviation Elec. Ind. Ltd. Uehara. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Bringing a non-isolated application into an isolation layer with an isolated application

Номер патента: US20180276370A1. Автор: Haik A. Mesropian. Владелец: Symantec Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Apparatus and methods for forming curved films

Номер патента: WO2024124361A1. Автор: Yifei Li,Jiao LIU,Guangsen WANG,Ryan IRWIN,Shuai LAI. Владелец: Neverfrost Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Apparatus and methods for forming an attachment pad in high strength steel materials

Номер патента: US12097548B2. Автор: Peter L. Busuttil. Владелец: KUKA Systems North America LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Mycosphaerella sp. strain, compositions and methods for fusariosis control

Номер патента: RU2705286C2. Автор: Кристофер Дж. Грэндлик,Уэйн А. ГРИН,Янне С. Керовуо,Райан Т. МАККАНН. Владелец: Монсанто Текнолоджи, Ллс. Дата публикации: 2019-11-06.

Method for manufacture of mineral fiber panel containing one or more cavities of predetermined shape

Номер патента: RU2265091C2. Автор: Оле Легтольт ПЕДЕРСЕН. Владелец: РОКВУЛ ИНТЕРНЭШНЛ А/С. Дата публикации: 2005-11-27.

Antiembolic protection device, method for its folding and forming device

Номер патента: RU2742690C2. Автор: Оливер ШУМАХЕР,Михаель ПФЕННИГ,Виктор Альфонсе ХИМЕНЕС ДИАС,Конрад РАСМУС,Карл ФОН МАНГОЛЬД. Владелец: Протембис Гмбх. Дата публикации: 2021-02-09.

Method for manufacturing solar-control laminated glass

Номер патента: WO2022100592A1. Автор: Bernard Nghiem,Guillaume Gauthier,Koucun ZHANG. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: US20190031915A1. Автор: Makoto Shimizu,Daisuke Segawa,Yoshiki Takaira,Manabu Horiuchi,Miho OKA. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Single-use filter component, a method for treating air and use of a polymer or copolymer of divinylbenzene

Номер патента: US20220372192A1. Автор: Monica GONZALEZ HERRERA,Andrew SCULLARD. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2022-11-24.

Forming method for assembly of bead core and apex rubber

Номер патента: US20070137765A1. Автор: Masumi Suzuki,Shuichi Yamamori. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods for using ink jettable, uv-curable compositions

Номер патента: US20170081533A1. Автор: Thomas B. Brust,Anne Troxell Wyand. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-03-23.

An apparatus and method for forming an opening in a storage tank

Номер патента: EP2069114A1. Автор: Philip Quinan,Russell Thorpe,Dale Mclntyre Timms. Владелец: Zestco Pty Ltd. Дата публикации: 2009-06-17.

Method and apparatus for forming uncured rubber component

Номер патента: US11548209B2. Автор: Hirokazu Takahashi. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2023-01-10.

Photoresist compositions, methods for forming pattern using the same, and methods for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220128905A1. Автор: Jung Min Lee,Jong Hoon Kim,Suk Koo Hong,Eun Shoo Han,Sung An Do,Hong Joon Lee,Seung Chul Kwon,Sin Hae Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for manufacturing solar-control laminated glass

Номер патента: EP4244195A1. Автор: Bernard Nghiem,Guillaume Gauthier,Koucun ZHANG. Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 2023-09-20.

A method for manufacturing a support body arrangement, and a support body arrangement

Номер патента: SE2051422A1. Автор: Jonas Berg,Anders Leandersson,Anders Brattstrom,Peter Jarkeborn,Adam NORDIN. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 2022-06-08.

Solutions and methods for forming an exogenous flexible film, which includes a supplemental component, on a plant

Номер патента: EP4401557A1. Автор: Luis Fernando Hernandez Aguilar,Brian James Tipton,Sean Calvin Musser,Victoria Towers,Daniel Manriquez. Владелец: Cultiva LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Synchronizer hub for vehicles and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170203367A1. Автор: Na Ra Sin. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-07-20.

Apparatus and method for forming a spiral wound abrasive article, and the resulting article

Номер патента: US20040072509A1. Автор: Robert Follensbee,Douglas Hunt,Ann HAWKINS,Gary Heacox,Stephen Yoos. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Apparatus for preventing cross talk and interference in semiconductor devices during test

Номер патента: US20040262603A1. Автор: John Blondin,Gene Patrick,Kevin Potasiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Methods for forming articles having apertures and articles having substantially reduced residual compressive stress

Номер патента: US20070217877A1. Автор: Yang Cheng,Leonid LEV,Jon Carter,Carolina Ang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for manufacturing ceramic honeycomb structure and coating material for the ceramic honeycomb structure

Номер патента: US20100119719A1. Автор: Yasushi Noguchi,Yoshiro Ono,Ryuta Kono. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2010-05-13.

Method for determining an isolated operating point associated with an isolated regime, method for determining an optimal set of parameters of a measurement means and system therefor

Номер патента: US20230196170A1. Автор: Tristan Meunier,Pierre-André MORTEMOUSQUE,Baptiste JADOT,Matias URDAMPILLETA. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-22.

System and method for automated interpretation of input expressions using novel a posteriori probability measures and optimally trained information processing networks

Номер патента: CA2152211A1. Автор: John Stewart Denker,Christopher John Burges. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-02-05.

Method for forming an image on a silver halide color photographic material

Номер патента: US5650264A. Автор: Kiyoshi Kawai,Mitsuo Saito. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-22.

Apparatus and method for forming a spiral wound abrasive article, and the resulting article

Номер патента: EP1554083A1. Автор: Ann M. Hawkins,Robert A. Follensbee,Stephen J. Yoos,Gary L. Heacox,Douglas C. Hunt. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2005-07-20.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for manufacturing a smoking product

Номер патента: RU2771509C1. Автор: Норио ЯМАМОТО,Риодзи Фудзита,Кадзухико КАТАЯМА,Такеси Синкава. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2022-05-05.

In vitro methods for induction and maintenance of plant cell lines as single suspension cells with intact cell walls and transformation thereof

Номер патента: RU2451744C2. Автор: Пол Шмитцер,Уилльям Майкл Эйнли,Нарасимха Чари САМБОДЖУ,Пон Самуэль ДЖАЯКУМАР,Джеффри Р. БЕРИНГЕР,Франк БАРРОЗ,Робби ГАРИССОН. Владелец: ДАУ АГРОСАЙЕНСИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-05-27.

J591 minibodies and cys-diabodies for targeted delivery of human prostate specific membrane antigen (psma) and methods for their use

Номер патента: RU2673908C2. Автор: Дэвид ХО,Тоув ОЛАФСОН,Арие ЛИПМАН. Владелец: Имэджинэб, Инк.. Дата публикации: 2018-12-03.

Humanised antibodies to ox40 and methods for use thereof

Номер патента: RU2709742C2. Автор: Мелисса ДАМШРОДЕР,Майкл ОБЕРСТ,Скотт А. ХАММОНД,Цюнь ДУ. Владелец: МЕДИММЬЮН, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-12-19.

Preparation of treatment composition and bath maintenance system and method for treatment formed therefrom

Номер патента: RU2721259C1. Автор: Эрик Л. МОРРИС,Гордон Л. ПОСТ,Майкл А. МЭЙО,Эдвард Ф. РАКИЕВИЧ,Майкл Дж. ПАУЛИК. Владелец: Прк-Десото Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2020-05-18.

Method for forming a two-thread two-line chain stitch and a device for its implementation

Номер патента: RU2756206C1. Автор: Олег Петрович Бутенко,Виктория Анатольевна Зинькова,Ольга Викторовна Костина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова». Дата публикации: 2021-09-28.

Method for forming insoluble solute adducts using an acidic medium

Номер патента: CA3238650A1. Автор: John N. Glover,Austin Schneider,Bradley Glover,Krishna K. Rao,Umakant Pravinchandra Joshi,Jeffrey Scott OLIVER. Владелец: Crystaphase International Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

System and method for forming integral flange in composite laminate structure after layup

Номер патента: WO2021194765A1. Автор: Mark Anthony Wadsworth. Владелец: SPIRIT AEROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2021-09-30.

Tubular and vesicular architectures formed from polymer-lipid blends and method for forming the same

Номер патента: EP3277419A1. Автор: Bo Liedberg,Madhavan Nallani,Amit Kumar KHAN,Hans-Peter DE HOOG,Seng Koon LIM,Atul N PARIKH. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-07.

System and method for well bore isolation of a retrievable motor assembly

Номер патента: US20230399896A1. Автор: Dwayne Leismer,Rogelio Cantu. Владелец: Accessesp UK Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Image forming system and method for selecting an image for a sample paper ejection

Номер патента: US8502992B2. Автор: Susumu Kurihara. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2013-08-06.

Inkjet printer, printing system, and method for producing printed matter

Номер патента: US12036800B2. Автор: Hirohito Murate. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

System and method for measuring the focus state of an optical instrument

Номер патента: EP3563188A1. Автор: Ludovico SILVESTRI,Marie Caroline MÜLLENBROICH,Leonardo SACCONI,Francesco Saverio Pavone. Владелец: Laboratorio Europeo Di Spettroscopie Non Lineari (lens). Дата публикации: 2019-11-06.

Casting method for forming screw hole on inclined plane of casting, and casting integrated with insert having screw thread

Номер патента: US20210213516A1. Автор: Jae-Young An,Woo-Seok Jang,Jin-Yong Kim,Cheol-Ung Lee,Yoon-Ki Lee. Владелец: Jinhap Bollhoff Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Apparatus and method for forming an anastomosis

Номер патента: US20240237984A1. Автор: Thomas Friedrich,Youssef Biadillah,Yonatan GRAY,Christophe NAZ,Mario HEINTZE,Eric SEJOR,Tobias ROKOSCH. Владелец: Bariatek Medical SAS. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for remote placement of underwater isolation barriers

Номер патента: WO2024137920A1. Автор: Brad HIBBARD,Jay HIBBARD,James L. HIBBARD. Владелец: Hibbard James L. Дата публикации: 2024-06-27.

Apparatus and method for pulsed magnetic forming of a dish from a planar plate

Номер патента: EP1054746A2. Автор: Oren Gafri,Yuri Livshiz. Владелец: Pulsar Welding Ltd. Дата публикации: 2000-11-29.

System and method for forming integral flange in composite laminate structure after layup

Номер патента: EP4127539A1. Автор: Mark Anthony Wadsworth. Владелец: Spirit AeroSystems Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Apparatus for forming an optical multilayer filter

Номер патента: US20040076740A1. Автор: Noboru Uehara,Emiko Nishida. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: EP3685928A1. Автор: Nobuhiko Narita,Hirokazu OKAZAKI,Tatsuo Kuramochi,Yuya Hirai. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-29.

Method of forming an hermetic seal on electronic and optoelectronic packages

Номер патента: US20190361180A1. Автор: Suresh Venkatesan,Yee Loy Lam,Long Cheng Koh. Владелец: Espresso Capital Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Abrasive articles and methods for forming same

Номер патента: US20230211469A1. Автор: Brahmanandam V. Tanikella,Charles J. Gasdaska. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2023-07-06.

Abrasive articles and methods for forming same

Номер патента: US20220282144A1. Автор: Brahmanandam V. Tanikella,Michael J. Lemberger,Charles J. Gasdaska. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2022-09-08.

Apparatus and method for forming an absorbent pad

Номер патента: EP3600190A1. Автор: Matteo Piantoni,Valerio Soli,Marco Rosani,Federico TOSCANI,Giuseppe Poli. Владелец: GDM SpA. Дата публикации: 2020-02-05.

Apparatuses and methods for making seal rings for caps, and thus obtained seal rings

Номер патента: EP2296859A2. Автор: Stefano Bergami,Danilo Albonetti,Fabrizio Villa. Владелец: Sacmi Imola Sc. Дата публикации: 2011-03-23.

A fastening device and method for fastening isolation material to a flat roof and a tool for mounting the fastening device

Номер патента: NO342730B1. Автор: Rune Norderhaug,Terje Oliver Simonsen. Владелец: Christiania Byggteknikk As. Дата публикации: 2018-07-30.

Clad textured metal substrate for forming epitaxial thin film thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120312429A1. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-13.

Clad textured metal substrate for forming epitaxial thin film thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080257255A1. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Chubu Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Clad textured metal substrate for forming epitaxial thin film thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US8287643B2. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Chubu Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Method for forming a metal container with a carrier ring and resulting container

Номер патента: CA3211315A1. Автор: Carlos Andres Mejia-Quinchia,Erika Sheaffer Love. Владелец: Belvac Production Machinery Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

A method for manufacturing a support body arrangement, and a support body arrangement

Номер патента: WO2022122369A1. Автор: Jonas Berg,Anders Leandersson,Anders Brattstrom,Peter Jarkeborn,Adam NORDIN. Владелец: VALMET AB. Дата публикации: 2022-06-16.

Apparatuses and methods for making seal rings for caps, and thus obtained seal rings

Номер патента: WO2009130567A2. Автор: Stefano Bergami,Danilo Albonetti,Fabrizio Villa. Владелец: Sacmi Cooperativa Meccanici Imola Societa' Cooperativa. Дата публикации: 2009-10-29.

Cyan toner and method for forming an image

Номер патента: EP1455239A3. Автор: Hirohide Tanikawa,Yoshinobu Baba,Yuko Sato,Takayuki Itakura,Kazuo Terauchi,Takaaki Kotaki,Nobuyoshi Sugahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-05-25.

Turbine shroud and a method for manufacturing the turbine shroud

Номер патента: US20120219404A1. Автор: David Wayne Weber,Gregory Thomas Foster. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2012-08-30.

Systems and methods for debugging multi-core processors with configurable isolated partitions

Номер патента: EP4414850A1. Автор: Gary L. Miller,Oded Yishay,Paul Kimelman,Devendra Bahadur Singh,Jonathan Gamoneda. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Optical waveguide article with laminate structure and method for forming the same

Номер патента: US20210302649A1. Автор: Natesan Venkataraman,Venkata Adiseshaiah Bhagavatula. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Annular structures formed from composite materials and systems and methods for forming annular structures from composite materials

Номер патента: US20220371260A1. Автор: Ben BOSWORTH,Sam Nichols,Matthew Giaraffa,Meghan Bucholz,Ian Ramsay. Владелец: Guerrilla Industries LLC. Дата публикации: 2022-11-24.

Systems and methods for forming and displaying an analyte location map

Номер патента: US20240192354A1. Автор: Jeremy P. Walker,Kemper Talley. Владелец: Teledyne Flir Defense Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

System and method for maintaining tenant data isolation in a messaging service

Номер патента: US20230169197A1. Автор: Yoel Amram,Nadav HOZE. Владелец: Gong IO Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Central memory t-cells of against third party, methods for their production and their application in transplantation and diseases treatment

Номер патента: RU2636503C2. Автор: Яир РЕЙЗНЕР,Эстер БАХАР-ЛУСТИГ,Яки ЭЙДЕЛЬШТЕЙН,Эран ОФИР,Ассаф ЛАСК,Ран АФИК,Нога ОР-ГЕВА. Владелец: Иеда Рисеч Энд Девелопмент Ко. Лтд.. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for enzymatic production of 2-hydroxy-2-methyl carboxylic acids

Номер патента: RU2459871C2. Автор: Роланд Х. МЮЛЛЕР,Торэ РОВЕРДЕР. Владелец: Эвоник Рём ГмбХ. Дата публикации: 2012-08-27.

Extrusion head, extruder and method for forming extruded or co-extruded pieces of food product, extruded or co-extruded pieces of food product formed by means of specified method

Номер патента: RU2753243C2. Автор: Эмильен ЭСТЭВ,Реми ТОНЕ БРЮШЕ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2021-08-12.

Method for intensive growing potatoes with soil enrichment with water using a supersorbent with drop irrigation

Номер патента: RU2729812C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2020-08-12.

System, machine-readable media and method for core analysis by images

Номер патента: RU2760105C1. Автор: Ксения Ахатовна Габдрахманова,Тимур Венерович Мамяшев,Дмитрий Александрович Степанов,Тимур Альфредович Салимов,Данил Петрович Кульминский,Владислав Владимирович Ефимов,Владислав Игоревич Горбунов. Владелец: Публичное акционерное общество «Газпром нефть». Дата публикации: 2021-11-22.

Pharmaceutical substance for forming drug preparations based on gramicidin c and a method for production thereof (versions), pharmaceutical substance for forming drug preparations of prolonged action based on gramicidin c and a method for production thereof (versions)

Номер патента: RU2733715C2. Автор: Владлен Борисович Калустов,Александр Алексеевич Дранников. Владелец: Акционерное Общество "Производственная Фармацевтическая Компания Обновление". Дата публикации: 2020-10-06.

Polylayers glass container from transparent glass and amber pigmented glass and method for manufacturing the same

Номер патента: RU2266261C2. Автор: Рональд Т. МАЙЕРС,Рональд А. ЧИРИНЧОНЕ,У. Алан ПУЛОС. Владелец: Оуэнс-Броквэй Гласс Контейнер Инк.. Дата публикации: 2005-12-20.

Pneumatically operated form keys and method for thermoforming undercuts in foam parts

Номер патента: US20010030384A1. Автор: John Fuller,Philip Baker,Kenneth Simmons. Владелец: PACTIV LLC. Дата публикации: 2001-10-18.

Apparatus and method for packaging smoking articles

Номер патента: EP4294731A1. Автор: Fiorenzo Draghetti,Simone MONARI. Владелец: IMA Industria Macchine Automatiche SpA. Дата публикации: 2023-12-27.

Sytems and Methods for Propagating Digital Data across an Isolation Barrier

Номер патента: US20130099817A1. Автор: Haigh Geoffrey T.. Владелец: Samsung Electro-Mechanics Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-04-25.

A method for increasing the survival of an isolated leg-on skin flap in animals with a reduced antioxidant background

Номер патента: RU2002113836A. Автор: Елена Борисовна Артюшкова,Александр Валерьевич Лебедев,Владимир Владимирович Харченко,Татьяна Григорьевна Покровская,Владимир Владимирович Гуреев,Елена Станиславовна Черноморцева,Тать на Григорьевна Покровска,Мелик Тофикович Гасанов,р Александр Георгиевич Мул,Александр Георгиевич Муляр,Ирина Сергеевна Лоюкова,заева Лиди Максимовна Р,Лидия Максимовна Рязаева,Ирина Викторовна Степина,Юли Владимировна Лунева,Юлия Владимировна Лунева. Владелец: Курский государственный медицинский университет. Дата публикации: 2003-12-10.

Method for controlling film quality of crystalline semiconductor film, computer software for it, crystalline silicon film, semiconductor device, and thin-film transistor

Номер патента: JPH10107106A. Автор: Hiroyuki Ogawa,裕之 小川,Naoki Makita,直樹 牧田. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-24.

Method for industrial salvaging of small arms cartridges and installation for their stripping

Номер патента: RU2318177C2. Автор: Григорий Иванович Ковальчук,Олег Валентинович Черепанов. Владелец: Олег Валентинович Черепанов. Дата публикации: 2008-02-27.

Method for applying air ion therapy

Номер патента: RU2297254C2. Автор: Владимир Михайлович Кузьмичев,Лев Петрович Домнин,Сергей Львович Домнин. Владелец: Сергей Львович Домнин. Дата публикации: 2007-04-20.

Method for simulating spinal cord injury

Номер патента: RU2461071C2. Автор: Александр Сергеевич Преображенский,Мария Михайловна Катина,Игорь Иванович Ларькин,Алла Ефимовна Любавина,Анжела Игоревна Пак,Анна Анатольевна Турица. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омская государственная медицинская академия Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию" Росздрава. Дата публикации: 2012-09-10.

Method for controlling semiconductor switch

Номер патента: RU2290737C1. Автор: Евгений Эдуардович Горохов-Мирошников. Владелец: Евгений Эдуардович Горохов-Мирошников. Дата публикации: 2006-12-27.

Method for contactless determination of temperature field non-uniformity in semiconductor light sources

Номер патента: RU2538070C1. Автор: Юлия Сергеевна Гончарова,Елена Владимировна Саврук,Серафим Всеволодович Смирнов. Владелец: Серафим Всеволодович Смирнов. Дата публикации: 2015-01-10.

System and method for actuating isolation valves in a subterranean well

Номер патента: MY174646A. Автор: Steven J Craik. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method for coiling rolled rod and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2270730C1. Автор: Андрей Владимирович Лукьянов,нов Андрей Владимирович Лукь,Владимир Станиславович Некипелов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МТ груп". Дата публикации: 2006-02-27.

Method for composing wireless information transfer networks and a high-altitude rotary-wing platform for realization of the method

Номер патента: RU2319319C1. Автор: Виктор Иванович Шабаев,Борис Николаевич Терещенко,Владимир Миронович Вишневский. Владелец: Владимир Миронович Вишневский. Дата публикации: 2008-03-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.