Probe head for wafer-level burn-in test (WLBI) and probe card comprising said probe head.

Probe head for wafer-level burn-in test (WLBI) and probe card comprising said probe head

Номер патента: US20240183882A1
Опубликовано: 06-06-2024
Автор(ы): Giuseppe Amelio
Принадлежит: Microsoft SpA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Probe head comprising pogo pins for wafer-level burn-in test

Номер патента: EP4382920A1. Автор: Giuseppe Amelio. Владелец: Microtest SpA. Дата публикации: 2024-06-12.

Wafer-level burn-in system

Номер патента: EP0841572A3. Автор: John J. Budnaitis,Jimmy Leong. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 1998-07-08.

System and methods for semiconductor burn-in test

Номер патента: EP3465238A1. Автор: Ballson Gopal,Jessie KILLION. Владелец: Kes Systems Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Probe head for reduced-pitch applications

Номер патента: WO2021122950A1. Автор: Roberto Crippa,Stefano Felici. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2021-06-24.

Probe head for reduced-pitch applications

Номер патента: US11953522B2. Автор: Roberto Crippa,Stefano Felici. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2024-04-09.

Transposed via arrangement in probe card for automated test equipment

Номер патента: US20210190828A1. Автор: Brian Brecht. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Probe card and test apparatus including probe card

Номер патента: US20240255545A1. Автор: Min Suk Kim,Seung il HONG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Probe card holder

Номер патента: MY197465A. Автор: NARUMI TAKAYUKI,KIKUCHI YOSHINORI,YASUTA TAKAO,Hirota Hideki. Владелец: Nihon Micronics Kk. Дата публикации: 2023-06-19.

Wafer level burn-in and electrical test system and method

Номер патента: KR100751068B1. Автор: 도날드 폴 2세 리치몬드,존 딘 호앙,저지 로바츠. Владелец: 에어 테스트 시스템즈. Дата публикации: 2007-08-22.

Multi Layer Ceramic Condenser(MLCC) BURN IN TEST BOARD

Номер патента: KR102337684B1. Автор: 김상철. Владелец: 주식회사 윈탑. Дата публикации: 2021-12-13.

Probe head and probe card

Номер патента: US11733267B2. Автор: Che-Wei Lin,Chin-Yi Lin,Ting-Ju WU,Keng-Min Su. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Probe head and probe card

Номер патента: EP3715866A1. Автор: Che-Wei Lin,Chin-Yi Lin,Ting-Ju WU,Keng-Min Su. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2020-09-30.

Probe card

Номер патента: US20240168059A1. Автор: Youngil Kim,Junoh Choi,Duhyun HWANG,Kyubeom KIM,Dongdae Kim,Jaehan Cho. Владелец: Top Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Surface Treated Metal Material For Burn-In Test Socket, Connector For Burn-In Test Socket And Burn-In Test Socket Using The Same

Номер патента: US20190234994A1. Автор: Endo Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

SYSTEM AND METHODS FOR SEMICONDUCTOR BURN-IN TEST

Номер патента: US20190204378A1. Автор: Gopal Ballson,Killion Jesse. Владелец: KES SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Burn-in test socket having wire silicon rubber interposed between contact pin and semiconductor device

Номер патента: KR101806472B1. Автор: 박성규,전진국. Владелец: 주식회사 오킨스전자. Дата публикации: 2017-12-07.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: US7042240B2. Автор: Gordon B. Kuenster,Christopher A. Lopez,Brian J. Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2006-05-09.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: US7187189B2. Автор: Gordon B. Kuenster,Christopher A. Lopez,Brian J. Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2007-03-06.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: US7482825B2. Автор: Gordon B. Kuenster,Christopher A. Lopez,Brian J. Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2009-01-27.

Structure and method for package burn-in testing

Номер патента: TWI261676B. Автор: Wen-Kun Yang. Владелец: Advanced Chip Eng Tech Inc. Дата публикации: 2006-09-11.

Apparatus for Burn-In Test

Номер патента: US20160091559A1. Автор: Teoh Siow Khiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Holding device of burn-in test chip

Номер патента: KR950013605B1. Автор: 이규진. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-11-13.

Chip holding device for burn-in test and manufacturing method thereof

Номер патента: KR950014897A. Автор: 이규진,정현조. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-06-16.

Systems for wafer level burn-in of electronic devices

Номер патента: US20050024076A1. Автор: James Biard,James Guenter,Michael Haji-Sheikh,Simon Rabinovich,Bobby Hawkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Wafer-level burn-in and test

Номер патента: US20080157808A1. Автор: Igor Y. Khandros,David V. Pedersen. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Probe card system, method of manufacturing probe card system, method of using probe card system

Номер патента: US20240027494A1. Автор: Ho-Ming Tong,Chao-Chun Lu. Владелец: Nd Hi Technologies Lab inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Probe card for an apparatus for testing electronic devices

Номер патента: US20150048856A1. Автор: Riccardo Vettori,Riccardo Liberini. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2015-02-19.

Probe mounting structure and reliability test system for wafer-level reliability test

Номер патента: US20240310433A1. Автор: Jianjun Huang,Xiaoming Guo,Shan Zhao,Zhe Lian,Pengsong XU. Владелец: Semight Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for forming probe head structure

Номер патента: US12019097B2. Автор: Hao Chen,Chen-Shien Chen,Mill-Jer Wang,Wen-Yi Lin,Chuan-Hsiang Sun,Chien-Chen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Manufacturing method of probe-head for electrical device inspection

Номер патента: KR20220164683A. Автор: 박영성,장필국. Владелец: 주식회사 나노엑스. Дата публикации: 2022-12-13.

Test board having contact rubber and Burn-in test socket using the same

Номер патента: KR101683018B1. Автор: 박성규,전진국. Владелец: 주식회사 오킨스전자. Дата публикации: 2016-12-07.

Wafer level burn-in system

Номер патента: EP3607334A1. Автор: Michael S. Walker,Robert W. Storey,William Robert Caldwell,Clint D. Wilson,Glenn Lee Prince,Stephen Kyle Collins,Kerry F. Cage,Landon Reid Elfenbein,Andrew Joseph Koenig. Владелец: Delta V Instruments Inc. Дата публикации: 2020-02-12.

Wafer level burn-in system

Номер патента: WO2018208586A1. Автор: Michael S. Walker,Robert W. Storey,William Robert Caldwell,Clint D. Wilson,Glenn Lee Prince,Stephen Kyle Collins,Kerry F. Cage. Владелец: Delta V Instruments, Inc.. Дата публикации: 2018-11-15.

Wafer-level burn-in testing of integrated circuits

Номер патента: US5047711A. Автор: William H. Smith,Chau-Shiong Chen. Владелец: Silicon Connections Corp. Дата публикации: 1991-09-10.

Wafer Level Burn-In System

Номер патента: US20180328978A1. Автор: Michael S. Walker,Robert W. Storey,William Robert Caldwell,Clint D. Wilson,Glenn Lee Prince,Stephen Kyle Collins,Kerry F. Cage. Владелец: Delta V Instruments Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Wafer-level burn-in

Номер патента: WO2001006270A1. Автор: Sammy K. Brown,Andrew K. Wiggin,George E. Avery,Martin P. Goetz,Allan Calamoneri,John Zsaio. Владелец: Alpine Microsystems, Inc.. Дата публикации: 2001-01-25.

Lance contact pin for burn-in test socket using lancing press and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102172785B1. Автор: 박성규,전진국,장승철,진영학. Владелец: 주식회사 오킨스전자. Дата публикации: 2020-11-02.

Burn-in test socket device

Номер патента: KR980006647A. Автор: 마사히로 후치가미,피. 리조 살바토레. Владелец: 덱사스 인스트루먼츠 인코오포레이티드. Дата публикации: 1998-03-30.

Probe card holding device and inspection device

Номер патента: US20210255217A1. Автор: Kazumi Yamagata,Tatsuo Kawashima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Micromachined silicon probe card for semiconductor dice and method of fabrication

Номер патента: US6072321A. Автор: Salman Akram,David R. Hembree,Alan G. Wood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-06.

Probe Card Support Apparatus for Automatic Test Equipment

Номер патента: US20200003803A1. Автор: Scott Nelson. Владелец: REID-ASHMAN MANUFACTURING Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Burn-in test socket

Номер патента: WO1999050677A1. Автор: Akira Kaneshige,Tomohiro Nakano,Isanmu Yamamoto. Владелец: Molex Incorporated. Дата публикации: 1999-10-07.

Probe head for electronic devices and corresponding probe card

Номер патента: US20220155348A1. Автор: Roberto Crippa. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2022-05-19.

Probe head for electronic devices and corresponding probe card

Номер патента: WO2021023739A1. Автор: Roberto Crippa. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2021-02-11.

Probe head for electronic devices and corresponding probe card

Номер патента: EP4010712A1. Автор: Roberto Crippa. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2022-06-15.

Probe head for electronic devices and corresponding probe card

Номер патента: US12032003B2. Автор: Roberto Crippa. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2024-07-09.

Probe card and contact inspection device

Номер патента: US20180299489A1. Автор: Takashi Kawano,Tetsuya Yoshioka,Mika Nasu,Shigeki MAKISE. Владелец: Micronics Japan Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Probe card for an apparatus for testing electronic devices

Номер патента: EP2859361A1. Автор: Riccardo Vettori,Riccardo Liberini. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2015-04-15.

Probe card electrically connectable with a semiconductor wafer

Номер патента: US8149008B2. Автор: Hiroshi Nakayama,Yoshio Yamada,Takashi Akao,Tsuyoshi Inuma. Владелец: NHK Spring Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

Positionable probe card and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210181237A1. Автор: Che-Wei Lin,Sheng-Wei Lin,Chin-Yi Lin,Wen-Chi Chen,Hsueh-Chih Wu,Shu-Jui Chang,Zhi-Wei SU,Tzung-Je TZENG,Huo-Kang HSU,Jian-Kai HONG. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Probe head structure

Номер патента: US20240302410A1. Автор: Hao Chen,Chen-Shien Chen,Mill-Jer Wang,Wen-Yi Lin,Chuan-Hsiang Sun,Chien-Chen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Probe head and probe card having same

Номер патента: US20230143340A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Probe head and probe card having same

Номер патента: WO2021215790A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: POINT ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2021-10-28.

Contact probe and relative probe head of an apparatus for testing electronic devices

Номер патента: EP3555636A1. Автор: Roberto Crippa,Raffaele VALLAURI. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2019-10-23.

Contact probe and relative probe head of an apparatus for testing electronic devices

Номер патента: WO2018108675A1. Автор: Roberto Crippa,Raffaele VALLAURI. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2018-06-21.

Probe head with replaceable probe board

Номер патента: EP4356149A1. Автор: Pardeep Kumar,Kwame Amponsah,Mehmet OZDOGAN,Clive A. D'SOUZA. Владелец: XALLENT Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Probe head assemblies, components thereof, test systems including the same, and methods of operating the same

Номер патента: US9989558B2. Автор: Eric Hill,Koby Duckworth. Владелец: CASCADE MICROTECH INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Probe head for a testing apparatus of electronic devices with enhanced filtering properties

Номер патента: PH12019501352A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2019-11-04.

Probe head for a testing apparatus of electronic devices with enhanced filtering properties

Номер патента: MY196938A. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2023-05-11.

Probe head for a testing apparatus of electronic devices with enhanced filtering properties

Номер патента: EP3555637A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2019-10-23.

Probe head for a testing apparatus of electronic devices with enhanced filtering properties

Номер патента: WO2018108777A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2018-06-21.

Cantilever contact probe and corresponding probe head

Номер патента: EP3740765A1. Автор: Riccardo Vettori. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2020-11-25.

Cantilever contact probe and corresponding probe head

Номер патента: PH12020551056A1. Автор: Riccardo Vettori. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2021-08-23.

Probe head for a testing apparatus of electronic devices with enhanced filtering properties

Номер патента: US20190302185A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2019-10-03.

Probe head for a testing apparatus of electronic devices with enhanced filtering properties

Номер патента: US11971449B2. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2024-04-30.

Probe head with machined mounting pads and method of forming same

Номер патента: EP1984748A1. Автор: Steven Wang,Salleh Ismail,Raffi Garabedian. Владелец: Touchdown Technologies Inc. Дата публикации: 2008-10-29.

Probe head with machined mounting pads and method of forming same

Номер патента: WO2007092174A1. Автор: Steven Wang,Salleh Ismail,Raffi Garabedian. Владелец: TOUCHDOWN TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-08-16.

Tester and method for calibrating probe card and device under testing (DUT)

Номер патента: US11852657B2. Автор: You-Hsien Lin,Shan ZHANG,wei chou Wang,Yung-Shiuan Chen,Tzu-Chia LIU,Hsin-Hsuan CHEN,Zhenzheng JIANG,Mingxiu ZHONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Probe card holding apparatus

Номер патента: US20120025858A1. Автор: Katsuhiko Namiki,Shigeaki Naito. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: US12092659B2. Автор: Carlo CIANFEROTTI,Marco Marcinno′. Владелец: CREA COLLAUDI ELETTRONICI AUTOMATIZZATI Srl. Дата публикации: 2024-09-17.

Universal probe card and testing method

Номер патента: US20240310412A1. Автор: Chia-Wei Chen,Chung-Hsiung Ho,Ping-Jui Hsieh. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Probe card, method for designing probe card, method for producing tested semiconductor device method for testing unpackaged semiconductor by probe card, device under test and probe system

Номер патента: US20240077519A1. Автор: Hao Wei,Yu-Hao Chen,Yang-Hung Cheng,Jhin-Ying Lyu. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Tester and method for calibrating probe card and device under testing (dut)

Номер патента: US20210270868A1. Автор: You-Hsien Lin,Shan ZHANG,wei chou Wang,Yung-Shiuan Chen,Tzu-Chia LIU,Hsin-Hsuan CHEN,Zhenzheng JIANG,Mingxiu ZHONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for optimizing probe card analysis and scrub mark analysis data

Номер патента: EP1061381B1. Автор: John Strom. Владелец: Applied Precision Inc. Дата публикации: 2004-12-29.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: WO2021240431A1. Автор: Marco Marcinno',Carlo CIANFEROTTI. Владелец: Crea Collaudi Elettronici Automatizzati S.R.L.. Дата публикации: 2021-12-02.

Probe card for a magnetically-actuable device and test system including the probe card

Номер патента: US20180237293A1. Автор: Marco Rossi,Giacomo Calcaterra,Sergio Mansueto Reina. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-08-23.

Alignment chip for probe card, probe card and probe card repair method

Номер патента: US20240103071A1. Автор: Takashi Yoshida. Владелец: Japan Electronic Materials Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for optimizing probe card analysis and scrub mark analysis data

Номер патента: US20020171414A1. Автор: John Strom. Владелец: Applied Precision Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Method for optimizing probe card analysis and scrub mark analysis data

Номер патента: EP1519200B1. Автор: John Strom. Владелец: Applied Precision Inc. Дата публикации: 2007-01-10.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: EP4018207A1. Автор: Marco Marcinno',Carlo CIANFEROTTI. Владелец: Crea Collaudi Elettr Automatizzati Srl. Дата публикации: 2022-06-29.

Improved probe card for high-frequency applications

Номер патента: SG11201907123PA. Автор: Riccardo Vettori,Stefano Felici. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2019-09-27.

Cantilever probe card and carrier thereof

Номер патента: US20230349948A1. Автор: Chao-Hui Tseng,Wei-Jhih Su,Hao-Yen Cheng,Rong-Yang Lai. Владелец: Chunghwa Precision Test Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Probe card assemblies and probe pins including carbon nanotubes

Номер патента: EP2649463A1. Автор: Alexander Brandorff. Владелец: Wentworth Laboratories Inc. Дата публикации: 2013-10-16.

Probe card

Номер патента: US20110163774A1. Автор: Toshifumi Minami,Hiroki Murotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-07.

Probe Card Assemblies And Probe Pins Including Carbon Nanotubes

Номер патента: US20140028342A1. Автор: Alexander Brandorff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-30.

Contactless wafer level burn-in

Номер патента: WO2006069309A2. Автор: Jian Chen. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2006-06-29.

Contactless wafer level burn-in

Номер патента: WO2006069309A3. Автор: Jian Chen. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-28.

Contactless wafer level burn-in

Номер патента: EP1828791A2. Автор: Jian Chen. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-09-05.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Methods, apparatus and systems for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices

Номер патента: US20050156618A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Probe systems, storage media, and methods for wafer-level testing over extended temperature ranges

Номер патента: EP3436833A1. Автор: Timothy Allen McMullen,Jeffery Allan Shepler,Clint VANDER GIESSEN. Владелец: FormFactor Beaverton Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Probe systems, storage media, and methods for wafer-level testing over extended temperature ranges

Номер патента: US20170285083A1. Автор: Timothy Allen McMullen,Jeffery Allan Shepler,Clint VANDER GIESSEN. Владелец: CASCADE MICROTECH INC. Дата публикации: 2017-10-05.

A method of wafer level burn-in

Номер патента: EP0841568A2. Автор: John J. Budnaitis,Jimmy Leong. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 1998-05-13.

Probe apparatus applicable to a wafer level burn-in screening

Номер патента: KR20020096874A. Автор: 이시자카마사아키,나카무라유미오. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2002-12-31.

Semiconductor component burn-in test module and burn-in test equipment

Номер патента: US11500012B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hung Tsai,Kuo-Jung Wu,Hsing-Yueh LIANG,Po-Wei LIAO. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

Probe apparatus applicable to a wafer level burn-in screening

Номер патента: TW555987B. Автор: Masaaki Ishizaka,Yumio Nakamura. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Semiconductor component burn-in test module and burn-in test equipment

Номер патента: US20220043052A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hung Tsai,Kuo-Jung Wu,Hsing-Yueh LIANG,Po-Wei LIAO. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Probe card structure

Номер патента: US20230025864A1. Автор: Choon Leong Lou. Владелец: Tecat Technologies Suzhou Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Probe card structure

Номер патента: US11879913B2. Автор: Choon Leong Lou. Владелец: Xinzhuo Technology Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Probe card testing device and testing device

Номер патента: US20200088764A1. Автор: Kai-Chieh Hsieh,Wen-Tsung Lee. Владелец: Chunghwa Precision Test Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Apparatus for the automated assembly of a probe head

Номер патента: US12000879B2. Автор: David Heriban,Jean-Christophe Villain,Roberto Subranni,Jocelyn Perreau,Florent Perrocheau,Anne Delettre. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2024-06-04.

Apparatus and method for the automated assembly of a probe head

Номер патента: WO2019162194A1. Автор: David Heriban,Jean-Christophe Villain,Roberto Subranni,Jocelyn Perreau,Florent Perrocheau,Anne Delettre. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2019-08-29.

Probe card

Номер патента: US20240280610A1. Автор: Yuji Kawasaki,Tatsunori Shimizu,Tsutomu Shoji,Tomohiro Kinoshita. Владелец: Japan Electronic Materials Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and apparatus for providing active compliance in a probe card assembly

Номер патента: WO2008057897A2. Автор: Keith J. Breinlinger. Владелец: FORMFACTOR, INC.. Дата публикации: 2008-05-15.

Method and apparatus for providing active compliance in a probe card assembly

Номер патента: EP2080030A2. Автор: Keith J. Breinlinger. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2009-07-22.

Low-current probe card

Номер патента: US20030071644A1. Автор: Randy Schwindt. Владелец: CASCADE MICROTECH INC. Дата публикации: 2003-04-17.

False detection method for loading probe card

Номер патента: US20200088788A1. Автор: Chia-Wei Wang,Wei-Jr YANG,Chien-Fang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Probe card

Номер патента: US20240264038A1. Автор: Sung Wook Cho,Yeon Su YEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Prober and probe card cleaning method

Номер патента: US20210063443A1. Автор: Jun Fujihara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Probe card analysis system and method

Номер патента: US7782071B2. Автор: Eric Endres. Владелец: Rudolph Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Apparatus and method for limiting over travel in a probe card assembly

Номер патента: WO2004059331A2. Автор: Benjamin N. Eldridge,Ravindra V. Shenoy,Carl V. Reynolds,Timothy E. Cooper. Владелец: FORMFACTOR, INC.. Дата публикации: 2004-07-15.

Head socket for contacting probe card and wafer test apparatus

Номер патента: WO2009017314A3. Автор: Sung-Chul Kim,Chang-Hak Lee. Владелец: Chang-Hak Lee. Дата публикации: 2009-04-02.

Head socket for contacting probe card and wafer test apparatus

Номер патента: WO2009017314A2. Автор: Sung-Chul Kim,Chang-Hak Lee. Владелец: Chang-Hak Lee. Дата публикации: 2009-02-05.

Probe apparatus having burn-in test function

Номер патента: US5568054A. Автор: Shinji Iino,Itaru Iida. Владелец: Tokyo Electron Yamanashi Ltd. Дата публикации: 1996-10-22.

Wafer level burn-in and electrical test system and method

Номер патента: US20020048826A1. Автор: Donald Richmond,John Hoang,Jerzy Lobacz. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2002-04-25.

Testing system for evaluating integrated circuits, a burn-in testing system, and a method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20010039065A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Burn-in station for performing burn-in testing of electronic devices

Номер патента: EP4286862A1. Автор: Giuseppe Amelio. Владелец: Microtest SpA. Дата публикации: 2023-12-06.

Automated loading/unloading of devices for burn-in testing

Номер патента: US20080169832A1. Автор: Wan Yen TEOH,Paiboon SUBPANYADEE,Kurt Joseph PEREZ,Chai Soon TEO,Swee Hin ONG. Владелец: ONG Swee HIN. Дата публикации: 2008-07-17.

Automated loading/unloading of devices for burn-in testing

Номер патента: US20070159198A1. Автор: Wan Yen TEOH,Paiboon SUBPANYADEE,Kurt Joseph PEREZ,Chai Soon TEO,Swee Hin ONG. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-07-12.

Wafer-level burn-in and test cartridge and methods

Номер патента: EP1218765A2. Автор: John William Andberg,Frank Otto Uher,Mark Charles Carbone,Donald Paul Ii Richmond. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2002-07-03.

Probe head and probe card having same

Номер патента: US11852656B2. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Probe head for a testing apparatus of electronic devices

Номер патента: WO2024132276A1. Автор: Stefano Felici,Fabio MORGANA. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2024-06-27.

Probe card

Номер патента: US20230160926A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Probe card apparatus having a heating element and process for using the same

Номер патента: US5124639A. Автор: Scott J. Carlin,Samuel Roberts, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-06-23.

Guide plate for probe card and manufacturing method thereof, and probe card having same

Номер патента: US20200132756A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Adaptive thermal actuator array for wafer-level applications

Номер патента: US20180067160A1. Автор: Eric J.M. Moret. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Adaptive thermal actuator array for wafer-level applications

Номер патента: US20180067160A1. Автор: Eric J.M. Moret. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Method and apparatus for wafer-level burn-in and testing of integrated circuits

Номер патента: US20010033183A1. Автор: David Thompson,Andreas Fenner. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2001-10-25.

Semiconductor integrated circuit device having wafer level burn-in circuit and function judgment method for wafer level burn-in circuit

Номер патента: JP4306916B2. Автор: 隆辰巳. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

Method and apparatus for wafer-level burn-in

Номер патента: US6627917B1. Автор: Lary R. Larson,Paul F. Gerrish,Andreas A. Fenner,Daniel E. Fulton,James W. Bell,James Thomas May. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2003-09-30.

Wafer level burn-in method and wafer level burn-in system

Номер патента: EP1921671A1. Автор: Terutsugu c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd SEGAWA,Minoru c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd SANADA. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-14.

Wafer level burn-in method and wafer level burn-in apparatus

Номер патента: TW200723428A. Автор: Terutsugu Segawa,Minoru Sanada. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-16.

Method, circuit and system for determining burn-in reliability from wafer level burn-in

Номер патента: US20050174138A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US12078672B2. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Wafer level burn-in system

Номер патента: EP3607334B1. Автор: Michael S. Walker,Robert W. Storey,William Robert Caldwell,Clint D. Wilson,Glenn Lee Prince,Stephen Kyle Collins,Kerry F. Cage,Landon Reid Elfenbein,Andrew Joseph Koenig. Владелец: Delta V Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Wafer level burn-in system

Номер патента: EP3607334A4. Автор: Michael S. Walker,Robert W. Storey,William Robert Caldwell,Clint D. Wilson,Glenn Lee Prince,Stephen Kyle Collins,Kerry F. Cage,Landon Reid Elfenbein,Andrew Joseph Koenig. Владелец: Delta V Instruments Inc. Дата публикации: 2020-09-16.

Hybrid IC with circuit for burn-in test

Номер патента: US6157202A. Автор: Toshiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Burn-in test method for a semiconductor chip and burn-in test apparatus therefor

Номер патента: US20020050813A1. Автор: Shigehisa Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Sequential Burn-In Test Mechanism

Номер патента: US20140062515A1. Автор: Victor Zia,Arman Vassighi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Wafer Level Burn-In System

Номер патента: US20180328978A1. Автор: Storey Robert W.,Caldwell William Robert,Wilson Clint D.,Prince Glenn Lee,Collins Stephen Kyle,Walker Michael S.,Cage Kerry F.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Fixture for burn-in testing of semiconductor wafers

Номер патента: US5461328A. Автор: Brian Higgins,Kevin M. Devereaux,Mark Bunn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-10-24.

Wafer level burn-in using light as the stimulating signal

Номер патента: US6885203B1. Автор: Meral Bradley Woodberry. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-04-26.

Wafer burn-in test circuit for a semiconductor memory device

Номер патента: US5986917A. Автор: Yun-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-16.

Methods of conducting wafer level burn-in of electronic devices

Номер патента: CA2457680A1. Автор: Michael J. Haji-Sheikh,James K. Guenter,James R. Biard,Robert M. Hawkins,Simon Rabinovich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Burn-in testing apparatus

Номер патента: US20120326740A1. Автор: Li-Hsun Chen,Chi-Ren Chen,Chiang-Cheng FAN. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Burn-in testing apparatus

Номер патента: US8779788B2. Автор: Li-Hsun Chen,Chi-Ren Chen,Chiang-Cheng FAN. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Wafer-level burn-in

Номер патента: AU6346800A. Автор: Sammy K. Brown,Andrew K. Wiggin,George E. Avery,Martin P. Goetz,Allan Calamoneri,John Zsaio. Владелец: Alpine Microsystems Inc. Дата публикации: 2001-02-05.

Semiconductor device and burn-in test method thereof

Номер патента: US20210123972A1. Автор: Koji Suzuki,Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

High-pressure burn-in test apparatus

Номер патента: US20210356506A1. Автор: Yi-Ming Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-18.

High-pressure burn-in test apparatus

Номер патента: US11385275B2. Автор: Yi-Ming Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-12.

Wafer burn-in test circuit and semiconductor memory including the same

Номер патента: US20180120374A1. Автор: Young Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Burn-in testing of circuits

Номер патента: US20180335471A1. Автор: Human Boluki,Rex Kho,Markus Schuemmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-22.

TEST PROBE FOR WAFER-LEVEL AND PANEL-LEVEL TESTING

Номер патента: US20200233033A1. Автор: Kim Hyoung Il. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Vertical probe card

Номер патента: US20190250190A1. Автор: Kai Liu,Yuanjun Shi. Владелец: Twinsolution Technology (suzhou) Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Reusable carrier for burn-in / testing of unpackaged dies

Номер патента: KR950006474A. Автор: 신수림 사무엘,킁 탄 시우. Владелец: 선라이트 피티이. 리미티드. Дата публикации: 1995-03-21.

Universal wafer carrier for wafer level die burn-in

Номер патента: US5905382A. Автор: Alan G. Wood,Tim J. Corbett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-05-18.

Test socket and test board for wafer level semiconductor testing

Номер патента: US20090079461A1. Автор: Ming-Hsun Sung,Shih-Ming Chen,Sheng-Feng Lu,Chien-Pang Lin. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-26.

Connections between circuit chips and a temporary carrier for use in burn-in tests

Номер патента: US5237269A. Автор: Bruno R. Aimi,Ralph F. Antonucci,Ferdinand D. Dimaria,Hamid R. Torabi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Burn-in test socket apparatus

Номер патента: US5865639A. Автор: Masahiro Fuchigami,Salvatore P. Rizzo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-02-02.

Planarizing probe card

Номер патента: WO2009075681A1. Автор: Raffi Garabedian,Ken Karklin. Владелец: TOUCHDOWN TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2009-06-18.

Fine pitch interface for probe card

Номер патента: US20140091825A1. Автор: Ka Ng Chui. Владелец: Corad Tech Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Probe card for a testing apparatus of electronic devices

Номер патента: WO2024132831A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2024-06-27.

Probe cards, dut side modules of the probe cards, testing methods and systems that include the probe cards, tested devices and methods of producing tested devices by utilizing the probe cards

Номер патента: US20240241155A1. Автор: Che-Wei Lin,Sheng-Wei Lin,Chin-Yi Lin,Hsueh-Chih Wu,Shu-Jui Chang,Tsung-Yi Chen,Shang-Jung Hsieh,Sheng-Yu Lin,Chien-Kai Hung. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Probe head and probe card comprising same

Номер патента: US20230152350A1. Автор: Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN,Dong Hyeok Seo. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Probe card for a testing apparatus of electronic devices

Номер патента: SG11201909342TA. Автор: Riccardo Liberini. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2019-11-28.

Probe card for a testing apparatus of electronic devices

Номер патента: MY200160A. Автор: Riccardo Liberini. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2023-12-09.

Probe card for a testing apparatus of electronic devices

Номер патента: US20200057095A1. Автор: Riccardo Liberini. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2020-02-20.

Probe card for a testing apparatus of electronic devices

Номер патента: US20220099703A1. Автор: Riccardo Liberini. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2022-03-31.

Probe card for a testing apparatus of electronic devices

Номер патента: PH12019502351A1. Автор: Riccardo Liberini. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2020-12-07.

Probe card for a testing apparatus of electronic devices

Номер патента: EP3615949A1. Автор: Riccardo Liberini. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2020-03-04.

Method, system and probe for measuring and visualizing values of an electromagnetic parameter of a pcb

Номер патента: EP4296691A1. Автор: Gerd Bresser. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-12-27.

Probe head controlling mechanism for probe card assemblies

Номер патента: WO2010018463A2. Автор: Andrew W. Mcfarland,Brandon Liew,James M. Porter,Kevin Y. Yasumura. Владелец: Formfactor , Inc.. Дата публикации: 2010-02-18.

An amplitude-modulating probe card and its probe and amplitude-modulating structure

Номер патента: US20230384348A1. Автор: Liangyu ZHAO,Ailin WANG. Владелец: Maxone Semiconductor Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Probe head and probe card having same

Номер патента: US11860192B2. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Positioner of probe card and probe head of probe card

Номер патента: US20150377926A1. Автор: Che-Wei Lin,Tsung-Yi Chen,Shang-Jung Hsieh,Chung-Tse Lee,Chia-Yuan KUO,Tien-Chia LI,Tzu-Yang Chen. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Probe card for a testing apparatus of electronic devices

Номер патента: US11782075B2. Автор: Riccardo Liberini. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2023-10-10.

Probe head and upper guider plate

Номер патента: US20160223590A1. Автор: Yung-Hsin Chen,Chih-Hao Hsu,Sang-Yi LIN. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Vertical probe head with a probe guide comprising circuit components integrated therein

Номер патента: EP4010713A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2022-06-15.

Vertical Probe Head

Номер патента: US20220155349A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of centering probe head in mounting frame

Номер патента: US20220276281A1. Автор: Kalyanjit GHOSH,Doug Ondricek,Paul Hsiao. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Probe head with an improved contact between contact probes and metallized guide holes

Номер патента: US20240012027A1. Автор: Raffaele VALLAURI. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2024-01-11.

Method, system and probe for measuring and visualizing values of an electromagnetic parameter of a pcb

Номер патента: US20230417821A1. Автор: Gerd Bresser. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of centering probe head in mounting frame

Номер патента: US12044704B2. Автор: Kalyanjit GHOSH,Paul Hsiao,Douglas Stewart Ondricek. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Probe head with an improved contact between contact probes and metallized guide holes

Номер патента: EP4244635A1. Автор: Raffaele VALLAURI. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2023-09-20.

Probe head securing mechanism for probe assembly

Номер патента: US20190170816A1. Автор: Mohsen H. Mardi,Lik Huay Lim,King Yon Lew,Andy Widjaja. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Probe head with improved cooling system

Номер патента: WO2024133066A1. Автор: Raffaele VALLAURI. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2024-06-27.

Probe head for testing electronic devices comprising integrated optical elements

Номер патента: US20230305054A1. Автор: Riccardo Vettori,Roberto Crippa. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2023-09-28.

Probe head for testing electronic devices comprising integrated optical elements

Номер патента: EP4204827A1. Автор: Riccardo Vettori,Roberto Crippa. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2023-07-05.

Vertical probe head with a probe guide comprising circuit components integrated therein

Номер патента: WO2021023740A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2021-02-11.

Mems probe card

Номер патента: US20230324437A1. Автор: Liangyu ZHAO,Ailin WANG. Владелец: Maxone Semiconductor Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Thermal control of a probe card assembly

Номер патента: WO2017151231A1. Автор: Kevin A. Thompson,Isaac N. Silva. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2017-09-08.

Probe card cassette and probe card

Номер патента: US8040147B2. Автор: Takashi Ohtori,Shiro Nozaki,Kenichi Tsunogaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Thermal control of a probe card assembly

Номер патента: WO2017151231A9. Автор: Kevin A. Thompson,Isaac N. Silva. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2017-10-19.

Method And System For Compensating Thermally Induced Motion Of Probe Cards

Номер патента: US20060238211A1. Автор: Gary Grube,Benjamin Eldridge,Gaetan Mathieu,Makarand Shinde,Ken Matsubayashi,Richard Larder. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Probe card for device under test

Номер патента: US12044719B2. Автор: Paul Brohlin,Trevor Hubbard. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Probe card for fine pitch circuit probe testing of semiconductor integrated circuit devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240272200A1. Автор: Yuan-Li Lin,Hsiao Kang LI,I-Tee LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and System for Compensating Thermally Induced Motion of Probe Cards

Номер патента: US20080094088A1. Автор: Gary Grube,Benjamin Eldridge,Gaetan Mathieu,Makarand Shinde,Ken Matsubayashi,Richard Larder. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2008-04-24.

Probe card transporting apparatus and method

Номер патента: US20240183895A1. Автор: Ho Young Lee,Seung Chan Lee. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Probe card cassette and probe card

Номер патента: US20110006798A1. Автор: Takashi Ohtori,Shiro Nozaki,Kenichi Tsunogaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Space transformer, manufacturing method of the space transformer and probe card having the space transformer

Номер патента: WO2007094599A1. Автор: Ki-Jun Kim,Dong Yeul Choi,Young-Whee Cho. Владелец: Phicom Corporation. Дата публикации: 2007-08-23.

Probe card alignment

Номер патента: US20190018044A1. Автор: Martin Eckert,Roland Dieterle,Siegfried TOMASCHKO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Probe card alignment

Номер патента: US20190391179A1. Автор: Martin Eckert,Roland Dieterle,Siegfried TOMASCHKO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Probe card alignment

Номер патента: US20190018043A1. Автор: Martin Eckert,Roland Dieterle,Siegfried TOMASCHKO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Probe card for semiconductor wafers and method and system for testing wafers

Номер патента: US6060891A. Автор: Salman Akram,David R. Hembree,Alan G. Wood,Warren M. Farnworth,C. Patrick Doherty,Andrew J. Krivy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Test apparatus having a probe card and connector mechanism

Номер патента: WO2013006768A3. Автор: William A. Funk,Bryan J. Root,Michael Palumbo. Владелец: CELADON SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2013-03-14.

Test apparatus having a probe card and connector mechanism

Номер патента: US20140239996A1. Автор: William A. Funk,Bryan J. Root,John L. Dunklee,Michael Palumbo. Владелец: Celadon Systems Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

A wedge amplitude-modulation probe card and a main body thereof

Номер патента: US20240053384A1. Автор: Ming Zhou,Haichao Yu. Владелец: Maxone Semiconductor Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Probe card device used in probing apparatus

Номер патента: US5825192A. Автор: Junichi Hagihara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1998-10-20.

Test apparatus having a probe card and connector mechanism

Номер патента: US20140210501A1. Автор: William A. Funk,Bryan J. Root,John L. Dunklee. Владелец: Celadon Systems Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Probe card assembly

Номер патента: US20170356933A1. Автор: David L. Gardell,David M. Audette,Dustin FREGEAU,Grant W. WAGNER,Peter W. NEFF,Frederick H. Roy, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Probe card assembly

Номер патента: US20160077129A1. Автор: David L. Gardell,David M. Audette,Dustin FREGEAU,Grant W. WAGNER,Peter W. NEFF,Frederick H. Roy, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Probe card pad geometry in automated test equipment

Номер патента: WO2021133557A1. Автор: Brian Brecht,Steve Ledford. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2021-07-01.

Probe card inspection apparatus

Номер патента: US20150168528A1. Автор: Jung-Woo Kim,Shin-Ho Kang,Joon-Su Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-18.

Probe card with segmented substrate

Номер патента: WO2006060467A3. Автор: Scott R Williams. Владелец: K & S Interconnect Inc. Дата публикации: 2006-07-20.

Probe card for device under test

Номер патента: US20230251298A1. Автор: Paul Brohlin,Trevor Hubbard. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Probe card

Номер патента: US20050007134A1. Автор: Yoshinori Deguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Probe card pad geometry in automated test equipment

Номер патента: US20210190826A1. Автор: Brian Brecht,Steve Ledford. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Probe card with angled probe and wafer testing method using the same

Номер патента: US11994555B2. Автор: Yuan-Chun Wu,Chang-Chun XU,Ni SHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Probe card device and testing equipment thereof

Номер патента: US11761984B2. Автор: Choon Leong Lou. Владелец: Tecat Technologies Suzhou Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and apparatus for wafer-level testing of semiconductor lasers

Номер патента: US20020109520A1. Автор: David Heald,Legardo REYES. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Fixture for burn-in testing of semiconductor wafers, and a semiconductor wafer

Номер патента: US5424651A. Автор: Robert S. Green,Larren G. Weber. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-06-13.

Display panel and burn-in test method of the display panel

Номер патента: US20240168081A1. Автор: Jida HOU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Contactless wafer level burn-in

Номер патента: TW200632349A. Автор: Jian Chen. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

Contactless wafer level burn-in

Номер патента: TWI280390B. Автор: Jian Chen. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Probe systems, storage media, and methods for wafer-level testing over extended temperature ranges

Номер патента: EP3436833A4. Автор: Timothy Allen McMullen,Jeffery Allan Shepler,Clint VANDER GIESSEN. Владелец: FormFactor Beaverton Inc. Дата публикации: 2020-01-08.

SEMICONDUCTOR COMPONENT BURN-IN TEST MODULE AND BURN-IN TEST EQUIPMENT

Номер патента: US20220043052A1. Автор: Tsai Chia-Hung,Wu Kuo-Jung,Wang Yi-Ting,LIANG Hsing-Yueh,LIAO Po-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

HEAT SPREADERS FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICE TESTING, SUCH AS BURN-IN TESTING

Номер патента: US20210055343A1. Автор: Chun Hyunsuk,Qu Xiaopeng,Griffin Amy R.. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

HEAT SPREADERS FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICE TESTING, SUCH AS BURN-IN TESTING

Номер патента: US20220291280A1. Автор: Qu Xiaopeng,Griffin Amy R.,Orme Wesley J.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Board for burn-in test apparatus and fabrication method thereof, method for testing semiconductor chip by using it

Номер патента: KR100446429B1. Автор: 박계찬. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-08-30.

SYSTEM AND METHOD OF AUTOMATED BURN-IN TESTING ON INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200379033A1. Автор: Chang Sunny Lai-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Printed circuit board for performing burn-in test of semiconductor memory device

Номер патента: KR100505613B1. Автор: 조성범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-26.

Burn-in test apparatus

Номер патента: KR102152914B1. Автор: 문장식. Владелец: 주식회사 유니테스트. Дата публикации: 2020-09-07.

Burn-in test apparatus for the transmission of high speed signal and burn-in board therefor and method for the transmission of high speed signal

Номер патента: KR101161811B1. Автор: 유권종,이용근,이강수,박병옥. Владелец: (주)아테코. Дата публикации: 2012-07-03.

A system for burn-in testing of electronic devices

Номер патента: EP1540360A1. Автор: David Hendrickson,Jovan Jovanovic,Bradley R. Gunn,Alberto J. Calderon. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2005-06-15.

System and method of automated burn-in testing on integrated circuit devices

Номер патента: TWI791571B. Автор: 黎明張. Владелец: 加拿大商皇虎科技(加拿大)有限公司. Дата публикации: 2023-02-11.

System for burn-in testing of electronic devices

Номер патента: CN100395556C. Автор: D·亨德里克森,B·R·冈恩,A·J·卡尔德龙,J·约万诺维奇. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2008-06-18.

System for burn-in testing of electronic devices

Номер патента: US6815966B1. Автор: Jovan Jovanovic,Bradley R. Gunn,Alberto J. Calderon,David S. Hendrickson. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Probe card and test apparatus having the probe card

Номер патента: US20210208183A1. Автор: Kyu Joong AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Probe card and test apparatus having the probe card

Номер патента: US11193954B2. Автор: Kyu Joong AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for burn-in test and measurement program for burn-in test

Номер патента: TWI278630B. Автор: Suguru Sasaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-04-11.

Burn-in test device and test method using interposer

Номер патента: US20190170814A1. Автор: Joosung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

BURN-IN TEST SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20160334462A1. Автор: KIM Dae Kyoung,JUNG Woo Sik. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Tray Transfer for Burn-in Test Sorting Handler

Номер патента: KR100792728B1. Автор: 김종태. Владелец: 미래산업 주식회사. Дата публикации: 2008-01-11.

Probe unit with burn in test

Номер патента: KR940006238A. Автор: 신지 이이노,이타루 이이다. Владелец: 도오교오 에레구토론 야마나시 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-03-23.

A burn-in test system with protection function of control apparatus

Номер патента: KR20220102406A. Автор: 박병옥. Владелец: 박병옥. Дата публикации: 2022-07-20.

Burn-in test method and burn-in measurement program used therefor

Номер патента: JP4464237B2. Автор: 卓佐々木. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-19.

Automated loading/unloading of devices for burn-in testing

Номер патента: US20090261854A1. Автор: Wan Yen TEOH,Paiboon SUBPANYADEE,Kurt Joseph PEREZ,Chai Soon TEO,Swee Hin ONG. Владелец: ONG Swee HIN. Дата публикации: 2009-10-22.

Method and system for wafer-level testing

Номер патента: US12025655B2. Автор: Jun He,Yu-Ting Lin,Yung-Liang Kuo,Wei-Hsun LIN,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and system for wafer-level testing

Номер патента: US20240310434A1. Автор: Jun He,Yu-Ting Lin,Yung-Liang Kuo,Wei-Hsun LIN,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor test system and associated methods for wafer level acceptance testing

Номер патента: WO2002082532A3. Автор: Robert M Fox,Ravi Chawla,William R Eisenstadt,Don F Hemmenway,Jeffrey M Johnston,Chris A Mccarty. Владелец: Univ Florida. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor test system and associated methods for wafer level acceptance testing

Номер патента: WO2002082532A2. Автор: Jeffrey M. Johnston,Robert M. Fox,Ravi Chawla,William R. Eisenstadt,Chris A. McCarty,Don F. Hemmenway. Владелец: University Of Florida. Дата публикации: 2002-10-17.

Method and device for wafer-level testing

Номер патента: US11754621B2. Автор: Jun He,Yu-Ting Lin,Yung-Liang Kuo,Wei-Hsun LIN,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method and device for wafer-level testing

Номер патента: US12066484B2. Автор: Jun He,Yu-Ting Lin,Yung-Liang Kuo,Wei-Hsun LIN,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Structures for wafer level test and burn-in

Номер патента: SG97819A1. Автор: E Barth John,Louis Bertin Claude,H Dreibelbis Jeffrey,F Ellis Wayne,John Howell Wayne,L Hedberg Erik,L Kalter Howard,R Tonti William,L Wheater Donald. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-08-20.

Structures for wafer level test and burn-in.

Номер патента: MY123248A. Автор: Jeffrey H Dreibelbis,Erik L Hedberg,Wayne F Ellis,Howard Leo Kalter,Claude L Bertin,William R Tonti,John E Barth Jr,Donald L Wheater,Wayne J Howell. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-05-31.

Method and device for wafer-level testing

Номер патента: US20230366925A1. Автор: Jun He,Yu-Ting Lin,Yung-Liang Kuo,Wei-Hsun LIN,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method and device for wafer-level testing

Номер патента: US20210199710A1. Автор: Jun He,Yu-Ting Lin,Yung-Liang Kuo,Wei-Hsun LIN,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor test system and associated methods for wafer level acceptance testing

Номер патента: TW591730B. Автор: Robert M Fox,Ravi Chawla,William R Eisenstadt,Don F Hemmenway,Jeffrey M Johnston. Владелец: Univ Florida. Дата публикации: 2004-06-11.

METHOD AND SYSTEM FOR WAFER-LEVEL TESTING

Номер патента: US20200064396A1. Автор: Lin Yu-Ting,He Jun,LIN Wei-Hsun,KUO YUNG-LIANG,LU YINLUNG. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

METHOD AND DEVICE FOR WAFER-LEVEL TESTING

Номер патента: US20210199710A1. Автор: Lin Yu-Ting,He Jun,LIN Wei-Hsun,KUO YUNG-LIANG,LU YINLUNG. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

METHOD AND SYSTEM FOR WAFER-LEVEL TESTING

Номер патента: US20210311110A1. Автор: Lin Yu-Ting,He Jun,LIN Wei-Hsun,KUO YUNG-LIANG,LU YINLUNG. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

Apparatus and method for wafer level classification of light emitting device

Номер патента: US8476918B2. Автор: Hsin-Chieh Huang. Владелец: Chip Star Ltd. Дата публикации: 2013-07-02.

Test structure and method for performing burn-in testing of a semiconductor product wafer

Номер патента: US5707881A. Автор: Thomas Francis Lum. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-01-13.

Test board for burn-in test and PC base test

Номер патента: KR100408984B1. Автор: 이국상,맹주석. Владелец: 맹주석. Дата публикации: 2003-12-06.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US20210055342A1. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US11372043B2. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-28.

Monitoring burn-in test apparatus and method and heating test apparatus and method of controlling temperature therefor

Номер патента: TW200846683A. Автор: Hiroshi Teshigawara,Yoshihiro Maesaki,Yukihiko Kodaira,Naoe Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-01.

Semiconductor integrated circuit which can be burn-in-tested even when packaged and method of burn-in-testing semiconductor integrated circuit even when the semiconductor integrated circuit is packaged

Номер патента: TW200706893A. Автор: Kye-Hyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-16.

Burn-in-test device

Номер патента: TW440853B. Автор: Frank Weber,Jens Lüpke,Joseph Sillup. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-06-16.

Sequential Burn-In Test Mechanism

Номер патента: US20140062515A1. Автор: Vassighi Arman,Zia Victor. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Wafer burn-in test circuit and semiconductor memory including the same

Номер патента: US20180120374A1. Автор: Young Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

WAFER BURN-IN TEST CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190293712A1. Автор: Choi Young Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

BURN-IN TESTING OF CIRCUITS

Номер патента: US20180335471A1. Автор: Kho Rex,Schuemmer Markus,Boluki Human. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

BURN-IN TESTING OF INDIVIDUALLY PERSONALIZED SEMICONDUCTOR DEVICE CONFIGURATION

Номер патента: US20170370988A1. Автор: Motika Franco,You Soungbum. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Wafer burn-in testing circuit of semiconductor memory device

Номер патента: KR0119887B1. Автор: 이재형,석용식. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-10-30.

device for adjusting distance of picker in burn-in test handler

Номер патента: KR100291587B1. Автор: 정기현,정백운. Владелец: 미래산업주식회사. Дата публикации: 2001-05-15.

Method and device for automatic kill head sorting in burn-in test

Номер патента: KR100524898B1. Автор: 조진원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-27.

Wafer Burn-in Test Circuit of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR960002369A. Автор: 이재형,석용식. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-01-26.

burn-in test device having air volume guide

Номер патента: KR102168284B1. Автор: 유영돈. Владелец: 주식회사 두오텍. Дата публикации: 2020-10-21.

Integrated circuit capable of performing package burn-in test and method thereof

Номер патента: KR100674988B1. Автор: 경계현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

Wafer burn-in test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: KR100228530B1. Автор: 이윤상. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-01.

Integrated circuit burn-in test system and associated methods

Номер патента: US20030214316A1. Автор: Riccardo Maggi,Massimo Scipioni. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-11-20.

System and method for burn-in test control

Номер патента: US7103495B2. Автор: Naoki Kiryu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-05.

Semiconductor chip burn-in test device possible approval of high speed frequency

Номер патента: KR100771560B1. Автор: 양재영. Владелец: 주식회사 두성기술. Дата публикации: 2007-10-30.

Method for performing a high-temperature burn-in test on integrated circuits

Номер патента: US6181143B1. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Heat pipe with chilled liquid condenser system for burn-in testing

Номер патента: US7129731B2. Автор: Donald M. Ernst,John Gilbert Thayer. Владелец: Thermal Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Burn-in test circuit

Номер патента: KR100386615B1. Автор: 김택승. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-02.

Wafer burn-in test circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: CN1053757C. Автор: 昔容轼,李在蓥. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-21.

Wafer burn-in test circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: TW263562B. Автор: Seok Yong-Sik,Lee Jae-Hyeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-11-21.

Sliding door for opening burn-in test device and opening / closing control system

Номер патента: KR101754054B1. Автор: 유영돈. Владелец: 주식회사 두오텍. Дата публикации: 2017-07-05.

Semiconductor integrated circuit with voltage down converter adaptable for burn-in testing

Номер патента: US20030020095A1. Автор: Fukashi Morishita,Akira Yamazaki,Yasuhiko Taito,Nobuyuki Fujii,Mihoko Akiyama,Mako Okamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Increasing thermal isolation of a probe card assembly

Номер патента: US20090230981A1. Автор: Kevin Y. Yasumura,Timothy Blomgren,Jacob C. Chang,Michael W. Huebner. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Probe card for a testing apparatus of electronic devices with improved thermal management

Номер патента: WO2024132800A1. Автор: Stefano Felici,Flavio Maggioni. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2024-06-27.

Probe Head

Номер патента: US20240125816A1. Автор: Michael Engels,Richard Booman,Michael J Mende,Iris Zimmermann,Kai Klein,Michael D Stevens,Mark Heimann,Peter Hildenhagen,Benno Jacobs,Frank Pannes,Thomas Podrebersek,Philipp Palffy-Daun-Seiler,Jurij Weber,Nadja Laeaeperi,Nicolas Frabasile,Juergen Trueller,Michael Eube,Matthew M Mende. Владелец: Pmk Mess und Kommunikationstechnik GmbH. Дата публикации: 2024-04-18.

Monitored burn-in test system and monitored burn-in test method of microcomputers

Номер патента: EP1136832A2. Автор: Kazuyoshi Ajiro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-26.

Probe card capable of transmitting high-frequency signals

Номер патента: US20170059613A1. Автор: Wei-Cheng Ku,Jun-Liang Lai. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated light conditioning devices on a probe card for testing imaging devices, and methods of fabricating same

Номер патента: US7868630B2. Автор: John Caldwell,Randy Cleverly. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-11.

Testing apparatus for wafer level IC testing

Номер патента: CN105358991A. Автор: 约翰·德博什,达恩·坎皮恩,迈克尔·安德烈斯,史蒂夫·罗特,杰弗里·谢里,布莱恩·霍尔沃森,布莱恩·叶舒特. Владелец: Johnstech International Corp. Дата публикации: 2016-02-24.

Testing apparatus for wafer level ic testing

Номер патента: PH12016500056A1. Автор: DeBauche John,Campion Dan,Andres Michael,Rott Steve,Sherry Jeffrey,Halvorson Brian,Eshult Brian. Владелец: Johnstech Int Corp. Дата публикации: 2016-03-28.

MVP Probe Card Board Manufacturing Method For Wafer Level Test

Номер патента: KR101139921B1. Автор: 이동욱. Владелец: 주식회사 브리지. Дата публикации: 2012-04-30.

Method for testing using a universal wafer carrier for wafer level die burn-in

Номер патента: US7167014B2. Автор: Alan G. Wood,Tim J. Corbett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-23.

Universal wafer carrier for wafer level die burn-in

Номер патента: US20030206030A1. Автор: Alan Wood,Tim Corbett. Владелец: Corbett Tim J.. Дата публикации: 2003-11-06.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: TWI351768B. Автор: Gordon B Kuenster,Christopher A Lopez,Brian J Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2011-11-01.

Burn-in test jig

Номер патента: KR940010258A. Автор: 가즈오 이노우에,히사시 오구모. Владелец: 니혼 고오세이 고무 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-05-24.

Burn-in socket and burn-in test method using it

Номер патента: KR940027116A. Автор: 박재명,김구성. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-12-10.

Burn-in testing device

Номер патента: EP0905521A2. Автор: Ryu Maeda. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 1999-03-31.

A kind of electrolytic capacitor burn-in test special fixture

Номер патента: CN109444483A. Автор: 李英华. Владелец: Shenzhen Hongming Automation Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: TW200605368A. Автор: Gordon B Kuenster,Christopher A Lopez,Brian J Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2006-02-01.

Probe card structure

Номер патента: US20160305982A1. Автор: Chien-Yao Hung. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Apparatus and method for managing thermally induced motion of a probe card assembly

Номер патента: EP1877807A2. Автор: Gary W. Grube,Benjamin N. Eldridge,Gaetan L. Mathieu,A. Nicholas Sporck,Eric D. Hobbs,Makarand S. Shinde,Thomas N. Watson,Alexander N. Slocum. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2008-01-16.

Opto-electrical probe card platform for wafer-level testing of optical mems structures

Номер патента: US20230393173A1. Автор: Bassem Mortada,Yasser M. Sabry,Diaa Khalil,Bassam Saadany,Ahmed SHEBL,Momen Anwar,Tarek Mohamed Zeinah,Mohamed RAMADAN,Mohamed Hamouda,Ahmed Emad,Mohamed Badr,Moez ElMassry. Владелец: SI Ware Systems Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Probe card and signal path switching module assembly

Номер патента: US20190120877A1. Автор: Hao Wei,Chia-Nan Chou,Yu-Hao Chen,Chien-Chiao CHEN,Chia-An YU. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Probe head with air cooling system

Номер патента: WO2024132749A1. Автор: Raffaele VALLAURI. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and System for Wafer Level Testing of Semiconductor Chips

Номер патента: US20120013359A1. Автор: Zhaojun SHAO. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-01-19.

Pulley on-chip wafer level burn-in test circuit and its method

Номер патента: KR100278926B1. Автор: 김영희,남영준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

Fullion chip wafer level burn-in test circuit and method

Номер патента: JP3774081B2. Автор: 英俊南,榮煕金. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-10.

Wafer-level burn-in and test

Номер патента: WO1997043656A3. Автор: Igor Y Khandros,David V Pedersen. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 1998-03-12.

Apparatus to prevent damage to probe card

Номер патента: US20030122564A1. Автор: Phillip Byrd. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Method to prevent damage to probe card

Номер патента: US20060114011A1. Автор: Phillip Byrd. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Switching power supply burn in test circuit

Номер патента: US20180196109A1. Автор: Gang Zheng,Shu Zou. Владелец: Dongguan Guanjia Electronic Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Probe card transfer assist apparatus and inspection equipment using same

Номер патента: US20070126441A1. Автор: Munetoshi Nagasaka,Chiaki Mochizuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Guide plate for a probe card and probe card provided with same

Номер патента: US20170082657A1. Автор: Teppei KIMURA,Liwen FAN. Владелец: Japan Electronic Materials Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Verticle probe card for attachment within a central corridor of a magnetic field generator

Номер патента: US6556031B2. Автор: James M. Forbis,Dennis J. Cahalan. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Probe card transporting apparatus and to-be-connected body moving mechanism

Номер патента: US20040164756A1. Автор: Masaru Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-08-26.

A probe card for testing power devices under high temperature and high voltage

Номер патента: US20230258690A1. Автор: Ming Zhou,Xinggang WANG,Liangyu ZHAO,Ailin WANG. Владелец: Maxone Semiconductor Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Integrated Optical/Electrical Probe Card for Testing Optical, Electrical, and Optoelectronic Devices in a Semiconductor Die

Номер патента: US20210080295A1. Автор: Yasir Qamar,Edward Preisier. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Probe card having separated upper and lower probe needle groups

Номер патента: US5926028A. Автор: Jun Mochizuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1999-07-20.

Probe card, method of manufacturing the probe card and alignment method

Номер патента: US20060132155A1. Автор: Kenji Yamada,Yoshirou Nakata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Probe card and measuring method for semiconductor wafers

Номер патента: US20070241765A1. Автор: Yosuke Kawamata. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Probe-card multilayer wiring substrate and probe card

Номер патента: US20230408547A1. Автор: Satoshi Abe,Tetsuo Fujimoto,Yusuke Harada,Shinya Hori. Владелец: Japan Electronic Materials Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Probe card management system and probe card management method

Номер патента: US20200191830A1. Автор: Shinjiro Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Probe card

Номер патента: US20240044942A1. Автор: Hiroshi Yamanaka,Yuuki Nakamura,Masatoshi HASAKA. Владелец: Japan Electronic Materials Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Probe head and vertical probe card comprising the same

Номер патента: US20230393172A1. Автор: Tien-Chia Lee,Chia-Hsiang Yu,Wen-Tsung Sung. Владелец: Silicon Future Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Probe head for high frequency signal test and medium or low frequency signal test at the same time

Номер патента: US20210048452A1. Автор: Ching-Fang Yu,Chin-Tien Yang,Shang-Jung Hsieh,Hui-Pin Yang,Yu-Wen Chou,Huo-Kang HSU. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Probe card

Номер патента: US12092660B2. Автор: Masahiro Takahashi,Shuji Takahashi,Satoshi Shoji,Kazuya Soma,Naruhiko Nishiwaki. Владелец: NHK Spring Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Vertical probe card and air cooled probe head system

Номер патента: MY140511A. Автор: Michael L Anderson,Michael A Casolo,Edward A Mccloud,Mostarshed Shahriar. Владелец: QualiTau Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Vertical probe card and air cooled probe head system

Номер патента: EP1917534A2. Автор: Shahriar Mostarshed,Michael L. Anderson,Edward A. Mccloud,Michael A. Casolo. Владелец: QualiTau Inc. Дата публикации: 2008-05-07.

Probe head, probe coupler and probe arrangement

Номер патента: US20210148955A1. Автор: Andreas Ziegler,Martin Peschke,Roland Krimmer,Dirk Gehrke,Reiner Franke. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-05-20.

Probe card

Номер патента: US20230107255A1. Автор: Masahiro Takahashi,Shuji Takahashi,Satoshi Shoji,Kazuya Soma,Naruhiko Nishiwaki. Владелец: NHK Spring Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Replaceable probe head having an operational amplifier

Номер патента: WO2013032986A2. Автор: Christopher J. Palassis,Christopher M. SCHUYLER. Владелец: YSI INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-07.

Replaceable probe head having an operational amplifier

Номер патента: EP2751528A2. Автор: Christopher J. Palassis,Christopher M. SCHUYLER. Владелец: YSI Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Probe head and method of producing tested semiconductor die and vertical probe manufacturing method

Номер патента: US20240175900A1. Автор: Chin-Yi Lin,Chao-Shun Wang,Tzu-Yang Chen,Tzu-Hao Chien,Li-Ming Fan. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Probe head with linear probe

Номер патента: US11143674B2. Автор: Tzu Yang CHEN,Chia Ju Wei. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Vertical probe head having an improved contact with a device under test

Номер патента: EP3903111A1. Автор: Stefano Felici. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2021-11-03.

Vertical probe head having an improved contact with a device under test

Номер патента: WO2020136045A1. Автор: Stefano Felici. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2020-07-02.

Probe card device and probe head

Номер патента: US20190302147A1. Автор: Wei-Jhih Su,Chih-Peng HSIEH. Владелец: Chunghwa Precision Test Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Cantilever type probe head

Номер патента: US20100259290A1. Автор: Shih-Ming Liu. Владелец: Allstron Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Probe head and probe assembly

Номер патента: US20240036073A1. Автор: Zhou Yi Lin. Владелец: Azoth Studio Ltd Co. Дата публикации: 2024-02-01.

A probe head holder

Номер патента: EP1327889A3. Автор: Mark W. Nightingale,Marc W. Gessford. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 2004-03-10.

Vertical probe head having an improved contact with a device under test

Номер патента: US11867723B2. Автор: Stefano Felici. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2024-01-09.

Probe head for high frequency signal test and medium or low frequency signal test at the same time

Номер патента: US20210048451A1. Автор: Chin-Tien Yang,Tsung-Yi Chen,Yu-Hao Chen,Shang-Jung Hsieh,Hui-Pin Yang,Jhin-Ying Lyu. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Contact probe for probe heads of electronic devices

Номер патента: EP4193157A1. Автор: Riccardo Vettori. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2023-06-14.

Probe head, probe assembly and spring probe structure including the same

Номер патента: US20240085455A1. Автор: Zhou Yi Lin. Владелец: Azoth Studio Ltd Co. Дата публикации: 2024-03-14.

Probe head with linear probe

Номер патента: US20200011896A1. Автор: Tzu Yang CHEN,Chia Ju Wei. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Contact probe for a probe head

Номер патента: US20230288447A1. Автор: Roberto Crippa,Stefano Felici,Fabio MORGANA. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for increasing strength of multi-probe heads probes

Номер патента: RU2724301C2. Автор: Лариса Александровна Васильева,Алексей Алексеевич Лопухин,Владимир Михайлович Акимов,Илья Владимирович Ефимов. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2020-06-22.

Improved contact element for a probe head for testing high-frequency electronic devices and relating probe head

Номер патента: WO2022101288A1. Автор: Roberto Crippa. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2022-05-19.

Improved contact element for a probe head for testing high-frequency electronic devices and relating probe head

Номер патента: US20240012025A1. Автор: Roberto Crippa. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2024-01-11.

Improved contact element for a probe head for testing high-frequency electronic devices and relating probe head

Номер патента: EP4244634A1. Автор: Roberto Crippa. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2023-09-20.

Probe head having spring probes

Номер патента: US20240118313A1. Автор: Wei-Cheng Ku,Wen-Yi Wang,Chih-Wei Wen. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Probe card

Номер патента: US20240053383A1. Автор: Chao-Cheng Ting,Huai-Yi Wang,Li-Hong LU,Lung-Chuan TSAI. Владелец: Bao Hong Semi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Probe card

Номер патента: US11953521B2. Автор: Chao-Cheng Ting,Huai-Yi Wang,Li-Hong LU,Lung-Chuan TSAI. Владелец: Bao Hong Semi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Probe Card

Номер патента: US20100052710A1. Автор: Cheng-Chin Ni. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Detection method and detection device for wafer level led chips and transparent probe card thereof

Номер патента: CN102445668A. Автор: 林建宪,郑佳申,彭耀祈,林宏彛. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-05-09.

Probe card

Номер патента: US12025637B2. Автор: Chin-Tien Yang,Chia-Tai Chang,Chin-Yi Tsai,Chen-Chih Yu,Cheng-Nien Su. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Blade probe and blade probe card

Номер патента: WO2007098293A3. Автор: Bahadir Tunaboylu,David T Beatson,Habib Kilicaslan,David F Mcdevitt. Владелец: David F Mcdevitt. Дата публикации: 2008-01-10.

Blade probe and blade probe card

Номер патента: WO2007098293A2. Автор: David T. Beatson,Bahadir Tunaboylu,Habib Kilicaslan,David F. Mcdevitt. Владелец: Sv Probe Pte Ltd.. Дата публикации: 2007-08-30.

Cantilever type probe card and method for production thereof

Номер патента: US20040070417A1. Автор: Yukihiro Isa. Владелец: UMC Japan Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Probe card

Номер патента: US20230194571A1. Автор: Ming-Hsien Chen,Tzu-Chien Wang,Wen-Yuan Hsu,jia-lin Lu. Владелец: Hermes Testing Solutions Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Cryogenic probe card

Номер патента: EP4314847A1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-02-07.

Cryogenic probe card

Номер патента: US20240118315A1. Автор: Gregory Nielson. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Probe card

Номер патента: US20130342235A1. Автор: Chung-Soo Han. Владелец: Sedicon Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Probe card capable of transmitting high-frequency signals

Номер патента: US9658249B2. Автор: Wei-Cheng Ku,Jun-Liang Lai. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Probe card locking device of a semiconductor wafer probe station

Номер патента: US5644246A. Автор: Ung-Gi Park,Dong-Seck Lee,Wha-Young Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-01.

Cleaning methods for probe cards

Номер патента: US20200041552A1. Автор: Chih-Chiang LAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Jig for manufacturing probe card, probe alignment system comprising same, and probe card manufactured thereby

Номер патента: US20230176092A1. Автор: Oug Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-08.

Probe card device and neck-like probe thereof

Номер патента: US20210223289A1. Автор: Kai-Chieh Hsieh,Wei-Jhih Su,Wen-Tsung Lee,Hsun-Tai Wei. Владелец: Chunghwa Precision Test Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Arch type probe and probe card using same

Номер патента: US20050099194A1. Автор: Atsushi Mine,Kazumichi Machida,Teruhisa Sakata,Atsuo URATA,Teppei KIMURA,Toranosuke Furusho. Владелец: Japan Electronic Materials Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Probe card device and rectangular probe thereof

Номер патента: US20190317131A1. Автор: Wei-Jhih Su,Chih-Peng HSIEH. Владелец: Chunghwa Precision Test Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Method for wafer level reliability

Номер патента: US20140106481A1. Автор: KyeNam Lee,HyunHo Jang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

METHOD FOR WAFER LEVEL RELIABILITY

Номер патента: US20160336242A1. Автор: Lee KyeNam,Jang HyunHo. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2016-11-17.

Surface treated metal material for burn-in test socket, connector for burn-in test socket and burn-in test socket using the same

Номер патента: EP3521014A2. Автор: Satoru Endo. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-08-07.

Multi-chamber for burn-in testing apparatus and test method thereof

Номер патента: KR101002525B1. Автор: 밍 쉬엔 리,룽-쉬우 쉬에. Владелец: 킹 유안 일렉트로닉스 코포레이션 리미티드. Дата публикации: 2010-12-17.

Connecting device for burn-in test equipment

Номер патента: TW200922016A. Автор: Chul-Sub Lee,Oh-Hyeon Kwon. Владелец: TYCO ELECTRONICS AMP KOREA LTD. Дата публикации: 2009-05-16.

Method for performing burn-in test

Номер патента: US20120139566A1. Автор: Koji Shimazawa,Masaaki Kaneko,Takashi Honda,Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for performing burn-in test

Номер патента: US8957692B2. Автор: Koji Shimazawa,Masaaki Kaneko,Takashi Honda,Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

Large probe card for testing electronic devices and related manufacturing method

Номер патента: EP4252011A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2023-10-04.

Large probe card for testing electronic devices and related manufacturing method

Номер патента: WO2022112479A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2022-06-02.

Large probe card for testing electronic devices and related manufacturing method

Номер патента: US20240012028A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US6566150B2. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-20.

Customizable probe cards, probe systems including the same, and related methods

Номер патента: WO2021118729A1. Автор: Masanori Watanabe,Nobuhiro Kawamata,Yoichi Funatoko,Masahiro Sameshima. Владелец: FORMFACTOR, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Mas stator of an NMR probe head with optimized microwave irradiation

Номер патента: US10197653B2. Автор: Armin Purea,Arndt von Bieren. Владелец: Bruker BioSpin GmbH. Дата публикации: 2019-02-05.

Mas stator of an nmr probe head with optimized microwave irradiation

Номер патента: US20180113183A1. Автор: Armin Purea,Arndt von Bieren. Владелец: Bruker BioSpin GmbH. Дата публикации: 2018-04-26.

A probe card manufacturing method including sensing probe and the probe card, probe card inspection system

Номер патента: SG144939A1. Автор: Han-Moo Lee. Владелец: Phicom Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

A probe card manufacturing method including sensing probe and the probe card, probe card inspection system

Номер патента: WO2006068388A1. Автор: Han-Moo Lee. Владелец: Phicom Corporation. Дата публикации: 2006-06-29.

Multilayer Substrate and Probe Card

Номер патента: US20080191720A1. Автор: Jun Mochizuki,Hisatomi Hosaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-14.

Area array (flip chip) probe card

Номер патента: US6130546A. Автор: Sayed Kamallodin Azizi. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Method for preparing sample for wafer level failure analysis

Номер патента: US11835492B2. Автор: Wen-Lon Gu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Burn-in test system for projection device

Номер патента: US20090055128A1. Автор: Jian-Sheng Zhou. Владелец: Premier Image Technology China Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Dram and method for testing the same in the wafer level burn-in test mode

Номер патента: US20130021862A1. Автор: Min-Chung Chou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Probe card

Номер патента: US20180267084A1. Автор: Wei-Cheng Chen,Chen-Yueh Kung,Wen-Yuan Chang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Probe card and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220170961A1. Автор: Che-Wei Lin,Chin-Yi Lin,Ting-Ju WU,Chien-Kai Hung. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Probe card and manufacturing method thereof

Номер патента: US11874313B2. Автор: Che-Wei Lin,Chin-Yi Lin,Ting-Ju WU,Chien-Kai Hung. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Probe card

Номер патента: US20090219042A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Shunsuke Sasaki. Владелец: NHK Spring Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-03.

Probe card for a testing apparatus of electronic devices and corresponding space transformer

Номер патента: WO2023227575A1. Автор: Stefano Felici. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2023-11-30.

Probe card and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240118316A1. Автор: Che-Wei Lin,Chin-Yi Lin,Ting-Ju WU,Chien-Kai Hung. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Vertical probe head

Номер патента: US20230007997A1. Автор: Chin-Tien Yang,Horng-Chuan Sun,Yu-Hao Chen,Hui-Pin Yang,Chin-Yi Tsai,Yang-Hung Cheng. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Vertical probe head with improved contact properties towards a device under test

Номер патента: US12085588B2. Автор: Stefano Felici. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2024-09-10.

Probe head and die set having horizontally fine adjustable die and probe head adjusting method

Номер патента: US20220214379A1. Автор: Che-Wei Lin,Chin-Yi Lin,Hsin-Cheng Hung,Keng-Min Su. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Probe head comprising a guide with metallizations and method using it

Номер патента: WO2024133250A1. Автор: Stefano Felici,Fabio MORGANA. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2024-06-27.

High density probe head for chip testing

Номер патента: USH663H. Автор: Dan Massopust. Владелец: Cray Research LLC. Дата публикации: 1989-08-01.

Vertical probe head

Номер патента: US11774468B2. Автор: Chin-Tien Yang,Horng-Chuan Sun,Yu-Hao Chen,Hui-Pin Yang,Chin-Yi Tsai,Yang-Hung Cheng. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Improved vertical probe head

Номер патента: WO2024132683A1. Автор: Stefano Felici. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2024-06-27.

Large probe head for testing electronic devices and related manufacturing method

Номер патента: WO2022112480A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2022-06-02.

Large probe head for testing electronic devices and related manufacturing method

Номер патента: EP4252012A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2023-10-04.

Large probe head for testing electronic devices and related manufacturing method

Номер патента: US20230417798A1. Автор: Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2023-12-28.

Probe card

Номер патента: US20020113608A1. Автор: Andy Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Probe card

Номер патента: US5412329A. Автор: Shinji Iino,Keiichi Yokota,Tamio Kubota. Владелец: Tokyo Electron Yamanashi Ltd. Дата публикации: 1995-05-02.

Probe card module

Номер патента: US11156639B2. Автор: Chih-Feng Cheng,Chih-Chieh LIAO,Yu-Min Sun. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Probe card assembly with a dielectric structure

Номер патента: WO2006119405A1. Автор: Bahadir Tunaboylu,Habib Kilicaslan. Владелец: SV Probe Pte Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Probe card module

Номер патента: US20210223290A1. Автор: Chih-Feng Cheng,Chih-Chieh LIAO,Yu-Min Sun. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Probe card and switch module

Номер патента: EP3745142A1. Автор: Che-Wei Lin,Chin-Yi Lin,Hsueh-Chih Wu,Ting-Ju WU,Keng-Min Su,Ko-Chun WU. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

Space transformer comprising an isolation resistor for a probe card, and method for manufacturing same

Номер патента: US20110254578A1. Автор: Min Soo Kim,Sung Man Yoon. Владелец: Imtech Inc Korea. Дата публикации: 2011-10-20.

Probe card

Номер патента: WO2009025427A1. Автор: Yong Goo Lee,Maeng Youl Lee. Владелец: Gigalane Co.Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Active probe card for high resolution/low noise wafer level testing

Номер патента: US4780670A. Автор: Robert S. Cherry. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Probe card with reconfigurable circuitry

Номер патента: CA1270069A. Автор: Lloyd A. Walls,Edward S. Hoyt,Timothy A. Horel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-06-05.

Method and apparatus for inspecting integrated circuit probe cards

Номер патента: US4918374A. Автор: Donald B. Snow,Ronald C. Seubert,John P. Stewart. Владелец: Applied Precision Inc. Дата публикации: 1990-04-17.

Probe card fixture

Номер патента: US4935694A. Автор: Glenn R. Clarridge. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 1990-06-19.

Probe card assembly and method of attaching probes to the probe card assembly

Номер патента: EP1849016A1. Автор: Bahadir Tunaboylu,Habib Kilicaslan. Владелец: SV Probe Pte Ltd. Дата публикации: 2007-10-31.

Probe card assembly and method of attaching probes to the probe card assembly

Номер патента: WO2006088847A1. Автор: Bahadir Tunaboylu,Habib Kilicaslan. Владелец: Sv Probe Pte Ltd.. Дата публикации: 2006-08-24.

Cross-correlation timing calibration for wafer-level IC tester interconnect systems

Номер патента: US20020049554A1. Автор: Charles Miller. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2002-04-25.

PROBE SYSTEMS, STORAGE MEDIA, AND METHODS FOR WAFER-LEVEL TESTING OVER EXTENDED TEMPERATURE RANGES

Номер патента: US20170285083A1. Автор: McMullen Timothy Allen,Shepler Jeffery Allan,Vander Giessen Clint. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Circuit for test board of burn-in test system, judges quality of device for comparing output signal with test signal based on run time difference data which are stored corresponding to each type of test signal

Номер патента: DE19950536A1. Автор: Yoshiyuki Umeda. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-27.

SWITCHING POWER SUPPLY BURN IN TEST CIRCUIT

Номер патента: US20180196109A1. Автор: Zheng Gang,ZOU Shu. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

A kind of method and apparatus of smart machine burn-in test

Номер патента: CN110286281A. Автор: 孟旭,汤肖迅,杜军红,邱永伟. Владелец: Shanghai Longcheer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-27.

Probe head of vertical probe card and manufacturing method of composite board of probe head

Номер патента: SG196803A1. Автор: Che-Wei Lin,Horng-Kuang Fan,Ming-Chi Chen,Mao-Fa Shen,Ming-Chu Chueh,Bang-Shun Liu. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Transport device for an nmr mas rotor in a probe head ("mas shuttle")

Номер патента: US20200150199A1. Автор: Jonathan de Vries,Roger Meister,Sven Sieber. Владелец: Bruker Switzerland AG. Дата публикации: 2020-05-14.

Scanning Ferromagnetic Resonance (FMR) for Wafer-Level Characterization of Magnetic Films and Multilayers

Номер патента: US20190331752A1. Автор: Guenole Jan,Son Le,Luc Thomas,Santiago Serrano Guisan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Scanning Ferromagnetic Resonance (FMR) for Wafer-Level Characterization of Magnetic Films and Multilayers

Номер патента: US20180267128A1. Автор: Guenole Jan,Son Le,Luc Thomas,Santiago Serrano Guisan. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated circuit that supports and method for wafer-level testing

Номер патента: US5808947A. Автор: David C. McClure. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1998-09-15.

Techniques for wafer level die testing using sacrificial structures

Номер патента: US11788929B1. Автор: Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Alignment Mark Design for Wafer-Level Testing and Method Forming the Same

Номер патента: US20240019486A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Po-Yuan TENG,Kuo-Lung Pan,Shu-Rong Chun,Chia-Wen Lin,Mao-Yen Chang,Cheng-Chieh Wu,Cheng Yu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mamufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Scanning ferromagnetic resonance (fmr) for wafer-level characterization of magnetic films and multilayers

Номер патента: WO2018175080A1. Автор: Guenole Jan,Son Le,Luc Thomas,Santiago Serrano Guisan. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-09-27.

Systems and Methods for Wafer-Level Photonic Testing

Номер патента: US20230343655A1. Автор: Roy Edward Meade,Alexandra WRIGHT,Anatol KHILO,Forrest Sedgwick. Владелец: Ayar Labs Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Multi-Probe Ferromagnetic Resonance (FMR) Apparatus for Wafer Level Characterization of Magnetic Films

Номер патента: US20200386840A1. Автор: Guenole Jan,Son Le,Luc Thomas,Santiago Serrano Guisan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Systems and methods for wafer-level photonic testing

Номер патента: US12014962B2. Автор: Roy Edward Meade,Alexandra WRIGHT,Anatol KHILO,Forrest Sedgwick. Владелец: Ayar Labs Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Burn-in testing method and device with temperature control

Номер патента: EP1295138A2. Автор: Boon Hee Wee. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-03-26.

SYSTEMS AND METHODS FOR WAFER-LEVEL LOOPBACK TEST

Номер патента: US20160025807A1. Автор: Jalilizeinali Reza,Loke Alvin Leng Sun,Wee Tin Tin,Bryan Thomas Clark,Knol Stephen Robert,Peterson LuVerne Ray. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Multi-Probe Ferromagnetic Resonance (FMR) Apparatus for Wafer Level Characterization of Magnetic Films

Номер патента: US20200049787A1. Автор: Jan Guenole,THOMAS LUC,Guisan Santiago Serrano,Le Son. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Method For Wafer-Level Chip Scale Package Testing

Номер патента: US20170113929A1. Автор: YANG Zhao,BIN Li,Leyue Jiang,Piu Francis Man,Haidong Liu. Владелец: Memsic Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Scanning Ferromagnetic Resonance (FMR) for Wafer-Level Characterization of Magnetic Films and Multilayers

Номер патента: US20180267128A1. Автор: Jan Guenole,THOMAS LUC,Guisan Santiago Serrano,Le Son. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Scanning Ferromagnetic Resonance (FMR) for Wafer-Level Characterization of Magnetic Films and Multilayers

Номер патента: US20190331752A1. Автор: Jan Guenole,THOMAS LUC,Guisan Santiago Serrano,Le Son. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Multi-Probe Ferromagnetic Resonance (FMR) Apparatus for Wafer Level Characterization of Magnetic Films

Номер патента: US20200386840A1. Автор: Jan Guenole,THOMAS LUC,Guisan Santiago Serrano,Le Son. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Method of adjusting DC parameters of each chip for wafer level

Номер патента: CN106054065A. Автор: 王帆. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-26.

Localized onboard socket heating elements for burn-in test boards

Номер патента: WO2023149913A1. Автор: Tony Leong,Athipat Ratanavarinchai. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device generating a test voltage for a wafer burn-in test and method thereof

Номер патента: US20070165470A1. Автор: Hi-choon Lee,Jin-hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190064257A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES FOR BURN-IN TESTING AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20190064257A1. Автор: Tuttle Mark E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND BURN-IN TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20210123972A1. Автор: Suzuki Koji,TANIMURA Masaaki. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES FOR BURN-IN TESTING AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20190170811A1. Автор: Tuttle Mark E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

SYSTEM AND METHOD FOR VOLTAGE REGULATOR SELF-BURN-IN TEST

Номер патента: US20180348309A1. Автор: OU YANG Kuang-Hua,HSU Kuo-Chan,SHIH Yun-Teng. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Method of generating a wafer burn-in test current in semiconductor memory devices and semiconductor devices using the same

Номер патента: KR100671752B1. Автор: 이희춘,조진형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-19.

Improved output driver circuit suppresses noise generation and improved semiconductor integrated circuit for burn-in test

Номер патента: KR940012600A. Автор: 기요히로 후루다니,히데유끼 오자끼. Владелец: 기다오까 다까시. Дата публикации: 1994-06-23.

System, method and the computer readable storage medium of voltage adjuster burn-in testing

Номер патента: CN108984351A. Автор: 施云腾,欧阳光华生,许国展. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device handling and sorting apparatus for a semiconductor burn-in test process

Номер патента: US6239396B1. Автор: Ju-il Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-29.

System and method for voltage regulator self-burn-in test

Номер патента: EP3410133B1. Автор: Yun-Teng Shih,Kuang-Hua Ou Yang,Kuo-Chan Hsu. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2019-06-12.

System, method and computer readable storage medium for voltage regulator burn-in testing

Номер патента: CN108984351B. Автор: 施云腾,欧阳光华生,许国展. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2021-09-07.

Apparatus and method for individual current setting for burn-in test

Номер патента: KR20090055179A. Автор: 유호상. Владелец: 주식회사디아이. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190170811A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Method for manufacturing probes of a probe card

Номер патента: US20040035706A1. Автор: Yeong-Her Wang,An-Hong Liu,Yuan-Ping Tseng,Y. Lee,S. Cheng. Владелец: ChipMOS Technologies Bermuda Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

Probe card device and circuit protection assembly thereof

Номер патента: US20230360874A1. Автор: Chih-Feng Cheng,Chih-Chieh LIAO,Yu-Min Sun. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Probe head of vertical probe card and manufacturing method of composite board of probe head

Номер патента: SG177836A1. Автор: Che-Wei Lin,Horng-Kuang Fan,Ming-Chi Chen,Mao-Fa Shen,Ming-Chu Chueh,Bang-Shun Liu. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Probe card testing device

Номер патента: US11808787B2. Автор: Ra-Min Tain,Tzyy-Jang Tseng,John Hon-Shing Lau,Kuo Ching Tien. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Radio frequency coil arrangement for magnetic resonance measurements and probe head for measuring resonance signals by utilizing such a radio frequency coil arrangement

Номер патента: US20070268077A1. Автор: Heinz Zeiger,Baudouin Dillmann. Владелец: Bruker BioSpin GmbH. Дата публикации: 2007-11-22.

Fastening an nmr probe head to the shim tube end of the nmr magnet with automatable functional connections

Номер патента: US20230184854A1. Автор: Alexander Krahn,David Osen,Priyanga BANDARA,Jürgen Ganz. Владелец: Bruker BioSpin GmbH. Дата публикации: 2023-06-15.

Magnetic field probe and probe head thereof

Номер патента: US20170269170A1. Автор: Yien-Tien CHOU,Hsin-Chia Lu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-09-21.

Magnetic field probe and probe head thereof

Номер патента: US20140253112A1. Автор: Yien-Tien CHOU,Hsin-Chia Lu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2014-09-11.

Magnetic resonance hyperpolarization and multiple irradiation probe head

Номер патента: EP2726894A1. Автор: Alessandro Macor,Emile De Rijk,Giuseppe Annino,Stefano Alberti. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2014-05-07.

Dnp probe head for high resolution, liquid-state nmr

Номер патента: WO2024115698A1. Автор: Luming YANG,Thorsten Marquardsen,Igor Tkach,Marina Bennati,Marcel Levien,Tomas Orlando,Alisa Leveasly,Richard Wylde. Владелец: Bruker Biospin Gmbh & Co. Kg. Дата публикации: 2024-06-06.

NMR measuring device having a cooled probe head

Номер патента: US5889456A. Автор: René Triebe,Daniel Marek. Владелец: Spectrospin AG. Дата публикации: 1999-03-30.

Nmr probe head with piezoelectric actuators

Номер патента: EP3714282A1. Автор: Marco Osterwalder,Samuel SALVISBERG. Владелец: QONETEC AG. Дата публикации: 2020-09-30.

Transceiver coil arrangement for an mas nmr probe head and method for designing a transceiver coil arrangement

Номер патента: US20240004005A1. Автор: Nicolas Freytag. Владелец: Bruker Switzerland AG. Дата публикации: 2024-01-04.

Probe head for nuclear magnetic resonance measurements

Номер патента: US20050168223A1. Автор: Heinz Zeiger,Baudouin Dillmann. Владелец: Bruker BioSpin GmbH. Дата публикации: 2005-08-04.

Microwave coupler for optimizing a NMR probe head for MAS-DNP

Номер патента: US20160195593A1. Автор: Alexander Krahn,Armin Purea,Frank Engelke. Владелец: Bruker BioSpin GmbH. Дата публикации: 2016-07-07.

Magnetic resonance hyperpolarization and multiple irradiation probe head

Номер патента: US9448290B2. Автор: Alessandro Macor,Emile De Rijk,Giuseppe Annino,Stefano Alberti. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2016-09-20.

Magnetic resonance hyperpolarization and multiple irradiation probe head

Номер патента: WO2013000964A1. Автор: Alessandro Macor,Emile De Rijk,Giuseppe Annino,Stefano Alberti. Владелец: CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. Дата публикации: 2013-01-03.

Cooled NMR probe head with thermal insulation of the sample

Номер патента: US20010013779A1. Автор: Daniel Marek. Владелец: Bruker AG. Дата публикации: 2001-08-16.

Nmr-mas probe head with pivotable stator

Номер патента: US20190242958A1. Автор: Alexander Krahn,Markus Mayer,Roger Meister,David Osen,Armin Purea. Владелец: Bruker BioSpin GmbH. Дата публикации: 2019-08-08.

Method for producing a probe card

Номер патента: US20240110948A1. Автор: Kun-Hsien LIN,Edgar Hepp,Wabe Koelmans,Patrik SCHUERCH. Владелец: Exaddon AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Probe Card System Having A Dielectric Fluid Dispenser

Номер патента: US20190064216A1. Автор: Vladimir V. Genkin,Alexander N. Pronin,Joseph A. Peters. Владелец: Keithley Instruments LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

Assembly structure for making integrated circuit chip probe cards

Номер патента: US6204674B1. Автор: January Kister,Krzysztof Dabrowiecki. Владелец: Probe Technology Corp. Дата публикации: 2001-03-20.

Manufacturing method of a multi-layer for a probe card

Номер патента: US12019111B2. Автор: Roberto Crippa,Raffaele VALLAURI,Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2024-06-25.

Probe card needle cleaning frequency optimization

Номер патента: WO2004070405A8. Автор: Beng Ghee Tan. Владелец: Systems On Silicon Mfg Co Pte. Дата публикации: 2005-10-13.

Method and system for designing a probe card

Номер патента: US7930219B2. Автор: Benjamin N. Eldridge,Stefan Graef,Mark W. Brandemuehl,Yves Parent. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2011-04-19.

Method and system for designing a probe card

Номер патента: WO2003025601A1. Автор: Benjamin N. Eldridge,Stefan Graef,Mark W. Brandemuehl,Yves Parent. Владелец: FORMFACTOR, INC.. Дата публикации: 2003-03-27.

Method for alignment, process tool and method for wafer-level alignment

Номер патента: US20200227298A1. Автор: Ping-Yin Liu,Yeur-Luen Tu,Yeong-Jyh Lin,Ching-Hung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Getter structure for wafer level vacuum packaged device

Номер патента: WO2014099123A1. Автор: Adam M. Kennedy,Stephen H. Black,Thomas Allan KOCIAN,Roland Gooch,Buu Diep. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2014-06-26.

Method for preparing sample for wafer level failure analysis

Номер патента: US20220050035A1. Автор: Wen-Lon Gu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

METHODOLOGY AND SYSTEM FOR WAFER-LEVEL TESTING OF MEMS PRESSURE SENSORS

Номер патента: US20160107887A1. Автор: Jones Peter T.,MCWHORTER WILLIAM D.,Sessego Raimondo P.,DEBEURRE BRUNO J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

SYSTEM FOR WAFER-LEVEL TESTING OF MEMS PRESSURE SENSORS

Номер патента: US20160116361A1. Автор: Jones Peter T.,MCWHORTER WILLIAM D.,Sessego Raimondo P.,DEBEURRE BRUNO J.,CHECKANOV ALBERT S.,CURRENS JANSEN D.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Coupled spot-size-converter arrays for wafer-level optical metrology

Номер патента: US20150121685A1. Автор: Thomas William Clinton,Juraj Topolancik. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2015-05-07.

FORMULATIONS CONTAINING MIXED RESIN SYSTEMS AND THE USE THEREOF FOR WAFER-LEVEL UNDERFILL FOR 3D TSV PACKAGES

Номер патента: US20180226313A1. Автор: Jiang Hong,Horiguchi Yusuke,Bai Jie,Kim YounSang,Takano Tadashi,Huang Qiaohong,Murata Youko. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

METHOD FOR ALIGNMENT, PROCESS TOOL AND METHOD FOR WAFER-LEVEL ALIGNMENT

Номер патента: US20200227298A1. Автор: Lin Yeong-Jyh,Tu Yeur-Luen,Liu Ping-Yin,Wang Ching-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

SURFACE GRATINGS, PHOTONICS CIRCUIT, AND METHOD FOR WAFER-LEVEL TESTING THEREOF

Номер патента: US20190310418A1. Автор: Kato Masaki,KARIMELAHI Samira. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Use of a saw frame with tape as a substrate carrier for wafer level backend processing

Номер патента: CA2129212A1. Автор: Michael A. Mignardi. Владелец: Michael A. Mignardi. Дата публикации: 1995-02-03.

Method and apparatus for wafer level testing of integrated optical waveguide circuits

Номер патента: US20030123804A1. Автор: Mark McCormack,Dmitri Nikonov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Method and apparatus for wafer-level testing of semiconductor laser

Номер патента: US6775000B2. Автор: James Harrison,David Leslie Heald. Владелец: NOVALUX ACQUISITION CORP. Дата публикации: 2004-08-10.

Methodology and system for wafer-level testing of MEMS pressure sensors

Номер патента: US9527731B2. Автор: Peter T. Jones,Raimondo P. Sessego,Bruno J. Debeurre,William D. McWhorter. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Apparatus for wafer level testing of semicondcutor device

Номер патента: WO2023132785A1. Автор: Lee Chee Wei. Владелец: Compoundtek Pte. Ltd.. Дата публикации: 2023-07-13.

Systems and methods for wafer level beam profile characterization

Номер патента: US20220107472A1. Автор: Alexander Krichevsky,David Gold,Hari Mahalingam,Jonathan DOYLEND,Christopher Seibert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Coupled spot-size-converter arrays for wafer-level optical metrology

Номер патента: US20150121685A1. Автор: Thomas William Clinton,Juraj Topolancik. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2015-05-07.

Opto-electrical probe card platform for wafer-level testing of optical mems structures

Номер патента: WO2023235586A1. Автор: Bassem Mortada,Yasser M. Sabry,Diaa Khalil,Bassam Saadany,Ahmed SHEBL,Momen Anwar,Tarek Mohamed Zeinah,Mohamed RAMADAN,Mohamed Hamouda,Ahmed Emad,Mohamed Badr,Moez ElMassry. Владелец: SI-WARE SYSTEMS. Дата публикации: 2023-12-07.

Wafer burn-in test and wafer test circuit

Номер патента: US20030210589A1. Автор: Ha Min Sung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-11-13.

Disc player and burn-in test method for disc player

Номер патента: US20140169148A1. Автор: Ya-Guo Wang,Chun-Ching Chen. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor memory device having wafer burn-in test mode

Номер патента: US20090116322A1. Автор: Hi-Hyun Han,Jee-Yul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Burn-in test apparatus

Номер патента: US20080291761A1. Автор: Sang Kwon Lee,Bong Seok Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Burn-in test apparatus

Номер патента: US8041531B2. Автор: Sang Kwon Lee,Bong Seok Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-18.

Wafer level burn-in for memory integrated circuits

Номер патента: TW200401305A. Автор: Shi-Huei Liu,Bor-Doou Rong,Jeng-Tzong Shih. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-16.

Burn-in test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US5452253A. Автор: Young-Keun Choi. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-19.

Burn-in circuit and burn-in test method

Номер патента: US5467356A. Автор: Yun-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-11-14.

Wafer burn-in test circuit and a method thereof

Номер патента: US5790465A. Автор: Soo-In Cho,Jae-Gu Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-08-04.

Wafer level burn-in for memory integrated circuit

Номер патента: US6661719B1. Автор: Shi-Huei Liu,Bor-Doou Rong,Jeng-Tzong Shih. Владелец: EXRONTECHNOLOGY Inc. Дата публикации: 2003-12-09.

Dynamic random access memory device having power supply system appropriately biasing switching transistors and storage capacitors in burn-in testing process

Номер патента: US5363333A. Автор: Akira Tsujimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Semiconductor memory device having burn-in test function

Номер патента: US5119337A. Автор: Mitsuru Shimizu,Shozo Saito,Syuso Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-06-02.

System and method for cooling a semiconductor light source bar during burn-in testing

Номер патента: US8503493B1. Автор: Ryuji Fujii,Quan Bao Wang,Chun Fei Cheung. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor memory devices including burn-in test circuits

Номер патента: US20100246300A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-30.

Probe head

Номер патента: US20070051005A1. Автор: Reinhold Schopf. Владелец: Dr Johannes Heidenhain GmbH. Дата публикации: 2007-03-08.

Probe Head

Номер патента: US20130027026A1. Автор: Reinhold Schopf. Владелец: Dr Johannes Heidenhain GmbH. Дата публикации: 2013-01-31.

Probe head for a coordinate measuring instrument

Номер патента: US4833792A. Автор: Peter Aehnelt,Eckhard Enderle. Владелец: CARL ZEISS AG. Дата публикации: 1989-05-30.

Device for clamping the dlectable part of a probe head for co-ordinate measuring machine

Номер патента: GB2302589A. Автор: Roland Roth,Kurt Brenner,Karl Seitz,Klaus Herzog,Peter Aehnelt,Franz Szenger. Владелец: CARL ZEISS AG. Дата публикации: 1997-01-22.

Probe head of three-dimensional coordinate measuring device and touch detection method

Номер патента: US10197375B2. Автор: Hisayoshi Sakai. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Optical probe heads

Номер патента: US5440126A. Автор: Evelyn E. K. Kemsley. Владелец: British Technology Group Ltd. Дата публикации: 1995-08-08.

Ultrasonic probe head

Номер патента: US7992439B2. Автор: Aart Jan Van Bekkum,Jeoren Martin Van Klooster. Владелец: KROHNE AG. Дата публикации: 2011-08-09.

Spectrometric probe for sampling bulk material and automatic sampling apparatus comprising said probe

Номер патента: RU2751572C2. Автор: Густаво Даниэль КАНЕДА. Владелец: Инг. Йоргенсен И Асоц.. Дата публикации: 2021-07-15.

Device to measure piston position in cylinder, assembly comprising said cylinder, piston and such device, and aircraft engine incorporating this assembly

Номер патента: RU2473869C2. Автор: Даниэль КЕТТЛЕР,Анри-Роже ЛЕКЛЕРК,Жан-Поль БАР. Владелец: Испано Сюиза. Дата публикации: 2013-01-27.

Construction structures and manufacturing processes for probe card assemblies and packages having wafer level springs

Номер патента: WO2004001807B1. Автор: Sammy Mok,Frank Swiatowiec,Fu-Chiung Chong,Joseph Michael Haemer,Syamal Kumar Lahiri. Владелец: NanoNexus Inc. Дата публикации: 2005-02-03.

Construction structures and manufacturing processes for probe card assemblies and packages having wafer level springs

Номер патента: EP1549962A2. Автор: Sammy Mok,Frank Swiatowiec,Fu-Chiung Chong,Joseph Michael Haemer,Syamal Kumar Lahiri. Владелец: NanoNexus Inc. Дата публикации: 2005-07-06.

Construction structures and manufacturing processes for probe card assemblies and packages having wafer level springs

Номер патента: EP1549962A4. Автор: Sammy Mok,Frank Swiatowiec,Fu-Chiung Chong,Joseph Michael Haemer,Syamal Kumar Lahiri. Владелец: NanoNexus Inc. Дата публикации: 2005-12-14.

Method for removing a high definition nanostructure, a partly freestanding layer, a sensor comprising said layer and a method using said sensor

Номер патента: EP2823358A1. Автор: Bo Song,Qiang Xu,Gregory Schneider,Henny Zandbergen,Mengyue Wu,Cornelius Dekker DE HEER. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2015-01-14.

Method and apparatus for wafer level testing of semiconductor using sacrificial on die power and ground metalization

Номер патента: US20030042483A1. Автор: Kevin Devereaux. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Method and apparatus for wafer level testing of semiconductor using sacrificial on die power and ground metalization

Номер патента: US20030042600A1. Автор: Kevin Devereaux. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Wafer-level packaged microelectronic imagers and processes for wafer-level packaging

Номер патента: US20120104528A1. Автор: Salman Akram,Peter A. Benson,Warren M. Farnworth,William M. Hiatt. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2012-05-03.

Method for wafer-level adjustment of protection circuits of electronic devices and a wafer for facilitating the same

Номер патента: US12046895B2. Автор: Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

System for wafer-level phosphor deposition

Номер патента: WO2012078530A9. Автор: Tao Xu. Владелец: Bridgelux, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Encapsulation process method for wafer-level light-emitting diode dies

Номер патента: US20240304749A1. Автор: Ai-Sen Liu,Hsiang-An Feng,Yi-Chuan Huang,Hsiao-Lu Chen. Владелец: Ingentec Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods relating to the reconstruction of semiconductor wafers for wafer-level processing

Номер патента: US20060240582A1. Автор: Yong Tan,Wuu Tay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Thermal chuck and method for wafer level burn-in and testing

Номер патента: JP2002526936A. Автор: ジョンダブリューアンドバーグ. Владелец: エイアーテストシステムズ. Дата публикации: 2002-08-20.

Enhanced area getter architecture for wafer-level vacuum packaged uncooled focal plane array

Номер патента: WO2024123827A3. Автор: Thomas Schimert,Kuni Shimizu. Владелец: DRS Network & Imaging Systems, LLC. Дата публикации: 2024-08-02.

Method for wafer-level adjustment of protection circuits of electronic devices and wafer for facilitating the same

Номер патента: WO2023201567A1. Автор: Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-26.

Interposer and chip-scale packaging for wafer-level camera

Номер патента: US10734437B2. Автор: Yi Qin,Chia-Yang Chang,Teng-Sheng Chen. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Interposer And Chip-Scale Packaging For Wafer-Level Camera

Номер патента: US20170294477A1. Автор: Yi Qin,Chia-Yang Chang,Teng-Sheng Chen. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Method for wafer-level adjustment of protection circuits of electronic devices and a wafer for facilitating the same

Номер патента: US20240170957A1. Автор: Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Interposer And Chip-Scale Packaging For Wafer-Level Camera

Номер патента: US20190181179A1. Автор: Yi Qin,Chia-Yang Chang,Teng-Sheng Chen. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Enhanced area getter architecture for wafer-level vacuum packaged uncooled focal plane array

Номер патента: WO2024123827A2. Автор: Thomas Schimert,Kuni Shimizu. Владелец: DRS Network & Imaging Systems, LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

System for Wafer-Level Phosphor Deposition

Номер патента: US20140374758A1. Автор: Tao Xu. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Method and structure for wafer-level packaging

Номер патента: US9437511B2. Автор: Jiangen Shi. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method and structure for wafer-level packaging

Номер патента: US20160172263A1. Автор: Jiangen Shi. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Systems and methods for wafer-level manufacturing of devices having land grid array interfaces

Номер патента: US20190304938A1. Автор: Rameen Hadizadeh. Владелец: Wispry Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor structure for wafer level bonding and bonded semiconductor structure

Номер патента: US11929335B2. Автор: Chien-Ming Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Method and structure for wafer-level packaging

Номер патента: US20160172321A1. Автор: Guohua Gao. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Fabricating method for wafer-level packaging

Номер патента: US20170213810A1. Автор: Wanchun Ding. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor structure for wafer level bonding and bonded semiconductor structure

Номер патента: US20240178171A1. Автор: Chien-Ming Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Enhanced area getter architecture for wafer-level vacuum packaged uncooled focal plane array

Номер патента: US20240194707A1. Автор: Thomas Schimert,Kuni Shimizu. Владелец: DRS Network and Imaging Systems LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Wafer level burn-in and test thermal chuck and method

Номер патента: US6140616A. Автор: John W. Andberg. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Non-contact wafer-level burn-in comprising a wireless power transfer component

Номер патента: US11721949B1. Автор: Chien-Yao Lu. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-08-08.

Black curable composition for wafer-level lens, and wafer-level lens

Номер патента: EP2526447A1. Автор: Yoshiharu Yabuki,Yushi Kaneko,Masaru Yoshikawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-11-28.

Photopatternable Silicones For Wafer Level Z-Axis Thermal Interposer

Номер патента: US20170200667A1. Автор: Craig R. YEAKLE,Herman Meynen,Ranjith Samuel JOHN. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Black curable composition for wafer-level lens, and wafer-level lens

Номер патента: TW201131297A. Автор: Yoshiharu Yabuki,Yushi Kaneko,Masaru Yoshikawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-09-16.

Photopatternable silicones for wafer level z-axis thermal interposer

Номер патента: EP3158582A1. Автор: Craig Yeakle,Herman Meynen,Ranjith Samuel JOHN. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Curable composition for wafer level lens, method for producing wafer level lens, wafer level lens, and optical apparatus

Номер патента: JP6170951B2. Автор: 武藤川,恭平石田. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2017-07-26.

Curable composition for wafer level lens, method for producing wafer level lens, wafer level lens, and optical apparatus

Номер патента: JP6612942B2. Автор: 武藤川,隆司久保. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2019-11-27.

Curable composition for wafer level lens, manufacturing method for wafer level lens, wafer level lens, and optical device

Номер патента: KR102131193B1. Автор: 다카시 구보,다케시 후지카와. Владелец: 주식회사 다이셀. Дата публикации: 2020-07-07.

Curable composition for wafer level lenses, method for producing wafer level lens, wafer level lens, and optical device

Номер патента: WO2014119424A1. Автор: 藤川武,石田恭平. Владелец: 株式会社ダイセル. Дата публикации: 2014-08-07.

Curable composition for wafer level lens, method for producing wafer level lens, wafer level lens, and optical apparatus

Номер патента: JPWO2014129342A1. Автор: 武藤川,隆司久保. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Photomask for manufacturing capping wafer for wafer level package and method of manufacturing capping wafer for wafer level package using the same

Номер патента: KR101439082B1. Автор: 송명호,황욱중. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2014-09-12.

Molded glass lid for wafer level packaging of opto-electronic assemblies

Номер патента: EP2769253A1. Автор: Kishor Desai,Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,Soham Pathak,Bipin Dama,Ravinder Kachru. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-27.

Lens Plate For Wafer-Level Camera And Method Of Manufacturing Same

Номер патента: US20130271826A1. Автор: Leah Widmer. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Black curable composition for wafer - level lens, and wafer - level lens

Номер патента: US20120262793A1. Автор: Yoshiharu Yabuki,Yushi Kaneko,Masaru Yoshikawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Black curable composition for wafer-level lens, and wafer-level lens

Номер патента: CN102667531B. Автор: 吉川将,矢吹嘉治,金子祐士. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-03-04.

Spacer Wafer For Wafer-Level Camera And Method For Manufacturing Same

Номер патента: US20170168270A1. Автор: Barnes George,Rauker Goran. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Molded Glass Lid For Wafer Level Packaging Of Opto-Electronic Assemblies

Номер патента: US20130101250A1. Автор: Desai Kishor,Shastri Kalpendu,Patel Vipulkumar,Pathak Soham,Dama Bipin,Kachru Ravinder. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

Lens Plate For Wafer-Level Camera And Method Of Manufacturing Same

Номер патента: US20130271826A1. Автор: Leah Widmer. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Lens Plate For Wafer-Level Camera And Method Of Manufacturing Same

Номер патента: US20150014875A1. Автор: Widmer Leah. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Systems and Methods for Wafer-Level Photonic Testing

Номер патента: US20210124107A1. Автор: Meade Roy Edward,Wright Alexandra,Sedgwick Forrest,KHILO Anatol. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

SILICON PHOTONICS COLLIMATOR FOR WAFER LEVEL ASSEMBLY

Номер патента: US20220283352A1. Автор: Badihi Avner,Lysdal Henning. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

Photopatternable Silicones For Wafer Level Z-Axis Thermal Interposer

Номер патента: US20170200667A1. Автор: Yeakle Craig R.,JOHN RANJITH SAMUEL,MEYNEN HERMAN. Владелец: Dow Corning Corporation. Дата публикации: 2017-07-13.

Molded glass lid for wafer level packaging of opto-electronic assemblies

Номер патента: US20150277068A1. Автор: Kishor Desai,Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,Soham Pathak,Bipin Dama,Ravinder Kachru. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Lense module and manufacturing apparatus for wafer level lense module

Номер патента: KR101155988B1. Автор: 어지호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-07-03.

Method and apparatus for wafer-level measurement of volume holographic gratings

Номер патента: US7359046B1. Автор: Gregory J. Steckman,Frank Havermeyer,Lawrence Pokwah Ho. Владелец: Ondax Inc. Дата публикации: 2008-04-15.

Molded glass lid for wafer level packaging of opto-electronic assemblies

Номер патента: WO2013059731A1. Автор: Kishor Desai,Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,Soham Pathak,Bipin Dama,Ravinder Kachru. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-04-25.

Reinforcement structure for wafer-level camera module

Номер патента: CN102298247A. Автор: 林蔚峰,何文仁,李基魁,蔡陈纬. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2011-12-28.

High-density power supply device for wafer-level processor

Номер патента: CN114980504B. Автор: 张坤,李顺斌,邓庆文,胡守雷. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2022-11-08.

Systems and methods for wafer-level testing of transmitter-receiver links

Номер патента: US11463173B1. Автор: Dawei Zheng,Tongqing Wang,Xingyu Zhang,Zhoufeng Ying. Владелец: Alpine Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2022-10-04.

Exposure mask for wafer level package and method for manufacturing package by using the same

Номер патента: KR101254153B1. Автор: 이지훈,이정석,김도형,박노선,임호정,소광섭. Владелец: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사. Дата публикации: 2013-04-18.

Lens plate for wafer-level camera and method of manufacturing same

Номер патента: AU2013202052A1. Автор: Leah Widmer. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor integrated circuit device with built-in test circuit for applying stress to timing generator in burn-in test

Номер патента: KR19990078115A. Автор: 하라구찌요시노리. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-10-25.

Semiconductor integrated circuit device equipped with power make-up circuit used in burn-in test after packaging and method for testing the same

Номер патента: KR100348837B1. Автор: 다마끼사또시. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-08-17.

Test circuit for a semiconductor memory device and method for burn-in test

Номер патента: US6055199A. Автор: Takashi Kono,Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani,Kei Hamade. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Integrated circuit capable of being burn-in tested using an alternating current stress and a testing method using the same

Номер патента: US6490223B1. Автор: Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Sang-Jib Han,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-03.

Burn-in test input circuit of a semiconductor memory device and burn-in test method therefor

Номер патента: DE69326654D1. Автор: Yun-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-11.

Integrated circuit capable of being burn-in tested using an alternating current stress and a testing method using the same

Номер патента: US20030035333A1. Автор: Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Sang-Jib Han,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor integrated circuit device equipped with power make-up circuit used in burn-in test after packaging and method for testing the same

Номер патента: US20020027226A1. Автор: Satoshi Tamaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor memory device having improved wafer burn-in test scheme

Номер патента: TW419587B. Автор: Jong-Ryeul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-21.

DISC PLAYER AND BURN-IN TEST METHOD FOR DISC PLAYER

Номер патента: US20140169148A1. Автор: WANG YA-GUO,CHEN CHUN-CHING. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF WAFER BURN-IN TEST FOR THE SAME

Номер патента: US20150155054A1. Автор: LEE Hyun-Sung,PARK Kee-Teok. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-06-04.

method for controlling voltage generator for use in wafer burn-in test and voltage generator controlling circuit

Номер патента: KR100470997B1. Автор: 강상석,최종현,정용환,박충선,김형동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor memory device with an easy package level burn-in test

Номер патента: KR0182162B1. Автор: 윤순병. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

반도체 메모리의 번 인 테스트(Burn-In Test) 장치

Номер патента: KR940008674U. Автор: 최영근. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-04-21.

Burn-in test circuit

Номер патента: KR100302617B1. Автор: 전준현. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-01.

Burn-in test method

Номер патента: KR100464946B1. Автор: 이승현,정호돈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-05.

Semiconductor memory burn-in test circuit

Номер патента: JP3397850B2. Автор: チョイヨング−ケウン. Владелец: エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド. Дата публикации: 2003-04-21.

Driver circuit of burn-in test mode

Номер патента: KR0164802B1. Автор: 정민철,박희철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Burn-in test apparatus of semiconductor memory

Номер патента: KR960005387Y1. Автор: 최영근. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1996-06-28.

Semiconductor memory device with burn-in test function

Номер патента: KR100390146B1. Автор: 유제환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-07-04.

Semiconductor memory device capable of writing different data in cells connected to one word line at burn-in test

Номер патента: KR100771853B1. Автор: 신동학. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-11-01.

Burn-in test circuit and method for semiconductor memory device

Номер патента: JP3803145B2. Автор: 再九盧,秀仁趙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-02.

Burn-in enable circuit and burn-in test method of semiconductor memory device

Номер патента: KR950003014B1. Автор: 최윤호. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-03-29.

Method for setting up bit error rate criterion and method for burn-in test of hard disk drive

Номер патента: KR100833198B1. Автор: 이상협,이해중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-28.

Wafer Burn-in Test Circuit of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR970076892A. Автор: 노재구. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

Memory device having open bit line cell structure using burn-in testing scheme and method therefor

Номер патента: US7245542B2. Автор: Ki-Won Park,Byung-sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-17.

Oled panel burn-in test characteristics of luminescence detection method based on pixel brightness

Номер патента: CN110428762A. Автор: 洪志坤,张胜森,欧昌东,郑增强. Владелец: Wuhan Jingli Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-08.

Speedy burn-in test system of semiconductor memory device

Номер патента: KR102141800B1. Автор: 유호상,옥두환. Владелец: 주식회사 엑시콘. Дата публикации: 2020-08-06.

Precharge circuit for inducing sensing stress upon twist bit lines of memory, layout of the precharge circuit and wafer burn-in test method of the memory device

Номер патента: KR100630714B1. Автор: 최영주,김규홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-04.

The wafer burn-in test method of biasing the stress voltage on bit line

Номер патента: KR0157292B1. Автор: 전준영,정우표. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-18.

Semiconductor memory device having burn-in test mode

Номер патента: KR100900786B1. Автор: 허황. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor memory device and burn-in test method thereof

Номер патента: KR100827444B1. Автор: 손상기,임종형,김대선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-06.

Semiconductor memory with built-in burn-in test

Номер патента: DE69419951D1. Автор: Takashi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-16.

Apparatus and method for determining burn-in test progress status of hard disk drive

Номер патента: KR100505586B1. Автор: 조진원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-30.

High-temperature burn-in test method, control end, tool end and system for iMS-CPU board

Номер патента: CN112711502A. Автор: 张玉娟,张稳稳,周红阳,苏天放,吴玉洋,谷素琴,曹颖萍. Владелец: Shanghai Railway Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Semiconductor memory device facilitates package-level burn-in testing

Номер патента: KR980005040A. Автор: 윤순병. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Wafer burn-in test method

Номер патента: KR100224776B1. Автор: 조주환. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Semiconductor memory circuit having normal operation mode and burn-in test mode

Номер патента: US6735133B1. Автор: Yasuhiko Tsukikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Wafer burn-in test method applying stress voltage to bit line

Номер патента: KR970022353A. Автор: 전준영,정우표. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-28.

Microcomputer and burn-in test method thereof

Номер патента: JP3198997B2. Автор: 祐介時枝. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-13.

Semiconductor integrated circuit device having burn-in test capability and method for using the same

Номер патента: US5909142A. Автор: Junji Ogawa,Kenichi Kawasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-06-01.

Thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD) source driver for implementing a self burn-in test and a method thereof

Номер патента: US20050162374A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Kyung-Wol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-28.

Burn-in test circuit

Номер патента: JP4564148B2. Автор: チュンジュン−ヒュン. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-20.

A semiconductor memory device having a burn-in test function

Номер патента: KR19990014168A. Автор: 히로아끼 하시모또. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-02-25.

Method for performing a burn-in test

Номер патента: US7463548B2. Автор: Alan D. Norris,Samuel Weinstein,Stephan Wuensche. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-09.

Semiconductor memory device capable of writing different data in cells coupled to one word line during burn-in test

Номер патента: US7474573B2. Автор: Dong-Hak Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-06.

Semiconductor memory device with circuit executing burn-in testing

Номер патента: US6704231B1. Автор: Fukashi Morishita,Mitsuya Kinoshita. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-09.

Wafer burn in test control citcuit

Номер патента: KR100904465B1. Автор: 한희현,김지열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-24.

Semiconductor memory with built-in burn-in test

Номер патента: EP0615253A2. Автор: Takashi C/O Intellectual Property Div. Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-09-14.

Wafer burn-in test circuit

Номер патента: KR100845810B1. Автор: 안선모,김육희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-14.

Method and apparatus for controlling a high voltage generator in a wafer burn-in test

Номер патента: US20060114731A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Choong-Sun Park,Hyung-Dong Kim,Yong-Hwan Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor memory and burn-in test method of semiconductor memory

Номер патента: KR100750576B1. Автор: 노부미 고다마,요시아키 오쿠야마,신야 후지오카,야스히로 다카다,다쓰히로 와타나베. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-08-21.

Burn-in test method for yield improvement in hard disk drive

Номер патента: KR980004779A. Автор: 조진원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Semiconductor memory device having wafer burn-in test mode

Номер патента: US7660174B2. Автор: Hi-Hyun Han,Jee-Yul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor memory device having function of burn-in test thereof

Номер патента: KR100494437B1. Автор: 김남종,이규찬. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-06-13.

The method and apparatus that a kind of pair of encryption currency arithmetic facility carries out burn-in test

Номер патента: CN108874599A. Автор: 张楠赓,赵建雄. Владелец: Hangzhou Canaan Creative Information Technology Ltd. Дата публикации: 2018-11-23.

Semiconductor memory device with improved wafer burn-in test scheme

Номер патента: KR100281900B1. Автор: 김종열. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-02-15.

TFT-LCD source driver implementing self burn-in test

Номер патента: KR100525000B1. Автор: 전용원,김경월. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-31.

Probe Head-Cover Applicator and Method Thereof

Номер патента: US20230070576A1. Автор: Glade H. Howell. Владелец: Bard Access Systems Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Probe head-cover applicator and method thereof

Номер патента: US11759170B2. Автор: Glade H. Howell. Владелец: Bard Access Systems Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for wafer-level semiconductor die attachment

Номер патента: WO2019073304A1. Автор: Yee Loy Lam. Владелец: Denselight Semiconductors Pte. Ltd.. Дата публикации: 2019-04-18.

Enhanced board level reliability for wafer level packages

Номер патента: US20150255413A1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Peter R. Harper,Martin Mason. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Probe Head-Cover Applicator and Method Thereof

Номер патента: US20210059639A1. Автор: Glade H. Howell. Владелец: Bard Access Systems Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Environmental protection for wafer level and package level applications

Номер патента: US10832984B2. Автор: Christo Bojkov,Robert Charles DRY,Andrew Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

COLOR CORRECTION FOR WAFER LEVEL WHITE LEDs

Номер патента: US20110121344A1. Автор: Matthew Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Method and System for Wafer-Level Planarization of a Die-to-Wafer System

Номер патента: US20110201209A1. Автор: Gregory Smith,Larry Smith,Sharath Hosali. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Method and structure for wafer level packaging with large contact area

Номер патента: US20160064251A1. Автор: Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Light emitting diode and wafer level package method, wafer level bonding method thereof, and circuit structure for wafer level package

Номер патента: US20080099771A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chin-Fu Ku,Charng-Shyang Jong,Ming-Sen Hsu,Deng-Huei Hwang. Владелец: SILICON BASE DEVELOPMENT Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Die preparation for wafer-level chip scale package (WLCSP)

Номер патента: US8895363B2. Автор: Guido Albermann,Sascha Moeller,Hartmut BUENNING,Thomas Rohleder,Michael Zernack. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-11-25.

Housing for wafer-level camera module

Номер патента: US20140078387A1. Автор: Wei Yuan,Ye Tao,BO Jiang. Владелец: Omnivision Technologies Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Die Preparation for Wafer-Level Chip Scale Package (WLCSP)

Номер патента: US20140264768A1. Автор: Guido Albermann,Sascha Moeller,Hartmut BUENNING,Thomas Rohleder,Michael Zernack. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for applying a final metal layer for wafer level packaging and associated device

Номер патента: US20130328203A1. Автор: Guy F. Burgess,Anthony P. Curtis,Douglas M. Scott,Shannon D. Buzard. Владелец: Flipchip International LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

Wafer edge deposition for wafer level packaging

Номер патента: US20230317445A1. Автор: Jack Chen,Xuefeng Hua,Ian Scot Latchford,Chia-Shin Lin,Chanthavisa Keovisai. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Color correction for wafer level white leds

Номер патента: EP2377170A2. Автор: Matthew Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-10-19.

Method for wafer level packaging of integrated circuit dies, composite wafers obtained using the method and wafer level package

Номер патента: JP4977388B2. Автор: チャオヤン. Владелец: Memsic Inc. Дата публикации: 2012-07-18.

Methods and Apparatus of Guard Rings for Wafer-Level-Packaging

Номер патента: US20130241049A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for applying a final metal layer for wafer level packaging and associated device

Номер патента: EP2878010A1. Автор: Guy F. Burgess,Anthony P. Curtis,Douglas M. Scott,Shannon D. Buzard. Владелец: Flipchip International LLC. Дата публикации: 2015-06-03.

Inductor design on floating ubm balls for wafer level package (wlp)

Номер патента: WO2015123321A1. Автор: Aristotele Hadjichristos,Young Kyu Song,Xiaonan Zhang,Yunseo Park,Ryan David Lane. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-20.

Inductor design on floating ubm balls for wafer level package (wlp)

Номер патента: EP3105788A1. Автор: Aristotele Hadjichristos,Young Kyu Song,Xiaonan Zhang,Yunseo Park,Ryan David Lane. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-21.

Environmental protection for wafer level and package level applications

Номер патента: US20180122716A1. Автор: Christo Bojkov,Robert Charles DRY,Andrew Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Method of fabricating carrier for wafer level package by using lead frame

Номер патента: US20210098268A1. Автор: Sung Il Kang,In Seob BAE,Dong Young PYEON,Jong Hoe KU. Владелец: Haesung DS Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for applying a final metal layer for wafer level packaging and associated device

Номер патента: US20150270223A1. Автор: Guy F. Burgess,Anthony P. Curtis,Douglas M. Scott,Shannon D. Buzard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-24.

Environmental protection for wafer level and package level applications

Номер патента: US20200152533A1. Автор: Christo Bojkov,Robert Charles DRY,Andrew Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Dicing method for wafer-level packaging and semiconductor chip with dicing structure adapted for wafer-level packaging

Номер патента: US20170200647A1. Автор: Bernhard Stering. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-07-13.

Dicing method for wafer-level packaging and semiconductor chip with dicing structure adapted for wafer-level packaging

Номер патента: EP2950338A1. Автор: Bernhard Stering. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2015-12-02.

Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers

Номер патента: US20050253213A1. Автор: Tongbi Jiang,J. Brooks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-17.

Resin composition for wafer level optical semiconductor device and wafer level optical semiconductor device using the same

Номер патента: CN111574838B. Автор: 小内谕,小材利之,佐藤一安,小川敬典. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Wafer level image sensor module for wafer level packaging and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100881139B1. Автор: 임창현,김현호,정원규,양징리,김대준,임순규. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2009-02-02.

UBM Structures for Wafer Level Chip Scale Packaging

Номер патента: US20140170850A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor die structures for wafer-level chipscale packaging of power devices, packages and systems for using the same, and methods of making the same

Номер патента: WO2010059333A2. Автор: James J. Murphy,Mark Larsen,Chung-Lin Wu,Suku Kim,Ihsiu Ho,Michael D. Gruenhagen,Eddy Tjhia,Rohit Dikshit. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2010-05-27.

Manufacturing tool for wafer level package and method of placing dice

Номер патента: SG129292A1. Автор: Wen-Kun Yang,Wen-Pin Yang,Shih-Li Chen. Владелец: Advanced Chip Eng Tech Inc. Дата публикации: 2007-02-26.

System for wafer-level phosphor deposition

Номер патента: TW201250792A. Автор: Tao Xu. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2012-12-16.

Method and system for wafer level singulation

Номер патента: US9502294B2. Автор: Seshadri Ramaswami,Michael R. Rice,Klaus Schuegraf,Mohsen S. Salek,Claes H. Bjorkman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods relating to the reconstruction of semiconductor wafers for wafer-level processing

Номер патента: US7071012B2. Автор: Wuu Yean Tay,Yong Kian Tan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-07-04.

Molding Structure for Wafer Level Package

Номер патента: US20180190555A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Chih-Fan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Various structure/height bumps for wafer level-chip scale package

Номер патента: TW200525670A. Автор: Ng Han-Shen Ch,Eng Han Matthew Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2005-08-01.

Various structure/height bumps for wafer level-chip scale package

Номер патента: EP1704594A1. Автор: Han Shen Ch'ng,Eng Han Matthew Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2006-09-27.

Copper post structure for wafer level chip scale package

Номер патента: US20150228597A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chao-Wen Shih,Chen-Chih Hsieh,Yung-Ping Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

A patterned pad to create a virtual solder mask for wafer-level chip-scale packages

Номер патента: TW201614746A. Автор: Bora Baloglu,Christopher J Berry,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-16.

Bomping process for wafer level package

Номер патента: TW200419759A. Автор: Chian-Chi Lin,Chih-Huang Chang,Hsin-Fu Chuang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2004-10-01.

Method of increasing embedded 3d metal-insulator-metal (mim) capacitor capacitance density for wafer level packaging

Номер патента: WO2019032789A1. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Yu Gu,Peng Suo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-02-14.

Process for wafer level chip scale package

Номер патента: TW501245B. Автор: Yan-Ming Chen,Kai-Ming Ching,Jau-Yuan Su,Jia-Fu Lin,Shin-Huei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-09-01.

Bumping process for wafer level package

Номер патента: TWI225698B. Автор: Chian-Chi Lin,Chih-Huang Chang,Hsin-Fu Chuang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2004-12-21.

Method and apparatus for wafer-level solder hermetic seal encapsulation of mems devices

Номер патента: EP2780278A1. Автор: John H. Hong,Chong U. Lee,Tallis Y. Chang,Yaoling Pan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-24.

Sheet molding process for wafer level packaging

Номер патента: WO2018004897A1. Автор: YenHao Benjamin CHEN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Sacrificial Separators for Wafer Level Encapsulating

Номер патента: US20200111683A1. Автор: John F. Kaeding. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Ultrasound transducer and method for wafer level back face attachment

Номер патента: US20180175278A1. Автор: Flavien Daloz,Jason Barrett,Edouard Da Cruz,Jean Pierre Malacrida. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for wafer level chip scale package

Номер патента: TW543126B. Автор: Chu-Wei Hu,Yu-Lung Yeh,Chu-Sheng Lee,Sheng-Hung Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-07-21.

METHOD OF STRESS RELIEF IN ANTI-REFLECTIVE COATED CAP WAFERS FOR WAFER LEVEL PACKAGED INFRARED FOCAL PLANE ARRAYS

Номер патента: US20140053966A1. Автор: Black Stephen H.,Gooch Roland W.,Kocian Thomas A.,Diep Buu Q.,Kennedy Adam M.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2014-02-27.

HYBRID GLASS CORE FOR WAFER LEVEL AND PANEL LEVEL PACKAGING APPLICATIONS

Номер патента: US20210050289A1. Автор: Duan Gang,PIETAMBARAM Srinivas,KONG Jieying. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

ENVIRONMENTAL PROTECTION FOR WAFER LEVEL AND PACKAGE LEVEL APPLICATIONS

Номер патента: US20180122716A1. Автор: Bojkov Christo,Dry Robert Charles,Ketterson Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

ENVIRONMENTAL PROTECTION FOR WAFER LEVEL AND PACKAGE LEVEL APPLICATIONS

Номер патента: US20200152533A1. Автор: Bojkov Christo,Dry Robert Charles,Ketterson Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

ENHANCED BOARD LEVEL RELIABILITY FOR WAFER LEVEL PACKAGES

Номер патента: US20150255413A1. Автор: Samoilov Arkadii V.,Harper Peter R.,Mason Martin. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Method of stress relief in anti-reflective coated cap wafers for wafer level packaged infrared focal plane arrays

Номер патента: US20160340179A1. Автор: Roland W. Gooch,Buu Q. Diep,Adam M. Kennedy,Stephen H. Black,Thomas A. Kocian. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for forming thin wafer stack for wafer level package

Номер патента: KR100618837B1. Автор: 황현,정기권. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-01.

Method for wafer-level conditioning of protection circuits for electronic devices and wafer for facilitating said method

Номер патента: CN115004367A. Автор: 盛健健. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-02.

Method of forming a permanent carrier and spacer wafer for wafer level optics and associated structure

Номер патента: US7888758B2. Автор: Rickie C. Lake. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Wafer aligning method for wafer-level testing of image sensor

Номер патента: CN103700602A. Автор: 李文强,赵立新,熊望明. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2014-04-02.

Interconnect Structures for Wafer Level Package and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170243800A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Tin-Hao Kuo,Guan-Yu Chen,Wei Sen CHANG,Tsung-Hsien Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Compliant spring interposer for wafer level three dimensional (3d) integration and method of manufacturing

Номер патента: US20120193776A1. Автор: Koji Shiozaki,Sang Won Yoon. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

System and Method for Wafer Level Packaging

Номер патента: US20130015467A1. Автор: Gerhard Lohninger,Ulrich Krumbein,Alfons Dehe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-01-17.

Method and system for wafer level singulation

Номер патента: US20130045570A1. Автор: Seshadri Ramaswami,Michael R. Rice,Klaus Schuegraf,Mohsen S. Salek,Claes H. Bjorkman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-02-21.

UBM Structures for Wafer Level Chip Scale Packaging

Номер патента: US20130140706A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Method for Wafer-Level Surface Micromachining to Reduce Stiction

Номер патента: US20130157005A1. Автор: Fang Liu,Kuang Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

TECHNIQUES FOR WAFER-LEVEL PROCESSING OF QFN PACKAGES

Номер патента: US20130161817A1. Автор: Khandekar Viren,Thambidurai Karthik,Ashrafzadeh Ahmad,Kelkar Amit,Nguyen Hien D.. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2013-06-27.

System for Wafer-Level Phosphor Deposition

Номер патента: US20130273676A1. Автор: Tao Xu. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

INTEGRATED GETTER AREA FOR WAFER LEVEL ENCAPSULATED MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS

Номер патента: US20130285162A1. Автор: Partridge Aaron,Lutz Markus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-10-31.

PASSIVATION FOR WAFER LEVEL - CHIP-SCALE PACKAGE DEVICES

Номер патента: US20130292837A1. Автор: Pfennigstorf Olaf,Schnitt Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

METHOD FOR APPLYING A FINAL METAL LAYER FOR WAFER LEVEL PACKAGING AND ASSOCIATED DEVICE

Номер патента: US20130328203A1. Автор: Burgess Guy F.,Buzard Shannon D.,Curtis Anthony P.,Scott Douglas M.. Владелец: FLIPCHIP INTERNATIONAL, LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

Plating Structure For Wafer Level Packages

Номер патента: US20140070408A1. Автор: So Kwang Sup,Park No Sun. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-13.

HOUSING FOR WAFER-LEVEL CAMERA MODULE

Номер патента: US20140078387A1. Автор: Yuan Wei,Tao Ye,JIANG Bo. Владелец: OmniVision Technologies (Shanghai) Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-03-20.

METHOD AND APPARATUS FOR WAFER LEVEL PACKAGING

Номер патента: US20190006223A1. Автор: Gu Yu,SEE Guan Huei,SUNDARRAJAN Arvind. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Self-alignment Structure for Wafer Level Chip Scale Package

Номер патента: US20150014846A1. Автор: Chen Hsien-Wei,LAI YU-CHIA,Shao Tung-Liang,Yang Ching-Jung,Huang Chang-Pin,Tu Hsien-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

METHOD AND STRUCTURE FOR WAFER LEVEL PACKAGING WITH LARGE CONTACT AREA

Номер патента: US20170025356A1. Автор: Xue Yan Xun. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2017-01-26.

TECHNIQUE FOR WAFER-LEVEL PROCESSING OF QFN PACKAGES

Номер патента: US20150028475A1. Автор: Khandekar Viren,Thambidurai Karthik,Ashrafzadeh Ahmad,Nguyen Hien D.,Kelkar Amit S.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

Copper Post Structure for Wafer Level Chip Scale Package

Номер патента: US20150035139A1. Автор: Tsai Hao-Yi,Shih Chao-Wen,HSIEH CHEN-CHIH,Chiang Yung-Ping. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-02-05.

Interconnect Structures for Wafer Level Package and Methods of Forming Same

Номер патента: US20160056056A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Meng-Tse Chen,Hui-min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

INTERCONNECT STRUCTURES FOR WAFER LEVEL PACKAGE AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20160056126A1. Автор: Liu Chung-Shi,Yu Chen-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

METHOD OF INCREASING EMBEDDED 3D METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR CAPACITANCE DENSITY FOR WAFER LEVEL PACKAGING

Номер патента: US20190051596A1. Автор: Gu Yu,SEE Guan Huei,Suo Peng,Sundarajan Arvind. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

Solder fatigue arrest for wafer level package

Номер патента: US20140131859A1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Tiao Zhou,Yong Li Xu,Viren Khandekar,Xiansong Chen,Kaysar M. Rahim,Yi-Sheng Anthony SUN. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

METHOD FOR WAFER LEVEL PACKAGING AND A PACKAGE STRUCTURE THEREOF

Номер патента: US20150061121A1. Автор: LIAO TSUNG JEN. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2015-03-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR WAFER LEVEL PACKAGING WITH LARGE CONTACT AREA

Номер патента: US20160064251A1. Автор: Xue Yan Xun. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2016-03-03.

ABLATION METHOD AND RECIPE FOR WAFER LEVEL UNDERFILL MATERIAL PATTERNING AND REMOVAL

Номер патента: US20150072479A1. Автор: Prack Edward R.,OSBORN Tyler N.,Dias Rajendra C.,EITAN Amram,Skoglund Lars D.,FARUQUI DANISH,GOSSELIN Timothy A.,Indluru Anil R.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

UBM Structures for Wafer Level Chip Scale Packaging

Номер патента: US20140170850A1. Автор: CHEN Ying-Ju,Chen Hsien-Wei,YU Tsung-Yuan,LIANG Shih-Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-19.

GETTER STRUCTURE FOR WAFER LEVEL VACUUM PACKAGED DEVICE

Номер патента: US20140175590A1. Автор: Diep Buu,Black Stephen H.,Kennedy Adam M.,Gooch Roland,Kocian Thomas Allan. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of fabricating carrier for wafer level package by using lead frame

MICROELECTRONIC PACKAGE FOR WAFER-LEVEL CHIP SCALE PACKAGING WITH FAN-OUT

Номер патента: US20190096861A1. Автор: Katkar Rajesh,PRABHU Ashok S.. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-28.

Final passivation for wafer level warpage and ulk stress reduction

Номер патента: US20180108626A1. Автор: Krishna R. Tunga,Ekta Misra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

INTEGRATED BONDLINE SPACERS FOR WAFER LEVEL PACKAGED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20140193948A1. Автор: Diep Buu,Black Stephen H.,Kennedy Adam M.,Gooch Roland,Kocian Thomas Allan. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2014-07-10.

Interconnect Structure for Wafer Level Package

Номер патента: US20160118272A1. Автор: Yu Chen-Hua,Hung Jui-Pin,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,LIU Nai-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

METHOD AND SYSTEM FOR WAFER LEVEL SINGULATION

Номер патента: US20140196850A1. Автор: SCHUEGRAF Klaus,Ramaswami Seshadri,RICE MICHAEL R.,Salek Mohsen S.,Bjorkman Claes H.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-07-17.

TREATMENT METHOD OF ELECTRODEPOSITED COPPER FOR WAFER-LEVEL-PACKAGING PROCESS FLOW

Номер патента: US20140197037A1. Автор: Porter David,Mayer Steven T.,Buckalew Bryan L.,Ponnuswamy Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

ULTRASOUND TRANSDUCER AND METHOD FOR WAFER LEVEL BACK FACE ATTACHMENT

Номер патента: US20200107814A1. Автор: Daloz Flavien,Da Cruz Edouard,Malacrida Jean Pierre,Barrett Jason. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Microelectronic Package for Wafer-Level Chip Scale Packaging with Fan-Out

Номер патента: US20170117260A1. Автор: Katkar Rajesh,PRABHU Ashok S.. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2017-04-27.

METHODS AND STRUCTURES FOR WAFER-LEVEL SYSTEM IN PACKAGE

Номер патента: US20190115314A1. Автор: LIU Mengbin. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

Sacrificial Separators for Wafer Level Encapsulating

Номер патента: US20200111683A1. Автор: Kaeding John F.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

APPARATUS AND METHOD FOR WAFER LEVEL BONDING

Номер патента: US20170140955A1. Автор: Chao Lan-Lin,Tu Yeur-Luen,Liu Ping-Yin,Huang Xin-Hua,Lee Ru-Liang,Chu Yen-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Methods and Apparatus of Guard Rings for Wafer-Level-Packaging

Номер патента: US20170141051A1. Автор: Chen Hsien-Wei,YU Tsung-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Antenna assembly for wafer level packaging

Номер патента: US20170154859A1. Автор: Jinbang Tang,Weng Foong Yap. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

Method and structure for wafer level packaging with large contact area

Номер патента: US20150162257A1. Автор: Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-06-11.

Molding Structure for Wafer Level Package

Номер патента: US20150170937A1. Автор: Cheng Ming-Da,Lin Chih-Wei,Liu Chung-Shi,Yu Chen-Hua,Lin Wei-Hung,Huang Chih-Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-18.

Molding Structure for Wafer Level Package

Номер патента: US20150171055A1. Автор: Cheng Ming-Da,Liu Chung-Shi,Yu Chen-Hua,Lin Wei-Hung,Huang Hui-Min,Huang Chih-Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-18.

METHOD AND STRUCTURE FOR WAFER-LEVEL PACKAGING

Номер патента: US20160172263A1. Автор: Shi Jiangen. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

METHOD AND STRUCTURE FOR WAFER-LEVEL PACKAGING

Номер патента: US20160172321A1. Автор: Gao Guohua. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Interconnect Structures for Wafer Level Package and Methods of Forming Same

Номер патента: US20160172329A1. Автор: Yu Chen-Hua,Chang Chih-Hao,Tsai Hao-Yi,Chen Guan-Yu,Kuo Tin-Hao,Chiang Tsung-Hsien,Chang Wei Sen. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Methods and Apparatus for Wafer Level Packaging

Номер патента: US20140252558A1. Автор: Lu Wen-Hsiung,Chen Hsien-Wei,YU Tsung-Yuan,Lin Hung-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

Pad defined contact for wafer level package

Номер патента: US20140252592A1. Автор: Tiao Zhou,Ricky Agrawal,Abhishek Choudhury. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Methods and Apparatus for Wafer Level Packaging

Номер патента: US20150179522A1. Автор: Lu Wen-Hsiung,Chen Hsien-Wei,YU Tsung-Yuan,Lin Hung-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

ULTRASOUND TRANSDUCER AND METHOD FOR WAFER LEVEL FRONT FACE ATTACHMENT

Номер патента: US20180169701A1. Автор: Daloz Flavien,Menage Philippe,Da Cruz Edouard,Malacrida Jean Pierre,Stallone Giandonato,Cuminatto Coraly. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

METHODS AND APPARATUS FOR WAFER-LEVEL PACKAGING USING DIRECT WRITING

Номер патента: US20210202334A1. Автор: Park Jungrae,Lei Wei-Sheng,LIANTO Prayudi,SEE Guan Huei,SUNDARRAJAN Arvind,Suo Peng,LAM LIT PING,ONG PANGYEN,KOENTJORO OLIVIA. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Die Preparation for Wafer-Level Chip Scale Package (WLCSP)

Номер патента: US20140264768A1. Автор: Albermann Guido,Moeller Sascha,Rohleder Thomas,Buenning Hartmut,Zernack Michael. Владелец: NXP B. V.. Дата публикации: 2014-09-18.

Ultrasound transducer and method for wafer level back face attachment

ULTRASOUND TRANSDUCER AND METHOD FOR WAFER LEVEL FRONT FACE ATTACHMENT

Номер патента: US20200171543A1. Автор: Daloz Flavien,Menage Philippe,Da Cruz Edouard,Malacrida Jean Pierre,Stallone Giandonato,Cuminatto Coraly. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

MULTI-LAYER REDISTRIBUTION LAYER FOR WAFER-LEVEL PACKAGING

Номер патента: US20180182726A1. Автор: Wagner Thomas. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2018-06-28.

Interposer And Chip-Scale Packaging For Wafer-Level Camera

Номер патента: US20190181179A1. Автор: QIN Yi,Chen Teng-Sheng,Chang Chia-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

METHOD AND STRUCTURE FOR WAFER-LEVEL PACKAGING

Номер патента: US20170186717A1. Автор: Gao Guohua. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Molding Structure for Wafer Level Package

Номер патента: US20180190555A1. Автор: Cheng Ming-Da,Lin Chih-Wei,Liu Chung-Shi,Yu Chen-Hua,Lin Wei-Hung,Huang Chih-Fan. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

PRESSURE SENSOR STRUCTURE CONFIGURED FOR WAFER-LEVEL CALIBRATION

Номер патента: US20190194014A1. Автор: Czarnocki Wlodzimierz. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

METHOD FOR WAFER-LEVEL MANUFACTURING OF OBJECTS AND CORRESPONDING SEMI-FINISHED PRODUCTS

Номер патента: US20140295122A1. Автор: Rudmann Hartmut,Rossi Markus,Riel Peter. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

CAP STRUCTURE FOR WAFER LEVEL PACKAGE

Номер патента: US20170207766A1. Автор: Stokes Paul,Potdar Vishwavasu. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

FABRICATING METHOD FOR WAFER-LEVEL PACKAGING

Номер патента: US20170213810A1. Автор: Ding Wanchun. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

METHOD AND STRUCTURE FOR WAFER LEVEL PACKAGING WITH LARGE CONTACT AREA

Номер патента: US20180211916A1. Автор: Xue Yan Xun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

COPPER POST STRUCTURE FOR WAFER LEVEL CHIP SCALE PACKAGE

Номер патента: US20150228597A1. Автор: Tsai Hao-Yi,Shih Chao-Wen,HSIEH CHEN-CHIH,Chiang Yung-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Self-alignment structure for wafer level chip scale package

Номер патента: US20150228599A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Ching-Jung Yang,Tung-Liang Shao,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Inductor design on floating ubm balls for wafer level package (wlp)

Номер патента: US20150228707A1. Автор: Aristotele Hadjichristos,Young Kyu Song,Xiaonan Zhang,Yunseo Park,Ryan David Lane. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

SEAL RING FOR WAFER LEVEL PACKAGE

Номер патента: US20180233462A1. Автор: Gao Shan,TAN Juan Boon,GONG Shunqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

ELECTROPLATING APPARATUS AND PROCESS FOR WAFER LEVEL PACKAGING

Номер патента: US20180237933A1. Автор: PORTER David W.,Mayer Steven T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

PARTIAL SPACERS FOR WAFER-LEVEL FABRICATED MODULES

Номер патента: US20160247976A1. Автор: Rudmann Hartmut,Gubser Simon,Westenhöfer Susanne. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Interconnect Structures for Wafer Level Package and Methods of Forming Same

Interconnect Structure for Wafer Level Package

Номер патента: US20140339696A1. Автор: Yu Chen-Hua,Hung Jui-Pin,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,LIU Nai-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Integrated bondline spacers for wafer level packaged circuit devices

Номер патента: US20140346643A1. Автор: Adam M. Kennedy,Stephen H. Black,Thomas Allan KOCIAN,Roland Gooch,Buu Diep. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2014-11-27.

STRUCTURE AND METHOD TO MITIGATE SOLDERING OFFSET FOR WAFER-LEVEL CHIP SCALE PACKAGE (WLCSP) APPLICATIONS

Номер патента: US20160264402A1. Автор: Chang Allen Timothy,Huang Hsin-Ting,HUNG Chia-Ming,TAI Wen-Chuan,CHEN Hsiang-Fu,Yu Shao-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Method for applying a final metal layer for wafer level packaging and associated device

Molding Structure for Wafer Level Package

Номер патента: US20190259678A1. Автор: Cheng Ming-Da,Lin Chih-Wei,Liu Chung-Shi,Yu Chen-Hua,Lin Wei-Hung,Huang Chih-Fan. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

INTERCONNECT STRUCTURES FOR WAFER LEVEL PACKAGE AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20160284667A1. Автор: Liu Chung-Shi,Yu Chen-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

System for Wafer-Level Phosphor Deposition

Номер патента: US20140374758A1. Автор: Xu Tao. Владелец: Bridgelux, Inc.. Дата публикации: 2014-12-25.

High Efficiency Light Emitting Diode Package Suitable for Wafer Level Packaging

Номер патента: US20150303359A1. Автор: Liu Kai,Lin Chao-Kun. Владелец: TOSHIBA CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-22.

Interposer And Chip-Scale Packaging For Wafer-Level Camera

Номер патента: US20170294477A1. Автор: QIN Yi,Chen Teng-Sheng,Chang Chia-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Electroplating apparatus and process for wafer level packaging

Номер патента: US20160312373A1. Автор: Steven T. Mayer,David W. Porter. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Methods and Apparatus of Guard Rings for Wafer-Level-Packaging

Номер патента: US20150325533A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

SYSTEMS AND METHODS FOR WAFER-LEVEL MANUFACTURING OF DEVICES HAVING LAND GRID ARRAY INTERFACES

Номер патента: US20190304938A1. Автор: Hadizadeh Rameen. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Molding Structure for Wafer Level Package

Номер патента: US20160336247A1. Автор: Cheng Ming-Da,Lin Chih-Wei,Liu Chung-Shi,Yu Chen-Hua,Lin Wei-Hung,Huang Chih-Fan. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

CTE COMPENSATION FOR WAFER-LEVEL AND CHIP-SCALE PACKAGES AND ASSEMBLIES

Номер патента: US20170330836A1. Автор: Beroz Masud,Smith Timothy A.,Jordan Jared W.,Huettner Steven E.,Boryssenko Anatoliy O.,Caba Aaron C.,Vanhille Kenneth J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

HIGH ASPECT RATIO INTERCONNECT FOR WAFER LEVEL PACKAGE (WLP) AND INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGE

Номер патента: US20160343646A1. Автор: KESER Lizabeth Ann,ALVARADO Reynante Tamunan,Cui Tong. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Apparatus and Method for Wafer Level Bonding

Номер патента: US20150357226A1. Автор: Chao Lan-Lin,Tu Yeur-Luen,Liu Ping-Yin,Huang Xin-Hua,Lee Ru-Liang,Chu Yen-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

SHEET MOLDING PROCESS FOR WAFER LEVEL PACKAGING

Номер патента: US20170372998A1. Автор: Chen Yenhao Benjamin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Repassivation application for wafer-level chip-scale package

Номер патента: US20200388508A1. Автор: Makoto Shibuya,Yi Yan,Daiki Komatsu,Luu Thanh Nguyen,Hau Nguyen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Integrated bondline spacers for wafer level packaged circuit devices

Номер патента: CA2889975C. Автор: Adam M. Kennedy,Stephen H. Black,Thomas Allan KOCIAN,Roland Gooch,Buu Diep. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-01-04.

FABRICATING METHOD FOR WAFER LEVEL SEMICONDUCTOR PACKAGE DEVICE AND THE FABRICATED SEMICONDUCTOR PACKAGE DEVICE

Номер патента: US20220406620A1. Автор: Chang Chih-Hung,HO CHUNG-HSIUNG,LI CHI-HSUEH. Владелец: PANJIT INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2022-12-22.

Adhesive Tape for Wafer Level Back Side and Preparation Methods Thereof

Номер патента: KR101936873B1. Автор: 전성호,나병순. Владелец: (주)엠티아이. Дата публикации: 2019-01-11.

Manufacturing method for wafer level chip stack package

Номер патента: KR100570514B1. Автор: 이강욱,정세영,심성민,김순범,김웅광,송영희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device for wafer level stack and forming method of through electrode thereof

Номер патента: KR100843240B1. Автор: 이호진,최주일,이인영,정현수,황선관. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-07-03.

Treatment method of electrodeposited copper for wafer-level-packaging process flow

Номер патента: KR102343207B1. Автор: 스티븐 티. 메이어,토마스 폰누스와미,브라이언 엘. 부캘루,데이비드 포터. Владелец: 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for providing metal extension in backside illuminated sensor for wafer level testing

Номер патента: US7973380B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-07-05.

Method for providing metal extension in backside illuminated sensor for wafer level testing

Номер патента: US20070117253A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Electroplating apparatus and process for wafer level packaging

Номер патента: US9404194B2. Автор: Steven T. Mayer,David W. Porter. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Redistribution layer for wafer-level chip scale package and method therefor

Номер патента: CN101292335A. Автор: 迈克尔·C·洛. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-10-22.

Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out

Номер патента: US10181457B2. Автор: Rajesh Katkar,Ashok S. Prabhu. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2019-01-15.

Method for wafer level processing to reduce static friction and passivate microfabricated device surface and chip used therein

Номер патента: JP4593049B2. Автор: マーティン，ジョン，アール．. Владелец: アナログデバイシーズインコーポレイテッド. Дата публикации: 2010-12-08.

A kind of closed structure and its manufacture method for wafer-level packaging

Номер патента: CN105600738B. Автор: 贾斌,祝明国,胡念楚. Владелец: RDA MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CORP Ltd. Дата публикации: 2018-02-02.

Structure and method to mitigate soldering offset for wafer-level chip scale package (WLCSP) applications

Номер патента: US10131540B2. Автор: Hsin-Ting HUANG,Shao-Chi Yu,Chia-Ming Hung,Hsiang-Fu Chen,Allen Timothy Chang,Wen-Chuan Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Interconnection structure for wafer-level packaging part and forming method thereof

Номер патента: CN105390455B. Автор: 余振华,刘重希. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-20.

Encapsulation structure and encapsulation method for wafer-level die sizes

Номер патента: CN102280433A. Автор: 王蔚,王之奇,张坚,王宥军,俞国庆,杨红颖. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-14.

Microelectronic imagers with stacked lens assemblies and processes for wafer-level packaging of microelectronic imagers

Номер патента: US20090321861A1. Автор: Steven D. Oliver,Ulrich C. Boettiger,Rick C. Lake. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Planarization process method for wafer-level heterostructure

Номер патента: CN110625460B. Автор: 张洪涛,陈春明,金小锋,张姗,赵广宏,许姣,汪郁东,申占霞. Владелец: Beijing Research Institute of Telemetry. Дата публикации: 2021-04-13.

A thermal-cap for wafer level chip scale package and it's manufacturing method

Номер патента: KR100898404B1. Автор: 명윤경. Владелец: 주식회사 휘닉스아이씨피. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for manufacturing CSP for wafer level stack package

Номер патента: KR100618543B1. Автор: 이강욱,마금희,정세영,심성민,김순범,김웅광,송영희,오세용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-31.

Re-wiring manufacturing process for wafer-level chip

Номер патента: CN104167386B. Автор: 陈�胜,张志良,吕军,赖芳奇. Владелец: SUZHOU KEYANG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Compliant spring interposer for wafer level three dimensional (3D) integration and method of manufacturing

Номер патента: US8564117B2. Автор: Koji Shiozaki,Sang Won Yoon. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

Use of a heat-resistant adhesive sheet for wafer level package fabrication

Номер патента: EP2337065B1. Автор: Kazuyuki Kiuchi,Shinji Hoshino,Yuichiro Yanagi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-11-06.

Eutectic bonding material-series structure used for wafer-level encapsulation

Номер патента: CN103646882A. Автор: 焦斌斌. Владелец: JIANGSU AITEMAN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-19.

Airtight structure for wafer level encapsulation and manufacturing method thereof

Номер патента: CN105600738A. Автор: 贾斌,祝明国,胡念楚. Владелец: RDA MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CORP Ltd. Дата публикации: 2016-05-25.

Dual Curing Wet-Stage Underfill for Wafer Level

Номер патента: KR100932998B1. Автор: 마보단,레만선-희,통퀸케이.. Владелец: 내쇼날 스타치 앤드 케미칼 인베스트멘트 홀딩 코포레이션. Дата публикации: 2009-12-21.

Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters

Номер патента: EP1258990B1. Автор: Juha Ellä,Pasi Tikka,Jyrki Kaitila. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2007-11-21.

Enhanced Copper Posts for Wafer Level Chip Scale Packaging

Номер патента: US20110057313A1. Автор: Han-Ping Pu,Pei-Haw Tsao,Kuo-Chin Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Electroplating apparatus and process for wafer level packaging

Номер патента: KR101889557B1. Автор: 스티븐 티. 메이어,데이빗 더블유. 포터. Владелец: 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2018-08-17.

Methods and apparatus for wafer-level die bridge

Номер патента: US10651126B2. Автор: Arvind Sundarrajan,Chien-Kang Hsiung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-12.

Fabricating method for wafer level package

Номер патента: KR100855702B1. Автор: 김창한. Владелец: 엠텍비젼 주식회사. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for wafer level packaging of electronic devices

Номер патента: US8809116B2. Автор: Behnam Tabrizi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2014-08-19.

Method for wafer-level manufacturing of objects and corresponding semi-finished products

Номер патента: US10343899B2. Автор: Hartmut Rudmann,Markus Rossi,Peter Riel. Владелец: Ams Sensors Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Apparatus and method for wafer level fabrication of high value inductors on semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20110025443A1. Автор: Peter Johnson,Andrei Papou,Peter J. Hopper,Kyuwoon Hwang. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Method for wafer level package of sensor chip

Номер патента: US20070224728A1. Автор: Enboa Wu,Rou-Ching Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2007-09-27.

Carrying platform for wafer-level ball mounter

Номер патента: CN103794541A. Автор: 王鹤,谢旭波. Владелец: Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-14.

Highly Reliable Low Cost Structure for Wafer-Level Ball Grid Array Packaging

Номер патента: US20080265408A1. Автор: Matthew V. Kaufmann,Teck Yang Tan. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor structure and method for wafer level chip packaging

Номер патента: CN112106191A. Автор: I·W·兰穆图,M·K·贾因,T·S·保尔森. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-12-18.

Treatment method of electrodeposited copper for wafer-level-packaging process flow

Номер патента: KR20140093198A. Автор: 스티븐 티. 메이어,토마스 폰누스와미,브라이언 엘. 부캘루,데이비드 포터. Владелец: 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-07-25.

Interconnect structure for wafer level package

Номер патента: US8829676B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Nai-wei LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-09.

Solder fatigue arrest for wafer level package

Номер патента: US9583425B2. Автор: Arkadii V. Samoilov,Tiao Zhou,Yong Li Xu,Viren Khandekar,Xiansong Chen,Kaysar M. Rahim,Yi-Sheng Anthony SUN. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Molding structure for wafer level package

Номер патента: CN104733330A. Автор: 余振华,刘重希,郑明达,黄晖闵,林威宏,黄致凡. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-24.

Methods for wafer-level packaging of microelectronic devices and microelectronic devices formed by such methods

Номер патента: US7256074B2. Автор: James L. Voelz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-08-14.

Interconnect structure for wafer level package

Номер патента: US9230902B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Nai-wei LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-05.

Integrated bondline spacers for wafer level packaged circuit devices

Номер патента: CA2889975A1. Автор: Adam M. Kennedy,Stephen H. Black,Thomas Allan KOCIAN,Roland Gooch,Buu Diep. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2014-05-08.

High efficiency light emitting diode package suitable for wafer level packaging

Номер патента: US9318671B2. Автор: Kai Liu,Chao-Kun Lin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Microelectronic imagers with stacked lens assemblies and processess for wafer-level packaging of microelectronic imagers

Номер патента: WO2009158414A1. Автор: Rickie C. Lake,Steven D. Oliver,Ulrich C. Boettiger. Владелец: APTINA IMAGING CORPORATION. Дата публикации: 2009-12-30.

Method for wafer-level package

Номер патента: US7361284B2. Автор: Chih-Hsien Chen. Владелец: Touch Micro System Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-22.

A method for wafer level packaging and package structure thereof

Номер патента: TW201508864A. Автор: Tsung-Jen Liao. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2015-03-01.

Integrated bondline spacers for wafer level packaged circuit devices

Номер патента: EP2915190A2. Автор: Adam M. Kennedy,Stephen H. Black,Thomas Allan KOCIAN,Roland Gooch,Buu Diep. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2015-09-09.

Highly reliable low-cost structure for wafer-level ball grid array packaging

Номер патента: TWI394218B. Автор: V Kaufmann Matthew,Yang Tan Teck. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-21.

Spacers for packaged microelectronic imagers and methods of making and using spacers for wafer-level packaging of imagers

Номер патента: US7723741B2. Автор: David R. Hembree,Alan G. Wood,Warren M. Farnworth,Rickie C. Lake,James M. Wark. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2010-05-25.

Apparatus and method for wafer level fabrication of high value inductors on semiconductor integrated circuits

Номер патента: US7468899B1. Автор: Peter Smeys,Peter Johnson,Andrei Papou,Peter J. Hopper. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-12-23.

Techniques for wafer-level processing of QFN packages

Номер патента: US8860222B2. Автор: Ahmad Ashrafzadeh,Viren Khandekar,Amit Kelkar,Karthik Thambidurai,Hien D. Nguyen. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters

Номер патента: EP1258988B1. Автор: Juha Ellä,Pasi Tikka,Jyrki Kaitila. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2007-11-21.

Lock and key through-via method for wafer level 3 D integration and structures produced

Номер патента: US7855455B2. Автор: Sampath Purushothaman,Mary E. Rothwell,Roy RongQing Yu,Ghavam Ghavami Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Temperature maintenance System of Probe Card for Wafer Burn-In Test

Номер патента: KR100671485B1. Автор: 이승현,주홍철,이태교,이승국. Владелец: 주식회사 씨너텍. Дата публикации: 2007-01-19.

Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronic imagers

Номер патента: CN1985379B. Автор: 姜彤弻,J·M·布鲁克斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-05.

Electroplating apparatus and process for wafer level packaging

Номер патента: US10309024B2. Автор: Steven T. Mayer,David W. Porter. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Method and structure for wafer-level packaging

Номер патента: US9922950B2. Автор: Guohua Gao. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for wafer level chip scale packaging with passive components integrated into packaging structure

Номер патента: US7582511B2. Автор: Chen Hsiung Yang. Владелец: Touch Micro System Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

Method for wafer level stack die placement

Номер патента: US20060099735A1. Автор: Hui-Lung Chou. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Method for wafer level package and fabricating cap structures

Номер патента: TW200727371A. Автор: Ming-Yen Chiu,Shih-Feng Shao. Владелец: Touch Micro System Tech. Дата публикации: 2007-07-16.

Method and apparatus for wafer level packaging

Номер патента: WO2019005679A1. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Yu Gu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-03.

Compliant spring interposer for wafer level three dimensional (3d) integration and method of manufacturing

Номер патента: US20110241196A1. Автор: Koji Shiozaki,Sang Won Yoon. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters

Номер патента: US20020158702A1. Автор: Juha Ellä,Pasi Tikka,Jyrki Kaitila. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2002-10-31.

Photonic debonding for wafer-level packaging applications

Номер патента: WO2022040646A1. Автор: Xiao Liu,Rama Puligadda,Xavier Martinez,Luke M. Prenger. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2022-02-24.

Dual cure b-stageable underfill for wafer level

Номер патента: AU2002366498A1. Автор: Bodan Ma,Quinn K. Tong,Sun-Hee Lehmann. Владелец: National Starch and Chemical Investment Holding Corp. Дата публикации: 2003-06-30.

Methods and Apparatus of Guard Rings for Wafer-Level-Packaging

Номер патента: US20170141051A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Methods and apparatus of guard rings for wafer-level-packaging

Номер патента: US9559067B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for applying a final metal layer for wafer level packaging and associated device

Номер патента: EP2878010A4. Автор: Guy F Burgess,Shannon D Buzard,Anthony P Curtis,Douglas M Scott. Владелец: Flipchip International LLC. Дата публикации: 2016-03-30.

Self-alignment Structure for Wafer Level Chip Scale Package

Номер патента: US20150014846A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Ching-Jung Yang,Tung-Liang Shao,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Self-alignment structure for wafer level chip scale package

Antenna assembly for wafer level packaging

Номер патента: US20170154859A1. Автор: Jinbang Tang,Weng Foong Yap. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

Interconnect Structures for Wafer Level Package and Methods of Forming Same

Номер патента: US20160172329A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Tin-Hao Kuo,Guan-Yu Chen,Wei Sen CHANG,Tsung-Hsien Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Method and system for wafer level singulation

Номер патента: TW201241907A. Автор: Seshadri Ramaswami,Michael R Rice,Klaus Schuegraf,Mohsen S Salek,Claes H Bjorkman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Ultrasound transducer and method for wafer level front face attachment

Номер патента: US11806752B2. Автор: Philippe Menage,Flavien Daloz,Edouard Da Cruz,Jean Pierre Malacrida,Coraly Cuminatto,Giandonato Stallone. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-11-07.

Ultrasound transducer and method for wafer level front face attachment

Номер патента: US20180169701A1. Автор: Philippe Menage,Flavien Daloz,Edouard Da Cruz,Jean Pierre Malacrida,Coraly Cuminatto,Giandonato Stallone. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-06-21.

Bumping process for wafer level package

Номер патента: TW578288B. Автор: Jen-Kuang Fang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2004-03-01.

Methods and Apparatus for Wafer Level Packaging

Номер патента: US20150179522A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wen-Hsiung LU,Tsung-Yuan Yu,Hung-Jen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Seal ring for wafer level package

Номер патента: US20180233462A1. Автор: Shan GAO,Juan Boon Tan,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for wafer level stack die placement

Номер патента: TW200616178A. Автор: Hui-Lung Chou. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2006-05-16.

Method and apparatus for wafer level packaging

Номер патента: SG11201910867VA. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Yu Gu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

System and apparatus for wafer level integration of components

Номер патента: TW200929405A. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Henry Descalzo Bathan,Dioscoro A Merilo,Zigmund R Camacho. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Ultrasound transducer and method for wafer level back face attachment

Номер патента: US11751847B2. Автор: Flavien Daloz,Jason Barrett,Edouard Da Cruz,Jean Pierre Malacrida. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Apparatus and method for wafer level packaging

Номер патента: TW200601514A. Автор: Jen-Yi Chen,Kai-Hsiang Yen,Jing-Hung Chiou. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2006-01-01.

Molding Structure for Wafer Level Package

Номер патента: US20150170937A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Chih-Fan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Methods and systems for wafer level packaging of MEMS structures

Номер патента: TW200837005A. Автор: XIAO YANG,Justin Payne,Ye Wang,Yuxiang Wang,Wook Ji. Владелец: Miradia Inc. Дата публикации: 2008-09-16.

Copper Post Structure for Wafer Level Chip Scale Package

Номер патента: US20150035139A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chao-Wen Shih,Chen-Chih Hsieh,Yung-Ping Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor die structures for wafer-level chipscale packaging of power devices, packages and systems for using the same, and methods of making the same

Номер патента: TW201030914A. Автор: Mark Larsen,James J Murphy,Chung-Lin Wu,Eddy Tjhia,Su-Ku Kim,Rohit Dikshit,Michael D Gruenhagen,I-Hsiu Ho. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2010-08-16.

Bumping process for wafer level package

Номер патента: TW200419757A. Автор: Jen-Kuang Fang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2004-10-01.

Manufacturing tool for wafer level package and method of placing dies

Номер патента: TW200537665A. Автор: Wen-Kun Yang,Shin-Li Chen,Wen-Ping Yang. Владелец: Advanced Chip Eng Tech Inc. Дата публикации: 2005-11-16.

Manufacturing tool for wafer level package and method of placing dies

Номер патента: TWI240391B. Автор: Wen-Kun Yang,Shin-Li Chen,Wen-Ping Yang. Владелец: Advanced Chip Eng Tech Inc. Дата публикации: 2005-09-21.

Method for wafer level package of sensor chip

Номер патента: TW200638527A. Автор: Rou-Ching Yang,En-Boa Wu. Владелец: Univ Nat Taiwan. Дата публикации: 2006-11-01.

Chip packaging process including simplification and mergence of burn-in test and high temperature test

Номер патента: TW200917400A. Автор: Wen-Jeng Fan,Li-Chih Fang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Burn-in test jig for semiconductor device and burn-in test method

Номер патента: JP3189812B2. Автор: 洋松岡. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-16.

Cooling fan module of power supply used in burn in test equipment

Номер патента: KR101463607B1. Автор: 한강룡. Владелец: 주식회사 다온시스. Дата публикации: 2014-12-05.

Chip packaging process including simplification and mergence of burn-in test and high temperature test

Номер патента: TWI339871B. Автор: Wen Jeng Fan,Li Chih Fang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-01.

Burn-in test method for hybrid integrated circuit

Номер патента: JPS6442142A. Автор: Norimasa Takada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-14.

Jig and method for performing burn-in test on semiconductor device

Номер патента: JP2000150591A. Автор: Hiroshi Matsuoka,洋松岡. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-05-30.

A kind of whole machine cabinet server burn-in test monitoring method and system

Номер патента: CN109586994A. Автор: 王贞国. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-05.

Automatic transfer method of burn-in board by automatic guided vehicle and burn-in test system

Номер патента: JP3307189B2. Автор: 栄司佐々木. Владелец: 安藤電気株式会社. Дата публикации: 2002-07-24.

Semiconductor integrated circuit device and burn-in test method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JP2826404B2. Автор: 浩一長谷川. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-11-18.

Semiconductor wafer for burn-in testing of integrated circuits

Номер патента: DE4444584A1. Автор: Hiroyuki Ban,Mitsuhiro Saitou,Kouji Numazaki. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-06.

Method for assembling rigid probe heads

Номер патента: RU2753495C1. Автор: Алексей Алексеевич Лопухин,Владимир Михайлович Акимов,Илья Владимирович Ефимов,Никита Александрович Иродов. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2021-08-17.

Method for manufacturing rigid probe heads

Номер патента: RU2730888C1. Автор: Лариса Александровна Васильева,Алексей Алексеевич Лопухин,Владимир Михайлович Акимов,Илья Владимирович Ефимов,Никита Александрович Иродов. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2020-08-26.

Multilayer microfluidic probe head with immersion channels and fabrication thereof

Номер патента: GB201308835D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-03.

Microfluidic probe head with aspiration posts

Номер патента: WO2019150189A8. Автор: David P. Taylor,Robert Lovchik,Govind V. Kaigala,Itay Barak,Yochanan Uri,Marcel Buerge. Владелец: BIO-RAD EUROPE GMBH. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for analyzing the rf performance of a probe card, detector assembly and system for analyzing the rf performance of a probe card

Номер патента: US20160329974A1. Автор: Paul Oneil,Hanns-Georg Ochsenkuehn,Oscar Beijert. Владелец: BE PRECISION TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-11-10.

Support and cover structures for an ultrasound probe head

Номер патента: US11998386B2. Автор: Eric W. Lindekugel,Eddie K. Burnside,Amir Orome,Jeremy B. Cox,Christian W. Crook,Daniel B. Blanchard,Jeanette E. Southard,Kevin W. Stinger. Владелец: CR Bard Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Microfluidic probe head with barrier projections

Номер патента: US12011714B2. Автор: David P. Taylor,Laurent Guillon,Robert Lovchik,Govind V. Kaigala,Emilie Frisan,Claudia I. Trainito. Владелец: Bio Rad Europe GmbH. Дата публикации: 2024-06-18.

RF power probe head with a thermally conductive bushing

Номер патента: US6559650B2. Автор: David J. Coumou. Владелец: Eni Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-06.

Driving head for telescopic drill rods and machine comprising said head

Номер патента: US9562391B2. Автор: Luca Urbani,Marcello Pennacchioli. Владелец: I M T INTERNATIONAL SpA. Дата публикации: 2017-02-07.

Adjustment system of gymnastic machine components and gymnastic machine comprising said adjustment system

Номер патента: EP3922868A1. Автор: Daniele CEI,Fabio Urbini,Alberto Faedi. Владелец: Technogym SpA. Дата публикации: 2021-12-15.

Laminar element and countertop and step comprising said laminar element

Номер патента: WO2024146863A1. Автор: Juan Lloveras Calvo. Владелец: Juan Lloveras Calvo. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for estimating a vehicle side slip angle, computer program implementing said method, control unit having said computer program loaded, and vehicle comprising said control unit

Номер патента: EP3209529A1. Автор: Sergio Matteo Savaresi,Matteo Corno,Giulio Panzani,Donald SELMANAJ,Christian GIRARDIN,Giovanni BUSSALAI. Владелец: Maserati SpA. Дата публикации: 2017-08-30.

Device for handling a syringe and automated device for preparing intravenous medication comprising said device for handling a syringe

Номер патента: US11738155B2. Автор: Naiara Telleria Garay,Asier Lizarriturri Martiarena,Patxi URTZELAI ARANBARRI. Владелец: Kiro Grifols SL. Дата публикации: 2023-08-29.

Device for handling a syringe and automated device for preparing intravenous medication comprising said device for handling a syringe

Номер патента: AU2020260511A1. Автор: Naiara Telleria Garay,Asier Lizarriturri Martiarena,Patxi URTZELAI ARANBARRI. Владелец: Kiro Grifols SL. Дата публикации: 2022-04-07.

Brewing unit for making beverages from bags for one portion, and machine comprising said unit

Номер патента: RU2514605C2. Автор: Джованни БЕРТО,Массимо БАЛДО,Андреа ФЕРРАДО. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-04-27.

Method of producing a turbomachine component, a component obtained using said method, and a turbomachine comprising said component

Номер патента: RU2730916C2. Автор: Массимо ДЖАННОЦЦИ,Филиппо КАППУЧЧИНИ,Массимилиано БУЧЧОНИ,ПЬЕТРО Доменико ДИ. Владелец: Нуово Пиньоне Текнолоджи Срл. Дата публикации: 2020-08-26.

Draining device, a method of providing a draining device, a drain pipe and a fuel system of the vehicle, comprising said drain device

Номер патента: RU2691539C2. Автор: Омер ВУЛКАН. Владелец: РАВАЛ Эй.Си.Эс. ЛТД.. Дата публикации: 2019-06-14.

Porous transport layer for use in a polymer electrolyte membrane electrolyzer, an electrolyzer comprising said porous transport layer, a method for obtaining said porous transport layer and a method for electrolysing water using said porous transport layer

Номер патента: AU2022409751A1. Автор: Johannes Godfried VOS,Matti VAN SCHOONEVELD,Adriaan W. JEREMIASSE. Владелец: Magneto Special Anodes BV. Дата публикации: 2024-06-13.

A drive shaft arrangement and a vehicle comprising said arrangement

Номер патента: EP4368847A1. Автор: Lars Stenvall,Per Strandemo. Владелец: POLESTAR PERFORMANCE AB. Дата публикации: 2024-05-15.

Electronic device for switching on a fluorescent lamp and fluorescent lamp which comprises said device

Номер патента: US20110316437A1. Автор: Emilio Gomez Lazaro,Roque Bonal Rubio,Antonio SÁEZ CASTILLO. Владелец: Villarrus SL. Дата публикации: 2011-12-29.

An amplification circuit and an oscillator comprising said circuit

Номер патента: WO1999050953A2. Автор: Göran MARNFELDT. Владелец: AstraZeneca AB. Дата публикации: 1999-10-07.

A drive shaft arrangement and a vehicle comprising said arrangement

Номер патента: US20240157788A1. Автор: Lars Stenvall,Per Strandemo. Владелец: POLESTAR PERFORMANCE AB. Дата публикации: 2024-05-16.

An amplification circuit and an oscillator comprising said circuit

Номер патента: WO1999050953A3. Автор: Goeran Marnfeldt. Владелец: Goeran Marnfeldt. Дата публикации: 1999-11-18.

Washing device for pleated cartridges and filter comprising said device

Номер патента: EP1613411A1. Автор: Valerio Vernocchi. Владелец: Vernocchi Valerio. Дата публикации: 2006-01-11.

New heteroaryloxyethyl amines, method of preparing thereof, pharmaceutical composition comprising said amines having affinity with 5ht1a receptors and intermediate compounds

Номер патента: RU2176639C2. Автор: Дени Бигг,Мари-Одиль ГАЛЬСЕРА. Владелец: Сосьете Де Консей Де Решерш Э Д'Аппликасьон Сьентифик (С.К.Р.А.С.). Дата публикации: 2001-12-10.

Composition for preparing coffee, capsule comprising said composition and the process of obtaining said capsule

Номер патента: WO2022171918A1. Автор: José Alberto LARRAURI GARCÍA. Владелец: Iparlat Tecno, S.L.U.. Дата публикации: 2022-08-18.

Process for producing a cellulosic functional fiber with high ion exchange capacity, cellulosic functional fiber, textile product comprising cellulosic functional fiber, and garment or piece of furniture comprising said cellulosic functional fiber or textile product

Номер патента: CA3155079A1. Автор: Axel Kolbe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-22.

Shale inhibitor additives, wellbore fluids comprising said additives, and methods of using said fluids

Номер патента: US20240229606A1. Автор: Balakrishnan PANAMARATHUPALAYAM,Dimitri M. Khramov,Sharath Chandra Mahavadi,Lucas MEJIA. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

A mechanism which provides closing the faucet in its initial position and a faucet comprising said mechanism

Номер патента: WO2016072949A1. Автор: Bogac Simsir,Emre Talşik,Engin Öztürk. Владелец: ECZACIBASI YAPI GEREÇLERI SANAYI VE TICARET ANONIM SIRKETI. Дата публикации: 2016-05-12.

Electrode additive and an electrode comprising said electrode additive

Номер патента: US20180277837A1. Автор: Eric Zhang,Nahong ZHAO,Yaxia YIN,Yuguo GUO,Yunhua Chen,Chunpeng Yang. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2018-09-27.

Wearable protection device, method of assembling said wearable protection device and motorcycle boot comprising said wearable protection device

Номер патента: EP3829377A1. Автор: Giovanni Mazzarolo. Владелец: Alpinestars Research SpA. Дата публикации: 2021-06-09.

DRAM AND METHOD FOR TESTING THE SAME IN THE WAFER LEVEL BURN-IN TEST MODE

Номер патента: US20130021862A1. Автор: Chou Min-Chung. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2013-01-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE ON WHICH WAFER-LEVEL BURN-IN TEST IS PERFORMED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120307581A1. Автор: Kodama Takuyo. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-12-06.

High-temperature wafer level burn-in test scheduling method for SoC (system on a chip) chip

Номер патента: CN103018646A. Автор: 程伟,崔小乐,陶玉娟,李崇仁. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

Wafer Level Burn-in Test Method

Номер патента: KR100193135B1. Автор: 이종학. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

System for functioning tests and burn-in testing of digital integrated circuits (ic) and very large scale integrated circuits (vlsic)

Номер патента: RU2485529C1. Автор: Александр Анатольевич Сашов,Михаил Игоревич Краснов. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2013-06-20.

Probe head for wafer-level burn-in test (WLBI) and probe card comprising said probe head

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты