Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • SEMICONDUCTOR COMPONENT BURN-IN TEST MODULE AND BURN-IN TEST EQUIPMENT

SEMICONDUCTOR COMPONENT BURN-IN TEST MODULE AND BURN-IN TEST EQUIPMENT

Номер патента: US20220043052A1
Опубликовано: 10-02-2022
Автор(ы): LIANG Hsing-Yueh, LIAO Po-Wei, Tsai Chia-Hung, Wang Yi-Ting, Wu Kuo-Jung
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor component burn-in test module and burn-in test equipment

Номер патента: US20220043052A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hung Tsai,Kuo-Jung Wu,Hsing-Yueh LIANG,Po-Wei LIAO. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor component burn-in test module and burn-in test equipment

Номер патента: US11500012B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hung Tsai,Kuo-Jung Wu,Hsing-Yueh LIANG,Po-Wei LIAO. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

System and methods for semiconductor burn-in test

Номер патента: EP3465238A1. Автор: Ballson Gopal,Jessie KILLION. Владелец: Kes Systems Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Probe head comprising pogo pins for wafer-level burn-in test

Номер патента: EP4382920A1. Автор: Giuseppe Amelio. Владелец: Microtest SpA. Дата публикации: 2024-06-12.

Probe head for wafer-level burn-in test (WLBI) and probe card comprising said probe head

Номер патента: US20240183882A1. Автор: Giuseppe Amelio. Владелец: Microsoft SpA. Дата публикации: 2024-06-06.

Wafer-level burn-in testing of integrated circuits

Номер патента: US5047711A. Автор: William H. Smith,Chau-Shiong Chen. Владелец: Silicon Connections Corp. Дата публикации: 1991-09-10.

Testing system for evaluating integrated circuits, a burn-in testing system, and a method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20010039065A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Probe apparatus having burn-in test function

Номер патента: US5568054A. Автор: Shinji Iino,Itaru Iida. Владелец: Tokyo Electron Yamanashi Ltd. Дата публикации: 1996-10-22.

Burn-in station for performing burn-in testing of electronic devices

Номер патента: EP4286862A1. Автор: Giuseppe Amelio. Владелец: Microtest SpA. Дата публикации: 2023-12-06.

Automated loading/unloading of devices for burn-in testing

Номер патента: US20080169832A1. Автор: Wan Yen TEOH,Paiboon SUBPANYADEE,Kurt Joseph PEREZ,Chai Soon TEO,Swee Hin ONG. Владелец: ONG Swee HIN. Дата публикации: 2008-07-17.

Automated loading/unloading of devices for burn-in testing

Номер патента: US20070159198A1. Автор: Wan Yen TEOH,Paiboon SUBPANYADEE,Kurt Joseph PEREZ,Chai Soon TEO,Swee Hin ONG. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-07-12.

Burn-in testing of circuits

Номер патента: US20180335471A1. Автор: Human Boluki,Rex Kho,Markus Schuemmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-22.

Surface Treated Metal Material For Burn-In Test Socket, Connector For Burn-In Test Socket And Burn-In Test Socket Using The Same

Номер патента: US20190234994A1. Автор: Endo Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

HEAT SPREADERS FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICE TESTING, SUCH AS BURN-IN TESTING

Номер патента: US20210055343A1. Автор: Chun Hyunsuk,Qu Xiaopeng,Griffin Amy R.. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

HEAT SPREADERS FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICE TESTING, SUCH AS BURN-IN TESTING

Номер патента: US20220291280A1. Автор: Qu Xiaopeng,Griffin Amy R.,Orme Wesley J.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Board for burn-in test apparatus and fabrication method thereof, method for testing semiconductor chip by using it

Номер патента: KR100446429B1. Автор: 박계찬. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-08-30.

SYSTEM AND METHODS FOR SEMICONDUCTOR BURN-IN TEST

Номер патента: US20190204378A1. Автор: Gopal Ballson,Killion Jesse. Владелец: KES SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

SYSTEM AND METHOD OF AUTOMATED BURN-IN TESTING ON INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200379033A1. Автор: Chang Sunny Lai-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Printed circuit board for performing burn-in test of semiconductor memory device

Номер патента: KR100505613B1. Автор: 조성범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-26.

Burn-in test socket having wire silicon rubber interposed between contact pin and semiconductor device

Номер патента: KR101806472B1. Автор: 박성규,전진국. Владелец: 주식회사 오킨스전자. Дата публикации: 2017-12-07.

Multi Layer Ceramic Condenser(MLCC) BURN IN TEST BOARD

Номер патента: KR102337684B1. Автор: 김상철. Владелец: 주식회사 윈탑. Дата публикации: 2021-12-13.

Burn-in test apparatus

Номер патента: KR102152914B1. Автор: 문장식. Владелец: 주식회사 유니테스트. Дата публикации: 2020-09-07.

Burn-in test apparatus for the transmission of high speed signal and burn-in board therefor and method for the transmission of high speed signal

Номер патента: KR101161811B1. Автор: 유권종,이용근,이강수,박병옥. Владелец: (주)아테코. Дата публикации: 2012-07-03.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: US7042240B2. Автор: Gordon B. Kuenster,Christopher A. Lopez,Brian J. Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2006-05-09.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: US7187189B2. Автор: Gordon B. Kuenster,Christopher A. Lopez,Brian J. Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2007-03-06.

A system for burn-in testing of electronic devices

Номер патента: EP1540360A1. Автор: David Hendrickson,Jovan Jovanovic,Bradley R. Gunn,Alberto J. Calderon. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2005-06-15.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: US7482825B2. Автор: Gordon B. Kuenster,Christopher A. Lopez,Brian J. Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2009-01-27.

System and method of automated burn-in testing on integrated circuit devices

Номер патента: TWI791571B. Автор: 黎明 張. Владелец: 加拿大商皇虎科技(加拿大)有限公司. Дата публикации: 2023-02-11.

System for burn-in testing of electronic devices

Номер патента: CN100395556C. Автор: D·亨德里克森,B·R·冈恩,A·J·卡尔德龙,J·约万诺维奇. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2008-06-18.

System for burn-in testing of electronic devices

Номер патента: US6815966B1. Автор: Jovan Jovanovic,Bradley R. Gunn,Alberto J. Calderon,David S. Hendrickson. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Structure and method for package burn-in testing

Номер патента: TWI261676B. Автор: Wen-Kun Yang. Владелец: Advanced Chip Eng Tech Inc. Дата публикации: 2006-09-11.

Burn-in board test system and burn-in board test method for vehicle

Номер патента: CN111123004A. Автор: 龙伟,曾宪玮. Владелец: Guangzhou Roadpassion Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

SEMICONDUCTOR WAFER TEST AND BURN-IN

Номер патента: DE69604810D1. Автор: George Walker,Charles Perry,James Leas,Robert Koss,Horn Jody Van,David Gardell,Steve Dingle,Ronald Prilik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-25.

SEMICONDUCTOR WAFER TEST AND BURN-IN

Номер патента: DE69604810T2. Автор: George Walker,Charles Perry,James Leas,Robert Koss,Horn Jody Van,David Gardell,Steve Dingle,Ronald Prilik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-04-20.

Strip socket having a recessed portions in the base to accept bottom surface of packaged semiconductor devices mounted on a leadframe for testing and burn-in

Номер патента: US7656173B1. Автор: Prayoch Tayaphat,Saruch Sangaunwong,Pinut Boonareeroj. Владелец: UTAC Thai Ltd. Дата публикации: 2010-02-02.

Burn-in board and burn-in apparatus

Номер патента: KR101494246B1. Автор: 미츠루 후쿠다,요시히토 코바야시. Владелец: 가부시키가이샤 아드반테스트. Дата публикации: 2015-02-17.

Burn-in board and burn-in apparatus

Номер патента: US20220334173A1. Автор: Kenji Nishi,Hiroaki Takeuchi,Koji Hirashima,Chen-Pi Chang,Wen Yung Wu. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Burn-in board and burn-in apparatus

Номер патента: US11719741B2. Автор: Kenji Nishi,Hiroaki Takeuchi,Koji Hirashima,Chen-Pi Chang,Wen Yung Wu. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Full-Wafer Test And Burn-In Mechanism

Номер патента: US20090284274A1. Автор: Morgan T. Johnson. Владелец: Johnson Morgan T. Дата публикации: 2009-11-19.

Burn-in board, burn-in device and burn-in system (2)

Номер патента: TW201142320A. Автор: Kazuhiko Sato,Takeshi Kumagai,Akimasa Yuzurihara. Владелец: Japan Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US12078672B2. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Hybrid IC with circuit for burn-in test

Номер патента: US6157202A. Автор: Toshiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Burn-in test method for a semiconductor chip and burn-in test apparatus therefor

Номер патента: US20020050813A1. Автор: Shigehisa Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Burn-in testing apparatus

Номер патента: US20120326740A1. Автор: Li-Hsun Chen,Chi-Ren Chen,Chiang-Cheng FAN. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Burn-in testing apparatus

Номер патента: US8779788B2. Автор: Li-Hsun Chen,Chi-Ren Chen,Chiang-Cheng FAN. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

High-pressure burn-in test apparatus

Номер патента: US20210356506A1. Автор: Yi-Ming Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-18.

High-pressure burn-in test apparatus

Номер патента: US11385275B2. Автор: Yi-Ming Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-12.

Sequential Burn-In Test Mechanism

Номер патента: US20140062515A1. Автор: Victor Zia,Arman Vassighi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Fixture for burn-in testing of semiconductor wafers

Номер патента: US5461328A. Автор: Brian Higgins,Kevin M. Devereaux,Mark Bunn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-10-24.

Wafer burn-in test circuit for a semiconductor memory device

Номер патента: US5986917A. Автор: Yun-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-16.

Semiconductor device and burn-in test method thereof

Номер патента: US20210123972A1. Автор: Koji Suzuki,Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Wafer burn-in test circuit and semiconductor memory including the same

Номер патента: US20180120374A1. Автор: Young Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Structures for wafer level test and burn-in

Номер патента: SG97819A1. Автор: E Barth John,Louis Bertin Claude,H Dreibelbis Jeffrey,F Ellis Wayne,John Howell Wayne,L Hedberg Erik,L Kalter Howard,R Tonti William,L Wheater Donald. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-08-20.

Test and burn-in apparatus that provides variable thermal resistance

Номер патента: US11768224B2. Автор: Ballson Gopal,Jesse Killion. Владелец: Kes Systems Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Structures for wafer level test and burn-in.

Номер патента: MY123248A. Автор: Jeffrey H Dreibelbis,Erik L Hedberg,Wayne F Ellis,Howard Leo Kalter,Claude L Bertin,William R Tonti,John E Barth Jr,Donald L Wheater,Wayne J Howell. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-05-31.

Semiconductor device and burn-in method thereof

Номер патента: US6377063B1. Автор: Makoto Noda,Tadahiro Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Semiconductor device and burn-in method thereof

Номер патента: US5627477A. Автор: Makoto Noda,Tadahiro Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Method for burn-in test and measurement program for burn-in test

Номер патента: TWI278630B. Автор: Suguru Sasaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-04-11.

Burn-in test device and test method using interposer

Номер патента: US20190170814A1. Автор: Joosung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Apparatus for Burn-In Test

Номер патента: US20160091559A1. Автор: Teoh Siow Khiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

WAFER BURN-IN TEST CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190293712A1. Автор: Choi Young Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

BURN-IN TEST SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20160334462A1. Автор: KIM Dae Kyoung,JUNG Woo Sik. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Tray Transfer for Burn-in Test Sorting Handler

Номер патента: KR100792728B1. Автор: 김종태. Владелец: 미래산업 주식회사. Дата публикации: 2008-01-11.

Holding device of burn-in test chip

Номер патента: KR950013605B1. Автор: 이규진. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-11-13.

Chip holding device for burn-in test and manufacturing method thereof

Номер патента: KR950014897A. Автор: 이규진,정현조. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-06-16.

Probe unit with burn in test

Номер патента: KR940006238A. Автор: 신지 이이노,이타루 이이다. Владелец: 도오교오 에레구토론 야마나시 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-03-23.

Integrated circuit burn-in test system and associated methods

Номер патента: US20030214316A1. Автор: Riccardo Maggi,Massimo Scipioni. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-11-20.

A burn-in test system with protection function of control apparatus

Номер патента: KR20220102406A. Автор: 박병옥. Владелец: 박병옥. Дата публикации: 2022-07-20.

Burn-in test method and burn-in measurement program used therefor

Номер патента: JP4464237B2. Автор: 卓 佐々木. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-19.

Automated loading/unloading of devices for burn-in testing

Номер патента: US20090261854A1. Автор: Wan Yen TEOH,Paiboon SUBPANYADEE,Kurt Joseph PEREZ,Chai Soon TEO,Swee Hin ONG. Владелец: ONG Swee HIN. Дата публикации: 2009-10-22.

Blower and Burn-In Tester comprising the same

Номер патента: KR101827650B1. Автор: 김종식,장인재. Владелец: 주식회사 제이에스티. Дата публикации: 2018-02-08.

Film carrier and burn-in method

Номер патента: JP3717660B2. Автор: 利之 辻井. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-16.

Bga type socket for integrated circuit used in test and burn-in

Номер патента: KR100629958B1. Автор: 황동원. Владелец: 황동원. Дата публикации: 2006-09-28.

Burn-in apparatus and burn-in method using the same

Номер патента: JP2746763B2. Автор: 哲 福永. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 1998-05-06.

Heater power control circuit and burn-in apparatus using the same

Номер патента: US8338758B2. Автор: Kazumi Kita,Tadahiro Kurasawa. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Bga-Type Test And Burn-In Socket For Integrated Circuits (Ics)

Номер патента: US20080207036A1. Автор: Dong Weon Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

and Burn-In Tester

Номер патента: KR101309081B1. Автор: 오효진,최영배. Владелец: 주식회사 유니테스트. Дата публикации: 2013-09-17.

Low frequency testing, leakage control, and burn-in control for high-performance digital circuits

Номер патента: US20040051558A1. Автор: Ram Krishnamurthy,Manoj Sachdev,Ali Keshavarzi,Bhaskar Chatterjee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Burn-in system and burn-in method

Номер патента: US20020009120A1. Автор: Shigehisa Yamamoto,Hiromitsu Sugimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Test support module and method for operating an automated test equipment

Номер патента: WO2022111820A1. Автор: Matthias Werner. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2022-06-02.

Control devices for controlling an automated test equipment (ate), ate, methods for controlling an ate, methods for operating an ate and computer programs for performing such methods, comprising a temperature estimation or determination

Номер патента: WO2023051927A1. Автор: Anton Thoma,Jens EDELMANN. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2023-04-06.

Test arrangement for testing one or more devices, test support module for supporting testing one or more devices, and method for operating an automated test equipment

Номер патента: US20230184824A1. Автор: Matthias Werner. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Automated test equipments, handlers and methods for testing a device under test using a test-site specific signaling

Номер патента: WO2022029205A1. Автор: Martin Fischer,Matthias Werner. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2022-02-10.

Handlers, automated test equipments, and methods for testing a device under test using a test-site specific signaling

Номер патента: WO2022029206A1. Автор: Martin Fischer,Matthias Werner. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2022-02-10.

Probe Card Support Apparatus for Automatic Test Equipment

Номер патента: US20200003803A1. Автор: Scott Nelson. Владелец: REID-ASHMAN MANUFACTURING Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Testing equipment, its component carrying device and testing method of the testing equipment

Номер патента: US11340288B1. Автор: Chih-Feng Cheng,Chih-Chieh LIAO,Yu-Min Sun. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Automated test equipments, handlers and methods for testing a device under test using a synchronization signaling

Номер патента: WO2022029204A1. Автор: Martin Fischer,Matthias Werner. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2022-02-10.

Testing equipment, its component carrying device and testing method of the testing equipment

Номер патента: US20220178990A1. Автор: Chih-Feng Cheng,Chih-Chieh LIAO,Yu-Min Sun. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Method and system having switching network for testing semiconductor components on a substrate

Номер патента: US20020196047A1. Автор: Salman Akram,Jorge de Varona,C. Doherty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor device testing method and testing equipment

Номер патента: US20060061379A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Test structure and method for performing burn-in testing of a semiconductor product wafer

Номер патента: US5707881A. Автор: Thomas Francis Lum. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-01-13.

Test board for burn-in test and PC base test

Номер патента: KR100408984B1. Автор: 이국상,맹주석. Владелец: 맹주석. Дата публикации: 2003-12-06.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US20210055342A1. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US11372043B2. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-28.

Monitoring burn-in test apparatus and method and heating test apparatus and method of controlling temperature therefor

Номер патента: TW200846683A. Автор: Hiroshi Teshigawara,Yoshihiro Maesaki,Yukihiko Kodaira,Naoe Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-01.

Semiconductor integrated circuit which can be burn-in-tested even when packaged and method of burn-in-testing semiconductor integrated circuit even when the semiconductor integrated circuit is packaged

Номер патента: TW200706893A. Автор: Kye-Hyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-16.

Burn-in-test device

Номер патента: TW440853B. Автор: Frank Weber,Jens Lüpke,Joseph Sillup. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-06-16.

Sequential Burn-In Test Mechanism

Номер патента: US20140062515A1. Автор: Vassighi Arman,Zia Victor. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Wafer burn-in test circuit and semiconductor memory including the same

Номер патента: US20180120374A1. Автор: Young Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

BURN-IN TESTING OF CIRCUITS

Номер патента: US20180335471A1. Автор: Kho Rex,Schuemmer Markus,Boluki Human. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

BURN-IN TESTING OF INDIVIDUALLY PERSONALIZED SEMICONDUCTOR DEVICE CONFIGURATION

Номер патента: US20170370988A1. Автор: Motika Franco,You Soungbum. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Wafer burn-in testing circuit of semiconductor memory device

Номер патента: KR0119887B1. Автор: 이재형,석용식. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-10-30.

device for adjusting distance of picker in burn-in test handler

Номер патента: KR100291587B1. Автор: 정기현,정백운. Владелец: 미래산업주식회사. Дата публикации: 2001-05-15.

Method and device for automatic kill head sorting in burn-in test

Номер патента: KR100524898B1. Автор: 조진원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-27.

Lance contact pin for burn-in test socket using lancing press and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102172785B1. Автор: 박성규,전진국,장승철,진영학. Владелец: 주식회사 오킨스전자. Дата публикации: 2020-11-02.

Burn-in test socket device

Номер патента: KR980006647A. Автор: 마사히로 후치가미,피. 리조 살바토레. Владелец: 덱사스 인스트루먼츠 인코오포레이티드. Дата публикации: 1998-03-30.

Wafer Burn-in Test Circuit of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR960002369A. Автор: 이재형,석용식. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-01-26.

burn-in test device having air volume guide

Номер патента: KR102168284B1. Автор: 유영돈. Владелец: 주식회사 두오텍. Дата публикации: 2020-10-21.

Integrated circuit capable of performing package burn-in test and method thereof

Номер патента: KR100674988B1. Автор: 경계현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

Wafer burn-in test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: KR100228530B1. Автор: 이윤상. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-01.

System and method for burn-in test control

Номер патента: US7103495B2. Автор: Naoki Kiryu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-05.

Semiconductor chip burn-in test device possible approval of high speed frequency

Номер патента: KR100771560B1. Автор: 양재영. Владелец: 주식회사 두성기술. Дата публикации: 2007-10-30.

Method for performing a high-temperature burn-in test on integrated circuits

Номер патента: US6181143B1. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Heat pipe with chilled liquid condenser system for burn-in testing

Номер патента: US7129731B2. Автор: Donald M. Ernst,John Gilbert Thayer. Владелец: Thermal Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Burn-in test circuit

Номер патента: KR100386615B1. Автор: 김택승. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-02.

Wafer burn-in test circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: CN1053757C. Автор: 昔容轼,李在蓥. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-21.

Wafer burn-in test circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: TW263562B. Автор: Seok Yong-Sik,Lee Jae-Hyeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-11-21.

Sliding door for opening burn-in test device and opening / closing control system

Номер патента: KR101754054B1. Автор: 유영돈. Владелец: 주식회사 두오텍. Дата публикации: 2017-07-05.

Semiconductor integrated circuit with voltage down converter adaptable for burn-in testing

Номер патента: US20030020095A1. Автор: Fukashi Morishita,Akira Yamazaki,Yasuhiko Taito,Nobuyuki Fujii,Mihoko Akiyama,Mako Okamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

TEST AND BURN-IN APPARATUS THAT PROVIDES VARIABLE THERMAL RESISTANCE

Номер патента: US20220082587A1. Автор: Gopal Ballson,Killion Jesse. Владелец: KES SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2022-03-17.

BURN-IN BOARD AND BURN-IN DEVICE

Номер патента: US20200233027A1. Автор: Ito Akihiko,KAWASHIMA Takashi,Takamoto Tomoyuki. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-23.

Composite for burn-in and burn-in device using the composite

Номер патента: JP2876106B2. Автор: 建一 大井. Владелец: TABAI ESUPETSUKU KK. Дата публикации: 1999-03-31.

Test and burn-in apparatus that provides variable thermal resistance

Номер патента: EP3918353A1. Автор: Ballson Gopal,Jesse Killion. Владелец: Kes Systems Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

System for integrated circuit inspection and burn-in

Номер патента: JP4997117B2. Автор: スコット イー リンゼイ,カール エヌ バック,レア ジェイ ポズデル. Владелец: エイアー テスト システムズ. Дата публикации: 2012-08-08.

Test and burn-in apparatus, in-line system using the apparatus, and test method using the system

Номер патента: SG87767A1. Автор: Seok Maeng Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-16.

Combined board construction for burn-in and burn-in equipment for use with combined board

Номер патента: US5574384A. Автор: Kenichi Oi. Владелец: Tabai Espec Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Burn-in and test method of semiconductor wafer and burn-in board used for it

Номер патента: KR960014952A. Автор: 가즈오 가네코,마사야스 가타야마,기요시 고치. Владелец: 에이징 테스타 카이하츠 교토쿠미아이. Дата публикации: 1996-05-22.

Combined board construction for burn-in and burn-in equipment for use with combined board

Номер патента: KR0180025B1. Автор: 겐이치 오오이. Владелец: 다바이 에스펙 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-04-01.

Burn-in board and burn-in equipment

Номер патента: JP6961632B2. Автор: 敬史 川島,明彦 伊藤,智行 高本. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2021-11-05.

Electronic component production method and burn-in apparatus

Номер патента: US20040052025A1. Автор: Gaku Kamitani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-18.

Burn-in method and burn-in device

Номер патента: US20020039800A1. Автор: Shigehisa Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-04-04.

Burn-in board, burn-in device and burn-in system

Номер патента: TW201200886A. Автор: Kazuhiko Sato,Takeshi Kumagai,Akimasa Yuzurihara. Владелец: Japan Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-01.

Burn-in substrate and burn-in device

Номер патента: TW200518240A. Автор: Kenichi Oi. Владелец: Espec Corp. Дата публикации: 2005-06-01.

Burn-in board and burn-in apparatus

Номер патента: US11994552B2. Автор: Hiroaki Takeuchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Burn-in substrate and burn-in device

Номер патента: TWI351726B. Автор: Oi Kenichi. Владелец: Espec Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US20100097084A1. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US8519732B2. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2013-08-27.

A semiconductor components delivery system associated with a turret type testing apparatus

Номер патента: PH12014501299B1. Автор: Heng Lee Lee. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2014-09-15.

A semiconductor components delivery system associated with a turret type testing apparatus

Номер патента: PH12014501299A1. Автор: LEE HENG LEE. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2014-09-15.

A method, a device and a computer program for operating a modular test bench comprising at least one test module to test a test object

Номер патента: WO2021122374A1. Автор: Andreas AAL. Владелец: VOLKSWAGEN AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for detecting the reliability of integrated semiconductor components at high temperatures

Номер патента: US20040140826A1. Автор: Jochen Hagen,Andreas Martin,Wilhelm Asam,Josef Fazekas,David Smeets. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-22.

Testing module and testing method using the same

Номер патента: US20240133942A1. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of removing thin film layers of a semiconductor component

Номер патента: US5926688A. Автор: Yih-Yuh Doong,Chien-Hsin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Test system with rotational test arms for testing semiconductor components

Номер патента: US20140103954A1. Автор: Chien-Ming Chen,Herbert Tsai,Chin-Yi Ou Yang. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Testing equipment

Номер патента: US20220390509A1. Автор: Li-Wei Lee,Yung-ming Wang,Ping-Chieh Huang,Tien-Yao Hsu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Test equipment diagnostics systems and methods

Номер патента: US11714132B2. Автор: Seth Craighead,Mei-Mei Su. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor Component, System and Method for Checking A Soldered Joint

Номер патента: US20220244306A1. Автор: Jens Richter,Christopher Söll. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-04.

Tester having an application specific electronics module, and systems and methods that incorporate or use the same

Номер патента: US20140139251A1. Автор: Edmundo De la Puente,Ken Hanh Duc Lai. Владелец: Avantest Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Contact socket module and method of testing electronic components using a contact socket module

Номер патента: US12044702B2. Автор: Markus Wagner,Karl Croce. Владелец: Cohu GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Pull out-assisting linkage device for test load board of automatic semiconductor test equipment

Номер патента: US11977111B2. Автор: Zhijie BAO,Kunling ZHAO. Владелец: Nan Jing Macrotest Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for determining the transit time of electrical signals on printed circuit boards using automatic standard test equipment

Номер патента: US20030034784A1. Автор: Thomas Huber,Frank Adler,Manfred Moser,Martin Versen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-20.

Slidable adapter for simultaneous connection of a plurality of contacts of a backboard test module to conductors of a backboard

Номер патента: US5386197A. Автор: Koichi Saito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-01-31.

Electronic circuit, automated test equipment, method and computer program for mitigating an influence of a mismatch loss in a measurement setup

Номер патента: WO2023104314A1. Автор: Matthias Burczyk,Andy RICHTER. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2023-06-15.

Interface board of a testing head for a test equipment of electronic devices and corresponding testing head

Номер патента: WO2014009980A8. Автор: Giovanni Campardo,Flavio Maggioni,Riccardo Liberini. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2014-04-03.

Automated test equipment, device under test, test setup methods using a trigger line

Номер патента: WO2023078572A1. Автор: Klaus-Dieter Hilliges,Olaf PÖPPE,Markus BÜCKER,Marcus SCHULZE-WESTENHORST,Thomas Glos. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2023-05-11.

Interface board of a testing head for a test equipment of electronic devices and corresponding testing head

Номер патента: EP2872906A1. Автор: Giovanni Campardo,Flavio Maggioni,Ricardo LIBERINI. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2015-05-20.

Automatic test equipment for testing an oscillating crystal and method for operating the same

Номер патента: US20120112761A1. Автор: Ralf Sonnhueter,Anton Ecker. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2012-05-10.

Chip carrier, chip testing module, and chip handling module

Номер патента: US20220277976A1. Автор: Sheng-Hung Wang,Po-Hsiang Chang,Zhe-Min LIAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-01.

Interactive test equipment for quality evaluation of power transformer

Номер патента: US20230104801A1. Автор: Chun-Yao Ko,Po-Cheng Ko,Chih-Ting Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-06.

A pusher for use in an automated test equipment and method for mechanically pushing a device under test into a test socket

Номер патента: WO2024056173A1. Автор: Jan Hesselbarth,Jose Moreira. Владелец: UNIVERSITÄT STUTTGART. Дата публикации: 2024-03-21.

Radiator module system for automatic test equipment

Номер патента: US20150198659A1. Автор: Xin-Yi Wu,Meng-Kung Lu,Chin-Yi Ou Yang,Jui-Che Chou. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Frequency modulated (FM) chirp testing for automotive radars using standard automated test equipment (ATE) digital pin channels

Номер патента: US10401476B2. Автор: Robert Bartlett,Roger McAleenan. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Transposed via arrangement in probe card for automated test equipment

Номер патента: US20210190828A1. Автор: Brian Brecht. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Distributed power supply architecture in automatic test equipment

Номер патента: US20150253378A1. Автор: Edmundo DeLaPuente. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Optimal test flow scheduling within automated test equipment for minimized mean time to detect failure

Номер патента: US20160154719A9. Автор: Wei Fan,Srinivasan Parthasarathy,Mark C. Johnson,Nagui Halim,Deepak S. Turaga,Olivier Verscheure. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Method and apparatus for cooling non-native instrument in automatic test equipment

Номер патента: WO2008042248A2. Автор: John P. Toscano,Sean P. Adam,Rhonda L. Allain,Sten J. Peeters,Urszula B. Tasto,Jack M. Thompson. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2008-04-10.

Plunger and chip-testing module applying the same

Номер патента: US20070200583A1. Автор: Hsing-Chou Hsu,Hsin-Kuan Wu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-08-30.

Automated testing equipment having a modular offset test head with split backplane

Номер патента: WO2001051941A1. Автор: Edward E. Smith. Владелец: Third Millennium Test Solutions. Дата публикации: 2001-07-19.

Method of making contact with circuit units to be tested and self-planarizing test module device of implementing the method

Номер патента: US20050026477A1. Автор: Michael Huebner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-03.

Automated testing equipment having a modular offset test head with split backplane

Номер патента: EP1257838A1. Автор: Edward E. Smith. Владелец: Third Millennium Test Solutions. Дата публикации: 2002-11-20.

Resolving automated test equipment (ATE) timing constraint violations

Номер патента: US10145893B2. Автор: Josef Nevo,Alain Bismuth,Ilan Margalit. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-12-04.

Automated test equipment, device under test, test setup methods using a measurement request

Номер патента: WO2023078573A1. Автор: Klaus-Dieter Hilliges,Olaf PÖPPE,Markus BÜCKER,Marcus SCHULZE-WESTENHORST,Thomas Glos. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2023-05-11.

Automated test equipment, device under test, test setup methods using an acknowledge signaling

Номер патента: WO2023078571A1. Автор: Klaus-Dieter Hilliges,Olaf PÖPPE,Markus BÜCKER,Marcus SCHULZE-WESTENHORST,Thomas Glos. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2023-05-11.

Automated test equipment for testing one or more devices-under-test and method for operating an automated test equipment

Номер патента: US11899059B2. Автор: Marc Mössinger. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Electronic test equipment apparatus and methods of operating thereof

Номер патента: US11740278B2. Автор: Kevin Roche,Alfonso Diy,Emanuel-Petre Eni,Josef Niedermeyr,Efren Tarlac. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-29.

Pull out-assisting linkage device for test load board of automatic semiconductor test equipment

Номер патента: US20220326295A1. Автор: Zhijie BAO,Kunling ZHAO. Владелец: Nan Jing Macrotest Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Automated test equipment for testing one or more devices-under-test and method for operating an automated test equipment

Номер патента: US11899058B2. Автор: Marc Mössinger. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Automated test equipment, method for testing a device under test and computer program using an iterative approach to obtain temperature control instructions

Номер патента: WO2024032917A1. Автор: Natan CHEJANOVSKY. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2024-02-15.

Automated test equipment, method for testing a device under test and computer program using a fitting approach to obtain temperature control instructions

Номер патента: WO2024032916A1. Автор: Natan CHEJANOVSKY,Takatoshi Yoshino,Tse-Kun Chen. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2024-02-15.

A control unit for drop test equipment

Номер патента: FI13236Y1. Автор: Ilkka HEINÄ. Владелец: Konepaja Heinae Oy. Дата публикации: 2022-07-04.

Method for operating automatic test equipment

Номер патента: GB2172403B. Автор: Lewis Williams. Владелец: Membrain Ltd. Дата публикации: 1988-11-02.

Stacked test board apparatus with matched impedance for use in electronic device test equipment

Номер патента: US5801541A. Автор: Saiid Rezvani. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Controlling a test run on a device under test without controlling the test equipment testing the device under test

Номер патента: US20160169973A1. Автор: Steve L. Leclerc. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Automated test equipment component, automated test equipment and method for establishing a coupling with a device under test and with a characterizing device using a first and second antenna

Номер патента: WO2023198296A1. Автор: Jose Moreira. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2023-10-19.

Controlling a test run on a device under test without controlling the test equipment testing the device under test

Номер патента: US20160169961A1. Автор: Steve L. Leclerc. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Automatic test equipment for testing an oscillating crystal and method for operating the same

Номер патента: US20150042368A1. Автор: Ralf Sonnhueter,Anton Ecker. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2015-02-12.

Automated test equipment comprising a device under test loopback and an automated test system with an automated test equipment comprising a device under test loopback

Номер патента: US20240061034A1. Автор: Andreas Hantsch. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for controlling drop test equipment

Номер патента: US20220397606A1. Автор: Ilkka HEINÄ. Владелец: Konepaja Heinae Oy. Дата публикации: 2022-12-15.

Automated test equipment comprising a device under test loopback and an automated test system with an automated test equipment comprising a device under test loopback

Номер патента: US11913987B2. Автор: Andreas Hantsch. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Construction and use of dielectric plate for mating test equipment to a load board of a circuit tester

Номер патента: US20060261834A1. Автор: Gregory Hill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Display panel and burn-in test method of the display panel

Номер патента: US20240168081A1. Автор: Jida HOU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Fixture for burn-in testing of semiconductor wafers, and a semiconductor wafer

Номер патента: US5424651A. Автор: Robert S. Green,Larren G. Weber. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-06-13.

Method and apparatus for supporting a plurality of printed circuit boards for life test and burn-in

Номер патента: US3602774A. Автор: John Grant,Miner R Longley. Владелец: AEROTRONIC ASSOCIATES Inc. Дата публикации: 1971-08-31.

Test and burn-in socket for integrated circuits (ICs)

Номер патента: US7874863B1. Автор: Dong Weon Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-25.

Test and burn-in socket for integrated circuits (ics)

Номер патента: US20110021056A1. Автор: Dong Weon Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Connecting device for burn-in test equipment

Номер патента: TW200922016A. Автор: Chul-Sub Lee,Oh-Hyeon Kwon. Владелец: TYCO ELECTRONICS AMP KOREA LTD. Дата публикации: 2009-05-16.

Surface treated metal material for burn-in test socket, connector for burn-in test socket and burn-in test socket using the same

Номер патента: EP3521014A2. Автор: Satoru Endo. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-08-07.

Multi-chamber for burn-in testing apparatus and test method thereof

Номер патента: KR101002525B1. Автор: 밍 쉬엔 리,룽-쉬우 쉬에. Владелец: 킹 유안 일렉트로닉스 코포레이션 리미티드. Дата публикации: 2010-12-17.

Test board having contact rubber and Burn-in test socket using the same

Номер патента: KR101683018B1. Автор: 박성규,전진국. Владелец: 주식회사 오킨스전자. Дата публикации: 2016-12-07.

Method for performing burn-in test

Номер патента: US20120139566A1. Автор: Koji Shimazawa,Masaaki Kaneko,Takashi Honda,Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Reusable carrier for burn-in / testing of unpackaged dies

Номер патента: KR950006474A. Автор: 신수림 사무엘,킁 탄 시우. Владелец: 선라이트 피티이. 리미티드. Дата публикации: 1995-03-21.

Method for performing burn-in test

Номер патента: US8957692B2. Автор: Koji Shimazawa,Masaaki Kaneko,Takashi Honda,Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

Burn-in test socket

Номер патента: WO1999050677A1. Автор: Akira Kaneshige,Tomohiro Nakano,Isanmu Yamamoto. Владелец: Molex Incorporated. Дата публикации: 1999-10-07.

Nitride semiconductor device manufacturing method and burn-in apparatus

Номер патента: JP6299117B2. Автор: 肇 佐々木,佐々木　肇. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-28.

Monitored burn-in test system and monitored burn-in test method of microcomputers

Номер патента: EP1136832A2. Автор: Kazuyoshi Ajiro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-26.

Method and device for using a semiconductor component

Номер патента: US20220216298A1. Автор: Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-07-07.

Method and device for adapting temperatures of semiconductor components

Номер патента: US20230228810A1. Автор: Michael Maercker,Jonathan WINKLER,Jan Homoth,Sebastian Strache,Karl Oberdieck,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-07-20.

Apparatus and method for monitoring a semiconductor component

Номер патента: US20240019482A1. Автор: Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-01-18.

Circuit device having a semiconductor component

Номер патента: US20120306528A1. Автор: Joachim Joos,Holger Heinisch,Thomas Jacke,Christian Foerster. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Automatic test equipment capable of high speed test

Номер патента: US20080204066A1. Автор: Young-Jin Lee,Jae-Il Lee,Seung-ho Jang,Chul-wuong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Optical interconnections for hybrid testing using automated testing equipment

Номер патента: US11747396B2. Автор: Mark Stenholm,Steven William Keck,Crispin Cruz Mapagay. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Automatic test equipment

Номер патента: CA1242486A. Автор: John W. Bailey,John J. Comfort,Paul A. Hayter,Brian R. Mason,Graham N. Turner,Dinesh Kargathra,Ian R. Fisher. Владелец: Mars Inc. Дата публикации: 1988-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Connections between circuit chips and a temporary carrier for use in burn-in tests

Номер патента: US5237269A. Автор: Bruno R. Aimi,Ralph F. Antonucci,Ferdinand D. Dimaria,Hamid R. Torabi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Switching power supply burn in test circuit

Номер патента: US20180196109A1. Автор: Gang Zheng,Shu Zou. Владелец: Dongguan Guanjia Electronic Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Burn-in test socket apparatus

Номер патента: US5865639A. Автор: Masahiro Fuchigami,Salvatore P. Rizzo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-02-02.

Circuit for test board of burn-in test system, judges quality of device for comparing output signal with test signal based on run time difference data which are stored corresponding to each type of test signal

Номер патента: DE19950536A1. Автор: Yoshiyuki Umeda. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-27.

SWITCHING POWER SUPPLY BURN IN TEST CIRCUIT

Номер патента: US20180196109A1. Автор: Zheng Gang,ZOU Shu. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

A kind of method and apparatus of smart machine burn-in test

Номер патента: CN110286281A. Автор: 孟旭,汤肖迅,杜军红,邱永伟. Владелец: Shanghai Longcheer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-27.

Burn-in test system for projection device

Номер патента: US20090055128A1. Автор: Jian-Sheng Zhou. Владелец: Premier Image Technology China Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Test circuit, method, and apparatus for to-be-tested module

Номер патента: US20240211361A1. Автор: Yi Zhou,Jing Li,Wenxing Li,Luyang Zhang. Владелец: Horizon Journey Hangzhou Artificial Intelligence Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and device for testing the ESD resistance of a semiconductor component

Номер патента: US7009404B2. Автор: Richard Owen,Kai Esmark,Harald Gossner,Philipp Riess,Martin Streibl,Martin Wendel,Wolfgang Stadler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-07.

Load-testing equipment

Номер патента: RU2650360C1. Автор: Тоёси КОНДО. Владелец: Тацуми Риоки Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-04-11.

Interactive test equipment for quality evaluation of resistance value test for electric leakage

Номер патента: US20230108966A1. Автор: Chun-Yao Ko,Po-Cheng Ko,Chih-Ting Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-06.

Interactive test equipment for quality evaluation of insulative electric resistance value of electric power cable

Номер патента: US20230104141A1. Автор: Chun-Yao Ko,Po-Cheng Ko,Chih-Ting Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-06.

Stand-alone smart test module for wire harness testing systems

Номер патента: EP4394415A1. Автор: Hisham Fouad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-03.

Test equipment and method for testing an aircraft oxygen system control device

Номер патента: EP2214791A1. Автор: Dirk Quast. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2010-08-11.

Control system including built in test equipment for harness interface testing

Номер патента: CA1121002A. Автор: Robert J. Bollard. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1982-03-30.

Test equipment and test method of battery management system

Номер патента: US11853044B2. Автор: Yi-Lun Cheng,Yi-Ling Lin,Yen-Hsiang Huang,Yung-Chen Wang,Jia-Wei Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-12-26.

Burn-in testing method and device with temperature control

Номер патента: EP1295138A2. Автор: Boon Hee Wee. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-03-26.

Localized onboard socket heating elements for burn-in test boards

Номер патента: WO2023149913A1. Автор: Tony Leong,Athipat Ratanavarinchai. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US6566150B2. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-20.

Semiconductor device generating a test voltage for a wafer burn-in test and method thereof

Номер патента: US20070165470A1. Автор: Hi-choon Lee,Jin-hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190064257A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: TWI351768B. Автор: Gordon B Kuenster,Christopher A Lopez,Brian J Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2011-11-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES FOR BURN-IN TESTING AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20190064257A1. Автор: Tuttle Mark E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND BURN-IN TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20210123972A1. Автор: Suzuki Koji,TANIMURA Masaaki. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES FOR BURN-IN TESTING AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20190170811A1. Автор: Tuttle Mark E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

SYSTEM AND METHOD FOR VOLTAGE REGULATOR SELF-BURN-IN TEST

Номер патента: US20180348309A1. Автор: OU YANG Kuang-Hua,HSU Kuo-Chan,SHIH Yun-Teng. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Method of generating a wafer burn-in test current in semiconductor memory devices and semiconductor devices using the same

Номер патента: KR100671752B1. Автор: 이희춘,조진형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-19.

Pulley on-chip wafer level burn-in test circuit and its method

Номер патента: KR100278926B1. Автор: 김영희,남영준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

Burn-in test jig

Номер патента: KR940010258A. Автор: 가즈오 이노우에,히사시 오구모. Владелец: 니혼 고오세이 고무 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-05-24.

Burn-in socket and burn-in test method using it

Номер патента: KR940027116A. Автор: 박재명,김구성. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-12-10.

Improved output driver circuit suppresses noise generation and improved semiconductor integrated circuit for burn-in test

Номер патента: KR940012600A. Автор: 기요히로 후루다니,히데유끼 오자끼. Владелец: 기다오까 다까시. Дата публикации: 1994-06-23.

Burn-in testing device

Номер патента: EP0905521A2. Автор: Ryu Maeda. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 1999-03-31.

Fullion chip wafer level burn-in test circuit and method

Номер патента: JP3774081B2. Автор: 英俊 南,榮煕 金. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-10.

System, method and the computer readable storage medium of voltage adjuster burn-in testing

Номер патента: CN108984351A. Автор: 施云腾,欧阳光华生,许国展. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device handling and sorting apparatus for a semiconductor burn-in test process

Номер патента: US6239396B1. Автор: Ju-il Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-29.

System and method for voltage regulator self-burn-in test

Номер патента: EP3410133B1. Автор: Yun-Teng Shih,Kuang-Hua Ou Yang,Kuo-Chan Hsu. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2019-06-12.

System, method and computer readable storage medium for voltage regulator burn-in testing

Номер патента: CN108984351B. Автор: 施云腾,欧阳光华生,许国展. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2021-09-07.

A kind of electrolytic capacitor burn-in test special fixture

Номер патента: CN109444483A. Автор: 李英华. Владелец: Shenzhen Hongming Automation Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

Apparatus and method for individual current setting for burn-in test

Номер патента: KR20090055179A. Автор: 유호상. Владелец: 주식회사디아이. Дата публикации: 2009-06-02.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: TW200605368A. Автор: Gordon B Kuenster,Christopher A Lopez,Brian J Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2006-02-01.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190170811A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Reusable die carrier for burn-in and burn-in process

Номер патента: US6025732A. Автор: Paul Burke,See-Hack Foo,Rhea Posedel,Larry Lape,James Wrenn,Ernie Wang,Carl Buck. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2000-02-15.

Temporary device attach structure for test and burn in of microjoint interconnects and method for fabricating the same

Номер патента: US20030136813A1. Автор: Sampath Purushothaman,George Walker,Richard Volant,John Magerlein,Kevin Petrarca,Samuel McKnight,Carlos Sambucetti,Joseph Van Horn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Temporary package for bare die test and-burn-in

Номер патента: EP0695943A2. Автор: Carol L. Minnesota Mining And Cearley-Cabbiness,David S. C/O Minnesota Mining And Hardcastle. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1996-02-07.

Reusable die carrier for burn-in and burn-in process

Номер патента: KR100468308B1. Автор: 씨-핵 푸,리어 포세델,래리 라페,제임스 우렌,어니 왕,폴 버크,카알 벅크. Владелец: 에어 테스트 시스템즈. Дата публикации: 2005-03-16.

Digital signal processor/known good die packaging using rerouted existing package for test and burn-in carriers

Номер патента: US20010030360A1. Автор: James Forster,Lester Wilson,Richard Arnold,Mahmood Siddiqui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Burn-in test apparatus

Номер патента: US20080291761A1. Автор: Sang Kwon Lee,Bong Seok Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Burn-in test apparatus

Номер патента: US8041531B2. Автор: Sang Kwon Lee,Bong Seok Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-18.

Semiconductor component, assembly and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US20200386795A1. Автор: Kenichi Suzuki,Kenichi Yoshida,Kazuyuki Sashida,Shinji Kunori,Mizue Yamaji. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor component, assembled body, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: EP3715867A1. Автор: Kenichi Suzuki,Kenichi Yoshida,Kazuyuki Sashida,Shinji Kunori,Mizue Yamaji. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Test carrier with molded interconnect for testing semiconductor components

Номер патента: US20010043074A1. Автор: Salman Akram,David R. Hembree,Alan G. Wood,Warren M. Farnworth,James M. Wark,Derek Gochnour,John O. Jacobson,Syed Sajid Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

A test socket for and method of testing electronic components, in particular high-power semiconductor components

Номер патента: EP4372388A1. Автор: Markus Wagner,Johann PÖTZINGER,Stefan Engelbrecht,Christoph MEDERER. Владелец: Cohu GmbH. Дата публикации: 2024-05-22.

Test socket for and a method of testing electronic components, in particular high-power semiconductor components

Номер патента: US20240168055A1. Автор: Markus Wagner,Johann PÖTZINGER,Stefan Engelbrecht,Christoph MEDERER. Владелец: Cohu GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor component test socket

Номер патента: WO2001061364A3. Автор: Takayuki Nagumo,Masahito Naito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2002-03-07.

Silicon carbide interconnect for semiconductor components and method of fabrication

Номер патента: US20030143764A1. Автор: Salman Akram,Alan Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Method and semiconductor component having a device for determining an internal voltage

Номер патента: US20020125906A1. Автор: Ralf Schneider,Thilo Shaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Method and apparatus for calibrating array path of beam forming test equipment for base station

Номер патента: US20230421270A1. Автор: Il Doo CHANG,Yong Hoon Lim,Young Su Kwak,Jong Pil SEO. Владелец: Innowireless Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and apparatus for calibrating array path of beam forming test equipment for base station

Номер патента: EP4297299A1. Автор: Il Doo CHANG,Yong Hoon Lim,Young Su Kwak,Jong Pil SEO. Владелец: Innowireless Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Low pin interface testing module

Номер патента: US20090228231A1. Автор: Deepak Baranwal,Rahul Hakoo,Chilakala Ravi Kumar. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Automatic test equipment for semiconductor device

Номер патента: EP1260822B1. Автор: Ronald A. Sartschev,Gerald F. Muething, Jr.. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2005-06-08.

Portable calibration unit for test equipment

Номер патента: US7026827B2. Автор: Fred H. Ives,David L. Platt. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2006-04-11.

Integrated circuit testing interface on automatic test equipment

Номер патента: US9435863B2. Автор: Chun-Chi Chen,Hung-Wei Lai,Tsung-Jun Lee. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-09-06.

Portable calibration unit for test equipment

Номер патента: US20050080577A1. Автор: David Platt,Fred Ives. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-04-14.

Test module hanger for test fixtures

Номер патента: US5444387A. Автор: Mark A. Swart,Charles J. Johnston,David R. Van Loan. Владелец: Everett Charles Technologies Inc. Дата публикации: 1995-08-22.

Electric contact module and electric contact box for an electric unit, as well as electric equipment and electric unit

Номер патента: US20120220172A1. Автор: Peter Kraemer,Joergen Lundberg,Markus Ofenloch. Владелец: TYCO ELECTRONICS SVENSKA HOLDINGS AB. Дата публикации: 2012-08-30.

Test module

Номер патента: US20020073253A1. Автор: Bernhard Seubert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Driver circuit employing high-speed tri-state for automatic test equipment

Номер патента: EP1490702A1. Автор: Richard P. Davis,Tusher K. Gohel. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2004-12-29.

Driver circuit employing high-speed tri-state for automatic test equipment

Номер патента: WO2003085409A1. Автор: Richard P. Davis,Tusher K. Gohel. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2003-10-16.

High speed pin driver integrated circuit architecture for commercial automatic test equipment applications

Номер патента: WO2000039928A1. Автор: Lloyd F. Linder. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2000-07-06.

Automatic test equipment pin channel with t-coil compensation

Номер патента: WO2004055533B1. Автор: Bruce Hecht,Douglas W Babcock,Robert A Duris. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Calibration data transmission apparatus and method for semiconductor test equipment

Номер патента: US5629880A. Автор: Toshiyuki Negishi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1997-05-13.

Automatic test equipment using sigma delta modulation to create reference levels

Номер патента: EP1149298A1. Автор: Ernest P. Walker,Eric D. Blom,Ronald A. Sartschev,Allan M. Ryan, Jr.. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2001-10-31.

Automatic test equipment using sigma delta modulation to create reference levels

Номер патента: WO2000046610A1. Автор: Ernest P. Walker,Eric D. Blom,Ronald A. Sartschev,Allan M. Ryan, Jr.. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2000-08-10.

Automated test equipment with hardware accelerator

Номер патента: US12079098B2. Автор: Edmundo De la Puente,Mei-Mei Su,Eddy Wayne CHOW. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Deterministic concurrent test program executor for an automated test equipment

Номер патента: US10990513B2. Автор: Olaf PÖPPE,Jürgen Sang. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

High speed pin driver integrated circuit architecture for commercial automatic test equipment applications

Номер патента: EP1057263A1. Автор: Lloyd F. Linder. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2000-12-06.

Compensating for the effects of round-trip delay in automatic test equipment

Номер патента: EP1064560A1. Автор: William J. Bowhers. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2001-01-03.

Measuring input receiver thresholds using automated test equipment digital pins in a single shot manner

Номер патента: US12078677B1. Автор: Brendan Tully,Amandeep Saluja. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus and method for operating electronic device testing equipment in accordance with a known overall timing accuracy parameter

Номер патента: US5809034A. Автор: Anh Nguyen,Saiid Rezvani. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1998-09-15.

IC test equipment, measurement method in the IC test equipment, and storage medium of the same

Номер патента: US5964894A. Автор: Kouichirou Kurihara. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-12.

Test equipment for printed circuit boards

Номер патента: US4749945A. Автор: Reinhard Bonifert,Helmut Hainzl. Владелец: ITT Austria GmbH. Дата публикации: 1988-06-07.

Semiconductor testing equipment

Номер патента: US6163875A. Автор: Noriyuki Suzuki. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-19.

Test and burn-in connector

Номер патента: TW555983B. Автор: Zhineng Fan,Che-Yu Li,Linh Van. Владелец: High Connector Density Inc. Дата публикации: 2003-10-01.

Test and burn-in connector

Номер патента: WO2003081723A1. Автор: Zhineng Fan,Che-Yu Li,Linh Van. Владелец: High Connection Density, Inc.. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor memory device having wafer burn-in test mode

Номер патента: US20090116322A1. Автор: Hi-Hyun Han,Jee-Yul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Dram and method for testing the same in the wafer level burn-in test mode

Номер патента: US20130021862A1. Автор: Min-Chung Chou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Wafer burn-in test and wafer test circuit

Номер патента: US20030210589A1. Автор: Ha Min Sung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-11-13.

Disc player and burn-in test method for disc player

Номер патента: US20140169148A1. Автор: Ya-Guo Wang,Chun-Ching Chen. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for reading semiconductor die information in a parallel test and burn-in system

Номер патента: US20020085439A1. Автор: Keith White,Mark Eubanks. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-07-04.

Burn-in test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US5452253A. Автор: Young-Keun Choi. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-19.

Burn-in circuit and burn-in test method

Номер патента: US5467356A. Автор: Yun-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-11-14.

Wafer burn-in test circuit and a method thereof

Номер патента: US5790465A. Автор: Soo-In Cho,Jae-Gu Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-08-04.

Dynamic random access memory device having power supply system appropriately biasing switching transistors and storage capacitors in burn-in testing process

Номер патента: US5363333A. Автор: Akira Tsujimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

System and method for cooling a semiconductor light source bar during burn-in testing

Номер патента: US8503493B1. Автор: Ryuji Fujii,Quan Bao Wang,Chun Fei Cheung. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor memory device having burn-in test function

Номер патента: US5119337A. Автор: Mitsuru Shimizu,Shozo Saito,Syuso Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-06-02.

Semiconductor memory devices including burn-in test circuits

Номер патента: US20100246300A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-30.

Burn-in statistics and burn-in compensation

Номер патента: US11823642B2. Автор: Guy Cote,Peter F. Holland,Mahesh B. Chappalli,Christopher P. Tann,Stephan Lachowsky. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Circuit arrangement, electrical system, and method for ascertaining barrier layer temperatures of gate-controlled semiconductor components

Номер патента: US20240272012A1. Автор: Jonathan WINKLER,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-15.

Component arrangement and method for determining the temperature in a semiconductor component

Номер патента: US20070200193A1. Автор: Wolfgang Horn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Optoelectronic semiconductor component having a semiconductor contact layer and method for producing the optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11764330B2. Автор: Alexander Pfeuffer,Hans-Jürgen Lugauer,Mohammad Tollabi Mazraehno,Mariel Grace Jama. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and device for optically representing electronic semiconductor components

Номер патента: US11754511B2. Автор: Jens Fiedler,Sebastian Giessmann. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for manufacturing a semcoductor component and a semiconductor component, in particular a diaphragm sensor

Номер патента: US20080093694A1. Автор: Heribert Weber,Hubert Benzel,Hans Artmann,Frank Schafer,Thorsten Pannek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Test equipment for testing an additional center tank (act) system of an aircraft

Номер патента: EP2242708A1. Автор: Jürgen LOHMANN. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2010-10-27.

Semiconductor component and method

Номер патента: US20040048430A1. Автор: Hubert Benzel,Hans Artmann,Frank Schaeffer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Module and method for monitoring environmental influences on a module

Номер патента: US20220404216A1. Автор: Torsten Ohms,Clemens Jurgschat. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-12-22.

Module and method for monitoring environmental influences on a module including multiple stress measuring cells

Номер патента: US11976987B2. Автор: Torsten Ohms,Clemens Jurgschat. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and device for determining an operating temperature of a semiconductor component

Номер патента: US20020173930A1. Автор: Martin Perner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor component and method of fabrication

Номер патента: US5918112A. Автор: Mahesh K. Shah,John W. Hart, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-06-29.

Optical semiconductor component and method of fabrication

Номер патента: US5936294A. Автор: Zuoying Lisa Zhang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Method for determining the temperature of a semiconductor component

Номер патента: US20020101906A1. Автор: Wolfgang Spirkl,Jens Braun,Detlev Richter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Method and system for simulating various engine operating conditions to evaluate engine emissions test equipment

Номер патента: US20130068002A1. Автор: Donald B. Nagy. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2013-03-21.

Testing equipment for crash simulation tests

Номер патента: WO2013066747A1. Автор: Mario Covic,Jürgen KRÄEMER. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2013-05-10.

Bodily fluid testing equipment

Номер патента: WO2021023961A1. Автор: Luke Heron,Andrew Botham,Christopher Hewitt. Владелец: Testcard Ltd.. Дата публикации: 2021-02-11.

Lens testing equipment

Номер патента: US20240280434A1. Автор: Chun Chen. Владелец: Vizionfocus Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Combined testing equipment for motor vehicle testing stations

Номер патента: EP3809105A1. Автор: Petr Freitag,Josef Ho ej í,Milan Kota ka. Владелец: Actia CZ sro. Дата публикации: 2021-04-21.

Alternating stress fatigue testing equipment

Номер патента: US11768139B2. Автор: Jian Zheng,Jiansheng Du,Xinzhen HE,Zhongxing WANG,Renzhong PEI. Владелец: Institute of Geology and Geophysics of CAS. Дата публикации: 2023-09-26.

Testing module and measuring apparatus having the same

Номер патента: US10422784B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu,Yuing Chang,Rong-Yeu Chang,Chen-Chieh WANG. Владелец: CoreTech System Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

Test equipment system and method for testing a component

Номер патента: WO2008092510A1. Автор: Kajsa Karlsson,Diana SIPÖCZ. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2008-08-07.

Rock true triaxial dynamic compression-shear test equipment and method under deep complex structure conditions

Номер патента: US11761865B2. Автор: Yang Liu,Xi Wang,Yumin Chen,Jianbo Wang,Guilin Li,Mingde Zhu,Xiwei ZHANG,Huanxin Liu,Shuhao DU,Kuikui HOU,Qinzheng WU. Владелец: Deep Well Mining Laboratory Branch Of Shandong Gold Mining Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Vibrating wire stress gauge and stress testing equipment suitable for use in low temperature environments

Номер патента: US12055448B1. Автор: Weizhong Chen,Yun Zhou,Xianjun Tan,Jingqiang Yuan,Peichao Zheng,Hongdan Yu,Xuyan Tan. Владелец: Wuhan Institute of Rock and Soil Mechanics of CAS. Дата публикации: 2024-08-06.

A test equipment

Номер патента: WO2024107159A2. Автор: Ramazan Aydin,Semih ERTURK. Владелец: Turkiye'nin Otomobili Girisim Grubu Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi. Дата публикации: 2024-05-23.

Test equipment determining concrete compressive strength class

Номер патента: US20180011077A1. Автор: Cevdet Emin Ekinci. Владелец: Firat Akademi Yayincilik Egitim Insaat Sanayi Ve Ticaret AS. Дата публикации: 2018-01-11.

A test equipment

Номер патента: WO2024107159A3. Автор: Ramazan Aydin,Semih ERTURK. Владелец: Turkiye'nin Otomobili Girisim Grubu Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi. Дата публикации: 2024-09-19.

Test bench for testing equipment

Номер патента: RU2717358C1. Автор: Александр Алексеевич Семенов,Владимир Яковлевич Савицкий,Максим Александрович Глазков. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "ВОЕННАЯ АКАДЕМИЯ МАТЕРИАЛЬНО-ТЕХНИЧЕСКОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ имени генерала армии А.В. Хрулева". Дата публикации: 2020-03-23.

Method of placing and testing equipment of satellite navigation at the mobile facility

Номер патента: RU2680662C1. Автор: Владимир Вячеславович Громов,Сергей Михайлович Мосалёв,Игорь Семенович Рыбкин,Денис Игоревич Синицын,Дмитрий Альберович Фуфаев,Алексей Владимирович Котухов. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод им. В.А. Дегтярева". Дата публикации: 2019-02-25.

Diagnostic testing module for quick pcr testing

Номер патента: EP4415627A1. Автор: PAN Zhang,Babak Ziaie,Jasmin B. Farshi,Bela Incze,Jonathan Barry Hirst,Babar M. Koraishy. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Testing equipment system

Номер патента: US20230201816A1. Автор: Atsushi Kameyama,Yasuhiko Hashimoto,Yukio Iwasaki,Toshihiko Miyazaki,Hiroshi Mitsui,Shogo Kubota,Satoshi Ouchi,Tatsuya Shirai,Eiji Mitsui,Tomoya Nakanishi. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2023-06-29.

Test module

Номер патента: US4737342A. Автор: Randolph F. Bradshaw,Raymond J. Herrmann,Harry F. DeBevec,Peter O. Botten. Владелец: Ciba Corning Diagnosys Corp. Дата публикации: 1988-04-12.

Method and apparatus relating to test equipment with humidification capability

Номер патента: CA2236478C. Автор: Richard Walker,Robert A. Cutright,Wayne Walton. Владелец: Venturedyne Ltd. Дата публикации: 2002-01-15.

Bodily fluid testing equipment

Номер патента: US20220291131A1. Автор: Luke Heron,Andrew Botham,Christopher Hewitt. Владелец: Testcard Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Method and apparatus relating to test equipment with humidification capability

Номер патента: WO1997016719A1. Автор: Richard Walker,Robert A. Cutright,Wayne Walton. Владелец: VENTUREDYNE, LTD.. Дата публикации: 1997-05-09.

Bodily fluid testing equipment

Номер патента: EP4010701A1. Автор: Luke Heron,Andrew Botham,Christopher Hewitt. Владелец: Testcard Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Aspirating smoke detector with test module

Номер патента: EP4332939A1. Автор: Michael Barson,Christopher Dearden,Benjamin H. WOLF. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Aspirating smoke detector with test module

Номер патента: US20240053243A1. Автор: Michael Barson,Christopher Dearden,Benjamin H. WOLF. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Simulated pavement rotary drum and automobile test equipment

Номер патента: US11754470B2. Автор: Jun Wang,Hanqi Wu,Zuo Xu,Zhigao YIN,Desheng Chen,Shide LI. Владелец: CITIC Dicastal Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method and Test Equipment for Inspecting Functionality of Display Device

Номер патента: US20220148469A1. Автор: Jia-Yu Wang,Chi-Cheng Hung,Sheng-Nan Sun,Kun-Yen Wu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2022-05-12.

A semiconductor test and burn-in apparatus provided with a high current power connector for combining power planes

Номер патента: US20050112936A1. Автор: John Blondin,Gene Patrick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Burn-in test jig for semiconductor device and burn-in test method

Номер патента: JP3189812B2. Автор: 洋 松岡. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-16.

Semiconductor integrated circuit device with built-in test circuit for applying stress to timing generator in burn-in test

Номер патента: KR19990078115A. Автор: 하라구찌요시노리. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-10-25.

Semiconductor integrated circuit device equipped with power make-up circuit used in burn-in test after packaging and method for testing the same

Номер патента: KR100348837B1. Автор: 다마끼사또시. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-08-17.

Test circuit for a semiconductor memory device and method for burn-in test

Номер патента: US6055199A. Автор: Takashi Kono,Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani,Kei Hamade. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Integrated circuit capable of being burn-in tested using an alternating current stress and a testing method using the same

Номер патента: US6490223B1. Автор: Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Sang-Jib Han,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-03.

Burn-in test input circuit of a semiconductor memory device and burn-in test method therefor

Номер патента: DE69326654D1. Автор: Yun-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-11.

Integrated circuit capable of being burn-in tested using an alternating current stress and a testing method using the same

Номер патента: US20030035333A1. Автор: Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Sang-Jib Han,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor integrated circuit device equipped with power make-up circuit used in burn-in test after packaging and method for testing the same

Номер патента: US20020027226A1. Автор: Satoshi Tamaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor memory device having improved wafer burn-in test scheme

Номер патента: TW419587B. Автор: Jong-Ryeul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-21.

DISC PLAYER AND BURN-IN TEST METHOD FOR DISC PLAYER

Номер патента: US20140169148A1. Автор: WANG YA-GUO,CHEN CHUN-CHING. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF WAFER BURN-IN TEST FOR THE SAME

Номер патента: US20150155054A1. Автор: LEE Hyun-Sung,PARK Kee-Teok. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-06-04.

method for controlling voltage generator for use in wafer burn-in test and voltage generator controlling circuit

Номер патента: KR100470997B1. Автор: 강상석,최종현,정용환,박충선,김형동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor memory device with an easy package level burn-in test

Номер патента: KR0182162B1. Автор: 윤순병. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

반도체 메모리의 번 인 테스트(Burn-In Test) 장치

Номер патента: KR940008674U. Автор: 최영근. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-04-21.

Burn-in test circuit

Номер патента: KR100302617B1. Автор: 전준현. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-01.

Burn-in test method

Номер патента: KR100464946B1. Автор: 이승현,정호돈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-05.

Semiconductor memory burn-in test circuit

Номер патента: JP3397850B2. Автор: チョイ ヨング−ケウン. Владелец: エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド. Дата публикации: 2003-04-21.

Driver circuit of burn-in test mode

Номер патента: KR0164802B1. Автор: 정민철,박희철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Burn-in test apparatus of semiconductor memory

Номер патента: KR960005387Y1. Автор: 최영근. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1996-06-28.

Semiconductor memory device with burn-in test function

Номер патента: KR100390146B1. Автор: 유제환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-07-04.

Semiconductor memory device capable of writing different data in cells connected to one word line at burn-in test

Номер патента: KR100771853B1. Автор: 신동학. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-11-01.

Burn-in test circuit and method for semiconductor memory device

Номер патента: JP3803145B2. Автор: 再九 盧,秀仁 趙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-02.

Burn-in enable circuit and burn-in test method of semiconductor memory device

Номер патента: KR950003014B1. Автор: 최윤호. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-03-29.

Method for setting up bit error rate criterion and method for burn-in test of hard disk drive

Номер патента: KR100833198B1. Автор: 이상협,이해중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-28.

Wafer Burn-in Test Circuit of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR970076892A. Автор: 노재구. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

Memory device having open bit line cell structure using burn-in testing scheme and method therefor

Номер патента: US7245542B2. Автор: Ki-Won Park,Byung-sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-17.

Oled panel burn-in test characteristics of luminescence detection method based on pixel brightness

Номер патента: CN110428762A. Автор: 洪志坤,张胜森,欧昌东,郑增强. Владелец: Wuhan Jingli Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-08.

Speedy burn-in test system of semiconductor memory device

Номер патента: KR102141800B1. Автор: 유호상,옥두환. Владелец: 주식회사 엑시콘. Дата публикации: 2020-08-06.

Precharge circuit for inducing sensing stress upon twist bit lines of memory, layout of the precharge circuit and wafer burn-in test method of the memory device

Номер патента: KR100630714B1. Автор: 최영주,김규홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-04.

The wafer burn-in test method of biasing the stress voltage on bit line

Номер патента: KR0157292B1. Автор: 전준영,정우표. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-18.

Semiconductor memory device having burn-in test mode

Номер патента: KR100900786B1. Автор: 허황. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor memory device and burn-in test method thereof

Номер патента: KR100827444B1. Автор: 손상기,임종형,김대선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-06.

Semiconductor memory with built-in burn-in test

Номер патента: DE69419951D1. Автор: Takashi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-16.

Apparatus and method for determining burn-in test progress status of hard disk drive

Номер патента: KR100505586B1. Автор: 조진원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-30.

High-temperature burn-in test method, control end, tool end and system for iMS-CPU board

Номер патента: CN112711502A. Автор: 张玉娟,张稳稳,周红阳,苏天放,吴玉洋,谷素琴,曹颖萍. Владелец: Shanghai Railway Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Semiconductor memory device facilitates package-level burn-in testing

Номер патента: KR980005040A. Автор: 윤순병. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Wafer burn-in test method

Номер патента: KR100224776B1. Автор: 조주환. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Semiconductor memory circuit having normal operation mode and burn-in test mode

Номер патента: US6735133B1. Автор: Yasuhiko Tsukikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Wafer burn-in test method applying stress voltage to bit line

Номер патента: KR970022353A. Автор: 전준영,정우표. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-28.

Microcomputer and burn-in test method thereof

Номер патента: JP3198997B2. Автор: 祐介 時枝. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-13.

Semiconductor integrated circuit device having burn-in test capability and method for using the same

Номер патента: US5909142A. Автор: Junji Ogawa,Kenichi Kawasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-06-01.

Thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD) source driver for implementing a self burn-in test and a method thereof

Номер патента: US20050162374A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Kyung-Wol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-28.

Burn-in test circuit

Номер патента: JP4564148B2. Автор: チュン ジュン−ヒュン. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-20.

A semiconductor memory device having a burn-in test function

Номер патента: KR19990014168A. Автор: 히로아끼 하시모또. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-02-25.

Method for performing a burn-in test

Номер патента: US7463548B2. Автор: Alan D. Norris,Samuel Weinstein,Stephan Wuensche. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-09.

Semiconductor memory device capable of writing different data in cells coupled to one word line during burn-in test

Номер патента: US7474573B2. Автор: Dong-Hak Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-06.

Semiconductor memory device with circuit executing burn-in testing

Номер патента: US6704231B1. Автор: Fukashi Morishita,Mitsuya Kinoshita. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-09.

Wafer burn in test control citcuit

Номер патента: KR100904465B1. Автор: 한희현,김지열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-24.

Semiconductor memory with built-in burn-in test

Номер патента: EP0615253A2. Автор: Takashi C/O Intellectual Property Div. Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-09-14.

Wafer burn-in test circuit

Номер патента: KR100845810B1. Автор: 안선모,김육희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-14.

Method and apparatus for controlling a high voltage generator in a wafer burn-in test

Номер патента: US20060114731A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Choong-Sun Park,Hyung-Dong Kim,Yong-Hwan Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor memory and burn-in test method of semiconductor memory

Номер патента: KR100750576B1. Автор: 노부미 고다마,요시아키 오쿠야마,신야 후지오카,야스히로 다카다,다쓰히로 와타나베. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-08-21.

Burn-in test method for yield improvement in hard disk drive

Номер патента: KR980004779A. Автор: 조진원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Semiconductor memory device having wafer burn-in test mode

Номер патента: US7660174B2. Автор: Hi-Hyun Han,Jee-Yul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor memory device having function of burn-in test thereof

Номер патента: KR100494437B1. Автор: 김남종,이규찬. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-06-13.

The method and apparatus that a kind of pair of encryption currency arithmetic facility carries out burn-in test

Номер патента: CN108874599A. Автор: 张楠赓,赵建雄. Владелец: Hangzhou Canaan Creative Information Technology Ltd. Дата публикации: 2018-11-23.

Semiconductor memory device with improved wafer burn-in test scheme

Номер патента: KR100281900B1. Автор: 김종열. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-02-15.

TFT-LCD source driver implementing self burn-in test

Номер патента: KR100525000B1. Автор: 전용원,김경월. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-31.

Burn-In Statistics and Burn-In Compensation

Номер патента: US20190080666A1. Автор: Cote Guy,Holland Peter F.,Tann Christopher P.,Chappalli Mahesh B.,Lachowsky Stephan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

BURN-IN STATISTICS AND BURN-IN COMPENSATION

Номер патента: US20220358895A1. Автор: Cote Guy,Holland Peter F.,Tann Christopher P.,Chappalli Mahesh B.,Lachowsky Stephan. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Display apparatus, burn-in correction system and burn-in correction method

Номер патента: CN100590690C. Автор: 片山贵宽,高城敏弘. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Burn-in statistics and burn-in compensation

Номер патента: KR102425302B1. Автор: 가이 코테,마헤쉬 비. 차팔리,크리스토퍼 피. 탄,피터 에프. 홀란드,스테판 라초우스키. Владелец: 애플 인크.. Дата публикации: 2022-07-25.

Semiconductor memory device with low power cell refresh and burn-in

Номер патента: KR960002350A. Автор: 유승문. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-01-26.

Image device and burn-in prevention method

Номер патента: CN111385437B. Автор: 白凤霆,苏尚裕. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2022-08-26.

Burn-in statistics and burn-in compensation

Номер патента: EP3454323A1. Автор: Guy Cote,Peter F. Holland,Christopher P. Tann,Mahesch B. CHAPPALLI,Stephan R. LACHOWSKY. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-03-13.

Display apparatus, burn-in correction system and burn-in correction method

Номер патента: US20070222860A1. Автор: Toshihiro Takagi,Takahiro Katayama. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Foveated display burn-in statistics and burn-in compensation systems and methods

Номер патента: US20240096262A1. Автор: Shereef Shehata,Yung-Chin Chen,Jim C Chou. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Foveated display burn-in statistics and burn-in compensation systems and methods

Номер патента: US11955054B1. Автор: Shereef Shehata,Yung-Chin Chen,Jim C Chou. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Foveated display burn-in statistics and burn-in compensation systems and methods

Номер патента: WO2024064105A1. Автор: Shereef Shehata,Yung-Chin Chen,Jim C Chou. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Foveated display burn-in statistics and burn-in compensation systems and methods

Номер патента: US20240257710A1. Автор: Shereef Shehata,Yung-Chin Chen,Jim C Chou. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for reading semiconductor die information in a parallel test and burn-in system

Номер патента: WO2002054411A9. Автор: Mark Daniel Eubanks,Keith Jordan White. Владелец: Infineon Technologies Richmond. Дата публикации: 2003-05-30.

Method for reading semiconductor die information in a parallel test and burn-in system

Номер патента: WO2002054411A3. Автор: Mark Daniel Eubanks,Keith Jordan White. Владелец: Infineon Technologies Richmond. Дата публикации: 2003-04-17.

Method for reading semiconductor die information in a parallel test and burn-in system

Номер патента: EP1350254A2. Автор: Mark Daniel Eubanks,Keith Jordan White. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2003-10-08.

Method for reading semiconductor die information in a parallel test and burn-in system

Номер патента: WO2002054411A2. Автор: Mark Daniel Eubanks,Keith Jordan White. Владелец: Infineon Technologies Richmond, Lp. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for producing optoelectronic semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component, and an optoelectronic arrangement

Номер патента: US20230369550A1. Автор: Norwin von Malm,Matthias Goldbach,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for classifying light-emitting semiconductor components and image sensor application having an image sensor and a semiconductor element

Номер патента: US20170100751A1. Автор: Peter Brick,Felix Kimme. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor component update device

Номер патента: GB2605684A. Автор: Thompson Michael,Albright Ryan,Goska Benjamin,Andrew Mecham William,Ryan Weese William,Richard Carkin Aaron. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2022-10-12.

Method of forming a semiconductor component

Номер патента: US20030129778A1. Автор: Roland Munzner,Georg Bastian. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-07-10.

Assembly of an active semiconductor component and of a silicon-based passive optical component

Номер патента: US11934007B2. Автор: Hélène Debregeas,François Lelarge,David Carrara. Владелец: ALMAE TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2024-03-19.

Methods for semiconductor component design and for semiconductor component production and corresponding semiconductor components

Номер патента: US20170352617A1. Автор: Andreas Kuesel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-07.

Compound, semiconductor component, and method for producing a semiconductor component comprising an organic memory material

Номер патента: US20060211257A1. Автор: Guenter Schmid,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-21.

Generating a semiconductor component layout

Номер патента: US9305135B2. Автор: Chung-Hui Chen,Chien-Hung Chen,Yung-Chow Peng,Chih Ming Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Optoelectronic semiconductor component and biometric sensor

Номер патента: US20200251631A1. Автор: Thomas Kippes,Claus Jaeger,Jason Rajakumaran. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-08-06.

Monolithic integrated optical semiconductor component

Номер патента: US5862168A. Автор: Michael Schilling,Gert Laube. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1999-01-19.

Semiconductor component for connection to a test system

Номер патента: US6800817B2. Автор: Helmut Schneider,Robert Kaiser,Florian Schamberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-05.

Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20140217425A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Fabian Kopp,Clemens Vierheilig,Sönke TAUTZ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-08-07.

Physical identifiers for authenticating an identity of a semiconductor component

Номер патента: WO2019118711A1. Автор: Andy Yang,Scott D. Johnson,Lynn Bos,Neal MUELLER. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-06-20.

Photoresist layers of semiconductor components including electric fields, system, and methods of forming same

Номер патента: US11817293B2. Автор: Gregory Denbeaux. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2023-11-14.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Test module and test method

Номер патента: US20110145664A1. Автор: Tokunori Akita. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Package method for attached single small size and array type of chip semiconductor component

Номер патента: US20200411470A1. Автор: Cheng Hsien Chiu,Hsing-Tsai Huang,Ching-Hohn Len,Hsing-Hsiang Huang. Владелец: SFI Electronics Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Copolymers having O-nitrocarbinol ester groups and production of semiconductor components

Номер патента: US4822866A. Автор: Reinhold Schwalm,Horst Binder. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1989-04-18.

LCD having semiconductor components

Номер патента: US20050067626A1. Автор: Hsiao-Yi Lin. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Graphically extensible, hardware independent method to inspect and modify state of test equipment

Номер патента: US20070266272A1. Автор: Jeffrey Johnson,Alan Davis,Ben Rogel-Favlla. Владелец: Verigy Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-11-15.

Programmable electronic test equipment and method for programming electronic test equipment

Номер патента: US20240192933A1. Автор: Simon Scholl,Thomas Maierbacher. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-13.

Tactile sensibility testing equipment

Номер патента: US4415326A. Автор: Saburo Nagata,Ken Nara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1983-11-15.

Test apparatus and test module

Номер патента: US20130231886A1. Автор: Toshiaki Adachi,Takahiro Nakajima,Takeshi Yaguchi,Hajime Sugimura. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Test module for asynchronous bus

Номер патента: WO1984003156A1. Автор: Shlomo Pri-Tal. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-08-16.

Medical device arrangement with a test module

Номер патента: US20210286696A1. Автор: Frank Franz,Stefan Schlichting,Jasper DIESEL. Владелец: Draegerwerk AG and Co KGaA. Дата публикации: 2021-09-16.

Signal adjusting device, signal adjusting method, and test equipment

Номер патента: US20210366432A1. Автор: Xing Dong,Zhi Zhang,Shuai Chen,Xiuzhu TANG,Zhenguo TIAN,Xuebo Liang,Shuang Hu,Taoliang Tang,Tae Yup Min,Lijun XIONG. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Isolating the evaluation of actual test results against expected test results from the test module that generates the actual test results

Номер патента: US20050015666A1. Автор: Francislav Penov,Kavita Kamani,Randy Chapman,Samuel Patton,Sujay Sahni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Assigning a test suite to test equipment using an execution graph

Номер патента: US20170270717A1. Автор: Sunil Raina,Avishek SOMANI. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Visual field testing method, system, and testing apparatus based on head-mounted testing equipment

Номер патента: US20200214552A1. Автор: Cong Zhang,Yi ZHEN,Weihong Zheng. Владелец: Zhuhai Wiifine Medinformation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

A vehicle brake testing method and a vehicle brake testing module

Номер патента: WO2016140608A1. Автор: Carl-Otto OLSSON,Kim Kettunen. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2016-09-09.

Storage device testing module

Номер патента: US20230087045A1. Автор: Yun Chang,Kwangkyu BANG,Sanggeun Yoo,Kiljoong Yun,Songrye Choi,Jaegyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-23.

Storage device testing module

Номер патента: US12019485B2. Автор: Yun Chang,Kwangkyu BANG,Sanggeun Yoo,Kiljoong Yun,Songrye Choi,Jaegyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Software test equipment and software testing method

Номер патента: GB2568366A. Автор: Sato Naoto,Nakagawa Yuichiroh,KURUMA Hironobu,OGAWA Hideto,ITOH Shinji,MYOJIN Tomoyuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-05-15.

Digital control system including built in test equipment

Номер патента: CA1100642A. Автор: David A. Tawfik,Donald J. Porawski,Robert J. Bollard. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1981-05-05.

Voice command and audio output to obtain built-in test equipment data

Номер патента: EP4266307A1. Автор: Sumit Pandey. Владелец: Goodrich Aerospace Services Pvt Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Voice command and audio output to obtain built-in test equipment data

Номер патента: US20230343334A1. Автор: Sumit Pandey. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Gamma-voltage generation module and liquid crystalline panel

Номер патента: RU2667383C2. Автор: Чжи-цзун КАН,Люсиань ЧЭНЬ. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-09-19.

Cooling fan module of power supply used in burn in test equipment

Номер патента: KR101463607B1. Автор: 한강룡. Владелец: 주식회사 다온시스. Дата публикации: 2014-12-05.

Chip packaging process including simplification and mergence of burn-in test and high temperature test

Номер патента: TW200917400A. Автор: Wen-Jeng Fan,Li-Chih Fang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Chip packaging process including simplification and mergence of burn-in test and high temperature test

Номер патента: TWI339871B. Автор: Wen Jeng Fan,Li Chih Fang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-01.

Burn-in test method for hybrid integrated circuit

Номер патента: JPS6442142A. Автор: Norimasa Takada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-14.

Jig and method for performing burn-in test on semiconductor device

Номер патента: JP2000150591A. Автор: Hiroshi Matsuoka,洋 松岡. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-05-30.

A kind of whole machine cabinet server burn-in test monitoring method and system

Номер патента: CN109586994A. Автор: 王贞国. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-05.

Automatic transfer method of burn-in board by automatic guided vehicle and burn-in test system

Номер патента: JP3307189B2. Автор: 栄司 佐々木. Владелец: 安藤電気株式会社. Дата публикации: 2002-07-24.

Semiconductor integrated circuit device and burn-in test method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JP2826404B2. Автор: 浩一 長谷川. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-11-18.

Semiconductor wafer for burn-in testing of integrated circuits

Номер патента: DE4444584A1. Автор: Hiroyuki Ban,Mitsuhiro Saitou,Kouji Numazaki. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-06.

Temperature maintenance System of Probe Card for Wafer Burn-In Test

Номер патента: KR100671485B1. Автор: 이승현,주홍철,이태교,이승국. Владелец: 주식회사 씨너텍. Дата публикации: 2007-01-19.

METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND BURN-IN APPARATUS

Номер патента: US20150064811A1. Автор: SASAKI Hajime. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2015-03-05.

Agent for treatment of trophic ulcer and burn in leprosy patients

Номер патента: RU2095065C1. Автор: Е.И. Шац,А.А. Ющенко. Владелец: Научно-исследовательский институт по изучению лепры Минздравмедпрома РФ. Дата публикации: 1997-11-10.

Method and system for supplying pulverized fuel and burning in glass melting furnace and burner used therefor

Номер патента: JP5269681B2. Автор: ヌネズ、 ミゲル アンゲル オリン,ラノス、 ロベルト マルコス カブレラ,マーフィー、 ジョージ ロレド,オーティス、 ラファエル マーガイン,ポンセ、 ジュアン ガブリエル フローレス. Владелец: ヴィトロ グローバル エス．エイ．. Дата публикации: 2013-08-21.

Sewage sludge processing system - gasifies with dry material and burns in prodn. processing furnace to prevent pollution

Номер патента: NL8801708A. Автор: . Владелец: Maarten Leendert Ouwehand. Дата публикации: 1990-02-01.

Surface-emitting type wafer and method for manufacturing the same, and burn-in method for surface-emitting type wafers

Номер патента: US7365368B2. Автор: Hajime Onishi,Tetsuo Nishida. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-04-29.

Optical element wafer and method for manufacturing the same, burn-in apparatus for optical element wafer, and burn-in method for optical element wafer

Номер патента: US20050201763A1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for making subassemblies of electrical devices and burn-in and testing machine for same

Номер патента: AU4306100A. Автор: Eugene Lecourtois. Владелец: NICOMATIC. Дата публикации: 2000-11-21.

Perfumery for improved cold throw and burn in candle systems

Номер патента: US20060003031A1. Автор: Jill Mattila,Robert Burke,Addi Fadel,Grant Mudge,Richard Turk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Circuit board for a power semiconductor module, power semiconductor module, and method for producing a circuit board and a power semiconductor module

Номер патента: US20240260168A1. Автор: Detlev Bagung,Christina QUEST-MATT,Holger Baldreich. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-08-01.

Vertical semiconductor component and method for generating an abrupt end point detection signal during the production of such a vertical semiconductor component

Номер патента: US20240234220A9. Автор: Christian Huber,Roland Puesche. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Removal method, removal tool and semiconductor component

Номер патента: US20230402300A1. Автор: Michael Zitzlsperger. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor component, device having a semiconductor component and method of producing semiconductor components

Номер патента: US20220328738A1. Автор: Berthold Hahn,Georg Bogner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-10-13.

Joining and Insulating Power Electronic Semiconductor Components

Номер патента: US20230215838A1. Автор: Bernd Muller,Jörg Strogies,Klaus Wilke,Christian NACHTIGALL-SCHELLENBERG. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-07-06.

Pressure-contact power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: US20080266812A1. Автор: Jürgen Steger,Frank Ebersberger. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2008-10-30.

Power module and manufacturing method and mold thereof

Номер патента: US20240290697A1. Автор: Jason Huang,Chang-Fu Chen,Liang-Yo Chen,Pi-Sheng Hsu. Владелец: Sentec E&E Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Compensation semiconductor component and method of fabricating the semiconductor component

Номер патента: US20020074567A1. Автор: Gerald Deboy,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-20.

Optoelectronic semiconductor component with a current spreading structure containing silver, and optoelectronic device

Номер патента: US12051768B2. Автор: Attila Molnar,Fabian Kopp,Franz Eberhard. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-07-30.

Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module

Номер патента: US20220301998A1. Автор: Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-09-22.

Method and circuit for operating a power semiconductor component

Номер патента: US20110309882A1. Автор: Christian Keller,Robert Oesterle. Владелец: CONVERTEAM TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2011-12-22.

Method of fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20030205733A1. Автор: Gerald Deboy,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor component arrangement and method for producing thereof

Номер патента: US20140167155A1. Автор: Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Optoelectronic Semiconductor Component, and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20210050484A1. Автор: Markus Bröll,Brendan Holland. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20160225843A1. Автор: Akinobu ONISHI,Takashi Oomikawa. Владелец: Deutsche Bank AG New York Branch. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for producing a vertical power semiconductor component, and vertical power semiconductor component

Номер патента: US20240222492A1. Автор: Christian Huber,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20190214375A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-07-11.

Production of radiation-emitting semiconductor components

Номер патента: US20190273191A1. Автор: Ivar Tangring,Markus Richter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor component and method for manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20240190702A1. Автор: Gregor Schuermann,Pascal Gieschke. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component and Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20200220056A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-07-09.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20160225964A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025340A1. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Phillip Celaya,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20170288091A1. Автор: Bjoern Hoxhold,Bernd Boehm,Stefan Hartauer,Daniel Zaspel. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Dioxaborines as organic n-semiconductors, process for the production of semiconductors utilizing dioxaborines, and semiconductor component, field effect transistor, and diode having a dioxaborine

Номер патента: US20030234396A1. Автор: Günter Schmid,Lisa Davis,Marcus Halik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Method for producing a semiconductor component having an insulating substrate, and semiconductor component having an insulating substrate

Номер патента: US12100791B2. Автор: Benjamin Michaelis. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-09-24.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240234512A9. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Limiting of temperature variations of semiconductor component

Номер патента: US20160118975A1. Автор: Marko Raatikainen,Teemu Salmia,Jukka-Peeka Kittilä. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2016-04-28.

Limiting of temperature variations of semiconductor component

Номер патента: US9712150B2. Автор: Marko Raatikainen,Teemu Salmia,Jukka-Peeka Kittilä. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor component arrangement, method for fabrication thereof and heat dissipation device

Номер патента: US12046531B2. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Thomas Riepl,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240063331A1. Автор: Stefan Illek,Heng Wang. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20090051013A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-02-26.

Glass and melt solder for the passivation of semiconductor components

Номер патента: US11634356B2. Автор: Sabine Pichler-Wilhelm,Martin Letz,Linda Johanna Bartelt,Martun Hovhannisyan,Julia Gold,Antonio Trizzino. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2023-04-25.

Semiconductor component arrangement, method for fabrication thereof and heat dissipation device

Номер патента: US20240297093A1. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Thomas Riepl,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20180342448A1. Автор: Prasad Venkatraman,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-11-29.

System for cooling semiconductor component, method of manufacturing the same, and semiconductor package having the system

Номер патента: US12027445B2. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20040207047A1. Автор: Amitava Bose,Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Todd Roggenbauer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-10-21.

Method for improving the efficiency of epitaxially produced quantum dot semiconductor components

Номер патента: AU2001295524A1. Автор: Dieter Bimberg,Nikolai N. Ledentsov,Roman Sellin. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2002-03-13.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20210391509A1. Автор: Peter Nagel,Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor component having a diode structure in a SiC semiconductor body

Номер патента: US11742391B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for producing semiconductor components, and semiconductor component

Номер патента: US20220246431A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor component and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: EP2884527A3. Автор: Tetsuya Kugimiya,Kenji Hirohata,Yuu YAMAYOSE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-26.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20110062558A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-03-17.

Polishing solution, polishing method, component manufacturing method, and semiconductor component manufacturing method

Номер патента: EP4379779A1. Автор: Masahiro Sakashita,Yousuke Hoshi,Yasuhiro Ichige,Shogo ARATA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Polishing liquid, polishing method, component manufacturing method, and semiconductor component manufacturing method

Номер патента: EP4379780A1. Автор: Yasuhiro Ichige,Shogo ARATA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Device for a light source of a printing machine with a plurality of light-emitting semiconductor components of a first type and at least one light-emitting semiconductor component of a further type on a substrate

Номер патента: US20200385590A1. Автор: Andreas Stahl. Владелец: HERAEUS NOBLELIGHT GMBH. Дата публикации: 2020-12-10.

Process for adjusting the carrier lifetime in a semiconductor component

Номер патента: US6159830A. Автор: Norbert Galster,Jan Vobecky,Pavel Hazdra. Владелец: ABB Asea Brown Boveri Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

Method and Device for Producing an Edge Structure of a Semiconductor Component

Номер патента: US20220416019A1. Автор: Uwe Kellner-Werdehausen,Sebastian Sommer,Reiner Barthelmess,Tobias Gamon. Владелец: Infineon Technologies Bipolar Co & Kg GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20230369827A1. Автор: Christian Lauer,Alexander Behres,Martin Hetzl. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-11-16.

Apparatus and Method to Remove At Least One Chip-Like Semiconductor Component from a Film

Номер патента: US20120211172A1. Автор: Armin Studt. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-08-23.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240234626A9. Автор: Jens Ebbecke,Hans-Joachim Meyer,Markus Graul,Richard Floeter,Kristina Schelestow. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Radiation-Emitting Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing the Same

Номер патента: US20180261735A1. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Frank Singer,Britta Göötz,Michael ZIZLSPERGER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-09-13.

Socket for semiconductor component, printed circuit board unit, and information processing apparatus

Номер патента: US20150359122A1. Автор: Akira Tamura,Yoshihiro Morita,Yasushi Masuda,Satoshi Ohsawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Method and system for fabricating semiconductor components with through interconnects and back side redistribution conductors

Номер патента: WO2008070429A1. Автор: David S. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2008-06-12.

Method of producing optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10158042B2. Автор: Andreas Biebersdorf,Korbinian Perlzmaier. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-12-18.

Cascode configured semiconductor component and method

Номер патента: US20170025403A1. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Method of producing diffused semiconductor components from silicon

Номер патента: US3713913A. Автор: D Rucker,U Lauerer,R Wolfle. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1973-01-30.

Radiation-emitting semiconductor component and method for producing a radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US20230178695A1. Автор: Peter Stauss,Hubert Halbritter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240136468A1. Автор: Jens Ebbecke,Hans-Joachim Meyer,Markus Graul,Richard Floeter,Kristina Schelestow. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20180005927A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for manufacturing semiconductor components with short switching time

Номер патента: US5371040A. Автор: Werner Zurek,Klaus Graff. Владелец: Temic Telefunken Microelectronic GmbH. Дата публикации: 1994-12-06.

Polishing liquid, polishing method, component manufacturing method, and semiconductor component manufacturing method

Номер патента: US20240282581A1. Автор: Masahiro Sakashita,Yousuke Hoshi,Yasuhiro Ichige,Shogo ARATA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor component and electronic device

Номер патента: US20240313069A1. Автор: ZHENG Zhong,Ping Ma,Haijun Li,Lingcong LE,Huilan Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor component and method

Номер патента: US20160043185A1. Автор: Chun-Li Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of forming bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor film on base material, bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor film, and bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor component

Номер патента: US20240055253A1. Автор: Hayate Yamano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor component and method for manufacturing it

Номер патента: US20010036720A1. Автор: Christian Hauser,Martin Neumayer,Johann Winderl,Martin Reiss,Achim Neu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Vertical semiconductor component, in particular vertical transistor, with minimized source-drain leakage currents

Номер патента: US20240234491A1. Автор: Daniel Krebs,Muhammad Alshahed,Dragos Costachescu,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US20060252222A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor component and power module

Номер патента: US20210225724A1. Автор: Yutaka Satou,Yasuyuki Ooi. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Light source having at least one first light-emitting semiconductor component, a first carrier element and a distributing element

Номер патента: US20220072871A1. Автор: Stefan Meyer,Andreas Stahl,Jochen Grade,Janek Desgronte,Nico PEIFER. Владелец: HERAEUS NOBLELIGHT GMBH. Дата публикации: 2022-03-10.

Organopolysiloxane composition, preparation method therefor, and semiconductor component

Номер патента: US10066137B2. Автор: Hai HE,Haiting Zheng,Jingwei Zhu,Guangyan Huang. Владелец: Guangzhou Human Chem Co ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

Masking method for producing semiconductor components, particularly a BH laser diode

Номер патента: US20020182879A1. Автор: Bernd Borchert,Horst Baumeister,Gundolf Wenger,Roland Gessner,Eberhard Veuhoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-05.

Seminconductor component and method for singulating a semiconductor component having a pn junction

Номер патента: US20220005964A1. Автор: Ralf Preu,Andreas Brand,Florian Clement,Elmar Lohmüller,Pierre Saint-Cast,Puzant Baliozian,Tobias Fellmeth,Nico Wöhrle. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for patterning a semiconductor component

Номер патента: US7378321B2. Автор: Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-27.

Method for patterning a semiconductor component

Номер патента: US20060258130A1. Автор: Matthias Goldbach. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-16.

Semiconductor component comprising a dopant region in a semiconductor body and a method for producing a dopant region in a semiconductor body

Номер патента: US8859409B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Franz Josef Niedernostheide,Thomas Neidhart,Alexander Susiti. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-14.

Power semiconductor component with trench-type field ring structure

Номер патента: US20090179224A1. Автор: Bernhard Konig. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor Component Having A SiC Semiconductor Body

Номер патента: US20230148156A1. Автор: Anton Mauder,Andreas Peter Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor component

Номер патента: US20240258370A1. Автор: Chia-Lung Tsai,Hsueh-Hsing Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-08-01.

Wiring configuration for semiconductor component

Номер патента: US20070200256A1. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor Component Including Aluminum Silicon Nitride Layers

Номер патента: US20170256618A1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Method and device for producing a semiconductor component

Номер патента: US20230402412A1. Автор: Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated vertical semiconductor component

Номер патента: US6137124A. Автор: Hartmut Michel,Ning Qu,Alfred Goerlach,Anton Mindl,Peter Flohrs,Christian Pluntke. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2000-10-24.

Electronic semiconductor component, and method for manufacturing a pretreated composite substrate for an electronic semiconductor component

Номер патента: US20240055472A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor component and method for fabricating it

Номер патента: US20020158308A1. Автор: Wolfgang Klein,Jakob Huber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor components

Номер патента: US5053854A. Автор: Jiri Dlouhy,Peter Almenräder,Otto Kuhn,Jurg Fingerle. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1991-10-01.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170221752A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Peter Moens,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor component with chip for the high-frequency range

Номер патента: US20150181712A1. Автор: Martin Kappels,Daniel Hageneder. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of manufacturing a semiconductor component and structure

Номер патента: US20140308795A1. Автор: RONG Liu,Sudhama C. Shastri,Umesh Sharma,Phillip Holland,Der Min Liou,David D Marreiro. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-10-16.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180337236A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Chun-Wei Ni. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Membrane semiconductor component and method for producing the same

Номер патента: US20240243170A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor component with radiation conversion element, and method for producing radiation conversion elements

Номер патента: US20220254965A1. Автор: Johannes Baur,Ulrich STEEGMÜLLER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for producing semiconductor components on a substrate, and substrate comprising semiconductor components

Номер патента: US20130049171A1. Автор: Martin Popp,Beat De Coi,Marco Annese. Владелец: ESPROS Photonics AG. Дата публикации: 2013-02-28.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20160181491A1. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-06-23.

Hermetically sealed housing with a semiconductor component and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190131154A1. Автор: Horst Theuss,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-02.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US11444224B2. Автор: Ulrich Streppel,Hailing Cui,Desiree Queren,Dajana DURACH. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-09-13.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20200357949A1. Автор: Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor component with chip for the high-frequency range

Номер патента: US9669480B2. Автор: Martin Kappels,Daniel Hageneder. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor component and corresponding fabrication process

Номер патента: US20020030240A1. Автор: Uwe Schilling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Power semiconductor component and method for the production thereof

Номер патента: US20110318883A1. Автор: Thomas Detzel,Josef Maynollo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor component

Номер патента: US20220416504A1. Автор: Andreas Popp,Alexander Marc Van Der Lee,Markus Herper,Sven Bader,Andrea Ott,Roman KOERNER,Jenny Tempeler,Michael Smeets,Daniela Stange. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Connection Carrier for Semiconductor Chips and Semiconductor Component

Номер патента: US20140027921A1. Автор: Reimund Oberschmid. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for fabricating a semiconductor component having at least one transistor cell and an edge cell

Номер патента: US20030232476A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor component with optimized edge termination

Номер патента: US20140327114A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz,Thomas Basler,Uwe Kellner-Werdehausen,Reiner Barthelmess. Владелец: Infineon Technologies Bipolar GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor component

Номер патента: US20150060881A1. Автор: Daniel Waldmann,Michael Krieger,Stefan Hertel,Heiko B. Weber,Florian Krach,Johannes Jobst. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor Component Comprising Trench Structures and Production Method Therefor

Номер патента: US20190051749A1. Автор: Peter Brandl,Markus Zundel,Karl-Heinz Bach,Andrew Christopher Graeme Wood. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for fabricating a semiconductor component having at least one transistor cell and an edge cell

Номер патента: US6833298B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-21.

Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US12064946B2. Автор: Akimitsu Morimoto,Masao Nogami. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor component having a dopant region formed by a dopant composed of an oxygen / vacancy complex

Номер патента: US20150123247A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Franz Josef Niedernostheide,Thomas Neidhart,Alexander Susiti. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor component and method for producing same

Номер патента: US20210087054A1. Автор: Horst Theuss,Bernhard Knott,Mathias Vaupel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-03-25.

Compensation semiconductor component

Номер патента: US20030230767A1. Автор: Jenoe Tihanyi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Encapsulation method for packaging semiconductor components with external leads

Номер патента: US20110129962A1. Автор: FENG Ye,Liang Zhao,Lei Shi,Limin Wang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-06-02.

In-situ mask technique for producing III-V semiconductor components

Номер патента: US20020182873A1. Автор: Horst Baumeister,Gundolf Wenger,Roland Gessner,Eberhard Veuhoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor Component Including an Electronic Component Based on Polycrystalline Silicon

Номер патента: US20240282774A1. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor module and power module including the same

Номер патента: US20230395458A1. Автор: Yuu YAMAHIRA,Masashi MASUMOTO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Control device for driving a bipolar switchable power semiconductor component, semiconductor module and method

Номер патента: US20190379373A1. Автор: Jan Weigel,Jurgen Bohmer,Eberhard Ulrich Krafft,Andreas Nagel,Rüdiger Kleffel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-12-12.

Housing, optoelectronic semiconductor component and production method

Номер патента: US20230042041A1. Автор: Simon Jerebic,Matthias Hofmann,Markus Boss,Karlheinz Arndt,Matthias Goldbach,Harald Jaeger,Jens Eberhard,Sebastian Stoll,Constantin Hetzer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of assembling a semiconductor component and apparatus therefor

Номер патента: WO2006019460A2. Автор: Audel A. Sanchez,Taek K. Kim. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor component comprising copper metallizations

Номер патента: US20140042631A1. Автор: Matthias Stecher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US8048800B2. Автор: Mi-Ra Kim,Wan-Joo Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-11-01.

Optoelectronic semiconductor component and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20120018703A1. Автор: Klaus Kohler,Christian MÄNZ. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor component

Номер патента: US20040169256A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Uwe Kellner-Werdehausen,Franz-Josef Niedernostheide,Frank Pfirsch. Владелец: EUPEC GmbH. Дата публикации: 2004-09-02.

Semiconductor component and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3896724A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-20.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US20110059609A1. Автор: Mi-Ra Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-03-10.

Power semiconductor component

Номер патента: EP4006968A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-01.

Power semiconductor component

Номер патента: WO2022112339A3. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-07-21.

Power semiconductor component

Номер патента: US20240096746A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Optimized junction termination of semiconductor components

Номер патента: US20020140046A1. Автор: Bernd Wagner,Klaus Reimer,Roland Sittig,Detlef Nagel,Ralf-Ulrich Dudde. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131950A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Active semiconductor component with a reduced surface area

Номер патента: US20060244004A1. Автор: Jean-Luc Morand. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-11-02.

Control device for control of power semiconductor component, as well as control method of power semiconductor component

Номер патента: RU2713634C1. Автор: Райнер ЗОММЕР,Маркус МАУЭРСБЕРГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2020-02-05.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US20100297801A1. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US8273596B2. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2012-09-25.

Method and device for reducing voltage loads of semiconductor components of an inverter

Номер патента: US20230231400A1. Автор: Stephan SCHWAIGER,Marco Graf,Sebastian Strache,Karl Oberdieck,Hadiuzzaman Syed,Manuel Horvath. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-07-20.

Charge detector semiconductor component, system comprising a charge detector semiconductor component and a reference semiconductor component, wafer, use of a wafer, and method for the qualitative and quantitative measurement of charging of a wafer

Номер патента: US6747303B2. Автор: Hans-Ulrich Schroeder. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-08.

Assembly of electronic semiconductor components and method for operating an assembly of electronic semiconductor components

Номер патента: US20220272811A1. Автор: Stefan Grötsch,Victor Goldrin. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: SG179332A1. Автор: Krishnan Shutesh,Wei Wang Soon. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2012-04-27.

Transfer method for optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240186173A1. Автор: Alexander Pfeuffer. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Assembly of electronic semiconductor components and method for operating an assembly of electronic semiconductor components

Номер патента: US12022586B2. Автор: Stefan Grötsch,Victor Goldrin. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-06-25.

Method and device for reducing voltage loads of semiconductor components of an inverter

Номер патента: US12027901B2. Автор: Stephan SCHWAIGER,Marco Graf,Sebastian Strache,Karl Oberdieck,Hadiuzzaman Syed,Manuel Horvath. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus for fastening the casing of a semiconductor component to a mounting plate

Номер патента: US3833991A. Автор: K Hehl. Владелец: ITW Ateco GmbH. Дата публикации: 1974-09-10.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20210028224A1. Автор: Tansen Varghese. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor component with a drift zone and a drift control zone

Номер патента: US20100078710A1. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Stefan Sedlmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-04-01.

Method of manufacturing a semiconductor component and polyimide etchant therefor

Номер патента: US6664200B1. Автор: Treliant Fang,Edward R. Prack,Frank W. Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-16.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20150041954A1. Автор: RONG Liu,Yupeng Chen,Umesh Sharma,Phillip Holland. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor component

Номер патента: US4879586A. Автор: Lennart Ryman,Doris Brostrom. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1989-11-07.

Semiconductor component

Номер патента: US20240266805A1. Автор: Sven Bader,Andrea Ott. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20180083063A1. Автор: Stefan Groetsch,Stefan Gruber,Michael Wittmann,Matthias Kiessling. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor component on an insulation layer

Номер патента: US20020179995A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor component having test pads and method and apparatus for testing same

Номер патента: US20070218573A1. Автор: Jae Cho,Xin Wu,Chih-Chung Wu,Mohsen Mardi,Shih-Liang Liang,Sanjiv Stokes,Hassan Bazargan. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for producing an electronic semiconductor component

Номер патента: US20240321627A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor component having emitter short circuits

Номер патента: US4053921A. Автор: Andre Jaecklin,Thomas Vlasak. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1977-10-11.

Integrated prober, handler and tester for semiconductor components

Номер патента: US6024526A. Автор: Alexander H. Slocum,Luis A. Muller. Владелец: AESOP Inc. Дата публикации: 2000-02-15.

Method for manufacturing optoelectric semiconductor component and optoelectric semiconductor component device

Номер патента: US11837844B2. Автор: Andreas Löffler,Sven GERHARD,Andre SOMERS,John Bruckner,Lars Nähle,Urs Heine. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of manufacturing a power semiconductor component arrangement or a power semiconductor component housing

Номер патента: US11749533B2. Автор: Christoph Bayer,Christian Lenz,Andreas Schletz,Uwe Waltrich,Steffen Ziesche,Hoang Linh Bach. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-09-05.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Components

Номер патента: US20210005660A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-01-07.

Vertical semiconductor component and method for generating an abrupt end point detection signal during the production of such a vertical semiconductor component

Номер патента: US20240136236A1. Автор: Christian Huber,Roland Puesche. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of manufacturing a power semiconductor component arrangement or a power semiconductor component housing

Номер патента: US20210327724A1. Автор: Christoph Bayer,Christian Lenz,Andreas Schletz,Uwe Waltrich,Steffen Ziesche,Hoang Linh Bach. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-10-21.

Test modules for network test instrument utilizing containers

Номер патента: US20230268992A1. Автор: Jyotikumar Menon. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2023-08-24.

System for fabricating semiconductor components with through wire interconnects

Номер патента: US20070200255A1. Автор: David Hembree. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Arrangement Having Semiconductor Components that Emit Electromagnetic Radiation and Production Method Therefor

Номер патента: US20220223570A1. Автор: Andreas Plossl,Thomas Schwarz,Sebastian Wittmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor component with edge termination region

Номер патента: US11848377B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Matteo Dainese,Manfred Pfaffenlehner,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor Component with Edge Termination Region

Номер патента: US20210257489A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Matteo Dainese,Manfred Pfaffenlehner,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor component and semiconductor device

Номер патента: US20240047293A1. Автор: Cheng-Chuan Chen. Владелец: Ganstronic Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor component and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US20200152568A1. Автор: Dominik Scholz,Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-05-14.

Optoelectronic semiconductor component and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20210249390A1. Автор: Andreas Reith. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor component arrangement and method for producing thereof

Номер патента: US20120299092A1. Автор: Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-11-29.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10629571B2. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-04-21.

Protective configuration against electrostatic discharges in semiconductor components controllable by field effect

Номер патента: US5672893A. Автор: Jenoe Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-09-30.

Method for Producing a Plurality of Integrated Semiconductor Components

Номер патента: US20100330766A1. Автор: Sven Berberich. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for producing a plurality of integrated semiconductor components

Номер патента: US8563388B2. Автор: Sven Berberich. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-10-22.

Communication semiconductor component

Номер патента: US7899333B2. Автор: Armin Mrasek,Fan Yung Ma. Владелец: LANTIQ DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2011-03-01.

Communication semiconductor component

Номер патента: US20050063432A1. Автор: Armin Mrasek,Fan Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-24.

Method for monitoring a switchable semiconductor component and monitoring device for a semiconductor component

Номер патента: US20230025128A1. Автор: Michael Wortberg,Thomas Rapolder. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor component with field electrode between adjacent semiconductor fins and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US20160155809A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor component arrangement and method for producing thereof

Номер патента: US20110278667A1. Автор: Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-11-17.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Components and Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20170069800A1. Автор: Frank Singer,Britta Göötz,Lutz Höppel,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor component and production method

Номер патента: MY132163A. Автор: FISCHER Helmut,Wolf Dr Jakowetz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-09-28.

Hermetically tight glass-metal housing for semiconductor components and method for producing same

Номер патента: US4940855A. Автор: Ewald Schmidt,Guenther Waitl,Rolf Birkmann. Владелец: Electrovac AG. Дата публикации: 1990-07-10.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: MY171050A. Автор: Lee Kisun,A Stapleton Michael. Владелец: Semiconductor Components Ind Llc. Дата публикации: 2019-09-23.

Semiconductor component and associated production method

Номер патента: US20100025712A1. Автор: Markus Weyers,Martin Zorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-04.

Method for producing a semiconductor body having a recombination zone, semiconductor component having a recombination zone, and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US9012311B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-04-21.

Bevel dicing semiconductor components

Номер патента: EP1705153A2. Автор: Larry L. Jordan. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2006-09-27.

Modularly expandable multi-layered semiconductor component

Номер патента: US6630727B1. Автор: Thomas Munch,Günter Tutsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-10-07.

Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component

Номер патента: US20240096738A1. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-03-21.

Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component

Номер патента: US11955402B2. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-04-09.

Optoelectronic semiconductor component having a gold layer in the edge region

Номер патента: US20240079521A1. Автор: Ivar Tangring. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for manufacturing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US10658187B2. Автор: Tolga Tekin,Martin Wilke,Kai Zoschke,Hans-Hermann Oppermann,Charles-Alix Manier,Robert Gernhardt. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor component and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US20200168767A1. Автор: Berthold Hahn,Anna Kasprzak-Zablocka,Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of direct bonding semiconductor components

Номер патента: US11810892B2. Автор: Eric Beyne,Gerald Peter Beyer,Jaber Derakhshandeh. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-07.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing Same

Номер патента: US20180006196A1. Автор: Siegfried Herrmann,Alexander Linkov. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-04.

Metal-oxide semiconductor module and light-emitting diode display device including the same

Номер патента: US11450708B2. Автор: Yi-Sheng Lin,Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang,Li-Chang Yang. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Metal-oxide semiconductor module and light-emitting diode display device including the same

Номер патента: EP3817047A1. Автор: Yi-Sheng Lin,Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang,Li-Chang Yang. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11316075B2. Автор: Jörg Erich SORG,Andreas Dobner,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-04-26.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing at least one optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240145633A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Dominik Scholz,Matin Mohajerarni. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-05-02.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20190140143A1. Автор: Alexander F. Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for producing optoelectric semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20200328324A1. Автор: Jens Müller. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for manufacturing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US20190088490A1. Автор: Tolga Tekin,Martin Wilke,Kai Zoschke,Hans-Hermann Oppermann,Charles-Alix Manier,Robert Gernhardt. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-03-21.

Glass and melt solder for the passivation of semiconductor components

Номер патента: US11926565B2. Автор: Sabine Pichler-Wilhelm,Martin Letz,Linda Johanna Bartelt,Martun Hovhannisyan,Julia Gold,Antonio Trizzino. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of producing optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10903392B2. Автор: Frank Singer,Jürgen Moosburger,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-01-26.

Glass and melt solder for the passivation of semiconductor components

Номер патента: US20210284569A1. Автор: Sabine Pichler-Wilhelm,Martin Letz,Linda Johanna Bartelt,Martun Hovhannisyan,Julia Gold,Antonio Trizzino. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Components

Номер патента: US20190386186A1. Автор: Simon Jerebic,Markus Pindl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2019-12-19.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20180331251A1. Автор: Dominik Scholz,Alexander F. Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-11-15.

Metal-oxide semiconductor module and light-emitting diode display device including the same

Номер патента: US20210126047A1. Автор: Yi-Sheng Lin,Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang,Li-Chang Yang. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20220262999A1. Автор: Korbinian Perzlmaier,Tobias Meyer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor component and manufacturing method of semiconductor component

Номер патента: US20100013089A1. Автор: Hideo Kubo,Osamu Igawa,Seiji Ueno,Tsuyoshi So. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20200303594A1. Автор: Jörg Erich SORG,Andreas Dobner,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-24.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20220320404A1. Автор: Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-10-06.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20210305463A1. Автор: Martin Brandl,Luca Haiberger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of producing optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20190123238A1. Автор: Frank Singer,Jürgen Moosburger,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-25.

Glass and melt solder for the passivation of semiconductor components

Номер патента: US20230219839A1. Автор: Sabine Pichler-Wilhelm,Martin Letz,Linda Johanna Bartelt,Martun Hovhannisyan,Julia Gold,Antonio Trizzino. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2023-07-13.

Apparatus for delivering semiconductor components to a substrate during semiconductor package manufacturing

Номер патента: SG185905A1. Автор: Kui Kam Lam,Yen Hsi Tang,Wai Yuen Cheung,Wing Kin Lam. Владелец: Asm Tech Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-28.

Laser-Based Method and Machining Table for Metallizing the Rear Side of a Semiconductor Component

Номер патента: MY195240A. Автор: Ralf Preu,Hubert Hauser,Jan Nekarda,Benedikt BLÄSI. Владелец: Fraunhofer Ges Forschung. Дата публикации: 2023-01-11.

Electrolytically coated optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US9041020B2. Автор: HELMUT Fischer,Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-05-26.

High-voltage semiconductor component, method for the production and use thereof

Номер патента: AU5024999A. Автор: Robert Plikat,Dieter Silber,Wolfgang Wondrak. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-11-29.

Optoelectronic semiconductor component, optoelectronic arrangement and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10290784B2. Автор: Anna Kasprzak-Zablocka,Korbinian Perzlmaier,Stefanie Rammelsberger,Christian Leirer,Julian Ikonomov. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-14.

Semiconductor component and method of producing it

Номер патента: US6734520B2. Автор: Robert Plikat,Holger Kapels,Dieter Silber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-11.

Method for producing a nitride semiconductor component, and a nitride semiconductor component

Номер патента: US20180175243A1. Автор: Werner Bergbauer,Bastian Galler,Thomas Lehnhardt,Juergen Off,Tobias Gotschke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for producing a semiconductor component, and semiconductor component

Номер патента: US20210091263A1. Автор: Siegfried Herrmann,Michael Völkl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for producing optoelectric semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11127877B2. Автор: Jens Müller. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-21.

Method for producing optoelectronic semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11670745B2. Автор: Tobias Gebuhr,Klaus Reingruber,Andreas Reith. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-06-06.

Optoelectronic semiconductor component and method of producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11949052B2. Автор: Jens Müller,Johannes Saric,Benjamin Reuters. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-04-02.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240136407A1. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-25.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190103489A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for improving the efficiency of epitaxially produced quantum dot semiconductor components

Номер патента: US20040020424A1. Автор: Dieter Bimberg,Nikolai Ledenstov,Roman Sellin. Владелец: TEDHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2004-02-05.

Housing for an optoelectronic semiconductor component, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20230006108A1. Автор: Karlheinz Arndt. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-01-05.

System and method for dicing semiconductor components

Номер патента: US6136137A. Автор: Alan G. Wood,Warren M. Farnworth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

Method for producing an n-doped field stop zone in a semiconductor body and semiconductor component having a field stop zone

Номер патента: US20060035436A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2006-02-16.

Integrated semiconductor component and method for controlling a supply voltage of a functional circuit in an integrated semiconductor component

Номер патента: US20080079402A1. Автор: Christian Kranz,Markus Hammes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-03.

A method for the electrical bonding of semiconductor components

Номер патента: EP3754706A1. Автор: Ms. Lin Hou,Mr. Jaber Derakhshandeh,Mr. Eric Beyne,Ms. Ingrid De Wolf,Giovanni Capuz. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2020-12-23.

Method for producing a plurality of semiconductor components

Номер патента: US6025251A. Автор: HELMUT Fischer,Wolf Jakowetz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-02-15.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080217765A1. Автор: Joseph K. Fauty,Jay A. Yoder,James P. Letterman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Method for forming a semiconductor component with a cooling structure

Номер патента: US20230076466A1. Автор: Chen-Hua Yu,Lawrence Chiang Sheu,Yi-Li Hsiao,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Apparatus and method for removing at least one chip-type semiconductor component from a film

Номер патента: MY152773A. Автор: Herr Armin Studt. Владелец: Semikron Elektronik Gmbh. Дата публикации: 2014-11-28.

Semiconductor components having conductive vias with aligned back side conductors

Номер патента: US11869809B2. Автор: Jin Li,Tongbi Jiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20230238769A1. Автор: Tobias Gebuhr,Jan Seidenfaden. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-07-27.

Power semiconductor component with a drift zone and a high-dielectric compensation zone and method for producing a compensation zone

Номер патента: US7868396B2. Автор: Franz Hirler,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-01-11.

Method for Producing a Semiconductor Component

Номер патента: US20140357048A1. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025339A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Power Semiconductor Component with a Power Semiconductor Chip and Method for Producing the Same

Номер патента: US20070228556A1. Автор: Khalil Hosseini,Alexander Koenigsberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20070099430A1. Автор: Kelley Higgins,Joseph Wiseman. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor component, motor vehicle, and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US11848252B2. Автор: Thomas Gradinger,Daniele Torresin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-12-19.

Apparatus and method to remove at least one chip-like semiconductor component from a film

Номер патента: US8470131B2. Автор: Armin Studt. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-06-25.

Method for fabricating a semiconductor component having a wiring which runs piecewise in the substrate, and also a semiconductor component which can be fabricated by this method

Номер патента: US20010053574A1. Автор: Andreas Kux,Ronald Kakoschke,Helga Braun,Regina Stokan,Gunther Plasa. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-12-20.

Field-effect-controlled semiconductor component and method of fabricating a doping layer in a vertically configured semiconductor component

Номер патента: US20020125532A1. Автор: Wolfgang Werner,Ignaz Eisele,Walter Hansch,Christoph Fink. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Electrical contact structure for a semiconductor component, and semiconductor component

Номер патента: US20170200860A1. Автор: Karl Engl,Korbinian Perzlmaier,Christian Eichinger,Bjoern MUERMANN. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-07-13.

Polishing liquid, polishing method, component manufacturing method, and semiconductor component manufacturing method

Номер патента: EP4339254A1. Автор: Masahiro Sakashita,Yousuke Hoshi,Yasuhiro Ichige,Shogo ARATA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor components having conductive vias with aligned back side conductors

Номер патента: US20240145305A1. Автор: Jin Li,Tongbi Jiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Power semiconductor module having a substrate arrangement, having power semiconductor components and having a foil stack arrangement

Номер патента: US20240079367A1. Автор: Stefan Oehling,Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-03-07.

Photoactive semiconductor component and method for producing a photoactive semiconductor component

Номер патента: US20170018662A1. Автор: Martin Hermle,Frank Feldmann. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-01-19.

Optoelectronic semiconductor component with contact elements and method for producing the same

Номер патента: US11949054B2. Автор: Wolfgang Schmid,Isabel OTTO,Christoph Klemp. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-04-02.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11923660B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-03-05.

Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200295539A1. Автор: Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-17.

Sensor matrix with semiconductor components

Номер патента: WO2009033728A2. Автор: Franz Padinger. Владелец: NANOIDENT TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-19.

Control of semiconductor component

Номер патента: EP2495876A9. Автор: Palomäki Jukka,Matti Laitinen. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2012-12-19.

Semiconductor device and semiconductor component

Номер патента: US12002906B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ming Chen,Yao-Ning CHAN,Hao-Chun Liang,Wei-Shan Yeoh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor components, fabrication methods thereof and memory systems

Номер патента: US20240196632A1. Автор: SHENG Peng,Jing Gao,Wenbo Zhang,Lei Xue,Xiaoming Mao,Zhaohui Cheng,Zhiyong Lu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus for delivering semiconductor components to a substrate during semiconductor package manufacturing

Номер патента: US20120301251A1. Автор: Kui Kam Lam,Yen Hsi Tang,Wai Yuen Cheung,Wing Kin Lam. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor component, and contacting assembly having a semiconductor component and a printed circuit board

Номер патента: US20200196449A1. Автор: Lars Vollmer,Guenter Gera,Matthias Lausmann,Klaus Kosbi. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-06-18.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US6784027B2. Автор: Klaus Streubel,Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2004-08-31.

Process for gettering semiconductor components and integrated semiconductor circuits

Номер патента: US4319119A. Автор: Hartmut Runge. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1982-03-09.

Device and method for end-point monitoring used in the polishing of components, in particular semiconductor components

Номер патента: US6014218A. Автор: Stephan Bradl,Olaf Heitzsch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-01-11.

Method for manufacturing a semiconductor component that inhibits formation of wormholes

Номер патента: US7217660B1. Автор: Minh Van Ngo,Paul R. Besser,Connie Pin-Chin Wang,Jinsong Yin,Hieu T. Pham. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-05-15.

Field-effect-controllable semiconductor component with a plurality of temperature sensors

Номер патента: US5994752A. Автор: Rainald Sander,Alfons Graf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-30.

Light emitting semiconductor component

Номер патента: US4170018A. Автор: Hartmut Runge. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-10-02.

Connnecting device for contacting a semiconductor component

Номер патента: US20050225957A1. Автор: Henning Hauenstein,Dirk Balszunat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Method for producing semiconductor components

Номер патента: US20070216038A1. Автор: Knut Kahlisch,Soo Park. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-20.

Composite Semiconductor Component and Method for Producing a Composite Semiconductor Component

Номер патента: US20200411493A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of producing a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US20220285402A1. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor Component with a Multi-Layered Nucleation Body

Номер патента: US20170229548A1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Jianwei Wan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11538969B2. Автор: Benjamin Schulz,Michael Foerster,Konrad Wagner,Stefan Morgott,I-Hsin Lin-Lefebvre. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-12-27.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025328A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor component having a compressive strain layer and method for producing the semiconductor component having a compressive strain layer

Номер патента: US11705370B2. Автор: Wolfgang Schmid,Michael Huber,Robert Walter,Benjamin Michaelis,Franz Eberhard,Markus Broell. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-07-18.

Method for producing a controllable semiconductor component having trenches with different widths and depths

Номер патента: US9806188B2. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of producing an optoelectronic semiconductor component, optoelectronic semiconductor component, and temporary carrier

Номер патента: US20180261742A1. Автор: Herbert Brunner,Harald Jager,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-09-13.

Method for Forming Semiconductor Components Having Self-Aligned Trench Contacts

Номер патента: US20150279962A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for producing a semiconductor component comprising performing a plasma treatment, and semiconductor component

Номер патента: US11915935B2. Автор: Stefan Illek,Petrus Sundgren,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor component and method for producing it

Номер патента: US7446373B2. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Armin Willmeroth,Rudolf Zelsacher,Dietmar Kotz,Hermann Peri. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor laser diode and semiconductor component

Номер патента: US20200295533A1. Автор: Michael Muller,Roland Heinrich Enzmann,Alexander Bachmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-17.

Organopolysiloxane composition, preparation method therefor, and semiconductor component

Номер патента: US20170247590A1. Автор: Hai HE,Haiting Zheng,Jingwei Zhu,Guangyan Huang. Владелец: Guangzhou Human Chem Co ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Carrier with a passive cooling function for a semiconductor component

Номер патента: US20180070436A1. Автор: Franz Rinner,Thomas Feichtinger,Christian Vockenberger,Oliver Dernovsek. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20190267252A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-08-29.

Manufacturing method of a semiconductor component with a nanowire channel

Номер патента: US8445348B1. Автор: Tien-Sheng Chao,Po-Yi Kuo,Yi-Hsien Lu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-05-21.

Optoelectronic semiconductor component, optoelectronic device, and method for producing an optoelectronic semiconductor component and/or optoelectronic device

Номер патента: US20240079531A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20100187696A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-29.

Method of producing a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US12002812B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-04.

Silicon Carbide Semiconductor Component

Номер патента: US20190296141A1. Автор: Roland Rupp,Bernd Zippelius,Larissa Wehrhahn-Kilian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Two-channel semiconductor component

Номер патента: US20210043775A1. Автор: Hans Richter,Ulrich Wulf,Martin Reichenbach. Владелец: BRANDENBURGISCHE TECHNISCHE UNIVERSITAET COTTBUS. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for Producing a Controllable Semiconductor Component Having a Plurality of Trenches

Номер патента: US20150311294A1. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-29.

Method for Producing a Controllable Semiconductor Component Having Trenches with Different Widths and Depths

Номер патента: US20160284840A1. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20020092463A1. Автор: Julio Costa,Peter Zdebel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor component and method for producing it

Номер патента: US20050110077A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Armin Willmeroth,Rudolf Zelsacher,Dietmar Kotz,Hermann Peri. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-26.

Method for fabricating a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US7696041B2. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-04-13.

Apparatus for delivering semiconductor components to a substrate

Номер патента: MY155118A. Автор: LAM Kui Kam,LAM Wing Kin,TANG Yen Hsi,CHEUNG Wai Yuen. Владелец: Asm Tech Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Control of semiconductor component

Номер патента: US20120223744A1. Автор: Matti Laitinen,Jukka Palomaki. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2012-09-06.

Power semiconductor component for voltage limiting, arrangement having two power semiconductor components, and a method for voltage limiting

Номер патента: US11973147B2. Автор: Uwe Kellner-Werdehausen,Reiner Barthelmess,Juergen Schiele,Sebastian Paul Sommer. Владелец: Infineon Technologies Bipolar GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-04-30.

Microphone test module and a method of testing microphones

Номер патента: US20210360360A1. Автор: Anton Schuster. Владелец: Cohu GmbH. Дата публикации: 2021-11-18.

A microphone test module and a method of testing microphones

Номер патента: PH12021050211A1. Автор: Anton Schuster. Владелец: Cohu GmbH. Дата публикации: 2022-01-24.

Method for producing a semiconductor component and semiconductor component produced by the same

Номер патента: CA2485561C. Автор: Dag Behammer. Владелец: UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor Component

Номер патента: US20110284958A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Hirler,Maximilian Roesch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor component with scattering centers within a lateral resistor region

Номер патента: US6043516A. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: EUPEC GmbH. Дата публикации: 2000-03-28.

Semiconductor element for an electronic or opto-electronic semiconductor component

Номер патента: US5831309A. Автор: Wolfgang Englisch,Reinhold Uebbing. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 1998-11-03.

Layer structure for electrical contacting of semiconductor components

Номер патента: US20110127674A1. Автор: Hans Artmann,Jochen Reinmuth,Peter Schmollngruber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Power semiconductor component having a buffer layer

Номер патента: US5654586A. Автор: Herbert Schwarzbauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-08-05.

Semiconductor Component And Method For Contracting Said Semiconductor Component

Номер патента: US20070087553A1. Автор: Reinhold Bayerer. Владелец: EUPEC GmbH. Дата публикации: 2007-04-19.

Power semiconductor component, power semiconductor device as well as methods for their production

Номер патента: US7667326B2. Автор: Ralf Otremba,Josef Hoeglauer,Xaver Schloegel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-02-23.

Method for manufacturing a metal-semiconductor contact in semiconductor components

Номер патента: US7923362B2. Автор: Michael Graf,Volker Dudek,Franz Dietz,Tobias Florian. Владелец: Telefunken Semiconductors GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-04-12.

Cooling system where semiconductor component comprising semiconductor chip and cooling apparatus are joined

Номер патента: US11908766B2. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Low Dislocation Density III-Nitride Semiconductor Component

Номер патента: US20170365699A1. Автор: Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Chan Kyung Choi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20230352617A1. Автор: Karl Weidner,Walter Wegleiter,Ralph Wirth,Jan Marfeld,Axel Kaltenbacher,Bernd Barchmann,Oliver Wutz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-11-02.

Radio frequency module and communication device

Номер патента: US20210266018A1. Автор: Hiroshi Nishikawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Optoelectronic Semiconductor Component and 3D Printer

Номер патента: US20210154918A1. Автор: Norwin von Malm,Nikolaus Gmeinwieser. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-05-27.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20140246688A1. Автор: Ralph Wirth,Andreas Dobner,Joerg Sorg. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor Component Comprising A Temporary Field Stopping Area, And Method For The Production Thereof

Номер патента: US20070278514A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-06.

Securing power semiconductor components to curved surfaces

Номер патента: US20220359342A1. Автор: Stefan Stegmeier,Claus Müller,Oliver Raab,Uwe Waltrich,Markus Lasch. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2022-11-10.

Hermetically sealed housing with a semiconductor component and method for manufacturing thereof

Номер патента: US11876007B2. Автор: Horst Theuss,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-16.

Optoelectronic semiconductor component and 3D printer

Номер патента: US11745415B2. Автор: Norwin von Malm,Nikolaus Gmeinwieser. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing semiconductor component

Номер патента: US3762899A. Автор: G Birglechner. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1973-10-02.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US12002901B2. Автор: Karl Weidner,Walter Wegleiter,Ralph Wirth,Jan Marfeld,Axel Kaltenbacher,Bernd Barchmann,Oliver Wutz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-06-04.

Cooling devices for cooling electric components, module consisting of a cooling device and electric components and assembly comprising a cooling device or module and a support

Номер патента: US20050213304A1. Автор: Jürgen SCHULZ-HARDER,Karl Exel,Guy Lefranc,Kai Kriegel. Владелец: CURAMIK ELECTRONICS GMBH. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for producing a layer structure as a buffer layer of a semiconductor component and layer structure as a buffer layer of a semiconductor component

Номер патента: US20170040165A1. Автор: Werner Bergbauer,Peter Stauss,Philipp Drechsel,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210050315A1. Автор: Po-Chao Tsao,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3780093A1. Автор: Po-Chao Tsao,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-02-17.

Process for fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20020045321A1. Автор: Norbert Galster,Stefan Linder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor component and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP4290579A1. Автор: Tim Böttcher,Romain Esteve,Sönke HABENICHT. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for producing a semiconductor component and such a semiconductor component

Номер патента: US20240128719A1. Автор: Alexander WEIGL,Berthold Schmidt,Holger Joachim MOENCH,Roman KOERNER. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-04-18.

Soft-faced semiconductor component backing

Номер патента: CA1307355C. Автор: Kevin L. Hanson,David C. DeGree,Herbert J. Fick. Владелец: Bergquist Co Inc. Дата публикации: 1992-09-08.

Semiconductor component

Номер патента: US4849800A. Автор: Jan Voboril,Jens Gobrecht,Horst Gruning,C. Christiaan Abbas. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1989-07-18.

Semiconductor component with dielectric carrier and its manufacture

Номер патента: US4072982A. Автор: Karl-Ulrich Stein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-02-07.

Process for producing a semiconductor component

Номер патента: CA1206628A. Автор: Michel Salvi,Pierre N. Favennec,Marcel Gauneau. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-06-24.

Semiconductor component with trench insulation and corresponding production method

Номер патента: US20110003457A1. Автор: Franz Schuler,Georg Tempel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-01-06.

Method of manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20200185543A1. Автор: Jefferson W. Hall,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor component

Номер патента: US9263526B2. Автор: Daniel Waldmann,Michael Krieger,Stefan Hertel,Heiko B. Weber,Florian Krach,Johannes Jobst. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2016-02-16.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10833234B2. Автор: Christopher Wiesmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-11-10.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303546A1. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US11848380B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Optoelectronic semiconductor component and production method

Номер патента: US20230268477A1. Автор: Michael Zitzlsperger. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for fabricating semiconductor components having lasered features containing dopants

Номер патента: US20130323909A1. Автор: Alan G. Wood,Tim Corbett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor component and method for fabricating the same

Номер патента: US20210280412A1. Автор: Deok-yong Kim,Yongchul Oh. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US20230352543A1. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of producing optoelectronic semiconductor components

Номер патента: US20200119239A1. Автор: Markus Boss,Tobias Gebuhr,Markus Burger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088290A1. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Optoelectronic semiconductor component, production method, and base

Номер патента: US20230327394A1. Автор: Jörg Erich SORG,Matthias Hofmann,Steffen Strauss,Herbert Brunner,Roland Huettinger,Ralph Wagner. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-10-12.

Double-gate four-terminal semiconductor component with fin-type channel region

Номер патента: US20240186418A1. Автор: Hans Richter,Ulrich Wulf. Владелец: Brandenburgische Technische Universitaet Cottbus Senftenberg Koerperschaft Des Oeffentlichen Rechts. Дата публикации: 2024-06-06.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20200006609A1. Автор: Christopher Wiesmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-02.

Pressing device for directly or indirectly applying pressure to power-semiconductor components of a power-semiconductor module

Номер патента: US20220406674A1. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-12-22.

Silicon Carbide Semiconductor Component

Номер патента: US20190341447A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US12002859B2. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2024-06-04.

Optical semiconductor module and sample observation device

Номер патента: EP4373124A1. Автор: Shigeki Kitamura,Eiji Kanda,Nobuyuki Shima. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor component having through-silicon vias and method of manufacture

Номер патента: US9418923B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Tsang-Jiuh Wu,Ebin Liao,Chia-Lin Yu,Chun Hua CHANG,Cheng-Hung Chang,Hsiang-Yi Wang,Li-Hsien HUANG,Darryl KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Cooling body for the liquid cooling of high-power semiconductor components

Номер патента: CA1223087A. Автор: Xaver Vogel. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1987-06-16.

Method for increasing the electric strength of a multi-layer semiconductor component

Номер патента: US5284780A. Автор: Hans-Joachim Schulze,Heinz Mitlehner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-02-08.

Method for fabricating semiconductor component having conductors and bonding pads with wire bondable surfaces and selected thickness

Номер патента: US20070048999A1. Автор: Warren Farnworth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-01.

High-voltage semiconductor component

Номер патента: US20040007736A1. Автор: Hans Weber,Gerald Deboy,Helmut Strack,Dirk Ahlers,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor component which can be controlled by a field effect

Номер патента: US6271562B1. Автор: Jens-Peer Stengl,Jenoe Tihanyi,Heimo Graf,Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-08-07.

Semiconductor component with an increased breakdown voltage in the edge area

Номер патента: US20030209757A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Walter Rieger,Joachim Krumrey,Ralf Henninger,Martin Pölzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-13.

Optoelectronic semiconductor component and production method

Номер патента: US20240030397A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Korbinian Perzlmaier,Christoph Klemp. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor Component Arrangement Comprising a Trench Transistor

Номер патента: US20150008498A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor Component Arrangement Comprising a Trench Transistor

Номер патента: US20160307889A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Vertical semiconductor component, and method for its production

Номер патента: US20230402538A1. Автор: Stephan SCHWAIGER,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-12-14.

Method and device for testing and calibrating electronic semiconductor components which convert sound into electrical signals

Номер патента: US20100290634A1. Автор: Arnfried Kiermeier,Stefan Binder,Max Schaule. Владелец: Kathrein Werke KG. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor component with silicon wiring and method of fabricating the component

Номер патента: US6429520B1. Автор: Ronald Kakoschke,Regina Stokan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-08-06.

Method of producing optoelectronic semiconductor components

Номер патента: US11107958B2. Автор: Markus Boss,Tobias Gebuhr,Markus Burger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-08-31.

Semiconductor component with a bipolar lateral power transistor

Номер патента: US20060076647A1. Автор: Juergen Kordts,Axel Naethe,Ralf Beier. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-13.

Process for producing a semiconductor component based on a III-N compound

Номер патента: US11984534B2. Автор: Jean ROTTNER,Helge HAAS. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-05-14.

Support plate for semiconductor components

Номер патента: WO2004025708A3. Автор: Haas Franciscus C M De,Laarhoven Johannes M E Van. Владелец: Laarhoven Johannes M E Van. Дата публикации: 2004-12-29.

Semiconductor Component and Method for Producing Same

Номер патента: US20200161246A1. Автор: Bernd Muller,Rüdiger Knofe,Jörg Strogies,Klaus Wilke,Rene Blank,Martin Franke,Peter Frühauf,Stefan Nerreter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor component

Номер патента: US20180358516A1. Автор: David Racz,Christopher KÖLPER,Philipp Pust. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-12-13.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186790A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186770A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20070141835A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: EP1719168A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131951A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: WO2005083778A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-09-09.

Semiconductor component comprising copper metallizations

Номер патента: US20140252627A1. Автор: Matthias Stecher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor component comprising copper metallizations

Номер патента: US10347580B2. Автор: Matthias Stecher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor component with a bipolar lateral power transistor

Номер патента: WO2004053989A3. Автор: Juergen Kordts,Axel Naethe,Ralf Beier. Владелец: Ralf Beier. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor component with a bipolar lateral power transistor

Номер патента: EP1573818A2. Автор: c/o Philips NAETHE,Juergen c/o Philips & StandardsGmbH KORDTS,Ralf c/o Philips Intellectual t BEIER. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-09-14.

Semiconductor component with a bipolar lateral power transistor

Номер патента: WO2004053989A2. Автор: Juergen Kordts,Axel Naethe,Ralf Beier. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2004-06-24.

Method of assembling a semiconductor component and apparatus therefor

Номер патента: WO2006019460A3. Автор: Audel A Sanchez,Taek K Kim. Владелец: Taek K Kim. Дата публикации: 2006-09-14.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240204476A1. Автор: Elmar Baur,Ralf Wombacher,Roland Hüttinger,Tilman Rügheimer,Josef Hirn,Martin Nömer,Hannes Walther. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US6020611A. Автор: Gordon C. Ma,Christopher P. Dragon. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface

Номер патента: US20100133658A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2010-06-03.

Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface and fabrication method

Номер патента: MY149217A. Автор: Dadgar Armin,Krost Alois. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2013-07-31.

Contact for an MIS-semiconductor component and method for manufacturing the same

Номер патента: US4502069A. Автор: Gottfried Schuh. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1985-02-26.

Process for manufacturing si useful for semiconductor components from quartz sand

Номер патента: CA1156816A. Автор: Hubert Aulich,Josef Grabmaier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-11-15.

Field effect-controllable semiconductor component

Номер патента: US5973360A. Автор: Jenoe Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-26.

A tunable semiconductor component provided with a current barrier

Номер патента: EP1979944A1. Автор: Yves Gagnon,Michel Meunier,Alain Lacourse,Mathieu Ducharme,Hugo St-Jean,Yvon Savaria. Владелец: Cadeka Microcircuits LLC. Дата публикации: 2008-10-15.

Synthesis method for a compound used to form a self-assembled monolayer, compound for forming a self-assembled monolayer, and layer structure for a semiconductor component

Номер патента: US20060160272A1. Автор: Guenter Schmid,Markus Schuetz,Franz Effenberger,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang,Steffen Maisch,Steffen Seifritz,Stefan Holberg. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-20.

Method for the manufacture of a semiconductor component

Номер патента: WO1993001617A1. Автор: Per Svedberg. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 1993-01-21.

Semiconductor Component with Plastic Housing, and Process for Producing the Same

Номер патента: US20080050907A1. Автор: Jens Pohl,Michael Bauer,Rainer Steiner,Hermann Vilsmeier,Bernhard Zuhr,Peter Strobel,Ulrich Bachmaier,Holger Woerner,Robert Hagen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor component

Номер патента: US7091533B2. Автор: Gerald Deboy,Jeno Tihanyi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-08-15.

Coaxial-interconnect structure for a semiconductor component

Номер патента: US10734334B2. Автор: Marc Jacobs,Lijuan Zhang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-08-04.

Method for fabricating a semiconductor component having a t-shaped contact electrode

Номер патента: CA2433734C. Автор: Dag Behammer. Владелец: UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH. Дата публикации: 2012-08-14.

Heat sink for semiconductor components or similar devices, method for its production and tool for carrying out the method

Номер патента: CA2457042C. Автор: Werner Graf,Uwe Bock,Stephan Bock. Владелец: Alcan Technology and Management Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

A tunable semiconductor component provided with a current barrier

Номер патента: CA2533225C. Автор: Yves Gagnon,Michel Meunier,Alain Lacourse,Mathieu Ducharme,Hugo St-Jean,Yvon Savaria. Владелец: Cadeka Microcircuits LLC. Дата публикации: 2016-03-22.

Through Substrate Via Semiconductor Components

Номер патента: US20090302480A1. Автор: Uwe Hoeckele,Albert Birner,Uwe Seidel,Thomas Kunstmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor component

Номер патента: US20050194635A1. Автор: Frank Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-08.

Method for removing dielectric layers from semiconductor components by using a laser beam

Номер патента: US20160343571A1. Автор: Roland Mayerhofer,Wenjie Zhu,Richard Hendel. Владелец: Rofin Baasel Lasertech GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-24.

Low drain-source on resistance semiconductor component and method of fabrication

Номер патента: US20210036169A1. Автор: Colby Greg RAMPLEY,Jeffrey Lynn WEIBRECHT,Jeremy Kenneth Kramer,Elijah Blue Foster,Melissa Picard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for producing a silicon carbide semiconductor component

Номер патента: US11855147B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a front-side measuring electrode

Номер патента: US20240128133A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Power Semiconductor Component with Plate Capacitor Structure and Edge Termination

Номер патента: US20110133262A1. Автор: Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-06-09.

Power semiconductor component with plate capacitor structure and edge termination

Номер патента: US8258573B2. Автор: Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-09-04.

Method for producing a silicon carbide semiconductor component

Номер патента: US20230395663A1. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-07.

Through Substrate Via Semiconductor Components And Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20130267093A1. Автор: Uwe Hoeckele,Albert Birner,Uwe Seidel,Thomas Kunstmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor component and method for fabricating the same

Номер патента: US20160351673A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yu-Hsun Chen,Yung-Hsien Wu,Cheng-Chieh LAI,Shih-Kai FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for manufacturing a semiconductor component having a common mode filter monolithically integrated with a protection device

Номер патента: US20160343676A1. Автор: RONG Liu,Yupeng Chen,Umesh Sharma,Phillip Holland. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor component including a dielectric layer

Номер патента: US20220238791A1. Автор: Daniel PANTEL,Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS,Jochen Tomaschko. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor component including a dielectric layer

Номер патента: US20220231219A1. Автор: Daniel PANTEL,Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS,Jochen Tomaschko. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor component with metal-insulator-metal capacitor assembly

Номер патента: US20240222260A1. Автор: Eric Beyne,Kenichi Miyaguchi,Philip Nolmans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-04.

Thermal failure prediction module and method for solid state circuit protection device

Номер патента: US20240128737A1. Автор: Xin Zhou,Andrew A. Rockhill,Jianyang LIU. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for producing power module, and power module

Номер патента: US11984327B2. Автор: Naoyuki Kushihara,Kazuaki Sumita,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Transmission/reception channel matching apparatus and method for mobile communication terminal and mobile phone test equipment

Номер патента: US20080293401A1. Автор: Jongmin Kim,Jinsoup Joung,Kyeongmin Ha,Sunglyong LIM,Daesung Yun. Владелец: Innowireless Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Solar parametric testing module and processes

Номер патента: WO2009129030A3. Автор: Dapeng Wang,Michael Marriott,Danny Cam Toan Lu,Vicky Svidenko,Michel R. Frei. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-12-10.

Optical package alignment and test module

Номер патента: US20060046550A1. Автор: André Lalonde. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Film sticking/testing equipment

Номер патента: US20050183498A1. Автор: Hsing-Wu Li. Владелец: Sentelic Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Test equipment and process of evaluating optical modules

Номер патента: US20190123816A1. Автор: Katsuyuki Takahashi,Takeshi Irie,Kei Arakawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Test equipment and portable test device

Номер патента: CA2475052C. Автор: Nigel Berry Pitts,Christopher Longbottom,Peter George Bruce,Alasdair Mccall Christie,Stephen Ferrier. Владелец: Idmos Plc. Дата публикации: 2011-05-17.

Comprehensive utilization method and test equipment for surface water, goaf and geothermal energy in coal mining subsidence area

Номер патента: US11828177B2. Автор: YANG QIAO,Yin Liu,Ning Jiang,Yangyang Li,Jinhai Zhao,Juntao Chen,Shichuan ZHANG,Wenbin Sun,Changjian Zhou,Xinguo Zhang,Liming Yin,Shupeng ZHANG,Zhixue Zhang,Yunzhao ZHANG,Dan KANG. Владелец: SHANDONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-28.

Single-crystal turbine blade, turbomachine module and turbomachine

Номер патента: RU2498082C2. Автор: Рено МАРТЕ,Стефани Доминик РОЖЕ,Патрик Жозеф Мари ЖИРАР,Жан-Клод Марсель Огюст АННИ,Ольвье Шарль Анри МАССИ,Филипп Жан-Пьер ПАБЬОН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2013-11-10.

High-pressure container module and vehicle on fuel elements

Номер патента: RU2693497C1. Автор: КАТАОКА Тиаки,КИНОСИТА Синсукэ,САВАИ Осаму. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-07-03.

Modulation and encoding scheme selection and configuration systems and methods

Номер патента: RU2677869C1. Автор: Сонхи ХАН,Алексей Давыдов,Хван-Хун КВОН,Грегори МОРОЗОВ. Владелец: ИНТЕЛ АйПи КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-01-22.

Light module and light device comprising light module

Номер патента: RU2698109C2. Автор: Михел Корнелис Йосефус Мари ВИССЕНБЕРГ,Олена ИВАНОВА. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2019-08-22.

Protein tyrosine kinase modulators and methods of use

Номер патента: RU2656591C2. Автор: Шаоцзин ХУ,Вэй ЛУН,Сянюн ЛЮ,Цзиньлун БАЙ. Владелец: Бетта Фармасьютикалз Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-06-06.

Identification of modulation and coding scheme (mcs) table and channel quality indicator (cqi) table

Номер патента: RU2750813C1. Автор: Густав ВИКСТРЁМ,Киттипонг КИТТИЧОКЕЧАЙ,Алексей ШАПИН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-07-05.

Combination of an immune checkpoint modulator and a complex containing a cell-penetrating peptide, a cargo molecule, and a tlr peptide agonist, for application in medicine

Номер патента: RU2769314C1. Автор: Мадиха Деруази,Элоди БЕЛЬНУ. Владелец: Амаль Терапьютикс Са. Дата публикации: 2022-03-30.

Filtration module and water cleaner

Номер патента: RU2437703C1. Автор: Джозеф Львович ШМИДТ,Глеб Дмитриевич РУСИНОВ,Алексей Леонидович Кузьмин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Аквафор" (Ооо "Аквафор"). Дата публикации: 2011-12-27.

Method and device to relate modulation and coding circuit with scope of resources

Номер патента: RU2480963C2. Автор: Кари ПАЮКОСКИ,Эса ТИИРОЛА,Паси КИННУНЕН. Владелец: Нокиа Сименс Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2013-04-27.

Modulation and demodulation method, modulation device and demodulation device

Номер патента: RU2384960C2. Автор: Еисаку САСАКИ,Сеиити НОДА. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2010-03-20.

Function test equipment for smoke and gas munitions

Номер патента: US4580447A. Автор: Mansour Z. Boutros. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1986-04-08.

Single-use test module for electrochemiluminescent detection of targets

Номер патента: US20110312737A1. Автор: Alireza Moini,Kia Silverbrook,Mehdi Azimi. Владелец: Geneasys Pty Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

ATM multiplex transmission system having test equipment

Номер патента: US5715239A. Автор: Kenji Tanaka,Susumu Eda,Ryuji Hyodo,Hiroyuki Hatta,Reiko Furuya,Tetsuo Nishino,Katsumi Oomuro,Osamu Sekihata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Device for controlling electrical systems with a test module

Номер патента: US7319925B2. Автор: Dieter Grohmann,Ralf Gisy. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2008-01-15.

Well test module

Номер патента: WO2022011105A1. Автор: Iain Duncan,Wade WELLS. Владелец: FMC Technologies, Inc.. Дата публикации: 2022-01-13.

HF Testing Equipment and Method for Testing D2D-Enabled Mobile Communications Terminals

Номер патента: US20160337886A1. Автор: Rainer Ohlendorf. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-17.

Well test module

Номер патента: AU2021306311A1. Автор: Iain Duncan,Wade WELLS. Владелец: Fmc Technologies. Дата публикации: 2023-02-09.

Well test module

Номер патента: US20220010677A1. Автор: Iain Duncan,Wade WELLS. Владелец: FMC Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Well test module

Номер патента: EP4179181A1. Автор: Iain Duncan,Wade WELLS. Владелец: FMC Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Well test module

Номер патента: AU2021306311B2. Автор: Iain Duncan,Wade WELLS. Владелец: Fmc Technologies. Дата публикации: 2024-06-13.

Novel Interleukin-1 and Tumor Necrosis Factor-Alpha Modulators, Syntheses of Said Modulators and Their Enantiomers and Methods of Using Said Modulators

Номер патента: US20080103328A1. Автор: Emmanuel Theodorakis,Michael Palladino. Владелец: Nereus Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Interleukin-1 and tumor necrosis factor-α modulators, synthesis of said modulators and their enantiomers and methods of using said modulators

Номер патента: US7288671B2. Автор: Emmanuel A. Theodorakis,Michael Palladino. Владелец: Nereus Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2007-10-30.

Reciprocating engine with permanent magnetic-flux module and method of reciprocation

Номер патента: RU2406215C2. Автор: Миодраг МИХАЙЛОВИЧ. Владелец: Миодраг МИХАЙЛОВИЧ. Дата публикации: 2010-12-10.

Power output device, car comprising power output device, and module and method for control of power output device

Номер патента: RU2372213C2. Автор: Хироацу ЕНДО,Масаси ЙОСИМИ,Казуо КАВАГУТИ,Синити САСАДЕ,Йоити ТАДЗИМА,Синобу НИСИЯМА,Казуоми ОКАСАКА. Владелец: Аисин Ав Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-11-10.

Membrane electrode module and high-power fuel cells

Номер патента: RU2411616C2. Автор: Томас Шмидт,Омер УНСАЛ,Матиас ВЕБЕР. Владелец: БАСФ Фюль Целль ГмбХ. Дата публикации: 2011-02-10.

Systems and methods of selecting and configuring the modulation and coding scheme

Номер патента: RU2649321C1. Автор: Сонхи ХАН,Алексей Давыдов,Хван-Хун КВОН,Юн Хёунг ХЕО,Грегори В МОРОЗОВ. Владелец: ИНТЕЛ АйПи КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-04-02.

Device for discharge of spent steam, internal structure for steam turbine module and steam turbine module

Номер патента: RU2556728C2. Автор: Жюльен РОЖЕ,Ксавье ЛОРАН. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2015-07-20.

Circuit module and device of communication in power transmission line

Номер патента: RU2395180C1. Автор: Хироси КАВАНО,Муненори ФУДЗИМУРА,Такуми НАРУСЕ,Суитиро ЯМАГУТИ,Йосинори ХАСИМОТО. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2010-07-20.

Heteroaromatic compounds as phosphatidylinositol 3-kinase modulators and methods of use

Номер патента: RU2665036C9. Автор: Нинг СИ. Владелец: Калитор Сайенсез, ЛЛС. Дата публикации: 2018-11-12.

System for functioning tests and burn-in testing of digital integrated circuits (ic) and very large scale integrated circuits (vlsic)

Номер патента: RU2485529C1. Автор: Александр Анатольевич Сашов,Михаил Игоревич Краснов. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2013-06-20.

Burn-in test method for integrated microcircuits

Номер патента: RU2554660C1. Автор: . Владелец: Максимов Владимир Алексеевич. Дата публикации: 2015-06-27.

Burn-in socket and test method for burn-in test

Номер патента: KR980012184A. Автор: 김영대,정문채,서정우. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Burn-in board and burn-in system

Номер патента: SG181207A1. Автор: Hoshino Atsushi,Kimura Shinichi. Владелец: Japan Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

The continuous tunnel-type burn-in test equipment

Номер патента: TW392269B. Автор: Shau-Wen Lau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-01.

Single wheel dynamic balancing vehicle burn-in test limiting device and the test equipment for having it

Номер патента: CN104833527B. Автор: 张辉,沈涛,程飞,陈中元,董楠,殷明春,候晓忠. Владелец: Ninebot Tianjin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

DRAM AND METHOD FOR TESTING THE SAME IN THE WAFER LEVEL BURN-IN TEST MODE

Номер патента: US20130021862A1. Автор: Chou Min-Chung. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2013-01-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING TEST CIRCUIT AND BURN-IN TEST METHOD

Номер патента: US20130107649A1. Автор: CHO JIn Hee. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2013-05-02.

Burn-in test method and burn-in test device

Номер патента: JPH11142471A. Автор: Hideki Kano,秀樹 狩野. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-05-28.

Method and apparatus thereof for burn-in testing of a static random access memory

Номер патента: TW514929B. Автор: Shih-Huang Huang,Jui-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-21.

Burn-in test system

Номер патента: TW201145792A. Автор: wen-nian Zhang. Владелец: Zhang Ya Dong. Дата публикации: 2011-12-16.

Wafer scale burn-in testing

Номер патента: SG72830A1. Автор: Chee Cheong Wong,Shun Shen Peter Wang. Владелец: Institution Of Microelectronic. Дата публикации: 2000-05-23.

BATTERY PACK BURN-IN TEST SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120126820A1. Автор: Tan Eng Soon Dave,Hung Shih-Fa,Tan Chit Tee. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

METHOD OF BURN-IN TESTING FOR THERMALLY ASSISTED HEAD

Номер патента: US20120147717A1. Автор: SHIMAZAWA Koji,TANAKA Kosuke,HONDA Takashi,NAGAI Yoshiteru,FUJII Ryuji,NOMA Tsuguki,Mitsuzawa Hosei. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

AUTOMATED LOADING/UNLOADING OF DEVICES FOR BURN-IN TESTING

Номер патента: US20120268148A1. Автор: TEOH Wan Yen,SUBPANYADEE Paiboon,PEREZ Kurt Joseph,TEO Chai Soon,ONG Swee HIN. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

METHOD FOR PERFORMING BURN-IN TEST

Номер патента: US20120269047A1. Автор: . Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-10-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE ON WHICH WAFER-LEVEL BURN-IN TEST IS PERFORMED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120307581A1. Автор: Kodama Takuyo. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-12-06.

BURN-IN TESTING APPARATUS

Номер патента: US20120326740A1. Автор: . Владелец: CHROMA ATE INC.. Дата публикации: 2012-12-27.

METHOD OF BURN-IN TEST OF EEPROM OR FLASH MEMORIES

Номер патента: US20130064015A1. Автор: Tailliet François. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2013-03-14.

BURN-IN TEST APPARATUS WITH FUNCTION OF ENERGY RECYCLING

Номер патента: US20130127482A1. Автор: Chang Hong-Chan,Kuo Cheng-Chien,Huangli Chien. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology. Дата публикации: 2013-05-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF PERFORMING BURN-IN TEST ON THE SAME

Номер патента: US20130148405A1. Автор: Kang Sang-beom,LEE Joon-hyung. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING REACTIVE CURRENT IN POWER CONVERTER BURN-IN TESTS

Номер патента: US20130258732A1. Автор: Smith David,Zhu Huibin,Wilmer David Scott. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2013-10-03.

Burn-In Test Mode Generation Circuit

Номер патента: KR940021410U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1994-09-24.

A kind of burn-in test platform of current logic software

Номер патента: CN105242150B. Автор: 王丹丹,王建强,袁鑫,马欢,胡连华,涂雁平,吴良风,杜跃峰,夏从东,龚奇奇. Владелец: SUZHOU LEGATE INTELLIGENT EQUIPMENT CO Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Electronic component inspection system for burn-in test

Номер патента: JP6660440B1. Автор: 忠熙 藤田. Владелец: 大分電子工業株式会社. Дата публикации: 2020-03-11.

A kind of COC burn-in test flexible jig

Номер патента: CN208752109U. Автор: 李家桐. Владелец: Tianjin Feilai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Burn-in test board

Номер патента: JP3128442B2. Автор: 尚司 奥村,佳武 宮川. Владелец: Risho Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-29.

A kind of rfid interrogator burn-in test servicing unit

Номер патента: CN103675541B. Автор: 刘海波,钟旭. Владелец: CHENGDU TIANZHI DAXING INFORMATION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-09.

High-temperature wafer level burn-in test scheduling method for SoC (system on a chip) chip

Номер патента: CN103018646A. Автор: 程伟,崔小乐,陶玉娟,李崇仁. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

Fitting jig for ic burn-in test work

Номер патента: JPS6316272A. Автор: Toshio Hashimoto,美徳 門脇,Yoshinori Kadowaki,橋本　利夫. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1988-01-23.

Inrush current prevention circuit for burn-in test

Номер патента: KR200213194Y1. Автор: 이수길. Владелец: 이형도. Дата публикации: 2001-02-15.

Burn-in test apparatus

Номер патента: JPS6418233A. Автор: Naoki Eguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-01-23.

Wafer Level Burn-in Test Method

Номер патента: KR100193135B1. Автор: 이종학. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Wafer level dynamic burn-in test method

Номер патента: TWI550293B. Автор: 黃賢緯,蘇聖峰,劉東昱,李瀛州. Владелец: 力晶科技股份有限公司. Дата публикации: 2016-09-21.

Burn-in test method using shape memory alloy

Номер патента: KR19990069436A. Автор: 김남석,정태경. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-09-06.

Burn-in test system

Номер патента: TWI465737B. Автор: Chen Wei Hsin,yi ming Wang,Chien Ming Lai,Ke Chin Lin,Chien Hsuan Huang. Владелец: Accton Technology Corp. Дата публикации: 2014-12-21.

A kind of electrolytic capacitor burn-in test monomer jig

Номер патента: CN209372907U. Автор: 李英华. Владелец: Shenzhen Hongming Automation Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

A kind of COC burn-in test built-up jig

Номер патента: CN208752108U. Автор: 李家桐. Владелец: Tianjin Feilai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Burn-in testing method

Номер патента: CN102043119A. Автор: 简维廷,张启华,丁育林,谢君强. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-05-04.

Burn-in test apparatus

Номер патента: TWI456219B. Автор: Ming Hsien Lin,Chiang Cheng Fan,Hung Chi Wang,Hsiu Wei Kuo. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2014-10-11.

Dynamic ram and burn-in test method using it

Номер патента: JPH11213696A. Автор: Kiyoomi Oshikoshi,清臣 押越. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-06.

Agent for treatment for trophic ulcers and burns in leprous patients

Номер патента: RU2205643C1. Автор: Е.И. Шац,А.А. Ющенко,пова Н.Г. Урл,Н.Г. Урляпова,Л.А. Савин. Владелец: Научно-исследовательский институт по изучению лепры. Дата публикации: 2003-06-10.

Method to develop load for test and burn-in of combination units

Номер патента: RU2537653C1. Автор: Иван Андреевич Безбородов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новосибирский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2015-01-10.

Burn-in board inspection apparatus and burn-in board inspection method

Номер патента: JP2591453B2. Автор: 勝 新井. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-19.

Probing unit, burn-in screening system using the probing unit, and burn-in screening method

Номер патента: JP5528617B1. Автор: 克己 菊川,一也 名取,公生 高島. Владелец: Wing Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-25.

A kind of chinese herbal medicine for external use to treat sunburn and burns in skin, and configuration method thereof

Номер патента: HK1181251A2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2013-11-01.

Semiconductor wafer inspection repair device and burn-in inspection device

Номер патента: JP3238246B2. Автор: 正雄 山口,祐一 阿部,武敏 糸山. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-12-10.

Chip carrier, and burn-in method and test method for semiconductor device using it

Номер патента: JPH10213627A. Автор: Isao Sasahara,功 笹原. Владелец: Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd. Дата публикации: 1998-08-11.

Burn-in architecture and burn-in method

Номер патента: CN102053220A. Автор: 简维廷,张荣哲. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-05-11.

Removable attaching device, and burn-in board

Номер патента: SG185863A1. Автор: SATO Akifumi,HONOBE Toru. Владелец: Japan Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-28.

Detachable mounting device and burn-in board

Номер патента: TW201248170A. Автор: Akifumi Sato,Toru Honobe. Владелец: Japan Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-01.

Burn-in board and burn-in system

Номер патента: TW201241453A. Автор: Atsushi Hayashi,Shinichi Kimura,Atsushi Hoshino. Владелец: Japan Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-16.

Conveyer-path frame structure for continous drying and burning-in furnaces and similars

Номер патента: HUT46282A. Автор: Jozsef Szabo,Kalman Nemeth,Tibor Pasztory,Endre Badaczi,Ernoe Ghyczy. Владелец: Uniszterv Gepeszeti Tervezoe G. Дата публикации: 1988-10-28.

Test equipment for testing aircraft additional center tank system

Номер патента: RU2452668C2. Автор: Юрген ЛОМАНН. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Гмбх. Дата публикации: 2012-06-10.

Production process for semiconductor component of spark plug

Номер патента: RU2063099C1. Автор: А.Н. Мурысев,Л.Н. Гайдерова,Т.Л. Близнюк. Владелец: Уфимское агрегатное конструкторское бюро "Молния". Дата публикации: 1996-06-27.

An appratus for picking, placing and pressing semiconductor components

Номер патента: PH12014000159B1. Автор: Heng Lee Lee. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2016-01-25.

An appratus for picking, placing and pressing semiconductor components

Номер патента: PH12014000159A1. Автор: LEE HENG LEE. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2016-01-25.

Method for encapsulating semiconductor components mounted on a carrier tape

Номер патента: CA1213988A. Автор: Seppo Pienimaa. Владелец: Lohja Oy AB. Дата публикации: 1986-11-12.

Method of testing equipment on mechanical effects

Номер патента: RU2399032C1. Автор: Александр Сергеевич Орлов,Сергей Александрович Орлов,Алексей Юрьевич Усанов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Федерального космического агентства "Опытное конструкторское бюро "Факел". Дата публикации: 2010-09-10.

Automated monitoring and testing equipment for testing energy and information interaction circuits of multichannel control system

Номер патента: RU2509371C2. Автор: Владимир Владимирович Некрасов,Андрей Иванович Жучкин,Владимир Иванович Лахтин,Евгений Владимирович Чернецов,Константин Сергеевич Оськин,Дмитрий Николаевич Катаев. Владелец: Открытое акционерное общество специального машиностроения и металлургии "Мотовилихинские заводы". Дата публикации: 2014-03-10.

Shelf used in testing equipment

Номер патента: CA134340S. Автор: . Владелец: Esco Technologies Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Method to test equipment and/or electronic systems of vehicles for receptivity to electromagnetic field

Номер патента: RU2446409C1. Автор: Павел Александрович Николаев,Борис Михайлович Горшков,Наталья Станиславовна Самохина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Поволжский государственный университет сервиса". Дата публикации: 2012-03-27.

Electric test equipment housing

Номер патента: CA1121496A. Автор: Clifford D. Read. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1982-04-06.

Thermoelectric module and method of its manufacturing

Номер патента: RU2325731C1. Автор: Юрий Иванович Шматок. Владелец: Юрий Иванович Шматок. Дата публикации: 2008-05-27.

Radar module and security detectors based on said module

Номер патента: RU2406154C1. Автор: Вадим Александрович Первунинских,Лев Евгеньевич Лебедев,Александр Афанасьевич Скоробогатов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Производственное объединение "Старт" им. М.В. Проценко" (ФГУП ФНПЦ "ПО "Старт" им. М.В. Проценко"). Дата публикации: 2010-12-10.

Method for controlling generation and radiation density shaping spectrum of geotechnological laser built around magneto-acoustic space-time modulator and controlled-generation spectrum geotechnological laser

Номер патента: RU2288530C1. Автор: Юрий Алексеевич Мамаев,Наталья Петровна Хрунина,Наталь Петровна Хрунина. Владелец: Институт Горного Дела Дальневосточного Отделения Российской Академии Наук (Статус Государственного Учреждения). Дата публикации: 2006-11-27.

Method for amplitude modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488217C2. Автор: Андрей Николаевич Киселев,Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина,Иван Сергеевич Безбородов. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-20.

Radar range-finder with combined frequency modulation and limiting regressive processing

Номер патента: RU2508557C1. Автор: Андрей Борисович Борзов,Константин Павлович Лихоеденко,Валерий Константинович Хохлов,Саркис Манукович Казарян,Григорий Львович Павлов,Константин Раисович Ахмадеев,Александр Владимирович Юренев,Николай Михайлович Скобелев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2014-02-27.

Method for amplitude modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2454790C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2012-06-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.