Process for adjusting the carrier lifetime in a semiconductor component
Номер патента: US6159830A
Опубликовано: 12-12-2000
Автор(ы): Jan Vobecky, Norbert Galster, Pavel Hazdra
Принадлежит: ABB Asea Brown Boveri Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-12-2000
Автор(ы): Jan Vobecky, Norbert Galster, Pavel Hazdra
Принадлежит: ABB Asea Brown Boveri Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Using a carbon vacancy reduction material to increase average carrier lifetime in a silicon carbide semiconductor device
Номер патента: WO2014042952A1. Автор: LIN Cheng,Michael John O'Loughlin,Alexander Suvorov,Anant Kumar Agarwal,Jr. Albert Augustus BURK. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.