Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CONDUCTING STRUCTURE FOR REDUCING PARASITIC CAPACITANCE AND IMPROVING RC DELAY

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CONDUCTING STRUCTURE FOR REDUCING PARASITIC CAPACITANCE AND IMPROVING RC DELAY

Номер патента: US20200388676A1
Опубликовано: 10-12-2020
Автор(ы): Chen Wen-Chung, Lin Chrong-Jung, LIU Chia-Shen, WEN Wen-Hua
Принадлежит: Vanguard International Semiconductor Corporation
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor devices with enhanced substrate isolation

Номер патента: US12080799B2. Автор: Jaeduk LEE,Sohyeon LEE,Sungsu Moon,Ikhyung Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Termination structure for insulated gate semiconductor device and method

Номер патента: US20210135019A1. Автор: Zia Hossain,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Termination structure for insulated gate semiconductor device and method

Номер патента: US20200006579A1. Автор: Zia Hossain,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Termination structure for insulated gate semiconductor device and method

Номер патента: US20200127145A1. Автор: Zia Hossain,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device with well resistor and alternated insulating and active regions between input and output terminals

Номер патента: US09786738B2. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Backside conductive structures extending through integrated circuit to meet frontside contacts

Номер патента: EP4451321A1. Автор: Charles Wallace,Gary Allen,Leonard GULER,Nicholas Thomson,Saurabh Acharya,Debaleena Nandi,Umang DESAI,Vivek Vishwakarma,Clifford ENGEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Backside conductive structures extending through integrated circuit to meet frontside contacts

Номер патента: US20240355915A1. Автор: Charles H. Wallace,Gary Allen,Leonard P. GULER,Nicholas A. Thomson,Saurabh Acharya,Clifford J. ENGEL,Debaleena Nandi,Umang DESAI,Vivek Vishwakarma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor-On-Insulator (SOI) Device with Reduced Parasitic Capacitance

Номер патента: US20210005630A1. Автор: Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

FinFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09985109B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Circuits employing adjacent low-k dummy gate to a field-effect transistor (fet) to reduce fet source/drain parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: US20200161419A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor Devices with Reduced Parasitic Capacitance

Номер патента: US20210020757A1. Автор: Yen-Ming Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device with a gate contact positioned above the active region

Номер патента: US09735242B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180151686A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Finfet with reduced parasitic capacitence

Номер патента: US20180114847A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor device with isolation between conductive structures

Номер патента: US11742398B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20240234506A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20210234000A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with air-void in spacer

Номер патента: US12027581B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device with air-void in spacer

Номер патента: US20240321954A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with low-k gate cap and self-aligned contact

Номер патента: US20150255556A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for manufacturing a semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: US09812535B1. Автор: Martin Vielemeyer,Robert Haase. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with edge-protecting spacers over bonding pad

Номер патента: US12027479B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072171A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11848383B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device with air gap between conductive features

Номер патента: US11825647B2. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device with air gap between bit line and capacitor contact and method for forming the same

Номер патента: US20220262802A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device with air gap between conductive features

Номер патента: US20220262804A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Device isolator with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09806148B2. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Anant Shankar Kamath,Raja Selvaraj,John Kenneth Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices including empty spaces

Номер патента: US09953928B2. Автор: Jin-Hyung Park,Byoung-Deog Choi,Hong-Rae Kim,Hee-Young Park,Sang-Ho Roh,Kyung-Mun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices including empty spaces and methods of forming the same

Номер патента: US09391138B2. Автор: Jin-Hyung Park,Byoung-Deog Choi,Hong-Rae Kim,Hee-Young Park,Sang-Ho Roh,Kyung-Mun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Device isolator with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20190148486A1. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Anant Shankar Kamath,Raja Selvaraj,John Kenneth Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Device isolator with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180026095A1. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Anant Shankar Kamath,Raja Selvaraj,John Kenneth Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Device isolator with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US11869933B2. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Anant Shankar Kamath,Raja Selvaraj,John Kenneth Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device with enhanced strain

Номер патента: US09601594B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with a strained region and method of making

Номер патента: US09553149B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240203785A1. Автор: Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu Chun Chang,Shih Hung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with reduced parasitic drain-gate capacitance and method of manufacturing the same

Номер патента: US9882011B2. Автор: Koichi Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device with gate spacer and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20220254898A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for preparing semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US11631747B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for preparing semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US20220254899A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

3D memory device with modulated doped channel

Номер патента: US12029042B2. Автор: Zhiqiang Wu,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Chung-Wei Wu,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing a semiconductor wafer, and semiconductor device having a low concentration of interstitial oxygen

Номер патента: US09728395B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Helmut Oefner,Nico Caspary,Reinhard Ploss,Mohammad Momeni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor Device Having a Defined Oxygen Concentration

Номер патента: US20170316929A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Helmut Oefner,Nico Caspary,Reinhard Ploss,Mohammad Momeni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device including a vertical edge termination structure and method of manufacturing

Номер патента: US09570542B2. Автор: Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Alexander Breymesser,Holger Schulze,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Structure and formation method of semiconductor device with carbon-containing conductive structure

Номер патента: US20230230881A1. Автор: Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device including multi-dimension through silicon via structures for backside alignment and thermal dissipation

Номер патента: US20240145435A1. Автор: Dian-Hau Chen,Tsung-Chieh Hsiao,Liang-Wei WANG,Ke-Gang Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device with compensation zones and discharge structures for the compensation zones

Номер патента: DE102007018631B4. Автор: Franz Dr. Hirler,Ralf Dr. Siemieniec,Ilja Pawel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-01-22.

Dielectric gas spacer formation for reducing parasitic capacitance in a transistor including nanosheet structures

Номер патента: US20240194760A1. Автор: Chih-Hao Chang,Wei-Yang Lee,Cheng-Yi Peng,Chia-Pin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: US20210384310A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: WO2021247167A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-09.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: EP4161868A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Source/drain parasitic capacitance reduction in finfet-based semiconductor structure having tucked fins

Номер патента: US20180277655A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred Eller,Srikanth Balaji SAMAVEDAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Source/drain parasitic capacitance reduction in finfet-based semiconductor structure having tucked fins

Номер патента: US20180069092A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred Eller,Srikanth Balaji SAMAVEDAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device including oxide semiconductor film containing indium

Номер патента: US09929280B2. Автор: Noriyoshi Suzuki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for manufacturing semiconductor device including exposure of oxide semiconductor to reducing atmosphere

Номер патента: US09425322B2. Автор: Noriyoshi Suzuki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: EP4222781A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: WO2022072056A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: US20220102266A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US12068378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with conductive liners over silicide structures and method of making the semiconductor device

Номер патента: US20230299168A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Yuting CHENG,Ken-Yu Chang,Wei-Yip Loh,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Kuan-Kan HU,Chuan-Hui SHEN,Harry CHIEN,Tzu-Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US20240363705A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20140197490A1. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor device

Номер патента: US9299794B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US8698241B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor device

Номер патента: US9640654B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09640654B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US11791387B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US20230387226A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Layer transfer process to form backside contacts in semiconductor devices

Номер патента: EP4177958A2. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312903A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Layer transfer process to form backside contacts in semiconductor devices

Номер патента: EP4177958A3. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Nanowire isolation scheme to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US09685539B1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09496176B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190067012A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chun-Hsiung Lin,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chun-An Lin,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP4439642A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20220367268A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Asymmetric air spacer gate-controlled device with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20190334009A1. Автор: Son Nguyen,Kangguo Cheng,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device including graphene barrier and method of forming the same

Номер патента: US20230387239A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Meng-Pei Lu,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Han-Tang HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250187A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device integrating backside power grid and related integrated circuit and fabrication method

Номер патента: US20240322042A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jack Liu,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Kam-Tou SIO,Lei-Chun Chou,Hui-Ting Yang,Chew-Yuen Young,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device to prevent occurrence of short-channel characteristics and parasitic capacitance

Номер патента: US09773872B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Cointegration of bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09443871B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190088486A1. Автор: Lu-Ping chiang,Chun-Hsu Chen,Chung-Hsien Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200105919A1. Автор: Bong-seok Suh,Ju-youn Kim,Eui-chul HWANG,Byung-Sung Kim,Sang-Min YOO,Hyung-Joo NA,Sung-Moon LEE,Joo-Ho JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09653479B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Tetsunori Maruyama,Yuichi Sato,Yuji Asano,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with thin-film resistor

Номер патента: US09627409B2. Автор: Hans-Peter Moll,Maciej Wiatr,Andrei Sidelnicov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Low end parasitic capacitance FinFET

Номер патента: US09564506B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200273748A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Multi-silicide structure for a semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: US12040375B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190096759A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device with fins

Номер патента: US11742414B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Multi-step deposition of a spacer material for reducing void formation in a dielectric material of a contact level of a semiconductor device

Номер патента: US8987103B2. Автор: Markus Lenski,Frank Seliger,Volker Jaschke,Kerstin Ruttloff,Ralf Otterbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-03-24.

Multi-step deposition of a spacer material for reducing void formation in a dielectric material of a contact level of a semiconductor device

Номер патента: US20100289083A1. Автор: Markus Lenski,Frank Seliger,Volker Jaschke,Kerstin Ruttloff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US09653595B2. Автор: Yasushi Niimura,Toshiaki SAKATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20230343827A1. Автор: Hao Feng,Yong Liu,Johnny Kin On Sin. Владелец: Jsab Technologies Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Forksheet device with accurate gate extension for reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20240332296A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical-channel semiconductor device

Номер патента: US09761710B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and Layout of Semiconductor Device with Reduced Parasitics

Номер патента: US20110294273A1. Автор: Qiang Chen,Albert Birner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Device with shallow source/drain contact and related method

Номер патента: US20240274675A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Yu-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09911843B2. Автор: Satoshi Tamura,Hidekazu Umeda,Kazuhiro Kaibara. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device assembly including a chip carrier, semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09768120B2. Автор: Anton Mauder,Khalil Hosseini,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for forming semiconductor device with air gap between two conductive features

Номер патента: US20220271145A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332186A1. Автор: Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347589A1. Автор: Suhyeon Kim,Youngsoo Song,Jihoon Park,Rooli CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Nanostructure field-effect transistor device with dielectric layer for reducing substrate leakage or well isolation leakage and methods of forming

Номер патента: US12125877B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US20020008282A1. Автор: Hirotoshi Kubo,Eiichiroh Kuwako. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240266436A1. Автор: Nam Kyu Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Trench-gate planar-gate semiconductor device with monolithically integrated schottky barrier diode and junction schottky barrier diode

Номер патента: WO2024183928A1. Автор: Samir Mouhoubi,Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20210036153A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Qiuming Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Junction FET semiconductor device with dummy mask structures for improved dimension control and method for forming the same

Номер патента: US09818866B2. Автор: Han-Chung Lin,Hua-Chou Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with a resistance element in a trench

Номер патента: US09484444B2. Автор: Koichi Mochizuki,Shigeru Kusunoki,Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Transistors including retracted raised source/drain to reduce parasitic capacitances

Номер патента: US20190058042A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Nanosheet transistor with ultra low-k spacer and improved patterning robustness

Номер патента: US20220399439A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device with sensor potential in the active region

Номер патента: US10096531B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor Device with Sensor Potential in the Active Region

Номер патента: US20160099188A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-07.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12040220B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and wafer structure having a planar buried interconnect by wafer bonding

Номер патента: US5260233A. Автор: Rajiv V. Joshi,Joseph F. Shepard,Taqi N. Buti,Louis L-C. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-11-09.

Semiconductor device with a trench electrode

Номер патента: US09837527B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor Device with Reduced Parasitic Capacitance

Номер патента: US20180286984A1. Автор: Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

FinFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09786737B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Reducing parasitic capacitance and resistance in finFET

Номер патента: US09620643B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device with conductive structure and insulation layer of different width

Номер патента: US11810860B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US12051744B2. Автор: Yutaka Fukui,Katsutoshi Sugawara,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

A semiconductor device with good reverse recovery withstand and the method of manufacturing the same

Номер патента: EP1098371A3. Автор: Ko Fuji Electric Co. Ltd. Yoshikawa,Takeshi Fuji Electric Co. Ltd. Fujii,Michio Fuji Electric Co Ltd. Nemoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-25.

Fin field-effect transistor (FinFET) with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09716042B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20170365658A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

FinFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US10243042B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20170365659A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Multi-gate device with planar channel

Номер патента: US09478542B1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for forming a superjunction device with improved ruggedness

Номер патента: US09478441B1. Автор: Srikant Sridevan. Владелец: Siliconix Technology CV. Дата публикации: 2016-10-25.

Reducing parasitic capacitance and resistance in finfet

Номер патента: US20160218206A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Structure to form and integrate high voltage finfet i/o device with nanosheet logic device

Номер патента: US20240105769A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Dechao Guo,Shahab Siddiqui,Ruqiang Bao,Anthony I. Chou,Charlotte DeWan Adams,Barry Paul Linder,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor to Metal Transition for Semiconductor Devices

Номер патента: US20160372539A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Christoph Weiss,Frank Hille,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09633941B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Shu-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240250017A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device structure with conductive polymer liner and method for forming the same

Номер патента: US20220068855A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339400A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339401A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20210366762A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device including data storage material pattern

Номер патента: US20200388758A1. Автор: Jiho Park,Hideki Horii,Gyuhwan Oh,Jeonghee Park,Kwangmin Park,Jungmoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US12087620B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory devices, semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20190267323A1. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570316B2. Автор: Yoon-ho Son,Sang-Jun Lee,Mong-Sup Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Conductive structures, systems and devices including conductive structures and related methods

Номер патента: US09536823B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20210134808A1. Автор: Sang-Soo Park,Tae-Hyeok Lee,Chan-bae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220028780A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3944293A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11948879B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor devices

Номер патента: US10818671B2. Автор: Sung-hee Han,Ji-Young Kim,Yoo-Sang Hwang,Ki-Seok Lee,Bomg-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-27.

Conductive structures, systems and devices including conductive structures and related methods

Номер патента: US9911692B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Interconnection structures for semiconductor devices and fabrication methods of forming interconnection structures for semiconductor devices utilizing to-be-etched layer made of porous low-K dielectric material and a first hard mask layer made of nitrogen-doped silicon oxycarbide (SiOC(N))

Номер патента: US20150035152A1. Автор: ZHOU MING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International ( Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09559185B2. Автор: Ki-yeon Park,Sung-Hyun Choi,Bon-young Koo,Gyeom KIM,Yong-Suk Tak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

High-voltage semiconductor device with finger-shaped insulation structure

Номер патента: US09553188B1. Автор: Hui Lu,Zhaobing Li,Lingzi Li,Zhang Hu Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Shielded trench semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09515178B1. Автор: Moaniss Zitouni,Ganming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor Device with an Insulating Structure for Insulating an Electrode from a Semiconductor Body

Номер патента: US20140159154A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor devices with vertical field floating rings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666710B2. Автор: Zihao M. Gao,David C. Burdeaux. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20120248540A1. Автор: Yi-Chun Shih,Yung-Fa Lin,Shou-Yi Hsu,Meng-Wei Wu,Main-Gwo Chen. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure in a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090267174A1. Автор: Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-29.

Multi-fingered diode with reduced capacitance and method of making the same

Номер патента: US20200075575A1. Автор: Vishal Kumar Sharma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20190139895A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20200118932A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US20240258434A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of peak on-state voltage reduction for thyristor semiconductor device fabrication

Номер патента: EP4411824A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US09947801B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Isolation structure for micro-transfer-printable devices

Номер патента: EP3555912A1. Автор: Ronald S. Cok,Gabriel Kittler,Christopher Andrew Bower,William Andrew Nevin. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2019-10-23.

Isolation structure for micro-transfer-printable devices

Номер патента: WO2018114583A4. Автор: Ronald S. Cok,Gabriel Kittler,Christopher Andrew Bower,William Andrew Nevin. Владелец: X-CELEPRINT LIMITED. Дата публикации: 2018-09-27.

Trench isolation structure for a semiconductor device with a different degree of corner rounding and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP1573801A1. Автор: Stephan Kruegel,Gert Burbach,Ralf van Bentum. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220415644A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240274672A1. Автор: Zichen WANG,Guanying HUANG,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Yihang LIANG. Владелец: San'an Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12094704B2. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

INTEGRATED CIRCUITS EMPLOYING VARIED GATE TOPOGRAPHY BETWEEN AN ACTIVE GATE REGION(S) AND A FIELD GATE REGION(S) IN A GATE(S) FOR REDUCED GATE LAYOUT PARASITIC CAPACITANCE, AND RELATED METHODS

Номер патента: US20200020688A1. Автор: RIM Kern,BADAROGLU Mustafa. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: US09941377B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device with conductive elements formed over dielectric layers and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240250130A1. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-25.

Vertical field effect transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20200373434A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20210050425A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Jiehui SHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Fin-type field effect transistor having a wrap-around gate with bottom isolation and inner spacers to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US12094949B2. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with conductive pattern on insulating line pattern on spacer on field insulating film in trench between fin patterns

Номер патента: US09972544B2. Автор: Ju Youn Kim,Ji Hwan AN,Tae Won HA,Se Ki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of enlarging contact area of a gate electrode, semiconductor device having a surface-enlarged gate electrode, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040169223A1. Автор: Chan-Hyung Cho,Sung-Gyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: WO2024206041A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Stacked nanosheet field effect transistor device with substrate isolation

Номер патента: US09881998B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Bipolar semiconductor device with sub-cathode enhancement regions

Номер патента: US09871128B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla,Canhua Li. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device with a reduced band gap zone

Номер патента: US09859272B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Roman Roth,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Carsten Schaeffer,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate

Номер патента: US09722090B2. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Hideaki Shishido,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with variable resistive element

Номер патента: US09691887B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having a gate cutting region and a cross-coupling pattern between gate structures

Номер патента: US09589899B2. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,Yu-Sun Lee,Dae-Hee Weon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09570319B2. Автор: MING-CHING Chang,yu chao Lin,Chao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: EP3378095A1. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062723B2. Автор: Masahiro Takahashi,Naoki Okuno,Tomosato KANAGAWA,Shota Mizukami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect structure for PoP module

Номер патента: US11955467B2. Автор: JungHwan Jang,Giwoong Nam,Myongsuk Kang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor Device and Method of Forming Vertical Interconnect Structure for POP Module

Номер патента: US20240213231A1. Автор: JungHwan Jang,Giwoong Nam,Myongsuk Kang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Structure for EMI Shielding and Heat Dissipation

Номер патента: US20240030154A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Mold Degating Structure for Pre-Molded Substrate

Номер патента: US20210151359A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US11950400B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Based pad layout for reducing parasitic base-collector capacitance and method of fabricating HBT using the same

Номер патента: US20040090834A1. Автор: YONG Song,Kyoung Yang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-05-13.

Semiconductor device including air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09425200B2. Автор: Do-Hyung Kim,Seung-Bum Kim,Noh-Jung Kwak,Dae-Sik Park,Chang-Youn Hwang,Se-Han Kwon,Yun-Je CHOI,Doo-Sung JUNG,Hong-Gu Yi,Ki-Soo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device with trench structure to reduce parasitic capacitance and leakage current

Номер патента: US11770925B2. Автор: Ho-In Ryu,Seong Min Park,Jin A. Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for forming through silicon via in N+ epitaxy wafers with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09748114B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber,Subramanian S. Iyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274525A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7022624B2. Автор: Choon Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Method of manufacturing semiconductor device for improving contact hole filling characteristics while reducing parasitic capacitance of inter-metal dielectric Method of manufacturing semiconductor device for improving contact hole filling characteristics while reducing parasitic capacitance of inter-metal dielectric Method of manufacturing semiconductor device for improving contact hole filling characteristics while reducing parasitic capacitance of inter-metal dielectric Method of manufacturing semiconductor device for improving contact hole filling characteristics while reducing p

Номер патента: US20070037398A1. Автор: CHAI CHUNG,Chan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-15.

Trench isolation with conductive structures

Номер патента: US12033900B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Yuh-Ta FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243060A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US12080642B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices with doped semiconductor materials

Номер патента: US12094714B2. Автор: Chuan He,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device structure with conductive contacts of different widths and method for preparing the same

Номер патента: US20240258235A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure with capacitor and method for forming the same

Номер патента: US09997520B2. Автор: Che-Cheng Chang,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Systems and methods to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US09941156B2. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Shiqun Gu,Jun Chen,Vidhya Ramachandran,Choh fei Yeap,Jihong Choi,Christine Sung-An HAU-RIEGE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030133A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945557A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor Devices with a Nitrided Capping Layer

Номер патента: US20230029002A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Chi Chuang,Yuting CHENG,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Tzu Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device structure comprising a plurality of metal oxide fibers and method for forming the same

Номер патента: US09508664B1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Szu-Wei Lu,Yen-Yao Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming semiconductor device structure with conductive polymer liner

Номер патента: US11955446B2. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for forming semiconductor device structure with conductive polymer liner

Номер патента: US20230078105A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234313A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234314A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Microelectronic devices with self-aligned interconnects, and related methods

Номер патента: US11764146B2. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355671A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240355744A1. Автор: Ji Young Chung,Ron Huemoeller,Seung Chul Jang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with reduced via resistance

Номер патента: US09859160B2. Автор: Chih-Chao Yang,Conal E. Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09831164B2. Автор: Gil-heyun Choi,Pil-Kyu Kang,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Deok-Young Jung,Dong-Chan Lim,Dae-Lok Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09601430B2. Автор: Chun-Chieh Lin,Huang-Yi Huang,Chen-Yuan Kao,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor devices

Номер патента: US09520361B2. Автор: Seok-Ho Kim,Tae-Yeong Kim,Pil-Kyu Kang,Byung-lyul Park,Jin-Ho Chun,Joo-Hee Jang,Hyo-Ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Three dimensional semiconductor device containing composite contact via structures and methods of making the same

Номер патента: US20220246517A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09947806B2. Автор: Masaaki Tomita. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09466603B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having low dielectric capacitance and good electrical breakdown performance, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234203A1. Автор: Shau-Lin Shue,Gary Liu,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Kuang-Wei Yang,Hsiao-Kang Chang,zi-yi Yang,Jing-Ting SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for preparing semiconductor device structure with conductive plugs of different aspect ratios and manganese-containing lining layer

Номер патента: US12014986B2. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153902A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Hybrid metallic structures in stacked semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US12068282B2. Автор: Tzu Ching Hung,Chien Wen Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09875934B2. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20200152577A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20190295958A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Die, Semiconductor Device and Method for Forming a Semiconductor Die

Номер патента: US20230103023A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device structure having air gap

Номер патента: US20240282623A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices including conductive structure and shielding layer and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240266299A1. Автор: Takahiro YADA,Tsukasa TAKAIWA. Владелец: Amkor Technology Japan Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming a semiconductor die

Номер патента: EP4406019A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371684A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371683A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09698097B2. Автор: Seung-Jin Yeom,Nam-Yeal Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Structure and formation method of semiconductor device structure with through semiconductor via

Номер патента: US20240379361A1. Автор: Dian-Hau Chen,Tsung-Chieh Hsiao,Liang-Wei WANG,Chih-Chuan SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Structure and formation method of semiconductor device with conductive bumps

Номер патента: US11854964B2. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Systems and methods to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US20160293475A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Shiqun Gu,Jun Chen,Vidhya Ramachandran,Choh fei Yeap,Jihong Choi,Christine Sung-An HAU-RIEGE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for Manufacturing a Structure in a Semiconductor Device and a Structure in a Semiconductor Device

Номер патента: US20080090398A1. Автор: Christoph Noelscher,Sebastian Mosler. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer

Номер патента: US09859114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Trench isolation with conductive structures

Номер патента: US20230005796A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Yuh-Ta FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220344345A1. Автор: Ilyoung Yoon,Jonghyuk Park,Yanghee Lee,Boun Yoon,Heesook CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US12068414B2. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Methods of processing semiconductor devices

Номер патента: US10825762B2. Автор: Brandon P. Wirz,Jack E. Murray. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-03.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09842768B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Shu-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Interconnect structure for semiconductor devices with multiple power rails and redundancy

Номер патента: US09812396B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Shreesh Narasimha,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.,Patrick Ryan Justison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with advanced pad structure resistant to plasma damage and metnod for forming same

Номер патента: US09666545B2. Автор: Yao-Hsiang Liang,Hung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with advanced pad structure resistant to plasma damage and method for forming the same

Номер патента: US09385081B2. Автор: Yao-Hsiang Liang,Hung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Reducing RC delay in semiconductor devices

Номер патента: US11804439B2. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method for forming a semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug

Номер патента: US11778812B2. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug and method for forming the same

Номер патента: US20200373308A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Reducing rc delay in semiconductor devices

Номер патента: US20210327813A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Reducing rc delay in semiconductor devices

Номер патента: US20230378071A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Capacitance reduction by tunnel formation for use with a semiconductor device

Номер патента: US20040056323A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor device, method for producing same, and electronic device

Номер патента: EP4425535A1. Автор: Keisuke Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363751A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US09865639B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and structure for through-silicon via (tsv) with diffused isolation well

Номер патента: US20120326319A1. Автор: Chi-Yeh Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor device with sidewall interconnection structure and method for manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20220189853A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device with sidewall interconnection structure and method for manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US11961787B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-04-16.

Structure and formation method of semiconductor device with stacked conductive structures

Номер патента: US20210225697A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug and method for forming the same

Номер патента: US20240090204A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220310617A1. Автор: Tong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug and method for preparinging the same

Номер патента: US20230403847A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method and resulting structure for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: WO2003077311A1. Автор: Shaun Joseph Cunningham. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation. Дата публикации: 2003-09-18.

Method and resulting structure for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: EP1483786A1. Автор: Shaun Joseph Cunningham. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2004-12-08.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device including transistors sharing gates with structures having reduced parasitic circuit

Номер патента: US20220130824A1. Автор: Jam-Wem Lee,Po-Lin PENG,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device including transistors sharing gates with structures having reduced parasitic circuit

Номер патента: US20240153950A1. Автор: Jam-Wem Lee,Po-Lin PENG,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A3. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Vishnu K Khemka,Todd C Roggenbauer. Владелец: Todd C Roggenbauer. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4254493A1. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device with protection liners and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US20180076195A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for reducing cracks in a step-shaped cavity

Номер патента: US20180068888A1. Автор: Xianchao WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A2. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer,Vishnu K. Khemka. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device with improved pads

Номер патента: US20080258262A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Process monitoring structures for via etch processes for semiconductor devices

Номер патента: US20240162097A1. Автор: YAN Luo,René Wientjes,Poh Cheng Tan,Deo Brat Singh,Sudeep Gudla. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with protection liners and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US12119302B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131996B2. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Conductive structures, systems and devices including conductive structures and related methods

Номер патента: US09941209B2. Автор: Graham R. Wolstenholme,Aaron Yip,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device including first and second or drain electrodes and manufacturing method thereof

Номер патента: US8785990B2. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-22.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US6084269A. Автор: Robert B. Davies,Chandrasekhara Sudhama. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Semiconductor apparatus for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US11289571B2. Автор: Keishi WATANABE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device with extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: US12107143B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09991394B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with conductive members that extend from a semiconductor portion to an upper surface of a semiconductor layer

Номер патента: US11404547B2. Автор: Takeshi Yamamoto,Nobuyuki Toda,Kazuaki Yamaura,Shinji KAWAHARA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-08-02.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

Improved semiconductor device with the schottky diode

Номер патента: RU2683377C1. Автор: Михаэль РЕШКЕ. Владелец: Диотек Семикондактор Аг. Дата публикации: 2019-03-28.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

Resistive field structures for semiconductor devices and uses therof

Номер патента: US09761675B1. Автор: Albert G. Baca,Robert Kaplar,Sandeepan DasGupta,Matthew Marinella. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Microelectronic devices with lower recessed conductive structures and related methods and systems

Номер патента: US20220013534A1. Автор: Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for reduced parasitic capacitance and contact resistance in extremely thin silicon-on-insulator (ETSOI) devices due to wrap-around structure of source/drain regions

Номер патента: US09917199B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Reduced parasitic capacitance and contact resistance in extremely thin silicon-on-insulator (ETSOI) devices due to wrap-around structure of source/drain regions

Номер патента: US09735173B1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US09705002B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343851A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11996416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768280B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US09552992B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Reduced parasitic capacitance and contact resistance in etsoi devices

Номер патента: US20170271525A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Reduced parasitic capacitance and contact resistance in etsoi devices

Номер патента: US20180114865A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240222515A1. Автор: Yongsung Kim,Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2011084397A3. Автор: Antonio L.P. Rotondaro. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: GB2489882B. Автор: Antonio L P Rotondaro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-11.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20110163382A1. Автор: Antonio L. P. Rotondaro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device

Номер патента: US09911861B2. Автор: Yuichi Sato,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865712B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780226B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device with transistors including oxide semiconductors and capacitor elements

Номер патента: US12132057B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: EP1936690A3. Автор: Tetsuya Nissan Motor Co. Ltd. Hayashi,Masakatsu Nissan Motor Co. Ltd. Hoshi,Hideaki Nissan Motor Co. Ltd. Tanaka,Shigeharu Nissan Motor Co. Ltd. Yamagami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-19.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20150311352A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US12142692B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09876099B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor structure with conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230378260A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US9269783B2. Автор: Antonio L. P. Rotondaro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240222507A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20080210938A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US7910923B2. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device exhibiting reduced parasitics and method for making same

Номер патента: US20120256277A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Vertical fet with shaped spacer to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US20190181238A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384080A1. Автор: Huaxiang Yin,Jinbiao Liu,Junfeng Li,Junjie Li,Guilei Wang,Henry H. Radamson,Zhenzhen KONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device with vertically integrated pHEMTs

Номер патента: US09923088B2. Автор: Sheila K. Hurtt,Corey A. Nevers,Dana A. Schwartz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09905635B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335605A1. Автор: Susumu Kawashima,Tomoaki Atsumi,Hideaki Shishido,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device with linear capacitance

Номер патента: US12113061B2. Автор: Qingyun Xie,Tomas Palacios,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220123137A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of manufacturing semiconductor device with offset sidewall structure

Номер патента: US7998802B2. Автор: Hirokazu Sayama,Hidekazu Oda,Kazunobu Ota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of manufacturing semiconductor device with offset sidewall structure

Номер патента: US20070202634A1. Автор: Hirokazu Sayama,Hidekazu Oda,Kazunobu Ota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US09685521B2. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09673337B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method the same

Номер патента: US09379141B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09842940B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US09768271B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory devices with dielectric fin structures

Номер патента: US20240268106A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with low lifetime region

Номер патента: US09985090B2. Автор: Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09905579B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Takahiro Iguchi,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Vertical FET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09853028B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu,Philip J. Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Reducing parasitic capacitance within semiconductor devices

Номер патента: US20210327762A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US10615286B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US11777038B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Reducing parasitic capacitance for gate-all-around device by forming extra inner spacers

Номер патента: US20200105902A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090155971A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Fin field-effect transistor with reduced parasitic capacitance and reduced variability

Номер патента: US20200357896A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Compact FDSOI device with Bulex contact extending through buried insulating layer adjacent gate structure for back-bias

Номер патента: US09425189B1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Gate-all-around devices with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20210233911A1. Автор: YE Lu,Peijie Feng,Junjing Bao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to accumulate non-semiconductor atoms

Номер патента: US20240194482A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices with improved source/drain contact resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728465B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Kuo Tai Huang,Ryuji Tomita,Joon-Gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09691848B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method for reduced bias temperature instability (BTI) in silicon carbide devices

Номер патента: US09576868B2. Автор: Joseph Darryl Michael,Stephen Daley Arthur. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09490329B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor Device with Metallization Structure on Opposite Sides of a Semiconductor Portion

Номер патента: US20180138120A1. Автор: Martin Poelzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20240298448A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US09595522B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device with supporting structures and method for forming the same

Номер патента: US20240047549A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

FinFET-BASED INTEGRATED CIRCUITS WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20200312843A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to define etch stop layer

Номер патента: EP4423798A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Spacerless fin device with reduced parasitic resistance and capacitance and method to fabricate same

Номер патента: US9472651B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317856A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Seiji Yasumoto,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: EP4407689A1. Автор: ZHENG Zhong,Ping Ma,Haijun Li,Lingcong LE,Huilan Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Power semiconductor device with embedded field electrodes

Номер патента: US09761676B2. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530856B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Heterojunction semiconductor device for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US09508843B2. Автор: Shih-Peng Chen,Ching-Chuan Shiue,Chun-Chieh Yang,Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Transistors, semiconductor devices, and electronic devices including transistor gates with conductive elements including cobalt silicide

Номер патента: US09882015B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Metal High-K Transistor Having Silicon Sidewall For Reduced Parasitic Capacitance, And Process To Fabricate Same

Номер патента: US20090298275A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Metal High-K Transistor Having Silicon Sidewall For Reduced Parasitic Capacitance, And Process To Fabricate Same

Номер патента: US20100006956A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor Devices Having Gate Structures with Conductive Patterns of Different Widths and Methods of Fabricating Such Devices

Номер патента: US20100133604A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sung-Il Chang,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: EP1297570A1. Автор: Ian Dale,Michael William Carr,Robert James Foulger. Владелец: Marconi Applied Technologies Ltd. Дата публикации: 2003-04-02.

Metal high-k transistor having silicon sidewall for reduced parasitic capacitance

Номер патента: US7843007B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Trench structure for reduced wafer cracking

Номер патента: US20220310533A1. Автор: CHUN-WEI Chia,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Chun-Liang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230064487A1. Автор: Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190229081A1. Автор: Chen-Shien Chen,chao-yi Wang,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Chien-Hung Kuo,Ching-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device with encapsulant deposited along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US12094729B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130105919A1. Автор: LI Jiang,Mingqi Li,Pulei Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device with protected sidewalls and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US09806034B1. Автор: Rolf Brenner,Hans-Juergen Funke,Wolfgang Schnitt,Rudiger Weber,Frank Burmeister,Tobias Sprogies. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device including dummy deep trench capacitors and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240038654A1. Автор: Fu-Chiang KUO,Yu-Hsin FANG,Ming-Syong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

SPACERLESS FIN DEVICE WITH REDUCED PARASITIC RESISTANCE AND CAPACITANCE AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20150064854A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040287B2. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09589969B1. Автор: Yu-Wei Chang,Chui-Ya Peng,Austin Hsu,Kung-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220028801A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device package including stress buffering layer

Номер патента: US20230387092A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN,Wen Hung HUANG,Shih-Yu Wang,Yuh-Shan SU,Chien-Mei HUANG,I-Ting Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Fabricating a semiconductor device with a base region having¹a deep portion

Номер патента: IE831223L. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1983-12-28.

FinFET with improved short channel effect and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US8552477B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09966446B2. Автор: Keun Ho Lee,Yong Hee Park,Young Seok SONG,Ui Hui Kwon,Jae Hee Choi,Young Chul Hwang,Jee Soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Vertical field effect transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180301541A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Vertical field effect transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180294340A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666678B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US09741779B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hideaki Kuwabara,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of forming a release structure for a preformed substrate

Номер патента: CN112820699A. Автор: 亨利·德斯卡尔索·巴桑,齐格蒙德·拉米雷斯·卡马乔. Владелец: Shangshengte. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor device and method of forming mold degating structure for pre-molded substrate

Номер патента: TW202133281A. Автор: 漢芮 迪斯卡洛 貝森,齊格蒙 拉米雷斯 卡馬喬. Владелец: 美商先科公司. Дата публикации: 2021-09-01.

Test method of semiconductor device

Номер патента: US09536627B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297231A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496376B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with reduced gate-overlap capacitance and method of forming the same

Номер патента: US7791133B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US12136674B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905657B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Satoru Okamoto,Yuta Endo,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768318B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Yutaka Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Yoshinobu Asami,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US09530769B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09437745B2. Автор: Yuhichi Saitoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of manufacturing electronic device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050029593A1. Автор: Osamu Ohara,Manabu Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09515192B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hideaki Kuwabara,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US20230142940A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20210126132A1. Автор: Takashi Shiraishi,Masami Jintyou,Masayoshi Dobashi,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Semiconductor device, display system, and electronic device

Номер патента: US20180033696A1. Автор: Takashi Nakagawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US12095006B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812587B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09780779B2. Автор: Keita Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180095336A1. Автор: Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: US20240321677A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09954003B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Masayuki Sakakura,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Yuki HATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11791417B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030353A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing finfet with improved short channel effect and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20140011330A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240231756A9. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hiromichi Godo,Kazuki Tsuda,Hidefumi Rikimaru,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Epitaxial Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230068065A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Structures and methods for reducing stress in three-dimensional memory device

Номер патента: US20210050446A1. Автор: Jian Hua SUN,Ji XIA,Sizhe Li,Qinxiang Wei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240251567A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US12074068B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor Device and Method for Driving Semiconductor Device

Номер патента: US20200126991A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor integrated circuit and a semiconductor device

Номер патента: US7345340B2. Автор: Akihiro Tamura,Toshio Nagasawa,Mitsuharu Hitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US12087866B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240363417A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US12052853B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US09773787B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Antenna device with attachment member and attachment structure for antenna device

Номер патента: US20240332811A1. Автор: Hideaki Shoji,Yusuke Kato,Toshiki SAYAMA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of producing it

Номер патента: GB2259806A. Автор: Teruyuki Shimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-03-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240178296A1. Автор: Qifeng LV. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US6773936B2. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-08-10.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20030087508A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods

Номер патента: US09716147B2. Автор: Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for making CMOS device having reduced parasitic capacitance

Номер патента: US5627097A. Автор: Suresh Venkatesan,Stephen Poon,Jeffrey Lutze. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-05-06.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823044A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor Device Structures for Bipolar Junction Transistors and Methods of Fabricating Such Structures

Номер патента: US20080003757A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor Device with Slotted Backside Metal for Improving Q Factor

Номер патента: US20180331031A1. Автор: Chih-Wen Huang,Jui-Chieh CHIU,you-cheng Lai. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1192663A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-03.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2001059844A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method of detecting wire open failure thereof

Номер патента: US9354269B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Module arrangement for power semiconductor devices

Номер патента: US09601399B2. Автор: Munaf Rahimo,Hamit Duran. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-03-21.

SPACERLESS FIN DEVICE WITH REDUCED PARASITIC RESISTANCE AND CAPACITANCE AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20150061018A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-05.

Microelectronic devices with lower recessed conductive structures and related methods

Номер патента: US20220392917A1. Автор: Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device having a reduced parasitic capacitance bonding pad structure

Номер патента: US6417558B1. Автор: Koji Shirai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-07-09.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device with breakdown preventing layer

Номер патента: US09741802B2. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with different contact regions

Номер патента: US09595619B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Voltage boosting circuit including capacitor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: EP1084501A1. Автор: Göran AstraZeneca R&D Lund MARNFELDT. Владелец: AstraZeneca AB. Дата публикации: 2001-03-21.

Voltage boosting circuit including capacitor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO1999050862A1. Автор: Göran MARNFELDT. Владелец: AstraZeneca AB. Дата публикации: 1999-10-07.

Voltage boosting circuit including capacitor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20010043114A1. Автор: Göran MARNFELDT. Владелец: Astra AB. Дата публикации: 2001-11-22.

Design and layout techniques for low parasitic capacitance in analog circuit applications

Номер патента: US20060087003A1. Автор: Chun-Ying Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor device with reduced parasitic substrate capacitance

Номер патента: US5731620A. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120171833A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09542977B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with an integrated deep trench capacitor having high capacitance density and low equivalent series resistance

Номер патента: US20210028316A1. Автор: Binghua Hu,Yanbiao Pan,Django Trombley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

System and method for reducing mutual coupling for noise reduction in semiconductor device packaging

Номер патента: US20220208672A1. Автор: Ajay Kumar Sharma,Rishi BHOOSHAN,Sumit Varshney,Frank Martin Paglia. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of forming a semiconductor package with conductive interconnect frame and structure

Номер патента: US09917039B2. Автор: Marc Alan Mangrum,Thinh Van Pham. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Packaged multichip module with conductive connectors

Номер патента: US20200020620A1. Автор: Siva Prakash Gurrum,Saumya Gandhi,Manu J. Prakuzhy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371748A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Chung-Ting Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device resistor structure

Номер патента: US09923046B1. Автор: Hui Zang,Josef S. Watts,Shesh M. Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688864C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Package with conductive underfill ground plane

Номер патента: US20200395332A1. Автор: Chee Seng Foong,Akhilesh Kumar Singh,Nishant Lakhera. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device package with vertically stacked passive component

Номер патента: US20240258288A1. Автор: Makoto Shibuya,Kwang-Soo Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor Device and Method of Forming Air Gap Adjacent to Stress Sensitive Region of the Die

Номер патента: US20130093068A1. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240274578A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464A3. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device package having thermal dissipation feature and method therefor

Номер патента: EP4084059A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Betty Hill-Shan Yeung,Rushik P. Tank,Kabir Mirpuri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12080682B2. Автор: Tae Yong Lee,Won Chul Do,Jin Young Khim,Ji Yeon Ryu,Yi Seul Han,Shaun Bowers,Ron Huemoeller. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Isolating electric paths in semiconductor device packages

Номер патента: US09899312B2. Автор: Adrian E. Ong,Dong Sik Jeong. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with conductive pad

Номер патента: US11942445B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Kai-Jun Zhan,Cheng-Jen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Embedded die packaging for power semiconductor devices for improved solder reliability

Номер патента: US20240213127A1. Автор: Di Chen,Hossein MOUSAVIAN,Abhinandan DIXIT,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20130187261A1. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20230282532A1. Автор: Ji Hun Yi,Wang Gu Lee,Gam Han YONG,Ju Hong Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing electronic devices

Номер патента: US12107037B2. Автор: Jae Hun Bae,George Scott,Ki Yeul YANG. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device carrier tape with image sensor detectable dimples

Номер патента: US09698040B2. Автор: Jeremy Spiteri,Ivan Ellul. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09673142B2. Автор: Kazuyuki Sakata,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device having a reduced bit line parasitic capacitance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130052788A1. Автор: Jeong Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US20200294802A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: WO2020185391A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US11217448B2. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Semiconductor device with a porous air vent

Номер патента: US20240063067A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080048324A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device having surface protective films on bond pad

Номер патента: US8390134B2. Автор: Yoshifumi Takata,Takuro Homma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: EP3568870A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-11-20.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: US20190378769A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12080638B2. Автор: Shang-Yun Hou,Chia-Hao Hsu,Chia-Hsin Chen,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Tu-Hao Yu,Pin-Tso Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230245963A1. Автор: Chang-Lin Yeh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

A three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: EP3286785A1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,George Matamis,Jixin Yu,Wenguang Shi,Junichi Ariyoshi,Xiaolong Hu,Jiyin Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-28.

Packaged semiconductor devices with laser grooved wettable flank and methods of manufacture

Номер патента: US09978668B1. Автор: Erwin Victor Cruz,Aira Lourdes VILLAMOR,Geraldine Suico,Silnore Sabando. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor packages and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09881863B2. Автор: Nathapong Suthiwongsunthorn,Kian Teng Eng,Chuen Khiang Wang,Catherine Bee Liang Ng,Richard Te GAN,Kriangsak Sae LE,Antonio Jr B DIMAANO. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of forming PoP semiconductor device with RDL over top package

Номер патента: US09786623B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Structure for relaxed SiGe buffers including method and apparatus for forming

Номер патента: US09752224B2. Автор: Zhiyuan Ye,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao,Keun-Yong BAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation

Номер патента: US09704725B1. Автор: Hyun Jun Kim,Hong Bae Kim,Hyung Kook Chung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor packages and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09589875B2. Автор: Nathapong Suthiwongsunthorn,Kian Teng Eng,Chuen Khiang Wang,Catherine Bee Liang Ng,Richard Te GAN,Kriangsak Sae LE,Antonio Jr B DIMAANO. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US09524932B2. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: US09449987B1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,Jixin Yu,Wenguang Stephen Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Wafer-level package device with solder bump reinforcement

Номер патента: US09425160B1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Reynante Alvarado,Yi-Sheng A. Sun,Yong L. Xu. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor devices with underfill control features, and associated systems and methods

Номер патента: US20190371755A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Sameer S. Vadhavkar,Suresh Yeruva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor devices with underfill control features, and associated systems and methods

Номер патента: US20180122762A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Sameer S. Vadhavkar,Suresh Yeruva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240203803A1. Автор: Jae Yun Kim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20230387100A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Chuang,Chang-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor devices with embedded filler particles and associated methods for their production

Номер патента: US20240234227A9. Автор: Martin Mayer,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1606835A1. Автор: Yoshitsugu c/o Dow Corn Toray Sil. Co Ltd MORITA,Katsutoshi c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd MINE,Junji c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd NAKANISHI,Hiroji c/o Dow Corning Toray Sil. Co. Ltd. ENAMI,Fumio c/o Apic Yamada Corp. Miyajima. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-21.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US20240203963A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with channel layer comprising different types of impurities

Номер патента: US7812396B2. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Semiconductor device with a polymer layer

Номер патента: US20240071976A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Resin sealed semiconductor device having improved arrangement for reducing thermal stress within the device

Номер патента: US6265784B1. Автор: Hideo Miura,Hiroaki Doi,Akio Yasukawa,Kenya Kawano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-07-24.

Semiconductor device with low noise transistor and low temperature coefficient resistor

Номер патента: US20230290775A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Yanbiao Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US09818685B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Doo Hyun Park,Dong Jin Kim,Jin Young Kim,Jae Hun Bae,SungKyu Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Jong Sik Paek,Yoonjoo Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing line for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761471B2. Автор: Daisuke Sugizaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device structure with conductive bumps

Номер патента: US20240258259A1. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Phase-Change Material (PCM) Contacts with Slot Lower Portions and Contact Dielectric for Reducing Parasitic Capacitance and Improving Manufacturability in PCM RF Switches

Номер патента: US20200058857A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Jefferson E. Rose,Michael J. Debar,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Esd protection device with reduced harmonic distortion

Номер патента: US20240204516A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with conductive pillars having recesses or protrusions to detect interconnect continuity between semiconductor die and substrate

Номер патента: US09478513B2. Автор: Chien Chen Lee,Jen Yu Chen,Ting Yu Fu,Men Hsien Li. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: MY128651A. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2007-02-28.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: US20060231961A1. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US11476197B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-10-18.

Semiconductor devices including capacitor structures having improved area efficiency

Номер патента: US20190280083A1. Автор: Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device having high-density capacitor elements, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010053578A1. Автор: Atsushi Tominaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Reducing parasitic capacitance in a differential cascode amplifier

Номер патента: WO2024059399A1. Автор: Abdellatif Bellaouar,Chuan-Cheng Cheng,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09824955B2. Автор: Noboru Kato,Toshiyuki Nakaiso. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Architecture of image sensor with application of one or more devices with floating gate

Номер патента: RU2418383C2. Автор: Фань ХЭ,Карл Л. ШУРБОФФ. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2011-05-10.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230275112A1. Автор: Chigusa Yamane,Yuki Kawahara,Jun Ogi,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor package with conductive adhesive that overflows for return path reduction and associated method

Номер патента: US20230238349A1. Автор: Yan-Bin Luo,Chun-Wei Chen,Ming-Yin Ko. Владелец: Airoha Technology Hk Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: US09881904B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device including structure connecting frontside and backside metal and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402367A1. Автор: Chia-Tien Wu,Wei-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor module having a conductor member for reducing thermal stress

Номер патента: US09853009B2. Автор: Yoshiyuki Deguchi,Masakazu Tani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device package for reducing parasitic light and method of manufacturing the same

Номер патента: US09850124B2. Автор: Hsun-Wei Chan,Ching-Han Huang,Yu-Hsuan Tsai. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device with a power gating circuit for reducing an instantaneous voltage drop

Номер патента: US09627037B2. Автор: Jin Sung Kim,Jae Young Kim,Tae Hyung Kim,Sang Yeop Baeck. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor Device Package Having Chip With Conductive Layer

Номер патента: US20100283139A1. Автор: Hung-Hsiang Cheng,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312940A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hung-Wei TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring

Номер патента: RU2267188C2. Автор: С.П. Черных,Г.В. Федорова. Владелец: Черных Сергей Петрович. Дата публикации: 2005-12-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Reducing Parasitic Capacitance

Номер патента: US20240097619A1. Автор: Abdellatif Bellaouar,Chuan-Cheng Cheng,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor interconnect structures with conductive elements, and associated systems and methods

Номер патента: US20230335522A1. Автор: Quang Nguyen,Chan H. Yoo,Shams U. Arifeen,Christopher Glancey,Koustav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153900A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12046798B2. Автор: Se Man Oh,Byong Jin Kim,Corey Reichman,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20150371941A1. Автор: Noboru Kato,Toshiyuki Nakaiso. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Package module structure for high power device with metal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130020726A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Kyoung-Min Kim. Владелец: Wavenics Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09704799B2. Автор: Noboru Kato,Toshiyuki Nakaiso. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09589964B1. Автор: Hyun-Chul Yoon,Younghan Kim,Seokhyun Lim,Soonwon Hwang,Jin Il Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Spark gap structures for detection and protection against electrical overstress events

Номер патента: US20230375600A1. Автор: Alan J. O'Donnell,David J. Clarke,Edward John Coyne,David Aherne,Patrick Martin McGuinness,Shaun Bradley,Stephen Denis Heffernan,Nijun Wei,David M. Boland. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-11-23.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Versatile system for charge dissipation in the formation of semiconductor device structures

Номер патента: US20070057247A1. Автор: Weidong Tian,Zafar Imam,Bradley Sucher. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Versatile system for charge dissipation in the formation of semiconductor device structures

Номер патента: US20060214170A1. Автор: Weidong Tian,Zafar Imam,Bradley Sucher. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Versatile system for charge dissipation in the formation of semiconductor device structures

Номер патента: US20060033173A1. Автор: Weidong Tian,Zafar Imam,Bradley Sucher. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor Package with Conductive Clip

Номер патента: US20160300811A1. Автор: Martin Standing. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor package with conductive clip

Номер патента: US20180012859A1. Автор: Martin Standing. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240332781A1. Автор: Se Man Oh,Byong Jin Kim,Corey Reichman,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Spark gap structures for detection and protection against electrical overstress events

Номер патента: US12055569B2. Автор: Alan J. O'Donnell,David J. Clarke,Edward John Coyne,David Aherne,Patrick Martin McGuinness,Shaun Bradley,Stephen Denis Heffernan,Nijun Wei,David M. Boland. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-08-06.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor package with conductive clip

Номер патента: US09799623B2. Автор: Martin Standing. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductcor device, and electronic device

Номер патента: US20180182854A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Trench-type heat sink structure applicable to semiconductor device

Номер патента: US09997429B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09984946B2. Автор: Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and electronic appliance

Номер патента: US09818784B2. Автор: Toshihiko Miyazaki,Koichi Baba,Hiroaki Ammo,Takashi Kubodera. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Solid-state transducer devices with optically-transmissive carrier substrates and related systems, methods, and devices

Номер патента: US09812606B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device including a buffer layer structure for reducing stress

Номер патента: US09515043B2. Автор: Masatoshi Tagaki,Takeshi Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09490309B2. Автор: Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20200395303A1. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

DRAM semiconductor device having reduced parasitic capacitance between capacitor contacts and bit line structures and method for manufacturing the same

Номер патента: US10797057B2. Автор: Wei-Che Chang,Tzu-Ming Ou Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Structure and formation method of semiconductor device with conductive bumps

Номер патента: US11990440B2. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230343706A1. Автор: Hauk Han,Jeonggil Lee,Seonghun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US20020190264A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Capacitor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127655A1. Автор: Seung-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20150034952A1. Автор: Shinichi Yataka,Toshimitsu Kobori,Kumiko Yamauchi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US6753545B2. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-22.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device for reducing an instantaneous voltage drop

Номер патента: US09886997B2. Автор: Jin Sung Kim,Jae Young Kim,Tae Hyung Kim,Sang Yeop Baeck. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Interconnect structures for assembly of multi-layer semiconductor devices

Номер патента: US09812429B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570391B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Socket device for testing semiconductor device

Номер патента: US09494616B2. Автор: Dong Weon Hwang,Jae Baek Hwang,Jae Suk Hwang. Владелец: HICON CO Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200356719A1. Автор: Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Hsuan-Ming Huang,An Shun Teng,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Method and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11361141B2. Автор: Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Hsuan-Ming Huang,An Shun Teng,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220102429A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220359618A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US20160372435A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Power converter for reducing a difference between reference potentials of semiconductor devices that are simultaneously turned on and off

Номер патента: US10291149B2. Автор: Tomohisa Sano,Yohei Kondo,Yuu YAMAHIRA,Kengo MOCHIKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-05-14.

Esd protection device with reduced harmonic distortion background

Номер патента: EP3971972A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-23.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240306403A1. Автор: Yeon Seung Jung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: US7943401B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tamir-Kheli. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices with double-sided fanout chip packages

Номер патента: US20240363503A1. Автор: LI Sun,Dingyou Zhang. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09978704B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device with a plate-shaped lead terminal

Номер патента: US09917064B2. Автор: Junji Fujino,Mikio Ishihara,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09806051B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with guard ring coupled resonant circuit

Номер патента: US09705466B2. Автор: Chi-Feng Huang,Tzu-Jin Yeh,Yen-Jen Chen,Hsieh-Hung HSIEH,Hsiao-Chun LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nitride semiconductor device with multi-layer structure electrode having different work functions

Номер патента: US09461135B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09437567B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001243A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with cooling

Номер патента: RU2546492C1. Автор: ВААЛ Герардус Геертрууд ДЕ. Владелец: МАРУЛАЛЕД (ПиТиУай) ЛТД. Дата публикации: 2015-04-10.

Phase-Change Material (PCM) Radio Frequency (RF) Switch with Reduced Parasitic Capacitance

Номер патента: US20200058848A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Jefferson E. Rose,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234348A9. Автор: Koji Tanaka,Junichi Yamashita,Yasunari Hino,Shinichi Izuo,Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with a protective security coating and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1490902A1. Автор: Ronald Dekker,Robertus A. M. Wolters,Petra E. De Jongh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213107A1. Автор: Hiroki Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230018430A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20200312808A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: PH12018502683B1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-21.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor Device

Номер патента: US20080001673A1. Автор: Jussi Ryynänen,Jouni Kaukovuori. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: EP1873829A3. Автор: Jussi Ryynänen,Jouni Kaukovuori. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-09-30.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US20240290918A1. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device for reducing photovolatic current

Номер патента: US7238579B2. Автор: Bradley P. Smith,Edward O. Travis. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-03.

Systems and methods for reducing die slip during group bonding

Номер патента: US20240079358A1. Автор: Wen How Sim,Harjashan Veer Singh,Siva Sai Kishore Palli,Venkata Rama Satya Pradeep Vempaty,Chen Yu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US11757072B2. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor integrated circuit device with SOTE and MOS transistors

Номер патента: US11373700B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor device for reducing photovolatic current

Номер патента: US20050093110A1. Автор: Bradley Smith,Edward Travis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device with integrated circuit elements of group iii-v comprising means for preventing pollution by hyfrogen.

Номер патента: US20030071339A1. Автор: Peter Frijlink,Pierre Baudet. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427269A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Power supply apparatus for reducing noise induced in DC wires

Номер патента: US09923473B2. Автор: Shuji KURAUCHI,Shotaro Yamasaki,Katsutoyo Misawa,Yuuki Takemoto,Yuuichi HANDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09859463B2. Автор: Korbinian Perzlmaier,Fabian Kopp,Christian Eichinger,Björn Muermann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices with redistribution pads

Номер патента: US09859204B2. Автор: Won-Young Kim,Chanho LEE,Ae-nee JANG,Hyunsoo Chung,Myeong Soon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09853002B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device, imaging device, and electronic device

Номер патента: US09848144B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793150B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US09761592B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09761506B2. Автор: Takukazu Otsuka,Brandon PASSMORE,Bryon Western,Zach COLE. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

HYPERFREQUENCY STRUCTURE FOR MICROWAVE TUBE WITH PERMANENT MAGNET BEAM CONFINEMENT DEVICE AND IMPROVED COOLING

Номер патента: FR2925217A1. Автор: Alain Durand,Bernard Leclair. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2009-06-19.

HYPERFREQUENCY STRUCTURE FOR MICROWAVE TUBE WITH PERMANENT MAGNET BEAM CONFINEMENT DEVICE AND IMPROVED COOLING

Номер патента: FR2925217B1. Автор: Alain Durand,Bernard Leclair. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2013-05-24.

Antenna device with attachment member and attachment structure for antenna device

Номер патента: WO2023112866A1. Автор: 英明 東海林,稔貴 佐山,友祐 加藤. Владелец: Ａｇｃ株式会社. Дата публикации: 2023-06-22.

Microelectronic devices with lower recessed conductive structures and related methods

Номер патента: US20240334703A1. Автор: Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Microelectronic devices with lower recessed conductive structures and related methods

Номер патента: US12010848B2. Автор: Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Batteries of tubular biomedical devices with chemically deposited seal

Номер патента: RU2672572C1. Автор: Адам ТОНЕР,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Стюарт Майкл ДЭВИС,Миллберн Эбензер МУТУ,Лоуренс ВАЙНШТЕЙН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-11-16.

Semiconductor optical device with a buried heterostructure (bh) having reduced parasitic capacitance and reduced inter-diffusion

Номер патента: US20230411931A1. Автор: Dapeng Xu,Huanlin Zhang,Dion McIntosh-Dorsey. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230369830A1. Автор: Takanori Okamura. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Optical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09819153B2. Автор: Manabu Matsuda,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Communication device with predicted service failure triggered registration fallback for reduced communication service setup

Номер патента: US20230239744A1. Автор: Daniel C Chisu. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Led lighting device with remote phosphor in-coupling structure for in-coupling light from light emitting diodes

Номер патента: EP3593041A1. Автор: Jeroen Den Breejen,Gregory Donald GUTH. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-01-15.

Led lighting device with remote phosphor in-coupling structure for in-coupling light from light emitting diodes

Номер патента: WO2018165156A1. Автор: Jeroen Den Breejen,Gregory Donald GUTH. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

LED LIGHTING DEVICE WITH REMOTE PHOSPHOR IN-COUPLING STRUCTURE FOR IN-COUPLING LIGHT FROM LIGHT EMITTING DIODES

Номер патента: US20180259702A1. Автор: Den Breejen Jeroen,Guth Gregory Donald. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Led lighting device with remote phosphor in-coupling structure for in-coupling light from light emitting diodes

Номер патента: EP3593041B1. Автор: Jeroen Den Breejen,Gregory Donald GUTH. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-01-24.

Liquid spray device with concealed electric conductive structure

Номер патента: US20180161473A1. Автор: Zhi-Kai Xu,Bing-Xin ZHU. Владелец: VIDA INTERNATIONAL Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Using surface-modified technical carbon in elastomers for reducing rubber hysteresis and tyre rolling resistance and improving adhesion with wet road

Номер патента: RU2552728C2. Автор: Томас ГРОСС,Чарльз ХЕРД,Норберт ШТАЙНХАУЗЕР,Алекс ЛЮКАССЕН,Дэвид ХАРДИ,Чарльз ЭДВАРДС,Джон КЕРТИС,Стив КРОССЛИ,К. Кори ШОМБЕРГ,Хайке КЛОППЕНБЕРГ. Владелец: Лэнксесс Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2015-06-10.

Fully depleted region for reduced parasitic capacitance between a poly-silicon layer and a substrate region

Номер патента: US20160145093A1. Автор: Shanjen Pan,Marc L. Tarabbia. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Fully depleted region for reduced parasitic capacitance between a poly-silicon layer and a substrate region

Номер патента: US09919913B2. Автор: Shanjen Pan,Marc L. Tarabbia. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Voltage-to-time converter and method for reducing parasitic capacitance and power supply influences

Номер патента: US20210203344A1. Автор: TING Li,Yong Zhang,Dongbing Fu,Jian'an Wang,Zhengbo Huang,Yabo NI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2021-07-01.

Voltage-to-time converter and method for reducing parasitic capacitance and power supply influences

Номер патента: US11115039B2. Автор: TING Li,Yong Zhang,Dongbing Fu,Jian'an Wang,Zhengbo Huang,Yabo NI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2021-09-07.

Nonvolatile semiconductor device and fabrication process for the same

Номер патента: US20020100928A1. Автор: Akinobu Teramoto,Naoki Tsuji,Kazutoshi Wakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Thermoelectric semiconductor device for massaging neck-collar zone

Номер патента: RU2634688C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641848C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Driver circuit and semiconductor device

Номер патента: US11664796B2. Автор: Shinichiro Adachi,Hirohisa Arai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Contact construction for semiconductor devices with low-dimensional materials

Номер патента: US20240306391A1. Автор: Mahendra Pakala,Yi-Hsuan Hsiao,Minrui Yu,Arvind Kumar,Mark Conrad,Dongqing Yang,Keith Tatseun WONG,Rio Soedibyo,Hao-Ling Tang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Contact construction for semiconductor devices with low-dimensional materials

Номер патента: WO2024186870A1. Автор: Mahendra Pakala,Yi-Hsuan Hsiao,Minrui Yu,Arvind Kumar,Mark Conrad,Dongqing Yang,Keith Tatseun WONG,Rio Soedibyo,Hao-Ling Tang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Parasitic capacitance detection method, memory and readable storage medium

Номер патента: US11867745B2. Автор: Shibing QIAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240244835A1. Автор: Jinseong Lee,TaiUk Rim,Kyosuk CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: EP4404711A1. Автор: Jinseong Lee,TaiUk Rim,Kyosuk CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device, memory and storage system

Номер патента: US20240164086A1. Автор: HAO Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US12120868B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Low noise amplifier with parasitic capacitance neutralization

Номер патента: EP4266575A1. Автор: Baker Scott,George Maxim,Padmmasini Desikan,Mihai Murgulescu. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Equalizing transceiver with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20060091930A1. Автор: Fred Chen,Vladimir Stojanovic. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-04.

Equalizing transceiver with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US7348811B2. Автор: Vladimir M. Stojanovic,Fred F. Chen. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2008-03-25.

Electric power saving apparatus comprising semi-conductor device to pass energy of infrared ray synthetic wavelength into electric cable using output pulse signal, electric circuit board structure for implementing the apparatus, and electric power saving method

Номер патента: US7373535B2. Автор: Young-dae Kwon. Владелец: Cool Dot Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20100071178A1. Автор: Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-25.

Equalizing Transceiver With Reduced Parasitic Capacitance

Номер патента: US20090066376A1. Автор: Vladimir M. Stojanovic,Fred F. Chen. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2009-03-12.

Systems and methods for organic semiconductor devices with sputtered contact layers

Номер патента: US20240251576A1. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US20140043068A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Systems and methods for organic semiconductor devices with sputtered contact layers

Номер патента: US12101948B2. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

MEMS-microphone with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09980052B2. Автор: Kurt Rasmussen,Pirmin Hermann Otto Rombach,Jan Tue Ravnkilde,Leif Steen Johansen. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Touch input sensing method for reducing influence of parasitic capacitance and device therefor

Номер патента: US09990080B2. Автор: Hyung-Cheol Shin,Il-Hyun YUN. Владелец: SENTRON Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Ship hull assembly for reducing water resistance and improving maneuverability

Номер патента: EP3475156A2. Автор: Hani YOUSEF. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-05-01.

TOUCH INPUT SENSING METHOD FOR REDUCING INFLUENCE OF PARASITIC CAPACITANCE AND DEVICE THEREFOR

Номер патента: US20160283023A1. Автор: SHIN Hyung-Cheol,YUN Il-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Propeller for an aircraft engine comprising means for reducing noise at middle and high frequencies and improving the acoustic perception

Номер патента: US09540094B2. Автор: Camil Negulescu,Magdi Omais. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Light source device with light splitting mirror and reflection mirror for reducing influence on uniformity of intensity distribution of beam flux, and projection device

Номер патента: US09977319B2. Автор: Hiroshi Ogino. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Propeller for an aircraft engine comprising means for reducing noise at middle and high frequencies and improving the acoustic perception

Номер патента: US20140064968A1. Автор: Camil Negulescu,Magdi Omais. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2014-03-06.

Methods for reducing the risk of breast cancer in and improving the health of women

Номер патента: US6901278B1. Автор: Morris Notelovitz. Владелец: Morris Notelovitz. Дата публикации: 2005-05-31.

AIRCRAFT ENGINE PROPELLER COMPRISING MEANS FOR REDUCING NOISE TO MEDIUM AND HIGH FREQUENCIES AND IMPROVING ACOUSTIC PERCEPTION.

Номер патента: FR2990718B1. Автор: Camil Negulescu,Magdi Omais. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2016-12-09.

CLUSTOIDAL MULTILAMELLAR SOY LECITHIN PHOSPHOLIPID STRUCTURES FOR TRANSDERMAL, TRANSMUCOSAL, OR ORAL DELIVERY, IMPROVED INTESTINAL ABSORPTION, AND IMPROVED BIOAVAILABILITY OF NUTRIENTS

Номер патента: US20170049701A1. Автор: Downs Bernard W.,Kushner Steven M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

LIQUID SPRAY DEVICE WITH CONCEALED ELECTRIC CONDUCTIVE STRUCTURE

Номер патента: US20180161473A1. Автор: XU Zhi-Kai,ZHU Bing-Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Shoe device with dual stadium arch bimodal structure for rapid entry and release

Номер патента: US20230363489A1. Автор: Kentigern S Kyle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-16.

MEMORY DEVICE WITH A DUAL Y-MULTIPLEXER STRUCTURE FOR PERFORMING TWO SIMULTANEOUS OPERATIONS ON THE SAME ROW OF A MEMORY BANK

Номер патента: US20180122446A1. Автор: Louie Benjamin,BERGER Neal,EL-BARAJI Mourad,CRUDELE Lester,HILLMAN Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Memory device with a dual Y-multiplexer structure for performing two simultaneous operations on the same row of a memory bank

Номер патента: US10460781B2. Автор: Neal Berger,Benjamin Louie,Mourad El-Baraji,Lester CRUDELE,Daniel HILLMAN. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-10-29.

Refrigerant cycle device with ejector and refrigerant branch structure for the same

Номер патента: US20070039350A1. Автор: Hirotsugu Takeuchi,Makoto Ikegami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

TORSION DAMPER DEVICE WITH TILTING SEATS OF COMPOSITE STRUCTURE FOR SPRINGS, IN PARTICULAR FOR A MOTOR VEHICLE

Номер патента: FR2732425A1. Автор: Dominique Despres,Olivier Bouchez. Владелец: Valeo SE. Дата публикации: 1996-10-04.

TORSION DAMPING DEVICE WITH TILTING SEATS OF COMPOSITE STRUCTURE FOR SPRINGS, PARTICULARLY FOR MOTOR VEHICLE

Номер патента: FR2732425B1. Автор: Dominique Despres,Olivier Bouchez. Владелец: Valeo SE. Дата публикации: 1997-05-16.

A memory device with a dual y-multiplexer structure for performing two simultaneous operations on the same row of a memory bank

Номер патента: WO2019133299A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Benjamin Louie,Lester CRUDELE,Daniel HILLMAN. Владелец: Spin Transfer Technologies, Inc.. Дата публикации: 2019-07-04.

Heat recovery device with flue gas heat exchange structure for sulfuric acid production

Номер патента: CN215766549U. Автор: 张春平. Владелец: Qingtongxia Liyuan Industry And Trade Co ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Apparatus and method for a voltage regulator with improved power supply reduction ratio (PSRR) with reduced parasitic capacitance on bias signal lines

Номер патента: US09671801B2. Автор: Ludmil Nikolov,Ambreesh Bhattad. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2017-06-06.

Modulated power supply for reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09841860B2. Автор: Joseph Kurth Reynolds,Stephen L. Morein. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Sensor device with reduced parasitic-induced error

Номер патента: EP2417054A2. Автор: Dejan Mijuskovic,David E. Bien. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-02-15.

Sensor device with reduced parasitic-induced error

Номер патента: WO2010117615A2. Автор: Dejan Mijuskovic,David E. Bien. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2010-10-14.

Low-parasitic capacitance mems inertial sensors and related methods

Номер патента: EP3990930A1. Автор: Jeffrey A. Gregory,Bradley C. Kaanta,Charles Blackmer,Nikolay Pokrovskiy. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2022-05-04.

Low-parasitic capacitance mems inertial sensors and related methods

Номер патента: WO2020263613A8. Автор: Jeffrey A. Gregory,Bradley C. Kaanta,Charles Blackmer,Nikolay Pokrovskiy. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2021-01-28.

Low-parasitic capacitance mems inertial sensors and related methods

Номер патента: US20220162059A1. Автор: Jeffrey A. Gregory,Bradley C. Kaanta,Charles Blackmer,Nikolay Pokrovskiy. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Low-parasitic capacitance mems inertial sensors and related methods

Номер патента: WO2020263613A1. Автор: Jeffrey A. Gregory,Bradley C. Kaanta,Charles Blackmer,Nikolay Pokrovskiy. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2020-12-30.

Low-parasitic capacitance MEMS inertial sensors and related methods

Номер патента: US11746004B2. Автор: Jeffrey A. Gregory,Bradley C. Kaanta,Charles Blackmer,Nikolay Pokrovskiy. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Low-parasitic capacitance mems inertial sensors and related methods

Номер патента: US20200407217A1. Автор: Jeffrey A. Gregory,Bradley C. Kaanta,Charles Blackmer,Nikolay Pokrovskiy. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device having architecture for reducing area and semiconductor system including the same

Номер патента: US20100172174A1. Автор: Jung Min Lee,Hyun Ho CHOI,Ho Jung Kim,Chul Woo Park,Sang Beom Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Method of manufacturing semiconductor device and system for same

Номер патента: US12093629B2. Автор: Ke-Ying Su,Ze-Ming Wu,Po-Jui Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Simulation device for semiconductor device, and short-circuit determination method for semiconductor device

Номер патента: US20170068757A1. Автор: Ryota NIHEI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09703704B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device with input/output line

Номер патента: US09589605B1. Автор: Tae Kyun Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method and system of forming semiconductor device

Номер патента: US12019972B2. Автор: Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Wan-Yu Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Method and system for measuring laser induced phenomena changes in a semiconductor device

Номер патента: US20060284625A1. Автор: Jacob Phang,Soon Tan,Choon Chua,Lian Koh,Hoo Ng. Владелец: SEMICAPS PTE LTD. Дата публикации: 2006-12-21.

Method for extracting and modeling semiconductor device series resistance and for simulating a semiconductor device with use thereof

Номер патента: US20040138865A1. Автор: Ke-Wei Su,Cheng Hsiao,Jaw-Kang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device with variable pin locations

Номер патента: US20020190347A1. Автор: Ho Nguyen,Frederick Fischer,Kenneth Fitch,Scott Segan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for operating semiconductor device

Номер патента: US09972389B2. Автор: Masashi Fujita,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Touch sensing device with parasitic capacitance suppressing signal and driving method thereof

Номер патента: US09927930B2. Автор: Beomjin Kim,Dukhyo Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Implantable Medical Devices With A Topcoat Layer Of Phosphoryl Choline For Reduced Thrombosis, And Improved Mechanical Properties

Номер патента: US20120330405A1. Автор: . Владелец: Abbott Cardiovascular Systems Inc.. Дата публикации: 2012-12-27.

Locking device with double spherical hinge bearing structure for pile legs of self-elevating drilling platform

Номер патента: CN101871208B. Автор: 陆军,冯明,崔凯,吴平平,李光远,刘宝元,徐立祥,陈力生. Владелец: FOSHAN JINGYIN MACHINERY Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-16.

Protection device with pressure-regulating heat-insulating structure for hot-water boiler

Номер патента: CN210119020U. Автор: 李开华,邵春,庄海军. Владелец: Jiangsu Dole Thermal Energy Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-28.

Sampling device with multi-water-layer sampling structure for water quality detection

Номер патента: CN211717841U. Автор: 林媛,蔡鹏�,蔡振山,洪大炜,李关侠,刘梦玲,陈煜辉. Владелец: Shenzhen Zhunnuo Test Co ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: RU2139599C1. Автор: В.М. Иоффе,А.И. Максутов. Владелец: Максутов Асхат Ибрагимович. Дата публикации: 1999-10-10.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Compression Device with Structural Support Features

Номер патента: US20120004583A1. Автор: . Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-01-05.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641066C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-15.

Methods for Manufacturing a Vacuum Chamber and Components Thereof, and Improved Vacuum Chambers and Components Thereof

Номер патента: US20120000811A1. Автор: . Владелец: Kurt J. Lesker Company. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Arrangement for reducing effective scattering surface of antennas

Номер патента: RU2304329C1. Автор: Сергей Вячеславович Козлов,Александр Михайлович Мальцев,Александр Афанасьевич Головков,тков Андрей Геннадьевич Дев,Андрей Геннадьевич Девятков,Сергей В чеславович Козлов,Владимир Яковлевич Москалев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военный институт радиоэлектроники. Дата публикации: 2007-08-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.