Method for reducing cracks in a step-shaped cavity
Номер патента: US20180068888A1
Опубликовано: 08-03-2018
Автор(ы): Xianchao WANG
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp, Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-03-2018
Автор(ы): Xianchao WANG
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp, Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming a porous dielectric material layer in a semiconductor device and device formed
Номер патента: US6831364B2. Автор: Kenneth Parker Rodbell,Sampath Purushothaman,Robert Rosenberg,Satyanarayana V. Nitta,Timothy Joseph Dalton,Jeffrey Curtis Hedrick,Stephen Edward Greco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-14.