Method of forming contact hole of semiconductor device using spacer made of undoped polysilicon layer .

Method of forming contact hole of semiconductor device using spacer made of undoped polysilicon layer

Номер патента: KR100436063B1
Опубликовано: 16-07-2004
Автор(ы): 인성욱
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming air-gap on the metal interconnect of semiconductor

Номер патента: KR101402962B1. Автор: 이홍기,이민형,이호년,허진영. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2014-06-03.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09515021B1. Автор: Hung-Lung Hu,Yu-Chih Chen,Chia-Ching Tsai,Szu-Hung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of fabricating three-dimensional gate-all-around vertical gate structures and semiconductor devices, and three-dimensional gate-all-round vertical gate structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US09466610B1. Автор: Ta-Hone Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Contact hole formation methods

Номер патента: US09455177B1. Автор: Phillip D. Hustad,Jong Keun Park. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Method of forming an interconnect structure for a semiconductor device

Номер патента: US09997404B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming key patterns and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09704721B2. Автор: Ja-Min Koo,Heeju Shin,Jonghwa Baek,Boo-Hyun Ham,Rankyung Jung,Hyunchang LEE,Yongkug Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of making a semiconductor device using a barrier and antireflective coating (BARC) layer

Номер патента: US09589798B2. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming an interconnect structure for a semiconductor device

Номер патента: US09431297B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US20200111791A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110294297A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Production method of semiconductor device

Номер патента: US20020127880A1. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Masaki Saito,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Method of semiconductor manufacture utilizing layer arrangement to improve autofocus

Номер патента: US09502282B2. Автор: Masahiro Tadokoro,Takuya Hagiwara,Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of forming electronic devices including filling porous features with a polymer

Номер патента: US09508549B2. Автор: Phillip D. Hustad,James W. Thackeray,Mingqi Li,Peter Trefonas, III,Cheng-Bai Xu,Emad Aqad,Jong Keun Park. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US7998876B2. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US20100248483A1. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230146858A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Hagiwara,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of controlling contact hole profile for metal fill-in

Номер патента: US09425086B2. Автор: Hsu-Sheng Yu,Hong-Ji Lee,Kuo-Feng Lo,Fang-Hao Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of forming bit line contact holes in a semiconductor device with reduced photolithography process

Номер патента: KR100341663B1. Автор: 하대원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-24.

Method of forming a borderess contact hole

Номер патента: KR100904612B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of forming a borderess contact hole

Номер патента: KR20040037875A. Автор: 류상욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-08.

Method for forming contact hole buried metal wiring in semiconductor device

Номер патента: KR970053577A. Автор: 조경수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Method of forming organic spacers and using organic spacers to form semiconductor device features

Номер патента: US20040058518A1. Автор: Lawrence Clevenger,Sunfei Fang. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL GATE-ALL-AROUND VERTICAL GATE STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES, AND THREE-DIMENSIONAL GATE-ALL-AROUND VERTICAL GATE STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES THEREOF

Номер патента: US20160284725A1. Автор: Yang Ta-Hone. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Methods of the etching to enhance the conductivity of copper line in semiconductor devices

Номер патента: KR100850087B1. Автор: 주상민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-08-04.

Methods of the etching to enhance the conductivity of copper line in semiconductor devices

Номер патента: KR20080060901A. Автор: 주상민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-07-02.

Methods of forming semiconductor devices including contact holes

Номер патента: US09721808B2. Автор: DAE-YONG KANG,Eunsung KIM,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040192035A1. Автор: Hiroshi Oshita,Takashi Watadani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Methods of forming contact holes using pillar masks and mask bridges

Номер патента: US09875932B2. Автор: Nam-Gun Kim,Chan-Mi Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US20030186173A1. Автор: Akira Takahashi,Motoki Kobayashi,Jun Kanamori,Kousuke Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080102575A1. Автор: Soo Jin Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818638B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09659811B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of producing active matrix substrate

Номер патента: US20080026573A1. Автор: Satoshi Doi,Kiyoshi Yanase. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20180308956A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US9899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method which can form contact holes in wafer of semiconductor

Номер патента: US20130316470A1. Автор: Jun Zhou. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Method of Forming Ion Implantation Region in Separation Pattern of Semiconductor Device

Номер патента: KR100928097B1. Автор: 탁기덕. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2009-11-24.

Manufacturing method of semiconductor device, reticle correcting method, and reticle pattern data correcting method

Номер патента: US20070218673A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device and method of forming sacrificial protective layer to protect semiconductor die edge during singulation

Номер патента: US09558958B2. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US09779941B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of removing resistive remnants from contact holes using silicidation

Номер патента: US20050009328A1. Автор: Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Hee-sook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Methods of forming a hard mask layer and of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US9941135B2. Автор: Dohyung Kim,Jaihyung Won,Sejun Park,Sangho Roh,Eunsol Shin,Seung Moo Lee,Gyuwan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Isolation structure of semiconductor device

Номер патента: US09786543B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Shu-Han Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods of forming III-V semiconductor structures using multiple substrates, and semiconductor devices fabricated using such methods

Номер патента: US09716164B2. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of forming patterns, patterns formed according to the method, and semiconductor device including the patterns

Номер патента: US20180204730A1. Автор: Junyoung JANG,Jinwoo SEO,Jin-Hee Bae,Huichan Yun,Taeksoo Kwak,Kunbae Noh. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Methods of forming spacer patterns using assist layer for high density semiconductor devices

Номер патента: WO2008089153A3. Автор: Tuan Duc Pham,James Kai,Takashi Orimoto,Masaaki Higashitani,George Metamis. Владелец: George Metamis. Дата публикации: 2008-09-12.

Method of manufacturing an ultra narrow contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100273140B1. Автор: 이화성,안병태,백종태. Владелец: 정선종. Дата публикации: 2001-01-15.

METHODS OF FORMING A HARD MASK LAYER AND OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160099155A1. Автор: KIM Dohyung,PARK Sejun,CHOI Gyuwan,WON Jaihyung,ROH SANGHO,SHIN EUNSOL,LEE SEUNG MOO. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11776881B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Hsu-Lun Liu,Chen-En Yen,Cheng-Lung Yang,Kuanchih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming a metal line using damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100328449B1. Автор: 김용수,정철모. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-16.

A method of preventing the increase in contact hole width during contact making

Номер патента: DE112004002156T5. Автор: Dawn. M. San Jose Hopper,Hiroyuki Sunnyvale Kinoshita,Christy Cupertino Woo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of manufacturing SEMICONDUCTOR TRANSISTORS WITH CONTACT HOLES CLOSE TO GATES

Номер патента: EP1952433B1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,William Robert Tonti,Steven John Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Method of forming a compact multi-level interconnection metallurgy system for semiconductor devices

Номер патента: CA1089112A. Автор: Janos Havas,Eugene E. Cass,William A. Enichen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-11-04.

Methods of manufacturing stress buffer structures in a mounting structure of a semiconductor device

Номер патента: US20130109169A1. Автор: Shin-puu Jeng,Tzu-Yu Wang,Tzu-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Method of filling a trench formed in a semiconductor substrate

Номер патента: US20240096620A1. Автор: Bilel SAIDI. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming metal carbide barrier layers for fluorocarbon films

Номер патента: WO2013043512A1. Автор: Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron America, Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Correction method of photomask pattern

Номер патента: US20200218144A1. Автор: Byung-In Kwon,Siwon YANG,Jiyong YOO. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor devices including device isolation structures and method of forming the same

Номер патента: US20150001609A1. Автор: Daewoong Kim,HongSuk Kim,Junkyu Yang,Tae-Jong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-01.

METHOD OF MANUFACTURING OF A SIDEWALL OPENING OF AN INTERCONNECT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170200645A1. Автор: Barth Hans-Joachim. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Technique for forming contacts for buried doped regions in a semiconductor device

Номер патента: US20040152324A1. Автор: Manfred Horstmann,Ralf Bentum. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Technique for forming contacts for buried doped regions in a semiconductor device

Номер патента: US7064074B2. Автор: Manfred Horstmann,Ralf van Bentum. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-06-20.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device and method of forming athin wafer without a carrier

Номер патента: SG183779A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and method of forming a thin wafer without a carrier

Номер патента: US09842775B2. Автор: Pandi C. Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of forming a thin wafer without a carrier

Номер патента: US09443762B2. Автор: Pandi C. Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of forming fine island patterns of semiconductor devices

Номер патента: US20190074182A1. Автор: Shing-Yih Shih,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09472467B2. Автор: Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for planarization of a semiconductor device prior to metallization

Номер патента: US4966865A. Автор: Jeffrey E. Brighton,Michael T. Welch,Ronald E. McMann,Manuel L. Torreno, Jr.,Evaristo Garcia, Jr.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-10-30.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of making metal interconnections

Номер патента: RU2767154C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2022-03-16.

Method of repairing short circuit defect, and display apparatus and organic light emitting display apparatus manufactured according to the repairing method

Номер патента: US20130328020A1. Автор: Sun Park,Yul-Kyu Lee,Kyu-Sik Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Method of using process-parameter prognostic system for predicting shape of semiconductor structure

Номер патента: US20110320027A1. Автор: Yong-Jin Kim,Kye-Hyun Baek,Yoon-Jae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Systems and methods of masking during high-energy implantation when fabricating wide band gap semiconductor devices

Номер патента: US20200105879A1. Автор: Reza Ghandi,Christopher Bauer,Shaoxin Lu,William Gregg Hawkins. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-04-02.

Low dielectric constant insulating film resin composition, method of forming low dielectric constant insulating film, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20010036689A1. Автор: Masakazu Muroyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

METHOD OF FORMING A PATTERN USED FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2499726A1. Автор: Yoshihiko Mizushima,Akira Yoshikawa,Akitsu Takeda,Osamu Ochi,Tomoko Hisaki. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1982-08-13.

Method for forming contact hole and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2013005279A1. Автор: 秦　拓也. Владелец: パイオニア株式会社. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of forming patterns, patterns formed according to the method, and semiconductor device including the patterns

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US11908930B2. Автор: Shiang Yang Ong,Namchil MUN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Methods of forming iii-v semiconductor structures using multiple substrates, and semiconductor devices fabricated using such methods

Номер патента: US20150255591A1. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-09-10.

Positive photosensitive resin composition for spray coating, method of forming cured film using the same, cured film and semiconductor device

Номер патента: JPWO2009014113A1. Автор: 敏夫番場,番場　敏夫,秀樹折原. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of forming a gate insulator in group III-V nitride semiconductor devices

Номер патента: US7977254B2. Автор: Jing-Yi Lin,Han-Ming Wu,Lung-Han Peng. Владелец: Tekcore Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-12.

Method of reducing defects in anti-reflective coatings and semiconductor structures fabricated thereby

Номер патента: US6225671B1. Автор: Zhiping Yin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-01.

Method of making a graded grown, high quality oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US6541394B1. Автор: Sailesh Mansinh Merchant,Pradip Kumar Roy,Yuanning Chen. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2003-04-01.

Method of making a graded grown, high quality oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: GB2347265B. Автор: Sailesh Mansinh Merchant,Pradip Kumar Roy,Yuanning Chen. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-03-13.

Method for manufacturing semiconductor device, epitaxial substrate for use therein and semi-finished semiconductor device

Номер патента: US20130313686A1. Автор: Ray-Hua Horng,Ming-Chun Tseng,Fan-Lei Wu. Владелец: National Chung Hsing University. Дата публикации: 2013-11-28.

Method for fabricating storage electrode of semiconductor device

Номер патента: US7220641B2. Автор: Ki Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-22.

Methods of forming spacer patterns using assist layer for high density semiconductor devices

Номер патента: TW200837898A. Автор: Tuan Duc Pham,James Kai,Takashi Orimoto,Masaaki Higashitani,George Matamis. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-09-16.

Methods of forming contact feature

Номер патента: US09620628B1. Автор: Hui-Chi Huang,Yung-Cheng Lu,Gin-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method to form contacts with multiple depth by enhanced CESL

Номер патента: US12131946B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xian Zhang,Zhaosheng Meng. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of fabricating thin film transistor using metal induced lateral crystallization by etch-stopper layer patterns

Номер патента: US20060003504A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Resistor and resistor-transistor-logic circuit with GaN structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12119342B2. Автор: Yi-Chun Chen,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Te-Wei Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of forming a high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20110006375A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

Silicon precursor, method of forming a layer using the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09899392B2. Автор: Younjoung CHO,Xiaobing Zhou,Michael David Telgenhoff,JunHyun Cho,Kyunghye Jung. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning and islands

Номер патента: US09865473B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having a contact struture using aluminum

Номер патента: US20020014696A1. Автор: Michio Asahina,Junichi Takeuchi,Kazuki Matsumoto,Naohiro Moriya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Manufacturing method of display device

Номер патента: US09508761B2. Автор: Noriyoshi Kanda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Stacked semiconductor apparatus, system and method of fabrication

Номер патента: US09754921B2. Автор: Yun-sang Lee,Young-don Choi,Kang-Wook Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Electronic component of integrated circuitry and a method of forming a conductive via to a region of semiconductor material

Номер патента: US09754889B2. Автор: Haitao Liu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Isolation bonding film for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US12087732B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Ming-Tsu Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Test system and method of reducing damage in seed layers in metallization systems of semiconductor devices

Номер патента: US20100244028A1. Автор: Frank Feustel,Frank Koschinsky,Tobias Letz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Manufacturing method of display device

Номер патента: US20150221684A1. Автор: Noriyoshi Kanda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Correction method of photomask pattern

Номер патента: US11340523B2. Автор: Byung-In Kwon,Siwon YANG,Jiyong YOO. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20190371741A1. Автор: Chin-Yu Ku,Te-Hsun Pang,Rung-De Wang,Chen-Hsun Liu,Po-Chang Lin,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Methods of performing concurrent fin and gate cut etch processes for FinFET semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09761495B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating semiconductor device having step of forming play in contact hole

Номер патента: KR0139072B1. Автор: 히데유끼 쇼지. Владелец: 가네꼬 쇼시. Дата публикации: 1998-06-01.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: US20240203882A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of forming metal layer used in the fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090098733A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Hyun-Young Kim,Kwang-jin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-16.

Method and system for providing a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US6764929B1. Автор: Mark Chang,Chi Chang,Angela Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Semiconductor device, integrated fan-out package and method of forming the same

Номер патента: US20200020627A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Wei-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Electronic Component Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming A Conductive Via To A Region Of Semiconductor Material

Номер патента: US20170179031A1. Автор: Liu Haitao,Pandey Deepak Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Electronic Component Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming A Conductive Via To A Region Of Semiconductor Material

Номер патента: US20170358532A1. Автор: Liu Haitao,Pandey Deepak Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Isolation Bonding Film for Semiconductor Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230343747A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Ming-Tsu Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of forming wire in dielectric layer,metallization layer of a semiconductor device,and integrated circuit thereof

Номер патента: TWI556297B. Автор: 柳惠宰,泰亞斯威英道,拉馬南契必安,詹姆斯克拉克. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing supporting structures for stack capacitor in semiconductor device

Номер патента: US20100233881A1. Автор: Chung-Chiang Min,Chang-Yao Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing a contact structure of an interconnection layer for a semiconductor device and a multilayer interconnection SRAM

Номер патента: US5654239A. Автор: Osamu Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-08-05.

METHODS OF PERFORMING CONCURRENT FIN AND GATE CUT ETCH PROCESSES FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20170243790A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu,Labelle Catherine B.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Methods of manufacturing stress buffer structures in a mounting structure of a semiconductor device

Low-temperature method of depositing ruthenium metal layer on substrate, computer readable medium and semiconductor device

Номер патента: KR101351711B1. Автор: 켄지 스즈키. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-01-14.

Methods of forming titanium-aluminum layers for gate electrodes and related semiconductor devices

Номер патента: US20160133470A1. Автор: David J. Williams,Jun-Han Kim,Clint E. BORDELON,Sergei DRIZLlKH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Polishing head, CMP apparatus including a polishing head, and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device using a CMP apparatus

Номер патента: US10300577B2. Автор: Sukehiro Yamamoto. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Dual-semiconductor complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US09627266B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Yanning Sun,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of forming capacitor of semiconductor device by successively forming a dielectric layer and a plate electrode in a single processing chamber

Номер патента: US20060234500A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of electrically contacting to conductive plugs, methods of forming contact openings, and methods of forming dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20010012657A1. Автор: Martin Roberts,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020076938A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020066920A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of forming a self-aligned contact opening

Номер патента: US20010029097A1. Автор: Kei-Yu Ko,Dave Pecora. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Capacitor constructions comprising a nitrogen-containing layer over a rugged polysilicon layer

Номер патента: US20030203581A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Fin isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US20190096769A1. Автор: Yen-Ming Chen,Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Wet processing apparatus, wet processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040262265A1. Автор: Kazunori Nemoto,Norio Suzuki,Michimasa Funabashi,Hiroyuki Mima,Masakatsu Kuwabara. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of processing workpiece

Номер патента: US12076879B2. Автор: Atsushi Kubo,Yoshimasa Kojima. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a field plate

Номер патента: US20240006529A1. Автор: Guowei Zhang,JERRY JOSEPH James,Handoko Linewih,Surya Kris AMETHYSTNA. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of forming a junction for high voltage device in a semiconductor device

Номер патента: KR100739945B1. Автор: 곽노열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-16.

Method of forming an insulating layer in a trench isolation type semiconductor device

Номер патента: US20020123206A1. Автор: Moon-han Park,Hong-Gun Kim,Ju-seon Goo,Eun-Kee Hong,Soo-jin Hong,Jin-Hwa Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of Protecting STI Structures From Erosion During Processing Operations

Номер патента: US20120302037A1. Автор: Stephan Kronholz,Hans-Juergen Thees,Joerg Radecker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for forming contact hole of semiconductor device

Номер патента: US5714038A. Автор: Byeung-Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-03.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning

Номер патента: US09748251B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230361165A1. Автор: Liuyang ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Production of semiconductor material and devices using oblique angle etched templates

Номер патента: EP2136390A3. Автор: Wang Nang Wang. Владелец: Nanogan Ltd. Дата публикации: 2010-12-29.

Organic silica-based film, method of forming the same, composition for forming insulating film for semiconductor device, interconnect structure, and semiconductor device

Номер патента: US20080246153A1. Автор: Atsushi Shiota,Hiromi Egawa,Terukazu Kokubo,Hajime Tsuchiya. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Methods of forming a patterned, silicon-enriched developable antireflective material and semiconductor device structures including the same

Номер патента: WO2012094183A2. Автор: Dan B. Millward,Kaveri Jain,Jianming Zhou,Anton J. deVilliers,Yuan He,Scott Light,Lijing Gou,Zishu Zhang,Michael Hyatt. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

Method of preventing deterioration of film quality of transparent conductive film a semiconductor device

Номер патента: US5900646A. Автор: Yutaka Takizawa,Ken-ichi Yanai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-05-04.

Method of making polysilicon/tungsten silicide multilayer composite on an integrated circuit structure

Номер патента: US5940733A. Автор: Israel Beinglass,Ramanujapuram A. Srinivas. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Memory devices, semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20190267323A1. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a dynamic random access memory cell

Номер патента: US20010008785A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Method of removing a photoresist pattern, method of forming a dual polysilicon layer using the removing method and method of manufacturing a semiconductor device using the removing

Номер патента: US20070298596A1. Автор: Keum-Joo Lee,Kyoung-Chul Kim,Byoung-Yong Gwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor device and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09966308B2. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Baozhen Li,II John E. Sheets,Junli Wang,Kirk David Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuits and methods of forming the same with metal layer connection to through-semiconductor via

Номер патента: US09761481B2. Автор: Chun Yu Wong,Sarasvathi Thangaraju,Percival Rayo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040053482A1. Автор: Akira Matsumura,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US6815318B2. Автор: Akira Matsumura,Eiji Hasunuma. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of forming contact holes

Номер патента: US8883630B2. Автор: Yong Jae Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor device and method of forming ultra high density embedded semiconductor die package

Номер патента: US09627338B2. Автор: See Chian Lim,Teck Tiong Tan,Yung Kuan Hsiao,Ching Meng Fang,Yoke Hor Phua,Bartholomew Liao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Conductive spacers for semiconductor devices and methods of forming

Номер патента: US20080272398A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Viraj Y. Sardesai,Gregory Costrini,Leland Chang,Gary Bela Bronner,Ramachandra Divakaruni,Haizhou Yin,David Michael Fried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Methods of forming contacts,methods of contacting lines,methods of operating integrated circuitry , and integrated circuits

Номер патента: US20020016053A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Robert Kerr,Luan C. Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Interconnection Wires of Semiconductor Devices

Номер патента: US20140315382A1. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Huan Lee,Sunil Kumar Singh,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Method of forming contacts, methods of contacting lines, methods of operating integrated circuitry, and integrated circuits

Номер патента: US20030075810A1. Автор: Robert Kerr,Tyler Lowrey,Luan Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421A2. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Anne Reed. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2003-10-15.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421B1. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Ann Kelleher. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2009-11-25.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Hybrid fin structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12148672B2. Автор: Shu Ling LIAO,Yu-Chang Lin,Yen-Chun Huang,Fang-Yi LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US20010010969A1. Автор: Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US20020013047A1. Автор: Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: WO2000014792A1. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2000-03-16.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US6753241B2. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-22.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections

Номер патента: US6468883B2. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-22.

Method of forming semiconductor device using titanium-containing layer and device formed

Номер патента: US20180166287A1. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Keng-Chuan Chang,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias with Trench in Saw Street

Номер патента: US20140217609A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of forming contact metal

Номер патента: US09711402B1. Автор: Yu-Kai Chen,Chun-Hsien Huang,Wei-Jung Lin,Hong-Mao Lee,Hsien-Lung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for designing layout of semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09698056B2. Автор: Jin Tae Kim,Jae-Woo Seo,Ha-young Kim,Dong-yeon HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of forming conductive vias with trench in saw street

Номер патента: US09601369B2. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Method of forming semiconductor device using titanium-containing layer and device formed

Номер патента: US20190148152A1. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Keng-Chuan Chang,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of forming semiconductor device using titanium-containing layer and device formed

Номер патента: US10658186B2. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Keng-Chuan Chang,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Method of manufacturing stable, low resistance contacts in integrated semiconductor circuits

Номер патента: US4562640A. Автор: Dietrich Widmann,Reiner Sigusch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-01-07.

Methods of forming metal interconnections including thermally treated barrier layers

Номер патента: US6077772A. Автор: Sung-Tae Kim,In-Seon Park,Won-Goo Hur,Du-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Method for making a sub 100 nanometer semiconductor device using conventional lithography steps

Номер патента: US20030022517A1. Автор: Alan Myers,Ebrahim Andideh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Method of forming contact holes

Номер патента: US5320932A. Автор: Hiroshi Haraguchi,Yasuhisa Yoshida,Hitoshi Tsuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-06-14.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Method of forming contact

Номер патента: US20030235978A1. Автор: Yao-Ting Shao,Ishibashi Shigeru. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Method of degassing

Номер патента: US09728432B2. Автор: Stephen R Burgess,Anthony Paul Wilby. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing epitaxiable heat-dissipating substrate

Номер патента: US09978590B1. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan,Hsin-Chieh Yu. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2018-05-22.

Backside power rail structure and methods of forming same

Номер патента: US11842965B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Backside power rail structure and methods of forming same

Номер патента: US20240063125A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

SYSTEMS AND METHODS OF MASKING DURING HIGH-ENERGY IMPLANTATION WHEN FABRICATING WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200105879A1. Автор: Hawkins William Gregg,Bauer Christopher,Ghandi Reza,Lu Shaoxin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Method of controlling an etching process for forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US9397013B2. Автор: Chongkwang Chang,Sungwoo Kang,Chunghowan Kim,Youngmook Oh,Seobum Lee,Gahyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of fabricating semiconductor device isolation structure

Номер патента: US09673082B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Methods of fabricating semiconductor structures or devices using layers of semiconductor material having selected or controlled lattice parameters

Номер патента: US09793360B2. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of forming alternative channel materials on a non-planar semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09627245B2. Автор: Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09646951B2. Автор: Sudhama C. Shastri,Richard D. Moyers. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070254426A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030129792A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6713325B2. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Semiconductor device isolation structures

Номер патента: US20130154052A1. Автор: Sukesh Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Isolation method of semiconductor device

Номер патента: US5141884A. Автор: Oh H. Kwon,Dong J. Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-08-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method of unit specific progressive alignment

Номер патента: US20180082911A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device and method of unit specific progressive alignment

Номер патента: WO2018053441A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2018-03-22.

Methods of forming semiconductor packages with back side metal

Номер патента: US12040310B2. Автор: Eiji KUROSE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of simultaneously siliciding a polysilicon gate and source/drain of a semiconductor device, and related device

Номер патента: US20100176462A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Joe G. Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

Method of forming polysilicon resistor during replacement metal gate process and semiconductor device having same

Номер патента: US8685827B2. Автор: Ju Youn Kim,Jedon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Method of manufacturing a solid-state device and solid-state device, particularly semiconductor device

Номер патента: WO1991009425A1. Автор: Peter Teleki. Владелец: Teleki Péter. Дата публикации: 1991-06-27.

Silicon carbide trench schottky barrier diode using polysilicon and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20200098936A1. Автор: Hyoung Woo Kim,Sang Cheol Kim,In Ho Kang,Jeong Hyun Moon,O Gyun Seok,Moon Kyong Na,Wook Bang. Владелец: Korea Electrotechnology Research Institute KERI. Дата публикации: 2020-03-26.

Silicon carbide trench schottky barrier diode using polysilicon and a method of manufacturing the same

Номер патента: US11121265B2. Автор: Hyoung Woo Kim,Sang Cheol Kim,In Ho Kang,Jeong Hyun Moon,O Gyun Seok,Moon Kyong Na,Wook Bang. Владелец: Korea Electrotechnology Research Institute KERI. Дата публикации: 2021-09-14.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Packaged Semiconductor Device Including Liquid-Cooled Lid and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240249999A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Packaged Semiconductor Device Including Liquid-Cooled Lid and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220310482A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Method of manufacturing schottky diode device

Номер патента: US20060046368A1. Автор: Yi Chung,Shih-Chi Lai,Pei-Feng Sun,Jen Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2006-03-02.

Method of fabricating a semiconductor package having mold layer with curved corner

Номер патента: US09929131B2. Автор: Hyein YOO,Yeongseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20110008932A1. Автор: Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Packaged semiconductor device including liquid-cooled lid and methods of forming the same

Номер патента: US11996351B2. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Packaged Semiconductor Device Including Liquid-Cooled Lid and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220037231A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of conditioning an etch chamber for contaminant free etching of a semiconductor device

Номер патента: EP3422391B1. Автор: Clemens Ostermaier,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-03.

POLISHING HEAD, CMP APPARATUS INCLUDING A POLISHING HEAD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING A CMP APPARATUS

Номер патента: US20180043496A1. Автор: YAMAMOTO Sukehiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Methods of forming titanium-aluminum layers for gate electrodes and related semiconductor devices

METHODS OF FORMING A REVERSED PATTERN IN A SUBSTRATE, AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20140299971A1. Автор: deVilliers Anton J.,Jain Kaveri. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor Device Having an Implanted Precipitate Region and a Method of Manufacture Therefor

Номер патента: US20080210976A1. Автор: Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Monitoring method of polishing state, monitor of polishing state, polishing apparatus, processed wafer, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: CN101791781B. Автор: 石川彰,潮嘉次郎. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-12-19.

METHOD OF CONTROLLING AN ETCHING PROCESS FOR FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160099185A1. Автор: Oh Youngmook,Chang Chongkwang,Kang SungWoo,Kim Chunghowan,Lee Seobum,Lim Gahyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Method of etching aluminum layer using hard mask and metalization method for semiconductor device

Номер патента: KR100464430B1. Автор: 손승용,강창진,이철규,남병윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-03.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09947668B2. Автор: Dongjin Lee,Jiyoung Kim,Kang-Uk Kim,Sungho Jang,Chan Min Lee,Juyeon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for improving surface of semiconductor device

Номер патента: US11749524B2. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Szu-Hua Wu,Yao-Shien Huang,Yu-Jen Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing a device with MOS transistors

Номер патента: US09876032B2. Автор: François Andrieu,Olivier Weber,Gregory Bidal,Emmanuel Josse,Jerome Mazurier,Dominique Golanski,Sonarith Chhun. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-01-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12041766B2. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming semiconductor devices including gate barrier layers

Номер патента: US12051721B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of Forming Semiconductor Devices Including Gate Barrier Layers

Номер патента: US20240355880A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12148810B2. Автор: Chi On Chui,Wei-Cheng Wang,Kuan-Ting Liu,Jo-Chun Hung,Chung-Chiang WU,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor electronic devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09978600B2. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor electronic devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09530649B2. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Gate structure for semiconductor device

Номер патента: US20240379810A1. Автор: Chi On Chui,Wei-Cheng Wang,Kuan-Ting Liu,Jo-Chun Hung,Chung-Chiang WU,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of contact formation between metal and semiconductor

Номер патента: EP3513427A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Semiconductor device, manufacturing method of the same and method of suppressing decrease of flat band voltage

Номер патента: US09548204B2. Автор: Tohru Oka,Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor devices

Номер патента: US3709726A. Автор: R Nuttall. Владелец: Ferranti PLC. Дата публикации: 1973-01-09.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20150318167A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Method of manufacturing a gate structure for a nonvolatile memory device

Номер патента: US20190244822A1. Автор: Sung Mo GU,Sung Bok Ahn. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of forming defect-free single crystal thin layer of semiconductor material

Номер патента: JPS6466929A. Автор: Pandoya Ranjiyana,Maruchinetsu Andore. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1989-03-13.

Semiconductor thin film, thin film transistor, method of manufacturing the semiconductor thin film, method of manufacturing the thin film transistor, and manufacturing device of semiconductor thin film

Номер патента: TW200814163A. Автор: TAKEGUCHI Toru,Yura Shinsuke. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-03-16.

Siloxane-based resin and method of forming an insulating film between interconnect layers of a semiconductor device using the same

Номер патента: US6908977B2. Автор: Yi Yeol Lyu,Jin Gyu Lee,Ji Hun Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-21.

Doped titanium nitride materials for dram capacitors, and related semiconductor devices, systems, and methods

Номер патента: EP3756222A1. Автор: Qian Tao,Matthew N. Rocklein,Christopher W. Petz,Sanket S. Kelkar,Paul A. Paduano,Zhe Song,Vassil Antonov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Doped titanium nitride materials for dram capacitors, and related semiconductor devices, systems, and methods

Номер патента: WO2019164655A1. Автор: Qian Tao,Matthew N. Rocklein,Christopher W. Petz,Sanket S. Kelkar,Paul A. Paduano,Zhe Song,Vassil Antonov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-29.

A method of forming a metal pattern in the manufacture of a semiconductor device

Номер патента: DE4320033B4. Автор: Hoon Hur. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Electronic device and its method of manufacture

Номер патента: US20140048806A1. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Electronic device and its method of manufacture

Номер патента: EP2691985A1. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Method of forming crystallographically stabilized ferroelectric hafnium zirconium based films for semiconductor devices

Номер патента: US20200035493A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of self-aligning a metal contact on a substrate of semiconductor material

Номер патента: FR2702306A1. Автор: Poingt Francis,Le Gouezigou Lionel,Gaumont-Goarin Elisabeth. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1994-09-09.

Method of forming crystallographically stable ferroelectric hafnium zirconium based films for semiconductor devices

Номер патента: CN112470257A. Автор: 罗伯特·D·克拉克,坎达巴拉·N·塔皮利. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Production of semiconductor material and devices using oblique angle etched templates

Номер патента: EP2136390A2. Автор: Wang Nang Wang. Владелец: Nanogan Ltd. Дата публикации: 2009-12-23.

METHOD OF MANUFACTURING IN (As) Sb SEMICONDUCTOR ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20090101888A1. Автор: Won Jun Choi,Ju-Young Lim,Jin-Dong Song,Joonyeon Chang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-04-23.

Nanowire semiconductor device having high-quality epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210226058A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-07-22.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09865774B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of cleaning silicon carbide semiconductor, silicon carbide semiconductor, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2012004270A. Автор: Hiroshi Shiomi,Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,圭司和田,透日吉,健良増田,弘塩見,Tomihito Miyazaki,富仁宮崎,Satomi Ito,里美伊藤. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of selectively forming epitaxial semiconductor layer on single crystalline semiconductor and semiconductor devices fabricated using the same

Номер патента: US7611973B2. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-03.

Semiconductor device

Номер патента: CA1204222A. Автор: Naoki Yamamoto,Nobuyoshi Kobayashi,Seiichi Iwata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-05-06.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US9515219B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of designing and structure for visual and electrical test of semiconductor devices

Номер патента: US20010005052A1. Автор: Mark Masters,Thomas Hartswick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Method and system for enhancing yield of semiconductor integrated circuit devices using systematic fault rate of hole

Номер патента: US7703055B2. Автор: Choel-hwyi Bae,Sang-Deok Kwon,Min-Geon Cho,Gwang-hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming ladder-type gate structure for four-terminal soi semiconductor device

Номер патента: US20050106796A1. Автор: Paul Hyde. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Transfer device for semiconductor light emitting device and display device of semiconductor light emitting device using same

Номер патента: US20230327047A1. Автор: Sungjin Park,Taesu Oh,Joonkwon Moon,Bongseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US5172851A. Автор: Akira Matsushita,Hidekazu Konishi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Semiconductor device having schottky junction between substrate and drain electrode

Номер патента: US09905684B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Tsunehiro Nakajima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Spacer for chips on wafer semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240055366A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20180068976A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20210057378A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20190067241A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20230275065A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: EP3913667A1. Автор: Satyamoorthi CHINNUSAMY, Kevin SIMPSON, Mark C COSTELLO. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: US09837375B2. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of forming embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09704824B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09741578B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170148981A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US20160284990A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09608201B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of forming insulating layer around semiconductor die

Номер патента: US09437552B2. Автор: Xusheng Bao,Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device with protected sidewalls and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US09806034B1. Автор: Rolf Brenner,Hans-Juergen Funke,Wolfgang Schnitt,Rudiger Weber,Frank Burmeister,Tobias Sprogies. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of forming inner spacers on a nano-sheet/wire device

Номер патента: US09799748B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Manufacturing method of semiconductor structure including planarizing a polysilicon layer over an array area and a periphery area

Номер патента: US09754788B2. Автор: Boon-Tiong Neo,Han-Chuan Fang,Ji-Gang PAN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Temporary adhesive for production of semiconductor device, and adhesive support and production method of semiconductor device using the same

Номер патента: US09505953B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods of Forming Electrical Contacts

Номер патента: US20130344691A1. Автор: Marcello Mariani,Micaela Gabriella Tomasini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Method Of Forming Split-Gate Flash Memory Cell With Spacer Defined Floating Gate And Discretely Formed Polysilicon Gates

Номер патента: US20210005724A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Melvin DIAO,Guo Yong LIU. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Methods of forming electrical contacts

Номер патента: US8846515B2. Автор: Marcello Mariani,Micaela Gabriella Tomasini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-30.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

A method of forming dual gate oxide layers of varying thickness on a single substrate

Номер патента: EP1145307A1. Автор: Jeffrey Lutze,Emmanuel de Muizon. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20180269159A1. Автор: Youngsuk Kim. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Substrate, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490132B2. Автор: Keiji Ishibashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for forming well of semiconductor device

Номер патента: US5759884A. Автор: Kang-Sik Youn. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Monolithic array of semiconductor devices, template wafer, method of manufacturing a template wafer, and method of manufacturing an array of semiconductor devices

Номер патента: WO2024062256A1. Автор: Tongtong ZHU. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor packages including through mold ball connectors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09847322B2. Автор: Jong Hoon Kim,Yeon Seung Jung,Ki Jun SUNG,Hyeong Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, and packaging techniques for impedance matching and/or low frequency terminations

Номер патента: US09484222B2. Автор: Lu Li,Lakshminarayan Viswanathan,Michael E. Watts,Mahesh K. Shah,Hussain H. Ladhani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of securing contact hole overflow margin of semiconductor device

Номер патента: KR950001895A. Автор: 최양규. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-01-04.

Semiconductor manufacturing method, semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20190296001A1. Автор: Masatoshi Fukuda,Tetsuya Kurosawa,Toshihiko Ohda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09876024B2. Автор: Yuki Yamamoto,Tomohiro Yamashita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

METHOD OF FORMING INTERLAYER DIELECTRIC FILM ABOVE METAL GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140120706A1. Автор: Chen Li,Liu Ding-I,Leu Po-Hsiung,Lin Jyh-Nan,Sun Chin-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of forming ultra fine contact hole for semiconductor device

Номер патента: KR100456312B1. Автор: 백승원,최상태. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-10.

Method for determining a centred position of a semiconductor substrate in an annealing furnace, device for the heat treatment of semiconductor substrates and method for calibrating such a device

Номер патента: SG168466A1. Автор: William Palmer,Cédric ANGELLIER. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2011-02-28.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8643088B2. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120001255A1. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor package having an encapulant comprising conductive fillers and method of manufacture

Номер патента: US20240071865A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Xinyu Bao,Lee-Chung Lu,Jyh Chwen Frank Lee,Sam Vaziri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor package having an encapsulant comprising conductive fillers and method of manufacture

Номер патента: US11842946B2. Автор: Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Xinyu Bao,Lee-Chung Lu,Jyh Chwen Frank Lee,Sam Vaziri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Contact hole forming process of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JPS6196729A. Автор: Takasumi Kobayashi,小林　隆澄. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-15.

Method of forming a region of graded doping concentration in a semiconductor device and related apparatus

Номер патента: US7964485B1. Автор: William French,Erika Mazotti,Yuri Mirgorodski. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-06-21.

Method of forming polysilicon resistor during replacement metal gate process and semiconductor device having same

Номер патента: US8592281B2. Автор: Ju Youn Kim,Jedon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-26.

Semiconductor devices having dual spacers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20050087802A1. Автор: Jeong Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor device having increased reliability and method of producing the same and semiconductor chip suitable for such a semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US6507092B1. Автор: Norio Fukasawa,Toshimi Kawahara,Takashi Hozumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-14.

METHODS OF MODIFYING SURFACES OF STRUCTURES USED IN THE MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE VIA FLUORINATION

Номер патента: US20170137589A1. Автор: GARZA César M.,AHN Sungil. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Manufacturing method of board temperature sensor, temperature control system, board processing device and semiconductor device

Номер патента: JP7034324B2. Автор: 等村田,正昭上野,徳信赤尾,昭典田中. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-03-11.

Resin composition for sealing a semiconductor device, device using this semiconductor device, and mounting structure of this semiconductor device

Номер патента: DE60104784T2. Автор: Tadaaki Ibaraki-shi HARADA. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of microcrystalline semiconductor film and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110263080A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240234419A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien Ning Yao,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09831326B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09496411B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device using metal oxide

Номер патента: US09515189B2. Автор: XIANYU Wenxu,Chang-youl Moon,Jeong-Yub Lee,Yong-young Park,Woo-Young YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11784051B2. Автор: Jee-Hyun Park,Young-Gwang YOON,Yun-Ik SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013363A1. Автор: Jee-Hyun Park,Young-Gwang YOON,Yun-Ik SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Methods of forming a plurality of semiconductor layers using trench arrays

Номер патента: WO2001063654A2. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2001-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543145B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Okazaki,Yuhei Sato,Junichi Koezuka,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Integrated Assemblies Which Include Carbon-Doped Oxide, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20190348419A1. Автор: Sanh D. Tang,Silvia Borsari,Sau Ha Cheung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of semiconductor arrangement formation

Номер патента: US09773889B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Wei-Chieh Chen,Shu-Han Chen,Hao-Hsiung Lin,You-Ru Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Sheet of semiconducting material, system for forming same, and method of forming same

Номер патента: WO2014058698A1. Автор: Prantik Mazumder,Samir Biswas,Glen Bennett Cook,Balram Suman,Kamal Kishore Soni,Douglass Lane Blanding. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Improved performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth

Номер патента: WO2004034437B1. Автор: Yong-Hang Zhang,Yuri Sadofyev,Shane Richard Johnson. Владелец: Univ Arizona State. Дата публикации: 2005-02-17.

Improved performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth

Номер патента: WO2004034437A3. Автор: Yong-Hang Zhang,Yuri Sadofyev,Shane Richard Johnson. Владелец: Univ Arizona State. Дата публикации: 2004-11-25.

Improved performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth

Номер патента: WO2004034437A2. Автор: Yong-Hang Zhang,Yuri Sadofyev,Shane Richard Johnson. Владелец: Arizona Board Of Regents A Body Corporate Acting On Behalf Of Arizona State University. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Coincident site lattice-matched growth of semiconductors on substrates using compliant buffer layers

Номер патента: US09425249B2. Автор: Andrew Norman. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Manufacturing method of semiconductor device with steps of heat treatment in nitrogen containing atmosphere, oxygen doping treatment and heat treatment in oxygen containing atmosphere

Номер патента: US09373707B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Methods of forming a stack of multiple deposited semiconductor layers

Номер патента: EP3649670A1. Автор: LONG Lin,Chentsau Ying,Xinhai Han,Liyan Miao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Production process standardization system of semiconductor device and method of same and storage medium storing that method

Номер патента: EP1187045A3. Автор: Nakamura Tadahiko,Kadowaki Tomohiko. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2006-05-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Method of forming silicide

Номер патента: US20010046695A1. Автор: Jae-Gyung Ahn,Key-Min Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction

Номер патента: US09390976B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes In Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20110121432A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield

Номер патента: US8264059B2. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes in Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20120292751A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch

Номер патента: US20210082866A1. Автор: Chen Yu Chen,Eugene Chen,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield

Номер патента: US09543258B2. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Dual gate of semiconductor device capable of forming a layer doped in high concentration over a recessed portion of substrate for forming dual gate with recess channel structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090121224A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Pillars in Recessed Region of Peripheral Area around the Device for Electrical Interconnection to Other Devices

Номер патента: US20120175770A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila,Linda Pei Ei Chua. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor Device and Method of Forming Protective Coating Material Over Semiconductor Wafer to Reduce Lamination Tape Residue

Номер патента: US20110266656A1. Автор: WonJun Ko,JaEun Yun,HunTeak Lee,SeungYong Chai. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect in FO-WLCSP using leadframe disposed between semiconductor die

Номер патента: US09842808B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of forming TSV semiconductor wafer with embedded semiconductor die

Номер патента: US09754858B2. Автор: Seung Uk Yoon,Yaojian Lin,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09972508B2. Автор: Kei Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of forming a wafer level package with top and bottom solder bump interconnection

Номер патента: US09589876B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: WO2016193909A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: The Silanna Group Pty Limited. Дата публикации: 2016-12-08.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US20160359094A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of Forming Contacts for Devices with Multiple Stress Liners

Номер патента: US20120299160A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper,Marco Lepper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343598A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240322016A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Ying Hsin Lu,Ying Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of forming anisotropic conductive film between semiconductor die and build-up interconnect structure

Номер патента: US09620455B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming semiconductor plates doped on one side, particularly solar semiconductor plates, and manipulation system for loading process tray with batches of semiconductor plates

Номер патента: RU2411608C1. Автор: Штефан ЙОНАС,Лутц РЕДМАНН. Владелец: Йонас Унд Редманн Аутомационстехник Гмбх. Дата публикации: 2011-02-10.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2629655C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device having semiconductor layers with different thicknesses

Номер патента: US8962418B2. Автор: Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Epitaxial structures of semiconductor devices that are independent of local pattern density

Номер патента: US20200328306A1. Автор: Jin Wallner,Judson Robert Holt,Heng Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200013870A1. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device and method of forming package-on-package structure electrically interconnected through TSV in WLCSP

Номер патента: US09922955B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09685520B1. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Hsin-Ta Hsieh,Chun-Chia Chen,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen,Chen-Chien Li,Shuo-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US09590157B2. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of forming B-stage conductive polymer over contact pads of semiconductor die in Fo-WLCSP

Номер патента: US09418941B2. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606248C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010003050A1. Автор: Sachiko Onozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor device and method of forming the same as well as data processing system including the semiconductor device

Номер патента: US20120025324A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Manufacturing method for semiconductor device having a T-type gate electrode

Номер патента: US20060009032A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20040097074A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device with low resistances and methods of forming such

Номер патента: US12094938B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Wang-Chun Huang,Yu-Xuan Huang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of making semiconductor pressure sensors

Номер патента: RU2702820C1. Автор: Сергей Павлович Малюков,Александр Михайлович Светличный,Юлия Владимировна Клунникова,Александр Викторович Саенко,Дина Алексеевна Бондарчук,Дмитрий Викторович Тимощенко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2019-10-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder

Номер патента: US20010040329A1. Автор: Johannes H. Tyveleijn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Method of forming package structure

Номер патента: US20240347506A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Ebin Liao,Yi-Hsiu Chen,Hong-Ye Shih,Jia-Ling Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US09484241B2. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09466546B2. Автор: Koichi Hatakeyama,Mitsuhisa Watanabe,Keiyo Kusanagi. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of making high density dielectric isolated gate MOS transistor

Номер патента: US4610078A. Автор: Hiroshi Nozawa,Naohiro Matsukawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-09-09.

Method of Forming Ultra Shallow Junction

Номер патента: US20140302656A1. Автор: TianJin XIAO. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Shielding elements for packages of semiconductor devices

Номер патента: US20230056509A1. Автор: Ranjan Rajoo,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09876117B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

EMI shielding method of semiconductor packages

Номер патента: US09583447B2. Автор: Hee-Dong LEE,Bok-Woo HAN. Владелец: Genesem Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of contact-barrier metallization production

Номер патента: RU2698540C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-08-28.

Method of making semiconductor structures

Номер патента: RU2738772C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-12-16.

Method of forming a submicron t-shaped gate

Номер патента: RU2724354C1. Автор: Евгений Викторович Ерофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-06-23.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor die and method of forming through organic viashaving varying width in peripheral region of the die

Номер патента: SG184758A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A Pagaila,Shuangwu Huang. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-10-30.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method of making a plurality of packaged semiconductor devices

Номер патента: US20180301353A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Jetse de Witte,Jan Gulpen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of making a plurality of packaged semiconductor devices

Номер патента: US10431476B2. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Jetse de Witte,Jan Gulpen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5977593A. Автор: Hideki Hara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer

Номер патента: US20090170252A1. Автор: Takashi Nakagawa,Toru Tatsumi,Kensuke Takahashi,Kenzo Manabe,Makiko Oshida,Nobuyuki Ikarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190219762A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20150212270A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240136348A1. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of using laser welding to ohmic contact of metallic thermal and diffusion barrier layer for foil-based metallization of solar cells

Номер патента: US09634178B1. Автор: Nils-Peter Harder,Robert Woehl,Gabriel Harley,Matthieu Moors,Taeseok Kim,Jens-Dirk MOSCHNER,Michel Arsène Olivier Ngamo Toko. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Measuring semiconductor device features using stepwise optical metrology

Номер патента: US09482519B2. Автор: Yunlin Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2737722C1. Автор: Николай Александрович Брюхно,Василий Васильевич Афанаскин,Маргарита Юрьевна Котова,Александр Евгеньевич Яценко. Владелец: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2020-12-02.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11901439B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240136428A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Method of producing optical laminate, optical laminate, polarizing plate and organic el display device

Номер патента: US09977165B2. Автор: Masaaki Suzuki,Taketo Otani,Shinpei Yoshida,Kazuhiro AMEMIYA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of incoming inspection of monocrystalline silicon wafers

Номер патента: RU2745634C1. Автор: Константин Юрьевич Фроленков,Евгений Юрьевич Орлов,Сергей Иванович Матюхин,Дмитрий Петрович Санников,Борис Михайлович Иоэль,Михаил Дмитриевич Санников. Владелец: Акционерное общество "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС", АО "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС". Дата публикации: 2021-03-29.

Method of designing arrangement of tsv in stacked semiconductor device and designing system for arrangement of tsv in stacked semiconductor device

Номер патента: US20140258949A1. Автор: Myung-Soo JANG,Jae-Rim LEE,Jong-Wha Chong,Min-Beom KIM,Wen Rui LI,Cheol-Jon JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and capacitors

Номер патента: US09899467B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Shin-puu Jeng,Ebin Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Slab laser and amplifier and method of use

Номер патента: US09525262B2. Автор: Martin A. Stuart,Stephen L. Cunningham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor element, semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20120238085A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device

Номер патента: US5545589A. Автор: Yoshihiro Bessho,Yoshihiro Tomura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-13.

Leadframes for improved moisture reliability and enhanced solderability of semiconductor devices

Номер патента: US20070120233A1. Автор: John Tellkamp. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

METHOD WHICH CAN FORM CONTACT HOLES IN WAFER OF SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20130316470A1. Автор: Zhou Jun. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

Preparation method of conjugated compound containing bis(phenylsulfonyl)benzene structure and an organic electroluminescent diode device using the conjugated compound

Номер патента: US09604941B2. Автор: Ming Liu,Yuanchun Wu,Xianjie Li,Shijian Su,Kunkun LIU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods, materials, and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: US20190067499A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Manufacturing method of low stress modified silicone epoxy resin for encapsulation of semiconductor device and resin composition for encapsulation of semiconductor device containing same

Номер патента: KR100462143B1. Автор: 이상선,김인수. Владелец: 고려화학 주식회사. Дата публикации: 2005-04-08.

Semiconductor Devices Including Ferroelectric Memory and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220036935A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor Devices Including Ferroelectric Memory and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220358983A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chenchen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20160245998A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor Devices Including Ferroelectric Memory and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230368830A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chenchen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Wafer substrate, semiconductor light emitting device and manufacturing method of semiconductor light emitting device using the wafer substrate

Номер патента: KR101382677B1. Автор: 윤호상. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2014-04-07.

Method of forming self-aligning contacting hole

Номер патента: JPS60216582A. Автор: シエン　テン　スウ. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-10-30.

Methods of forming silicon nano-crystals using plasma ion implantation and semiconductor devices using the same

Номер патента: US7449398B2. Автор: Hyunsang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-11.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and method of its manufacturing

Номер патента: RU2571175C2. Автор: Масару СЕНОО,Кёсуке МИЯГИ,Цуйоси НИСИВАКИ,Дзюн САЙТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-12-20.

Measuring semiconductor device features using stepwise optical metrology

Номер патента: US20160161248A1. Автор: Yunlin Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Hybrid semiconductor device

Номер патента: US20230369321A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Radiation detector UBM electrode structure body, radiation detector, and method of manufacturing same

Номер патента: US09823362B2. Автор: Makoto Mikami,Kouji Murakami,Toru Imori,Akira Noda,Masaomi Murakami. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of analyzing water-soluble contaminants in the cleanroom atmosphere of semiconductor devices manufacturing process and apparatus thereof

Номер патента: TW358222B. Автор: Sun-Young Lee,Dong-Soo Lee,Nam-Hee You,Jung-Sung Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-05-11.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate

Номер патента: US11888062B2. Автор: Peter Baars,Felix Holzmüller,Ruchil K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: US20230268436A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Leadframes for improved moisture reliability and enhanced solderability of semiconductor devices

Номер патента: EP1958253A2. Автор: John P. Tellkamp. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-08-20.

Leadframes for improved moisture reliability and enhanced solderability of semiconductor devices

Номер патента: WO2007065117A3. Автор: John P Tellkamp. Владелец: John P Tellkamp. Дата публикации: 2008-06-19.

Leadframes for improved moisture reliability and enhanced solderability of semiconductor devices

Номер патента: WO2007065117A2. Автор: John P. Tellkamp. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-06-07.

Methods of Forming Junction Termination Extension Edge Terminations for High Power Semiconductor Devices and Related Semiconductor Devices

Номер патента: US20150021742A1. Автор: Cheng Lin,Agarwal Anant Kumar,Pala Vipindas,Van Brunt Edward Robert. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

METHODS OF FORMING MEMORY CELLS, ARRAYS OF MAGNETIC MEMORY CELLS, AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160308118A1. Автор: Chen Wei,Kula Witold,Murthy Sunil. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Method of making 3d segmented devices for enhanced 3d circuit density

Номер патента: US20220359294A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

METHOD OF REMOVING WELDING PLOTS FROM CERAMIC SUBSTRATE AFTER REMOVAL OF SEMICONDUCTOR MICROPLATE, ABSORPTION INTO POROUS COPPER BLOCK AND APPLICATION TO RETRACTION OF MODULES

Номер патента: FR2483126A1. Автор: Bernard Pottier,Alain Jean-Louis Lecuyer,Jean-Marie Lemoine,Bernard Gabriel Le Pape. Владелец: Compagnie IBM France SAS. Дата публикации: 1981-11-27.

Method of manufacturing a bit line contact hole for a storage cell

Номер патента: EP0642159B1. Автор: Hanno Dipl.-Phys. Melzner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-02-03.

Manufacture of semiconductor material and devices using that material

Номер патента: GB9929613D0. Автор: . Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-02-09.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Capacitors

Номер патента: US20180175137A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Shin-puu Jeng,Ebin Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Support table for a lithographic apparatus, method of loading a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method

Номер патента: US11898601B2. Автор: Mark Constant Johannes Baggen,Abraham Alexander SOETHOUDT,Siegfried Alexander Tromp,Antonie Hendrik VERWEIJ,Jan Pieter VAN DE POEL. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and capacitors

Номер патента: US10727294B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Shin-puu Jeng,Ebin Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100304555A1. Автор: Akio Kaneko,Satoshi Inaba,Atsushi Yagishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8053292B2. Автор: Akio Kaneko,Satoshi Inaba,Atsushi Yagishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: US20220328628A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-10-13.

Support table for a lithographic apparatus, method of loading a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method

Номер патента: US20200141445A1. Автор: Mark Constant Johannes Baggen,Abraham Alexander SOETHOUDT,Siegfried Alexander Tromp,Antonie Hendrik VERWEIJ,Jan Pieter VAN DE POEL. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2020-05-07.

Support table for a lithographic apparatus, method of loading a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method

Номер патента: EP3210080A1. Автор: Mark Constant Johannes Baggen,Abraham Alexander SOETHOUDT,Siegfried Alexander Tromp,Antonie Hendrik VERWEIJ,Jan Pieter VAN DE POEL. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-08-30.

3d printing techniques for forming interconnects for flip-chip assemblies or tuning resonators of a semiconductor device

Номер патента: WO2023278362A3. Автор: Douglas CARLSON,Wayne Struble,Rathnait LONG. Владелец: Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of injecting an electrical signal into a charge transfer register and charge transfer devices using such a method

Номер патента: GB1516813A. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1978-07-05.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and signal transmitting/receiving method using the semiconductor device

Номер патента: US20140225221A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SIGNAL TRANSMITTING/RECEIVING METHOD USING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170256602A1. Автор: NAKASHIBA Yasutaka. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Method of arranging micro spheres with liquid, micro sphere arranging device, and semiconductor device

Номер патента: CN100341126C. Автор: 北城荣,久保雅洋,栌山一郎,二上和彦,石塚新一,南光进,安间仁志,山田敏司,片平明夫. Владелец: Japan E Co ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and signal transmitting/receiving method using the semiconductor device

Номер патента: US9685496B2. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device, card, system, and methods of initializing and checking the authenticity and the identify of the semiconductor device

Номер патента: US20050051351A1. Автор: Edwin Roks,Petra De Jongh,Robertus Wolters,Hermanus Peek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of arranging micro spheres with liquid, micro sphere arranging device, and semiconductor device

Номер патента: AU2003202505A1. Автор: Masahiro Kubo,Ichiro Hazeyama,Sakae Kitajo,Susumu Nanko,Kazuhiko Futakami,Hitoshi Anma,Shinichi Ishiduka,Akeo Katahira,Tosiji Yamada. Владелец: Japan EM Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-30.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240128366A1. Автор: Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09837496B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Satoshi Tamura,Yusuke Kinoshita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Superconducting element and method of making said element

Номер патента: RU2529446C2. Автор: Джованни ДЖУНКИ. Владелец: Эдисон С.п.А.. Дата публикации: 2014-09-27.

Manufacturing method of thermosetting type sticky crystal film, cut crystal sticky film and semiconductor device

Номер патента: TWI664263B. Автор: 宍戶雄一郎,大西謙司,三隅貞仁. Владелец: 日商日東電工股份有限公司. Дата публикации: 2019-07-01.

A heat-conducting layer, a photosensitive layer, a photosensitive composition, the manufacturing method of a heat-conducting layer, and a laminated body and a semiconductor device

Номер патента: KR102386491B1. Автор: 카즈토 시마다,코스케 야마시타. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of manufacturing circuit board

Номер патента: US5065506A. Автор: Shoji Kiribayashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-11-19.

Heterojunction semiconductor device

Номер патента: US5912480A. Автор: Masafumi Shimizu,Naoki Takahashi,Yu Zhu,Yoshiteru Ishimaru. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor device for power control

Номер патента: US20020074651A1. Автор: Koji Morita,Takayuki Murai,Takao Yoshikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Silcon carbide semiconductor device having schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US7838888B2. Автор: Takeo Yamamoto,Naohiro Suzuki,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160056245A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Satoshi Tamura,Yusuke Kinoshita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180342587A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor device and electric apparatus

Номер патента: US20190115461A1. Автор: Hiroshi Ono,Tatsuo Shimizu,Daimotsu Kato,Toshiya Yonehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Silcon carbide semiconductor device having schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080258153A1. Автор: Takeo Yamamoto,Naohiro Suzuki,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Method of forming semiconductor structures with contact holes

Номер патента: US09449822B2. Автор: Joy Cheng,Kuang-Jung Chen,Wu-Song Huang,Wai-Kin Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Multi-layer polysilicon stack for semiconductor devices

Номер патента: US12080755B2. Автор: Rui Liu,Yunlong Liu,Rui Song,Zhi Peng Feng,Manoj K Jain,Furen Lin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Capacitor having a tantalum lower electrode and method of forming the same

Номер патента: US20030006447A1. Автор: Derryl Allman. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Method of production of semiconductor device

Номер патента: US20170186874A1. Автор: Tetsuya Goto,Makoto Takeshita. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and structure of forming controllable unmerged epitaxial material

Номер патента: US09576956B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method and structure of forming controllable unmerged epitaxial material

Номер патента: US09455331B1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of forming a semiconductor device including forming a shield conductor overlying a gate conductor

Номер патента: US09780196B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Semiconductor Device and Method of Forming Bump Structure with Insulating Buffer Layer to Reduce Stress on Semiconductor Wafer

Номер патента: US20120217640A1. Автор: SungWon Cho,Joonyoung Choi,YoungJoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230197850A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Pei-Yu Wang,Cheng-Ting Chung,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

FinFET with Embedded MOS Varactor and Method of Making Same

Номер патента: US20150270368A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jaw-Juinn Horng,Po-Zeng Kang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Overlay mark forming Moire pattern, overlay measurement method using same, overlay measurement apparatus using same, and manufacturing method of semiconductor device using same

Номер патента: US12107052B2. Автор: Hyun Chul Lee,Hyun Jin Chang. Владелец: Auros Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method of forming bump structure with insulating buffer layer to reduce stress on semiconductor wafer

Номер патента: US09780063B2. Автор: SungWon Cho,Joonyoung Choi,YoungJoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device having stressor and method of forming the same

Номер патента: US09577097B2. Автор: Jaehoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Storage electrode of a capacitor and a method of forming the same

Номер патента: US20060113575A1. Автор: Jae-Young Park,Ki-Vin Im,In-sun Park,Won-Jun Jang,Yong-woo Hyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US12087837B2. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming conductive patterns and methods of manufacturing semiconductor devices using the same using an etchant composition that includes phosphoric acid, nitric acid, and an assistant oxidant

Номер патента: US09530670B2. Автор: Jung-Hun Lim,Byoung-moon Yoon,Hoon Han,Jae-Wan Park,Young-ok Kim,Jun-youl Yang,Jin-Uk Lee,Tae-Heon Kim,Young-Taek Hong,Keon-Young Kim,Sun-Joong Song. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US20240363715A1. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of forming a transistor and structure therefor

Номер патента: US09466708B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of making metal-ceramic housings of to-220, to-247, to-254 type

Номер патента: RU2740006C1. Автор: Владимир Алексеевич Сидоров,Сергей Владимирович Катаев,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-12-30.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240290886A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of producing substrate and method of producing display device

Номер патента: US20190350085A1. Автор: Mikihiro Noma. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240274473A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,Jung-Hung CHANG,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor package with a controlled impedance bus and method of forming same

Номер патента: US20040155318A1. Автор: Donald Perino,Nader Gamini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2004-08-12.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Semiconductor package with a controlled impedance bus and method of forming same

Номер патента: US20030202373A1. Автор: Donald Perino,Nader Gamini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2003-10-30.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US20040161902A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device, and method of forming same

Номер патента: US12093627B2. Автор: Chung-Hui Chen,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09577078B1. Автор: Samuel C. Pan,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH,yu-bin Zhao. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of forming perovskite-like material film

Номер патента: RU2692110C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Алексей Борисович Тарасов,Алексей Юрьевич Гришко,Яша Михайлович Финкельберг. Владелец: АО "Красноярская ГЭС". Дата публикации: 2019-06-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240014298A1. Автор: Masayuki Momose,Hiroyuki Miyashita,Kenji Kojima,Kazutoshi Sugimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20100129735A1. Автор: Jelm Franse. Владелец: Singulus Mastering BV. Дата публикации: 2010-05-27.

Method of producing semiconductor elements using a test structure

Номер патента: WO2004057672A1. Автор: Paul L. C. Simon,Aalt M. Van De Pol. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-08.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Apparatus of inspecting resistive defects of semiconductor devices and inspecting method using the same

Номер патента: US20160084901A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Mi-Ra PARK,Sang-Kil Lee,Yong-Deok Jeong,Na-Kyoung LEE,Dae-Jin SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US20230268409A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Chi On Chui,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung,Hsin-Han Tsai,Hsiang-Ju LIAO,Yi-Lun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of manufacturing a switch panel to be disposed close to a magnetic sensor

Номер патента: US20070050972A1. Автор: Hiromichi Koyama,Hideki Mitsuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-08.

Method of manufacturing a movable contact unit to be disposed close to a magnetic sensor

Номер патента: US7178223B2. Автор: Hiromichi Koyama,Hideki Mitsuoka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-20.

Method of changing direction and reduction of divergence of radiation of semiconductor vertically emitting laser

Номер патента: RU2606702C1. Автор: Дмитрий Александрович Даниленко. Владелец: Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега". Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating conducting polymer coatings on the metal oxide surface and electrolytic capacitors devices using the technique

Номер патента: KR100316085B1. Автор: 이성구,이영훈,강영구,김용철,이창진,서정국. Владелец: 삼화전기주식회사. Дата публикации: 2001-12-12.

Magnetic core for an electromagnetic induction device, an electromagnetic induction device comprising the same, and a method of manufacturing a magnetic core

Номер патента: CA3094265C. Автор: Seyed Ali Mousavi. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-03-21.

Method of securing knobs on levers

Номер патента: MY112431A. Автор: SAKAMOTO Yasuyuki,OGAYA Shigeru,Orita Tomotaka,Hanada Toshiyuki,Mizutani Masanori,Shimoyama Kazunori,Orito Fumio,Ishida Kiyonori. Владелец: Seidensha Electronics. Дата публикации: 2001-06-30.

Method of transmitting reference signal in unlicensed spectrum for LTE-LAA system and wireless device using the same

Номер патента: US09680617B2. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of selecting an external electronic device connected with an electronic device and electronic device using same

Номер патента: US09794728B2. Автор: Sungjoon WON,James POWDERLY. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of handling NFC device with non-fixed low power polling number and NFC device using the same

Номер патента: US09912567B2. Автор: Alan Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of inter-cell coordination for intelligent reflecting surface assisted wireless network and communication device using the same

Номер патента: US20230284055A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of forming an electrical metal contact and method of producing a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US11862933B2. Автор: Alexander WEIGL,Roman KOERNER. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-01-02.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US7629187B2. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US20070166961A1. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of fastening parts inside vacuum devices

Номер патента: RU2622050C2. Автор: Иван Алексеевич Свищёв,Михаил Рувимович Айнбунд,Андрей Владимирович Пашук,Елена Борисовна Андреева. Владелец: Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон". Дата публикации: 2017-06-09.

Method of inputting user input by using mobile device, and mobile device using the method

Номер патента: US09916016B2. Автор: Joon-kyu Seo,Ji-yeon Kwak,Young-Joon Choi,Yong-yeon Lee,Yeo-jun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of inputting user input by using mobile device, and mobile device using the method

Номер патента: US09507439B2. Автор: Joon-kyu Seo,Ji-yeon Kwak,Young-Joon Choi,Yong-yeon Lee,Yeo-jun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device including a level shifter and method of mitigating a delay between input and output signals

Номер патента: US12057832B2. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device including a level shifter and method of mitigating a delay between input and output signals

Номер патента: US12088295B2. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor Device Including a Level Shifter and Method of Mitigating a Delay Between Input and Output Signals

Номер патента: US20240364341A1. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device including a level shifter and method of mitigating a delay between input and output signals

Номер патента: US12143106B2. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

MEMS device and method of making a MEMS device

Номер патента: US09580299B2. Автор: Alfons Dehe,Martin Wurzer,Christian Herzum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-28.

MEMS device and method of making a MEMS device

Номер патента: US09409763B2. Автор: Alfons Dehe,Martin Wurzer,Christian Herzum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of monitoring control channel and wireless device using same

Номер патента: US09450712B2. Автор: Hak Seong Kim,Han Byul SEO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Printed circuit board and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2187715B1. Автор: Jun Ishii,Toshiki Naitou,Mitsuru Honjo. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-05-04.

Method of generating hdr image and digital image pickup device using the same

Номер патента: US20100245635A1. Автор: Chao Chun Lin. Владелец: Micro Star International Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Laminate, conductive pattern and method of forming conductive pattern, and printed circuit board, thin-layer transistor and device using the same

Номер патента: TW200831284A. Автор: Hiroshi Sato,Yasuaki Matsushita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-08-01.

Method of providing location information for mobile electronic device and mobile electrode devices using the same

Номер патента: US20150373085A1. Автор: Wen-Chien Liu,Yuan-Kang Wang,Wen-Chuan Lee,Ko-Hsin HSIANG. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Method of providing interoperatibility of different network devices capable of error handling and network device using the same

Номер патента: US8010828B2. Автор: Jun Hyeong Kim,Sang Do Park,Moon Jeong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-30.

Semiconductor Device Including a Level Shifter and Method of Mitigating a Delay Between Input and Output Signals

Номер патента: US20230387915A1. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Device Including a Level Shifter and Method of Mitigating a Delay Between Input and Output Signals

Номер патента: US20230396252A1. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor Device Including a Level Shifter and Method of Mitigating a Delay Between Input and Output Signals

Номер патента: US20230387914A1. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of determining calibration parameter for three-dimensional (3d) display device and 3d display device using the method

Номер патента: US20160150223A1. Автор: Hyoseok Hwang,Juyong Park,Dong Kyung Nam,Hyun Sung Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-26.

Method of determining calibration parameter for three-dimensional (3d) display device and 3d display device using the method

Номер патента: EP3024232A1. Автор: Hyoseok Hwang,Juyong Park,Dong Kyung Nam,Hyun Sung Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-25.

Method of determining calibration parameter for three-dimensional (3d) display device and 3d display device using the method

Номер патента: CN105635711A. Автор: 南东暻,黄孝锡,朴柱容,张现盛. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-01.

Method of fabricating a cell contact and a digit line for a semiconductor device

Номер патента: US20120329274A1. Автор: Shyam Surthi,Lars Heineck. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of controlling interaction between mobile electronic device and in-vehicle electronic system and devices using the same

Номер патента: US20130274997A1. Автор: Ho-Sung Chien. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Method of handling NFC device with non-fixed low power polling number and NFC device using the same

Номер патента: US20170085457A1. Автор: Huang Alan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

METHOD OF SHARING RADIO RESOURCES FOR LICENSED ASSISTED ACCESS IN UNLICENSED SPECTRUM AND RELATED DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20160205562A1. Автор: WEI Hung-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

METHOD OF SELECTING AN EXTERNAL ELECTRONIC DEVICE CONNECTED WITH AN ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE USING SAME

Номер патента: US20170251330A1. Автор: WON Sungjoon,POWDERLY James. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

METHOD OF TRANSMITTING REFERENCE SIGNAL IN UNLICENSED SPECTRUM FOR LTE-LAA SYSTEM AND WIRELESS DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160277165A1. Автор: WEI Hung-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

METHOD OF SELECTING AN EXTERNAL ELECTRONIC DEVICE CONNECTED WITH AN ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE USING SAME

Номер патента: US20150296322A1. Автор: WON Sungjoon,POWDERLY James. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

COMPOSITE SUBSTRATE FOR SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE, METHOD OF PRODUCING COMPOSITE SUBSTRATE FOR SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE, AND SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE USING COMPOSITE SUBSTRATE

Номер патента: US20190288661A1. Автор: Akiyama Shoji,TANNO Masayuki,SHIRAI Shozo. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of Handling Error Correcting Code in Non-volatile Memory and Non-volatile Storage Device Using the Same

Номер патента: US20150349805A1. Автор: CHANG Chia-Chen,Tsai Tzung-Shiang. Владелец: SKYMEDI CORPORATION. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of distributing encryption keys among nodes in mobile ad hoc network and network device using the same

Номер патента: EP1478156A2. Автор: Kyung-bae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-17.

Method of selecting an external electronic device connected with an electronic device and electronic device using same

Номер патента: US10278042B2. Автор: Sungjoon WON,James POWDERLY. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-30.

Frequency multiplier and method of multiplying frequency of external clock signal, data output buffer, and semiconductor device including the frequency multiplier and the data output

Номер патента: US20040061560A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Hyun-Soon Jang,Kyoung-Hwan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Methods of detecting endoscope insertion direction

Номер патента: US5036464A. Автор: Yutaka Takahashi,Duncan F. Gillies,Gul N. Khan. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

METHOD OF SEARCHING FOR FULL CHARGE CAPACITY OF STACKED RECHARGEABLE BATTERY CELLS IN RECHARGEABLE BATTERY PACK AND BATTERY MANAGEMENT SYSTEM MADE OF THE SAME

Номер патента: US20150244193A1. Автор: WANG Chuan Sheng,LIN Hsiang Min. Владелец: HYCON TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2015-08-27.

Method of filling conductive material into the through holes of printed wiring boards

Номер патента: GB2246479B. Автор: Shin Kawakami,Satoshi Haruyama,Hirotaka Okonogi. Владелец: Nippon CMK Corp. Дата публикации: 1994-01-26.

Method of filling conductive material into the through holes of printed wiring boards

Номер патента: GB9113176D0. Автор: . Владелец: Nippon CMK Corp. Дата публикации: 1991-08-07.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

A method of mapping images of human disease and of designing or selecting a medical device using a surrogate model

Номер патента: EP3104800A1. Автор: Neil W. BRESSLOFF. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2016-12-21.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile semiconductor memory and method of fabrication thereof

Номер патента: US20080048238A1. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Method of fabricating deep trench capacitor

Номер патента: US20020086481A1. Автор: Hsi-Chuan Chen,Hong-Hsiang Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Turret handlers and methods of operations thereof

Номер патента: US09594111B2. Автор: Nee Wan Khoo,Theng Chao Long. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of making multi-element photodetector crystal based on mis-structure of semiconductor compounds

Номер патента: RU2441299C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Наталья Рэмовна Вицина,Николай Борисович Кузьмин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2012-01-27.

System and method of validating multi-vendor internet-of-things (iot) devices using reinforcement learning

Номер патента: US20210256318A1. Автор: Manjunath Ramachandra Iyer,Chandrashekar Bangalore Nagaraj,Shashidhar Soppin. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of controlling servo in optical disc device and servo control device using the same

Номер патента: US20090059743A1. Автор: Soo-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of detecting data bit depth and interface device for display device using the same

Номер патента: US09361825B2. Автор: Yangseok JEONG,Yongduk Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Defect detection method of semiconductor wafer patterns

Номер патента: CA1242815A. Автор: Pak K. Leung. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1988-10-04.

Device and method of processing technogenic fibrous materials for producing fibrous fillers (versions)

Номер патента: RU2692624C1. Автор: Владимир Иванович Уральский,Владимир Семенович Севостьянов,Максим Владимирович Севостьянов,Владимир Александрович Бабуков,Вячеслав Викторович Сирота,Валентина Анатольевна Полуэктова,Игорь Геннадьевич Мартаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова". Дата публикации: 2019-06-25.

Method of combination of caterpillar wheel with distribution of loads between truck and chain, link skid and elastic links, buffering method of pre-stress and wheel axle of detachable type

Номер патента: RU2600034C2. Автор: Цзихуа СУНЬ. Владелец: Чунцин Ненгма Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2016-10-20.

Turret handlers and methods of operations thereof

Номер патента: MY178812A. Автор: Chao Long Theng,Wan Khoo Nee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-10-20.

Enriched spongecake semi-finished product and method of preparation thereof

Номер патента: RU2720253C1. Автор: Эльвира Анатольевна Пьяникова,Анна Евгеньевна Ковалева,Екатерина Игоревна Быковская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-04-28.

Method of producing wear-resistant coating for cutting tool

Номер патента: RU2697596C2. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Дамир Ильдарович Сагитов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-15.

Method of ion-implantation treatment compressor's mono-wheel blades made of titanium alloys

Номер патента: RU2682741C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Вадим Файзерахманович Насыров,Ирина Рифхатовна Галимова,Рушан Наилевич Хуснимарданов,Азамат Зиннурович Тимербаев,Наиля Фёдоровна Измайлова. Владелец: Научно-производственная Ассоциация "Технопарк авиационных технологий" (НПА "Технопарк АТ"). Дата публикации: 2019-03-21.

Air-jet detonation engine on solid fuel and method of its operation

Номер патента: RU2706870C1. Автор: Константин Алексеевич Авдеев,Сергей Михайлович Фролов,Сергей Александрович Набатников,Виктор Серафимович Аксенов,Надежда Сергеевна Шулакова,Игорь Олегович Шамшин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые физические принципы". Дата публикации: 2019-11-21.

Absorbent product and method of its production

Номер патента: RU2741541C1. Автор: Андерс СИЛЬВЕРСТРАНД,Мария СВЕДБЕРГ. Владелец: Эссити Хайджин Энд Хелт Актиеболаг. Дата публикации: 2021-01-26.

Composite membrane, method of manufacturing the same, separation membrane including the composite membrane, and water treatment device using the separation membrane

Номер патента: US09533264B2. Автор: Jung Im HAN,Sung Soo Han,Bok Soon Kwon,Hye Young Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Shaft element, method of making shaft element consisting of two different materials, as well as corresponding turbomachine

Номер патента: RU2689294C2. Автор: Торстен-Ульф Керн,Штефан БРУСК,Карстен НИПОЛЬД. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2019-05-24.

Method of analyzing electrostatic discharge network using common resistance removal, system performing the same and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240193339A1. Автор: Chanhee Jeon,Woojin SEO,Jordan Timothy Davis. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of producing a piston ring

Номер патента: RU2661352C2. Автор: Ральф ЛАММЕРС,Кристиане БАУЭР,Юрий ИВАНОВ. Владелец: Федерал-Моугал Буршайд Гмбх. Дата публикации: 2018-07-16.

Manufacturing method of photomask and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device using the photomask

Номер патента: KR970002450A. Автор: 야스히로 고이즈미,요시히코 오카모토. Владелец: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼. Дата публикации: 1997-01-24.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: US20190310284A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: EP3472628A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-04-24.

Method of manufacturing material for rotary machine component, method of manufacturing rotary machine component, material for rotary machine component, rotary machine component, and centrifugal compressor

Номер патента: US20130058773A1. Автор: YOSHIKAZU Yamada,Shugo Iwasaki,Seiichi Yarimizu,Tatsuya Osawa,Shinichiro Tokuyama. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Method of protecting a car against impact effects, particularly side impacts

Номер патента: WO2005087547A1. Автор: Jacek Jagiello,Marek Romanowski. Владелец: Marek Romanowski. Дата публикации: 2005-09-22.

Manufacturing method of nitrided steel member

Номер патента: US09988704B2. Автор: Atsushi Kobayashi,Susumu Maeda,Yuichiro Shimizu,Kiyotaka Akimoto,Masao Kanayama. Владелец: Dowa Thermotech Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Soft sculpture and method of making the same

Номер патента: US20070221064A1. Автор: Linda Egendorf. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Lanyard handle, method of and apparatus for forming same

Номер патента: US3911762A. Автор: Glenn H Mackal. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-10-14.

Method for providing graphical user interface (GUI) using divided screen and multimedia device using the same

Номер патента: US9052818B2. Автор: Soo-Hyun Lee,Eun-kyung Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-09.

System and method of simultaneous measurement of direct current and electric noise of semiconductor/metal

Номер патента: KR101948715B1. Автор: 안승언,최재완. Владелец: 한국산업기술대학교산학협력단. Дата публикации: 2019-05-30.

Method of measuring the thickness of the high resistivity layer of semiconductor wafers

Номер патента: US3501637A. Автор: Yoshio Nishi,Kenichi Goto,Toshio Abe. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1970-03-17.

Controllable preparation method of rhodium nanocubes and method for ultraviolet laser modification of semiconductor by using rhodium nanocubes

Номер патента: CN112222422A. Автор: 徐海英,姜明明,阚彩侠,缪长宗. Владелец: Nanjing Institute Of Technology. Дата публикации: 2021-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of reusing same

Номер патента: US20120014178A1. Автор: Yuji Nagashima,Hiroyuki Tanikawa,Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Fabrication method of liquid crystal display panel and seal pattern forming device using the same

Номер патента: US7342639B2. Автор: Johann Jung,Jeong-Rok Kim,Kyung-Kyu Kang,Jae-Deuk Shin,Myung-Woo Nam. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

DECORATION METHOD OF CONTAINER, DECORATION CONTAINER PRODUCED BY THE METHOD, AND MANDREL, DRUM AND DECORATION DEVICE USED FOR THE METHOD

Номер патента: JPWO2009044569A1. Автор: 大内　忠男,忠男大内. Владелец: Takeuchi Press Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Modulation method of data supply time and driving method and device of liquid crystal display device using the same

Номер патента: KR100908655B1. Автор: 함용성. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2009-07-21.

Methods of single-polypeptide sequencing and reconstruction

Номер патента: US20210148922A1. Автор: Brian Reed,Matthew Dyer. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of Manufacturing a Part of a MEMS System

Номер патента: US20130001810A1. Автор: Shintaro Asuke. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

A METHOD OF MAPPING IMAGES OF HUMAN DISEASE AND OF DESIGNING OR SELECTING A MEDICAL DEVICE USING A SURROGATE MODEL

Номер патента: US20170076014A1. Автор: Bressloff Neil W.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

COMPOSITE MEMBRANE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEPARATION MEMBRANE INCLUDING THE COMPOSITE MEMBRANE, AND WATER TREATMENT DEVICE USING THE SEPARATION MEMBRANE

Номер патента: US20140158612A1. Автор: Han Sung Soo,Kwon Bok Soon,Han Jung Im,Kong Hye Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of Dynamically Adjusting Mapping Manner in Non-Volatile Memory and Non-Volatile Storage Device Using the Same

Номер патента: US20140331024A1. Автор: Wu Yi-Cheng,Liu Yi-Chun. Владелец: SKYMEDI CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-06.

Method of packaging of mems device at the vacuum state and vacuum packaged mems device using the same

Номер патента: KR100575363B1. Автор: 이호영,성우용,김용협,김왈준,연순창. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2006-05-03.

Control method of direct injection engine, controller for implementing the control method, and control circuit device used for the controller

Номер патента: EP1965062A2. Автор: Hiroshi Fujii,Yoshihiro Sukegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-09-03.

A method of inputting information into a computer device, a sticker keyboard and a computer device using this method

Номер патента: CA2375113A1. Автор: Alexei Vladimirovich Afanasiev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-12-07.

Control Method of Direct Injection Engine, Controller for Implementing the Control method, and Control Circuit Device Used for the Controller

Номер патента: US20080208438A1. Автор: Hiroshi Fujii,Yoshihiro Sukegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

A method of inputting information into a computer device, a sticker keyboard and a computer device using this method

Номер патента: AU3199500A. Автор: Alexei Vladimirovich Afanasiev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-12-18.

Method of Accessing Data in Multi-Layer Cell Memory and Multi-Layer Cell Storage Device Using the Same

Номер патента: US20150120988A1. Автор: Liu Yi-Chun,Hung Chiun-Luen. Владелец: SKYMEDI CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-30.

Method of producing multi-layer coating for cutting tool

Номер патента: RU2639425C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Станислав Николаевич Власов,Михаил Вячеславович Полозов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-12-21.

Operating method of nonvolatile memory device having three-level nonvolatile memory cells and nonvolatile memory device using the same

Номер патента: KR101261008B1. Автор: 이광진,조우영,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-05-06.

Metallisation method of ceramics using metal-coated tape

Номер патента: RU2711239C2. Автор: Юрий Кондратьевич Непочатов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НАНОКЕРАМИКС". Дата публикации: 2020-01-15.

Method for post-weld heat treatment of welded components made of gamma prime strengthened superalloys

Номер патента: CA2852336C. Автор: Daniel Beckel,Thomas Opderbecke,Thomas Etter,Guenter Ambrosy. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2017-01-24.

Operating method of nonvolatile memory device having three-level nonvolatile memory cells and nonvolatile memory device using the same

Номер патента: KR20090017325A. Автор: 이광진,조우영,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-02-18.

Write verify method of phase change random access memory device and phase change random access memory device using the same

Номер патента: KR100809333B1. Автор: 이광진,조우영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-05.

Gray scale voltage generator, method of generating gray scale voltage and transmissive and reflective type liquid crystal display device using the same

Номер патента: TW200401254A. Автор: Park Won-Sang,Kim Jae-Chang,Sang-Il Kim,Cheol-Woo Park,Tae-hwan Kim,Young-Chol Yang,Dong-Sik Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-16.

Control method of control device conducting data input and output to storage devices, and control device used therefor

Номер патента: US6976124B2. Автор: Masaaki Kobayashi,Mikio Fukuoka,Seiki Morita,Yutaka Takata,Manabu Sakuramoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-12-13.

Method of repairing a region of a part including a threaded hole

Номер патента: US20210245279A1. Автор: Samuel PANERO,David BUFFETT,Patrick NEAL. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Method of repairing a region of a part including a threaded hole

Номер патента: CA3108968A1. Автор: Samuel PANERO,David BUFFETT,Patrick NEAL. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Method of repairing a region of a part including a threaded hole

Номер патента: US11559845B2. Автор: Samuel PANERO,David BUFFETT,Patrick NEAL. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2023-01-24.

Method of obtaining wear-resistant coating for cutting tool

Номер патента: RU2630736C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Михаил Вячеславович Полозов,Гузель Ренатовна Мидарова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-09-12.

Method of screening antiobesity agents and animal model of obesity

Номер патента: CA2518627A1. Автор: Noboru Yamaji,Toshio Suda,Kunio Yasunaga,Yuichi Oike. Владелец: Yuichi Oike. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of manufacturing a cooking utensil

Номер патента: US5257717A. Автор: Alfred Galle. Владелец: AMC International Alfa Metalcraft Corp AG. Дата публикации: 1993-11-02.

A method of manufacturing a cooking utensil

Номер патента: AU1965292A. Автор: Alfred Galle. Владелец: AMC International Alfa Metalcraft Corp AG. Дата публикации: 1993-02-04.

Method of manufacturing cooking utensil base with heat conducting plate and cap: central spot welding of components and permanent deformation of cap rim against container

Номер патента: NZ243488A. Автор: Alfred Galle. Владелец: Amc Int Alfa Metalcraft Corp. Дата публикации: 1995-04-27.

Method of making a brake disc and brake disc for disc brakes

Номер патента: WO2014097187A3. Автор: Fabiano Carminati,Giovanni Mario Tironi,Lorenzo Cavalli. Владелец: FRENI BREMBO S.P.A.. Дата публикации: 2014-08-14.

Manufacturing method of nitrided steel member

Номер патента: US20170152591A1. Автор: Atsushi Kobayashi,Susumu Maeda,Yuichiro Shimizu,Kiyotaka Akimoto,Masao Kanayama. Владелец: Dowa Thermotech Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Exterior panel for home appliance and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210016556A1. Автор: Youngwoo KIM,Hyesun Jung,Doyoun HAN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of automatic installation of rod fasteners into holes of parts

Номер патента: SU1551466A1. Автор: Анатолий Кузьмич Генералов,Галина Андреевна Ретинская. Владелец: Предприятие П/Я В-2775. Дата публикации: 1990-03-23.

Prodn. method of rings for gearwheels - entails prodn. of thin metal ring with inner or other toothing and connected to ring made of fibre cpd. material

Номер патента: DE4232316C1. Автор: Hermann Hald,Manfred Schlenger,Konstantinos Nikolopoulos,Waldo Lenz. Владелец: Deutsche Forschungs und Versuchsanstalt fuer Luft und Raumfahrt eV DFVLR. Дата публикации: 1994-03-24.

Method of manufacturing design tab end using pilot hole of tab coil

Номер патента: EP1444062A4. Автор: Do Hee Lee. Владелец: 3C TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2005-12-14.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of obtaining group of electro-technical equipment, uniform in terms of radiation resistance

Номер патента: RU2708815C1. Автор: Владимир Петрович Миронов,Александр Аркадьевич Романов,Анатолий Яковлевич Дубовик,Валерий Анастасович Метлов,Андрей Андреевич Чистилин. Владелец: Акционерное общество "Ангстрем" (АО "Ангстрем"). Дата публикации: 2019-12-11.

Method of forming fine patterns

Номер патента: US20040067452A1. Автор: Yoshiki Sugeta,Toshikazu Tachikawa,Fumitake Kaneko. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Lithographic template having a repaired gap defect method of repair and use

Номер патента: US20040023126A1. Автор: William Dauksher,David Mancini,Kevin Nordquist,Douglas Resnick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Methods and systems for managing memory blocks of semiconductor devices in embedded systems

Номер патента: US20180039716A1. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Systems and methods of characterizing semiconductor materials

Номер патента: US12085516B2. Автор: Gordon Deans,Hamidreza GHODDAMI,Johnson Kai Chi WONG. Владелец: Aurora Solar Technologies Canada Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of measuring transient thermal characteristics of semiconductor products

Номер патента: RU2639989C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-12-25.

Positioning device and method of forming contact

Номер патента: RU2732497C2. Автор: Александер ПАХЛЕР. Владелец: Шунк Транзит Системз Гмбх. Дата публикации: 2020-09-17.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Method of analyzing semiconductor devices and analysis apparatus for semiconductor devices

Номер патента: US20170262557A1. Автор: Katsuhiro Shimazu,In-Sung Hwang,Kwang-ok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of controlled influence on biological objects with electromagnetic irradiation of semiconductor injection generator (versions)

Номер патента: RU2491971C1. Автор: Андрей Николаевич Кузнецов,Владимир Дмитриевич Степаненко,Кирилл Владимирович Степаненко. Владелец: Кирилл Владимирович Степаненко. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of determining duration of plasma-chemical etching of surface of semiconductor plates for submicron technology

Номер патента: RU2535228C1. Автор: Степан Степанович Волков,Михаил Юрьевич Тимашев,Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Владимирович Гололобов,Алевтина Анатольевна Аристархова,Николай Николаевич Бисярин,Юрий Евгеньевич Дмитревский,Татьяна Ивановна Китаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-12-10.

Method of improving photostability of semiconductor quantum dots of nucleus-shell type with shell made of organic, organometallic or organosilicon compounds

Номер патента: RU2505886C2. Автор: Сергей Александрович Кузнецов,Александр Павлович Харитонов,Дмитрий Сергеевич Чудаков. Владелец: Дмитрий Сергеевич Чудаков. Дата публикации: 2014-01-27.

A Method of Attachment of Racking Apparatus in Bung Holes of Casks.

Номер патента: GB190706581A. Автор: Louis Vanden Brande. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-06-20.

Method of multiple hydrofracturing of formation in open hole of horizontal well

Номер патента: RU2537719C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Радик Зяузятович Зиятдинов,Рафкат Мазитович Рахманов,Фанзат Завдатович Исмагилов,Камиль Мансурович Гарифов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2015-01-10.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming epitaxial copper nanostructures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2522844C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2014-07-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabrication of solder reflow interconnections for facedown bonding of semiconductor devices

Номер патента: AU6005069A. Автор: JR. and ILAN AURIEL BLECK EDWARD FRANK DUFFEK. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1971-03-04.

Method of determination of real value of length of laser radiation wave

Номер патента: RU2083962C1. Автор: В.А. Мещеряков,Н.Я. Карасев,С.В. Капезин,С.Н. Базыкин,Н.А. Базыкина. Владелец: Пензенский государственный технический университет. Дата публикации: 1997-07-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2734094C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-10-12.

Manufacturing method of dielectric layer on the plural metal conduction wires of semiconductor wafer

Номер патента: TW425652B. Автор: Horng-Bor Lu,Ying-Tang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-03-11.

Processing method of thin plate-like article, manufacturing method of connection substrate using the processing method, manufacturing method of connection substrate and multilayer wiring board, manufacturing method of multilayer wiring board and semiconductor package substrate, manufacturing of semiconductor package substrate and semiconductor package Method and semiconductor package

Номер патента: JP4863032B2. Автор: 昭士中祖,哲也榎本,英博中村,俊博遠藤. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Method of gingival liquid recover

Номер патента: RU2342956C1. Автор: Александр Васильевич Белоусов,Светлана Владимировна Якушенко. Владелец: Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования Читинская государственная медицинская академия. Дата публикации: 2009-01-10.

Method of using a self-alignment contact hole technique to form a semiconductor structure

Номер патента: TW544863B. Автор: Wen-Shiun Lo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-01.

Method of forming barrier layer in the contact window of semiconductor wafer

Номер патента: TW369702B. Автор: Hung-Bo Lu,Jen-Tang Lin,Yu-Ru Yang. Владелец: United Microeletronics Corp. Дата публикации: 1999-09-11.

Method of producing multi-layer coating for cutting tool

Номер патента: RU2640691C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Станислав Николаевич Власов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-11.

Method of metal panels manufacturing

Номер патента: RU2555259C1. Автор: Александр Иванович Маслов,Александр Владимирович Шишурин,Артемий Владимирович Молоканов,Яков Алексеевич Соболев,Владимир Владимирович Першин. Владелец: Акционерное общество "Военно-промышленная корпорация "Научно-производственное объединение машиностроения" (АО "ВПК "НПО машиностроения"). Дата публикации: 2015-07-10.

METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND CONTACT PLUGS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120156848A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

Method of adjustment of value of charge of reverse recovery of semiconductor devices with preset accuracy

Номер патента: RU2110113C1. Автор: Е.М. Гейфман,Д.Д. Канев,В.В. Чибиркин,О.П. Ксенофонтов. Владелец: Открытое акционерное общество "Электровыпрямитель". Дата публикации: 1998-04-27.

A method of fabricating short-gate-length electrodes for integrated III-V compound semiconductor devices

Номер патента: TW200949953A. Автор: Yu-Chi Wang,Cheng-Kuo Lin,Tsung-Chi Tsai,Ming-Chang Tu,Chia-Liang Chao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

Method of reducing contact impedance of contact holes

Номер патента: TW377491B. Автор: zhen-ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-21.

Method of protecting at the base bank slopes of ditches,irrigation canals and water-courses by means of profiled panels made of polyester ar other plastocs

Номер патента: PL238779A1. Автор: Alfred Pasternak. Владелец: Krakowski Zarzad Inwestycji Ro. Дата публикации: 1984-05-07.

METHODS OF FORMING A PATTERNED, SILICON-ENRICHED DEVELOPABLE ANTIREFLECTIVE MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120177891A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

METHOD OF FORMING POLYSILICON RESISTOR DURING REPLACEMENT METAL GATE PROCESS AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SAME

Номер патента: US20130015530A1. Автор: KIM Ju Youn,Kim Jedon. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

METHOD OF FORMING POLYSILICON RESISTOR DURING REPLACEMENT METAL GATE PROCESS AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SAME

Номер патента: US20130015531A1. Автор: KIM Ju Youn,Kim Jedon. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

Method of determining pressure of maximum rate of electric erosion of semiconductor ceramic materials

Номер патента: SU1359727A1. Автор: Роберт Асгатович Якшибаев,Рафаил Фазыльянович Альмухаметов,Семен Аронович Розенберг,Минигуль Байгужовна Сагдаткиреева. Владелец: Башкирский государственный университет им.40-летия Октября. Дата публикации: 1987-12-15.

Method of measuring the modulus and phase of reflection coefficient of semiconductor and dielectric materials

Номер патента: SU748283A1. Автор: Григорий Ефимович Дунаевский,Владимир Андреевич Епишин,Виталий Давидович Бахтин,Гадий Хасьянович Ягудин. Владелец: Харьковский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.А.М.Горького. Дата публикации: 1980-07-15.

Manufacturing method of oriented nano-fiberized three-dimensional stereoscopic interdigital electrode of semiconductor gas-sensitive sensor

Номер патента: CN102269724B. Автор: 刘红忠,卢秉恒,丁玉成,郑杰,陈邦道. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2012-11-28.

Method of investigating regions of reverse conductance in a volume of semiconductor

Номер патента: SU811370A1. Автор: Евгений Михайлович Гершензон,Лев Алексеевич Орлов,Симона Леонидовна Орлова. Владелец: Московский Ордена Ленина И Орденатрудового Красного Знамени Госу-Дарственный Педагогический Институтим.B.И.Ленина. Дата публикации: 1981-03-07.

Method of inserting largeediameter pipe while expanding curved hole of small diameter

Номер патента: JPS563795A. Автор: Yasuo Sasaki,Hisashi Hasegawa,Nobuo Miyajima,Kiyokatsu Hara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1981-01-16.

Production of mask and production of semiconductor integrated circuit device using this mask

Номер патента: JPH1062963A. Автор: Masayoshi Saito,Akira Imai,政良斉藤,彰今井,Tsuneo Terasawa,Norio Hasegawa,昇雄長谷川,恒男寺澤,Hiroshi Morisawa,拓森澤. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-03-06.

Chemical-mechanical polishing device, and manufacture of semiconductor integrated circuit device using same

Номер патента: JPH1148122A. Автор: Hidefumi Ito,秀文伊藤,Takeshi Kimura,剛木村,Hiroki Nezu,Ken Okuya,謙奥谷,清彦佐藤,広樹根津,Kiyohiko Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-02-23.

Phase shift mask for transmission type exposure and production of semiconductor integrated circuit device using this shift mask

Номер патента: JPH11223930A. Автор: Takashi Nakabayashi,隆中林. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-08-17.

METHOD OF PREPARING HIGH REFRACTIVE NANOPARTICLES, NANOPARTICLES PREPARED BY THE METHOD, AND PHOTONIC CRYSTAL DEVICE USING THE NANOPARTICLES

Номер патента: US20130050809A1. Автор: Han Moon Gyu,Shim HongShik,Shin Chang Gyun,Jeon Seog-jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-02-28.

Method of manufacturing a solid-state device and solid-state device, particularly semiconductor device

Номер патента: CA2005791A1. Автор: Peter Teleki. Владелец: Peter Teleki. Дата публикации: 1991-06-18.

Method of regenerating developer carrier, regenerated developer carrier regenerated by the method, and developing device using the same

Номер патента: JP3131755B2. Автор: 健司藤島,康秀後関,美智子折原,万葉子丸山. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-02-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT, SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120012989A1. Автор: Sato Toshihiro,Dejima Hirohisa,Kawata Masakazu,Yoneyama Masahiro,Takahashi Toyosei,Shiraishi Fumihiro. Владелец: SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2012-01-19.

SPACER FORMATION FILM, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT, SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120168970A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT, SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120187553A1. Автор: . Владелец: SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of Increasing the Germanium Concentration in a Silicon-Germanium Layer and Semiconductor Device Comprising Same

Номер патента: US20120280289A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Javorka Peter. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

METHOD OF FABRICATING A CELL CONTACT AND A DIGIT LINE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120329274A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

METHODS OF AVOIDING SHADOWING WHEN FORMING SOURCE/DRAIN IMPLANT REGIONS ON 3D SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140113420A1. Автор: Kim Jeong Soo,Wei Yayi,Kim Seung Y.,SARGUNAS Vidmantas. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-04-24.

High-strength cold-rolled steel sheet suitable for chemical conversion and method of its production

Номер патента: RU2525013C1. Автор: Хидетака КАВАБЕ,Кунихиро СЕНДА,Такеси ЁКОТА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-08-10.

Method for application of zirconium oxide coating on surface of article made of nickel alloy

Номер патента: RU2581546C2. Автор: Сергей Георгиевич Валюхов,Владимир Викторович Черниченко,Максим Сергеевич Филатов,Олег Владимирович Стогней,Валерий Евгеньевич Бурыкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-04-20.

Method of geophysical instruments delivery into horizontal bore-hole

Номер патента: RU2029860C1. Автор: Д.А. Бернштейн,В.А. Чесноков,В.А. Рапин. Владелец: Научно-производственная фирма "Геофизика". Дата публикации: 1995-02-27.

Method of amplifying and demodulating frequency-modulated signals and device therefor

Номер патента: RU2599347C1. Автор: Владислав Викторович Кирюшкин,Александр Афанасьевич Головков,Владимир Николаевич Гаврюшин,Владимир Владимирович Хроколов. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-10-10.

Method of obtaining dibasic lead stearate, polyvinyl chloride stabiliser

Номер патента: RU2506253C1. Автор: Владимир Николаевич Куделя,Николай Стефанович Балакший,Татьяна Ивановна Боброва,Наталья Анатольевна Зарчукова,Мадина Динуевна Салакаева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ритм-Б". Дата публикации: 2014-02-10.

Method of protecting compressor blades of gas-turbine engine made of titanium alloy from abrasive dust erosion

Номер патента: RU2552202C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Анатолий Михайлович Смыслов,Юрий Михайлович Дыбленко,Марина Константиновна Смыслова,Михаил Юрьевич Дыбленко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология". Дата публикации: 2015-06-10.

Heating radiator-convector and attachment method of register tube in hole of its tubular header

Номер патента: RU2385442C2. Автор: Виталий Михайлович Табунов,Александр Германович Миллер,Александр Алексеевич Чачин,Виталий Михайлович Табунов (RU),Александр Германович Миллер (RU),Александр Алексеевич Чачин (RU). Владелец: Виталий Михайлович Табунов. Дата публикации: 2010-03-27.

Method of obtaining wear-resistant coating for cutting tool

Номер патента: RU2640693C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Михаил Вячеславович Полозов,Гузель Ренатовна Мидарова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-11.

Method of producing hydrogen-saturated metal nanoparticles and apparatus therefor

Номер патента: RU2569538C2. Автор: Георгий Айратович Шафеев,Антон Алексеевич Серков,Петр Геннадьевич Кузьмин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии". Дата публикации: 2015-11-27.

Method of measuring air humidity

Номер патента: RU2583164C1. Автор: Александр Николаевич Волков,Геннадий Иванович Фадеев,Юлия Георгиевна Лягаева,Анатолий Константинович Демин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of production string sealing

Номер патента: RU2530006C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Владимир Александрович Андреев,Альфия Камилевна Сахапова,Мунавир Хадеевич Мусабиров,Рамзис Рахимович Кадыров. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-10-10.

Method of treating pyoinflammatory diseases in horses

Номер патента: RU2450794C1. Автор: Елена Львовна Безрук. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова". Дата публикации: 2012-05-20.

Method of connecting electronic components having multiiterminal lead wire with printed circuit board and device used for same

Номер патента: JPS54131775A. Автор: Tasao Soga,Hideaki Sasaki,Riyousuke Morinari,Tomirou Yasuda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-10-13.

The preparation method of transition metal element doped ZnO nano array and comprise the semiconductor devices of this nano-array

Номер патента: CN103147130B. Автор: 张翔宇,杨美佳,朱丽萍,胡亮,李亚光,文震,许鸿斌,陈文丰,万尾甜,周梦萦. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2016-05-11.

Method of manufacturing a slope profile for improving step coverage of a semiconductor device.

Номер патента: KR950021132A. Автор: 김근영. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-26.

High-strength cold-rolled sheet steel and method of its production

Номер патента: RU2518852C1. Автор: Кохей ХАСЕГАВА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-06-10.

Method of removing broken bolts remaining in bolt holes of wooden or synthetic sleepers of railway tracks and forming new screw threading method

Номер патента: JP4099487B2. Автор: 良平物江. Владелец: 富士機材株式会社. Дата публикации: 2008-06-11.

Inspection hole cover for coke oven and method of making same

Номер патента: CA1178235A. Автор: William L. Winter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-11-20.

Mixes and mixing methods of olefine / ester co-polymers that have improved resistance to cracking by tension or fatigue in environmental conditions, products made of them, molding methods of such products

Номер патента: MXPA98008189A. Автор: Joseph O Donnell Hugh. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 1999-04-06.

Method of interference fitting of screwed bushing in hole of female component

Номер патента: SU1217617A1. Автор: Евгений Тимофеевич Василевский,Аркадий Евменович Литвиненко,Сергей Ефимович Шеметов,Виктор Иванович Рябков,Валерий Валентинович Стальцов. Владелец: Харьковский Ордена Ленина Авиационный Институт Им.Н.Е.Жуковского. Дата публикации: 1986-03-15.

Method of fixing bimetallic heat exchanging tube in hole of tube sheet

Номер патента: SU1247643A1. Автор: Виктор Геннадиевич Зайцев,Вячеслав Константинович Аничев. Владелец: Петрозаводское Машиностроительное Производственное Объединение Им.В.И.Ленина. Дата публикации: 1986-07-30.

Preparation method of carbon material with highly ordered nanometer hole of graphite hole wall structure

Номер патента: CN1275850C. Автор: 杨海峰,赵东元,张任远,屠波. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2006-09-20.

Method of control of quality of metallization of holes of printed circuit boards

Номер патента: SU1723681A1. Автор: Валерий Александрович Байдин,Евгений Аркадьевич Антоненко. Владелец: Завод Аппаратуры Дальней Связи. Дата публикации: 1992-03-30.

Method of installation of verification mandrel in horizontal holes of press assemblies

Номер патента: RU1812135C. Автор: Михаил Борисович Кивенсон,Петр Сергеевич Рыбальченко,Иван Филиппович Евсюков,Игорь Петрович Суслов. Владелец: Краматорский Научно-Исследовательский И Проектно-Технологический Институт Машиностроения. Дата публикации: 1993-04-30.

Method of manufacturing design tab end using pilot hole of tab coil

Номер патента: AU2002348678A1. Автор: Do Hee Lee. Владелец: 3C TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2003-07-24.

Three-dimensional detection method of plateau honing cross hatches in inner hole of cylinder liner

Номер патента: CN101650162A. Автор: 韦星野. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-17.

Method of and tool for making recesses in holes of arbor type pistons

Номер патента: PL304283A1. Автор: Bolesław Chmielowiec. Владелец: Wytwornia Sprzetu Komunikacyjn. Дата публикации: 1994-12-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making light-emitting element

Номер патента: RU2488917C1. Автор: Николай Геннадьевич Галкин,Дмитрий Львович Горошко,Евгений Анатольевич Чусовитин,Антон Константинович Гутаковский,Тимур Сезгирович Шамирзаев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-07-27.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making light-emitting element

Номер патента: RU2485631C1. Автор: Николай Геннадьевич Галкин,Дмитрий Львович Горошко,Евгений Анатольевич Чусовитин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-06-20.

Method of making light-emitting element

Номер патента: RU2488918C1. Автор: Николай Геннадьевич Галкин,Дмитрий Львович Горошко,Евгений Анатольевич Чусовитин,Антон Константинович Гутаковский. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-07-27.

Method of making light-emitting element

Номер патента: RU2488919C1. Автор: Николай Геннадьевич Галкин,Дмитрий Львович Горошко,Евгений Анатольевич Чусовитин,Тимур Сезгирович Шамирзаев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-07-27.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Method of forming ordered structures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2593633C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2016-08-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING CONTACT PADS ON YBA2CU3O7-x FILMS

Номер патента: RU2538932C2. Автор: Сергей Александрович Сычев,Александр Геннадьевич Петров,Денис Викторович Федосов,Геннадий Михайлович Серопян,Ирина Станиславовна Позыгун. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерные решения". Дата публикации: 2015-01-10.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.