Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of forming gate structures or semiconductor devices

Method of forming gate structures or semiconductor devices

Номер патента: TW201025430A
Опубликовано: 01-07-2010
Автор(ы): Chi-Chun Chen, Chien-Hao Chen, Donald Y Chao, Kuo-Bin Huang, Matt Yeh, Ryan Chia-Jen Chen, Shun-Wu Lin, Yi-Hsing Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Mfg
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of forming spacer patterns using assist layer for high density semiconductor devices

Номер патента: WO2008089153A3. Автор: Tuan Duc Pham,James Kai,Takashi Orimoto,Masaaki Higashitani,George Metamis. Владелец: George Metamis. Дата публикации: 2008-09-12.

Methods of forming spacer patterns using assist layer for high density semiconductor devices

Номер патента: TW200837898A. Автор: Tuan Duc Pham,James Kai,Takashi Orimoto,Masaaki Higashitani,George Matamis. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-09-16.

METHOD OF FORMING A METAL GATE STRUCTURE

Номер патента: US20160013288A1. Автор: CHEN Po-Ting,CHANG Chih-Hsien,Wu Kuan-Ting,Cheng Chi-Piao. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Methods of forming titanium-aluminum layers for gate electrodes and related semiconductor devices

Номер патента: US20160133470A1. Автор: David J. Williams,Jun-Han Kim,Clint E. BORDELON,Sergei DRIZLlKH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Methods of performing concurrent fin and gate cut etch processes for FinFET semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09761495B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220093402A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of removing step height on gate structure

Номер патента: US20230402288A1. Автор: Chung-Yi Chiu,Chun-Chi Yu,Chang-Mao Wang,Yeh-Sheng Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of forming organic spacers and using organic spacers to form semiconductor device features

Номер патента: US20040058518A1. Автор: Lawrence Clevenger,Sunfei Fang. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Method for fabricating semiconductor device including replacement process of forming at least one metal gate structure

Номер патента: US09812367B2. Автор: Jeong-Nam Han,Ju-youn Kim,Tae-Won Ha,Ji-Hwan An,Kwang-yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Gate structure with desired profile for semiconductor devices

Номер патента: US20190288084A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Jr-Jung LIN,Chi-Wei Yang,Ricky Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Gate Structure with Desired Profile for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200373401A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Jr-Jung LIN,Chi-Wei Yang,Chih Ping Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Method of forming ladder-type gate structure for four-terminal soi semiconductor device

Номер патента: US20050106796A1. Автор: Paul Hyde. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

A method of forming a metal gate structure with tuning of work function by silicon incorporation

Номер патента: KR101065045B1. Автор: 폴 알. 베세르,크리스티 우,밍 반 엔지오,제인즈 엔. 팬,진송 이인. Владелец: 글로벌파운드리즈 인크.. Дата публикации: 2011-09-19.

Methods of forming titanium-aluminum layers for gate electrodes and related semiconductor devices

Номер патента: US20160133470A1. Автор: David J. Williams,Jun-Han Kim,Clint E. BORDELON,Sergei DRIZLlKH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Forming gates with varying length using sidewall image transfer

Номер патента: US09793270B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Forming gates with varying length using sidewall image transfer

Номер патента: US20180138175A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US11923428B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Yu-Chi Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Methods of forming a masking pattern and a semiconductor device structure

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming patterns, patterns formed according to the method, and semiconductor device including the patterns

Номер патента: US20180204730A1. Автор: Junyoung JANG,Jinwoo SEO,Jin-Hee Bae,Huichan Yun,Taeksoo Kwak,Kunbae Noh. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Method of forming a salicide layer for a semiconductor device

Номер патента: US7763533B2. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of Forming a Salicide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20090221121A1. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240290869A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09478548B2. Автор: Chan-Sic Yoon,Hyeon-Ok Jung,Ki-Seok Lee,Do-Yeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of making a grooved gate structure of semiconductor device

Номер патента: US5776835A. Автор: Ching-Fa Yeh,Jwinn Lein Su. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-07-07.

METHODS OF FORMING A REPLACEMENT GATE STRUCTURE FOR A TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20210320189A1. Автор: WANG Haiting,Gu Sipeng. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-14.

Method of making a graded grown, high quality oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US6541394B1. Автор: Sailesh Mansinh Merchant,Pradip Kumar Roy,Yuanning Chen. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2003-04-01.

METHODS OF PERFORMING CONCURRENT FIN AND GATE CUT ETCH PROCESSES FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20170243790A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu,Labelle Catherine B.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Method of making a graded grown, high quality oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: GB2347265B. Автор: Sailesh Mansinh Merchant,Pradip Kumar Roy,Yuanning Chen. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-03-13.

Systems and methods of masking during high-energy implantation when fabricating wide band gap semiconductor devices

Номер патента: US20200105879A1. Автор: Reza Ghandi,Christopher Bauer,Shaoxin Lu,William Gregg Hawkins. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US20160079086A1. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US09761689B2. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905569B1. Автор: Dong-won Kim,Jae-Hwang Sim,Bong-Tae Park,Ho-Jun SEONG,Jung-Hoon Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12040412B2. Автор: Jian-Ting CHEN,Yu-Lung Wang,Yao-Ting Tsai,Yuan-Huang Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming a protection layer on a semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09634115B2. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming trenches with different depths

Номер патента: US09779984B1. Автор: Mei-Yun Wang,Chao-Hsun Wang,Hsien-Cheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Gate-All-Around Device with Protective Dielectric Layer and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240250142A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods of forming EPI semiconductor material on the source/drain regions of a FinFET device

Номер патента: US09887094B1. Автор: YI Qi,Hui Zhan,Yanping SHEN,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods of forming self-aligned contacts on FinFET devices

Номер патента: US09627274B1. Автор: Huang Liu,Xintuo Dai,Jinping Liu,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Field-effect transistor and method of making the same

Номер патента: US20170365703A1. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Shui-Yen Lu,Neng-Hui Yang,I-Cheng Hu,Yu Shu Lin,Kuan Hsuan Ku,Chun Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297225A1. Автор: SHEN Wang,Shiang-Bau Wang,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hong Pin Lin,Kung-Shu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Field-effect transistor and method of making the same

Номер патента: US09929264B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Shui-Yen Lu,Neng-Hui Yang,I-Cheng Hu,Yu Shu Lin,Kuan Hsuan Ku,Chun Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Field-effect transistor and method of making the same

Номер патента: US09716165B1. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Shui-Yen Lu,Neng-Hui Yang,I-Cheng Hu,Yu Shu Lin,Kuan Hsuan Ku,Chun Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704970B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20210134653A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Jingling Wang,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Connector formation methods and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09691723B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of forming performance optimized gate structures by silicidizing lowered source and drain regions

Номер патента: US09735058B2. Автор: Katsunori Onishi,Jian Yu,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of simultaneously siliciding a polysilicon gate and source/drain of a semiconductor device, and related device

Номер патента: US20100176462A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Joe G. Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

Methods of forming spacers adjacent gate structures of a transistor device

Номер патента: US20200027979A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Ruilong Xie,Guowei Xu,Chung Foong Tan,Scott Beasor,Tek Po Rinus Lee,Yue Zhong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of forming a gate insulator in group III-V nitride semiconductor devices

Номер патента: US7977254B2. Автор: Jing-Yi Lin,Han-Ming Wu,Lung-Han Peng. Владелец: Tekcore Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-12.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of manufacturing supporting structures for stack capacitor in semiconductor device

Номер патента: US20100233881A1. Автор: Chung-Chiang Min,Chang-Yao Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Gate Structure with Desired Profile for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200373401A1. Автор: Chen Chao-Cheng,Lin Jr-Jung,YANG Chi-Wei,Wang Chih Ping. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Methods of the etching to enhance the conductivity of copper line in semiconductor devices

Номер патента: KR100850087B1. Автор: 주상민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-08-04.

Methods of the etching to enhance the conductivity of copper line in semiconductor devices

Номер патента: KR20080060901A. Автор: 주상민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-07-02.

Method for fabricating semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US7265042B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-04.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240297237A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US09859170B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Yung-Feng Cheng,Chia-Lin Lu,Shu-Ru Wang,Chia-Wei Huang,Jia-Rong Wu,Ming-Jui Chen,Yi-Hui Lee,Wei-Cyuan Lo,Ying-Cheng Liu,Tan-Ya Yin,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of forming replacement gate structures on finfet devices and the resulting devices

Номер патента: US20160133719A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Transistor with dielectric spacers and field plate and method of fabrication therefor

Номер патента: US20230361183A1. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Transistor with dielectric spacers and field plate and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4273937A1. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for making a sub 100 nanometer semiconductor device using conventional lithography steps

Номер патента: US20030022517A1. Автор: Alan Myers,Ebrahim Andideh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Method of forming fine island patterns of semiconductor devices

Номер патента: US20190074182A1. Автор: Shing-Yih Shih,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20160099179A1. Автор: Yi-Wen Chen,Chen-Ming Huang,Shih-Fang Tzou,Po-Cheng Huang,Jian-Wei Chen,Shui-Yen Lu,Chun-Tsen Lu,Chih-Jung Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09989856B2. Автор: Sang-Jin Kim,Jung-Woo Seo,Jong-Seo Hong,Jong-Hoon NAH,Choon-Ho SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09755026B2. Автор: Weonhong Kim,Moonkyun Song,Minjoo Lee,Soojung CHOI,Dong Su Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing a solid-state device and solid-state device, particularly semiconductor device

Номер патента: WO1991009425A1. Автор: Peter Teleki. Владелец: Teleki Péter. Дата публикации: 1991-06-27.

Low dielectric constant insulating film resin composition, method of forming low dielectric constant insulating film, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20010036689A1. Автор: Masakazu Muroyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor Device Having an Implanted Precipitate Region and a Method of Manufacture Therefor

Номер патента: US20080210976A1. Автор: Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor devices including device isolation structures and method of forming the same

Номер патента: US20150001609A1. Автор: Daewoong Kim,HongSuk Kim,Junkyu Yang,Tae-Jong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-01.

Backside power rail structure and methods of forming same

Номер патента: US11842965B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Backside power rail structure and methods of forming same

Номер патента: US20240063125A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of forming patterns, patterns formed according to the method, and semiconductor device including the patterns

Номер патента: US20180204730A1. Автор: Junyoung JANG,Jinwoo SEO,Jin-Hee Bae,Huichan Yun,Taeksoo Kwak,Kunbae Noh. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Positive photosensitive resin composition for spray coating, method of forming cured film using the same, cured film and semiconductor device

Номер патента: JPWO2009014113A1. Автор: 敏夫 番場,番場　敏夫,秀樹 折原. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of reducing defects in anti-reflective coatings and semiconductor structures fabricated thereby

Номер патента: US6225671B1. Автор: Zhiping Yin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-01.

GATE STRUCTURE WITH DESIRED PROFILE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190288084A1. Автор: Chen Chao-Cheng,Lin Jr-Jung,WANG Ricky,YANG Chi-Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297254A1. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of forming key patterns and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09704721B2. Автор: Ja-Min Koo,Heeju Shin,Jonghwa Baek,Boo-Hyun Ham,Rankyung Jung,Hyunchang LEE,Yongkug Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: EP1391925B1. Автор: Daniel Yen,Ching-Thiam Chung,Chester Nieh,Wei Hua Cheng,Tong Boon Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: SG102720A1. Автор: YEN DANIEL,Chung Ching-Thiam,Hua Cheng Wei,Nieh Chester,Boon Lee Tong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-03-26.

Methods of forming semiconductor device

Номер патента: US20240274527A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing gate spacers with stepped sidewalls by removing vertical portions of a helmet layer

Номер патента: US12087841B2. Автор: Chun-Hsiung Lin,Yi-Lun Chen,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate spacer structure and method of forming same

Номер патента: US12062709B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of forming gate electrodes on a vertical transistor device

Номер патента: US09966456B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods of forming diffusion breaks on integrated circuit products comprised of finFET devices

Номер патента: US09653583B1. Автор: Min-Hwa Chi,Haiting Wang,Wei Zhao,Zhenyu Hu,Hongliang Shen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming a gate structure

Номер патента: US12027425B2. Автор: Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Hsin-Wen Su,Kian-Long Lim,Bwo-Ning Chen,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming a gate structure

Номер патента: US20240332089A1. Автор: Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Hsin-Wen Su,Kian-Long Lim,Bwo-Ning Chen,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of making a semiconductor device using a barrier and antireflective coating (BARC) layer

Номер патента: US09589798B2. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12033944B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230282579A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods of forming semiconductor devices with flowable material for better planarization method

Номер патента: US10615046B2. Автор: Kao-Tsair Tsai,Kun-Che Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12046555B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110294297A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240313066A1. Автор: Chan Hwang,Soo Kyung Kim,Jonghyun JUNG,Moosong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of forming a via contact

Номер патента: US09805971B2. Автор: HAI Cong,Rui Li,Chin Chuan Neo. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming semiconductor device including edge chip and related device

Номер патента: US09761591B2. Автор: Dong-wan Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Junghoon Han,Sohyun Park,Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming semiconductor devices including contact holes

Номер патента: US09721808B2. Автор: DAE-YONG KANG,Eunsung KIM,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

FETS and methods of forming FETS

Номер патента: US09704883B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chih-Hao Wang,Jhon Jhy Liaw,Wai-Yi Lien,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming channel of gate structure

Номер патента: US9590090B2. Автор: De-Fang Chen,Hui-Cheng Chang,Ching-Feng Fu,Chun-Hung Lee,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

SYSTEMS AND METHODS OF MASKING DURING HIGH-ENERGY IMPLANTATION WHEN FABRICATING WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200105879A1. Автор: Hawkins William Gregg,Bauer Christopher,Ghandi Reza,Lu Shaoxin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Manufacturing method of split gate structure and split gate structure

Номер патента: US20200328281A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Shih-Chi Lai,Hung-Chih Chung,Hsien-Yi Cheng. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Method Of Making Memory Cells, High Voltage Devices And Logic Devices On A Substrate With Silicide On Conductive Blocks

Номер патента: US20220052059A1. Автор: Chunming Wang,Andy Yang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09748256B2. Автор: Wang Xiang,Zhen Chen,Yi-Shan Chiu,Shen-De Wang,Wei-Chang Liu,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09620522B1. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming epitaxial silicon layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US20200144401A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Po-Jung Chiang,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Methods of forming FINFETs with locally thinned channels from fins having in-situ doped epitaxial cladding

Номер патента: US09627378B2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Takashi Ando,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of Manufacturing Transistor Gate Structures by Local Thinning of Dummy Gate Stacks Using an Etch Barrier

Номер патента: US20200075588A1. Автор: MING-CHING Chang,Syun-Ming Jang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods of Manufacturing Transistor Gate Structures by Local Thinning of Dummy Gate Stacks Using an Etch Barrier

Номер патента: US20200075586A1. Автор: MING-CHING Chang,Syun-Ming Jang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of forming epitaxial silicon layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US20190131439A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Po-Jung Chiang,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09953878B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee,Ming-Huan Tsai,Chun-Hsiang FAN,Pei-Yi Lin,Sheng-Wen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory devices and method of forming same

Номер патента: US09978759B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09564504B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09564503B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Production method of semiconductor device

Номер патента: US20020127880A1. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Masaki Saito,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and patterning method

Номер патента: US09984931B2. Автор: Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Dongwoo Han,Kwang-Yong Yang,Haegeon JUNG,KyungYub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653564B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190103489A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Multi-layer gate structure

Номер патента: US5635765A. Автор: William L. Larson. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of forming dual metal gate structures or CMOS devices

Номер патента: TW444285B. Автор: Scott R Summerfelt,Glen D Wilk. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-07-01.

METHODS OF FORMING SPACERS ADJACENT GATE STRUCTURES OF A TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20200027979A1. Автор: Tan Chung Foong,Xie Ruilong,Xu Guowei,WANG Haiting,Zang Hui,Beasor Scott,Zhong Yue,Lee Tek Po Rinus. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Method of forming a metal line using damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100328449B1. Автор: 김용수,정철모. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-16.

Method of etching aluminum layer using hard mask and metalization method for semiconductor device

Номер патента: KR100464430B1. Автор: 손승용,강창진,이철규,남병윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-03.

Methods of forming III-V semiconductor structures using multiple substrates, and semiconductor devices fabricated using such methods

Номер патента: US09716164B2. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of forming polysilicon resistor during replacement metal gate process and semiconductor device having same

Номер патента: US8685827B2. Автор: Ju Youn Kim,Jedon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Method of making less electric current dependence of electric current gain of semiconductor device

Номер патента: US20140030878A1. Автор: Yutaka Hayashi,Toshitaka Ota,Yasushi Nagamune. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-01-30.

Nanostructure field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20210202756A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Hsiu-Hao Tsao,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US12148836B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240379857A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-14.

Methods of forming transistor structures including forming channel material after formation processes to prevent damage to the channel material

Номер патента: US09570588B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09735261B2. Автор: Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Meng-Ku Chen,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of forming source/drain regions on finfet devices

Номер патента: US20170294522A1. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Shesh Mani Pandey,Muhammad Rahman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device manufacturing methods and methods of forming insulating material layers

Номер патента: US09607826B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12119394B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240371982A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including a capping layer

Номер патента: US09953924B2. Автор: Nae-in Lee,Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices including a capping layer

Номер патента: US09711453B2. Автор: Nae-in Lee,Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: EP3195349A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of forming uniform and pitch independent fin recess

Номер патента: US09875939B1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Henry K. Utomo,Reinaldo Vega,Melissa A. Smith,Benjamin Moser,Yue Ke,Sameer Jain. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252549A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12020935B2. Автор: Koichi Nishi,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252550A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of forming layout design

Номер патента: US20160078164A1. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Min-Hsiung Chiang,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Methods of forming a through-substrate-via (TSV) and a metallization layer after formation of a semiconductor device

Номер патента: US09917009B2. Автор: Daniel Smith,Maxwell Lippitt,Vimal Kumar Kamineni,Himani Suhag Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of forming layout design

Номер патента: US09899263B2. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Min-Hsiung Chiang,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Recessed gate structure, method of forming the recessed gate structure, semiconductor device having the recessed gate structure and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR100683089B1. Автор: 이은철,정태영,김용성,신수호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of conditioning an etch chamber for contaminant free etching of a semiconductor device

Номер патента: EP3422391B1. Автор: Clemens Ostermaier,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11776881B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Hsu-Lun Liu,Chen-En Yen,Cheng-Lung Yang,Kuanchih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

METHODS OF FORMING A HARD MASK LAYER AND OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160099155A1. Автор: KIM Dohyung,PARK Sejun,CHOI Gyuwan,WON Jaihyung,ROH SANGHO,SHIN EUNSOL,LEE SEUNG MOO. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Methods of forming a hard mask layer and of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US9941135B2. Автор: Dohyung Kim,Jaihyung Won,Sejun Park,Sangho Roh,Eunsol Shin,Seung Moo Lee,Gyuwan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

METHODS OF FORMING A REVERSED PATTERN IN A SUBSTRATE, AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20140299971A1. Автор: deVilliers Anton J.,Jain Kaveri. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor devices having dual spacers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20050087802A1. Автор: Jeong Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

Monitoring method of polishing state, monitor of polishing state, polishing apparatus, processed wafer, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: CN101791781B. Автор: 石川彰,潮嘉次郎. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-12-19.

METHOD OF CONTROLLING AN ETCHING PROCESS FOR FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160099185A1. Автор: Oh Youngmook,Chang Chongkwang,Kang SungWoo,Kim Chunghowan,Lee Seobum,Lim Gahyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Method of controlling an etching process for forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US9397013B2. Автор: Chongkwang Chang,Sungwoo Kang,Chunghowan Kim,Youngmook Oh,Seobum Lee,Gahyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Manufacturing Method of Semiconductor Substrate having Defect-Free Nitride Semiconductor for High Quality Semiconductor Device

Номер патента: KR101391960B1. Автор: 이원석,이동헌,장종진,남옥현,우서휘. Владелец: 한국산업기술대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-05-12.

Method of forming a compact multi-level interconnection metallurgy system for semiconductor devices

Номер патента: CA1089112A. Автор: Janos Havas,Eugene E. Cass,William A. Enichen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-11-04.

Organic silica-based film, method of forming the same, composition for forming insulating film for semiconductor device, interconnect structure, and semiconductor device

Номер патента: US20080246153A1. Автор: Atsushi Shiota,Hiromi Egawa,Terukazu Kokubo,Hajime Tsuchiya. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Methods of forming a patterned, silicon-enriched developable antireflective material and semiconductor device structures including the same

Номер патента: WO2012094183A2. Автор: Dan B. Millward,Kaveri Jain,Jianming Zhou,Anton J. deVilliers,Yuan He,Scott Light,Lijing Gou,Zishu Zhang,Michael Hyatt. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

Method of preventing deterioration of film quality of transparent conductive film a semiconductor device

Номер патента: US5900646A. Автор: Yutaka Takizawa,Ken-ichi Yanai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-05-04.

Methods of manufacturing stress buffer structures in a mounting structure of a semiconductor device

Номер патента: US20130109169A1. Автор: Shin-puu Jeng,Tzu-Yu Wang,Tzu-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240055525A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tze-Liang Lee,Chi-Hao Chang,Pei-Yu Chou,Hao-Yu Chang,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12046676B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Yi-Shan Chen,Kuan-Da Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120064709A1. Автор: Kyung-yub Jeon,Je-woo Han,Jun-ho Yoon,Kyoung-sub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240304681A1. Автор: Chia-Ming Liu,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Wrap-around gate structures and methods of forming wrap-around gate structures

Номер патента: EP3583629A1. Автор: Ravi Pramod Kumar Vedula,Stephen Alan Fanelli,Farid AZZAZY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-25.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of forming a FinFET semiconductor device with a unique gate configuration, and the resulting FinFET device

Номер патента: US09472446B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Fin field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240363353A1. Автор: Syun-Ming Jang,Ming-Hsing Tsai,Wei-Jen Lo,Chi-Yuan Chen,Chih-Wei Chang,Wei-Jung Lin,Pin-Wen Chen,Ya-Yi CHENG,Yu-Chen Ko,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Self-aligned inner spacer on gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749742B2. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Gate-All-Around Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230261114A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

FinFET device having a material formed on reduced source/drain region and method of forming the same

Номер патента: US9673325B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240313064A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect device

Номер патента: EP1759415A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Cem Basceri,Kunal R. Parekh,Montgomery H. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect device

Номер патента: WO2005122270A9. Автор: Cem Basceri,Gurtej S Sandhu,Kunal R Parekh,Montgomery H Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect devices

Номер патента: SG138602A1. Автор: Cem Basceri,Gurtej S Sandhu,Kunal R Parekh,Montgomery H Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-28.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240304620A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Jih-Jse Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Metal Gate Scheme for Device and Methods of Forming

Номер патента: US20180226485A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device with dummy pattern in high-voltage region and method of forming the same

Номер патента: US10068900B1. Автор: Chin Yang,Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Metal gate scheme for device and methods of forming

Номер патента: US09941376B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of forming a III-V compound semiconductor channel post replacement gate

Номер патента: US09735273B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of contact formation between metal and semiconductor

Номер патента: EP3513427A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

MFOS memory transistor and method of fabricating same

Номер патента: EP1246254A2. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-10-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210242309A1. Автор: Yi-Jen Chen,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240274668A1. Автор: Yi-Jen Chen,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Devices and methods of forming epi for aggressive gate pitch

Номер патента: US09685384B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Christopher Prindle,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Pietro Montanini. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Gate Structure and Patterning Method for Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20200135879A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Gate structure and patterning method for multiple threshold voltages

Номер патента: US11923430B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200227531A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Gate Structure and Patterning Method for Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20200403078A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of forming fet silicide gate structures incorporating inner spacers

Номер патента: TWI321849B. Автор: Kwong Hon Wong,Victor Ku,An Steegen,Hsing Jen C Wann. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-03-11.

Methods of forming gate structure and methods of manufacturing semiconductor device including the same

Номер патента: US8455345B2. Автор: Moon-han Park,Ha-Jin Lim,Min-Woo Song,Weon-Hong Kim,Dae-Kwon Joo,Jin-Ho Do,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-04.

Methods of Forming Gate Structure and Methods of Manufacturing Semiconductor Device Including the Same

Номер патента: US20120070975A1. Автор: Moon-han Park,Ha-Jin Lim,Min-Woo Song,Weon-Hong Kim,Dae-Kwon Joo,Jin-Ho Do,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210296439A1. Автор: Yu-Lin Yang,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US09634118B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09564368B2. Автор: Jae-Ho Park,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Seolun Yang,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods of fabricating semiconductor devices with gate-all-around structure

Номер патента: US20200135571A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of forming a semiconductor structure including two photoresist exposure processes for providing a gate cut

Номер патента: US20160260607A1. Автор: Thomas Merelle,Rèmi RIVIÈRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09755037B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yasuhiro Yoshiura,Takao KACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US20160087101A1. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Hoi-sung Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of forming a gate structure using a dual step polysilicon deposition procedure

Номер патента: US20050095766A1. Автор: Shih-l Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a contact including an alkaline earth metal on a semiconductor layer, and related devices

Номер патента: US09966449B2. Автор: Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09741855B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Hoi-sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09537009B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Hoi-sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09520497B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Hoi-sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Gate structure and method of forming the same

Номер патента: US12015070B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Li-Te Hsu,Tsung Fan Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Methods of forming semiconductor devices to include single body interconnection patterns using fine patterning techniques, and semiconductor device so formed

Номер патента: US09590034B2. Автор: Chul Lee,Seok-ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US11908920B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20210134982A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Method of Forming a Silicided Gate Utilizing a CMP Stack

Номер патента: US20080268631A1. Автор: Freidoon Mehrad,Frank Scott Johnson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Method of forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09954065B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190280106A1. Автор: Yu-Ying Lin,Zhen Wu,Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Tai-Yen Lin,Yi-Liang Ye,Sung-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of forming polysilicon resistor during replacement metal gate process and semiconductor device having same

Номер патента: US8592281B2. Автор: Ju Youn Kim,Jedon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-26.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: US20040038466A1. Автор: Wei Cheng,Daniel Yen,Ching-Thiam Chung,Chester Nieh,Tong Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: TW200403803A. Автор: Daniel Yen,Wei-Hua Cheng,Ching-Thiam Chung,Chester Nieh,Tong-Boon Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-03-01.

Gate structure and preparation method thereof, semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: CN116072527A. Автор: 沈宇桐. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-05.

Methods of selectively forming epitaxial semiconductor layer on single crystalline semiconductor and semiconductor devices fabricated using the same

Номер патента: US7611973B2. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-03.

Method of forming a reverse gate structure with a spin on glass process

Номер патента: US20020185739A1. Автор: Yi Ma,Joseph Taylor,Huili Shao,Allen Yen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Trench power semiconductor device

Номер патента: US09991378B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing power semiconductor device having split-gate structure

Номер патента: WO2022095162A1. Автор: Zhi He,Paolo ORGANTINI,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di,Alessandro MONTAGNA,Junjie AN. Владелец: Wuxi Xichanweixin Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2022-05-12.

Methods of forming semiconductor devices including gate barrier layers

Номер патента: US12051721B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of Forming Semiconductor Devices Including Gate Barrier Layers

Номер патента: US20240355880A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190140074A1. Автор: Fu-Yu Tsai,Yao-Hsien Chung,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: US20240203882A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for forming well of semiconductor device

Номер патента: US5759884A. Автор: Kang-Sik Youn. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8643088B2. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120001255A1. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a field plate

Номер патента: US20240006529A1. Автор: Guowei Zhang,JERRY JOSEPH James,Handoko Linewih,Surya Kris AMETHYSTNA. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Doped titanium nitride materials for dram capacitors, and related semiconductor devices, systems, and methods

Номер патента: EP3756222A1. Автор: Qian Tao,Matthew N. Rocklein,Christopher W. Petz,Sanket S. Kelkar,Paul A. Paduano,Zhe Song,Vassil Antonov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Doped titanium nitride materials for dram capacitors, and related semiconductor devices, systems, and methods

Номер патента: WO2019164655A1. Автор: Qian Tao,Matthew N. Rocklein,Christopher W. Petz,Sanket S. Kelkar,Paul A. Paduano,Zhe Song,Vassil Antonov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of forming a region of graded doping concentration in a semiconductor device and related apparatus

Номер патента: US7964485B1. Автор: William French,Erika Mazotti,Yuri Mirgorodski. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-06-21.

Method of forming crystallographically stabilized ferroelectric hafnium zirconium based films for semiconductor devices

Номер патента: US20200035493A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of forming crystallographically stable ferroelectric hafnium zirconium based films for semiconductor devices

Номер патента: CN112470257A. Автор: 罗伯特·D·克拉克,坎达巴拉·N·塔皮利. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Nanowire semiconductor device having high-quality epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210226058A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-07-22.

Low-temperature method of depositing ruthenium metal layer on substrate, computer readable medium and semiconductor device

Номер патента: KR101351711B1. Автор: 켄지 스즈키. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-01-14.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Nanostructure field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240321581A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Yen Ju Chen,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20230275143A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240332091A1. Автор: Huang-Lin Chao,Kenichi Sano,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE,Huiching Chang,Shao An Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming a gate contact structure for a semiconductor device

Номер патента: US09853110B2. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of forming gate

Номер патента: US20200266285A1. Автор: Chun-Chi Yu,Po-Tsang Chen,Wen-Liang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Gate structure and method of forming same

Номер патента: US20210074590A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device with low resistances and methods of forming such

Номер патента: US12094938B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Wang-Chun Huang,Yu-Xuan Huang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods of forming self-aligned contact structures by work function material layer recessing and the resulting devices

Номер патента: US09824920B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230039627A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Methods of forming a gate contact above an active region of a semiconductor device

Номер патента: US09780178B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050026314A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Patterning methods for semiconductor devices

Номер патента: US12074058B2. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Shing-Chyang Pan,Wei-Ren Wang,Wan-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods of forming features in semiconductor device structures

Номер патента: US20140145311A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device and method of forming athin wafer without a carrier

Номер патента: SG183779A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4246592A1. Автор: Jaejin Lee,Youngjun Kim,Eun-Ok Lee,Taekyung Yoon,Hunyoung Bark,Dongju Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20140353803A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09634020B1. Автор: Nhan Do,Mandana TADAYONI,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming integrated circuits

Номер патента: US20120070954A1. Автор: Wei-Yuan Lu,Ka-Hing Fung,Han-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having element separation region formed from a recess-free trench

Номер патента: US09831113B2. Автор: Yukio Hayakawa,Fumihiko Inoue. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US7727844B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-01.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US5172851A. Автор: Akira Matsushita,Hidekazu Konishi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20220223736A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Formation method and structure of semiconductor device with source/drain structures

Номер патента: US20180294357A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20150318167A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

BiMOS SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220319927A1. Автор: Yasuhiro Maeda,Genki Nakamura,Yuki NEGORO,Yoshinari Tsukada,Shinya Maita. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

BiMOS semiconductor device

Номер патента: US11776953B2. Автор: Yasuhiro Maeda,Genki Nakamura,Yuki NEGORO,Yoshinari Tsukada,Shinya Maita. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US11908930B2. Автор: Shiang Yang Ong,Namchil MUN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Methods of forming iii-v semiconductor structures using multiple substrates, and semiconductor devices fabricated using such methods

Номер патента: US20150255591A1. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of forming a junction for high voltage device in a semiconductor device

Номер патента: KR100739945B1. Автор: 곽노열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-16.

Semiconductor device having increased reliability and method of producing the same and semiconductor chip suitable for such a semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US6507092B1. Автор: Norio Fukasawa,Toshimi Kawahara,Takashi Hozumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-14.

Method of cleaning silicon carbide semiconductor, silicon carbide semiconductor, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2012004270A. Автор: Hiroshi Shiomi,Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,圭司 和田,透 日吉,健良 増田,弘 塩見,Tomihito Miyazaki,富仁 宮崎,Satomi Ito,里美 伊藤. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING IN (As) Sb SEMICONDUCTOR ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20090101888A1. Автор: Won Jun Choi,Ju-Young Lim,Jin-Dong Song,Joonyeon Chang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-04-23.

Method of forming gate spacer for nanowire fet device

Номер патента: US20190296128A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods of forming gate structures for cmos based integrated circuit products and the resulting devices

Номер патента: US20140367790A1. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240371644A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a metal layer on source/drain regions

Номер патента: US09601586B1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US12057341B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343820A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

High-voltage semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220069081A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Yu-Hao Ho,Chiu-Hao Chen,Cheng-Tsung WU,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Dual-semiconductor complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US09627266B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Yanning Sun,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming FinFET with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US11749755B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US20240363396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09812552B2. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,Jae-Ran JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element

Номер патента: US09608110B2. Автор: Peter Baars,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240322016A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Ying Hsin Lu,Ying Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming replacement gate structures for nfet semiconductor devices and devices having such gate structures

Номер патента: US20140145274A1. Автор: Huang Liu,Wonwoo Kim,Jean-Baptiste Laloe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US12051628B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US20240363426A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20210217859A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of Implantation for Semiconductor Device

Номер патента: US20220123111A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Che-Fu Chiu,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device having T-shaped gate structure comprising in situ sidewall spacers and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20040048472A1. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220005949A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Methods of forming gate structures for semiconductor devices using a replacement gate technique and the resulting devices

Номер патента: US20150311081A1. Автор: Qi Zhang,Xiuyu Cai,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ruilong Xie,Andy C. Wei,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of forming gate dielectric layer for MOS transistor

Номер патента: US09761687B2. Автор: Po-Lun Cheng,Chun-Liang Chen,Meng-Che Yeh,Shih-Jung Tu,Han-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100112770A1. Автор: Yoshitaka Kubota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09780199B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming semiconductor device using titanium-containing layer and device formed

Номер патента: US20180166287A1. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Keng-Chuan Chang,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming gate dielectric material

Номер патента: US09893160B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Multiple gate field-effect transistors having various gate oxide thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US20240243016A1. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Wei Lee,Zoe Chen,Hsueh-Ju CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050189590A1. Автор: Tomohiro Okamura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Metal gate scheme for device and methods of forming

Номер патента: US09871114B2. Автор: Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming contact structure of gate structure

Номер патента: US09536754B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179261A1. Автор: Yuji Takahashi,Kazuya Sekiguchi,Daisuke Ono,Tatsuhiko Miura,Tsuyoshi Kachi,Katsuhiro Mitsui,Yoshio Fukayama,Tomokuni Chino. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of forming semiconductor device using titanium-containing layer and device formed

Номер патента: US20190148152A1. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Keng-Chuan Chang,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of forming semiconductor device using titanium-containing layer and device formed

Номер патента: US10658186B2. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Keng-Chuan Chang,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device with silicide structures surrounding epitaxial structures and method of making the same

Номер патента: US20230268422A1. Автор: Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Methods of forming graphene contacts on source/drain regions of FinFET devices

Номер патента: US09972537B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method Of Making Memory Cells, High Voltage Devices And Logic Devices On A Substrate

Номер патента: US20210398995A1. Автор: Chunming Wang,Andy Yang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12068391B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device, finfet device and methods of forming the same

Номер патента: US20240258390A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Jr-Hung Li,Wan-Chen Hsieh,Po-Hsien Cheng,Jr-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230282725A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240371969A1. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming a contact

Номер патента: US09627258B1. Автор: Yu-Lien Huang,Yuan-Hung Chiu,Li-Te Lin,Han-Yu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US12068386B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing semiconductor device with reduced number of process steps for capacitor formation

Номер патента: US6762109B2. Автор: Naofumi Murata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-13.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: WO2004023533A2. Автор: Karsten Wieczorek,Scott Luning,Thorsten Kammler. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-03-18.

Method of manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: US20020098599A1. Автор: Takashi Nakamura,Hidemi Takasu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09793382B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20210125833A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Process integration to reduce contact resistance in semiconductor device

Номер патента: WO2022236026A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Sankuei Lin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240243015A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods of forming integrated circuit devices

Номер патента: US09780107B2. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices having airgaps and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09773795B2. Автор: Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor element, semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20120238085A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of forming gate and finFET

Номер патента: US09577102B1. Автор: Ting-Chun Wang,Lun-Kuang Tan,Cheng-ta Wu,Tsung-Han Wu,Wei-Ming You,Yu-Ting Hsiao,Liang-Yu YEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Packaged Semiconductor Device Including Liquid-Cooled Lid and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240249999A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Packaged Semiconductor Device Including Liquid-Cooled Lid and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220310482A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Method of forming metal carbide barrier layers for fluorocarbon films

Номер патента: WO2013043512A1. Автор: Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron America, Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Isolation bonding film for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US12087732B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Ming-Tsu Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor packages including through mold ball connectors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09847322B2. Автор: Jong Hoon Kim,Yeon Seung Jung,Ki Jun SUNG,Hyeong Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, and packaging techniques for impedance matching and/or low frequency terminations

Номер патента: US09484222B2. Автор: Lu Li,Lakshminarayan Viswanathan,Michael E. Watts,Mahesh K. Shah,Hussain H. Ladhani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-01.

Stacked semiconductor apparatus, system and method of fabrication

Номер патента: US09754921B2. Автор: Yun-sang Lee,Young-don Choi,Kang-Wook Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices

Номер патента: US3709726A. Автор: R Nuttall. Владелец: Ferranti PLC. Дата публикации: 1973-01-09.

Self-aligned pattern formation for a semiconductor device

Номер патента: US20180247864A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Sivananda K. Kanakasabapathy,Christopher J. Penny,Sean D. Burns,Nelson M. Felix,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Self-aligned pattern formation for a semiconductor device

Номер патента: US11227793B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Sivananda K. Kanakasabapathy,Christopher J. Penny,Sean D. Burns,Nelson M. Felix,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-18.

Self-aligned pattern formation for a semiconductor device

Номер патента: US11646221B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Sivananda K. Kanakasabapathy,Christopher J. Penny,Sean D. Burns,Nelson M. Felix,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-09.

Packaged semiconductor device including liquid-cooled lid and methods of forming the same

Номер патента: US11996351B2. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Packaged Semiconductor Device Including Liquid-Cooled Lid and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220037231A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device, integrated fan-out package and method of forming the same

Номер патента: US20200020627A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Wei-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Isolation Bonding Film for Semiconductor Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230343747A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Ming-Tsu Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor package having an encapulant comprising conductive fillers and method of manufacture

Номер патента: US20240071865A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Xinyu Bao,Lee-Chung Lu,Jyh Chwen Frank Lee,Sam Vaziri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor package having an encapsulant comprising conductive fillers and method of manufacture

Номер патента: US11842946B2. Автор: Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Xinyu Bao,Lee-Chung Lu,Jyh Chwen Frank Lee,Sam Vaziri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of forming wire in dielectric layer,metallization layer of a semiconductor device,and integrated circuit thereof

Номер патента: TWI556297B. Автор: 柳惠宰,泰亞斯威 英道,拉馬南 契必安,詹姆斯 克拉克. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2016-11-01.

Siloxane-based resin and method of forming an insulating film between interconnect layers of a semiconductor device using the same

Номер патента: US6908977B2. Автор: Yi Yeol Lyu,Jin Gyu Lee,Ji Hun Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-21.

A method of forming a metal pattern in the manufacture of a semiconductor device

Номер патента: DE4320033B4. Автор: Hoon Hur. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Method of forming an insulating layer in a trench isolation type semiconductor device

Номер патента: US20020123206A1. Автор: Moon-han Park,Hong-Gun Kim,Ju-seon Goo,Eun-Kee Hong,Soo-jin Hong,Jin-Hwa Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-05.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20190371741A1. Автор: Chin-Yu Ku,Te-Hsun Pang,Rung-De Wang,Chen-Hsun Liu,Po-Chang Lin,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Correction method of photomask pattern

Номер патента: US20200218144A1. Автор: Byung-In Kwon,Siwon YANG,Jiyong YOO. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Correction method of photomask pattern

Номер патента: US11340523B2. Автор: Byung-In Kwon,Siwon YANG,Jiyong YOO. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Method of manufacturing a contact structure of an interconnection layer for a semiconductor device and a multilayer interconnection SRAM

Номер патента: US5654239A. Автор: Osamu Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-08-05.

Method of Protecting STI Structures From Erosion During Processing Operations

Номер патента: US20120302037A1. Автор: Stephan Kronholz,Hans-Juergen Thees,Joerg Radecker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

METHODS OF MODIFYING SURFACES OF STRUCTURES USED IN THE MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE VIA FLUORINATION

Номер патента: US20170137589A1. Автор: GARZA César M.,AHN Sungil. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

METHOD OF MANUFACTURING OF A SIDEWALL OPENING OF AN INTERCONNECT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170200645A1. Автор: Barth Hans-Joachim. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Manufacturing method of board temperature sensor, temperature control system, board processing device and semiconductor device

Номер патента: JP7034324B2. Автор: 等 村田,正昭 上野,徳信 赤尾,昭典 田中. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-03-11.

Methods of manufacturing stress buffer structures in a mounting structure of a semiconductor device

Номер патента: US20130109169A1. Автор: Shin-puu Jeng,Tzu-Yu Wang,Tzu-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US12107163B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660042B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240243190A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Nanostructure Field-Effect Transistor Device and Method of Forming

Номер патента: US20240379750A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09590072B1. Автор: Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming butted contact

Номер патента: US09564363B1. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Chia-Hao Chang,Chun-Hsiung Lin,Jia-Chuan You,Zhi-Chang Lin,Yi-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09748390B2. Автор: Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20220384267A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi-On CHUI,Kuan-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US12002714B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi-On CHUI,Kuan-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Methods of forming NMOS and PMOS FinFET devices and the resulting product

Номер патента: US09741622B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of forming a submicron t-shaped gate

Номер патента: RU2724354C1. Автор: Евгений Викторович Ерофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-06-23.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Method of forming semiconductor device including trench gate structure

Номер патента: US20090130823A1. Автор: Kyoko Miyata,Fumiki Aiso. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Structure and method of conductive bus bar for resistive seed substrate plating

Номер патента: US09899324B1. Автор: Atsushi Ogino,Shafaat Ahmed,Sadanand Vinayak Despande. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction and semiconductor device having reduced junction leakage

Номер патента: US09793272B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming horizontal gate all around structure

Номер патента: US09786757B2. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Huan-Chieh Su,Jui-Chien Huang,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Transistor with dielectric spacers and method of fabrication therefor

Номер патента: US20230361198A1. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Transistor with dielectric spacers and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4273936A1. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor devices

Номер патента: US09806204B2. Автор: Hyun-Sung Kim,Bum-soo Kim,Seung-pil Chung,Sung-Soo Ahn,Won-Bong Jung,Kyoung-sub Shin,O Ik Kwon,Min-Kyung YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method of forming gate structure

Номер патента: US20050085025A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Chung-Peng Hao,Jin-Tau Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220068718A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of forming epitaxial buffer layer for finfet source and drain junction leakage reduction

Номер патента: US20160284701A1. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction

Номер патента: US09786661B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09559112B2. Автор: Youngwoo Park,Jungdal CHOI,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20180190543A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220301939A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Memory devices, semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20190267323A1. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Methods of forming a gate contact for a transistor above an active region and the resulting device

Номер патента: US09947589B1. Автор: Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Chanro Park,Nigel G. Cave,Andre P. Labonte,Mark V. Raymond. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09905468B2. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US20220278119A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US11737266B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods of forming semiconductor device structures including two-dimensional material structures

Номер патента: US09991122B2. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods of forming semiconductor device

Номер патента: US09704745B2. Автор: Sanghyun Lee,Dohyoung Kim,Doo-Young Lee,Keunhee Bai,Johnsoo KIM,Heungsik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of forming a tri-gate FinFET device

Номер патента: US09614056B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220130982A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200328290A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Alignment Structure for Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210257310A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US20240297215A1. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Gate spacers in semiconductor devices

Номер патента: US20240297239A1. Автор: Chun-Fu Lu,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods of forming interconnects and semiconductor structures

Номер патента: US09640433B2. Автор: Salman Akram,James M. Wark,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09614067B2. Автор: Sang Sig Kim,Yoonjoong Kim,Min Suk Kim,Young In JEON,Doo Hyuk LIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

FINFET semiconductor devices and method of forming the same

Номер патента: US09812559B2. Автор: Kyung-In Choi,Bong-Soo Kim,Hyun-gi Hong,Hyun-seung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US09595522B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device having a double deep well and method of manufacturing same

Номер патента: US20150162198A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274470A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Bo Liao,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09966308B2. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Baozhen Li,II John E. Sheets,Junli Wang,Kirk David Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US09966268B2. Автор: Arito Ogawa,Atsuro Seino. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240136428A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11901439B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device having multiple wells and method of making

Номер патента: US11769812B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Gate structure including multi-tunneling layer and method of fabricating the same, non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070114572A1. Автор: Byung Kim,Eun-kyung Lee,Kyung-Sang Cho,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

WRAP-AROUND GATE STRUCTURES AND METHODS OF FORMING WRAP-AROUND GATE STRUCTURES

Номер патента: US20180233600A1. Автор: FANELLI Stephen Alan,VEDULA Ravi Pramod Kumar,AZZAZY Farid. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

METHOD OF FORMING CHANNEL OF GATE STRUCTURE

Номер патента: US20150194497A1. Автор: Lin Huan-Just,Fu Ching-Feng,CHEN DE-FANG,LEE CHUN-HUNG,Chang Hui-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

Hybrid semiconductor device

Номер патента: US20230369321A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device having multiple wells

Номер патента: US20230378296A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: US20220328628A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-10-13.

Making method of tft with trench surrounding gate structure

Номер патента: KR950007358B1. Автор: 하형찬. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1995-07-10.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US12040381B2. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240322011A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09905676B2. Автор: Yang Xu,Jinbum Kim,Kang Hun MOON,Choeun LEE,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of forming stressed channel regions for a finfet semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20160035863A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Ajey P. Jacob,Witold P. Maszara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20190267373A1. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

FETs and methods of forming FETs

Номер патента: US09773786B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Epitaxial structures of semiconductor devices that are independent of local pattern density

Номер патента: US20200328306A1. Автор: Jin Wallner,Judson Robert Holt,Heng Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of forming a semiconductor device with a seed layer migration process

Номер патента: US12051754B2. Автор: Kihwan Kim,Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG,Junbeom PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11923240B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor devices including a gate structure between active regions, and methods of forming semiconductor devices including a gate structure between active regions

Номер патента: US20140070291A1. Автор: Jin-Woo Lee,Ja-Young Lee,Seung-Ho Kim,Tae-Yong Song,Hyun-Mi Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240347534A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of forming PMOS and NMOS FinFET devices on CMOS based integrated circuit products

Номер патента: US09799767B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Forming gate line-end of semiconductor structures with improved metal gate height

Номер патента: US12068196B2. Автор: Kei-Wei Chen,Che-Hao Tu,Che-Liang Chung,Chih-Wen Liu,You-Shiang Lin,Yi-Ching Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices including an isolation layer on a fin and methods of forming semiconductor devices including an isolation layer on a fin

Номер патента: US09704864B2. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Yeon-Jin Gil,Ha-Young Jeon,Ji-Won YUN,Won-Sang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240170338A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220165623A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: US20240250151A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: EP3944333A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Method of utilizing trench silicide in a gate cross-couple construct

Номер патента: US20160293496A1. Автор: Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of utilizing trench silicide in a gate cross-couple construct

Номер патента: US10192792B2. Автор: Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-29.

Method of forming gate structure with undercut region and resulting device

Номер патента: US20200091005A1. Автор: Haiting Wang,Balaji Kannan,Shesh Mani Pandey,Qun Gao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of utilizing trench silicide in a gate cross-couple construct

Номер патента: US20160111341A1. Автор: Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of utilizing trench silicide in a gate cross-couple construct

Номер патента: US20160293495A1. Автор: Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor devices including gate structure and method of forming the same

Номер патента: US20220375847A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09543410B2. Автор: Wu Meng-Chuan,Yi-Wei Chiu,Tzu-Chan Weng,Li-Te Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device including a FinFET structure and method for fabricating the same

Номер патента: US12087636B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12046663B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chi-Hsiang Chang,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240266227A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Jian-Hsuan Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240363735A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chi-Hsiang Chang,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Strained vertical field-effect transistor (FET) and method of forming the same

Номер патента: US09614087B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming source/drain epitaxial stacks

Номер патента: US12021142B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170323886A1. Автор: Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Method of forming source/drain epitaxial stacks

Номер патента: US20240304724A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20210399101A1. Автор: Sheng-Hwa Lee,Hsiu-Ming Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12057351B2. Автор: Chieh Cheng,Yu-Chuan Chen,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan,Yi Chen Ho,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US12068378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087776B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US20240363705A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200058793A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Gate structures in transistor devices and methods of forming same

Номер патента: US20240371875A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Bo-Cyuan Lu,Chieh-Ping WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Silicide-sandwiched source/drain region and method of fabricating same

Номер патента: US20210376091A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12046597B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US12080713B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Amphi-FET structure, method of making and method of designing

Номер патента: US11764213B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang,Chih-Yu Lai,Chi-Yu Lu,Shang-Syuan Ciou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Gate structures in transistor devices and methods of forming same

Номер патента: US12087775B2. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Bo-Cyuan Lu,Chieh-Ping WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363626A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

FinFET device and method of forming same

Номер патента: US09812363B1. Автор: Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming vertical channel devices

Номер патента: US20180330988A1. Автор: Juergen Boemmels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11575045B2. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Mask rom device, semiconductor device including the mask rom device, and methods of fabricating mask rom device and semiconductor device

Номер патента: US20100285641A1. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

FinFET Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20190131176A1. Автор: Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Mask ROM device, semiconductor device including the mask ROM device, and methods of fabricating mask ROM device and semiconductor device

Номер патента: US8053342B2. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Sidewall dopant shielding methods and approaches for trenched semiconductor device structures

Номер патента: US12094926B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of making amphi-fet structure and method of designing

Номер патента: US20240321870A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang,Chih-Yu Lai,Chi-Yu Lu,Shang-Syuan Ciou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12094778B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240363418A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355904A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240234540A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Yu-Shan Cheng,Hsiaowen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220059697A1. Автор: Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210134798A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Chih-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216337A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11335808B1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180342509A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Chih-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20190164835A1. Автор: Tuoh-Bin Ng,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Yi-Fang Pai,Wei-Hao LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Methods of forming contact features in field-effect transistors

Номер патента: US12087860B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20070210352A1. Автор: Yasuhiko Akamatsu,Saifon Son,Shinpei Tsujikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US20210111021A1. Автор: Luc Haspeslagh,Robert Langer,Vasyl Motsnyi,Philippe Soussan,Bernardette Kunert,Stefano Guerrieri,Olga SYSHCHYK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming contact features in field-effect transistors

Номер патента: US20240363757A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09923092B2. Автор: Thierry Coffi Herve Yao,Moshe Agam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09704750B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20120156855A1. Автор: Jae-Hwang Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-21.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20230307522A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230154824A1. Автор: Chia-Che Chung,Ming-Tzong Yang,Hsien-Hsin Lin,Chee-Wee Liu,Wen-Kai Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230011222A1. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi,Shigeru Sugioka,Noriaki Fujiki,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210217897A1. Автор: Minwoo Song,Minsu Lee,Minhee Cho,Hyunmog Park,Woobin SONG,Hyunsil Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130164910A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086078A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12125789B2. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi,Shigeru Sugioka,Noriaki Fujiki,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09953876B1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09893186B2. Автор: Shigenobu Maeda,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jae-Hoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of fabricating semiconductor device isolation structure

Номер патента: US09673082B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with reduced gate height budget

Номер патента: US20190027575A1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220068720A1. Автор: Shih-Yao Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240274693A1. Автор: Ming-Hua Yu,Wei-Siang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321891A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device structure and method for forming same

Номер патента: US20240332395A1. Автор: Zeyong CHEN,Yunbo Chen,Yohtz Julian CHANG,Canyang HUANG. Владелец: Guangzhou Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09825043B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor Devices Including Ferroelectric Memory and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220036935A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor Devices Including Ferroelectric Memory and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220358983A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chenchen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor Devices Including Ferroelectric Memory and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230368830A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chenchen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate

Номер патента: US11888062B2. Автор: Peter Baars,Felix Holzmüller,Ruchil K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: US20230268436A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Methods of Forming Junction Termination Extension Edge Terminations for High Power Semiconductor Devices and Related Semiconductor Devices

Номер патента: US20150021742A1. Автор: Cheng Lin,Agarwal Anant Kumar,Pala Vipindas,Van Brunt Edward Robert. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD OF MAKING LESS ELECTRIC CURRENT DEPENDENCE OF ELECTRIC CURRENT GAIN OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140030878A1. Автор: Hayashi Yutaka,Ota Toshitaka,Nagamune Yasushi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Gate structure and method of forming the same, semiconductor device including the gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240349487A1. Автор: Byounghoon Lee,Sungnam LYU,Hyojung NOH,Eulji JEONG,Minwoo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Self-aligned thin-film transistor and method of forming same

Номер патента: US20090298240A1. Автор: William S. Wong,Rene Lujan. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190219762A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20150212270A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2737722C1. Автор: Николай Александрович Брюхно,Василий Васильевич Афанаскин,Маргарита Юрьевна Котова,Александр Евгеньевич Яценко. Владелец: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2020-12-02.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and capacitors

Номер патента: US09899467B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Shin-puu Jeng,Ebin Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device

Номер патента: US5545589A. Автор: Yoshihiro Bessho,Yoshihiro Tomura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-13.

Methods, materials, and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: US20190067499A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20160245998A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120100658A1. Автор: Jong-Won Choi,Jun-Seok Yang,Sung-Hyun Yoon,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

Method of forming metal oxide gate structures and capacitor electrodes

Номер патента: US6897105B1. Автор: Robert M. Wallace,Paul McIntyre,Glen D. Wilk,John M. Anthony. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-05-24.

METHODS OF FORMING MEMORY CELLS, ARRAYS OF MAGNETIC MEMORY CELLS, AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160308118A1. Автор: Chen Wei,Kula Witold,Murthy Sunil. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Method of incoming inspection of monocrystalline silicon wafers

Номер патента: RU2745634C1. Автор: Константин Юрьевич Фроленков,Евгений Юрьевич Орлов,Сергей Иванович Матюхин,Дмитрий Петрович Санников,Борис Михайлович Иоэль,Михаил Дмитриевич Санников. Владелец: Акционерное общество "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС", АО "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС". Дата публикации: 2021-03-29.

A method of forming pattern for measuring overlay in exposing process of semiconductor device

Номер патента: KR100401523B1. Автор: 김상표. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-17.

Methods of forming silicon nano-crystals using plasma ion implantation and semiconductor devices using the same

Номер патента: US7449398B2. Автор: Hyunsang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-11.

Method of designing arrangement of tsv in stacked semiconductor device and designing system for arrangement of tsv in stacked semiconductor device

Номер патента: US20140258949A1. Автор: Myung-Soo JANG,Jae-Rim LEE,Jong-Wha Chong,Min-Beom KIM,Wen Rui LI,Cheol-Jon JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Isolation layer structure, method of forming the same and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US20110298036A1. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-08.

Isolation layer structure, method of forming the same and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US8237240B2. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-07.

Method of forming isolation layer structure and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US8017495B2. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-13.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Capacitors

Номер патента: US20180175137A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Shin-puu Jeng,Ebin Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and capacitors

Номер патента: US10727294B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Shin-puu Jeng,Ebin Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

3d printing techniques for forming interconnects for flip-chip assemblies or tuning resonators of a semiconductor device

Номер патента: WO2023278362A3. Автор: Douglas CARLSON,Wayne Struble,Rathnait LONG. Владелец: Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and signal transmitting/receiving method using the semiconductor device

Номер патента: US20140225221A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SIGNAL TRANSMITTING/RECEIVING METHOD USING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170256602A1. Автор: NAKASHIBA Yasutaka. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and signal transmitting/receiving method using the semiconductor device

Номер патента: US9685496B2. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device, card, system, and methods of initializing and checking the authenticity and the identify of the semiconductor device

Номер патента: US20050051351A1. Автор: Edwin Roks,Petra De Jongh,Robertus Wolters,Hermanus Peek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

HEAT-CURABLE SILICONE RESIN SHEET HAVING PHOSPHOR-CONTAINING LAYER AND WHITE PIGMENT-CONTAINING LAYER, METHOD OF PRODUCING LIGHT EMITTING DEVICE USING SAME AND ENCAPSULATED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20140175488A1. Автор: Kashiwagi Tsutomu,SHIOBARA Toshio. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of arranging micro spheres with liquid, micro sphere arranging device, and semiconductor device

Номер патента: CN100341126C. Автор: 北城荣,久保雅洋,栌山一郎,二上和彦,石塚新一,南光进,安间仁志,山田敏司,片平明夫. Владелец: Japan E Co ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Heat-curable silicone resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, method of producing light emitting device using same and encapsulated light emitting semiconductor device produced thereby

Номер патента: CN103879099A. Автор: 柏木努,盐原利夫. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-25.

Method of arranging micro spheres with liquid, micro sphere arranging device, and semiconductor device

Номер патента: AU2003202505A1. Автор: Masahiro Kubo,Ichiro Hazeyama,Sakae Kitajo,Susumu Nanko,Kazuhiko Futakami,Hitoshi Anma,Shinichi Ishiduka,Akeo Katahira,Tosiji Yamada. Владелец: Japan EM Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-30.

Method of fabrication of solder reflow interconnections for face down bonding of semiconductor devices

Номер патента: CA898628A. Автор: Edward F. Duffek, Jr.,A. Blech Ilan. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1972-04-25.

Method of protecting during transportation the lead pins and guide pins of semiconductor devices

Номер патента: EP0825649B1. Автор: Shin Fuji Eletric Co. Ltd. Soyano,Susumu Fuji Eletric Co. Ltd. Toba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-14.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Manufacturing method of thermosetting type sticky crystal film, cut crystal sticky film and semiconductor device

Номер патента: TWI664263B. Автор: 宍戶雄一郎,大西謙司,三隅貞仁. Владелец: 日商日東電工股份有限公司. Дата публикации: 2019-07-01.

A heat-conducting layer, a photosensitive layer, a photosensitive composition, the manufacturing method of a heat-conducting layer, and a laminated body and a semiconductor device

Номер патента: KR102386491B1. Автор: 카즈토 시마다,코스케 야마시타. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-04-14.

Manufacturing Method of Semiconductor Template having Nano-Structure Nitride Semiconductor for High Quality Semiconductor Device

Номер патента: KR101512958B1. Автор: 이경재,김진완,전민환,남옥현,엄대용. Владелец: 한국산업기술대학교산학협력단. Дата публикации: 2015-04-21.

Method of Forming Contacts for Devices with Multiple Stress Liners

Номер патента: US20120299160A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper,Marco Lepper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US20160284990A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Standard cell device and method of forming an interconnect structure for a standard cell device

Номер патента: US20200328109A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-15.

Methods of forming a metal telluride material, related methods of forming a semiconductor device structure, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140227863A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170148981A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09818666B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of forming cavity adjacent to sensitive region of semiconductor die using wafer-level underfill material

Номер патента: US09679881B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09608201B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing semiconductor device including isolation process

Номер патента: US20090181510A1. Автор: Yong-Il Kim,Makoto Yoshida,Hyeong-Sun HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming a temporary test structure for device fabrication

Номер патента: US09735071B2. Автор: Charles L. Arvin,Gary W. Maier,Brian Michael Erwin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09576892B2. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US20150037949A1. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Method of forming a semiconductor device package with warpage control

Номер патента: US20240379640A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010003050A1. Автор: Sachiko Onozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Structure and method of forming a semiconductor device with resistive elements

Номер патента: US12074107B2. Автор: Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device structures including buried digit lines and related methods

Номер патента: US20130187279A1. Автор: Suraj Mathew,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20100203700A1. Автор: Eunkee Hong,Deok-Young Jung,Ju-seon Goo,Kyungmun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Structure and method of forming a semiconductor device with resistive elements

Номер патента: US20240371757A1. Автор: Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device structures including buried digit lines and related methods

Номер патента: US09947666B2. Автор: Suraj Mathew,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of forming a semiconductor package with conductive interconnect frame and structure

Номер патента: US09917039B2. Автор: Marc Alan Mangrum,Thinh Van Pham. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication

Номер патента: US09818689B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of making a resistive random access memory

Номер патента: US09520562B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20110294235A1. Автор: Takuro Maede. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device

Номер патента: EP2195398A2. Автор: Nobuo Kushibiki,Michitaka Suto,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis,Tetsuyuki Michino. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355671A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures

Номер патента: US09583381B2. Автор: Kevin J. Torek,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Michael Hyatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing semiconductor device and method of forming pattern

Номер патента: US20230307287A1. Автор: Toshiaki Komukai,Motofumi Komori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device including an embedded surface mount device and method of forming the same

Номер патента: US20160133606A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12051619B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor device packages and stacked package assemblies including high density interconnections

Номер патента: US20190206684A1. Автор: Chen-Chao Wang,John Richard Hunt,Chih-Pin Hung,William T. Chen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20180150589A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Shang-Chih Hsieh,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Meng-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Methods of manufacturing semiconductor devices including structures

Номер патента: US20110165750A1. Автор: Chan-jin Park,Ki-Hyun Hwang,Han-mei Choi,Young-Geun Park,Jun-kyu YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor Device and Method of Forming High Crystal Quality Magnetic Layer for Shielding of Low Frequency Magnetic Fields

Номер патента: US20240332207A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12136566B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09972508B2. Автор: Kei Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09893070B2. Автор: Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US09818642B2. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Multi-die structure and method of forming same

Номер патента: US09761566B1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US09748217B2. Автор: Takayuki Ohba. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240266226A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing a semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US9799729B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Nanostructure field-effect transistor device with dielectric layer for reducing substrate leakage or well isolation leakage and methods of forming

Номер патента: US12125877B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of forming gate-all-around (gaa) finfet and gaa finfet formed thereby

Номер патента: US20190123160A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US20240347389A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US12046516B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of forming a semiconductor device including forming a shield conductor overlying a gate conductor

Номер патента: US09780196B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Multi-bridge channel transistors with stacked source/drain structure and method of forming the same

Номер патента: US12132113B2. Автор: Ki Hwan Kim,Young Dae Cho,Su Jin Jung,Sung Uk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Gate-all-around structure with self substrate isolation and methods of forming the same

Номер патента: US12046681B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

3D devices with 3D diffusion breaks and method of forming the same

Номер патента: US12040236B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Gate-All-Around Structure with Self Substrate Isolation and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210098634A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Gate-all-around structure with self substrate isolation and methods of forming the same

Номер патента: US20240339545A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12051700B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Self-aligned source/drain junction for vertical field-effect transistor (FET) and method of forming the same

Номер патента: US09761728B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming high voltage metal-oxide-semiconductor transistor device

Номер патента: US09825147B2. Автор: Ming-Shun Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicide regions in vertical gate all around (VGAA) devices and methods of forming same

Номер патента: US09716143B2. Автор: Kai-Chieh Yang,Wai-Yi Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

MISFET Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20150035021A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ming-Chyi Liu,Chung-Yen Chou,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050085036A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices with wide gate-to-gate spacing

Номер патента: US20200388540A1. Автор: Haiting Wang,Jiehui SHU,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of using semiconductor device and method of making

Номер патента: US20240055500A1. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-planar transistor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12051733B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Nanowire fet with trapezoid gate structure

Номер патента: US20120305886A1. Автор: Ying Zhang,Jeffrey W. Sleight,Sebastian U. Engelmann,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Non-planar transistor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347615A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240355911A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20240371933A1. Автор: Chee Wee Liu,Hsin-cheng Lin,Ching-Wang YAO,Kung-Ying Chiu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09905659B2. Автор: Satoru Yamada,Dongjin Lee,Jiyoung Kim,Moonyoung JEONG,Dongsoo Woo,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711608B1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240282816A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US11799008B2. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240266411A1. Автор: Sheng-Jier Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Isolation layers in stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230066265A1. Автор: Pinyen Lin,Wei-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274685A1. Автор: Seokhoon Kim,Heung-Soon Lee,Yonghee PARK,Seungkyu KIM,Dong-Gwan SHIN,Hongseon Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321880A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Isolation layers in stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240363632A1. Автор: Pinyen Lin,Wei-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacuring Copany Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09679968B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US20220238670A1. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240334691A1. Автор: Ki Hong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming a nano-sheet transistor device with a thicker gate stack and the resulting device

Номер патента: US09991352B1. Автор: Ruilong Xie,Julien Frougier,Steven Bentley,Ali Razavieh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of forming a semiconductor device structure using differing spacer widths and the resulting semiconductor device structure

Номер патента: US09876111B2. Автор: Juergen Faul,Thorsten Kammler,Steffen Sichler,Peter Javorka,Sylvain Henri Baudot. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of forming semiconductor devices having recessed channels

Номер патента: US8268690B2. Автор: Joo-young Lee,Dong-gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-18.

Method for forming metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09741830B2. Автор: Kung-Hong Lee,Chun-Jung Tang,Te-Chih Chen,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods of forming low defect replacement fins for a FinFET semiconductor device and the resulting devices

Номер патента: US09614058B2. Автор: Jody Fronheiser,Ajey P. Jacob,Kerem Akarvardar,Witold P. Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin film transistor substrate

Номер патента: US20150076502A1. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US8034672B2. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Method of forming semiconductor structure with anti-punch through structure

Номер патента: US09595442B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Yao-De Chiou,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of forming semiconductor device including trimmed-gates

Номер патента: US20210305261A1. Автор: Yu-Jen Chen,Ling-Sung Wang,Wen-Hsi Lee,I-Shan Huang,Chan-yu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device including trimmed-gates and method of forming same

Номер патента: US20230284428A1. Автор: Yu-Jen Chen,Ling-Sung Wang,Wen-Hsi Lee,I-Shan Huang,Chan-yu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Vertical-channel type junction SiC power FET and method of manufacturing same

Номер патента: US09691908B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods of forming fins for a FinFET device by forming and replacing sacrificial fin structures with alternative materials

Номер патента: US09590040B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11881480B2. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of forming strain-causing layer for mos transistors and process for fabricating strained mos transistors

Номер патента: US20090111272A1. Автор: Pei-Lin Kuo,Huo-Tieh Lu,Jin-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of manufacturing a semiconductor device including a silicon pillar

Номер патента: US8158502B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080044993A1. Автор: Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Integrated Circuits and Methods of Design and Manufacture Thereof

Номер патента: US20100276759A1. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Integrated circuits and methods of design and manufacture thereof

Номер патента: US09767244B2. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a semiconductor material on a fin, and related semiconductor devices

Номер патента: US09698268B2. Автор: Shigenobu Maeda,Bo-Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Non-planar transistor and method of forming the same

Номер патента: US09627541B2. Автор: Shui-Yen Lu,Jhen-Cyuan Li,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming a transistor using selective epitaxial growth

Номер патента: US20050176205A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Yu-Kun Chen,Ya-Lun Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20150021610A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US09653581B2. Автор: Hou-Yu Chen,Yu-Chang Lin,Chun-Feng Nieh,Wen-Tai Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20230215947A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068405B2. Автор: Sheng-Kai Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09768300B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371988A1. Автор: Sheng-Kai Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Heteroepitaxial semiconductor devices with enhanced thermal dissipation

Номер патента: US20240355918A1. Автор: Matt King,Christer Hallin,Thomas Kuhr. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09548301B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Methods of forming conductive patterns and methods of manufacturing semiconductor devices using the same using an etchant composition that includes phosphoric acid, nitric acid, and an assistant oxidant

Номер патента: US09530670B2. Автор: Jung-Hun Lim,Byoung-moon Yoon,Hoon Han,Jae-Wan Park,Young-ok Kim,Jun-youl Yang,Jin-Uk Lee,Tae-Heon Kim,Young-Taek Hong,Keon-Young Kim,Sun-Joong Song. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200335400A1. Автор: Yu-Lin Yang,Chih-Liang Chen,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Ta-Pen Guo,Hung-Li Chiang,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having double-gate structure and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240372009A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-07.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device, method of fabricating the semiconductor device, and method of forming epitaxial layer

Номер патента: US09653472B2. Автор: Joon Suk Lee,Woo Sung Lee,Woong Lee,Hun Hyeong LIM,Kyong Won AN,Chae Ho KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device, and method of forming same

Номер патента: US12093627B2. Автор: Chung-Hui Chen,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Device of active regions and gates and method of forming gate patterns using the same

Номер патента: US20070158693A1. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Device of active regions and gates and method of forming gate patterns using the same

Номер патента: US7719034B2. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-18.

Semiconductor device structure and method of formation thereof

Номер патента: US5554488A. Автор: Brian A. Rioux. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods of forming an apparatus, and related apparatuses, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20200194438A1. Автор: Yu Jen Lin,Oscar O. Enomoto,Chia Wei Tsai,Chin Chuan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Low resistance ground wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6071785A. Автор: Shinichi Horiba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming bridging lateral nanowires and device manufactured thereby

Номер патента: WO2005062384A3. Автор: Shashank Sharma,Theodore I Kamins,M Saiful Islam. Владелец: M Saiful Islam. Дата публикации: 2005-09-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor devices including a support for an electrode and methods of forming semiconductor devices including a support for an electrode

Номер патента: US09647056B2. Автор: Jaehong Park,Je-woo Han,Gyungjin Min,Junho Yoon,Yongmoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Semiconductor device with inductive component and method of forming

Номер патента: US20240234481A1. Автор: Kai Tzeng,Chi-Cheng Chen,Chun Yi Wu,Yuh-Sen Chang,Chi-Chun Peng,Szu-Shu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230307361A1. Автор: Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Hiroaki ASHIDATE,Yasunori Iwashita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20140038341A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Contact pad structure and method of forming the same

Номер патента: US20210384219A1. Автор: HAO Zhang,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yonggang YANG,Yiming AI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20090057798A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device having conducting material film formed in trench, manufacturing method thereof and method of forming resist pattern used therein

Номер патента: US20010010378A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Syuji Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-02.

Method of forming a semiconductor device including strain reduced structure

Номер патента: US09997480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-feng Chen,Tsung-Ding Wang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240292615A1. Автор: SUNG Wook Jung,Sang Bum Lee,Jong Hun Kim,Byung Soo Park,Song Hee HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of forming inductor over insulating material filled trench in substrate

Номер патента: SG185341A1. Автор: Seung Uk Yoon,YongTaek Lee,Meenakshi Padmanathan. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040152339A1. Автор: Masayuki Imai,Yoshihide Tada,Tsukasa Yonekawa,Shin Yokoyama,Genji Nakamura,Anri Nakajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102832A1. Автор: Eiji Watanabe,Katsumi Miyata,Hiroyuki Yoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230284436A1. Автор: Tsun-Min Cheng,Yu Chun Lin,Chia-Wei Wu,Yukihiro Nagai,Hsiao-Han Lin,Sun-Hung Chen,Lu-Yung Lin,Zheng Guo Zhang,Wu Xiang Li. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240268123A1. Автор: Jinwoo Han,Kiseok LEE,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4412424A1. Автор: Jinwoo Han,Kiseok LEE,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09627347B2. Автор: Motohiro Suzuki,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Shunsuke Nemoto,Fumiki Kato,Thanh Tung Bui,Lai Na Ma. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of programming eeprom having single gate structure

Номер патента: US20070148851A1. Автор: Ho-Ik Hwang,Hye-Young Park,Sang-bae Yi,Myung-Hee Kim,Geun-Sook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-28.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

MEMS device and method of making a MEMS device

Номер патента: US09580299B2. Автор: Alfons Dehe,Martin Wurzer,Christian Herzum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device including a level shifter and method of mitigating a delay between input and output signals

Номер патента: US12057832B2. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device including a level shifter and method of mitigating a delay between input and output signals

Номер патента: US12088295B2. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor Device Including a Level Shifter and Method of Mitigating a Delay Between Input and Output Signals

Номер патента: US20240364341A1. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device including a level shifter and method of mitigating a delay between input and output signals

Номер патента: US12143106B2. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor Device Including a Level Shifter and Method of Mitigating a Delay Between Input and Output Signals

Номер патента: US20230387915A1. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Device Including a Level Shifter and Method of Mitigating a Delay Between Input and Output Signals

Номер патента: US20230396252A1. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor Device Including a Level Shifter and Method of Mitigating a Delay Between Input and Output Signals

Номер патента: US20230387914A1. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of fabricating a cell contact and a digit line for a semiconductor device

Номер патента: US20120329274A1. Автор: Shyam Surthi,Lars Heineck. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Frequency multiplier and method of multiplying frequency of external clock signal, data output buffer, and semiconductor device including the frequency multiplier and the data output

Номер патента: US20040061560A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Hyun-Soon Jang,Kyoung-Hwan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming gate of flash memory cell

Номер патента: US20050142726A1. Автор: Chul Yoon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20020121657A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20030022443A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of forming gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: US7544564B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming vertical memory devices with improved dummy channel structures

Номер патента: US12137562B2. Автор: Yuhui HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Methods of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240381625A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240196587A1. Автор: Sohee Choi,Sohyang LEE,Jeongmin JIN,JinSeo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

2-transistor memory cell and gate structure having multiple portions

Номер патента: US20240268091A1. Автор: Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Pankaj Sharma,Nicholas R. Tapias,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory cell gate structure having multiple portions

Номер патента: WO2024167843A1. Автор: Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Pankaj Sharma,Nicholas R. Tapias,Manuj Nahar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: US20190310284A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: EP3472628A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-04-24.

A method of applying a pattern of metal, metal oxide and/or semiconductor material on a substrate

Номер патента: CN101521160A. Автор: 安田章夫,B·吕泽姆,Z·卡里皮多,J·维泽尔斯. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-09-02.

Method of applying a pattern of metal, metal oxide and/or semiconductor material on a substrate

Номер патента: US20090214838A1. Автор: Akio Yasuda,Björn Lüssem,Jurina Wessels,Zoi Karipidou. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

A method of applying a pattern of metal, metal oxide and/or semiconductor material on a substrate

Номер патента: CN101410754A. Автор: M·里德尔,安田章夫,Z·卡里皮多,D·迈耶,A·施赖伯,D·施瓦布,J·韦塞尔斯,A·奥芬豪瑟. Владелец: Sony International Europe GmbH. Дата публикации: 2009-04-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of reusing same

Номер патента: US20120014178A1. Автор: Yuji Nagashima,Hiroyuki Tanikawa,Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of analyzing electrostatic discharge network using common resistance removal, system performing the same and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240193339A1. Автор: Chanhee Jeon,Woojin SEO,Jordan Timothy Davis. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of Manufacturing a Part of a MEMS System

Номер патента: US20130001810A1. Автор: Shintaro Asuke. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Formation method of shallow junction by trench gate structure

Номер патента: KR0150676B1. Автор: 권성수. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-10-01.

A kind of preparation method of metal and its alloy micro nano structure or nano-wire array

Номер патента: CN107470427B. Автор: 姚可夫,邵洋,高胜寒,栾楚豪. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-01.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: EP4393166A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of forming fine patterns

Номер патента: US20040067452A1. Автор: Yoshiki Sugeta,Toshikazu Tachikawa,Fumitake Kaneko. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Method of manufacturing multiple-capillary rigid fiber-optic structure or element and device for controlling x-ray and other emissions

Номер патента: RU2096353C1. Автор: Мурадин Абубекирович Кумахов. Владелец: Мурадин Абубекирович Кумахов. Дата публикации: 1997-11-20.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Control gate structure and method of forming a control gate structure

Номер патента: US20120112256A1. Автор: Tan Shyue Seng,Quek Elgin,LEUNG Ying Keung. Владелец: Globalfoundries Singapore PTE, LTD.. Дата публикации: 2012-05-10.

A method of fabricating short-gate-length electrodes for integrated III-V compound semiconductor devices

Номер патента: TW200949953A. Автор: Yu-Chi Wang,Cheng-Kuo Lin,Tsung-Chi Tsai,Ming-Chang Tu,Chia-Liang Chao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

METHODS OF FORMING A REPLACEMENT GATE STRUCTURE HAVING A GATE ELECTRODE COMPRISED OF A DEPOSITED INTERMETALLIC COMPOUND MATERIAL

Номер патента: US20140051240A1. Автор: Choi Kisik,Raymond Mark V.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of forming oxide pattern for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100281546B1. Автор: 박영진,우상호,전하응. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-03-02.

METHODS OF FORMING A PATTERNED, SILICON-ENRICHED DEVELOPABLE ANTIREFLECTIVE MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120177891A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

METHOD OF FORMING POLYSILICON RESISTOR DURING REPLACEMENT METAL GATE PROCESS AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SAME

Номер патента: US20130015530A1. Автор: KIM Ju Youn,Kim Jedon. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

METHOD OF FORMING POLYSILICON RESISTOR DURING REPLACEMENT METAL GATE PROCESS AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SAME

Номер патента: US20130015531A1. Автор: KIM Ju Youn,Kim Jedon. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

Method of determining pattern contour of plated layer on dielectric or semiconductor support

Номер патента: SU792271A1. Автор: Александр Александрович Данилов. Владелец: Северо-Западный Заочный Политехнический Институт. Дата публикации: 1980-12-30.

METHOD OF FABRICATING A PLURALITY OF GATE STRUCTURES

Номер патента: US20120264281A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of manufacturing a solid-state device and solid-state device, particularly semiconductor device

Номер патента: CA2005791A1. Автор: Peter Teleki. Владелец: Peter Teleki. Дата публикации: 1991-06-18.

Method of planarizing interlayer insulating layer and forming diffusion barrier layer of semiconductor device

Номер патента: KR960026354A. Автор: 박상균. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-22.

The preparation method of transition metal element doped ZnO nano array and comprise the semiconductor devices of this nano-array

Номер патента: CN103147130B. Автор: 张翔宇,杨美佳,朱丽萍,胡亮,李亚光,文震,许鸿斌,陈文丰,万尾甜,周梦萦. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2016-05-11.

Method of manufacturing a slope profile for improving step coverage of a semiconductor device.

Номер патента: KR950021132A. Автор: 김근영. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-26.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT, SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120012989A1. Автор: Sato Toshihiro,Dejima Hirohisa,Kawata Masakazu,Yoneyama Masahiro,Takahashi Toyosei,Shiraishi Fumihiro. Владелец: SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2012-01-19.

SPACER FORMATION FILM, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT, SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120168970A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT, SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120187553A1. Автор: . Владелец: SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of Increasing the Germanium Concentration in a Silicon-Germanium Layer and Semiconductor Device Comprising Same

Номер патента: US20120280289A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Javorka Peter. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

METHOD OF FABRICATING A CELL CONTACT AND A DIGIT LINE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120329274A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

METHODS OF AVOIDING SHADOWING WHEN FORMING SOURCE/DRAIN IMPLANT REGIONS ON 3D SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140113420A1. Автор: Kim Jeong Soo,Wei Yayi,Kim Seung Y.,SARGUNAS Vidmantas. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-04-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR AND A METHOD OF DETERMINING SURFACE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120004888A1. Автор: . Владелец: Taylor Hobson Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.