Process for producing thermally annealed wafers having improved internal gettering
Номер патента: US6686260B2
Опубликовано: 03-02-2004
Автор(ы): Harold W. Korb, Martin Jeffrey Binns, Robert J. Falster
Принадлежит: SunEdison Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-02-2004
Автор(ы): Harold W. Korb, Martin Jeffrey Binns, Robert J. Falster
Принадлежит: SunEdison Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Production method for annealed wafer
Номер патента: US20020160591A1. Автор: Norihiro Kobayashi,Shoji Akiyama,Masaro Tamatsuka,Takatoshi Nagoya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.