Method For Producing Epitaxial Silicon Wafer
Номер патента: US20080131605A1
Опубликовано: 05-06-2008
Автор(ы): Kazuhiro Narahara, Yuichi Nasu
Принадлежит: Sumco Techxiv Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-06-2008
Автор(ы): Kazuhiro Narahara, Yuichi Nasu
Принадлежит: Sumco Techxiv Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Epitaxial silicon wafer and method for manufacturing same
Номер патента: US20120112319A1. Автор: Akira Inoue,Masahiro Yoshikawa,Tadashi Kawashima,Yoshiya Yoshida,Kazuhiro Iriguchi,Toshiyuki Isami. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-05-10.