Epitaxial silicon wafer having reduced stacking faults.

Epitaxial silicon wafer having reduced stacking faults

Номер патента: US09755022B2
Опубликовано: 05-09-2017
Автор(ы): Gou Uesono, Masayuki Shinagawa, Naoya Nonaka, Tadashi Kawashima
Принадлежит: Sumco Corp, Sumco Techxiv Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20180197751A1. Автор: Toshiaki Ono,Yasuo Koike,Tomokazu Katano. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Manufacturing method of epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20160035583A1. Автор: Toshiaki Ono,Kazuhisa TORIGOE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160013278A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US9117676B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20140134780A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Silicon wafer

Номер патента: US20090294910A1. Автор: Takeo Katoh,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160293426A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160148964A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US9396967B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US9224601B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-12-29.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US09576800B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon Wafer and Production Method Thereof

Номер патента: US20090278239A1. Автор: Takashi Nakayama,Takaaki Shiota,Tomoyuki Kabasawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Silicon wafer and production method thereof

Номер патента: EP2117038A3. Автор: Takaaki Sumco Corporation Shiota,Takashi Sumco Corporation Nakayama,Tomoyuki Sumco Corporation Kabasawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-01-13.

Thin silicon wafer with high gettering ability and production method thereof

Номер патента: US7960253B2. Автор: Takashi Nakayama,Takaaki Shiota,Tomoyuki Kabasawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-06-14.

Method of producing epitaxial wafer and the epitaxial wafer having a highly flat rear surface

Номер патента: US09685315B2. Автор: Sumihisa Masuda,Kazuhiro Narahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of producing epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US09631297B2. Автор: Sumihisa Masuda,Kazuhiro Narahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20230369416A1. Автор: Keiichiro Hiraki. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Epitaxial silicon wafer and method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20200051817A1. Автор: Toshiaki Ono,Kazuya Kodani,Kazuhisa TORIGOE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for setting a nitrogen concentration of a silicon epitaxial film in manufacturing an epitaxial silicon wafer

Номер патента: US11888036B2. Автор: Toshiaki Ono,Kazuya Kodani,Kazuhisa TORIGOE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of forming epitaxial silicon layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US20200144401A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Po-Jung Chiang,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of forming epitaxial silicon layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US20190131439A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Po-Jung Chiang,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Methods of Forming Semiconductor Devices in a Layer of Epitaxial Silicon Carbide

Номер патента: US20230361196A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: Infineon Techmologies Ag. Дата публикации: 2023-11-09.

Wafer bow reduction in composite wafer comprising a silicon wafer and a silicon carbide epitaxial layer

Номер патента: EP3245667A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2017-11-22.

Methods and structures for preparing single crystal silicon wafers for use as substrates for epitaxial growth of crack-free gallium nitride FILMS and devices

Номер патента: US9337024B2. Автор: Ananda H. Kumar. Владелец: Siramics Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor wafer having epitaxial layer

Номер патента: US20210376088A1. Автор: Christian HÄGER,Norbert Werner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2021-12-02.

Pedestal, epitaxially growing equipment, method of vapor-phase growing and epitaxial silicon wafer

Номер патента: CN106057724B. Автор: 稗田大辅,内野仁,楠本龙雄. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-09-27.

The method for evaluating quality of Silicon Wafer, the manufacture method of Silicon Wafer and Silicon Wafer

Номер патента: CN107039300A. Автор: 西村雅史,田中宏知. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-08-11.

Method of evaluating impurity gettering capability of epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20200203178A1. Автор: Satoshi Shigematsu,Kazunari Kurita,Ryosuke Okuyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of evaluating impurity gettering capability of epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US10861709B2. Автор: Satoshi Shigematsu,Kazunari Kurita,Ryosuke Okuyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Epitaxial silicon wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US20120112190A1. Автор: Akira Inoue,Masahiro Yoshikawa,Tadashi Kawashima,Yoshiya Yoshida. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Oxygen precipitation in heavily doped silicon wafers sliced from ingots grown by the Czochralski method

Номер патента: US09634098B2. Автор: Robert J. Falster,Vladimir V. Voronkov. Владелец: SunEdison Semiconductor Pty Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon-on-nothing transistor semiconductor structure with channel epitaxial silicon region

Номер патента: US09620506B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Atomic layer deposition epitaxial silicon growth for tft flash memory cell

Номер патента: US20130200384A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Method for reducing stacking faults in silicon carbide, and structure created by means of said method

Номер патента: EP4415024A1. Автор: Kiyoshi Kojima,Jun Sasaki,Tadaaki Kaneko,Kohei Toda,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for doping silicon wafers

Номер патента: GB1056570A. Автор: . Владелец: CSF Compagnie Generale de Telegraphie sans Fil SA. Дата публикации: 1967-01-25.

Epitaxial silicon wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US20120112319A1. Автор: Akira Inoue,Masahiro Yoshikawa,Tadashi Kawashima,Yoshiya Yoshida,Kazuhiro Iriguchi,Toshiyuki Isami. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Elimination of stacking faults in silicon devices: a gettering process

Номер патента: CA1046166A. Автор: Pierre M. Petroff,George A. Rozgonyi. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1979-01-09.

Silicon wafer and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230307505A1. Автор: Toshiaki Ono,Kazuhisa TORIGOE,Shunya Kawaguchi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Thermal treatment method of silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US20120241912A1. Автор: Koji Araki,Takeshi Senda. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Silicon wafer heat treatment method

Номер патента: US09708726B2. Автор: wei feng Qu,Fumio Tahara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Double side polished wafers having external gettering sites, and method of producing same

Номер патента: US20030224603A1. Автор: Timothy Brown,Sergei Koveshnikov,David Beauchaine,Romony San. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Silicon wafer and method for producing the same

Номер патента: US20140103492A1. Автор: Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Susumu Sonokawa,Hisayuki Saito. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Epitaxially coated silicon wafer with <110> orientation and method for producing it

Номер патента: SG176450A1. Автор: Daub Erich,Oelkrug Hans,Schmelmer Oliver. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-12-29.

EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20190181007A1. Автор: Kawashima Tadashi,NONAKA Naoya,OOKUBO Katsuya. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-13.

METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20150184314A1. Автор: Masuda Sumihisa,Narahara Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20180197751A1. Автор: KOIKE Yasuo,Ono Toshiaki,KATANO Tomokazu. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-12.

Thinned wafer having stress dispersion parts and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20090001520A1. Автор: Sung Ho Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Thinned wafer having stress dispersion parts and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US7800201B2. Автор: Sung Ho Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-21.

Epitaxial silicon wafer and production method thereof

Номер патента: US20120056307A1. Автор: Takayuki Kihara,Yasuyuki Hashimoto,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Epitaxial-silicon-wafer manufacturing method and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US09818609B2. Автор: Toshiaki Ono,Kazuhisa TORIGOE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of producing epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20190338443A1. Автор: Masayuki Tsuji,Motonori Nakamura. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Epitaxial-silicon-wafer manufacturing method and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20170011918A1. Автор: Toshiaki Ono,Kazuhisa TORIGOE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Method and apparatus for low temperature, low pressure chemical vapor deposition of epitaxial silicon layers

Номер патента: CA1328796C. Автор: Bernard Steele Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

Method of polishing silicon wafer and method of producing epitaxial wafer

Номер патента: US09824880B2. Автор: Hideki Sato. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon wafer manufacturing method

Номер патента: US20240203745A1. Автор: Tatsuo Abe,Yuki Tanaka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for producing silicon wafer

Номер патента: EP4328958A1. Автор: Tatsuo Abe,Yuki Tanaka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Method of analyzing metal contamination of silicon wafer and method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20190371616A1. Автор: Taisuke Mizuno. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor silicon wafer cleaning treatment apparatus and cleaning method

Номер патента: EP3866185A1. Автор: Kensaku Igarashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

Process for etching a silicon wafer

Номер патента: WO2000072368A9. Автор: Anca Stefanescu,Henry F Erk,Tom Doane,Judy Schmidt. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2002-04-18.

Method for producing diamond laminated silicon wafer, and diamond laminated silicon wafer

Номер патента: EP3656896A1. Автор: Yoshihiro Koga. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-05-27.

Method for the prevention of misfit dislocation in silicon wafer and silicon wafer structure manufactured thereby

Номер патента: US5828114A. Автор: Ho Jun Lee,Choong Ki Kim,Chul Hi Han. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1998-10-27.

Method of processing silicon wafer

Номер патента: US7601642B2. Автор: Sakae Koyata,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Method for cleaning silicon wafer

Номер патента: US11878329B2. Автор: Tatsuo Abe,Kensaku Igarashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Polishing pad, polishing apparatus and a method for polishing silicon wafer

Номер патента: US11471997B2. Автор: Yue Xie,Youhe Sha. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-10-18.

Polishing pad, polishing apparatus and a method for polishing silicon wafer

Номер патента: US20220009051A1. Автор: Yue Xie,Youhe Sha. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of cleaning silicon wafer, method of manufacturing silicon wafer, and silicon wafer

Номер патента: US20240120192A1. Автор: Tatsuo Abe,Kota Fujii. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for etching silicon wafer

Номер патента: US20230178390A1. Автор: Kuniaki Oonishi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for cleaning silicon wafer, method for producing silicon wafer, and silicon wafer

Номер патента: EP4307347A1. Автор: Tatsuo Abe,Kota Fujii. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Method for polishing silicon wafer with reduced wear on carrier, and polishing liquid used therein

Номер патента: US20230178376A1. Автор: Eiichiro ISHIMIZU,Hayato Yamaguchi,Yusuke Tanatsugu. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of protecting silicon wafers during wet chemical etching

Номер патента: US5879572A. Автор: Joseph Keith Folsom,Johnna Lee Haller,Dan Wesley Chilcott. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1999-03-09.

Silicon wafer cleaning fluid with HN03, HF, HCl, surfactant, and water

Номер патента: US5635463A. Автор: Hisashi Muraoka. Владелец: Purex Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a silicon wafer is provided at its surface with field oxide regions

Номер патента: CA1330195C. Автор: Paulus A. Van Der Plas,Wilhelmina C. E. Snels. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1994-06-14.

Improved method of antisotropically etching silicon, wafers and wafer etching solution.

Номер патента: MY105972A. Автор: Wilbur Austin Larry,George Linde Harold. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1995-02-28.

Composition for post-polishing to be used after primary polishing of silicon wafers

Номер патента: US11884844B2. Автор: Eiichiro ISHIMIZU,Hibiki ISHIJIMA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Composition for post-polishing to be used after primary polishing of silicon wafers

Номер патента: US20230416569A1. Автор: Eiichiro ISHIMIZU,Hibiki ISHIJIMA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Surface Treatment Method for Atomically Flattening a Silicon Wafer and Heat Treatment Apparatus

Номер патента: US20160276171A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Akinobu Teramoto,Tomoyuki Suwa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-09-22.

Silicon wafer for an electronic component and method for the production thereof

Номер патента: US11915922B2. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger,Frank Siebke. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for polishing silicon wafer with reduced wear on carrier, and polishing liquid used therein

Номер патента: US11984320B2. Автор: Eiichiro ISHIMIZU,Hayato Yamaguchi,Yusuke Tanatsugu. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Prevention of edge stain in silicon wafers by oxygen annealing

Номер патента: US5893982A. Автор: Masami Nakano,Jim Woodling. Владелец: SEH America Inc. Дата публикации: 1999-04-13.

Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing

Номер патента: US5637151A. Автор: Peter Schulz. Владелец: Siemens Components Inc. Дата публикации: 1997-06-10.

Method of polishing silicon wafer

Номер патента: US11890719B2. Автор: SHUHEI Matsuda. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Prevention of edge stain in silicon wafers by ozone dipping

Номер патента: MY123896A. Автор: Masami Nakano,Jim Woodling. Владелец: SEH America Inc. Дата публикации: 2006-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor wafer having an SOI configuration

Номер патента: US09842762B1. Автор: Berthold Reimer,Boris Bayha. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing epitaxial silicon wafer, method for manufacturing epitaxial silicon wafer and solid imaging element

Номер патента: TWI688002B. Автор: 柾田亜由美. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-11.

Method of manufacturing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of manufacturing solid-state imaging device

Номер патента: KR20190017039A. Автор: 아유미 마사다. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2019-02-19.

Method for manufacturing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method for manufacturing solid-state imaging element

Номер патента: TW201826396A. Автор: 柾田亜由美. Владелец: Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2018-07-16.

Selective etching of amorphous silicon over epitaxial silicon

Номер патента: US09991129B1. Автор: Robert Jan Visser,Geetika Bajaj,Prerna Sonthalia Goradia. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

SUSCEPTOR, VAPOR DEPOSITION APPARATUS, VAPOR DEPOSITION METHOD AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20160300753A1. Автор: HIEDA Daisuke,UCHINO Hisashi,KUSUMOTO Tatsuo. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-10-13.

Polycrystalline Silicon Wafer

Номер патента: US20150108490A1. Автор: Ryo Suzuki,Hiroshi Takamura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

Selective etching of silicon wafer

Номер патента: US20150357197A1. Автор: Brown C. Peethala,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel,Allan Upham,Da Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for producing epitaxial silicon carbide wafer

Номер патента: US09957639B2. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Epitaxial silicon wafer, and method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20190181007A1. Автор: Tadashi Kawashima,Naoya Nonaka,Katsuya Ookubo. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Epitaxial silicon wafer and method for producing the epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20170076959A1. Автор: Toshiaki Ono,Jun Fujise. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Epitaxial silicon wafer and method for producing the same

Номер патента: EP2130953A3. Автор: Seiji Sugimoto,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Epitaxial silicon wafer and fabrication method thereof

Номер патента: US20110239931A1. Автор: Masato Sakai,Shinji Nakahara,Masaya Sakurai,Takayuki Dohi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Production method of epitaxial silicon wafer and vapor deposition apparatus

Номер патента: US20160083836A1. Автор: Hitoshi Takamiya,Kan Yoshitake,Motoki GOTO,Yusuke Kurozumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20180204960A1. Автор: Toshiaki Ono,Kazuhisa TORIGOE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Epitaxial silicon wafer, method for producing same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230317761A1. Автор: Ryo Hirose,Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Susceptor, epitaxial growth apparatus, method of producing epitaxial silicon wafer, and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US11984346B2. Автор: Kazuhiro Narahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Epitaxial silicon carbide single crystal wafer and process for producing the same

Номер патента: US20170365463A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Epitaxial silicon carbide single crystal wafer and process for producing the same

Номер патента: US20200312656A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for producing epitaxial silicon carbide wafers

Номер патента: US20170159208A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20040023518A1. Автор: Yuichi Matsumoto,Norihiro Kobayashi,Shoji Akiyama,Masaru Shinomiya,Masaro Tamatsuka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Method of manufacturing silicon wafers

Номер патента: US20240339315A1. Автор: Susumu Maeda,Hisashi Matsumura,Haruo Sudo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Single crystalline silicon wafer, ingot, and producing method thereof

Номер патента: US6858077B2. Автор: Hong-Woo Lee,Joon-Young Choi,Hyon-Jong Cho,Hak-Do Yoo. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2005-02-22.

Method of reducing wrap imparted to silicon wafer by semiconductor layers

Номер патента: US12004344B2. Автор: Toshiaki Ono,Bong-Gyun Ko. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of evaluating silicon wafer manufacturing process and method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20200365472A1. Автор: SHUHEI Matsuda,Shigeru Daigo. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Methods for high temperature water rinsing and drying of silicon wafers after being cleaned in hydrofluoric acid

Номер патента: US5681397A. Автор: Li Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-10-28.

Device for degumming and inserting silicon wafers and method for processing silicon wafers

Номер патента: US11749538B2. Автор: Hong Li,Jian Jing,HONG Chen,Jun Wang,Guangquan Zhang,Jiangshui ZHANG,Pucha HU. Владелец: Hangzhou Zhongwei Photoelectricity Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Device for conveying and dispersing silicon wafers

Номер патента: US11728186B2. Автор: Hong Li,Jian Jing,HONG Chen,Jun Wang,Zhe Liu,Guangquan Zhang,Jiangshui ZHANG,You HUANG,Yongjian FANG. Владелец: Hangzhou Zhongwei Photoelectricity Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Wafer separation apparatus and method, and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20240213050A1. Автор: Tomohiro Hashii,Sumihisa Masuda,Yasunori Yoshioka,Tsukasa Yoshihara,Kawahito SHINICHI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Silicon wafer

Номер патента: US20200083060A1. Автор: Toshiaki Ono,Shigeru Umeno. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for producing a boron emitter on a silicon wafer

Номер патента: US20240063323A1. Автор: Stefan Peters,Enrico Jarzembowski,Maximilian Kauert. Владелец: HANWHA Q CELLS GMBH. Дата публикации: 2024-02-22.

Low temperature process for forming intermetal gap-filling insulating layers in silicon wafer integrated circuitry

Номер патента: US6479881B2. Автор: Ying-Lang Wang,Chun-Ching Tsan,Jowei Dun,Hung-Ju Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Silicon wafer with a plurality of chip patterns

Номер патента: US09559090B2. Автор: Tatsuro Takagaki. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Stacking fault reduction in epitaxially grown silicon

Номер патента: US20080006876A1. Автор: Yun-Yu Wang,Scott Luning,Judson R. Holt,Christopher D. Sheraw,Woo-Hyeong Lee,Linda Black. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-01-10.

Stacking fault reduction in epitaxially grown silicon

Номер патента: US20080268609A1. Автор: Yun-Yu Wang,Scott Luning,Judson R. Holt,Christopher D. Sheraw,Woo-Hyeong Lee,Linda Black. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Degumming and wafer-inserting machine and silicon wafer processing method

Номер патента: EP4358122A1. Автор: Hong Li,Jian Jing,HONG Chen,Jun Wang,Guangquan Zhang,Longhui XIE,Jiangshui ZHANG,Pucha HU. Владелец: Zhejiang Qiushi Semiconductor Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Method of polishing silicon wafer and method of producing silicon wafer

Номер патента: US20240025008A1. Автор: Masahiro Murakami,Ryoya Terakawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for evaluating silicon wafer and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: US11222780B2. Автор: Tatsuo Abe,Kensaku Igarashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

Method for evaluating silicon wafer and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20200203233A1. Автор: Tatsuo Abe,Kensaku Igarashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Rinsing agent composition for silicon wafers

Номер патента: US20190249122A1. Автор: Yohei Uchida. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of forming a layer of silicon carbide on a silicon wafer

Номер патента: US20070101928A1. Автор: Andre Leycuras. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2007-05-10.

Manufacturing method for semiconductor silicon wafer

Номер патента: US12046469B2. Автор: Takeshi Senda,Shingo Narimatsu. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of polishing silicon wafer

Номер патента: US20090298394A1. Автор: Takeo Katoh,Ryuichi Tanimoto,Takeru Takushima,Shinichi Ogata,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Epitaxially coated silicon wafer and method for producing epitaxially coated silicon wafers

Номер патента: SG131085A1. Автор: Reinhard Schauer,Dr Thorsten Schneppensieper. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2007-04-26.

Process for preserving the surface of silicon wafers

Номер патента: US4973563A. Автор: Gerhard Brehm,Helene Prigge,Anton Schnegg. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 1990-11-27.

System and method for processing silicon wafers

Номер патента: EP4276890A1. Автор: Tom Wu,Andrei Istratov,Katharina Zahnweh. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-11-15.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20240240355A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and device for doping, diffusion and oxidation of silicon wafers under reduced pressure

Номер патента: US7524745B2. Автор: Yvon Pellegrin. Владелец: SEMCO ENGINEERING SA. Дата публикации: 2009-04-28.

Oxidation of silicon wafers

Номер патента: GB2082384A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-03-03.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: WO2024155595A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Polycrystalline silicon ingot, preparation method thereof, and polycrystalline silicon wafer

Номер патента: US09562304B2. Автор: Qi Lei,Tao Zhang,Liang He,Yuepeng Wan,Dongli Hu,Hongrong Chen,Dejing Zhong. Владелец: LDK Solar Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Wet etching of the edge and bevel of a silicon wafer

Номер патента: WO2006060752A3. Автор: Herman Itzkowitz,John Taddei. Владелец: John Taddei. Дата публикации: 2009-04-23.

Silicon wafer coated with a passivation layer

Номер патента: WO2013180857A1. Автор: Guy Beaucarne,Pierre Descamps,Syed Salman ASAD,Partrick Leempoel,Vincent Kaiser. Владелец: Dow Corning Corporation. Дата публикации: 2013-12-05.

Silicon wafer coated with a passivation layer

Номер патента: EP2856509A1. Автор: Guy Beaucarne,Pierre Descamps,Syed Salman ASAD,Partrick Leempoel,Vincent Kaiser. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2015-04-08.

Silicon wafer and method for producing same

Номер патента: US20090000537A1. Автор: Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Silicon wafer and method for producing same

Номер патента: US20070175385A1. Автор: Sazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for selectively establishing regions of different surface charge densities in a silicon wafer

Номер патента: US3867196A. Автор: Paul Richman. Владелец: Smc Microsystems Corp. Дата публикации: 1975-02-18.

Methods for depositing layers having reduced interfacial contamination

Номер патента: WO2010102089A2. Автор: Yihwan Kim,Satheesh Kuppurao,Jean R. Vatus,Jinsong Tang,Errol Sanchez. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-09-10.

Method for manufacturing wafer having functional film

Номер патента: US20230369037A1. Автор: Suguru Sassa,Tomoya Ohashi. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

SINGLE CRYSTAL SILICON PRODUCTION METHOD, EPITAXIAL SILICON WAFER PRODUCTION METHOD, SINGLE CRYSTAL SILICON, AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20200135460A1. Автор: Maegawa Koichi,OGAWA Fukuo,NARUSHIMA Yasuhito,KAWAKAMI Yasufumi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-30.

Methods of forming product wafers having semiconductor light-emitting devices to improve emission wavelength uniformity

Номер патента: SG10201800590YA. Автор: M Hawryluk Andrew. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Methods of Forming Product Wafers Having Semiconductor Light-Emitting Devices To Improve Emission Wavelength Uniformity

Номер патента: US20180226535A1. Автор: Andrew M. Hawryluk. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Wafer having step and method for manufacturing wafer having step

Номер патента: US20180136560A1. Автор: Naoyuki Takeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Epitaxial silicon wafer manufacturing method, epitaxial silicon wafer, and solid-state imaging device manufacturing method

Номер патента: JP5776669B2. Автор: 武門野. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-09-09.

MOSFET structure with T-shaped epitaxial silicon channel

Номер патента: US09653545B2. Автор: Wei-Hao Wu,Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu,Mahaveer Sathaiya Dhanyakumar. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method and structure of a surface-mounting type diode co-constructed from a silicon wafer and a base plate

Номер патента: US20110272777A1. Автор: Paul Wu,Wen-Ping Huang. Владелец: FORMOSA MICROSEMI Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-10.

METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER, EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGE SENSING DEVICE

Номер патента: US20190189442A1. Автор: MASADA Ayumi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-20.

Epitaxial silicon germanium fin formation using sacrificial silicon fin templates

Номер патента: US09911601B2. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of forming epitaxial silicon layer and semiconductor device thereof

METHOD OF FORMING EPITAXIAL SILICON LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE THEREOF

Номер патента: US20200144401A1. Автор: Tu Yeur-Luen,Cheng Yu-Hung,Chiang Po-Jung,Chen Yen-Hsiu. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Epitaxial silicon carbide single crystal substrate and manufacture method thereof

Номер патента: CN103370454B. Автор: 蓝乡崇,柘植弘志,胜野正和,藤本辰雄,矢代弘克,伊藤涉. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2015-09-09.

Epitaxial silicon carbide single crystal substrate manufacturing method

Номер патента: JP5445694B2. Автор: 伊藤　　渉,辰雄藤本,正和勝野,弘志柘植,崇藍郷,弘克矢代. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2014-03-19.

Epitaxial silicon growth

Номер патента: US20090095997A1. Автор: DU Li,David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Method for manufacturing silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US20240304458A1. Автор: Susumu Maeda,Hisashi Matsumura,Tatsuhiko Aoki,Toru Yamashita,Haruo Sudo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Optically flat surfaces on processed silicon wafers

Номер патента: WO1989012318A1. Автор: Philip G. Reif,Murray S. Welkowsky,Norman W. Goodwin,P.K. Vasudev. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1989-12-14.

METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER, EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD OF PRODUCING SOLID-STATE IMAGE SENSING DEVICE

Номер патента: US20160293426A1. Автор: Kadono Takeshi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-10-06.

Epitaxy silicon wafer and fabricating method thereof

Номер патента: TW201013753A. Автор: Koji Matsumoto,Naoshi Adachi,Eiichi Asayama,Kazuhisa TORIGOE,Tamio Motoyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Method for producing epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20120156878A1. Автор: Shinichi Ogata,Shunsuke Mikuriya,Hironori Nishimura,Yuichi Nakayoshi,Shigeru Okuuchi,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

MANUFACTURING METHOD OF EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20160035583A1. Автор: Ono Toshiaki,TORIGOE Kazuhisa. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-02-04.

Method for producing epitaxial silicon wafer

Номер патента: KR101390307B1. Автор: 유이치 나카요시,히로노리 니시무라. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2014-04-29.

Method of manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: JP6477210B2. Автор: 正川島,直哉野中. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-03-06.

Process for producing an epitaxial silicon wafer

Номер патента: DE112010003306T5. Автор: Hironori Nishimura,Yuichi Nakayoshi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: KR102036596B1. Автор: 나오야 노나카,타다시 가와시마. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2019-10-25.

Method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: CN107533959B. Автор: 川岛正,野中直哉. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Multilayer epitaxial silicon single crystal wafer manufacturing method and multilayer epitaxial silicon single crystal wafer

Номер патента: JP4600086B2. Автор: 晃一金谷. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Method for manufacturing multilayer epitaxial silicon single crystal wafer, and multilayer epitaxial silicon single crystal wafer

Номер патента: CN101128919A. Автор: 金谷晃一. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-20.

Applying epitaxial silicon in disposable spacer flow

Номер патента: US20080128820A1. Автор: Er-Xuan Ping,Chin-Chen Cho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-06-05.

Applying epitaxial silicon in disposable spacer flow

Номер патента: US7342273B2. Автор: Er-Xuan Ping,Chih-Chen Cho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-11.

Applying epitaxial silicon in disposable spacer flow

Номер патента: US20040219756A1. Автор: Er-Xuan Ping,Chih-Chen Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Applying epitaxial silicon in disposable spacer flow

Номер патента: US6756264B2. Автор: Er-Xuan Ping,Chih-Chen Cho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-29.

Applying epitaxial silicon in disposable spacer flow

Номер патента: US7884427B2. Автор: Er-Xuan Ping,Chin-Chen Cho. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-02-08.

Production of a silicon wafer used in the production of a semiconductor component comprises treating the cleaned wafer with an aqueous ozone solution, coating with polycrystalline silicon, finely grinding, and epitaxially growing the wafer

Номер патента: DE10239775B3. Автор: Helmut Dr. Schwenk,Günter Matuszak. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2004-05-13.

Devices and methods related to radio-frequency switches having reduced-resistance metal layout

Номер патента: US09741653B2. Автор: Yu Zhu,Guillaume Alexandre Blin,Ambarish Roy. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of forming silicon-on-insulator wafer having reentrant shape dielectric trenches

Номер патента: US20070249144A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Devices and methods related to radio-frequency switches having reduced-resistance metal layout

Номер патента: EP2851956A2. Автор: Yu Zhu,Guillaume Alexandre Blin,Ambarish Roy. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-03-25.

Transistors having reduced parasitics and enhanced performance

Номер патента: US11705487B2. Автор: Yun Shi,John Tzung-Yin LEE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

An epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof

Номер патента: WO2000034999A9. Автор: Charles C Yang,Gregory M Wilson,Jon A Rossi. Владелец: Jon A Rossi. Дата публикации: 2001-04-19.

An epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof

Номер патента: WO2000034999A3. Автор: Charles C Yang,Gregory M Wilson,Jon A Rossi. Владелец: Jon A Rossi. Дата публикации: 2000-11-16.

A method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering

Номер патента: EP1192650A2. Автор: Charles Chiun-Chieh MEMC El. Mat. Inc. YANG,Darrell D. MEMC Elec. Materials Inc. WATKINS. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2002-04-03.

Ideal oxygen precipitating epitaxial silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor

Номер патента: US6306733B1. Автор: Robert Falster,Marco Cornara,Daniela Gambaro,Massimiliano Olmo. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS SPA. Дата публикации: 2001-10-23.

Process for metallic contamination reduction in silicon wafers

Номер патента: EP1743364A2. Автор: L. W. c/o MEMC Electronic Materials Inc. SHIVE,B. L. c/o MEMC Electronic Materials Inc. GILMORE. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2007-01-17.

Process for metallic contamination reduction in silicon wafers

Номер патента: EP1743364B1. Автор: L. W. c/o MEMC Electronic Materials Inc. SHIVE,B. L. c/o MEMC Electronic Materials Inc. GILMORE. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2011-12-28.

Hybrid Silicon Wafer

Номер патента: US20120181536A1. Автор: Ryo Suzuki,Hiroshi Takamura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Production method for silicon wafer

Номер патента: EP1335421B1. Автор: Satoshi c/o SHIN-ETSU HANDOTAI CO. LTD TOBE,Ken c/o SHIN-ETSU HANDOTAI CO. LTD AIHARA. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-29.

Process for the preparation of silicon wafers having a controlled distribution of oxygen precipitate nucleation centers

Номер патента: MY133394A. Автор: Robert Falster. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2007-11-30.

Process for preparing an ideal oxygen precipitating silicon wafer

Номер патента: EP1110240A1. Автор: Robert J. Falster. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2001-06-27.

Process for the preparation of an ideal oxygen precipitating silicon wafer capable of forming an enhanced denuded zone

Номер патента: US20030221609A1. Автор: Robert Falster. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2003-12-04.

Process for preparing an ideal oxygen precipitating silicon wafer

Номер патента: WO2000013226A9. Автор: Robert J Falster. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2001-11-22.

Ideal oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor

Номер патента: US5994761A. Автор: Robert Falster,Marco Cornara,Daniela Gambaro,Massimiliano Olmo. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS SPA. Дата публикации: 1999-11-30.

Ideal oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor

Номер патента: MY132868A. Автор: Marco Cornara,Daniela Gambaro,Massimiliano Olmo,Robert J Falster. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2007-10-31.

Method for manufacturing a wafer having a microdefect-free layer of a precisely predetermined depth

Номер патента: US5961713A. Автор: Witawat Wijaranakula. Владелец: SEH America Inc. Дата публикации: 1999-10-05.

Method of making direct bonded wafers having a void free interface

Номер патента: US4939101A. Автор: Robert D. Black,Robert S. Gilmore,II Homer H. Glascock,Stephen D. Arthur. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1990-07-03.

MANUFACTURING METHOD OF EPITAXIAL SILICON WAFER, AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20140001605A1. Автор: Kawashima Tadashi,SHINAGAWA Masayuki,NONAKA Naoya,UESONO Gou. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Silicon wafer surface passivation by magnetron sputtering

Номер патента: RU2614080C1. Автор: Евгений Иванович Теруков,Алексей Валерьевич Кукин,Илья Александрович Няпшаев,Алексей Станиславович Абрамов,Дмитрий Львович Орехов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе", ООО "НТЦ ТПТ". Дата публикации: 2017-03-22.

Method for making silicon wafers

Номер патента: US4597822A. Автор: John L. Benjamin,William R. Van Dell. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-07-01.

Soi structured semiconductor silicon wafer and method of making the same

Номер патента: US20230133092A1. Автор: MENG CHEN,XING Wei,Minghao LI,Hongtao Xu,Ziwen Wang,Rongwang DAI. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of heat treating silicon wafer

Номер патента: US20100197146A1. Автор: Eiji Toyoda,Susumu Maeda,Koji Araki,Tatsuhiko Aoki,Kazuhiko Kashima,Haruo Sudo,Takeshi Senda,Hiromichi Isogai,Koji Izunome,Kumiko Murayama. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Method for manufacturing a semiconductor substrate having a compound semiconductor layer on a single-crystal silicon wafer

Номер патента: US5244830A. Автор: Kyoung-Soo Lee,Sang-Won Kang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1993-09-14.

Method for removing crystal defects in silicon wafers

Номер патента: US5902135A. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-05-11.

Silicon wafer manufacturing method

Номер патента: EP1983562A2. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-22.

Silicon wafer and its manufacturing method

Номер патента: EP1959486A3. Автор: Toshiaki Ono,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-05-30.

Method for etching silicon wafer

Номер патента: US20240006182A1. Автор: Jing Wang,Zhongwei Jiang,Haiyun ZHU. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Plane polishing method of silicon wafer and processing method of silicon wafer

Номер патента: US20200357656A1. Автор: Wooicheang Goh,Kahkeen Lai,Lieng Loo. Владелец: AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Plane polishing method of silicon wafer and processing method of silicon wafer

Номер патента: US10818511B1. Автор: Wooicheang Goh,Kahkeen Lai,Lieng Loo. Владелец: AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Silicon wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: SG172581A1. Автор: Tatsuhiko Matake. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-07-28.

Silicon wafer and production method thereof

Номер патента: US20090252944A1. Автор: Naoki Ikeda,Kazunari Kurita,Shuichi Omote. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

SILICON-ON-NOTHING TRANSISTOR SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH CHANNEL EPITAXIAL SILICON REGION

Номер патента: US20170179137A1. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,Liu Qing,Khare Prasanna,DORIS Bruce,Allegret-Maret Stephane. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Linearity and Lateral Isolation in a BiCMOS Process Through Counter-Doping Of Epitaxial Silicon Region

Номер патента: US20180323186A1. Автор: Hurwitz Paul D.,Preisler Edward J.,Moen Kurt A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Methods of forming a layer comprising epitaxial silicon, and methods of forming field effect transistors

Номер патента: US7531395B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Cem Basceri,Eric R. Blomiley,Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-12.

Method of forming a layer comprising epitaxial silicon

Номер патента: US7439136B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Cem Basceri,Eric R. Blomiley,Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-21.

Silicon-on-nothing transistor semiconductor structure with channel epitaxial silicon-germanium region

Номер патента: US09620507B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Method For Growing Multiple Layers of Source Drain Epitaxial Silicon in FDSOI Process

Номер патента: US20230274984A1. Автор: PENG Zhao,Nan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20200161424A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US10566424B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20180097064A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-05.

Method of evaluating metal contamination in boron-doped p-type silicon wafer, device of evaluating metal contamination in boron-doped p-type silicon wafer, and method of manufacturing boron-doped p-type silicon wafer

Номер патента: US20160079129A1. Автор: Shinya Fukushima,Tsuyoshi Kubota. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of evaluating metal contamination in boron-doped P-type silicon wafer, device of evaluating metal contamination in boron-doped P-type silicon wafer, and method of manufacturing boron-doped P-type silicon wafer

Номер патента: US09935020B2. Автор: Shinya Fukushima,Tsuyoshi Kubota. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Processes for suppressing minority carrier lifetime degradation in silicon wafers

Номер патента: MY181635A. Автор: Vladimir V Voronkov,Robert J Falster. Владелец: Memc Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Processes for suppressing minority carrier lifetime degradation in silicon wafers

Номер патента: EP2715805A1. Автор: Robert J. Falster,Vladimir V. Voronkov. Владелец: SunEdison Products Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Processes for suppressing minority carrier lifetime degradation in silicon wafers

Номер патента: WO2012167104A4. Автор: Robert J. Falster,Vladimir V. Voronkov. Владелец: Memc Singapore Pte, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-28.

Processes for suppressing minority carrier lifetime degradation in silicon wafers

Номер патента: SG194904A1. Автор: Vladimir V Voronkov,Robert J Falster. Владелец: Memc Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-12-30.

Silicon wafers with suppressed minority carrier lifetime degradation

Номер патента: US20150123248A1. Автор: Robert J. Falster,Vladimir Voronkov. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Polycrystalline silicon ingot, polycrystalline silicon brick and polycrystalline silicon wafer

Номер патента: US20170016143A1. Автор: Wen-Huai Yu,Cheng-Jui Yang,Yu-Min YANG,Sung-Lin Hsu,Wen-Ching Hsu,Hung-Sheng CHOU. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Method for making CMOS device having reduced parasitic capacitance

Номер патента: US5627097A. Автор: Suresh Venkatesan,Stephen Poon,Jeffrey Lutze. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-05-06.

Bucket-brigade delay line having reduced parasitic capacitances and method for making the same

Номер патента: US4002513A. Автор: Mark B. Barron,Walter J. Butler,Bruno F. Kurz, deceased. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1977-01-11.

Epitaxial silicon wafer manufacturing method

Номер патента: JP4824926B2. Автор: 悠一那須,和宏楢原. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2011-11-30.

Method for producing epitaxial silicon wafer

Номер патента: TW200623254A. Автор: Yuichi Nasu,Kazuhiro Narahara. Владелец: Komatsu Denshi Kinzoku Kk. Дата публикации: 2006-07-01.

Method For Producing Epitaxial Silicon Wafer

Номер патента: US20080131605A1. Автор: Yuichi Nasu,Kazuhiro Narahara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Epitaxial silicon wafer and method of making the same

Номер патента: DE112010002935T5. Автор: Akira Inoue,Masahiro Yoshikawa,Tadashi Kawashima,Yoshiya Yoshida,Kazuhiro Iriguchi,Toshiyuki Isami. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Epitaxial silicon wafer with crystal orientation and process for its preparation

Номер патента: DE102008026784A1. Автор: Erich Dr. Daub,Hans Dr. Oelkrug,Oliver Dr. Schmelmer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for processing a silicon wafer

Номер патента: US09934988B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Helmut Oefner,Sandeep Walia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

EPITAXIAL SILICON LAYER AND METHOD FOR YOUR DEPOSITION.

Номер патента: ES2084053T3. Автор: Bernard S Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-05-01.

Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers

Номер патента: US20140190529A1. Автор: Steven T. Mayer,Kousik Ganesan,Tariq Majid,Shanthinath Ghongadi,Aaron LaBrie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-10.

Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers

Номер патента: US09685353B2. Автор: Steven T. Mayer,Shantinath Ghongadi,Kousik Ganesan,Tariq Majid,Aaron LaBrie. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for predicting thermal donor generation behavior of silicon wafer, method for evaluating silicon wafer, and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: JP6669133B2. Автор: 敏昭小野,小野　敏昭,繁梅野,和尚鳥越,梅野　繁. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-03-18.

Silicon wafer for epitaxial wafer, epitaxial wafer, and method of manufacture thereof

Номер патента: EP1154048A4. Автор: Hideki Sato,Masahiro Kato,Ryuji Kono,Akihiro Kimura,Masaro Tamatsuka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-12.

A method for predicting thermal donor generation behavior of a silicon wafer, a method for evaluating a silicon wafer, and a method for manufacturing a silicon wafer

Номер патента: KR102305280B1. Автор: 토시아키 오노,시게루 우메노,카즈히사 도리고에. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2021-09-24.

Pixels with photodiodes formed from epitaxial silicon

Номер патента: US09812489B2. Автор: Daniel Tekleab. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Pixels with photodiodes formed from epitaxial silicon

Номер патента: US20170133426A1. Автор: Daniel Tekleab. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-11.

Selective etching process for SiGe and doped epitaxial silicon

Номер патента: US12062571B2. Автор: Krishna Chetry,Ganesan Radhakrishnan. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

SELECTIVE ETCHING PROCESS FOR SiGe AND DOPED EPITAXIAL SILICON

Номер патента: US20240038582A1. Автор: Krishna Chetry,Ganesan Radhakrishnan. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Selective etching process for si-ge and doped epitaxial silicon

Номер патента: WO2022186857A1. Автор: Krishna Chetry,Ganesan Radhakrishnan. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2022-09-09.

Self-aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size and improved electrical characteristics

Номер патента: US5061986A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-10-29.

Method of forming self aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size

Номер патента: US5227316A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Metal and alloy silicides on a single silicon wafer

Номер патента: US20090001588A1. Автор: Pushkar Ranade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of fabricating MEMS devices on a silicon wafer

Номер патента: US20050095742A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of measuring contact angle of silicon wafer and method of evaluating surface condition of silicon wafer

Номер патента: US20240344951A1. Автор: Ryosuke Takahashi,Shuichi Samata,Noritomo Mitsugi,Mami Kubota,Sayaka Makise. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Corrosion method of passivation layer of silicon wafer

Номер патента: US09812334B2. Автор: Qiliang Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Silicon wafer dividing method and apparatus

Номер патента: US7332415B2. Автор: Satoshi Kobayashi,Yukio Morishige,Yusuke Nagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2008-02-19.

Texturization method of silicon wafers, product obtained therefrom and preparation method of solar cells

Номер патента: US20190341509A1. Автор: Xusheng Wang,Fang Cao,Guoqiang Xing,Shuai ZOU,Xiaoya Ye. Владелец: CSI Cells Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Silicon wafer break pattern, silicon substrate, and method of generating silicon wafer break pattern

Номер патента: US20020164874A1. Автор: Yoshinao Miyata,Noriaki Okazawa,Akihisa Wanibe,Toshinao Shinbo,Hisashi Akachi,Tetsuya Akasu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-11-07.

Corrosion method of passivation layer of silicon wafer

Номер патента: US20150270139A1. Автор: Qiliang Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Method for doping silicon wafers using Al2 O3 /P2 O5 composition

Номер патента: US4891331A. Автор: James E. Rapp. Владелец: OI Neg TV Products Inc. Дата публикации: 1990-01-02.

Method of forming hexagonal silicon phase by implanting krypton ions in a film of silicon oxide on a monocrystalline silicon wafer

Номер патента: RU2710479C1. Автор: Давид Исаакович Тетельбаум,Алексей Николаевич Михайлов,Дмитрий Сергеевич Королев,Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин,Валерий Константинович Васильев,Алёна Андреевна Никольская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-12-26.

Process for producing macroscopic cavities beneath the surface of a silicon wafer

Номер патента: US20020086551A1. Автор: Charles Beetz,Robert Boerstler. Владелец: Nanosciences Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Methods of fabricating surgical blades from silicon wafers by etching

Номер патента: NZ551031A. Автор: Vadim Daskal,Joseph Keenan,James Hughes,Attila Kiss,Susan Chavez. Владелец: Becton Dickinson Co. Дата публикации: 2010-08-27.

Silicon wafer break pattern, silicon substrate, and method of generating silicon wafer break pattern

Номер патента: US20040121560A1. Автор: Yoshinao Miyata,Noriaki Okazawa,Akihisa Wanibe,Toshinao Shinbo,Hisashi Akachi,Tetsuya Akasu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Silicon wafer break pattern, silicon substrate, and method of generating silicon wafer break pattern

Номер патента: US6878609B2. Автор: Yoshinao Miyata,Noriaki Okazawa,Akihisa Wanibe,Toshinao Shinbo,Hisashi Akachi,Tetsuya Akasu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-04-12.

Alkaline Etching Liquid for Texturing a Silicon Wafer Surface

Номер патента: US20130334667A1. Автор: Konstantin Holdermann. Владелец: SolarWorld Industries America Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers

Номер патента: CA1220634A. Автор: Charles C. Payne. Владелец: Nalco Chemical Co. Дата публикации: 1987-04-21.

Apparatus for photoelectrochemical polishing of silicon wafers

Номер патента: US6319370B1. Автор: Lee Melbourne Cook,Lizhong Sun,James Shen. Владелец: Rodel Holdings Inc. Дата публикации: 2001-11-20.

Wafer having smooth surface

Номер патента: US20010055894A1. Автор: Avto Tavkhelidze,Amiran Bibilashvili,Zaza Samadashvili. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Method of singulating semiconductor wafer having back layer

Номер патента: US09564365B2. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

EPITAXIAL SILICON WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20200051817A1. Автор: Ono Toshiaki,KODANI Kazuya,TORIGOE Kazuhisa. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-02-13.

METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER, EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD OF PRODUCING SOLID-STATE IMAGE SENSING DEVICE

Номер патента: US20140134779A1. Автор: Kadono Takeshi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-15.

METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER, EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD OF PRODUCING SOLID-STATE IMAGE SENSING DEVICE

Номер патента: US20140134780A1. Автор: Kadono Takeshi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-15.

EPITAXIAL SILICON WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20160042974A1. Автор: Ono Toshiaki,UMENO Shigeru. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-02-11.

ATOMIC LAYER DEPOSITION EPITAXIAL SILICON GROWTH FOR TFT FLASH MEMORY CELL

Номер патента: US20130200384A1. Автор: MIENO FUMITAKE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2013-08-08.

Method and apparatus for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: US09758871B2. Автор: Kazuhiro Narahara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Improved purity silicon wafer for use in advanced semiconductor devices

Номер патента: US20010007241A1. Автор: Gerald Dietze,Zbigniew Radzimski,Sean Hanna. Владелец: SEH America Inc. Дата публикации: 2001-07-12.

Method for forming epitaxial silicon on insulator structures using oxidized porous silicon

Номер патента: US4910165A. Автор: Dim-Lee Kwong,Steven S. Lee. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1990-03-20.

EPITAXIAL-SILICON-WAFER MANUFACTURING METHOD AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20170011918A1. Автор: Ono Toshiaki,TORIGOE Kazuhisa. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2017-01-12.

Epitaxial silicon wafer and process for producing epitaxially coated silicon wafers

Номер патента: DE102009004557B4. Автор: Christian HÄGER,Georg Brenninger,Dr. Haberecht Jörg. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for producing epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: CN110603350A. Автор: 川岛正,野中直哉,沟上宪一. Владелец: Shenggao Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

Manufacturing method of epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: JP6973475B2. Автор: 正川島,直哉野中,憲一溝上. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-12-01.

METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER, EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD OF PRODUCING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20210083058A1. Автор: Kadono Takeshi,Kurita Kazunari. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Epitaxial silicon wafer and process for producing epitaxially coated silicon wafers

Номер патента: DE102009004557A1. Автор: Christian HÄGER,Jörg Dr. Haberecht,Georg Brenninger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2010-07-15.

Method of manufacturing epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: KR102279113B1. Автор: 나오야 노나카,타다시 가와시마,켄이치 미조가미. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2021-07-16.

Manufacturing method of epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: JPWO2018186248A1. Автор: 正川島,直哉野中,憲一溝上. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Process for producing epitaxial silicon wafer and silicon wafer produced by process thereof

Номер патента: US7258739B2. Автор: Toshiaki Ono,Masataka Hourai. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2007-08-21.

Silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: KR20230065174A. Автор: 토시아키 오노,야스히토 나루시마,나오야 노나카,코타로 코가,마사타카 호라이. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2023-05-11.

Substrates and methods of fabricating epitaxial silicon carbide structures with sequential emphasis

Номер патента: WO2011022520A1. Автор: LI Wang,Fred Kong,Leonie Hold,Sima Dimitrijev,Jisheng Han,Alan Iacopi,Herbert Barry Harrison,Philip Tanner. Владелец: Qs Semiconductor Australia Pty Ltd.. Дата публикации: 2011-02-24.

Device for manual alignment of silicon wafers prior to temporary splicing

Номер патента: RU2745297C1. Автор: Дмитрий Иванович Панин,Михаил Михайлович Шаховцев. Владелец: Обществом с ограниченной ответственностью "Маппер". Дата публикации: 2021-03-23.

Method for producing bonded silicon wafer

Номер патента: US20100068867A1. Автор: Akihiko Endo,Nobuyuki Morimoto,Hideki Nishihata,Tatsumi Kusaba. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Method of producing bonded silicon wafer

Номер патента: US20100167425A1. Автор: Takashi Sakai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for producing bonded silicon wafer

Номер патента: US7927957B2. Автор: Akihiko Endo,Nobuyuki Morimoto,Hideki Nishihata,Tatsumi Kusaba. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Silicon wafer protection film trimming method and trimmer

Номер патента: US6727461B2. Автор: Masahiro Lee. Владелец: Teikoku Taping System Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of processing silicon wafer and method of manufacturing liquid ejecting head

Номер патента: US20080233713A1. Автор: Yoshinao Miyata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Silicon wafer protection film trimming method and trimmer

Номер патента: US20030089692A1. Автор: Masahiro Lee. Владелец: Teikoku Taping System Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for producing photovoltaic cells and modules from silicon wafers

Номер патента: EP2022086A1. Автор: Göran Fajersson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-11.

Device and method for detecting bending and warping of silicon wafer of solar cell

Номер патента: EP3614421A1. Автор: Tietun SUN,Ping Tang,Weizhong YAO. Владелец: Changzhou EGing Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-26.

Method and apparatus for bonding protection film onto silicon wafer

Номер патента: US6773536B2. Автор: Masahiro Lee. Владелец: Teikoku Taping System Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-10.

Loading and unloading system for silicon wafer

Номер патента: US20240178030A1. Автор: Huan ZHOU,Xiang Shi,Jiaji Lin. Владелец: Laplace Wuxi Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Silicon wafer and method for filling silicon via thereof

Номер патента: US20230307293A1. Автор: Dengfeng Li,Wenlong Zhang. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Silicon wafer and method for filling silicon hole therein

Номер патента: EP4379773A1. Автор: Dengfeng Li,Wenlong Zhang. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER AND VAPOR PHASE GROWTH DEVICE

Номер патента: US20170338117A1. Автор: TSUJI Masayuki,Shimizu Akihiko,NISHIMURA Tomokazu. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2017-11-23.

METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFERS

Номер патента: US20190393032A1. Автор: Yamamoto Jun,Matsuda Shinya. Владелец: GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: KR101104635B1. Автор: 신이치 오가타,히로노리 니시무라,히데아키 킨바라,나오유키 와다,토시히로 오우치. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2012-01-12.

Epitaxial silicon wafer and method of making the same

Номер патента: DE112011101708T5. Автор: Hiroshi Takeno,Yutaka Shiga. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for manufacturing epitaxial silicon wafers

Номер патента: TWI445057B. Автор: Tomosuke Yoshida. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2014-07-11.

Method for handling a thin silicon wafer

Номер патента: US6884726B2. Автор: Pascal Gardes. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-04-26.

Method for forming active devices on and in exposed surfaces of both sides of a silicon wafer

Номер патента: US5739067A. Автор: Damon K. DeBusk,Bruce L. Pickelsimer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-04-14.

Silicon wafer for manufacturing soi wafer, soi wafer, and method for manufacturing soi wafer

Номер патента: US20080213989A1. Автор: Seiichi Nakamura,Tetsuya Nakai,Eiji Kamiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Method and device for separating silicon wafers

Номер патента: US20080146003A1. Автор: Per Arne Wang,Arne Ramsland,Ole Christian Tronrud,Erik Hjertaas,Bent Hammel,Andre Skeie,Ola Tronrud. Владелец: Rec Scanwafer As. Дата публикации: 2008-06-19.

System and method for monitoring moving and stepping silicon wafers

Номер патента: WO2024002008A1. Автор: Chen Wei,Hua Yang,Huan WANG,Dawei Wang,Zhijun Wu,Lihui Jin,Zhigao Ren,Hongxia CEN,Chuanling Al,Mingqiang GENG. Владелец: Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-04.

Solar cell silicon wafer carrying device and transmission system

Номер патента: US20190148195A1. Автор: Fenggang Zhang,Shicheng Yuan,Xixi Yang. Владелец: Beijing Juntai Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Method and device for treating silicon wafers

Номер патента: IL206426A0. Автор: . Владелец: Schmid Gmbh & Co Geb. Дата публикации: 2010-12-30.

Method and device for treating silicon wafers

Номер патента: CA2709384A1. Автор: Heinz Kappler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Silicon wafer transfer auxiliary device and slicing machine using silicon wafer transfer auxiliary device

Номер патента: WO2023237129A1. Автор: Chen Wei,Hua Yang,Dawei Wang,Zhijun Wu,Lihui Jin,Zhigao Ren,Haodong GUO,Chuanling AI,Hongxia CEN. Владелец: Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-14.

Silicon wafer processing device and method

Номер патента: US10782615B2. Автор: Gang Wang,Jie Jiang,Haijun Song,Yichao SHI,Dongliang Huang. Владелец: Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-22.

Heat treatment jig and heat treatment method for silicon wafer

Номер патента: US20090127746A1. Автор: Takeshi Hasegawa,Hiroyuki Shiraki,Yoshinobu Nakada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Silicon wafer carrier

Номер патента: US6355716B1. Автор: Satoshi Yamamoto,Kiyoshi Sugie,Takayoshi Numata,En Lai Zhang. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 2002-03-12.

Single crystal epitaxial silicon carbide layer structure having reduced carrot-like defects and method for manufacturing the same

Номер патента: JP5268354B2. Автор: ジョンオルーリンマイケル,ジョンスマケリスジョセフ. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Black wheels for transporting ultra-thin silicon wafer

Номер патента: WO2024041324A1. Автор: Feiyang Li,Muren BAO. Владелец: Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-side conveyor equipment for silicon wafers

Номер патента: WO2024087773A1. Автор: Chen Yang,Dawei Wang,Zhijun Wu,Rui WU,Ruipeng Li,Zhengmin CAO,Yao WAN,Mengcheng QU,Dawei BAI,Xianzheng YIN. Владелец: Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of cutting masking sheet to be used to process silicon wafer

Номер патента: US5808274A. Автор: Masahiro Lee. Владелец: Teikoku Taping System Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-15.

Facility and method for distributing a gas mixture for doping silicon wafers

Номер патента: US20230285911A1. Автор: Hervé Dulphy,Vanina Todorova. Владелец: Air Liquide Electronics Systems SA. Дата публикации: 2023-09-14.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method and a system for sealing an epitaxial silicon layer on a substrate

Номер патента: US20020127826A1. Автор: David Carlson,Dale Bois. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Power Module Having Reduced Intrinsic Inductance

Номер патента: US20240276633A1. Автор: Peter Weiss,Christoph Bauer. Владелец: AVL Software and Functions GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory devices and systems having reduced bit line to drain select gate shorting and associated methods

Номер патента: US09741734B2. Автор: Jun Zhao,Gordon Haller,Hongbin Zhu,Damir Fazil,Purnima Narayanan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Process for forming doped epitaxial silicon on a silicon substrate

Номер патента: KR100770460B1. Автор: 왕윈위,림영,존스브래들리피,말디마이클,레이맥사무엘씨,스내블리콜린엠. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 노쓰 아메리카 코포레이션. Дата публикации: 2007-10-26.

Semiconductor wafer cleaning device, semiconductor wafer cleaning method, and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20240258126A1. Автор: Koichi Okuda,Makoto Takemura,Michihiko Tomita,Kazuhiro Ohkubo,Kaito NODA,Daichi YAMAURA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP2469590A3. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-08.

Power Module Having Reduced Intrinsic Inductance

Номер патента: US20220256688A1. Автор: Peter Weiss,Christoph Bauer. Владелец: AVL Software and Functions GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

Memory devices and systems having reduced bit line to drain select gate shorting and associated methods

Номер патента: US20170170190A1. Автор: Jun Zhao,Gordon Haller,Hongbin Zhu,Damir Fazil,Purnima Narayanan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Base material which is used for adhesive sheet for processing semiconductor wafer having projected part

Номер патента: EP4407659A1. Автор: Masashi Nakamura,Kazuki Iizuka,Mizuki Hasumi,Shingo MOTOIKE. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Reconfigurable Guide Pin Design for Centering Wafers Having Different Sizes

Номер патента: US20120128457A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shin-puu Jeng,Jing-Cheng Lin,Hsin-Yu Chen,Hsin Chang,Fang Wen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for polishing silicon wafer

Номер патента: US09956663B2. Автор: Kazuaki Kozasa,Katsuhisa Sugimori,Syunya Kobuchi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

EPITAXIAL SILICON CARBIDE MONOCRYSTALLINE SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCTION OF SAME

Номер патента: US20150075422A1. Автор: Aigo Takashi,Tsuge Hiroshi,Fujimoto Tatsuo,Yashiro Hirokatsu,NAKABAYASHI Masashi,Hoshino Taizo,Katsuno Masakasu. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

LOW TEMPERATURE SELECTIVE EPITAXIAL SILICON DEPOSITION

Номер патента: US20180308685A1. Автор: Goradia Prerna Sonthalia,Visser Robert Jan,BAJAJ Geetika. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

EPITAXIAL SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20170365463A1. Автор: ITO Wataru,Aigo Takashi,Fujimoto Tatsuo. Владелец: NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION. Дата публикации: 2017-12-21.

Epitaxial silicon carbide single-crystal substrate and method for producing the same

Номер патента: KR101430217B1. Автор: 다카시 아이고,히로시 쓰게,다이조 호시노,다쓰오 후지모토,마사카즈 가쓰노,마사시 나카바야시,히로카쓰 야시로. Владелец: 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤. Дата публикации: 2014-08-18.

Epitaxial silicon layer mfre - on substrate contng opposite - conductivity zones

Номер патента: FR2090329A1. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1972-01-14.

Method for deposition epitaxial silicon layer

Номер патента: KR20090017074A. Автор: 서정찬. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2009-02-18.

Method for producing epitaxial silicon carbide single-crystal wafer

Номер патента: EP3330415A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-06-06.

Semiconductor wafer comprising a thin epitaxial silicon layer and method for producing same

Номер патента: EP1163379A1. Автор: Wilfried von Ammon,Reinhard Schauer,Markus Blietz,Rüdiger SCHMOLKE. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2001-12-19.

Semiconductor wafer comprising a thin epitaxial silicon layer and method for producing same

Номер патента: EP1163379B1. Автор: Wilfried von Ammon,Reinhard Schauer,Markus Blietz,Rüdiger SCHMOLKE. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2002-07-03.

Method for producing a semiconductor wafer having shallow and deep buried contacts

Номер патента: US5232874A. Автор: Charles H. Dennison,Howard E. Rhodes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-08-03.

Method to reduce stacking fault nucleation sites and reduce vf drift in bipolar devices

Номер патента: US20070221614A1. Автор: Joseph Sumakeris. Владелец: Sumakeris Joseph J. Дата публикации: 2007-09-27.

Method to reduce stacking fault nucleation sites and reduce Vf drift in bipolar devices

Номер патента: US7279115B1. Автор: Joseph John Sumakeris. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2007-10-09.

Method To Reduce Stacking Fault Nucleation Sites And Reduce Forward Voltage Drift In Bipolar Devices

Номер патента: US20050064723A1. Автор: Joseph Sumakeris. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-03-24.

Method to reduce stacking fault nucleation sites and reduce vf drift in bipolar devices

Номер патента: CA2539618A1. Автор: Joseph John Sumakeris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-14.

Method and apparatus for etching silicon wafer and method for analysis of impurities

Номер патента: US20040232111A1. Автор: Hiroshi Horie,Katsuya Hirano. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Production method for silicon wafer and silicon wafer and soi wafer

Номер патента: WO2003046968A1. Автор: Naoto Iizuka,Takashi Nihonmatsu,Masahiko Yoshida,Seiichi Miyazaki. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2003-06-05.

Silicon wafer polishing method, silicon wafer manufacturing method and silicon wafer

Номер патента: KR102165589B1. Автор: 마사시 니시무라,히로노리 타나카. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2020-10-14.

Chamfering apparatus for silicon wafer, method for manufacturing silicon wafer, and etched silicon wafer

Номер патента: JP4862896B2. Автор: 忠弘加藤. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Method for manufacturing silicon wafer, silicon wafer and soi wafer

Номер патента: JP2003229392A. Автор: Naoto Iizuka,Takashi Nihonmatsu,Masahiko Yoshida,Seiichi Miyazaki,正彦吉田,誠一宮崎,直人飯塚,孝二本松. Владелец: Nagano Electronics Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-15.

Silicon wafer polishing method, silicon wafer manufacturing method, and silicon wafer

Номер патента: JP6589807B2. Автор: 雅史西村,宏知田中. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-10-16.

Production method for silicon wafer and soi wafer, and soi wafer

Номер патента: US20050020030A1. Автор: Masatake Nakano,Shinichi Tomizawa,Koyoshi Mitani. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-27.

Method for Polishing Silicon Wafer, Method for Producing Silicon Wafer, Apparatus for Polishing Disk-Shaped Workpiece, and Silicon Wafer

Номер патента: US20080026185A1. Автор: Kazutoshi Mizushima. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

Chamfering apparatus for silicon wafer, method for manufacturing silicon wafer, and etched silicon wafer

Номер патента: JPWO2008093488A1. Автор: 加藤　忠弘,忠弘加藤. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Silicon wafer beveling device, silicon wafer manufacturing method, and etched silicon wafer

Номер патента: TW200849363A. Автор: Tadahiro Kato. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2008-12-16.

Epitaxial silicon channel growth

Номер патента: US20230380170A1. Автор: Pradeep K. Subrahmanyan,Hsiang Yu Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Epitaxial silicon channel growth

Номер патента: WO2023225199A1. Автор: Pradeep K. Subrahmanyan,Hsiang Yu Lee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Use of selective epitaxial silicon growth in formation of floating gates

Номер патента: US20060197138A1. Автор: Roger Lindsay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-07.

Method of manufacturing cz silicon wafers, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190249330A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Freund,Helmut Oefner,Thomas Wuebben. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-15.

Process for producing Semiconductor silicon wafer

Номер патента: US5534294A. Автор: Norihiko Tsuchiya,Shuichi Samata,Yoshihiro Ueno,Atsuko Kubota,Masanori Numano,Masakatu Kojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

Method of manufacturing cz silicon wafers, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200224326A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Freund,Helmut Oefner,Thomas Wuebben. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-07-16.

Forming tunneling field-effect transistor with stacking fault and resulting device

Номер патента: US20150001594A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Epitaxial devices having reduced dislocation count

Номер патента: CA1165851A. Автор: Subhash Mahajan. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-04-17.

Fabrication method for a self-aligned thin film transistor having reduced end leakage and device formed thereby

Номер патента: US5324674A. Автор: Ching-Yeu Wei,George E. Possin. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1994-06-28.

MANUFACTURING METHOD OF EPITAXIAL SILICON WAFER, AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20150380493A1. Автор: Kawashima Tadashi,SHINAGAWA Masayuki,NONAKA Naoya,UESONO Gou. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

MOSFET STRUCTURE WITH T-SHAPED EPITAXIAL SILICON CHANNEL

Номер патента: US20150194485A1. Автор: LIU Chia-Wen,Yu Tsung-Hsing,Wu Wei-Hao,Goto Ken-Ichi,Shen Tzer-Min,Wu Zhiqiang,DHANYAKUMAR Mahaveer Sathaiya. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

FET having epitaxial silicon growth

Номер патента: US20040229414A1. Автор: Er-Xuan Ping,Chih-Chen Cho,Zhongze Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-18.

SUSCEPTOR, EPITAXIAL GROWTH APPARATUS, METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER, AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20200185263A1. Автор: Narahara Kazuhiro. Владелец: SUMICO CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-11.

N-type silicon single crystal production method, n-type silicon single crystal ingot, silicon wafer, and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20230295835A1. Автор: Yasuhito Narushima,Fukuo Ogawa,Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI,Ayumi Kihara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER AND EPITAXIAL SILICON WAFER MANUFACTURED BY THE METHOD

Номер патента: US20130337638A1. Автор: Kawashima Tadashi,NONAKA Naoya. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

Epitaxial silicon wafer and process for producing epitaxially coated silicon wafers

Номер патента: DE102005045337B4. Автор: Reinhard Dipl.-Ing. Schauer (FH),Thorsten Dr. Schneppensieper. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2008-08-21.

METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20200027727A1. Автор: Kawashima Tadashi,NONAKA Naoya,MIZOGAMI Kenichi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-23.

Epitaxial silicon wafer and process for producing epitaxially coated silicon wafers

Номер патента: DE102005045339A1. Автор: Norbert Dipl.-Ing. Werner (FH),Reinhard Dipl.-Ing. Schauer (FH). Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2007-04-05.

Epitaxial silicon wafer and method of manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: JP4723446B2. Автор: シャウアーラインハルト,シュネッペンジーパートルステン. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-07-13.

Thin epitaxial silicon carbide wafer fabrication

Номер патента: US09761493B2. Автор: George K. Celler. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2017-09-12.

N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCTION METHOD, N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT, SILICON WAFER, AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20200141024A1. Автор: Maegawa Koichi,OGAWA Fukuo,NARUSHIMA Yasuhito,KAWAKAMI Yasufumi,KIHARA Ayumi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing n-type silicon single crystal, n-type silicon single crystal ingot, silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: KR102315981B1. Автор: 후쿠오 오가와,야스히토 나루시마,코이치 마에가와,야스후미 카와카미,유우지 츠츠미. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2021-10-21.

N-type silicon single crystal production method, n-type silicon single crystal ingot, silicon wafer, and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US11377755B2. Автор: Yasuhito Narushima,Fukuo Ogawa,Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI,Yuuji Tsutsumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

A process for producing an n-type silicon single crystal, an n-type silicon single crystal ingot, a silicon wafer and an epitaxial silicon wafer

Номер патента: DE112018002171T5. Автор: Yasuhito Narushima,Fukuo Ogawa,Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI,Yuuji Tsutsumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

N-type silicon single crystal ingot, silicon wafer, and epitaxial silicon wafer

Номер патента: TWI665341B. Автор: 前川浩一,鳴嶋康人,川上泰史,小川福生,堤有二. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of manufacturing a single crystal, method of manufacturing a silicon wafer and method of manufacturing an epitaxial silicon wafer

Номер патента: DE112015004143B4. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Manufacturing method of epitaxial silicon wafer and substrate cleaning apparatus

Номер патента: TW200907126A. Автор: Kosuke Miyoshi,Kazuaki Kosasa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2009-02-16.

Lithographic methods to reduce stacking fault nucleation sites and structures having reduced stacking fault nucleation sites

Номер патента: CA2554408A1. Автор: Heinz Lendenmann,Christer Hallin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Method and apparatus for forming an epitaxial silicon wafer having a surface ablated area

Номер патента: JP2004503084A. Автор: トーマス・エイ・トラック,マイケル・ジェイ・リーズ. Владелец: MEMC Electronic Materials Inc. Дата публикации: 2004-01-29.

Epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20200020817A1. Автор: Toshiaki Ono,Kazuhisa TORIGOE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

PRODUCTION METHOD OF EPITAXIAL SILICON WAFER AND VAPOR DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20160083836A1. Автор: GOTO Motoki,KUROZUMI Yusuke,YOSHITAKE Kan,TAKAMIYA Hitoshi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20180087184A1. Автор: Kawashima Tadashi,NONAKA Naoya. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-29.

MANUFACTURING METHOD OF EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20160186360A1. Автор: TSUJI Masayuki,Hirose Takeshi,KIMURA Fumihiko. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-06-30.

Manufacturing method for a epitaxial silicon wafer

Номер патента: KR100347141B1. Автор: 조원주,심현숙,차영국. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-03.

Epitaxial silicon wafer

Номер патента: JP5023900B2. Автор: 正人坂井,敬幸土肥,信司中原,雅哉櫻井. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-09-12.

Method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: JP7205455B2. Автор: 志貴後藤. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-01-17.

Manufacturing method of epitaxial silicon wafer

Номер патента: JP6998839B2. Автор: 純山本,信也松田. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Susceptor, vapor deposition apparatus, vapor deposition method and epitaxial silicon wafer

Номер патента: EP3078762A2. Автор: Daisuke HIEDA,Hisashi UCHINO,Tatsuo KUSUMOTO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-10-12.

Method and apparatus for forming an epitaxial silicon wafer with a denuded zone

Номер патента: US6339016B1. Автор: Michael John Ries,Tom Torack. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2002-01-15.

Epitaxial silicon wafer manufacturing method

Номер патента: JPWO2009081720A1. Автор: 奥内　茂,茂奥内. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-05-06.

Method of manufacturing epitaxial silicon wafers

Номер патента: KR102139435B1. Автор: 준 야마모토,신야 마츠다. Владелец: 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-07-29.

Pretreatment method of epitaxial silicon wafer

Номер патента: CN111554566A. Автор: 康宏,王作义,石广宁,雒林生,何传奇. Владелец: Sichuan Vastity Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

Method of manufacturing epitaxial silicon wafers

Номер патента: TWI696721B. Автор: 山本純,松田信也. Владелец: 日商環球晶圓日本股份有限公司. Дата публикации: 2020-06-21.

Method and apparatus for forming epitaxial silicon wafer with denuded zone

Номер патента: CN1440566A. Автор: M·J·里斯,T·A·托拉克. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2003-09-03.

Epitaxial silicon wafer manufacturing method

Номер патента: JP4877628B2. Автор: シャウアーラインハルト,ヴェルナーノルベルト. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-02-15.

Process for producing epitaxial silicon wafers

Номер патента: DE102009010556A1. Автор: Jörg Dr. Haberecht. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2010-09-02.

Method and apparatus for forming an epitaxial silicon wafer with a denuded zone

Номер патента: WO2002003443A1. Автор: Thomas A. Torack,Michael J. Ries. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2002-01-10.

Process for producing epitaxial silicon carbide single crystal substrate and epitaxial silicon carbide single crystal substrate obtained by the same

Номер патента: US9691607B2. Автор: Tatsuo Fujimoto,Hirokatsu Yashiro,Hiroshi Tsuge,Taizo Hoshino,Masakazu Katsuno,Takashi Aigo,Masashi Nakabayashi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Epitaxial silicon carbide wafers and manufacturing processes therefor, silicon carbide bulk substrate for epitaxial growth, and manufacturing method thereof

Номер патента: DE112011101625B4. Автор: Takeharu Kuroiwa,Masayoshi Tarutani,Takao Sawada,Yuji Abe,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Hiroaki Sumitani,Yoichiro Mitani,Masayuki Imaizumi,Kenichi Ohtsuka,Tomoaki Furusho. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Apparatus for epitaxial growth of silicon carbide and method of manufacturing an epitaxial silicon carbide wafer

Номер патента: DE102020117128B4. Автор: Kazuo Kobayashi,Masashi Sakai,Yasunari Hino,Shinichiro Katsuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

EPITAXIAL SILICON GERMANIUM FIN FORMATION USING SACRIFICIAL SILICON FIN TEMPLATES

Номер патента: US20160247677A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wang Junli,He Hong,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Epitaxial silicon carbide single crystal substrate and mehtod for producing same

Номер патента: EP2395133A1. Автор: Tatsuo Fujimoto,Hirokatsu Yashiro,Hiroshi Tsuge,Taizo Hoshino,Masakazu Katsuno,Takashi Aigo,Masashi Nakabayashi. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2011-12-14.

The angularity control method of GaN epitaxy silicon substrate material

Номер патента: CN104538508B. Автор: 贺贤汉,宋玮,金文明. Владелец: Shanghai Shenhe Thermo Magnetics Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-23.

Method for producing epitaxial silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: WO2012067112A1. Автор: 藤本　辰雄,勝野　正和,弘志柘植,崇藍郷,矢代　弘克. Владелец: 新日本製鐵株式会社. Дата публикации: 2012-05-24.

Epitaxial silicon carbide single crystal substrate manufacturing method

Номер патента: JPWO2012067112A1. Автор: 藤本　辰雄,辰雄藤本,勝野　正和,正和勝野,弘志柘植,崇藍郷,弘克矢代,矢代　弘克. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2014-05-12.

Epitaxial silicon carbide wafer manufacturing method

Номер патента: KR101885975B1. Автор: 와타루 이토,다카시 아이고,다츠오 후지모토. Владелец: 쇼와 덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-08-06.

PRODUCTION PROCESS OF EPITAXIAL SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20130217213A1. Автор: Aigo Takashi,Tsuge Hiroshi,Katsuno Masakazu,Fujimoto Tatsuo,Yashiro Hirokatsu. Владелец: NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-22.

THIN EPITAXIAL SILICON CARBIDE WAFER FABRICATION

Номер патента: US20150214040A1. Автор: CELLER GEORGE K.. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2015-07-30.

METHOD FOR PRODUCING EPITAXIAL SILICON CARBIDE WAFER

Номер патента: US20160251775A1. Автор: ITO Wataru,Aigo Takashi,Fujimoto Tatsuo. Владелец: NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-01.

EPITAXIAL SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20200312656A1. Автор: ITO Wataru,Aigo Takashi,Fujimoto Tatsuo. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2020-10-01.

Epitaxial silicon carbide single crystal substrate manufacturing method

Номер патента: JP4850960B2. Автор: 辰雄藤本,正和勝野,弘志柘植,正史中林,泰三星野,崇藍郷,弘克矢代. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2012-01-11.

Method for producing epitaxial silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: KR101478331B1. Автор: 다카시 아이고,히로시 츠게,마사카즈 가츠노,다츠오 후지모토,히로카츠 야시로. Владелец: 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤. Дата публикации: 2014-12-31.

Epitaxial silicon carbide wafer manufacturing method

Номер патента: WO2015129867A1. Автор: 藤本　辰雄,崇藍郷,伊藤　渉. Владелец: 新日鐵住金株式会社. Дата публикации: 2015-09-03.

Epitaxial silicon carbide single crystal substrate and mehtod for producing same

Номер патента: CN102301043A. Автор: 蓝乡崇,柘植弘志,胜野正和,藤本辰雄,矢代弘克,星野泰三,中林正史. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2011-12-28.

A kind of method of the epitaxial silicon carbide on the substrate of zero bias angle

Номер патента: CN105140106B. Автор: 张峰,刘斌,王雷,曾平,曾一平,孙国胜,刘兴昉,闫果果,赵万顺,刘胜北. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2018-04-20.

Production method of monocrystalline silicon wafer, single crystal silicon wafer, and evaluation method of single crystal silicon wafer

Номер патента: TWI427721B. Автор: . Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2014-02-21.

Silicon wafer cleaning agent, wafer repellent used in the cleaning process for silicon wafer, method for cleaning surface of silicon wafer

Номер патента: KR101075200B1. Автор: 소이치 구몬,다카시 사이오,마사노리 사이토,히데히사 나나이,요시노리 아카마츠. Владелец: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2011-10-19.

Method of manufacturing mirror-polished silicon wafers, and apparatus for processing silicon wafers

Номер патента: TW454257B. Автор: Norihiro Kobayashi,Shoichi Takamizawa. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2001-09-11.

Polishing composition for silicon wafer, polishing composition kit for silicon wafer and method of polishing silicon wafer

Номер патента: KR101351104B1. Автор: 나오유끼 이와타,이사오 나가시마. Владелец: 듀퐁 에어 프로덕츠 나노머티어리얼즈 엘엘씨. Дата публикации: 2014-01-14.

Silicon wafer, silicon epitaxial wafer, anneal wafer and method for producing them

Номер патента: KR100792773B1. Автор: 이이다마코토,기무라마사노리. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-01-11.

Manufacture of silicon wafer, method of cleaning silicon wafer, and silicon wafer formed by the method

Номер патента: JPH11274113A. Автор: Stephen P Cooper,ピー．クーパーステファン,Machito Sato,サトウマチト. Владелец: SEH America Inc. Дата публикации: 1999-10-08.

Method for production of silicon wafer, involves cutting silicon monocrystal block to manufacture wafer, and edge of wafer is bended cut from block

Номер патента: DE102007063039A1. Автор: Byung-Wook Nam. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2008-07-17.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state imaging device

Номер патента: US20210083058A1. Автор: Takeshi Kadono,Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Production method of epitaxial silicon wafer and vapor deposition apparatus

Номер патента: US09670581B2. Автор: Hitoshi Takamiya,Kan Yoshitake,Motoki GOTO,Yusuke Kurozumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20160087049A1. Автор: Hitoshi Takamiya,Kan Yoshitake,Motoki GOTO,Yusuke Kurozumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

EPITAXIAL SILICON WAFER AND METHOD FOR PRODUCING THE EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20170076959A1. Автор: Ono Toshiaki,FUJISE Jun. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2017-03-16.

Overlay shift correction for the deposition of epitaxial silicon layer and post-epitaxial silicon layers in a semiconductor device

Номер патента: US20030032256A1. Автор: Hung-Chih Chen,Tai-Yuan Wu,Ren-Jyh Leu,Kun-I Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-02-13.

Controlled edge thickness in a silicon wafer

Номер патента: SG155116A1. Автор: Kevin Lite,Quynh Tran. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2009-09-30.

Epitaxial silicon solar cells with moisture barrier

Номер патента: WO2015047950A1. Автор: David D. Smith. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2015-04-02.

Method and apparatus for low temperature, low pressure chemical vapor deposition of epitaxial silicon layers

Номер патента: US5298452A. Автор: Bernard S. Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-03-29.

Method for manufacturing monocrystalline silicon wafer containing arced side, method for manufacturing monocrystalline silicon cell, and photovoltaic module

Номер патента: US11742453B2. Автор: Hao Jin,Xinyu Zhang,Jun Yang,Peiyuan Wang,Xiaolong BAI,Jide Huang,Lizhu He,Ziyang Ou,Weize Shang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Multiple, alternating epitaxial silicon

Номер патента: US20230397392A1. Автор: John F. Kaeding,Matthew S. S. Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Linearity and Lateral Isolation in a BiCMOS Process Through Counter-Doping Of Epitaxial Silicon Region

Номер патента: US20180323186A1. Автор: Edward J. Preisler,Paul D. Hurwitz,Kurt A. Moen. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

LINEARITY AND LATERAL ISOLATION IN A BiCMOS PROCESS THROUGH COUNTER-DOPING OF EPITAXIAL SILICON REGION

Номер патента: US20190043855A1. Автор: Edward J. Preisler,Paul D. Hurwitz,Kurt A. Moen. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for verification of conductivity type of silicon wafer

Номер патента: US20230037569A1. Автор: XING Wei,Minghao LI,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Hybrid Silicon Wafer

Номер патента: US20120187409A1. Автор: Ryo Suzuki,Hiroshi Takamura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for manufacturing monocrystalline silicon wafer containing arced side, method for manufacturing monocrystalline silicon cell, and photovoltaic module

Номер патента: US20230361238A1. Автор: Hao Jin,Xinyu Zhang,Jun Yang,Peiyuan Wang,Xiaolong BAI,Jide Huang,Lizhu He,Ziyang Ou,Weize Shang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for manufacturing monocrystalline silicon cell and monocrystalline silicon wafer, and photovoltaic module

Номер патента: AU2020244430B1. Автор: Hao Jin,Xinyu Zhang,Jun Yang,Peiyuan Wang,Xiaolong BAI,Jide Huang,Lizhu He,Ziyang Ou,Weize Shang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Silicon wafer and preparation method therefor, cell sheet, cell slice, cell string, and photovoltaic module

Номер патента: US20230378387A1. Автор: YING Wang,Daoyuan Chen,Yanfang Zhou. Владелец: SHANGHAI JA SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Silicon wafer and preparation method therefor, cell sheet, cell slice, cell string, and photovoltaic module

Номер патента: EP4207314A1. Автор: YING Wang,Daoyuan Chen,Yanfang Zhou. Владелец: SHANGHAI JA SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Quality evaluation method for silicon wafer, and silicon wafer and method of producing silicon wafer using the method

Номер патента: US09995693B2. Автор: Toshiaki Ono,Jun Fujise. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for evaluating edge shape of silicon wafer, apparatus for evaluating thereof, silicon wafer, method for selecting and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20200240929A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Makoto Kobayashi,Masahiro Sakurada,Koichi Kanaya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Evaluation method and evaluation device of edge shape of silicon wafer, silicon wafer, and selection method and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3671816A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Makoto Kobayashi,Masahiro Sakurada,Koichi Kanaya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-24.

Silicon wafer for probe bonding and probe bonding method using thereof

Номер патента: WO2005122240A1. Автор: Jung-Hoon Lee. Владелец: Phicom Corporation. Дата публикации: 2005-12-22.

Pyrolysis Apparatus for Completely Separating EVA Crystal Silicon Wafer from Waste Photovoltaic Module

Номер патента: US20240079508A1. Автор: Xiaohui Chen,Pin Zhou,Shubo WANG,Jingbo Zhao,Quanfa ZHOU,Xueyuan JIN. Владелец: Changzhou Institute of Technology. Дата публикации: 2024-03-07.

Polycrystalline silicon column and polycrystalline silicon wafer

Номер патента: US20170062635A1. Автор: Wen-Huai Yu,Cheng-Jui Yang,Yu-Min YANG,Wen-Ching Hsu,Sung Lin Hsu,I-Ching Li,Yuan Hsiao Chang,Ming-Kung HSIAO,Kuo-Wei CHUANG,Bo-Kai Wang,Huang Wei Lin. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of measuring minority carrier diffusion length and method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US7727783B2. Автор: Tsuyoshi Kubota. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Method of measuring concentration of Fe in p-type silicon wafer and SPV measurement apparatus

Номер патента: US12107018B2. Автор: Shinya Fukushima,Takehiro TSUNEMORI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Silicon wafer, preparation method of silicon wafer, and passivation treatment solution

Номер патента: EP4300601A1. Автор: LIANG Liu,Xinyang Chen,Yongbing Xu,Jiangtao Guo. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for measuring extremely low oxygen concentration in silicon wafer

Номер патента: US11754497B2. Автор: Hiroyuki Saito. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Silicon wafer, preparation method of silicon wafer, and passivation treatment solution

Номер патента: US20230420243A1. Автор: LIANG Liu,Xinyang Chen,Yongbing Xu,Jiangtao Guo. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for measuring extremely low oxygen concentration in silicon wafer

Номер патента: US20220018761A1. Автор: Hiroyuki Saito. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of incoming inspection of monocrystalline silicon wafers

Номер патента: RU2745634C1. Автор: Константин Юрьевич Фроленков,Евгений Юрьевич Орлов,Сергей Иванович Матюхин,Дмитрий Петрович Санников,Борис Михайлович Иоэль,Михаил Дмитриевич Санников. Владелец: Акционерное общество "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС", АО "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС". Дата публикации: 2021-03-29.

Silicon wafer surface defect evaluation method

Номер патента: MY137864A. Автор: Takeshi Hasegawa,Takaaki Shiota,Wataru Itou. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-03-31.

Method of evaluating silicon wafer, method of evaluating silicon wafer manufacturing process, method of manufacturing silicon wafer, and silicon wafer

Номер патента: US11948819B2. Автор: Keiichiro Mori. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for evaluating edge shape of silicon wafer, apparatus for evaluating thereof, silicon wafer, method for selecting and method for manufacturing thereof

Номер патента: US11486833B2. Автор: Takeshi Kobayashi,Makoto Kobayashi,Masahiro Sakurada,Koichi Kanaya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-01.

A new electrical conductor for attaching silicon wafers in photovoltaic modules

Номер патента: SG190212A1. Автор: Tag Hammam,Bevis Hutchinson,Lena Ryde. Владелец: Luvata Espoo Oy. Дата публикации: 2013-06-28.

Method of printing laser mark and method of producing laser-marked silicon wafer

Номер патента: US12083624B2. Автор: Yoichiro Hirakawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus for detecting crystal orientation of silicon wafer

Номер патента: US09965846B2. Автор: Zhen Xiong,Shaoyong Fu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing a monolithic silicon wafer comprising multiple vertical junctions

Номер патента: US09905716B2. Автор: Eric Pilat,Nicolas Chaintreuil,Jean-Paul Garandet,Annalaura Fasiello,Yannick Veschetti. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-02-27.

Preparation method and application of monocrystalline silicon wafer

Номер патента: MY194767A. Автор: Tao Chen,Liming Fu,Yuhong Cao,Xiangxi Meng. Владелец: Changzhou Shichuang Energy Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Silicon wafer/cell sheet, photovoltaic cell assembly, carrier, and design and arrangement method

Номер патента: EP3940796A1. Автор: Qiang Huang. Владелец: Risen Energy Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Method and system of measuring waviness in silicon wafers

Номер патента: EP1159583A1. Автор: Dale A. MEMC Electronic Materials Inc. WITTE. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2001-12-05.

Glass-Silicon Wafer-Stacked Opto-Electronic Platforms

Номер патента: US20140341516A1. Автор: Michael Renne Ty Tan,Paul Kessler Rosenberg,Wayne Victor Sorin,Sagi Varghese Mathai,Georgios Panotopoulos,Susant K Patra. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-11-20.

LINEARITY AND LATERAL ISOLATION IN A BiCMOS PROCESS THROUGH COUNTER-DOPING OF EPITAXIAL SILICON REGION

Номер патента: US20190043855A1. Автор: Edward J. Preisler,Paul D. Hurwitz,Kurt A. Moen. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2019-02-07.

Epitaxial silicon germanium for reduced contact resistance in field-effect transistors

Номер патента: KR101017477B1. Автор: 코리 이. 웨버,잭 티. 카발리에로스,스티븐 엠. 시,저스틴 케이. 브라스크,루시안 쉬프렌. Владелец: 인텔 코오퍼레이션. Дата публикации: 2011-02-25.

Epitaxial silicon germanium for reduced contact resistance in field-effect transistors

Номер патента: HK1131469A1. Автор: Lucian Shifren,Jack T Kavalieros,Justin K Brask,Cory E Weber,Steven M Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-01-22.

Method for texturing silicon wafers, treatment liquid therefor, and use

Номер патента: AU2010220289A1. Автор: Izaaryene Maher. Владелец: Gebrueder Schmid GmbH and Co. Дата публикации: 2011-09-22.

Device for evaluating edge defects in a silicon wafer and method therof

Номер патента: US20230289949A1. Автор: Jung Won Shin. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Silicon wafer defect inspection method and silicon wafer defect inspection system

Номер патента: US20230042102A1. Автор: Naoyuki Wada,Takehiro TSUNEMORI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for depositing silicon feedstock material, silicon wafer, solar cell and PV module

Номер патента: US10392725B2. Автор: Frank Asbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-27.

Glass panel and silicon wafer separation device for photovoltaic module recovery

Номер патента: US20240120429A1. Автор: Yu Zhao,Xiaohui Chen,Pin Zhou,Shubo WANG,Jingbo Zhao,Quanfa ZHOU. Владелец: Changzhou Institute of Technology. Дата публикации: 2024-04-11.

Silicon wafers by epitaxial deposition

Номер патента: US09982363B2. Автор: Visweswaren Sivaramakrishnan,Tirunelveli S. Ravi,Andrzej Kaszuba,Quoc Vinh Truong,Jean R. Vatus. Владелец: Crystal Solar Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for texturing silicon wafers, treatment liquid therefor and use thereof

Номер патента: MY157459A. Автор: Maher Izaaryene. Владелец: Schmid Gmbh & Co Geb. Дата публикации: 2016-06-15.

A new electrical conductor for attaching silicon wafers in photovoltaic modules

Номер патента: EP2647059A1. Автор: Tag Hammam,Bevis Hutchinson,Lena Ryde. Владелец: Luvata Espoo Oy. Дата публикации: 2013-10-09.

A metallized structure on the back of silicon wafer and its manufacturing methods

Номер патента: AU2020104420A4. Автор: Ruifeng GAO,Jungui ZHOU. Владелец: Nanjing Inst Product Quality Inspection. Дата публикации: 2021-04-15.

Non-acidic isotropic etch-back for silicon wafer solar cells

Номер патента: WO2013169208A8. Автор: Matthew Benjamin BORELAND,Prabir Kanti BASU,Debajyoti SARANGI,Vinodh SHANMUGAM. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2014-05-15.

Electrostatic chuck having reduced power loss

Номер патента: US20160163577A1. Автор: Jennifer Y. Sun,Konstantin Makhratchev. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Bus bar having reduced parasitic inductances and equal current path lengths

Номер патента: US5777377A. Автор: Thomas Gilmore. Владелец: Allen Bradley Co LLC. Дата публикации: 1998-07-07.

Shielded radio-frequency module having reduced area

Номер патента: US9761537B2. Автор: Matthew Sean Read,Howard E. CHEN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Shielded radio-frequency module having reduced area

Номер патента: US20160093577A1. Автор: Matthew Sean Read,Howard E. CHEN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Shielded radio-frequency module having reduced area

Номер патента: WO2016053981A1. Автор: Matthew Sean Read,Howard E. CHEN. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2016-04-07.

Shielded radio-frequency module having reduced area

Номер патента: US09761537B2. Автор: Matthew Sean Read,Howard E. CHEN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Multicrystalline silicon brick and silicon wafer therefrom

Номер патента: US20150307361A1. Автор: Wen-Huai Yu,Yu-Min YANG,Wen-Ching Hsu,Chung-Wen Lan,Sung Lin Hsu,Hung-Sheng CHOU,Yu-Ting WONG. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Multi-element avalanche photodiode having reduced electrical noise

Номер патента: CA1080836A. Автор: Paul P. Webb. Владелец: RCA Inc. Дата публикации: 1980-07-01.

Electrostatic chuck having reduced power loss

Номер патента: US20130284709A1. Автор: Jennifer Y. Sun,Konstantin Makhratchev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-31.

Electrostatic chuck having reduced power loss

Номер патента: WO2013162792A1. Автор: Jennifer Y. Sun,Konstantin Makhratchev. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor stack assembly having reduced thermal spreading resistance and methods of making same

Номер патента: CA2713151C. Автор: Arifur Rahman. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods for forming shielded radio-frequency modules having reduced area

Номер патента: US20180005958A1. Автор: Matthew Sean Read,Howard E. CHEN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for producing a metallization having two multiple alternating metallization layers for at least one contact pad and semiconductor wafer having said metallization for at least one contact pad

Номер патента: US20120080794A1. Автор: Victor Sidorov,Joachim Wuerfl,Rimma Zhytnytska. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2012-04-05.

METHOD OF EVALUATING IMPURITY GETTERING CAPABILITY OF EPITAXIAL SILICON WAFER AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20200203178A1. Автор: Shigematsu Satoshi,Kurita Kazunari,OKUYAMA Ryosuke. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-25.

Silicon wafer and method of manufacturing thereof, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9502266B2. Автор: Toshiaki Ono,Jun Fujise. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing a semiconductor comprising an oxygen-containing silicon wafer

Номер патента: US5940722A. Автор: Naoyoshi Tamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-08-17.

Epitaxial silicon growth and usage of epitaxial gate insulator for low power, high performance devices

Номер патента: US6624488B1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-09-23.

Applying epitaxial silicon in disposable spacer flow

Номер патента: US20110124171A1. Автор: Er-Xuan Ping,Chin-Chen Cho. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-05-26.

Epitaxy Silicon on Insulator (ESOI)

Номер патента: US20120043641A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pang-Yen Tsai,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Epitaxy Silicon on Insulator (ESOI)

Номер патента: US20130270579A1. Автор: Lee Tze-Liang,Tsai Pang-Yen,Yu Ming-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

Epitaxy silicon on insulator (ESOI)

Номер патента: US7803690B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pang-Yen Tsai,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-28.

Enhanced access devices using selective epitaxial silicon over the channel region during the formation of a semiconductor device and systems including same

Номер патента: US20060255412A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Eric Blomiley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

N-CHANNEL MIS-FET TRANSISTOR MADE FOLLOWING THE EPITAXIAL SILICON FILM TECHNIQUE ON INSULATION (ESFI)

Номер патента: FR2364542A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-04-07.

Threshold valtage regulating method for ultrathin epitaxial silicon metal oxide semiconductor transistor based on insulator

Номер патента: CN1411042A. Автор: 许勝籐. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-16.

Method for manufacturing epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: TW201115647A. Автор: Kazunari Kurita,Shuichi Omote. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-05-01.

Epitaxial silicon wafer and process for producing epitaxially coated silicon wafers

Номер патента: DE102005045338B4. Автор: Reinhard Dipl.-Ing. Schauer (FH),Christian Dipl.-Ing. Hager (FH). Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2009-04-02.

Epitaxial silicon wafer, method for producing the same and substrate for epitaxial silicon wafer

Номер патента: TW546425B. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Susumu Sonokawa,Tomohiko Ohta. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2003-08-11.

Method for producing epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: CN111128696A. Автор: 川岛正,野中直哉. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-05-08.

The preparation method and epitaxial silicon wafer of epitaxial silicon wafer

Номер патента: CN109509704A. Автор: 川岛正,野中直哉,品川正行,上园刚. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-03-22.

A method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering

Номер патента: TW454269B. Автор: Charles Chiun-Chieh Yang,Darrell D Watkins. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2001-09-11.

METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20190338443A1. Автор: TSUJI Masayuki,NAKAMURA Motonori. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2019-11-07.

Epitaxial silicon wafers without autodoping and backside halo

Номер патента: JP4263410B2. Автор: マイケル・リーズ,チャールズ・チュン−チー・ヤン,ロバート・ダブリュー・スタンドリー. Владелец: MEMC Electronic Materials Inc. Дата публикации: 2009-05-13.

Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof

Номер патента: US20010032581A1. Автор: Gregory Wilson,Charles Yang,Jon Rossi. Владелец: Yang Charles C.. Дата публикации: 2001-10-25.

Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and method for the preparation thereof

Номер патента: EP1142010A2. Автор: Gregory M. MEMC Electronic Materials Inc. WILSON,Jon A. MEMC Electronic Materials Inc. ROSSI,Charles C. MEMC Electronic Materials Inc. YANG. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2001-10-10.

An epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and method for preparation thereof

Номер патента: CN1329751A. Автор: 格里戈里·M·威尔逊,乔恩·A·罗西,查尔斯·C·杨. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2002-01-02.

Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration in the bulk and a good DZ layer

Номер патента: TW379388B. Автор: Jun Yoshikawa,Ryuji Takeda,Ping Xin,Kenro Hayashi,Katsuhiro Chaki. Владелец: Toshiba Ceramics Co. Дата публикации: 2000-01-11.

Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration in the bulk and a good DZ layer

Номер патента: TW383429B. Автор: Hiroyuki Saito,Jun Yoshikawa,Ryuji Takeda,Kenro Hayashi,Katsuhiro Chaki. Владелец: Toshiba Ceramics Co. Дата публикации: 2000-03-01.

Backside gettering of silicon wafers utilizing selectively annealed single crystal silicon portions disposed between and extending into polysilicon portions

Номер патента: US4559086A. Автор: Gilbert A. Hawkins. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1985-12-17.

Method for heat-treating silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: TW533509B. Автор: Norihiro Kobayashi,Shoji Akiyama. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2003-05-21.

Production method for silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: TWI282637B. Автор: Ken Aihara,Satoshi Tobe. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2007-06-11.

Method for heat treatment of silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: TW449833B. Автор: Norihiro Kobayashi,Shoji Akiyama,Toshihiko Miyano. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2001-08-11.

METHOD OF PREDICTING THERMAL DONOR FORMATION BEHAVIOR IN SILICON WAFER, METHOD OF EVALUATING SILICON WAFER, AND METHOD OF PRODUCING SILICON WAFER

Номер патента: US20200105542A1. Автор: Ono Toshiaki,TORIGOE Kazuhisa,UMENO Shigeru. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-02.

Process for producing high resistance silicon wafer, and process for producing epitaxial wafer and soi wafer

Номер патента: EP1677344A1. Автор: K. Sumco Corporation KURITA,S. Sumco Corporation SADAMITSU,Hiroyuki Sumco Corporation TAKAO,Masataka Sumco Corporation HORAI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Manufacturing processes for silicon wafer and silicon epitaxial wafer, and silicon epitaxial wafer

Номер патента: KR100881511B1. Автор: 다케노히로시. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-02-05.

High resistance silicon wafer manufacturing method, and epitaxial wafer and SOI wafer manufacturing method

Номер патента: JPWO2005038899A1. Автор: 一成栗田,栗田　一成,定光　信介,信介定光,浩之高尾,宝来　正隆,正隆宝来. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Heat treatment method for wafer, method for producing silicon wafer, silicon wafer, and heat treatment apparatus

Номер патента: KR101658892B1. Автор: 슈지 타카하시,코지 에바라,테츠야 오카. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-09-23.

Method and device for heat-treating single-crystal silicon wafer, single-crystal silicon wafer, and process for producing single-crystal silicon wafer

Номер патента: EP0889510A4. Автор: Masakazu Sano,Naoshi Adachi,Takehiro Hisatomi. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2006-01-11.

Process for producing high resistance silicon wafer, and process for producing epitaxial wafer and SOI wafer

Номер патента: CN100461349C. Автор: 栗田一成,宝来正隆,定光信介,高尾浩之. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2009-02-11.

Method for producing a silicon wafer having a controlled distribution of oxygen precipitate nucleation centers

Номер патента: JP4302879B2. Автор: ロベルト・ファルステル. Владелец: MEMC Electronic Materials Inc. Дата публикации: 2009-07-29.

Silicon wafer having excellent getter capability, and method for fabricating it

Номер патента: DE3910185A1. Автор: Hideo Araki,Masaharu Tachimori,Kazunori Ishizaka. Владелец: NSC Electron Corp. Дата публикации: 1989-10-12.

Process for preparation of silicon wafers having a controlled distribution of oxygen precipitate nucleation centers

Номер патента: CN1271463A. Автор: 罗伯特·福斯特. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2000-10-25.

METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER, EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD OF PRODUCING SOLID-STATE IMAGE SENSING DEVICE

Номер патента: US20160013278A1. Автор: Kadono Takeshi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-01-14.

SILICON-ON-NOTHING TRANSISTOR SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH CHANNEL EPITAXIAL SILICON-GERMANIUM REGION

Номер патента: US20170170299A1. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,Liu Qing,Khare Prasanna,DORIS Bruce,Allegret-Maret Stephane. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

EPITAXIAL SILICON GERMANIUM FIN FORMATION USING SACRIFICIAL SILICON FIN TEMPLATES

Номер патента: US20160247883A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wang Junli,He Hong,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Method for forming selective epitaxial silicon layer

Номер патента: KR100329755B1. Автор: 김천수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-07.

Process for forming power MOSFET device in float zone, non-epitaxial silicon

Номер патента: US6426248B2. Автор: Richard Francis,Chiu Ng. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2002-07-30.

Method of manufacturing a device in a silicon wafer

Номер патента: CA1149968A. Автор: Herbert A. Waggener,Richard H. Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1983-07-12.

METHOD OF EVALUATING METAL CONTAMINATION IN BORON-DOPED P-TYPE SILICON WAFER, DEVICE OF EVALUATING METAL CONTAMINATION IN BORON-DOPED P-TYPE SILICON WAFER, AND METHOD OF MANUFACTURING BORON-DOPED P-TYPE SILICON WAFER

Номер патента: US20160079129A1. Автор: KUBOTA Tsuyoshi,Fukushima Shinya. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of manufacturing a device in a silicon wafer

Номер патента: CA1129117A. Автор: Richard H. Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1982-08-03.

PIXELS WITH PHOTODIODES FORMED FROM EPITAXIAL SILICON

Номер патента: US20170133426A1. Автор: Tekleab Daniel. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2017-05-11.

SELECTIVE ETCHING PROCESS FOR SiGe AND DOPED EPITAXIAL SILICON

Номер патента: US20220285205A1. Автор: Chetry Krishna,Radhakrishnan Ganesan. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

The technique for improving the injection boron element diffusion of growing epitaxial silicon intermediate ion

Номер патента: CN107731671B. Автор: 王鹏,何佳,霍宗亮,夏志良,刘藩东,张若芳,吴林春. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Method for processing e.g. crystalline silicon wafer, involves reducing heat produced from laser beam in edge area of wafer, providing edge area with wafer edge, and placing laser beam and wafer in wafer edge according to laser trench

Номер патента: DE102012111698A1. Автор: Joachim König,Martin KUTZER,Matthias Richter. Владелец: SOLARWORLD INNOVATIONS GMBH. Дата публикации: 2014-03-20.

Silicon wafers for CMOS and other integrated circuits

Номер патента: US6667522B2. Автор: Li Ling,Kramadhati V. Ravi,Sing-Chung S. Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-12-23.

Silicon wafer surface treatment method, odorless silicon wafer production method, silicon wafer oxide film formation method, silicon oxide wafer production method, oxygen active species atmosphere formation apparatus, and planarization treatment system

Номер патента: JP4294816B2. Автор: 道彦柳澤,毅佐土原. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-15.

METHOD OF ETCHING BORON-DOPED P-TYPE SILICON WAFER, METHOD OF EVALUATING METAL CONTAMINATION OF BORON-DOPED P-TYPE SILICON WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING BORON-DOPED P-TYPE SILICON WAFER

Номер патента: US20210028023A1. Автор: KATO Hirokazu,Yamashita Takafumi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of etching boron-doped p-type silicon wafer, method of evaluating metal contamination of boron-doped p-type silicon wafer and method of manufacturing boron-doped p-type silicon wafer

Номер патента: US11424129B2. Автор: Hirokazu Kato,Takafumi Yamashita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Apparatus and method for monitoring a thickness of a silicon wafer with a highly doped layer at least at a backside of the silicon wafer and apparatus for thinning a silicon wafer

Номер патента: TWI475625B. Автор: Christoph Dietz,Martin Schoenleber. Владелец: PRECITEC OPTRONIK GMBH. Дата публикации: 2015-03-01.

Method for producing silicon wafer, epitaxial wafer and solid imaging device, and apparatus for producing silicon wafer

Номер патента: KR101244352B1. Автор: 카즈나리 쿠리타. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2013-03-18.

A method for manufacturing a composition for rough polishing a silicon wafer, a composition set for rough polishing a silicon wafer, and a method for polishing a silicon wafer.

Номер патента: JP7026043B2. Автор: 公亮土屋,誠田畑,恵谷口,雄彦村瀬. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2022-02-25.

Production method for silicon wafer rough-polishing composition, silicon wafer rough-polishing composition set, and silicon wafer polishing method

Номер патента: WO2018025656A1. Автор: 公亮土屋,誠田畑,恵谷口,雄彦村瀬. Владелец: 株式会社フジミインコーポレーテッド. Дата публикации: 2018-02-08.

Method for double-sided polishing of semiconductor wafer e.g. silicon wafer, involves forming channel-shaped recesses in surface of polishing cloth of semiconductor wafer

Номер патента: DE102011082777A1. Автор: Jürgen Schwandner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-02-09.

Selective epitaxial silicon for intrinsic-extrinsic base link

Номер патента: GB2273814A. Автор: Dietrich W Vook,Hsin Hua Wang. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-06-29.

Selective epitaxial silicon for intrinsic-extrinsic base link

Номер патента: GB9324774D0. Автор: . Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-01-19.

Process and apparatus for implanting oxygen ions into silicon wafers

Номер патента: EP1221173A1. Автор: Marvin Farley,Geoffrey Ryding,Robert Dolan,Bernhard Cordts. Владелец: Ibis Technology Corp. Дата публикации: 2002-07-10.

Device having reduced overall dimensions for identifying metal substrate in dusty and metallic environment and use thereof for identifying containers containing nuclear fuel elements at production plant thereof

Номер патента: RU2552164C2. Автор: Ноэль ЛАНТОМ,Жан-Жак МАРШАЛЬ. Владелец: Арева Нс. Дата публикации: 2015-06-10.

Voltage feed through apparatus having reduced partial discharge

Номер патента: US4185164A. Автор: with respect to an invention of Frosch Robert A. Administrator of the National Aeronautics and Space Administration,Stephen R. Peck,Jeffrey W. Benham. Владелец: Nasa. Дата публикации: 1980-01-22.

Additional ground paths for connectors having reduced pin counts

Номер патента: US09660389B2. Автор: Zheng Gao,Min Chul Kim,Nathan NG,Colin Abraham. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Diode laser having reduced beam divergence

Номер патента: CA3113709A1. Автор: Hans Wenzel,Anissa Zeghuzi,Jan-Philipp Koester,Heike Christopher,Andrea Knigge. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2021-09-30.

Diode laser having reduced beam divergence

Номер патента: CA3113709C. Автор: Hans Wenzel,Anissa Zeghuzi,Jan-Philipp Koester,Heike Christopher,Andrea Knigge. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2023-08-22.

Electromagnetic switch means for a flow control device and the like having reduced shock levels

Номер патента: CA1118820A. Автор: Nicholas Zissimopoulos. Владелец: Baxter Travenol Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-02-23.

Flexible cable assembly having reduced-tolerance electrical connection pads

Номер патента: US9460757B2. Автор: Edgar Dennis Rothenberg,Yiduo Zhang. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-10-04.

Electrodeless fluorescent light source having reduced far field electromagnetic radiation levels

Номер патента: CA1144980A. Автор: Carl F. Buhrer. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-04-19.

Transparent electrode having reduced optical reflectance and transparent electrode manufacturing method using printing process

Номер патента: US20170200525A1. Автор: Ji-sub Park,Hak-Rin KIM,Jun-Chan CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2017-07-13.

Transparent electrode having reduced optical reflectance and transparent electrode manufacturing method using printing process

Номер патента: US20170199593A1. Автор: Ji-sub Park,Hak-Rin KIM,Jun-Chan CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of manufacturing epitaxial silicon wafer and apparatus therefor

Номер патента: US8888913B2. Автор: Hirotaka Kato,Kazuhiro Narahara,Koichiro Hayashida. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Method of manufacturing epitaxial silicon wafer and apparatus thereof

Номер патента: US20070227441A1. Автор: Hirotaka Kato,Kazuhiro Narahara,Koichiro Hayashida. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Silicon wafer having through-wafer vias

Номер патента: EP1878042A2. Автор: Robin Wilson,Conor Brogan,Hugh J. Griffin,Cormac Macnamara. Владелец: Icemos Technology Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

Silicon wafer having through-wafer vias

Номер патента: WO2006119380A2. Автор: Robin Wilson,Conor Brogan,Hugh J. Griffin,Cormac Macnamara. Владелец: Icemos Technology Corporation. Дата публикации: 2006-11-09.

Silicon wafer having through-wafer vias

Номер патента: EP1878042A4. Автор: Robin Wilson,Conor Brogan,Cormac Macnamara,Hugh J Griffin. Владелец: Icemos Technology Corp. Дата публикации: 2013-12-25.

GAS EXHAUST FOR HIGH VOLUME, LOW COST SYSTEM FOR EPITAXIAL SILICON DEPOSITION

Номер патента: US20140060433A1. Автор: CARLSON DAVID K.,Narwankar Pravin K.,Maqsood Kashif,RICE MICHAEL R.,SHAH KARTIK B.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-03-06.

Integrated circuits in epitaxial silicon on - insulators

Номер патента: FR2051690A7. Автор: . Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1971-04-09.

Method of manufacturing a semiconductor device having selective epitaxial silicon layer on contact pads

Номер патента: US7052983B2. Автор: Byung-Jun Park,Ji-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-30.

Handling of thin silicon wafer involves fastening external layer of wafer and gluing layer of support wafer by direct gluing, and processing the wafer to form circuits

Номер патента: FR2828579A1. Автор: Pascal Gardes. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-02-14.

Method and device for treating silicon wafers

Номер патента: WO2009077201A3. Автор: Heinz Kappler. Владелец: Gebr. Schmid Gmbh & Co.. Дата публикации: 2009-09-11.

Apparatus for handling delicate articles such as silicon wafers

Номер патента: US4050729A. Автор: Clifford L. Hutson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-09-27.

Method of supporting silicon wafer, jig for heat-treatment and heat-treated wafer

Номер патента: TW200834800A. Автор: Takayuki Kihara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-08-16.

Method and apparatus to control surface texture modification of silicon wafers for photovoltaic cell devices

Номер патента: EP2569802A2. Автор: Edward Duffy,Laurent Clochard. Владелец: Ultra High Vacuum Solutions Ltd . Дата публикации: 2013-03-20.

Thin wafer e.g. silicon wafer, for fuel cell, has set of thorough holes which are filled with conductive carbon nanotubes that are oriented transversally to surface of wafer, where nanotubes are multiwalled type

Номер патента: FR2880200A1. Автор: MATHIEU ROY,Fabien Pierre. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-06-30.

Apparatus for loading a silicon wafer in the stepper

Номер патента: KR20000019877U. Автор: 박동만. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2000-11-25.

METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER, EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD OF PRODUCING SOLID-STATE IMAGE SENSING DEVICE

Номер патента: US20160148964A1. Автор: Kadono Takeshi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-05-26.

Support structure for multiple, alternating epitaxial silicon

Номер патента: US20230397391A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Scott E. Sills,Glen H. WALTERS,David K. Hwang,Si-Woo Lee,Yuanzhi MA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Monolithic growth of epitaxial silicon devices via co-doping

Номер патента: US20230121080A1. Автор: Lars F. Voss,Mark Rader,Luis M. Hernandez,Caitlin Anne Chapin. Владелец: BAE Systems Land and Armaments LP. Дата публикации: 2023-04-20.

SILICON-ON-NOTHING TRANSISTOR SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH CHANNEL EPITAXIAL SILICON REGION

Номер патента: US20140353717A1. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,Liu Qing,Khare Prasanna,DORIS Bruce,Allegret-Maret Stephane. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

SILICON-ON-NOTHING TRANSISTOR SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH CHANNEL EPITAXIAL SILICON-GERMANIUM REGION

Номер патента: US20140353718A1. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,Liu Qing,Khare Prasanna,DORIS Bruce,Allegret-Maret Stephane. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Use of selective epitaxial silicon growth in formation of floating gates

Номер патента: US20060208308A1. Автор: Roger Lindsay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

EPITAXIAL SILICON GROWTH

Номер патента: US20130248943A1. Автор: Wells David H.,Li Du. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

EPITAXIAL SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20130320357A1. Автор: ITO Wataru,Aigo Takashi,Tsuge Hiroshi,Katsuno Masakazu,Fujimoto Tatsuo,Yashiro Hirokatsu. Владелец: NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-05.

Multiple, alternating epitaxial silicon for horizontal access devices in vertical three dimensional (3d) memory

Номер патента: US20230397390A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Scott E. Sills,John F. Kaeding,Glen H. WALTERS,David K. Hwang,Si-Woo Lee,Yuanzhi MA,Matthew S. Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Production method of epitaxial silicon wafer, vapor deposition equipment and valve

Номер патента: US20170067181A1. Автор: Naoyuki Wada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20180204960A1. Автор: Ono Toshiaki,TORIGOE Kazuhisa. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-19.

Epitaxial silicon wafer free from autodoping and backside halo and a method and apparatus for the preparation thereof

Номер патента: US20010037761A1. Автор: Michael Ries,Charles Yang,Robert Standley. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2001-11-08.

Vapor deposition device and method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20220106704A1. Автор: Masayuki Tsuji,Kazuhiro Narahara,Haku Komori. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Vapor deposition device and method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: WO2020137021A1. Автор: 辻　雅之,和宏楢原,珀胡盛. Владелец: 株式会社Sumco. Дата публикации: 2020-07-02.

Vapor deposition device and method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: US11846039B2. Автор: Masayuki Tsuji,Kazuhiro Narahara,Haku Komori. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of sealing an epitaxial silicon layer on a substrate

Номер патента: US20010014541A1. Автор: David K. Carlson,Paul B. Comita,Norma B. Riley,Dale R. Du Bois. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

A method for producing an epitaxial silicon single crystal wafer and the epitaxial silicon single crystal wafer

Номер патента: KR100622622B1. Автор: 타마츠카마사로,아이하라켄,요시다토모스케. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-09-11.

Support pillars with multiple, alternating epitaxial silicon for horizontal access devices in vertical

Номер патента: US20240098969A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Scott E. Sills,Glen H. WALTERS,David K. Hwang,Si-Woo Lee,Yuanzhi MA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

A method for producing an epitaxial silicon single crystal wafer and the epitaxial single crystal wafer

Номер патента: EP0959154B1. Автор: Tomosuke Yoshida,Ken Aihara,Masaro Tamatsuka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-21.

Doors for high volume, low cost system for epitaxial silicon deposition

Номер патента: WO2014039262A1. Автор: David K. Carlson,Michael R. Rice,Pravin K. Narwankar,Kashif Maqsood,Kartik B. Shah. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-03-13.

Vertical digit lines with alternating epitaxial silicon for horizontal access devices in 3d memory

Номер патента: US20240098970A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Scott E. Sills,Glen H. WALTERS,David K. Hwang,Si-Woo Lee,Yuanzhi MA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for sorting silicon wafers according to their bulk lifetime

Номер патента: US20190247889A1. Автор: Jordi Veirman,Wilfried Favre,Elenore Letty. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-08-15.

Edge inspection of silicon wafers by image stacking

Номер патента: US12135296B2. Автор: Asaf Schlezinger. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Process for growing an epitaxial silicon layer on a semiconductor wafer

Номер патента: TWI285936B. Автор: Robert W Standley,Charles C Yang. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2007-08-21.

Gas exhaust for high volume, low cost system for epitaxial silicon deposition

Номер патента: WO2014039249A1. Автор: David K. Carlson,Michael R. Rice,Pravin K. Narwankar,Kashif Maqsood,Kartik B. Shah. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-03-13.

DOUBLE-SIDED HETEROJUNCTION SOLAR CELL BASED ON THIN EPITAXIAL SILICON

Номер патента: US20130157404A1. Автор: Xu Zheng,Yu Chentao,Heng Jiunn Benjamin,Komrowski Andrew. Владелец: SILEVO, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Gas injector for high volume, low cost system for epitaxial silicon depositon

Номер патента: US20140060434A1. Автор: David K. Carlson,Michael R. Rice,Pravin K. Narwankar,Kashif Maqsood,Kartik B. Shah. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

EPITAXIAL SILICON SOLAR CELLS WITH MOISTURE BARRIER

Номер патента: US20150090328A1. Автор: Smith David D.. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2015-04-02.

PHOTOVOLTAIC MODULE FABRICATION WITH THIN SINGLE CRYSTAL EPITAXIAL SILICON DEVICES

Номер патента: US20170141720A9. Автор: Ravi Tirunelveli S.,Asthana Ashish,Nag Somnath,Ravi Kramadhati V.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

HETEROJUNCTION SOLAR CELL WITH EPITAXIAL SILICON THIN FILM AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20150187979A1. Автор: Hou Chun-Yao,Yang Tsun-Neng. Владелец: ATOMIC ENERGY COUNCIL - INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH. Дата публикации: 2015-07-02.

PHOTOVOLTAIC MODULE FABRICATION WITH THIN SINGLE CRYSTAL EPITAXIAL SILICON DEVICES

Номер патента: US20160233824A1. Автор: Ravi Tirunelveli S.,Asthana Ashish,Nag Somnath,Ravi Kramadhati V.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

ALUMINUM GRID AS BACKSIDE CONDUCTOR ON EPITAXIAL SILICON THIN FILM SOLAR CELLS

Номер патента: US20150270411A1. Автор: Fu Jianming,Xu Zheng,Yu Chentao,Heng Jiunn Benjamin. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Method for forming an epitaxial silicon layer

Номер патента: US20150299897A1. Автор: Jean-Paul Garandet,Daniel Morvan,Malek Benmansour. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-10-22.

EPITAXIAL SILICON SOLAR CELLS WITH MOISTURE BARRIER

Номер патента: US20170309759A1. Автор: Smith David D.. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for forming an epitaxial silicon layer

Номер патента: WO2014045252A1. Автор: Jean-Paul Garandet,Daniel Morvan,Malek Benmansour. Владелец: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Дата публикации: 2014-03-27.

Protection of tunnel dielectric using epitaxial silicon

Номер патента: US20060043456A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Garo Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-03-02.

Method for low temperature growth of epitaxial silicon and devices produced thereby

Номер патента: EP0631297A2. Автор: Jueinai Raynien Kwo. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1994-12-28.

Wafer wafer quality judgment method, wafer fabrication method using the same, and silicon wafer

Номер патента: TWI604532B. Автор: Toshiaki Ono,Jun Fujise. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Stress-free silicon wafer and a die or chip made therefrom and method

Номер патента: US20010031511A1. Автор: H. Flesher,Albert Youmans. Владелец: Aptek Ind Inc. Дата публикации: 2001-10-18.

Integrated circuit including silicon wafer with annealed glass paste

Номер патента: EP1760780A2. Автор: Sehat Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2007-03-07.

Edge inspection of silicon wafers by image stacking

Номер патента: US20230349838A1. Автор: Asaf Schlezinger. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Edge inspection of silicon wafers by image stacking

Номер патента: WO2023211549A1. Автор: Asaf Schlezinger. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-02.

METHOD OF EVALUATING SILICON WAFER, METHOD OF EVALUATING SILICON WAFER MANUFACTURING PROCESS, METHOD OF MANUFACTURING SILICON WAFER, AND SILICON WAFER

Номер патента: US20190279890A1. Автор: MORI Keiichiro. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2019-09-12.

Silicon wafer evaluation method, silicon wafer manufacturing process evaluation method, silicon wafer manufacturing method and silicon wafer

Номер патента: KR102297269B1. Автор: 케이이치로 모리. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2021-09-01.

Method for quantitatively evaluating concentration of atomic vacancies existing in silicon wafer, method for manufacturing silicon wafer, and silicon wafer manufactured by the method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: WO2011027670A1. Автор: 寛金田,輝孝後藤,祐一根本,光洋赤津. Владелец: 国立大学法人新潟大学. Дата публикации: 2011-03-10.

Method for determining cop generation factors for single-crystal silicon wafer

Номер патента: US20100000318A1. Автор: Shuichi Inami. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Method for determining cop generation factors for single-crystal silicon wafer

Номер патента: US20120029834A1. Автор: Shuichi Inami. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Color filter configuration for a silicon wafer to be diced into photosensitive chips

Номер патента: US20020125408A1. Автор: Paul Hosier,Thomas Grimsley,Josef Jedlicka. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

The evaluation method of silicon wafer, the evaluation method of silicon wafer manufacturing process, the manufacturing method of silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: CN109690746A. Автор: 森敬一朗. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-04-26.

Method for determining cop generation factors for single-crystal silicon wafer

Номер патента: US20140005953A1. Автор: Shuichi Inami. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Waveguide edge having reduced reflectivity

Номер патента: WO2024192048A1. Автор: Cheng Shi,Xinya XU. Владелец: Snap Inc.. Дата публикации: 2024-09-19.

Waveguide edge having reduced reflectivity

Номер патента: US20240313140A1. Автор: Cheng Shi,Xinya XU. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

METHOD OF EVALUATING CARBON CONCENTRATION OF SILICON SAMPLE, METHOD OF EVALUATING SILICON WAFER MANUFACTURING PROCESS, METHOD OF MANUFACTURING SILICON WAFER, METHOD OF MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT, SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT AND SILICON WAFER

Номер патента: US20190162668A1. Автор: ERIGUCHI Kazutaka,SAMATA Shuichi,SASAKI Syun. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-30.

QUALITY EVALUATION METHOD FOR SILICON WAFER, AND SILICON WAFER AND METHOD OF PRODUCING SILICON WAFER USING THE METHOD

Номер патента: US20160247694A1. Автор: Ono Toshiaki,FUJISE Jun. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-08-25.

QUALITY EVALUATION METHOD FOR SILICON WAFER, AND SILICON WAFER AND METHOD OF PRODUCING SILICON WAFER USING THE METHOD

Номер патента: US20160377554A1. Автор: Ono Toshiaki,FUJISE Jun. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-12-29.

Texturing method of silicon wafer for solar cell, the silicon wafer for solar cell textured by the same and solar cell comprising the silicon wafer

Номер патента: KR101029331B1. Автор: 김동환,이준성,임희진,박하영. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-04-15.

Method for evaluating carbon concentration of silicon sample, method for evaluating silicon wafer production process, method for producing silicon wafer, method for producing single crystal silicon ingot, and silicon wafer

Номер патента: CN109314068B. Автор: 佐佐木骏,江里口和隆,佐俣秀一. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

A method for evaluating the carbon concentration of a silicon sample, methods for evaluating a manufacturing process for silicon wafers, methods for producing silicon wafers, methods for producing a single silicon single crystal ingot, silicon single crystal ingot, and silicon wafers

Номер патента: DE112017003644T5. Автор: Shuichi Samata,Kazutaka ERIGUCHI,Syun Sasaki. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Boron-doped p-type silicon wafer iron concentration analysis method and analyzer, silicon wafer, and silicon wafer manufacturing method

Номер патента: JP5659632B2. Автор: 隆司大野,久雄伊賀. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-01-28.

Method for producing silicon wafers, silicon wafers and use of a silicon wafer as a silicon solar cell

Номер патента: DE102010029741B4. Автор: Andreas Krause,Marc Dietrich,Josef Stenzenberger,Juliane WALTER. Владелец: SOLARWORLD INNOVATIONS GMBH. Дата публикации: 2013-02-28.

Silicon wafer with embedded optoelectronic material for monolithic OEIC

Номер патента: US20020040983A1. Автор: Eugene Fitzergald. Владелец: Amber Wave Systems Inc. Дата публикации: 2002-04-11.

Quality evaluation method for silicon wafer, and silicon wafer and method of producing silicon wafer using the method

Номер патента: US9748112B2. Автор: Toshiaki Ono,Jun Fujise. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

SILICON WAFER HAVING COMPLEX STRUCTURE, FABRICATION METHOD THEREFOR AND SOLAR CELL USING SAME

Номер патента: US20160181455A1. Автор: LEE Jong Hwan,Kim Ho Sung,Jeong Chae Hwan,KIM Chang Heon. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2016-06-23.

Solar silicon wafer having multi-functional porous layers and Method of fabricating the same

Номер патента: KR102345237B1. Автор: 김동석,홍지은,송희은,오준호,조임현,한유진. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2022-01-10.

Silicon wafer having mixed structure, preparing thereof and solar using same

Номер патента: KR101510708B1. Автор: 이종환,김호성,정채환. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2015-04-10.

Monocrystalline silicon wafer having rounded pyramid structure and preparation method

Номер патента: WO2021213168A1. Автор: 孙林,刘正新,孟凡英,程琼,杜俊霖,付昊鑫. Владелец: 中威新能源(成都)有限公司. Дата публикации: 2021-10-28.

Unit for implantation of oxygen ions into silicon wafer has wafer support connected to rotating body and supporting wafer with spacing between ion-implanted surface of wafer and support

Номер патента: FR2787633A1. Автор: Hiroyuki Tomita,Kazuo Mera. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-06-23.

Epitaxial silicon channel growth

Номер патента: WO2023225185A1. Автор: Pradeep K. Subrahmanyan,Hsiang Yu Lee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Epitaxial silicon channel growth

Номер патента: US20230413569A1. Автор: Pradeep K. Subrahmanyan,Hsiang Yu Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Permanent magnet electric motor having reduced cogging torque ripple

Номер патента: EP4456380A1. Автор: JianMin Zhou,Hailiang HE,Peihai LIU,Hengshuai XU. Владелец: Ningbo Hengshuai Co ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Telephone system having reduced sensitivity to rf interference and related methods

Номер патента: CA2533530C. Автор: Perry Jarmuszewski,George Mankaruse,Lizhong Zhu,Michael Corrigan. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Reflection type phase modulator having reduced temperature sensitivity and reduced distortion

Номер патента: US3961286A. Автор: Young Dae Kim. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1976-06-01.

Wdm ring transmission system having reduced adjacent channel cross-talk

Номер патента: WO1999041869A1. Автор: Steffen D. Koehler. Владелец: Ciena Corporation. Дата публикации: 1999-08-19.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US20010051410A1. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US6492229B2. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Portable alternating current inverter having reduced imipedance losses

Номер патента: US09991706B2. Автор: Ren Wang,Andrew E. Seman,Daniele C. Brotto,Scott Eshleman,William D. Spencer,Nathan J. Cruise,Mehdi T. Abolhassani,Rouse Roby Bailey, JR.,Erik J. Ekstrom. Владелец: Black and Decker Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Doherty power amplifier having reduced size

Номер патента: US09923523B2. Автор: Philip John Lehtola. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Gaming system having reduced appearance of parallax artifacts on display devices including multiple display screens

Номер патента: CA2802373C. Автор: Gregory A. Schlottmann. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-12-11.

Hybrid faceplate having reduced emi emissions

Номер патента: EP2044822A2. Автор: Liang Zheng,Zheng Tang,Hongliang Jiang. Владелец: SABIC INNOVATIVE PLASTICS IP BV. Дата публикации: 2009-04-08.

PV-device having reduced aging

Номер патента: US11990866B2. Автор: Maximilian Fleischer,Roland Pohle,Oliver Von Sicard,Elfriede Simon. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods and apparatus for generating and processing wideband signals having reduced discrete power spectral density components

Номер патента: EP1730914A1. Автор: Alexander D. Gelman,Divaydeep Sikri,Shaomin Samuel Mo,Alexander M. Haimovich. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-13.

Methods and apparatus for generating and processing wideband signals having reduced discrete power spectral density components

Номер патента: WO2005099203A1. Автор: Alexander D. Gelman,Divaydeep Sikri,Shaomin Samuel Mo,Alexander M. Haimovich. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2005-10-20.

Isotope production system and cyclotron having reduced magnetic stray fields

Номер патента: RU2521829C2. Автор: Томас Эрикссон,Йонас НОРЛИНГ. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2014-07-10.

A current source circuit having reduced error

Номер патента: WO1984003372A1. Автор: Michael Davis Smith. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-08-30.

Method and apparatus for converting an analog measurement signal to a digital signal having reduced conversion error

Номер патента: US5781142A. Автор: Toru Onodera,Tomio Tsunoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-07-14.

Wdm ring transmission system having reduced adjacent channel cross-talk

Номер патента: EP1044528A1. Автор: Steffen D. Koehler. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2000-10-18.

Power converter having reduced switching transients

Номер патента: WO2014176329A1. Автор: David W. WALLIS. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2014-10-30.

Negative voltage driver circuit technique having reduced current flow to the negative supply voltage source

Номер патента: US20020125918A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Epitaxial silicon wafers substantially free of grown-in defects

Номер патента: EP1133590A1. Автор: Robert J. Falster,Joseph C. Holzer,Harold W. Korb,Luciano MEMC Electronic Mater Inc. MULE'STAGNO,Lu MEMC Electronic Materials Inc. FEI. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

Epitaxial silicon wafers substantially free of grown-in defects

Номер патента: US20010039916A1. Автор: Lu Fei,Harold Korb,Luciano Mule' Stagno,Joseph HOLZER,Falster Falster. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Epitaxial silicon wafers substantially free of grown-in defects

Номер патента: WO2000022197A9. Автор: Lu Fei,Joseph C Holzer,Robert J Falster,Stagno Luciano Mule,Harold W Korb. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2000-10-26.

Methods of growing epitaxial silicon

Номер патента: US20060011130A1. Автор: Cem Basceri,Nirmal Ramaswamy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device including container having epitaxial silicon therein

Номер патента: US20060258127A1. Автор: Cem Basceri,Nirmal Ramaswamy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Semiconductor device including container having epitaxial silicon therein

Номер патента: US7547617B2. Автор: Cem Basceri,Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-16.

Method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20070068447A1. Автор: Hiroyuki Saito,Takashi Watanabe,Kazuhiko Kashima,Takeshi Senda,Koji Izunome,Yumiko Hirano. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for eliminating gap-type defect b-swirl, and silicon wafer and electronic device

Номер патента: EP4442869A1. Автор: Wei Wu,ZHEN Wang,Qinghai Li,Wujing XU. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for producing silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US7361219B2. Автор: Ken Yoshizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Silicon wafer having good intrinsic getterability and method for its production

Номер патента: SG141318A1. Автор: Timo Mueller,Martin Weber,Gudrun Kissinger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2008-04-28.

Float zone silicon wafer manufacturing system

Номер патента: EP3108044A1. Автор: Andrew X. Yakub,James Benjamin Rosenzweig,Mark Stanley Goorsky. Владелец: Rayton Solar Inc. Дата публикации: 2016-12-28.

Float zone silicon wafer manufacturing system

Номер патента: WO2015126980A1. Автор: Andrew X. Yakub,James Benjamin Rosenzweig,Mark Stanley Goorsky. Владелец: Rayton Solar Inc.. Дата публикации: 2015-08-27.

Polycrystalline silicon wafer tray

Номер патента: US4820145A. Автор: Takashi Yokoyama,Takeshi Matsuyama,Ichiro Hide,Keiji Sawaya. Владелец: Hoxan Corp. Дата публикации: 1989-04-11.

Germanium ingots/wafers having low micro-pit density (mpd) as well as systems and methods for manufacturing same

Номер патента: EP2510138A2. Автор: XIAO Li,Weiguo Liu. Владелец: AXT Inc. Дата публикации: 2012-10-17.

Silicon wafer edge protection device

Номер патента: US09964864B2. Автор: XU Zhou,Lili GE,Fei NI,Haicang CUI. Владелец: Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for Solving Bright Line Scratched During Lifting of Large-size Silicon Wafer

Номер патента: US20240217139A1. Автор: Bing Zhu,Bin Sun,Mingquan FU,Zhiqun XU. Владелец: Guangdong Jinwan Gokin Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of making a solar grade silicon wafer

Номер патента: WO2008115539A1. Автор: John Carberry. Владелец: Mossey Creek Technology, Llc. Дата публикации: 2008-09-25.

Methods for producing off-orientation single crystal silicon wafers

Номер патента: US20240218557A1. Автор: Peter Albrecht,Carlo Zavattari,Maria Porrini,Michael RAFFEINER,Pietro Valcozzena,Fabrizio BONDA,Paolo Delpero,Massimo Gariddi,Patrizio Pregnolato. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US10233562B2. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Break pattern of silicon wafer, silicon wafer, and silicon substrate

Номер патента: US20130037916A1. Автор: Isamu Togashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Break pattern of silicon wafer, silicon wafer, and silicon substrate

Номер патента: US8502354B2. Автор: Isamu Togashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Method for manufacturing optical bench, optical bench, optical module, silicon wafer substrate in which wiring and groove are formed, and wafer

Номер патента: US20040266093A1. Автор: Tetsuhiko Sanbei,Ryuzou Fukao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Silicon wafer edge protection device

Номер патента: US20170357162A1. Автор: XU Zhou,Lili GE,Fei NI,Haicang CUI. Владелец: Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Method for utilising a waste slurry from silicon wafer production

Номер патента: AU2002215269A1. Автор: Knut Henriksen. Владелец: Metallkraft As. Дата публикации: 2002-05-27.

Methods For Producing Epitaxially Coated Silicon Wafers

Номер патента: US20100294197A1. Автор: Joerg Haberecht. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2010-11-25.

Silicon wafer sorting mechanism and sorting machine equipped with sorting mechanism

Номер патента: WO2023241729A1. Автор: Chen Wei,Hua Yang,Huan WANG,Dawei Wang,Zhijun Wu,Lihui Jin,Zhigao Ren,Hongxia CEN,Chuanling Al. Владелец: Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for determining types of defects in monocrystalline silicon wafer

Номер патента: US20240183797A1. Автор: XING Wei,HAO WANG,Minghao LI,Yuehui Yu. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for heat-treating silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US20060027161A1. Автор: Yoshihisa Nonogaki,Tatsumi Kusaba,Hidehiko Okuda. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

Silicon wafer photoresist developer

Номер патента: US4922277A. Автор: Robert J. Carlson,Michael D. Grimm. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1990-05-01.

Methods for producing epitaxially coated silicon wafers

Номер патента: SG166722A1. Автор: Dr Joerg Haberecht. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2010-12-29.

Method and apparatus for decomposition of silicon oxide layers for impurity analysis of silicon wafers

Номер патента: US6053984A. Автор: Steve I. Petvai,Leslie Jane Bohnenkamp,Michael P. Buet. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-04-25.

Monolithically integrated optical analog-to-digital conversion system based on lithium niobate-silicon wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11874582B2. Автор: Jing Wang,Weiwen ZOU,Shaofu XU. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-01-16.

System and method for processing silicon wafers

Номер патента: US20230339069A1. Автор: Tom Wu,Andrei Istratov,Katharina Zahnweh. Владелец: Siltronic Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

System and method for processing silicon wafers

Номер патента: WO2023203035A1. Автор: Tom Wu,Andrei Istratov,Katharina Zahnweh. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Nitrogen-doped silicon substantially free of oxidation induced stacking faults

Номер патента: EP1669478A3. Автор: Hiroyo c/o MEMC Japan Ltd. Haga,Mohsen c/o MEMC Electronic Materials Inc. Banan,Takaaki c/o MEMC Japan Ltd. Aoshima. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2007-11-14.

Process for polishing silicon wafers

Номер патента: US4692223A. Автор: Herbert Jacob,Ingolf Lampert. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 1987-09-08.

Silicon single crystal, a silicon wafer, an apparatus for producing the same, and a method for producing the same

Номер патента: US20070158653A1. Автор: Toshihiko Imai,Masahiro Kato,Makoto Iida,Katsuichi Sato,Miho Iwabuchi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

High-speed and low-voltage electro-optical modulator based on lithium niobate-silicon wafer

Номер патента: US11940707B2. Автор: Jing Wang,Weiwen ZOU,Shaofu XU. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-03-26.

Method and system for real time inspection of a silicon wafer

Номер патента: WO2013158039A3. Автор: Anand Krishna Asundi,Chi Seong NG. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-09.

Solar silicon wafer cutting method, device, and storage medium

Номер патента: US20230264389A1. Автор: Xudong Chen,Xiangyu LUO,Chengtian QI,Juanning ZHANG,Shiyun Wang. Владелец: Yinchuan Longi Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US20160102418A1. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Tester for integrated circuits on a silicon wafer and integrated circuit

Номер патента: US20160259002A1. Автор: Alexandre Croguennec,Cyrille LAMBERT,Sébastien Bayon. Владелец: Starchip SAS. Дата публикации: 2016-09-08.

Single silicon wafer micromachined thermal conduction sensor

Номер патента: US09580305B2. Автор: Xiang Zheng Tu. Владелец: Posifa Microsystems Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for production of silicon wafer and apparatus therefor

Номер патента: US5679212A. Автор: Tadahiro Kato,Hideo Kudo. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1997-10-21.

Low defect density silicon substantially free of oxidation induced stacking faults having a vacancy-dominated core

Номер патента: WO2002059400A3. Автор: Chang Bum Kim,Mohsen Banan,Jeffrey L Libbert,Steven L Kimbel. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US6679759B2. Автор: Kimihiko Kajimoto,Junzou Wakuda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-01-20.

Recovered lignin and derivatized recovered lignin having reduced silicon-content and methods for reducing the silicon-content in recovered lignin and derivatized recovered lignin

Номер патента: EP4389826A1. Автор: Christian DAHLSTRAND,Amalia ÖST,Timofey LISEEV,Tove SANDSTRÖM,Alexander NORÉN. Владелец: REN FUEL K2B AB. Дата публикации: 2024-06-26.

Composition for preparing soy protein concentrate having reduced phytic acid, and use thereof

Номер патента: AU2020375514B2. Автор: In Lee,Seong Bo Kim,Hyojeong Seo,Sungwook HAN. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2023-09-28.

Spathiphyllum having reduced pollen content and method for the preparation thereof

Номер патента: US20180098517A1. Автор: Timothy Johan Herman Hoogkamp,Adrianus Leonardus Josef VAN DER KNAAP. Владелец: Kp Holland Licensing BV. Дата публикации: 2018-04-12.

Composition having reducibility

Номер патента: EP4206315A1. Автор: Takanori Kitagawa,Kazuhiko KATSURAGAWA. Владелец: Asahi Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Method of making ceramic bodies having reduced shape variability

Номер патента: EP2473326A1. Автор: Dennis M. Brown,Daniel E. Mccauley,Stephen John Caffrey,Jr. David R. Treacy,Casey A. Volino. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2012-07-11.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Etching solution for evaluating crystral faults in silicone wafer and evaluation method using the same

Номер патента: KR20060076904A. Автор: 김영훈,이성욱,박영창. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2006-07-05.

Method of removing residual wax from silicon wafer polishing plate

Номер патента: US5922135A. Автор: Jayesh Natvarlal Mistry. Владелец: SEH America Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Method of producing nozzles in monocrystalline silicon wafer

Номер патента: CA1037519A. Автор: Ernest Bassous. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-08-29.

Method for reducing acrylamide in foods comprising reducing the level of reducing sugars, foods having reduced levels of acrylamide, and article of commerce

Номер патента: CA2530294C. Автор: David Vincent Zyzak,Peter Yau Tak Lin,John Keeney Howie,Richard Gerald Schafermeyer. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-10-18.

Nitrogen-doped silicon substantially free of oxidation induced stacking faults

Номер патента: US7404856B2. Автор: Takaaki Aoshima,Mohsen Banan,Hiroyo Haga. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2008-07-29.

Worktable for cutting monocrystalline silicon wafer

Номер патента: WO2024046001A1. Автор: Dawei Wang,Zhijun Wu,Rui WU,Yilin Xu,Ruipeng Li,Zhengmin CAO,Yao WAN. Владелец: Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-07.

High-Temperature Alloy Having Low Stacking Fault Energy, Structural Member And Application Thereof

Номер патента: US20230392234A1. Автор: Hailong Qin,Bin Gan,Zhongnan Bi,Hongyao YU,Jinhui Du. Владелец: Gaona Aero Material Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Methods of engineering immune cells having reduced fratricidal activity

Номер патента: AU2022262088A1. Автор: Norihiro Watanabe,Maksim MAMONKIN,Feiyan MO. Владелец: Baylor College of Medicine. Дата публикации: 2023-11-23.

Vulcanization composition having reduced allergenic potential

Номер патента: EP4233771A3. Автор: Seong Fong Chen,Wei Cheong Wong,Chii Yih Low. Владелец: Allegiance Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Process for producing titanium dioxide particles having reduced chlorides

Номер патента: WO2008057354A3. Автор: Alan Roger Eaton,Narayanan Sankara Subramanian,Stephen William Taylor,Rejeev Lochan Gorowara. Владелец: Rejeev Lochan Gorowara. Дата публикации: 2008-08-07.

Transgenic trees having reduced xylan content

Номер патента: WO2015060773A9. Автор: Leif Jonsson,Sandra Winestrand,Ewa J. Mellerowicz,Christine RATKE,Barbara TEREBIENIEC. Владелец: SweTree Technologies AB. Дата публикации: 2015-12-10.

Transgenic trees having reduced xylan content

Номер патента: EP3060667A1. Автор: Leif Jonsson,Sandra Winestrand,Ewa J. Mellerowicz,Christine RATKE,Barbara TEREBIENIEC. Владелец: SweTree Technologies AB. Дата публикации: 2016-08-31.

Vulcanization composition having reduced allergenic potential, and elastomeric articles formed therewith

Номер патента: US09550906B2. Автор: Seong Fong Chen,Wei Cheong Wong,Chii Yih Low. Владелец: Allegiance Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for reduction of acrylamide in cocoa products, cocoa products having reduced levels of acrylamide, and article of commerce

Номер патента: CA2530292C. Автор: David Vincent Zyzak,Peter Yau Tak Lin,John Keeney Howie. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2010-11-30.

Process for producing titanium dioxide particles having reduced chlorides

Номер патента: EP2077975A2. Автор: Alan Roger Eaton,Narayanan Sankara Subramanian,Stephen William Taylor,Rejeev Lochan Gorowara. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2009-07-15.

Method for producing vectors containing a gene coding for an enzyme having reduced or deactivated feedback inhibition and the use thereof for producing amino acids and nucleotides

Номер патента: US09644226B2. Автор: Lothar Eggeling,Stephan Binder,Michael Bott,Georg Schendzielorz. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2017-05-09.

Smoking articles having reduced ignition proclivity characteristics

Номер патента: RU2652960C2. Автор: Рауль ЭРВ,Жюлиа КЛУАТР-ШАБЕР,Патрик ГИЛЬШЕ,Томас КРЭКЕР. Владелец: ШВАЙЦЕР-МАУДИТ ИНТЕРНЕШНЛ, ИНК.. Дата публикации: 2018-05-03.

Method for reducing acrylamide in corn-based foods, corn-based foods having reduced levels of acrylamide, and article of commerce

Номер патента: CA2529937C. Автор: Lee Michael Teras,Stephen Paul Zimmerman,David Vincent Zyzak,Peter Yau Tak Lin,John Keeney Howie,Richard Gerald Schafermeyer,Maria Dolores Martinez-Serna Villagran,Marko Stojanovic (Nmn),Robert Alan Sanders. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-09-27.

Method for reducing acrylamide in corn-based foods, corn-based foods having reduced levels of acrylamide, and article of commerce

Номер патента: NZ543639A. Автор: Lee Michael Teras,Stephen Paul Zimmerman,David Vincent Zyzak,Peter Yau Tak Lin,Marko Stojanovic,John Keeney Howie,Richard Gerald Schafermeyer,Robert Alan Sanders,Maria Dolores Martin Villigran. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 2009-05-31.

Method for reducing acrylamide in corn-based foods, and corn-based foods having reduced levels of acrylamide

Номер патента: EP1638412B1. Автор: Lee Michael Teras,Stephen Paul Zimmerman,David Vincent Zyzak,Peter Yau Tak Lin,Marko Stojanovic,Robrt Alan Sanders,Maria Dolores Martinez-Serna Villigran,John Keeney Howie,Richard Gerald Schafermeyer. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2010-03-31.

Process for obtaining highly esterified polyol fatty acid polyesters having reduced levels of difatty ketones and b-ketoesters

Номер патента: CA2089390C. Автор: John Keeney Howie,Patrick Joseph Corrigan,Ju-Nan Kao,Richard Gerard Schafermeyer,Katherine Eleanor Flynn,Nelson James Holzschuh,David Joseph Bruno Jr.. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1998-10-27.

Smoking articles having reduced carbon monoxide delivery

Номер патента: EP1643868A2. Автор: Jr. Vladimir Hampl,Alice Gu,Kerry Mahone. Владелец: Schweitzer Mauduit International Inc. Дата публикации: 2006-04-12.

Textile product having reduced density

Номер патента: US20200255996A1. Автор: John J. Baker,Michael B. Howes,Yoji Hamada,Michael S. Nashner. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Electroplating wafers having a notch

Номер патента: US09689082B2. Автор: Gregory J. Wilson,Paul R. McHugh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Barrel drum unit of clock mechanism having reduced diameter

Номер патента: RU2559125C1. Автор: Лоран КАЕЛЕН,Батист ВИССБРОД,Артур КЕВАЛЬ. Владелец: Эта Са Мануфактюр Орложэр Сюис. Дата публикации: 2015-08-10.

Diene polymers having reduced hysteresis and improved raw viscosity incorporating primary partial coupling and fused-ring polynuclear aromatic terminators

Номер патента: US5210144A. Автор: Thomas A. Antkowiak,David F. Lawson,Mark L. Stayer, Jr.. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 1993-05-11.

Article for car interior decoration having reduced odour

Номер патента: RU2506288C2. Автор: Клаус ЛЕДЕРЕР,Микаэль ОТТЕ,Эрвин КАСТНЕР,Юлиан БРАУН,Вольфганг СТОКРЕИТЕР. Владелец: Бореалис Аг. Дата публикации: 2014-02-10.

Composition comprising two antibodies engineered to have reduced and increased effector function

Номер патента: RU2650788C2. Автор: Пабло УМАНА,Кристиан Клайн,Валерия Г. Николини,Кристиан ГЕРДЕС. Владелец: Роше Гликарт Аг. Дата публикации: 2018-04-17.

Turbocharged internal combustion engine having reduced high speed emissions

Номер патента: US5146753A. Автор: Michael A. Potter. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1992-09-15.

Fiber optic rotation sensor utilizing high birefringence fiber and having reduced intensity type phase errors

Номер патента: CA1276274C. Автор: Sidney L.A. Carrara,Kim Yoon Byoung,Shaw J. Herbert. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 1990-11-13.

Smoking article having reduced sidestream smoke

Номер патента: CA1196542A. Автор: Hal E. Guess. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 1985-11-12.

Diene polymers having reduced hysteresis and improved raw viscosity incorporating primary partial coupling and terminals formed from vinyl compounds containing heterocyclic nitrogen groups

Номер патента: CA2080990C. Автор: Thomas A. Antkowiak,David F. Lawson,Mark L. Stayer, Jr.. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Poly(alkylene oxides) having reduced amounts of formic compounds

Номер патента: IL158620A. Автор: You-Ling Fan. Владелец: You-Ling Fan. Дата публикации: 2010-06-30.

Diene polymers having reduced hysteresis and improved raw viscosity incorporating primary partial coupling and terminals formed from fused-ring polynuclear aromatic compounds or aromatic nitrile compounds

Номер патента: CA2083100C. Автор: Thomas A. Antkowiak,David F. Lawson,Mark L. Stayer, Jr.. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 1999-08-17.

System of golf club heads with reduced variability in characteristic time and methods of manufacturing systems of golf club heads having reduced variability in characteristic time

Номер патента: US9987524B2. Автор: Martin R. Jertson,Evan Greer. Владелец: Karsten Manufacturing Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of making a single-mode evanescent-wave coupler having reduced wavelength dependence

Номер патента: US4798438A. Автор: Douglas Moore,Mark E. Marcus. Владелец: Gould Inc. Дата публикации: 1989-01-17.

Composition having reducibility

Номер патента: US20230322564A1. Автор: Takanori Kitagawa,Kazuhiko KATSURAGAWA. Владелец: Asahi Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Magnetic floor mat having reduced tuft profile

Номер патента: EP3471590A1. Автор: Padmakumar Puthillath,Franklin S. Love, Iii,Dale S. Kitchen,Michael David BISHOP. Владелец: Milliken and Co. Дата публикации: 2019-04-24.

Magnetic floor mat having reduced tuft profile

Номер патента: WO2017218142A1. Автор: Padmakumar Puthillath,Franklin S. Love, Iii,Dale S. Kitchen,Michael David BISHOP. Владелец: MILLIKEN & COMPANY. Дата публикации: 2017-12-21.

Biological inorganic compound complex having reduced oxygen and high reducing ability

Номер патента: US20140170245A1. Автор: Masahiro Sugawara,Eiki Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-06-19.

Methods for reducing host cell protein content in antibody purification processes and antibody compositions having reduced host cell protein content

Номер патента: EP4222160A1. Автор: Lihua Huang,Brian David BOWES,Lara Ellen KREBS,Sarah M. RICHER,Steven A. PLICHTA. Владелец: Eli Lilly and Co. Дата публикации: 2023-08-09.

Methods for reducing host cell protein content in antibody purification processes and antibody compositions having reduced host cell protein content

Номер патента: US20230406914A1. Автор: Lihua Huang,Brian David BOWES,Lara Ellen KREBS,Sarah M. RICHER,Steven A. PLICHTA. Владелец: Eli Lilly and Co. Дата публикации: 2023-12-21.

Spathiphyllum having reduced pollen content and method for the preparation thereof

Номер патента: US10736286B2. Автор: Timothy Johan Herman Hoogkamp,Adrianus Leonardus Josef VAN DER KNAAP. Владелец: Kp Holland Licensing BV. Дата публикации: 2020-08-11.

Bio-based nylon precursors having reduced organic and inorganic impurities

Номер патента: WO2021185191A1. Автор: Chengliang Lu,Man Kit Lau,Ansen CHIEW,Congming ZENG,Tailong JIANG,Jinhuan SU,Shangtong YANG. Владелец: Mojia Biotech Ltd.. Дата публикации: 2021-09-23.

Storage stable par-fries having reduced levels of pyrazine

Номер патента: WO1999021436A1. Автор: Timothy Alan Scavone,Jeffrey John Kester,David Alan Volker,Michael Robert Sevenants. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 1999-05-06.

Storage stable par-fries having reduced levels of pyrazine

Номер патента: EP1026962A1. Автор: Timothy Alan Scavone,Jeffrey John Kester,David Alan Volker,Michael Robert Sevenants. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2000-08-16.

Bio-based nylon precursors having reduced organic and inorganic impurities

Номер патента: CA3171602A1. Автор: Chengliang Lu,Man Kit Lau,Ansen CHIEW,Congming ZENG,Tailong JIANG,Jinhuan SU,Shangtong YANG. Владелец: Mojia Biotech Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Bio-based nylon precursors having reduced organic and inorganic impurities

Номер патента: EP4118224A1. Автор: Chengliang Lu,Man Kit Lau,Ansen CHIEW,Congming ZENG,Tailong JIANG,Jinhuan SU,Shangtong YANG. Владелец: Mojia Biotech Ltd. Дата публикации: 2023-01-18.

Bio-based nylon precursors having reduced organic and inorganic impurities

Номер патента: US20230110819A1. Автор: Chengliang Lu,Man Kit Lau,Ansen CHIEW,Congming ZENG,Tailong JIANG,Jinhuan SU,Shangtong YANG. Владелец: Mojia Biotech Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Cathodic electrocoating composition having reduced volatile organic compounds

Номер патента: US20220389602A1. Автор: Konstantinos Markou,Thomas Huesmann,Tim Kösterke. Владелец: AXALTA COATING SYSTEMS IP CO LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Selective MMP inhibitors having reduced side-effects

Номер патента: US20020035065A1. Автор: Andrew Baxter,John Montana,David Owen,John Bird,Ruth Wills. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Selective mmp inhibitors having reduced side-effects

Номер патента: AU6630698A. Автор: David Alan Owen,Andrew Douglas Baxter,John Gary Montana,John Bird,Ruth Elizabeth Wills. Владелец: Darwin Discovery Ltd. Дата публикации: 1998-09-22.

Selective MMP inhibitors having reduced side-effects

Номер патента: US6818622B2. Автор: David Alan Owen,Andrew Douglas Baxter,John Gary Montana,John Bird,Ruth Elizabeth Wills. Владелец: Darwin Discovery Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Hydroprocessing reactor internals having reduced height

Номер патента: EP3921073A1. Автор: Zhanping Xu. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2021-12-15.

Virtual reality head-mounted devices having reduced numbers of cameras, and methods of operating the same

Номер патента: EP3403163A1. Автор: Chung Chun Wan,Choon Ping CHNG. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2018-11-21.

Virtual reality head-mounted devices having reduced numbers of cameras, and methods of operating the same

Номер патента: WO2017123395A1. Автор: Chung Chun Wan,Choon Ping CHNG. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2017-07-20.

Optical fiber having reduced polarization mode dispersion [pmd] and method for producing the same

Номер патента: WO2008062456A3. Автор: Kaushal Gupta,Jijo Paul. Владелец: Sterlite Technologies Limited. Дата публикации: 2009-09-24.

Tread blocks having reduced edge stiffness

Номер патента: WO2008153920A4. Автор: Francis Byrne. Владелец: Francis Byrne. Дата публикации: 2009-04-23.

Naphthalenedicarboxylic acid containing polymer/halogen compound compositions having reduced fluorescence

Номер патента: AU678046B2. Автор: Allan Scott Jones,Mitchell Alan Winnik,David Earl Mills. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 1997-05-15.

Method for manufacturing duplex stainless steel sheet having reduced inclusions

Номер патента: US20160168655A1. Автор: Sung Jin Park,Dae Sung Lee,Man Jin HA. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Method for manufacturing duplex stainless steel sheet having reduced inclusions

Номер патента: US9869002B2. Автор: Sung Jin Park,Dae Sung Lee,Man Jin HA. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Remote control system and method having reduced vulnerability to noise

Номер патента: US20070069918A1. Автор: Byeong-Gyun You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Fast Change of State of Weed Seeds to Having Reduced Germination Viability Using Low Input Energy Unnatural Dual Component Indigo Region and Medium Wavelength Infrared Illumination

Номер патента: US20220008889A1. Автор: Jonathan A. Jackson,Joseph M. Carroll,Mark J. Elting,Remigio Perales,Patrick A. Jackson,Christopher J. Hoffman,Norman E. NOVOTNEY. Владелец: Global Neighbor Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

High productivity algal mutants having reduced photosynthetic antenna

Номер патента: US20210188924A1. Автор: Shaun Bailey,Eric R. Moellering,Imad Ajjawi,Andrew Schultz,John Verruto,Nicholas BAUMAN,Moena AQUI,Randor R. Radakovits,Roberto SPREAFICO,Fedor KUZMINOV,Saheed Imam,Kathleen KWOK,Jennifer Nominati. Владелец: Synthetic Genomics Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device having reduced power noise in refresh operation and operating method thereof

Номер патента: US12056371B2. Автор: Jungmin YOU,Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for producing plant materials having reduced variance

Номер патента: US20220125870A1. Автор: Michael Popp,Daniel INTELMANN,Martin Dittmer,Moritz RUBNER,Stefanie DELUEG,Stefan SCHÖNBICHLER. Владелец: Bionorica SE. Дата публикации: 2022-04-28.

A process for preparing naphthalenedicarboxylic acid containing polymer blends having reduced fluorescence

Номер патента: AU7483494A. Автор: Allan Scott Jones,David Earl Mills. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 1995-02-28.

A process for preparing naphthalenedicarboxylic acid containing polymer blends having reduced fluorescence

Номер патента: WO1995004777A1. Автор: Allan Scott Jones,David Earl Mills. Владелец: EASTMAN CHEMICAL COMPANY. Дата публикации: 1995-02-16.

A process for preparing naphthalenedicarboxylic acid containing polymer blends having reduced fluorescence

Номер патента: AU679778B2. Автор: Allan Scott Jones,David Earl Mills. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 1997-07-10.

Reactor having reduced pressure drop and use thereof

Номер патента: US20060272985A1. Автор: Donald Norris,Thomas Waddick. Владелец: ExxonMobil Chemical Patents Inc. Дата публикации: 2006-12-07.

Forming an electrode having reduced corrosion and water decomposition on surface using a custom oxide layer

Номер патента: US20110312164A1. Автор: Hariklia Deligianni,Stefan Harrer,Hongbo Peng,Gustavo A. Stolovitzky,Stanislav Polonsky,Stephen Rossnagel,Shafaat Ahmed,Xiaoyan Shao,Dario L. Goldfarb,Ali Afzali-Azdakani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Molded article having reduced birefringence

Номер патента: US20230174775A1. Автор: Jung Gyun Noh,Dae Sik Kim,Won Ko,Se Mi Kim,Jung Eun Park,Jin Gi Ahn. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Vehicle having reduced drag

Номер патента: US20220410985A1. Автор: Alvin Gatto,Aleksandra Anna REJNIAK. Владелец: Brunel University London. Дата публикации: 2022-12-29.

Cellulose ester particulates having reduced moisture content for foam sheet production processes

Номер патента: WO2024182334A2. Автор: Michael Eugene Donelson,Jun Hu,Goliath BENIAH,Nicola Anne HERNDON,Rahul SHANKAR. Владелец: EASTMAN CHEMICAL COMPANY. Дата публикации: 2024-09-06.

Three-dimensional articles made by additive manufacturing having reduced surface haze

Номер патента: US12084591B2. Автор: Darragh FITZPATRICK,Rachel Hersee,Martin SMYTH,David BRANAGAN,Lisa KENNEDY. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2024-09-10.

A vehicle having reduced drag

Номер патента: EP4054921A1. Автор: Alvin Gatto,Aleksandra Anna REJNIAK. Владелец: Brunel University London. Дата публикации: 2022-09-14.

Treated inorganic pigments having reduced photoactivity and improved anti-microbial properties and their use in coating compositions

Номер патента: US20140135421A1. Автор: Charles David Musick. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2014-05-15.

Electrochromic devices having reduced switching times and their methods of manufacture

Номер патента: US09939703B1. Автор: Que Anh S. Nguyen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing duplex stainless steel sheet having reduced inclusions

Номер патента: US09869002B2. Автор: Sung Jin Park,Dae Sung Lee,Man Jin HA. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Liquid crystal devices having reduced electrode-gap visibility

Номер патента: US09849657B2. Автор: Michael G. Robinson,Douglas J. McKnight. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-26.

Display device with diffraction grating having reduced polarization sensitivity

Номер патента: US12135442B2. Автор: Frank Y. Xu,Vikramjit Singh,Shuqiang Yang,Kang LUO,Kevin MESSER,Xiaopei Deng. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Cementitious composition for forming mortars or concretes having reduced tendency to react with alkali

Номер патента: US09593045B2. Автор: Stefano Cangiano,Antonio Princigallo. Владелец: Italcementi SpA. Дата публикации: 2017-03-14.

Encapsulated pesticide having reduced phytotoxicity

Номер патента: CA1124174A. Автор: James A. Reynolds. Владелец: Uniroyal Inc. Дата публикации: 1982-05-25.

Tin containing elastomers and products having reduced hysteresis properties

Номер патента: CA2058562A1. Автор: Tristram W. Bethea,William L. Hergenrother,John M. Doshak. Владелец: John M. Doshak. Дата публикации: 1992-07-03.

Production of polyol esters having reduced color content

Номер патента: CA1321388C. Автор: Corey James Kenneally,Patrick Joseph Corrigan,Marjorie Mossman Peffly,Michael Steven Gibson,Larry Nelson Hawkins. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1993-08-17.

Natural rubber latex having reduced allergenicity and method of making

Номер патента: MY161558A. Автор: William Doyle,Matthew Clark,Travis Honeycutt. Владелец: Vystar Corp. Дата публикации: 2017-04-28.

Elastomers and products having reduced hysteresis

Номер патента: US5153159A. Автор: Thomas A. Antkowiak,David F. Lawson,Mark L. Stayer, Jr.,Russell W. Koch. Владелец: Bridgestone Firestone Inc. Дата публикации: 1992-10-06.

Rotary fluid handling machine having reduced fluid leakage

Номер патента: CA1208495A. Автор: Ching M. Chang,Ross H. Sentz. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1986-07-29.

Smoking articles having reduced ignition proclivity characteristics

Номер патента: CA2688276C. Автор: Thomas A. Kraker,Raoul Herve,Julia Cloitre-Chabert,Patrick Guilchet. Владелец: Schweitzer Mauduit International Inc. Дата публикации: 2015-09-08.

Elastomers and products having reduced hysteresis and process for the preparation thereof

Номер патента: CA2153946A1. Автор: James E. Hall,Thomas A. Antkowiak,Davis F. Lawson. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 1996-01-19.

Aluminum sheet product having reduced earing and method of making

Номер патента: US4929285A. Автор: Mohammad A. Zaidi. Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1990-05-29.

Equipment sets having reduced diameter primary tube for the sequential administration of medical liquids at dual flow rates

Номер патента: CA1148821A. Автор: Andrew J. Muetterties,Joseph N. Genese,John J. Leahey. Владелец: ABBOTT LABORATORIES. Дата публикации: 1983-06-28.

Genetically modified cows having reduced susceptibility to mad cow disease

Номер патента: WO2003011016A3. Автор: Monika Liljedahl,Simon Eric Aspland. Владелец: Stell. Дата публикации: 2003-11-20.

Producing algae biomass having reduced concentration of contaminants

Номер патента: EP2986706A1. Автор: Nicholas Eckelberry,Jose L. SANCHEZ PINA. Владелец: Originclear Inc. Дата публикации: 2016-02-24.

Oilseed plants having reduced pod shatter

Номер патента: US20240065193A1. Автор: Michael David Marks,John C. Sedbrook,Ratan Chopra,Maliheh Esfahanian. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2024-02-29.

ANTIBODIES TO HUMAN IL-4Rα HAVING REDUCED IMMUNOGENICITY AND APPLICATION THEREOF

Номер патента: WO2023191665A1. Автор: Olga Vladimirovna Britanova,Ekaterina Markovna MERZLYAK,Dmitry Mikhailovich CHUDAKOV. Владелец: Milaboratory, Limited Liability Company. Дата публикации: 2023-10-05.

Coronavirus-derived receptor-binding domain variant having reduced ace2-binding affinity and vaccine composition comprising the same

Номер патента: US20230355745A1. Автор: Gil-Jung KIM,Jae Chan Park,Myoung Ho Jang,Su Bin Lee,Young Joo Choi,Yeon Soo Park,Young Hyun Park,Seung Mi Jeong. Владелец: GI Cell Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Geothermal heat system having reduced heat source residual heat of geothermal heat pump

Номер патента: US11788778B2. Автор: Jong Woo Park,Jeong Soo Shin,Jin Yong Kim. Владелец: J&g Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods of engineering immune cells having reduced fratricidal activity

Номер патента: EP4326293A1. Автор: Norihiro Watanabe,Maksim MAMONKIN,Feiyan MO. Владелец: Baylor College of Medicine. Дата публикации: 2024-02-28.

Methods of engineering immune cells having reduced fratricidal activity

Номер патента: AU2022262088A9. Автор: Norihiro Watanabe,Maksim MAMONKIN,Feiyan MO. Владелец: Baylor College of Medicine. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods of engineering immune cells having reduced fratricidal activity

Номер патента: CA3217028A1. Автор: Norihiro Watanabe,Maksim MAMONKIN,Feiyan MO. Владелец: Baylor College of Medicine. Дата публикации: 2022-10-27.

Manufacture of large cheese blocks having reduced moisture variability

Номер патента: US20060216373A1. Автор: David Mehnert,Divva Reddy,Carie Wolters. Владелец: Kraft Foods Holdings Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Buffer tubes having reduced stress whitening

Номер патента: US8824845B1. Автор: Brian G. Risch. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2014-09-02.

Having reduced oxygen permeability laminates production method

Номер патента: RU2663773C2. Автор: Торстен ШМИДТ,Май ЧЭНЬ,Дэниел ВИНЧИ,Томас УДХАЯСИНГХ. Владелец: Ром Энд Хаас Компани. Дата публикации: 2018-08-09.

Ceramic compositions useful for thermal barrier coatings having reduced thermal conductivity

Номер патента: US6960395B2. Автор: Mark Daniel Gorman,Irene Spitsberg,Brett Allen Boutwell,Venkat Subramanian Venkataramani. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2005-11-01.

Porous fiberglass materials having reduced formaldehyde emissions

Номер патента: US8173219B2. Автор: Kurt Gabrielson,Robert Fleming,Peter Boyer,Kim Tutin,Ramji Srinivasan,Natasha Wright. Владелец: Georgia Pacific Chemicals LLC. Дата публикации: 2012-05-08.

Aqueous solution comprising water-soluble nitrogen containing epihalohydrine-based resin having reduced content of organic halogen, and method of preparing thereof

Номер патента: RU2110532C1. Автор: Горзински Марек,Пингель Андреас. Владелец: Акцо Нобел Н.В.. Дата публикации: 1998-05-10.

Abuse resistant melt extruded formulation having reduced alcohol interaction

Номер патента: US20090317355A1. Автор: Wolfgang Roth,Alexander Burst,Martina Zietsch. Владелец: Abbott GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-12-24.

Molded vinyl halide resin (PVC) flooring compositions having reduced water absorption

Номер патента: US4814369A. Автор: Paulette Baker. Владелец: Synthetic Products Co. Дата публикации: 1989-03-21.

Poly(ethylene 2,6-naphthalene dicarboxylate)/aromatic ketone compositions having reduced fluorescence

Номер патента: US5310857A. Автор: Mitchell A. Winnik,Allan S. Jones,David E. Mills. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 1994-05-10.

Polyether polyols having reduced unsaturation and polyurethane foams prepared therefrom

Номер патента: US5114988A. Автор: Steven D. Gagnon,Oscar M. Grace,Theodore M. Smiecinski,Steven E. Wujcik. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 1992-05-19.

Mastic, caulking and sealant compositions having reduced surface tack

Номер патента: CA1150434A. Автор: David H. Clemens,Lawrence S. Frankel. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 1983-07-19.

Sustained release theophylline tablet having reduced bulk

Номер патента: CA1165241A. Автор: Claude E. Gallian,Dana Brooke,Stephen T. David. Владелец: Bristol Myers Squibb Co. Дата публикации: 1984-04-10.

Process for the production of raw cement slurries having reduced water content

Номер патента: CA1051313A. Автор: Joseph P. Fleming,Norman F. Adrian. Владелец: Diamond Shamrock Corp. Дата публикации: 1979-03-27.

Fiber optic harness having reduced weight and bulk, and method

Номер патента: US5212750A. Автор: James R. Wright. Владелец: Simmonds Precision Engine Systems Inc. Дата публикации: 1993-05-18.

Rotary fluid handling machine having reduced fluid leakage

Номер патента: US4472107A. Автор: Ching M. Chang,Ross H. Sentz. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1984-09-18.

Modified mammalian cells having reduced host cell proteins

Номер патента: CA3169908A1. Автор: Shahram Misaghi,Amy Shen,Anthony TOMLINSON,Michael Wilson LAIRD,Inn Huam Yuk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-30.

Covered V-belt having reduced coefficient of friction sides and method of making the same

Номер патента: US4355994A. Автор: James K. Brew. Владелец: Dayco Corp. Дата публикации: 1982-10-26.

Solid composition having reduced tooth erosion potential

Номер патента: CA2301136C. Автор: David Myatt Parker. Владелец: SmithKline Beecham Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Vehicles having reduced tilting of the superstructure thereof relative to the wheel axle support therefor

Номер патента: CA1103715A. Автор: Bo-Gunnar Ekeborg,Stig-Gunnar Lofgren. Владелец: Mo och Domsjo AB. Дата публикации: 1981-06-23.

Urea composition having reduced compressibility, cake formation and dust formation, and process for the preparation thereof

Номер патента: CA2593283C. Автор: Erik Alexander Bijpost,Luc Albert Vanmarcke,Ruud Van Belzen,John Van Der Hoeven. Владелец: Yara International ASA. Дата публикации: 2011-04-19.

Method for continuously producing rolled wafers having friable texture

Номер патента: RU2615469C2. Автор: Йоханнес ХААС,Йозеф ХААС,Штефан ЙИРАШЕК,Карл ТИФЕНБАХЕР. Владелец: Хаас Фуд Экуипмент ГмбХ. Дата публикации: 2017-04-04.

Process for preparing high yields of single cell products having reduced purine content and high nutritive value

Номер патента: CA1076410A. Автор: Kwei-Chao Chao. Владелец: Standard Oil Co. Дата публикации: 1980-04-29.

Method for forming sheets having reduced surface imperfections

Номер патента: US4187274A. Автор: Sigurdur I. Arnason. Владелец: General Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1980-02-05.

Apparatus having reduced background for measuring radiation activity in aerosol particles

Номер патента: US5128539A. Автор: John C. Rodgers,Andrew R. McFarland,Carlos A. Oritz,William H. Marlow. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1992-07-07.

Synthetic resin composition having reduced corrosion- causing tendency and coloration

Номер патента: CA1283991C. Автор: Shigeo Miyata. Владелец: Kyowa Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-07.

Electrographic touch sensor having reduced bow of equipotential field lines therein

Номер патента: US4822957A. Автор: John E. Talmage, Jr.,John T. Quirk, Jr.. Владелец: Elographics Inc. Дата публикации: 1989-04-18.

Silicone-polycarbonate block copolymers and polycarbonate blends having reduced haze, and method for making

Номер патента: US5530083A. Автор: Peter D. Phelps,James F. Hoover,Gary C. Davis,Eugene P. Boden,Danielle R. Joyce. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-06-25.

Polyether polyols having reduced unsaturation and polyurethane foams prepared therefrom

Номер патента: CA2028194C. Автор: Oscar M. Grace,Theodore Michael Smiecinski,Steven Edward Wujcik,Steven Dallas Gagnon. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2002-12-24.

Fire retardant polyisocyanurate and polyurethane foams having reduced smoke levels and method for producing same

Номер патента: CA1105648A. Автор: William J. Kauffman,Edwin J. Quinn. Владелец: Armstrong World Industries Inc. Дата публикации: 1981-07-21.

Preparation of whey products having reduced allergericity

Номер патента: US4879131A. Автор: Olivier de Rahm. Владелец: Nestec SA. Дата публикации: 1989-11-07.

Naphthalenedicarboxylic acid containing polymer compositions having reduced fluorescence

Номер патента: US5393862A. Автор: Mitchell A. Winnik,Allan S. Jones,David E. Mills. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 1995-02-28.

Method of preparing photochromic-dichroic films having reduced optical distortion

Номер патента: EP2969499A1. Автор: Anil Kumar,David Park. Владелец: Transitions Optical Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

A process for preparing naphthalenedicarboxylic acid containing polymer blends having reduced fluorescence

Номер патента: CA2167704A1. Автор: Allan Scott Jones,David Earl Mills. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-02-16.

Continuous cast steel product having reduced microsegregation

Номер патента: CA1179473A. Автор: Thomas N. Wilson,Uday K. Sinha,George C. Ward. Владелец: Southwire Co LLC. Дата публикации: 1984-12-18.

Process for producing glossy fibres of the modacrylic type having reduced inflammability

Номер патента: US4287148A. Автор: Giorgio Cazzaro,Antonino Cavallaro,Giancarlo Matera,Marina Zani. Владелец: SNIA Viscosa SpA. Дата публикации: 1981-09-01.

Fiber from acrylonitrile copolymers having reduced inflammability, compositions and processes for manufacturing the same

Номер патента: US4224210A. Автор: Giorgio Cazzaro,Antonino Cavallaro,Giancarlo Matera,Domenico Malgeri. Владелец: SNIA Viscosa SpA. Дата публикации: 1980-09-23.

Methods of cementing in subterranean formations using cement kiln dust in compositions having reduced portland cement content

Номер патента: CA2778241C. Автор: Craig Wayne Roddy,Darrell Chad Brenneis,Jiten Chatterji,Ronnie G. Morgan. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Grain-based hot cereal compositions having reduced foaming

Номер патента: CA2875587C. Автор: David Klaus Duffy,Molly Elizabeth Mcgurk Moen. Владелец: MOM Brands Co LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Shampoo compositions having reduced squeakiness effect, process for preparing the same and method of use

Номер патента: WO2017087656A1. Автор: David Petty,Manuel Gamez-Garcia. Владелец: ISP Investments LLC. Дата публикации: 2017-05-26.

Process for producing wood-based osbs having reduced emission of volatile organic compounds (vocs)

Номер патента: CA3014246C. Автор: Norbert Dr. Kalwa,Sabrina Pfeiffer. Владелец: SWISS KRONO Tec AG. Дата публикации: 2024-01-02.

Anti-Siglec-7 antibodies having reduced effector function

Номер патента: US11912766B2. Автор: Wouter Korver,Christopher Bebbington,Nenad Tomasevic. Владелец: Allakos Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Transdermal analgesic systems having reduced abuse potential

Номер патента: WO2005044243A8. Автор: Thomas Stein,Robert Gale,Jay Audett. Владелец: Jay Audett. Дата публикации: 2005-09-09.

Thermal expansion-balanced transverse anderson localization optical waveguides that have reduced bowing

Номер патента: WO2023242063A1. Автор: Hubertus Russert,Kevin Tabor,Andreas Koglbauer,James Marro,Andrea Ravagli. Владелец: SCHOTT NORTH AMERICA, INC.. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of producing formaldehyde laden layered products having reduced emission of formaldehyde

Номер патента: US20020168471A1. Автор: Salme Pirhonen,Ingvar Lindh,Robin Ljungar. Владелец: Akzo Nobel NV. Дата публикации: 2002-11-14.

Method, product, and apparatus for a machine learning process using weight sharing within a systolic array having reduced memory bandwidth

Номер патента: US11823018B1. Автор: Yong Liu,Ngai Ngai William Hung,Michael Patrick Zimmer. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Genetically modified immune cells expressing a chimeric antigen receptor and having reduced proinflammatory cytokine signaling

Номер патента: EP4132973A1. Автор: Biliang HU. Владелец: Celledit LLC. Дата публикации: 2023-02-15.

Genetically modified immune cells expressing a chimeric antigen receptor and having reduced proinflammatory cytokine signaling

Номер патента: WO2021207150A1. Автор: Biliang HU. Владелец: Celledit LLC. Дата публикации: 2021-10-14.

Grain-based hot cereal compositions having reduced foaming

Номер патента: US20160037809A1. Автор: David Klaus Duffy,Molly Elizabeth Mcgurk Moen. Владелец: MOM Brands Co LLC. Дата публикации: 2016-02-11.

Nucleobase editors having reduced non-target deamination and assays for characterizing nucleobase editors

Номер патента: EP3918078A1. Автор: YI Yu,Ian SLAYMAKER,Jason Michael GEHRKE,Nicole GAUDELLI. Владелец: Beam Therapeutics Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Liquid crystal devices having reduced electrode-gap visibility

Номер патента: US20120236240A1. Автор: Michael G. Robinson,Douglas J. McKnight. Владелец: RealD Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Tobacco plants having reduced nicotine demethylase activity

Номер патента: US11970702B2. Автор: Dongmei Xu,Mark T. Nielsen,Yanxin Shen. Владелец: US Smokeless Tobacco Co LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

High productivity algal mutants having reduced photosynthetic antenna

Номер патента: US20180186842A1. Автор: Shaun Bailey,Eric R. Moellering,Imad Ajjawi,Andrew Schultz,John Verruto,Nicholas BAUMAN,Moena AQUI,Randor R. Radakovits,Roberto SPREAFICO,Fedor KUZMINOV,Saheed Imam,Kathleen KWOK,Jennifer Nominati. Владелец: Synthetic Genomics Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

High productivity algal mutants having reduced photosynthetic antenna

Номер патента: US10968259B2. Автор: Shaun Bailey,Eric R. Moellering,Imad Ajjawi,Andrew Schultz,John Verruto,Nicholas BAUMAN,Moena AQUI,Randor R. Radakovits,Roberto SPREAFICO,Fedor KUZMINOV,Saheed Imam,Kathleen KWOK,Jennifer Nominati. Владелец: Synthetic Genomics Inc. Дата публикации: 2021-04-06.

Process for preparing ingot having reduced distortion at late body length

Номер патента: US11959189B2. Автор: Zheng Lu,Sumeet S. Bhagavat,Feng-Chien TSAI,Hong-Huei Huang,Tapas Jain. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

High productivity algal mutants having reduced photosynthetic antenna

Номер патента: US11787843B2. Автор: Shaun Bailey,Eric R. Moellering,Imad Ajjawi,Andrew Schultz,John Verruto,Nicholas BAUMAN,Moena AQUI,Randor R. Radakovits,Roberto SPREAFICO,Fedor KUZMINOV,Saheed Imam,Kathleen KWOK,Jennifer Nominati. Владелец: Viridos Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Phosphinoamidite carboxylates and analogs thereof in the synthesis of oligonucleotides having reduced internucleotide charge

Номер патента: EP1334111A4. Автор: Douglas J Dellinger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-24.

Polymer compositions having reduced odor emissions

Номер патента: US20230183455A1. Автор: Tianhua DING,Nitin Chopra,Jonathon Scholin. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2023-06-15.

Soy protein products having reduced off-flavor and processes for making the same

Номер патента: WO2007002450A3. Автор: Leo Kelly,Navpreet Singh,Anthony J Irwin. Владелец: Anthony J Irwin. Дата публикации: 2007-04-12.

Display device with diffraction grating having reduced polarization sensitivity

Номер патента: US20230213692A1. Автор: Frank Y. Xu,Vikramjit Singh,Shuqiang Yang,Kang LUO,Kevin MESSER,Xiaopei Deng. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Genetically-modified filamentous fungi for production of exogenous proteins having reduced or no n-linked glycosylation

Номер патента: EP4291632A1. Автор: Mark Aaron Emalfarb,Markku Saloheimo,Ronen Tchelet,Mari MÄKINEN. Владелец: Dyadic International USA Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Sound-absorbing roof construction of a hall having reduced reverberation time

Номер патента: AU2018363745B2. Автор: Christian Hoppe,Ronald Tschiersch,Elmar Johannes Anton Tober. Владелец: Liaver GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for obtaining coating compositions having reduced voc

Номер патента: AU2002331781A1. Автор: Walter Ohrbom,Robert Weise,James Laugal. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2003-06-23.

Nut and non-dairy components having reduced trace element content, compositions comprising them and processes for their production

Номер патента: CA3184443A1. Автор: Michael Azar,Fabiana Bar-Yoseph,Asher Widberg,Uriel KESLER,Hamutal YITZHAK. Владелец: ELSE NUTRITION GH LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Nut and non-dairy components having reduced trace element content, compositions comprising them and processes for their production

Номер патента: AU2021274182A1. Автор: Michael Azar,Fabiana Bar-Yoseph,Asher Widberg,Uriel KESLER,Hamutal YITZHAK. Владелец: ELSE NUTRITION GH LTD. Дата публикации: 2022-12-15.

Nut and non-dairy components having reduced trace element content, compositions comprising them and processes for their production

Номер патента: EP4152951A1. Автор: Michael Azar,Fabiana Bar-Yoseph,Asher Widberg,Uriel KESLER,Hamutal YITZHAK. Владелец: ELSE NUTRITION GH LTD. Дата публикации: 2023-03-29.

Nut and non-dairy components having reduced trace element content, compositions comprising them and processes for their production

Номер патента: US20230189852A1. Автор: Michael Azar,Fabiana Bar-Yoseph,Asher Widberg,Uriel KESLER,Hamutal YITZHAK. Владелец: ELSE NUTRITION GH LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Compact overrunning coupling and control assembly having reduced part count and manufacturing complexity

Номер патента: EP2895757A1. Автор: Brice A. Pawley,Robert D. Fetting. Владелец: Means Industries Inc. Дата публикации: 2015-07-22.

Compact overrunning coupling and control assembly having reduced part count and manufacturing complexity

Номер патента: WO2014110334A1. Автор: Brice A. Pawley,Robert D. Fetting. Владелец: Means Industries, Inc.. Дата публикации: 2014-07-17.

Liquid crystal devices having reduced electrode-gap visibility

Номер патента: WO2012125881A3. Автор: Michael G. Robinson,Douglas J. McKnight. Владелец: REALD INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

High productivity algal mutants having reduced photosynthetic antenna

Номер патента: EP3562833A1. Автор: Shaun Bailey,Eric R. Moellering,Imad Ajjawi,Andrew Schultz,John Verruto,Nicholas BAUMAN,Moena AQUI,Randor R. Radakovits,Roberto SPREAFICO,Fedor KUZMINOV,Saheed Imam,Kathleen KWOK,Jennifer Nominati. Владелец: Synthetic Genomics Inc. Дата публикации: 2019-11-06.

High productivity algal mutants having reduced photosynthetic antenna

Номер патента: US20240052001A1. Автор: Shaun Bailey,Eric R. Moellering,Imad Ajjawi,Andrew Schultz,John Verruto,Nicholas BAUMAN,Moena AQUI,Randor R. Radakovits,Roberto SPREAFICO,Fedor KUZMINOV,Saheed Imam,Kathleen KWOK,Jennifer Nominati. Владелец: Viridos Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Soy protein products having reduced off-flavor and processes for making the same

Номер патента: EP1898717A2. Автор: Anthony J. Irwin,Leo Kelly,Navpreet Singh. Владелец: SOLAE LLC. Дата публикации: 2008-03-19.

Pharmaceutical composition comprising iron chelator exhibiting antitumor activity, antibacterial activity and/or antivirus activity, and having reduced side effects

Номер патента: US20200163938A1. Автор: Kazuhiro Omori,Toshiaki Ohara,Yuzo Nishida,Yasuko Tomono. Владелец: Disease Adsorption System Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Compositions and Methods for Lowering Triglycerides in a Subject Having Reduced Kidney Function

Номер патента: US20210137872A1. Автор: Sephy PHILIP. Владелец: Amarin Pharmaceuticals Ireland Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Electroplating wafers having a notch

Номер патента: US20170283976A1. Автор: Gregory J. Wilson,Paul R. McHugh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Epitaxial silicon cmos-mems microphones and method for manufacturing

Номер патента: US20120319219A1. Автор: Franz Laermer,Michael J. Daley,Brett M. Diamond,Andrew J. Doller,John M. Muza,Phillip Sean Stetson. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-12-20.

METHOD FOR HEAT-TREATING WAFER, METHOD FOR PRODUCING SILICON WAFER, SILICON WAFER, AND HEAT TREATMENT APPARATUS

Номер патента: US20130098888A1. Автор: Oka Tetsuya,Ebara Koji,Takahashi Shuji. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-25.

Method for testing and/or securing silicon wafer for use in manufacture of integrated circuits, involves testing and/or securing chip of wafer by performing contactless communication with another distinct chip of wafer or processing chip

Номер патента: FR2973561A1. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2012-10-05.

N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCTION METHOD, N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT, SILICON WAFER, AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20200224329A1. Автор: Maegawa Koichi,OGAWA Fukuo,NARUSHIMA Yasuhito,KAWAKAMI Yasufumi,TSUTSUMI Yuuji. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-16.

Method of manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: TW495847B. Автор: Kazuya Togashi,Kaoru Matsumoto,Kuniaki Arai,Masayoshi Danhata. Владелец: Komatsu Denshi Kinzoku Kk. Дата публикации: 2002-07-21.

Set of epitaxial silicon wafers assembled in a wafer casette, boat or other wafer carrier

Номер патента: TW448248B. Автор: Lu Fei,Joseph C Holzer,Robert J Falster,Stagno Luciano Mule,Harold W Korb. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2001-08-01.

CONTAMINATION CONTROL METHOD OF VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20160097144A1. Автор: NOGAMI Syouji. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-04-07.

EPITAXIAL-SILICON WAFER WITH A BURIED OXIDE LAYER

Номер патента: US20220177296A1. Автор: Wang Stanley J.,Ellenson James E.. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2022-06-09.

Epitaxial silicon wafer

Номер патента: JPWO2009133720A1. Автор: 中村　　剛,俊幸藤原,中村　剛,英一浅山,藤原　俊幸,健彦細井. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Epitaxial silicon wafer

Номер патента: KR100753169B1. Автор: 고미야사토시,요시노시로,단바타마사요시,하야시다고이치로. Владелец: 사무코 테크시부 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-08-30.

A method and an apparatus for disposing epitaxial silicon and silicides

Номер патента: WO1990010098A1. Автор: Johan Francis Albert Nijs,Karen Irma Jozef Maex. Владелец: Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw. Дата публикации: 1990-09-07.

Thick epitaxial silicon by grain reorientation annealing and applications thereof

Номер патента: WO2010060673A1. Автор: Devendra Sadana,Daniel Inns,Keith Fogel,Joel de Souza,Katherine Saenger. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-06-03.

A kind of device preparing epitaxial silicon chip and silicon source material method for detecting purity

Номер патента: CN110412234A. Автор: 王力,方圭哲,金柱炫. Владелец: Xian Eswin Silicon Wafer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Isolation method to replace STI for deep sub-micron VLSI process including epitaxial silicon

Номер патента: US6506661B1. Автор: Chai-Der Chang,Pin-Hsiang Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-01-14.

Methods for epitaxial silicon growth

Номер патента: US20120180716A1. Автор: Er-Xuan Ping,Jingyan Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-19.

GAS RECLAMATION AND ABATEMENT SYSTEM FOR HIGH VOLUME EPITAXIAL SILICON DEPOSITION SYSTEM

Номер патента: US20130276702A1. Автор: CARLSON DAVID K.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

DOORS FOR HIGH VOLUME, LOW COST SYSTEM FOR EPITAXIAL SILICON DEPOSITION

Номер патента: US20140060435A1. Автор: CARLSON DAVID K.,Narwankar Pravin K.,Maqsood Kashif,RICE MICHAEL R.,SHAH KARTIK B.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-03-06.

METHOD FOR PRODUCING EPITAXIAL SILICON CARBIDE WAFERS

Номер патента: US20170159208A1. Автор: ITO Wataru,Aigo Takashi,Fujimoto Tatsuo. Владелец: NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION. Дата публикации: 2017-06-08.

METHOD FOR PRODUCING EPITAXIAL SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER

Номер патента: US20180216251A1. Автор: ITO Wataru,Aigo Takashi,Fujimoto Tatsuo. Владелец: NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION. Дата публикации: 2018-08-02.

CAPACITIVE MICRO-FACTORY ULTRASONIC TRANSDUCER MADE WITH EPITAXIAL SILICON MEMBRANE

Номер патента: FR2880232B1. Автор: David M Mills,Wei Cheng Tian,Lowell Scott Smith,Jeffrey Bernard Fortin,John Robert Logan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2009-10-09.

Method and apparatus for growing an epitaxial silicon layer with controlled mass flow of reactive gases

Номер патента: DE69333920D1. Автор: Takatoshi Nagoya,Yutaka Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Silicon wafer or die strength test fixture using high pressure fluid

Номер патента: US5992242A. Автор: Adrian Murphy,Manickam Thavarajah. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Ultra-pure epitaxial silicon and process for its manufacture

Номер патента: EP0114876B1. Автор: John C. Schumacher. Владелец: JC Schumacher Co. Дата публикации: 1990-06-06.

ULTRA CLEAN EPITAXIAL SILICON AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF.

Номер патента: DE3381626D1. Автор: John C Schumacher. Владелец: JC Schumacher Co. Дата публикации: 1990-07-12.

The gas of high power capacity epitaxial silicon deposition system is reclaimed and abatement system

Номер патента: CN104246983B. Автор: 戴维·K·卡尔森. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-29.

Methods for epitaxial silicon growth

Номер патента: US20040237881A1. Автор: Er-Xuan Ping,Jingyan Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Epitaxial silicon deposition - in closed vessel with constant temp. gradient across line of substrates

Номер патента: DE2738111A1. Автор: Peter Duro Dipl Phys Braun,Wolodymyr Kosak. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1979-03-01.

Obfuscating function resources while reducing stack consumption

Номер патента: US20140095812A1. Автор: Julien Lerouge,Nicholas T. Sullivan,Jonathan G. McLachan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Method for manufacturing silicon wafer having rough surface, and silicon wafer

Номер патента: WO2022047978A1. Автор: 黎家健,吴伟昌,吕丽英. Владелец: 瑞声声学科技(深圳)有限公司. Дата публикации: 2022-03-10.

Silicon-wafer based devices and methods for analyzing biological material

Номер патента: WO2002082046A3. Автор: Rigo Pantoja,James R Heath,Francisco Bezanilla,Daniel M Sigg. Владелец: Daniel M Sigg. Дата публикации: 2003-03-20.

Methods for producing epitaxial wafer and silicon wafer and epitaxial wafer

Номер патента: TW575696B. Автор: Makoto Iida,Akihiro Kimura,Yoshinori Hayamizu. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2004-02-11.

Six-degree-of-freedom displacement measurement method for exposure region on silicon wafer stage

Номер патента: US09995569B2. Автор: Feng Liu,Ming Zhang,Yu Zhu,Dengfeng Xu,Rong Cheng,Kaiming Yang,Jinchun Hu,Haihua Mu,Chuxiong Hu,Fan ZHI,Yujing SONG,Anlin CHEN. Владелец: Beijing U Precision Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Via stack fault detection

Номер патента: US09659668B2. Автор: Anthony D Veches. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Reduced stack usage in a multithreaded processor

Номер патента: US20180157493A1. Автор: Donald E. Steiss. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Dosing regimen of activated protein c and variants having reduced anticoagulant activity

Номер патента: EP2078074A2. Автор: John H. Griffin,Hartmut Weiler. Владелец: BLOODCENTER RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2009-07-15.

Dosing regimen of activated protein c and variants having reduced anticoagulant activity

Номер патента: WO2008073603A3. Автор: John H Griffin,Hartmut Weiler. Владелец: Bloodct Res Foundation. Дата публикации: 2009-04-16.

Multicrystalline silicon brick and silicon wafer therefrom

Номер патента: US10029919B2. Автор: Wen-Huai Yu,Yu-Min YANG,Wen-Ching Hsu,Chung-Wen Lan,Sung Lin Hsu,Hung-Sheng CHOU,Yu-Ting WONG. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2018-07-24.

Multicrystalline silicon brick and silicon wafer therefrom

Номер патента: US20180297851A1. Автор: Wen-Huai Yu,Yu-Min YANG,Wen-Ching Hsu,Chung-Wen Lan,Sung Lin Hsu,Hung-Sheng CHOU,Yu-Ting WONG. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Six-degree-of-freedom displacement measurement method for exposure region on silicon wafer stage

Номер патента: US20180080757A1. Автор: Feng Liu,Ming Zhang,Yu Zhu,Dengfeng Xu,Rong Cheng,Kaiming Yang,Jinchun Hu,Haihua Mu,Chuxiong Hu,Fan ZHI,Yujing SONG,Anlin CHEN. Владелец: Bejing U-Precision Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Balloon guide catheter having reduced outer diameter distal and proximal bonding interface areas with the balloon

Номер патента: EP3950040A2. Автор: Patrick Connolly,Shane CONWAY,Richard CONLON. Владелец: Neuravi Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

SILICON WAFER HAVING COLORED TOP SIDE

Номер патента: US20150185378A1. Автор: LIN Chi-Chou,HE Zheng-Ping. Владелец: SunASIC Technologies, Inc.. Дата публикации: 2015-07-02.

Single-crystal silicon wafer having few crystal defects and method for manufacturing the same

Номер патента: US6334896B1. Автор: Makoto Iida,Masanori Kimura,Shozo Muraoka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-01.

Solar cells using silicon wafers having improved sun light absorption

Номер патента: KR101691195B1. Автор: 정봉교. Владелец: 주식회사 지엘테크. Дата публикации: 2017-01-02.

Method for surface treatment of epitaxial silicon wafers to form active regions

Номер патента: RU2565380C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Юсуп Пахрутдинович Шангереев,Азамат Ибрагимович Муртазалиев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-10-20.

Method to control defect structure of epitaxial silicon layers on dielectric substrates

Номер патента: RU2515415C1. Автор: Алексей Валентинович Алексеев,Виктор Сергеевич Белоусов,Борис Львович Эйдельман,Владимир Михайлович Звероловлев,Александр Федотович Яремчук,Андрей Валерьевич Заикин,Алексей Викторович Старков,Аркадий Владимирович Короткевич. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ". Дата публикации: 2014-05-10.

Method for treatment of single-crystalline silicon wafer surface

Номер патента: RU2323503C2. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Игорь Петрович Калинкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (ООО "Кристалл"). Дата публикации: 2008-04-27.

Method of electrically insulated silicon regions formation in bulk of silicon wafer

Номер патента: RU2403647C1. Автор: Ильдар Искандерович Амиров,Владимир Александрович Кальнов,Александр Александрович Орликовский,Александр Владимирович Постников,Камиль Ахметович Валиев,Олег Валентинович Морозов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2010-11-10.

Номер патента: RU2318407C2. Автор: Борис Моисеевич Кершенгольц,Алексей Анатольевич Шеин,Михаил Михайлович Шашурин,Алла Николаевна Журавская,Павел Александрович Ремигайло,Галина Валерьевна Филиппова,Елена Борисовна Кершенгольц. Владелец: ООО "Биотех". Дата публикации: 2008-03-10.

Epoxy novolac resins having reduced 2-functional components and a process for reducing 2-functional components in novolac resins.

Номер патента: MY101575A. Автор: L Walker Louis,L Mccrary Avis,M Bertram James,M Cortez Fermin. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1991-12-17.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

Method for manufacturing kreteks having reduced tar and nicotine content

Номер патента: RU2326554C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Ирина Игоревна Татарченко,Сергей Александрович Кутуков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2008-06-20.

Radar antenna having reduced effective-dissipation area

Номер патента: RU2319261C1. Автор: Сергей Владимирович Ковалев,Олег Владимирович Король,Александр Васильевич Терпугов,Сергей Михайлович Нестеров,Иван Алексеевич Скородумов. Владелец: Иван Алексеевич Скородумов. Дата публикации: 2008-03-10.

Номер патента: RU2283116C2. Автор: Елена Борисовна Артюшкова,Александр Валерьевич Лебедев,Владимир Владимирович Харченко,Татьяна Григорьевна Покровская,Владимир Владимирович Гуреев,Елена Станиславовна Черноморцева,Тать на Григорьевна Покровска,Мелик Тофикович Гасанов,р Александр Георгиевич Мул,Александр Георгиевич Муляр,Ирина Сергеевна Лоюкова,заева Лиди Максимовна Р,Лидия Максимовна Рязаева,Ирина Викторовна Степина,Юли Владимировна Лунева,Юлия Владимировна Лунева. Владелец: Курский государственный медицинский университет. Дата публикации: 2006-09-10.

Continuous cast steel product having reduced microsegregation

Номер патента: CA1184792A. Автор: Thomas N. Wilson,Uday K. Sinha,George C. Ward. Владелец: Southwire Co LLC. Дата публикации: 1985-04-02.

Method for predicting occurrence of defects in epitaxial silicon wafer and method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: TWI746374B. Автор: 中村浩三,安部吉亮,前田進,仙田剛士,成松真吾. Владелец: 日商環球晶圓日本股份有限公司. Дата публикации: 2021-11-11.

Epitaxial silicon wafer, method for manufacturing the same, and silicon wafer for epitaxial growth.

Номер патента: JP5250968B2. Автор: 靖行橋本,亮中島. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Antimony-doped silicon single crystal wafer and epitaxial silicon wafer, and methods for producing them

Номер патента: JP3433678B2. Автор: 正郎玉塚,博竹野,克彦三木. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-04.

Lithographic methods to reduce stacking fault nucleation sites and structures having reduced stacking fault nucleation sites

Номер патента: CN100533663C. Автор: H·伦登曼,C·哈林. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2009-08-26.

Method for evaluating contamination of epitaxial silicon wafer and method for evaluating contamination in epitaxial growth apparatus furnace

Номер патента: JP6070095B2. Автор: 駿佐々木,一成栗田,武門野,栗田　一成. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

PROCESS FOR PRODUCING EPITAXIAL SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND EPITAXIAL SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE OBTAINED BY THE SAME

Номер патента: US20130029158A1. Автор: Aigo Takashi,Tsuge Hiroshi,Katsuno Masakazu,Fujimoto Tatsuo,Yashiro Hirokatsu,NAKABAYASHI Masashi,Hoshino Taizo. Владелец: NIPPON STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-31.

Substrate holder for silicon carbide epitaxial growth and method of manufacturing epitaxial silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: JP6671161B2. Автор: 伊藤　　渉,泰三星野,崇藍郷,伊藤　渉,昭義立川,昌芳清水. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-03-25.

Номер патента: RU2014103404A. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Юсуп Пахрутдинович Шангереев,Азамат Ибрагимович Муртазалиев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-08-10.

METHOD FOR QUANTITATIVELY EVALUATING CONCENTRATION OF ATOMIC VACANCIES EXISTING IN SILICON WAFER, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON WAFER, AND SILICON WAFER MANUFACTURED BY THE METHOD FOR MANUFACTURING SILICON WAFER

Номер патента: US20120168912A1. Автор: . Владелец: Niigata University. Дата публикации: 2012-07-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for locating dies cut from a silicon wafer on a wafer table

Номер патента: SG770003A1. Автор: Subramanian Balamurugan. Владелец: Texas Instr Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2000-01-25.

Method and apparatus for measuring iron concentration of boron-doped p-type silicon wafer, silicon wafer, and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: JP5577842B2. Автор: 圭松本,久雄伊賀. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2014-08-27.

Silicon wafer having epitaxial growth layer and its manufacturing method as well as semiconductor device using the water

Номер патента: JPH1079393A. Автор: Seiichi Isomae,Hidetsugu Ishida,英嗣石田,誠一磯前,Yushi Sugino,雄史杉野. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-03-24.

Method and device for manufacturing silicon wafer having protecting film

Номер патента: JPH1167751A. Автор: Takao Sakamoto,多可雄坂本. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-09.

Epitaxial silicon wafer having reduced stacking faults

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты