Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for manufacturing n-type silicon single crystal, n-type silicon single crystal ingot, silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Method for manufacturing n-type silicon single crystal, n-type silicon single crystal ingot, silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: KR102315981B1
Опубликовано: 21-10-2021
Автор(ы): 야스후미 카와카미, 야스히토 나루시마, 유우지 츠츠미, 코이치 마에가와, 후쿠오 오가와
Принадлежит: 가부시키가이샤 사무코
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

N-type silicon single crystal production method, n-type silicon single crystal ingot, silicon wafer, and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US11377755B2. Автор: Yasuhito Narushima,Fukuo Ogawa,Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI,Yuuji Tsutsumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

N-type silicon single crystal ingot, silicon wafer, and epitaxial silicon wafer

Номер патента: TWI665341B. Автор: 前川浩一,鳴嶋康人,川上泰史,小川福生,堤有二. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2019-07-11.

A process for producing an n-type silicon single crystal, an n-type silicon single crystal ingot, a silicon wafer and an epitaxial silicon wafer

Номер патента: DE112018002171T5. Автор: Yasuhito Narushima,Fukuo Ogawa,Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI,Yuuji Tsutsumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

N-type silicon single crystal production method, n-type silicon single crystal ingot, silicon wafer, and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20230295835A1. Автор: Yasuhito Narushima,Fukuo Ogawa,Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI,Ayumi Kihara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal, and method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20100233870A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCTION METHOD, N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT, SILICON WAFER, AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20200141024A1. Автор: Maegawa Koichi,OGAWA Fukuo,NARUSHIMA Yasuhito,KAWAKAMI Yasufumi,KIHARA Ayumi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09809901B2. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20160237589A1. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for discharging silicon oxide using carrier gas and pulling device of single crystal using same

Номер патента: KR940018491A. Автор: 히로시 야스다,카즈히로 이께자와,아끼라 타니가와,히로유끼 코지마,코지 호소다,요시후미 고바야시. Владелец: 미쯔비시 머테리얼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-08-18.

SEMI-INSULATING CRYSTAL, N-TYPE SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND P-TYPE SEMICONDUCTOR CRYSTAL

Номер патента: US20190326111A1. Автор: FUJIKURA Hajime. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Semi-insulating crystal, n-type semiconductor crystal and p-type semiconductor crystal

Номер патента: US20190326111A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20240240355A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: WO2024155595A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Production method of group iii nitride semiconductor single crystal and production method of group iii nitride semiconductor single crystal substrate

Номер патента: JP2010208899A. Автор: 祐一 大島,Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-24.

Silicon wafer and method for producing the same

Номер патента: US20140103492A1. Автор: Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Susumu Sonokawa,Hisayuki Saito. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Method for forming heteroepitaxial film

Номер патента: EP4414483A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Junya Ishizaki,Toshiki Matsubara,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Process for producing p doped silicon single crystal and p doped n type silicon single crystal wafe

Номер патента: EP1591566A4. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-25.

Method of producing p-doped silicon single crystal and p-doped n-type silicon single crystal wafer

Номер патента: EP1591566B8. Автор: Masahiro c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd SAKURADA,Izumi c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. FUSEGAWA. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

Process for producing P doped silicon single crystal and P doped N type silicon single crystal wafer

Номер патента: TW200506113A. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2005-02-16.

Carbon-doped silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11761118B2. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for manufacturing silicon single-crystal substrate and silicon single-crystal substrate

Номер патента: US20230212782A1. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor element and production method for semiconductor element

Номер патента: US20240290843A1. Автор: Koichi Kitahara,Naoteru Shigekawa,Keisuke Kawamura,Jianbo Liang. Владелец: UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION OSAKA. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming chalcogenide thin film

Номер патента: US20220213619A1. Автор: Unyong JEONG,Geonwoo KIM,Giri ANUPAM,Ghorai ARUP. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of manufacturing a single crystal, method of manufacturing a silicon wafer and method of manufacturing an epitaxial silicon wafer

Номер патента: DE112015004143B4. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2024537A1. Автор: Yasuyuki Sakaguchi,Naoki Oyanagi,Tomohiro Syounai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-02-18.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US9293327B2. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Solar Carbide Sarl. Дата публикации: 2016-03-22.

METHOD FOR OBTAINING EPITAXIAL LAYER OF A BINARY SEMICONDUCTOR MATERIAL ON A SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE BY ORGANOMETALLIC CHEMICAL DEPOSITION FROM A GAS PHASE

Номер патента: RU2013138480A. Автор: Валерий Анатольевич Буробин,Андрей Владимирович Зверев,Алексей Андреевич Арендаренко. Владелец: Алексей Андреевич Арендаренко. Дата публикации: 2015-02-27.

Method for manufacturing GaAs material single crystal layer and substrate for epitaxially growing GaAs material single crystal layer

Номер патента: CN111954730A. Автор: 布鲁诺·吉瑟兰. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2020-11-17.

Method for producing n-type SiC single crystal, n-type SiC single crystal obtained thereby, and use thereof

Номер патента: JP4853527B2. Автор: 章憲 関,靖幸 藤原. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-11.

Process for producing zno single crystal, self-supporting zno single-crystal wafer obtained by the same, self-supporting wafer of mg-containing zno mixed single crystal, and process for producing mg-containing zno mixed single crystal for use in the same

Номер патента: KR20110003346A. Автор: 이사오 사카구치,히데유키 세키와,준 고바야시,미유키 미야모토,나오키 오하시,요시키 와다. Владелец: 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코. Дата публикации: 2011-01-11.

Process for producing zno single crystal, self-supporting zno single-crystal wafer obtained by the same, self-supporting wafer of mg-containing zno mixed single crystal, and process for producing mg-containing zno mixed single crystal for use in the same

Номер патента: EP2267193A4. Автор: Jun Kobayashi,Isao Sakaguchi,Yoshiki Wada,Naoki Ohashi,Hideyuki Sekiwa,Miyuki Miyamoto. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2014-06-25.

Growth of a single crystal region of a III-V compound on a single crystal silicon substrate

Номер патента: EP1427000B1. Автор: M. Daniel Bensahel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-04-19.

Growth of a single-crystal region of a III-V compound on a single-crystal silicon substrate

Номер патента: US7033438B2. Автор: Daniel Bensahel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-04-25.

SINGLE CRYSTAL SiC, ITS FABRICATION METHOD, AND FABRICATION EQUIPMENT FOR SINGLE CRYSTAL SiC

Номер патента: WO2008018319A1. Автор: Takao Abe,Masanori Ikari,Toru Kaneniwa. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2008-02-14.

Growth of a single-crystal region of a III-V compound on a single-crystal silicon substrate

Номер патента: US20040016395A1. Автор: Daniel Bensahel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-01-29.

Epitaxial SiC single crystal substrate and method of manufacture of epitaxial SiC single crystal substrate

Номер патента: US8716718B2. Автор: Hajime Okumura,Kenji Momose,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Keiichi Matsuzawa,Michiya Odawara,Kazutoshi Kojima,Yuuki Ishida. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-05-06.

Apparatus for analyzing target materials and methods for fabricating an apparatus for analyzing target materials

Номер патента: US20030021732A1. Автор: Aroon Tungare,George Valliath. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09850595B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for pulling silicon single crystal

Номер патента: US20100089309A1. Автор: Masahiro Mori,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Method for pretreatment of base substrate and method for manufacturing layered body using pretreated base substrate

Номер патента: US09896780B2. Автор: Hiroshi Furuya,Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for producing silicon single crystal ingot

Номер патента: SG182096A1. Автор: KATO Hideo,Murakami Hideaki. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-07-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing aluminum-based group III nitride single crystal by hydride vapor phase epitaxy

Номер патента: US09708733B2. Автор: Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Reiko OKAYAMA,Akinori Koukitsu. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

SiC EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING SIC EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20240274671A1. Автор: Naoto Ishibashi,Keisuke Fukada. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US09777404B2. Автор: Keiji Wada,Jun Genba,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Sic epitaxial wafer and method for manufacturing sic epitaxial wafer

Номер патента: US20180016706A1. Автор: Daisuke Muto,Koji Kamei,Akira Miyasaka,Yoshiaki KAGESHIMA,Jun NORIMATSU. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-01-18.

Single crystalline silicon wafer, ingot, and producing method thereof

Номер патента: US6858077B2. Автор: Hong-Woo Lee,Joon-Young Choi,Hyon-Jong Cho,Hak-Do Yoo. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2005-02-22.

Method for producing heteroepitaxial wafer

Номер патента: EP4407077A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Toshiki Matsubara,Keitaro Tsuchiya,Tsuyoshi Ohtsuki,Yukari Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Manufacturing method for semiconductor silicon wafer

Номер патента: US12046469B2. Автор: Takeshi Senda,Shingo Narimatsu. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for controlling resistivity and n-type silicon single crystal

Номер патента: US20170260645A1. Автор: Kiyotaka Takano,Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US8853103B2. Автор: Shinya Sadohara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US20130295780A1. Автор: Shinya Sadohara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US20110143526A1. Автор: Shinya Sadohara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Epitaxial-silicon-wafer manufacturing method and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US09818609B2. Автор: Toshiaki Ono,Kazuhisa TORIGOE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method for producing semiconductor structure

Номер патента: US09496345B2. Автор: Koji Nakayama,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Kazutoshi Kojima,Tetsuya Miyazawa,Shiyang Ji,Tetsuro Hemmi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09938640B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of producing epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US09631297B2. Автор: Sumihisa Masuda,Kazuhiro Narahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor wafer and a method for producing the semiconductor wafer

Номер патента: US09923050B2. Автор: Ming Zhao,Norbert Werner,Peter Storck,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor substrate, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP4383315A1. Автор: Kohei Sasaki,Chia-hung Lin. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Epitaxial silicon wafer, and method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20190181007A1. Автор: Tadashi Kawashima,Naoya Nonaka,Katsuya Ookubo. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Laminate substrate, freestanding substrate, method for manufacturing laminate substrate, and method for manufacturing freestanding substrate

Номер патента: US20240332362A1. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Epitaxial silicon wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US20120112319A1. Автор: Akira Inoue,Masahiro Yoshikawa,Tadashi Kawashima,Yoshiya Yoshida,Kazuhiro Iriguchi,Toshiyuki Isami. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Sic seed crystal and method for producing same, sic ingot produced by growing said sic seed crystal and method for producing same, and sic wafer produced from said sic ingot and sic wafer with epitaxial film and methods respectively for producing said sic wafer and said sic wafer with epitaxial film

Номер патента: EP4403677A3. Автор: Kiyoshi Kojima,Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Sic seed crystal and method for producing same, sic ingot produced by growing said sic seed crystal and method for producing same, and sic wafer produced from said sic ingot and sic wafer with epitaxial film and methods respectively for producing said sic wafer and said sic wafer with epitaxial film

Номер патента: EP4403677A2. Автор: Kiyoshi Kojima,Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: EP4283024A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Laminate substrate, freestanding substrate, method for manufacturing laminate substrate, and method for manufacturing freestanding substrate

Номер патента: US12040362B2. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258462A1. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4442868A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Epitaxial-silicon-wafer manufacturing method and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20170011918A1. Автор: Toshiaki Ono,Kazuhisa TORIGOE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Method for producing diamond laminated silicon wafer, and diamond laminated silicon wafer

Номер патента: EP3656896A1. Автор: Yoshihiro Koga. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-05-27.

Process for manufacturing a two-dimensional film of hexagonal crystalline structure using epitaxial growth on a transferred thin metal film

Номер патента: US11913134B2. Автор: Bruno Ghyselen,Jean-Marc Bethoux. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-02-27.

Layered substrate with a miscut angle comprising a silicon single crystal substrate and a group-III nitride single crystal layer

Номер патента: US09728609B2. Автор: Kenji Ito,Masaki Matsui,Kazuyoshi Tomita,Nobuyuki Otake,Tetsuo Narita,Shinichi Hoshi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing an epitaxial wafer

Номер патента: US20240063027A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Susceptor, epitaxial growth apparatus, method of producing epitaxial silicon wafer, and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US11984346B2. Автор: Kazuhiro Narahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for manufacturing silicon epitaxial wafer

Номер патента: US20120231612A1. Автор: Tomosuke Yoshida. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20230369416A1. Автор: Keiichiro Hiraki. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Production method of epitaxial silicon wafer and vapor deposition apparatus

Номер патента: US20160083836A1. Автор: Hitoshi Takamiya,Kan Yoshitake,Motoki GOTO,Yusuke Kurozumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same

Номер патента: US20030015702A1. Автор: Ravindranath Droopad,Kurt Eisenbeiser,Zhiyi Yu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4386116A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Apparatus and method for manufacturing a light-emitting device using a neutral particle beam

Номер патента: US20140017827A1. Автор: Suk Jae Yoo,Seong Bong Kim. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor film and method for manufacturing same

Номер патента: US20230162978A1. Автор: Kohei Sasaki,Quang Tu THIEU. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Epitaxial silicon wafer and fabrication method thereof

Номер патента: US20110239931A1. Автор: Masato Sakai,Shinji Nakahara,Masaya Sakurai,Takayuki Dohi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Silicon epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100327415A1. Автор: Takeshi Arai. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for producing Ga2O3 based crystal film

Номер патента: US09657410B2. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Nitride semiconductor wafer and method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20230290835A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for producing a group III nitride semiconductor single crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09567693B2. Автор: Shiro Yamazaki,Seiji Nagai,Miki Moriyama,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09530642B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148C. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2012-08-07.

Method for simulating the shape of the solid-liquid interface between a single crystal and a molten liquid, and the distribution of point defects of the single crystal

Номер патента: US20010042504A1. Автор: Naoki Ono,Kounosuke Kitamura. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Method of manufacturing n-type semiconductor diamond, and n-type semiconductor diamond

Номер патента: CA2491242A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Yoshiyuki Yamamoto,Akihiko Namba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-04-29.

Method of preparing single crystal perovskite and method of manufacturing solar cell using single crystal perovskite

Номер патента: US20230357956A1. Автор: Do Hyung Kim,Yu Jin Kang,Hyun Shil KIM,Jae Seob Yoo. Владелец: Korea Electric Power Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of preparing single crystal perovskite and method of manufacturing solar cell using single crystal perovskite

Номер патента: EP4277453A1. Автор: Do Hyung Kim,Yu Jin Kang,Hyun Shil KIM,Jae Seob Yoo. Владелец: Korea Electric Power Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for manufacturing N-type semiconductor element for cooling or heating device

Номер патента: US20160130726A1. Автор: Gu Wei,CHEN Zhiming. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Method of producing silicon single crystal ingot

Номер патента: US09777394B2. Автор: Wataru Sato,Nobuaki Mitamura,Susumu Sonokawa,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Production method for n-type silicon single crystal wafers

Номер патента: JP2022061877A. Автор: 徹寛 陣祐,Tetsuhiro JINSUKE,志信 竹安,Yukinobu Takeyasu,聡 添田,Satoshi Soeda. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Single-crystal 4H-SiC substrate

Номер патента: US09903048B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Improved method for the production of semi-conductor bodies

Номер патента: GB857258A. Автор: . Владелец: Telefunken AG. Дата публикации: 1960-12-29.

Method of manufacturing gallium nitride-based single crystal substrate

Номер патента: US20050072353A1. Автор: Hun Hahm,Young Park,Soo Min Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Supporting apparatus for supporting a growing single crystal of semiconductor material, and process for producing a single crystal

Номер патента: KR100808929B1. Автор: 디터 크네러. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2008-03-03.

Supporting apparatus for supporting a growing single crystal of semiconductor material, and process for producing a single crystal

Номер патента: SG130135A1. Автор: Dieter Knerer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2007-03-20.

Semiconductor Wafer Composed Of Monocrystalline Silicon And Method For Producing It

Номер патента: US20160053405A1. Автор: Timo Mueller,Gudrun Kissinger,Andreas Sattler,Dawid Kot. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon and method for producing it

Номер патента: US09458554B2. Автор: Timo Mueller,Gudrun Kissinger,Andreas Sattler,Dawid Kot. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for Fast Macropore Etching in n-Type Silicon

Номер патента: US20110294302A1. Автор: Helmut Foell,Juergen Carstensen,Emmanuel Ossei-Wusu,Ala Cojocaru. Владелец: Christian Albrechts Universitaet Kiel. Дата публикации: 2011-12-01.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

METHOD FOR PRODUCING A LAMINATED BODY HAVING Al-BASED GROUP-III NITRIDE SINGLE CRYSTAL LAYER, LAMINATED BODY PRODUCED BY THE METHOD, METHOD FOR PRODUCING Al-BASED GROUP-III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE EMPLOYING THE LAMINATED BODY, AND ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20110018104A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of selecting silicon single crystalline substrate and silicon single crystalline substrate

Номер патента: EP3716315A1. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US10566424B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20180097064A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20200161424A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-21.

Pseudo-substrate with improved efficiency of usage of single crystal material

Номер патента: US12112976B2. Автор: Oleg Kononchuk,Fabrice Letertre. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for manufacturing substrate for solar cell and substrate for solar cell

Номер патента: US20240136464A1. Автор: Hiroyuki Otsuka,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

METHOD FOR CONTROLLING RESISTIVITY AND N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20170260645A1. Автор: Hoshi Ryoji,Kamada Hiroyuki,Takano Kiyotaka. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-14.

Silicon ingot, silicon block, silicon substrate, method for manufacturing silicon ingot, and solar cell

Номер патента: US20240026568A1. Автор: Hitoshi Matsuo,Hideyoshi Tanabe. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method of semi-insulating single-crystal silicon carbide powder

Номер патента: US12098477B2. Автор: Bo-Cheng Lin,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu. Владелец: Taisic Materials Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20160362815A1. Автор: Iwata Hirokazu. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2016-12-15.

Method for producing N-type group III nitride single crystal, N-type group III nitride single crystal, and crystal substrate

Номер патента: US9464367B2. Автор: Hirokazu Iwata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Single crystal manufacturing method, magnetic field generator, and single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20230407523A1. Автор: Naoki Matsushima,Ryusuke Yokoyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Producing an ingot made of upgraded metallurgical-grade silicon for penetration-resistant p-type solar cells, where the ingot has a height originating from a bottom with p-type silicon to a head with n-type silicon

Номер патента: DE102009034317A1. Автор: Michael Bauer,Volker Hoffmann,Jovana Djordjevic-Reiss,Kai Petter,Sandra Scholz,Patrick Clemens,Florian Holzapfel. Владелец: Q Cells SE. Дата публикации: 2011-02-03.

Sic single crystal substrate

Номер патента: EP4286571A1. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20230392285A1. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

N-type silicon chip cleaning texturing method for HIT battery

Номер патента: CN104393094B. Автор: 刘文峰,杨晓生,汪已琳. Владелец: CETC 48 Research Institute. Дата публикации: 2017-02-15.

A kind of n-type silicon chip heat treatment method

Номер патента: CN105624795B. Автор: 刘正新,刘金宁,祝方舟,王栋良. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-05-15.

Method For Manufacturing Silicon Single Crystal Wafer

Номер патента: US20090000535A1. Автор: Koji Ebara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for Producing a Silicon Single Crystal and a Silicon Single Crystal

Номер патента: US20070266930A1. Автор: Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Naoki Nagai. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-22.

Method of manufacturing a semiconductor comprising an oxygen-containing silicon wafer

Номер патента: US5940722A. Автор: Naoyoshi Tamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-08-17.

Epitaxial silicon wafer and method for producing the epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20170076959A1. Автор: Toshiaki Ono,Jun Fujise. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method and apparatus for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: US09758871B2. Автор: Kazuhiro Narahara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Production method of epitaxial silicon wafer and vapor deposition apparatus

Номер патента: US09670581B2. Автор: Hitoshi Takamiya,Kan Yoshitake,Motoki GOTO,Yusuke Kurozumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Silicon single crystal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: SG191518A1. Автор: Nakai Katsuhiko,Ohkubo Masamichi,Sakamoto Hikaru. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-07-31.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US09812300B2. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US20140318948A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US20120138453A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yokio INAZUKI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Epitaxial silicon wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US09412622B2. Автор: Toshiaki Ono,Shigeru Umeno. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer

Номер патента: US11959191B2. Автор: wei feng Qu,Shizuo Igawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for heat-treating silicon single crystal wafer

Номер патента: US20210062366A1. Автор: Tadashi Nakasugi,wei feng Qu,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for gettering transition metal impurities in silicon crystal

Номер патента: US7157354B2. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-01-02.

Flexible single-crystal film and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1751788A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-wan Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2007-02-14.

Method of heat treating silicon wafer

Номер патента: US20100197146A1. Автор: Eiji Toyoda,Susumu Maeda,Koji Araki,Tatsuhiko Aoki,Kazuhiko Kashima,Haruo Sudo,Takeshi Senda,Hiromichi Isogai,Koji Izunome,Kumiko Murayama. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Method for controlling donor concentration in silicon single crystal substrate

Номер патента: EP4131341A1. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Single-crystal 4H-SiC substrate

Номер патента: US09422640B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing a single-crystal 4H—SiC substrate

Номер патента: US09752254B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Epitaxial silicon wafer and method for producing the same

Номер патента: EP2130953A3. Автор: Seiji Sugimoto,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

A phosphorus doped silicon single crystal

Номер патента: EP3414367A1. Автор: Theis Leth SVEIGAARD,Martin GRÆSVÆNGE,Christian Gammeltoft HINDRICHSEN,Sune Bo DUUN,Anders LEI. Владелец: Topsil GlobalWafers AS. Дата публикации: 2018-12-19.

IIIA-VA group semiconductor single crystal substrate and method for preparing same

Номер патента: US09691617B2. Автор: Morris Young,Yuanli Wang,Davis Zhang,Vincent Wensen Liu. Владелец: Beijing Tongmei Xtal Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for controlling donor concentration in Ga2O3-based and method for forming ohmic contact

Номер патента: US9611567B2. Автор: Kohei Sasaki,Masataka Higashiwaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Single-crystal metal film by solid-state crystal growth of seed crystals, large-area single-layer or multilayer graphene with adjusted orientation angle using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230340693A1. Автор: Ho Bum Park,Ji Soo ROH,Jun Kyu JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-10-26.

BORON-DOPED N-TYPE SILICON TARGET

Номер патента: US20170022603A1. Автор: Ivanov Eugene Y.,Yuan Yongwen. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Boron doped n-type silicon target

Номер патента: KR20160142306A. Автор: 용웬 유안,유진 와이. 이바노브. Владелец: 토소우 에스엠디, 인크. Дата публикации: 2016-12-12.

n-Type Electrode, Method for Manufacturing n-Type Electrode, and n-Type Laminated Structure wherein n-Type Electrode is Provided on n-Type Group III Nitride Single Crystal Layer

Номер патента: US20190140065A1. Автор: Toshiyuki Obata,Yu Mishima,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Methods of fabricating silicon carbide power devices by at least partially removing an n-type silicon carbide substrate, and silicon carbide power devices so fabricated

Номер патента: EP2149154A2. Автор: Mrinal Kanti Das,Matthew Donofrio,Qingchun Zhang,John M. Clayton, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-03.

Method of evaluating silicon single-crystal ingot, method of evaluating silicon epitaxial wafer, method of manufacturing silicon epitaxial wafer, and method of evaluating silicon mirror polished wafer

Номер патента: US20240230553A1. Автор: Jun Furukawa,Kazuya Suzuki,Keiichiro Mori,Takahiro Nagasawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing substrate for solar cell and substrate for solar cell

Номер патента: US11901475B2. Автор: Hiroyuki Otsuka,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09425345B2. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices, photoelectric conversion device, and production method for compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices

Номер патента: US20160056313A1. Автор: Akira Noda,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Silicon carbide ingot, method for manufacturing silicon carbide ingot, and method for manufacturing silicon carbide wafer

Номер патента: US20230193510A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for manufacturing a silicon monocrystal seed and a silicon-wafer, silicon-wafer and silicon solar-cell

Номер патента: US09447516B2. Автор: Andreas Krause,Juliane WALTER,Lamine Sylla. Владелец: SOLARWORLD INNOVATIONS GMBH. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for sorting silicon wafers according to their bulk lifetime

Номер патента: US20190247889A1. Автор: Jordi Veirman,Wilfried Favre,Elenore Letty. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for manufacturing rectangular parallelepiped-shaped single crystal, rectangular parallelepiped-shaped single crystal, method for manufacturing ceramics, ceramics, piezoelectric element, piezoelectric device, and electronic device

Номер патента: US20160273125A1. Автор: Takayuki Watanabe,Makoto Kubota,Shunsuke Murakami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Quality evaluation method for silicon wafer, and silicon wafer and method of producing silicon wafer using the method

Номер патента: US09995693B2. Автор: Toshiaki Ono,Jun Fujise. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor wafer

Номер патента: US20230160104A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Chiaki Sasaoka,Yoshitaka Nagasato,Junji Ohara. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for manufacturing a monolithic silicon wafer comprising multiple vertical junctions

Номер патента: US09905716B2. Автор: Eric Pilat,Nicolas Chaintreuil,Jean-Paul Garandet,Annalaura Fasiello,Yannick Veschetti. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20130153928A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20110266556A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Method and apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal, and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20220112623A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for evaluating crystal defects

Номер патента: US20190212384A1. Автор: Hisayuki Saito. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Base material on which single-crystal diamond is grown comprised of a base substrate, bonded single-crystal MgO layer, and heteroepitaxial film, and method for manufacturing a single-crystal diamond substrate on the base material

Номер патента: US09752255B2. Автор: Hitoshi Noguchi,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing SOQ substrate

Номер патента: US20080118757A1. Автор: Koichi Tanaka,Atsuo Ito,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Film thickness measurement method, epitaxial wafer production process and epitaxial wafer

Номер патента: US20090305021A1. Автор: Kazuhiro Ohkubo. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A2. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A3. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for producing support substrate for bonded wafer, and support substrate for bonded wafer

Номер патента: US20230395423A1. Автор: Hiroaki Ishizaki,Daisuke HIEDA,Toshiyuki Isami,Naoya Nonaka,Koudai MOROIWA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for producing support substrate for bonded wafer, and support substrate for bonded wafer

Номер патента: EP4235747A1. Автор: Hiroaki Ishizaki,Daisuke HIEDA,Toshiyuki Isami,Naoya Nonaka,Koudai MOROIWA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for polishing silicon wafer with reduced wear on carrier, and polishing liquid used therein

Номер патента: US20230178376A1. Автор: Eiichiro ISHIMIZU,Hayato Yamaguchi,Yusuke Tanatsugu. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for manufacturing n-type semiconductor element for refrigeration or heating device

Номер патента: EP3016155A1. Автор: Zhiming Chen,Wei Gu. Владелец: Suzhou Weiyuan New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-04.

Method and apparatus for making continuous films ofa single crystal material

Номер патента: WO2004073024A3. Автор: Eric Chason,Clyde L Briant. Владелец: Univ Brown. Дата публикации: 2004-12-29.

Method for preparing single crystal oxide thin film

Номер патента: EP1314800A4. Автор: Masashi Kawasaki,Hideomi Koinuma,Yuji Matsumoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-02-14.

Zinc oxide free-standing substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20160145768A1. Автор: Tsutomu Nanataki,Jun Yoshikawa,Hirofumi Yamaguchi,Morimichi Watanabe. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Method for growing alumino-yttrium garnet doped with vanadium

Номер патента: RU2641828C1. Автор: Виктор Александрович Письменный,Александр Витальевич Сандуленко,Лариса Ивановна Крутова,Дмитрий Иванович Клименченко. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2018-01-22.

Laser device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20170294762A1. Автор: Sang Hoon Kim,Gyungock Kim,In Gyoo Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-12.

Laser device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20180331504A1. Автор: Sang Hoon Kim,Gyungock Kim,In Gyoo Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US20230340689A1. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for manufacturing n-type crystalline silicon cell

Номер патента: FI20205765A1. Автор: Zhi Yang,Shude Zhang,Qingzhu WEI,Zhichun NI. Владелец: Suzhou Talesun Solar Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-25.

P-type chalcogenide and N-type silicon heterojunction infrared photodiodes and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09954133B1. Автор: Jeong-Sun Moon,Hwa Chang Seo. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing N-type SiC single crystal by solution growth using a mixed gas atmosphere

Номер патента: US09512540B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Katsunori Danno,Kouji Moriguchi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for producing quartz glass crucible for use in pulling silicon single crystal and quartz glass crucible produced by said method

Номер патента: EP1601823A1. Автор: Hiroshi Matsui,Yasuo Ohama. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-12-07.

Method for manufacturing SOI substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09633892B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takashi Shimazu,Eriko Nishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing a defect-controlled low-oxygen concentration silicon single crystal wafer

Номер патента: US9650725B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245895A3. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245894A2. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245895A2. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245894A3. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Tunnel oxide layer, n-type bifacial crystalline silicon solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20240145610A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for manufacturing resistivity standard sample and method for measuring resistivity of epitaxial wafer

Номер патента: US20190326184A1. Автор: Fumitaka Kume. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

n-TYPE ELECTRODE, METHOD FOR MANUFACTURING n-TYPE ELECTRODE, AND n-TYPE LAMINATED STRUCTURE WHEREIN n-TYPE ELECTRODE IS PROVIDED ON n-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL LAYER

Номер патента: EP3439019A4. Автор: Toshiyuki Obata,Yu Mishima,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-02.

Semiconductor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240332081A1. Автор: Mitsuru Morimoto,Makoto Takamura,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Insitu epitaxial deposition of front and back junctions in single crystal silicon solar cells

Номер патента: US09397239B2. Автор: Tirunelveli S. Ravi,Ashish Asthana. Владелец: Crystal Solar Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for calculating warpage of bonded soi wafer and method for manufacturing bonded soi wafer

Номер патента: US20140186977A1. Автор: Hiroji Aga,Isao Yokokawa,Yasushi Mizusawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for calculating warpage of bonded SOI wafer and method for manufacturing bonded SOI wafer

Номер патента: US8962352B2. Автор: Hiroji Aga,Isao Yokokawa,Yasushi Mizusawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Composite substrate, semiconductor structure, and manfufacturing method for composite substrate

Номер патента: US20240304675A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

N-type sns thin film, photoelectric conversion element, solar cell, method for manufacturing n-type sns thin film, and manufacturing apparatus of n-type sns thin film

Номер патента: US20230261130A1. Автор: Issei Suzuki,Hiroshi Yanagi,Sakiko Kawanishi. Владелец: University of Yamanashi NUC. Дата публикации: 2023-08-17.

Coating liquid for forming n-type oxide semiconductor film, method for manufacturing n-type oxide semiconductor film, and method for manufacturing field effect transistor

Номер патента: CN108028270B. Автор: 曾根雄司,植田尚之,中村有希,安部由希子,松本真二,草柳岭秀,早乙女辽一,新江定宪. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-22.

Conductive paste for n-type solar cell, method for manufacturing n-type solar cell and n-type solar cell

Номер патента: WO2021080839A1. Автор: Che-Shih SHIH. Владелец: Dupont Electronics, Inc.. Дата публикации: 2021-04-29.

Optical sensor and method for making the same

Номер патента: US20100117065A1. Автор: Kazufumi Ogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

CONDUCTIVE PASTE FOR N-TYPE SOLAR CELL, METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE SOLAR CELL AND N-TYPE SOLAR CELL

Номер патента: US20210126141A1. Автор: Shih Che-Hsiu. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170373152A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Single wafer-type wafer cleaning device and method for controlling surface roughness of wafer using same

Номер патента: US20240304469A1. Автор: Gun Ho Lee,Chi Bok Lee,Dae Ki Seo,Byeong Ha KO. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for evaluating the concentration of a defect in a silicon single crystal substrate

Номер патента: DE112014005230T5. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Single crystal u-mos gates using microwave crystal regrowth

Номер патента: US20130023096A1. Автор: Robert J. Purtell,Steve Sapp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138274A1. Автор: Makoto Utsumi,Yasuhiko OONISHI,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Optical sensor and method for making the same

Номер патента: US8409910B2. Автор: Kazufumi Ogawa. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2013-04-02.

Semiconductor element and production method for same

Номер патента: US20170288061A1. Автор: Kohei Sasaki,Masataka Higashiwaki,Man Hoi Wong. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Process for producing single crystal semiconductor layer and semiconductor device produced by said process

Номер патента: US4822752A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-04-18.

Single-crystal beta-Ga2O3 MSM detector and preparation method thereof

Номер патента: US11735683B1. Автор: Peng Yao,ZHEN Wang,Jun Wang,Bin Zou,Zhenyu Shi,Dun Liu,Long TIAN,Hongtao Zhu,Chuanzhen HUANG,Hanlian LIU,Longhua XU,Shuiquan HUANG,Minting Wang,Meina Qu,Zhengkai Xu,Yabin Guan. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-22.

Single crystal substrate manufacturing method and internal modified layer forming single crystal member

Номер патента: JP6004338B2. Автор: 秀樹 鈴木,国司　洋介,鈴木　秀樹,利香 松尾,順一 池野,洋介 国司. Владелец: Saitama University NUC. Дата публикации: 2016-10-05.

Single crystal substrate manufacturing method and internal modified layer forming single crystal member

Номер патента: JPWO2012108052A1. Автор: 秀樹 鈴木,国司　洋介,鈴木　秀樹,利香 松尾,順一 池野,洋介 国司. Владелец: Saitama University NUC. Дата публикации: 2014-07-03.

method of modifying an n-type silicon substrate

Номер патента: US20150255638A1. Автор: Kãrkkãinen Ari,Williams Paul,Hadzic Admir,Hannu-Kuure Milja,Leivo Jarkko,Järvitalo Henna,Wang Jianhui. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Preparation method of p/n type silicon carbide ohmic contact

Номер патента: CN110349839B. Автор: 潘艳,田亮,张文婷,夏经华,杨霏,吴军民,田丽欣,吴沛飞,安运来,查祎英. Владелец: Electric Power Research Institute of State Grid Jiangsu Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-12.

In-situ doped n-type silicon layer deposition method and NPN transistor

Номер патента: JPH0744189B2. Автор: バーナード・スティール・マイヤーソン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-05-15.

Uniform n-type silicon

Номер патента: US3076732A. Автор: Tanenbaum Morris. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1963-02-05.

Single wafer-type wafer cleaning device and method for controlling surface roughness of wafer using same

Номер патента: EP4287244A1. Автор: Gun Ho Lee,Chi Bok Lee,Dae Ki Seo,Byeong Ha KO. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Method for manufacturing N-type TFT

Номер патента: US09698177B1. Автор: Guoren HU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for evaluating suitability of silica powder for manufacturing of silica-glass crucible for pulling silicon single crystal

Номер патента: CN105308435A. Автор: 须藤俊明,佐藤忠广,北原贤,旭冈真喜子. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-02-03.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US11898266B2. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20220213617A1. Автор: Rimpei Kindaichi,Nobutoshi SUDOH. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-07-07.

Oxygen precipitation in heavily doped silicon wafers sliced from ingots grown by the Czochralski method

Номер патента: US09634098B2. Автор: Robert J. Falster,Vladimir V. Voronkov. Владелец: SunEdison Semiconductor Pty Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for fabricating a patterned fd-soi wafer

Номер патента: WO2024107824A1. Автор: Bomy Chen,Steve Nagel. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-23.

Silicon Etching Solution, Method for Treating Substrate, and Method for Manufacturing Silicon Device

Номер патента: US20240170294A1. Автор: Tatsuya Hitomi,Yoshiki Seike,Kohsuke NORO,Kohshiro OKIMURA. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US20240343029A1. Автор: Akimitsu Morimoto,Masao Nogami. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US20240351323A1. Автор: Akimitsu Morimoto,Masao Nogami. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US12064946B2. Автор: Akimitsu Morimoto,Masao Nogami. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface coustic wave device

Номер патента: US20040137727A1. Автор: Satoshi Uda,Shouqi Wang. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

A method for manufacturing a semiconductor device having diffusion junctions

Номер патента: GB1273199A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1972-05-03.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20180108774A1. Автор: JongSeok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-04-19.

Insulated gate fet - with n type silicon grid

Номер патента: FR2133746A1. Автор: . Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1972-12-01.

N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCTION METHOD, N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT, SILICON WAFER, AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20200224329A1. Автор: Maegawa Koichi,OGAWA Fukuo,NARUSHIMA Yasuhito,KAWAKAMI Yasufumi,TSUTSUMI Yuuji. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for producing a silicon single crystal having few crystal defects, and a silicon single crystal and silicon wafers produced by the method

Номер патента: TWI222470B. Автор: Makoto Iida,Masanori Kimura,Eiichi Iino,Shozo Muraoka. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2004-10-21.

Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing base substrate, and method for producing single crystal diamond multilayer substrate

Номер патента: EP4431634A1. Автор: Hitoshi Noguchi,Hiroshi Hashigami,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Structure and method for fabricating and facilitating dataflow processor

Номер патента: US20030034488A1. Автор: Mihir Pandya,Peter Wilson,Raymond Essick. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Structure and method for fabricating semiconductor structures having instruction decoders and dispatchers formed of monocrystaline compound semiconductor material

Номер патента: US20030034503A1. Автор: Timothy Johnson,David Gurney,Raymond Essick,Dale Bengtson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, method for manufacturing substrate for ultraviolet ray emission device, epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, and substrate for ultraviolet ray emission device

Номер патента: US20240234623A9. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09576793B2. Автор: Giuseppe Abbondanza. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for producing group III nitride single crystal

Номер патента: US9234299B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

Method for producing a silicon single crystal having few crystal defects, and a silicon single crystal and silicon wafers produced by the method

Номер патента: EP0909840A1. Автор: Makoto c/o Isobe R&D Center Iida,Eiichi c/o Isobe R&D Center Iino,Masanori c/o Isobe R&D Center Kimura,Shozo c/o Isobe R&D Center Muraoka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-21.

Method for producing epitaxial wafer with buried diffusion layer and epitaxial wafer with buried diffusion layer

Номер патента: US7799652B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Takashi Itami,Norimichi Tanaka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-21.

Apparatus and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US5152867A. Автор: Makoto Ito,Kaoru Kuramochi,Kiichiro Kitaura. Владелец: Kyushu Electronic Metal Co Ltd. Дата публикации: 1992-10-06.

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313086A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Substrate for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: EP4379774A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Structure and method for fabricating semiconductor structures having memory systems with pre-computation units, utilizing the formation of a compliant substrate

Номер патента: US20030034502A1. Автор: Mihir Pandya,David Gurney,Raymond Essick. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for evaluating concentration of defect in silicon single crystal substrate

Номер патента: US09773710B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, method for manufacturing substrate for ultraviolet ray emission device, epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, and substrate for ultraviolet ray emission device

Номер патента: US20240136466A1. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet light-emitting element, method for manufacturing substrate for ultraviolet light-emitting element, epitaxial wafer for ultraviolet light-emitting element, and substrate for ultraviolet light-emitting element

Номер патента: EP4303940A1. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Method for detecting surface state of raw material melt, method for producing single crystal, and apparatus for producing cz single crystal

Номер патента: US20240125006A1. Автор: Katsuyuki Kitagawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for reducing contamination prior to epitaxial growth and related structure

Номер патента: US20020182882A1. Автор: Klaus Schuegraf,David Chapek. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-12-05.

Wafer separation apparatus and method, and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20240213050A1. Автор: Tomohiro Hashii,Sumihisa Masuda,Yasunori Yoshioka,Tsukasa Yoshihara,Kawahito SHINICHI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Single crystal made of silicon, semiconductor wafer obtained from the single crystal, and method and apparatus for manufacturing the single crystal

Номер патента: JP4808922B2. Автор: フォン アモン ヴィルフリート,シュミット ヘルベルト,ヴェーバー マーティン,ヴィルブリス ヤニス,ゲルフガト ユーリ,ゴルブノフ レオニード. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-11-02.

Single crystal fiber production apparatus, and single crystal fiber production method

Номер патента: EP4249648A1. Автор: Isamu Shindo. Владелец: Crystal Systems Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Single-Crystal Fiber Production Equipment and Single-Crystal Fiber Production Method

Номер патента: US20220349085A1. Автор: Isamu Shindo. Владелец: Crystal Systems Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of processing silicon wafer

Номер патента: US7601642B2. Автор: Sakae Koyata,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Method of evaluating impurity gettering capability of epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US10861709B2. Автор: Satoshi Shigematsu,Kazunari Kurita,Ryosuke Okuyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Method of evaluating impurity gettering capability of epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20200203178A1. Автор: Satoshi Shigematsu,Kazunari Kurita,Ryosuke Okuyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Device for degumming and inserting silicon wafers and method for processing silicon wafers

Номер патента: US11749538B2. Автор: Hong Li,Jian Jing,HONG Chen,Jun Wang,Guangquan Zhang,Jiangshui ZHANG,Pucha HU. Владелец: Hangzhou Zhongwei Photoelectricity Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Large diameter silicon carbide single crystals and apparatus and method of manufacture thereof

Номер патента: US11905618B2. Автор: Xueping Xu,Avinash Gupta,Ilya Zwieback,Varatharajan Rengarajan. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Large diameter silicon carbide single crystals and apparatus and method of manufacture thereof

Номер патента: US20240150931A1. Автор: Xueping Xu,Avinash Gupta,Varatharajan Rengarajan,Iiya ZWIEBACK. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor silicon wafer cleaning treatment apparatus and cleaning method

Номер патента: EP3866185A1. Автор: Kensaku Igarashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160013278A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US9117676B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Semiconductor Devices And Methods For Manufacturing The Same

Номер патента: US20170148639A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09496149B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for producing a boron emitter on a silicon wafer

Номер патента: US20240063323A1. Автор: Stefan Peters,Enrico Jarzembowski,Maximilian Kauert. Владелец: HANWHA Q CELLS GMBH. Дата публикации: 2024-02-22.

Control over dislocations and strains in mask-free processes with help of substrate patterning and methods for fabrication of devices

Номер патента: RU2570220C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ханс ФОН,Леонида МИЛЬО. Владелец: Пайлгроут Тек С.р.л.. Дата публикации: 2015-12-10.

Production method for annealed wafer

Номер патента: US20020160591A1. Автор: Norihiro Kobayashi,Shoji Akiyama,Masaro Tamatsuka,Takatoshi Nagoya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

A method for manufacturing a grid

Номер патента: EP4250339A2. Автор: Adolf SCHÖNER,Nicolas THIERRY-JEBALI,Hossein ELAHIPANAH,Sergey RESHANOV. Владелец: Ascatron Ab. Дата публикации: 2023-09-27.

Aqueous acidic solution and etching solution and method for texturizing surface of single crystal and polycrystal silicon substrates

Номер патента: EP2611881A1. Автор: Andreas Klipp,Christian Bittner,Cornelia RÖGER-GÖPFERT,Simon Braun,Chengwei Lin,Meichin Shen. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-10.

Method for processing semiconductor wafer

Номер патента: US09881783B2. Автор: Toshiyuki Tanaka,Tomohiro Hashii,Yasuyuki Hashimoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for fabricating FinFET with separated double gates on bulk silicon

Номер патента: US09478641B2. Автор: JIA Li,Ru Huang,Xiaoyan Xu,Jiewen Fan,Runsheng Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-25.

Silicon epitaxial wafer, method for manufacturing the same, bonded SOI wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US8823130B2. Автор: Nobuhiko Noto,Masahiro Kato,Norihiro Kobayashi,Tohru Ishizuka,Satoshi Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Method and apparatus of evaluating quality of wafer or single crystal ingot

Номер патента: US12118706B2. Автор: Hyun Woo Park. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09859401B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing bonded semiconductor wafer

Номер патента: EP4425531A1. Автор: Junya Ishizaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7732316B2. Автор: Chi Hwan Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Nitride semiconductor substrate, and method for producing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4435833A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method of manufacturing silicon wafers

Номер патента: US20240339315A1. Автор: Susumu Maeda,Hisashi Matsumura,Haruo Sudo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for producing mirror-polished wafer

Номер патента: US09748089B2. Автор: Hiromasa Hashimoto,Yoshihiro Usami,Kazuaki Aoki,Shigeru Oba. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for producing piezoelectric composite substrate and method for producing piezoelectric element

Номер патента: US20110220275A1. Автор: Hajime Kando,Norihiro Hayakawa,Ippei HATSUDA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric device

Номер патента: US09647199B2. Автор: Korekiyo ITO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Single-crystal layer on a dielectric layer

Номер патента: US20070228384A1. Автор: Yves Campidelli,Olivier Kermarec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2007-10-04.

Enhanced performance active pixel array and epitaxial growth method for achieving the same

Номер патента: WO2014144993A1. Автор: Benjamin A. Haskell,Hussein S. El-Ghoroury. Владелец: OSTENDO TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: WO2022115683A3. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Crystal Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-14.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: US12125697B2. Автор: Bishnu Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Thinsic Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing bonded wafer

Номер патента: US09679800B2. Автор: Hiroji Aga,Norihiro Kobayashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Enhanced performance active pixel array and epitaxial growth method for achieving the same

Номер патента: US09660135B2. Автор: Benjamin A. Haskell,Hussein S. El-Ghoroury. Владелец: Ostendo Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacturing semiconductor device using a gettering layer

Номер патента: US09385210B2. Автор: Hiroki Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for manufacturing silicon epitaxial wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10734220B2. Автор: Yasushi Mizusawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-04.

Method for manufacturing silicon epitaxial wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190228962A1. Автор: Yasushi Mizusawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Method For Making Semiconductor Device By Adopting Stress Memorization Technique

Номер патента: US20210335672A1. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Polishing composition for semiconductor process and method for manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US12116503B2. Автор: Han Teo PARK,Jang Kuk KWON,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for making semiconductor device by adopting stress memorization technique

Номер патента: US11443986B2. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Method for bonding and interconnecting integrated circuit devices

Номер патента: US09960080B2. Автор: Eric Beyne. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for processing a silicon wafer

Номер патента: US09934988B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Helmut Oefner,Sandeep Walia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Epitaxial silicon wafer and method for fabricating the same

Номер патента: US09496135B2. Автор: Han-Seob Cha. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing a semiconductor substrate, and method for manufacturing semiconductor devices integrated in a semiconductor substrate

Номер патента: US09406551B2. Автор: Wolfgang Werner,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for manufacturing high-breakdown voltage semiconductor device

Номер патента: US4780426A. Автор: Yutaka Koshino,Yoshiro Baba,Jiro Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20030159646A1. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for producing si ingot single crystal, si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US20210363656A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for producing Si ingot single crystal, Si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US12037696B2. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Apparatus for producing Si ingot single crystal

Номер патента: US12037697B2. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for growing beta phase of gallium oxide (beta-ga2o3) single crystals from the melt contained within a metal crucible

Номер патента: EP3242965A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2017-11-15.

Si ingot single crystal

Номер патента: US20230304185A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130220212A1. Автор: Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Yashiro Nobuyoshi,Daikoku Hironori,Danno Katsunori,Moriguchi Kouji,Okada Nobuchiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-29.

Substrate for manufacturing single crystal thin films

Номер патента: US4758399A. Автор: Yoshihiro Hamakawa,Hideyuki Takakura. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-07-19.

Superstrong single crystals of cvd-diamond and their three-dimensional growth

Номер патента: RU2389833C2. Автор: Расселл Дж. ХЕМЛИ,Хо-кванг МАО,Чжи-Шию ЯНЬ,Расселл Дж. ХЕМЛИ (US),Хо-кванг МАО (US),Чжи-Шию ЯНЬ (US). Владелец: Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон. Дата публикации: 2010-05-20.

Apparatus for producing si ingot single crystal

Номер патента: US20230295833A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for making semimetal compound of Pt

Номер патента: US11001937B2. Автор: Yang Wu,Shou-Shan Fan,Shu-Yun Zhou,Ke-Nan Zhang,Ming-Zhe Yan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Method for making semimetal compound of pt

Номер патента: US20180087178A1. Автор: Yang Wu,Shou-Shan Fan,Shu-Yun Zhou,Ke-Nan Zhang,Ming-Zhe Yan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for making semimetal compound of Pt

Номер патента: US10280529B2. Автор: Yang Wu,Shou-Shan Fan,Shu-Yun Zhou,Ke-Nan Zhang,Ming-Zhe Yan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

Method for making semimetal compound of pt

Номер патента: US20190177873A1. Автор: Yang Wu,Shou-Shan Fan,Shu-Yun Zhou,Ke-Nan Zhang,Ming-Zhe Yan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

METHOD FOR GROWING BETA PHASE OF GALLIUM OXIDE (β-Ga2O3) SINGLE CRYSTALS FROM THE MELT CONTAINED WITHIN A METAL CRUCIBLE

Номер патента: WO2016110385A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2016-07-14.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20140123901A1. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US09644286B2. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Single crystal composite synthetic diamond material

Номер патента: WO2020201211A1. Автор: Matthew Lee Markham,Andrew Mark EDMONDS,Pierre-Olivier Francois Marc Colard. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2020-10-08.

Single crystal composite synthetic diamond material

Номер патента: EP3947787A1. Автор: Matthew Lee Markham,Andrew Mark EDMONDS,Pierre-Olivier Francois Marc Colard. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Method for prolonging service life of crucible for solar-grade large-size single crystal growth

Номер патента: CN110983428A. Автор: 张小虎,李世超,闫斌,马新星,段俊飞. Владелец: Baotou Meike Silicon Energy Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

Metal fluoride single crystal pulling apparatus and process for producing metal fluoride single crystal with the apparatus

Номер патента: WO2006068062A1. Автор: Teruhiko Nawata,Hiroyuki Yanagi,Eiichi Nishijima,Ken Yasumura. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2006-06-29.

Metal fluoride single crystal pulling device and method of manufacturing metal fluoride single crystal using the device

Номер патента: TW200632149A. Автор: Teruhiko Nawata,Hiroyuki Yanagi,Eiichi Nishijima,Ken Yasumura. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20110287605A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Akihisa Shimomura,Junpei Momo,Taiga MURAOKA,Kosei Nei. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

n-Type Electrode, Method for Manufacturing n-Type Electrode, and n-Type Laminated Structure wherein n-Type Electrode is Provided on n-Type Group III Nitride Single Crystal Layer

Номер патента: US20190140065A1. Автор: OBATA Toshiyuki,MISHIMA Yu,SATOU Tomoaki. Владелец: STANLEY ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-09.

Thermally matched readout/detector assembly and method for fabricating same

Номер патента: GB9418859D0. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-11-09.

Method for fabricating shallow trenches

Номер патента: WO2007001297A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for forming shield tunnels in single-crystal substrates

Номер патента: US09543466B2. Автор: Hiroshi Morikazu. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20100087044A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideto Ohnuma,Junichi Koezuka,Takeshi Shichi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-08.

Method for manufacturing of shallow junctions

Номер патента: RU2748335C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-05-24.

Semiconductor device with alternately arranged p-type and n-type thin semiconductor layers and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110006304A1. Автор: FENG HAN,Shengan Xiao. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

Method for manufacturing N-type transistor implanted with fluorine ion

Номер патента: KR940016609A. Автор: 이길웅,신동선. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-07-23.

Method for fabricating semiconductor chip structures, semiconductor carrier and semiconductor chip structure

Номер патента: US20220359213A1. Автор: Tang-Chin HUNG. Владелец: Panelsemi Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for manufacturing n-type thin-film transistor

Номер патента: WO2017136984A1. Автор: 虞晓江. Владелец: 武汉华星光电技术有限公司. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for making a complementary metal gate electrode technology

Номер патента: US6130123A. Автор: Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Solid-state p-type/n-type silicon wafer

Номер патента: EP3038165A1. Автор: Sebastien Dubois,Nicolas Enjalbert,Jean-Paul Garandet,Benoît Martel,Jordi Veirman. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-06-29.

Method for producing low noise, high grade constant semiconductor junctions

Номер патента: US4732866A. Автор: Syd R. Wilson,Jerry L. Chruma,William E. Gandy, Jr.,Tommie R. Huffman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-03-22.

Method for fabricating high-speed thin-film transistors

Номер патента: WO2008030802A2. Автор: Zhenqiang Ma,Hao-Chih Yuan,Guogong Wang. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2008-03-13.

Method for preparing ER- or ER/O-doped silicon-based luminescent material emitting communication band at room temperature, the luminescent material and ER- or ER/O-SI lasers

Номер патента: US11367998B2. Автор: Yaping Dan,Huimin Wen,Jiajing He. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2022-06-21.

Method for manufacturing lithium-containing composite oxide

Номер патента: US09627686B2. Автор: Tomoya Futamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Composition for manufacture of insulation system, electric machine and method for manufacturing an insulation system

Номер патента: RU2756232C1. Автор: Юрген ХУБЕР,Штеффен ЛАНГ,Игор РИТБЕРГ,Нильс МЮЛЛЕР,Маттиас ЮБЛЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2021-09-28.

Method for calculating a height position of silicon melt surface, method for pulling silicon single crystal, and silicon single crystal pulling apparatus

Номер патента: US09587325B2. Автор: Naoki Masuda,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20060107889A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20080038179A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Methods for producing off-orientation single crystal silicon wafers

Номер патента: US20240218557A1. Автор: Peter Albrecht,Carlo Zavattari,Maria Porrini,Michael RAFFEINER,Pietro Valcozzena,Fabrizio BONDA,Paolo Delpero,Massimo Gariddi,Patrizio Pregnolato. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus for producing single crystals and method for producing single crystals

Номер патента: US20020005160A1. Автор: Kouji Kitagawa,Kouji Mizuishi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Manufacturing method of silicon single crystal having low-resistivity electrical characteristics

Номер патента: US09758899B2. Автор: Tomohiro Fukuda. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US20040244674A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Hideshi Nishikawa,Shigeru Umeno,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for injection of dopant, n-type silicon single crystal, doping device and pulling device

Номер патента: DE112007001701T5. Автор: Shinichi Omura Kawazoe,Yasuhito Omura Narushima,Toshimichi Omura Kubota. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

A silicon single crystal wafer, a method of manufacturing a silicon single crystal, or a method of manufacturing a silicon single crystal wafer, and a semiconductor device

Номер патента: DE112009000569T5. Автор: Koji Annaka Ebara,Shizuo Annaka Igawa,Tetsuya Annaka Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Czochralski production of heavy silicon single crystals, for making large diameter silicon wafers, uses a relatively low maximum cusp magnetic field intensity at the crucible inner wall

Номер патента: DE19935184A1. Автор: Wataru Ohashi,Teruyuki Tamaki,Yutaka Kishida,Seiki Takebayashi. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2000-02-03.

Multilayer substrate and method for producing the same, diamond film and method for producing the same

Номер патента: US20120225307A1. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150107509A1. Автор: Fukuda Tomohiro. Владелец: SUMCO TECHXIV CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-23.

Silicon single crystal pulling apparatus and manufacturing method of silicon single crystal

Номер патента: US20110017948A1. Автор: Tomohiro Fukuda. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Method for producing lithium tantalate single crystal substrate

Номер патента: US20220098756A1. Автор: Koji KATO,Jun Abe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for producing lithium tantalate single crystal substrate

Номер патента: US11814748B2. Автор: Koji KATO,Jun Abe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for determining and regulating a diameter of a single crystal during pulling of the single crystal

Номер патента: SG11201805551RA. Автор: Thomas SCHRÖCK,Thomas Aubrunner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-07-30.

Apparatus for manufacturing a single crystal

Номер патента: US5935325A. Автор: Hideki Tsuji,Yoshinobu Hiraishi,Mitsunori Kawabata,Ryo Yamagishi. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Method for preparing large-scale two-dimensional single crystal stack having interlayer rotation angle

Номер патента: US20240183064A1. Автор: Can Liu,Dapeng Yu,Kaihui Liu,Enge Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-06.

Mechanism for controlling melt level in single crystal pulling apparatus, method for controlling melt level in single crystal pulling apparatus, mechanism for adjusting melt level in single crystal pulling apparatus and method for adjusting melt level while pulling single crystal

Номер патента: US8801853B2. Автор: Keiichi Takanashi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Detecting method of impurity concentration in crystal, method for producing single crystal and apparatus for the pull-up of a single crystal

Номер патента: US6019837A. Автор: Hideo Nakanishi,Susumu Maeda,Kazutaka Terashima,Keisei Abe. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Detecting method of impurity concentration in crystal, method for producing single crystal and apparatus for the pull-up of a single crystal

Номер патента: TW531574B. Автор: Hideo Nakanishi,Susumu Maeda,Kazutaka Terashima,Keisei Abe. Владелец: Mitsubishi Material Silicon Co. Дата публикации: 2003-05-11.

BETA-Ga2O3 SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20170152610A1. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui,Yu Yamaoka. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Single crystal pulling system

Номер патента: US4592895A. Автор: Kinya Matsutani,Katsutoki Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-06-03.

Method of Growing Single Crystal Diamond Assisted by Polycrystalline Diamond Growth

Номер патента: US20230392283A1. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT,Andrew Francis BASNETT,Amanda CHARRIS-HERNANDEZ,Travis Charles WADE,Adam James BROWN. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of growing single crystal diamond assisted by polycrystalline diamond growth

Номер патента: CA3163682C. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT,Andrew Francis BASNETT,Amanda CHARRIS-HERNANDEZ,Travis Charles WADE,Adam James BROWN. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

GaAs single crystal with small fluctuation in impurity concentration in the plane perpendicular to the growth direction of the crystal

Номер патента: US4609530A. Автор: Atsushi Shimizu,Mikio Morioka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-09-02.

Large single crystal diamond and a method of producing the same

Номер патента: WO2018199845A1. Автор: Devi Shanker Misra. Владелец: IIA Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Large single crystal diamond and a method of producing the same

Номер патента: US20200199778A1. Автор: Devi Shanker Misra. Владелец: IIA Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Large single crystal diamond and a method of producing the same

Номер патента: SG11201909576XA. Автор: Devi Misra. Владелец: Sunset Peak International Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for automatically controlling the growth of the neck portion of a single crystal.

Номер патента: DE69202996T2. Автор: Kenji Araki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1995-11-16.

Manufacturing method of laminated body having aluminum nitride single crystal layer, laminated body manufactured by the manufacturing method, manufacturing method of aluminum nitride single crystal substrate using the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: JP4707755B2. Автор: 徹 永島,和哉 高田,明 箱守. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2011-06-22.

Method for calculating resistivity of materials in residual pot for continuously drawing single crystal rod

Номер патента: CN111364099A. Автор: 林通,河野贵之,马国忠,梁万亮,丁亚国,顾燕滨. Владелец: Ningxia Yinhe New Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-03.

Single-crystal diamond, tool using same, and method of producing single-crystal diamond

Номер патента: US10569317B2. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2020-02-25.

Recharge tube, raw material supply device single crystal pulling device, recharge tube using method, recharge method, single crystal pulling method

Номер патента: TWI720354B. Автор: 飯田哲広,溝上信明,岩本孝. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-01.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus, and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210040645A1. Автор: Nobuyuki Oya. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Single crystal SiC, production method thereof and producing device of single crystal SiC

Номер патента: TW200806828A. Автор: Takao Abe,Masanori Ikari,Toru Kaneniwa. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2008-02-01.

ENHANCED n TYPE SILICON MATERIAL FOR EPITAXIAL WAFER SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: WO2001006545A3. Автор: Fritz G Kirscht,Peter D Wildes,Volker R Todt,Nobuo Fukuto,Boris A Snegirev,Seung-Bae Kim. Владелец: Mitsubishi Silicon America. Дата публикации: 2001-05-17.

Enhanced n-type silicon material for epitaxial wafer substrate and method of making same

Номер патента: US6491752B1. Автор: Fritz G. Kirscht,Nobuo Fukuto,Seung-Bae Kim,Peter D. Wildes,Volker R. Todt,Boris A. Snegirev. Владелец: Sumco Oregon Corp. Дата публикации: 2002-12-10.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US10233562B2. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20040023518A1. Автор: Yuichi Matsumoto,Norihiro Kobayashi,Shoji Akiyama,Masaru Shinomiya,Masaro Tamatsuka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Method for producing a vertical power semiconductor component, and vertical power semiconductor component

Номер патента: US20240222492A1. Автор: Christian Huber,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and apparatus for growing silicon single crystal ingots

Номер патента: US20240003047A1. Автор: Woo Tae Kim. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US20160102418A1. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for measuring distance between lower end surface of heat shielding member and surface of raw material melt, method for controlling distance between lower end surface of heat shielding member and surface of raw material melt and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20240026565A1. Автор: Masahiro Akiba,Katsuyuki Kitagawa,Kosei Sugawara,Takaki IMAI. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130017671A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Wet etching method for an N-type bifacial cell

Номер патента: US09537037B2. Автор: Chen Zhao,Lei Shi,Fei Zheng,Zhongli RUAN,Zhongwei Zhang,Yuxue ZHAO. Владелец: SHANGHAI SHENZHOU NEW ENERGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Silicon single crystal produced by crucible-free float zone pulling

Номер патента: US20030024469A1. Автор: Ludwig Altmannshofer,Janis Virbulis,Manfred Grundner. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2003-02-06.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414480A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414481A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263346A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263347A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

n-type semiconductor element, method for manufacturing n-type semiconductor element, wireless communication device, and merchandise tag

Номер патента: US12029106B2. Автор: Yasuhiro Kobayashi,Seiichiro Murase,Kazuki ISOGAI. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method for manufacturing an integrated circuit anti-fuse in conjunction with a tungsten plug process

Номер патента: US20110221031A1. Автор: David Tucker,Sergei Drizlikh,Thomas James Moutinho,Ashish Kushwaha. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120007043A1. Автор: Shin Yokoyama,Yoshiteru Amemiya. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2012-01-12.

Schottky barrier diode and method for manufacturing schottky barrier diode

Номер патента: US20150076515A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-19.

Schottky barrier diode and method for manufacturing schottky barrier diode

Номер патента: US9006746B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-04-14.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU7917991A. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-01-02.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and¹their preparation

Номер патента: IE912296A1. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1992-01-15.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU642744B2. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-10-28.

Hydrothermal method for growth of alkaline earth metal stannate bulk single crystals and crystals formed thereby

Номер патента: US11840772B2. Автор: Joseph W. Kolis,Colin D. McMillen,Rylan J. Terry. Владелец: Clemson University Research Foundation (CURF). Дата публикации: 2023-12-12.

Method and system for manufacturing integrated circuit

Номер патента: EP4252077A1. Автор: Haifeng Pu,Ningqi ZHU,Shengyuan Zhong. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Hydrothermal method for growth of alkaline earth metal stannate bulk single crystals and crystals formed thereby

Номер патента: US20220235488A1. Автор: Joseph W. Kolis,Colin D. McMillen,Rylan J. Terry. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for preparing solar cell

Номер патента: AU2024216432A1. Автор: HONG Chen,Shuai ZHANG,Yang Zou,Yifeng Chen,Xiaopeng Wu,Daming Chen,Chengfa Liu,Yugang Lu,Yaqian Zhang. Владелец: Trina Solar Suqian Photoelectric Co ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for preparing solar cell

Номер патента: US20240347655A1. Автор: HONG Chen,Shuai ZHANG,Yang Zou,Yifeng Chen,Xiaopeng Wu,Daming Chen,Chengfa Liu,Yugang Lu,Yaqian Zhang. Владелец: Trina Solar Suqian Photoelectric Co ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufacturing n-type and p-type chalcogenide material, doped homojunction chalcogenide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP2068368A3. Автор: Kibong Song,Sangsu Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-08-05.

Intermediate layer for stacked type photoelectric conversion device, stacked type photoelectric conversion device and method for manufacturing stacked type photoelectric conversion device

Номер патента: US20130069193A1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Masanori Mizuta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Photodetection element and method for manufacturing photodetection element

Номер патента: US20240105870A1. Автор: Wei Dong,Kazutoshi Nakajima,Hiroyasu Fujiwara. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-03-28.

Solar cell and preparation method for solar cell

Номер патента: EP4407695A1. Автор: Bin Chen,Xiulin Jiang,Guangliang DUAN. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4242706A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-09-13.

Light-emitting or light-receiving semiconductor device and method for making the same

Номер патента: CA2393219C. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-09.

n-type semiconductor element, method for manufacturing n-type semiconductor element, wireless communication device, and merchandise tag

Номер патента: TW202043143A. Автор: 小林康宏,村瀬清一郎,磯貝和生. Владелец: 日商東麗股份有限公司. Дата публикации: 2020-12-01.

Inorganic/organic hybrid complementary semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240147741A1. Автор: Xiaozhu Wei,Hiroki Sato,Junichi Takeya,Daiji IKEDA,Yasuyuki Akai,Shunichiro Watanabe,Shouhei KUMAGAI. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

PROCEDURE FOR MANUFACTURING N-TYPE SILICON MONO CRYSTAL

Номер патента: DK2679706T3. Автор: Kenichi Sato,Yoshihiro Kodama,Keiichi Nakazawa. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2018-12-17.

Method for manufacturing a liquid crystal display device with thin-film-transistors

Номер патента: US5032536A. Автор: Hirofumi Suzuki,Masateru Wakui,Ryouji Oritsuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-07-16.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20140183177A1. Автор: Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Method of determining surface orientation of single crystal wafer

Номер патента: US09678023B2. Автор: Chang Soo Kim,Seok Min Bin. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490337B2. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-11-08.

Fabrication of single crystal fibers from congruently melting materials

Номер патента: CA1234035A. Автор: James A. Harrington,Roger R. Turk,Antonio C. Pastor,Arlie G. Standlee. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-03-15.

Method for producing nitride single crystal and autoclave used therefor

Номер патента: EP2725123A1. Автор: Kazuo Yoshida,Tsuguo Fukuda,Kensuke Aoki,Katsuhito Nakamura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2014-04-30.

Single mask process for manufacture of fast recovery diode

Номер патента: US6294445B1. Автор: Iftikhar Ahmed,Igor Bol. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2001-09-25.

Sic single crystal and method for producing same

Номер патента: US20160230309A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE MOSFET

Номер патента: US20140154853A1. Автор: Zhu Huilong,Xu Qiuxia,Xu Gaobo,Zhou Huajie. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2014-06-05.

METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE TFT

Номер патента: US20170186783A1. Автор: HU Guoren. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector

Номер патента: US7696620B2. Автор: Katsumi Shibayama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2010-04-13.

Method for fabricating a semiconductor device using a porous silicon region

Номер патента: US5445991A. Автор: Jong H. Lee. Владелец: Kyungpook National University KNU. Дата публикации: 1995-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and process for manufacturing same

Номер патента: US6133587A. Автор: Toshio Murata,Takeshi Miyajima,Norihito Tokura,Yuichi Takeuchi,Takamasa Suzuki,Shoichi Onda,Hiroo Fuma. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Image display device and method for manufacturing image display device

Номер патента: US20240014354A1. Автор: Hajime Akimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for clonal-growth of single-crystal metal

Номер патента: US20220136134A1. Автор: Zhibin Zhang,Dapeng Yu,Kaihui Liu,Muhong Wu,Enge Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

Substrate-triggered directional solidification process for single crystal superalloy

Номер патента: US12138683B2. Автор: Jun Li,Jianguo Li,Long ZENG,Binqiang Wang,Mingxu Xia. Владелец: SHANGHAI JIAO TONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-12.

Light emitting diode device and method for producing same

Номер патента: US5187547A. Автор: Yoshiharu Fujikawa,Yasuhiko Matsushita,Tatsuhiko Niina,Kiyoshi Ohta,Toshitake Nakata,Takahiro Uetani. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1993-02-16.

Inorganic/organic hybrid complementary semiconductor device and method for producing same

Номер патента: EP4300592A1. Автор: Xiaozhu Wei,Hiroki Sato,Junichi Takeya,Daiji IKEDA,Yasuyuki Akai,Shunichiro Watanabe,Shouhei KUMAGAI. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for making solar cell and solar cell system

Номер патента: US20130171758A1. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for manufacturing N-channel IGBT device by using N-type silicon carbide substrate

Номер патента: CN104810282A. Автор: 李玲,杨霏. Владелец: Smart Grid Research Institute of SGCC. Дата публикации: 2015-07-29.

Back touch type HIT (heterojunction with intrinsic thin layer) solar battery structure based on N type silicon wafer

Номер патента: CN202076296U. Автор: 刘鹏,程亮,张春艳,杨青天,徐振华,李玉花,任现坤,姜言森,王兆光. Владелец: Linuo Solar Power Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8901572B2. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140183560A1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-03.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US20190177874A1. Автор: Shin Akutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-13.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US11028497B2. Автор: Shin Akutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-08.

METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20140369917A1. Автор: Iwata Hirokazu. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-12-18.

Method for producing gallium nitride single crystal and apparatus for producing group III element nitride single crystal

Номер патента: JP6606562B2. Автор: 祐司 川野,史朗 川村,和重 有馬,佑泰 服部. Владелец: Phoenix Techno Co.ltd. Дата публикации: 2019-11-13.

Compound semiconductor single crystal and production process thereof

Номер патента: WO2005035837A1. Автор: Fumio Matsumoto. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2005-04-21.

Method of manufacturing n-type multicrystalline silicon solar cells

Номер патента: CN101331615A. Автор: Y·科马特苏,H·D·哥德巴赫,R·E·I·施罗普,L·J·基里格斯. Владелец: Energieonderzoek Centrum Nederland ECN. Дата публикации: 2008-12-24.

Single-crystal source-drain merged by polycrystalline material

Номер патента: US20150270332A1. Автор: Timothy J. McArdle,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Judson R. Holt,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Ga2O3 SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20160017512A1. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

A fabrication process for flexible single-crystal perovskite devices

Номер патента: US20230250548A1. Автор: Sheng Xu,Yimu CHEN,Yusheng LEI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-08-10.

Single-crystal growing crucible, single-crystal production method and single crystal

Номер патента: US11946155B2. Автор: Minoru Fujita,Jun Hirabayashi,Makio Kondo,Katsumi Kawasaki,Daisuke Inokuchi,Jun Arima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Apparatus for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120325150A1. Автор: Daisuke Kondo,Wataru Seki. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Sic single-crystal growth apparatus and method of growing sic crystal

Номер патента: US20240068125A1. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: SEC Carbon Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of making a single-crystal turbine blade

Номер патента: US11913356B2. Автор: Chao Zhang,Othmane Leghzaouni,Robert HUSZAR. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of making a single-crystal turbine blade

Номер патента: CA3086913A1. Автор: Chao Zhang,Othmane Leghzaouni,Robert HUSZAR. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2021-01-18.

Method of making a single-crystal turbine blade

Номер патента: US20210017865A1. Автор: Chao Zhang,Othmane Leghzaouni,Robert HUSZAR. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of making a single-crystal turbine blade

Номер патента: US20220098990A1. Автор: Chao Zhang,Othmane Leghzaouni,Robert HUSZAR. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of manufacturing n-type multicrystalline silicon solar cells

Номер патента: WO2007043881A1. Автор: Yuji Komatsu,Lambert Johan Geerligs,Hanno Dietrich Goldbach,Rudolf Emmanuel Isidore Schropp. Владелец: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND. Дата публикации: 2007-04-19.

Seed crystal for growth of silicon carbide single crystal, process for producing the same, and silicone carbide single crystal and process for producing the same

Номер патента: KR101267135B1. Автор: 히사오 고고이,나오끼 오야나기. Владелец: 쇼와 덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-05-24.

SINGLE-CRYSTAL DIAMOND, TOOL USING SAME, AND METHOD OF PRODUCING SINGLE-CRYSTAL DIAMOND

Номер патента: US20180236515A1. Автор: Kobayashi Yutaka,Nishibayashi Yoshiki,Tatsumi Natsuo,NOHARA Takuya,Ueda Akihiko. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

P plus/N/N plus silicon solar cell prodn. - by cutting block of N=type silicon into sheets, diffusing impurities and forming contacts with aluminium ink

Номер патента: FR2505556A1. Автор: Jacques Michel. Владелец: Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee. Дата публикации: 1982-11-12.

Rare earth silicate single crystal and process for production of rare earth silicate single crystals

Номер патента: US20050056204A1. Автор: Hiroyuki Ishibashi,Naoaki Shimura,Akihiro Gunji,Kazuhisa Kurashige,Mitsushi Kamada. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-17.

Production method of SiC bulk single crystal by a thermal treatment and low-resistance SiC single-crystal substrate

Номер патента: DE102009048868B4. Автор: Dr. Vogel Michael,Dr. Straubinger Thomas,Dr. Wohlfart Andreas. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2013-01-03.

Process for counter doping n-type silicon in schottky device with ti silicide barrier

Номер патента: WO2003030216A2. Автор: Daniel M. Kinzer,Davide Chiola,Kohji Andoh. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2003-04-10.

Process for counter doping N-type silicon in Schottky device with Ti silicide barrier

Номер патента: US20030062585A1. Автор: Davide Chiola,Kohji Andoh,Daniel Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2003-04-03.

N-TYPE SILICON SOLAR CELL WITH CONTACT/PROTECTION STRUCTURES

Номер патента: US20140238484A1. Автор: Xu Baomin. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-28.

HIGH-CURRENT N-TYPE SILICON-ON-INSULATOR LATERAL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20140306266A1. Автор: Zhu Jing,Lu Shengli,Shi Longxing,Qian Qinsong,Sun Weifeng,Liu Siyang,Xu Shen. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

N-type silicon solar cell with contact/protection structures

Номер патента: US8962424B2. Автор: Baomin Xu. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Optoelectronic light emitting device i.e. gallium nitride based LED, has p-doped planarized layer allowing radial injection of holes in nanowire, and n-type silicon substrate allowing axial injection of electrons in nanowire

Номер патента: FR2964796A1. Автор: Philippe Gilet,Anne-Laure Bavencove. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-03-16.

N-type silicon solar cell, its preparation method and aluminum evaporation disperser

Номер патента: CN104393095B. Автор: 李平,谭鑫,刘爱民,魏一,魏,路春希. Владелец: JINZHOU HUACHANG PHOTOVOLTANIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

Semiconductor device e.g. schottky diode, has schottky electrode formed on n-type silicon carbide substrate which is electrically connected to bonding wire above P-type well region

Номер патента: DE10227854A1. Автор: Katsumi Satoh,Shigeo Tooi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-08.

N type silicon solar cell and preparation method therefor

Номер патента: CN105552139A. Автор: 许颖,陈兵兵,麦耀华,陈剑辉,代秀红,刘保亭. Владелец: Hebei University. Дата публикации: 2016-05-04.

N-type silicon producing method

Номер патента: SU747403A3. Автор: ХААС Эрнст,Платцедер Карл,Райнфельдер Ханс-Эрих,Шнеллер Манфред. Владелец: Сименс Аг (Фирма). Дата публикации: 1980-07-23.

N-type silicon-based solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: CN108389917B. Автор: 张军. Владелец: Anhui Qinneng Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-24.

Control of surface inversion of p- and n-type silicon using dense dielectrics

Номер патента: US3550256A. Автор: Bruce E Deal. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1970-12-29.

High-current N type silicon-on-insulator lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: CN102956636B. Автор: 黄栋,孙伟锋,刘斯扬,陆生礼,时龙兴,钱钦松,徐安安. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-02-04.

Process for counter doping n-type silicon in schottky device with ti silicide barrier

Номер патента: AU2002330161A1. Автор: Daniel M. Kinzer,Davide Chiola,Kohji Andoh. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2003-04-14.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US12071709B2. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Single crystal ingot, apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US09534314B2. Автор: Yong Jin Kim,Jin Woo Ahn,Il Soo CHOI,Hak Eui Wang. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Silicon carbide single crystal wafer, and methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and the silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20210108334A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for producing silicon ingot single crystal

Номер патента: US20230160095A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Method and apparatus for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: US11891718B2. Автор: Sang Hee Kim,Kyung Tae Park,Hyun Ju HWANG. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for preparing single crystal, and silicon crystal

Номер патента: EP4459013A1. Автор: Wei Wu,Chun-Hung Chen,Shuangli WANG. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Method for pulling a single crystal composed of silicon from a melt contained in a crucible, and single crystal produced thereby

Номер патента: US09988739B2. Автор: Martin Weber,Erich Gmeilbauer,Robert Vorbuchner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for producing a silicon single crystal

Номер патента: US6136090A. Автор: Kenji Araki,Hideo Okamoto,Atsushi Iwasaki,Toshiharu Uesugi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-24.

Method for manufacturing diamond single crystal substrate, and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20060216220A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Silicon single crystal growing apparatus and method for growing silicon single crystal

Номер патента: US09783912B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20230374699A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Simple method for detecting temperature distributions in single crystals and method for manufacturing silicon single crystals by employing the simple method

Номер патента: US6042646A. Автор: Kozo Nakamura,Toshiaki Saishoji,Fumitaka Ishikawa. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-28.

Apparatus and meth0d for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: US20180094359A1. Автор: Hyun Woo Park,Nam Seok Kim,Su Jin Son,Young Ho Hong. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Single-crystal ingot, apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140205837A1. Автор: Yong Jin Kim,Jin Woo Ahn,Il Soo CHOI,Hak Eui Wang. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Manufacturing apparatus of SiC single crystal and method for manufacturing SiC single crystal

Номер патента: US09617655B2. Автор: Yoichiro Kawai,Hiroshi Suzuki,Tomokazu Ishii,Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Motohisa Kado,Kouji Moriguchi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

III-nitride single-crystal ingot, III-nitride single-crystal substrate, method of manufacturing III-nitride single-crystal ingot, and method of manufacturing III-nitride single-crystal substrate

Номер патента: US8845992B2. Автор: Takuji Okahisa,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-09-30.

Systems and methods for controlling a gas dopant vaporization rate during a crystal growth process

Номер патента: US20240125003A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Chieh Hu,Sumeet Bhagavat,Hsien-Ta Tseng,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu,Liang-Chin Chen. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Systems and methods for controlling a gas dopant vaporization rate during a crystal growth process

Номер патента: US20240125004A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Chieh Hu,Sumeet Bhagavat,Hsien-Ta Tseng,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu,Liang-Chin Chen. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for producing silicon single crystals and silicon single crystal produced thereby

Номер патента: US7442251B2. Автор: Tsuyoshi Nakamura,Shuichi Inami,Nobumitsu Takase,Hiroki Murakami,Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Large-scale compound semiconductor single crystal growth system and method

Номер патента: US20240229291A1. Автор: Yang Wang,Shujie Wang,Xiaolan Li,Huisheng Liu,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU,Xin Ou,Ruiliang SONG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing heteroepitaxial wafer

Номер патента: EP4431645A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Toshiki Matsubara,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Single crystal silicon ingots having doped axial regions with different resistivity and methods for producing such ingots

Номер патента: WO2018063967A1. Автор: Soubir Basak,Salvador Zepeda. Владелец: Corner Star Limited. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09499924B2. Автор: Akihiro Kimura,Kiyotaka Takano,Junya Tokue. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Silicon single crystal, a silicon wafer, an apparatus for producing the same, and a method for producing the same

Номер патента: US20070158653A1. Автор: Toshihiko Imai,Masahiro Kato,Makoto Iida,Katsuichi Sato,Miho Iwabuchi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US20140238292A1. Автор: Atsushi Iwasaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US09863060B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Shou Takashima,Yuuichi Miyahara,Yasuhiko Sawazaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Weir method for improved single crystal growth in a continuous Czochralski process

Номер патента: US09353457B2. Автор: David L. Bender,David E. A. Smith. Владелец: Solaicx Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Vitreous silica crucible for pulling of silicon single crystal and method for manufacturing the same

Номер патента: US09758901B2. Автор: Tadahiro Sato,Fumie Yoshida,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Akihiro Aiba,Eriko Kitahara,Kazushi OUSYUYA,Makiko HINOOKA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of growing single crystal ingots using susceptor assembly with sacrifice ring

Номер патента: US20240309543A1. Автор: Chen-Yi Lin,Chun-Sheng Wu,Wei-Chen Chou,Benjamin Michael Meyer,Feng-Chien TSAI,Hong-Huei Huang. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for cleaning single crystal pulling apparatus, cleaning tool for use therein, and method for manufacturing single crystal

Номер патента: US10000863B2. Автор: Kenji Okita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Single crystal ingot puller with high-power laser beam as auxiliary heating source

Номер патента: WO2024124081A1. Автор: Sumeet S. Bhagavat,Vahid Klalajzadeh. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for pulling silicon single crystal

Номер патента: US09863059B2. Автор: Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal, method for manufacturing thereof and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US8506708B2. Автор: Satoshi Kudo,Masanori Fukui. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Crucible-supporting pedestal, quartz crucible-supporting device, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20200283925A1. Автор: Kenji Munezane. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for manufacturing single-crystal silicon

Номер патента: US09702055B2. Автор: Hideo Kato,Shinichi Kyufu. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Monocrystalline nickel-titanium films on single crystal silicon substrates using seed layers

Номер патента: US20230052052A1. Автор: Jagannathan Rajagopalan,Rohit Berlia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-16.

Emitter, electron gun in which same is used, electronic device in which same is used, and method for manufacturing same

Номер патента: US11915920B2. Автор: Jie Tang,Kazuhiro Hono,Shuai TANG,Tadakatsu Ohkubo,Ta-wei Chiu,Luchang Qin,Jun UZUHASHI. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US9252025B2. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Method for manufacturing elastic elements from single-crystal silicon

Номер патента: RU2770165C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин,Фархад Анвярович Абдуллин,Вера Владимировна Алексеева. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2022-04-14.

Method for making silicon wafers

Номер патента: US4597822A. Автор: John L. Benjamin,William R. Van Dell. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-07-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Method for manufacturing silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US20240304458A1. Автор: Susumu Maeda,Hisashi Matsumura,Tatsuhiko Aoki,Toru Yamashita,Haruo Sudo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for designing soi water and method for manufacturing soi wafer

Номер патента: SG183422A1. Автор: Susumu Kuwabara. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor packages, semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20240243068A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for producing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230230926A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for manufacturing bonded wafer

Номер патента: US20130102126A1. Автор: Hiroji Aga,Nobuhiko Noto,Satoshi Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Image sensor and method for manufacturing deep trench and through-silicon via of the image sensor

Номер патента: US20210036048A1. Автор: Hong Lin. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4462465A1. Автор: Keitaro Tsuchiya,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US20150001680A1. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Method for manufacturing a functional device by forming 45-degree-surface on (100) silicon

Номер патента: US20020048962A1. Автор: Masayuki Sekimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Method for manufacturing a semiconductor element

Номер патента: US20060286733A1. Автор: Masahiro Hayashi,Akihiro Shiraishi,Takahisa Akiba. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Method for Manufacturing Simox Wafer

Номер патента: US20070178680A1. Автор: Seiichi Nakamura,Yukio Komatsu,Yoshiro Aoki,Tetsuya Nakai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for producing silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2217842C1. Автор: В.П. Попов,И.Е. Тысченко. Владелец: Институт физики полупроводников - Объединенного института физики полупроводников СО РАН. Дата публикации: 2003-11-27.

Tft substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190385900A1. Автор: BO Liang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for manufacturing an SOI substrate

Номер патента: EP1981079A3. Автор: ITO Atsuo,Koichi Tanaka,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-23.

System and method for removing scalloping and tapering effects in high aspect ratio through-silicon vias of wafers

Номер патента: US11735478B2. Автор: Sandro Carrara,Edoardo Charbon,Simone Frasca,Rebecca Leghziel. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2023-08-22.

System and Method for Removing Scalloping and Tapering Effects in High Aspect Ratio Through-Silicon Vias of Wafers

Номер патента: US20210351075A1. Автор: Sandro Carrara,Edoardo Charbon,Simone Frasca,Rebecca Leghziel. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for manufacturing a semiconductor substrate having a compound semiconductor layer on a single-crystal silicon wafer

Номер патента: US5244830A. Автор: Kyoung-Soo Lee,Sang-Won Kang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1993-09-14.

Systems and methods for crack detection

Номер патента: WO2019157271A3. Автор: Emanuel M. Sachs,Zhe Liu,Tonio Buonassisi,Sarah WIEGHOLD. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2019-11-21.

Simox substrate and method for production thereof

Номер патента: EP1264339A1. Автор: Keisuke c/o NIPPON STEEL CORPORATION KAWAMURA,Atsuki c/o NIPPON STEEL CORPORATION MATSUMURA,Toshiyuki c/o NIPPON STEEL CORPORATION MIZUTANI. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Silicon wafer and method for filling silicon hole therein

Номер патента: EP4379773A1. Автор: Dengfeng Li,Wenlong Zhang. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Method for producing photovoltaic cells and modules from silicon wafers

Номер патента: EP2022086A1. Автор: Göran Fajersson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-11.

Silicon wafer and method for filling silicon via thereof

Номер патента: US20230307293A1. Автор: Dengfeng Li,Wenlong Zhang. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

A method for manufacturing a fluid sensor device and a fluid sensor device

Номер патента: EP3729068A1. Автор: Aurelie Humbert,Simone Severi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-28.

A method for manufacturing a fluid sensor device and a fluid sensor device

Номер патента: WO2019121931A1. Автор: Aurelie Humbert,Simone Severi. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2019-06-27.

Systems and Methods for Horizontal Wafer Packaging

Номер патента: US20210028038A1. Автор: Yinglong LI,Bernardo Gonzalez,Royal Wallace Cherry III,Omied Surendra Lele,Rahul Janardhan Chalmela. Владелец: Rorze Automation Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Hybrid orientation substrate and method for fabrication thereof

Номер патента: US20090029531A1. Автор: Haining S. Yang,Judson R. Holt,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Method for manufacturing soi wafer

Номер патента: SG11201406680PA. Автор: Hiroji Aga,Toru Ishizuka. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2014-12-30.

Method for producing bonded silicon wafer

Номер патента: US20100068867A1. Автор: Akihiko Endo,Nobuyuki Morimoto,Hideki Nishihata,Tatsumi Kusaba. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Method for producing bonded silicon wafer

Номер патента: US7927957B2. Автор: Akihiko Endo,Nobuyuki Morimoto,Hideki Nishihata,Tatsumi Kusaba. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Silicon wafer for manufacturing soi wafer, soi wafer, and method for manufacturing soi wafer

Номер патента: US20080213989A1. Автор: Seiichi Nakamura,Tetsuya Nakai,Eiji Kamiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for producing and method for designing soi wafer

Номер патента: EP2544236A4. Автор: Susumu Kuwabara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Method for storing carrier for polishing wafer

Номер патента: EP1142003A1. Автор: Masaaki MEMC Electronic Materials Inc. IKEDA,Ichiro MEMC Electronic Materials Inc. YOSHIMURA. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2001-10-10.

Soi substrate and method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20100025804A1. Автор: Koichi Tanaka,Atsuo Ito,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-04.

Method for preparing soi wafer by using rapid thermal processing

Номер патента: US20190326160A1. Автор: Jie Li. Владелец: SHENYANG SILICON TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device

Номер патента: US09704718B2. Автор: Ralf Otremba,Anton Mauder,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Device and method for detecting bending and warping of silicon wafer of solar cell

Номер патента: EP3614421A1. Автор: Tietun SUN,Ping Tang,Weizhong YAO. Владелец: Changzhou EGing Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-26.

Method for fabricating a patterned fd-soi wafer

Номер патента: US20240170325A1. Автор: Bomy Chen,Steve Nagel. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20120184085A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus, semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240312805A1. Автор: Masaru Yamada,Yosuke Nakanishi,Kyohei Akiyoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2756003C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-24.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2755175C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-13.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09476142B2. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

A Silicon Single Crystal Ingot and Wafer, Growing Apparatus and Method Therof

Номер патента: US20070022943A1. Автор: Hyon-Jong Cho,Hong Lee,Young Ho Hong,Man Kwak,III-Soo Choi. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Method of pulling up silicon single crystal and method of manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: US20020000189A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for growing a silicon single crystal while suppressing a generation of slip dislocations in a tail portion

Номер патента: US09988736B2. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240328029A1. Автор: Keisuke Mihara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for Producing Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot and Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot

Номер патента: US20240287704A1. Автор: Yang Li,Xun Lan. Владелец: Xi’ An Eswin Material Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20070068447A1. Автор: Hiroyuki Saito,Takashi Watanabe,Kazuhiko Kashima,Takeshi Senda,Koji Izunome,Yumiko Hirano. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for producing a silicon single crystal doped with nitrogen and having a controlled amount of carbon impurities

Номер патента: US12084788B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Single-crystal manufacturing method and single-crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20110214605A1. Автор: Takashi Mori,Susumu Sonokawa,Suguru Matsumoto,Toshiharu Uesugi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-08.

Silicon carbide single crystal ingot, silicon carbide wafer, and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240110308A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Crystal holding mechanism of single crystal pulling device and method for producing single crystal ingot

Номер патента: US20130319318A1. Автор: Ayumi Suda,Takuya Yotsui. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Crystal holding mechanism of single crystal pulling device and method for producing single crystal ingot

Номер патента: US09593433B2. Автор: Ayumi Suda,Takuya Yotsui. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

System of controlling diameter of single crystal ingot and single crystal ingot growing apparatus including the same

Номер патента: US09422637B2. Автор: Young-Ho Hong,Yo-Han Jung,Se-Geun Ha. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Silicon crystal material and method for manufacturing fz silicon single crystal by using the same

Номер патента: EP2143833A1. Автор: Yutaka Shiraishi,Shinji Togawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2010-01-13.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20140326174A1. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for producing SiC single crystals by control of an angle formed by the meniscus and the side face of the seed crystal and production device for the method

Номер патента: US09631295B2. Автор: Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Apparatus for manufacturing high-quality semiconductor single crystal ingot and method using the same

Номер патента: US20090183670A1. Автор: Hong-Woo Lee,Dae-Yeon Kim,Young-Ho Hong,Hyon-Jong Cho,Jong-Min Kang. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

System of controlling diameter of single crystal ingot and single crystal ingot growing apparatus including the same

Номер патента: US20120145071A1. Автор: Young-Ho Hong,Yo-Han Jung,Se-Geun Ha. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

System of controlling diameter of single crystal ingot and single crystal ingot growing apparatus including the same

Номер патента: WO2012081789A1. Автор: Young-Ho Hong,Yo-Han Jung,Se-Geun Ha. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2012-06-21.

Method for growing B-Ga2O3-based single crystal

Номер патента: US09926646B2. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Kimiyoshi KOSHI,Daiki Wakimoto,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Systems and methods for controlling a gas dopant vaporization rate during a crystal growth process

Номер патента: WO2024081521A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chieh Hu,Sumeet Bhagavat,Hsien-Ta Tseng,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu,Liang-Chin Chen,Carissima Marie HUSDON. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-18.

Single crystal ingot growth control device

Номер патента: US12043917B2. Автор: Hyun Woo Park. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of producing silicon single crystal

Номер патента: US09938634B2. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Junya Tokue. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for cultivating β-Ga2O3-based single crystal, and β-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915010B2. Автор: Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal, and beta-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915009B2. Автор: Shinya Watanabe,Kimiyoshi KOSHI. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for growing a silicon single crystal

Номер патента: US20170044685A1. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Growth of plural sample rods to determine impurity build-up during production of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP4361324A2. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Growth of plural sample rods to determine impurity build-up during production of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP4361324A3. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4148167A1. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Method for producing semiconductor wafers from silicon

Номер патента: US20220356601A1. Автор: Sergiy BALANETSKYY,Matthias Daniel. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for producing silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US7361219B2. Автор: Ken Yoshizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Semiconductor pressure sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2030484C. Автор: Tetsuro Nakamura,Makoto Ishida,Shoji Kawahito,Yasuji Hikita. Владелец: Toyoko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for manufacturing monocrystalline silicon wafer containing arced side, method for manufacturing monocrystalline silicon cell, and photovoltaic module

Номер патента: US11742453B2. Автор: Hao Jin,Xinyu Zhang,Jun Yang,Peiyuan Wang,Xiaolong BAI,Jide Huang,Lizhu He,Ziyang Ou,Weize Shang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for slicing semiconductor single crystal ingot

Номер патента: US09876078B2. Автор: Hiroshi Noguchi. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

SiC single-crystal ingot, SiC single crystal, and production method for same

Номер патента: US09732436B2. Автор: Takayuki Shirai,Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

SiC single crystal ingot and production method therefor

Номер патента: US09523156B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries

Номер патента: RU2749534C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Ольга Леонидовна Семерикова,Алексей Алексеевич Трофимов,Сергей Викторович Вакарин,Александр Валерьевич Косов,Александр Алексеевич Панкратов,Анастасия Максимовна Леонова,Наталия Максимовна Леонова,Диана Михайловна Солодянкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-06-11.

TOPCon cell, method for manufacturing the same, and electrical device

Номер патента: AU2022331906B2. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Yu He,Fan Zhou,Guoqiang Xing,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing epitaxial film and epitaxial film thereof

Номер патента: US20220127752A1. Автор: Chia-Chun Wei,Jan-Chi YANG,Ping-Chun Wu. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for detecting crystal defects

Номер патента: US09606030B2. Автор: wei feng Qu,Fumio Tahara,Yuuki OOI. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Quartz glass crucible, method for producing the same, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US09376336B2. Автор: Akihiro Kimura,Izumi Fusegawa,Katsuhiko Miki,Suguru Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Silicon wafer for hydrogen heat treatment and method for manufacturing the same

Номер патента: US6056931A. Автор: Kozo Nakamura,Junsuke Tomioka,Toshiaki Saishoji. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-02.

Thin Single-Crystal Silicon Solar Cells Mounted to a Structural Support Member and Method of Fabricating

Номер патента: US20240097065A1. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Silicon wafer surface defect evaluation method

Номер патента: MY137864A. Автор: Takeshi Hasegawa,Takaaki Shiota,Wataru Itou. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-03-31.

Thin single-crystal silicon solar cells mounted to a structural support member and method of fabricating

Номер патента: US11978820B2. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for evaluating edge shape of silicon wafer, apparatus for evaluating thereof, silicon wafer, method for selecting and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20200240929A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Makoto Kobayashi,Masahiro Sakurada,Koichi Kanaya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Evaluation method and evaluation device of edge shape of silicon wafer, silicon wafer, and selection method and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3671816A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Makoto Kobayashi,Masahiro Sakurada,Koichi Kanaya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-24.

Method for producing silicon carbide single-crystal ingot and silicon carbide single-crystal ingot

Номер патента: US20180066380A1. Автор: Tatsuo Fujimoto,Takayuki Yano,Kazuaki Seki,Hiroshi Tsuge,Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Komomo TANI. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Preparation method for solar cell and solar cell

Номер патента: AU2022454233A1. Автор: Jianbin Fan,Guoqiang Xing,Xiajie Meng. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Production method for turbine component, repairing method, and turbine component

Номер патента: EP4260966A1. Автор: Hiroshi Harada,Toru Tanaka,Akihiro Sakamoto,Kyoko Kawagishi,Tadaharu Yokokawa,Toshio Osada,Yutaka Koizumi,Yoshiaki Sakai,Rie Sumiya,Hideshi Nakano,Makoto Osawa,Takehisa Hino,Kazuhiro Kitayama. Владелец: Toshiba Energy Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Method for Manufacturing Boride Single Crystal and Substrate

Номер патента: US20070022944A1. Автор: Shinji Inoue,Kenji Hori,Mineo Isogami. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160340796A1. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for eliminating gap-type defect b-swirl, and silicon wafer and electronic device

Номер патента: EP4442869A1. Автор: Wei Wu,ZHEN Wang,Qinghai Li,Wujing XU. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Device and method for manufacturing aiii-bv - compound semiconductor single crystals as well as aiii-bv - compound semiconductor single crystal and wafer

Номер патента: WO2024153791A1. Автор: Gunnar Leibiger,Stefan Eichler,Marc Dietrich,Dmitry SUPTEL,Ulrich Kretzer,Berndt Weinert,Max Scheffer-Czygan,Theodor Milek. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2024-07-25.

Photovoltaic cell, method for producing the same and photovoltaic module

Номер патента: EP4421880A1. Автор: Nannan Yang,Jingsheng Jin,Guangming LIAO. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Photovoltaic cell, method for producing the same and photovoltaic module

Номер патента: US20240282882A1. Автор: Nannan Yang,Jingsheng Jin,Guangming LIAO. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120058612A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Method for detecting temperature of thermal chamber

Номер патента: US12046520B2. Автор: Liying Liu,Gongbai Cao,Chihhsin Lin,Dengyong YU. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing a turbine engine vane and turbine engine vane

Номер патента: US12031447B2. Автор: Baptiste Romain Larrouy,Olivier Philippe David BERTEAUX,Philippe Gabriel Louis BELAYGUE. Владелец: Safran Helicopter Engines SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for producing single crystal sic

Номер патента: RU2761199C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Александр Владимирович Марков,Наталья Владимировна Андреева,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2021-12-06.

METHOD FOR REPEATED USE OF A SOLUTION-MELT IN THE SYNTHESIS OF 57FeBO3

Номер патента: RU2769681C1. Автор: Игорь Савельевич Любутин,Юлия Александровна Могиленец,Кира Андреевна Селезнева,Марк Борисович Стругацкий,Сергей Владимирович Ягупов,Никита Игоревич Снегирёв,Марианна Владимировна Любутина. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2022-04-05.

METHOD FOR PRODUCING CRYSTALS OF ALLOYS OF FLUORITE SOLID SOLUTIONS М1-X М'XF2, WHERE M = CA, SR, BA; M' = PB, CdD, X IS MOLE FRACTION OF VOLATILE COMPONENT M'F2 (VARIANTS)

Номер патента: RU2742638C1. Автор: Денис Нуриманович Каримов,Ирина Игоревна Бучинская,Юрий Меерович Дымшиц. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2021-02-09.

Method for growing mixed crystals of cobalt-nickel-potassium sulfate for optical filters of ultraviolet range

Номер патента: RU2758652C1. Автор: Наталья Александровна Васильева,Алексей Эдуардович Волошин,Владимир Михайлович Масалов,Андрей Анатольевич Жохов,Геннадий Анатольевич Емельченко,Надежда Сергеевна Сухинина,Вера Львовна Маноменова,Елена Борисовна Руднева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2021-11-01.

Dry etch method for texturing silicon and device

Номер патента: US20160351734A1. Автор: Talia S. Gershon,Yun Seog Lee,Jeehwan Kim,Richard A. Haight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for manufacturing photoelectric conversion device

Номер патента: US20110318864A1. Автор: Junpei Momo,Fumito Isaka,Sho Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Solar cell and method for manufacturing solar cell

Номер патента: NL2034461A. Автор: Chen Yifan,Li Wenqi,ZHANG Guochun,Xie Minghui. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Single crystal silicon pulling silica container and manufacturing method thereof

Номер патента: US09382640B2. Автор: Shigeru Yamagata. Владелец: Shin Etsu Quartz Products Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for preparing a charge for growing fluoride single crystals

Номер патента: RU2747503C1. Автор: Степан Эрвандович Саркисов,Валентин Александрович Юсим. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2021-05-05.

Method for verification of conductivity type of silicon wafer

Номер патента: US20230037569A1. Автор: XING Wei,Minghao LI,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Silicon carbide single crystal wafer and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: EP4411030A1. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for manufacturing components made of single crystal (SX) or directionally solidified (DS) nickelbase superalloys

Номер патента: US09670571B2. Автор: Roland Mücke,Thomas Etter. Владелец: Ansaldo Energia IP UK Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for growing crystals of multicomponent fluorides with the structure of fluorite in mf2-cef3 systems

Номер патента: RU2659274C2. Автор: Борис Павлович Соболев,Денис Нуриманович Каримов,Всеволод Вадимович Киреев,Наталья Альбертовна Ивановская. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2018-06-29.

Method for producing nitrogen-free diamond crystals

Номер патента: RU2766902C1. Автор: Юрий Николаевич Пальянов,Игорь Николаевич Куприянов,Александр Федорович Хохряков,Юрий Михайлович Борздов,Денис Валерьевич Нечаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и менералогии СО РАН, ИГМ СО РАН). Дата публикации: 2022-03-16.

Mould for manufacturing a component by pouring metal and epitaxial growth, and associated manufacturing method

Номер патента: US11878338B2. Автор: Nicolas Romain Benjamin Leriche,Serge Alain Fargeas. Владелец: Safran Aircraft Engines SAS. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal ingot and apparatus for growing silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20230193506A1. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for producing bismuth silicate bi12sio20 by crystalization method in crubicle

Номер патента: RU2665626C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2018-09-03.

Device having membrane structure for detecting thermal radiation, method for production and use thereof

Номер патента: RU2468346C2. Автор: Карстен ГИБЕЛЕР,Матиас ШРАЙТЕР,Кристиан ПАУЛУС. Владелец: Пайриос Лтд.. Дата публикации: 2012-11-27.

Nonlinear optical and photoluminescent material of rare earth samarium scandoborate and method for synthesis thereof

Номер патента: RU2759536C1. Автор: Валерий Анатольевич Светличный,Артем Борисович Кузнецов,Константин Александрович Кох,Надежда Георгиевна Кононова,Вячеслав Сергеевич Шевченко,Екатерина Александровна Симонова,Александр Егорович Кох,Аммар Жамус. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН). Дата публикации: 2021-11-15.

Method for manufacturing monocrystalline silicon wafer containing arced side, method for manufacturing monocrystalline silicon cell, and photovoltaic module

Номер патента: US20230361238A1. Автор: Hao Jin,Xinyu Zhang,Jun Yang,Peiyuan Wang,Xiaolong BAI,Jide Huang,Lizhu He,Ziyang Ou,Weize Shang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Apparatus for growing a SiC single crystal ingot comprising a filter unit having a porous body surrounding an opening unit that is located under a seed crystal

Номер патента: US11859305B2. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

C-v characteristic measurement system and method for measuring c-v characteristics

Номер патента: US20150025826A1. Автор: Fumitaka Kume,Hisatoshi Kashino. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Si-Doped GaAs single crystal ingot and process for producing the same, and Si-Doped GaAs single crystal wafer produced from Si-Doped GaAs single crystal ingot

Номер патента: US20110059294A1. Автор: Yoshikazu Oshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for forming a matrix of led elements of different colours

Номер патента: US20240186365A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US20230262957A1. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US12048142B2. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for making jewelry from synthetic gemstone (options)

Номер патента: RU2770399C1. Автор: Тюл-Хун ТЁЙ,Дун-Вук СИНЬ,Инь-Сан ЁОН,Чун-Минь КИМ. Владелец: Виеа Лоджис Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-04-15.

Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal using dopant coated with a carbon-based material

Номер патента: US11846038B2. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for measuring extremely low oxygen concentration in silicon wafer

Номер патента: US11754497B2. Автор: Hiroyuki Saito. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for manufacturing monocrystalline silicon cell and monocrystalline silicon wafer, and photovoltaic module

Номер патента: AU2020244430B1. Автор: Hao Jin,Xinyu Zhang,Jun Yang,Peiyuan Wang,Xiaolong BAI,Jide Huang,Lizhu He,Ziyang Ou,Weize Shang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for measuring extremely low oxygen concentration in silicon wafer

Номер патента: US20220018761A1. Автор: Hiroyuki Saito. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for evaluating degree of crystal orientation in polycrystalline silicon, selection method for polycrystalline silicon rods, and production method for single-crystal silicon

Номер патента: US20150047554A1. Автор: Shigeyoshi Netsu,Junichi Okada,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for producing single crystal diamond, and single crystal diamond

Номер патента: EP4365338A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-05-08.

Synthetic single crystal diamond and method for manufacturing same

Номер патента: US20230220584A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for Manufacturing a Component by Means of Layered Construction

Номер патента: US20240263339A1. Автор: Carolin Körner,Julian Pistor. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for evaluating silica glass crucible, method for producing silicon single crystals

Номер патента: US09809902B2. Автор: Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara,Makiko Kodama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for producing an n-type SiC single crystal from a Si—C solution comprising a nitride

Номер патента: US09702057B2. Автор: Takayuki Shirai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Avalanche photodiode and method for its manufacture

Номер патента: RU2769749C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Татьяна Александровна Левцова,Евгений Александрович Емельянов,Игорь Борисович Чистохин,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Игорь Ильич Рябцев,Михаил Олегович Петрушков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2022-04-05.

Method for detecting crystal defects in a silicon single crystal substrate

Номер патента: US5766976A. Автор: Masaki Majima. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20180187328A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-07-05.

Monocrystalline zirconia without low-temperature degradation properties and method for growing same

Номер патента: US20170137961A1. Автор: Jae Kun Lee. Владелец: Woojin Wtp Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20150023862A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Yuji Kagamitani,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-01-22.

Magnesium oxide single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20090053131A1. Автор: Yoshifumi Kawaguchi,Masaaki Kunishige,Atsuo Toutsuka. Владелец: TATEHO CHENMICAL Ind Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Method for producing silicon carbide single crystal in a solution process using a seed crystal having a bottom face with a circular shape and at least a partially removed section

Номер патента: US10260167B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for manufacturing image display device and image display device

Номер патента: US20230290808A1. Автор: Hajime Akimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for Producing Single Crystal Diamond and Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240318348A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US09976229B2. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-05-22.

Destructive inspection method and quality determination method for vitreous silica crucible

Номер патента: US09964478B2. Автор: Takashi Watanabe,Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for producing SiC single crystal substrate in which a Cr surface impurity is removed using hydrochloric acid

Номер патента: US09873955B2. Автор: Akinori Seki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric device

Номер патента: US09570668B2. Автор: Takashi Iwamoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for regulating the content of gallium in scintillators based on gadolinium-gallium garnets

Номер патента: RU2670865C2. Автор: Марк С. АНДРЕАКО,Питер Карл КОЭН,Александер Эндрю КЭРИ. Владелец: СИМЕНС МЕДИКАЛ СОЛЮШЕНС ЮЭсЭй, ИНК.. Дата публикации: 2018-10-25.

Electronic module with an element which is visible on one surface, and method for manufacturing such a module

Номер патента: RU2316817C2. Автор: Франсуа ДРОЗ. Владелец: Награид Са. Дата публикации: 2008-02-10.

METHOD FOR PRODUCING Bi4Ge3O12 BISMUTH GERMANATE BY CASTING

Номер патента: RU2753671C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2021-08-19.

Composite piezomaterial and method for its manufacture

Номер патента: RU2751896C1. Автор: Александр Анатольевич Панич,Алексей Анатольевич Нестеров,Евгений Анатольевич Панич,Михаил Игоревич Толстунов,Любовь Александровна Дыкина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-07-19.

Method for inspecting for surface defects on a cast part made of single-crystal metal and system for implementing same

Номер патента: US20240310294A1. Автор: Franck Michaud. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for statistical distribution characterization of dendritic structures in original position of single crystal superalloy

Номер патента: US11927511B2. Автор: Lei Zhao,Haizhou Wang,Qingqing Zhou,Dongling LI,Xuejing Shen,Weihao WAN,Haozhou Feng. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for statistical distribution characterization of dendritic structures in original position of single crystal superalloy

Номер патента: US20220252488A1. Автор: Lei Zhao,Haizhou Wang,Qingqing Zhou,Dongling LI,Xuejing Shen,Weihao WAN,Haozhou Feng. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Methods for fabricating a laser cavity

Номер патента: US20030030062A1. Автор: Joyce Yamamoto,Paige Holm,Barbara Barenburg,Fred Richard. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Plasma display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100244687A1. Автор: Yoshiyuki Kaneko,Takashi Kawasaki,Takahiro Ueno,Hiroyuki Tachihara,Yasuhito Yamaryo,Atsuo OHTOMI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Matrix auto emission cathode and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2666784C1. Автор: Михаил Георгиевич Путря,Валерий Петрович Тимошенков,Александр Анатольевич Голишников,Татьяна Юрьевна Крупкина,Евгений Павлович Кицюк,Роман Михайлович Рязанов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2018-09-12.

Electron source, method for manufacturing the same, and electron beam device using the same

Номер патента: US20210327674A1. Автор: Minoru Kaneda,Tomihiro Hashizume,Takashi Ohshima,Toshiaki Kusunoki,Noriaki Arai,Hiromitsu Seino,Keigo Kasuya,Soichiro Matsunaga. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for manufacturing a vacuum-tight beryllium outlet window

Номер патента: RU2760320C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Александр Васильевич Терехин,Николай Ефимович Шер,Валерий Дмитриевич Малыгин. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г.Ромашина". Дата публикации: 2021-11-23.

Method and device for manufacturing of separator for polymer-electrolyte fuel element

Номер патента: RU2516342C2. Автор: Нобухиро ТАДЗОЕ. Владелец: АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-05-20.

Quantum size effect type micro electron gun and flat display unit using it and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030109091A1. Автор: Shunri Oda,Katsuhiko Nishiguchi,Xinwei Zhao. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Measurement method of reflection spectrum of vertical cavity surface emitting laser diode (VCSEL) and epitaxial wafer test fixture

Номер патента: US11482830B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Method for manufacturing sealed lead accumulator

Номер патента: RU2693047C1. Автор: Сергей Владимирович Иванов,Оксана Александровна Шуткова,Александр Борисович Архипов,Сергей Васильевич Петряев,Алексей Станиславович Кайров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Аккумулятор инноваций". Дата публикации: 2019-07-01.

Device for manufacturing a laminated core and method of its manufacture

Номер патента: RU2677657C1. Автор: Кунихиро СЕНДА,Ёсихико ОДА,Масанори УЭСАКА,Ёсихидэ КАМИТАНИ,Ясухито СИОЙРИ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-01-18.

Display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240276787A1. Автор: Yung Bin Chung,Jihye HAN,Chulmin BAE,Jungyun Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4418838A1. Автор: Yung Bin Chung,Jihye HAN,Chulmin BAE,Jungyun Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Method for manufacturing N-type and P-type chalcogenide material, Doped homojunction chalcogenide thin film transister and method of fabricating the same

Номер патента: KR101175189B1. Автор: 송기봉,이상수. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2012-08-20.

Piezoelectric actuator, deformable mirror and method for manufacturing deformable mirror

Номер патента: EP3507645A1. Автор: Zhipeng Wang,Penghui WANG,Guoxi LIU,Huaduo SHI. Владелец: Beijing Supersonic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-10.

Method for producing a quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and apparatus

Номер патента: EP1279644A2. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Shin Etsu Quartz Products Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-29.

A method of welding single crystals

Номер патента: CA2423146C. Автор: Jürgen Betz. Владелец: Sulzer Markets and Technology AG. Дата публикации: 2006-05-30.

Substrates and methods for fabricating the same

Номер патента: US20080061297A1. Автор: Song-Yeu Tsai,Yan-Ru Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-03-13.

Substrates and methods for fabricating the same

Номер патента: US20090004834A1. Автор: Song-Yeu Tsai,Yan-Ru Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-01-01.

A process for making a part comprising a nickel-based single crystal superalloy substrate and part comprising a nickel-based single crystal superalloy substrate

Номер патента: BR112019008297A2. Автор: SABOUNDJI Amar,RAME Jérémy,JAQUET Virginie. Владелец: SAFRAN. Дата публикации: 2019-07-09.

Mifepristone crystal N-type solid matter, preparation method, pharmaceutical composition and application thereof

Номер патента: CN111662354B. Автор: 周健,梁宇,杜冠华,吕扬,杨世颖,周启蒙,赵晓悦,宋俊科,邢逞. Владелец: Institute of Materia Medica of CAMS. Дата публикации: 2023-03-24.

Method for manufacturing single-crystal sensing elements for high-voltage optical measuring voltage transformers

Номер патента: RU2748973C1. Автор: Сергей Александрович Сахаров,Владимир Владимирович Аленков,Светлана Сергеевна Базалевская,Дина Генриховна Евтушенко,Алексей Николаевич Забелин,Анатолий Анатольевич Мололкин. Владелец: Акционерное Общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ". Дата публикации: 2021-06-02.

Method for manufacturing of acousto-optic device

Номер патента: RU2762515C1. Автор: Сергей Иванович Чижиков,Владимир Яковлевич Молчанов,Василий Викторович Гуров,Александр Ильич Чижиков. Владелец: Александр Ильич Чижиков. Дата публикации: 2021-12-21.

Piezoelectric single-crystal element, mems device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230120240A1. Автор: Sang Goo Lee. Владелец: Ibule Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for recovering and purifying argon gas from silicon single crystal manufacturing apparatus and apparatus for recovering and purifying argon gas

Номер патента: US09890044B2. Автор: Hideaki Matsushima,Wataru Yajima,Ichiro Onozawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for forming a super-noise-resistant bistable thermomagnetic storage element for recording and storing information

Номер патента: RU2771596C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Великанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2022-05-06.

Stable crystalline form of tipiracil hydrochloride and method for its crystallization

Номер патента: RU2674441C1. Автор: Хидеки КАДЗУНО,Томонобу МУЦУМИ. Владелец: Тайхо Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-12-10.

Blank for manufacturing test system for express diagnostics of helicobacter pylori infection by urease activity of biopsy material and method for manufacturing test system

Номер патента: RU2630651C9. Автор: Евгений Матвеевич Аксенов,Вадим Сергеевич Дмитриенко,Андрей Игоревич Киреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ассоциация Медицины и Аналитики" (ООО "АМА"). Дата публикации: 2017-10-30.

Blank for manufacturing test system for express diagnostics of helicobacter pylori infection by urease activity of biopsy material and method for manufacturing test system

Номер патента: RU2630651C1. Автор: Евгений Матвеевич Аксенов,Вадим Сергеевич Дмитриенко,Андрей Игоревич Киреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ассоциация Медицины и Аналитики" (ООО "АМА"). Дата публикации: 2017-09-11.

Stable crystalline form of typiracyl hydrochloride and method for its crystallization

Номер патента: RU2640417C2. Автор: Хидеки КАДЗУНО,Томонобу МУЦУМИ. Владелец: Тайхо Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for obtaining dispersion of silicon 2d nano-crystals in an organic solvent for photovoltaic applications

Номер патента: RU2672160C2. Автор: Валерий Николаевич Захаров,Леонид Александрович Асланов,Александр Васильевич Яценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-11-12.

Vibrator device and method for manufacturing vibrator device

Номер патента: US12052009B2. Автор: Katsuya Suzuki,Kenichi Kurokawa,Naruki Teradaira. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for manufacturing spherical blue fluorescent substance

Номер патента: EP1341870A1. Автор: Min-soo Kang,Tae-Hyun Kwon,Gyun-Joong Kim. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-10.

Method for manufacturing metal-ceramic dentures

Номер патента: RU2753135C1. Автор: Рамиль Наилевич Кашапов,Наиль Фаикович Кашапов,Ленар Наилевич Кашапов,Гульшат Тауфиковна Салеева,Ринат Ахмедуллович Салеев,Ляйсан Ринатовна Салеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский Государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-08-11.

Granular material, method for manufacturing the granular material and method for manufacturing sintered ore

Номер патента: RU2765680C1. Автор: Кэнта ТАКЭХАРА,Тэцуя ЯМАМОТО,Масато КУРОИВА,Наото КОБАЯСИ,Тэцуя ДЗИННО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-02-01.

Method for making magnetizable core with winding for electric machine (variants), magnetizable core manufactured using said method, with winding, and also an electric machine with core manufactured by said method, with winding

Номер патента: RU2267215C2. Автор: Клаус ПФЛЮГЕР,Хельмут КРОЙЦЕР,Эберхард РАУ,Адам ВИЛЛЬМОТТ,Алан ФАССИ,Уилль мс НЕЙЛ,Уилльямс НЕЙЛ,Мартин ХЕННЕ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-12-27.

Steel material for main pipes, method for its production and method for manufacturing the main pipe

Номер патента: RU2747774C1. Автор: Томоюки ЁКОТА,Кёно ЯСУДА,Акихико ТАНИДЗАВА,Рюдзи МУРАОКА,Кадзукуни ХАСЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-05-13.

Method for manufacturing high-frequency printed circuit boards

Номер патента: RU2765105C1. Автор: Николай Владимирович Луконин,Сергей Анатольевич Толмачев,Андрей Глебович Масанов,Вадим Юрьевич Изотов,Владимир Сергеевич Катышев. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва». Дата публикации: 2022-01-25.

Method for manufacturing brushless dc motor stator and stator of brushless dc motor manufactured by this method

Номер патента: RU2287888C2. Автор: Йоунг-Кван КИМ,Биунг-Таек КИМ,Дзанг-Хо ШИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2006-11-20.

Gypsum slurry, hardened gypsum, gypsum-based building material, gypsum board, process for manufacturing gypsum slurry, process for manufacturing hardened gypsum, process for manufacturing gypsum-based building material, and process for manufacturing gypsum board

Номер патента: RU2655722C1. Автор: Кен ВАТАНАБЕ,Юдзи АТАКА. Владелец: Йосино Джипсум Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-29.

Piezoelectric single crystal transducer element and a method for its manufacturing

Номер патента: WO2024161205A1. Автор: VENKATACHALAM Natarajan,Elangovan VARADARAJAN,Chandramohan MANIKANDAN,Sarveswaran GANESAMOORTHY,Ramaiyan Mahadevan SARGUNA,Palanimuthu VIJAYAKUMAR,Prabu Amaladass EDWARD,Mani AWADHESH,Shekar Nagar Venkataraman CHANDRA,Abisekaraj Isaac Abraham REGIVA. Владелец: Chairman, Defence Research And Development Organization. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for producing filler for rubber mixtures from composition of one-type granular technical carbons

Номер патента: RU2765552C2. Автор: Валентин Лукьянович Золотарев,Людмила Александровна Ковалева,Людмила Ромуальдовна Люсова,Игорь Павлович Левенберг. Владелец: Игорь Павлович Левенберг. Дата публикации: 2022-02-01.

Sound absorbing material and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2667584C2. Автор: Кеун Йоунг КИМ,Вон Дзин СЕО. Владелец: Хендэ Мотор Компани. Дата публикации: 2018-09-21.

Method for manufacturing anisotropic single-mode fiber-optic guides

Номер патента: RU2764240C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян,Александр Алексеевич Унтилов,Александр Александрович Реуцкий. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2022-01-14.

Zirconium base alloy and method for manufacturing fuel-assembly element for nuclear reactor from this alloy

Номер патента: RU2261487C2. Автор: Даниель ШАРКЕ,Жан-Поль МАРДОН,Жан СЕНЕВА. Владелец: Фраматом Анп. Дата публикации: 2005-09-27.

Method of production of the raw material for manufacture of the glass

Номер патента: RU2302379C2. Автор: Пьер ЖАНВУАН,ВЕРЖ Арно ЛЕ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2007-07-10.

Glass making method for manufacturing glasstelle glass

Номер патента: RU2733761C2. Автор: Павел Павлович Баканов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СЕНСТЭК АРТ". Дата публикации: 2020-10-06.

METHOD FOR MANUFACTURING A FORGED WORKPIECE IN THE FORM OF A ROD FROM (α+β)-TITANIUM ALLOYS

Номер патента: RU2758735C1. Автор: Сергей Владимирович Алтынбаев,Алексей Рассказов,Андрей Николаевич Кабанцев,Михаил Семенович Хорин,Максим Александрович Салтыков,Николай Игоревич Гребенкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Хермит Рус». Дата публикации: 2021-11-01.

Method for manufacturing product for kindling

Номер патента: RU2747412C1. Автор: Алексей Александрович Бучнев. Владелец: Алексей Александрович Бучнев. Дата публикации: 2021-05-04.

High-strength steel having excellent low-temperature viscosity and excellent viscosity in thermally affected zone of welding joint (options), method for manufacturing such steel, method for manufacturing sheet from indicated steel, high-strength steel tube (option), and a method for manufacturing high-strength steel tube

Номер патента: RU2258762C2. Автор: Такуя ХАРА,Хитоси АСАХИ,Таку ХАРА (JP),Хитоси АСАХИ (JP). Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2005-08-20.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Composition for producing electrical conducting hydrophobic coating based on varnish with carbon nanotubes and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2677156C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Станислав Владимирович Кондрашов,Константин Александрович Шашкеев,Людмила Владимировна Соловьянчик,Татьяна Петровна Дьячкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2019-01-15.

Method for manufacturing an electric power device, electric power device and use of an electric power device

Номер патента: RU2760843C1. Автор: Франческо АГОСТИНИ,Пьер ЭЛЬСЕР,Лукаш МАТЫСЯК,Роберт СЕКУЛЯ. Владелец: Абб Пауэр Гридс Свитцерланд Аг. Дата публикации: 2021-11-30.

Method and apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US09959611B2. Автор: Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for obtaining a harmonic frequency using a potassium bromate nonlinear optical component

Номер патента: US3815973A. Автор: S Haussuehl. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-06-11.

Method for manufacturing cutting tool

Номер патента: US20200030889A1. Автор: Gaku Harada. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2020-01-30.

Element, device and method for generating electromagnetic radiation in the terahertz domain

Номер патента: EP2607945A3. Автор: Hidetoshi Nakanishi,Masayoshi Tonouchi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2014-07-30.

Pad conditioner with pyramids of single-crystal diamond

Номер патента: US20240198481A1. Автор: Chien-Min Sung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for production of semiconductor photodetector

Номер патента: RU2127472C1. Автор: Д.С. Стребков,И.И. Тюхов,В.В. Симакин. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства. Дата публикации: 1999-03-10.

Cutting method for hard, brittle materials

Номер патента: US20030029432A1. Автор: Satoru Yamaguchi,Satoshi Ishikawa,Shinji Mukota,Hiromi Katou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Passivation method for measuring N-type silicon chip minority carrier life

Номер патента: CN102735510A. Автор: 张弛,熊震,付少永. Владелец: Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-17.

Developing solution used for distinguishing P-type silicon material and N-type silicon material and distinguishing method

Номер патента: CN105445262A. Автор: 王晓伟. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-30.

Method for for manufacturing reinforcing fabric for a transmission belt

Номер патента: EP3263947B1. Автор: Toshihiro Nishimura,Taisuke Kimura,Masakuni Yoshida. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

PID countermeasure solar cell module of solar cell module using n-type silicon semiconductor

Номер патента: JP6608189B2. Автор: 肇 芹澤,秀斉 仲濱,栄起 國本,靖史 高木. Владелец: Nisshinbo Mechatronics Inc. Дата публикации: 2019-11-20.

N-type silicon substrate based back contact type HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer) solar cell structure and preparation method thereof

Номер патента: CN102931269A. Автор: 程亮,张春艳,徐振华,任现坤,贾河顺,马继磊,姜言森,孙继峰. Владелец: Linuo Solar Power Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Optical element made from fluoride single crystal, method for manufacturing optical element, method for calculating birefringence of optical element and method for determining direction of minimum birefringence of optical element

Номер патента: US20010024314A1. Автор: Shigeru Sakuma,Shuuichi Takano. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Optical element made from fluoride single crystal and method for manufacturing the optical element

Номер патента: EP1271185A3. Автор: Shigeru Nikon Corp. Sakuma (Intell. Prop. HQ.),Shuuichi Nikon Corp. Takano (Intell. Prop. HQ.). Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-07-02.

Apparatus and method for sawing single crystal ingot

Номер патента: WO2012050307A2. Автор: Ki-Soo Kwon,Heui-Don Cho,Dong-Ouk Ji. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2012-04-19.

Apparatus and method for sawing single crystal ingot

Номер патента: EP2627488A2. Автор: Ki-Soo Kwon,Heui-Don Cho,Dong-Ouk Ji. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Method for filling, on wafer, chip-level atomic clock absorption bubbles with high-purity alkali metal

Номер патента: EP3112315A8. Автор: Jian Zhu,Erwin HELL. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2017-06-28.

METHOD FOR PRODUCING NANO-PROFILED ULTRA-THIN FILM Al2O3 ON SURFACE OF POROUS SILICON

Номер патента: RU2634326C2. Автор: Илья Сергеевич Тарасов,Александр Дмитриевич Бондарев,Иван Никитич Арсентьев,Александр Сергеевич Леньшин,Павел Владимирович Середин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВО ВГУ). Дата публикации: 2017-10-25.

Method for Solving Bright Line Scratched During Lifting of Large-size Silicon Wafer

Номер патента: US20240217139A1. Автор: Bing Zhu,Bin Sun,Mingquan FU,Zhiqun XU. Владелец: Guangdong Jinwan Gokin Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for producing at least one first and one second micromirror device

Номер патента: US20230066345A1. Автор: Heiko Stahl,Rainer Straub. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-03-02.

Polishing method for semiconductor wafer and polishing pad used therein

Номер патента: GB9902373D0. Автор: . Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-24.

Polishing method for semiconductor wafer and polishing pad used therein

Номер патента: MY122396A. Автор: Hisashi Masumura,Kiyoshi Suzuki,Teruaki Fukami. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2006-04-29.

Method for manufacturing optical bench, optical bench, optical module, silicon wafer substrate in which wiring and groove are formed, and wafer

Номер патента: US20040266093A1. Автор: Tetsuhiko Sanbei,Ryuzou Fukao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for manufacturing magnetic recording medium substrates

Номер патента: US20050029687A1. Автор: Masatoshi Ishii,Toshihiro Tsumori,Ken Ohashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Single crystal silicon substrate, liquid discharge head, and method for manufacturing single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230364910A1. Автор: Koji Kitahara,Masahiro Fujii,Shinichi Yotsuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for making a silicon separation microcolumn for chromatography or gas chromatography

Номер патента: EP2764357A1. Автор: Stefano Galli,Stefano ZAMPOLLI,Ivan ELMI,Antonella POGGI,Fulvio MANCARELLA,Mario Galli,Giancarlo CARDINALI,Maddalena BELLUCE,Filippo BARAVELLI. Владелец: Cardinali Giancarlo. Дата публикации: 2014-08-13.

Door frame plat band, method for manufacturing door frame plat band, workpiece for implementing the method

Номер патента: RU2749947C1. Автор: Евгений Валерьевич Макаров. Владелец: Евгений Валерьевич Макаров. Дата публикации: 2021-06-21.

Device for making hollow concrete products, a method for making hollow concrete products and a hollow concrete structure

Номер патента: RU2769634C1. Автор: Виктор Юрьевич Шмаков. Владелец: Виктор Юрьевич Шмаков. Дата публикации: 2022-04-04.

Device and method for manufacturing packages with welded seam along perimeter

Номер патента: RU2763229C2. Автор: Клаус ШУМАНН,Рольф БЁМ,Торстен ГРУНЕНБЕРГ,Бернд ГРЮНЕС,Маркус БЕЕ,Анна ШЛЮТЕР. Владелец: Лтс Ломанн Терапи-Системе Аг. Дата публикации: 2021-12-28.

Ink jet recording head, method for manufacturing the same, and ink jet recorder

Номер патента: EP1116588A4. Автор: Akira Matsuzawa,Yoshinao Miyata,Masato Shimada,Tsutomu Nishiwaki,Hiroyuki Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-07-11.

Method for manufacturing a protective wafer including inclined optical windows and device

Номер патента: US20200166743A1. Автор: Stefan Pinter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for making ink jet printheads

Номер патента: WO2003016831A1. Автор: Gary Raymond Williams,Brian Christopher Hart,Shauna Marie Leis. Владелец: Lexmark International, Inc.. Дата публикации: 2003-02-27.

Dual alloy turbine rotors and methods for manufacturing the same

Номер патента: EP3617455A1. Автор: Jason Smoke,David K. Jan,Don Mittendorf,Amendine MINER. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Method for manufacturing a protective wafer including inclined optical windows and device

Номер патента: US20180113300A1. Автор: Stefan Pinter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-04-26.

Dual alloy turbine rotors and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09724780B2. Автор: Jason Smoke,Amandine Miner,Don Mittendorf,David K Jan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Single crystal quartz chips for protein crystallization and X-ray diffraction data collection and related methods

Номер патента: US09632042B2. Автор: ZHONG Ren. Владелец: Renz Research Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacture of water-repelling catalyst for fuel-cell elements

Номер патента: RU2572106C1. Автор: Владимир Иванович Матренин,Игорь Викторович Щипанов,Анатолий Тихонович Овчинников,Сергей Ильич Хозяшев,Олег Всеволодович Чумаковский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Завод электрохимических преобразователей" (ООО "ЗЭП"). Дата публикации: 2015-12-27.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for manufacturing a smoking product

Номер патента: RU2771509C1. Автор: Норио ЯМАМОТО,Риодзи Фудзита,Кадзухико КАТАЯМА,Такеси Синкава. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for manufacturing parts of complex shape by hybrid casting-additive method

Номер патента: RU2752359C1. Автор: Виктор Борисович Федоров,Виктор Иванович Гузеев,Антон Дмитриевич Казанский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)». Дата публикации: 2021-07-26.

Method for manufacturing filtering rods from a pla bundle with low resistance to draw for reducing the smoking temperature

Номер патента: RU2761996C1. Автор: Тао ЯН,Цзыган ЯН,Синьлэй ФАНЬ,Ляньлун ЛЭЙ. Владелец: Юньнань Тобэкко Биолоджикал Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-12-14.

Method for manufacture of mineral fiber panel containing one or more cavities of predetermined shape

Номер патента: RU2265091C2. Автор: Оле Легтольт ПЕДЕРСЕН. Владелец: РОКВУЛ ИНТЕРНЭШНЛ А/С. Дата публикации: 2005-11-27.

Smoking product and method for smoking product manufacture

Номер патента: RU2542548C2. Автор: ФИБЕЛКОРН Ричард,КАЛДЖУРА Карл,НАППИ Леонардо. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2015-02-20.

Preparation of lenses with elements for manufacturing of ophtalmological lens

Номер патента: RU2630103C2. Автор: Кристофер УАЙЛДСМИТ,Марк П. ПАУЭЛЛ,Майкл УИДМЭН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing the absorbent component and method for manufacturing the absorbent product

Номер патента: RU2750537C1. Автор: Томоюки МОТЕГИ,Рюдзи МАЦУНАГА,Такуаки ХАРАДА,Юки КАТО,Хироюки ИВАСА. Владелец: КАО КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-06-29.

Surgical implant for repairing tissue or muscle wall defects, method for manufacture of raised areas in implant and method for production of implant

Номер патента: RU2670683C9. Автор: Йорг ПРИВЕ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Медикал Гмбх. Дата публикации: 2018-12-13.

Surgical implant for repairing tissue or muscle wall defects, method for manufacture of raised areas in implant and method for production of implant

Номер патента: RU2670683C2. Автор: Йорг ПРИВЕ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Медикал Гмбх. Дата публикации: 2018-10-24.

Device and a method for calibrating the irradiation system of the installation for manufacturing a three-dimensional product

Номер патента: RU2747975C1. Автор: Кристиан ТИЛЬ. Владелец: СЛМ Солюшенз Груп АГ. Дата публикации: 2021-05-18.

Method for manufacture of tobacco fabric, method for manufacture of cigarettes containing tobacco fabric and cigarette

Номер патента: RU2475168C1. Автор: Мицухару СУГИО,Суити МИЯЗАВА,Таканори ЯГАСИРА. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2013-02-20.

Method for manufacturing hollow reinforcement structures intersecting one another

Номер патента: RU2670864C9. Автор: Лука БОТТЕРО,Массимо ГРЕГОРИ. Владелец: Алениа Аэрмакки С.п.А.. Дата публикации: 2018-12-04.

METHOD FOR MANUFACTURING OF COMPOSITE SUPERCONDUCTING WIRE BASED ON Nb3Sn COMPOSITION AND PRODUCTION LINE FOR MANUFACTURING OF COMPOSITE SUPERCONDUCTING WIRE BASED ON Nb3Sn COMPOSITION

Номер патента: RU2559803C2. Автор: Александр Константинович Шиков,Дмитрий Константинович Фигуровский,Александра Евгеньевна Воробьёва,Ильдар Мансурович Абдюханов,Елена Александровна Дергунова,Евгений Васильевич Никуленков,Мансур Нурахметович Насибулин,Надежда Викторовна Трактирникова. Владелец: Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара". Дата публикации: 2015-08-10.

Method for manufacturing joints of connections of hull structures made of polymer composite materials (pcm)

Номер патента: RU2648432C1. Автор: Сергей Дмитриевич Козлов,Антон Владимирович Веденецкий,Николай Николаевич Федонюк,Алексей Владимирович Блинов,Дмитрий Юриевич Соосаар,Марина Владимировна Бирюкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Крыловский государственный научный центр" (ФГУП "Крыловский государственный научный центр"). Дата публикации: 2018-03-27.

Device and method for manufacturing blanks of thermoplastic bags for vacuum cleaners

Номер патента: RU2659047C1. Автор: Владимир Евгеньевич Зарецкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Топ-маркет". Дата публикации: 2018-06-27.

Method for manufacturing metal-plastic tooling and a device for its implementation

Номер патента: RU2759368C1. Автор: Сергей Витальевич Мартыненко,Хакимжан Хамазанович Байков,Виталий Валерьевич Пузанков,Юрий Александрович Гурин,Ольга Владимировна Райкова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Уралвагонзавод" имени Ф.Э. Дзержинского". Дата публикации: 2021-11-12.

Structural unit, device and method for its manufacture and laminated panel produced of structural unit

Номер патента: RU2294827C2. Автор: Йозеф ШТУТЦ. Владелец: Кроноспан Текникал Компани Лтд.. Дата публикации: 2007-03-10.

Component of tobacco industry product and method for manufacturing component of tobacco industry product

Номер патента: RU2764977C1. Автор: Пол ЛЬЮИС,Мэттью ХЕСФОРД,Эндрю БЕРТОН,Ян КИНГ,Сачин ПАТЕЛ,Райан ВЕЛД,Джереми КЛЕМЕНТС. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2022-01-24.

Method for application of coating on strips of metal-roll, production line for applying coating on strips of metal-roll

Номер патента: RU2664065C2. Автор: Дирк ХОЛЬШУМАХЕР,Андреас МЕШЕДЕ. Владелец: Тиссенкрупп Стил Юроп Аг. Дата публикации: 2018-08-14.

Method and device for manufacture of aerated food product and product manufactured with such method and device usage

Номер патента: RU2535260C2. Автор: Мелис АБИЛОВ,Шимон МАЦУРА,Тадеуш КЛАУС,Стефен ПИРСОН,Джули СИМОНСОН. Владелец: Крафт Фудз Ар Энд Ди, Инк.. Дата публикации: 2014-12-10.

Method and system for manufacturing multi-segment tobacco products

Номер патента: RU2748505C2. Автор: Кшиштоф СТОЛЯРСКИ. Владелец: Интернэшнл Тобакко Машинери Поланд Сп. з о.о.. Дата публикации: 2021-05-26.

Method for creating 3d object from materials with low adhesive strength to each other, and device for its implementation

Номер патента: RU2751442C1. Автор: Рамиль Наилевич Кашапов,Наиль Фаикович Кашапов,Рустам Ринатович Фарахов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2021-07-13.

Heat exchange element, method for its manufacture and device for its implementation

Номер патента: RU2759309C1. Автор: Эдуард Аркадьевич Петровский,Олег Александрович Коленчуков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2021-11-11.

Device and method for manufacturing pressed brick workpieces

Номер патента: RU2761452C2. Автор: Лотар БАУЭРЗАХС. Владелец: Лангенштайн И Шеманн Гмбх. Дата публикации: 2021-12-08.

Method for manufacture of floor panel from two different wood materials

Номер патента: RU2351722C2. Автор: Мартин ШТАЙНВЕНДЕР,Штефан ПЛЕТЦЕР,Вальтер ШИГЛЬ. Владелец: Е.Ф.П. Флор Продактс Фусбеден Гмбх. Дата публикации: 2009-04-10.

Method for manufacturing of shoe sole consisting of wearing part of sole containing vulcanizate, connected to polyurethane substrate, and composition used in this method

Номер патента: RU2318419C2. Автор: Лоренцо ЛОРЕНЦИН. Владелец: Мэйн Груп С.П.А.. Дата публикации: 2008-03-10.

Opening device, method for manufacturing such an opening device and packaging material for use in said method

Номер патента: RU2669275C2. Автор: Торбьерн АНДЕРССОН,Пер РЮДБЕРГ,Пер АНДЕРССОН,Пер ОЛЬССОН,Йеран ЙОХАНССОН,Маттиас ЛЕННАРТССОН. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2018-10-09.

Method for cutting a workpiece with a wire saw

Номер патента: US5839425A. Автор: Etsuo Kiuchi,Kazuo Hayakawa,Kouhei Toyama. Владелец: Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Monolithically integrated optical analog-to-digital conversion system based on lithium niobate-silicon wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11874582B2. Автор: Jing Wang,Weiwen ZOU,Shaofu XU. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-01-16.

Group iia metal fluoride single crystals suitable for below 200 nm optical lithography and a method for selecting such crystals

Номер патента: US20050031970A1. Автор: Chong An,Charlene Smith. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2005-02-10.

Group iia metal fluoride single crystals for lithography below 200 nm and method for selecting such crystals

Номер патента: WO2005017626A3. Автор: Chong Pyung An,Charlene M Smith. Владелец: Charlene M Smith. Дата публикации: 2005-04-14.

Group iia metal fluoride single crystals for lithography below 200 nm and method for selecting such crystals

Номер патента: WO2005017626A2. Автор: Chong Pyung An,Charlene M. Smith. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2005-02-24.

Methods for manufacturing a turbine nozzle with single crystal alloy nozzle segments

Номер патента: US09844826B2. Автор: Jason Smoke,Bradley Reed Tucker,Ardeshir Riahi,Ed Zurmehly. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Production line for manufacture of a food extruded product and a method for production of a food extruded product

Номер патента: RU2723718C1. Автор: Николай Владимирович Семенякин. Владелец: Николай Владимирович Семенякин. Дата публикации: 2020-06-17.

Device for aseptic storage and method for manufacture and assembly thereof

Номер патента: RU2684373C2. Автор: Роберто Консоларо,Анджело Консоларо,Раджив КАББУР. Владелец: Бреветти Анджела С.Р.Л.. Дата публикации: 2019-04-08.

Napkin for cleaning textile products based on biodegradable composition, method for organizing a napkin for cleaning textile products based on biodegradable composition

Номер патента: RU2654845C1. Автор: Дмитрий Николаевич Дегтярев,Алексей Викторович Паршин. Владелец: Алексей Викторович Паршин. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing contactless chip-card and chip-card

Номер патента: RU2291484C2. Автор: Петер Штампка,Франк ПЮШНЕР,Райнхард ПРОСКЕ,Андреас МЮЛЛЕР-ХИППЕР. Владелец: Серкл Смарт Кард Аг. Дата публикации: 2007-01-10.

Composition of chewing gum and confectioneries, containing colorant eliminating complex, and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: RU2320194C2. Автор: Петрос ГЕБРЕСЕЛАССИ,Навроз БОГХАНИ,Шиух Джон ЛУО. Владелец: КЭДБЕРИ АДАМС ЮЭсЭй ЛЛС. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor resistive sensors manufacturing methods for the ozone in the air content measurements

Номер патента: RU2665348C2. Автор: Александр Константинович Аветисов,Марина Петровна Дмитриева,Людмила Алексеевна Обвинцева,Татьяна Борисовна Шарова,Ирина Петровна Сухарева. Владелец: Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2018-08-29.

Method for manufacturing a bimetallic turbine impeller

Номер патента: RU2766654C1. Автор: Александр Сергеевич Никитин,Любовь Александровна Магеррамова,Евгений Павлович Кратт,Валентин Васильевич Ясинский,Георгий Борисович Ремпель. Владелец: Акционерное общество "Объединенная двигателестроительная корпорация" (АО "ОДК"). Дата публикации: 2022-03-15.

Method for manufacturing osteosynthesis devices, osteosynthesis devices and implants made of semi-synthetic hybrid material obtained by structural modification of components of a natural marine biomaterial

Номер патента: RU2669926C2. Автор: Жорж КАМПРАС,Серж КАМПРАС. Владелец: Мбп (Моришес) Лтд. Дата публикации: 2018-10-17.

Method for manufacturing fraud-proof paper (versions) and fraud-proof paper (versions)

Номер патента: RU2344219C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Аркадий Владимирович Трачук,Александр Георгиевич Писарев,Елена Самуиловна Туркина,тников Андрей Борисович Кур,Борис Петрович Борисов,Игорь Михайлович Петров,пушкин Петр Александрович Стр,Петр Александрович Стряпушкин,Сергей Иванович Чернышов,Валерий Анатольевич Витвинин,Станислав Глебович Ермаков,Михаил Анатольевич Остреров,Олег Станиславович Бусырев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2009-01-20.

Method for evaluating spectacle lenses, method for calculating spectacle lenses, method for manufacturing spectacle lenses, system for spectacle lenses manufacturing and spectacle lenses

Номер патента: RU2442125C2. Автор: Тетсума ЯМАКАДЖИ. Владелец: Хойа Корпорейшн. Дата публикации: 2012-02-10.

Insulated structure for tank and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2676630C2. Автор: Марк ЭЛЬБИНГ,Нильс МОМАЙЕР,Бернд ФРИККЕ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-01-09.

Method for manufacturing brush head using molded bundle holder and support plate, as well as brush head

Номер патента: RU2770726C2. Автор: Флориан КОПЕЙНИГ,Михаэль МАЙДЛЬ,Мартин ВАРХ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for manufacturing a container for explosives

Номер патента: RU2744060C1. Автор: Василий Степанович Бессмертный,Наталья Михайловна Здоренко,Дмитрий Владимирович Кочурин,Олег Владимирович Пучка,Марина Алексеевна Бондаренко,Андрей Викторович Черкасов,Екатерина Михайловна Бурьянова. Владелец: Автономная некоммерческая организация высшего образования "Белгородский университет кооперации, экономики и права". Дата публикации: 2021-03-02.

Method for manufacturing a handle

Номер патента: RU2676112C2. Автор: Карл-Олоф ХОЛМ,Йоуни РИИКОНЕН. Владелец: Фискарс Финлэнд Ой Аб. Дата публикации: 2018-12-26.

Method for manufacturing printed goods, device for the continuous production of printed goods and device for synthesized image formation

Номер патента: RU2747162C2. Автор: Аксель ЛУНДВАЛЛЬ. Владелец: Роллинг Оптикс Инновейшн АБ. Дата публикации: 2021-04-28.

Methods for introducing flavoring substances into collagen shells

Номер патента: RU2769984C2. Автор: Юджин ГОЛДФЭРБ,Дэвид Мэтьюз,Стивен ХЭТЧ,Масанори КИСИМОТО. Владелец: ВИСКОФЭН КОЛЛАГЕН ЮЭсЭЭй ИНК.. Дата публикации: 2022-04-12.

Method for manufacture of extruded leguminous micropellets

Номер патента: RU2576448C2. Автор: Номан ХАН,Сара ВЕРТМАН. Владелец: Дзе Квейкер Оутс Компани. Дата публикации: 2016-03-10.

Method for manufacturing the surfaces of the assembly body of the coffin, the surface manufactured by the described method, and the body of the coffin with the group of the specified surfaces

Номер патента: RU2746455C2. Автор: Кристос МИКАЛАКОС,Фотиос КУТРОПУЛОС,Каралабос МИКАЛАКОС. Владелец: Каралабос МИКАЛАКОС. Дата публикации: 2021-04-14.

Method for manufacture of hollow vane for gas-turbine engine

Номер патента: RU2349437C2. Автор: Ален ЛОРЬЕ,Даниель Гастон ЛОММ,Жан-Пьер ФЕРТЕ,Жан-Мишель Патрик Морис ФРАНШЭ. Владелец: Снекма Мотер. Дата публикации: 2009-03-20.

Netted web of papermaking machine for manufacture of paper with thread-marks and method for manufacture of such a netted web

Номер патента: RU2300596C2. Автор: Карлхайнц МАЙЕР,Виттих КАУЛЕ,Томас ГЕРХАРДТ,Гюнтер ВИЛЬД,Бернд ШТУМБЕКК,Вольфганг ВЕНЗАУЕР,Андреас АИГНЕР,Виттих КАУЛЕ (DE),Карлхайнц МАЙЕР (DE),Бернд ШТУМБЕКК (DE),Вольфганг ВЕНЗАУЕР (DE),Гюнтер ВИЛЬД (DE),Томас ГЕРХАРДТ (DE),Андреас АИГНЕР (DE). Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2007-06-10.

Method for manufacturing unidirectional textile fabric

Номер патента: RU2756286C2. Автор: Ронни ВОККАТЦ,Сюхей ЙОСИДА,Дирк ОРТМАННС,Йосуке НАКАМУРА,Хидекадзу ЙОСИКАВА. Владелец: Тейджин Карбон Юроп Гмбх. Дата публикации: 2021-09-29.

Method for manufacture of matrix of multipoint autoemissive cathode based on single-crystal silicon

Номер патента: RU2484548C1. Автор: Равиль Кяшшафович Яфаров. Владелец: Равиль Кяшшафович Яфаров. Дата публикации: 2013-06-10.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE CRYSTAL COOLING APPARATUS AND SINGLE CRYSTAL GROWER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120000416A1. Автор: Wang Hak-Eui,Na Gwang-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-buried layer double deep N well high-voltage isolation N-type LDMOS and method for manufacturing N-type LDMOS devices

Номер патента: CN102983161A. Автор: 刘剑,陈瑜,孙尧,陈华伦,段文婷. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-20.

Method for producing n-type silicon single crystal

Номер патента: JP7272343B2. Автор: 康人 鳴嶋,福生 小川,浩一 前川,泰史 川上,有二 堤. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-05-12.

SILICON CARBIDE CRYSTAL INGOT, SILICON CARBIDE CRYSTAL WAFER, AND METHOD FOR FABRICATING SILICON CARBIDE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20120308758A1. Автор: Sasaki Makoto,Hori Tsutomu,Fujiwara Shinsuke,NISHIGUCHI Taro. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD OF SINGLE CRYSTALS LiNbO3 PRODUCTION AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2330903C1. Автор: Александр Александрович Гамазов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный университет (КубГУ). Дата публикации: 2008-08-10.

Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5

Номер патента: RU2327824C1. Автор: Александр Владимирович Марков,Борис Николаевич Шаронов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2008-06-27.

Silicon single crystal manufacturing method and quartz crucible for silicon single crystal manufacturing after modification treatment

Номер патента: JP6759020B2. Автор: 淳 中尾,寿樹 佐藤,佐藤　寿樹,尚 松村,中尾　淳. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Silicon single crystal wafer obtained from ingot pulled by silicon single crystal pulling method

Номер патента: JP5454625B2. Автор: 純 古川,康弘 小暮,和浩 原田,良一 海東. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2014-03-26.

Method of forming single-crystal nanowires in matrix of native oxide

Номер патента: RU2503084C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Кирилл Евгеньевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2013-12-27.

Czochralski zone melting gas doping method for effectively improving radial resistivity uniformity of zone-melted silicon single crystal

Номер патента: CN102534753A. Автор: 徐强,王彦君,张雪囡,沈浩平,李建宏,菅瑞娟. Владелец: Tianjin Huanou Semiconductor Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Method for manufacturing and repairing C / C crucible for pulling Si single crystal

Номер патента: JP4152580B2. Автор: 優威 山本,孝義 木村,敏孝 大橋. Владелец: Tokai Carbon Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-17.

METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20120049137A1. Автор: Iwata Hirokazu. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD FOR MAKING CASTINGS FROM HEAT-RESISTANT ALLOYS WITH A DIRECTED AND SINGLE CRYSTAL STRUCTURE

Номер патента: SU839153A1. Автор: В.А. Никишин,А.В. Рогов,В.Н. Толораия,Д.А. Петров,В.М. Торопов,А.В. Яковлева. Владелец: Д.А. Петров. Дата публикации: 2000-07-27.

Method for producing high-purity silicon carbide powder for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: JP3934695B2. Автор: 正洙 金本,忍 遠藤,誠夫 橋本. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2007-06-20.

Device for growing single crystals

Номер патента: RU2040598C1. Автор: Иван Григорьевич Белых. Владелец: Иван Григорьевич Белых. Дата публикации: 1995-07-25.

Method for controlling process of alloying source raw metal in production of single crystals

Номер патента: SU1125305A1. Автор: Валентина Алексеевна Соболева,Виталий Григорьевич Атаманенко,Татьяна Андреевна Щегляева,Хасан Ильич Макеев,Ольга Леонидовна Богословская,Надежда Алексеевна Шишкова,Николай Иванович Казимиров,Вячеслав Михайлович Юшкин,Виталий Филиппович Розин,Георгий Оскарович Розенталь,Юрий Иванович Ульянов. Владелец: Государственный Всесоюзный Центральный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Комплексной Автоматизации. Дата публикации: 1984-11-23.

Method for rapidly growing large-size high-purity semi-insulating silicon carbide single crystal

Номер патента: CN104947182A. Автор: 徐永宽,张政,张皓,窦瑛,徐所成,孟大磊. Владелец: CETC 46 Research Institute. Дата публикации: 2015-09-30.

Chromogenic solution and method for distinguishing P/N-type silicone materials

Номер патента: CN102004101A. Автор: 刘彬,赵萌萌,何京辉,曹祥瑞,刘彬国. Владелец: Xingtai Jinglong Electronic Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

EPITAXIAL SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURE OF EPITAXIAL SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20130009170A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

Single crystal silicon carbide liquid phase epitaxial growth unit and single crystal silicon carbide liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JP5707612B2. Автор: 暁 野上,聡 鳥見,強資 松本. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Method of producing single crystals of semiconductor material by floating-zone melting, semiconductor single crystal produced by said method and device for carrying out the same

Номер патента: CA901079A. Автор: Ayel Michel. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1972-05-23.

Single crystal silicon carbide liquid phase epitaxial growth unit and single crystal silicon carbide liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JP5707614B2. Автор: 暁 野上,聡 鳥見,強資 松本. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Uniform n-type silicon

Номер патента: CA680881A. Автор: Tanenbaum Morris. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1964-02-25.

N-Type Silicon Solar Cell With Contact/Protection Structures

Номер патента: US20120222735A1. Автор: Xu Baomin. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-06.

Method of diagnosis of structural cleanness of monocrystals of n type silicon grown by zone melting

Номер патента: RU2064713C1. Автор: Игорь Михайлович Филиппов,Петр Федорович Лугаков,Леонид Александрович Казакевич. Владелец: Леонид Александрович Казакевич. Дата публикации: 1996-07-27.

Surface heat treatment process used before measuring electrical resistivity of N-type silicon epitaxial slice

Номер патента: CN101728262A. Автор: 陈海滨,常青,库黎明,闫志瑞,葛钟,冯泉林,何自强. Владелец: Grinm Semiconductor Materials Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-09.

The lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor transistor of N type silicon-on-insulator

Номер патента: CN101599507A. Автор: 王钦,陶平,杨东林,李海松,易扬波. Владелец: Suzhou Poweron IC Design Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-09.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU2321101C1. Автор: Илья Николаевич Баринов,Иль Николаевич Баринов,Сергей Алексеевич Козин. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-03-27.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods For In-Situ Passivation Of Silicon-On-Insulator Wafers

Номер патента: US20120003814A1. Автор: Ries Michael J.,Witte Dale A.,Stefanescu Anca,Jones Andrew M.. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120004110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR STRIPPING A WAFER FROM A CARRIER

Номер патента: US20120000613A1. Автор: Thallner Erich. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing silicon single crystals

Номер патента: RU2077615C1. Автор: З.А. Сальник,Ю.А. Микляев. Владелец: Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод". Дата публикации: 1997-04-20.

Method for manufacturing of gas permeable membrane

Номер патента: RU2365403C1. Автор: Александр Васильевич Бобыль,Владимир Петрович Улин,Геннадий Федорович Терещенко,Михаил Петрович Федоров,Федор Юрьевич Солдатенков,Самуил Гиршевич Конников,Александр Николаевич Чусов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный политехнический университет" (ГОУ "СПбГПУ"). Дата публикации: 2009-08-27.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR INDUCING AN IMMUNE RESPONSE

Номер патента: US20120003298A1. Автор: Maj Roberto,Pattarino Franco,Mura Emanuela,Barberis Alcide. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for metal continuous casting in electromagnetic mold

Номер патента: RU2263003C2. Автор: М.Н. Булгаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Самарский металлургический завод". Дата публикации: 2005-10-27.

Method for producing porous photoluminescent silicon

Номер патента: RU2316077C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Никулин,Анатолий Георгиевич Яковенко,Евгений Александрович Шелонин,Андрей Михайлович Хорт. Владелец: Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова. Дата публикации: 2008-01-27.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Prevention of Open Loop Damage During or Immediately After Manufacturing

Номер патента: US20120000515A1. Автор: Kikinis Dan,Hadar Ron,Arditi Shmuel. Владелец: TIGO ENERGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing of high-temperature superconducting josephson junction

Номер патента: RU2105390C1. Автор: Михаил Юрьевич Куприянов,Сергей Николаевич Поляков,Анатолий Михайлович Балбашов,Олег Васильевич Снигирев,Эрнст Константинович Ковьев,Игорь Иванович Венгрус,Игорь Юрьевич Парсегов. Владелец: Игорь Юрьевич Парсегов. Дата публикации: 1998-02-20.

Method of electrically insulated silicon regions formation in bulk of silicon wafer

Номер патента: RU2403647C1. Автор: Ильдар Искандерович Амиров,Владимир Александрович Кальнов,Александр Александрович Орликовский,Александр Владимирович Постников,Камиль Ахметович Валиев,Олег Валентинович Морозов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2010-11-10.

Method of treatment of grown ingots of silicon single- crystals

Номер патента: RU2186887C2. Автор: Сергей Борисович Берингов,Юрий Григорьевич Шульга,Юрий Владимирович Ушанкин. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Пиллар". Дата публикации: 2002-08-10.

Method for producing silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2265255C2. Автор: В.П. Попов,Н.В. Дудченко,Д.В. Николаев,И.В. Антонова. Владелец: Институт физики полупроводников Объединенного Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2005-11-27.

Method for self-aligned formation of insulation of integral microchip elements and polysilicon contacts to substrate and hidden layer

Номер патента: RU2356127C2. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2009-05-20.

Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2108417C1. Автор: О.А. Бузанов. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью фирма "ФОМОС". Дата публикации: 1998-04-10.

Method for manufacturing of semiconductor device

Номер патента: RU2368031C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Юрий Владимирович Колковский,Виктор Григорьевич Ральченко,Виталий Иванович Конов,Владимир Алексеевич Сидоров,Александр Андреевич Арендаренко,Валентин Николаевич Данилин,Андрей Георгиевич Васильев,Татьяна Александровна Жукова. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-09-20.

Method for growing of sapphire single crystals from melt

Номер патента: RU2350699C2. Автор: Николай Иванович Каргин,Маргарита Васильевна Николенко,Эдуард Викторович Еськов. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн Энергомера". Дата публикации: 2009-03-27.

Method for treatment of single-crystalline silicon wafer surface

Номер патента: RU2323503C2. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Игорь Петрович Калинкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (ООО "Кристалл"). Дата публикации: 2008-04-27.

Method for production of single crystal lithium aluminate

Номер патента: RU2245402C2. Автор: Б.А. Дороговин,И.М. Филиппов,А.А. Цеглеев,Г.А. Лаптева,А.Б. Дубовский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья" (ФГУП "ВНИИСИМС"). Дата публикации: 2005-01-27.

Device for production of single-crystal ingots

Номер патента: RU2080209C1. Автор: Е.Н. Каблов,А.Г. Братухин,Р.Е. Шалин,В.Н. Толораия,Н.Г. Орехов. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов. Дата публикации: 1997-05-27.

Method for manufacturing of multilayer structure of porous silicon-on-insulator

Номер патента: RU2554298C1. Автор: Валерий Викторович Болотов,Константин Евгеньевич Ивлев,Егор Владимирович Князев,Владислав Евгеньевич Росликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ОНЦ СО РАН). Дата публикации: 2015-06-27.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and Method for Viewing an Object

Номер патента: US20120004513A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for removing resistive mask

Номер патента: RU2318267C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева,Шамиль Джамалутдинович Алиев. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2008-02-27.

Method for local crystallisation of lanthanum borogermanate glass

Номер патента: RU2579080C1. Автор: Владимир Николаевич Сигаев,Алексей Сергеевич Липатьев,Сергей Викторович Лотарев,Татьяна Олеговна Липатьева,Мария Олеговна Шааб. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2016-03-27.

Method and Device for Manufacturing a Three-Layer Cord of the Type Rubberized in Situ

Номер патента: US20120000174A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING AMINO ACID LIQUID FERTILIZER USING LIVESTOCK BLOOD AND AMINO ACID LIQUID FERTILIZER MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20120000260A1. Автор: Oh Jin Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Manufacturing a Vacuum Chamber and Components Thereof, and Improved Vacuum Chambers and Components Thereof

Номер патента: US20120000811A1. Автор: . Владелец: Kurt J. Lesker Company. Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE WIRE FOR WIRE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING USING THE SAME

Номер патента: US20120000889A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE CASE HAVING ANTENNA PATTERN EMBEDDED THEREIN, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MOLD FOR MANUFACTURING ANTENNA PATTERN FRAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120001807A1. Автор: HONG Ha Ryong,Lee Dae Kyu,An Chan Gwang,Chang Ki Won,Cho Sung Eun,SUNG Jae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD, SYSTEM AND MOLDING TOOL FOR MANUFACTURING COMPONENTS FROM COMPOSITE FIBER MATERIALS

Номер патента: US20120003480A1. Автор: BECHTOLD Michael,JUNG Manuel. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OF FERROMAGNETIC CONIAL ALLOY WITH CONTENT OF Ni 33 -35 at% AND Al 29 -30 at%

Номер патента: RU2641598C1. Автор: Юрий Иванович Чумляков,Елена Юрьевна Панченко,Анна Сергеевна Ефтифеева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD FOR MANUFACTURING PASTE-TYPE ELECTRODE OF LEAD-ACID BATTERY AND APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20120000070A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING NATURAL FIBER STRIPE-QUILTED FABRIC HAVING PROTRUDED WRINKLE PATTERNS ON ITS SURFACE

Номер патента: US20120000406A1. Автор: RYU Kwang Yeol. Владелец: DONG JIN BEDDING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001287A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

CASTING METHOD FOR MANUFACTURING A WORK PIECE

Номер патента: US20120003101A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003193A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003279A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING CAPSULE SERIES, AND RELATED CAPSULE SERIES

Номер патента: US20120003285A1. Автор: Bibette Jérôme,Chu Liang-yin,Santanach Carreras Enric,Royere Audrey,Bremond Nicolas. Владелец: CAPSUM. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003324A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SQUARE-CELL BATTERY AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003528A1. Автор: Tani Yuji,Maeda Hitoshi,Fujiwara Masayuki,Shinyashiki Yoshitaka,Kusukawa Masao,Funahashi Atsuhiro. Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EMBEDDED SUBSTRATE

Номер патента: US20120003793A1. Автор: HWANG Sun-Uk,Cho Young-Woong,Yoon Kyoung-Ro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR MANUFACTURING HIGHLY PURE NEUROTOXIN

Номер патента: US20120004179A1. Автор: Taylor Harold Victor,Eisele Karl-Heinz,PFEIL Michael,Friedrich Josef,Brünn Cornelia. Владелец: Merz Pharma GmbH & Co. KGaA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for formation of contact to silicone transistor collector area

Номер патента: RU2534449C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Мария Николаевна Литовченко,Патима Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC WIRE WITH TERMINAL

Номер патента: US20120000069A1. Автор: Hirai Hiroki,Tanaka Tetsuji,Ono Junichi,Otsuka Takuji,Shimoda Hiroki,HAGI Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING OPTICAL FIBER PREFORM

Номер патента: US20120000249A1. Автор: HAMADA Takahiro. Владелец: FUJIKURA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC LABELS WITH SELF-ADHESIVE PATTERN, AND ATTACHING SUCH LABELS TO A TIN

Номер патента: US20120000598A1. Автор: . Владелец: REYNDERS ETIKETTEN, NAAMLOZE VENNOOTSCHAP. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY DEVICE FOR A VEHICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002442A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR AUTOMATICALLY SHIFTING A BASE LINE

Номер патента: US20120004890A1. Автор: Chen Po-Tsang. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing nano-moulds for contact press-lithography (variants)

Номер патента: RU2308552C1. Автор: Елена Дмитриевна Мишина,Наталия Эдуардовна Шерстюк,Александр Александрович Зайцев,Андрей Анатольевич Федянин,Галина Александровна Цирлина,Вадим Олегович Вальднер,Татьяна Викторовна Долгова,Натали Эдуардовна Шерстюк,нин Андрей Анатольевич Фед,Тать на Викторовна Долгова,Антон Игоревич Майдыковский. Владелец: "Общество с ограниченной ответственностью "НаноИмпринт". Дата публикации: 2007-10-20.

Method for manufacture of heat exchanging device, method of device heat exchanging unit manufacture (versions), method for manufacture of intermediate and/or upper heat exchanging unit of device, method for manufacture of lower heat exchanging unit of device, method for manufacture of device heat exchanging unit air supply or exhaust headers, technological complex of equipment for manufacture of device heat exchanging units, berth for assembly of device heat exchanging unit (versions) and device for vertical storage of mostly four-leg bend pipes of device (versions)

Номер патента: RU2344916C2. Автор: Николай Павлович Селиванов,Николай Павлович Селиванов (RU). Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-01-27.

Method for production of single crystals of potassium and niobium silicate

Номер патента: RU2093616C1. Автор: О.В. Димитрова,Е.Е. Стрелкова. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1997-10-20.

Method for storing carrier for polishing wafer

Номер патента: WO2000039841A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2001-08-23.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GRAIN-ORIENTED SILICON STEEL WITH SINGLE COLD ROLLING

Номер патента: US20120000262A1. Автор: Jin Weizhong,Shen Kanyi,Li Guobao,Zhang Pijun,Yang Yongjie,Hu Zhuochao,Wu Peiwen,Jiang Quanli. Владелец: BAOSHAN IRON & STEEL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing silicon films

Номер патента: RU2240630C1. Автор: В.В. Болотов,Г.Н. Камаев,М.Д. Ефремов. Владелец: Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников СО РАН. Дата публикации: 2004-11-20.

Method for obtaining by-product paste and method for obtaining cooked sausage due to applying the obtained by-product paste

Номер патента: RU2311805C2. Автор: Иосиф Александрович Рогов,Евгений Иванович Титов,Натали Германовна Кроха,Наталия Германовна Кроха,Ольга Сергеевна Базилева,Виолетта Теофиловна Дианова. Владелец: Московский Государственный Университет Прикладной Биотехнологии (МГУПБ). Дата публикации: 2007-12-10.

Method for production of multiple application impregnating composition and mica-paper capacitors manufacture method

Номер патента: RU2455719C1. Автор: Евгений Викторович Распопов,Александр Федорович Супицкий,Игорь Васильевич Ефимов. Владелец: Открытое акционерное общество "Уфимское научно-производственное предприятие "Молния". Дата публикации: 2012-07-10.

Method of cutting silicon single crystals

Номер патента: RU2155131C2. Автор: Л.В. Худобин,О.Г. Крупенников. Владелец: Ульяновский государственный технический университет. Дата публикации: 2000-08-27.

Method for binding of diamond single crystal with metal

Номер патента: RU2347651C2. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Вячеслав Максимович Прохоров,Рустэм Хамитович Баграмов,Владимир Давыдович Бланк (RU),Рустэм Хамитович Баграмов (RU),В чеслав Максимович Прохоров (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2009-02-27.

Method for manufacture of multi-electrode composite electric heater

Номер патента: RU2476033C1. Автор: Михаил Васильевич Халин,Татьяна Михайловна Халина,Александр Борисович Дорош. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭнергоЭффектТехнология". Дата публикации: 2013-02-20.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MACHINE TOOL AND METHOD FOR PRODUCING GEARING

Номер патента: US20120003058A1. Автор: Hummel Erhard,Hutter Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR MANUFACTURING 5-(2--1-HYDROXYETHYL)-8-HYDROXYQUINOLIN-2(1H)-ONE

Номер патента: US20120004414A1. Автор: Marchueta Hereu Iolanda,Moyes Valls Enrique. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacture of preserves "pork prepared according to pueblo state recipe"

Номер патента: RU2508769C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2014-03-10.

Method for manufacturing dry mixture for children nutrition

Номер патента: RU2272535C2. Автор: Олег Иванович Квасенков,Владимир Дмитриевич Надыкта,Муслимат Юнусовна Яхутль,Кирилл Викторович Чередниченко,Людмила Владимировна Донченко,Людмила Яковлевна Родионова. Владелец: Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2006-03-27.

Granulated composite filler for silicate wall products based on quartz sand, composition of raw mix for manufacture of silicate wall products, method for manufacturing of silicate wall products and silicate wall product

Номер патента: RU2361838C1. Автор: Валерия Валерьевна Строкова,Александр Викторович Мосьпан,Виктор Михайлович Воронцов,Валерий Станиславович Лесовик. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова (БГТУ им. В.Г. Шухова). Дата публикации: 2009-07-20.

Method for production of cellular geoweb and device for production of cellular geoweb

Номер патента: RU2354554C1. Автор: Збигнев КРУК,Доброхна КРУК-ЦАПИК,Петр БЭНЭЦКИ. Владелец: Гео Глобэ Польская, Общество С Ограниченной Ответственностью Коммандитно-Акционерное Товарищество. Дата публикации: 2009-05-10.

Method for manufacturing aerated bread "little farm"

Номер патента: RU2636604C2. Автор: Газибег Омарович Магомедов,Наталья Петровна Зацепилина,Валерий Викторович Лыгин,Татьяна Николаевна Малютина,Елена Эдуардовна Дзантиева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2017-11-24.

Method for manufacture of sauces on fermented yoghurt dairy base

Номер патента: RU2569478C2. Автор: Наталья Сергеевна Родионова,Татьяна Васильевна Алексеева,Михаил Иванович Корыстин,Александр Анатольевич Родионов,Максим Михайлович Зяблов,Юлия Олеговна Калгина,Елена Ивановна Кривенко. Владелец: Елена Ивановна Кривенко. Дата публикации: 2015-11-27.

Method for production of cold-rolled pipes of large and medium diametres of hardly-deformed grades of steels and alloys

Номер патента: RU2386500C2. Автор: Виктор Николаевич Еремин,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Александрович Головинов,Леонид Александрович Мосеев,Константин Александрович Усанов,Дмитрий Всеволодович Марков,Виктор Васильевич Исаенко. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-20.

Method for manufacturing cognac "bastion"

Номер патента: RU2243991C1. Автор: . Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Русская вино-водочная компания-Холдинг". Дата публикации: 2005-01-10.

Method for manufacture of products from sheet thermoplastics and device for method realisation

Номер патента: RU2361736C1. Автор: Юрий Алексеевич Афиногенов,Евгений Валерьевич Гальцов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Сибирский научно-исследовательский институт геологии, геофизики и минерального сырья. Дата публикации: 2009-07-20.

Raw mix and a method for manufacturing granulated heat-insulating material

Номер патента: RU2295508C1. Автор: Александр Иванович Кудяков,ков Александр Иванович Куд,Тать на Николаевна Радина,Татьяна Николаевна Радина,Михаил Юрьевич Иванов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Братский государственный университет". Дата публикации: 2007-03-20.

Method for manufacturing of large-size polymer accessory

Номер патента: RU2375185C1. Автор: Михаил Михайлович Смирнов,Алексей Сергеевич Малюгин,Николай Васильевич Давыдкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское машиностроительное производственное предприятие "Салют". Дата публикации: 2009-12-10.

Method for manufacturing panel with stiffening ribs of polymer composite materials

Номер патента: RU2399491C2. Автор: Игорь Сергеевич Карпейкин,Александр Иванович Нестеров,Михаил Владимирович Глинкин,Мария Владимировна Трофимова,Валерий Борисович Литвинов,Алексей Михайлович Куликов,Александр Константинович Калашников,Александр Александрович Горячев,Александр Васильевич Бактенков,Олег Викторович Скиба. Владелец: Открытое акционерное общество "Национальный институт авиационных технологий" (ОАО НИАТ). Дата публикации: 2010-09-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.