Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 一种采用n型碳化硅衬底制作n沟道igbt器件的方法

一种采用n型碳化硅衬底制作n沟道igbt器件的方法

Номер патента: CN104810282A
Опубликовано: 29-07-2015
Автор(ы): 李玲, 杨霏
Принадлежит: Smart Grid Research Institute of SGCC, State Grid Corp of China SGCC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of fabricating silicon carbide power devices by at least partially removing an n-type silicon carbide substrate, and silicon carbide power devices so fabricated

Номер патента: EP2149154A2. Автор: Mrinal Kanti Das,Matthew Donofrio,Qingchun Zhang,John M. Clayton, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US20160035836A1. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US09577045B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09608074B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing an edge termination for a silicon carbide power semiconductor device

Номер патента: EP3180799A1. Автор: Jan Vobecky. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-06-21.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160181373A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Reverse conducting igbt device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180269062A1. Автор: Jianwei Huang,Haihui Luo,Haibo Xiao,Guoyou Liu. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Silicon carbide semiconductor device including a resin covering a silicon carbide semiconductor chip

Номер патента: US11387156B2. Автор: So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9306007B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09806167B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230299152A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Bipolar transistor having an emitter region formed of silicon carbide

Номер патента: US6049098A. Автор: Fumihiko Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Silicon carbide power mos field effect transistors and manufacturing methods

Номер патента: EP1576672A2. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-09-21.

Insulated-gate semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010053561A1. Автор: Takeshi Uenoyama,Kunimasa Takahashi,Masao Uchida,Makoto Kitabatake. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-20.

Silicon carbide substrate, silicon carbide wafer, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250128A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for controlling resistivity and n-type silicon single crystal

Номер патента: US20170260645A1. Автор: Kiyotaka Takano,Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Silicon-carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954072B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Shiro Hino,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490337B2. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232A1. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-11.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8901572B2. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140183560A1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-03.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138274A1. Автор: Makoto Utsumi,Yasuhiko OONISHI,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Silicon carbide device

Номер патента: US20230275134A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Rui Wang,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: US20080203401A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20140183177A1. Автор: Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Silicon carbide semiconductor device and process for manufacturing same

Номер патента: US6133587A. Автор: Toshio Murata,Takeshi Miyajima,Norihito Tokura,Yuichi Takeuchi,Takamasa Suzuki,Shoichi Onda,Hiroo Fuma. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20180108774A1. Автор: JongSeok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-04-19.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240038851A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device with alternately arranged p-type and n-type thin semiconductor layers and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110006304A1. Автор: FENG HAN,Shengan Xiao. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220085172A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Insulated gate silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09741797B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device

Номер патента: US09704718B2. Автор: Ralf Otremba,Anton Mauder,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09761453B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20160181374A1. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722027B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09722017B2. Автор: Nobuyuki Tomita,Takaaki TOMINAGA,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: US20230094592A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for manufacturing nonvolatile memory thin film device by using neutral particle beam generation apparatus

Номер патента: US20170301547A1. Автор: Jin Nyeong JANG,Mun Pyo Hong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-19.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: EP4160655A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi,Paolo BADALÁ. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-04-05.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: CA2770764A1. Автор: Shin Harada,Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor Component Having a SiC Semiconductor Body and Method for Producing a Semiconductor Component

Номер патента: US20200111874A1. Автор: Anton Mauder,Andreas Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170229557A1. Автор: Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufactuing same

Номер патента: US20140042461A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Silicon carbide substrate, silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130092956A1. Автор: Keiji Ishibashi,Tsutomu Hori,Yu Saitoh,Kosuke Uchida,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332414A1. Автор: Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9583346B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Silicon carbide device and a method for forming a silicon carbide device

Номер патента: US20160104779A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Bergner,Christian Hecht,Rudolf Elpelt,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11862684B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20210288158A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Silicon Carbide Device and a Method for Manufacturing A Silicon Carbide Device

Номер патента: US20150008447A1. Автор: Roland Rupp,Christian Hecht,Bernd Leonhard Zippelius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-08.

Fabrication of silicon carbide integrated power mosfets on a single substrate

Номер патента: US20220115502A1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Usama KHALID,Christopher James DARMODY. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923090B2. Автор: Osamu Kusumoto,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130341646A1. Автор: Hideto Tamaso,Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130137198A1. Автор: Shin Harada,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20220262916A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240266400A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4439672A1. Автор: Tsutomu Kiyosawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating

Номер патента: US20020034852A1. Автор: Dev Alok. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027576B2. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09935170B2. Автор: Yoichiro Tarui,Masayuki Furuhashi,Toshikazu Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20150214047A1. Автор: Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9646824B2. Автор: Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12057498B2. Автор: Takehiro Kato,Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09466675B2. Автор: Chikayuki Okamoto,Tomihito Miyazaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Silicon carbide integrated circuit

Номер патента: GB2561388A. Автор: Trann Clark David,Forster Thompson Robin. Владелец: Raytheon Systems Ltd. Дата публикации: 2018-10-17.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20180308935A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Yuichiro Mitani,Hirotaka Nishino,Masayasu Miyata,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US10249718B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Yuichiro Mitani,Hirotaka Nishino,Masayasu Miyata,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130207124A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Methods of Forming Buried Junction Devices in Silicon Carbide Using Ion Implant Channeling and Silicon Carbide Devices Including Buried Junctions

Номер патента: US20170084700A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728633B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583622B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for reducing stacking faults in silicon carbide, and structure created by means of said method

Номер патента: EP4415024A1. Автор: Kiyoshi Kojima,Jun Sasaki,Tadaaki Kaneko,Kohei Toda,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Silicon carbide device with compensation region and method of manufacturing

Номер патента: US11764063B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Romain Esteve,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: WO2015013628A2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09954073B2. Автор: Jun Sakakibara,Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Nozomu Akagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing TFT substrate

Номер патента: US09741752B1. Автор: Junyan Hu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing split-gate power device

Номер патента: US09673299B2. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Zhendong MAO,Minzhi Lin. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: US09484413B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device

Номер патента: US20140284615A1. Автор: Ralf Otremba,Anton Mauder,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240072119A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Silicon carbide integrated device and method for manufacturing an integrated device

Номер патента: US20240170568A1. Автор: Leonardo Fragapane. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1796148A3. Автор: Satoshi Tanimoto. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

METHOD FOR CONTROLLING RESISTIVITY AND N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20170260645A1. Автор: Hoshi Ryoji,Kamada Hiroyuki,Takano Kiyotaka. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-14.

HIGH-CURRENT N-TYPE SILICON-ON-INSULATOR LATERAL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20140306266A1. Автор: Zhu Jing,Lu Shengli,Shi Longxing,Qian Qinsong,Sun Weifeng,Liu Siyang,Xu Shen. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

High-current N type silicon-on-insulator lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: CN102956636B. Автор: 黄栋,孙伟锋,刘斯扬,陆生礼,时龙兴,钱钦松,徐安安. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-02-04.

Method for manufacturing silicon carbide schottky barrier diode

Номер патента: US8980732B2. Автор: Jong Seok Lee,Kyoung Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-17.

Schottky barrier diode and method for manufacturing schottky barrier diode

Номер патента: US20150076515A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-19.

Schottky barrier diode and method for manufacturing schottky barrier diode

Номер патента: US9006746B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-04-14.

Schottky barrier structure for silicon carbide (SiC) power devices

Номер патента: US09960247B2. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Bochao Huang,Da Teng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170373152A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20090134404A1. Автор: Kenichi Kuroda,Hiroshi Sugimoto,Noboru Mikami,Yoshinori Matsuno,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150115287A1. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Method for manufacturing high-breakdown voltage semiconductor device

Номер патента: US4780426A. Автор: Yutaka Koshino,Yoshiro Baba,Jiro Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Single mask process for manufacture of fast recovery diode

Номер патента: US6294445B1. Автор: Iftikhar Ahmed,Igor Bol. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2001-09-25.

Method for manufacturing self-aligned germanium-silicon HBT (heterojunction bipolar transistor) device by adopting non-selective epitaxy

Номер патента: CN108257867B. Автор: 周正良. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Process for counter doping n-type silicon in schottky device with ti silicide barrier

Номер патента: WO2003030216A2. Автор: Daniel M. Kinzer,Davide Chiola,Kohji Andoh. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2003-04-10.

Process for counter doping N-type silicon in Schottky device with Ti silicide barrier

Номер патента: US20030062585A1. Автор: Davide Chiola,Kohji Andoh,Daniel Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2003-04-03.

Process for counter doping n-type silicon in schottky device with ti silicide barrier

Номер патента: AU2002330161A1. Автор: Daniel M. Kinzer,Davide Chiola,Kohji Andoh. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2003-04-14.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for producing a silicon carbide substrate

Номер патента: US20240240357A1. Автор: Andrei Mihaila,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Silicon carbide substrate, semiconductor device and methods for manufacturing them

Номер патента: US09484416B2. Автор: Keiji Ishibashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing silicon carbide (SiC) semiconductor device by introducing nitrogen concentration of 5X1019 cm-3 or more at a boundary surface between thermal oxide film and the SiC substrate and then removing the thermal oxide film

Номер патента: US09496366B2. Автор: Shunichi Nakamura,Yoshiyuki Watanabe,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide device and a method for manufacturing a silicon carbide device

Номер патента: US09412808B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Christian Hecht,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088231A1. Автор: Takuma Nakano. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Silicon Carbide Device and a Method for Manufacturing a Silicon Carbide Device

Номер патента: US20150187871A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Christian Hecht,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055257A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Ravi Keshav Joshi,Saurabh Roy,Daria Krasnozhon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor apparatus and silicon carbide semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: US09768260B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425566A1. Автор: Shigeaki Takagi,Hideo Yoshihashi,Tomomi Kuraguchi,Naofumi HIRATA,Yohei ARAKAKI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297258A1. Автор: Shigeaki Takagi,Hideo Yoshihashi,Tomomi Kuraguchi,Naofumi HIRATA,Yohei ARAKAKI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for producing a silicon carbide substrate

Номер патента: EP4089719A1. Автор: Andrei Mihaila,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-11-16.

Method for producing a silicon carbide substrate

Номер патента: WO2022238029A1. Автор: Andrei Mihaila,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-11-17.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9040402B2. Автор: Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro,Masahide Goto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130149850A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170162665A1. Автор: JongSeok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-06-08.

Schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US9865701B2. Автор: JongSeok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-01-09.

Schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170033240A1. Автор: JongSeok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-02-02.

Method for forming an ohmic contact on a back-s!de surface of a silicon carbide substrate

Номер патента: WO2017025387A1. Автор: Fulvio Mazzamuto. Владелец: Laser Systems & Solutions of Europe. Дата публикации: 2017-02-16.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US9224877B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Method for recovering carbon-face-polarized silicon carbide substrate

Номер патента: US20190393090A1. Автор: Wei He,Xianfeng Ni,Qian Fan. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for manufacturing a liquid crystal display device with thin-film-transistors

Номер патента: US5032536A. Автор: Hirofumi Suzuki,Masateru Wakui,Ryouji Oritsuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-07-16.

How to manufacture N-channel and P-channel junction field effect transistors and CMOS transistors using complementary metal oxide semiconductors "or bipolar / CMOS processes

Номер патента: KR100303725B1. Автор: 리챠드비.머릴,도그알.파렌코프. Владелец: 클라크 3세 존 엠.. Дата публикации: 2001-11-22.

Method of manufacturing N-channel and P-channel junction field effect transistors using a BiCMOS method

Номер патента: DE69321157T2. Автор: Richard B Merrill,Doug R Farrenkopf. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-05-27.

Method for Fast Macropore Etching in n-Type Silicon

Номер патента: US20110294302A1. Автор: Helmut Foell,Juergen Carstensen,Emmanuel Ossei-Wusu,Ala Cojocaru. Владелец: Christian Albrechts Universitaet Kiel. Дата публикации: 2011-12-01.

P-type chalcogenide and N-type silicon heterojunction infrared photodiodes and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09954133B1. Автор: Jeong-Sun Moon,Hwa Chang Seo. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing perovskite solar cell module encapsulated with self-cleaning thin film by using inkjet printing, and perovskite solar cell module with self-cleaning function manufactured thereby

Номер патента: EP4387411A1. Автор: Jinyoung Lee. Владелец: Gosantech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method for assembling solar modules a monolithic solar module from cells of photoelectric converters by using an adhesive layer

Номер патента: RU2663543C1. Автор: Алексей Валерьевич Кукин,Алексей Сергеевич Титов,Дмитрий Александрович Андроников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Хевел", ООО "Хевел". Дата публикации: 2018-08-07.

N-type silicon single crystal production method, n-type silicon single crystal ingot, silicon wafer, and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20230295835A1. Автор: Yasuhito Narushima,Fukuo Ogawa,Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI,Ayumi Kihara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing silicon carbide substrate and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8969103B2. Автор: Shin Harada,Satomi Itoh,Makoto Sasaki,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09449823B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905653B2. Автор: Masayuki Kobayashi,Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Shinji Kimura,So Tanaka,Taku Horii,Ryosuke Kubota,Daisuke Hamajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing silicon carbide base body, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide base body, and semiconductor device

Номер патента: US20210217619A1. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150236148A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09647106B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09966437B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Silicon-carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425261B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for producing an ohmic contact on a crystallographic c-side of a silicon carbide substrate, and ohmic contact

Номер патента: US20230050165A1. Автор: Jan-Hendrik Alsmeier,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Silicon carbide components and methods for producing silicon carbide components

Номер патента: US11715768B2. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09728607B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210060818A1. Автор: Naoki Matsumoto,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor apparatus, and energization test apparatus

Номер патента: US09874596B2. Автор: Akihiro Koyama,Shigehisa Yamamoto,Yukiyasu Nakao,Kazuya Konishi,Shoyu Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing thin film transistor, and thin film transistor

Номер патента: US20190386030A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220149173A1. Автор: Tomoaki Noguchi,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Silicon carbide vertical field effect transistor

Номер патента: US20140008666A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same, image display device using the same and method for manufacturing the image display device

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Takeshi Suzuki,Koichi Hirano,Shinobu Masuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160133705A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Silicon Carbide Components and Methods for Producing Silicon Carbide Components

Номер патента: US20230334337A1. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon carbide substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371945A1. Автор: Ching-Shan Lin,Ying-Ru Shih,Chung Chi Yang,Chih Shan Tan. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US9236248B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

Semiconductor device e.g. schottky diode, has schottky electrode formed on n-type silicon carbide substrate which is electrically connected to bonding wire above P-type well region

Номер патента: DE10227854A1. Автор: Katsumi Satoh,Shigeo Tooi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-08.

Method for fabricating a semiconductor device using a porous silicon region

Номер патента: US5445991A. Автор: Jong H. Lee. Владелец: Kyungpook National University KNU. Дата публикации: 1995-08-29.

A method for manufacturing a semiconductor device having diffusion junctions

Номер патента: GB1273199A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1972-05-03.

Method for producing low noise, high grade constant semiconductor junctions

Номер патента: US4732866A. Автор: Syd R. Wilson,Jerry L. Chruma,William E. Gandy, Jr.,Tommie R. Huffman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-03-22.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US7393761B2. Автор: Gert Leusink,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Method for growing group-III nitride semiconductor heterostructure on silicon substrate

Номер патента: US20050106849A1. Автор: Shangir Gwo. Владелец: Shangir Gwo. Дата публикации: 2005-05-19.

Insulated gate fet - with n type silicon grid

Номер патента: FR2133746A1. Автор: . Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1972-12-01.

Control of surface inversion of p- and n-type silicon using dense dielectrics

Номер патента: US3550256A. Автор: Bruce E Deal. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1970-12-29.

Silicon carbide static induction transistor and method for manufacturing same

Номер патента: WO1998034283A1. Автор: Saptharishi Sriram,Rowland C. Clarke,Richard R. Siergiej. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 1998-08-06.

Manufacturing method for separator of lithium metal secondary battery and lithium metal secondary battery manufactured by using the same

Номер патента: US20230282932A1. Автор: Kuk Young Cho,Jin Sol IM,Jin Hyeok AHN,Ju Yeon IM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for synchronous production of manganese tetraoxide and ferric oxide for soft magnetic material by using marine polymetallic nodules

Номер патента: US11791078B1. Автор: Zhan Xu,Ping Li,Weipeng Zhang,Liang Fu,Fusheng PAN,Juncai Ma,Shuchun Li,Xinren Liao,Hualin Xie. Владелец: CHONGQING SHANGJIA ELECTRONIC CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09605358B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09422639B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Silicon carbide ingot, method for manufacturing silicon carbide ingot, and method for manufacturing silicon carbide wafer

Номер патента: US20230193510A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181160A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09455197B2. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Silicon carbide EPI wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US09991344B2. Автор: Seok Min Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Silicon carbide substrate and method for producing silicon carbide substrate

Номер патента: US09882010B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method for growing semiconductor crystal

Номер патента: US09525030B2. Автор: Min Young Hwang,Seok Min Kang,Moo Seong Kim,Yeong Deuk Jo. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US20160326669A1. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US20150255279A1. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Method for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Device for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, and Silicon Carbide Semiconductor Element

Номер патента: US20160168751A1. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor apparatus and method for producing the same

Номер патента: US09543252B2. Автор: Yoshiyuki Nakaki,Kei Yamamoto,Mamoru Terai,Shiori Idaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Silicon carbide substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing them

Номер патента: US9722028B2. Автор: Keiji Ishibashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Silicon carbide substrate, silicon carbide device, and substrate thinning method thereof

Номер патента: US20220293737A1. Автор: Yuxi Wan,Boning Huang,Yiyu Wang,Xiaobiao HAN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US09966249B2. Автор: Kenji Kanbara,Taro Nishiguchi,So Tanaka,Kyoko Okita,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing TFT substrate and structure thereof

Номер патента: US09666653B2. Автор: Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods for Processing a Silicon Carbide Wafer, and a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190362972A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Guenter Denifl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device and method for growing semiconductor crystal

Номер патента: WO2012102539A3. Автор: Moo Seong Kim,Yeong Deuk Jo,Bum Sup Kim,Chang Hyun Son. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor device and method for growing semiconductor crystal

Номер патента: EP2668662A2. Автор: Moo Seong Kim,Yeong Deuk Jo,Bum Sup Kim,Chang Hyun Son. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Semiconductor wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09576793B2. Автор: Giuseppe Abbondanza. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09484415B2. Автор: Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20130153928A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: EP2563950A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20110266556A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: WO2011137202A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130017671A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Carbon based contact structure for silicon carbide device technical field

Номер патента: US09917170B2. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Silicon Carbide Device and Method for Forming a Silicon Carbide Device

Номер патента: US20240113026A1. Автор: Wolfgang Scholz,Thomas Basler,Edward Fürgut,Martin Gruber,Ravi Keshav Joshi,Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Silicon carbide epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190273136A1. Автор: Tomohisa Kato,Satoshi Segawa,Toshiyuki Ohno,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-09-05.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09809901B2. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Light emitting diode device and method for producing same

Номер патента: US5187547A. Автор: Yoshiharu Fujikawa,Yasuhiko Matsushita,Tatsuhiko Niina,Kiyoshi Ohta,Toshitake Nakata,Takahiro Uetani. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1993-02-16.

System and method for manufacturing an integrated circuit anti-fuse in conjunction with a tungsten plug process

Номер патента: US20110221031A1. Автор: David Tucker,Sergei Drizlikh,Thomas James Moutinho,Ashish Kushwaha. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120007043A1. Автор: Shin Yokoyama,Yoshiteru Amemiya. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2012-01-12.

Wet etching method for an N-type bifacial cell

Номер патента: US09537037B2. Автор: Chen Zhao,Lei Shi,Fei Zheng,Zhongli RUAN,Zhongwei Zhang,Yuxue ZHAO. Владелец: SHANGHAI SHENZHOU NEW ENERGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same

Номер патента: MY127699A. Автор: Helmut Hagleitner,David B Slater Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-12-29.

Method for fabricating shallow trenches

Номер патента: WO2007001297A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Silicon carbide junction diode

Номер патента: US3767980A. Автор: G Kamath. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1973-10-23.

Method for preparing solar cell

Номер патента: AU2024216432A1. Автор: HONG Chen,Shuai ZHANG,Yang Zou,Yifeng Chen,Xiaopeng Wu,Daming Chen,Chengfa Liu,Yugang Lu,Yaqian Zhang. Владелец: Trina Solar Suqian Photoelectric Co ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for preparing solar cell

Номер патента: US20240347655A1. Автор: HONG Chen,Shuai ZHANG,Yang Zou,Yifeng Chen,Xiaopeng Wu,Daming Chen,Chengfa Liu,Yugang Lu,Yaqian Zhang. Владелец: Trina Solar Suqian Photoelectric Co ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US09812300B2. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Tunnel oxide layer, n-type bifacial crystalline silicon solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20240145610A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20160237589A1. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Optical sensor and method for making the same

Номер патента: US20100117065A1. Автор: Kazufumi Ogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Solar cell and preparation method for solar cell

Номер патента: EP4407695A1. Автор: Bin Chen,Xiulin Jiang,Guangliang DUAN. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Intermediate layer for stacked type photoelectric conversion device, stacked type photoelectric conversion device and method for manufacturing stacked type photoelectric conversion device

Номер патента: US20130069193A1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Masanori Mizuta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for manufacturing of shallow junctions

Номер патента: RU2748335C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-05-24.

Method for manufacturing a bottom substrate of a liquid crystal display device

Номер патента: US20070155034A1. Автор: Yi-Wei Lee,Ching-Yun Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for manufacturing n-type silicon single crystal, n-type silicon single crystal ingot, silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: KR102315981B1. Автор: 후쿠오 오가와,야스히토 나루시마,코이치 마에가와,야스후미 카와카미,유우지 츠츠미. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2021-10-21.

Photodetection element and method for manufacturing photodetection element

Номер патента: US20240105870A1. Автор: Wei Dong,Kazutoshi Nakajima,Hiroyasu Fujiwara. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-03-28.

Transparent electrode, method for producing transparent electrode and electronic device

Номер патента: US09923165B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Shigeru Kojima,Takeshi Hakii,Toshiyuki Kinoshita,Shun Furukawa. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2018-03-20.

Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector

Номер патента: US7696620B2. Автор: Katsumi Shibayama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2010-04-13.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US20140318948A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US20120138453A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yokio INAZUKI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for producing high-photoelectric-conversion-efficiency solar cell and high-photoelectric-conversion-efficiency solar cell

Номер патента: US20180342402A1. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami,Hiroyuki Ohtsuka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Preparation method of p/n type silicon carbide ohmic contact

Номер патента: CN110349839B. Автор: 潘艳,田亮,张文婷,夏经华,杨霏,吴军民,田丽欣,吴沛飞,安运来,查祎英. Владелец: Electric Power Research Institute of State Grid Jiangsu Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-12.

Method for making a complementary metal gate electrode technology

Номер патента: US6130123A. Автор: Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Method for making solar cell and solar cell system

Номер патента: US20130171758A1. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Optical sensor and method for making the same

Номер патента: US8409910B2. Автор: Kazufumi Ogawa. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2013-04-02.

Improved method for the production of semi-conductor bodies

Номер патента: GB857258A. Автор: . Владелец: Telefunken AG. Дата публикации: 1960-12-29.

Method for manufacturing flexible solar cell module and flexible solar cell module manufactured by using the same

Номер патента: KR20230015729A. Автор: 강호관,신현범. Владелец: (재)한국나노기술원. Дата публикации: 2023-01-31.

Method for manufacturing high-photoelectric-conversion-efficiency solar cell and high-photoelectric-conversion-efficiency solar cell

Номер патента: EP3346505A1. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami,Hiroyuki Ohtsuka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-11.

N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCTION METHOD, N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT, SILICON WAFER, AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20200141024A1. Автор: Maegawa Koichi,OGAWA Fukuo,NARUSHIMA Yasuhito,KAWAKAMI Yasufumi,KIHARA Ayumi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-05-07.

N-type silicon single crystal production method, n-type silicon single crystal ingot, silicon wafer, and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US11377755B2. Автор: Yasuhito Narushima,Fukuo Ogawa,Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI,Yuuji Tsutsumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

A process for producing an n-type silicon single crystal, an n-type silicon single crystal ingot, a silicon wafer and an epitaxial silicon wafer

Номер патента: DE112018002171T5. Автор: Yasuhito Narushima,Fukuo Ogawa,Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI,Yuuji Tsutsumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Process for producing p doped silicon single crystal and p doped n type silicon single crystal wafe

Номер патента: EP1591566A4. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-25.

Method of producing p-doped silicon single crystal and p-doped n-type silicon single crystal wafer

Номер патента: EP1591566B8. Автор: Masahiro c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd SAKURADA,Izumi c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. FUSEGAWA. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for manufacturing front-mounted three-dimensional line on single side of chip by using first etching and later packaging and packaging structure of three-dimensional line

Номер патента: CN102723284B. Автор: 李维平,梁志忠,王新潮. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-26.

N-type silicon single crystal ingot, silicon wafer, and epitaxial silicon wafer

Номер патента: TWI665341B. Автор: 前川浩一,鳴嶋康人,川上泰史,小川福生,堤有二. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2019-07-11.

Producing an ingot made of upgraded metallurgical-grade silicon for penetration-resistant p-type solar cells, where the ingot has a height originating from a bottom with p-type silicon to a head with n-type silicon

Номер патента: DE102009034317A1. Автор: Michael Bauer,Volker Hoffmann,Jovana Djordjevic-Reiss,Kai Petter,Sandra Scholz,Patrick Clemens,Florian Holzapfel. Владелец: Q Cells SE. Дата публикации: 2011-02-03.

N-type silicon chip cleaning texturing method for HIT battery

Номер патента: CN104393094B. Автор: 刘文峰,杨晓生,汪已琳. Владелец: CETC 48 Research Institute. Дата публикации: 2017-02-15.

Production method for n-type silicon single crystal wafers

Номер патента: JP2022061877A. Автор: 徹寛 陣祐,Tetsuhiro JINSUKE,志信 竹安,Yukinobu Takeyasu,聡 添田,Satoshi Soeda. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

P plus/N/N plus silicon solar cell prodn. - by cutting block of N=type silicon into sheets, diffusing impurities and forming contacts with aluminium ink

Номер патента: FR2505556A1. Автор: Jacques Michel. Владелец: Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee. Дата публикации: 1982-11-12.

Light-emitting or light-receiving semiconductor device and method for making the same

Номер патента: CA2393219C. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-09.

Method for measuring wafer profile

Номер патента: US20220290975A1. Автор: Masato Ohnishi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Process for producing P doped silicon single crystal and P doped N type silicon single crystal wafer

Номер патента: TW200506113A. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2005-02-16.

Transparent electrode, method for producing transparent electrode and electronic device

Номер патента: US20170200913A1. Автор: Kazuhiro Yoshida,Shigeru Kojima,Takeshi Hakii,Toshiyuki Kinoshita,Shun Furukawa. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-07-13.

N-TYPE SILICON SOLAR CELL WITH CONTACT/PROTECTION STRUCTURES

Номер патента: US20140238484A1. Автор: Xu Baomin. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-28.

method of modifying an n-type silicon substrate

Номер патента: US20150255638A1. Автор: Kãrkkãinen Ari,Williams Paul,Hadzic Admir,Hannu-Kuure Milja,Leivo Jarkko,Järvitalo Henna,Wang Jianhui. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

N-type silicon solar cell with contact/protection structures

Номер патента: US8962424B2. Автор: Baomin Xu. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Optoelectronic light emitting device i.e. gallium nitride based LED, has p-doped planarized layer allowing radial injection of holes in nanowire, and n-type silicon substrate allowing axial injection of electrons in nanowire

Номер патента: FR2964796A1. Автор: Philippe Gilet,Anne-Laure Bavencove. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-03-16.

N-type silicon solar cell, its preparation method and aluminum evaporation disperser

Номер патента: CN104393095B. Автор: 李平,谭鑫,刘爱民,魏一,魏,路春希. Владелец: JINZHOU HUACHANG PHOTOVOLTANIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

N type silicon solar cell and preparation method therefor

Номер патента: CN105552139A. Автор: 许颖,陈兵兵,麦耀华,陈剑辉,代秀红,刘保亭. Владелец: Hebei University. Дата публикации: 2016-05-04.

In-situ doped n-type silicon layer deposition method and NPN transistor

Номер патента: JPH0744189B2. Автор: バーナード・スティール・マイヤーソン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-05-15.

Back touch type HIT (heterojunction with intrinsic thin layer) solar battery structure based on N type silicon wafer

Номер патента: CN202076296U. Автор: 刘鹏,程亮,张春艳,杨青天,徐振华,李玉花,任现坤,姜言森,王兆光. Владелец: Linuo Solar Power Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-14.

N-type silicon-based solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: CN108389917B. Автор: 张军. Владелец: Anhui Qinneng Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-24.

Uniform n-type silicon

Номер патента: US3076732A. Автор: Tanenbaum Morris. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1963-02-05.

Solid-state p-type/n-type silicon wafer

Номер патента: EP3038165A1. Автор: Sebastien Dubois,Nicolas Enjalbert,Jean-Paul Garandet,Benoît Martel,Jordi Veirman. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-06-29.

A kind of n-type silicon chip heat treatment method

Номер патента: CN105624795B. Автор: 刘正新,刘金宁,祝方舟,王栋良. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing high quality silicon single crystal and silicon single crystal wafer made by using the same

Номер патента: CN101037794A. Автор: 赵铉鼎. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2007-09-19.

SOLAR CELL EMITTER REGION FABRICATION USING N-TYPE DOPED SILICON NANO-PARTICLES

Номер патента: US20140166093A1. Автор: Waldhauer Ann,Cousins Peter J.,Loscutoff Paul,Molesa Steven Edward. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Manufacturing method and apparatus for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: US09564315B1. Автор: Takahiro Yamamoto,Yasuhiro Kimura,Masashi Sakai,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno,Takuma Mizobe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for producing polycrystalline silicon carbide substrate

Номер патента: EP4421220A1. Автор: Kuniaki Yagi. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for oxidizing a silicon carbide based on microwave plasma at an ac voltage

Номер патента: US20200152451A1. Автор: HONG Chen,Yun Bai,Xinyu Liu,Xiaoli Tian,Yidan TANG,Chengyue Yang,Shengkai WANG,Zhonglin Han. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-05-14.

A method for reducing warpage of silicon carbide substrate

Номер патента: ZA202308586B. Автор: Shen Xiaoyu,Shen Mengfei,Chen Wenjin. Владелец: Huzhou Tony Semiconductor Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Charge accumulator, method of its manufacturing, method for manufacturing of electroconductive structure for charge accumulator, mobile electronic device using charge accumulator and microelectronic device containing charge accumulator

Номер патента: RU2553981C2. Автор: Дональд С. ГАРДНЕР,Эрик К. ХАННА,Джон Л. ГУСТАФСОН,Жун ЧЭН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-20.

Method for manufacturing sic wafer and method for preparing sic ingot

Номер патента: EP4428273A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Method for improving inversion layer mobility in a silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: EP1430518A2. Автор: Richard Intern. Octrooibureau BV EGLOFF,Satyendranath Intern. Octrooibureau BV MUKHERJEE,Dev Intern. Octrooibureau BV ALOK,Emil Intern. Octrooibureau BV ARNOLD. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-23.

Silicon carbide-based full-spectrum-responsive photodetector and method for producing same

Номер патента: US11710801B2. Автор: Yuan Tian,Guohui Li,Yanxia CUI,Yaping FAN,Xianyong YAN. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-25.

Monocrystalline silicon carbide substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240105782A1. Автор: Jing Yao,Jian Yang,Guangming Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU,Qing Yong. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Heat treatment environment evaluation method and silicon carbide substrate

Номер патента: EP4239112A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing semiconductor device by epitaxial lift-off using plane dependency of III-V compound

Номер патента: US09941168B1. Автор: Hyung-Jun Kim,Won Jun Choi,Sanghyeon Kim,Jae-Phil SHIM,Seong Kwang KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US09777404B2. Автор: Keiji Wada,Jun Genba,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: EP4212480A2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: US20230203707A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Heat treatment environment evaluation method and silicon carbide substrate

Номер патента: US20240020814A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing display device, and transfer substrate for manufacturing display device

Номер патента: EP4012497A1. Автор: Sunghyun Moon,Jungsub KIM,Yongdae Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-06-15.

Method for manufacturing a composite structure comprising a thin layer made of monocrystalline sic on a carrier substrate made of sic

Номер патента: US20230197435A1. Автор: Hugo BIARD. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-06-22.

Polishing composition for semiconductor process and method for manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US12116503B2. Автор: Han Teo PARK,Jang Kuk KWON,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing an organic element

Номер патента: US09887357B2. Автор: Jwo-huei Jou,Tsung-Han LI,Saulius Grigalevi{hacek over (c)}ius,Gintare Kru{hacek over (c)}aite. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor component comprising such a semiconductor structure

Номер патента: US09559256B2. Автор: Bruno-Jules Daudin,Benoit Amstatt. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-31.

Susceptor and method for manufacturing same

Номер патента: US20170162425A1. Автор: Masato Shinohara,Yoshihisa Abe,Satoru Nogami. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Method of surface modification of silicon carbide crystals

Номер патента: RU2745736C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2021-03-31.

Method for manufacturing a composite structure comprising a thin layer of monocrystalline SiC on a carrier substrate of polycrystalline SiC

Номер патента: US12033854B2. Автор: Jean-Marc Bethoux,Damien RADISSON,Yann Sinquin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-07-09.

Composite silicon carbide substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP4411788A1. Автор: Chao Guo,Fengwen MU. Владелец: Tj Innovative Semiconductor Substrate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for obtaining large homogeneous crystals of silicon carbide using distillation and condensation processes

Номер патента: RU2495163C2. Автор: Марк ЛОБОДА,Сеунг-хо ПАРК,Виктор ТОРРЕС. Владелец: Доу Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: US20230246078A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Shinichi Shioi. Владелец: Sanan Japan Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050003563A1. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Method for treating the surface of a silicon-carbide substrate including a removal step in which a modified layer produced by polishing is removed by heating under Si vapor pressure

Номер патента: US09978597B2. Автор: Noboru Ohtani,Tadaaki Kaneko,Kenta Hagiwara. Владелец: KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION. Дата публикации: 2018-05-22.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US09437462B2. Автор: Taichi Koyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Liquid composition used in etching copper- and titanium-containing multilayer film, etching method in which said composition is used, method for manufacturing multilayer-film wiring, and substrate

Номер патента: US09365934B2. Автор: Satoshi Tamai,Kunio Yube,Tomoyuki Adaniya. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for vertical and lateral control of iii-n polarity

Номер патента: US20160336171A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Jennifer K. Hite,Nelson Garces. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-11-17.

Substrate for manufacturing display device, and method for manufacturing display device by using same

Номер патента: US20230299055A1. Автор: Kisu Kim,Jinhyung LEE,Changseo Park,Younho HEO,Yongil SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-09-21.

Receptor substrate , method for manufacturing receptor substrate, transfer method, led panel manufacturing method, and stamper

Номер патента: EP4418310A1. Автор: Kazunori Kondo,Masami Kurata,Hiroshi Yamaoka,Yoshinori Ogawa,Taketo Usami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Reduction of carrot defects in silicon carbide epitaxy

Номер патента: US09903046B2. Автор: Michael John O'Loughlin,Joseph John Sumakeris. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for vertical and lateral control of III-N polarity

Номер патента: US09679766B2. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Jennifer K. Hite,Nelson Garces. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and power converter

Номер патента: US20200321437A1. Автор: Masashi Sakai,Yoichiro Mitani,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor manufacturing parts by using jig

Номер патента: US20200111661A1. Автор: Ki Won Kim. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Composite refractory metal carbide coating on a substrate and method for making thereof

Номер патента: EP1641957A2. Автор: Jon Leist,John Mariner,Ajit Sane,Jeffrey Lennartz,Thomas Devan,Andrew Macey,Daniel Kotabish,Douglas Longworth,Timothy Hejl. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2006-04-05.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09972732B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2018-05-15.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US09631296B2. Автор: Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi,Tsutomu Hori,Naoki Ooi,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for cleaning base, heat process method for semiconductor wafer, and method for manufacturing solid-state image capturing apparatus

Номер патента: US09508571B2. Автор: Nobutaka Ukigaya,Toshiyuki Ogawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

System and method for recording electromagnetic radiation

Номер патента: RU2265914C2. Автор: Джеймс Д. ПАРСОНС. Владелец: Хитроникс. Дата публикации: 2005-12-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140065800A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220406611A1. Автор: WU LI,Atsushi Takahashi,Tsubasa IMAMURA,Yuto Itagaki,Minki Chou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09368345B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for fabricating ultra-thin graphite film on silicon carbide substrate

Номер патента: US20200203162A1. Автор: jun-bin Huang,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu,Cheng-Jung Ko,Chia-Hung Tai. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140370445A1. Автор: Hideaki Yuki,Sunao Aya,Shozo Shikama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Method for manufacturing metal wiring and method for manufacturing solid state imaging device

Номер патента: US20150263057A1. Автор: Masaki Kikuchi,Takuto Inoue,Masaharu Ogasawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

High-resistance resistor based on silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317770A1. Автор: Kun Hu,Yuan Tian,Guohui Li,Bingshe Xu,Yanxia CUI,Yuying XI. Владелец: Institute Of New Materials And Chemical Engineering Zhejiang University Shanxi. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for Manufacturing a Magnetic Memory Device by Pre-Patterning a Bottom Electrode prior to Patterning a Magnetic Material

Номер патента: US20190207104A1. Автор: Mustafa Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ,Jorge Vasquez,Girish Jagtiani. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332011A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Display substrate, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20240304632A1. Автор: Feng Li,HONG Liu,Kai Li,Yezhou FANG,Yuzhang Wang,Shan Yan,Chunjing Liu,Zhiguang Cai. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439630A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12068267B2. Автор: Yoshihiro Uozumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US12091772B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966504B2. Автор: Toshio Hata,Masahiro Konishi,Makoto Agatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09755115B2. Автор: Toshio Hata,Masahiro Konishi,Makoto Agatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide using a feed material including a surface layer containing a polycrystalline silicon carbide with a 3C crystal polymorph

Номер патента: US09725822B2. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing flexible display apparatus and flexible display apparatus manufactured by using the method

Номер патента: US09566773B2. Автор: HAYK Khachatryan. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09484502B2. Автор: Toshio Hata,Masahiro Konishi,Makoto Agatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for separating growth substrate, method for light-emitting diode, and light-emitting diode manufactured using methods

Номер патента: US09450141B2. Автор: Joo Won Choi,Young Wug Kim,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin,Su Youn Hong. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Epitaxial growth method for silicon carbide

Номер патента: US20180266012A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-09-20.

Current mode driver using N-type transistors

Номер патента: US5917349A. Автор: Thai M. Nguyen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-06-29.

Reagent kit and method for derivatizing and quantifying vitamin D using a mass spectrometer

Номер патента: US11193948B2. Автор: Fumio Nomura,Mamoru Satoh,Tatsuya Higashi,Masaki Takiwaki,Shoujiro Ogawa. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Method for optimizing the magnetic field of a periodic permanent magnet focusing device

Номер патента: EP1044379A1. Автор: Carter Michael Armstrong,David Riley Whaley. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2000-10-18.

Method for optimizing the magnetic field of a periodic permanent magnet focusing device

Номер патента: WO1999034229A1. Автор: Carter Michael Armstrong,David Riley Whaley. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 1999-07-08.

Method for Manufacturing a High-purity Nickel/Cobalt Mixed solution For a Cathode Material by a Two Circuit Process

Номер патента: US20230227938A1. Автор: Yong Tae Kim,Go Gwon CHOE. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for Quantifying Vitamin D, Mass Spectrometer and Reagent Kit for Quantifying Vitamin D

Номер патента: US20180136240A1. Автор: Fumio Nomura,Mamoru Satoh,Tatsuya Higashi,Masaki Takiwaki,Shoujiro Ogawa. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Powder magnetic core and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090007418A1. Автор: Akira Sato,Takayuki Hirose,Masaharu Edo. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Electromagnetic coil assembly for control rod drive mechanism, and fabrication method for same

Номер патента: EP3739603A1. Автор: Jie Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-18.

Method for manufacturing composition for forming cathode of lithium secondary battery, cathode manufactured by using composition, and lithium secondary battery

Номер патента: WO2016114589A1. Автор: 박준수,김지연,최상훈,이택수. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for synthesis of a multi-beam self-focusing adaptive antenna arrays by using a parametric correlation matrix model of a received signal

Номер патента: RU2659608C1. Автор: Андрей Германович Зайцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Центральный научно-исследовательский институт Войск воздушно-космической обороны Минобороны России (ФГБУ "ЦНИИ ВВКО Минобороны России"). Дата публикации: 2018-07-03.

System and method for wirelessly charging a mobile inspection robot in a potentially explosive atmosphere

Номер патента: AU2018341394A1. Автор: Roelof Schreurs. Владелец: Exrobotics BV. Дата публикации: 2020-05-14.

System and Method for Wirelessly Charging a Mobile Inspection Robot in a Potentially Explosive Atmosphere

Номер патента: US20200254890A1. Автор: Roelof Schreurs. Владелец: Exrobotics BV. Дата публикации: 2020-08-13.

System and method for wirelessly charging a mobile inspection robot in a potentially explosive atmosphere

Номер патента: AU2018341394B2. Автор: Roelof Schreurs. Владелец: Exrobotics BV. Дата публикации: 2023-05-18.

System and method for wireless charging of a mobile robot in an hazarduous area

Номер патента: WO2019066656A3. Автор: Roelof Schreurs. Владелец: Exrobotics B.V.. Дата публикации: 2019-06-06.

System and method for wireless charging of a mobile robot in an hazardous area

Номер патента: CA3077015A1. Автор: Roelof Schreurs. Владелец: Exrobotics BV. Дата публикации: 2019-04-04.

System and method for wirelessly charging a mobile inspection robot in a potentially explosive atmosphere

Номер патента: US11518256B2. Автор: Roelof Schreurs. Владелец: Exrobotics BV. Дата публикации: 2022-12-06.

System and method for wirelessly charging a mobile inspection robot in a potentially explosive atmosphere

Номер патента: WO2019066656A2. Автор: Roelof Schreurs. Владелец: Exrobotics B.V.. Дата публикации: 2019-04-04.

System and method for wireless charging of a mobile robot in an hazardous area

Номер патента: GB2581680A. Автор: Schreurs Roelof. Владелец: Exrobotics BV. Дата публикации: 2020-08-26.

Proximity sensor device and method for determining a proximity of body tissue relative to an antenna

Номер патента: EP4307564A1. Автор: Kun Wang,Igor Kravets,Oleksandr Karpin,Valentyn Solomko,Danial Tayari. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-17.

Dielectric substance and method for producing the same

Номер патента: CA2603194A1. Автор: Shinji Hirai,Yasushi Tamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

BORON-DOPED N-TYPE SILICON TARGET

Номер патента: US20170022603A1. Автор: Ivanov Eugene Y.,Yuan Yongwen. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Boron doped n-type silicon target

Номер патента: KR20160142306A. Автор: 용웬 유안,유진 와이. 이바노브. Владелец: 토소우 에스엠디, 인크. Дата публикации: 2016-12-12.

Method for manufacturing perovskite solar cell module encapsulated with self-cleaning thin film by using inkjet printing, and perovskite solar cell module with self-cleaning function manufactured thereby

Номер патента: US20240206199A1. Автор: Jinyoung Lee. Владелец: Gosantech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for capturing content provided on TV screen and connecting contents with social service by using second device, and system therefor

Номер патента: US09681089B2. Автор: Hyo Jin Park,Jun Kyun Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-06-13.

Transceiver device and method for its manufacture

Номер патента: RU2770237C1. Автор: Владимир Денисович Бурцев,Дмитрий Сергеевич Филонов,Татьяна Сергеевна Вошева. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)». Дата публикации: 2022-04-14.

Method for manufacturing laminated iron core

Номер патента: EP4407643A1. Автор: Takeshi Omura,Yoshihisa Ichihara,Souichiro Yoshizaki. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for manufacturing high-nitrogen steel wire and overhead power line using same

Номер патента: US20130146350A1. Автор: Jae Kwan Ku. Владелец: Metal Link Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Matrix auto emission cathode and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2666784C1. Автор: Михаил Георгиевич Путря,Валерий Петрович Тимошенков,Александр Анатольевич Голишников,Татьяна Юрьевна Крупкина,Евгений Павлович Кицюк,Роман Михайлович Рязанов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2018-09-12.

Method for manufacturing laser diode chip, optical transmitting/receiving module and method for aligning positions thereof

Номер патента: US20020039805A1. Автор: HONG Jun,Ho Lee,Jun Song,Ki Shin,Bon Koo,Euy Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for manufacturing electronic component

Номер патента: US20230352249A1. Автор: Soichiro ESAKI. Владелец: Shoei Chemical Inc . Дата публикации: 2023-11-02.

Conductive paste and method for manufacturing multilayer printed wiring board using same

Номер патента: EP1816653A4. Автор: Noriki Hayashi,Hitoshi Takii,Yoshio Oka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for manufacturing filter using coupling coefficient function

Номер патента: US20020171515A1. Автор: Wataru Hattori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Manufacturing method for secondary battery and manufacturing method for doped electrode

Номер патента: EP4246615A1. Автор: Masahiro Yamamoto,Kazunari AITA,Hiroki YAKUSHIJI. Владелец: Musashi Energy Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Methods for manufacturing klystron transmitters for use in weather radar systems

Номер патента: US20130055552A1. Автор: William H. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-07.

Method for manufacturing electrode for secondary battery using insulating composition comprising aqueous binder substituted with non-aqueous solvent

Номер патента: EP4207365A1. Автор: Sung Soo Yoon,Sung Chul Park,Seong Keun JANG,Sang A Choi. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Composition for forming hole transport layer of light-transmitting solar cell and method for manufacturing light-transmitting solar cell

Номер патента: US20230207225A1. Автор: Jun Hong Noh,Young Chan Kim,Young Suk CHO,Jun Hyeok Lee,Kyoung Han Ryu,Yeong Hee Lee,Ri Ra Kang,Byung Hong Lee,Min Ju Jeong,Chang Hyuk You. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

A method for manufacturing a wave-guide section providing a continuous transition and a microwave antenna using this wave-guide section

Номер патента: WO1986007197A1. Автор: Bela Ladanyi-Turoczy,Istvan Mosoni,Peter Hancs,Pal Szalai. Владелец: Licencia Találmányokat Értékesito^" És Innovációs. Дата публикации: 1986-12-04.

Device for manufacturing specimen for adhesion test of electrode active material layer and method for manufacturing specimen for adhesion test of electrode active material layer by using same

Номер патента: EP4446726A1. Автор: Daehee CHO. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Method for measuring temperature using a thermistor

Номер патента: US09534960B2. Автор: Jeong Soo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing a crash frame of a battery compartment for battery electric vehicles

Номер патента: CA3114690A1. Автор: Stefan Lindner,Thomas Hündgen,Martin POLOCZEK. Владелец: OUTOKUMPU OYJ. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for manufacturing color selection electrode structure and color cathode ray tube having the color selection electrode structure

Номер патента: US20020195921A1. Автор: Go Minami,Shiro Kashihara,Shigenari Ohshima. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for manufacturing color selection electrode structure and color cathode ray tube having the color selection electrode structure

Номер патента: MY129638A. Автор: Go Minami,Shiro Kashihara,Shigenari Ohshima. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-30.

Display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240276787A1. Автор: Yung Bin Chung,Jihye HAN,Chulmin BAE,Jungyun Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4418838A1. Автор: Yung Bin Chung,Jihye HAN,Chulmin BAE,Jungyun Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Quantum dot film and preparation method therefor, photoelectric device, display apparatus and preparation method for quantum dot light-emitting device

Номер патента: US20240067872A1. Автор: Haowei Wang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Electronic device and method for providing payment information

Номер патента: MY197290A. Автор: Park Tae-Gun,Kim Byoung-Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-11.

Method for enhancing temperature efficiency

Номер патента: US09525424B2. Автор: Ming-Sheng Tung. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for measuring adjacent areas

Номер патента: US09398502B2. Автор: Liping Chen. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

System and method for using vehicle radio to control delivery of premium content to a smartphone

Номер патента: US09544716B2. Автор: Jacob R. Sigal,Donald J. EBBEN,Scott W. Smereka. Владелец: Myine Electronics LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for testing the reliability of error detection of an image inspection method

Номер патента: US09731500B2. Автор: Frank Schumann,Frank Soltwedel,Daniel Blatt. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Arrangement and method for identifying and compensating nonlinear vibration in an electro-mechanical transducer

Номер патента: US09615174B2. Автор: Wolfgang Klippel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

SYSTEM AND METHOD FOR BACKGROUND DOWNLOAD OF DIGITAL CONTENT ON A PERMANENTLY CONNECTED PERIPHERAL DEVICE BY A WIRELESS DEVICE

Номер патента: RU2007102678A. Автор: Пол Э. ЯКОБС,Равиндер Пол ЧАНДХОК,Равиндер Пол ЧАНДХОК (US),Пол Э. ЯКОБС (US). Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед (US). Дата публикации: 2008-07-27.

Method for manufacturing a laminated iron core for electrical machines and devices by welding together laminations

Номер патента: DE957416C. Автор: Duward Charles Staley. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1957-01-31.

Method for delivering components in feeder cassettes, delivery system, computer program product and computer-readable medium

Номер патента: US20230363130A1. Автор: Johannes Justinger,Vincent Pfeifer,Matthias Miksch. Владелец: ASMPT GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-11-09.

Pen type multimedia device for processing image data by using handwriting input and method for controlling the same

Номер патента: US20160188011A1. Автор: Jongho Kim,Doyoung Lee,Sinae Chun,Sihwa PARK,Juhwan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-06-30.

A method for measuring adjacent areas

Номер патента: CA2731140C. Автор: Liping Chen. Владелец: ZTE Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Systems, subsystems and methods for measuring water characteristics in a water facility

Номер патента: US11835507B2. Автор: Igor Lulko,Hanoch Kislev,Alexander RACHMAN,Shahar SOBOL. Владелец: Maytronics Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Secure provisioning of devices for manufacturing and maintenance

Номер патента: US10425413B2. Автор: Ian G. Angus. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-09-24.

System and method for using vehicle radio to control delivery of premium content to a smartphone

Номер патента: US20150319558A1. Автор: Jacob R. Sigal,Donald J. EBBEN,Scott W. Smereka. Владелец: Myine Electronics LLC. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for providing restricted access to hardware component interfaces of a network device

Номер патента: US11657183B2. Автор: Rainer Falk,Christian Peter Feist,Johannes Zwanzger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-05-23.

System and method for providing personalized security services

Номер патента: GB2577399A. Автор: SINGH A/L SURJIT SINGH JAYVINDER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-25.

Method for transmitting HARQ ACK/NACK feedback by using terminal-specific TDD frame in wireless communication system, and device therefor

Номер патента: US10484142B2. Автор: Dongkyu Kim,Hyunsoo Ko,Sangrim LEE,Kukheon CHOI,Kwangseok Noh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-11-19.

Method for keeping track of data in an uplink buffer of a user equipment by using information in a buffer status report to maintain an age map of the buffered data

Номер патента: WO2023234817A1. Автор: Henning Wiemann,Goran Rune,Torsten DUDDA,Seungtai Kim. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2023-12-07.

Method for indicating to skip pdcch monitoring and apparatus

Номер патента: US20220361024A1. Автор: Lixia Xue,Xiaolei Tie,Yifan Xue,Zhanzhan ZHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

System and method for responding to aperiodic information requests from users of personal communication devices by providing targeted advertisements

Номер патента: US20120150608A1. Автор: Warren Citrin,Eric Conn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for combining media records in a cellular network terminal device and a cellular network terminal device

Номер патента: US20050157851A1. Автор: Markku Rytivaara,Minna Karukka,Mika Mustonen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-07-21.

Compensation method for a voltage unbalance

Номер патента: EP1495524A1. Автор: Antti Tarkiainen,Mikko Vertanen. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2005-01-12.

METHOD FOR MONITORING THE POWER SUPPLY OF A BATTERY OF AN OCCULTATION DEVICE BY A PHOTOVOLTAIC PANEL AND OCCULTATION DEVICE COMPRISING A SYSTEM FOR SUCH A CONTROL

Номер патента: FR2959884A1. Автор: Vincent Delpy. Владелец: Bubendorff SA. Дата публикации: 2011-11-11.

Method for Capturing Content Provided on TV Screen and Connecting Contents with Social Service by Using Second Device, and System Therefor

Номер патента: US20150016799A1. Автор: Park Hyo Jin,Choi Jun Kyun. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-01-15.

Method for increasing average storage capacity in a bit-mapped tree-based storage engine by using remappable prefix representations and a run-length encoding scheme that defines multi-length fields to compactly store IP prefixes

Номер патента: US7099881B2. Автор: Lun Bin Huang,Nicholas Julian Richardson,Suresh Rajgopal. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2006-08-29.

Electrolytic copper foil having carrier foil, method for producing electrolytic copper foil having carrier foil and copper cladding laminate obtained by using the same

Номер патента: TW201035390A. Автор: Hiroaki Tsuyoshi,Shinichi Obata,Ayumu Tateoka. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2010-10-01.

Method for production of fluid-tight housing, involves joining of base part and covering by using charging pressure, so that intermediate sealing is compressed from elastic material

Номер патента: DE102007003009A1. Автор: Juergen Oesterle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Novel method for preparing animal model of cerebrovascular disease and method for producing animal having small individual difference in susceptibility to cerebrovascular disease onset by using animal model for cerebrovascular disease prepared thereby

Номер патента: US20230309521A1. Автор: Dong Eog Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2023-10-05.

Novel method for preparing animal model of cerebrovascular disease and method for producing animal having small individual difference in susceptibility to cerebrovascular disease onset by using animal model for cerebrovascular disease prepared thereby

Номер патента: EP4197323A1. Автор: Dong Eog Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2023-06-21.

Method for Regulating the Degradation of Straw Silage to Produce Organic Acid and Methane by Using Black Liquor

Номер патента: AU2021103930A4. Автор: Yan Li,Lei Chen,Fuqiang Jin,Haipeng Xu,Dongliang Hua,Yuxiao Zhao,Xiaolu YI. Владелец: ENERGY RESEARCH INSTITUTE OF SHANDONG ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for recovering alkali and aluminum in course of treatment of bayer red mud by using calcification-carbonation method

Номер патента: US09963353B2. Автор: Yan Liu,Zhihe DOU,Guozhi LV,Zimu ZHANG,Xiaofeng Zhu,Tingan ZHANG. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for increasing content and gene expression of aromatic substance in fruits and vegetables by using hydrogen rich water

Номер патента: EP4212000A1. Автор: Xu Cheng,Yan Zeng,Shu Wang,YuHao LIU,Longna LI,Wenbiao Shen,M Sundar. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-07-19.

Method for coating thin film in rolling manner and apparatus for coating thin film by using the same

Номер патента: US10583452B2. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-03-10.

Method for coating thin film in rolling manner and apparatus for coating thin film by using the same

Номер патента: US20180078966A1. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for assisting with guiding a surface vessel for towing an underwater device by means of a cable

Номер патента: AU2022420392A1. Автор: Christophe Borel,Quentin DUPUIS. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2024-06-20.

Oleaginous yeast yarrowia lipolytica sur2 mutant strain and method for producing and secreting, onto cell surfaces, sphingoid-based precursors, sphingosine and sphingolipids by using same

Номер патента: US20240271081A1. Автор: Hyun Ah Kang,Hye Yun Moon,Haeeun PARK,Seo Hyeon SHIN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method for electronic deposit of a financial instrument by banking customers from remote locations by use of a digital image

Номер патента: US09946998B1. Автор: Ravi V. Acharya. Владелец: JPMorgan Chase Bank NA. Дата публикации: 2018-04-17.

Amidase, gene for the same, vector, transformant, and method for production of optically active carboxylic acid amide and optically active carboxylic acid by using any one of those items

Номер патента: US09783796B2. Автор: Naoaki Taoka,Tozo Nishiyama,Daisuke Moriyama,Masutoshi Nojiri. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

System and method for auction sales of wireless devices assets and provision of wireless devices by version of selection of assets distribution

Номер патента: RU2471235C2. Автор: Никхил ДЖАИН,Пол Э. ДЖЕЙКОБЗ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-12-27.

A method for acquiring a solution used for healing varroa wounds and a solution acquired by using the method

Номер патента: WO2023038602A1. Автор: Asli OZKIRIM. Владелец: Hacettepe Universitesi Rektorluk. Дата публикации: 2023-03-16.

Adsorbent for adsorbing iodine compounds and/or antimony, method for preparing said adsorbent, and method and apparatus for treating radioactive waste liquid by using said adsorbent

Номер патента: CA2986717C. Автор: Toru Shibuya,Takashi Sakuma,Makoto Komatsu,Takeshi Izumi,Tomohiko Ito. Владелец: Nihon Kaisui Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

Method for improving the efficiency of electrokinetic technology for removing pollutants from solid matrix by using a mixed microbial solution

Номер патента: US20220234087A1. Автор: Lo Tsui. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for rapidly detecting the total mercury content of soil in urban relocation sites by using archaea molecular marker otu69

Номер патента: US20220220537A1. Автор: Weiwei Zhang,Xiangchun Wang,Lang Zhang,Jigang HAN,Hexian JIN. Владелец: Shanghai Academy of Landscape Architecture Science and Planning. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for assisting with guiding a surface vessel for towing an underwater device by means of a cable

Номер патента: CA3241137A1. Автор: Christophe Borel,Quentin DUPUIS. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for increasing content and gene expression of aromatic substance in fruits and vegetables by using hydrogen-rich water

Номер патента: US20230363334A1. Автор: Xu Cheng,Yan Zeng,Shu Wang,YuHao LIU,Webiao SHEN,Longna LI,M. Sundar. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for producing bis(fluorosulfonyl)imide lithium salt (lifsi) with reduced fluorine anion content by using alkoxy trialkyl silane

Номер патента: US20210347639A1. Автор: Dong Wook Kang,Seok Ju Lee,Jeong In Kim,Sang Ryul Lee,Kyoung Chol Kim,Ja Young Park,Mingi CHU,Ji Hyeong Kim,Jongyun JANG,Seongjeong LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Daegu Catholic University. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for producing bis(fluorosulfonyl)imide lithium salt (LiFSI) with reduced fluorine anion content by using alkoxy trialkyl silane

Номер патента: US11987496B2. Автор: Dong Wook Kang,Seok Ju Lee,Jeong In Kim,Sang Ryul Lee,Kyoung Chol Kim,Ja Young Park,Mingi CHU,Ji Hyeong Kim,Jongyun JANG,Seongjeong LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Daegu Catholic University. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for manufacturing of acousto-optic device

Номер патента: RU2762515C1. Автор: Сергей Иванович Чижиков,Владимир Яковлевич Молчанов,Василий Викторович Гуров,Александр Ильич Чижиков. Владелец: Александр Ильич Чижиков. Дата публикации: 2021-12-21.

Method for manufacturing contact pads of high-temperature superconducting wire of second generation and complex for implementing the method

Номер патента: RU2746654C1. Автор: Кирилл Александрович Бабурин,Дамир Русланович Кумаров,Ленар Робертович Сабиров. Владелец: Закрытое акционерное общество «СуперОкс» (ЗАО «СуперОкс»). Дата публикации: 2021-04-19.

Inspection system for apparatus for manufacturing display device and inspection method for apparatus for manufacturing display device

Номер патента: US20230230353A1. Автор: Gihyun LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for random access and terminal device

Номер патента: RU2736415C1. Автор: Нин ЯН,Цзяньхуа ЛЮ. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2020-11-17.

Configuration system and method for aircraft equipment

Номер патента: EP4287663A2. Автор: Kotaro Ikeda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Configuration system and method for aircraft equipment

Номер патента: EP4287663A3. Автор: Kotaro Ikeda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

System and method for interaction of smart cards with ipados devices

Номер патента: RU2766323C1. Автор: Владимир Евгеньевич Иванов. Владелец: АО "Актив-софт". Дата публикации: 2022-03-15.

Microwave heating apparatus, and method for manufacturing aluminum nitride by using same

Номер патента: US20240237166A1. Автор: Jae-Kyung Kim,Jang-youn JUNG,Euy-Sik Jeon,Dong-goo SOHN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

A method for provisioning a first communication device by using a second communication device

Номер патента: EP3497877A1. Автор: Ly Thanh Phan,Jean-Yves Fine,Mireille Pauliac,Michel ENDRUSCHAT. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2019-06-19.

Method for provisioning a first communication device by using a second communication device

Номер патента: US20190238324A1. Автор: Ly Thanh Phan,Jean-Yves Fine,Mireille Pauliac,Michel ENDRUSCHAT. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for controlling a controlled device by a control server, by using a qos-based wireless communication system

Номер патента: EP4447537A1. Автор: Arnaud Bouttier,Vincent CORLAY. Владелец: Mitsubishi Electric R&d Centre Europe BV. Дата публикации: 2024-10-16.

Composite piezomaterial and method for its manufacture

Номер патента: RU2751896C1. Автор: Александр Анатольевич Панич,Алексей Анатольевич Нестеров,Евгений Анатольевич Панич,Михаил Игоревич Толстунов,Любовь Александровна Дыкина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-07-19.

Data card and method for internet access of data card

Номер патента: US20130254357A1. Автор: Wei Chen,BIN Li,Zhen Zhong,Guiying XUE,Yuxin Nie. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Hydrogel particle coated with lipid and method for manufacturing same

Номер патента: US09849089B2. Автор: Do Hoon Kim,Jong Won Shim,Jun Oh Kim,Hyung Jun Lim,Choon Bok Jeong,Lee Kyoung Kwon,Eun Jung An. Владелец: Amorepacific Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing clad steel pipe

Номер патента: US11707773B2. Автор: Cheng Zhou,Bo Yan,Sihai JIAO. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Method for applying heat-protective wear-resistant coating on cast iron and steel parts

Номер патента: RU2766627C1. Автор: Владимир Петрович Панков,Денис Владимирович Панков,Сергей Васильевич Румянцев,Анатолий Вячеславович Баженов,Таисия Витальевна Головасичева,Виктория Владимировна Степанова,Софья Евгеньевна Обухова,Марина Валерьевна Степанова,Даниил Олегович Пустовит. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное авиационное училище летчиков имени Героя Советского Союза А.К. Серова". Дата публикации: 2022-03-15.

Method for manufacturing resin particles and method for manufacturing toner particles

Номер патента: US09556300B2. Автор: Kunihiko Nakamura,Akane Masumoto,Tsuneyoshi Tominaga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Apparatus and method for generating printing data for patient-specific applicator, and system for manufacturing patient-specific applicator

Номер патента: US09990765B2. Автор: Doo Ho Choi,Won Park,Sang Gyu Ju,Youngyih Han,Yong Chan Ahn,Seung Jae Huh. Владелец: SAMSUNG LIFE PUBLIC WELFARE FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for producing polymer open-porous material

Номер патента: RU2604844C2. Автор: Виктор Викторович Маркелов,Максим Витальевич Кременчугский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2016-12-10.

Method for increasing the efficiency of a power plant of the organic rankine cycle using the climatic resource of cold

Номер патента: RU2762815C1. Автор: Валерий Тимофеевич Матвеенко,Александр Михайлович Олейников,Андрей Вартазарович Дологлонян,Иван Николаевич Стаценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Институт природно-технических систем" (ИПТС). Дата публикации: 2021-12-23.

Method for creating a power load in devices for training muscles without block-cable system

Номер патента: RU2664963C1. Автор: Вячеслав Кузьмич Зайцев. Владелец: Вячеслав Кузьмич Зайцев. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for decreasing depression by inhibiting the activity of n-type calcium channel

Номер патента: EP1558285A4. Автор: Hee-Sup Shin,Chanki Kim. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2006-04-26.

Method for decreasing depression by inhibiting the activity of n-type calcium channel

Номер патента: EP1558285A1. Автор: Hee-Sup Shin,Chanki Kim. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2005-08-03.

Method for decreasing depression by inhibiting the activity of n-type calcium channel

Номер патента: WO2004035087A1. Автор: Hee-Sup Shin,Chanki Kim. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for decreasing depression by inhibiting the activity of n-type calcium channel

Номер патента: EP1558285B1. Автор: Hee-Sup Shin,Chanki Kim. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2010-12-15.

Method for preparing pegylated collagen-like protein and use thereof

Номер патента: EP4393944A1. Автор: Jun Zhang,Chongyu Wang,Jiahui ZHANG,Murong Liu,Chaoxian HE. Владелец: Eosvision Medtech Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for preparing steroids as crystals, steroid crystals, pharmaceutical composition

Номер патента: RU2315056C2. Автор: Детлеф ГРАВЕ,Хаген ГЕРЕККЕ,Петер ХЕЗЕЛЬ,Аннетте АЙХАРДТ,Забине ГЛИЗИНГ,Уве МЮЛЛЕР. Владелец: Шеринг Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2008-01-20.

Method for forming thin film

Номер патента: WO2003041142A1. Автор: Won-Yong Koh,Choon-Soo Lee. Владелец: Genitech Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for forming thin film

Номер патента: EP1454347A1. Автор: Won-Yong 105-605 Hanul Apt. KOH,Choon-Soo 113-402 Hanmaeul Apt. 200-4 LEE. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-08.

System and method for calculation of the digest of messages

Номер патента: RU2643651C2. Автор: Джавад Б. ХАН,Кнут С. ГРИМСРУД,Ричард Л. КУЛСАН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-02.

Pattern forming method, actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition, resist film, method for manufacturing electronic device using same, and electronic device

Номер патента: US20160147147A1. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

System for Detecting Female Urination by Using Wearable Device, and Diagnosis Method Using the Same

Номер патента: US20200375519A1. Автор: Gyehwan KIM. Владелец: Good Voiding Health Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for producing highly functional artificial organs using aptamers

Номер патента: AU2021321833C1. Автор: Kyung-Sun Kang,Da-Hyun KIM. Владелец: Kangstem Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for inducing tailored pluripotent stem cells using extract of plant stem cells or plant dedifferentiated stem cells, and pluripotent stem cells produced by means of the method

Номер патента: US09976118B2. Автор: Young-Bae Park,Hyo-Soo Kim,Yoo-Wook Kwon,Jae-Seung Paek. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2018-05-22.

Charge for manufacture of foam glass

Номер патента: RU2051869C1. Автор: Лидия Константиновна Казанцева,Александр Владимирович Горбунов,Борис Александрович Фурсенко,Игорь Абрамович Белицкий,Наталия Геннадиевна Васильева. Владелец: Наталия Геннадиевна Васильева. Дата публикации: 1996-01-10.

Bread comprising saccharified rice solution and method for preparing same

Номер патента: US20230093128A1. Автор: Jin Ho Seo,Sang Min Shim,Gyeong Min LEE,Young Ju Ban,Eun Hui Cho. Владелец: Spc Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Methods for preparing aldehydes by self-aldol condensation

Номер патента: EP2271609A1. Автор: James H. Babler. Владелец: LOYOLA UNIVERSITY CHICAGO. Дата публикации: 2011-01-12.

Data structures and processing methods for highly scalable simulation platforms

Номер патента: US20200042658A1. Автор: Ilya Basin. Владелец: Noblis Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Heat-resistant resin, method for manufacturing the same and dust-removing substrate of substrate processing equipment by using the resin thereof

Номер патента: TW200613370A. Автор: Namikawa Makoto,Hirofumi Fujii,Hitoshi Ishizaka,Yoshio Terada,Daisuke Uenda,Nobuaki Maruoka. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2006-05-01.

Porous planting medium containing minerals and method for preparing the same

Номер патента: US8227364B2. Автор: Se-Lin Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-24.

Porous planting medium containing minerals and method for preparing the same

Номер патента: US20100281936A1. Автор: Se-Lin Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Element, device and method for generating electromagnetic radiation in the terahertz domain

Номер патента: EP2607945A3. Автор: Hidetoshi Nakanishi,Masayoshi Tonouchi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2014-07-30.

A system and a method for cleaning a pipe

Номер патента: EP4255644A1. Автор: Edward HÆGGSTRÖM,Timo Rauhala,Petro Moilanen,Ari Salmi. Владелец: ALTUM TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2023-10-11.

Systems and methods for visually scrolling through a stack of items displayed on a device

Номер патента: US09779695B2. Автор: Jerome F. Scholler. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for calculating paths, method for obtaining paths as well as terminal for same

Номер патента: US09638541B2. Автор: Jaehyuk Choi,Hongbeom AHN,Younsung CHU. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for performing on-device learning of machine learning network on autonomous vehicle by using multi-stage learning with adaptive hyper-parameter sets and device using the same

Номер патента: WO2021225360A1. Автор: Hongmo Je,Dongkyu Yu,Yongjoong Kim,Sung An Gweon. Владелец: STRADVISION, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Methods for inducing apolipoprotein e secretion

Номер патента: WO2002011708A3. Автор: Lan Mong Nguyen,Craig L Bentzen,Jean-Luc Thuillard,Eric J Niesor,Ane Perez. Владелец: Ane Perez. Дата публикации: 2003-03-13.

Computer implemented method for controlling a classification made by a graph neural network, control unit and computer program product

Номер патента: WO2022258292A1. Автор: Mitchell Joblin,Martin Ringsquandl,Anna Himmelhuber. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for natural language processing, method of training natural language processing model, and device

Номер патента: US20240330658A1. Автор: Chao Ji,Ge Ou,Mengjun Hou,Chuqian ZHONG,Boran Jiang,Shuqi WEI. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus for controlling ammonia and a method for controlling ammonia

Номер патента: US09708577B2. Автор: Ryo Takeshita. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for enhancing hydroponic plant productivity using glycine betaine

Номер патента: EP3993607A1. Автор: Thomas DOUTRELUINGNE. Владелец: DANSTAR FERMENT AG. Дата публикации: 2022-05-11.

Novel Aspartokinase Variant and Method for Producing L- Amino Acid Using the Same

Номер патента: MY195408A. Автор: Ji Sun Lee,Jin Sook CHANG,Hyo Jin Kim,Hyung Joon Kim,Chang Il Seo,Hyun Ah Kim,Hyun Won BAE. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for making silicone hydrogel contact lenses

Номер патента: US20190300654A1. Автор: Steve Yun Zhang,Daqing Wu,Richard Charles Breitkopf,Junhao Ge,Weihong Lang,Augustine Twum KUMI. Владелец: Alcon Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

System and method for object recognition utilizing reflective light blocking

Номер патента: US20240249491A1. Автор: Gregory W. Faris,Matthew Ian CHILDERS,Yunus Emre Kurtoglu,Garbis Salgian,Michael Piacentino,David Berends. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for preparing low-sugar potato flour energy bars

Номер патента: NL2031291B1. Автор: LI YANG,LIU LIANG,Sun Qingjie,Dong Xuyan,Liu Yuchang,Hao Changhong,Ji Enmin. Владелец: Univ Qingdao Agricultural. Дата публикации: 2024-07-26.

Computer implemented method for controlling a classification made by a graph neural network, control unit and computer program product

Номер патента: EP4102414A1. Автор: Mitchell Joblin,Martin Ringsquandl,Anna Himmelhuber. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2022-12-14.

System and method for performing layer optimization of stacked resistive random-access memory device by using artificial intelligence technology

Номер патента: US20240020511A1. Автор: Lok Won Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-01-18.

Gas chromatography method for simultaneously detecting and separating multiple fatty acids

Номер патента: AU2019456489A1. Автор: Tian Li,Li Liu,Hui Hu,Qiang Wang,Hongzhi Liu,Qin Guo,Yang Qu,Aimin Shi. Владелец: Institute of Food Science and Technology of CAAS. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for performing controlled source electromagnetic surveying with multiple transmitters

Номер патента: MY142501A. Автор: Dennis E Willen,Philip J Summerfield. Владелец: Exxonmobil Upstream Res Co. Дата публикации: 2010-11-30.

Method for detecting biomolecules

Номер патента: US20070166706A1. Автор: Winfried Kammer,Alfred Nordheim,Stefanie Weiss,Giang Vuong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for selective extraction of cannabinoids from a plant source

Номер патента: EP3518950A1. Автор: Nissim Garti,Sharon GARTI LEVI,Rotem EDRI. Владелец: Yissum Research Development Co of Hebrew University of Jerusalem. Дата публикации: 2019-08-07.

Method for selective extraction of cannabinoids from a plant source

Номер патента: NZ752820A. Автор: Nissim Garti,Rotem EDRI,Levi Sharon Garti. Владелец: Yissum Res Dev Co Of Hebrew Univ Jerusalem Ltd. Дата публикации: 2022-09-30.

Method for producing toner particle

Номер патента: US20170277051A1. Автор: Yusuke Hasegawa,Tomohisa Sano,Yoshitaka Suzumura,Satoshi Arimura,Takuma Ikejiri,Shohei YAMASHITA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Astatine solution and method for producing same

Номер патента: US20230302169A1. Автор: Tadashi Watabe,Atsushi Shinohara,Yoshifumi Shirakami,Kazuko KANEDA,Jun HATAZAWA,Eku SHIMOSEGAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2023-09-28.

Astatine solution and method for producing same

Номер патента: US20200360546A1. Автор: Tadashi Watabe,Atsushi Shinohara,Yoshifumi Shirakami,Kazuko KANEDA,Jun HATAZAWA,Eku SHIMOSEGAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2020-11-19.

A system and a method for cleaning a device

Номер патента: EP3976282A1. Автор: Edward HÆGGSTRÖM,Timo Rauhala,Petro Moilanen,Ari Salmi,Kasper PETERZÉNS. Владелец: ALTUM TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2022-04-06.

System and method for validating commodity transactions

Номер патента: US20220383370A1. Автор: Sean Kammerich,Jontae James,William R. Martindale,Ronald Brandon Ockimey. Владелец: Naturetrak Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Novel method for preparing animal model of cerebrovascular disease and method for producing animal having small individual difference in susceptibility to cerebrovascular disease onset by using animal model for cerebrovascular disease prepared thereby

Номер патента: EP4197323A4. Автор: Dong Eog Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for calibrating and correcting the scanning distortion of an optical coherence tomography system

Номер патента: US09593933B2. Автор: Susana Marcos Celestino,Carlos DORRONSORO DÍAZ,Sergio Oritz Egea,Damian SIEDLECKI. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 2017-03-14.

Apparatus and methods for robotic learning

Номер патента: US09440352B2. Автор: Paul Bender,Philip Meier. Владелец: Qualcomm Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods for accessing spinal column using B-mode imaging to determine a trajectory without penetrating the the patient's anatomy

Номер патента: US11986341B1. Автор: Sachin Gupta,Kern Singh. Владелец: Tissue Differentiation Intelligence LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for predicting deterioration of grease, grease, and method for manufacturing grease

Номер патента: US20190302089A1. Автор: Kazunori Uchiyama,Naoki Hakamada,Tadafumi Yoshida,Tomo SASAKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for predicting deterioration of grease, grease, and method for manufacturing grease

Номер патента: US11215604B2. Автор: Kazunori Uchiyama,Naoki Hakamada,Tadafumi Yoshida,Tomo SASAKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-01-04.

Method for measuring degree of recrystallization of zirconium alloy cladding tube for nuclear fuel by using ebsd pattern quality

Номер патента: EP3712601B1. Автор: Yoon Ho Kim,Hun Jang,Tae Sik JUNG,Yong Kyoon Mok,Chung Yong Lee. Владелец: Kepco Nuclear Fuel Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-19.

Ultrasonic generator with adjustable ultrasonic focusing depth and method for treating obesity using focal distance control according to horizontal and vertical directions by using the same

Номер патента: US12097391B2. Автор: Eun Ho Kim,Min Young Kim,Won Ju YI,Dong Hwan Kang,Kyun Tae Kim,Kwang Hee Moon,Su Yong Lee. Владелец: Jeisys Medical Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Intrauterine device and method for reducing the rate of diffusion of active ingredients in said device by adding inert particulates to a polymeric coating

Номер патента: US09775905B2. Автор: John Ingvar Feldtblad Kendrup. Владелец: Qpharma AB. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing member of molding machine or the like and member manufactured by using said method

Номер патента: JPS6072657A. Автор: Zenichi Mochizuki,Harutoshi Yamamoto,Sadasue Sakomoto,望月　善一,山本　治利,迫本　定末. Владелец: Toshiba Machine Co Ltd. Дата публикации: 1985-04-24.

A method for manufacturing metal sticker using etching and press, and metal sticker manufactured by using the same

Номер патента: KR20110133519A. Автор: 이승준,이중기,임상형. Владелец: 주식회사 풍성. Дата публикации: 2011-12-13.

Method for manufacturing a foamed plastic molded body with a film layer coating

Номер патента: US20220339828A1. Автор: Thorsten Michel,Patrick Naegels. Владелец: Kaneka Belgium NV. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for manufacturing high stretchable coated yarn with air pocket and high stretchable coated yarn made by using the same, and method for manuacturing high stretchable fabric with air pocket and high stretchable fabric made by using the same

Номер патента: TW201043740A. Автор: Sung-Taik Chang. Владелец: Hunter Douglas Ind Switzerland. Дата публикации: 2010-12-16.

A method for manufacturing green whole grain for sunsik and green whole grain manufactured by using the same

Номер патента: KR101691950B1. Автор: 장병수,유현희,이은명. Владелец: 사단법인 녹색통곡물산업화사업단. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for manufacturing inorganic photonic crystal pattern, and inorganic photonic crystal pattern manufactured by using the same

Номер патента: KR20220140245A. Автор: 홍웅표,박정연,김정연,조은철,편승범. Владелец: 기아 주식회사. Дата публикации: 2022-10-18.

Method for increasing content and gene expression of aromatic substance in fruits and vegetables by using hydrogen rich water

Номер патента: EP4212000A4. Автор: Xu Cheng,Yan Zeng,Shu Wang,YuHao LIU,Longna LI,Wenbiao Shen,M Sundar. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-10-16.

N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCTION METHOD, N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT, SILICON WAFER, AND EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20200224329A1. Автор: Maegawa Koichi,OGAWA Fukuo,NARUSHIMA Yasuhito,KAWAKAMI Yasufumi,TSUTSUMI Yuuji. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for production of semiconductor photodetector

Номер патента: RU2127472C1. Автор: Д.С. Стребков,И.И. Тюхов,В.В. Симакин. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства. Дата публикации: 1999-03-10.

Laboratory method for detecting extensive stages of lymphoproliferative disorder

Номер патента: RU2657804C2. Автор: Андрей Дмитриевич Каприн,Наталья Сергеевна Сергеева,Нина Викторовна Маршутина,Наталья Константиновна Парилова,Наталья Геннадьевна Тюрина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский радиологический центр" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИРЦ" Минздрава России). Дата публикации: 2018-06-15.

PID countermeasure solar cell module of solar cell module using n-type silicon semiconductor

Номер патента: JP6608189B2. Автор: 肇 芹澤,秀斉 仲濱,栄起 國本,靖史 高木. Владелец: Nisshinbo Mechatronics Inc. Дата публикации: 2019-11-20.

Emulsion composition for manufacturing polyalkylene carbonate product and resin product using the same

Номер патента: US9175152B2. Автор: Seung Young Park,Hyun Ju Cho,Jin-Hwa Seo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2015-11-03.

Method For Manufacturing Eating Dinnerware Together With Dessert Food Together And Dinnerware Obtanined By Using Method

Номер патента: KR101751252B1. Автор: 정재훈,김민지,송지현. Владелец: 전남도립대학교산학협력단. Дата публикации: 2017-06-27.

PROCEDURE FOR MANUFACTURING N-TYPE SILICON MONO CRYSTAL

Номер патента: DK2679706T3. Автор: Kenichi Sato,Yoshihiro Kodama,Keiichi Nakazawa. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2018-12-17.

Method for manufacturing helical carrier molded product for full-automatic parking brake system by using cold forging

Номер патента: WO2016190500A1. Автор: 김창동. Владелец: 주식회사 세림티앤디. Дата публикации: 2016-12-01.

Method and device for manufacturing aluminum* copper* steel or flat material consisting of said material by using casting machine under continuous work

Номер патента: JPS55147402A. Автор: Berendesu Heruberuto,Jiiberu Kuruto. Владелец: Fried Krupp AG. Дата публикации: 1980-11-17.

SPINNING NOZZLE MEMBER FOR MANUFACTURING CYLINDRICAL CARTRIDGE CARBON FILTER, CYLINDRICAL CARTRIDGE CARBON FILTER MANUFACTURING APPARATUS INCLUDING SPINNING NOZZLE MEMBER FOR MANUFACTURING CYLINDRICAL CARTRIDGE CARBON FILTER, AND CYLINDRICAL CARTRIDGE CARBON FILTER MANUFACTURED BY USING SPINNING NOZZLE MEMBER FOR MANUFACTURING CYLINDRICAL CARTRIDGE CARBON FILTER

Номер патента: US20180345191A1. Автор: HWANG Doo Sung. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Hemostatic compositions and methods for their preparation

Номер патента: RU2756891C2. Автор: Шуан ЧЭНЬ,Юйфу ЛИ,Дэнминь ФЭН,Сян ВАНЬ. Владелец: Гуанчжоу Байосил Байотек Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-10-06.

Spinning nozzle member for manufacturing cylindrical cartridge carbon filter, cylindrical cartridge carbon filter manufacturing apparatus including spinning nozzle member for manufacturing cylindrical cartridge carbon filter, and cylindrical cartridge carbon filter manufactured by using spinning nozzle member for manufacturing cylindrical cartridge carbon filter

Номер патента: US10773195B2. Автор: Doo Sung Hwang. Владелец: S&s FiltechCo Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method for manufacturing architectural structures of aggregated concave image, involves aggregating concave image by using digitally controlled mechanical conveying units, where constant flow of concave image is poured on substrate

Номер патента: DE102012100334A1. Автор: Karola Dierichs,Achim Menges,Tobias Schwinn. Владелец: Karola Dierichs. Дата публикации: 2013-07-18.

Shrink-print method for detecting and compensating for defective printing nozzles in an inkjet printing machine

Номер патента: US20190240989A1. Автор: Axel Hauck,Ilias Trachanas. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2019-08-08.

System for detecting female urination by using wearable device, and diagnosis method using the same

Номер патента: US11944438B2. Автор: Khaehawn Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-02.

Gene associated with foam formation of acetic acid bacterium, acetic acid bacterium bred by modifying the gene and method for producing vinegar using the acetic acid bacterium

Номер патента: US20100159541A1. Автор: Aya Iida. Владелец: Mizkan Group Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for controlling work assistance system, and program for controlling work assistance system

Номер патента: EP4253670A1. Автор: Masamichi Suzuki. Владелец: Nippon Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for producing highly functional artificial organs using aptamers

Номер патента: AU2021321833A1. Автор: Kyung-Sun Kang,Da-Hyun KIM. Владелец: Kangstem Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for producing highly functional artificial organs using aptamers

Номер патента: EP4194019A1. Автор: Kyung-Sun Kang,Da-Hyun KIM. Владелец: Kangstem Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Method for producing highly functional artificial organs using aptamers

Номер патента: US20230285635A1. Автор: Kyung-Sun Kang,Da-Hyun KIM. Владелец: Kangstem Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for producing highly functional artificial organs using aptamers

Номер патента: AU2021321833B2. Автор: Kyung-Sun Kang,Da-Hyun KIM. Владелец: Kangstem Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for preparation of the supersaturated solution of calcium phosphate and the thin film of calcium phosphate crystal by using the solution

Номер патента: WO2000015018A3. Автор: Soo-Jin Park,Yoon-Ji Kim,Hyun-Man Kim,Jea-Seung Ko. Владелец: Ko Jea Seung. Дата публикации: 2000-07-13.

Method for preparation of the supersaturated solution of calcium phosphate and the thin film of calcium phosphate crystal by using the solution

Номер патента: EP1129028A2. Автор: Soo-Jin Park,Yoon-Ji Kim,Hyun-Man Kim,Jea-Seung Ko. Владелец: Oscotec Inc. Дата публикации: 2001-09-05.

Method for preparation of the supersaturated solution of calcium phosphate and the thin film of calcium phosphate crystal by using the solution

Номер патента: EP1129028B1. Автор: Soo-Jin Park,Yoon-Ji Kim,Hyun-Man Kim,Jea-Seung Ko. Владелец: Oscotec Inc. Дата публикации: 2005-03-09.

Method for injection of dopant, n-type silicon single crystal, doping device and pulling device

Номер патента: DE112007001701T5. Автор: Shinichi Omura Kawazoe,Yasuhito Omura Narushima,Toshimichi Omura Kubota. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Generation of recombinant genes in prokaryotic cells by using two extrachromosomal elements

Номер патента: ZA200606110B. Автор: Radman Miroslav,MATIC Ivan,Marie-Agnes Petite,Rodriguez-Gomez Ana,Galic Tatjana. Владелец: Mixie France S A. Дата публикации: 2008-02-27.

Passivation method for measuring N-type silicon chip minority carrier life

Номер патента: CN102735510A. Автор: 张弛,熊震,付少永. Владелец: Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-17.

Developing solution used for distinguishing P-type silicon material and N-type silicon material and distinguishing method

Номер патента: CN105445262A. Автор: 王晓伟. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-30.

Method for selecting stem cells having ability to produce extracellular vesicles with high efficiency by using activity of protease-activated receptor-mediated signaling pathways

Номер патента: EP3964566A1. Автор: Yun Sil Chang,Won Soon Park,Dong Kyung SUNG. Владелец: SAMSUNG LIFE PUBLIC WELFARE FOUNDATION. Дата публикации: 2022-03-09.

System and method for object recognition utilizing reflective light blocking

Номер патента: CA3219510A1. Автор: Gregory W. Faris,Matthew Ian CHILDERS,Yunus Emre Kurtoglu,Garbis Salgian,Michael Piacentino,David Berends. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

System and method for object recognition utilizing reflective light blocking

Номер патента: EP4348592A1. Автор: Gregory W. Faris,Matthew Ian CHILDERS,Yunus Emre Kurtoglu,Garbis Salgian,Michael Piacentino,David Berends. Владелец: Stanford Research Institute. Дата публикации: 2024-04-10.

Composition for converting insulin precursor into insulin enzyme and method for converting insulin precursor into insulin by using same

Номер патента: EP3904373A1. Автор: Dongkyu Kim,Jinhwan Kim,Hyunuk Kim,Seungmin BYUN,Munjeong JO. Владелец: Polus Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Method for the automated calibration of a printing machine

Номер патента: US20190184722A1. Автор: Manfred Schneider,Alexander Knabe. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2019-06-20.

Bread comprising saccharified rice solution and method for preparing same

Номер патента: EP4094581A1. Автор: Jin Ho Seo,Sang Min Shim,Gyeong Min LEE,Young Ju Ban,Eun Hui Cho. Владелец: Spc Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Data structures and processing methods for highly scalable simulation platforms

Номер патента: US20210374310A1. Автор: Ilya Basin. Владелец: Noblis Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for acquiring location information of observation buoy reflecting influence of ocean current and method for assessing damage risk relating to spilled oil dispersion of sunken ship by using same location information

Номер патента: US20240140561A1. Автор: Tae Sung Kim,Moonjin LEE,Yong Myung KIM. Владелец: Korea Institute of Ocean Science and Technology KIOST. Дата публикации: 2024-05-02.

Acrylonitrile solutions of maleimides, method for preparation thereof, and acrylonitrile based copolymers obtained by use of the solutions

Номер патента: US6733693B1. Автор: Yuichi Kita,Kazuo Kishino,Fumioki Shimoyama,Kinichi Nakayama. Владелец: NIPPON SHOKUBAI CO LTD. Дата публикации: 2004-05-11.

Method for measuring properties of cold rolled thin steel sheet and apparatus therefor

Номер патента: US5467655A. Автор: Katsuhiro Kawashima,Takao Hyoguchi. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Method for automatically identifying global solar photovoltaic (PV) panels based on cloud platform by using remote sensing

Номер патента: US11734923B2. Автор: Shuai Wang,Haifeng Tian,Jiajun QIAO,Yaochen QIN,Xiaohao JIAO. Владелец: HENAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for automatically identifying global solar photovoltaic (pv) panels based on cloud platform by using remote sensing

Номер патента: US20230237794A1. Автор: Shuai Wang,Haifeng Tian,Jiajun QIAO,Yaochen QIN,Xiaohao JIAO. Владелец: HENAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for performing on-device learning of machine learning network on autonomous vehicle by using multi-stage learning with adaptive hyper-parameter sets and device using the same

Номер патента: EP3910563A1. Автор: Hongmo Je,Dongkyu Yu,Yongjoong Kim,SungAn GWEON. Владелец: Stradvision Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Method for setting a volume of liquid to be dispensed by using a function

Номер патента: LU501825B1. Автор: Johannes Köppern. Владелец: Dispendix GmbH. Дата публикации: 2023-10-10.

Cell preparation and method for producing cell preparation

Номер патента: US20190216856A1. Автор: Masato Kanazawa,Takayoshi SHIMOHATA. Владелец: Niigata University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Method for constructing strictly anaerobic salmonella, constructed strictly anaerobic salmonella and application thereof

Номер патента: EP4242296A1. Автор: Xuan GUO,Weiqi Lu,Chenli LIU,Zuowei WANG,Fangqian SHENG,Zhengyang ZENG. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2023-09-13.

Method and device for localization of autonomous vehicle for route planning by using attention-driven landmark detection

Номер патента: EP3690397A1. Автор: Kye-Hyeon Kim,Hak-Kyoung Kim,Sukhoon Boo,Myungchul Sung,Dongsoo Shin,Donghun Yeo,Wooju Ryu,Myeong-Chun Lee,Hyungsoo Lee,Taewoong Jang,Kyungjoong Jeong,Hongmo Je,Hojin Cho,Yongjoong Kim,Woonhyun Nam. Владелец: Stradvision Inc. Дата публикации: 2020-08-05.

Vent piece and manufacturing method for pneumatic tire

Номер патента: US20160151989A1. Автор: Yuichi Nakano,Naoki Sugiyama. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Method for Determining the Mass and the Centre of Mass of a Demountable Platform

Номер патента: US20200096381A1. Автор: Lauri Siivonen,Pasi Siren,Mikko Huova. Владелец: Cargotec Patenter AB. Дата публикации: 2020-03-26.

Saccharomyces cerevisiae mutant strains for producing sphingosine and sphingosine-1-phosphate and methods for producing same

Номер патента: EP4257693A1. Автор: Sung Jin Lee,Byung Jo Yu,In Seung JANG,Ji Yeon Jang. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for constructing strictly anaerobic salmonella, constructed strictly anaerobic salmonella and application thereof

Номер патента: US20240041945A1. Автор: Xuan GUO,Weiqi Lu,Chenli LIU,Zuowei WANG,Fangqian SHENG,Zhengyang ZENG. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2024-02-08.

Fibrous cellulose-containing material and method for producing same, dried fibrous cellulose and method for producing same, and fibrous cellulose composite resin and method for producing same

Номер патента: CA3104262A1. Автор: Ikko MATSUSUE. Владелец: Daio Paper Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

METHOD FOR PERFORMING MULTI-CACHING ON DATA SOURCES OF SAME TYPE AND DIFFERENT TYPES BY USING CLUSTER-BASED PROCESSING SYSTEM AND DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20220043821A1. Автор: YOU Jin Sang. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

ADSORBENT FOR ADSORBING IODINE COMPOUNDS AND/OR ANTIMONY, METHOD FOR PREPARING SAID ADSORBENT, AND METHOD AND APPARATUS FOR TREATING RADIOACTIVE WASTE LIQUID BY USING SAID ADSORBENT

Номер патента: US20180158558A1. Автор: Komatsu Makoto,Ito Tomohiko,Sakuma Takashi,IZUMI Takeshi,SHIBUYA Toru. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Method for making silicone hydrogel contact lenses

Номер патента: US20090146330A1. Автор: Frank Chang,Juergen Vogt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Method for making silicone hydrogel contact lenses

Номер патента: US8506856B2. Автор: Frank Chang,Juergen Vogt. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2013-08-13.

Catalyst for preparing 1,3-cyclopentanediol, method for preparing 1,3-cyclopentanediol using the same, and 1,3-cyclopentanediol prepared by using the same

Номер патента: KR20230019308A. Автор: 김준영,박기현,신미,정미혜,용다경,하지민. Владелец: 코오롱인더스트리 주식회사. Дата публикации: 2023-02-08.

Method for temporary assembly by welding strippable plates for a mechanical release device by stripping and assembly thus obtained.

Номер патента: FR2554523A2. Автор: Jean-Pierre Philipoussi. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1985-05-10.

Method for filling capsule body with tablet and device for filling capsule with tablet by using that filling method

Номер патента: WO2007132697A1. Автор: Hideo Okamoto,Tetsuhisa Ishida,Motohiro Yagyu,Ryota Kurimoto. Владелец: QualiCaps Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-11-22.

Adsorbent for adsorbing iodine compounds and/or antimony, method for preparing said adsorbent, and method and apparatus for treating radioactive waste liquid by using said adsorbent

Номер патента: CA2986717A1. Автор: Toru Shibuya,Takashi Sakuma,Makoto Komatsu,Takeshi Izumi,Tomohiko Ito. Владелец: Nihon Kaisui Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for obtaining related digital resources and method and apparatus for generating special topic by using method

Номер патента: CN105354182A. Автор: 叶茂,徐剑波,汤帜,任彩红,许茜. Владелец: Beijing Founder Apabi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-24.

BLADE, METHOD FOR APPLYING PRESSURE TO A SHEET USING SAID BLADE AND DATA CARRIER PRODUCED BY USING SAID BLADE

Номер патента: FR2977518B1. Автор: Olivier Bosquet,Mickael Huet. Владелец: Oberthur Technologies SA. Дата публикации: 2013-08-23.

PROCEDURE FOR MANUFACTURING AN OBJECT OF ELEMENTARY METAL, AS WELL AS OBJECT OBTAINED BY USING THIS PROCESS.

Номер патента: NL142419B. Автор: . Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1974-06-17.

Ultrasonic generator with adjustable ultrasonic focusing depth and method for treating obesity using focal distance control according to horizontal and vertical directions by using the same

Номер патента: US20210387023A1. Автор: Eun Ho Kim,Min Young Kim,Won Ju YI,Dong Hwan Kang,Kyun Tae Kim,Kwang Hee Moon,Su Yong Lee. Владелец: Jeisys Medical Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of feeding continuous strip, method of controlling the feed, and method and apparatus for manufacturing tube or vessel having outer flange portion on tubular portion by using the feed and feed control methods

Номер патента: KR100268357B1. Автор: 쇼지 다까하시,도시까쯔 마쯔야,요시아끼 이세. Владелец: 야마가따 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2000-10-16.

The Process for Manufacturing Zeolite with Hydrophobic Function Radical and Removing Method of Organism by use of Zeolite Obtained Therefrom

Номер патента: KR100315281B1. Автор: 이민수,이상률,오승호. Владелец: 코스모산업 주식회사. Дата публикации: 2001-11-26.

Method for preparing polylactic acid polymer

Номер патента: EP4349880A1. Автор: Yujin An,Wan Kyu Oh,Won Hee Woo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Apparatus and method for automatically generating image caption

Номер патента: US20230177854A1. Автор: Seung Ho Han,Ho Jin Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for multi-dimensional analysis of cell epigenomics

Номер патента: US20240018512A1. Автор: Yu Zhong,Yue Yuan,Liang Wu,Zihao Li,Chunqing Wang,Chuanyu LIU,Yaling Huang. Владелец: BGI Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for for manufacturing reinforcing fabric for a transmission belt

Номер патента: EP3263947B1. Автор: Toshihiro Nishimura,Taisuke Kimura,Masakuni Yoshida. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Systems and methods for modifying feed timing for image receiving media in an image forming device

Номер патента: US20090180787A1. Автор: Henry T. Bober. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Method for amplitude estimation with noisy intermediate-scale quantum computers

Номер патента: US11593697B2. Автор: Anupam Prakash,Iordanis Kerenidis. Владелец: QC Ware Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Method for preparing uniform spheroidized polyamide powder for selective laser printing

Номер патента: NL2034355B1. Автор: LI Ying,Wu Jian,Xue Tao,LIANG Yin,Yu Yunfeng,Gu Wenquan,Wu Zehong,Sun Maoyin. Владелец: Guizhou Inst Of Metallurgy&Chemical Engineering. Дата публикации: 2023-10-25.

System, device, and method for mitigating bacterial biofilms associated with indwelling medical devices

Номер патента: US20230381352A1. Автор: Brian Murphy. Владелец: NanoVibronix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for preparing an optical ZnS material from zinc and sulfur raw material sources by using a feeding device to replenish the sulfur raw material source

Номер патента: US11746438B2. Автор: Xu Zhang,Xun Qian,Cunxin Huang,Hongtao Xiao,Kehong Zhang. Владелец: Sinoma Synthetic Crystals Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for operating an analyzer, cartridge and analyzer

Номер патента: US20230191407A1. Автор: Mark Keller,Frank Schwemmer,Thomas Van Oordt,Oliver Strohmeier. Владелец: SpinDiag GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for amplitude estimation with noisy intermediate-scale quantum computers

Номер патента: US20210287126A1. Автор: Anupam Prakash,Iordanis Kerenidis. Владелец: QC Ware Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for amplitude estimation with noisy intermediate-scale quantum computers

Номер патента: EP4115357A1. Автор: Anupam Prakash,Iordanis Kerenidis. Владелец: QC Ware Corp. Дата публикации: 2023-01-11.

Method for amplitude estimation with noisy intermediate-scale quantum computers

Номер патента: WO2021183220A1. Автор: Anupam Prakash,Iordanis Kerenidis. Владелец: QC Ware Corp.. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for enzyme recovery in biofuel production process

Номер патента: WO2015079117A1. Автор: Michael Recktenwald,Ilkka VIRKAJÄRVI,Krister Eskilsson,Jesper Berner. Владелец: KEMIRA OYJ. Дата публикации: 2015-06-04.

Method for disrupting mating of Tuta absoluta

Номер патента: EP2465349A3. Автор: Takehiko Fukumoto,Naoki Ishibashi,Yuki Miyake,Fumiaki Mochizuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-03.

Method for detecting fault of oil temperature sensor for automatic transmission

Номер патента: WO2005066525A1. Автор: Young-Sun Choi,Sung-Teag Cho,Yoon-Sang Yoon,Hyong-Kyu Kim,Jang-Sun Sim. Владелец: KEFICO CORPORATION. Дата публикации: 2005-07-21.

Novel amidase, gene for the same, vector, transformant, and method for production of optically active carboxylic acid amide and optically active carboxylic acid by using any one of those items

Номер патента: US20130059348A1. Автор: Naoaki Taoka,Tozo Nishiyama,Daisuke Moriyama,Masutoshi Nojiri. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2013-03-07.

A METHOD FOR RECOVERING ALKALI AND ALUMINUM IN COURSE OF TREATMENT OF BAYER RED MUD BY USING CALCIFICATION-CARBONATION METHOD

Номер патента: US20170036920A1. Автор: Liu Yan,Zhu Xiaofeng,DOU Zhihe,ZHANG Tingan,LV Guozhi,ZHANG Zimu. Владелец: NORTHEASTERN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-09.

METHOD FOR COATING THIN FILM IN ROLLING MANNER AND APPARATUS FOR COATING THIN FILM BY USING THE SAME

Номер патента: US20180078966A1. Автор: Kim Taek-Soo,KANG Sumin. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-03-22.

Device and method for cleaning and for regenerating an image carrier during electrographic printing or copying by using liquid ink

Номер патента: US6876833B2. Автор: Volkhard Maess,Martin Berg,Martin Schleusener. Владелец: Oce Printing Systems GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-04-05.

Method for improving capability of endives for removing cadmium from heavy-metal-polluted soil by using fertilization and harvesting techniques

Номер патента: CN105750314A. Автор: 曾清如,陈璘涵,周细红. Владелец: Hunan Agricultural University. Дата публикации: 2016-07-13.

Method for agglomerating tantalum powder with ultra-high specific volume, and tantalum powder prepared by using method

Номер патента: WO2015081508A1. Автор: 郑爱国,程越伟,杨国启,张静. Владелец: 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心. Дата публикации: 2015-06-11.

Method for filling capsule body with tablet and device for filling capsule with tablet by using that filling method

Номер патента: US20090241482A1. Автор: Hideo Okamoto,Tetsuhisa Ishida,Motohiro Yagyu,Ryota Kurimoto. Владелец: Qualicaps Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

N-type silicon producing method

Номер патента: SU747403A3. Автор: ХААС Эрнст,Платцедер Карл,Райнфельдер Ханс-Эрих,Шнеллер Манфред. Владелец: Сименс Аг (Фирма). Дата публикации: 1980-07-23.

Synthesis method for preparing lithium ion battery composite cathode material with olivine lattice defect structure by using rheological phase method

Номер патента: CN102683642A. Автор: 黄楷斌,费定国,林逸全,卓永达. Владелец: BATTERY ENERGY TECHNOLOGY Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

PUMPING METHOD FOR ARTIFICIAL REINK OF TWO LIQUIDS IN EQUAL QUANTITIES AND PUMPING DEVICE BY APPLYING

Номер патента: FR2605228A1. Автор: Jean-Loup Coriial. Владелец: Hospal Industrie SAS. Дата публикации: 1988-04-22.

Fluid e.g. cooling fluid, passages connecting device manufacturing method for motor vehicle, involves over-molding ring on body of connecting device by injecting elastomer thermoplastic material of joint from exterior of body via opening

Номер патента: FR2922475A1. Автор: Bernard Dumoulin. Владелец: MGI Coutier SA. Дата публикации: 2009-04-24.

Method for erasing memory cell of type FAMOS and corresponding memory-cell device, by electrical means

Номер патента: FR2823363A1. Автор: Richard Fournel,Cyrille Dray,Daniel Caspar. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-10-11.

Method for Calculating Depth of Defect Determined by System for Inspecting Defects of Structure By Use of X-ray

Номер патента: KR102350069B1. Автор: 이우상. Владелец: 주식회사 네프. Дата публикации: 2022-01-14.

ENHANCED n TYPE SILICON MATERIAL FOR EPITAXIAL WAFER SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: WO2001006545A3. Автор: Fritz G Kirscht,Peter D Wildes,Volker R Todt,Nobuo Fukuto,Boris A Snegirev,Seung-Bae Kim. Владелец: Mitsubishi Silicon America. Дата публикации: 2001-05-17.

Headrest and methods for preventing drink-driving and for receiving incoming calls with a cell phone by using the headrest

Номер патента: WO2011037368A2. Автор: 신용수,허치영. Владелец: 허인영. Дата публикации: 2011-03-31.

Device and method for supporting and guiding a traction cable of a vehicle transport device by means of a cable

Номер патента: CN112537324A. Автор: S.梅萨欧德,S.瓦拉耶,S.库杜里尔. Владелец: Poma SA. Дата публикации: 2021-03-23.

Method for quantitatively evaluating crushing resistance and wear resistance of iron alloy for steelmaking by using rotary drum

Номер патента: CN111610305A. Автор: 王敏,包燕平,王仲亮. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2020-09-01.

Coated fabric of a polyester fiber and a method for preparation thereof

Номер патента: US5266354A. Автор: Masami Ikeyama,Ikuko Nakabe,Syunroku Tohyama. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1993-11-30.

Apparatus and method for preventing mollusk infestation in residential water systems

Номер патента: CA2179455C. Автор: John Turner Long. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-10.

N-type silicon substrate based back contact type HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer) solar cell structure and preparation method thereof

Номер патента: CN102931269A. Автор: 程亮,张春艳,徐振华,任现坤,贾河顺,马继磊,姜言森,孙继峰. Владелец: Linuo Solar Power Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Enhanced n-type silicon material for epitaxial wafer substrate and method of making same

Номер патента: US6491752B1. Автор: Fritz G. Kirscht,Nobuo Fukuto,Seung-Bae Kim,Peter D. Wildes,Volker R. Todt,Boris A. Snegirev. Владелец: Sumco Oregon Corp. Дата публикации: 2002-12-10.

Method for preparing pig O-type foot-and-mouth disease synthetic peptide antigen 2800 by using solid-phase fragment method

Номер патента: CN104311673A. Автор: 张震,姬明放. Владелец: Shen Lian Biological Medicine (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-28.

Method for preparing DSA electrode by hydrothermally growing RuO2 or IrO2 on titanium surface by using seed crystal method

Номер патента: CN114369824B. Автор: 孙伟,黄薇薇,廖建军,葛成军,黄一伦,胡煜玲,杜淦,高涵清. Владелец: Hainan University. Дата публикации: 2023-03-14.

Device and method for separating lead, antimony slag and alkaline liquor from lead-refined alkali slag by using one-step method

Номер патента: CN102329965A. Автор: 张保兴. Владелец: JIESHOU CITY JUNMA INDUSTRY AND TRADE Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Method for immobilizing self-organizing material or fine particle on substrate, and substrate manufactured by using such method

Номер патента: US7829546B2. Автор: Takuya Matsumoto,Tomoji Kawai,Yoichi Otsuka,Hitoshi Tabata,Fumihiko Yamada. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2010-11-09.

Method for determining effective conditions for evaluating biogenic source constitution of hydrocarbon source rock by using n-alkanes

Номер патента: CN108169179B. Автор: 刘涛,王文慧,陈治军,常甜甜,王小多,高怡文,贺永红,赵春晨,韩长春,李科社,任来义,马芳侠,刘护创,孟江辉,潘宾锋,白晓寅. Владелец: Shaanxi Yanchang Petroleum Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-23.

Device and method for cleaning and for regenerating an image carrier during electrographic printing or copying by using liquid ink

Номер патента: US20030170057A1. Автор: Volkhard Maess,Martin Berg,Martin Schleusener. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Method for processing oil palm trunks and oil palm jointed plate decorative board prepared by using same

Номер патента: MY175836A. Автор: Zhaoyong Liang. Владелец: Foshan Gaoming Ying Xing Woods Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-13.

System and a method for cleaning a device

Номер патента: US11858001B2. Автор: Edward HÆGGSTRÖM,Timo Rauhala,Petro Moilanen,Ari Salmi,Kasper PETERZÉNS. Владелец: ALTUM TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for calibrating and correcting the scanning distortion of an optical coherence tomography system

Номер патента: US20140107960A1. Автор: Susana Marcos Celestino,Carlos DORRONSORO DÍAZ,Sergio Oritz Egea,Damian SIEDLECKI. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 2014-04-17.

A system and a method for cleaning a device

Номер патента: WO2020240086A1. Автор: Edward HÆGGSTRÖM,Timo Rauhala,Petro Moilanen,Ari Salmi,Kasper PETERZÉNS. Владелец: ALTUM TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for measuring degree of recrystallization of zirconium alloy cladding tube for nuclear fuel by using ebsd pattern quality

Номер патента: EP3712601A4. Автор: Yoon Ho Kim,Hun Jang,Tae Sik JUNG,Yong Kyoon Mok,Chung Yong Lee. Владелец: Kepco Nuclear Fuel Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-11.

Method for the preparation of anhydrous hydrogen halides, inorganic substances and/or inorganic hydrides by using as reactants inorganic halides and reducing agents

Номер патента: US20140070137A1. Автор: Gregorio Tarancon Iii. Владелец: Midwest Inorganics LLC. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for purifying food and meat processing facility liquids and process or waste waters by using a combination of metal salts and a flocculant to coagulate and then flocculate contaminants from a contaminated liquid

Номер патента: US20190202720A1. Автор: Kim Andrew,OWEN David,Duffy Jim,Juranek Paul,McKenna Phil. Владелец: Fife Water Services, Inc.. Дата публикации: 2019-07-04.

METHOD FOR PRODUCING BIS(FLUOROSULFONYL)IMIDE LITHIUM SALT (LIFSI) WITH REDUCED FLUORINE ANION CONTENT BY USING ALKOXY TRIALKYL SILANE

Номер патента: US20210347639A1. Автор: Kang Dong Wook,CHU Mingi,KIM Jeong In,LEE Seok Ju,LEE Sang Ryul,KIM Kyoung Chol,PARK Ja Young,KIM Ji Hyeong,JANG Jongyun,LEE Seongjeong. Владелец: DAEGU CATHOLIC UNIVERSITY INDUSTRY ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2021-11-11.

METHOD FOR ACCELERATED FORMATION AND RESTORATION OF THE CAPACITY OF CLOSED NICKEL-CADMIUM BATTERIES BY USING A CHARGE ASYMMETRIC CURRENT

Номер патента: RU2009112766A. Автор: Георгий Павлович Сметанкин,Александр Сергеевич Бурдюгов,Сергей Семенович Матекин,Татьяна Владиславовна Плохова,Георгий Павлович Сметанкин (RU),Александр Сергеевич Бурдюгов (RU),Сергей Семенович Матекин (RU),Татьяна Владиславовна Плохова (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт электровозостроения" (ОАО ". Дата публикации: 2010-10-20.

SURFACE MODIFICATION METHOD FOR TiO2 SiO2 HYBRID COATING BY ION BEAM MIXING AND LAMINATE STRUCTURE MANUFACTURED BY USING SAME

Номер патента: KR102039996B1. Автор: 맹완영. Владелец: 한국원자력연구원. Дата публикации: 2019-11-04.

Methods for producing starch selenium polysaccharide and selenium-rich pre-gelatinized nutritional rice paste by using pulsed electric fields

Номер патента: CN106036394A. Автор: 曾新安,韩忠,洪静. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2016-10-26.

Method for evaluating temperature and humidity state of environment where nursery pig individual grows by using blood biochemical indexes

Номер патента: CN111292799A. Автор: 王荃,高驰,印遇龙,冯泽猛,吴永娟,张大城,崔昕昕. Владелец: Institute of Subtropical Agriculture of CAS. Дата публикации: 2020-06-16.

Processing method for recovering and processing PET (polyethylene glycol terephthalate) waste film in compounding way by using twin-screw extrusion melting

Номер патента: CN102642312A. Автор: 裘大洪,吴金錶,陈八弟. Владелец: FUJIAN BAIHONG HIGH AND NEW MATERIAL INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-22.

Method for extracting electrolytic zinc from oxide material containing less than 20% of zinc by using waste acid in titanium white plant

Номер патента: CN101974682A. Автор: 邓少彬,徐略晟,徐硕劭. Владелец: Panzhihua Shuosheng Industry & Trading Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-16.

Method for determining the amount of a subject to be measured in a sample by using an oxidation-reduction reaction

Номер патента: KR100601272B1. Автор: 고모리츠구키,요네하라사토시. Владелец: 아크레이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-07-13.

Method for treating waste incineration fly ash and preparing solid waste base gel material by using same

Номер патента: CN113526896B. Автор: 董凯,王健,朱荣,刘晓明,王志刚,薛阳,倪文,王俊英,朱国辉,郝先胜,张思奇,姜永钢. Владелец: Tangshan Hexing Waste Material Integrated Utilization Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-29.

Method for evaluating temperature and humidity state of environment where nursery pig individual grows by using blood metabolites

Номер патента: CN111208233A. Автор: 曹忠,王荃,高驰,印遇龙,冯泽猛,张大城,高运苓,叶仑. Владелец: Institute of Subtropical Agriculture of CAS. Дата публикации: 2020-05-29.

Method for updating gis numerical map of surveying information of structural facilities along road by using vehicle with gps receiver and laser measuring instrument

Номер патента: KR100581233B1. Автор: 이우호. Владелец: (주)하이컴. Дата публикации: 2006-05-18.

Method for batch preparation of carbon/carbon composite material flat plate with uniform density by using confined reactor

Номер патента: CN108558427B. Автор: 孙威,曾毅,张红波,王雅雷,熊翔,陈招科. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-13.

Method for increasing content and gene expression of aromatic substance in fruits and vegetables by using hydrogen rich water

Номер патента: WO2022053037A1. Автор: 曾艳,王曙,刘宇昊,沈文飚,李龙娜,尚达·M,承旭. Владелец: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司. Дата публикации: 2022-03-17.

METHOD FOR PRODUCING Ni-BASED HEAT-RESISTANT ALLOY WELDING JOINT AND WELDING JOINT OBTAINED BY USING THE SAME

Номер патента: KR101809360B1. Автор: 히로유키 히라타,가나 조토쿠,히데노리 오가와,도시히데 오노,가츠키 다나카. Владелец: 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤. Дата публикации: 2017-12-14.

Methode for preparing zeolite film of which at least one crystalliine axis is oriented by using steam without synthetic gel

Номер патента: KR101421357B1. Автор: 윤경병,카오 탄 툼 팜. Владелец: 서강대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-07-18.

Method for preparing of porous organic-inorganic composite and porous organic-inorganic composite prepared by using the same

Номер патента: KR102129821B1. Автор: 김지은,이두환,이승주. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-07-03.

Method for catalytic synthesis of (S) -1- (2, 6-dichloro-3-fluoro-phenyl) ethanol by using immobilized double enzymes

Номер патента: CN108285908B. Автор: 沈超,陈鑫鑫,章鹏飞,王安明. Владелец: Hangzhou Normal University. Дата публикации: 2021-02-09.

Method for operating drive train of e.g. motor car, involves increasing starting torque by using mechanical rotor torque of electric machine such that friction clutch switched between machine and output shaft is operated

Номер патента: DE102010028025A1. Автор: Dr. Kaltenbach Johannes. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2011-10-27.

Method for preparing metallurgical-level aluminum oxide by treating medium- and low-grade bauxite by using one-step alkali heat process of andradite

Номер патента: WO2018233686A1. Автор: 于海燕,吴艳,潘晓林,毕诗文. Владелец: 东北大学. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for cooperatively treating heavy metal polluted soil containing zinc, chromium and the like by using rotary kiln

Номер патента: CN114951249A. Автор: 黄慧,陈世勇,李梦婷,李贤明,谭龙辉,胡孝武. Владелец: Hunan Boe Environment Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-30.

Method for treating wastewater from industry of spinning acrylics thrugh two steps wet processes by using sodium thiocyanate as solvent

Номер патента: CN1539766A. Автор: 宋建军,王国华,吴平,周军,孙国华,军 周,任周鸣,俞剑均. Владелец: Sinopec Shanghai Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-27.

Device and method for solving problem of hole blockage of thermal barrier coating of turbine blade by using array water jet

Номер патента: CN109648651B. Автор: 郭超,刘壮,高长水,谢天海. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2020-07-07.

Method for analyzing fetus gene information from blood or blood plasma of pregnant woman by using digital pcr

Номер патента: WO2016003047A1. Автор: 이승용,김승준,황승용,김지훈,연종필. Владелец: 바이오코아 주식회사. Дата публикации: 2016-01-07.

Method for estimating rotational inertia of large-inertia rotating component of satellite in orbit by using satellite attitude measurement information

Номер патента: CN112550765A. Автор: 徐鹏,张子龙,彭瑞,聂章海,陆琳,陆丹萍,徐梓尧,鲁启东,左志丹. Владелец: SHANGHAI AEROSPACE CONTROL TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2021-03-26.

Method for preparing high-flux high-rejection-rate aromatic polyamide composite reverse osmosis membrane by using tannic acid modified base membrane

Номер патента: CN109647222A. Автор: 王志,王纪孝,赵颂,时孟琪,魏新渝. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-19.

System and method for improving inlet air temperature and fuel calorific value of garbage power station by using geothermal energy

Номер патента: CN113217940B. Автор: 王兴,赵杰,张继红,杨可,王伟锋,陈会勇,薛志恒,黄普格,邢乐强. Владелец: Xian Thermal Power Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-30.

Method for generating power and desalting seawater or bitter saline water at same time by using ceramic solar panel

Номер патента: CN101891267A. Автор: 蔡滨,许建华,曹树梁,王启春,石延岭,许建丽,修大鹏,杨玉国,谷胜利,孙启正,赵之彬. Владелец: 曹树梁. Дата публикации: 2010-11-24.

Method for preparing metallurgical-level aluminum oxide by treating bayer process-based red mud by using one-step alkali heat process of andradite

Номер патента: WO2018233689A1. Автор: 于海燕,吴艳,潘晓林,毕诗文. Владелец: 东北大学. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for realizing site-specific integration of multiple large-fragment DNAs in mammalian cells by using ZFN (zero-forcing transcription)

Номер патента: CN107217074B. Автор: 刘小红,黄翔,刘小凤,陈瑶生,何祖勇. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-07-02.

Method for flotation separation of iron oxide ore in cassiterite sulphide ore mud ore by using combined inhibitor

Номер патента: CN111438001A. Автор: 张慧,张翔,王烨,仇云华,温晓娜. Владелец: Yunnan Tin Industry Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2020-07-24.

Method for improving content of total acid esters and reducing sugar in table vinegar by using high-ester-yield indigenous aroma-producing yeast enhanced Daqu

Номер патента: CN106701519B. Автор: 陈红梅,李宝霞,张也,王媛慧,朱芷葳,王如福,霍乃蕊,侯红萍,武朝霞,唐中伟. Владелец: Shanxi Agricultural University. Дата публикации: 2020-05-22.

Prediction device and method for predicting functional effect and deleteriousness of amino acid or nucleic acid mutation by using probabilistic graphical model

Номер патента: KR101990579B1. Автор: 김동섭,손정태,정찬석. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2019-06-18.

Method for improving efficacy of animal and plant raw material traditional Chinese medicine enzyme by using fermentation technology

Номер патента: CN112167623A. Автор: 刘建军,谢小青,甘小晏. Владелец: Xiantao Yuankang Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

Method for producing thin medium-carbon hot-rolled steel plate with good surface quality by using CSP (cast Steel plate)

Номер патента: CN110317995B. Автор: 刘洋,王成,汪水泽,蔡珍,谭佳梅,孙宜强,甘晓龙. Владелец: Wuhan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-25.

METHOD FOR ENERGY GENERATION BASED ON DISPOSAL OF ENERGY OF SURFACE WAVES OF RESERVOIRS BY USING GYROSCOPIC EFFECTS

Номер патента: RU2019138338A. Автор: Светлана Николаевна Пелипенко,Николай Николаевич Кованцев. Владелец: Николай Николаевич Кованцев. Дата публикации: 2020-04-06.

Device and method for improving function of CH4 production by UASB and removal rate of phosphate by using zero-valent iron

Номер патента: CN101250004A. Автор: 张颖,徐慧,史荣久. Владелец: Institute of Applied Ecology of CAS. Дата публикации: 2008-08-27.

Method for casting tundish of small square billet continuous casting machine of steelmaking enterprise by using fixed diameter nozzle

Номер патента: CN108326251B. Автор: 吴军,陈刚,郭鹏,郭庆华,李立民,徐栋,秦军,吾塔,卜志胜,汤新彦,孙学刚,孙利斌. Владелец: Xinjiang Bayi Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-01.

Catalyst having molecular sieve as base and method for selectively hydrogenating and isomerizing linear chain and/or slightly branched long paraffin by using the catalyst

Номер патента: JPH10249206A. Автор: Eric Benazzi,Christian Marcilly,Marchal Nathalie George,ベナジ エリック,マルシリ クリスチャン,ジョルジュ マルシャル ナタリー. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 1998-09-22.

Method for improving selectivity and extraction of sulfide nickel ores flotation that contain pyrrotine by using synergy of multiple depressors

Номер патента: RU2633465C2. Автор: Цзе Дун,Маньцю СЮЙ. Владелец: Вале С.А.. Дата публикации: 2017-10-12.

Method for decreasing a lethality rate as a result of a static heart failure by using carvedilol

Номер патента: RU2197242C2. Автор: Мэри Энн ЛУКАС-ЛАСКИ,Роберт мл. РУФФОЛО,Найл ШУСТЕРМАН,Гисберт ШПОНЕР,Клаус ШТРАЙН. Владелец: Берингер Маннгейм Фармасьютикалз Корпорейшн Смитклайн Бичам Корпорейшн Лимитед Партнершип № 1. Дата публикации: 2003-01-27.

Method for testing printed circuit board, involves approaching predetermined position on or in workpiece by using test pin arranged at support, and changing position of test pin with respect to support through active polymers

Номер патента: DE102012111215A1. Автор: Stefan Werner,Michael Konrad. Владелец: KONRAD GMBH. Дата публикации: 2014-06-05.

Oleaginous yeast yarrowia lipolytica sur2 mutant strain and method for producing and secreting, onto cell surfaces, sphingoid-based precursors, sphingosine and sphingolipids by using same

Номер патента: WO2023003350A1. Автор: 강현아,문혜연,박해은,신서현. Владелец: 중앙대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for selecting stem cells having ability to produce extracellular vesicles with high efficiency by using activity of protease-activated receptor-mediated signaling pathways

Номер патента: EP3964566A4. Автор: Yun Sil Chang,Won Soon Park,Dong Kyung SUNG. Владелец: SAMSUNG LIFE PUBLIC WELFARE FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-28.

Cubic silicon carbide film manufacturing method, cubic silicon carbide film-attached substrate manufacturing method, and power device by use of the cubic silicon carbide film

Номер патента: US20150275394A1. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Article with silicon carbide coating and method for manufacturing of article with silicon carbide coating

Номер патента: RU2684128C1. Автор: Алексей Викторович Редьков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Александр Сергеевич Гращенко,Генадий Викторович Святец,Сергей Дмитриевич Федотов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-04.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286616C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for producing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for suppressing introduction of dislocation into aluminum nitride growth layer

Номер патента: US20230392282A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara,Taku Murakawa. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for manufacture of items from reactive-sintered composite material

Номер патента: RU2747499C1. Автор: Владимир Евгеньевич Низовцев,Александр Константинович Климов,Михаил Иванович Ступеньков,Денис Александрович Климов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2021-05-05.

Method for manufacturing heat-resistant composite material

Номер патента: US09822445B2. Автор: Takeshi Nakamura,Noboru Sato,Masato Ishizaki,Yasuyuki Fukushima,Hidetoshi Sugiura,Takeshi Momose,Kenji FUCHIGAMI,Kozue HOTOZUKA,Yukihiro Shimogaki,Yuichi FUNATO. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for manufacturing honeycomb structure containing silicon carbide

Номер патента: US12103856B2. Автор: Keisuke Kimura,Suguru KODAMA,Taku Nishigaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160340796A1. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Cutting device made from polycrystalline diamond and carbide and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2668353C2. Автор: Цзе ЧЖЭН,Вэньтин Чэнь,Цюаньшэн Сун,Ань Чжэн. Владелец: Ухань Ритек Даймонд Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-09-28.

Silicon carbide powder, method for manufacturing the same and silicon carbide sintered body, method for manufacturing the same

Номер патента: US09840420B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Opening device, method for manufacturing such an opening device and packaging material for use in said method

Номер патента: RU2669275C2. Автор: Торбьерн АНДЕРССОН,Пер РЮДБЕРГ,Пер АНДЕРССОН,Пер ОЛЬССОН,Йеран ЙОХАНССОН,Маттиас ЛЕННАРТССОН. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2018-10-09.

Method for preparing carbide protective layer

Номер патента: US20240239712A1. Автор: Chuen-Ming Gee,Chih-Hsing Wang,Chih-Wei Kuo,jun-bin Huang,Hsueh-I Chen,Cheng-Jung Ko,Ying-Tsung Chao. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for preparing carbide protective layer

Номер патента: US12084388B2. Автор: Chuen-Ming Gee,Chih-Hsing Wang,Chih-Wei Kuo,jun-bin Huang,Hsueh-I Chen,Cheng-Jung Ko,Ying-Tsung Chao. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for modification of silicon carbide

Номер патента: RU2600065C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Виталий Сергеевич Лифанов,Вера Павловна Шабанова,Никита Викторович Писарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-10-20.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Silicide joint and method for manufacturing the same

Номер патента: US7807269B2. Автор: Saburo Sano,Akihiro Tsuzuki,Mari Miyano. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2010-10-05.

Ingot, silicon carbide substrate, and method for producing ingot

Номер патента: US9546437B2. Автор: Makoto Sasaki,Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Silicide joint and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080176087A1. Автор: Saburo Sano,Akihiro Tsuzuki,Mari Miyano. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2008-07-24.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Method for manufacturing the absorbent component and method for manufacturing the absorbent product

Номер патента: RU2750537C1. Автор: Томоюки МОТЕГИ,Рюдзи МАЦУНАГА,Такуаки ХАРАДА,Юки КАТО,Хироюки ИВАСА. Владелец: КАО КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-06-29.

Method for preparing alkyd oligomers and alkyd lacquer containing alkyd oligomer

Номер патента: RU2285705C1. Автор: Андрей Николаевич Утробин,Игорь Викторович Казеннов,Генрих Маркович Цейтлин,Юрий Петрович Кобзев,Екатерина Евгеньевна Казакова,Михаил Васильевич Клубникин. Владелец: Открытое акционерное общество "Пигмент". Дата публикации: 2006-10-20.

Method for producing single crystal sic

Номер патента: RU2761199C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Александр Владимирович Марков,Наталья Владимировна Андреева,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2021-12-06.

Method for manufacturing multi-functional bio-material conjugate using two kinds of particle, and multi-functional bio-material conjugate manufactured by means of same

Номер патента: US09880162B2. Автор: Min-Gon Kim,Hyou-Arm Joung,Ju Young BYUN,Yun Ju Sung,Young-Kyoung Oh. Владелец: Korea Research Institute of Bioscience and Biotechnology KRIBB. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide powder and method for manufacturing the same

Номер патента: US09534316B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han,Bum Sup Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Catalyst for preparing phosgene and method for preparing phosgene using the same

Номер патента: US09399582B2. Автор: Yu Yao,Lei Wang,Bin Chen,Weiqi Hua,Hongke Zhang,Wuxi Luo,Liangfeng SHAO. Владелец: Wanhua Chemical Ningbo Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for manufacturing a one-piece lining of an upper supporting garment section

Номер патента: RU2658817C1. Автор: Елена Георгиевна Андреева,Галина Петровна Зарецкая,Марина Анатольевна Гусева,Татьяна Васильевна Мезенцева,Олег Вячеславович Кащеев,Асмик Араевна Симонян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет им. А.Н. Косыгина (Технологии. Дизайн. Искусство)". Дата публикации: 2018-06-22.

Method for evaluating spectacle lenses, method for calculating spectacle lenses, method for manufacturing spectacle lenses, system for spectacle lenses manufacturing and spectacle lenses

Номер патента: RU2442125C2. Автор: Тетсума ЯМАКАДЖИ. Владелец: Хойа Корпорейшн. Дата публикации: 2012-02-10.

Method for obtaining silicon carbide

Номер патента: RU2767270C1. Автор: Владимир Николаевич Старовойтов,Виктор Юрьевич Пиирайнен,Кирилл Борисович ИГНАТЬЕВ. Владелец: Кирилл Борисович ИГНАТЬЕВ. Дата публикации: 2022-03-17.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US20240254656A1. Автор: Hiroki Takaoka,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing master mold, master mold manufactured thereby, method for manufacturing transparent photomask, transparent photomask manufactured thereby, and method for forming conductive mesh pattern using transparent photomask

Номер патента: US09880461B2. Автор: Bu Gon Shin,Jeongho Park,Jinmi JUNG,Yujin Jeong. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Pellicle and method for manufacturing the same

Номер патента: US09864270B2. Автор: Chi-Ming Yang,Tsiao-Chen Wu,Yun-Yue Lin,Chih-Cheng Lin,Chyi Shyuan Chern,Jeng-Shin Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for production of silicon carbide

Номер патента: RU2747988C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2021-05-18.

Method for semifinished products manufacture for metal composite material production

Номер патента: RU2610189C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Денис Викторович Сидоров,Денис Вячеславович Гращенков,Андрей Александрович Шавнев,Виктория Михайловна Серпова,Елена Игоревна Курабаткина,Александр Николаевич Жабин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2017-02-08.

Method and device for manufacturing tyre tread

Номер патента: RU2747529C2. Автор: Марко РУППРЕХТ,Йёрг РАЙНЕФАЛЬ. Владелец: Крауссмаффай Берсторфф Гмбх. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of hardening an interface of carbon material using nano silicon carbide coating

Номер патента: US20120210823A1. Автор: Young Woo Park,Eun Sun Kim,Young Hee Lee,Kang Pyo So. Владелец: Dayou Smart Aluminium Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US12071709B2. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing micro-structure catalytic combustion type gas sensor, and gas sensor using the micro-structure catalytic combustion gas sensor

Номер патента: WO2005078422A1. Автор: Won-Bae Lee. Владелец: SEJU ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2005-08-25.

Method for manufacturing color filter and color filter manufactured by using the same

Номер патента: WO2008123661A1. Автор: Sung-Hyun Kim,Dae-Hyun Kim,Dong-Chang Choi,Ho-Chan Ji,Geun-Young Cha,Kyung-Soo Choi,Hyun-Sik Kim,Jae-Joon Kim,Mi-Ae Kim,Min-A Yu,Mi-Kyoung Kim. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2008-10-16.

Method for manufacturing carbon nanotubes

Номер патента: US20100196248A1. Автор: Jongchul Park,Ick-Soo Kim,Byoung-Suhk Kim,Kazuchika Ohta. Владелец: Finetex Ene Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Silicon carbide seed crystal

Номер патента: US20240262084A1. Автор: Ray-Hua Horng,Ying-Ru Shih,Tsung-Po Chuang,Chai-Wei Ku. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing an enclosure of electronic equipment and an enclosure of electronic equipment

Номер патента: WO2006070053A1. Автор: Jussi Talonen. Владелец: Jussi Talonen. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for production of composite materials

Номер патента: RU2637550C2. Автор: Максим Викторович Ефанов,Вадим Владимирович Коньшин,Антон Николаевич Афаньков,Александр Анатольевич Беушев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Югра-Биотехнологии". Дата публикации: 2017-12-05.

A Method for Silicon Carbide Slip Casting and Sintering

Номер патента: LU102184B1. Автор: Changqing Li,Yansong Li,Baoliang Liu. Владелец: Univ Guangdong Petrochem Tech. Дата публикации: 2021-05-12.

Article and method for manufacturing same

Номер патента: EP4364946A1. Автор: Danit PELEG. Владелец: Moon Creative Lab Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Method for preparing coated substrates coated substrate and the use thereof

Номер патента: CA3226826A1. Автор: Michael Lang,Christian Reimann,Kevin Schuck. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-02-09.

Article and method for manufacturing the article

Номер патента: US20240286362A1. Автор: Danit PELEG. Владелец: Moon Creative Lab Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Cookware made of sintered high-performance material and method for its production

Номер патента: US20240260776A1. Автор: Fritz Wiehofsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing polarizer and polarizer manufactured by the same

Номер патента: US20160216422A1. Автор: Jin Yong Park,Ji Young Kim,Hye Min Yu,Eungki Lee,Taek Geun NAM,Kyun II Rah. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Apparatus and method for manufacturing fibrous web, fibrilla fiber aggregate, or nonwoven fabric, and fibrous web, fibrilla fiber aggregate, or nonwoven fabric manufactured thereby

Номер патента: US12084798B2. Автор: Jin Su Kim,Hye Sung Yoon. Владелец: Samyang Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon carbide joint and metal penetration connection method therefor

Номер патента: EP4421053A1. Автор: Yongdong Zhang,Xiansheng ZHANG,Qisen REN,Yehong LIAO,Lixiang Wu,Jiaxiang XUE,Jianhan ZHAI. Владелец: China Nuclear Power Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Crystalline silicon carbide fiber and method for manufacturing same, and ceramic composite substrate

Номер патента: US12060302B2. Автор: Hideki Ozawa,Hiroyuki Yamaoka,Yuusuke TOMINAGA,Kouichirou Suyama,Mao SUMINO. Владелец: Ube Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing carbon fiber component and carbon fiber component manufactured by using this method

Номер патента: US09868234B2. Автор: Jiao Yu,Dahai Dong,Chengwen Hu. Владелец: Huawei Device Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US09863060B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Shou Takashima,Yuuichi Miyahara,Yasuhiko Sawazaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for fabrication of oxide fuel pellets and the oxide fuel pellets thereby

Номер патента: US09847145B2. Автор: Ho-Dong Kim,Hee-Sung Shin,Sang Ho Na,Dae-Yong Song,Bo-Young Han,Hee Seo,Byung-Hee Won,See-Hwan Park. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for preparation of charge for the production of silicon carbide

Номер патента: RU2771203C1. Автор: Олег Иванович Дошлов,Михаил Сергеевич Ковалев,Иван Олегович Дошлов,Никита Александрович Горяшин,Александр Андреевич Турусин,Юлия Сергеевна Лукьянова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ"). Дата публикации: 2022-04-28.

Method for producing metallopolycarbosilanes

Номер патента: RU2679145C1. Автор: Павел Аркадьевич Стороженко,Галина Игоревна Щербакова,Максим Сергеевич Варфоломеев,Мария Христофоровна Блохина,Дмитрий Владимирович Жигалов,Александр Павлович Королев. Владелец: Акционерное общество "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (АО "ГНИИХТЭОС"). Дата публикации: 2019-02-06.

Method for making a silicon carbide substrate

Номер патента: US4582561A. Автор: Takeshi Sakurai,Toshinori Ioku. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

Method for applying sizing agent to textile product, method for manufacturing sizing-applied textile product, method for removing sizing agent from sizing-applied textile product, and method for manufacturing textile product from sizing-applied textile product

Номер патента: US20240240377A1. Автор: Satoko Okubayashi,Shoji Izawa. Владелец: Izawa Towel Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Soft pressure sensor using multi-material 3d-printed microchannel molds and method for making the sensor

Номер патента: US20210055179A1. Автор: Kyuyoung Kim,Inkyu Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-02-25.

Composite body and method for producing same

Номер патента: US20170239715A1. Автор: Takeshi Miyakawa,Hideki Hirotsuru. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Silicon carbide single crystal wafer, and methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and the silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20210108334A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414480A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

3d printing system for fabricating artificial blood vessels, and method for fabricating artificial blood vessels by using same

Номер патента: EP3848183A8. Автор: Min Kyung Kim,Kyung Hyun Min,In Gyu Lee,Geun Seon Ahn. Владелец: T&R Biofab Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-15.

3d printing system for fabricating artificial blood vessels, and method for fabricating artificial blood vessels by using same

Номер патента: EP3848183A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: T&R Biofab Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-14.

Micro-Drill and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20140161550A1. Автор: Ting-Hsun CHANG,Nyan-Hwa Tai. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-06-12.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414481A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263346A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263347A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Mold, method for manufacturing plate-shaped molded article, method for manufacturing test piece, and method for predicting characteristics of resin composition molded article

Номер патента: US20230398723A1. Автор: Kazuhiro Ichikawa,Ryuhei Kurokawa. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Mold, method for manufacturing plate-shaped molded article, method for manufacturing test piece, and method for predicting characteristics of resin composition molded article

Номер патента: EP4261004A1. Автор: Kazuhiro Ichikawa,Ryuhei Kurokawa. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024208927A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Limited. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for modeling graphite and graphite modeled object

Номер патента: US20240336487A1. Автор: Motoki Okinaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4443123A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Silicon to silicon carbide conversion for ceramic matrix composite fabrication

Номер патента: US12054433B2. Автор: Jiping Zhang,Jonas Opperman,Austin TRAVIS,George JACOBSEN. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon carbide powder and method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09816200B2. Автор: Masakazu Suzuki,Hideaki Tanaka,Tomohisa Kato,Kiyoshi Nonaka,Kenta Masuda,Kouki Ichitsubo. Владелец: Taiheiyo Cement Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures

Номер патента: US20240052521A1. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan,Yen Lin Leow,Kirk Allen Fisher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide substrate

Номер патента: US20170121844A1. Автор: Tomohiro Kawase. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Texture Enhancer for Protein Ingredient-Containing Food, and Method for Enhancing Texture and Method for Manufacturing Protein Ingredient-Containing Food by Using Same

Номер патента: US20240180192A1. Автор: Hitoshi Kanai,Kota Miura,Hiroyuki Asaki. Владелец: KITII CORP. Дата публикации: 2024-06-06.

Apparatus for manufacturing analytical semiconductor samples and method for manufacturing analytical semiconductor samples by using the same

Номер патента: US20240085282A1. Автор: Sang Hyun Park,So Yeon Lee,Su Jin Shin,Gil Ho GU,Min Chul JO,Dae Gon YU,Yun Bin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for automated design and for manufacture of mechanical actuators by using topological truss-based metamaterials

Номер патента: EP4062312A1. Автор: Roberto Guerra,Stefano ZAPPERI,Silvia BONFANTI. Владелец: Universita degli Studi di Milano. Дата публикации: 2022-09-28.

Method for automated design and for manufacture of mechanical actuators by using topological truss-based metamaterials

Номер патента: WO2021099934A1. Автор: Roberto Guerra,Stefano ZAPPERI,Silvia BONFANTI. Владелец: Universita degli Studi di Milano. Дата публикации: 2021-05-27.

Method for manufacturing mono calcium citrate by using shell and application thereof

Номер патента: EP4180414A1. Автор: Joung Kyu Park,Myung Hyun KANG,Jieun LIM. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2023-05-17.

Micro red blood cell collection device and method for collecting and detecting glycosylated hemoglobin

Номер патента: EP4397248A1. Автор: Jincheng Wang,Daming Wang. Владелец: Anbio Biotechnology Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Device to be used for capturing extracellular vesicles, and preservation method and transport method for extracellular vesicles

Номер патента: US12038360B2. Автор: Hirotaka Koga,Yoshinobu Baba,Takao Yasui. Владелец: Craif Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Micro red blood cell collection device and method for collecting and detecting glycosylated hemoglobin

Номер патента: US20240225501A1. Автор: Jincheng Wang,Daming Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Heat exchange system with a heat exchange chamber with a foil, method for manufacturing the heat exchange system and method for exchanging heat by using the heat exchange system

Номер патента: EP3314186A1. Автор: Volker Seidel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-05-02.

Method for producing a brake disc, and a brake disc

Номер патента: US20230135647A1. Автор: Peter Richter,Leonhard HOLZGASSNER,Andreas GROPP,Reeti Singh,Ján Kondás,Maximilian Meinicke,Sebastian Pichlmeier. Владелец: Impact Lnnovations GmbH. Дата публикации: 2023-05-04.

Micro red blood cell collection device and method for collecting and detecting glycosylated hemoglobin

Номер патента: AU2023200676A1. Автор: Jincheng Wang,Daming Wang. Владелец: Anbio Biotechnology Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing an electro-optic device and electro-optic device, and article therefor

Номер патента: US7733458B2. Автор: Wei-Hsin Hou,Shie-Chang Jeng,Chi-Chang Liao,Hsing-Lung Wang,Kang-Hung Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-06-08.

Method for producing silicon carbide sintered body

Номер патента: US20180282227A1. Автор: Hiroki Ishida,Hironori Takahashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Multilayer zirconia ceramic block with uniform transition and method for preparing the same

Номер патента: US20210363068A1. Автор: Shuai LIU,Xinzhang YAN,Moushan LIU,Youming LUO,Chongjing FENG,Xiang LIAO. Владелец: Chengdu Besmile Medical Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for removing layers of silicon carbide, as well as process and apparatus for cleaning epitaxial reactor components

Номер патента: EP4424868A1. Автор: Giovanni Franco,Maria Elena Fragala. Владелец: Universita degli Studi di Catania. Дата публикации: 2024-09-04.

Device for producing microbubble water by using ultrasonic vibrator, cell culture medium containing microbubble water, cell culturing method using same, high efficiency mixed fuel using microbubbles, and method for manufacturing same

Номер патента: US09908089B2. Автор: Jong Min Kim,Seung Hoon Oh. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing of nuclear reactor minute fuel elements

Номер патента: RU2368965C1. Автор: Валентин Петрович Денискин,Сергей Дмитриевич Курбаков,Иван Иванович Федик,Альберт Семенович Черников,Владимир Павлович Ермаченко,Юрий Альфредович Кузма-Кичта,Николай Яковлевич Паршин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "Луч". Дата публикации: 2009-09-27.

Method for producing nuclear reactor fuel microelements

Номер патента: RU2300818C1. Автор: Сергей Дмитриевич Курбаков,Альберт Семенович Черников,Игорь Евгеньевич Голубев,Игорь Мунирович Кадарметов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "Луч". Дата публикации: 2007-06-10.

Device and method for manufacturing packages with welded seam along perimeter

Номер патента: RU2763229C2. Автор: Клаус ШУМАНН,Рольф БЁМ,Торстен ГРУНЕНБЕРГ,Бернд ГРЮНЕС,Маркус БЕЕ,Анна ШЛЮТЕР. Владелец: Лтс Ломанн Терапи-Системе Аг. Дата публикации: 2021-12-28.

Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures

Номер патента: US11827999B2. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan,Yen Lin Leow,Kirk Allen Fisher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Computer-Implemented Method for Generating a Decorative Pattern for Decorative Panels, and Manufacturing Method of Such Panels

Номер патента: US20240231712A9. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Palm material utilization method, and wood-based material and method for manufacturing same

Номер патента: MY201099A. Автор: Masao Fukuyama,Hisashi Miyafuji,Takafumi Itoh,Yuka Miyoshi,Yuzo Furuta,Keisuke Kojiro,Hideo Getto,Hiromu Kajita. Владелец: Palmholz Co ltd. Дата публикации: 2024-02-05.

Method for manufacturing rigid internal gear of wave gear device

Номер патента: US20100229395A1. Автор: Masaru Kobayashi,Toshihiko Kaji. Владелец: Sumitomo Electric Sintered Alloy Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Catalyst, and method for producing oxidation product

Номер патента: US20160347707A1. Автор: Masahiro Hoshino,Yuta Kikuchi. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Sintering method for improving antioxidant performance of nitride combined silicon carbide material

Номер патента: EP3988518A1. Автор: Zhigang Huang,Jie Li,Jiaping Wang,Wenwu Wang,Jiguang Wu. Владелец: Sinosteel Luoyang Institute of Refractories Research Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Computer-Implemented Method for Generating a Decorative Pattern for Decorative Panels, and Manufacturing Method of Such Panels

Номер патента: US20240134579A1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Laser Guided Nano-Brazing Method for Reinforced Aluminum Composite Material having High Volume Fraction Silicon Carbide Particles

Номер патента: US20150196965A1. Автор: QIANG LI,PENG Wang,Gang Zeng,Sijie CHEN,Xitao WANG,Zeng GAO,Jitai Niu,Dongfeng Cheng,Baoqing Zhang,Erzhen Mu,Hengze Xian. Владелец: Henan Jingtai Areospace High-Novel Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Systems and methods for producing silicon carbide powder

Номер патента: EP4378890A1. Автор: Bahram Jadidian,Mehrad MEHR. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Post with metal cage reinforcement and method for manufacturing same

Номер патента: US20170072590A1. Автор: John C. Barnett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-16.

Ink composition for steel material, having excellent adhesion, method for manufacturing printed steel sheet by using same, and printed steel sheet manufactured thereby

Номер патента: US20190002718A1. Автор: Chan-Hee Park,Jin-Tae Kim,Jung-Hwan Lee,Yon-Kyun Song,Ha-Na CHOI,Kyung-Pyo YU. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Low gloss non-coating thermoplastic resin composition, method for manufacturing molded article by using the same, and molded article manufactured through the same

Номер патента: US12060485B2. Автор: Dae Sik Kim,Hyung Jin Roh,In Soo Han,Tae Jin An,Kyeong Hoon Jang,Seul Yi,Boo Youn An,Jung Kyu HAN,Do Young Bae,Si Uk Cheon,Chul Jin Jo,Min Woo Kwon,Jin Gi Ahn,Suk Woo Kang. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Polyester film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210047493A1. Автор: Yu-Chi Hsieh,Te-Chao Liao,Wen-Cheng Yang,Chia-Yen HSIAO,Ching-Yao Yuan. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for Manufacturing Conductive Pattern-Provided Structure

Номер патента: US20230279553A1. Автор: Toru Yumoto,Tomoko KOZONO. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for manufacturing kitchen knife by using multilayer material

Номер патента: US12064837B2. Автор: Jeong Wook Han,Nam Chul Cho,Sung Mo Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kongju National University. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for removing layers of silicon carbide, as well as process and apparatus for cleaning epitaxial reactor components

Номер патента: US20240293850A1. Автор: Giovanni Franco,Maria Elena Fragala. Владелец: Catania, University of. Дата публикации: 2024-09-05.

Porous silicon dioxide-carbon composite and method for preparing high-purity granular beta-phase silicon carbide powder with using the same

Номер патента: US09994454B2. Автор: Sang Whan Park,Mi Rae YOUM,Sung Il YOUN,Gyoung Sun CHO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for manufacturing multiple-diagnosis membrane sensor by using screen printing

Номер патента: US09970933B2. Автор: Ho-Jun Suk,Min-Gon Kim,Hyou-Arm Joung,Jun-Hyoung AHN. Владелец: INGIBIO Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing amorphous alloy by using liquid pig iron

Номер патента: US09963768B2. Автор: Sang-Ho Yi,Seong Hoon Yi,Seung Dueg Choi. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing large-size light-guide sheet by using mask

Номер патента: US09869811B2. Автор: XING Yang,Zhijian Lu,Yarong ZHANG,Yunsheng YANG. Владелец: Brivu Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing soundproofing board part having excellent sound absorption performance and soundproofing board part manufactured by the same

Номер патента: US09805706B2. Автор: Dong Jun Lee,Kie Youn Jeong,Bong Hyun Park,Kil Bu Joo,Jae Eun Chang,Hong Mo Koo,Boo Youn An. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Apparatus for manufacturing reduced iron and method for manufacturing the same

Номер патента: US09783862B2. Автор: Myoung-Kyun Shin,Sang-Hyun Kim,Dong-won Kim,Jun-Hyuk Lee. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for the production of shaped articles from reaction-bonded, silicon-infiltrated silicon carbide and/or boron carbide and thus produced shaped body

Номер патента: US09695089B2. Автор: Arthur Lynen,Jens Larsen,Michael Clemens. Владелец: Schunk Ingenieurkeramik GmbH. Дата публикации: 2017-07-04.

Carbon fiber composite coated with silicon carbide and production method for same

Номер патента: US09631067B2. Автор: Dong Jin Lee,So Youn Mun,Hyung Mi Lim,Kwang Yeon Cho. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing polysilsesquioxane by using carbon dioxide solvent and polysilsesquioxane manufactured using the same

Номер патента: US09534087B2. Автор: In Park,Ha Soo Hwang. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing viewing angle compensation film, method for manufacturing polarizing plate, viewing angle compensation film, polarizing plate, and display device including same

Номер патента: US12124066B2. Автор: Youngjin Kim,Do Hyun Kim,Ji Young Kim,Seung Kyu Park,Dae Hee Lee,Kyun Do PARK,Dong Min NHO. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for manufacturing metal-ceramic dentures

Номер патента: RU2753135C1. Автор: Рамиль Наилевич Кашапов,Наиль Фаикович Кашапов,Ленар Наилевич Кашапов,Гульшат Тауфиковна Салеева,Ринат Ахмедуллович Салеев,Ляйсан Ринатовна Салеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский Государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-08-11.

Method for manufacturing parts of complex shape by hybrid casting-additive method

Номер патента: RU2752359C1. Автор: Виктор Борисович Федоров,Виктор Иванович Гузеев,Антон Дмитриевич Казанский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)». Дата публикации: 2021-07-26.

Method, system and machine-readable media of data for controlling user device by means of context toolbar

Номер патента: RU2640329C1. Автор: Владимир Николаевич Башев,Николай Олегович Ильин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПИРФ" (ООО "ПИРФ"). Дата публикации: 2017-12-27.

Granular material, method for manufacturing the granular material and method for manufacturing sintered ore

Номер патента: RU2765680C1. Автор: Кэнта ТАКЭХАРА,Тэцуя ЯМАМОТО,Масато КУРОИВА,Наото КОБАЯСИ,Тэцуя ДЗИННО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-02-01.

Door frame plat band, method for manufacturing door frame plat band, workpiece for implementing the method

Номер патента: RU2749947C1. Автор: Евгений Валерьевич Макаров. Владелец: Евгений Валерьевич Макаров. Дата публикации: 2021-06-21.

Blank for manufacturing test system for express diagnostics of helicobacter pylori infection by urease activity of biopsy material and method for manufacturing test system

Номер патента: RU2630651C9. Автор: Евгений Матвеевич Аксенов,Вадим Сергеевич Дмитриенко,Андрей Игоревич Киреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ассоциация Медицины и Аналитики" (ООО "АМА"). Дата публикации: 2017-10-30.

Device for making hollow concrete products, a method for making hollow concrete products and a hollow concrete structure

Номер патента: RU2769634C1. Автор: Виктор Юрьевич Шмаков. Владелец: Виктор Юрьевич Шмаков. Дата публикации: 2022-04-04.

Blank for manufacturing test system for express diagnostics of helicobacter pylori infection by urease activity of biopsy material and method for manufacturing test system

Номер патента: RU2630651C1. Автор: Евгений Матвеевич Аксенов,Вадим Сергеевич Дмитриенко,Андрей Игоревич Киреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ассоциация Медицины и Аналитики" (ООО "АМА"). Дата публикации: 2017-09-11.

Method for manufacturing nuclear fuel pellets

Номер патента: RU2202130C2. Автор: А.В. Иванов,В.В. Маловик,А.Г. Морозов,А.С. Доронин,А.М. Белынцев,В.Ф. Кузнецов,В.А. Межуев,Г.Г. Потоскаев,В.С. Курсков,Н.Н. Пономарев-Степной,О.В. Милованов,А.В. Головешкин,О.Л. Седельников,Н.А. Балагуров. Владелец: Открытое акционерное общество "Машиностроительный завод". Дата публикации: 2003-04-10.

Method for obtaining ceramic forms by electrophoresis method for casting by prisonable models of chemically active alloys

Номер патента: RU2630081C1. Автор: Леонид Геннадьевич Знаменский,Алексей Сергеевич Варламов,Анастасия Алексеевна Южакова,Андрей Николаевич Воронцов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing joints of connections of hull structures made of polymer composite materials (pcm)

Номер патента: RU2648432C1. Автор: Сергей Дмитриевич Козлов,Антон Владимирович Веденецкий,Николай Николаевич Федонюк,Алексей Владимирович Блинов,Дмитрий Юриевич Соосаар,Марина Владимировна Бирюкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Крыловский государственный научный центр" (ФГУП "Крыловский государственный научный центр"). Дата публикации: 2018-03-27.

Component of tobacco industry product and method for manufacturing component of tobacco industry product

Номер патента: RU2764977C1. Автор: Пол ЛЬЮИС,Мэттью ХЕСФОРД,Эндрю БЕРТОН,Ян КИНГ,Сачин ПАТЕЛ,Райан ВЕЛД,Джереми КЛЕМЕНТС. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2022-01-24.

Method for application of coating on strips of metal-roll, production line for applying coating on strips of metal-roll

Номер патента: RU2664065C2. Автор: Дирк ХОЛЬШУМАХЕР,Андреас МЕШЕДЕ. Владелец: Тиссенкрупп Стил Юроп Аг. Дата публикации: 2018-08-14.

Method and system for manufacturing multi-segment tobacco products

Номер патента: RU2748505C2. Автор: Кшиштоф СТОЛЯРСКИ. Владелец: Интернэшнл Тобакко Машинери Поланд Сп. з о.о.. Дата публикации: 2021-05-26.

Apparatus for manufacturing reaction bonded silicon carbide

Номер патента: US6126749A. Автор: Sang-Whan Park,Huesup Song,Sang-Dong Kim,Jo-Woong Ha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2000-10-03.

Ceramic composite material for manufacturing nozzles

Номер патента: RU2665735C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Денис Вячеславович Гращенков,Мария Леонидовна Ваганова,Артем Алексеевич Качаев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2018-09-04.

Method for manufacturing fiber-reinforced resin product, and core

Номер патента: EP4129607A1. Автор: Takashi Honma,Satoshi Kaji,Tsuneo Takano. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2023-02-08.

Training method for learning device, method for designing design pattern, method for manufacturing laminate, and design device for design pattern

Номер патента: EP4265417A1. Автор: Akio Fukuda. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for manufacturing piston with re-molten reinforced combustion chamber throat

Номер патента: US9694450B1. Автор: Yanjun Li,Zengjian Feng,Yunxin Li,Shiying Liu,Zihe SHANG,Longchang WANG,Yanshou CUI,Xinghua GENG,Shili WANG,Zhaojie PANG,Tateoki IIZUKA. Владелец: Shandong Binzhou Bohai Piston Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Composition and method for manufacturing nasal spray solution for the treatment and prevention of covid-19

Номер патента: WO2023101616A1. Автор: Praneet OPANASOPIT,Prasopchai PATROJANASOPHON,Kwanputtha ARUNPRASERT,Porawan AUMKLAD. Владелец: Silpakorn University. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing N-channel MOSFET

Номер патента: JP3142614B2. Автор: 陽子 梶田,次郎 井田. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-07.

Method for performing a visual arrangement on the interface of a terminal device by using a PC

Номер патента: TWI257068B. Автор: Xiao-Long Fan,Jen-Shing Lai,Ai-Ling Shen. Владелец: Inventec Appliances Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Method for production industrial wood able for formed in molds and colouring and reinforcing by using cotton,carton,paper,residue

Номер патента: EG11589A. Автор: F Rezke. Владелец: F Rezke. Дата публикации: 1977-08-15.

Device for treatment of bottomhole formation zone of a well and method for treatment of bottomhole formation zone of well

Номер патента: RU2487237C1. Автор: Аглям Рашидович Мухутдинов,Зульфия Рашидовна Вахидова,Максим Владимирович Окулин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВПО "КГЭУ"). Дата публикации: 2013-07-10.

Method for conversion of hydrocarbon-containing gases

Номер патента: RU2249609C1. Автор: Н.А. Яворовский,И.В. Гончаров,В.В. Коробочкин,В.А. Терещенко. Владелец: Государственное Научное Учреждение "Научно- Исследовательский Институт Высоких Напряжений При Томском Политехническом Университете". Дата публикации: 2005-04-10.

Method for producing n-type silicon single crystal

Номер патента: JP7272343B2. Автор: 康人 鳴嶋,福生 小川,浩一 前川,泰史 川上,有二 堤. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-05-12.

Chromogenic solution and method for distinguishing P/N-type silicone materials

Номер патента: CN102004101A. Автор: 刘彬,赵萌萌,何京辉,曹祥瑞,刘彬国. Владелец: Xingtai Jinglong Electronic Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

Uniform n-type silicon

Номер патента: CA680881A. Автор: Tanenbaum Morris. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1964-02-25.

Forming method for ROM device using N-type MOSFET with different threshold voltage

Номер патента: TW392313B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Tsmc Acer Semiconductor Mfg Co. Дата публикации: 2000-06-01.

SYSTEM AND METHOD FOR RESPONDING TO APERIODIC INFORMATION REQUESTS FROM USERS OF PERSONAL COMMUNICATION DEVICES BY PROVIDING TARGETED ADVERTISEMENTS

Номер патента: US20120150608A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

N-Type Silicon Solar Cell With Contact/Protection Structures

Номер патента: US20120222735A1. Автор: Xu Baomin. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-06.

Apparatus and Method for Generating a Coded Video Sequence and for Decoding a Coded Video Sequence by Using an Intermediate Layer Residual Value Prediction

Номер патента: US20120250759A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Apparatus and Method for Generating a Coded Video Sequence and for Decoding a Coded Video Sequence by Using an Intermediate Layer Residual Value Prediction

Номер патента: US20120250760A1. Автор: SCHWARZ Heiko,MARPE Detlev,WIEGAND Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Circuit simulation method for active matrix type display panel, and active matrix type display panel designed by using the same simulation method

Номер патента: JPH1055376A. Автор: 睦 木村,Mutsumi Kimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

Method for compensating chromatic aberration, and method and apparatus for measuring three dimensional shape by using the same

Номер патента: KR101329025B1. Автор: 김홍민,허정,홍종규,전문영,윤상규. Владелец: 주식회사 고영테크놀러지. Дата публикации: 2013-11-14.

X Method for Calculating Depth of Defect Determined by System for Inspecting Defects of Structure By Use of X-ray

Номер патента: KR102350069B9. Автор: 이우상. Владелец: 주식회사 네프. Дата публикации: 2023-04-12.

Method for synthesizing hexagonal-prism-shaped hexagonal-phase YPO4:Eu.0.8H2O luminescent material by using hydrothermal synthesis method

Номер патента: CN104119912A. Автор: 朱晓伟,李春柳,苏焕鹏,熊立超,宝金荣. Владелец: Inner Mongolia Medical University. Дата публикации: 2014-10-29.

Method of diagnosis of structural cleanness of monocrystals of n type silicon grown by zone melting

Номер патента: RU2064713C1. Автор: Игорь Михайлович Филиппов,Петр Федорович Лугаков,Леонид Александрович Казакевич. Владелец: Леонид Александрович Казакевич. Дата публикации: 1996-07-27.

Working liquid for fabricating preserved flowers of peony and Chinese herbaceous peony, and method for fabricating preserved flowers and preserved leaves of peony and Chinese herbaceous peony by using same

Номер патента: CN103843760A. Автор: 任雪玲,路买林. Владелец: LUOYANG JIATIANXIA PEONY HORTICULTURAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

Surface heat treatment process used before measuring electrical resistivity of N-type silicon epitaxial slice

Номер патента: CN101728262A. Автор: 陈海滨,常青,库黎明,闫志瑞,葛钟,冯泉林,何自强. Владелец: Grinm Semiconductor Materials Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-09.

The lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor transistor of N type silicon-on-insulator

Номер патента: CN101599507A. Автор: 王钦,陶平,杨东林,李海松,易扬波. Владелец: Suzhou Poweron IC Design Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-09.

Method for fixing pin of universal joint, and universal joint and universal sleeve made by using the method

Номер патента: TWI264509B. Автор: Ying-Hau Peng,Jia-Huei Peng. Владелец: Jia-Huei Peng. Дата публикации: 2006-10-21.

METHOD FOR DETERMINING THE HEIGHT OF THE INTERNAL SPEAKING PART OF THE VANTHUZ TUBE BY USING AN ULTRASONIC DEFECTOSCOPE

Номер патента: RU2013102334A. Автор: Виктор Карлович Гейт. Владелец: Открытое акционерное общество "Центр технической диагностики" (ОАО ЦТД "ДИАСКАН"). Дата публикации: 2014-07-27.

METHOD FOR DIAGNOSTIC OF SENSITIVITY OF MYCOBACTERIUM TUBERCULOSIS STRAINS TO ISONIAZIDE BY KASA GENE BY USING POLYMERASE CHAIN REACTION - CONFORMATION POLYMORPHISM OF SINGLE-CHAIN FRAGMENTS

Номер патента: RU2003111987A. Автор: Ольга Владимировна Маркова,Виталий Ильич Литвинов,Аркадий Максович Мороз,Ольга Ивановна Скотникова,Ксения Юрьевна Галкина,Елена Юрьевна Носова,Виталий Ильич Литвинов (RU),Аркадий Максович Мороз (RU),Ольга Ивановна Скотникова (RU),Ольга Владимировна Маркова (RU),Ксени Юрьевна Галкина (RU),Елена Юрьевна Носова (RU). Владелец: Московский городской научно-практический центр борьбы с туберкулёзом (МНПЦ БТ) (RU). Дата публикации: 2005-01-20.

Method for separating by-product C9-C10 fractions in ethylene preparation through petroleum cracking by using rectifying tower

Номер патента: CN104276914A. Автор: 周飞,黄勇,李莹,徐晓红,祁正娟,黄彩凤,周秀风. Владелец: Sinopec Shanghai Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-14.

Method for producing ultrawhite aluminum hydroxide and by-products from high-alumina fly ash by using high-temperature alkaline leaching

Номер патента: CN103172095B. Автор: 赵成明,黎娜,罗亚林. Владелец: Northeast University Design and Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-15.

Method for preparing fatty acid methyl ester sulphonic salt with low-disodium salt content by using earlier sulfonation and later esterification technique

Номер патента: CN101343245B. Автор: 孙玲玲,方云,夏咏梅. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-03-16.

Method for carrying out deepwater laying on large-volume reinforced mud-filling tubular bags by using geotextiles-laying vessels

Номер патента: CN103046553B. Автор: 苏颖,陈媛媛,董传明,胡庆林,许克顺,司马文. Владелец: Anhui Water Resources Development Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-03.

Method for the real time offering of the information and advertisement in the bus by using the mobile communication system

Номер патента: KR20010099043A. Автор: 김동환. Владелец: 김동환. Дата публикации: 2001-11-09.

Method for detecting fatigue performance of complex-structure aluminum alloy section on lap weld by using conventional fatigue tensile test

Номер патента: CN109839319B. Автор: 王苹,方洪渊,于谊飞,王厚华. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-10-08.

Method for constructing dual-chamber microbial fuel cell-type BOD (biochemical oxygen demand) sensor by using potassium permanganate as cathode electron acceptor

Номер патента: CN103207230A. Автор: 田帅,张光明,张盼月,梁英梅,海冰寒. Владелец: Beijing Forestry University. Дата публикации: 2013-07-17.

Method for preparing heavy metal ion capture agent with environmental protection and high efficiency by using semicellulose

Номер патента: CN102489261B. Автор: 孙润仓,任俊莉,彭新文,施文斌. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2013-11-13.

Method for rolling large-sized aluminum alloy ring piece and performing solid solution treatment by using electric furnace

Номер патента: CN102409270A. Автор: 高军,杨文敏,董立,刘东升,王正安,田君,张奇志,罗顺成,张守基,解太龙. Владелец: Inner Mongolia North Heavy Industries Group Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-11.

Method for fault line selection of cable-wire mixed line of electric distribution network by using wavelet energy relative entropy

Номер патента: CN101545943B. Автор: 杨毅,刘志坚,常勇,孙向飞,唐岚,束洪春,孙士云,刘可真,邱革非,彭仕欣,单节杉,刘永泰. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2011-06-08.

Method for performing mixed incineration on agricultural and forestal wastes, sludge and household refuses by using fluidized bed

Номер патента: CN101776270A. Автор: 任强强,陈晓平,梁财,段伦博,赵长遂,吴新. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-07-14.

Method for coating inner wall of bent and abnormally-shaped pipeline with small aperture by using painting

Номер патента: CN102527623A. Автор: 李海燕,张世珍,关迎东,孙春龙,郭常青,张善贵. Владелец: RESEARCH INST OF OCEAN CHEMISTRY. Дата публикации: 2012-07-04.

Method for efficiently recycling elemental sulfur in process of treating sulfur dioxide flue gas by using sodium sulfide

Номер патента: CN103274366A. Автор: 何汉兵. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-09-04.

Reuse apparatus and reuse method for waste nitric acid generated in process of hooking and removing heavy metals by using electroplating hanger

Номер патента: CN104512870A. Автор: 盛克松. Владелец: DONGGUAN DONG WANG OF GLASS INSTRUMENT Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-15.

Method for carrying out closed-loop test on airborne forward-looking infrared search equipment by using simulation system

Номер патента: CN104932535A. Автор: 王军,李宇,张芳,孙丹丹,王吉龙,吴文利,孙科峰,李俊娜,解俊虎,高教波. Владелец: Xian institute of Applied Optics. Дата публикации: 2015-09-23.

METHOD FOR EVALUATING THE DEGREE OF MYOCARDIAL DAMAGE AND THE DYNAMICS OF ITS RECOVERY BY USING AUTOANTITELS TO EASY CHAINS OF MYOSIN IN THE POSTOPERATIVE PERIOD

Номер патента: RU2012141323A. Автор: Зоя Александровна Подлубная. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теоретической и экспериментальной биофизики Российской академии наук (ИТЭБ РАН). Дата публикации: 2014-04-10.

METHOD FOR EVALUATING THE PROTECTIVE PROPERTIES OF FACES OF THE FACE ANTOGASES ON β, β'-Dichlorodiethylsulfide BY USING ITS SIMULATOR-BUTYL-β-CHLORETHYLESULPHIDE

Номер патента: RU2008128402A. Автор: Александр Петрович Синькелев,Олег Михайлович Демидов,Эдуард Викторович Шаталов,Олег Николаевич Алимов,Михаил Борисович Павлов,Сергей Вячеславович Солошин,Андрей Александрович Севостьянов,Сергей Сергеевич Камьянов,Дмитрий Евгеньевич Мутасов,Эдуард Викторович Шаталов (RU),Олег Николаевич Алимов (RU),Александр Петрович Синькелев (RU),Михаил Борисович Павлов (RU),Сергей Вячеславович Солошин (RU),Сергей Сергеевич Камьянов (RU),Олег Михайлович Демидов (RU),Андрей Александрович Севостьянов (RU),Дмитрий Евгеньевич Мутасов (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "33Центральный научно-исследовательский испытательный институт министерства обороны Российской Федерации". Дата публикации: 2010-01-20.

Method for increasing content of total triterpenes and oleanolic acid in white birch cells by use of SNP (sodium nitroprusside)

Номер патента: CN104031970A. Автор: 尹静,刘堃,辛颖,曾凡锁,齐凤慧,詹亚光,范桂枝,由香玲. Владелец: Northeast Forestry University. Дата публикации: 2014-09-10.

Method for preparing amorphous and nanocrystal silicon boron carbon nitrogen aluminum ceramic composite material by using aluminum nitride powder as aluminum source

Номер патента: CN102173804A. Автор: 贾德昌,杨治华,周玉,叶丹,段小明,张培峰,孟庆昌. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2011-09-07.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120004110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING OPTICAL FIBER PREFORM

Номер патента: US20120000249A1. Автор: HAMADA Takahiro. Владелец: FUJIKURA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE CASE HAVING ANTENNA PATTERN EMBEDDED THEREIN, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MOLD FOR MANUFACTURING ANTENNA PATTERN FRAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120001807A1. Автор: HONG Ha Ryong,Lee Dae Kyu,An Chan Gwang,Chang Ki Won,Cho Sung Eun,SUNG Jae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacture of product containing siliceous substrate with silicon carbide film on its surface

Номер патента: RU2363067C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Фонд поддержки науки и образования. Дата публикации: 2009-07-27.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Carbon-silicon carbide composite material and method for manufacturing products from thereof

Номер патента: RU2573141C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Елена Юрьевна Турбина. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2016-01-20.

Method and Device for Manufacturing a Three-Layer Cord of the Type Rubberized in Situ

Номер патента: US20120000174A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING AMINO ACID LIQUID FERTILIZER USING LIVESTOCK BLOOD AND AMINO ACID LIQUID FERTILIZER MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20120000260A1. Автор: Oh Jin Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Manufacturing a Vacuum Chamber and Components Thereof, and Improved Vacuum Chambers and Components Thereof

Номер патента: US20120000811A1. Автор: . Владелец: Kurt J. Lesker Company. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003193A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003279A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR INDUCING AN IMMUNE RESPONSE

Номер патента: US20120003298A1. Автор: Maj Roberto,Pattarino Franco,Mura Emanuela,Barberis Alcide. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003324A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD, SYSTEM AND MOLDING TOOL FOR MANUFACTURING COMPONENTS FROM COMPOSITE FIBER MATERIALS

Номер патента: US20120003480A1. Автор: BECHTOLD Michael,JUNG Manuel. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR MANUFACTURING HIGHLY PURE NEUROTOXIN

Номер патента: US20120004179A1. Автор: Taylor Harold Victor,Eisele Karl-Heinz,PFEIL Michael,Friedrich Josef,Brünn Cornelia. Владелец: Merz Pharma GmbH & Co. KGaA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EASY OPEN END

Номер патента: US20120000340A1. Автор: Kubo Hiroshi,Kojima Katsumi,Yamanaka Yoichiro,Tada Masaki,Iwasa Hiroki. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING NATURAL FIBER STRIPE-QUILTED FABRIC HAVING PROTRUDED WRINKLE PATTERNS ON ITS SURFACE

Номер патента: US20120000406A1. Автор: RYU Kwang Yeol. Владелец: DONG JIN BEDDING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC LABELS WITH SELF-ADHESIVE PATTERN, AND ATTACHING SUCH LABELS TO A TIN

Номер патента: US20120000598A1. Автор: . Владелец: REYNDERS ETIKETTEN, NAAMLOZE VENNOOTSCHAP. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001287A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EMBEDDED SUBSTRATE

Номер патента: US20120003793A1. Автор: HWANG Sun-Uk,Cho Young-Woong,Yoon Kyoung-Ro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing articles of carbon-silicon carbide composite material with variable content of silicon carbide

Номер патента: RU2570068C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Никита Александрович Хохлявин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-12-10.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CREATING, MANAGING, SHARING AND DISPLAYING PERSONALIZED FONTS ON A CLIENT-SERVER ARCHITECTURE

Номер патента: US20120001921A1. Автор: Escher Marc,Hoffman Franz. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Retardation Film Produced by Using Cellulose Derivative

Номер патента: US20120003402A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MICROELECTORODE ARRAY, METHODS FOR PREPARING THE SAME AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004716A1. Автор: Langhammer Christopher,Firestein-Miller Bonnie L.,Zahn Jeffrey. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing semiconductor device with submicron-length t-shaped gate electrode

Номер патента: RU2192069C2. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин,А.А. Горбацевич,Ю.Ф. Семин,С.С. Шмелев. Владелец: Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2002-10-27.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Prevention of Open Loop Damage During or Immediately After Manufacturing

Номер патента: US20120000515A1. Автор: Kikinis Dan,Hadar Ron,Arditi Shmuel. Владелец: TIGO ENERGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR COMPRESSING DATA AND CONTROLLING DATA COMPRESSION IN BOREHOLE COMMUNICATION

Номер патента: US20120001776A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Virtual Touch Sensing

Номер патента: US20120001845A1. Автор: LEE Chi Ching. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR DISPLAYING FIXED-SCALE CONTENT ON MOBILE DEVICES

Номер патента: US20120001914A1. Автор: Pan Wayne,HAMOUI Omar. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR INSPECTION OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE

Номер патента: US20120002323A1. Автор: Kato Junya,Maruyama Yoshihiko. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

MACHINE TOOL AND METHOD FOR PRODUCING GEARING

Номер патента: US20120003058A1. Автор: Hummel Erhard,Hutter Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMPLANT PROCESSING METHODS FOR THERMALLY LABILE AND OTHER BIOACTIVE AGENTS AND IMPLANTS PREPARED FROM SAME

Номер патента: US20120004323A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacture of products from carbon-ceramic composite material

Номер патента: RU2351572C2. Автор: Дмитрий Николаевич Черненко,Николай Михайлович Черненко,Геннадий Александрович Кравецкий,Анатолий Николаевич Варенков,Игорь Игоревич Сидоров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит". Дата публикации: 2009-04-10.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing g.v. stepanov's therapeutic retainer

Номер патента: RU2551973C1. Автор: Григорий Викторович Степанов,Людмила Григорьевна Ульянова,Альфия Минвалиевна Хамадеева,Ирина Олеговна Аюпова. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-06-10.

Spinning solution for electrical forming, method for obtaining fibres by electrical forming, and fibres of silicone carbide

Номер патента: RU2427673C1. Автор: Виктор Васильевич Авдеев,Андрей Трофимович Матвеев,Эдмунд Валерьевич Быстревский,Виктор Васильевич Авдеев (RU),Андрей Трофимович Матвеев (RU),Эдмунд Валерьевич Быстревский (RU). Владелец: Институт новых углеродных материалов и технологий (Закрытое акционерное общество) (ИНУМиТ (ЗАО)). Дата публикации: 2011-08-27.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing large-size scanned reflectors and curvilinear reflector surface shaping device

Номер патента: RU2276823C2. Автор: Виктор Иванович Бычков,Николай Иванович Ермаков,Николай Валерьевич Полухин,Евгений Юрьевич Поликарпов,Александр Алексеевич Шитиков,Владимир Алексеевич Романенков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Завод экспериментального машиностроения Ракетно-космической корпорации "Энергия" им. С.П. Королева". Дата публикации: 2006-05-20.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DRYING METHOD FOR CERAMIC GREENWARE

Номер патента: US20120001358A1. Автор: "OBrien James J.",Clark Terence J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing silicon carbide nanofibre

Номер патента: RU2393112C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Владимир Георгиевич Севастьянов,Николай Тимофеевич Кузнецов,Владимир Анатольевич Ермаков,Алексей Вячеславович Антипов,Елизавета Петровна Симоненко,Роман Георгиевич Павелко. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Общей И Неорганической Химии Им. Н.С. Курнакова Ран (Ионх Ран). Дата публикации: 2010-06-27.

Method for obtaining polycrystalline silicone carbide

Номер патента: RU2448041C1. Автор: Иван Иванович Иванов,Наиль Михайлович Теляков,Олег Александрович Дубовиков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный институт имени Г.В. Плеханова (технический университет)". Дата публикации: 2012-04-20.

Method for preparing silicone carbide plates

Номер патента: RU2540668C1. Автор: Сергей Константинович Брантов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Инситут физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2015-02-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE WIRE FOR WIRE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING USING THE SAME

Номер патента: US20120000889A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Composition and method for manufacturing of roasting free carbide-silicon heat resistant concrete

Номер патента: RU2382008C1. Автор: Шахбутдин Даудович Батырмурзаев,Абдурахман Магомедович Даитбеков,Алимпаша Шахбутдинович Батырмурзаев,Рустам Алимпашаевич Гаджиев,Зурхай Зайбуллаевич Гусейнов,Тетей Махмудовна Темирова,Джамиля Гусейновна Магомедова. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2010-02-20.

Method for replacing tooth in the cases of failing tooth crown

Номер патента: RU2284794C2. Автор: Алмаз Муллаянович Ханов,Раиса Андреевна Летягина,гина Раиса Андреевна Лет,гин Евгений Валерьевич Лет,Евгений Валерьевич Летягин,Алмаз Мулла нович Ханов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермская государственная медицинская академия Министерства Здравоохранения Российской Федерации". Дата публикации: 2006-10-10.

METHOD FOR MANUFACTURING PASTE-TYPE ELECTRODE OF LEAD-ACID BATTERY AND APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20120000070A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CASTING METHOD FOR MANUFACTURING A WORK PIECE

Номер патента: US20120003101A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING CAPSULE SERIES, AND RELATED CAPSULE SERIES

Номер патента: US20120003285A1. Автор: Bibette Jérôme,Chu Liang-yin,Santanach Carreras Enric,Royere Audrey,Bremond Nicolas. Владелец: CAPSUM. Дата публикации: 2012-01-05.

SQUARE-CELL BATTERY AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003528A1. Автор: Tani Yuji,Maeda Hitoshi,Fujiwara Masayuki,Shinyashiki Yoshitaka,Kusukawa Masao,Funahashi Atsuhiro. Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR AUTOMATICALLY SHIFTING A BASE LINE

Номер патента: US20120004890A1. Автор: Chen Po-Tsang. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286617C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

METHOD FOR MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3C-SiC)

Номер патента: RU2538358C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC WIRE WITH TERMINAL

Номер патента: US20120000069A1. Автор: Hirai Hiroki,Tanaka Tetsuji,Ono Junichi,Otsuka Takuji,Shimoda Hiroki,HAGI Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GRAIN-ORIENTED SILICON STEEL WITH SINGLE COLD ROLLING

Номер патента: US20120000262A1. Автор: Jin Weizhong,Shen Kanyi,Li Guobao,Zhang Pijun,Yang Yongjie,Hu Zhuochao,Wu Peiwen,Jiang Quanli. Владелец: BAOSHAN IRON & STEEL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY DEVICE FOR A VEHICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002442A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Ppm-21-2 composition for transformation and restoration of metal friction surfaces and method for production thereof

Номер патента: RU2530776C1. Автор: Николай Георгиевич Зенов. Владелец: Николай Георгиевич Зенов. Дата публикации: 2014-10-10.

Method for manufacturing nano-moulds for contact press-lithography (variants)

Номер патента: RU2308552C1. Автор: Елена Дмитриевна Мишина,Наталия Эдуардовна Шерстюк,Александр Александрович Зайцев,Андрей Анатольевич Федянин,Галина Александровна Цирлина,Вадим Олегович Вальднер,Татьяна Викторовна Долгова,Натали Эдуардовна Шерстюк,нин Андрей Анатольевич Фед,Тать на Викторовна Долгова,Антон Игоревич Майдыковский. Владелец: "Общество с ограниченной ответственностью "НаноИмпринт". Дата публикации: 2007-10-20.

Method for manufacture of multi-electrode composite electric heater

Номер патента: RU2476033C1. Автор: Михаил Васильевич Халин,Татьяна Михайловна Халина,Александр Борисович Дорош. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭнергоЭффектТехнология". Дата публикации: 2013-02-20.

Method for manufacture of heat exchanging device, method of device heat exchanging unit manufacture (versions), method for manufacture of intermediate and/or upper heat exchanging unit of device, method for manufacture of lower heat exchanging unit of device, method for manufacture of device heat exchanging unit air supply or exhaust headers, technological complex of equipment for manufacture of device heat exchanging units, berth for assembly of device heat exchanging unit (versions) and device for vertical storage of mostly four-leg bend pipes of device (versions)

Номер патента: RU2344916C2. Автор: Николай Павлович Селиванов,Николай Павлович Селиванов (RU). Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-01-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.