Optoelectronic light emitting device i.e. gallium nitride based LED, has p-doped planarized layer allowing radial injection of holes in nanowire, and n-type silicon substrate allowing axial injection of electrons in nanowire
Номер патента: FR2964796A1
Опубликовано: 16-03-2012
Автор(ы): Anne-Laure Bavencove, Philippe Gilet
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-03-2012
Автор(ы): Anne-Laure Bavencove, Philippe Gilet
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Light emitting diode and method for making same
Номер патента: US8268658B2. Автор: Chia-Ling Hsu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-18.