Method for forming active devices on and in exposed surfaces of both sides of a silicon wafer
Номер патента: US5739067A
Опубликовано: 14-04-1998
Автор(ы): Bruce L. Pickelsimer, Damon K. DeBusk
Принадлежит: Advanced Micro Devices Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-04-1998
Автор(ы): Bruce L. Pickelsimer, Damon K. DeBusk
Принадлежит: Advanced Micro Devices Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming an insulator between layers of conductive material
Номер патента: CA1120608A. Автор: Jacob Riseman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-23.