Quality evaluation method for silicon wafer, and silicon wafer and method of producing silicon wafer using the method
Номер патента: US9748112B2
Опубликовано: 29-08-2017
Автор(ы): Jun Fujise, Toshiaki Ono
Принадлежит: Sumco Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-08-2017
Автор(ы): Jun Fujise, Toshiaki Ono
Принадлежит: Sumco Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
METHOD FOR EVALUATING THE CARBON CONCENTRATION OF A SILICON SAMPLE, METHOD FOR EVALUATING A SILICON WAFER MANUFACTURING PROCESS, METHOD FOR MANUFACTURING A SILICON WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SILICON SOUND
Номер патента: DE112019004418T5. Автор: Shuichi Samata,Takafumi NEGI,Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-07-15.