METHOD OF ANALYZING METAL CONTAMINATION OF SILICON WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON WAFER
Номер патента: US20190371616A1
Опубликовано: 05-12-2019
Автор(ы): MIZUNO Taisuke
Принадлежит: SUMCO CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-12-2019
Автор(ы): MIZUNO Taisuke
Принадлежит: SUMCO CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
A processing method of silicon epitaxial growth wafer and a processing apparatus thereof
Номер патента: KR100634659B1. Автор: 야나기사와미치히코,오카와신지,아베고조. Владелец: 주식회사 슈퍼 실리콘 연구소. Дата публикации: 2006-10-16.