Method for etching silicon wafer.

Method for etching silicon wafer

Номер патента: US20240006182A1
Опубликовано: 04-01-2024
Автор(ы): Haiyun ZHU, Jing Wang, Zhongwei Jiang
Принадлежит: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for etching high aspect ratio structures

Номер патента: WO2024205690A1. Автор: Tong Liu,Qian Fu,FENG Qiao,Sangjun Park,Hailong Zhou,Jayoung Choi,Radhe AGARWAL. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Iodine-containing compounds for etching semiconductor structures

Номер патента: EP3563406A1. Автор: Rahul Gupta,Hui Sun,James Royer,Vincent M. Omarjee,Venkateswara R. Pallem,Vijay SURLA,Nathan Stafford,Fabrizio MARCHEGIANI. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2019-11-06.

Method for etching features in dielectric layers

Номер патента: US09673058B1. Автор: Eric Hudson,John Holland,Leonid Belau,Scott Briggs,Mark Wilcoxson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Device and method for etching spacers formed upon an integrated circuit gate conductor

Номер патента: EP1116264A1. Автор: Charles E. May,Mark I. Gardner,Thien T. Nguyen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Method For Reducing Reactive Ion Etch Lag in Low K Dielectric Etching

Номер патента: US20180358227A1. Автор: Christopher Cole,Angelique D. Raley,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Methods for etching materials using synchronized RF pulses

Номер патента: US9269587B2. Автор: Daisuke Shimizu,Sergio Fukuda Shoji,Jong Mun Kim,Katsumasa Kawasaki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

Pressure purge etch method for etching complex 3-D structures

Номер патента: US09870932B1. Автор: Joydeep Guha,Pilyeon Park. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for etching high-k metal gate stack

Номер патента: US09514943B1. Автор: Hae-Jung Lee,Su-Bum Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for etching high-k metal gate stack

Номер патента: US09431255B2. Автор: Hae-Jung Lee,Su-Bum Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for etching organic film

Номер патента: US09735027B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Chungjong Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for etching silicon surface

Номер патента: US5902452A. Автор: C. C. Chang,M. C. Cheng,J. S. Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-05-11.

Method for Etching Features in a Layer in a Substrate

Номер патента: US20240234158A1. Автор: Yusuke Yoshida,Ken Kobayashi,Yun Han,Aelan Mosden,Jason MARION,Indroneil Roy. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Microelectronic method for etching a layer

Номер патента: US09570317B2. Автор: Olivier Joubert,Nicolas Posseme,Laurent Vallier. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods for dry etching semiconductor devices

Номер патента: US09484216B1. Автор: Roy H. Olsson,Andrew John Gross,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods for selective etching of a silicon material using HF gas without nitrogen etchants

Номер патента: US09831097B2. Автор: Mikhail Korolik,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang,Zihui Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Etchant composition for etching silicon and silicon germanium, and preparation method of pattern using the same

Номер патента: US20240263072A1. Автор: Sang Won Bae,Jiwon Kim,Jung-min Oh,Jinkyu ROH,Hyojoong YOON,Heesuk WOO,Kyusang AHN,Kyungmo SUNG. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for conditioning silicon part

Номер патента: US09947558B2. Автор: LIN Xu,Hong Shih,John Daugherty,Satish Srinivasan,Robin Koshy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for obtaining extreme selectivity of metal nitrides and metal oxides

Номер патента: US20130244426A1. Автор: Kevin R. Shea. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

Decapsulator with applied voltage and etchant cooling system for etching plastic-encapsulated devices

Номер патента: US20140342572A1. Автор: Alan M. Wagner. Владелец: NISENE Tech GROUP. Дата публикации: 2014-11-20.

Methods for selective etching of a silicon material using hf gas without nitrogen etchants

Номер патента: US20180082849A1. Автор: Mikhail Korolik,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang,Zihui Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for etching multilayer film

Номер патента: US10790152B2. Автор: Tamotsu Morimoto,Takuya Kubo,Song Yun Kang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Systems and methods for singulation of gan-on-silicon wafers

Номер патента: TW202306169A. Автор: 喬治朱,尼克費登鮑姆,邱凱翎,丹尼爾Ｍ金策,瑪赫哈姆丹,朴畢聖. Владелец: 愛爾蘭商納維達斯半導體有限公司. Дата публикации: 2023-02-01.

Method for etching insulating layer, method for manufacturing display device using the same, and display device

Номер патента: US20220068979A1. Автор: Dae Soo Kim,Sung Won Cho,Yu-gwang Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4189728A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US20220033710A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for fabricating FinFET with separated double gates on bulk silicon

Номер патента: US09478641B2. Автор: JIA Li,Ru Huang,Xiaoyan Xu,Jiewen Fan,Runsheng Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and device for etching silicon oxide

Номер патента: US11715641B2. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method and device for etching silicon oxide

Номер патента: US12125709B2. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Aqueous Solution for Etching Silicon Oxide

Номер патента: US20220098485A1. Автор: Guy Vereecke. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-31.

Method and device for etching silicon oxide

Номер патента: US20230274944A1. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Composition for etching and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20200263087A1. Автор: Jin Uk Lee,Jae Wan Park,Jung Hun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Composition for etching and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20210054281A1. Автор: Jin Uk Lee,Jae Wan Park,Jung Hun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for etching insulating layer, method for manufacturing display device using the same, and display device

Номер патента: US11756964B2. Автор: Dae Soo Kim,Sung Won Cho,Yu-gwang Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Composition for etching and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20210054286A1. Автор: Jin Uk Lee,Jae Wan Park,Jung Hun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Composition for etching and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20210054285A1. Автор: Jin Uk Lee,Jae Wan Park,Jung Hun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Composition for etching and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20210054284A1. Автор: Jin Uk Lee,Jae Wan Park,Jung Hun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Composition for etching and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20210054282A1. Автор: Jin Uk Lee,Jae Wan Park,Jung Hun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Method For Improving Etch Rate And Critical Dimension Uniformity When Etching High Aspect Ratio Features Within A Hard Mask Layer

Номер патента: US20230343598A1. Автор: Yun Han,Kai-Hung YU,Shihsheng Chang,Andrew Metz,Eric Chih-Fang Liu,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Liquid mixture and method for selectively wet etching silicon germanium

Номер патента: US20180277379A1. Автор: Christian Fischer,Dries Dictus. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing

Номер патента: US5637151A. Автор: Peter Schulz. Владелец: Siemens Components Inc. Дата публикации: 1997-06-10.

A method for high temperature heating of silicon wafer

Номер патента: KR100423754B1. Автор: 윤성호,김건,문영희. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2004-03-22.

Method for removing surface layer on silicon wafer

Номер патента: TW200802590A. Автор: Hiroshi Yamada,Shoichi Kakuya. Владелец: Kyushu Dentsu Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-01.

Methods for etch of SiN films

Номер патента: US09842744B2. Автор: Nitin Ingle,Anchuan Wang,Jingchun Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Iodine-containing fluorocarbon and hydrofluorocarbon compounds for etching semiconductor structures

Номер патента: US11798811B2. Автор: Fabrizio MARCHEGIANI. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Iodine-containing fluorocarbon and hydrofluorocarbon compounds for etching semiconductor structures

Номер патента: WO2021262841A8. Автор: Fabrizio MARCHEGIANI. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2022-12-29.

Iodine-containing fluorocarbon and hydrofluorocarbon compounds for etching semiconductor structures

Номер патента: WO2021262841A1. Автор: Fabrizio MARCHEGIANI. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pourl'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2021-12-30.

Systems and methods for etching a high aspect ratio structure

Номер патента: US20240120209A1. Автор: Eric A. Hudson,Takumi Yanagawa,Nikhil Dole,Merrett Wong,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

System and method for removing scalloping and tapering effects in high aspect ratio through-silicon vias of wafers

Номер патента: US11735478B2. Автор: Sandro Carrara,Edoardo Charbon,Simone Frasca,Rebecca Leghziel. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2023-08-22.

System and Method for Removing Scalloping and Tapering Effects in High Aspect Ratio Through-Silicon Vias of Wafers

Номер патента: US20210351075A1. Автор: Sandro Carrara,Edoardo Charbon,Simone Frasca,Rebecca Leghziel. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2021-11-11.

Plasma etch method for forming plasma etched silicon layer

Номер патента: SG117384A1. Автор: HO Kwok Keung Paul,Xue Chun Dai. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-12-29.

Method for etching high aspect ratio structures

Номер патента: US20240332031A1. Автор: Tong Liu,Qian Fu,FENG Qiao,Sangjun Park,Hailong Zhou,Jayoung Choi,Radhe AGARWAL. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for minimizing mask undercuts and notches for plasma processing system

Номер патента: WO2008005630A2. Автор: Alferd Cofer,Tamarak Pandhumsoporn,William Bosch. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-01-10.

Methods for adjusting critical dimension uniformity in an etch process

Номер патента: SG153011A1. Автор: Changhun Lee,Guowen Ding,Teh-Tien Su. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-06-29.

Fast-gas switching for etching

Номер патента: US09640408B2. Автор: Saravanapriyan Sriraman,Alexander Paterson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for etching a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: US20040154186A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for etching object to be processed

Номер патента: US09947864B2. Автор: Tamotsu Morimoto,Song Yun Kang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of etching a metal layer using a mask, a metallization method for a semiconductor device, a method of etching a metal layer, and an etching gas

Номер патента: US20040038547A1. Автор: Chang-jin Kang,Byeong-Yun Nam,Seung-Young Son,Cheol-kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-26.

Methods for performing plasma etching operations on microelectronic structures

Номер патента: US5900163A. Автор: Gyu-Hwan Kwag,Kyung-Hoon Kim,Dai-Sik Moon,Whi-kun Yi,Sung-kyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-05-04.

Fast-gas switching for etching

Номер патента: US20160141150A1. Автор: Saravanapriyan Sriraman,Alexander Paterson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Methods for etching edge of silicon wafer

Номер патента: CN101981664B. Автор: G·张,P·D·阿尔布雷克特,H·F·埃瑞克,E·R·霍兰德,T·E·多恩,J·A·施密特,R·R·旺达姆. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2013-08-28.

Method for evaluating crystal defects of silicon wafer

Номер патента: EP1734572B1. Автор: Hideki Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. SATO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-01.

Method for analysis of impurities in silicon wafer through local etching

Номер патента: KR100557702B1. Автор: 김영훈. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2006-03-07.

Method for deep cleaning surface of silicon wafers

Номер патента: RU2750315C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин,Ольга Михайловна Крайнова. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2021-06-25.

METHOD FOR METALLIZING A SINGLE-CRYSTAL SILICON WAFER

Номер патента: FR2537778B1. Автор: Herbert J Gould,Anders Nilarp. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1986-12-19.

Method For Evaluating Crystal Defects Of Silicon Wafer

Номер патента: US20070204789A1. Автор: Hideki Sato. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-06.

Method for etching silicon-containing film and semiconductor device manufacturing method comprising same

Номер патента: US20230420261A1. Автор: Jung Hun KWAK,Yong Jun Cho,Woo Jae Kim,Gi Chung Kwon,Byung Hyang KWON. Владелец: Sk Specialty Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Etching solution, method for treating substrate with the etching solution, and method for manufacturing semicondutor device

Номер патента: US20240034933A1. Автор: Naoto Nomura,Manami OSHIO. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for etching etching target layer

Номер патента: US09418863B2. Автор: Hiroshi Okada,Yoshiki Igarashi,Shin Hirotsu,Tomonori Miwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Highly selective etching methods for etching dielectric materials

Номер патента: US09595451B1. Автор: Liming Yang,Gene Lee,Hailong Zhou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Methods for forming features in a material layer utilizing a combination of a main etching and a cyclical etching process

Номер патента: US09543163B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Mang-Mang Ling,Jungmin Ko,Bradley Howard,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Safe method for etching silicon dioxide

Номер патента: US5268069A. Автор: Andrew H. Simon,Jonathan D. Chapple-Sokol,Richard A. Conti,David E. Kotecki,Manu Tejwani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-12-07.

Methods for barrier layer removal

Номер патента: US09514953B2. Автор: Srinivas D. Nemani,He REN,Mehul Naik,Chia-Ling Kao,Sean Kang,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for bonding and interconnecting integrated circuit devices

Номер патента: US09960080B2. Автор: Eric Beyne. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for etching metal layer of a semiconductor device using hard mask

Номер патента: US6008135A. Автор: Yong-Tak Lee,Sang-Jeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-28.

Methods for running a high density plasma etcher to achieve reduced transistor device damage

Номер патента: WO2000036638A1. Автор: Eric A. Hudson,Jaroslaw W. Winniczek,Joel M. Cook,Helen L. Maynard. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2000-06-22.

Method for etching of sio2 layers on thin wafers

Номер патента: WO2013092759A2. Автор: Reiner Fischer,Marcello Riva,Gerd Walther. Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for etching of sio2 layers on thin wafers

Номер патента: WO2013092759A3. Автор: Reiner Fischer,Marcello Riva,Gerd Walther. Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2014-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device, and method for processing etching-target film

Номер патента: US8124322B2. Автор: Eiichi Soda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Method for achieving ultra-high selectivity while etching silicon nitride

Номер патента: US09911620B2. Автор: Faisal Yaqoob,Pilyeon Park,Helen H. Zhu,Joon Hong Park,Linda Marquez,Ivan L. Berry, III,Ivelin A. Angelov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for etching a silicon containing surface

Номер патента: WO2019048693A1. Автор: Maxim Kelman,Clement Merckling,M. Ziaul Karim,Elie Schapmans,Francesco BUTTITTA,Sergej PASKO. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2019-03-14.

Process for etching silicon dioxide layer without micro masking effect

Номер патента: US5296094A. Автор: Hongging Shan,Donald W. Jillie, Jr.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-03-22.

System and method for etching organic anti-reflective coating from a substrate

Номер патента: WO1999030360A1. Автор: YAN Ye,Chun Yan,Diana Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-06-17.

Method for fabricating a via

Номер патента: US6100183A. Автор: Chi-Cheng Yang,Ching-Hsing Hsieh,Tsung-Yuan Hung,William Lu. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Method for etching dual damascene structures in organosilicate glass

Номер патента: US6410437B1. Автор: Janet M. Flanner,Ian Morey. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Method for etching oxide film in plasma etching system

Номер патента: US6103137A. Автор: Jae-Hyun Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Electronic component and method for etching an insulating layer of a component

Номер патента: US20010055664A1. Автор: Manfred Engelhardt,Volker Weinrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Method For Etching High Aspect Ratio Features Within A Dielectric Using A Hard Mask Stack Having Multiple Hard Mask Layers

Номер патента: US20230360925A1. Автор: JinYing Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for etching high aspect-ratio multilevel contacts

Номер патента: US5906948A. Автор: Erik S. Jeng,Hao-Chieh Liu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-05-25.

Thermal treatment method of silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US20120241912A1. Автор: Koji Araki,Takeshi Senda. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Corrosion method of passivation layer of silicon wafer

Номер патента: US09812334B2. Автор: Qiliang Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for removing crystal defects in silicon wafers

Номер патента: US5902135A. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-05-11.

Method for etching silicon substrate using plasma gas

Номер патента: US20170263463A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim,Sung-Woon Cho. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for etching the surface of sapphire plates

Номер патента: RU2771457C1. Автор: Владимир Михайлович Каневский,Андрей Викторович Буташин,Арсен Эмирбегович Муслимов,Абубакар Магомедович Исмаилов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2022-05-04.

Method for etching features in a stack

Номер патента: WO2024178234A1. Автор: Eric Hudson,Leonid Belau. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for plasma etching a layer based on a iii-n material

Номер патента: EP4441778A1. Автор: Nicolas Posseme,Simon Ruel,Patricia PIMENTA BARROS,Bryan Helmer,Philippe Thoueille. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Apparatus and method for controlling etch depth

Номер патента: US6939811B2. Автор: Alan J. Miller,Vijayakumar C. Venugopal,Tom A. Kamp. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-09-06.

Method for producing silicon wafer

Номер патента: EP4328958A1. Автор: Tatsuo Abe,Yuki Tanaka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Bulk silicon wafer product useful in the manufacture of three dimensional multigate mosfets

Номер патента: EP2329516A1. Автор: Michael R. Seacrist. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2011-06-08.

Method and apparatus for etching a deep trench

Номер патента: EP1420438A2. Автор: AJAY Kumar,Padmapani C. Nallan,Shu-Ting S. Hsu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Method for processing e.g. crystalline silicon wafer, involves reducing heat produced from laser beam in edge area of wafer, providing edge area with wafer edge, and placing laser beam and wafer in wafer edge according to laser trench

Номер патента: DE102012111698A1. Автор: Joachim König,Martin KUTZER,Matthias Richter. Владелец: SOLARWORLD INNOVATIONS GMBH. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for analyzing metal contamination of silicon wafer and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: CN110494734B. Автор: 水野泰辅. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-04-12.

METHOD FOR DEPOSITING BORPHOSPHORSILICATE GLASS ON SILICON WAFERS

Номер патента: DE3515135A1. Автор: Thomas C. Sunnymead Calif. Foster,Jon C. Orange Calif. Goldman,Gary W. Santa Ana Calif. Hoeye. Владелец: Thermal Systems Ltd. Дата публикации: 1985-11-21.

Liquid mixture and method for selectively wet etching silicon germanium

Номер патента: US20180277379A1. Автор: Christian Fischer,Dries Dictus. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for etching silicon wafer

Номер патента: US20230178390A1. Автор: Kuniaki Oonishi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for etching layer to be etched

Номер патента: US09647206B2. Автор: Mitsuru Hashimoto,Takashi Sone,Eiichi Nishimura,Keiichi Shimoda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for etching semiconductor substrate and etchant

Номер патента: EP3926664A1. Автор: Hirokuni Saito,Isao Hirano. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Method for etching substrates comprising a thin surface layer, for improving the uniformity of thickness of the layer

Номер патента: US12040194B2. Автор: Laurent Viravaux,Sébastien CARTON,Onintza ROS. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods for chemically etching a target layer

Номер патента: US20240363358A1. Автор: Timothee Blanquart,Charles DEZELAH,René Henricus Jozef Vervuurt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for etching gate stack

Номер патента: US20120295431A1. Автор: John Foster,Kim Van Berkel. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for etching gate stack

Номер патента: US20130285159A1. Автор: John Foster,Kim Van Berkel. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2013-10-31.

Method for etching gate stack

Номер патента: US8575016B1. Автор: John Foster,Kim Van Berkel. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Method for etching gate stack

Номер патента: WO2012162185A2. Автор: John Foster,Kim Van Berkel. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for processing a silicon wafer

Номер патента: US09934988B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Helmut Oefner,Sandeep Walia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for producing silicon wafer

Номер патента: US09425056B2. Автор: Hiromasa Hashimoto,Takuya Sasaki,Kazuya Sato,Ayumu Sato. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods for etching through-wafer vias in a wafer

Номер патента: US09711364B2. Автор: Elena Becerra Woodard,Daniel Kwadwo Amponsah Berkoh,Dean G. Scott. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Decapsulator with applied voltage and etchant cooling system for etching plastic-encapsulated devices

Номер патента: US09543173B2. Автор: Alan M. Wagner. Владелец: NISENE Tech GROUP. Дата публикации: 2017-01-10.

Improved method of antisotropically etching silicon, wafers and wafer etching solution.

Номер патента: MY105972A. Автор: Wilbur Austin Larry,George Linde Harold. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1995-02-28.

Process for etching a silicon wafer

Номер патента: WO2000072368A9. Автор: Anca Stefanescu,Henry F Erk,Tom Doane,Judy Schmidt. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2002-04-18.

Method for making high-voltage thick gate oxide

Номер патента: US11967520B2. Автор: Junwen LIU. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Methods for fabricating integrated circuits including substrate contacts

Номер патента: US09997393B1. Автор: Bo Yu,PURAKH Raj Verma,Zeng Wang,Wensheng Deng,Yuzhan Wang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Etched silicon based devices and methods for their preparation

Номер патента: US20210126211A1. Автор: Muhammad Y. BASHOUTI. Владелец: BG Negev Technologies and Applications Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Etched silicon based devices and methods for their preparation

Номер патента: EP3746396A1. Автор: Muhammad Y. BASHOUTI. Владелец: BG Negev Technologies and Applications Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

Method for reducing contamination prior to epitaxial growth and related structure

Номер патента: US20020182882A1. Автор: Klaus Schuegraf,David Chapek. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-12-05.

Etchant composition for etching silicon germanium film and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US20230272280A1. Автор: Hyosan Lee,Jaesung Lee,Sangwon BAE,Jungmin Oh,Changjun Park,Junghun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for dry-etching semiconductor substrate and method for dry-etching silicon oxide film

Номер патента: US20230207399A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for etching etch layer and wafer etching apparatus

Номер патента: US20160314994A1. Автор: Ping-Jung Huang,Bo-Wei Chou,Manish Kumar Singh,Wen-Yu Ku,Jui-Ming SHIH,Pi-Chun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Etching method for photoresists or polymers

Номер патента: US5007983A. Автор: Narcinda R. Lerner,Theodore J. Wydeven, Jr.. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1991-04-16.

Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution

Номер патента: CA2061264C. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Nobuhiko Sato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Method for etching a compound semiconductor, a semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US6127201A. Автор: Toyoji Chino,Isao Kidoguchi,Hideto Adachi,Yasuhito Kumabuchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Improved method for etching vias

Номер патента: EP1493177A2. Автор: David J. Johnson,Russell Westerman. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2005-01-05.

Improved method for etching vias

Номер патента: WO2003088313A2. Автор: David J. Johnson,Russell Westerman. Владелец: Unaxis Usa, Inc.. Дата публикации: 2003-10-23.

Method for etching GaN material

Номер патента: EP1120483A3. Автор: Michael Wojtowicz,Michael E Barsky,Rajinder R. Sandhu. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-12-05.

Method for cleaning silicon wafer, method for producing silicon wafer, and silicon wafer

Номер патента: EP4307347A1. Автор: Tatsuo Abe,Kota Fujii. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Method for etching GaN material

Номер патента: EP1120483A2. Автор: Michael Wojtowicz,Michael E Barsky,Rajinder R. Sandhu. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-08-01.

Method of processing silicon wafer

Номер патента: US7601642B2. Автор: Sakae Koyata,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Methods for wet atomic layer etching of copper

Номер патента: US11866831B2. Автор: ARKALGUD Sitaram,Paul Abel,Jacques Faguet,Christopher Netzband. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for improving etching rate of wet etching

Номер патента: US11869774B2. Автор: Nannan Zhang,Yen-Teng Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Polishing pad, polishing apparatus and a method for polishing silicon wafer

Номер патента: US11471997B2. Автор: Yue Xie,Youhe Sha. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-10-18.

Improved method for etching vias

Номер патента: EP1493177A4. Автор: Russell Westerman,David J Johnson. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2009-03-11.

Polishing pad, polishing apparatus and a method for polishing silicon wafer

Номер патента: US20220009051A1. Автор: Yue Xie,Youhe Sha. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for etching high-k films in solutions comprising dilute fluoride species

Номер патента: US6835667B2. Автор: Thomas J. Wagener,Kurt K. Christenson,Neil Bruce Rosengren,Brent D. Schwab. Владелец: FSI International Inc. Дата публикации: 2004-12-28.

Dry etching method for a gallium nitride type compound semiconductor

Номер патента: US5693180A. Автор: Satoshi Sugahara,Katsuki Furukawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-12-02.

Method for etching features in a stack

Номер патента: WO2024064526A1. Автор: Eric Hudson,Leonid Belau. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-28.

Etching method for sic substrate and holding container

Номер патента: US20170323797A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Masato Shinohara,Koji Ashida,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI,Norihito YABUKI,Yasunori Kutsuma,Youji Teramoto. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Palladium-Selective Etching Solution and Method for Controlling Etching Selectivity

Номер патента: US20090184092A1. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for etching gate stack

Номер патента: EP2710627A2. Автор: John Foster,Kim Van Berkel. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-03-26.

Method for etching low k dielectrics

Номер патента: WO1999052135A1. Автор: YAN Ye,Chun Yan,Diana Xiaobing Ma,Gary C. Hsueh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-10-14.

Methods of etching silicon-containing films on silicon substrates

Номер патента: US20110028000A1. Автор: Dmitry Poplavskyy,Elena Rogojina,Eric Rosenfeld. Владелец: INNOVALIGHT INC. Дата публикации: 2011-02-03.

Etching solution and method for aluminum nitride

Номер патента: US11929257B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Chung Yi Chang. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatus and method for wafer thinning in advanced packaging applications

Номер патента: US20180254221A1. Автор: John Clark,Laura Mauer,John Taddei,Kenji Nulman. Владелец: Veeco Precision Surface Processing LLC. Дата публикации: 2018-09-06.

Method for improving the electrical properties of a gate oxide

Номер патента: US6352939B1. Автор: Jenn-Gwo Hwu,Yen-Hao Shih. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2002-03-05.

Systems and methods for fabrication of a redistribution layer to avoid etching of the layer

Номер патента: WO2019060636A1. Автор: Thomas A. Ponnuswamy,Bryan L. Buckalew,Joseph Richardson,Stephen J. II BANIK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for etching back hard mask layer on tops of dummy polysilicon gates in gate last process

Номер патента: US20220102531A1. Автор: Ying Xu,Ran Huang,Shidong Fu,Bohan Jiang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for etching organic film and plasma etching device

Номер патента: US9293346B2. Автор: Hironori Matsuoka,Hiroyuki Takaba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Method for etching dielectric films

Номер патента: US6117351A. Автор: Li Li,Don L. Yates. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-12.

Method for etching back hard mask layer on tops of dummy polysilicon gates in gate last process

Номер патента: US11538923B2. Автор: Ying Xu,Ran Huang,Shidong Fu,Bohan Jiang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Method for etching organic insulating film and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040058552A1. Автор: Kenichi Higuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Method and apparatus for etching disk-like member

Номер патента: US7494597B2. Автор: Hisaya Fukunaga,Tadamitsu Miyazaki,Kazuya Hirayama,Hiroyasu Futamura. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2009-02-24.

Method for nickel-assisted single-stage coating and etching of silicon strips

Номер патента: WO2018208249A2. Автор: Rasit Turan,Ashkan VAKILIPOOR,Fırat ES. Владелец: Es Firat. Дата публикации: 2018-11-15.

Apparatus and method for etching substrate, stamp for etching substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911615B2. Автор: Kyung Ho Kim,Jungwoo OH,Yunwon SONG,Bugeun KI,Keorock CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-03-06.

Variable time etching system according to the accumulated number of devices being processed and a method for etching in the same manner

Номер патента: US6495055B2. Автор: Jin-soo Kim,Jung-Taek Lim,Soo-Won Lee,Sung-Joon Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-17.

Variable time etching system according to the accumulated number of devices being processed and a method for etching in the same manner

Номер патента: US20020088774A1. Автор: Jin-soo Kim,Jung-Taek Lim,Soo-Won Lee,Sung-Joon Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for producing mirror-polished wafer

Номер патента: US09748089B2. Автор: Hiromasa Hashimoto,Yoshihiro Usami,Kazuaki Aoki,Shigeru Oba. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for producing support substrate for bonded wafer, and support substrate for bonded wafer

Номер патента: US20230395423A1. Автор: Hiroaki Ishizaki,Daisuke HIEDA,Toshiyuki Isami,Naoya Nonaka,Koudai MOROIWA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for producing support substrate for bonded wafer, and support substrate for bonded wafer

Номер патента: EP4235747A1. Автор: Hiroaki Ishizaki,Daisuke HIEDA,Toshiyuki Isami,Naoya Nonaka,Koudai MOROIWA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor silicon wafer cleaning treatment apparatus and cleaning method

Номер патента: EP3866185A1. Автор: Kensaku Igarashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

Method for etching copper layer

Номер патента: US20190272997A1. Автор: Hidenori Miyoshi,Kenji Matsumoto,Shigeru Tahara,Daisuke Urayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09881818B2. Автор: Nobuaki Yamanaka,Daisuke CHIKAMORI,Shinichirou KATSUKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for storing carrier for polishing wafer

Номер патента: EP1142003A1. Автор: Masaaki MEMC Electronic Materials Inc. IKEDA,Ichiro MEMC Electronic Materials Inc. YOSHIMURA. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2001-10-10.

Method for producing a vertical power semiconductor component, and vertical power semiconductor component

Номер патента: US20240222492A1. Автор: Christian Huber,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing a functional device by forming 45-degree-surface on (100) silicon

Номер патента: US20020048962A1. Автор: Masayuki Sekimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Methods for etching a bottom anti-reflective coating layer in dual damascene application

Номер патента: WO2007109464A2. Автор: Karsten Schneider,Gerardo A. Delgadino,Ying Xiao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-09-27.

Methods for etching a bottom anti-reflective coating layer in dual damascene application

Номер патента: EP2001814A2. Автор: Karsten Schneider,Gerardo A. Delgadino,Ying Xiao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

METHOD FOR OBTAINING GAS-SENSITIVE ELEMENT BASED ON MULTI-LAYERED STRUCTURE OF POROUS SILICON ON THE INSULATOR AND SnOX

Номер патента: RU2674406C1. Автор: Валерий Викторович Болотов,Константин Евгеньевич Ивлев,Егор Владимирович Князев,Владислав Евгеньевич Росликов,Екатерина Александровна Росликова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ОНЦ СО РАН). Дата публикации: 2018-12-07.

Method and apparatus for etching coated substrates

Номер патента: WO2000047343A1. Автор: Todd J. Dapkus,John R. Bohland. Владелец: First Solar, Llc.. Дата публикации: 2000-08-17.

Method for etching a silicon-containing substrate

Номер патента: US09966312B2. Автор: Alok Ranjan,Sergey Voronin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing elastic elements from single-crystal silicon

Номер патента: RU2770165C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин,Фархад Анвярович Абдуллин,Вера Владимировна Алексеева. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2022-04-14.

Method for growing barium titanate thin film

Номер патента: US20010004547A1. Автор: Hsin-Chih Liao,Ming-Kwei Lee. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-06-21.

Method for polishing silicon wafer with reduced wear on carrier, and polishing liquid used therein

Номер патента: US20230178376A1. Автор: Eiichiro ISHIMIZU,Hayato Yamaguchi,Yusuke Tanatsugu. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for etching organic region

Номер патента: US20190326106A1. Автор: Masahiro Tabata,Ryuichi Asako,Takao FUNAKUBO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods for selective etching of a silicon material

Номер патента: US09653310B1. Автор: Nitin K. Ingle,Anchuan Wang,Zihui Li,Xing Zhong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Light-assisted deposition method for fabricating a compliant substrate for epitaxial growth of monocrystalline materials

Номер патента: US20030022520A1. Автор: Barbara Barenburg,Zhiyi Yu,Alexander Demkov. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Image pickup device and manufacturing method for image pickup device by stacking/bonding of crystalline silicon substrates

Номер патента: US09954027B2. Автор: Haruhisa Saito. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for Rapid Thermal Treatment Using High Energy Electromagnetic Radiation of a Semiconductor Substrate for Formation of Dielectric Films

Номер патента: US20100009528A1. Автор: Fumitake Mieno,David Gao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Device for manufacturing semiconductor substrate comprising temperature gradient inversion means and method for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: EP3951026A1. Автор: Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Method for forming semiconductor structure with fins using a multilayer mask structure for etching to form nanostructures

Номер патента: US12087641B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: EP1548814A3. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Surface Treatment Method for Atomically Flattening a Silicon Wafer and Heat Treatment Apparatus

Номер патента: US20160276171A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Akinobu Teramoto,Tomoyuki Suwa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-09-22.

Method for cleaning silicon wafer

Номер патента: US11878329B2. Автор: Tatsuo Abe,Kensaku Igarashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Wide-gap semiconductor substrate, apparatus for manufacturing wide-gap semiconductor substrate, and method for manufacturing wide-gap semiconductor substrate

Номер патента: EP3640973A1. Автор: Takashi Yamamoto. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Wide-Gap Semiconductor Substrate, Apparatus For Manufacturing Wide-Gap Semiconductor Substrate, And Method For Manufacturing Wide-Gap Semiconductor Substrate

Номер патента: US20200127090A1. Автор: Takashi Yamamoto. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Bonded wafer and method for producing bonded wafer

Номер патента: SG140581A1. Автор: Akihiko Endo,Nobuyuki Morimoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-03-28.

Method for producing mirror-polished wafer

Номер патента: US20160217998A1. Автор: Hiromasa Hashimoto,Yoshihiro Usami,Kazuaki Aoki,Shigeru Oba. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Method for forming contact windows in the layer of the protective foundation of a high-voltage device

Номер патента: RU2645920C2. Автор: Алексей Николаевич Харин,Эвелина Павловна Домашевская,Александр Васильевич Коновалов,Алексей Александрович Скиданов,Юрий Леонидович Фоменко,Владимир Андреевич Терехов,Сергей Юрьевич Турищев. Владелец: Акционерное общество "ВЗПП-Микрон". Дата публикации: 2018-02-28.

Stabilized photoresist structure for etching process

Номер патента: EP1856717A2. Автор: Ji Soo Kim,Peter Cirigliano,Zhisong Huang,Eric A. Hudson,S. M. Reza Sadjadi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

System and method for commercial fabrication of patterned media

Номер патента: WO2009073857A1. Автор: REN Xu,Terry Bluck,Michael S. Barnes,Kevin P. Fairbairn,Ralph Kerns,Charles Liu. Владелец: INTEVAC, INC.. Дата публикации: 2009-06-11.

Texturization method of silicon wafers, product obtained therefrom and preparation method of solar cells

Номер патента: US20190341509A1. Автор: Xusheng Wang,Fang Cao,Guoqiang Xing,Shuai ZOU,Xiaoya Ye. Владелец: CSI Cells Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for producing an acceleration sensor

Номер патента: US5525549A. Автор: Yukihiko Tanizawa,Yoshimi Yoshino,Tsuyoshi Fukada. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-11.

Optically flat surfaces on processed silicon wafers

Номер патента: WO1989012318A1. Автор: Philip G. Reif,Murray S. Welkowsky,Norman W. Goodwin,P.K. Vasudev. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1989-12-14.

Bonded wafer and method for producing bonded wafer

Номер патента: EP1895572A3. Автор: Akihiko Endo,Nobuyuki Morimoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-04-15.

Technological method for preventing, by means of buried etch stop layers, the creation of vertical/lateral inhomogeneities when etching through-silicon vias

Номер патента: US20180286751A1. Автор: Steffen Marschmeyer,Dirk Wolansky,Mehmet Kaynak,Marco Lisker,Philip Kulse,Matthias Wietstruck. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of polishing silicon wafer and method of producing epitaxial wafer

Номер патента: US09824880B2. Автор: Hideki Sato. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method

Номер патента: CA2010030C. Автор: Hiroshi Adachi,Osamu Hayashi,Etsushi Adachi,Yoshiko Aiba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method

Номер патента: CA2010030A1. Автор: Hiroshi Adachi,Osamu Hayashi,Etsushi Adachi,Yoshiko Aiba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-08-23.

Method for etching deep, high-aspect ratio features into silicon carbide and gallium nitride

Номер патента: US11984321B1. Автор: Michael Pedersen,Michael A. Huff,Mehmet Ozgur. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for electrochemically etching a semiconductor structure

Номер патента: US20210057601A1. Автор: Peter Griffin,Tongtong ZHU,Yingjun Liu,Rachel A. OLIVER. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of analyzing metal contamination of silicon wafer and method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20190371616A1. Автор: Taisuke Mizuno. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for storing carrier for polishing wafer

Номер патента: MY130885A. Автор: Masaaki Ikeda,Ichiro Yoshimura. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2007-07-31.

Apparatus and method for etching metal nitrides

Номер патента: US12009224B2. Автор: Qi Xie,Giuseppe Alessio Verni,Ren-Jie Chang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-11.

Thermal Pad for Etch Rate Uniformity

Номер патента: US20190244849A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Hua-Li HUNG,Chen-Yi Liu,Tsung Fan Yin,Chin-huei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of measuring contact angle of silicon wafer and method of evaluating surface condition of silicon wafer

Номер патента: US20240344951A1. Автор: Ryosuke Takahashi,Shuichi Samata,Noritomo Mitsugi,Mami Kubota,Sayaka Makise. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Stop layer through ion implantation for etch stop

Номер патента: US09627263B1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin,Siva Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Apparatus and method for reducing substrate thickness and surface roughness

Номер патента: GB2623533A. Автор: MUMFORD ROLAND,Michael Day Matthew. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

METHOD FOR PRODUCTION OF A GLUED SILICON WAFER AND GLUED SILICON WAFER

Номер патента: FR3083917B1. Автор: Yoshihiro Koga. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-06-10.

Method for forming gettering region of silicon wafer

Номер патента: KR100309132B1. Автор: 나상근. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-17.

Method for residue-free anisotropic etching of aluminum and its alloys

Номер патента: WO2000029640A9. Автор: Jeffrey Stokes,Timothy R Webb,Savitha Nanjangud,Marlene Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-11-09.

Method for manufacturing silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US20240304458A1. Автор: Susumu Maeda,Hisashi Matsumura,Tatsuhiko Aoki,Toru Yamashita,Haruo Sudo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for etching metal or metal oxide by ozone water, method for smoothing surface of metal or metal oxide by ozone water, and patterning method using ozone water

Номер патента: US09797046B2. Автор: Takatoki Yamamoto,Ryuji Hatsuki. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-10-24.

Epitaxial silicon wafer and method for producing the epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20170076959A1. Автор: Toshiaki Ono,Jun Fujise. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for etching polycrystalline silicon, method for manufacturing semiconductor device, and etching program

Номер патента: US20130210204A1. Автор: Takayuki Sakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Etching method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120094445A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for preparing soi wafer by using rapid thermal processing

Номер патента: US20190326160A1. Автор: Jie Li. Владелец: SHENYANG SILICON TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods for etching a hardmask layer for an interconnection structure for semiconductor applications

Номер патента: US09653320B2. Автор: Sumit Agarwal,Chiu-Pien KUO,Shang-Ting HSIEH,Guochuan HONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods for etching via atomic layer deposition (ALD) cycles

Номер патента: US09595466B2. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Mei Chang,Vikash Banthia,Yixiong Yang,Xinyu Fu,Guoqiang JIAN,Jonathan BAKKE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Epitaxial silicon wafer and method for producing the same

Номер патента: EP2130953A3. Автор: Seiji Sugimoto,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Production method for annealed wafer

Номер патента: US20020160591A1. Автор: Norihiro Kobayashi,Shoji Akiyama,Masaro Tamatsuka,Takatoshi Nagoya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US20130295780A1. Автор: Shinya Sadohara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US8853103B2. Автор: Shinya Sadohara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US20110143526A1. Автор: Shinya Sadohara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20040023518A1. Автор: Yuichi Matsumoto,Norihiro Kobayashi,Shoji Akiyama,Masaru Shinomiya,Masaro Tamatsuka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Epitaxial silicon wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US09412622B2. Автор: Toshiaki Ono,Shigeru Umeno. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

A method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering

Номер патента: EP1192650A2. Автор: Charles Chiun-Chieh MEMC El. Mat. Inc. YANG,Darrell D. MEMC Elec. Materials Inc. WATKINS. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2002-04-03.

Production method for silicon wafer

Номер патента: EP1335421B1. Автор: Satoshi c/o SHIN-ETSU HANDOTAI CO. LTD TOBE,Ken c/o SHIN-ETSU HANDOTAI CO. LTD AIHARA. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-29.

Method for making silicon wafers

Номер патента: US4597822A. Автор: John L. Benjamin,William R. Van Dell. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-07-01.

Method for growing an epitaxial film on a phosphorous-doped silicon wafer

Номер патента: US09425264B2. Автор: Tadashi Kawashima,Masayuki Shinagawa,Naoya Nonaka,Gou Uesono. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods for etching an aluminum-containing layer

Номер патента: WO1999067443A1. Автор: Robert J. O'Donnell. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1999-12-29.

Methods for etching an aluminum-containing layer

Номер патента: WO1999067443A9. Автор: Robert J O'donnell. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2000-06-08.

An epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof

Номер патента: WO2000034999A9. Автор: Charles C Yang,Gregory M Wilson,Jon A Rossi. Владелец: Jon A Rossi. Дата публикации: 2001-04-19.

An epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof

Номер патента: WO2000034999A3. Автор: Charles C Yang,Gregory M Wilson,Jon A Rossi. Владелец: Jon A Rossi. Дата публикации: 2000-11-16.

Oxygen precipitation in heavily doped silicon wafers sliced from ingots grown by the Czochralski method

Номер патента: US09634098B2. Автор: Robert J. Falster,Vladimir V. Voronkov. Владелец: SunEdison Semiconductor Pty Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for non-isothermal wet atomic layer etching

Номер патента: WO2023239495A1. Автор: Paul Abel. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Epitaxial silicon wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US20120112319A1. Автор: Akira Inoue,Masahiro Yoshikawa,Tadashi Kawashima,Yoshiya Yoshida,Kazuhiro Iriguchi,Toshiyuki Isami. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Methods for etching a metal layer to form an interconnection structure for semiconductor applications

Номер патента: US09960052B2. Автор: Sumit Agarwal,Bradley J. Howard,Mark Hoinkis,Chiu-Pien KUO,Ann Chien. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for Forming Mixed Substrate

Номер патента: US20240186140A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for gettering transition metal impurities in silicon crystal

Номер патента: US7157354B2. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-01-02.

Silicon wafer and method for producing the same

Номер патента: US20140103492A1. Автор: Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Susumu Sonokawa,Hisayuki Saito. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

System and method for fabricating super conducting circuitry on both sides of an ultra-thin layer

Номер патента: US9577177B1. Автор: Ari D. Brown,Vilem Mikula. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for etching Pt film of semiconductor device

Номер патента: US6004882A. Автор: Byong-sun Ju,Hyoun-woo Kim,Byeong-Yun Nam,Won-jong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Method for producing an epitaxial wafer

Номер патента: US20240063027A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: EP4283024A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Methods for reducing etch rate loading while etching through a titanium nitride anti-reflective layer and an aluminum-based metallization layer

Номер патента: US5952244A. Автор: Susan C. Abraham,Peter H. Chen,Jerry Yang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1999-09-14.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer

Номер патента: US11959191B2. Автор: wei feng Qu,Shizuo Igawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Silicon wafer manufacturing method

Номер патента: EP1983562A2. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-22.

Materials and methods for etching silicides, polycrystalline silicon and polycides

Номер патента: US5219485A. Автор: Mei Chang,David N. Wang,T. K. Leong, deceased,executor Peter P. Leong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1993-06-15.

Method for manufacturing a semiconductor substrate having a compound semiconductor layer on a single-crystal silicon wafer

Номер патента: US5244830A. Автор: Kyoung-Soo Lee,Sang-Won Kang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1993-09-14.

Method For Manufacturing Silicon Single Crystal Wafer

Номер патента: US20090000535A1. Автор: Koji Ebara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Techniques for etching a transition metal-containing layer

Номер патента: WO1999033086A1. Автор: Robert J. O'Donnell,Gregory J. Goldspring. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1999-07-01.

Process for metallic contamination reduction in silicon wafers

Номер патента: EP1743364A2. Автор: L. W. c/o MEMC Electronic Materials Inc. SHIVE,B. L. c/o MEMC Electronic Materials Inc. GILMORE. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2007-01-17.

Process for metallic contamination reduction in silicon wafers

Номер патента: EP1743364B1. Автор: L. W. c/o MEMC Electronic Materials Inc. SHIVE,B. L. c/o MEMC Electronic Materials Inc. GILMORE. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2011-12-28.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US09576800B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Materials and methods for etching tungsten polycides using silicide as a mask

Номер патента: US4778563A. Автор: Clark S. Stone. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1988-10-18.

Improved techniques for etching an aluminum neodymium-containing layer

Номер патента: WO2000059024A1. Автор: John P. Holland,Nancy Tran,Thomas S. Choi. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2000-10-05.

Methods for etching structures with oxygen pulsing

Номер патента: US20220059366A1. Автор: Gabriela Alva,Nancy Fung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160293426A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160148964A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US9396967B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US9224601B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-12-29.

Silicon wafer heat treatment method

Номер патента: US09708726B2. Автор: wei feng Qu,Fumio Tahara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Epitaxial silicon wafer having reduced stacking faults

Номер патента: US09755022B2. Автор: Tadashi Kawashima,Masayuki Shinagawa,Naoya Nonaka,Gou Uesono. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

System and method for monitoring moving and stepping silicon wafers

Номер патента: WO2024002008A1. Автор: Chen Wei,Hua Yang,Huan WANG,Dawei Wang,Zhijun Wu,Lihui Jin,Zhigao Ren,Hongxia CEN,Chuanling Al,Mingqiang GENG. Владелец: Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for evaluating edge shape of silicon wafer, apparatus for evaluating thereof, silicon wafer, method for selecting and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20200240929A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Makoto Kobayashi,Masahiro Sakurada,Koichi Kanaya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for depositing silicon feedstock material, silicon wafer, solar cell and PV module

Номер патента: US10392725B2. Автор: Frank Asbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-27.

Method for evaluating edge shape of silicon wafer, apparatus for evaluating thereof, silicon wafer, method for selecting and method for manufacturing thereof

Номер патента: US11486833B2. Автор: Takeshi Kobayashi,Makoto Kobayashi,Masahiro Sakurada,Koichi Kanaya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-01.

METHODS FOR ETCHING AS-CUT SILICON WAFERS AND PRODUCING SOLAR CELLS

Номер патента: US20180114691A1. Автор: Holdermann Konstantin. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Epitaxially coated silicon wafer with <110> orientation and method for producing it

Номер патента: SG176450A1. Автор: Daub Erich,Oelkrug Hans,Schmelmer Oliver. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for aligning and bonding two silicon wafers by using silicon wafer notches

Номер патента: CN110767590A. Автор: 刘佳,程禹,叶武阳,李彦庆,刘佳晶. Владелец: Changchun Long Round Chen Microelectronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

A method for bonding a pair of silicon wafers together and a semiconductor wafer

Номер патента: AU2002339592A1. Автор: William Andrew Nevin,Paul Damien McCann,Garry Patrick O'Nell. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2003-05-12.

Method for bonding a pair of silicon wafers together, and a semiconductor wafer

Номер патента: US20060030123A1. Автор: Paul McCann,William Nevin,Garry O'Neill. Владелец: O'neill Garry P. Дата публикации: 2006-02-09.

Method for bonding a pair of silicon wafers together, and a semiconductor wafer

Номер патента: US20080026230A1. Автор: Paul McCann,William Nevin,Garry O'Neill. Владелец: O'neill Garry P. Дата публикации: 2008-01-31.

Method for in-line transferring of silicon wafers, particularly from baskets into at least one container, and the machine for implementing this method

Номер патента: FR2586658A1. Автор: Bernard Poli. Владелец: Recif SA. Дата публикации: 1987-03-06.

Facility and method for dispensing gas mixture for silicon wafer doping

Номер патента: KR20230020436A. Автор: 바니나 토도로바,에르베 둘피. Владелец: 에르 리뀌드 일렉뜨로닉 시스템. Дата публикации: 2023-02-10.

METHOD FOR DEPOSITING SILICON FEEDSTOCK MATERIAL, SILICON WAFER, SOLAR CELL AND PV MODULE

Номер патента: US20190085481A1. Автор: ASBECK Frank. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Method for bubble-free bonding of silicon wafers

Номер патента: US4962879A. Автор: Ulrich M. Goesele,Volker Lehmann. Владелец: Duke University. Дата публикации: 1990-10-16.

Method for removing impurities in broken silicon wafer

Номер патента: CN104616975A. Автор: 梅川奇,傅卓理,何贤安. Владелец: Jiangxi Jiushun Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-13.

Technique method for patterning back surface of silicon wafer

Номер патента: CN103811407A. Автор: 王雷,郁新举,程晋广,成鑫华. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-05-21.

METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS ON A SILICON WAFER

Номер патента: FR2739975B1. Автор: Philippe Gayet. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1998-03-06.

Method for optimizing maintaining period of silicon wafer carrying device

Номер патента: CN105470178A. Автор: 徐冬. Владелец: Beijing Sevenstar Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-06.

Method for producing pn junctions in silicon wafers

Номер патента: DE1150454B. Автор: Richard Magner. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1963-06-20.

The method for promoting integrated circuit corner silicon wafer service efficiency

Номер патента: CN106783731B. Автор: 任军,唐立伟. Владелец: Hefei Hengshuo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures

Номер патента: US09659788B2. Автор: Rahul Gupta,Venkateswara R. Pallem,Vijay SURLA. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for designing soi water and method for manufacturing soi wafer

Номер патента: SG183422A1. Автор: Susumu Kuwabara. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2012-09-27.

Method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20060105540A1. Автор: Kousuke Hara,Toyokazu Sakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Device for degumming and inserting silicon wafers and method for processing silicon wafers

Номер патента: US11749538B2. Автор: Hong Li,Jian Jing,HONG Chen,Jun Wang,Guangquan Zhang,Jiangshui ZHANG,Pucha HU. Владелец: Hangzhou Zhongwei Photoelectricity Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Etching time detection means and method for etching device

Номер патента: US20140063503A1. Автор: Tiansheng Li,Xiaohui Jiang,Shaoying Xu,Zhenyu Xie,Changjiang Yan. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Etching time detection means and method for etching device

Номер патента: US9972546B2. Автор: Tiansheng Li,Xiaohui Jiang,Shaoying Xu,Zhenyu Xie,Changjiang Yan. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing bonded silicon wafer

Номер патента: US20100068867A1. Автор: Akihiko Endo,Nobuyuki Morimoto,Hideki Nishihata,Tatsumi Kusaba. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Method for producing bonded silicon wafer

Номер патента: US7927957B2. Автор: Akihiko Endo,Nobuyuki Morimoto,Hideki Nishihata,Tatsumi Kusaba. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Wafer holding device for etching process and method for controlling etch rate of a wafer

Номер патента: US20080179285A1. Автор: HAO LI,Hongtao Ma,Hongxin Fang,XiaoFeng Qiao. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Wafer separation apparatus and method, and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20240213050A1. Автор: Tomohiro Hashii,Sumihisa Masuda,Yasunori Yoshioka,Tsukasa Yoshihara,Kawahito SHINICHI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for producing silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2217842C1. Автор: В.П. Попов,И.Е. Тысченко. Владелец: Институт физики полупроводников - Объединенного института физики полупроводников СО РАН. Дата публикации: 2003-11-27.

Systems and methods for crack detection

Номер патента: WO2019157271A3. Автор: Emanuel M. Sachs,Zhe Liu,Tonio Buonassisi,Sarah WIEGHOLD. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2019-11-21.

Image sensor and method for manufacturing deep trench and through-silicon via of the image sensor

Номер патента: US20210036048A1. Автор: Hong Lin. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for producing photovoltaic cells and modules from silicon wafers

Номер патента: EP2022086A1. Автор: Göran Fajersson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-11.

Device and method for detecting bending and warping of silicon wafer of solar cell

Номер патента: EP3614421A1. Автор: Tietun SUN,Ping Tang,Weizhong YAO. Владелец: Changzhou EGing Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-26.

Method for producing a boron emitter on a silicon wafer

Номер патента: US20240063323A1. Автор: Stefan Peters,Enrico Jarzembowski,Maximilian Kauert. Владелец: HANWHA Q CELLS GMBH. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing metal wiring and method for manufacturing solid state imaging device

Номер патента: US20150263057A1. Автор: Masaki Kikuchi,Takuto Inoue,Masaharu Ogasawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Method and apparatus to control surface texture modification of silicon wafers for photovoltaic cell devices

Номер патента: EP2569802A2. Автор: Edward Duffy,Laurent Clochard. Владелец: Ultra High Vacuum Solutions Ltd . Дата публикации: 2013-03-20.

Method for fabricating a patterned fd-soi wafer

Номер патента: US20240170325A1. Автор: Bomy Chen,Steve Nagel. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for fabricating a patterned fd-soi wafer

Номер патента: WO2024107824A1. Автор: Bomy Chen,Steve Nagel. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for making semiconductor device by adopting stress memorization technique

Номер патента: US11443986B2. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Manufacturing method for component incorporated substrate and component incorporated substrate manufactured using the method

Номер патента: US09596765B2. Автор: Akira Yamaki,Tatsuya Kikuchi,Mitsuaki Toda. Владелец: Meiko Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method and apparatus to control surface texture modification of silicon wafers for photovoltaic cell devices

Номер патента: US09548224B2. Автор: Edward Duffy,Laurent Clochard. Владелец: Ultra High Vacuum Solutions Ltd . Дата публикации: 2017-01-17.

Silicon wafer and method for filling silicon hole therein

Номер патента: EP4379773A1. Автор: Dengfeng Li,Wenlong Zhang. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Method for manufacturing a semiconductor element

Номер патента: US20060286733A1. Автор: Masahiro Hayashi,Akihiro Shiraishi,Takahisa Akiba. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Method for Manufacturing Simox Wafer

Номер патента: US20070178680A1. Автор: Seiichi Nakamura,Yukio Komatsu,Yoshiro Aoki,Tetsuya Nakai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Method For Making Semiconductor Device By Adopting Stress Memorization Technique

Номер патента: US20210335672A1. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Manufacturing method for semiconductor silicon wafer

Номер патента: US12046469B2. Автор: Takeshi Senda,Shingo Narimatsu. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon wafer and method for filling silicon via thereof

Номер патента: US20230307293A1. Автор: Dengfeng Li,Wenlong Zhang. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for producing diamond laminated silicon wafer, and diamond laminated silicon wafer

Номер патента: EP3656896A1. Автор: Yoshihiro Koga. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-05-27.

Tft substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190385900A1. Автор: BO Liang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Methods for etch barrier deposition and devices made according to the same

Номер патента: US20230215762A1. Автор: Rao R. Tummala,Madhavan Swaminathan,Mohanalingam Kathaperumal,Pratik Nimbalkar. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for manufacturing superjunction trench gate mosfet

Номер патента: US20240332402A1. Автор: Zhaozhao XU. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09576793B2. Автор: Giuseppe Abbondanza. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-02-21.

Spin etching method for semiconductor wafer

Номер патента: US20090209110A1. Автор: Osamu Nagai,Ayumu Okano. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20240240355A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: WO2024155595A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Composition for etching silicon oxide and method of forming a contact hole using the same

Номер патента: US20080121622A1. Автор: Seung-ki Chae,Pil-kwon Jun,Yang-Koo Lee,Dong-won Hwang,Kook-Joo Kim,Jung-In LA. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Production method of epitaxial silicon wafer and vapor deposition apparatus

Номер патента: US20160083836A1. Автор: Hitoshi Takamiya,Kan Yoshitake,Motoki GOTO,Yusuke Kurozumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor packages, semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20240243068A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Epitaxial silicon wafer, and method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20190181007A1. Автор: Tadashi Kawashima,Naoya Nonaka,Katsuya Ookubo. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for etching oxide semiconductor film and plasma processing apparatus

Номер патента: US12068171B2. Автор: Masahiro Yamazaki,Shigeru Tahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Systems and Methods for Horizontal Wafer Packaging

Номер патента: US20210028038A1. Автор: Yinglong LI,Bernardo Gonzalez,Royal Wallace Cherry III,Omied Surendra Lele,Rahul Janardhan Chalmela. Владелец: Rorze Automation Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same

Номер патента: US20030015702A1. Автор: Ravindranath Droopad,Kurt Eisenbeiser,Zhiyi Yu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Structure and method for fabricating and facilitating dataflow processor

Номер патента: US20030034488A1. Автор: Mihir Pandya,Peter Wilson,Raymond Essick. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Method and apparatus to control surface texture modification of silicon wafers for photovoltaic cell devices

Номер патента: WO2011141516A3. Автор: Edward Duffy,Laurent Clochard. Владелец: Ultra High Vaccum Solutions Ltd. T/A Nines Engineering. Дата публикации: 2012-01-26.

Structure and method for fabricating semiconductor structures having instruction decoders and dispatchers formed of monocrystaline compound semiconductor material

Номер патента: US20030034503A1. Автор: Timothy Johnson,David Gurney,Raymond Essick,Dale Bengtson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

A method for manufacturing a fluid sensor device and a fluid sensor device

Номер патента: EP3729068A1. Автор: Aurelie Humbert,Simone Severi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-28.

A method for manufacturing a fluid sensor device and a fluid sensor device

Номер патента: WO2019121931A1. Автор: Aurelie Humbert,Simone Severi. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080283924A1. Автор: Takashi Saiki,Yuka Hayami,Katsuaki Okoshi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Epitaxial silicon wafer and method for fabricating the same

Номер патента: US09496135B2. Автор: Han-Seob Cha. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

A method for etching molybdenum

Номер патента: US20240229217A9. Автор: NAKANO Teppei,Antoine Pacco. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing an electrostatic holding apparatus

Номер патента: US09728438B2. Автор: Alexander Stein. Владелец: Berliner Glas KGaA Herbert Kubatz GmbH and Co. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon dioxide cantilever support and method for silicon etched structures

Номер патента: US20110294246A1. Автор: Kalin V. Lazarov,Walter B. Meinel,Brian E. Goodlin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Silicon dioxide cantilever support and method for silicon etched structures

Номер патента: US20110291222A1. Автор: Kalin V. Lazarov,Walter B. Meinel,Brian E. Goodlin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Device and method for treating a substrate with hydrofluoric and nitric acid

Номер патента: US09972513B2. Автор: Yuji Nagashima,Yuki Saito,Takashi Ootagaki,Konosuke Hayashi. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Thermally matched readout/detector assembly and method for fabricating same

Номер патента: GB9418859D0. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-11-09.

Method for encapsulating large-area semiconductor element-mounted base material

Номер патента: US09972507B2. Автор: Naoyuki Kushihara,Kazuaki Sumita. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for etch processing with end point detection thereof

Номер патента: US20050130330A1. Автор: Daniel Baer,Aaron Gustafson,Leonard Moravek,John Kettley. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-06-16.

Method for producing and method for designing soi wafer

Номер патента: EP2544236A4. Автор: Susumu Kuwabara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Method for forming active devices on and in exposed surfaces of both sides of a silicon wafer

Номер патента: US5739067A. Автор: Damon K. DeBusk,Bruce L. Pickelsimer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-04-14.

Method for recycling wafers used for quality assurance testing of integrated circuit fabrication equipment

Номер патента: US6140211A. Автор: Arun K. Nanda,Jose O. Rodriguez. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Silicon wafer for manufacturing soi wafer, soi wafer, and method for manufacturing soi wafer

Номер патента: US20080213989A1. Автор: Seiichi Nakamura,Tetsuya Nakai,Eiji Kamiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for treating semiconductor substrate layer and method for preparing solar cell

Номер патента: EP4394900A1. Автор: SU Zhou,Liang Zhang,Jing Zhang,Xiaohua Xu,Xiwei Zhou,Daoren GONG. Владелец: Anhui Huasun Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for handling a thin silicon wafer

Номер патента: US6884726B2. Автор: Pascal Gardes. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-04-26.

Method and apparatus for etching fine line patterns in metal on semiconductive devices

Номер патента: US3678348A. Автор: Robert L Reber,James C Huiskens. Владелец: Communications Transistor Corp. Дата публикации: 1972-07-18.

Process for etching a semiconductor lead frame

Номер патента: US5683943A. Автор: Junichi Yamada. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1997-11-04.

Method for the prevention of misfit dislocation in silicon wafer and silicon wafer structure manufactured thereby

Номер патента: US5828114A. Автор: Ho Jun Lee,Choong Ki Kim,Chul Hi Han. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1998-10-27.

Etching method for magnetic tunnel junction

Номер патента: US11963455B2. Автор: Lu Chen,Dongdong HU,Kaidong Xu,Dongchen CHE. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for manufacturing silicon epitaxial wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10734220B2. Автор: Yasushi Mizusawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-04.

Degumming and wafer-inserting machine and silicon wafer processing method

Номер патента: EP4358122A1. Автор: Hong Li,Jian Jing,HONG Chen,Jun Wang,Guangquan Zhang,Longhui XIE,Jiangshui ZHANG,Pucha HU. Владелец: Zhejiang Qiushi Semiconductor Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for evaluating silicon wafer and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: US11222780B2. Автор: Tatsuo Abe,Kensaku Igarashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

Method for manufacturing silicon epitaxial wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190228962A1. Автор: Yasushi Mizusawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Method for evaluating silicon wafer and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20200203233A1. Автор: Tatsuo Abe,Kensaku Igarashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution

Номер патента: US6171512B1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Nobuhiko Sato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-01-09.

Method and device for separating silicon wafers

Номер патента: US20080146003A1. Автор: Per Arne Wang,Arne Ramsland,Ole Christian Tronrud,Erik Hjertaas,Bent Hammel,Andre Skeie,Ola Tronrud. Владелец: Rec Scanwafer As. Дата публикации: 2008-06-19.

Methods for high temperature water rinsing and drying of silicon wafers after being cleaned in hydrofluoric acid

Номер патента: US5681397A. Автор: Li Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-10-28.

Apparatus and method for separating a stacked arrangement

Номер патента: US09522521B2. Автор: Soon Fatt Yoon,Dawei Xu,Chiew Yong Yeo. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for sawing wafers employing multiple indexing techniques for multiple die dimensions

Номер патента: US6578458B1. Автор: Salman Akram,Derek J. Gochnour,Michael E. Hess,David R. Hembree. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-17.

Method for sawing wafers employing multiple indexing techniques for multiple die dimensions

Номер патента: US6155247A. Автор: Salman Akram,Derek J. Gochnour,Michael E. Hess,David R. Hembree. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-05.

GaAs anneal boat design and method for use

Номер патента: US5817179A. Автор: Hyungmo Yoo,Dong-Gi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-06.

Method for Manufacturing Semiconductor Wafer

Номер патента: US20090047526A1. Автор: Koji Matsumoto,Masanobu Miyao,Masahiko Nakamae,Masaharu Ninomiya,Taizoh Sadoh. Владелец: Kyushu University NUC. Дата публикации: 2009-02-19.

Device for manual alignment of silicon wafers prior to temporary splicing

Номер патента: RU2745297C1. Автор: Дмитрий Иванович Панин,Михаил Михайлович Шаховцев. Владелец: Обществом с ограниченной ответственностью "Маппер". Дата публикации: 2021-03-23.

Method for detecting resistance of a photo resist layer

Номер патента: US20160061722A1. Автор: Hui Tian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Heat treatment jig and heat treatment method for silicon wafer

Номер патента: US20090127746A1. Автор: Takeshi Hasegawa,Hiroyuki Shiraki,Yoshinobu Nakada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for forming scribe line on semiconductor wafer, and scribe line forming device

Номер патента: US20040214408A1. Автор: Haruo Wakayama. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Epitaxial silicon wafer and method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20200051817A1. Автор: Toshiaki Ono,Kazuya Kodani,Kazuhisa TORIGOE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Etching compositions and methods for fabricating semiconductor devices by using the same

Номер патента: US20220267673A1. Автор: Sang Won Bae,Min Hyung Cho,Jung Min Oh,Hyo Joong YOON,Min Ju IM,Hyo San LEE. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Wafer bow reduction in composite wafer comprising a silicon wafer and a silicon carbide epitaxial layer

Номер патента: EP3245667A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2017-11-22.

Epitaxial silicon wafer, method for producing same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230317761A1. Автор: Ryo Hirose,Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

System and method for processing silicon wafers

Номер патента: EP4276890A1. Автор: Tom Wu,Andrei Istratov,Katharina Zahnweh. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-11-15.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160013278A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US9117676B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

A method for the manufacture of an improved graphene substrate and applications therefor

Номер патента: US20240128079A1. Автор: Ivor GUINEY,Sebastian Dixon,Jaspreet KAINTH,Thomas James BADCOCK,Ross Matthew Griffin. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Device for conveying and dispersing silicon wafers

Номер патента: US11728186B2. Автор: Hong Li,Jian Jing,HONG Chen,Jun Wang,Zhe Liu,Guangquan Zhang,Jiangshui ZHANG,You HUANG,Yongjian FANG. Владелец: Hangzhou Zhongwei Photoelectricity Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220216066A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of producing bonded silicon wafer

Номер патента: US20100167425A1. Автор: Takashi Sakai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method and apparatus for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: US09758871B2. Автор: Kazuhiro Narahara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for doping silicon wafers using Al2 O3 /P2 O5 composition

Номер патента: US4891331A. Автор: James E. Rapp. Владелец: OI Neg TV Products Inc. Дата публикации: 1990-01-02.

Method for improving semiconductor wafer processing

Номер патента: US6010916A. Автор: Stephen D. Horton,Theodros W. Mariam. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Method for forming chalcogenide thin film

Номер патента: US20220213619A1. Автор: Unyong JEONG,Geonwoo KIM,Giri ANUPAM,Ghorai ARUP. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2022-07-07.

Apparatus for analyzing target materials and methods for fabricating an apparatus for analyzing target materials

Номер патента: US20030021732A1. Автор: Aroon Tungare,George Valliath. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Hybrid Silicon Wafer

Номер патента: US20120181536A1. Автор: Ryo Suzuki,Hiroshi Takamura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of processing silicon wafer and method of manufacturing liquid ejecting head

Номер патента: US20080233713A1. Автор: Yoshinao Miyata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Epitaxial-silicon-wafer manufacturing method and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US09818609B2. Автор: Toshiaki Ono,Kazuhisa TORIGOE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for doping silicon wafers

Номер патента: GB1056570A. Автор: . Владелец: CSF Compagnie Generale de Telegraphie sans Fil SA. Дата публикации: 1967-01-25.

Epitaxially coated silicon wafer and method for producing epitaxially coated silicon wafers

Номер патента: SG131085A1. Автор: Reinhard Schauer,Dr Thorsten Schneppensieper. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2007-04-26.

Silicon wafer processing device and method

Номер патента: US10782615B2. Автор: Gang Wang,Jie Jiang,Haijun Song,Yichao SHI,Dongliang Huang. Владелец: Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-22.

Method for fabricating silicon-doped or boron-doped aluminum electrode

Номер патента: US20150072468A1. Автор: Tsun-Neng Yang,Wei-Yang Ma,Guan-Lin Chen,Chien-Chang Chao. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for Producing a Silicon Single Crystal and a Silicon Single Crystal

Номер патента: US20070266930A1. Автор: Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Naoki Nagai. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-22.

Silicon wafer protection film trimming method and trimmer

Номер патента: US20030089692A1. Автор: Masahiro Lee. Владелец: Teikoku Taping System Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Silicon wafer protection film trimming method and trimmer

Номер патента: US6727461B2. Автор: Masahiro Lee. Владелец: Teikoku Taping System Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-27.

Epitaxial silicon wafer and production method thereof

Номер патента: US20120056307A1. Автор: Takayuki Kihara,Yasuyuki Hashimoto,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Improved purity silicon wafer for use in advanced semiconductor devices

Номер патента: US20010007241A1. Автор: Gerald Dietze,Zbigniew Radzimski,Sean Hanna. Владелец: SEH America Inc. Дата публикации: 2001-07-12.

Method of producing epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US09631297B2. Автор: Sumihisa Masuda,Kazuhiro Narahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for etching mono-cast silicon wafers for photovoltaic cells.

Номер патента: NL2008820C2. Автор: Luca Gautero,Johannes Petrus Hermans,Ruben Knippenberg. Владелец: Otb Solar Bv. Дата публикации: 2013-11-18.

METHOD FOR EVALUATING EDGE SHAPE OF SILICON WAFER, APPARATUS FOR EVALUATING THEREOF, SILICON WAFER, METHOD FOR SELECTING AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20200240929A1. Автор: Kobayashi Takeshi,KOBAYASHI Makoto,SAKURADA Masahiro,KANAYA Koichi. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for inspecting and manufacturing silicon wafer, method for manufacturing semiconductor device, and silicon wafer

Номер патента: TWI267117B. Автор: Miho Iwabuchi. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2006-11-21.

Texturing method for pretreating surface of monocrystalline silicon wafer by electrochemical method

Номер патента: CN112899789B. Автор: 张宏,李凤,王世栋. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2022-07-12.

Manufacturing method for Large area Single Crystal Silicon Wafer

Номер патента: KR101814111B1. Автор: 김수민,박성은,김현호,김동환,탁성주. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing monocrystalline silicon wafer containing arced side, method for manufacturing monocrystalline silicon cell, and photovoltaic module

Номер патента: US11742453B2. Автор: Hao Jin,Xinyu Zhang,Jun Yang,Peiyuan Wang,Xiaolong BAI,Jide Huang,Lizhu He,Ziyang Ou,Weize Shang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Apparatus and method for etching one side of a semiconductor substrate

Номер патента: US20180374723A1. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for verification of conductivity type of silicon wafer

Номер патента: US20230037569A1. Автор: XING Wei,Minghao LI,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for sorting silicon wafers according to their bulk lifetime

Номер патента: US20190247889A1. Автор: Jordi Veirman,Wilfried Favre,Elenore Letty. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-08-15.

Evaluation method and evaluation device of edge shape of silicon wafer, silicon wafer, and selection method and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3671816A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Makoto Kobayashi,Masahiro Sakurada,Koichi Kanaya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-24.

Device having membrane structure for detecting thermal radiation, method for production and use thereof

Номер патента: RU2468346C2. Автор: Карстен ГИБЕЛЕР,Матиас ШРАЙТЕР,Кристиан ПАУЛУС. Владелец: Пайриос Лтд.. Дата публикации: 2012-11-27.

Liquid composition used in etching copper- and titanium-containing multilayer film, etching method in which said composition is used, method for manufacturing multilayer-film wiring, and substrate

Номер патента: US09365934B2. Автор: Satoshi Tamai,Kunio Yube,Tomoyuki Adaniya. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for etching piezoelectric film and method for manufacturing piezoelectric element

Номер патента: US09620704B2. Автор: Takamichi Fujii,Akihiro Mukaiyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Preparation method for solar cell and solar cell

Номер патента: AU2022454233A1. Автор: Jianbin Fan,Guoqiang Xing,Xiajie Meng. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Quality evaluation method for silicon wafer, and silicon wafer and method of producing silicon wafer using the method

Номер патента: US09995693B2. Автор: Toshiaki Ono,Jun Fujise. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for etching mtj using co process chemistires

Номер патента: US20150349246A1. Автор: Benjamin Chen,Krishnakumar Mani. Владелец: III Holdings 1 LLC. Дата публикации: 2015-12-03.

Method for evaluating crystal defects

Номер патента: US20190212384A1. Автор: Hisayuki Saito. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Wafer-level etching methods for planar photonics circuits and devices

Номер патента: US12057332B2. Автор: Chen Sun,Mark Wade,Roy Edward Meade,Vladimir Stojanovic,Alexandra WRIGHT. Владелец: Ayar Labs Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for etching MTJ using co process chemistries

Номер патента: US09761633B2. Автор: Benjamin Chen,Krishnakumar Mani. Владелец: III Holdings 1 LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Wet etching method for an N-type bifacial cell

Номер патента: US09537037B2. Автор: Chen Zhao,Lei Shi,Fei Zheng,Zhongli RUAN,Zhongwei Zhang,Yuxue ZHAO. Владелец: SHANGHAI SHENZHOU NEW ENERGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Dry etch method for texturing silicon and device

Номер патента: US20160351734A1. Автор: Talia S. Gershon,Yun Seog Lee,Jeehwan Kim,Richard A. Haight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Monolithic silicon pixel detector, and systems and methods for particle detection

Номер патента: US20190280042A1. Автор: Hans Von Känel. Владелец: G-ray Industries SA. Дата публикации: 2019-09-12.

Photovoltaic cell, method for producing the same and photovoltaic module

Номер патента: EP4421880A1. Автор: Nannan Yang,Jingsheng Jin,Guangming LIAO. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Photovoltaic cell, method for producing the same and photovoltaic module

Номер патента: US20240282882A1. Автор: Nannan Yang,Jingsheng Jin,Guangming LIAO. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for detecting temperature of thermal chamber

Номер патента: US12046520B2. Автор: Liying Liu,Gongbai Cao,Chihhsin Lin,Dengyong YU. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Manufacturing method for piezoelectric ceramic chip, piezoelectric ceramic chip assembly and display device

Номер патента: US20220158079A1. Автор: YuJu CHEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Advanced optical sensor, system, and methodologies for etch processing monitoring

Номер патента: SG11201908990SA. Автор: Zheng Yan,WEN Jin,Vi Vuong,Holger Tuitje,Ching-Ling Meng,Xinkang Tian,Mihail Mihaylov. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-30.

Systems and methods for etching of metals

Номер патента: US20200404792A1. Автор: Jeffrey P. Burress,Richard D. Neufeld,Surjit Singh Dhesi. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for forming microelectrode-pair arrays on silicon substrate surface with hydrophobic silicon pillars

Номер патента: US20140120271A1. Автор: Lei Jiang,Jie Ma,Bin Su,Yanlin Song,Shutao Wang. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2014-05-01.

TOPCon cell, method for manufacturing the same, and electrical device

Номер патента: AU2022331906B2. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Yu He,Fan Zhou,Guoqiang Xing,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for etching a structure for MRAM Applications

Номер патента: US20210143323A1. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Srinivas D. Nemani,Chando Park,Minrui Yu,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim,Mang-Mang Ling,Chentsau Chris Ying. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Method for manufacturing a silicon monocrystal seed and a silicon-wafer, silicon-wafer and silicon solar-cell

Номер патента: US09447516B2. Автор: Andreas Krause,Juliane WALTER,Lamine Sylla. Владелец: SOLARWORLD INNOVATIONS GMBH. Дата публикации: 2016-09-20.

Structure and method for dual sidewall oxidation in high density, high performance drams

Номер патента: WO2001037334A1. Автор: Gary B. Bronner,Dale W. Martin,Rajesh Rengarajan,Rama Divakaruni,Scott Halle,Mary E. Weybright. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-05-25.

Method for manufacturing a monolithic silicon wafer comprising multiple vertical junctions

Номер патента: US09905716B2. Автор: Eric Pilat,Nicolas Chaintreuil,Jean-Paul Garandet,Annalaura Fasiello,Yannick Veschetti. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-02-27.

Production method of epitaxial silicon wafer and vapor deposition apparatus

Номер патента: US09670581B2. Автор: Hitoshi Takamiya,Kan Yoshitake,Motoki GOTO,Yusuke Kurozumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for fabrication of high aspect ratio trenches and formation of nanoscale features therefrom

Номер патента: US09653309B2. Автор: Shane A. Cybart,Robert C. Dynes,Travis Wong,Peter Roediger. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-05-16.

Silicon Photonics Device for LIDAR Sensor and Method for Fabrication

Номер патента: US20240151820A1. Автор: Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Advanced optical sensor, system, and methodologies for etch processing monitoring

Номер патента: WO2018182967A1. Автор: Zheng Yan,WEN Jin,Vi Vuong,Holger Tuitje,Ching-Ling Meng,Xinkang Tian,Mihail Mihaylov. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-10-04.

Solar cell and method for manufacturing solar cell

Номер патента: NL2034461A. Автор: Chen Yifan,Li Wenqi,ZHANG Guochun,Xie Minghui. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Curable resin composition, cured film, multilayered object, imaging device, semiconductor device, method for producing multilayered object, and method for producing element having junction electrode

Номер патента: EP4455223A1. Автор: Kenichiro Sato,Hidenobu Deguchi,Tokushige Shichiri,Taro Shiojima,Hayate Nomoto. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for fabricating anti-reflection film with anti-PID effect

Номер патента: US09548404B2. Автор: Jinwei Wang,Lun Huang,Junqing Wu,Chunhui Lu,Zerong Hou. Владелец: DONGFANG ELECTRIC (YIXING) MAGI SOLAR POWER TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Bipolar soi device having a tilted pn-junction, and a method for producing such a device

Номер патента: WO1997033319A1. Автор: Andrej Litwin,Torkel Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 1997-09-12.

Structure and method for fabricating an optical bus

Номер патента: WO2003009398A3. Автор: George Valliath. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-12-04.

Structure and method for fabricating an optical bus

Номер патента: WO2003009398A2. Автор: George Valliath. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for manufacturing a semiconductor structure using isolation layers for etching the trenches in a substrate

Номер патента: US12063769B2. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

A method for making nanoscale wires and gaps for switches and transistors

Номер патента: EP1488452A2. Автор: Yong Chen,R Stanley Willimas. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-12-22.

A method for making nanoscale wires and gaps for switches and transistors

Номер патента: EP1488452B1. Автор: Yong Chen,R Stanley Willimas. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-05-30.

Method for producing a packaged integrated circuit

Номер патента: US20060063292A1. Автор: Leslie Landsberger. Владелец: Microbridge Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

Method for producing a packaged integrated circuit

Номер патента: EP1626926A2. Автор: Leslie M. Landsberger,Oleg Grudin. Владелец: Microbridge Technologies Inc. Дата публикации: 2006-02-22.

Method for producing a packaged integrated circuit with a microcavity

Номер патента: WO2004037712A8. Автор: Oleg Grudin,Leslie M Landsberger. Владелец: Leslie M Landsberger. Дата публикации: 2004-10-14.

Matrix substrates and methods for making same

Номер патента: RU2688814C1. Автор: Цзыцзянь ЛИ. Владелец: Ухань Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2019-05-22.

Apparatus for inspecting wafer surface, method for inspecting wafer surface, apparatus for judging defective wafer, method for judging defective wafer, and apparatus for processing information on wafer surface

Номер патента: US20040036863A1. Автор: Mitsuo Terada,Tomikazu Tanuki,Yukinori Matsumura,Hirobumi Miwa,Kouzou Matsusita,Kotaro Hori,Kiyoharu Miyakawa,Akira Nisi. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

Method for measuring extremely low oxygen concentration in silicon wafer

Номер патента: US11754497B2. Автор: Hiroyuki Saito. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Etching method for single-isolated magnetic tunnel junction

Номер патента: US20210399215A1. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Hongyue Sun,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Huiqun REN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for measuring extremely low oxygen concentration in silicon wafer

Номер патента: US20220018761A1. Автор: Hiroyuki Saito. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Systems and methods for silicon crack detection structure

Номер патента: US20240077531A1. Автор: Scott D. Hector,David A. Karol,Vasu P. Ganti,Date J.W. Noorlag. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Solar cell, and textured surface structure and method for preparing same

Номер патента: AU2022330960A9. Автор: LIN Zhang,TAO Yan,Lin Sun,DENG Pan,Xiuqing YANG,Junlin DU,Gongbing CHEN,Xiangfei Liu. Владелец: Tongwei Solar Jintang Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Color filter of illumination image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US09559137B2. Автор: Hao-Min CHEN,Chen-Wei Lu,Chih-Kung Chang. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing n-type crystalline silicon cell

Номер патента: FI20205765A1. Автор: Zhi Yang,Shude Zhang,Qingzhu WEI,Zhichun NI. Владелец: Suzhou Talesun Solar Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-25.

Method for testing, burning-in, and manufacturing wafer scale integrated circuits and a packaged wafer assembly produced thereby

Номер патента: US5440241A. Автор: Warren M. Farnworth,Jerry M. Brooks,Jerrold L. King,George P. McGill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-08.

Method for manufacturing monocrystalline silicon wafer containing arced side, method for manufacturing monocrystalline silicon cell, and photovoltaic module

Номер патента: US20230361238A1. Автор: Hao Jin,Xinyu Zhang,Jun Yang,Peiyuan Wang,Xiaolong BAI,Jide Huang,Lizhu He,Ziyang Ou,Weize Shang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for etching magnetic tunnel junction

Номер патента: US20210399216A1. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Hongyue Sun,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for manufacturing monocrystalline silicon cell and monocrystalline silicon wafer, and photovoltaic module

Номер патента: AU2020244430B1. Автор: Hao Jin,Xinyu Zhang,Jun Yang,Peiyuan Wang,Xiaolong BAI,Jide Huang,Lizhu He,Ziyang Ou,Weize Shang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for leakage reduction in fabrication of high -density fram arrays

Номер патента: WO2008082976A2. Автор: Gregory B. Shinn,Scott R. Summerfelt,Theodore S. Moise,Kezhakkedath R. Udayakumar,Francis Gabriel Celli. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-07-10.

Method for leakage reduction in fabrication of high -density fram arrays

Номер патента: WO2008082976A3. Автор: Gregory B Shinn,Scott R Summerfelt,Theodore S Moise,Francis Gabriel Celli,Kezhakkedath R Udayakumar. Владелец: Kezhakkedath R Udayakumar. Дата публикации: 2008-08-21.

Compositiions and methods for improved solar cells

Номер патента: EP2932536A1. Автор: Bo Sun,Jin-An He,Joel Garcia,Robert Mateuszczyk,Stephen Postle,Ted KRUETZ. Владелец: Sun Chemical Corp. Дата публикации: 2015-10-21.

Method for cleaning solid surface from microparticles

Номер патента: RU2666416C1. Автор: Наталья Анатольевна Иванова,Олег Александрович Тарасов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский государственный университет". Дата публикации: 2018-09-07.

Tunnel oxide layer, n-type bifacial crystalline silicon solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20240145610A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for manufacturing a solar cell

Номер патента: US09847436B2. Автор: Ting-Yu Chen. Владелец: EAST SUN RISING ENTERPRISE Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Silicon carbide carrier for wafer processing and method for making same

Номер патента: US5776391A. Автор: Thomas Sibley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-07-07.

Polycrystalline Silicon Wafer

Номер патента: US20150108490A1. Автор: Ryo Suzuki,Hiroshi Takamura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

Preparation method and application of monocrystalline silicon wafer

Номер патента: MY194767A. Автор: Tao Chen,Liming Fu,Yuhong Cao,Xiangxi Meng. Владелец: Changzhou Shichuang Energy Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

C-v characteristic measurement system and method for measuring c-v characteristics

Номер патента: US20150025826A1. Автор: Fumitaka Kume,Hisatoshi Kashino. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Silicon wafer and preparation method therefor, cell sheet, cell slice, cell string, and photovoltaic module

Номер патента: US20230378387A1. Автор: YING Wang,Daoyuan Chen,Yanfang Zhou. Владелец: SHANGHAI JA SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Silicon wafer and preparation method therefor, cell sheet, cell slice, cell string, and photovoltaic module

Номер патента: EP4207314A1. Автор: YING Wang,Daoyuan Chen,Yanfang Zhou. Владелец: SHANGHAI JA SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Method for making a MOS device

Номер патента: US5330925A. Автор: Ran-Hong Yan,Kwing F. Lee. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1994-07-19.

Apparatus and method for measuring carrier concentration in semiconductor materials

Номер патента: GB1482929A. Автор: . Владелец: Post Office. Дата публикации: 1977-08-17.

Method for Preparing Switch Transistor and Equipment for Etching the Same

Номер патента: US20140141573A1. Автор: Xiangdeng Que. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for detecting temperature of thermal chamber

Номер патента: US20220115274A1. Автор: Liying Liu,Gongbai Cao,Chihhsin Lin,Dengyong YU. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for detecting temperature of thermal chamber

Номер патента: US20240071839A1. Автор: Liying Liu,Gongbai Cao,Chihhsin Lin,Dengyong YU. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for detecting temperature of thermal chamber

Номер патента: US11923254B2. Автор: Liying Liu,Gongbai Cao,Chihhsin Lin,Dengyong YU. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Systems and methods for direct silicon epitaxy thickness measuring

Номер патента: US20070004056A1. Автор: Lianzhong Yu,Ken Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of manufacturing cz silicon wafers, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190249330A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Freund,Helmut Oefner,Thomas Wuebben. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20200161424A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for texturing silicon wafers, treatment liquid therefor, and use

Номер патента: AU2010220289A1. Автор: Izaaryene Maher. Владелец: Gebrueder Schmid GmbH and Co. Дата публикации: 2011-09-22.

Monolithic silicon pixel detector, and systems and methods for particle detection

Номер патента: WO2017195024A3. Автор: Hans Von Känel. Владелец: G-Ray Industries S.A.. Дата публикации: 2018-09-27.

Monolithic silicon pixel detector, and systems and methods for particle detection

Номер патента: EP3455881A2. Автор: Hans Von Känel. Владелец: G-ray Industries SA. Дата публикации: 2019-03-20.

Monolithic silicon pixel detector, and systems and methods for particle detection

Номер патента: WO2017195024A4. Автор: Hans Von Känel. Владелец: G-Ray Industries S.A.. Дата публикации: 2018-11-15.

Test wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US20200173942A1. Автор: Shigeru Kasai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US10566424B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20180097064A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-05.

Hybrid Silicon Wafer

Номер патента: US20120187409A1. Автор: Ryo Suzuki,Hiroshi Takamura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of evaluating metal contamination in boron-doped p-type silicon wafer, device of evaluating metal contamination in boron-doped p-type silicon wafer, and method of manufacturing boron-doped p-type silicon wafer

Номер патента: US20160079129A1. Автор: Shinya Fukushima,Tsuyoshi Kubota. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of evaluating metal contamination in boron-doped P-type silicon wafer, device of evaluating metal contamination in boron-doped P-type silicon wafer, and method of manufacturing boron-doped P-type silicon wafer

Номер патента: US09935020B2. Автор: Shinya Fukushima,Tsuyoshi Kubota. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Silicon wafer for probe bonding and probe bonding method using thereof

Номер патента: WO2005122240A1. Автор: Jung-Hoon Lee. Владелец: Phicom Corporation. Дата публикации: 2005-12-22.

Method for preparing two-dimensional ultrathin silicon wafer loaded with silver nanoparticles

Номер патента: CN110480027B. Автор: 刘涛,孙林,吴俊�,吴兵,谢杰,黄松超,姜瑞雨. Владелец: Yancheng Institute of Technology. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for forming groove in metal strip surface, and method for manufacturing oriented electromagnetic steel sheet

Номер патента: EP4219776A1. Автор: Takeshi Omura,Shigehiro Takajo. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Method for preparing ER- or ER/O-doped silicon-based luminescent material emitting communication band at room temperature, the luminescent material and ER- or ER/O-SI lasers

Номер патента: US11367998B2. Автор: Yaping Dan,Huimin Wen,Jiajing He. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2022-06-21.

Method for forming grooves on metal strip surface and method for manufacturing grain-oriented electrical steel sheet

Номер патента: US20230357875A1. Автор: Takeshi Omura,Shigehiro Takajo. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Etching methods for a magnetic memory cell stack

Номер патента: WO2003077287A3. Автор: Xiaoyi Chen,Guangxiang Jin,Jeng H Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Method for rapidly preparing quartz needles with variable taper in batch

Номер патента: LU502114B1. Автор: Bo Zhang,Xiaofei Wang. Владелец: Jinjiang Jingchun Tech Ltd. Дата публикации: 2022-11-21.

Methods for fabricating a laser cavity

Номер патента: US20030030062A1. Автор: Joyce Yamamoto,Paige Holm,Barbara Barenburg,Fred Richard. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Method and apparatus for etching a lithography mask

Номер патента: WO2022029315A1. Автор: Horst Schneider,Markus Bauer,Petra Spies,Fan TU,Christian Felix Hermanns,Maximilian Rumler. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2022-02-10.

Method for forming channels on diffusion media for a membrane humidifier

Номер патента: US09742014B2. Автор: David A. Martinchek,Jeffrey M. Guzda. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Deposited carbon film on etched silicon for on-chip supercapacitor

Номер патента: US12033796B2. Автор: Xuyuan Chen,Pai LU. Владелец: South-Eastern Norway, University of. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability

Номер патента: US5637237A. Автор: Ying Zhang,Marco Haverlag,Gottlieb S. Oehrlein,David Vender. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-06-10.

Method for etching curved substrate

Номер патента: US11724962B2. Автор: Xiong Li,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Xiaoliang Ma,Mingbo PU,Kaipeng LIU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for etching lithium niobate and method for forming lithium niobate pattern using the same

Номер патента: US20230307214A1. Автор: Sang Wook Han,Min Kyo Seo,Ho Joong JUNG,Hyeon Hwang,Hansuek Lee,Hyung Jun HEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-28.

Method and apparatus for generating and confining a reactive gas for etching substrates

Номер патента: WO2000042632B1. Автор: William G America,Edward J Gratrix,Michael D Robbins. Владелец: Ipec Precision Inc. Дата публикации: 2000-10-19.

Method for etching atomic layer

Номер патента: US20240177972A1. Автор: Chin Wook Chung,Jun Young Park,Ji Won JUNG,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,Yun Jong JANG,Hong Seong GIL,Hae In KWON. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for preparing er- or er/o-doped silicon-based luminescent material emitting communication band at room temperature, the luminescent material and er- or er/o-si lasers prepared

Номер патента: US20200366063A1. Автор: Yaping Dan,Huimin Wen,Jiajing He. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for controlling etching of electrolytic capacitor foil

Номер патента: CA1146845A. Автор: John R. Hebert, Jr.,Robert W. Herzig,Joseph H. Silveira. Владелец: Sprague Electric Co. Дата публикации: 1983-05-24.

Method for etching electrode foil aluminum electrolytic capacitors

Номер патента: US4741812A. Автор: Nobuyoshi Kanzaki,Kouichi Kojima,Masanori Okabayashi,Kenji Touyama,Ryouichi Shimatani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-05-03.

Apparatus for etching noble metals using ion implantation and method of use

Номер патента: WO2002023586A3. Автор: Young Jin Park,Jai-Hoon Sim,Brian Lee,Heon Lee,Satish Athavale,Kilho Lee,Young Limb. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Method for controlling etching of electrolytic capacitor foil

Номер патента: US4343686A. Автор: John R. Hebert, Jr.,Robert W. Herzig,Joseph H. Silveira. Владелец: Sprague Electric Co. Дата публикации: 1982-08-10.

Method for testing and/or securing silicon wafer for use in manufacture of integrated circuits, involves testing and/or securing chip of wafer by performing contactless communication with another distinct chip of wafer or processing chip

Номер патента: FR2973561A1. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2012-10-05.

Method for etching magnetic tunnel junction

Номер патента: US12035633B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Hongyue Sun,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Polyimide-containing layer and method for etching polyimide-containing layer

Номер патента: US09982108B2. Автор: Chyi-Ming Leu,Chih-Cheng Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacturing method for piezoelectric ceramic chip, piezoelectric ceramic chip assembly and display device

Номер патента: US11778912B2. Автор: YuJu CHEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Systems and methods for etching of metals

Номер патента: CA3083617A1. Автор: Jeffrey P. Burress,Richard D. Neufeld,Surjit S. Dhesi. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2020-12-18.

Apparatus and Method for Testing Semiconductor Devices

Номер патента: US20200041564A1. Автор: Christian O. Cojocneanu,Lucian Scurtu. Владелец: Testmetrix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Methof for etching microchannel networks within liquid crystal polymer substrates

Номер патента: WO2006004989A3. Автор: George Steimle,David P Fries,Heather Broadbent. Владелец: Heather Broadbent. Дата публикации: 2007-01-04.

Manufacturing method for double-sided wiring circuit board and double-sided wiring circuit board

Номер патента: US12114438B2. Автор: Shusaku Shibata,Teppei Niino,Rihito Fukushima. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Circuit board with a substrate made of silicon and the methods for forming the same

Номер патента: US20190191554A1. Автор: Wen Yao Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for manufacturing a buried strap contact in a memory cell

Номер патента: US20040048436A1. Автор: Peter Voigt,Gerhard Enders,Bjoern Fischer,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-11.

Method for etching mram magnetic tunnel junction

Номер патента: EP4207252A1. Автор: Jiahe LI,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Method for etching mram magnetic tunnel junction

Номер патента: US20230345840A1. Автор: Jiahe LI,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods for handling integrated circuit dies with defects

Номер патента: US20190044518A1. Автор: Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Mahesh A. Iyer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

A system and method for obtaining anisotropic etching of patterned substrates

Номер патента: WO2007027907A2. Автор: Alan C. West,Robert J. Von Gutfeld. Владелец: The Trustees of Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2007-03-08.

Methods for fabricating capacitor structures using a photoresist layer

Номер патента: US5879984A. Автор: Jong-Jin Lee,Yun-Seung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-03-09.

Cladded material construction for etched-tri-metal circuits

Номер патента: EP1204303A3. Автор: Jay D. Baker,Lakhi Nandlal Goenka,Achyuta Achari,Brenda Joyce Nation,Mohan R. Paruchuri,Vladimir Stoica. Владелец: Visteon Global Technologies Inc. Дата публикации: 2002-12-11.

Flexible trace surface circuit board and method for making flexible trace surface circuit board

Номер патента: US6002590A. Автор: Warren M. Farnworth,Kevin G. Duesman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

Method for manufacturing circuit board

Номер патента: US20190116676A1. Автор: Jun Dai,Mei Yang,Xian-qin HU. Владелец: Avary Holding Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for making pyroelectric sensors comprising a thin pyroelectric film requiring electric polarisation

Номер патента: AU2001287587A1. Автор: Paul Muralt,Bert Willing. Владелец: École Polytechnique De Montréal. Дата публикации: 2002-02-18.

Systems and methods for reducing interference level within actively used frequency range

Номер патента: RU2763167C2. Автор: Антонио ФОРЕНЦА,Стивен Дж. ПЕРЛМАН,Фэди СЭЙБИ,Марио ДИ ДИО. Владелец: Риарден, Ллк. Дата публикации: 2021-12-28.

Methods for producing epitaxial wafer and silicon wafer and epitaxial wafer

Номер патента: TW575696B. Автор: Makoto Iida,Akihiro Kimura,Yoshinori Hayamizu. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2004-02-11.

Methods for producing epitaxially coated silicon wafers

Номер патента: SG166722A1. Автор: Dr Joerg Haberecht. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2010-12-29.

DEVICE AND METHOD FOR MEASURING VIA HOLE OF SILICON WAFER

Номер патента: US20130206992A1. Автор: Kim Jae Wan,Kim Jong Ahn,KANG Chu-Shik,Jin Jong Han. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for producing silicon block and silicon wafer

Номер патента: WO2006120736A1. Автор: Hiroaki Morikawa,Shoichi Karakida,Takafumi Kawasaki. Владелец: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2006-11-16.

Method for testing copper content of silicon wafer

Номер патента: CN112485090A. Автор: 谭继东,郭恺辰. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-12.

Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries

Номер патента: RU2749534C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Ольга Леонидовна Семерикова,Алексей Алексеевич Трофимов,Сергей Викторович Вакарин,Александр Валерьевич Косов,Александр Алексеевич Панкратов,Анастасия Максимовна Леонова,Наталия Максимовна Леонова,Диана Михайловна Солодянкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-06-11.

Method for filling, on wafer, chip-level atomic clock absorption bubbles with high-purity alkali metal

Номер патента: EP3112315A8. Автор: Jian Zhu,Erwin HELL. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2017-06-28.

Method for manufacturing self-supporting metal mesh structures for selection of electromagnetic emission

Номер патента: RU2764017C1. Автор: Александр Николаевич Генцелев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН). Дата публикации: 2022-01-12.

Processing device and processing method for etching and phosphating of metal parts

Номер патента: RU2691443C2. Автор: Йоахим ШЕНБЕРГ. Владелец: Рио Фервальтунгс Аг. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for fabricating a blazed grating

Номер патента: US20240241296A1. Автор: Ismo Vartiainen. Владелец: DISPELIX OY. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for making a silicon separation microcolumn for chromatography or gas chromatography

Номер патента: EP2764357A1. Автор: Stefano Galli,Stefano ZAMPOLLI,Ivan ELMI,Antonella POGGI,Fulvio MANCARELLA,Mario Galli,Giancarlo CARDINALI,Maddalena BELLUCE,Filippo BARAVELLI. Владелец: Cardinali Giancarlo. Дата публикации: 2014-08-13.

Method for making ink jet printheads

Номер патента: WO2003016831A1. Автор: Gary Raymond Williams,Brian Christopher Hart,Shauna Marie Leis. Владелец: Lexmark International, Inc.. Дата публикации: 2003-02-27.

Method for manufacturing a nozzle and an associated funnel in a single plate

Номер патента: EP2576223A1. Автор: Hubertus M.J.M. Boesten,René J. van der Meer,Maarten J. BAKKER,David D.L. Wijngaards. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2013-04-10.

Method and machine for etching optical lenses

Номер патента: US09925681B2. Автор: Cedric Lemaire. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for characterizing defects in silicon crystal

Номер патента: US20220291145A1. Автор: XING Wei,Yun Liu,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Etching composition and method for etching at least one surface of a sulfur-containing thermoplastic resin-substrate

Номер патента: EP4223905A1. Автор: Frank Bayer,Serdar Turan Karagöl. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-08-09.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US10233562B2. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for eliminating gap-type defect b-swirl, and silicon wafer and electronic device

Номер патента: EP4442869A1. Автор: Wei Wu,ZHEN Wang,Qinghai Li,Wujing XU. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for characterizing defects in silicon crystal

Номер патента: US12092588B2. Автор: XING Wei,Yun Liu,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Corner compensation method for fabricating MEMS and structure thereof

Номер патента: US7180144B2. Автор: Jerwei Hsieh,Weileun Fang. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2007-02-20.

Composition and method for creating nanoscale surface geometry on an implantable device

Номер патента: US20240254390A1. Автор: Robert Vaccaro,Michael Vidra,Edward Palanko,Jordan INCERPI. Владелец: Tech Met Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Corner compensation method for fabricating MEMS and structure thereof

Номер патента: US6949396B2. Автор: Jerwei Hsieh,Weileun Fang. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for Solving Bright Line Scratched During Lifting of Large-size Silicon Wafer

Номер патента: US20240217139A1. Автор: Bing Zhu,Bin Sun,Mingquan FU,Zhiqun XU. Владелец: Guangdong Jinwan Gokin Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Polishing method for semiconductor wafer and polishing pad used therein

Номер патента: GB9902373D0. Автор: . Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-24.

Polishing method for semiconductor wafer and polishing pad used therein

Номер патента: MY122396A. Автор: Hisashi Masumura,Kiyoshi Suzuki,Teruaki Fukami. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2006-04-29.

Light guide plate, and apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140092605A1. Автор: Youngbae Han,SunHye KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Method for producing at least one first and one second micromirror device

Номер патента: US20230066345A1. Автор: Heiko Stahl,Rainer Straub. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for Producing Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot and Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot

Номер патента: US20240287704A1. Автор: Yang Li,Xun Lan. Владелец: Xi’ An Eswin Material Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for utilising a waste slurry from silicon wafer production

Номер патента: AU2002215269A1. Автор: Knut Henriksen. Владелец: Metallkraft As. Дата публикации: 2002-05-27.

An electrolytic treatment device for preparing plastic parts to be metallized and a method for etching plastic parts

Номер патента: EP4407070A2. Автор: Sandrine Dalbin,Giorgio Tesser. Владелец: Coventya Srl. Дата публикации: 2024-07-31.

Six-degree-of-freedom displacement measurement method for exposure region on silicon wafer stage

Номер патента: US09995569B2. Автор: Feng Liu,Ming Zhang,Yu Zhu,Dengfeng Xu,Rong Cheng,Kaiming Yang,Jinchun Hu,Haihua Mu,Chuxiong Hu,Fan ZHI,Yujing SONG,Anlin CHEN. Владелец: Beijing U Precision Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for etching a primary preform

Номер патента: US09994480B2. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Johannes Antoon Hartsuiker,Gertjan KRABSHUIS. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2018-06-12.

Apparatus and Method for Testing Semiconductor Devices

Номер патента: US20240329134A1. Автор: Christian O. Cojocneanu,Lucian Scurtu. Владелец: Testmetrix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for producing czochralski silicon free of agglomerated self-interstitial defects

Номер патента: EP1222325A1. Автор: Luciano MEMC Elec. Materials Inc. Mule'Stagno,Jeffrey L. MEMC Elec. Materials Inc. Libbert,Joseph C. MEMC Electronic Materials Inc. Holzer. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2002-07-17.

Silicon Photonics Device for LIDAR Sensor and Method for Fabrication

Номер патента: US20240061178A1. Автор: Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Silicon Photonics Device for LIDAR Sensor and Method for Fabrication

Номер патента: US20230161105A1. Автор: Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for manufacturing optical bench, optical bench, optical module, silicon wafer substrate in which wiring and groove are formed, and wafer

Номер патента: US20040266093A1. Автор: Tetsuhiko Sanbei,Ryuzou Fukao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Methods For Producing Epitaxially Coated Silicon Wafers

Номер патента: US20100294197A1. Автор: Joerg Haberecht. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2010-11-25.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: US20240309272A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: WO2024192414A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Silicon photonics device for lidar sensor and method for fabrication

Номер патента: EP4437361A1. Автор: Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for manufacturing magnetic recording medium substrates

Номер патента: US20050029687A1. Автор: Masatoshi Ishii,Toshihiro Tsumori,Ken Ohashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of making a printing plate for etching and etching solution for its implementation

Номер патента: RU2699750C1. Автор: Сергей Геннадьевич Каплунов. Владелец: Сергей Геннадьевич Каплунов. Дата публикации: 2019-09-09.

Method for etching of fluoropolymer track membranes

Номер патента: RU2753260C1. Автор: Сергей Михайлович Мерков,Геннадий Степанович Жданов,Алексей Геннадьевич Липко. Владелец: Алексей Геннадьевич Липко. Дата публикации: 2021-08-12.

Substrate preparation method for a mems fabrication process

Номер патента: US20080053954A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for processing the solution for etching printed circuit boards

Номер патента: RU2765894C1. Автор: Сергей Сергеевич Кругликов,Елена Сергеевна Кругликова,Татьяна Григорьевна Царькова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2022-02-04.

Etching solution and method for regenerating waste liquid thereof, and method for recovering valuable metals from waste liquid

Номер патента: US20090078679A1. Автор: Yasuo Nishimura,Nobuo Kanayama. Владелец: Tsurumi Soda Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-26.

Method for etching sheet steel

Номер патента: RU2756224C1. Автор: Андреа НАВЕС АРНАЛЬДОС,Элена ПЬЕДРА ФЕРНАНДЕС,Ванеса МЕНЕНДЕС ДЕЛЬМИРО,Саломе ЛОПЕС ГОНСАЛЕС. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2021-09-28.

Apparatus and method for detecting tilt and vibration of a body

Номер патента: US20030213288A1. Автор: Pedro Mireles,Jose Almaraz. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2003-11-20.

Apparatus and method for detecting tilt and vibration of a body

Номер патента: EP1363105A3. Автор: José L. Almaraz,Pedro G. Mireles. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2005-07-13.

Cleaning method for EUV light generation apparatus

Номер патента: US09465307B2. Автор: Shinji Nagai,Hakaru Mizoguchi. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Material structure and method for deep silicon carbide etching

Номер патента: WO2018049081A1. Автор: Rachael L. Myers-Ward,Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Eugene A. Imhoff. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2018-03-15.

Methods for wet etching of noble metals

Номер патента: WO2024107260A1. Автор: Paul Abel. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods for wet atomic layer etching of ruthenium

Номер патента: US11802342B2. Автор: Paul Abel. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method for forming an alignment layer of a liquid crystal display device and display device manufactured thereby

Номер патента: US09921442B2. Автор: YIN Qian,Ming Zhang,Chia-Chun Miao,Dyson Hsin-Chih Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for producing silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US7361219B2. Автор: Ken Yoshizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Method for fabricating a blazed grating

Номер патента: EP4341730A1. Автор: Ismo Vartiainen. Владелец: DISPELIX OY. Дата публикации: 2024-03-27.

Systems and methods for generating an artwork representation according to a circuit fabrication process

Номер патента: US20030237072A1. Автор: David Burden,Bruno Melli,Matthew Biggio. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-12-25.

Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask

Номер патента: US8778574B2. Автор: AJAY Kumar,Madhavi Chandrachood,Keven Yu,Amitabh Sabharwal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Method for patterning PLZT thin films

Номер патента: US4759823A. Автор: Dino Asselanis,Sylvia D. Mancha. Владелец: Krysalis Corp. Дата публикации: 1988-07-26.

Silicon wafer having good intrinsic getterability and method for its production

Номер патента: SG141318A1. Автор: Timo Mueller,Martin Weber,Gudrun Kissinger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2008-04-28.

Method for manufacturing a nozzle and an associated funnel in a single plate

Номер патента: US20130068724A1. Автор: Hubertus M.J.M. Boesten,René J. van der Meer,Maarten J. BAKKER,David D.L. Wijngaards. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2013-03-21.

High pressure piezoresistive transducer suitable for use in hostile environments and method for making the same

Номер патента: US20020000127A1. Автор: Anthony Kurtz,Joseph Van De Weert,Andrew Bemis,Timothy Nunn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Systems and methods for fabricating a dental template

Номер патента: US09433479B2. Автор: Huafeng Wen,Peter G. Knopp,Loc X. Phan,Amir Abolfathi,Eric E. Kuo. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Installation and procedure for treatment of solutions for etching strips of silicon steel

Номер патента: RU2434975C2. Автор: Филипп БАРБЬЕРИ,Сандра КРОУТЕР,Жак ЛЕРУАЙЕ. Владелец: Сименс Фаи Металз Текнолоджиз Сас. Дата публикации: 2011-11-27.

Etching composition and method for etching at least one surface of a sulfur-containing thermoplastic resin-substrate

Номер патента: WO2023151992A1. Автор: Frank Bayer,Serdar Turan Karagöl. Владелец: Atotech Deutschland GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for etching a plastic substrate including spraying and electrolytic regeneration

Номер патента: EP4299790A1. Автор: Jens Heydecke,Michael Muigg. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for etching a plastic substrate including spraying and electrolytic regeneration

Номер патента: WO2024003327A1. Автор: Jens Heydecke,Michael Muigg. Владелец: Atotech Deutschland GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatus for making capsules and relative method for making capsules

Номер патента: WO2023223136A1. Автор: Enrico Davide Spreafico. Владелец: I.M.A. INDUSTRIA MACCHINE AUTOMATICHE S.P.A.. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for fabricating suspension members for micromachined sensors

Номер патента: CA2159642C. Автор: Raymond K. Erickson. Владелец: I/O Sensors Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Electrolytic etching apparatus and method for marking metal tubes with sequential identification numbers

Номер патента: US4944856A. Автор: John A. Catanese,Susan R. Saunders. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1990-07-31.

Silicon single crystal, a silicon wafer, an apparatus for producing the same, and a method for producing the same

Номер патента: US20070158653A1. Автор: Toshihiko Imai,Masahiro Kato,Makoto Iida,Katsuichi Sato,Miho Iwabuchi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Composition and method for creating nanoscale surface geometry on an implantable device

Номер патента: WO2020232042A1. Автор: Robert Vaccaro,Michael Vidra,Edward Palanko,Jordan INCERPI. Владелец: Tech Met, Inc.. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for etching at least one surface of a plastic substrate

Номер патента: EP4263902A1. Автор: Carl Christian Fels,Rafael-Eduard SZAMOCKI,Franziska Finn. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-25.

Manufacturing method for fluxgate chip

Номер патента: US20230213598A1. Автор: Peng Wu,Yang Lv,Po Zhang,Xiaowei HOU,Liangguang ZHENG,Juping LI. Владелец: Ningbo CRRC Times Transducer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Composition and method for creating nanoscale surface geometry on an implantable device

Номер патента: US11851772B2. Автор: Robert Vaccaro,Michael Vidra,Edward Palanko,Jordan INCERPI. Владелец: Tech Met Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Composition and method for creating nanoscale surface geometry on an implantable device

Номер патента: US11952523B2. Автор: Robert Vaccaro,Michael Vidra,Edward Palanko,Jordan INCERPI. Владелец: Tech Met Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Composition and method for creating nanoscale surface geometry on a cobalt chromium implantable device

Номер патента: US11932947B2. Автор: Michael Vidra,Jordan INCERPI,Daniel Jon SCHUTZER. Владелец: Tech Met Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for etching at least one surface of a plastic substrate

Номер патента: US20240068105A1. Автор: Carl Christian Fels,Rafael-Eduard SZAMOCKI,Franziska Finn. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-29.

Decapsulator with Applied Voltage for Etching Plastic-Encapsulated Devices

Номер патента: US20130082031A1. Автор: Alan M. Wagner. Владелец: NISENE Tech GROUP. Дата публикации: 2013-04-04.

Monolithically integrated optical analog-to-digital conversion system based on lithium niobate-silicon wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11874582B2. Автор: Jing Wang,Weiwen ZOU,Shaofu XU. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-01-16.

System and method for processing silicon wafers

Номер патента: US20230339069A1. Автор: Tom Wu,Andrei Istratov,Katharina Zahnweh. Владелец: Siltronic Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Composition and method for creating nanoscale surface geometry on an implantable device

Номер патента: US20220017822A1. Автор: Robert Vaccaro,Michael Vidra,Edward Palanko,Jordan INCERPI. Владелец: Tech Met Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for etching at least one surface of a plastic substrate

Номер патента: US20240003013A1. Автор: Philip Hartmann,Frank Bayer,Carl Christian Fels. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-01-04.

System and method for processing silicon wafers

Номер патента: WO2023203035A1. Автор: Tom Wu,Andrei Istratov,Katharina Zahnweh. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for determining types of defects in monocrystalline silicon wafer

Номер патента: US20240183797A1. Автор: XING Wei,HAO WANG,Minghao LI,Yuehui Yu. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Composition and method for creating nanoscale surface geometry on a cobalt chromium implantable device

Номер патента: WO2021041826A1. Автор: Michael Vidra,Jordan INCERPI,Daniel Jon SCHUTZER. Владелец: Tech Met, Inc.. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for heat-treating silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US20060027161A1. Автор: Yoshihisa Nonogaki,Tatsumi Kusaba,Hidehiko Okuda. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

Method for permanently marking glass

Номер патента: US4781792A. Автор: James V. Hogan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-11-01.

Method for electrolytic etching of gray irons with Stead's reagent

Номер патента: US3996119A. Автор: Russell D. Burkhart. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 1976-12-07.

Process for etching holes

Номер патента: CA1101765A. Автор: Arnold Reisman,Melvin Berkenblit,Stanley Zirinsky,See A. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-05-26.

Method for dna defined etching of a graphene nanostructure

Номер патента: US20180370804A1. Автор: Michael James Darling. Владелец: NU PROMETHEAN TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for etching at least one surface of a plastic substrate

Номер патента: US20240124777A1. Автор: Philip Hartmann,Frank Bayer,Torsten Voss,Carl Christian Fels. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for etching at least one surface of a plastic substrate

Номер патента: EP4298265A1. Автор: Philip Hartmann,Frank Bayer,Torsten Voss,Carl Christian Fels. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for etching at least one surface of a plastic substrate

Номер патента: EP4251721A1. Автор: Philip Hartmann,Frank Bayer,Carl Christian Fels. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for dna defined etching of a graphene nanostructure

Номер патента: EP2804956A1. Автор: Michael James Darling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-26.

Method for DNA Defined Etching of a Graphene Nanostructure

Номер патента: US20140374273A1. Автор: Michael James Darling. Владелец: NU PROMETHEAN TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Method for DNA etching of a graphene nanostructure

Номер патента: US9981851B2. Автор: Michael James Darling. Владелец: NU PROMETHEAN TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for dna defined etching of a graphene nanostructure

Номер патента: WO2013109319A1. Автор: Michael James Darling. Владелец: Darling Michael James. Дата публикации: 2013-07-25.

Apparatus and methods for alkali vapor cells

Номер патента: EP2362282A3. Автор: Jeff A. Ridley,Daniel W. Youngner,Son T. Lu,Mary Salit. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US20160102418A1. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Method and Plant for Etching a Fluoropolymer Substrate

Номер патента: US20160237231A1. Автор: Massimo Villano,Pasquale Stella. Владелец: Guarniflon SpA. Дата публикации: 2016-08-18.

Method and plant for etching a fluoropolymer substrate

Номер патента: EP3016997A1. Автор: Massimo Villano,Pasquale Stella. Владелец: Guarniflon SpA. Дата публикации: 2016-05-11.

Silicon wafer edge protection device

Номер патента: US09964864B2. Автор: XU Zhou,Lili GE,Fei NI,Haicang CUI. Владелец: Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for etching a workpiece

Номер патента: US7479235B2. Автор: Simone Guerriero. Владелец: Ahead Magnetics Inc. Дата публикации: 2009-01-20.

Method and plant for etching a fluoropolymer substrate

Номер патента: US9481773B2. Автор: Massimo Villano,Pasquale Stella. Владелец: Guarniflon SpA. Дата публикации: 2016-11-01.

Method and plant for etching a fluoropolymer substrate

Номер патента: WO2015052736A1. Автор: Massimo Villano,Pasquale Stella. Владелец: Guarniflon S.p.A.. Дата публикации: 2015-04-16.

Method and device for etching of metals

Номер патента: RU2375506C2. Автор: Андреас ШТЕПАН,Хуанито ХОРН. Владелец: СИМЕНС ФАИ МЕТАЛЗ ТЕКНОЛОДЖИЗ ГМБХ УНД КО. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for formation of planar structures by the method of atomic-power lithography

Номер патента: RU2659103C1. Автор: Стелла Владимировна Кутровская,Алексей Олегович Кучерик,Анастасия Юрьевна Шагурина,Игорь Олегович Скрябин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Владимирский Государственный Университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ). Дата публикации: 2018-06-28.

Method for intracellular conversion of single-stranded proteins into their double-stranded form

Номер патента: RU2569185C2. Автор: И Лю,Санджив ГАНШАНИ,Линх К. ЛЕ,Лэнс Э. СТЮАРД. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2015-11-20.

Method of making a solar grade silicon wafer

Номер патента: WO2008115539A1. Автор: John Carberry. Владелец: Mossey Creek Technology, Llc. Дата публикации: 2008-09-25.

Method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20070068447A1. Автор: Hiroyuki Saito,Takashi Watanabe,Kazuhiko Kashima,Takeshi Senda,Koji Izunome,Yumiko Hirano. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Molecular glass photoresists containing bisphenol a framework and method for preparing the same and use thereof

Номер патента: US09454076B2. Автор: Li Chen,Jian Xu,Guoqiang Yang,Shuangqing Wang,Shayu Li. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for treatment of single-crystalline silicon wafer surface

Номер патента: RU2323503C2. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Игорь Петрович Калинкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (ООО "Кристалл"). Дата публикации: 2008-04-27.

Method for surface treatment of epitaxial silicon wafers to form active regions

Номер патента: RU2565380C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Юсуп Пахрутдинович Шангереев,Азамат Ибрагимович Муртазалиев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-10-20.

Method for removing resistive mask

Номер патента: RU2318267C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева,Шамиль Джамалутдинович Алиев. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2008-02-27.

Method for reusing peeled wafer and silicon wafer for reuse

Номер патента: JP3932369B2. Автор: 清三谷,登桑原,正衛和田,ジャックオーバートンハーブアンドレ. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2007-06-20.

Epitaxial silicon wafer, method for manufacturing the same, and silicon wafer for epitaxial growth.

Номер патента: JP5250968B2. Автор: 靖行橋本,亮中島. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Method for evaluating contamination of epitaxial silicon wafer and method for evaluating contamination in epitaxial growth apparatus furnace

Номер патента: JP6070095B2. Автор: 駿佐々木,一成栗田,武門野,栗田　一成. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Method for preparing silver nanocrystals on silicon wafer surface

Номер патента: CN102425007A. Автор: 周春,陶斯禄,蒋一岚. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-04-25.

Method for reducing warp of polycrystalline silicon wafer

Номер патента: CN102345166A. Автор: 江笠. Владелец: SHANGHAI HEJING SILICON MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2012-02-08.

Method for detecting damaged layer of silicon wafer after grinding wheel fine grinding

Номер патента: CN107543837B. Автор: 丁玉龙,惠珍. Владелец: Zhengzhou Research Institute for Abrasives and Grinding Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-21.

Online recovery method for waste mortar produced in silicon wafer cutting

Номер патента: CN102757856B. Автор: 杨宏伟,任耀琪. Владелец: Jiangsu Yangfan Mech & Elec Equipment Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2013-10-09.

Processing method for processing oxide film of silicon wafer

Номер патента: JP5452884B2. Автор: 和明小佐々,智憲川崎. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2014-03-26.

Method for improving warping degree of silicon wafer and improving alignment precision

Номер патента: CN109709774B. Автор: 张辰明,陈翰,姜立维,孟鸿林. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-12.

Method for rescuing broken wire during silicon wafer linear cutting

Номер патента: CN102756433B. Автор: 陈益冬. Владелец: SUZHOU GCL PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-15.

Method for producing octangle micropores on silicon wafer

Номер патента: CN102745645A. Автор: 王宝军,黄永光,朱洪亮,刘德伟,王熙元,朱小宁. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2012-10-24.

Pre-heat treatment method for imparting IG effect to silicon wafer

Номер патента: JP4107628B2. Автор: 幸男室井,浩小屋. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-06-25.

Tool feeding method for multi-wire sawing of silicon wafers

Номер патента: CN103419290A. Автор: 余志刚,程佑富. Владелец: ZHEJIANG FENGJIN PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR STRIPPING A WAFER FROM A CARRIER

Номер патента: US20120000613A1. Автор: Thallner Erich. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2265255C2. Автор: В.П. Попов,Н.В. Дудченко,Д.В. Николаев,И.В. Антонова. Владелец: Институт физики полупроводников Объединенного Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2005-11-27.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU2321101C1. Автор: Илья Николаевич Баринов,Иль Николаевич Баринов,Сергей Алексеевич Козин. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-03-27.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for preparing hexamethylenediamine tetraacetate dicopper (ii)

Номер патента: RU2243965C1. Автор: Е.Г. Афонин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств". Дата публикации: 2005-01-10.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for formation of contact to silicone transistor collector area

Номер патента: RU2534449C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Мария Николаевна Литовченко,Патима Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Method for etching of langasite single crystals

Номер патента: RU2052546C1. Автор: В.С. Исаев,О.В. Димитрова,В.Б. Грузиненко,Е.Е. Стрелкова,Б.И. Высоцкий,Г.Р. Рошкован,В.В. Безделкин. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1996-01-20.

Method for storing carrier for polishing wafer

Номер патента: WO2000039841A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2001-08-23.

Method for producing silicon films

Номер патента: RU2240630C1. Автор: В.В. Болотов,Г.Н. Камаев,М.Д. Ефремов. Владелец: Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников СО РАН. Дата публикации: 2004-11-20.

Method for producing porous photoluminescent silicon

Номер патента: RU2316077C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Никулин,Анатолий Георгиевич Яковенко,Евгений Александрович Шелонин,Андрей Михайлович Хорт. Владелец: Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова. Дата публикации: 2008-01-27.

Method for making hot rolled hot zinc-plated strip

Номер патента: RU2310528C2. Автор: Павел Николаевич Смирнов,Эдуард Михайлович Голубчик,Сергей Владимирович Денисов,Владимир Георгиевич Кузнецов,Сергей Алексеевич Ласьков. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2007-11-20.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MICROELECTORODE ARRAY, METHODS FOR PREPARING THE SAME AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004716A1. Автор: Langhammer Christopher,Firestein-Miller Bonnie L.,Zahn Jeffrey. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3C-SiC)

Номер патента: RU2538358C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

Photoactivated composition for etching silicon nitride films

Номер патента: RU2507219C1. Автор: Елена Никифоровна Гудымович,Екатерина Юрьевна Ванифатьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-02-20.

Method for manufacturing of pressure gauges

Номер патента: RU2075137C1. Автор: С.А. Козин. Владелец: Научно-исследовательский институт физических измерений. Дата публикации: 1997-03-10.

Method for generation of semiconductor- insulator structure

Номер патента: RU2125323C1. Автор: В.И. Машанов,С.И. Романов,Б.И. Фомин,В.В. Кириенко,Л.В. Соколов,М.А. Ламин. Владелец: Институт физики полупроводников СО РАН. Дата публикации: 1999-01-20.

Method for producing micro-wire of hard-to-form materials

Номер патента: RU2315674C2. Автор: Александр Георгиевич Залазинский,Вадим Леонидович Колмогоров,Владимир Леонидович Колмыков,Марина Юрьевна Глазунова. Владелец: Институт машиноведения Уральского отделения Российской Академии наук (ИМАШ УрО РАН). Дата публикации: 2008-01-27.

Method for plasmochemical etching of semiconductor and insulating materials

Номер патента: RU2316845C1. Автор: Юрий Владимирович Федоров,Евгений Германович Шустин,Николай Васильевич Исаев. Владелец: ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИРЭ РАН). Дата публикации: 2008-02-10.

Method for etching a photoresist layer

Номер патента: RU2318231C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2008-02-27.

Method for manufacturing semiconductor systems on polyimide base

Номер патента: RU2295846C2. Автор: Евгений Александрович Комаров,Галина Шайхнелисламовна Комарова. Владелец: Галина Шайхнелисламовна Комарова. Дата публикации: 2007-03-20.

Method for producing structures for integrated circuits with insulated components

Номер патента: RU2197033C1. Автор: . Владелец: Зайцев Константин Анатольевич. Дата публикации: 2003-01-20.

Method of electrically insulated silicon regions formation in bulk of silicon wafer

Номер патента: RU2403647C1. Автор: Ильдар Искандерович Амиров,Владимир Александрович Кальнов,Александр Александрович Орликовский,Александр Владимирович Постников,Камиль Ахметович Валиев,Олег Валентинович Морозов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2010-11-10.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR EARLY IMAGING OF ATHEROSCLEROSIS

Номер патента: US20120003151A1. Автор: . Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for Treating S. Pneumoniae Infection

Номер патента: US20120003203A1. Автор: Mizrachi-Nebenzahl Yaffa,Dagan Ron. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODULATING VASCULAR DEVELOPMENT

Номер патента: US20120003208A1. Автор: Ye Weilan,Parker,Schmidt Maike,Filvaroff Ellen,IV Leon H.,Hongo Jo-Anne S.. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR TREATING OR PREVENTING IL-1BETA RELATED DISEASES

Номер патента: US20120003226A1. Автор: Scannon Patrick J.,Solinger Alan M.,Bauer Robert J.. Владелец: XOMA TECHNOLOGY LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR PREDICTING AUTOIMMUNE DISEASE RISK

Номер патента: US20120003228A1. Автор: Smith Ken,Lyons Paul,McKinney Eoin. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR APCDD1 MEDIATED REGULATION OF HAIR GROWTH AND PIGMENTATION AND MUTANTS THEREOF

Номер патента: US20120003244A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Novel composition and methods for the treatment of psoriasis

Номер патента: US20120003246A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING A SOLUBLE COCOA PRODUCT FROM COCOA POWDER

Номер патента: US20120003355A1. Автор: . Владелец: BARRY CALLEBAUT AG. Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR INVESTIGATING NUCLEIC ACID SEQUENCES

Номер патента: US20120003633A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ASSESSING RISK OF ALZHEIMER'S DISEASE IN A PATIENT

Номер патента: US20120003649A1. Автор: Atwood Craig S.. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ANTIBODY ENGINEERING

Номер патента: US20120003671A1. Автор: Yu Guo-Liang,Couto Fernando Jose Rebelo do,Hendricks Kristin B.,Wallace S. Ellen. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ALPHA-L-ASPARTYL-L-PHENYLALANINE-BETA-ESTER AND METHOD FOR PRODUCING ALPHA-L-ASPARTYL-L-PHENYLALANINE-ALPHA-METHYL ESTER

Номер патента: US20120003692A1. Автор: . Владелец: AJINOMOTO CO., INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIAGNOSTIC METHODS FOR DISEASES BY SCREENING FOR HEPCIDIN IN HUMAN OR ANIMAL TISSUES, BLOOD OR BODY FLUIDS, MONOCLONAL ANTIBODIES SPECIFIC TO HUMAN HEPCIDIN AND ASSOCIATED USES THEREFOR

Номер патента: US20120003696A1. Автор: . Владелец: DRG INTERNATIONAL, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR CULTURING UNDIFFERENTIATED CELLS USING SUSTAINED RELEASE COMPOSITIONS

Номер патента: US20120003736A1. Автор: . Владелец: REGENERATIVE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR DETERMINING A BREEDING VALUE BASED ON A PLURALITY OF GENETIC MARKERS

Номер патента: US20120004112A1. Автор: Lund Mogens Sandø,Su Guosheng,Guldbrandtsen Bernt. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR THE DIAGNOSIS OF AGE-ASSOCIATED VASCULAR DISORDERS

Номер патента: US20120004133A1. Автор: Lakatta Edward G.,Wang Mingyi,Fu Zongming,Van Eyk Jennifer. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR IDENTIFYING AND COMPOUNDS USEFUL FOR THE DIAGNOSIS AND TREATMENT OF DISEASES INVOLVING INFLAMMATION

Номер патента: US20120004160A1. Автор: Dickson Marion Catherine,Janssen Richard Antonius Jozef,De Groot Anton,Lekkerkerker Annemarie Nicolette,Meldrum Eric Charles,Thompson Nicola,Ray Keith Paul,Boyce Susan Heather. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEDICAL MATERIAL FOR IN VIVO IMPLANTATION CONTAINING SOFTENING AGENT AND/OR MOISTURIZING AGENT, METHOD FOR CONTROLLING CONTENT OF SOFTENING AGENT AND/OR MOISTURIZING AGENT IN THE MEDICAL MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE MEDICAL MATERIAL FOR IN VIVO IMPLANTATION

Номер патента: US20120004673A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Enabling a Scalable Transformation of Diverse Data into Hypotheses, Models and Dynamic Simulations to Drive the Discovery of New Knowledge

Номер патента: US20120004893A1. Автор: Yu Bin,Wang Jijun,VAIDYANATHAN Akhileswar Ganesh,PRIOR Stephen D.. Владелец: QUANTUM LEAP RESEARCH, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GLOVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000005A1. Автор: KISHIHARA Hidetoshi,II Yasuyuki. Владелец: SHOWA GLOVE CO.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Operating a Motor-Drive Device for a Home Automation Installation Comprising a Shutter Provided with Two Leaves

Номер патента: US20120000133A1. Автор: Rohee Clément. Владелец: Somfy SAS. Дата публикации: 2012-01-05.

Machine and Method for Installing Curved Hardwood Flooring

Номер патента: US20120000159A1. Автор: Young Julius. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR GENERATING ENERGY BY MEANS OF THERMAL CYCLES WITH HIGH PRESSURE AND MODERATE TEMPERATURE STEAM

Номер патента: US20120000202A1. Автор: Menéndez Salcedo José María,Angulo Aramburu Jerónimo. Владелец: SENER GRUPO DE INGENIERIA, S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING AMINO ACID LIQUID FERTILIZER USING LIVESTOCK BLOOD AND AMINO ACID LIQUID FERTILIZER MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20120000260A1. Автор: Oh Jin Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GRAIN-ORIENTED SILICON STEEL WITH SINGLE COLD ROLLING

Номер патента: US20120000262A1. Автор: Jin Weizhong,Shen Kanyi,Li Guobao,Zhang Pijun,Yang Yongjie,Hu Zhuochao,Wu Peiwen,Jiang Quanli. Владелец: BAOSHAN IRON & STEEL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

STRUCTURE PROVIDED WITH ZEOLITE SEPARATION MEMBRANE, METHOD FOR PRODUCING SAME, METHOD FOR SEPARATING MIXED FLUIDS AND DEVICE FOR SEPARATING MIXED FLUIDS

Номер патента: US20120000358A1. Автор: MORI Nobuhiko,KAWAI Masaaki,SATOH Aya,TOMITA Toshihiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Composition and method for dust suppression wetting agent

Номер патента: US20120000361A1. Автор: Weatherman Greg,Cash Marcia. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND ASSOCIATED METHOD FOR PREVENTING OVERFILLING IN A DISHWASHER

Номер патента: US20120000535A1. Автор: Poyner Dennis A.,Mitchell Glen,Duckworth Jason,DeFilippi John,Francisco Virgil J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for the beta annealing of a workpiece produced from a Ti alloy

Номер патента: US20120000581A1. Автор: Buscher Markus,Witulski Thomas. Владелец: OTTO FUCHS KG. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Corrosion Protection Treatment

Номер патента: US20120000591A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Acoustically Controlled Subsea Latching and Sealing System and Method for an Oilfield Device

Номер патента: US20120000664A1. Автор: Bailey Thomas F.,Gray Kevin L.,NAS Stephanus Wilhelmus Maria,Anderson Waybourn "Bo" J.. Владелец: WEATHERFORD/LAMB, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Soil Saturation and Digging

Номер патента: US20120000710A1. Автор: Gomez Randy Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR REDUCING THE RISK OF AN ADVERSE DRONEDARONE / BETA-BLOCKERS INTERACTION IN A PATIENT SUFFERING FROM ATRIAL FIBRILATION

Номер патента: US20120000806A1. Автор: Radzik Davide. Владелец: SANOFI. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Manufacturing a Vacuum Chamber and Components Thereof, and Improved Vacuum Chambers and Components Thereof

Номер патента: US20120000811A1. Автор: . Владелец: Kurt J. Lesker Company. Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120000821A1. Автор: Yang Shuwu,Reynolds Bruce Edward,Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: CHEVRON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SEPARATING A FEED MATERIAL DERIVED FROM A PROCESS FOR RECOVERING BITUMEN FROM OIL SANDS

Номер патента: US20120000831A1. Автор: Moran Kevin,Doiron Jacques. Владелец: Titanium Corporation Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE WIRE FOR WIRE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING USING THE SAME

Номер патента: US20120000889A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REPAIRING GAS TURBINE BLADES AND GAS TURBINE BLADE

Номер патента: US20120000890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICALLY EXTENSIVELY HEATABLE, TRANSPARENT OBJECT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120000896A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for grouping precursor and fragment ions using selected ion chromatograms

Номер патента: US20120001066A1. Автор: Geromanos Scott J.,Silva Jeffrey Cruz,GORENSTEIN Marc Victor,LI Guo-Zhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR USE IN FLASH DETECTION

Номер патента: US20120001071A1. Автор: SNIDER Robin Terry,MCGEE Jeffrey Dykes,PERRY Michael Dale. Владелец: General Atomics. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING POLYIMIDE FILM

Номер патента: US20120001367A1. Автор: . Владелец: KANEKA CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING AN ENERGY STORAGE PACK

Номер патента: US20120001483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR COMPRESSING DATA AND CONTROLLING DATA COMPRESSION IN BOREHOLE COMMUNICATION

Номер патента: US20120001776A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DIGITIZING A SIGNAL

Номер патента: US20120001783A1. Автор: Eklund Jan-Erik,Rosenbaum Linnéa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CREATING, MANAGING, SHARING AND DISPLAYING PERSONALIZED FONTS ON A CLIENT-SERVER ARCHITECTURE

Номер патента: US20120001921A1. Автор: Escher Marc,Hoffman Franz. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120002024A1. Автор: Sung Jaewon,Jeon Byeongmoon,KIM Dongseok,HWANG Junghwan,CHOI Tacksung,YOON Sungyong,LEE HYUNKOOK. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVELY TRACKING MULTIPLE MOVING OBJECTS USING A MONITORING CAMERA

Номер патента: US20120002056A1. Автор: HONG Sang-Jin,NAM Yun-Young,CHO Shung-Han,KIM Yang-Weon,CHO We-Duke,HWANG Yong-Hyeon. Владелец: Ajou University Industry-Academic Corporation Foundation. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS, APPARATUS, AND METHODS FOR DIGITAL IMAGE CAPTURE WITH VARIABLE DENSITY DISPLAY AND HIGH RESOLUTION ELECTRONIC ZOOM

Номер патента: US20120002084A1. Автор: . Владелец: TRUE VISION SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR CUTTING A PATCH TO BE APPLIED ONTO A CURVED SUBSTRATE

Номер патента: US20120002162A1. Автор: Ladous Agnès,Begon Cedric,Allione Pascal,Lavillonniere Nicolas. Владелец: Essilor International (Compagnie Generale D'Optique). Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Increasing Measurement Accuracy in a Particle Imaging Device

Номер патента: US20120002194A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Determining an Analyte in a Sample

Номер патента: US20120002207A1. Автор: Lagae Liesbet,De Vlaminck Iwijn,Van Dorpe Pol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Storing and Retrieving Digital Content with Physical File Systems

Номер патента: US20120002244A1. Автор: ROTHSCHILD LEIGH M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR INSPECTION OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE

Номер патента: US20120002323A1. Автор: Kato Junya,Maruyama Yoshihiko. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DETERMINING DIFFERENCE IN DISTANCE

Номер патента: US20120002507A1. Автор: Skjold-Larsen Henning. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DATA TRANSMISSION METHOD FOR WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM INVOLVING RELAY

Номер патента: US20120002591A1. Автор: NOH Tae Gyun,AHN Jae Young,LEE Hee Soo,LEE Kyoung Seok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR TRANSMITTING CONTROL SIGNAL TO RELAY NODE AT BASE STATION IN MIMO WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20120002596A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM FOR DATA COMMUNICATIONS, ROUTER, AND METHOD FOR DATA TRANSMISSION AND MOBILITY MANAGEMENT

Номер патента: US20120002600A1. Автор: ZHANG Gong,He Cheng,Xiang Yanping. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR SWITCHING MOBILE STATION IDENTIFICATION IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002604A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR TRANSCODING BETWEEN SCALABLE AND NON-SCALABLE VIDEO CODECS

Номер патента: US20120002728A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PERFORMING CONTENT SYNCHRONIZATION FOR DOWNLINK SERVICE DATA IN COLLABORATIVE MIMO AND APPARATUS THEREOF

Номер патента: US20120002741A1. Автор: Wang He,Hu Zhongji,Zhang Bijun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for determining the quantitative composition of a powder sample

Номер патента: US20120002787A1. Автор: Kern Arnt. Владелец: Bruker AXS GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR ONLINE IDENTITY VERIFICATION

Номер патента: US20120002847A1. Автор: Geosimonian Armen. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PROCESSING DATA SIGNALS

Номер патента: US20120002854A1. Автор: Hardy Christopher Judson,Khare Kedar Bhalchandra,King Kevin Franklin,Marinelli Luca. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PERFORMING AUTOMATIC CLASSIFICATION OF IMAGE INFORMATION

Номер патента: US20120002865A1. Автор: . Владелец: CHOROS COGNITION AB. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FAST SCENE MATCHING

Номер патента: US20120002868A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR SHIFT INVARIANT DIFFERENTIAL (SID) IMAGE DATA INTERPOLATION IN FULLY POPULATED SHIFT INVARIANT MATRIX

Номер патента: US20120002874A1. Автор: Dosluoglu Taner. Владелец: YOULIZA, GEHTS B.V. LIMITED LIABILITY COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING NOISE IN AN IMAGE

Номер патента: US20120002896A1. Автор: Kim Yeong-Taeg,Lertrattanapanich Surapong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR RECORDING AND PLAYING A MEDIA FILE, AND A RECORDING MEDIUM THEREFOR

Номер патента: US20120002947A1. Автор: RHYU Sung-Ryeul,HWANG Seo-Young,SONG Jae-Yeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CHANNEL-ADAPTIVE ERROR-RESILIENT BURST MODE TRANSMISSION

Номер патента: US20120002961A1. Автор: de Lind van Wijngaarden Adriaan J.. Владелец: Alcatel-Lucent USA Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

MACHINE TOOL AND METHOD FOR PRODUCING GEARING

Номер патента: US20120003058A1. Автор: Hummel Erhard,Hutter Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DEDIFFERENTIATING ADIPOSE TISSUE STROMAL CELLS

Номер патента: US20120003186A1. Автор: . Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

VALPROIC ACID, DERIVATIVES, ANALOGUES, AND COMPOSITIONS INCLUDING SAME AND METHODS FOR THEIR THERAPEUTIC USE

Номер патента: US20120003191A1. Автор: Burkin Dean J.,Gurpur Praveen B.,Kaufman Stephen J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for the Treatment of Ophthalmic Disease

Номер патента: US20120003275A1. Автор: Donello John E.,Schweighoffer Fabien J.,Rodrigues Gerard A.,McLaughlin Anne P.,Mahé Florence. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING CAPSULE SERIES, AND RELATED CAPSULE SERIES

Номер патента: US20120003285A1. Автор: Bibette Jérôme,Chu Liang-yin,Santanach Carreras Enric,Royere Audrey,Bremond Nicolas. Владелец: CAPSUM. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REDUCING PAIN

Номер патента: US20120003290A1. Автор: Ellis David J.,Miljanich George P.,Shields David E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR TREATING LYMPHOMA

Номер патента: US20120003297A1. Автор: Goldie James H.,SARRIS Andreas,CABANILLAS Fernando,LOGAN Patricia M.,BURGE Clive T.R.,WEBB Murray S.. Владелец: Talon Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR INDUCING AN IMMUNE RESPONSE

Номер патента: US20120003298A1. Автор: Maj Roberto,Pattarino Franco,Mura Emanuela,Barberis Alcide. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR CONTROLLED RELEASE OF AN ACID-UNSTABLE PHYSIOLOGICALLY ACTIVE SUBSTANCE

Номер патента: US20120003311A9. Автор: Mizuno Mitsuru,Aoki Shigeru,Yoshitake Takashi,Moroshima Kenji. Владелец: Eisai R&D Management Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for Stimulation MAGP-1 to Improve the Appearance of Skin

Номер патента: US20120003332A1. Автор: Lyga John W.,Zheng Qian,Chen Siming W.,Santhanam Uma. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR SELECTING AND ARRANGING PROGRAM REPRESENTATIVES AND A COOKING DEVICE THEREFOR

Номер патента: US20120003364A1. Автор: Kling Judith,Greiner Michael,Wiedemann Peter,Juergens-Heinersdorff Andre,Seemueller Simon,Klimm Karin. Владелец: Rational AG. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REDUCING VOLATILE ORGANIC COMPOUNDS IN COMPOSITE RESIN PARTICLES, AND COMPOSITE RESIN PARTICLES

Номер патента: US20120003478A1. Автор: . Владелец: SEKISUI PLASTICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR IMPROVING THE EFFICIENCY AND DURABILITY OF ELECTRICAL ENERGY STORAGE USING SOLID OXIDE ELECTROLYSIS CELL

Номер патента: US20120003552A1. Автор: Wilson James R.,Barnett Scott A.,Blerschank David M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20120003598A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR INTERACTIVE LEARNING AND TRAINING

Номер патента: US20120003622A1. Автор: . Владелец: DRANE ASSOCIATES, LP. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR DETECTING MUTATIONS IN JAK2 NUCLEIC ACID

Номер патента: US20120003653A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR EVALUATING PRE-TREATMENT

Номер патента: US20120003664A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IN VITRO-METHOD FOR THE DIAGNOSIS, PROGNOSIS, MONITORING AND THERAPY FOLLOW-UP OF DISORDERS ASSOCIATED WITH THE METABOLIC SYNDROME, A CARDIOVASCULAR DISEASE AND/OR INSULIN RESISTANCE

Номер патента: US20120003672A1. Автор: Bergmann Andreas. Владелец: B.R.A.H.M.S GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR COUNTING CELLS

Номер патента: US20120003687A1. Автор: Liu Yi-Shao,Toner Mehmet,Bashir Rashid,Cheng Xuanhong,Irimia Daniel,Zamir Lee,Demirci Utkan,Rodriguez William R.,Yang Liju. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR USING NADH OXIDASES

Номер патента: US20120003688A1. Автор: Bommarius Bettina,Bommarius Andreas,Hirano Jun-Ichiro,Thangavel Vaijayanthi,Park Jonathan Taejoo. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PREPARING A SITE-SPECIFIC PHYSIOLOGICALLY ACTIVE POLYPEPTIDE CONJUGATE

Номер патента: US20120003712A1. Автор: . Владелец: HANMI HOLDINGS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymerase Enhancing Factor (PEF) Extracts PEF Protein Complexes Isolated PEF Proteins and Methods for Purifying and Identifying

Номер патента: US20120003713A1. Автор: . Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING LIPASE, TRANSFORMED YARROWIA LIPOLYTICA CELL CAPABLE OF PRODUCING SAID LIPASE AND THEIR USES

Номер патента: US20120003716A1. Автор: Leblond Yves,Mouz Nicolas,Marty Alain,Uribelarrea Jean-Louis. Владелец: LABORATOIRES MAYOLY SPINDLER. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Improving Viability and Productivity in Cell Culture

Номер патента: US20120003735A1. Автор: Dorai Haimanti,Ly Celia,Sauerwald McClain Tina M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method For Amplification And Functional Enhancment Of Blood Derived Progenitor Cells Using A Closed Culture System

Номер патента: US20120003738A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEIC ACID MOLECULE CAPABLE OF BINDING TO 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON, METHOD FOR DETECTING COMPOUND HAVING 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON USING THE NUCLEIC ACID MOLECULE, AND USE OF THE NUCLEIC ACID MOLECULE

Номер патента: US20120003749A1. Автор: . Владелец: NEC SOFT, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION CHANNEL SETTING METHOD AND COMMUNICATION CHANNEL SELECTION METHOD FOR AN ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003939A1. Автор: Chen Te-Mu,Wang Chin-Yu,Huang Chih-Yu,Liao Wen-Pin. Владелец: HTC CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PRIORITIZING USER COMMUNICATIONS

Номер патента: US20120003959A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR ADJUSTING A RANDOM NUMBER GENERATOR USED FOR WAGERING BY ADJUSTING PAYOUTS OR USING LIQUID FUNDS

Номер патента: US20120004019A1. Автор: Schugar David,Solomon Gregg. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120004091A1. Автор: Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITION AND METHOD FOR CONTROLLING PLANT DISEASES

Номер патента: US20120004099A1. Автор: Kurahashi Makoto,Matsuzaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHOD FOR BLOCKING ETHYLENE RESPONSE IN PLANTS USING 3-CYCLOPROP-1-ENYL-PROPANOIC ACID SALT

Номер патента: US20120004106A1. Автор: Goren Raffi,Apelbaum Akiva,Goldschmidt Eliezer,Huberman Moshe,Riov Joseph,Sisler Edward C.. Владелец: YISSUM RESEARCH DEVELOPMENT OF THE HEBREW UNIVERSITY OF JERUSALEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PURIFICATION AND USE OF INORGANIC PYROPHOSPHATASE FROM AQUIFEX AEOLICUS

Номер патента: US20120004115A1. Автор: Shenoy Suresh Gopalkrishna,Link Kristian Hurd,Pino Luan,Gratalo Dawn,Sangan Pitchai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR BIOMARKER IDENTIFICATION AND BIOMARKER FOR NON-SMALL CELL LUNG CANCER

Номер патента: US20120004116A1. Автор: Jurisica Igor,Tsao Ming-Sound,Der Sandy D.,Boutros Paul C.,Lau Suzanne K.,Shepperd Frances A.,Penn Linda Z.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR THE SUBCLASSIFICATION OF BREAST TUMOURS

Номер патента: US20120004118A1. Автор: Kamalakaran Sitharthan,Hicks James Bruce,Janevski Angel. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR CONSTRUCTING MUTAGENESIS LIBRARIES IN SITU

Номер патента: US20120004142A1. Автор: Shao Weilan,Le Yilin,Pei Jianjun. Владелец: Nanjing Normal University. Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR MANUFACTURING HIGHLY PURE NEUROTOXIN

Номер патента: US20120004179A1. Автор: Taylor Harold Victor,Eisele Karl-Heinz,PFEIL Michael,Friedrich Josef,Brünn Cornelia. Владелец: Merz Pharma GmbH & Co. KGaA. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND PRODUCTS CONTAINING S-EQUOL, AND METHODS FOR THEIR MAKING

Номер патента: US20120004189A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Combinational Compositions And Methods For Treatment Of Cancer

Номер патента: US20120004191A1. Автор: . Владелец: ArQule, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for treating sexual dysfunction while decreasing cardiovascular risk

Номер патента: US20120004204A1. Автор: Simes Stephen,Snabes Michael,Zborowski Joanne. Владелец: BIOSANTE PHARMACEUTICALS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOUNDS, COMPOSITIONS AND METHODS FOR REDUCING LIPID LEVELS

Номер патента: US20120004223A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR TREATING BIPOLAR DISORDER

Номер патента: US20120004300A1. Автор: Melnick Susan Marie,Lee Sung James. Владелец: SK Holdings Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR TREATING RESTLESS LEGS SYNDROME

Номер патента: US20120004301A1. Автор: Melnick Susan Marie,Taylor Duncan Paul. Владелец: SK Holdings Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Treating Ocular Demodex

Номер патента: US20120004320A1. Автор: . Владелец: TissueTech,Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING AQUEOUS DISPERSION OF FLUORINE-CONTAINING SEED POLYMER PARTICLES AND AQUEOUS COATING COMPOSITION AND COATED ARTICLE THEREOF

Номер патента: US20120004367A1. Автор: Imoto Katsuhiko,Nishii Shumi,Fukuhara Yoshinari. Владелец: Daikin Industries Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR EXTRACTING PROPOLIS USING FAR-INFRARED RAYS FROM EARTHENWARE

Номер патента: US20120004389A1. Автор: Lee Yong Kwang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATED EGG PROTEIN AND EGG LIPID MATERIALS, AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120004399A1. Автор: Mason David. Владелец: Rembrandt Enterprises, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR ENANTIOSELECTIVE HYDROGENATION OF CHROMENES

Номер патента: US20120004427A1. Автор: SETCHELL Kenneth David Reginald,Sorokin Victor Dmitrievich. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING PEPTIDE

Номер патента: US20120004457A1. Автор: Hojo Hironobu,Nakahara Yoshiaki. Владелец: TOKAI UNIVERSITY EDUCATIONAL SYSTEM. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Enhancing the Performance of a Catalyzed Reaction

Номер патента: US20120004488A1. Автор: Sun Bing,Zimmermann Joseph Edward,Vetter Michael. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING PROPYLENE

Номер патента: US20120004490A1. Автор: Takamatsu Yoshikazu,Miyazaki Ryusuke. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Surgical Method for Performing a Coronary Blood Vessel Bypass

Номер патента: US20120004499A1. Автор: Ott Douglas E.. Владелец: Lexion Medical, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR TISSUE INVAGINATION

Номер патента: US20120004505A1. Автор: DeVRIES Robert B.,Sullivan Roy H.,Tassy,JR. Marc,Dimatteo Kristian,Kwan Tak,Shaw William J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and Method for Viewing an Object

Номер патента: US20120004513A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Treating Hemorrhoids

Номер патента: US20120004546A1. Автор: Neuberger Wolfgang,Groenhoff Endrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR STIMULATION OF BIOLOGICAL TISSUE

Номер патента: US20120004580A1. Автор: Wagner Timothy Andrew,Eden Uri Tzvi. Владелец: HIGHLAND INSTRUMENTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SERIAL VALVES AND HUBS FOR TUBULAR DEVICES AND METHODS FOR MAKING AND USING THEM

Номер патента: US20120004622A1. Автор: . Владелец: AUST DEVELOPMENT, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHOD FOR VOLITIONAL CONTROL OF JOINTED MECHANICAL DEVICES BASED ON SURFACE ELECTROMYOGRAPHY

Номер патента: US20120004736A1. Автор: . Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR OPTIMIZING MAINTENANCE AND OTHER OPERATIONS OF FIELD DEVICES IN A PROCESS CONTROL SYSTEM USING USER-DEFINED DEVICE CONFIGURATIONS

Номер патента: US20120004743A1. Автор: . Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR MANAGING POWER CONSUMPTION IN A SENSOR NETWORK

Номер патента: US20120004782A1. Автор: KOSKAN PATRICK D.,SWOPE CHARLES B.. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ENERGY MANAGEMENT

Номер патента: US20120004784A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR ADJUSTING AT LEAST ONE WORKING UNIT OF A SELF-PROPELLED HARVESTING MACHINE

Номер патента: US20120004813A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for the Operation of an Internal Combustion Engine Comprising an Emission Control System that Includes an SCR Catalyst

Номер патента: US20120004825A1. Автор: Koch Thomas,Massner Alexander,Traebert Anke. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Operating an Internal Combustion Engine with an Emission Control System

Номер патента: US20120004833A1. Автор: . Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR COMPUTING NECESSARY TIME FOR TRAVEL BASED ON WAITING TIME

Номер патента: US20120004840A1. Автор: . Владелец: NHN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHODS FOR USE OF A DYNAMIC CONE PENETROMETER FOR EVALUATING SOIL COMPACTION

Номер патента: US20120004848A1. Автор: Kinast John Arthur,Farrag Khalid A.,Todres H.A. (Alan). Владелец: Sandy Golgart Sales Inc. d/b/a SGS. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR MIGRATING SEISMIC DATA

Номер патента: US20120004850A1. Автор: Wang Yue,Hill Norman Ross. Владелец: Chevron U.S.A. INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MEASURING A FLUID VELOCITY AND RELATED APPARATUS

Номер патента: US20120004865A1. Автор: Porro Giampiero,Pozzi Roberto,Torinesi Alessandro,Rovati Luigi,NORGIA Michele. Владелец: DATAMED SRL. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ENERGY MANAGEMENT OF ELECTRIC DEVICES

Номер патента: US20120004872A1. Автор: OH Jung Hwan,Park Jae Seong,SON Dong Min. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR AUTOMATICALLY SHIFTING A BASE LINE

Номер патента: US20120004890A1. Автор: Chen Po-Tsang. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR AUTOMATICALLY SETTING LANGUAGE TYPES OF PUSH-BASED SERVICES, CLIENT, AND SERVER THEREOF

Номер патента: US20120004900A1. Автор: Chen Hsi-Kun,Chang Jen-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PARTICULATE MATTER FILTER REGENERATION USING A CATALYTIC CONVERTER AS A COMBUSTOR

Номер патента: US20120000180A1. Автор: JR. Michael J.,Gonze Eugene V.,Paratore,Santoso Halim G.. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR INJECTING AMMONIA INTO AN EXHAUST GAS STREAM

Номер патента: US20120000183A1. Автор: Adelman Brad J.,Strots Vadim Olegovich,Santhanam Shyam,Derybowski Edward M.,Miller Michael J.. Владелец: International Engine Intellectual Property Company, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and Method for Controlling Compressor of Vehicles

Номер патента: US20120000210A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING COMPRESSOR OF VEHICLES

Номер патента: US20120000211A1. Автор: Kwon Choon Gyu,KIM Jae Woong,LEE Chang Won. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR CONTROLLING FREEZING CAPACITY OF A FIXED-FREQUENCY FREEZING AC ICE-WATER SYSTEM

Номер патента: US20120000214A1. Автор: CHEN PIN-CHUAN,Chen Shyang-Yih,Wang Yu-Huan,Hsu Chen-Kun,Pan Ming-Hsien,Yang Ya-Ru,Lin Yan-Shao. Владелец: CHUNGHWA TELECOM CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR CONTROLLING FREEZING CAPACITY OF A VARIABLE-FREQUENCY FREEZING AC ICE-WATER SYSTEM

Номер патента: US20120000215A1. Автор: CHEN PIN-CHUAN,Chen Shyang-Yih,Wang Yu-Huan,Hsu Chen-Kun,Pan Ming-Hsien,Yang Ya-Ru,Lin Yan-Shao. Владелец: CHUNGHWA TELECOM CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING OPTICAL FIBER PREFORM

Номер патента: US20120000249A1. Автор: HAMADA Takahiro. Владелец: FUJIKURA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PROVIDING AT LEAST ONE WORK ROLL FOR ROLLING ROLLING STOCK

Номер патента: US20120000263A1. Автор: . Владелец: SMS SIEMAG AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2012-01-05.

AUTOMATIC HEAT TREATMENT METHOD FOR METAL RING

Номер патента: US20120000265A1. Автор: Watabe Yoshiharu,Saruyama Masaomi,Tsuyuzaki Hiroyuki. Владелец: HONDA MOTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

EXPANSION TOOL AND METHOD FOR COLD EXPANSION OF HOLES

Номер патента: US20120000266A1. Автор: Wölcken Piet,Reese Eggert D.,Jones Timothy G.B.. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR CUTTING POROUS SUBSTRATES

Номер патента: US20120000330A1. Автор: Griffin Weston Blaine. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and Method for Biogas Purification

Номер патента: US20120000357A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION OF CELLULOSE FIBERS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000392A1. Автор: Isogai Akira,Mukai Kenta,Kumamoto Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR ADMINISTRATION OF POSITIVE AIRWAY PRESSURE THERAPIES

Номер патента: US20120000463A1. Автор: Bordewick Steven S.,Bowman Bruce,Baser Joseph A.. Владелец: SOMNETICS GLOBAL PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM FOR TREATING AND/OR PROCESSING LIQUID PRODUCTS AND METHOD FOR CLEANING COMPONENTS OF SUCH SYSTEMS

Номер патента: US20120000492A1. Автор: Katzenbächer Hans-Jürgen,Bidinger Anne,Breil Michael. Владелец: KHS GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS, SYSTEMS AND METHOD FOR COLLECTING AND RECLAIMING ANAESTHETIC AGENTS AND FOR REMOVING NITROUS OXIDE FROM EXHAUST GASES

Номер патента: US20120000549A1. Автор: Hunt Barry W.,Jarrett Todd Eric,Thorne Damian Ross,Ahchong Katrina Marie,Carr Dean Paul,Vazquez Cesar Laurentino Martinez. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HOLDING DEVICES AND METHODS FOR USING THE SAME

Номер патента: US20120000571A1. Автор: Foscarota Valentino. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC LABELS WITH SELF-ADHESIVE PATTERN, AND ATTACHING SUCH LABELS TO A TIN

Номер патента: US20120000598A1. Автор: . Владелец: REYNDERS ETIKETTEN, NAAMLOZE VENNOOTSCHAP. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and Method for Fixing a Component in Position on a Component Carrier

Номер патента: US20120000601A1. Автор: Fessler-Knobel Martin,Huttner Roland. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR STABILIZATION OF MINE VOIDS USING WASTE MATERIAL AND A BINDING AGENT

Номер патента: US20120000654A1. Автор: Justice Charles Russell. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus And Methods For Producing Oil and Plugging Blowouts

Номер патента: US20120000656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR IMPROVING LIQUID REMOVAL FROM GAS, CONDENSATE & OIL WELLS WHEN USING A MULTI-CHANNEL SYSTEM

Номер патента: US20120000670A1. Автор: Kenworthy Michael W.,Ganelin Boris. Владелец: TECHNOLOGY COMMERCIALIZATION CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

BIOLOGICAL GRAFT TRANSFERRING INSTRUMENT AND METHOD FOR TRANSFERRING BIOLOGICAL GRAFT

Номер патента: US20120000745A1. Автор: Nozaki Yusuke. Владелец: TERUMO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Casualty Treatment and Evacuation in Response to an Emergency Situation

Номер патента: US20120000813A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Pulsed Operation of a Light Barrier, and a Light Barrier

Номер патента: US20120001062A1. Автор: Ottleben Bernd,Ottleben Petra,Mock Bernward. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRYING METHOD FOR CERAMIC GREENWARE

Номер патента: US20120001358A1. Автор: "OBrien James J.",Clark Terence J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Producing a Ceramic Filter Element

Номер патента: US20120001371A1. Автор: Linhart Jochen,Lichtenwalter Kathrin,FISCHER KATHRIN,Otterbach Sabine. Владелец: MANN+HUMMEL GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

Failure Detection System and Method for LED Lighting Equipment

Номер патента: US20120001552A1. Автор: WEN Yung-Chuan,TSAI Kun-Cheng. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING FAULT IN AN AC MACHINE

Номер патента: US20120001580A1. Автор: Lu Bin,Zhang Pinjia,Habetler Thomas G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR EXTENDING VCO OUTPUT VOLTAGE SWING

Номер патента: US20120001699A1. Автор: . Владелец: QUINTIC HOLDINGS. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Estimating an Object Motion Characteristic From a Radar Signal, a Computer System and a Computer Program Product

Номер патента: US20120001787A1. Автор: van Dorp Philip. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

Radar System Having Arrangements and Methods for the Decoupling of Transmitting and Receiving Signals and for the Suppression of Interference Radiation

Номер патента: US20120001791A1. Автор: Wintermantel Markus. Владелец: Conti Temic Microelectronic GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE CASE HAVING ANTENNA PATTERN EMBEDDED THEREIN, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MOLD FOR MANUFACTURING ANTENNA PATTERN FRAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120001807A1. Автор: HONG Ha Ryong,Lee Dae Kyu,An Chan Gwang,Chang Ki Won,Cho Sung Eun,SUNG Jae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multiband Antenna and Method for an Antenna to be Capable of Multiband Operation

Номер патента: US20120001815A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Virtual Touch Sensing

Номер патента: US20120001845A1. Автор: LEE Chi Ching. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTERACTIVE POINTING DEVICE CAPABLE OF SWITCHING CAPTURE RANGES AND METHOD FOR SWITCHING CAPTURE RANGES FOR USE IN INTERACTIVE POINTING DEVICE

Номер патента: US20120001848A1. Автор: CHEN Hsin Chia,HSU En Feng,KAO Ming Tsan,HUANG Chao Chien,Lu Chih Hung,Chien Shih Chi,Lin Cho Yi. Владелец: PIXART IMAGING INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR DISTINGUISHING INPUT OBJECTS

Номер патента: US20120001855A1. Автор: TRENT,JR. Raymond Alexander,Palsan Carmen. Владелец: SYNAPTICS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING 3D AUGMENTED REALITY

Номер патента: US20120001901A1. Автор: PARK Sun-Hyung. Владелец: Pantech Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and method for bidirectionally inpainting occlusion area based on predicted volume

Номер патента: US20120001902A1. Автор: Lim Hwa Sup,Lee Kee Chang,Lee Seung Kyu,Kim Do Kyoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR DISPLAYING FIXED-SCALE CONTENT ON MOBILE DEVICES

Номер патента: US20120001914A1. Автор: Pan Wayne,HAMOUI Omar. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR ASSISTING VISUALLY-IMPAIRED USERS TO VIEW VISUAL CONTENT

Номер патента: US20120001932A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001946A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING HEAD

Номер патента: US20120001976A1. Автор: . Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DETECTING A VIEWING APPARATUS

Номер патента: US20120002025A1. Автор: Bedingfield,SR. James Carlton. Владелец: AT&T Intellectual Property I, L. P.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR SWEEPING MIRROR ENHANCED IMAGING FLOW CYTOMETRY

Номер патента: US20120002029A1. Автор: Sieracki Christian K.,Ellis Scott N.,Peterson Kent A.. Владелец: FLUID IMAGING TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MICROSCOPE AND METHOD FOR THE MICROSCOPIC DETECTION OF LIGHT OF A SAMPLE

Номер патента: US20120002030A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Ground Material Characterization in a Grinding System

Номер патента: US20120002037A1. Автор: Dübendorfer Urs,Heine Martin,Pierri Dario. Владелец: Buhler AG. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR ADJUSTING PHOTOSENSITIVENESS OF DIGITAL CAMERA

Номер патента: US20120002081A1. Автор: Chou Chan Min,Lu Tsung Pin. Владелец: ALTEK CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

Means and Methods for Rapid Droplet, Aerosols and Swab Infection Analysis

Номер патента: US20120002199A1. Автор: Ben-David Moshe,Eruv Tomer,Gannot Gallya. Владелец: OPTICUL DIAGNOSTICS LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR ACQUIRING DOCUMENT SERVICES

Номер патента: US20120002241A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL BEAM SPLITTER FOR USE IN AN OPTOELECTRONIC MODULE, AND A METHOD FOR PERFORMING OPTICAL BEAM SPLITTING IN AN OPTOELECTRONIC MODULE

Номер патента: US20120002284A1. Автор: Wen Pengyue,McColloch Laurence R.. Владелец: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for current conditioning, in particular on a fault current limiter

Номер патента: US20120002336A1. Автор: Usoskin Alexander,Klein Hans-Udo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for gathering marine geophysical data

Номер патента: US20120002502A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR QOS AUTHORIZATION

Номер патента: US20120002540A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Self Organizing Network Operation

Номер патента: US20120002557A1. Автор: Likar Bojan,SEDLAR Urban,MALI Luka,KOS Andrej,STERLE Janez,POSEL Robert,JAVORNIK Tomaz,KANDUS Gorazd,KALAGASIDIS Andreas,BESTER Janez. Владелец: 4G NEURON, D.O.O.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR SELECTING AP IN CONSIDERATION OF NETWORK PERFORMANCE

Номер патента: US20120002560A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING MOBILITY MANAGEMENT AND OUT-OF-COVERAGE INDICATION IN A CONVENTIONAL LAND MOBILE RADIO SYSTEM

Номер патента: US20120002588A1. Автор: . Владелец: E.F. Johnson Company. Дата публикации: 2012-01-05.

Stretched Thermoplastic Resin for Gluing Metal Parts to Plastics, Glass and Metals, and Method for the Production Thereof

Номер патента: US20120003468A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for etching silicon wafer

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты