Method To Reduce Stacking Fault Nucleation Sites And Reduce Forward Voltage Drift In Bipolar Devices
Номер патента: US20050064723A1
Опубликовано: 24-03-2005
Автор(ы): Joseph Sumakeris
Принадлежит: Cree Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-03-2005
Автор(ы): Joseph Sumakeris
Принадлежит: Cree Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Elimination of stacking faults in silicon devices: a gettering process
Номер патента: CA1046166A. Автор: Pierre M. Petroff,George A. Rozgonyi. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1979-01-09.