Shallow melt apparatus for semicontinuous czochralski crystal growth
Номер патента: WO2003038161A1
Опубликовано: 08-05-2003
Автор(ы): Theodore F. Ciszek, Tihu Wang
Принадлежит: Midwest Research Institute
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-05-2003
Автор(ы): Theodore F. Ciszek, Tihu Wang
Принадлежит: Midwest Research Institute
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor crystal growth method and device
Номер патента: US12000060B2. Автор: Gang Wang,Yun Liu,Weimin Shen,Hanyi Huang. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-04.