INTEGRATED INDUCTOR.

INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20120038025A1
Опубликовано: 16-02-2012
Автор(ы): Chen Wayne, Smith Brett, Teggatz Ross
Принадлежит: TRIUNE IP LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Printed circuit boards having integrated inductor cores

Номер патента: MY138599A. Автор: Jonathan Meigs,Wendy Herrick. Владелец: Oak Mitsui Inc. Дата публикации: 2009-07-31.

Integrated inductor assemblies and methods of assembling same

Номер патента: US20140266552A1. Автор: John Steel,Arturo Silva. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-09-18.

Integrated inductor and a power conversion module including the integrated inductor

Номер патента: US12068674B2. Автор: Haijun Yang,Zengyi Lu,Lijun Zhou. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated inductor

Номер патента: US20170322583A1. Автор: Masanori Ishigaki. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Integrated inductor

Номер патента: US09874897B2. Автор: Masanori Ishigaki. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated inductor and integrated inductor fabricating method

Номер патента: US20140284762A1. Автор: Ta-Hsun Yeh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Shielding structure for integrated inductor/transformer

Номер патента: US09883590B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Kai-Yi Huang,Tai-Sheng Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated inductor with a stacked metal wire

Номер патента: US20230268269A1. Автор: Yaojian Leng,Justin Sato. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit (IC) package with integrated inductor having core magnetic field (B field) extending parallel to substrate

Номер патента: US11723222B2. Автор: Yaojian Leng,Bomy Chen,Justin Sato. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Integrated inductor and a method for reduction of losses in an integrated inductor

Номер патента: US09514875B2. Автор: Cezary Worek,Sławomir Ligenza. Владелец: Akademia Gomiczo Hutnicza. Дата публикации: 2016-12-06.

An integrated inductor and a method for reduction of losses in an integrated inductor

Номер патента: WO2012126993A2. Автор: Cezary Worek,Sławomir Ligenza. Владелец: AKADEMIA GORNICZO-HUTNICZA IM. STANISLAWA STASZICA W KRAKOWIE. Дата публикации: 2012-09-27.

Substrate embedded with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230361058A1. Автор: Xiaowei Xu,Xianming Chen,Gao HUANG,Benxia Huang,Juchen HUANG. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Glass-integrated inductors in integrated circuit packages

Номер патента: EP4439650A1. Автор: Srinivas PIETAMBARAM,Pooya Tadayon,Suddhasattwa NAD,Marcel WALL,Benjamin DUONG,Sashi KANDANUR,Pratyush Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Glass-integrated inductors in integrated circuit packages

Номер патента: US20240332100A1. Автор: Srinivas PIETAMBARAM,Pooya Tadayon,Suddhasattwa NAD,Marcel WALL,Benjamin DUONG,Sashi KANDANUR,Pratyush Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated inductor

Номер патента: US09780162B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Techniques for forming integrated inductor-capacitor oscillators and related methods, oscillators, semiconductor devices, systems-on-chips, and other systems

Номер патента: US11804803B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Preparation method of three-dimensional integrated inductor-capacitor structure

Номер патента: US09455221B2. Автор: Jifeng Zhu,Shaoning Mei,Shaofu JU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated inductor and integrated inductor magnetic core of the same

Номер патента: US20160300657A1. Автор: Yu Zhang,Min Zhou,Rui WU,Jin-Ping Zhou,Jian-Hong Zeng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Integrated inductor over transistor layer

Номер патента: US20240234303A9. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Inductor packages employing wire bonds over a lead frame to form integrated inductor(s), and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2024026243A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-01.

Inductor packages employing wire bonds over a lead frame to form integrated inductor(s), and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: US20240038439A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

High quality factor, integrated inductor and production method thereof

Номер патента: US20020011653A1. Автор: Paolo Ferrari,Benedetto Vigna,Armando Manfredi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Integral inductor arrangement

Номер патента: EP2850622A1. Автор: Marek Rylko,Milosz Handzel,Mariusz Walczak,Stefan Domagała,Mariusz Gwadera,Artur DZIEKAN. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2015-03-25.

Crossing structure of integrated transformer and integrated inductor

Номер патента: US20200343335A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ka-Un Chan,Hung-Yu Tsai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

An integrated inductor

Номер патента: WO2023233079A1. Автор: Yining Liu,Prasad JAYATHURATHNAGE,Jorma KYYRÄ. Владелец: AALTO UNIVERSITY FOUNDATION SR. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuit (ic) package with integrated inductor having core magnetic field (b field) extending parallel to die substrate

Номер патента: WO2021206760A1. Автор: Yaojian Leng,Bomy Chen,Justin Sato. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-14.

An integrated inductor and a method for reduction of losses in an integrated inductor

Номер патента: EP2689433A2. Автор: Cezary Worek,Sławomir Ligenza. Владелец: Akademia Gomiczo Hutnicza. Дата публикации: 2014-01-29.

Integrated inductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180151290A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Trench power device of integrated inductor, and manufacturing method for trench power device

Номер патента: EP4386824A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao,Bing MEI. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

IC package with integrated inductor

Номер патента: US09768099B1. Автор: Parviz Parto,Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Structure of integrated inductor

Номер патента: US20160329281A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

High performance integrated inductor

Номер патента: US20060270065A1. Автор: Thomas Dory,Sriram Muthukumar,Jianggi He. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Structure of integrated inductor

Номер патента: US09748326B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Structure of integrated inductor

Номер патента: US09875961B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Inverter and integrated inductor

Номер патента: EP4328940A1. Автор: Dehong Chen,Gun YANG,Zhengang SONG,Jianguo Bi. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Integrated inductor over transistor layer

Номер патента: US20240136279A1. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Highly symmetric integrated inductor

Номер патента: US11916098B2. Автор: Ta-Hsun Yeh,Cheng-Wei Luo,Chieh-Pin CHANG,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Inverter and integrated inductor

Номер патента: US20240063712A1. Автор: Dehong Chen,Gun YANG,Zhengang SONG,Jianguo Bi. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Structure of Integrated Inductor

Номер патента: US20160035671A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Helical Stacked Integrated Inductor and Transformer

Номер патента: US20170162318A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Integrated inductor structure

Номер патента: US10210981B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Cheng-Wei Luo,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Integrated Inductor Structure

Номер патента: US20190108935A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Cheng-Wei Luo,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Transformer with integrated inductor

Номер патента: US20230368968A1. Автор: Jinping Zhou,Quanliang ZHANG,Zhiheng FU,Shizhong GUO. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated inductor device with high inductance in a radiofrequency identification system

Номер патента: US09460841B2. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Giovanni Graziosi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-10-04.

Forming integrated inductors and transformers with embedded magnetic cores

Номер патента: US12057264B2. Автор: Anindya Poddar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Forming integrated inductors and transformers with embedded magnetic cores

Номер патента: US20180040420A1. Автор: Anindya Poddar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

FORMING INTEGRATED INDUCTORS AND TRANSFORMERS WITH EMBEDDED MAGNETIC CORES

Номер патента: US20180040420A1. Автор: Poddar Anindya. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

System and Method for Integrated Inductor

Номер патента: US20130239404A1. Автор: Klemens Pruegl,Carsten Ahrens,Gunther Mackh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-09-19.

A kind of integrated inductor production line

Номер патента: CN110534327A. Автор: 周敏,罗荣. Владелец: SHENZHEN GANTONG TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-03.

Manufacture of integrated inductor which reduces energy loss through underlying silicon substrate

Номер патента: FR2798220A1. Автор: Jou Chewnpu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-03-09.

Variable integrated inductor

Номер патента: US20060033602A1. Автор: Thomas Mattsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Magnetic integrated inductor and magnetic integrated circuit

Номер патента: CN106057402B. Автор: 余鹏,杨和钱,骆孝龙. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20170322583A1. Автор: Ishigaki Masanori. Владелец: Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc.. Дата публикации: 2017-11-09.

Monolithic integrable inductor

Номер патента: EP1189293A2. Автор: HELMUT Fischer,Georg Braun,Alexander Benedix,Bernd Klehn,Sebastian Kühne. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-20.

Resonant power supply with an integrated inductor

Номер патента: WO2012072732A9. Автор: Cezary Worek,Sławomir Ligenza. Владелец: AKADEMIA GORNICZO-HUTNICZA IM. STANISLAWA STASZICA W KRAKOWIE. Дата публикации: 2013-03-28.

Expert system-based integrated inductor synthesis and optimization

Номер патента: US09740810B2. Автор: Sotirios Bantas,Paschalis Zampoukis. Владелец: Helic SA. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated inductor for integrated circuit devices

Номер патента: US09881990B2. Автор: Valluri R. Rao,Telesphor Kamgaing,Uwe Zillmann,Andreas Duevel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated inductor for integrated circuit devices

Номер патента: US09673268B2. Автор: Valluri R. Rao,Telesphor Kamgaing,Uwe Zillmann,Andreas Duevel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Shielding integrated inductors

Номер патента: US20240006466A1. Автор: Baher S. Haroun,Bichoy BAHR,Swaminathan Sankaran,Benjamin Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Substrate integrated inductors using high throughput additive deposition of hybrid magnetic materials

Номер патента: US20200312796A1. Автор: Feras Eid,Georgios C. Dogiamis,Henning Braunisch. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Expert system-based integrated inductor synthesis and optimization

Номер патента: GB0818308D0. Автор: . Владелец: Helic SA. Дата публикации: 2008-11-12.

Integrated inductor and magnetic random access memory device

Номер патента: US09397139B1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Power Stage Device with Carrier Frame for Power Stage Module and Integrated Inductor

Номер патента: US20200258873A1. Автор: Cho Eung San,Palm Petteri. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Power converter and device integrating inductors in parallel of the same

Номер патента: US09653202B2. Автор: Min Zhou,Rui WU,Jian-Hong Zeng,Yi-Cong Xie. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Substrate integrated inductor

Номер патента: US20210098326A1. Автор: Yongki Min,Kaladhar Radhakrishnan,Malavarayan Sankarasubramanian,Ashay A. Dani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Power Semiconductor Devices Having Integrated Inductor

Номер патента: US20100197045A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Power semiconductor package having integrated inductor, resistor and capacitor

Номер патента: US20210082793A1. Автор: Bo Chen,Jian Yin,Xiaotian Zhang,Long-Ching Wang,Mary Jane R. Alin,David Brian Oraboni, JR.. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Integrated inductors for power management circuits

Номер патента: US20200211958A1. Автор: Gang Lin,Kai Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Integrated inductor

Номер патента: US7636242B2. Автор: Donald S. Gardner,Kaladhar Radhakrishnan,Tanay Karnik,Peter Hazucha,Gerhard Schrom,Fabrice Paillet,Edward Burton,Sung T. Moon,Trang T. Nguyen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

Integrated inductor embedded substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: CN115103509A. Автор: 徐小伟,陈先明,黄本霞,黄高,黄聚尘. Владелец: Zhuhai Yueya Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-09-23.

Circuit board integrated inductor, inductor, and electronic device

Номер патента: WO2023124582A1. Автор: 徐峰,陈奕君,蓝昊. Владелец: Oppo广东移动通信有限公司. Дата публикации: 2023-07-06.

Component Carrier With Integrated Inductor and Manufacturing Method

Номер патента: US20190394878A1. Автор: Vockenberger Christian,Gavagnin Marco,Frauwallner Rainer. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

INTEGRATED INDUCTOR WINDINGS AND HEAT PIPES

Номер патента: US20180174732A1. Автор: Pal Debabrata,Shepard Charles,Feng Frank Z.,Schmitt Dwight D.,Chai Harry H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

INTEGRATED INDUCTOR AND INTEGRATED INDUCTOR FABRICATING METHOD

Номер патента: US20140284762A1. Автор: Yeh Ta-Hsun. Владелец: Realtek Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11450595B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Power semiconductor devices having integrated inductor

Номер патента: US7531893B2. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11699669B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230275045A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220336382A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210202360A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated inductor and integrated inductor fabricating method

Номер патента: US9214511B2. Автор: Ta-Hsun Yeh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-12-15.

Integrated inductor with inductor wire formed in an integrated circuit layer stack

Номер патента: US20230129684A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Package architecture with glass core substrate having integrated inductors

Номер патента: US20240128247A1. Автор: Gang Duan,Hiroki Tanaka,Srinivas V. Pietambaram,Brandon C. MARIN,Suddhasattwa NAD,Kristof Kuwawi Darmawikarta,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

INTEGRATED INDUCTOR AND INTEGRATED INDUCTOR FABRICATING METHOD

Номер патента: US20140284761A1. Автор: Yeh Ta-Hsun. Владелец: Realtek Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2014-09-25.

INTEGRATED INDUCTOR AND INTEGRATED INDUCTOR FABRICATING METHOD

Номер патента: US20140284763A1. Автор: Yeh Ta-Hsun. Владелец: Realtek Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2014-09-25.

Printed circuit board with integrated inductor

Номер патента: KR20060101755A. Автор: 에베르하르트 바펜슈미트,베른트 악케르만,헨리쿠스 페트로넬라 마리아 데르크스,빌헬무스 요한네스 로베르투스 리에르. Владелец: 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-09-26.

Printed circuit board with integrated inductor

Номер патента: EP1661148A2. Автор: Eberhardt Philips Intel.Prop&Stand WAFFENSCHMIDT,Bernd Philips Intel.Prop.&Stand.GmbH ACKERMANN,Henricus P.M. Philips Intel.Prop.&Stand. DERCKX,Wilhelmus J.R. Philips Intel.Prop.&Stand. LIER. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2006-05-31.

Printed circuit board with integrated inductor

Номер патента: TW200520636A. Автор: Eberhard Waffenschmidt,Bernd Ackermann,Henricus Petronella Maria Derckx,Wilhelmus Johannes Robertus Lier. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2005-06-16.

SHIELDING STRUCTURE FOR INTEGRATED INDUCTOR/TRANSFORMER

Номер патента: US20170076857A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Huang Kai-Yi,Chen Tai-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US20160284787A1. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US9793336B2. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US20180012953A1. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US9590026B2. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355720A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US20170229533A1. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US09590026B2. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Via-in-via structure for high density package integrated inductor

Номер патента: US11676950B2. Автор: Sriram Srinivasan,William Lambert,Kaladhar Radhakrishnan,Krishna Bharath,Amruthavalli ALUR,Huong Do. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Via-in-via structure for high density package integrated inductor

Номер патента: US20210098436A1. Автор: Sriram Srinivasan,William Lambert,Kaladhar Radhakrishnan,Krishna Bharath,Amruthavalli ALUR,Huong Do. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Patterned shielding structure and integrated inductor

Номер патента: US20210225998A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ka-Un Chan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

INTEGRATED INDUCTOR FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20170309700A1. Автор: Rao Valluri R.,Duevel Andreas,Kamgaing Telesphor,Zillmann Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Integrated inductor for integrated circuit devices

Номер патента: US10256286B2. Автор: Valluri R. Rao,Telesphor Kamgaing,Uwe Zillmann,Andreas Duevel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Power semiconductor devices having integrated inductor

Номер патента: TW200822335A. Автор: Sreenivasan K Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-05-16.

High-Q Integrated Inductor and Method Thereof

Номер патента: US20190333672A1. Автор: Fei Song,Chia-Liang (Leon) Lin,I-Chang Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

INTEGRATED INDUCTOR FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20160276424A1. Автор: Rao Valluri R.,Duevel Andreas,Kamgaing Telesphor,Zillmann Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and integrated inductor

Номер патента: US09728596B1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Chun-Chi Chen,Kuo-Ming Wu,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated inductor for integrated circuit devices

Номер патента: TW201340136A. Автор: Telesphor Kamgaing,Andreas Duevel,Valluri R Rao,Uwe Zillman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-01.

TECHNIQUES FOR FORMING INTEGRATED INDUCTOR-CAPACITOR OSCILLATORS AND RELATED METHODS, OSCILLATORS, SEMICONDUCTOR DEVICES, SYSTEMS-ON-CHIPS, AND OTHER SYSTEMS

Номер патента: US20210218365A1. Автор: Leng Yaojian. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Integrated inductors and compliant interconnects for semiconductor packaging

Номер патента: US20060038289A1. Автор: Sriram Muthukumar,Jiangqi He,Rockwell Hsu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Transformer with integral inductor

Номер патента: US12131864B2. Автор: Brij N. Singh,Sagar K. Rastogi. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-10-29.

INTEGRATED INDUCTOR AND A METHOD FOR REDUCTION OF LOSSES IN AN INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20140043127A1. Автор: Worek Cezary,Ligenza Slawomir. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

INTEGRATED INDUCTOR AND INTEGRATED INDUCTOR MAGNETIC CORE OF THE SAME

Номер патента: US20160300657A1. Автор: Zhang Yu,Zhou Min,Wu Rui,Zeng Jian-Hong,ZHOU Jin-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

INTEGRATED INDUCTOR FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20140027880A1. Автор: Rao Valluri R.,Duevel Andreas,Kamgaing Telesphor,Zillmann Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGE WITH INTEGRATED INDUCTOR HAVING CORE MAGNETIC FIELD (B FIELD) EXTENDING PARALLEL TO DIE SUBSTRATE

Номер патента: US20210036059A1. Автор: Leng Yaojian,Chen Bomy,Sato Justin. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2021-02-04.

Crossing structure of integrated transformer and integrated inductor

Номер патента: US20200343335A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Chan Ka-Un,Tsai Hung-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Integrated inductor-capacitor oscillator and method thereof

Номер патента: CN114448431A. Автор: 林嘉亮. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

RF circuit and an integrated inductor therewith

Номер патента: TW579627B. Автор: Chewnpu Jou. Владелец: United Radiotek Inc. Дата публикации: 2004-03-11.

HIGH RESISTIVITY IRON-BASED, THERMALLY STABLE MAGNETIC MATERIAL FOR ON-CHIP INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20160284786A1. Автор: Deligianni Hariklia,"OSullivan Eugene J.",Gallagher William J.,Romankiw Lubomyr T.,Wang Naigang,Mason Maurice. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

INTEGRATED INDUCTOR WITH MAGNETIC MOLD COMPOUND

Номер патента: US20200211959A1. Автор: Kummerl Steven Alfred,MASSOLINI Roberto Giampiero,Hou Dongbin,MULLENIX Joyce Marie. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

TECHNIQUES FOR MAKING INTEGRATED INDUCTORS AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES, ELECTRONIC SYSTEMS AND PROCESSES

Номер патента: DE112019007552B4. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

HIGH RESISTIVITY IRON-BASED, THERMALLY STABLE MAGNETIC MATERIAL FOR ON-CHIP INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20180012953A1. Автор: Deligianni Hariklia,"OSullivan Eugene J.",Gallagher William J.,Romankiw Lubomyr T.,Wang Naigang,Mason Maurice. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

HIGH RESISTIVITY IRON-BASED, THERMALLY STABLE MAGNETIC MATERIAL FOR ON-CHIP INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20170229533A1. Автор: Deligianni Hariklia,"OSullivan Eugene J.",Gallagher William J.,Romankiw Lubomyr T.,Wang Naigang,Mason Maurice. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

High isolation integrated inductor and method thereof

Номер патента: US20180294089A1. Автор: Chia-Liang (Leon) Lin,Poh-Boon Leong. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

SEMICONDUCTOR PACKAGE DEVICE WITH INTEGRATED INDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190333875A1. Автор: CHEN Huan-Neng,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated inductor of high degree of isolation and preparation method thereof

Номер патента: CN108695309A. Автор: 林嘉亮,梁宝文. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-23.

TECHNIQUES FOR MAKING INTEGRATED INDUCTORS AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES, ELECTRONIC SYSTEMS, AND METHODS

Номер патента: US20210020568A1. Автор: Leng Yaojian. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

PREPARATION METHOD OF THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED INDUCTOR-CAPACITOR STRUCTURE

Номер патента: US20160079165A1. Автор: Mei Shaoning,Zhu Jifeng,JU Shaofu. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

POWER SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING INTEGRATED INDUCTOR AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20210082790A1. Автор: Chen Bo,Zhang Xiaotian,Wang Long-Ching,Alin Mary Jane R.,Oraboni,JR. David Brian. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor (Cayman) Ltd.. Дата публикации: 2021-03-18.

HIGH RESISTIVITY IRON-BASED, THERMALLY STABLE MAGNETIC MATERIAL FOR ON-CHIP INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20160284787A1. Автор: Deligianni Hariklia,"OSullivan Eugene J.",Gallagher William J.,Romankiw Lubomyr T.,Wang Naigang,Mason Maurice. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

METHOD OF FORMING AN INTEGRATED INDUCTOR BY DRY ETCHING AND METAL FILLING

Номер патента: US20140377892A1. Автор: ZHANG Wei,Wang Pengfei,Sun Qingqing. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-12-25.

SUBSTRATE INTEGRATED INDUCTORS USING HIGH THROUGHPUT ADDITIVE DEPOSITION OF HYBRID MAGNETIC MATERIALS

Номер патента: US20200312796A1. Автор: Braunisch Henning,EID Feras,DOGIAMIS Georgios C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor Package Including Flip Chip Mounted IC and Vertically Integrated Inductor

Номер патента: US20170338171A1. Автор: Cho Eung San,Parto Parviz. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor structure having integrated inductor therein

Номер патента: KR102167962B1. Автор: 밍-체 리,쳉-시엔 초우,셩-차우 첸,이-난 첸,쳉-유안 차이. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2020-10-21.

Semiconductor structure with integrated inductor

Номер патента: CN109524388A. Автор: 蔡正原,李名哲,周正贤,陈奕男,陈升照. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Techniques for making integrated inductors and related semiconductor devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US11094628B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

Semiconductor package including flip chip mounted IC and vertically integrated inductor

Номер патента: US10332825B2. Автор: Parviz Parto,Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor structure having integrated inductor therein

Номер патента: US11664411B2. Автор: Ming-Che Lee,I-Nan Chen,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Power semiconductor package having integrated inductor and method of making the same

Номер патента: TW202125730A. Автор: 陳波,曉天張,隆慶王,瑪麗•簡•Ｒ阿琳,大衛•布裏安小奧拉博尼. Владелец: 加拿大商萬國半導體國際有限合夥公司. Дата публикации: 2021-07-01.

MEMS capacitive sensor biasing circuit including an integrated inductor

Номер патента: US09793802B2. Автор: John M. Muza. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-10-17.

Multiphase Coupled and Integrated Inductors with Printed Circuit Board (PCB) Windings for Power Factor Correction (PFC) Converters

Номер патента: US20170294833A1. Автор: Li Qiang,Mu Mingkai,Lee Fred C.,Yang Yuchen. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Substrate integrated inductor

Integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN108538808B. Автор: 林嘉亮,梁宝文. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-14.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190333875A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

INTEGRATED INDUCTORS FOR POWER MANAGEMENT CIRCUITS

Номер патента: US20200211958A1. Автор: Liu Kai,Lin Gang. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Integrated inductor arrangement

Номер патента: GB9511060D0. Автор: . Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 1995-07-26.

Integrated inductors

Номер патента: US20080001698A1. Автор: Donald S. Gardner,Tanay Karnik,Peter Hazucha,Gerhard Schrom,Fabrice Paillet,Sung T. Moon,Trang T. Nguyen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Structure of Integrated Inductor

Номер патента: US20160035671A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Huang Kai-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Helical Stacked Integrated Inductor and Transformer

Номер патента: US20210050144A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Structure of integrated inductor

Номер патента: US20180082947A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

INTEGRATED INDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20190088734A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Structure of integrated inductor

Номер патента: US20160099301A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Integrated Inductor Structure

Номер патента: US20190108935A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng,Luo Cheng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20190148479A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Helical Stacked Integrated Inductor and Transformer

Номер патента: US20170162318A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

SEMICONDUCTOR PACKAGE DEVICE WITH INTEGRATED INDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210202360A1. Автор: Hsu Ying-Chih,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated inductor

Номер патента: US20210202687A1. Автор: Ta-Hsun Yeh,Cheng-Wei Luo,Chieh-Pin CHANG,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

INTEGRATED INDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170200547A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng,Luo Cheng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Structure of integrated inductor

Номер патента: US20160329281A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

METHOD OF MANUFACTURING A MICRO-FABRICATED WAFER LEVEL INTEGRATED INDUCTOR OR TRANSFORMER FOR HIGH FREQUENCY SWITCH MODE POWER SUPPLIES

Номер патента: US20150340422A1. Автор: LEE Dok Won,Papou Andrei,French William D.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

System and Method for Integrated Inductor

Номер патента: US20160372256A1. Автор: Ahrens Carsten,Mackh Gunther,Pruegl Klemens. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Integrated inductor

Номер патента: US6791158B2. Автор: Frederic Lemaire. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-09-14.

Integrated inductor

Номер патента: US20030178694A1. Автор: Frederic Lemaire. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-09-25.

On chip integrated inductor and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2011073908A1. Автор: Dusan Ir Golubovic,Kyriaki Fotopoulou. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-06-23.

Integrated inductor

Номер патента: US7612645B2. Автор: Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-11-03.

High isolation integrated inductor and method thereof

Номер патента: TWI670731B. Автор: 嘉亮林,管繼孔. Владелец: 瑞昱半導體股份有限公司. Дата публикации: 2019-09-01.

Integrated inductor

Номер патента: EP1305808A1. Автор: Frederic Lemaire. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-05-02.

High-isolation integrated inductor and its manufacturing method

Номер патента: CN109979913A. Автор: 林嘉亮,管继孔. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-05.

High performance integrated inductor

Номер патента: US20080023791A1. Автор: Thomas Dory,Sriram Muthukumar,Jianggi He. Владелец: Dory Thomas S. Дата публикации: 2008-01-31.

High-q integrated inductor and method thereof

Номер патента: TWI689991B. Автор: 林嘉亮,吳宜璋,宋飛. Владелец: 瑞昱半導體股份有限公司. Дата публикации: 2020-04-01.

Power Semiconductor Devices Having Integrated Inductor

Номер патента: US20090186453A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Integrated Inductor

Номер патента: US20130032923A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tsung-Ding Wang,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

POWER SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING INTEGRATED INDUCTOR, RESISTOR AND CAPACITOR

Номер патента: US20210082793A1. Автор: Chen Bo,Zhang Xiaotian,YIN Jian,Wang Long-Ching,Alin Mary Jane R.,Oraboni,JR. David Brian. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

VIA-IN-VIA STRUCTURE FOR HIGH DENSITY PACKAGE INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20210098436A1. Автор: Bharath Krishna,ALUR Amruthavalli,Srinivasan Sriram,Radhakrishnan Kaladhar,LAMBERT William,Do Huong. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-04-01.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING INTEGRATED INDUCTOR THEREIN

Номер патента: US20190109185A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chen Sheng-Chau,Lee Ming-Che,Chou Cheng-Hsien,CHEN I-NAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING INTEGRATED INDUCTOR THEREIN

Номер патента: US20200152728A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chen Sheng-Chau,Lee Ming-Che,Chou Cheng-Hsien,CHEN I-NAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

PATTERNED SHIELDING STRUCTURE AND INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20210225998A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Chan Ka-Un. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

INTEGRATED INDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160218169A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Liang Chia-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING INTEGRATED INDUCTOR THEREIN

Номер патента: US20210242303A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chen Sheng-Chau,Lee Ming-Che,Chou Cheng-Hsien,CHEN I-NAN. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20170229532A1. Автор: CHEN CHUN-CHI,Cheng Kai-Wen,TSAI Cheng-Yuan,Wu Kuo-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20160315136A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Integrated inductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US9748325B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chia-Jui Liang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor die with an integrated inductor

Номер патента: US7705421B1. Автор: Visvamohan Yegnashankaran. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

A kind of air bridges integrated inductor and preparation method thereof

Номер патента: CN110277376A. Автор: 林伟铭,林豪,林张鸿,陈建星,林易展,陈智广. Владелец: UniCompound Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-09-24.

Integrated inductor

Номер патента: TWI615860B. Автор: 顏孝璁,簡育生,葉達勳. Владелец: 瑞昱半導體股份有限公司. Дата публикации: 2018-02-21.

Semiconductor power device package having a lead frame-based integrated inductor

Номер патента: WO2009067265A1. Автор: Tao Feng,Francois Hebert,Xiaotian Zhang. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2009-05-28.

Integral Inductor Arrangement

Номер патента: US20170263360A1. Автор: Rylko Marek,Handzel Milosz,Walczak Mariusz,Gwadera Mariusz,Domagala Stefan,Dziekan Artur. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

POWER CONVERTER AND DEVICE INTEGRATING INDUCTORS IN PARALLEL OF THE SAME

Номер патента: US20160300658A1. Автор: Zhou Min,Wu Rui,Zeng Jian-Hong,XIE Yi-Cong. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Method for applying labels onto metal items using a stamp with integral inductor to provide local heating in the item for improved label adhesion

Номер патента: DE102004004827A1. Автор: Volker Dr. Hufnagel. Владелец: Schreiner Group GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-09-01.

INTEGRATED INDUCTOR STRUCTURE AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20220093309A1. Автор: Zuo Chengjie,Wang Xiaodong,He Jun,Cheng Wei,WEI Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated Inductor Structure and Integrated Transformer Structure

Номер патента: US20170098500A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Integrated inductor structure and integrated transformer structure

Номер патента: TW201714278A. Автор: 顏孝璁,簡育生,葉達勳. Владелец: 瑞昱半導體股份有限公司. Дата публикации: 2017-04-16.

Elastic wave device with integrated inductor

Номер патента: US9325295B2. Автор: Atsushi Takano,Hideaki Nakayama,Mitsuhiro Furukawa. Владелец: Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-26.

Integral Inductor-Susceptor

Номер патента: US20120067870A1. Автор: Bernard Lasko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

ELASTIC WAVE DEVICE WITH INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20160036416A1. Автор: Takano Atsushi,NAKAYAMA Hideaki,Furukawa Mitsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Low-cost receiver using integrated inductors

Номер патента: US09479199B2. Автор: Yu Su,Mustafa H. Koroglu. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Fully Integrated Adjustable DC Current Reference Based on an Integrated Inductor Reference

Номер патента: US20140132239A1. Автор: Bogdan Alexandru Georgescu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-15.

Integrated inductors

Номер патента: US20130182365A1. Автор: Donald S. Gardner,Tanay Karnik,Peter Hazucha,Gerhard Schrom,Fabrice Paillet,Sung T. Moon,Trang T. Nguyen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

New integrated inductor

Номер патента: CN107705957A. Автор: 王康,郭卫农,谢鸣静. Владелец: HANGZHOU ZHONGHENG ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2018-02-16.

Poor common mode integrated inductor and its scattered magnet shielding structure

Номер патента: CN108257768A. Автор: 成伟,庞雷宇,吴雁行. Владелец: SHENZHEN YAMAXI ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-06.

Integrated inductor/capacitor device using soft ferrites

Номер патента: EP0334520B1. Автор: Waseem Ahmed Roshen,David Earnest Turcotte,Dale Francis Regelman. Владелец: International Standard Electric Corp . Дата публикации: 1991-02-20.

Integrated inductor device with high inductance, for example for use as an antenna in a radiofrequency identification system

Номер патента: US20120249276A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Giovanni Graziosi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-10-04.

Номер патента: RU2614188C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Юрий Иванович Иванов,Владимир Георгиевич Сапогин. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2017-03-23.

INTEGRATED INDUCTOR

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты