Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Substrate integrated inductor

Номер патента: US20210098326A1
Опубликовано: 01-04-2021
Автор(ы): Ashay A. Dani, Kaladhar Radhakrishnan, Malavarayan Sankarasubramanian, Yongki Min
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Substrate integrated inductor

Номер патента: US20210098326A1. Автор: Yongki Min,Kaladhar Radhakrishnan,Malavarayan Sankarasubramanian,Ashay A. Dani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Inductor packages employing wire bonds over a lead frame to form integrated inductor(s), and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: US20240038439A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Inductor packages employing wire bonds over a lead frame to form integrated inductor(s), and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2024026243A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-01.

Glass-integrated inductors in integrated circuit packages

Номер патента: EP4439650A1. Автор: Srinivas PIETAMBARAM,Pooya Tadayon,Suddhasattwa NAD,Marcel WALL,Benjamin DUONG,Sashi KANDANUR,Pratyush Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Glass-integrated inductors in integrated circuit packages

Номер патента: US20240332100A1. Автор: Srinivas PIETAMBARAM,Pooya Tadayon,Suddhasattwa NAD,Marcel WALL,Benjamin DUONG,Sashi KANDANUR,Pratyush Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Substrate integrated with passive device, and production method therefor

Номер патента: US20240079354A1. Автор: Qi Yao,Yue Li,Ke Wang,Guangcai Yuan,Yuelei Xiao,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

System, electronic device and package with vertical to horizontal substrate integrated waveguide transition and horizontal grounded coplanar waveguide transition

Номер патента: US20240213185A1. Автор: Rajen Manicon Murugan,Harshpreet Singh Phull Bakshi,Sylvester Ankamah-Kusi,Aditya Nitin Jogalekar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Substrate-integrated waveguide

Номер патента: US20230352315A1. Автор: Rajen Manicon Murugan,Juan Alejandro Herbsommer,Yiqi Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Substrate-integrated waveguide

Номер патента: WO2023212182A1. Автор: Rajen Manicon Murugan,Juan Alejandro Herbsommer,Yiqi Tang. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2023-11-02.

IC package with integrated inductor

Номер патента: US09768099B1. Автор: Parviz Parto,Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11450595B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210202360A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355720A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Structure of integrated inductor

Номер патента: US20160329281A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Structure of integrated inductor

Номер патента: US09875961B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Structure of integrated inductor

Номер патента: US09748326B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated inductor and integrated inductor fabricating method

Номер патента: US20140284762A1. Автор: Ta-Hsun Yeh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Chip package with substrate integrated waveguide and waveguide interface

Номер патента: US11824019B2. Автор: Walter Hartner,Ernst Seler,Bernhard Rieder,Maciej Wojnowski,Ulrich Moeller,Tuncay Erdoel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-21.

INTEGRATED INDUCTOR WITH MAGNETIC MOLD COMPOUND

Номер патента: US20200211959A1. Автор: Kummerl Steven Alfred,MASSOLINI Roberto Giampiero,Hou Dongbin,MULLENIX Joyce Marie. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

POWER SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING INTEGRATED INDUCTOR AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20210082790A1. Автор: Chen Bo,Zhang Xiaotian,Wang Long-Ching,Alin Mary Jane R.,Oraboni,JR. David Brian. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor (Cayman) Ltd.. Дата публикации: 2021-03-18.

Power semiconductor package having integrated inductor and method of making the same

Номер патента: TW202125730A. Автор: 陳波,曉天 張,隆慶 王,瑪麗•簡•Ｒ 阿琳,大衛•布裏安 小奧拉博尼. Владелец: 加拿大商萬國半導體國際有限合夥公司. Дата публикации: 2021-07-01.

Substrate embedded with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230361058A1. Автор: Xiaowei Xu,Xianming Chen,Gao HUANG,Benxia Huang,Juchen HUANG. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Substrate integrated with passive devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240153871A1. Автор: Jin Yang,Ke Wang,Yingwei Liu,Haixu Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Power Semiconductor Devices Having Integrated Inductor

Номер патента: US20100197045A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Power semiconductor devices having integrated inductor

Номер патента: US7531893B2. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11699669B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230275045A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220336382A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

High performance integrated inductor

Номер патента: US20060270065A1. Автор: Thomas Dory,Sriram Muthukumar,Jianggi He. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Structure of Integrated Inductor

Номер патента: US20160035671A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Helical Stacked Integrated Inductor and Transformer

Номер патента: US20170162318A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Integrated inductor structure

Номер патента: US10210981B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Cheng-Wei Luo,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Integrated Inductor Structure

Номер патента: US20190108935A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Cheng-Wei Luo,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Via-in-via structure for high density package integrated inductor

Номер патента: US11676950B2. Автор: Sriram Srinivasan,William Lambert,Kaladhar Radhakrishnan,Krishna Bharath,Amruthavalli ALUR,Huong Do. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Via-in-via structure for high density package integrated inductor

Номер патента: US20210098436A1. Автор: Sriram Srinivasan,William Lambert,Kaladhar Radhakrishnan,Krishna Bharath,Amruthavalli ALUR,Huong Do. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Package architecture with glass core substrate having integrated inductors

Номер патента: US20240128247A1. Автор: Gang Duan,Hiroki Tanaka,Srinivas V. Pietambaram,Brandon C. MARIN,Suddhasattwa NAD,Kristof Kuwawi Darmawikarta,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Power semiconductor devices having integrated inductor

Номер патента: TW200822335A. Автор: Sreenivasan K Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-05-16.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190333875A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

SEMICONDUCTOR PACKAGE DEVICE WITH INTEGRATED INDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210202360A1. Автор: Hsu Ying-Chih,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

SEMICONDUCTOR PACKAGE DEVICE WITH INTEGRATED INDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190333875A1. Автор: CHEN Huan-Neng,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Power Semiconductor Devices Having Integrated Inductor

Номер патента: US20090186453A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Substrate integrated inductors using high throughput additive deposition of hybrid magnetic materials

Номер патента: US20200312796A1. Автор: Feras Eid,Georgios C. Dogiamis,Henning Braunisch. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Substrate integrated with passive devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240145321A1. Автор: Yue Li,Feng Liu,Yifan Wu,Yuelei Xiao,Chuncheng CHE,Xue CAO,Guochen DU,Wenbo CHANG. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated inductor with a stacked metal wire

Номер патента: US20230268269A1. Автор: Yaojian Leng,Justin Sato. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated inductor

Номер патента: US09780162B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

High quality factor, integrated inductor and production method thereof

Номер патента: US20020011653A1. Автор: Paolo Ferrari,Benedetto Vigna,Armando Manfredi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Techniques for forming integrated inductor-capacitor oscillators and related methods, oscillators, semiconductor devices, systems-on-chips, and other systems

Номер патента: US11804803B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Integrated inductor over transistor layer

Номер патента: US20240234303A9. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Trench power device of integrated inductor, and manufacturing method for trench power device

Номер патента: EP4386824A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao,Bing MEI. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Integrated inductor over transistor layer

Номер патента: US20240136279A1. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

SUBSTRATE INTEGRATED INDUCTORS USING HIGH THROUGHPUT ADDITIVE DEPOSITION OF HYBRID MAGNETIC MATERIALS

Номер патента: US20200312796A1. Автор: Braunisch Henning,EID Feras,DOGIAMIS Georgios C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Power semiconductor package having integrated inductor, resistor and capacitor

Номер патента: US20210082793A1. Автор: Bo Chen,Jian Yin,Xiaotian Zhang,Long-Ching Wang,Mary Jane R. Alin,David Brian Oraboni, JR.. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Substrate integrated thin film capacitors using amorphous high-k dielectrics

Номер патента: US11804455B1. Автор: Henning Braunisch,Aleksandar Aleksov,Kristof Darmawikarta,Prithwish Chatterjee,Andrew J. Brown,Thomas Sounart. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Substrate integrated thin film capacitors using amorphous high-k dielectrics

Номер патента: US20240014149A1. Автор: Henning Braunisch,Aleksandar Aleksov,Kristof Darmawikarta,Prithwish Chatterjee,Andrew J. Brown,Thomas Sounart. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

POWER SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING INTEGRATED INDUCTOR, RESISTOR AND CAPACITOR

Номер патента: US20210082793A1. Автор: Chen Bo,Zhang Xiaotian,YIN Jian,Wang Long-Ching,Alin Mary Jane R.,Oraboni,JR. David Brian. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Structure of integrated inductor

Номер патента: US20160329281A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor package including flip chip mounted IC and vertically integrated inductor

Номер патента: US10332825B2. Автор: Parviz Parto,Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Preparation method of three-dimensional integrated inductor-capacitor structure

Номер патента: US09455221B2. Автор: Jifeng Zhu,Shaoning Mei,Shaofu JU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Substrate integrated with passive device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047507A1. Автор: Ke Wang,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated inductor and integrated inductor fabricating method

Номер патента: US9214511B2. Автор: Ta-Hsun Yeh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-12-15.

Structure of integrated inductor

Номер патента: US20180082947A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Microelectronic assemblies having substrate-integrated perovskite layers

Номер патента: US20190311980A1. Автор: Feras Eid,Johanna M. Swan,Shawna M. LIFF,Thomas Sounart. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Scalable Extreme Large Size Substrate Integration

Номер патента: US20210202332A1. Автор: Jun Zhai,Kunzhong Hu,Chonghua ZHONG,Jiongxin Lu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

SUBSTRATE INTEGRATED THIN FILM CAPACITORS USING AMORPHOUS HIGH-K DIELECTRICS

Номер патента: US20200006258A1. Автор: Braunisch Henning,BROWN Andrew J.,Aleksov Aleksandar,DARMAWIKARTA Kristof,SOUNART Thomas,CHATTERJEE Prithwish. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Microelectronic assemblies having substrate-integrated perovskite layers

Номер патента: US20190311980A1. Автор: Feras Eid,Johanna M. Swan,Shawna M. LIFF,Thomas Sounart. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Dual-sided substrate integrated circuit package including a leadframe having leads with increased thickness

Номер патента: EP1564811A2. Автор: Roger A. Mock,Erich W. Gerbsch. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2005-08-17.

Dual-sided substrate integrated circuit package including a leadframe having leads with increased thickness

Номер патента: US20080198568A1. Автор: Roger A. Mock,Erich W. Gerbsch. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

PACKAGE SUBSTRATE INTEGRATED DEVICES

Номер патента: US20190169020A1. Автор: Tanaka Hiroki,May Robert A.,Aleksov Aleksandar,DARMAWIKARTA Kristof,EID Feras,LIU Changhua. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-06-06.

VIA-IN-VIA STRUCTURE FOR HIGH DENSITY PACKAGE INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20210098436A1. Автор: Bharath Krishna,ALUR Amruthavalli,Srinivasan Sriram,Radhakrishnan Kaladhar,LAMBERT William,Do Huong. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-04-01.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING INTEGRATED INDUCTOR THEREIN

Номер патента: US20210242303A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chen Sheng-Chau,Lee Ming-Che,Chou Cheng-Hsien,CHEN I-NAN. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING INTEGRATED INDUCTOR THEREIN

Номер патента: US20190109185A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chen Sheng-Chau,Lee Ming-Che,Chou Cheng-Hsien,CHEN I-NAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING INTEGRATED INDUCTOR THEREIN

Номер патента: US20200152728A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chen Sheng-Chau,Lee Ming-Che,Chou Cheng-Hsien,CHEN I-NAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Integrated inductor embedded substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: CN115103509A. Автор: 徐小伟,陈先明,黄本霞,黄高,黄聚尘. Владелец: Zhuhai Yueya Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-09-23.

Semiconductor power device package having a lead frame-based integrated inductor

Номер патента: WO2009067265A1. Автор: Tao Feng,Francois Hebert,Xiaotian Zhang. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2009-05-28.

Power Stage Device with Carrier Frame for Power Stage Module and Integrated Inductor

Номер патента: US20200258873A1. Автор: Cho Eung San,Palm Petteri. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor Package Including Flip Chip Mounted IC and Vertically Integrated Inductor

Номер патента: US20170338171A1. Автор: Cho Eung San,Parto Parviz. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Substrate integrated with passive device and preparation method thereof

Номер патента: CN115516587A. Автор: 刘锋,李月,车春城,曹雪,肖月磊,常文博,杜国琛,吴艺凡. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-23.

METHOD OF MANUFACTURING A MICRO-FABRICATED WAFER LEVEL INTEGRATED INDUCTOR OR TRANSFORMER FOR HIGH FREQUENCY SWITCH MODE POWER SUPPLIES

Номер патента: US20150340422A1. Автор: LEE Dok Won,Papou Andrei,French William D.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

HIGH RESISTIVITY IRON-BASED, THERMALLY STABLE MAGNETIC MATERIAL FOR ON-CHIP INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20180012953A1. Автор: Deligianni Hariklia,"OSullivan Eugene J.",Gallagher William J.,Romankiw Lubomyr T.,Wang Naigang,Mason Maurice. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Structure of Integrated Inductor

Номер патента: US20160035671A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Huang Kai-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Helical Stacked Integrated Inductor and Transformer

Номер патента: US20210050144A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

INTEGRATED INDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20190088734A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Integrated Inductor Structure

Номер патента: US20190108935A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng,Luo Cheng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20190148479A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Helical Stacked Integrated Inductor and Transformer

Номер патента: US20170162318A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

INTEGRATED INDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170200547A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng,Luo Cheng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

HIGH RESISTIVITY IRON-BASED, THERMALLY STABLE MAGNETIC MATERIAL FOR ON-CHIP INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20170229533A1. Автор: Deligianni Hariklia,"OSullivan Eugene J.",Gallagher William J.,Romankiw Lubomyr T.,Wang Naigang,Mason Maurice. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Integrated inductor

Номер патента: US6791158B2. Автор: Frederic Lemaire. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-09-14.

Integrated inductor

Номер патента: US20030178694A1. Автор: Frederic Lemaire. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-09-25.

On chip integrated inductor and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2011073908A1. Автор: Dusan Ir Golubovic,Kyriaki Fotopoulou. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-06-23.

Integrated inductor

Номер патента: US7612645B2. Автор: Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-11-03.

Integrated inductor

Номер патента: EP1305808A1. Автор: Frederic Lemaire. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-05-02.

High performance integrated inductor

Номер патента: US20080023791A1. Автор: Thomas Dory,Sriram Muthukumar,Jianggi He. Владелец: Dory Thomas S. Дата публикации: 2008-01-31.

Integrated inductor for integrated circuit devices

Номер патента: US09881990B2. Автор: Valluri R. Rao,Telesphor Kamgaing,Uwe Zillmann,Andreas Duevel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated inductor for integrated circuit devices

Номер патента: US09673268B2. Автор: Valluri R. Rao,Telesphor Kamgaing,Uwe Zillmann,Andreas Duevel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated inductors for power management circuits

Номер патента: US20200211958A1. Автор: Gang Lin,Kai Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Integrated inductor with inductor wire formed in an integrated circuit layer stack

Номер патента: US20230129684A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Patterned shielding structure and integrated inductor

Номер патента: US20210225998A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ka-Un Chan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US20160284787A1. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US9793336B2. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US20180012953A1. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US9590026B2. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US20170229533A1. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US09590026B2. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

INTEGRATED INDUCTORS FOR POWER MANAGEMENT CIRCUITS

Номер патента: US20200211958A1. Автор: Liu Kai,Lin Gang. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN108538808B. Автор: 林嘉亮,梁宝文. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-14.

TECHNIQUES FOR MAKING INTEGRATED INDUCTORS AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES, ELECTRONIC SYSTEMS AND PROCESSES

Номер патента: DE112019007552B4. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Integrated Inductor

Номер патента: US20130032923A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tsung-Ding Wang,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

System and Method for Integrated Inductor

Номер патента: US20130239404A1. Автор: Klemens Pruegl,Carsten Ahrens,Gunther Mackh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-09-19.

TECHNIQUES FOR MAKING INTEGRATED INDUCTORS AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES, ELECTRONIC SYSTEMS, AND METHODS

Номер патента: US20210020568A1. Автор: Leng Yaojian. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

INTEGRATED INDUCTOR FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20170309700A1. Автор: Rao Valluri R.,Duevel Andreas,Kamgaing Telesphor,Zillmann Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Integrated inductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US9748325B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chia-Jui Liang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure having integrated inductor therein

Номер патента: KR102167962B1. Автор: 밍-체 리,쳉-시엔 초우,셩-차우 첸,이-난 첸,쳉-유안 차이. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2020-10-21.

Manufacture of integrated inductor which reduces energy loss through underlying silicon substrate

Номер патента: FR2798220A1. Автор: Jou Chewnpu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-03-09.

Integrated inductor for integrated circuit devices

Номер патента: US10256286B2. Автор: Valluri R. Rao,Telesphor Kamgaing,Uwe Zillmann,Andreas Duevel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Semiconductor structure with integrated inductor

Номер патента: CN109524388A. Автор: 蔡正原,李名哲,周正贤,陈奕男,陈升照. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Integrated inductors and compliant interconnects for semiconductor packaging

Номер патента: US20060038289A1. Автор: Sriram Muthukumar,Jiangqi He,Rockwell Hsu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Techniques for making integrated inductors and related semiconductor devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US11094628B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

High isolation integrated inductor and method thereof

Номер патента: TWI670731B. Автор: 嘉亮 林,管繼孔. Владелец: 瑞昱半導體股份有限公司. Дата публикации: 2019-09-01.

Variable integrated inductor

Номер патента: US20060033602A1. Автор: Thomas Mattsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Integrated inductor for integrated circuit devices

Номер патента: TW201340136A. Автор: Telesphor Kamgaing,Andreas Duevel,Valluri R Rao,Uwe Zillman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-01.

Semiconductor structure having integrated inductor therein

Номер патента: US11664411B2. Автор: Ming-Che Lee,I-Nan Chen,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

High-isolation integrated inductor and its manufacturing method

Номер патента: CN109979913A. Автор: 林嘉亮,管继孔. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-05.

Semiconductor die with an integrated inductor

Номер патента: US7705421B1. Автор: Visvamohan Yegnashankaran. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

Integrated inductor

Номер патента: TWI615860B. Автор: 顏孝璁,簡育生,葉達勳. Владелец: 瑞昱半導體股份有限公司. Дата публикации: 2018-02-21.

RF circuit and an integrated inductor therewith

Номер патента: TW579627B. Автор: Chewnpu Jou. Владелец: United Radiotek Inc. Дата публикации: 2004-03-11.

Substrate integrated posts and heat spreader customization for enhanced package thermomechanics

Номер патента: US20200194335A1. Автор: Feras Eid,Johanna M. Swan,John J. Beatty,Dinesh Padmanabhan Ramalekshmi Thanu,Sergio CHAN ARGUEDAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

PREPARATION METHOD OF THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED INDUCTOR-CAPACITOR STRUCTURE

Номер патента: US20160079165A1. Автор: Mei Shaoning,Zhu Jifeng,JU Shaofu. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

INTEGRATED INDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160218169A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Liang Chia-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Integrated circuit (IC) package with integrated inductor having core magnetic field (B field) extending parallel to substrate

Номер патента: US11723222B2. Автор: Yaojian Leng,Bomy Chen,Justin Sato. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Integrated circuit (ic) package with integrated inductor having core magnetic field (b field) extending parallel to die substrate

Номер патента: WO2021206760A1. Автор: Yaojian Leng,Bomy Chen,Justin Sato. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-14.

Method of forming an electrically conductive contact plug, method of forming a reactive or diffusion barrier layer over a substrate, integrated circuitry, and method of forming a layer of titanium boride

Номер патента: US5977636A. Автор: Sujit Sharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

INTEGRATED INDUCTOR AND INTEGRATED INDUCTOR FABRICATING METHOD

Номер патента: US20140284761A1. Автор: Yeh Ta-Hsun. Владелец: Realtek Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2014-09-25.

Scalable Extreme Large Size Substrate Integration

Номер патента: US20210202332A1. Автор: Zhai Jun,Zhong Chonghua,Hu Kunzhong,Lu Jiongxin. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

INTEGRATED INDUCTOR FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20160276424A1. Автор: Rao Valluri R.,Duevel Andreas,Kamgaing Telesphor,Zillmann Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Crossing structure of integrated transformer and integrated inductor

Номер патента: US20200343335A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ka-Un Chan,Hung-Yu Tsai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Highly symmetric integrated inductor

Номер патента: US11916098B2. Автор: Ta-Hsun Yeh,Cheng-Wei Luo,Chieh-Pin CHANG,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Substrate integrated with passive device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230070790A1. Автор: Xiyuan Wang,Feng Qu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Face-up substrate integration with solder ball connection in semiconductor package

Номер патента: EP3120674A1. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Robert Paul Mikulka. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-25.

Glass based empty substrate integrated waveguide devices

Номер патента: US11962057B2. Автор: Roger Cook,Jeb H. Flemming,Kyle Mcwethy. Владелец: 3D Glass Solutions. Дата публикации: 2024-04-16.

Chip-package-antenna integrated structure based on substrate integrated waveguide (SIW) multi-feed network

Номер патента: US11901608B2. Автор: Yuefei DAI,Zongming DUAN,Chuanming ZHU. Владелец: CETC 38 Research Institute. Дата публикации: 2024-02-13.

Chip-package-antenna integrated structure based on substrate integrated waveguide (siw) multi-feed network

Номер патента: US20220247065A1. Автор: Yuefei DAI,Zongming DUAN,Chuanming ZHU. Владелец: CETC 38 Research Institute. Дата публикации: 2022-08-04.

Optically controlled millimeter-wave switch based on substrate integrated waveguide

Номер патента: US20210091242A1. Автор: Gennadiy Alexandrovich Evtyushkin,Anton Sergeevich Lukyanov,Mikhail Nikolaevich Makurin,Artem Yurievich Nikishov,Elena Aleksandrovna Shepeleva. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

TECHNIQUES FOR WINDOWED SUBSTRATE INTEGRATED CIRCUIT PACKAGES

Номер патента: US20190355700A1. Автор: LIU BIN,Deng Li,She Yong,Ding Zhicheng,Tan Aiping,Guo Mao. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20160315136A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

SUBSTRATE INTEGRATED POSTS AND HEAT SPREADER CUSTOMIZATION FOR ENHANCED PACKAGE THERMOMECHANICS

Номер патента: US20200194335A1. Автор: Swan Johanna M.,Beatty John J.,EID Feras,Padmanabhan Ramalekshmi Thanu Dinesh,CHAN ARGUEDAS Sergio. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Integrated inductor and a method for reduction of losses in an integrated inductor

Номер патента: US09514875B2. Автор: Cezary Worek,Sławomir Ligenza. Владелец: Akademia Gomiczo Hutnicza. Дата публикации: 2016-12-06.

An integrated inductor and a method for reduction of losses in an integrated inductor

Номер патента: WO2012126993A2. Автор: Cezary Worek,Sławomir Ligenza. Владелец: AKADEMIA GORNICZO-HUTNICZA IM. STANISLAWA STASZICA W KRAKOWIE. Дата публикации: 2012-09-27.

Integrated inductor and integrated inductor magnetic core of the same

Номер патента: US20160300657A1. Автор: Yu Zhang,Min Zhou,Rui WU,Jin-Ping Zhou,Jian-Hong Zeng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Integrated inductor assemblies and methods of assembling same

Номер патента: US20140266552A1. Автор: John Steel,Arturo Silva. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-09-18.

Integrated inductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180151290A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Integrated inductor and a power conversion module including the integrated inductor

Номер патента: US12068674B2. Автор: Haijun Yang,Zengyi Lu,Lijun Zhou. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

An integrated inductor and a method for reduction of losses in an integrated inductor

Номер патента: EP2689433A2. Автор: Cezary Worek,Sławomir Ligenza. Владелец: Akademia Gomiczo Hutnicza. Дата публикации: 2014-01-29.

Integrated inductor

Номер патента: US20170322583A1. Автор: Masanori Ishigaki. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

An integrated inductor

Номер патента: WO2023233079A1. Автор: Yining Liu,Prasad JAYATHURATHNAGE,Jorma KYYRÄ. Владелец: AALTO UNIVERSITY FOUNDATION SR. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated inductor

Номер патента: US09874897B2. Автор: Masanori Ishigaki. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Transformer with integrated inductor

Номер патента: US20230368968A1. Автор: Jinping Zhou,Quanliang ZHANG,Zhiheng FU,Shizhong GUO. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integral inductor arrangement

Номер патента: EP2850622A1. Автор: Marek Rylko,Milosz Handzel,Mariusz Walczak,Stefan Domagała,Mariusz Gwadera,Artur DZIEKAN. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2015-03-25.

Shielding structure for integrated inductor/transformer

Номер патента: US09883590B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Kai-Yi Huang,Tai-Sheng Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Inverter and integrated inductor

Номер патента: EP4328940A1. Автор: Dehong Chen,Gun YANG,Zhengang SONG,Jianguo Bi. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Inverter and integrated inductor

Номер патента: US20240063712A1. Автор: Dehong Chen,Gun YANG,Zhengang SONG,Jianguo Bi. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Printed circuit boards having integrated inductor cores

Номер патента: MY138599A. Автор: Jonathan Meigs,Wendy Herrick. Владелец: Oak Mitsui Inc. Дата публикации: 2009-07-31.

Integrated inductor device with high inductance in a radiofrequency identification system

Номер патента: US09460841B2. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Giovanni Graziosi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated inductor arrangement

Номер патента: GB9511060D0. Автор: . Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 1995-07-26.

Folded corrugated substrate integrated waveguide

Номер патента: US09543628B2. Автор: Hai Young Lee,Jin do Byun,Dae Keun CHO. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2017-01-10.

Substrate integrated waveguide switch

Номер патента: US09985331B2. Автор: Halim Boutayeb. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Substrate integrated waveguide monopulse and antenna system

Номер патента: US20200227808A1. Автор: Christopher Smith,Michael D. Gordon,Matthew Salem,Robert L. Sisk, III. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-07-16.

Scanning radar system with substrate integrated waveguides and heat dissipating structures

Номер патента: US12055654B2. Автор: Andre Giere,Richard Johann KÖRBER,Benedikt Hubertus SCHULTE,-Ing. Sebastian Mann. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Microelectronic assemblies with substrate integrated waveguide

Номер патента: US20190305396A1. Автор: Adel A. Elsherbini,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Printed circuit board including a substrate integrated waveguide having channels formed by vertically overlapping cylindrical cavities

Номер патента: US20230011894A1. Автор: Naftali Chayat. Владелец: Vayyar Imaging Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Single-layered end-fire circularly polarized substrate integrated waveguide horn antenna

Номер патента: EP3513459A1. Автор: KE Wu,Yifan YIN. Владелец: Huawei Technologies Canada Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-24.

Substrate integrated waveguide (SIW) including fences with wall strips and ridge strips, where the ridge strips extend further into the SIW than the wall strips

Номер патента: US11909089B2. Автор: Naftali Chayat. Владелец: Vayyar Imaging Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Single-layered end-fire circularly polarized substrate integrated waveguide horn antenna

Номер патента: WO2018078466A1. Автор: KE Wu,Yifan YIN. Владелец: Huawei Technologies Canada Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-05-03.

Substrate-integrated waveguide slot antenna with metasurface

Номер патента: US20200373678A1. Автор: Chang Seong Kim,Yong Bae Park,Hyung Jun AN. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2020-11-26.

Cross-guide coupler with main waveguide arm and substrate integrated waveguide (siw) secondary arm

Номер патента: US20170133737A1. Автор: Dominic Gagne,Louis-Philippe CARIGNAN. Владелец: Apollo Microwaves Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Radio frequency interference (rfi) shielded substrate-integrated-waveguide (siw) cavity antenna

Номер патента: US20230187839A1. Автор: Kwan Ho Lee,Dong-Ho Han,Tae Young Yang,Seong-Youp John Suh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Cross-guide coupler with main waveguide arm and substrate integrated waveguide (SIW) secondary arm

Номер патента: US09923255B2. Автор: Dominic Gagne,Louis-Philippe CARIGNAN. Владелец: Apollo Microwaves Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Wideband antennas including a substrate integrated waveguide

Номер патента: US09711860B2. Автор: Zhinong Ying,Kun Zhao. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

대각 아이리스(Iris) 결합을 이용한 기판 집적형 도파관(SIW, Substrate Integrated Waveguide)형 합차 모드 비교기 및 유전체 공진기 안테나

Номер патента: KR102692966B1. Автор: 박정훈,박승준,이문규. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for designing substrate integrated waveguide antenna

Номер патента: EP4239514A1. Автор: Jian Xu. Владелец: Changzhou Xingyu Automotive Lighting Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Millimeter-wave broadband substrate integrated hybrid dielectric resonator antenna

Номер патента: US20240195073A1. Автор: Jianxin Chen,Wenwen Yang,Jieer Zhang,Qinfang ZHANG. Владелец: Nantong University. Дата публикации: 2024-06-13.

Substrate integrated waveguide signal level control element and signal processing circuitry

Номер патента: WO2020201685A1. Автор: John Christopher Clifton,Kamal SAMANTA. Владелец: Sony Europe B.V.. Дата публикации: 2020-10-08.

Electric coupling of a substrate integrated waveguide cavity resonator to a suspended substrate stripline low pass filter for introducing a notch response

Номер патента: US20230352805A1. Автор: Francisco Iwao Hirata. Владелец: Benchmark Electronics Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Electric coupling of a substrate integrated waveguide cavity resonator to a suspended substrate stripline low pass filter for introducing a notch response

Номер патента: US11923589B2. Автор: Francisco Iwao Hirata. Владелец: Benchmark Electronics Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Integrated microstrip and substrate integrated waveguide circulators/isolators formed with co-fired magnetic-dielectric composites

Номер патента: US20240128627A1. Автор: David Bowie Cruickshank,David Martin Firor,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

INTEGRATED MICROSTRIP AND SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE CIRCULATORS/ISOLATORS FORMED WITH CO-FIRED MAGNETIC-DIELECTRIC COMPOSITES

Номер патента: US20230008079A1. Автор: David Bowie Cruickshank,David Martin Firor,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Methods for integrated microstrip and substrate integrated waveguide circulators/isolators formed with co-fired magnetic-dielectric composites

Номер патента: US20210050644A1. Автор: David Bowie Cruickshank,David Martin Firor,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Integrated microstrip and substrate integrated waveguide circulators/isolators formed with co-fired magnetic-dielectric composites

Номер патента: WO2018089853A1. Автор: David Bowie Cruickshank,David Martin Firor,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

Integrated microstrip and substrate integrated waveguide circulators/isolators formed with co-fired magnetic-dielectric composites

Номер патента: US20230008079A1. Автор: David Bowie Cruickshank,David Martin Firor,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Integrated microstrip and substrate integrated waveguide circulators/isolators formed with co-fired magnetic-dielectric composites

Номер патента: US11804642B2. Автор: David Bowie Cruickshank,David Martin Firor,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Scanning radar system with substrate integrated waveguides and heat dissipating structures

Номер патента: EP4138215A1. Автор: Andre Giere,Sebastian MANN,Richard Johann KÖRBER,Benedikt Hubertus SCHULTE. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2023-02-22.

Signaling device including a slot transition between a substrate integrated waveguide and a signal generator

Номер патента: US20200287290A1. Автор: Jun Yao,George J. Purden,Ryan K. Rossiter. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Signaling device including a slot transition between a substrate integrated waveguide and a signal generator

Номер патента: EP3706236A1. Автор: Jun Yao,George J. Purden,Ryan K. Rossiter. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-09-09.

Substrate integrated waveguide transition including an impedance transformer having an open portion with long sides thereof parallel to a centerline

Номер патента: US11894595B2. Автор: Edwin Lim,Marvin Weinstein,Tegan Argo. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Substrate integrated waveguide fed antenna

Номер патента: US20210376483A1. Автор: Chi Hou Chan,Manting Wang. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2021-12-02.

Front-end module comprising front-end components and a substrate integrated waveguide filter formed on a printed circuit board

Номер патента: US11777186B2. Автор: Sulav ADHIKARI,Ernst Wallisch, Jr.. Владелец: Allen Vanguard Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Front-end module comprising front-end components and a substrate integrated waveguide filter formed on a printed circuit board

Номер патента: US20240030575A1. Автор: Sulav ADHIKARI,Ernst Wallisch, Jr.. Владелец: Allen Vanguard Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Van atta antenna array with patch elements and substrate integrated waveguide

Номер патента: US20200194887A1. Автор: Dorel Marius Necsoiu,Brad D. Moore,Emilio Martinez, Jr.. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 2020-06-18.

Microelectronic assemblies with substrate integrated waveguide

Номер патента: US20220149500A1. Автор: Adel A. Elsherbini,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

대각 아이리스(Iris) 결합을 이용한 기판 집적형 도파관(SIW, Substrate Integrated Waveguide)형 합차 모드 비교기 및 유전체 공진기 안테나

Номер патента: KR20240013301A. Автор: 박정훈,박승준,이문규. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2024-01-30.

Substrate-integrated circularly polarized electromagnetic radiation structure and array

Номер патента: US20230411839A1. Автор: Yihong Qi,Ge Shi,Zhanghua CAI,Lidong Chi,Alex QI,Yunlong LUO,Ruini XUE,Ronghao JIN. Владелец: Pontosense Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Substrate integrated coaxial line wave guide interconnection array structure

Номер патента: US20180226708A1. Автор: Ning Wang,BIN Yuan,Xiaochun Li,Yan Shao,Junfa MaMao. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2018-08-09.

Substrate integrated waveguide-fed Fabry-Perot cavity filtering wideband millimeter wave antenna

Номер патента: US11817630B2. Автор: Chi Hou Chan,Haotao HU. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2023-11-14.

Pcb with substrate integrated waveguides using multi-band monopole antenna feeds for high speed communication

Номер патента: US20210112655A1. Автор: Wiren D. Becker,Daniel M. Dreps,Jose A. Hejase,Joshua C. Myers,Junyan TANG,Pavel Roy Paladhi,Sungjun Chun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Multi-die molded substrate integrated circuit device

Номер патента: US7670866B2. Автор: Daoqiang Lu,Haixiao Sun,Aiying XU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

PATTERNED SHIELDING STRUCTURE AND INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20210225998A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Chan Ka-Un. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Integrated inductor and magnetic random access memory device

Номер патента: US09397139B1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Shielding integrated inductors

Номер патента: US20240006466A1. Автор: Baher S. Haroun,Bichoy BAHR,Swaminathan Sankaran,Benjamin Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

High-Q Integrated Inductor and Method Thereof

Номер патента: US20190333672A1. Автор: Fei Song,Chia-Liang (Leon) Lin,I-Chang Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

HIGH RESISTIVITY IRON-BASED, THERMALLY STABLE MAGNETIC MATERIAL FOR ON-CHIP INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20160284786A1. Автор: Deligianni Hariklia,"OSullivan Eugene J.",Gallagher William J.,Romankiw Lubomyr T.,Wang Naigang,Mason Maurice. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

High-q integrated inductor and method thereof

Номер патента: TWI689991B. Автор: 林嘉亮,吳宜璋,宋飛. Владелец: 瑞昱半導體股份有限公司. Дата публикации: 2020-04-01.

Structure of integrated inductor

Номер патента: US20160099301A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Integrated inductor

Номер патента: US20210202687A1. Автор: Ta-Hsun Yeh,Cheng-Wei Luo,Chieh-Pin CHANG,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

TECHNIQUES FOR FORMING INTEGRATED INDUCTOR-CAPACITOR OSCILLATORS AND RELATED METHODS, OSCILLATORS, SEMICONDUCTOR DEVICES, SYSTEMS-ON-CHIPS, AND OTHER SYSTEMS

Номер патента: US20210218365A1. Автор: Leng Yaojian. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

High isolation integrated inductor and method thereof

Номер патента: US20180294089A1. Автор: Chia-Liang (Leon) Lin,Poh-Boon Leong. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Crossing structure of integrated transformer and integrated inductor

Номер патента: US20200343335A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Chan Ka-Un,Tsai Hung-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

System and Method for Integrated Inductor

Номер патента: US20160372256A1. Автор: Ahrens Carsten,Mackh Gunther,Pruegl Klemens. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Integrated inductor of high degree of isolation and preparation method thereof

Номер патента: CN108695309A. Автор: 林嘉亮,梁宝文. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-23.

Printed circuit board with substrate-integrated waveguide transition

Номер патента: US20190393581A1. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Substrate, integrated circuit device including the substrate, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US20200043728A1. Автор: Yeon-Sook Kim,Doek-gil Ko,In-ji LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Touch display substrate, integrated circuit chip and display device

Номер патента: US20240281089A1. Автор: Jiandong Guo,Yan Liu,Zhongshan WU,Xiaoyuan Wang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Face-up substrate integration with solder ball connection in semiconductor package

Номер патента: US09468098B2. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Robert Paul Mikulka. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device with substrate integrated hollow waveguide and method therefor

Номер патента: EP4007063A1. Автор: Abdellatif Zanati,Adrianus Buijsman,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-06-01.

Face-up substrate integration with solder ball connection in semiconductor package

Номер патента: US20160381809A1. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Robert Paul Mikulka. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device with substrate integrated hollow waveguide and method therefor

Номер патента: US20220173490A1. Автор: Abdellatif Zanati,Adrianus Buijsman,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-06-02.

SUBSTRATE, INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20200043728A1. Автор: KIM Yeon-Sook,Ko Doek-gil,LEE In-ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-02-06.

INSULATING LOW SIGNAL LOSS SUBSTRATE, INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING A NON-SILICON SUBSTRATE AND METHODS OF MANUFACTURE OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20140240944A1. Автор: Morrissey Michael,Stenson Bernard P.,Lynch Seamus A.. Владелец: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-08-28.

DEVICE SUBSTRATES, INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR FABRICATING DEVICE SUBSTRATES AND INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160172236A1. Автор: CHONG Yung Fu,Ko Lian Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor Substrate, Integrated Circuit Having the Semiconductor Substrate, and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: US20130200456A1. Автор: Zhu Huilong,Zhong Huicai,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

Ultra thin substrate integral memory and radio frequency identification devices

Номер патента: US20030038026A1. Автор: Harry Schramm. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

INTEGRATED INDUCTOR AND INTEGRATED INDUCTOR FABRICATING METHOD

Номер патента: US20140284762A1. Автор: Yeh Ta-Hsun. Владелец: Realtek Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2014-09-25.

INTEGRATED INDUCTOR AND INTEGRATED INDUCTOR FABRICATING METHOD

Номер патента: US20140284763A1. Автор: Yeh Ta-Hsun. Владелец: Realtek Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2014-09-25.

Switched power stage with integrated passive components

Номер патента: WO2016130859A1. Автор: Taner Dosluoglu. Владелец: Endura Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-18.

SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200044303A1. Автор: SHIN Kiryung. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

GLASS BASED EMPTY SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE DEVICES

Номер патента: US20220173488A1. Автор: Flemming Jeb H.,McWethy Kyle,Cook Roger. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SUBSTRATE INTEGRATED HOLLOW WAVEGUIDE AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220173490A1. Автор: Carluccio Giorgio,Zanati Abdellatif,Buijsman Adrianus. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200358161A1. Автор: SHIN Kiryung. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

PRINTED CIRCUIT BOARD WITH SUBSTRATE-INTEGRATED WAVEGUIDE TRANSITION

Номер патента: US20190393581A1. Автор: MOALLEM Meysam. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Improve the method for silicon substrate integrity in flash array district oxygen pad layer etching process

Номер патента: CN106128951A. Автор: 黄海辉,杨渝书,乔夫龙. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-16.

Non-destructive signal propagation system and method to determine substrate integrity

Номер патента: CN102414807B. Автор: 约翰·瓦尔库. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-02-04.

Signaling device including a substrate integrated waveguide coupled to a signal generator through a ball grid array

Номер патента: US10468738B2. Автор: Shawn Shi,George J. Purden. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Substrate integrated waveguide, method of manufacturing the same, and wireless communication device

Номер патента: CN110783683A. Автор: 申起领. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-11.

Non-destructive signal propagation system and method to determine substrate integrity

Номер патента: US20100283482A1. Автор: John Valcore. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-11-11.

Signal device including substrate integrated waveguide

Номер патента: CN107196038B. Автор: S·石,G·J·颇登. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-09.

Substrate integrated with passive device and preparation method thereof

Номер патента: CN114121929A. Автор: 李月,周毅,龚林,宋雪超,曲峰,曹雪,肖月磊,常文博,吴艺凡,冯昱霖,韩基挏,安齐昌,周柏君. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Glass-based empty substrate integrated waveguide device

Номер патента: JP7140435B2. Автор: ジェブ エイチ． フレミング,カイル マクウェシー,ロジャー クック. Владелец: 3D Glass Solutions. Дата публикации: 2022-09-21.

Face-up substrate integration with solder ball connection in semiconductor package

Номер патента: WO2015142591A1. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Robert Paul Mikulka. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-24.

Manufacturing method and structure of surface mount diode component of silicon chip-substrate integrated packaging

Номер патента: TW201131670A. Автор: Wen-Bin Huang,Wen-Hu Wu. Владелец: FORMOSA MICROSEMI Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-16.

SIGNALING DEVICE INCLUDING A SUBSTRATE INTEGRATED WAVE GUIDE

Номер патента: US20200067166A1. Автор: SHI SHAWN,Purden George J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

OPTICALLY CONTROLLED MILLIMETER-WAVE SWITCH BASED ON SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE

Номер патента: US20210091242A1. Автор: MAKURIN Mikhail Nikolaevich,NIKISHOV Artem Yurievich,LUKYANOV Anton Sergeevich,EVTYUSHKIN Gennadiy Alexandrovich,SHEPELEVA Elena Aleksandrovna. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-25.

PRINTED CIRCUIT BOARD WITH SUBSTRATE-INTEGRATED WAVEGUIDE TRANSITION

Номер патента: US20190207286A1. Автор: MOALLEM Meysam. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

FACE-UP SUBSTRATE INTEGRATION WITH SOLDER BALL CONNECTION IN SEMICONDUCTOR PACKAGE

Номер патента: US20160381809A1. Автор: Zuo Chengjie,Velez Mario Francisco,Kim Jonghae,Yun Changhan Hobie,Mikulka Robert Paul,KIM Daeik Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Multi-substrate integrated sensor

Номер патента: US7518354B2. Автор: Richard Dickinson,Jason Stauth,Glenn Forrest,Ravi Vig. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2009-04-14.

Solar cells using substrate integrated with antireflection nano structure and method for fabricating the same

Номер патента: KR20120060185A. Автор: 송영민,이용탁. Владелец: 주식회사 와이텔포토닉스. Дата публикации: 2012-06-11.

Non-destructive signal propagation system and method to determine substrate integrity

Номер патента: CN102414807A. Автор: 约翰·瓦尔库. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2012-04-11.

Glass based empty substrate integrated waveguide devices

Номер патента: AU2020253553A1. Автор: Roger Cook,Jeb H. Flemming,Kyle Mcwethy. Владелец: 3D Glass Solutions. Дата публикации: 2021-10-28.

Glass based empty substrate integrated waveguide devices

Номер патента: EP3935687B1. Автор: Roger Cook,Jeb H. Flemming,Kyle Mcwethy. Владелец: 3D Glass Solutions. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device and integrated inductor

Номер патента: US09728596B1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Chun-Chi Chen,Kuo-Ming Wu,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated inductor-capacitor oscillator and method thereof

Номер патента: CN114448431A. Автор: 林嘉亮. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

INTEGRATED INDUCTOR FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20140027880A1. Автор: Rao Valluri R.,Duevel Andreas,Kamgaing Telesphor,Zillmann Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGE WITH INTEGRATED INDUCTOR HAVING CORE MAGNETIC FIELD (B FIELD) EXTENDING PARALLEL TO DIE SUBSTRATE

Номер патента: US20210036059A1. Автор: Leng Yaojian,Chen Bomy,Sato Justin. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2021-02-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20170229532A1. Автор: CHEN CHUN-CHI,Cheng Kai-Wen,TSAI Cheng-Yuan,Wu Kuo-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

HIGH RESISTIVITY IRON-BASED, THERMALLY STABLE MAGNETIC MATERIAL FOR ON-CHIP INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20160284787A1. Автор: Deligianni Hariklia,"OSullivan Eugene J.",Gallagher William J.,Romankiw Lubomyr T.,Wang Naigang,Mason Maurice. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

METHOD OF FORMING AN INTEGRATED INDUCTOR BY DRY ETCHING AND METAL FILLING

Номер патента: US20140377892A1. Автор: ZHANG Wei,Wang Pengfei,Sun Qingqing. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-12-25.

Integrated inductor

Номер патента: US7636242B2. Автор: Donald S. Gardner,Kaladhar Radhakrishnan,Tanay Karnik,Peter Hazucha,Gerhard Schrom,Fabrice Paillet,Edward Burton,Sung T. Moon,Trang T. Nguyen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

A kind of air bridges integrated inductor and preparation method thereof

Номер патента: CN110277376A. Автор: 林伟铭,林豪,林张鸿,陈建星,林易展,陈智广. Владелец: UniCompound Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-09-24.

Multilayer substrate, integrated magnetic device, power source apparatus, and multilayer substrate production method

Номер патента: EP4276857A1. Автор: Hiromitsu Tahara. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Multilayer substrate, integrated magnetic device, power source apparatus, and multilayer substrate production method

Номер патента: US20240038442A1. Автор: Hiromitsu Tahara. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Power converter and device integrating inductors in parallel of the same

Номер патента: US09653202B2. Автор: Min Zhou,Rui WU,Jian-Hong Zeng,Yi-Cong Xie. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Multilayer substrate, integrated magnetic device, power supply, and manufacturing method of multilayer substrate

Номер патента: JP2022144502A. Автор: Hiromitsu Tawara,博光 田原. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2022-10-03.

INTEGRATED INDUCTOR AND A METHOD FOR REDUCTION OF LOSSES IN AN INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20140043127A1. Автор: Worek Cezary,Ligenza Slawomir. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

INTEGRATED INDUCTOR AND INTEGRATED INDUCTOR MAGNETIC CORE OF THE SAME

Номер патента: US20160300657A1. Автор: Zhang Yu,Zhou Min,Wu Rui,Zeng Jian-Hong,ZHOU Jin-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Integrated inductors

Номер патента: US20080001698A1. Автор: Donald S. Gardner,Tanay Karnik,Peter Hazucha,Gerhard Schrom,Fabrice Paillet,Sung T. Moon,Trang T. Nguyen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Circuit board integrated inductor, inductor, and electronic device

Номер патента: WO2023124582A1. Автор: 徐峰,陈奕君,蓝昊. Владелец: Oppo广东移动通信有限公司. Дата публикации: 2023-07-06.

CONNECTOR PLACEMENT FOR A SUBSTRATE INTEGRATED WITH A TOROIDAL INDUCTOR

Номер патента: US20150092314A1. Автор: Zuo Chengjie,Velez Mario Francisco,Kim Jonghae,Nowak Matthew Michael,Yun Changhan Hobie,Zhang Xiaonan,KIM Daeik Daniel,Song Young Kyu,Lane Ryan David. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-02.

Forming integrated inductors and transformers with embedded magnetic cores

Номер патента: US12057264B2. Автор: Anindya Poddar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Transformer with integral inductor

Номер патента: US12131864B2. Автор: Brij N. Singh,Sagar K. Rastogi. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated inductors

Номер патента: US20130182365A1. Автор: Donald S. Gardner,Tanay Karnik,Peter Hazucha,Gerhard Schrom,Fabrice Paillet,Sung T. Moon,Trang T. Nguyen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Integrated Inductor Structure and Integrated Transformer Structure

Номер патента: US20170098500A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

INTEGRATED INDUCTOR WINDINGS AND HEAT PIPES

Номер патента: US20180174732A1. Автор: Pal Debabrata,Shepard Charles,Feng Frank Z.,Schmitt Dwight D.,Chai Harry H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

New integrated inductor

Номер патента: CN107705957A. Автор: 王康,郭卫农,谢鸣静. Владелец: HANGZHOU ZHONGHENG ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2018-02-16.

Poor common mode integrated inductor and its scattered magnet shielding structure

Номер патента: CN108257768A. Автор: 成伟,庞雷宇,吴雁行. Владелец: SHENZHEN YAMAXI ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-06.

Integrated inductor hot-pressing equipment

Номер патента: CN111564302A. Автор: 周晟,高彦华,吕宗鑫. Владелец: Tongyou Intelligent Equipment Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2020-08-21.

Integrated inductor structure and integrated transformer structure

Номер патента: TW201714278A. Автор: 顏孝璁,簡育生,葉達勳. Владелец: 瑞昱半導體股份有限公司. Дата публикации: 2017-04-16.

Elastic wave device with integrated inductor

Номер патента: US9325295B2. Автор: Atsushi Takano,Hideaki Nakayama,Mitsuhiro Furukawa. Владелец: Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-26.

Forming integrated inductors and transformers with embedded magnetic cores

Номер патента: US20180040420A1. Автор: Anindya Poddar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Integrated inductor device with high inductance, for example for use as an antenna in a radiofrequency identification system

Номер патента: US20120249276A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Giovanni Graziosi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-10-04.

TRANSFORMERS WITH INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20190006096A1. Автор: Rozman Gregory I.,Gieras Jacek F.,Kheraluwala Mustansir. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

ELASTIC WAVE DEVICE WITH INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20160036416A1. Автор: Takano Atsushi,NAKAYAMA Hideaki,Furukawa Mitsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

FORMING INTEGRATED INDUCTORS AND TRANSFORMERS WITH EMBEDDED MAGNETIC CORES

Номер патента: US20180040420A1. Автор: Poddar Anindya. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

INTEGRATED INDUCTOR ASSEMBLY

Номер патента: US20140132379A1. Автор: Kozarekar Shailesh Shrikant,Vafakhah Behzad,Skalski Vincent. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2014-05-15.

INTEGRAL INDUCTOR ARRANGEMENT

Номер патента: US20150070125A1. Автор: Rylko Marek,Handzel Milosz,Walczak Mariusz,Gwadera Mariusz,Domagala Stefan,Dziekan Artur. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

SHIELDING STRUCTURE FOR INTEGRATED INDUCTOR/TRANSFORMER

Номер патента: US20170076857A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Huang Kai-Yi,Chen Tai-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

INTEGRATED INDUCTOR STRUCTURE AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20220093309A1. Автор: Zuo Chengjie,Wang Xiaodong,He Jun,Cheng Wei,WEI Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

INTEGRATED INDUCTOR WITH ADJUSTABLE COUPLING

Номер патента: US20180096776A1. Автор: Gardner Donald S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

INTEGRATED INDUCTOR ASSEMBLIES AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20220181067A1. Автор: Ikriannikov Alexandr. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

FORMING INTEGRATED INDUCTORS AND TRANSFORMERS WITH EMBEDDED MAGNETIC CORES

Номер патента: US20150143690A1. Автор: Poddar Anindya. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

INTEGRATED INDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180151290A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

INTEGRATED INDUCTOR ASSEMBLIES AND METHODS OF ASSEMBLING SAME

Номер патента: US20140266552A1. Автор: Silva Arturo,Steel John. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-09-18.

HIGH ISOLATION INTEGRATED INDUCTOR AND METHOD THEROF

Номер патента: US20190206613A1. Автор: Kuan Chi-Kung,Lin Chia-Liang (Leon). Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

INTEGRATED INDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20160225508A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

INTEGRATED INDUCTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180254141A1. Автор: Lin Chia-Liang (Leon),Leong Poh-Boon. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

Integral Inductor Arrangement

Номер патента: US20170263360A1. Автор: Rylko Marek,Handzel Milosz,Walczak Mariusz,Gwadera Mariusz,Domagala Stefan,Dziekan Artur. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

POWER CONVERTER AND DEVICE INTEGRATING INDUCTORS IN PARALLEL OF THE SAME

Номер патента: US20160300658A1. Автор: Zhou Min,Wu Rui,Zeng Jian-Hong,XIE Yi-Cong. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Multiphase Coupled and Integrated Inductors with Printed Circuit Board (PCB) Windings for Power Factor Correction (PFC) Converters

Номер патента: US20170294833A1. Автор: Li Qiang,Mu Mingkai,Lee Fred C.,Yang Yuchen. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20160314888A1. Автор: WANG Wen,ZHENG DAVID,LIAO XIZHENG,LIU DENIS. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Integrated inductor

Номер патента: US20170316865A1. Автор: Jianxin SHENG. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20170322583A1. Автор: Ishigaki Masanori. Владелец: Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc.. Дата публикации: 2017-11-09.

INTEGRATED INDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200321158A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Yeh Ta-Hsun,Jean Yuh-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

High-Q Integrated Inductor and Method Thereof

Номер патента: US20190333672A1. Автор: WU I-chang,Lin Chia-Liang (Leon),Song Fei. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Component Carrier With Integrated Inductor and Manufacturing Method

Номер патента: US20190394878A1. Автор: Vockenberger Christian,Gavagnin Marco,Frauwallner Rainer. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated inductor/capacitor device using soft ferrites

Номер патента: EP0334520B1. Автор: Waseem Ahmed Roshen,David Earnest Turcotte,Dale Francis Regelman. Владелец: International Standard Electric Corp . Дата публикации: 1991-02-20.

Integrated inductor and electronic device

Номер патента: CN110379599B. Автор: 石磊,刘超,周贺,唐云宇. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

Printed circuit board with integrated inductor

Номер патента: KR20060101755A. Автор: 에베르하르트 바펜슈미트,베른트 악케르만,헨리쿠스 페트로넬라 마리아 데르크스,빌헬무스 요한네스 로베르투스 리에르. Владелец: 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-09-26.

Integrated inductor

Номер патента: CN107293389A. Автор: 石磊,叶飞. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Printed circuit board provided with an integrated inductor device

Номер патента: EP4160630A1. Автор: Ugo Sitta,Giovanni LO CALZO,Luca Casoli,Giuseppe AGNELLO. Владелец: Ferrari SpA. Дата публикации: 2023-04-05.

Printed circuit board with integrated inductor

Номер патента: EP1661148A2. Автор: Eberhardt Philips Intel.Prop&Stand WAFFENSCHMIDT,Bernd Philips Intel.Prop.&Stand.GmbH ACKERMANN,Henricus P.M. Philips Intel.Prop.&Stand. DERCKX,Wilhelmus J.R. Philips Intel.Prop.&Stand. LIER. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2006-05-31.

Glass integrated inductor and preparation method thereof

Номер патента: CN111081451A. Автор: 王文君,林彬,穆俊宏,奉建华. Владелец: Chengdu Maike Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

A kind of differential mode magnetic integrated inductor altogether

Номер патента: CN107742570A. Автор: 胡峰,万静龙. Владелец: HEFEI ECRIEE-TAMURA ELECTRIC CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetic integrated inductor and magnetic integrated circuit

Номер патента: CN106057402B. Автор: 余鹏,杨和钱,骆孝龙. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

A kind of integrated inductor production line

Номер патента: CN110534327A. Автор: 周敏,罗荣. Владелец: SHENZHEN GANTONG TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-03.

A kind of integrated inductor

Номер патента: CN104715886B. Автор: 刘丹,王文,郑大为,廖西征. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2018-11-13.

Resonant power supply with an integrated inductor

Номер патента: WO2012072732A9. Автор: Cezary Worek,Sławomir Ligenza. Владелец: AKADEMIA GORNICZO-HUTNICZA IM. STANISLAWA STASZICA W KRAKOWIE. Дата публикации: 2013-03-28.

Monolithic integrable inductor

Номер патента: EP1189293A2. Автор: HELMUT Fischer,Georg Braun,Alexander Benedix,Bernd Klehn,Sebastian Kühne. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-20.

Printed circuit board with integrated inductor

Номер патента: TW200520636A. Автор: Eberhard Waffenschmidt,Bernd Ackermann,Henricus Petronella Maria Derckx,Wilhelmus Johannes Robertus Lier. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2005-06-16.

Transformer with integrated inductor

Номер патента: ES1134208Y. Автор: Patrick Fouassier,Cuevas Antonio Rojas. Владелец: PREMO SA. Дата публикации: 2015-02-23.

Substrate integrated waveguide device including a resonance region therein coupled by conductor posts to first and second lines and a transistor coupled between the first and second lines

Номер патента: US12087991B2. Автор: Yusuke UEMICHI. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Dual-polarized substrate-integrated beam steering antenna

Номер патента: EP3918670A1. Автор: Wen Tong,Halim Boutayeb,Fayez Hyjazie. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Dual-polarized substrate-integrated 360° beam steering antenna

Номер патента: WO2022135238A1. Автор: Wen Tong,Xin Feng,Halim Boutayeb,Fayez Hyjazie,Wenyao Zhai. Владелец: Huawei Technologies CO.,Ltd.. Дата публикации: 2022-06-30.

Dual-polarized substrate-integrated 360° beam steering antennn

Номер патента: US20220200145A1. Автор: Wen Tong,Xin Feng,Halim Boutayeb,Fayez Hyjazie,Wenyao Zhai. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

A substrate integrated waveguide to air filled waveguide transition

Номер патента: GB201106160D0. Автор: . Владелец: FILTRONIC PLC. Дата публикации: 2011-05-25.

Method for designing substrate integrated waveguide antenna

Номер патента: EP4239514A4. Автор: Jian Xu. Владелец: Changzhou Xingyu Automotive Lighting Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

METHODS FOR INTEGRATED MICROSTRIP AND SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE CIRCULATORS/ISOLATORS FORMED WITH CO-FIRED MAGNETIC-DIELECTRIC COMPOSITES

Номер патента: US20210050644A1. Автор: Cruickshank David Bowie,Macfarlane Iain Alexander,Firor David Martin. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

INTEGRATED MICROSTRIP AND SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE CIRCULATORS/ISOLATORS FORMED WITH CO-FIRED MAGNETIC-DIELECTRIC COMPOSITES

Номер патента: US20180166763A1. Автор: Cruickshank David Bowie,Macfarlane Iain Alexander,Firor David Martin. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Multimode substrate integrated waveguide resonator for measuring electrical characteristic of PCB substrate and measurement method for resonator

Номер патента: CN106684520A. Автор: 张波,樊勇,赵明华,周明明,程钰间,王洪斌,吴亚飞,林先其,张永鸿. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-05-17.

Three-dimensional substrate integrated antenna based on multilayer laminated dielectric integrated waveguide

Номер патента: CN113794049B. Автор: 曹迪,王均宏,李雨键. Владелец: Beijing Jiaotong University. Дата публикации: 2023-05-30.

Substrate integrated waveguide slot antenna integrating solar cell and circuit module

Номер патента: CN110620295A. Автор: 李雪,单以才,谭立容,尤振,段维嘉. Владелец: Nanjing College of Information Technology. Дата публикации: 2019-12-27.

Phase shifter using substrate integrated waveguide

Номер патента: US20120274419A1. Автор: Hai-Young Lee,Ki-Bum Kang,Jin do Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Substrate integrated waveguide coupler

Номер патента: US20140077893A1. Автор: Hong Yeol Lee,In Bok Yom,Chang Soo Kwak,Man Seok Uhm,So Hyeun YUN,Jang Sup CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-03-20.

Substrate Integrated Waveguide Switch

Номер патента: US20170012335A1. Автор: Boutayeb Halim. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Radar Assembly with Rectangular Waveguide to Substrate Integrated Waveguide Transition

Номер патента: US20210036393A1. Автор: Mangaiahgari Sankara Narayana. Владелец: Aptiv Technologies Limited. Дата публикации: 2021-02-04.

Multi-polarization substrate integrated waveguide antenna

Номер патента: US20170040703A1. Автор: Yi Chen,Yujian Cheng. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

CONTACTLESS AIR-FILLED SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20200076037A1. Автор: BAYAT-MAKOU Nima,KISHK AHMED. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Microelectronic assemblies with substrate integrated waveguide

Номер патента: US20220149500A1. Автор: Adel A. Elsherbini,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Substrate Integrated Multi Band Inverted F Antenna

Номер патента: US20210126346A1. Автор: Nyström Mikael. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE INTEGRATED GASKET

Номер патента: US20180154558A1. Автор: YUI Hajime,Urakawa Tetsuya,OBA Kenichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Van atta antenna array with patch elements and substrate integrated waveguide

Номер патента: US20200194887A1. Автор: Dorel Marius Necsoiu,Brad D. Moore,Emilio Martinez, Jr.. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 2020-06-18.

SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE HORN ANTENNA

Номер патента: US20140320364A1. Автор: Kanj Houssam,Gu Huanhuan,Warden James,Devries Christopher. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2014-10-30.

Substrate integrated coaxial line wave guide interconnection array structure

Номер патента: US20180226708A1. Автор: Ning Wang,BIN Yuan,Xiaochun Li,Yan Shao,Junfa MaMao. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2018-08-09.

RADAR ASSEMBLY WITH ULTRA WIDE BAND WAVEGUIDE TO SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE TRANSITION

Номер патента: US20180226709A1. Автор: Mangaiahgari Sankara Narayana. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE MONOPULSE AND ANTENNA SYSTEM

Номер патента: US20200227808A1. Автор: III Robert L.,Smith Christopher,Sisk,Salem Matthew,Gordon Michael D.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2020-07-16.

Signaling device including a slot transition between a substrate integrated waveguide and a signal generator

Номер патента: US20200287290A1. Автор: Jun Yao,George J. Purden,Ryan K. Rossiter. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

FOLDED COURRUGATED SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE

Номер патента: US20150318598A1. Автор: Byun Jin do,LEE Hai Young,CHO Dae Keun. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Microelectronic assemblies with substrate integrated waveguide

Номер патента: US20190305396A1. Автор: Adel A. Elsherbini,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE ANTENNA

Номер патента: US20200403324A1. Автор: Zhao Kun,Ying Zhinong. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Substrate integration wave-guide transmission structure, antenna structure and connection method

Номер патента: CN108777343A. Автор: 徐俊,张慧,洪伟. Владелец: Nanjing Hawkeye Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-09.

A kind of back chamber gap circular polarized antenna using half module substrate integrated wave guide

Номер патента: CN105514600B. Автор: 洪伟,王海明,无奇,余晨. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-05-31.

Substrate integrated waveguide feed broadband coaxial rotary joint

Номер патента: CN110661063A. Автор: 严丰,施金. Владелец: Jiaxing Nbi Technology Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Switching structure of substrate integrated waveguide horizontal transition air rectangular waveguide

Номер патента: CN110518321B. Автор: 洪伟,余超,朱袁炜. Владелец: Network Communication and Security Zijinshan Laboratory. Дата публикации: 2021-10-19.

Substrate integrated coaxial line feed broadband circular waveguide rotary joint

Номер патента: CN111106416B. Автор: 徐凯,赵亮,施金. Владелец: Nantong Research Institute for Advanced Communication Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-10.

Double-ridge substrate integrated waveguide broadband magic T

Номер патента: CN111162362A. Автор: 王佳,孙红兵,居军,凌天庆,林维涛,崔文耀. Владелец: CETC 14 Research Institute. Дата публикации: 2020-05-15.

Based on half module substrate integrated wave guide Meta Materials line filter

Номер патента: CN107256998B. Автор: 张勇,李博,夏雷,吕俊杰,刘伶,王同同,董君辰,覃丽荣. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-05-24.

Radial substrate integrated waveguide filtering power divider

Номер патента: CN113097680B. Автор: 吴文,陈幸,齐世山,陈守磊,孙光超. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-04-01.

5g beamforming antenna over a wide-band miniaturized by segmenting the substrate-integrated-waveguide structure into layers and stacking them

Номер патента: KR102251287B1. Автор: 박희준,강승택,이창형. Владелец: 인천대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-05-13.

PRINTED CIRCUIT BOARD INCLUDING A SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE HAVING CHANNELS FORMED BY VERTICALLY OVERLAPPING CYLINDRICAL CAVITIES

Номер патента: US20230011894A1. Автор: Chayat Naftali. Владелец: VAYYAR IMAGING LTD.. Дата публикации: 2023-01-12.

UIR loaded three-order dual-passband substrate integrated waveguide filter

Номер патента: CN111403861B. Автор: 董元旦,朱谊龙. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-04-13.

Circularly polarized marine radar antenna array based on substrate integrated waveguide

Номер патента: CN112928479B. Автор: 方倩,王钟葆,房少军,刘宏梅,马军帅,祝子辉. Владелец: Dalian Maritime University. Дата публикации: 2023-01-17.

Substrate Integrated Waveguide Millimeter Wave Circulator

Номер патента: KR101914014B1. Автор: 박철승. Владелец: 박철승. Дата публикации: 2018-12-28.

Capacitive patch loaded dual-mode substrate integrated waveguide band-pass filter

Номер патента: CN112086717A. Автор: 于海龙,李春利. Владелец: Zhengzhou Yulin Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

High-order mode monopulse antenna based on substrate integrated waveguide

Номер патента: CN110504546B. Автор: 李威,刘少斌. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2020-11-03.

Folded corrugated substrate integrated waveguide

Номер патента: KR101429105B1. Автор: 조대근,이해영,변진도. Владелец: 아주대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-08-18.

Three-dimensional meandering substrate integrated waveguide near-field focusing scanning leaky-wave slot array antenna

Номер патента: CN108539422B. Автор: 张波,樊勇,程钰间,吴亚飞,林先其,宋开军,张永鸿,柏春旭. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-04-14.

Vertically transitioning between substrate integrated waveguides (SIWs) within a multilayered printed circuit board (PCB)

Номер патента: US11658378B2. Автор: Wiren D. Becker,Daniel M. Dreps,Jose A. Hejase,Joshua C. Myers,Junyan TANG,Pavel Roy Paladhi,Sungjun Chun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Multi-mode traveling wave loaded substrate integrated waveguide vortex electromagnetic wave antenna

Номер патента: CN114024135A. Автор: 李�浩,王晓成,肖高标. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2022-02-08.

Three-dimensional meandering substrate integrated waveguide near-field focusing standing wave slot array antenna

Номер патента: CN108598697B. Автор: 张波,樊勇,赵凡,程钰间,吴亚飞,林先其,宋开军,张永鸿. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-11-27.

A kind of dual-passband difference filter of laminate substrate integrated wave guide structure

Номер патента: CN106848510A. Автор: 吴翠翠,王瑞东,周恺,康炜,梁琴琴,江书阁,施雁佳. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2017-06-13.

A kind of multimode dual-passband balance filter of laminate substrate integrated wave guide structure

Номер патента: CN107039719B. Автор: 王瑞东,周恺,朱传明,康炜,汤普祥,梁琴琴,汪书阁. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2019-04-16.

Half-mode substrate integrated antenna structure

Номер патента: CN101552376A. Автор: S·科克,M·古索厄尔. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-10-07.

Wideband antennas including a substrate integrated waveguide

Номер патента: WO2017026082A1. Автор: Zhinong Ying,Kun Zhao. Владелец: SONY MOBILE COMMUNICATIONS INC.. Дата публикации: 2017-02-16.

Center frequency and bandwidth adjustable substrate integrated waveguide filter

Номер патента: CN105789785A. Автор: 程飞. Владелец: Dfine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Substrate integrated non-radiative dielectric waveguide stepped power divider

Номер патента: CN106953152B. Автор: 许锋,千金诺. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2020-05-05.

Filtering power divider based on quarter-mode substrate integrated waveguide circular cavity

Номер патента: CN106785290B. Автор: 王翔,朱晓维. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-03-17.

Folded substrate integrated waveguide phase shifter with CSRR loaded periodically

Номер патента: CN112768852B. Автор: 张晓红,罗国清,代喜望,朱舫,盛俊豪. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2022-02-01.

High-order mode substrate integrated waveguide circular cavity filter based on through hole disturbance

Номер патента: CN111276781B. Автор: 王翔,朱晓维,杨献龙. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-09-07.

Quarter-mode-based wave beam reconfigurable substrate integrated waveguide antenna

Номер патента: CN113659322A. Автор: 张爽,吴婷,谌娟. Владелец: Xian University of Technology. Дата публикации: 2021-11-16.

Substrate Integrated Waveguide Antenna Array

Номер патента: US20090066597A1. Автор: Songnan Yang,Aly E. Fathy. Владелец: UNIVERSITY OF TENNESSEE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2009-03-12.

Substrate integrated easy-feed cylindrical dielectric resonator filter

Номер патента: CN115036659A. Автор: 张威,徐凯,张凌燕,施金,王梦丹. Владелец: Nantong Research Institute for Advanced Communication Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-09.

Frequency and amplitude independent adjustable substrate integrated waveguide filter

Номер патента: CN115275547A. Автор: 侯锐,陈建忠,苏涛,赵雨桐. Владелец: Multimode Microwave Technology Yangzhou Co ltd. Дата публикации: 2022-11-01.

Substrate integrated differential dual-polarized dielectric resonator antenna

Номер патента: CN112332086B. Автор: 王磊,徐凯,唐慧,施金,邓小威. Владелец: Nantong Research Institute for Advanced Communication Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-10.

Wave beam adjustable circular polarization array antenna based on substrate integrated waveguide

Номер патента: CN113013622B. Автор: 温维佳,曾永华,胡传灯. Владелец: Shenzhen Huanbo Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

High-gain low section loop aerial based on feeding substrate integrated waveguide

Номер патента: CN107134636A. Автор: 卢亮,张立,焦永昌,翁子彬,崔超奕,杜若楠. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2017-09-05.

Millimeter wave switching structure from substrate integrated waveguides to rectangular waveguides

Номер патента: CN110739514A. Автор: 向渝,董昊逸. Владелец: Nanjing Maisi Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-31.

Novel broadband high-gain on-chip substrate integrated waveguide antenna

Номер патента: CN109524776B. Автор: 马建国,张新,傅海鹏,张齐军,安文星,腾云龙. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-12-24.

Half-mode substrate integrated waveguide-based four-way unequal power division filtering power divider

Номер патента: CN113193323A. Автор: 秦伟,陈建新,杜明珠,于玮,闫玉星. Владелец: Nantong University. Дата публикации: 2021-07-30.

45-degree-rotation-angle millimeter wave differential line-to-SIW (substrate integrated waveguide) structure

Номер патента: CN113140881A. Автор: 王健,陈林,顾大勇,王晓鹏,何建安,涂昊,陈会永,姚武生,孙泽月. Владелец: Brainware Terahertz Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-07-20.

Carinal cavity gap circularly polarized antenna adopting half module substrate integrated waveguide

Номер патента: CN105514600A. Автор: 洪伟,王海明,无奇,余晨. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-20.

A kind of novel substrate integrated ridge waveguide structure

Номер патента: CN109167137A. Автор: 王宁,许涛,张坤,高聪,贾宏志,马志豪,陈加骏,孟丛,马艳颍,唐小玉. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-01-08.

Compact half-mode substrate integrated waveguide balance filter

Номер патента: CN114171867B. Автор: 朱宏彬,李晓春,毛军发,纪磊. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2022-05-20.

Germanium-silicon heterojunction bipolar transistor detector based on substrate integrated waveguide antenna

Номер патента: CN109390702B. Автор: 马建国,傅海鹏,张齐军,孙鹏林. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-10.

Filter and antenna device of substrate integrated waveguide

Номер патента: CN114142191A. Автор: 李亮,王瑛,张玮,武杰,车春城,李强强,丁天伦,唐粹伟,贾皓程,卫盟. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-04.

Four-order cross coupling band-pass filter based on folded substrate integrated waveguide resonant cavity

Номер патента: CN112952318B. Автор: 杨玲,许锋. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2021-10-19.

A kind of wave filter based on the incomplete mould of substrate integration wave-guide

Номер патента: CN107516753A. Автор: 李磊,杨珂,武增强,柯伯威. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2017-12-26.

Substrate integrated waveguide circularly polarized antenna

Номер патента: CN108666750B. Автор: 苏道一. Владелец: GUANGDONG MIKWAVE COMMUNICATION TECH Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Circularly polarized marine radar antenna array based on substrate integrated waveguide

Номер патента: CN112928479A. Автор: 方倩,王钟葆,房少军,刘宏梅,马军帅,祝子辉. Владелец: Dalian Maritime University. Дата публикации: 2021-06-08.

Substrate integrated waveguide back cavity slot antenna with broadband dual-beam

Номер патента: CN113437523A. Автор: 谭辉,李霜,温定娥,吴为军,赵逸夫. Владелец: China Ship Development and Design Centre. Дата публикации: 2021-09-24.

Double-frequency power divider based on substrate integrated coaxial line

Номер патента: CN112290182A. Автор: 陈洋,许锋. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2021-01-29.

Half-mode substrate integrated waveguide filter

Номер патента: CN114865255A. Автор: 陈涛,黄春生,董元旦,刘单宇. Владелец: Microgrid Union Technology Chengdu Co ltd. Дата публикации: 2022-08-05.

Substrate integrated waveguide filter based on single-mode and double-mode mixing

Номер патента: CN113410596B. Автор: 房少军,刘宏梅,冯玉霖,徐之遐. Владелец: Dalian Maritime University. Дата публикации: 2022-04-01.

Transition structure between microstrip and hollow substrate integrated waveguide

Номер патента: KR102279192B1. Автор: 김동욱,홍성준,김세일,임준수,이민표. Владелец: 충남대학교산학협력단. Дата публикации: 2021-07-16.

Vertical substrate integration wave-guide and the vertical connecting structure including the waveguide

Номер патента: CN105958167B. Автор: 张展,李铮,陈美娥,王均宏,李雨键. Владелец: Beijing Jiaotong University. Дата публикации: 2019-03-05.

Triangle half module substrate integrated wave guide carries on the back chamber slot antenna

Номер патента: CN107154530A. Автор: 许锋,燕杰. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2017-09-12.

Mode division multiplexing transmission line based on substrate integrated waveguide and artificial surface plasmon

Номер патента: CN112886168A. Автор: 刘斌,乔晓强,柳永祥,张建照,杨章飙. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-06-01.

Folded six-order substrate integrated waveguide filter based on TSV

Номер патента: CN113113744A. Автор: 朱樟明,尹湘坤,王凤娟,杨媛,余宁梅,彭权. Владелец: Xian University of Technology. Дата публикации: 2021-07-13.

Phase shifter using substrate integrated waveguide

Номер патента: CN102763269A. Автор: 李海英,卞辰瑫,姜基范. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2012-10-31.

Substrate integrated waveguide feed broadband coaxial rotary joint

Номер патента: CN110661063B. Автор: 严丰,施金. Владелец: Jiaxing Enbiji Electric Co ltd. Дата публикации: 2021-10-01.

Substrate integrated slot gap waveguide transmission line with slow wave effect

Номер патента: CN111082194B. Автор: 郭立新,王竹君,袁丹丹,邓敬亚,孙冬全. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-07-02.

Broadband circularly polarized substrate integrated waveguide antenna

Номер патента: CN106532256A. Автор: 陈蕾,郭超,张天龄,张照明. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2017-03-22.

Substrate integrated slow-wave air waveguide for improving performance of microwave passive device

Номер патента: WO2021082292A1. Автор: 许锋,羌静霞. Владелец: 南京邮电大学. Дата публикации: 2021-05-06.

Reconfigurable quarter-mode substrate integrated waveguide microwave microfluidic sensor

Номер патента: CN111157803B. Автор: 王高峰,陈世昌,王大伟,赵文生,范立超. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2022-07-26.

Dual-polarized substrate-integrated beam steering antenna

Номер патента: EP3918670B1. Автор: Wen Tong,Halim Boutayeb,Fayez Hyjazie. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Substrate integrated waveguide antenna

Номер патента: US20200403324A1. Автор: Zhinong Ying,Kun Zhao. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Substrate integrated waveguide cavity-backed dual-polarized multi-band antenna

Номер патента: WO2024063925A1. Автор: Sang-June Park,Sanjaya Kumar Khatua. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

Substrate integrated waveguide cavity-backed dual-polarized multi-band antenna

Номер патента: US20240097339A1. Автор: Sang-June Park,Sanjaya Kumar Khatua. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Substrate integrated multi band inverted f antenna

Номер патента: EP3813190C0. Автор: Mikael Nystrom. Владелец: ASCOM SWEDEN AB. Дата публикации: 2024-01-03.

Substrate Integrated Waveguide to Air Filled Waveguide Transition

Номер патента: US20140091884A1. Автор: Flatters Gary. Владелец: FILTRONIC PLC. Дата публикации: 2014-04-03.

RADAR ASSEMBLY WITH ULTRA WIDE BAND WAVEGUIDE TO SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE TRANSITION

Номер патента: US20200021001A1. Автор: Mangaiahgari Sankara Narayana. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Wideband antennas including a substrate integrated waveguide

Номер патента: US20170047658A1. Автор: Zhinong Ying,Kun Zhao. Владелец: Sony Mobile Communications Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE FILTER AND ANTENNA DEVICE

Номер патента: US20220077554A1. Автор: ZHANG Wei,Wang Ying,Li Liang,Wu Jie,TANG Cuiwei,TING Tienlun,JIA Haocheng,LI Qiangqiang,CHE Chuncheng,Wei Meng. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

SINGLE-LAYERED END-FIRE CIRCULARLY POLARIZED SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE HORN ANTENNA

Номер патента: US20180123254A1. Автор: WU Ke,Yin Yifan. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

CROSS-GUIDE COUPLER WITH MAIN WAVEGUIDE ARM AND SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE (SIW) SECONDARY ARM

Номер патента: US20170133737A1. Автор: Carignan Louis-Philippe,GAGNE Dominic. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

SLOTTED SUBSTRATE INTEGRATED AIR WAVEGUIDE ANTENNA ARRAY

Номер патента: US20210210865A1. Автор: Li Linfeng,Yan Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Wideband substrate integrated waveguide slot antenna

Номер патента: US20190181559A1. Автор: Mahmood Akbari,Amir Jafargholi,Mohammad Hossein Mazaheri Kalahrudi,Jalaledin Tayebpour,Alireza Jahanbakhshi. Владелец: Amirkabir University of Technology. Дата публикации: 2019-06-13.

METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE INTEGRATED GASKET

Номер патента: US20180186047A1. Автор: Masaka Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE

Номер патента: US20190250326A1. Автор: Jain Rahul,Manepalli Rahul N.,PIETAMBARAM Srinivas,DARMAWIKARTA Kristof,BOYAPATI Sri Ranga Sai,MAY ROBERT ALAN,Moussallem Maroun. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Signaling Device Including A Substrate Integrated Wave Guide

Номер патента: US20170271761A1. Автор: SHI SHAWN,Purden George J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

DUAL-POLARIZED SUBSTRATE-INTEGRATED BEAM STEERING ANTENNA

Номер патента: US20200287297A1. Автор: Tong Wen,Hyjazie Fayez,Boutayeb Halim. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

NON-RECIPROCAL MODE CONVERTING SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE

Номер патента: US20180351225A1. Автор: WU Ke,Afshaniaghajari Amir. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

SUBSTRATE-INTEGRATED WAVEGUIDE SLOT ANTENNA WITH METASURFACE

Номер патента: US20200373678A1. Автор: Park Yong Bae,Kim Chang Seong,AN Hyung Jun. Владелец: AJOU UNIVERSITY INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2020-11-26.

Highly selective substrate integrates gap waveguide bandpass filter

Номер патента: CN108923104A. Автор: 董明,申东娅,张秀普. Владелец: Yunnan University YNU. Дата публикации: 2018-11-30.

Compact six-port circuit based on half module substrate integrated wave guide

Номер патента: CN105826643B. Автор: 许锋,许娇娇. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2018-05-18.

Hybrid antenna based on substrate integrated waveguide beamforming array antenna for 5g coexisting with lte

Номер патента: KR101952765B1. Автор: 박희준,강승택,이창형,캄란 카탁 무하마드,한다정. Владелец: 인천대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-02-27.

Millimeter wave substrate integrated waveguide horn one-dimensional three-dimensional layout scanning phased array

Номер патента: CN113506985A. Автор: 车文荃,冯文杰,薛泉,廖绍伟,程俊淇. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2021-10-15.

Based on TE30High-gain substrate integrated leaky-wave antenna of mode

Номер патента: CN112054296A. Автор: 梁家荣,刘菊华. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2020-12-08.

Substrate integrates gap waveguide circular polarized antenna

Номер патента: CN109616764A. Автор: 申东娅,张秀普,马超骏,王艺安,任文平,付泽旭. Владелец: Yunnan University YNU. Дата публикации: 2019-04-12.

Substrate integrated gap waveguide electromagnetic dipole antenna

Номер патента: CN107946752B. Автор: 申东娅,张秀普,袁洪,马超骏,马祖辉. Владелец: Yunnan University YNU. Дата публикации: 2019-12-31.

Substrate integrated waveguide horn antenna and control method thereof

Номер патента: CN111180877B. Автор: 张龙,李彬,王世伟,陈亚玲,何业军. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-06.

Substrate integral wave guide filter of regulable center frequency and preparation method thereof

Номер патента: CN106252800B. Автор: 李君�,张静,曹立强,靖向萌,苏华伟. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-03-12.

Load a quarter mould substrate integrated waveguide bandpass filter of composite left-and-right-hand

Номер патента: CN105789783B. Автор: 李晶,黄杰,赵倩,徐国庆,魏治华,耿艳辉. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-04.

Miniaturized broadband slow-wave half-mode substrate-integrated waveguide coupler and design method thereof

Номер патента: CN106654497A. Автор: 廖丹,金海焱,周瑜亮,金海陆,黄永茂. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-05-10.

SIW(Substrate Integrated Waveguide) horn antenna

Номер патента: KR101892866B1. Автор: 박한영,윤태열. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-08-28.

Forward wave directional coupler based on microstrip line and substrate integrated waveguide structure

Номер патента: CN112164853B. Автор: 易鑫,冯文杰,施永荣,吴启晖,于正永,沈瑞亮. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2021-06-08.

Small broadband phase shifter based on slow-wave half-mode substrate integrated waveguide

Номер патента: CN113964462B. Автор: 黄文�,曾婷,陈肖,朱泓宇,周正宜. Владелец: Chongqing University of Post and Telecommunications. Дата публикации: 2022-06-10.

Centre frequency and complete adjustable 1/8th moulds substrate integral wave guide filter of bandwidth

Номер патента: CN108987864A. Автор: 郭君,游彬. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2018-12-11.

Balun using substrate integrated waveguide

Номер патента: KR102271661B1. Автор: 김유민,조춘식. Владелец: 한국항공대학교산학협력단. Дата публикации: 2021-06-30.

A kind of three layers of multi-channel microwave power synthesis system based on substrate integration wave-guide

Номер патента: CN106785288A. Автор: 李军,王浪,徐暑晨. Владелец: Leihua Electronic Technology Research Institute Aviation Industry Corp of China. Дата публикации: 2017-05-31.

Substrate Integrated Waveguide

Номер патента: US20110018657A1. Автор: SHI CHENG,Karl Henrik Kratz,Hanna Ali Yousef. Владелец: Hanna Ali Yousef. Дата публикации: 2011-01-27.

Power divider based on substrate integrated waveguide

Номер патента: CN107732396B. Автор: 王遇伯. Владелец: Beijing Institute of Radio Measurement. Дата публикации: 2021-04-16.

Multilayer substrate integration waveguide filter with high out-of-band rejection

Номер патента: CN106602190A. Автор: 张敏,程飞,张义林,徐克兴. Владелец: Dfine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Single-pulse substrate integrated waveguide collinear slot array antenna

Номер патента: CN115064865A. Автор: 黄丽,廖绍伟,靳贵平. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-09-16.

Millimeter wave band ultra-wideband patch antenna based on substrate integrated waveguide feed

Номер патента: CN112952372A. Автор: 王娇,姜彦南,赵海鹏,臧照龙. Владелец: Guilin University of Electronic Technology. Дата публикации: 2021-06-11.

High-isolation ultra-wideband directional coupler based on substrate integration wave-guide transmission line

Номер патента: CN107946720A. Автор: 张宁,颜锦奎. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-04-20.

The adjustable three moulds bandpass filter of electricity based on substrate integration wave-guide

Номер патента: CN108767382B. Автор: 李磊,赵德浩. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2019-09-10.

Coupler based on substrate integrated gap waveguide

Номер патента: CN108598654B. Автор: 王珂,申东娅,张秀普. Владелец: Yunnan University YNU. Дата публикации: 2022-04-08.

Method for manufacturing substrate-integrated gasket

Номер патента: EP3315280A1. Автор: Takeshi Masaka. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 2018-05-02.

T-junction substrate-integrated-waveguide power divider using novel phase compensation and broadband unequal feeding network therefor

Номер патента: KR102005181B1. Автор: 박성진,김동찬,박성욱. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2019-07-29.

Switch element based on half module substrate integrated wave guide

Номер патента: CN107026300A. Автор: 车文荃,曹越,陈海东,张天羽. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2017-08-08.

Coaxial resonant cavity based on substrate integrated waveguide and filter thereof

Номер патента: CN111446532A. Автор: 董元旦,朱谊龙. Владелец: Chengdu Pinnacle Microwave Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-24.

Substrate-integrated waveguide filtering crossover having a dual mode rectangular cavity coupled to eight single mode square cavities

Номер патента: US11509031B2. Автор: KE Wu,Kang Zhou. Владелец: Huawei Technologies Canada Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

Substrate integrated waveguide filter based on electromagnetic hybrid coupling

Номер патента: CN111293388A. Автор: 郭瑜,汪洋,余超,张景辉,毛晓炜. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-16.

A kind of novel substrate integration wave-guide polar duplex antenna system

Номер патента: CN108493628A. Автор: 黄鹏,金海焱,周瑜亮,金海陆,黄永茂. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-09-04.

Low-profile active microstrip antenna based on substrate integrated waveguide quarter-mode feed

Номер патента: CN110350289B. Автор: 孙凯,陈波,杨德强,刘思豪,汤悦. Владелец: Chengdu Dianke Xingtian Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Dual-mode substrate integrated waveguide filter based on perturbation rectangular cavity

Номер патента: CN112563701A. Автор: 赵鑫,张晓红,罗国清,游彬,朱舫. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2021-03-26.

Substrate integrated waveguide filter loaded by interdigital structure

Номер патента: CN111740192B. Автор: 杨涛,董元旦,朱谊龙. Владелец: Chengdu Pinnacle Microwave Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-04.

High-frequency selectivity bandpass filter based on 1/8th mould substrate integration wave-guides

Номер патента: CN106785273A. Автор: 李鹏,谢仁宏,芮义斌,郭山红,季佳恺. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2017-05-31.

Full slot array antenna in parallel based on single substrate integrated waveguide

Номер патента: CN108767441A. Автор: 张淼,柳清伙,段保权,广川二郎. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-06.

Double-ridge substrate integrated waveguide broadband magic T

Номер патента: CN111162362B. Автор: 王佳,孙红兵,居军,凌天庆,林维涛,崔文耀. Владелец: CETC 14 Research Institute. Дата публикации: 2021-10-01.

A kind of substrate integration groove gap waveguide structure

Номер патента: CN109216845A. Автор: 申东娅,张秀普,陈剑培. Владелец: Yunnan University YNU. Дата публикации: 2019-01-15.

Double-layer triangular substrate integrated waveguide filter

Номер патента: CN113314817A. Автор: 程勇,许锋,邓森屾. Владелец: Nanjing University Of Posts And Telecommunications Institute At Nantong Co ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

Eighth-mode substrate integrated waveguide filter with fully adjustable center frequency and bandwidth

Номер патента: CN108987864B. Автор: 郭君,游彬. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2020-05-05.

Vertical interconnection circuit structure between substrate integrated ridge waveguide plate

Номер патента: CN105680133B. Автор: 张凯,黄建. Владелец: CETC 10 Research Institute. Дата публикации: 2018-08-10.

Rectangular cavity and round cavity multimode coupled substrate integrated waveguide duplexer

Номер патента: CN115064851A. Автор: 洪伟,于志强,周健义,朱晓维,张宝松,杨献龙. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-16.

Single-cavity substrate integrated waveguide multi-transmission-zero-point filter

Номер патента: CN106410337A. Автор: 陈凯,李振海,沈玮,陈桂莲,张理正. Владелец: Shanghai Aerospace Measurement Control Communication Institute. Дата публикации: 2017-02-15.

Medium loaded half-mode substrate integrated waveguide band-pass filter

Номер патента: CN105655673A. Автор: 王秉中,张巧利. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-06-08.

A kind of circular polarization plane substrate integrates magnetoelectricity dipole antenna and its array

Номер патента: CN110380218A. Автор: 徐俊,张慧,洪伟,蒋之浩. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-10-25.

Radar assembly with ultra wide band waveguide to substrate integrated waveguide transition

Номер патента: US10468736B2. Автор: Sankara Narayana Mangaiahgari. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Broad-band antenna including substrate integrated waveguide

Номер патента: CN107925168A. Автор: 赵坤,应志农. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2018-04-17.

Multi-layer dual-passband miniature filter based on double-layer substrate integrated waveguide

Номер патента: CN111162357A. Автор: 许锋,李玉颖. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2020-05-15.

Array antenna based on substrate integration wave-guide

Номер патента: CN109980363A. Автор: 张盛强,沈龙,张关喜,兰江宏. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-05.

Substrate integrated waveguide-fed fabry-perot cavity filtering wideband millimeter wave antenna

Номер патента: US20230092871A1. Автор: Chi Hou Chan,Haotao HU. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2023-03-23.

Millimeter wave substrate integrated waveguide horn one-dimensional three-dimensional layout scanning phased array

Номер патента: CN113506985B. Автор: 车文荃,冯文杰,薛泉,廖绍伟,程俊淇. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-09-20.

Tunable substrate integrated waveguide filter

Номер патента: WO2021019567A1. Автор: Shiban K. Koul,Kamal K. SAMANTA,Sriparna DE. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY DELHI. Дата публикации: 2021-02-04.

Stepping substrate integrated waveguide equalizer based on microwave resistor

Номер патента: CN113193320B. Автор: 杨涛,刘宇,杨洋,董俊,彭浩,周翼鸿,黄顺华. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-06-03.

Multilayer digital-analog mixed pressing plate based on substrate integrated coaxial line structure

Номер патента: CN110797616B. Автор: 陈坤,倪大海. Владелец: Yangzhou Haike Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

The face the substrate integration wave-guide H automatic biasing isolator of soft magnetism nano-wire array

Номер патента: CN105914439B. Автор: 韩满贵,涂宽. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-03-15.

Substrate integrated waverguide coupler

Номер патента: KR20140037416A. Автор: 곽창수,이홍열,최장섭,엄만석,윤소현,염인복. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2014-03-27.

Substrate integrated waveguide power divider working in W waveband and having high isolation

Номер патента: CN111525221B. Автор: 冯琳,薛伟,丁卓富,符博,周沛翰. Владелец: Chengdu Lightning Micro Power Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-10-09.

Forward wave directional coupler based on microstrip line and substrate integrated waveguide structure

Номер патента: CN112164853A. Автор: 易鑫,冯文杰,施永荣,吴启晖,于正永,沈瑞亮. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2021-01-01.

Substrate integrated waveguide antenna

Номер патента: CN112074991A. Автор: 赵坤,应志农. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-12-11.

Design method of substrate integrated waveguide antenna

Номер патента: CN114065559B. Автор: 徐健. Владелец: Changzhou Xingyu Automotive Lighting Systems Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-15.

5G high-selectivity LTCC band-pass filter based on substrate integrated waveguide

Номер патента: CN112310581A. Автор: 陈小二,张祥军,刘炜宸. Владелец: Suqian Boxiang Education Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Substrate integrated multi band inverted f antenna

Номер патента: EP3813190B1. Автор: Mikael Nystrom. Владелец: ASCOM SWEDEN AB. Дата публикации: 2024-01-03.

Substrate integrated multi band inverted F antenna

Номер патента: US11728561B2. Автор: Mikael Nystrom. Владелец: ASCOM SWEDEN AB. Дата публикации: 2023-08-15.

Through core via coaxial-type inductors with two or more magnetic materials for power delivery applications

Номер патента: US20240371799A1. Автор: Henning Braunisch,Aleksander ALEKSOV,Neelam Prabhu Gaunkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Embedded interposer with through-hole vias

Номер патента: US09418965B1. Автор: Zhe Li,Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Package Structures and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160268145A1. Автор: Ming-Che Ho,Chung-Shi Liu,Hung-Jui Kuo,Jimmy Liang,Mirng-Ji Lii,Wei-Hung Lin,Hsien-Liang Meng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Thermal management of GPU-HBM package by microchannel integrated substrate

Номер патента: US11915997B2. Автор: Eiichi Nakano,Xiaopeng Qu,Hyunsuk CHUN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Thermal management of gpu-hbm package by microchannel integrated substrate

Номер патента: US20240203827A1. Автор: Eiichi Nakano,Xiaopeng Qu,Hyunsuk CHUN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Switched power stage with integrated passive components

Номер патента: EP3227916A2. Автор: Taner Dosluoglu. Владелец: Endura Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-11.

Switched power stage with integrated passive components

Номер патента: US20210111111A1. Автор: Taner Dosluoglu. Владелец: Endurtech (hong Kong) Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

High frequency / high power transition system using siw structure

Номер патента: US20200211987A1. Автор: John Kitt. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Switched power stage with integrated passive components

Номер патента: WO2016089917A3. Автор: Taner Dosluoglu. Владелец: Endura Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-09.

Electronic timepiece utilizing semiconductor-insulating substrate integrated circuitry

Номер патента: US4106278A. Автор: Hirofumi Yasuda. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1978-08-15.

Temperature compensated bulk acoustic wave device by neutral stress plane engineering through double sided silicon substrate integration

Номер патента: US12052010B2. Автор: Paul Stokes,Gernot Fattinger,Michael Fattinger. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

MEMS capacitive sensor biasing circuit including an integrated inductor

Номер патента: US09793802B2. Автор: John M. Muza. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-10-17.

Temperature compensated bulk acoustic wave device by neutral stress plane engineering through double sided silicon substrate integration

Номер патента: US20220014166A1. Автор: Paul Stokes,Gernot Fattinger,Michael Fattinger. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Low-cost receiver using integrated inductors

Номер патента: US09479199B2. Автор: Yu Su,Mustafa H. Koroglu. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Integral Inductor-Susceptor

Номер патента: US20120067870A1. Автор: Bernard Lasko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

MICROELECTRONIC PACKAGE WITH SUBSTRATE-INTEGRATED COMPONENTS

Номер патента: US20210160999A1. Автор: Swan Johanna M.,Aleksov Aleksandar,Kamgaing Telesphor,EID Feras,Dogiamis Georgios. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-05-27.

FACE-UP SUBSTRATE INTEGRATION WITH SOLDER BALL CONNECTION IN SEMICONDUCTOR PACKAGE

Номер патента: US20150271920A1. Автор: Zuo Chengjie,Velez Mario Francisco,Kim Jonghae,Yun Changhan Hobie,Mikulka Robert Paul,KIM Daeik Daniel. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-24.

A kind of based on the thick substrate integrated single balance mixer of Schottky diode CPW

Номер патента: CN106301230A. Автор: 张健,何月,陆彬,唐海林,蒋均,成彬彬,邓贤进,缪丽,林长星. Владелец: Institute of Electronic Engineering of CAEP. Дата публикации: 2017-01-04.

A kind of F power-like amplifier output matching circuit based on substrate integration wave-guide

Номер патента: CN105897200B. Автор: 杨飞,于洪喜. Владелец: Xian Institute of Space Radio Technology. Дата публикации: 2019-04-09.

Substrate integrated plasma source

Номер патента: WO2013009242A1. Автор: Martin BERGLUND,Henrik KRATZ. Владелец: Bencar Ab. Дата публикации: 2013-01-17.

Expert system-based integrated inductor synthesis and optimization

Номер патента: US09740810B2. Автор: Sotirios Bantas,Paschalis Zampoukis. Владелец: Helic SA. Дата публикации: 2017-08-22.

LOW-COST RECEIVER USING INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20150147991A1. Автор: Koroglu Mustafa H.,Su Yu. Владелец: Silicon Laboratories Inc.. Дата публикации: 2015-05-28.

RESONANT POWER SUPPLY WITH AN INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20130258720A1. Автор: Worek Cezary,Ligenza Slawomir. Владелец: AKADEMIA GORNICZO-HUTNICZA IM STANISLAWA STASZICA W KRAKOWIE. Дата публикации: 2013-10-03.

INTEGRATED RECEIVERS AND INTEGRATED CIRCUIT HAVING INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20130279636A1. Автор: Koroglu Mustafa H.,Coban Abdulkerim L.,Rafi Aslamali A.,Piovaccari Alessandro,Khoini-Poorfard Ramin,Trager David S.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

LOW-COST RECEIVER USING INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20160056845A1. Автор: Koroglu Mustafa H.,Su Yu. Владелец: Silicon Laboratories Inc.. Дата публикации: 2016-02-25.

INTEGRATED RECEIVER AND INTEGRATED CIRCUIT HAVING INTEGRATED INDUCTORS AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20140176806A1. Автор: Koroglu Mustafa H.,Coban Abdulkerim L.,Rafi Aslamali A.,Piovaccari Alessandro,Khoini-Poorfard Ramin,Trager David S.. Владелец: Silicon Laboratories Inc.. Дата публикации: 2014-06-26.

INTEGRATED RECEIVER AND INTEGRATED CIRCUIT HAVING INTEGRATED INDUCTORS AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20150147992A1. Автор: Koroglu Mustafa H.,Coban Abdulkerim L.,Rafi Aslamali A.,Piovaccari Alessandro,Khoini-Poorfard Ramin,Trager David S.. Владелец: Silicon Laboratories Inc.. Дата публикации: 2015-05-28.

Low-cost receiver using integrated inductors

Номер патента: US9209838B2. Автор: Yu Su,Mustafa H. Koroglu. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Expert system-based integrated inductor synthesis and optimization

Номер патента: GB0818308D0. Автор: . Владелец: Helic SA. Дата публикации: 2008-11-12.

Control of eddy currents in magnetic vias for inductors and transformers in integrated circuits

Номер патента: US20080290980A1. Автор: Donald S. Gardner,Tanay Karnik,Peter Hazucha,Gerhard Schrom,Fabrice Paillet. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Integrated circuit structure, voltage-controlled oscillator and power amplifier

Номер патента: US20190019749A1. Автор: Sheng-Hung Lin,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Shield-modulated tunable inductor device

Номер патента: EP2628180A2. Автор: Alvin Leng Sun Loke,Tin Tin Wee. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Shield-modulated tunable inductor device

Номер патента: WO2012051435A3. Автор: Alvin Leng Sun Loke,Tin Tin Wee. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

Shield-modulated tunable inductor device

Номер патента: WO2012051435A2. Автор: Alvin Leng Sun Loke,Tin Tin Wee. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20020117730A1. Автор: Shigeaki Okawa,Toshiyuki Ohkoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Trench power device integrated with inductor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240222420A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao,Bing MEI. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Hybrid bonding with uniform pattern density

Номер патента: US20240266341A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Hybrid Bonding with Uniform Pattern Density

Номер патента: US20220173092A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Hybrid bonding with uniform pattern density

Номер патента: US11996399B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Light emitting diodes (LEDs) with integrated CMOS circuits

Номер патента: US09941329B2. Автор: Ajey P. Jacob,Srinivasa Banna,Deepak Nayak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Hall integrated circuit and corresponding method of manufacturing of a hall integrated circuit using wafer stacking

Номер патента: US12048166B2. Автор: Carsten Schmidt,Gerhard Spitzlsperger,Mario BLASINI,Alessandro MONTAGNA. Владелец: LFoundry SRL. Дата публикации: 2024-07-23.

Solid-state substrate-integrated reference electrode and counter electrode

Номер патента: AU2021391930A9. Автор: Joshua Ray Windmiller,Alan Campbell,Jennifer Ruth Walters FUCHS. Владелец: Biolinq Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Solid-state substrate-integrated reference electrode and counter electrode

Номер патента: AU2021391930A1. Автор: Joshua Ray Windmiller,Alan Campbell,Jennifer Ruth Walters FUCHS. Владелец: Biolinq Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Solid-state substrate-integrated reference electrode and counter electrode

Номер патента: EP4256315A1. Автор: Joshua Ray Windmiller,Alan Campbell,Jennifer Ruth Walters FUCHS. Владелец: Biolinq Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Fiber-reinforced resin substrate, integrated molded article, and method for manufacturing fiber-reinforced resin substrate

Номер патента: EP3974465A4. Автор: Masato Honma,Naokichi Imai,Takashi Fujioka,Yoshiki Takebe,Kotaro SHINOHARA. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-09-27.

Fully Integrated Adjustable DC Current Reference Based on an Integrated Inductor Reference

Номер патента: US20140132239A1. Автор: Bogdan Alexandru Georgescu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-15.

Cleaning tool, has composite structure including composite substrates integrated with each other via tight barrier, which includes glue joints integrating cellular foam with substrates that are identical or different with each other

Номер патента: FR2918260A1. Автор: Christine Mathieu. Владелец: Financiere Elysees Balzac SA. Дата публикации: 2009-01-09.

Solid-state substrate-integrated reference electrode and counter electrode

Номер патента: EP4256315A4. Автор: Joshua Ray Windmiller,Alan Campbell,Fuchs Jennifer Ruth Walters. Владелец: Biolinq Inc. Дата публикации: 2024-11-06.

SOLID-STATE SUBSTRATE-INTEGRATED REFERENCE ELECTRODE AND COUNTER ELECTRODE

Номер патента: US20220175278A1. Автор: Windmiller Joshua Ray,Campbell Alan,WALTERS FUCHS Jennifer Ruth. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

WINDOW SUBSTRATE INTEGRATED WITH POLARIZING PLATE AND METHOD OF PREPARING THE SAME

Номер патента: US20180239191A1. Автор: Park Il Woo,KIM Jong Min,CHA Jin Gyu,CHA Jae Hun,LEE Han Bae. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

LED lamp with heat-conducting plastic part and power supply loading substrate integrally formed by injection moulding and technology

Номер патента: CN105444063A. Автор: 于美华. Владелец: ZHUHAI CITY ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2016-03-30.

Humidity sensor based on substrate integrated waveguide reentry type resonant cavity

Номер патента: CN110346414B. Автор: 黄杰,魏治华,李俊杉,倪星生,刘旭扬. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-10-08.

Electrically-tunable substrate integrated waveguide equalizer based on PIN diode

Номер патента: CN116014394A. Автор: 杨涛,刘宇,杨洋,彭浩,张臣,周翼鸿. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-04-25.

Method for manufacturing substrate-integrated gasket

Номер патента: CA2907974A1. Автор: Shotaro Koga,Yuichi Kuroki. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Special full-value nutrition liquid and organic substrate integral cultivating mode for eggplants

Номер патента: CN103210823A. Автор: 王�琦,周波,杜红,骆洪义,曲宝龙,李国敬. Владелец: Shandong Agricultural University. Дата публикации: 2013-07-24.

Substrate integrated waveguide reentrant resonant cavity microwave sensor with annular gap

Номер патента: CN113049882A. Автор: 唐超,黄杰,陈裕康. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-06-29.

Silicon substrate integrated optics adjustable delay line based on optical phased array

Номер патента: CN109491010A. Автор: 陈建平,刘娇,周林杰,陆梁军,单文胜,许维翰. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2019-03-19.

Microwave sensor based on substrate integrated waveguide and slot capacitance resonance technology

Номер патента: CN111257349A. Автор: 黄杰,倪星生. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-09.

Acoustical array with multilayer substrate integrated circuits

Номер патента: AU2002254198A1. Автор: Timothy White,Kenneth Erikson,John Marciniec. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2003-01-08.

Substrate-Integrated Hollow Waveguide Sensors

Номер патента: US20130081447A1. Автор: Kim Seong-Soo,Carter Jerry Chance,Mizaikoff Boris,WILK Andreas,Chrisp Michael P.,Manuel Anastacia M.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE-INTEGRATED GASKET

Номер патента: US20160052182A1. Автор: Kuroki Yuichi,Koga Shotaro. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Carbon nanotube and porous substrate integrated energetic device

Номер патента: US20140216288A1. Автор: Ronald G. Polcawich,Luke Currano,Madan Dubey. Владелец: US Army Research Laboratory. Дата публикации: 2014-08-07.

Solar cells using substrate integrated with antireflection nano structure and method for fabricating the same

Номер патента: KR101190197B1. Автор: 송영민,이용탁. Владелец: 주식회사 와이텔포토닉스. Дата публикации: 2012-10-12.

Wafer-level preparation method of glass substrate integrating chip heat radiation structure and passive devices

Номер патента: CN105399050A. Автор: 罗斌,尚金堂,马梦颖. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-16.

Window substrate integrated with polarizing plate and preparation method thereof

Номер патента: CN108291993B. Автор: 金钟敏,朴一雨,李汉培,车珍圭,车在勋. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-08.

Differential humidity sensor based on substrate integrated waveguide dual-entry resonant cavity

Номер патента: CN113740353B. Автор: 黄杰,顾雯雯,贾存杰,吴永烽. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-10-14.

Method for manufacturing substrate-integrated gasket

Номер патента: EP2987602A4. Автор: Shotaro Koga,Yuichi Kuroki. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 2016-02-24.

Acoustical array with multilayer substrate integrated circuits

Номер патента: WO2003001571A9. Автор: Timothy White,Kenneth Erikson,John Marciniec. Владелец: Bae Systems Information. Дата публикации: 2004-06-03.

Fully Integrated Adjustable DC Current Reference Based on an Integrated Inductor Reference

Номер патента: US20140132239A1. Автор: Georgescu Bogdan Alexandru. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-15.

EXPERT SYSTEM-BASED INTEGRATED INDUCTOR SYNTHESIS AND OPTIMIZATION

Номер патента: US20160034626A1. Автор: ZAMPOUKIS Paschalis,BANTAS Sotiros. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

EXPERT SYSTEM-BASED INTEGRATED INDUCTOR SYNTHESIS AND OPTIMIZATION

Номер патента: US20140250417A1. Автор: Bantas Sotirios,ZAMPOUKIS Paschalis. Владелец: HELIC S.A.. Дата публикации: 2014-09-04.

EXPERT SYSTEM-BASED INTEGRATED INDUCTOR SYNTHESIS AND OPTIMIZATION

Номер патента: US20170242951A9. Автор: Bantas Sotirios,ZAMPOUKIS Paschalis. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Magnetic integration inductor and manufacturing method thereof, and bridgeless power factor correct (PFC) circuit

Номер патента: CN102208242A. Автор: 梁永涛. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-05.

Test socket with integral inductor and method of manufacturing using such a test socket

Номер патента: US6909298B2. Автор: Martin J. Gabriel, III,Vu N. Do,Justin E. Dougherty,David H. Griffin. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2005-06-21.

Magnetic integration inductor and manufacturing method thereof, and bridgeless power factor correct (PFC) circuit

Номер патента: CN102208242B. Автор: 梁永涛. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-09.

Method for applying labels onto metal items using a stamp with integral inductor to provide local heating in the item for improved label adhesion

Номер патента: DE102004004827A1. Автор: Volker Dr. Hufnagel. Владелец: Schreiner Group GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-09-01.

One step capillary underfill integration for semiconductor packages

Номер патента: US20060138622A1. Автор: Tian-An Chen,Daoqiang Lu,Mike Garner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Isolated flip chip or BGA to minimize interconnect stress due to thermal mismatch

Номер патента: US20020011353A1. Автор: David Chazan,Solomon Beilin,Sundar Kamath,Jan Strandberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for fabricating semiconductor device with porous decoupling features

Номер патента: US20220093609A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

System-in-package architecture protection against physical and side-channel attacks

Номер патента: US11996386B2. Автор: Bert Fransis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

System-in-package architecture protection against physical and side-channel attacks

Номер патента: US20220366091A1. Автор: Bert Fransis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Distributing on chip inductors for monolithic voltage regulation

Номер патента: US12094841B2. Автор: David Hopkins,Anatoly YAKOVLEV,Hesam Fathi Moghadam,Ji Eun Jang,Michael Henry Soltau Dayringer. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

On chip inductors

Номер патента: GB2618393A. Автор: Lahbib Imène,Drillet Frédéric,U'ren Gregory. Владелец: X Fab France SAS. Дата публикации: 2023-11-08.

Power system-on-chip architecture

Номер патента: US09560722B2. Автор: Kei May Lau,Chik Patrick Yue,Johnny Kin On Sin. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2017-01-31.

Transient device comprising a contactless transition or connection between siw and a waveguide or antenna

Номер патента: RU2703604C1. Автор: ЗАМАН Ашраф УЗ,Альассан АЛЬЯРОША,Роб МААСКАНТ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-10-21.

Method and Structure for Integrating Capacitor-less Memory Cell with Logic

Номер патента: US20140038367A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Method and Structure for Integrating Capacitor-less Memory Cell with Logic

Номер патента: US20130003452A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Method and structure for integrating capacitor-less memory cell with logic

Номер патента: WO2010080277A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-15.

An apparatus for sensing temperature on a substrate in an integrated circuit fabrication tool

Номер патента: WO2000068979A3. Автор: Wayne G Renken,Mei H Sun. Владелец: Sensarray Corp. Дата публикации: 2001-03-08.

An apparatus for sensing temperature on a substrate in an integrated circuit fabrication tool

Номер патента: WO2000068979A9. Автор: Wayne G Renken,Mei H Sun. Владелец: Sensarray Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

An apparatus for sensing temperature on a substrate in an integrated circuit fabrication tool

Номер патента: WO2000068979A2. Автор: Mei H. Sun,Wayne G. Renken. Владелец: Sensarray Corporation. Дата публикации: 2000-11-16.

Direct integration of photovoltaic device into circuit board

Номер патента: US20170179169A1. Автор: Talia S. Gershon,Teodor K. Todorov,James B. Hannon,Richard A. Haight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Optically-controlled switch of millimeter range with built-in light source, based on transmission line with semiconductor substrate

Номер патента: RU2721303C1. Автор: Михаил Николаевич Макурин,Чонгмин ЛИ,Елена Александровна Шепелева. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2020-05-18.

Integrated active-matrix light emitting pixel arrays based devices by laser-assisted bonding

Номер патента: US20210110762A1. Автор: Shaoher Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-15.

Methods and apparatus to detect defects during semiconductor chip fabrication and/or to debug semiconductor chips after fabrication

Номер патента: US20240219894A1. Автор: Santosh Tripathi,Tuyen Tran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Millimeter wave LTCC filter

Номер патента: US11309682B2. Автор: Zhimin Zhu,Jianchun Mai. Владелец: AAC Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Flexible light strip made of fluorescent material

Номер патента: US20220146060A1. Автор: Chao Deng,Guangyu Fu,Qianglong Yu. Владелец: Guangdong OML Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Image sensor and electronic device including the same

Номер патента: US09716120B2. Автор: Kwang Hee Lee,Gae Hwang LEE,Kyung Bae Park,Yong Wan Jin,Dong-seok Leem,Yeong suk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Flexible light strip made of fluorescent material

Номер патента: US11415276B2. Автор: Chao Deng,Guangyu Fu,Qianglong Yu. Владелец: Guangdong OML Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

Image sensor and electronic device including the same

Номер патента: US09871079B2. Автор: Kwang Hee Lee,Gae Hwang LEE,Yong Wan Jin,Dong-seok Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Image sensor and electronic device including the same

Номер патента: US09455302B2. Автор: Kwang-Hee Lee,Gae Hwang LEE,Kyung Bae Park,Yong Wan Jin,Dong-seok Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

High linearity soi wafer for low-distortion circuit applications

Номер патента: US20150072504A1. Автор: Mark D. Jaffe,Gerd Pfeiffer,Dale W. Martin,Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Jeffrey E. Hanrahan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Integrated inductive circuits

Номер патента: US20030155630A1. Автор: Chong Woo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Image sensor and electronic device including the same

Номер патента: US20160247852A1. Автор: Kwang Hee Lee,Deukseok CHUNG,Kyung Bae Park,Yong Wan Jin,Dong-seok Leem,Kyu Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Image sensor and electronic device including the same

Номер патента: US09761627B2. Автор: Kwang Hee Lee,Deukseok CHUNG,Kyung Bae Park,Yong Wan Jin,Dong-seok Leem,Kyu Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Image sensor and electronic device including the same

Номер патента: US09620657B2. Автор: Gae Hwang LEE,Yong Wan Jin,Kyu Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Image sensor and electronic device including the same

Номер патента: US09548337B2. Автор: Kwang Hee Lee,Gae Hwang LEE,Yong Wan Jin,Dong-seok Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Liquid crystal display device integrated with driving circuit and method for fabricating the same

Номер патента: US5969377A. Автор: Seong Moh Seo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1999-10-19.

Isolation module for use between power rails in an integrated circuit

Номер патента: US09729151B2. Автор: Srinivasan Rajagopalan,Alexander Levin,Fern Nee Tan,Sanjiv Soman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Process for the production of a substrate for an electrically controlled device and display screen produced from such a substrate

Номер патента: USRE33321E. Автор: Michel Hareng,Jose Magarino,Pierre Landouar,Nicholas Szydlo. Владелец: . Дата публикации: 1990-09-04.

Millimeter wave ltcc filter

Номер патента: US20200212648A1. Автор: Zhimin Zhu,Jianchun Mai. Владелец: AAC Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Application of in-line glass edge-inspection and alignment check in display manufacturing

Номер патента: US9704762B2. Автор: Shuo Na,Ilias Iliopoulos,Chunsheng Chen,Kelby YANCY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Process for forming a semiconductor device substrate

Номер патента: US09820390B2. Автор: Yonggang Li,Islam A. Salama,Mihir K. Roy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Embedded filters for power rail merger

Номер патента: US20150097431A1. Автор: Srinivasan Rajagopalan,Alexander Levin,Fern Nee Tan,Sanjiv Soman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Process for forming a semiconductor device substrate

Номер патента: US9820390B2. Автор: Yonggang Li,Islam A. Salama,Mihir K. Roy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Hybrid-core through holes and vias

Номер патента: US20140008760A1. Автор: Islam Salama,Yonggang Li,Mihir K. Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-09.

Hybrid-core through holes and vias

Номер патента: WO2012078335A3. Автор: Yonggang Li,Islam A. Salama,Mihir K. Roy. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-08-16.

Hybrid-core through holes and vias

Номер патента: US20150089806A1. Автор: Yonggang Li,Islam A. Salama,Mihir K. Roy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Solid-state image pickup device and image pickup device

Номер патента: US20110205414A1. Автор: Takanori Suzuki,Fujio Ito,Katsuhisa Mochiduki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

High-frequency component

Номер патента: US11876277B2. Автор: Winfried Mayer,Martin Hitzler. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2024-01-16.

Power converter, inductor element and control method of phase shedding

Номер патента: US11909311B2. Автор: Min Zhou,Jinping Zhou,Zhangnan Xin,Xinjian ZOU. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Planar, monolithically integrated coil

Номер патента: EP2297751A2. Автор: Derk Reefman,Freddy Roozeboom,Jaap Ruigrok,Johan Hendrik Klootwijk,Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-23.

Balanced slot radiator

Номер патента: RU2751406C1. Автор: Александр Алексеевич Головков,Виктор Николаевич Малышев,Александр Геннадьевич Журавлев,Полина Викторовна Терентьева. Владелец: Акционерное общество "научно-исследовательский институт "Вектор" (АО НИИ "Вектор"). Дата публикации: 2021-07-13.

Planar, monolithically integrated coil

Номер патента: US8395472B2. Автор: Derk Reefman,Freddy Roozeboom,Jaap Ruigrok,Johan Hendrik Klootwijk,Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-03-12.

Via-based inductor coil for integrated silicon applications

Номер патента: US20240266106A1. Автор: Cong Gao,Joseph Minacapelli. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Vrm module for reducing the resonant frequency of a power input loop

Номер патента: US20240314933A1. Автор: Yayu Li,Jianhong Zeng,Mingzhun Zhang. Владелец: Shanghai Metapwr Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Planar inductance

Номер патента: RU2614188C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Юрий Иванович Иванов,Владимир Георгиевич Сапогин. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2017-03-23.

Controllable rf device

Номер патента: WO2024100400A1. Автор: Yi Wang,Yi-Wen WU. Владелец: THE UNIVERSITY OF BIRMINGHAM. Дата публикации: 2024-05-16.

Dielectric substrates and waveguides integrated therein

Номер патента: US20220200120A1. Автор: Naftali Chayat. Владелец: Vayyar Imaging Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Integrated pump laser and rare earth waveguide amplifier

Номер патента: US8559097B2. Автор: David L. Williams,Andrew Clark,Michael Lebby. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Printed circuit board for antenna system

Номер патента: US09865935B2. Автор: Wenyao Zhai,Vahid MIRAFTAB,Morris Repeta. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Open end antenna, antenna array, and related system and method

Номер патента: US09742070B2. Автор: Farshid Aryanfar,Hongyu Zhou. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Slot array antenna including parasitic features

Номер патента: EP4369523A3. Автор: Shawn Shi,Mingjian LI. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Single Antenna with Dual Circular Polarizations and Quad Feeds for Millimeter Wave Applications

Номер патента: US20240250448A1. Автор: Edwin Lim,Marvin Weinstein. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Waveguide coupling device for a radar sensor

Номер патента: US12117557B2. Автор: Roland Baur. Владелец: VEGA Grieshaber KG. Дата публикации: 2024-10-15.

Converting a single-ended signal to a differential signal

Номер патента: US09813042B2. Автор: Quan Xue,Shaowei LIAO. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2017-11-07.

Metamaterial resonator based device

Номер патента: US09608564B2. Автор: Ulrich L. Rohde,Ajay Kumar Poddar. Владелец: Synergy Microwave Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Waveguide for electromagnetic radiation

Номер патента: EP3545585A1. Автор: Diego Caratelli,Luciano MESCIA,Pietro BIA. Владелец: Antenna Company International NV. Дата публикации: 2019-10-02.

Wireless board-to-board connection for high speed data transfer

Номер патента: RU2744994C1. Автор: Михаил Николаевич Макурин,Антон Сергеевич Лукьянов. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2021-03-18.

A heatsink antenna array structure

Номер патента: US20220352647A1. Автор: Min Tang,Yueping Zhang,Jiawei QIAN,Junfa MAO. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2022-11-03.

Waveguide integrated substrate and fabricating method thereof

Номер патента: WO2021066365A1. Автор: Sang-Tae Kim,Hyung-Soo Moon,Byoung-Gwan KANG,Sungtek Kahng,Changhyeong LEE. Владелец: Incheon National University Research & Business Foundation. Дата публикации: 2021-04-08.

Siw including glass substrate and epa including the same

Номер патента: US20240304989A1. Автор: Sungtek Kahng,Chang-Hyeong Lee,Byounggwan Kang,Gwanggyun Namgung. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of INU. Дата публикации: 2024-09-12.

Apparatus for electromagnetic wave manipulation

Номер патента: US12126100B2. Автор: Dinesh Bharadia,Sudip Shekhar,Md Nazmul Hasan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-10-22.

Electrical connector with flexible interconnect

Номер патента: WO2009114299A1. Автор: Stephen Brian Lynch,Mathias Schmidt,Cameron Frazier,Jason Sloey. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2009-09-17.

Compact wideband low-profile dielectric resonator antennas

Номер патента: US11929563B2. Автор: Kwok Wa Leung,Wai Ki Lee,Hauke Ingolf Kremer. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-03-12.

Compact wideband low-profile dielectric resonator antennas

Номер патента: US20230318187A1. Автор: Kwok Wa Leung,Wai Ki Lee,Hauke Ingolf Kremer. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2023-10-05.

Coupling arrangement

Номер патента: EP2676321A1. Автор: Leif Bergstedt,Bengt Madeberg. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-25.

System and method for variable microwave phase shifter

Номер патента: US09755286B2. Автор: KE Wu,Haiyan Jin,Tarek DJERAFI,Kuangda WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Низкопрофильная диэлектрическая антенна терагерцового диапазона

Номер патента: RU0000202634U1. Автор: Минин Игорь Владиленович,Минин Олег Владиленович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ). Дата публикации: 2021-03-01.

Intergrated pump laser and rare earth waveguide amplifier

Номер патента: US20120019902A1. Автор: David L. Williams,Andrew Clark,Michael Lebby. Владелец: Williams David L. Дата публикации: 2012-01-26.

Millimeter-wave end-fire magneto-electric dipole antenna

Номер патента: US11955733B2. Автор: AO LI,Kwai Man Luk. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-04-09.

Low-cost lightweight integrated antenna for airborne weather radar

Номер патента: EP3276376A1. Автор: Robert J. Jensen,David C. Vacanti,Brian P. Bunch,Steve Mowry. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Conducted OTA test fixture

Номер патента: AU2016426597A1. Автор: Esther SIENKIEWICZ,Adrien Comeau,Henrik Hallenberg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-05-17.

Conducted ota test fixture

Номер патента: US20200168999A1. Автор: Esther SIENKIEWICZ,Adrien Comeau,Henrik Hallenberg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2020-05-28.

Substrate and material characterisation method and device

Номер патента: US12007424B2. Автор: Kamal SAMANTA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Single antenna with dual circular polarizations and quad feeds for millimeter wave applications

Номер патента: US11967764B1. Автор: Edwin Lim,Marvin Weinstein. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Slot array antenna including parasitic features

Номер патента: EP4369523A2. Автор: Shawn Shi,Mingjian LI. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

ДВОЙНОЙ ВОЛНОВОДНЫЙ ТРОЙНИК

Номер патента: RU0000191096U1. Автор: Винярская Наталья Александровна,Рыбин Максим Сергеевич,Щербаков Алексей Борисович. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2019-07-23.

Ridge waveguide without side walls on base of printed-circuit board and containing its multilayer antenna array

Номер патента: RU2696676C1. Автор: Михаил Николаевич Макурин,Чонгмин ЛИ,Артем Рудольфович Виленский. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2019-08-05.

Sideband-free space-time-coding metasurface antennas

Номер патента: US11909112B2. Автор: Chi Hou Chan,Gengbo WU,Junyan Dai. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-02-20.

Sideband-free space-time-coding metasurface antennas

Номер патента: US20230420861A1. Автор: Chi Hou Chan,Gengbo WU,Junyan Dai. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2023-12-28.

Front-end module

Номер патента: EP3682719A1. Автор: Sulav ADHIKARI,Ernst WALLISCH JR.. Владелец: Allen Vanguard Corp. Дата публикации: 2020-07-22.

Waveguide for electromagnetic radiation

Номер патента: US20190319326A1. Автор: Diego Caratelli,Luciano MESCIA,Pietro BIA. Владелец: Antenna Company International NV. Дата публикации: 2019-10-17.

Phased array antenna with adaptable polarization

Номер патента: RU2629534C1. Автор: Александр Николаевич ХРИПКОВ,Геннадий Александрович Евтюшкин,Антон Сергеевич Лукьянов,Вонбин ХОНГ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-galvanic connection for planar radio frequency apparatuses

Номер патента: RU2754307C1. Автор: Михаил Николаевич Макурин,Чонгмин ЛИ,Елена Александровна Шепелева. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2021-08-31.

Multi-mode feed network for antenna array

Номер патента: EP3248246A1. Автор: Halim Boutayeb,Wenyao Zhai,Vahid MIRAFTAB. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-29.

A transition arrangement

Номер патента: SE544398C2. Автор: Sten Gunnarsson,Mikael Kowalewski. Владелец: SAAB AB. Дата публикации: 2022-05-10.

Millimeter wave dual-mode diplexer and method

Номер патента: EP3224900A1. Автор: Halim Boutayeb,Wenyao Zhai,Vahid MIRAFTAB. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-04.

Slot antenna and slot array antenna

Номер патента: EP3675282A1. Автор: Sungjoo Kim,Byeongrim Jo,Heuideok LEE,Yongchul YOON. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-07-01.

A transition arrangement

Номер патента: WO2022055411A1. Автор: Sten Gunnarsson,Mikael Kowalewski. Владелец: SAAB AB. Дата публикации: 2022-03-17.

一种大功率低剖面波导匹配负载及方法

Номер патента: CN117374549. Автор: 李晶泽,梁嵩,宋开军,方乐乐,蒲柯舟,邹欣峻. Владелец: Yangtze River Delta Research Institute of UESTC Huzhou. Дата публикации: 2024-01-09.

一种大功率低剖面波导匹配负载及方法

Номер патента: CN117374549A. Автор: 李晶泽,梁嵩,宋开军,方乐乐,蒲柯舟,邹欣峻. Владелец: Yangtze River Delta Research Institute of UESTC Huzhou. Дата публикации: 2024-01-09.

缝隙天线及缝隙阵列天线

Номер патента: CN111264002. Автор: 李熙德,金成珠,赵炳林,尹容哲. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-06-09.

一种带通或带阻可重构的hmsiw滤波器

Номер патента: CN110336107. Автор: 杨涛,董元旦,朱谊龙. Владелец: Chengdu Frequency Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

一种等长度3d空心基片集成波导移相器

Номер патента: CN110098450. Автор: 杨涛,刘宇,彭浩,周翼鸿,赵发举. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-08-06.

单层端射圆极化基片集成波导喇叭天线

Номер патента: CN109643852. Автор: 吴柯,殷弋帆. Владелец: Huawei Technologies Canada Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

毫米波天线阵元、天线阵列、通信装置

Номер патента: CN109326892. Автор: 王磊,殷实,江顺喜,梁国春,彭海璐,项显. Владелец: Pivotone Communication Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-12.

슬롯 배열 안테나 및 슬롯 배열 안테나의 사이드 로브를 억제하기 위한 방법

Номер патента: KR102700732B1. Автор: 유종인,정재웅,서덕진. Владелец: 한국전자기술연구원. Дата публикации: 2024-08-30.

Millimeter wave dual-mode diplexer and method

Номер патента: US09660316B2. Автор: Halim Boutayeb,Wenyao Zhai,Vahid MIRAFTAB. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Multi-mode feed network for antenna array

Номер патента: US09531085B2. Автор: Halim Boutayeb,Wenyao Zhai,Vahid MIRAFTAB. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

System and method for variable microwave phase shifter

Номер патента: EP3224898A1. Автор: KE Wu,Haiyan Jin,Tarek DJERAFI,Kuangda WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-04.

System and method for variable microwave phase shifter

Номер патента: WO2016086851A1. Автор: KE Wu,Haiyan Jin,Tarek DJERAFI,Kuangda WANG. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-06-09.

Radar chip with a waveguide coupling

Номер патента: US20230358855A1. Автор: Roland Baur,Steffen WAELDE. Владелец: VEGA Grieshaber KG. Дата публикации: 2023-11-09.

ВОЛНОВОДНЫЙ ДВОЙНОЙ ТРОЙНИК

Номер патента: RU0000184831U1. Автор: Винярская Наталья Александровна,Алексеева Наталия Кондратьевна,Рыбин Максим Сергеевич. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2018-11-12.

Millimeter wave antenna array element, aerial array, communication device

Номер патента: CN109326892A. Автор: 王磊,殷实,江顺喜,梁国春,彭海璐,项显. Владелец: Pivotone Communication Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-12.

A kind of band logical or the HMSIW filter restructural with resistance

Номер патента: CN110336107A. Автор: 杨涛,董元旦,朱谊龙. Владелец: Chengdu Frequency Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

An electrically conducting interconnector between two stacked waveguides

Номер патента: GB2497982A. Автор: Herve Merlet,Olivier Lafond,Mohammed Himdi,Philippe Le Bars. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-07-03.

Slot antenna and slot antenna array

Номер патента: US11870137B2. Автор: Sungjoo Kim,Byeongrim Jo,Heuideok LEE,Yongchul YOON. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-09.

Combination antenna element and antenna array

Номер патента: US20160204509A1. Автор: Halim Boutayeb,Wenyao Zhai,Vahid MIRAFTAB. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Antenna arrays with configurable polarizations and devices including such antenna arrays

Номер патента: EP2847824A1. Автор: Farshid Aryanfar,Hongyu Zhou. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-18.

Multi-mode feed network for antenna array

Номер патента: US20160218438A1. Автор: Halim Boutayeb,Wenyao Zhai,Vahid MIRAFTAB. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

一种等长度3d空心基片集成波导移相器

Номер патента: CN110098450A. Автор: 杨涛,刘宇,彭浩,周翼鸿,赵发举. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-08-06.

하프 모드 기판집적형 도파관을 이용한 자체발진혼합기

Номер патента: KR20240047601A. Автор: 박정훈,이경준,이문규. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2024-04-12.

Energy storage device containing a pre-lithiated silicon based anode and a carbon nanotube based cathode

Номер патента: US20210175495A1. Автор: John Collins,Ali Afzali-Ardakani,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Mimo antenna array with wide viewing angle

Номер патента: RU2695934C1. Автор: Геннадий Александрович Евтюшкин,Артем Юрьевич Никишов,ПёнгКван КИМ,Чжонгсок КИМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2019-07-29.

Stop switch apparatus for an engine

Номер патента: US5646461A. Автор: Yosuke Kubota. Владелец: Fuji Jukogyo KK. Дата публикации: 1997-07-08.

Slot antenna and slot array antenna

Номер патента: KR20200035394A. Автор: 김성주,조병림,윤용철,이희덕. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2020-04-03.

Concentric millimeter-waves beam forming antenna system implementation

Номер патента: EP2538491A3. Автор: Herve Merlet,Olivier Lafond,Mohammed Himdi,Philippe Le Bars. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-04-24.

一种等长度3d空心基片集成波导移相器

Номер патента: CN110098450B. Автор: 杨涛,刘宇,彭浩,周翼鸿,赵发举. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-04-30.

毫米波天线阵元、天线阵列、通信装置

Номер патента: CN109326892B. Автор: 王磊,殷实,江顺喜,梁国春,彭海璐,项显. Владелец: Pivotone Communication Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-21.

Camera module, circuit board assembly and manufacturing method thereof, and electronic device with camera module

Номер патента: US12041335B2. Автор: YE Wu,TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Feifan CHEN. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Multi-layer resin substrate and method of manufacturing multi-layer resin substrate

Номер патента: US09532447B2. Автор: Hiroyuki Ohata. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Fully integrated broadband RF voltage amplifier with enhanced voltage gain and method

Номер патента: US6265944B1. Автор: Akbar Ali,Matteo Conta. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2001-07-24.

Cover for electronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09665136B2. Автор: Wei-Cheng Lou,Juin-Ming Wu,Chien-Chih Lu. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Cover and electronic device having same

Номер патента: US09571910B2. Автор: Wei-Cheng Lou,Juin-Ming Wu,Chien-Chih Lu. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Control for switching between PWM and PFM operation in a buck converter

Номер патента: US9467049B2. Автор: Shu-ing Ju. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Systems, apparatus, and methods for energy monitoring

Номер патента: US09863979B2. Автор: Jun Shimada,Ioannis Kymissis,Shyuan Yang,Fabio Carta. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2018-01-09.

Systems, apparatus, and methods for energy monitoring

Номер патента: US20150309081A1. Автор: Jun Shimada,Ioannis Kymissis,Shyuan Yang,Fabio Carta. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2015-10-29.

Electronic shelf label

Номер патента: US20240013682A1. Автор: Yanchen Li. Владелец: Hanshow Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Foldable display device

Номер патента: US11815947B2. Автор: Jieun Lee,Nohjin Myung,Eun ROH. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Architecture for frequency-scaled operation in resonant clock distribution networks

Номер патента: WO2011046981A2. Автор: Marios C. Papaefthymiou,Alexander Ishii. Владелец: Cyclos Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Architecture for frequency-scaled operation in resonant clock distribution networks

Номер патента: WO2011046981A3. Автор: Marios C. Papaefthymiou,Alexander Ishii. Владелец: Cyclos Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-09-22.

Electroluminescent display panel with enlarged active display areas

Номер патента: US4006383A. Автор: Fang-Chen Luo,Thomas P. Brody,David H. Davies. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1977-02-01.

Method of making electroluminescent display panel with enlarged active display areas

Номер патента: US4149885A. Автор: Fang-Chen Luo,Thomas P. Brody,David H. Davies. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1979-04-17.

Structural Object Having Substrate Surfacially Protected and Integrally Clad with Metallic Glass Sheet

Номер патента: US20180297675A1. Автор: Kuan-Wei Chen. Владелец: Taichi Metal Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

METHOD FOR OBTAINING FERROELECTRIC FILMS Ba1-XSrXTiO3

Номер патента: RU2671614C1. Автор: Андрей Вилевич Тумаркин,Андрей Анатольевич Одинец. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2018-11-02.

Solid state disk

Номер патента: US09845935B1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO,Wei-Di CHENG. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Triaxial magnetic field sensor

Номер патента: US09733316B2. Автор: Wei Li,Xiaojun Zhang,Xiaofeng Lei,Songsheng Xue. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Mold for forming complex 3D MEMS components

Номер патента: US09738517B2. Автор: Jan Schroers,Emily R. Kinser,Golden Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Sensor device with flexible joints

Номер патента: US09615790B2. Автор: Andrew CLAY,Matthew CAPRIO,Jeffrey William Ladwig,Gerald J. Mcmorrow,Vanessa Beasley. Владелец: Verathon Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Disposable electro-cardiogram transmitter device and electrode node placement facilitator

Номер патента: US6567680B2. Автор: Donald Edward Swetlik,Bibiano Patao Costello,Michael Carl Dilworth,Roy Seizo Carr. Владелец: Medical Data Electronics Inc. Дата публикации: 2003-05-20.

Wearable flexible interface with interlocking modules

Номер патента: US09454180B2. Автор: Jana H. Jenkins,Ilse M. Breedvelt-Schouten,Jeffrey A. Kusnitz,James L. Lentz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Display device including touch sensing sensor

Номер патента: US09891735B2. Автор: Jin Hwan Kim,Joo-Han Bae,Yun Ha Kim,Se Jeong WON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

An endoscope accessory

Номер патента: WO2024023319A1. Автор: Marta GUARDIOLA GARCÍA,Roberto SONT COLOMER,Maria Glòria FERNÁNDEZ ESPARRACH,Ignasi BELDA REIG. Владелец: Miwendo Solutions, S.L.. Дата публикации: 2024-02-01.

A platform unit for combined sensing of pressure, temperature and humidity

Номер патента: EP2839270A1. Автор: Hossam Haick,Meital SEGEV-BAR,Gregory Shuster,Sagi Gliksman,Victoria Kloper. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

Multi-beam scanner including a dove prism array

Номер патента: WO2000057235A3. Автор: Timothy N Thomas,Paul C Allen. Владелец: Etec Systems Inc. Дата публикации: 2001-02-15.

Optical module, optical engine for image projection, and glass display

Номер патента: US20240272421A1. Автор: Hideaki Fukuzawa,Tsuyoshi Komaki,Tomohito Mizuno,Ardalan Heshmati,Kit Chu LAM. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Multi-beam scanner including a dove prism array

Номер патента: WO2000057235A2. Автор: Paul C. Allen,Timothy N. Thomas. Владелец: Etec Systems, Inc.. Дата публикации: 2000-09-28.

Multi-beam scanner including a dove prism array

Номер патента: EP1218791A2. Автор: Paul C. Allen,Timothy N. Thomas. Владелец: Etec Systems Inc. Дата публикации: 2002-07-03.

Platform unit for combined sensing of pressure, temperature and humidity

Номер патента: US09784631B2. Автор: Hossam Haick,Meital SEGEV-BAR,Gregory Shuster,Sagi Gliksman,Victoria Kloper. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Platform unit for combined sensing of pressure, temperature and humidity

Номер патента: US09625341B2. Автор: Hossam Haick,Meital SEGEV-BAR,Gregory Shuster,Sagi Gliksman,Victoria Kloper. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Light valve device

Номер патента: US5982461A. Автор: Masaaki Kamiya,Yoshikazu Kojima,Hiroaki Takasu,Yutaka Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-11-09.

Method for imparting erosion-resistance to metallic substrates

Номер патента: US4919773A. Автор: Subhash K. Naik. Владелец: Avco Corp. Дата публикации: 1990-04-24.

Erosion-resistant coating system

Номер патента: US4761346A. Автор: Subhash K. Naik. Владелец: Avco Corp. Дата публикации: 1988-08-02.

Wear-resistant three-dimensional foamable structure and the method for manufacturing it

Номер патента: CA2396673C. Автор: Swei Mu Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-27.

Solid state disk

Номер патента: US20170363268A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO,Wei-Di CHENG. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Design of a mold for forming complex 3d mems components

Номер патента: US20150368100A1. Автор: Jan Schroers,Emily R. Kinser,Golden Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Transfer apparatus

Номер патента: US11801629B2. Автор: Mitsunori Kokubo,Toshiaki Goto,Takato Baba. Владелец: Shibaura Machine Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Wearable flexible interface with interlocking modules

Номер патента: US9454181B2. Автор: Jana H. Jenkins,Ilse M. Breedvelt-Schouten,Jeffrey A. Kusnitz,James L. Lentz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Monolithic integrated cmuts fabricated by low-temperature wafer bonding

Номер патента: EP2403659A1. Автор: Butrus T. Khuri-Yakub,Mario Kupnik. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2012-01-11.

硅基集成间隙波导色散和特性阻抗的计算方法、太赫兹电路设计方法及系统

Номер патента: CN117933161. Автор: 罗志勇,侯达. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2024-04-26.

硅基集成间隙波导色散和特性阻抗的计算方法、太赫兹电路设计方法及系统

Номер патента: CN117933161A. Автор: 罗志勇,侯达. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2024-04-26.

Optical connector supporting bidirectional communication

Номер патента: US20230288653A1. Автор: Hee Dae Kim. Владелец: Opticis Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Cobalt metal nanoparticles for heavy metal extraction from water

Номер патента: GB2567695A. Автор: Rauwel Erwan,Rauwel Protima,Sóukand Ülis. Владелец: Pro 1 Nanosolutions Ou. Дата публикации: 2019-04-24.

Radiographic detector readout

Номер патента: US11852756B2. Автор: Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Todd D. BOGUMIL. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-invasive, in vitro functional tissue assay systems

Номер патента: US11835433B2. Автор: RALF KETTENHOFEN,Heribert Bohlen,Eugen Kolossov,Melanie Scholz,Leo Fink. Владелец: EVOTEC INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-12-05.

Hydrophilic, anti-fogging, and anti-staining thin film and method for preparation thereof

Номер патента: EP1518837A4. Автор: Hiroshi Yoshida,Yasuhiro Sanada,Takashige Yoneda,Takenobu Sakai,Masayuki Ichiyanagi,Noriyuki Takai,Norie Fujioka. Владелец: Tokai Rika Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-19.

Radiographic detector readout

Номер патента: US20240085576A1. Автор: Xiaohui Wang,Luca Bogoni,Todd D. BOGUMIL. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Synchronization method of data interchange of a communication network, and corresponding circuit and architecture

Номер патента: US20050088288A1. Автор: Michele Borgatti,Roberto Pelliconi,Christian Gazzina. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-04-28.

A kind of exchanging structure of substrate integration wave-guide to substrate integrated coaxial line

Номер патента: CN109728392A. Автор: 郝张成,陶明翠. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-05-07.

Inductor, circuit board integrated inductor, charging equipment and electronic equipment

Номер патента: CN118942861A. Автор: 陈奕君. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Inductor, circuit board integrated inductor, charging equipment and electronic equipment

Номер патента: CN118942862A. Автор: 陈奕君. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

TUNABLE SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE COMPONENTS

Номер патента: US20120280770A1. Автор: PAYANDEHJOO Kasra,Abhari Ramesh,Suntives Asanee. Владелец: The Royal Institution for the Advancement of Learning/McGill University. Дата публикации: 2012-11-08.

Substrate integrated waveguide cavity slot antenna

Номер патента: CN103474780A. Автор: 吴波,刘昊,徐自强,田忠,张根,夏红,尉旭波,廖家轩,汪澎. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-12-25.

Broadband substrate integrated waveguide circulator

Номер патента: CN102856617A. Автор: 陈良,熊林,何璐,谢建良,汪晓光,邓龙江. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-01-02.

Half mode double-ridge substrate integrated waveguide with transitional balanced micro-strip lines

Номер патента: CN102709658B. Автор: 王立娜,张馨月,田雨,蔡润南,林澍,张兴起,马泽众,陆加. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2014-04-16.

Half-mode substrate integrated waveguide leaky-wave antenna for variable polarization and frequency scanning

Номер патента: CN103441340A. Автор: 陈爱新,姜维维,房见,应小俊,田凯强. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-11.

Substrate integrated waveguide ferrite tunable band-pass filter

Номер патента: CN104934662A. Автор: 程钰间,黄秋栋,刘小亮,宣志杰. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-09-23.

Continuous coupling directional coupler of hemi-membrane substrate integrated waveguide

Номер патента: CN100426586C. Автор: 洪伟,张彦,刘冰. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-10-15.

Substrate integrated waveguide band-pass filter applied onto WLAN (wireless local area network) system

Номер патента: CN104319435B. Автор: 汪凯,王世伟,褚庆昕,郭在成,郑丽昇. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-02-22.

Dual-frequency-band slot antenna based on half-mode substrate integrated waveguide

Номер патента: CN103515710A. Автор: 刘豫东,谭立容. Владелец: Nanjing College of Information Technology. Дата публикации: 2014-01-15.

Double-frequency substrate-integrated waveguide band-pass filter with double-layer structure

Номер патента: CN104347917B. Автор: 汪凯,王世伟,褚庆昕,郭在成,陈志涵. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-01-11.

Rectangle substrate integrated waveguide back cavity linear polarization antenna

Номер патента: CN101183742B. Автор: 罗国清,孙玲玲. Владелец: Hangzhou Electronic Science and Technology University. Дата публикации: 2011-09-07.

SIW (substrate integrated waveguide)-based retrodirective array antenna with polarization reversing function

Номер патента: CN103390803B. Автор: 洪伟,周浩. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-15.

24GHz vehicle radar emission array antenna based on substrate integrated waveguide

Номер патента: CN209913039U. Автор: 刘颜回,徐志垚. Владелец: Shenzhen Research Institute of Xiamen University. Дата публикации: 2020-01-07.

Transient connector from substrate integral waveguide to metallic waveguide

Номер патента: CN200965910Y. Автор: 卞磊,是湘全. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2007-10-24.

Substrate integrated waveguide filter with direct coupling between source and load

Номер патента: CN203085714U. Автор: 李荣强. Владелец: Chengdu Information Technology Co Ltd of CAS. Дата публикации: 2013-07-24.

Rectangle substrate integrated waveguide back cavity linear polarization antenna

Номер патента: CN101183742A. Автор: 罗国清,孙玲玲. Владелец: Hangzhou Electronic Science and Technology University. Дата публикации: 2008-05-21.

The X-band substrate integrated waveguide single board radio frequency system

Номер патента: CN100561796C. Автор: 洪伟,陈继新,郝张成,华光,汤红军,严频频. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-11-18.

The four modular belt bandpass filters based on 1/3 equilateral triangle substrate integrated resonator

Номер патента: CN104659451B. Автор: 许锋,郑朝义. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2017-08-25.

Method for determining parameters of 8mm substrate integrated waveguide circulator

Номер патента: CN103077271A. Автор: 陈良,付强,何璐,汪晓光,邓龙江,梁迪飞. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-05-01.

A kind of half module substrate integrated wave guide bandpass filter loading L-shaped defect ground structure

Номер патента: CN104241741B. Автор: 赵志华,王立娜,罗晓,林澍,刘冠君,耿姝. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2016-06-15.

The two band filter of a kind of complementary openings resonant ring and defect ground structure half module substrate integrated wave guide

Номер патента: CN103700910B. Автор: 黄杰,李光林,陈志林,张中华. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-09-02.

Modified half-mode substrate integrated waveguide inductive band filter

Номер патента: CN103682538A. Автор: 刘晓明,郝张成. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-03-26.

Multi-band frequency antenna with cavity-backed type half-mode substrate integrated waveguide and bent slots

Номер патента: CN103840271A. Автор: 王抗美,刘豫东,张照锋,谭立容. Владелец: Nanjing College of Information Technology. Дата публикации: 2014-06-04.

Substrate integrated waveguide (SIW) band-pass filter loading fence-shaped defected ground structures

Номер патента: CN104112888A. Автор: 赵志华,王立娜,罗晓,林澍,刘冠君,耿姝. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2014-10-22.

A dual-mode ellipse response filter of substrate integration waveguide

Номер патента: CN101217207B. Автор: 洪伟,董元旦. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-02-09.

2X wave band defect joint structure-half mode substrate integrated waveguide filter

Номер патента: CN104466316A. Автор: 宋明清,邵振海. Владелец: BEIJING DONGFANG ANGAO MICROELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-25.

Substrate integrated waveguide quasi-sensitive window filter

Номер патента: CN1928598A. Автор: 洪伟,王元庆,董元旦. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-03-14.

Broadband substrate integrated waveguide circularly polarized antenna

Номер патента: CN103500883A. Автор: 王玮,雷娟,樊芳芳,张天龄,鄢泽洪. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2014-01-08.

A kind of silicon substrate integrated tunable laser structure and its control method

Номер патента: CN107611774B. Автор: 马卫东,胡毅,曹薇,汤学胜. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-31.

Direct-coupling substrate integrated wave-guide circular cavity wave-filter

Номер патента: CN1851975A. Автор: 洪伟,吴柯,张玉林,陈继新,华光,汤红军. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2006-10-25.

Broadband substrate integrated waveguide filter adopting U-shaped slot line

Номер патента: CN203826522U. Автор: 汪凯,王世伟,褚庆昕,陈瑞森,郭在成,林景裕. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2014-09-10.

Multilayer ceramic substrate integrated waveguide filter

Номер патента: CN102800906B. Автор: 徐自强,夏红,尉旭波,廖家轩,徐美娟. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-04-15.

Substrate integrated waveguide interconnection-based quadrature phase shift keying (QPSK) high-speed data transmission system

Номер патента: CN103795665A. Автор: 李晓春,毛军发,沈利梅. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2014-05-14.

Silicon substrate integrating optical transmit-receive module chip

Номер патента: CN208656776U. Автор: 陈伟,刘柳,刘露露. Владелец: Suzhou Easy Cable Micro Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Substrate integration wave-guide ferrite switch

Номер патента: CN103594761B. Автор: 程钰间,黄秋栋. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-07-29.

A kind of half module substrate integrated wave guide two band filter

Номер патента: CN204130667U. Автор: 黄杰,李光林,陈志林,张中华,熊昆. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-28.

Directional coupler mixed by half mode substrate integrated waveguide and groove wire

Номер патента: CN202363571U. Автор: 樊勇,程钰间. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-08-01.

Substrate integrated folded waveguide filter based on silicon through hole and preparation method thereof

Номер патента: CN109755697B. Автор: 朱樟明,尹湘坤,刘阳,卢启军,刘晓贤,曲晨冰. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-06-09.

A kind of substrate integration wave-guide chamber with multiple response

Номер патента: CN204538172U. Автор: 储鹏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-05.

Omnibearing substrate integrated waveguide seam multi-antenna array

Номер патента: CN201956465U. Автор: 洪伟,余晨,周健义. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-08-31.

A kind of substrate integration wave-guide band pass filter being applied to wlan system

Номер патента: CN204130666U. Автор: 汪凯,王世伟,褚庆昕,郭在成,郑丽昇. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2015-01-28.

Substrate integrated waveguide dual-band filtering balun

Номер патента: CN114284673A. Автор: 吴云飞,罗国清,朱舫,徐德念. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2022-04-05.

Crossed coupling substrate integrated waveguide filter with steep side band characteristic

Номер патента: CN103337678A. Автор: 徐平平,吴元清. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-02.

Hexagonal substrate integrated waveguide slot antenna

Номер патента: CN103531913B. Автор: 吴波,刘昊,徐自强,田忠,张根,夏红,尉旭波,廖家轩,汪澎. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-06-17.

It is a kind of coaxially to turn substrate integration wave-guide transition structure

Номер патента: CN208889823U. Автор: 刘聪. Владелец: Chengdu Core Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

A kind of Butler matrix feed networks based on substrate integration wave-guide

Номер патента: CN208045696U. Автор: 赵国庆. Владелец: Goertek Techology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-02.

A substrate integration waveguide multi-mode filter based on square high order cavity

Номер патента: CN201178126Y. Автор: 洪伟,董元旦. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-01-07.

8mm substrate integration wave-guide circulator crash rate detection method

Номер патента: CN104266676B. Автор: 陈良,董晨,黄陈,朱帅,汪晓光,邓龙江,鲁莉娟,罗力兢. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-06-29.

Beam steerable substrate integrated waveguide (SIW) Antenna

Номер патента: GB201607764D0. Автор: . Владелец: University College Cork. Дата публикации: 2016-06-15.

One utilizes microstrip line to realize cross-linked substrate integral wave guide filter

Номер патента: CN103956541B. Автор: 汪凯,王世伟,褚庆昕,陈瑞森,郭在成,林景裕. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2016-04-13.

Reactance regulating T-shaped port SIW (Substrate Integrated Waveguide) circulator

Номер патента: CN202259640U. Автор: 陈良,汪晓光,邓龙江,汪圣稀. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-05-30.

Substrate integrated wave-guide cavity wave slot antenna

Номер патента: CN103474780B. Автор: 吴波,刘昊,徐自强,田忠,张根,夏红,尉旭波,廖家轩,汪澎. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-03-02.

Substrate integrated waveguide inclined slot directional coupler

Номер патента: CN101702460A. Автор: 洪伟,华光,陈德挺. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-05-05.

Miniaturized substrate integrated waveguide duplexer

Номер патента: CN203339280U. Автор: 樊勇,张瑾,于家伟,程飞,林先其,宋开军. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-12-11.

Double belt filter based on composite right and left hand and complementary split ring resonator defected ground of substrate integrated waveguide

Номер патента: CN103730709A. Автор: 黄杰,李光林,陈志林,张中华. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-04-16.

Application of micro-strip interval design to substrate integrated waveguide circulator

Номер патента: CN104241791A. Автор: 黄陈,朱帅,汪晓光,邓龙江,闫耀,鲁莉娟,罗力兢. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-12-24.

A kind of multi layer substrate integrated waveguide array antenna

Номер патента: CN104733853B. Автор: 陈蕾,杨晓强,张天龄. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2017-12-05.

Decorative transparent protection substrate integrated touch panel and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2013008272A. Автор: Yasuhiro Shibata,Satoru Igarashi,悟 五十嵐,靖裕 柴田,Hirohisa Nakamura,博央 中村. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

A kind of substrate integration wave-guide high-pass filter

Номер патента: CN104733812B. Автор: 徐娟,杜磊,李兆龙,陈如山,樊振宏,丁大志,毕军建. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2017-11-14.

The double-deck half module substrate integrated wave guide wideband filtered coupler

Номер патента: CN109755711A. Автор: 刘水,许锋. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2019-05-14.

Magnetically-adjustable-frequency device in broadband range of HMSIW (half-mode substrate integrated waveguide) antenna

Номер патента: CN104638370A. Автор: 王抗美,刘豫东,张照锋,谭立容. Владелец: Nanjing College of Information Technology. Дата публикации: 2015-05-20.

A kind of multiband back cavity type half module substrate integrated wave guide bent slit antenna

Номер патента: CN103840271B. Автор: 王抗美,刘豫东,张照锋,谭立容. Владелец: Nanjing College of Information Technology. Дата публикации: 2015-12-09.

Planar patch antenna for substrate integration waveguide slotting coupled feeding

Номер патента: CN103268981A. Автор: 聂伟,于峰崎,钟催林,吴家国. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2013-08-28.

Micro-strip resonator based on substrate integration waveguide

Номер патента: CN101626104A. Автор: 万晶,刘海文. Владелец: East China Jiaotong University. Дата публикации: 2010-01-13.

Half-module substrate integrated waveguide leaky-wave antenna

Номер патента: CN101533959A. Автор: 洪伟,徐俊峰,蒯振起,汤红军. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-09-16.

Highly miniaturized substrate integrated waveguide resonator

Номер патента: CN102354790A. Автор: 樊勇,程钰间,张传安. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-02-15.

Substrate integrated waveguide magic T

Номер патента: CN102544677A. Автор: 陈良,汪蔚,汪晓光,邓龙江,梁迪飞. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-07-04.

Electric tunable band filter based on half module substrate integrated wave guide

Номер патента: CN104157936B. Автор: 冯全源,田登尧. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2016-07-20.

A kind of half module substrate integrated wave guide two band filter of capacitance resonance machine

Номер патента: CN208189752U. Автор: 张小平,夏铭,张中华,熊荆,刘旭彪. Владелец: CHONGQING VOCATIONAL INSTITUTE OF SAFETY & TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-12-04.

Substrate integrated wave-guide antenna

Номер патента: CN104201465A. Автор: 陈蕾,樊芳芳,李延平,张天龄,鄢泽洪. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2014-12-10.

Highly miniaturized substrate integrated waveguide resonator

Номер патента: CN102354790B. Автор: 樊勇,程钰间,张传安. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-04-09.

Frequency selecting surface based on substrate integrated waveguide technology

Номер патента: CN100395916C. Автор: 洪伟,罗国清. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-06-18.

A dual-mode circular high order cavity filter of substrate integration waveguide

Номер патента: CN101217208A. Автор: 洪伟,董元旦. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-07-09.

Substrate integrated waveguide (SIW) band-pass filter loading fence-shaped defected ground structures

Номер патента: CN104112888B. Автор: 赵志华,王立娜,罗晓,林澍,刘冠君,耿姝. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2017-02-01.

Leaky-wave antenna based on double-layer substrate integration

Номер патента: CN212380573U. Автор: 刘辉,何赛灵,骆鹏,何旺. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-01-19.

Microstrip-to-substrate integrated waveguide balanced type transition circuit

Номер патента: CN104882656A. Автор: 秦伟,陈建新,唐慧,施金,周立衡,褚慧,林垄龙. Владелец: Nantong University. Дата публикации: 2015-09-02.

Substrate integrated waveguide broadband band-pass filter with C-shaped defected ground structures

Номер патента: CN104124498A. Автор: 赵志华,王立娜,罗晓,林澍,刘冠君,耿姝. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2014-10-29.

Triangular ferrite circulator with substrate integrated waveguide

Номер патента: CN103972626A. Автор: 陈良,张彪,谢建良,汪晓光,邓龙江,秦森. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-08-06.

Substrate integration wave-guide circulator

Номер патента: CN103094651B. Автор: 陈良,熊林,付强,汪晓光,邓龙江,梁迪飞. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-05-11.

Substrate integration wave-guide transmission structure, antenna structure

Номер патента: CN208173765U. Автор: 徐俊,张慧,洪伟. Владелец: Nanjing Hawkeye Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-30.

Wave beam adjustable circular polarization array antenna based on substrate integrated waveguide

Номер патента: CN214797747U. Автор: 温维佳,曾永华,胡传灯. Владелец: Shenzhen Huanbo Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

Delay line of substrate integrated waveguide structure

Номер патента: CN201663220U. Автор: 徐军,李桂萍,史珍珍,喻梦霞,陈昱宇. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2010-12-01.

A kind of device for turning substrate integration wave-guide for Ka band rectangular waveguides

Номер патента: CN104466325B. Автор: 杨涛,刘宇,董俊,杨自强,汪子成. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-04-05.

High-selectivity Balun band pass filter based on substrate integrated waveguide

Номер патента: CN105990630A. Автор: 顾辉,林善明,王建朋,黄烽,蔡传涛. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2016-10-05.

8 millimeters of substrate integrated wave guide ring device parameter determination method

Номер патента: CN103077271B. Автор: 陈良,付强,何璐,汪晓光,邓龙江,梁迪飞. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-08-03.

Failure rate detection method for 8-mm substrate integrated waveguide (SIW) circulator

Номер патента: CN104266676A. Автор: 陈良,董晨,黄陈,朱帅,汪晓光,邓龙江,鲁莉娟,罗力兢. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-01-07.

Small-sized substrate integrated waveguide band-pass hybrid ring

Номер патента: CN102509837A. Автор: 樊勇,程钰间. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-06-20.

A kind of transition structure of microstrip line to hollow substrate integrated waveguide E SIW

Номер патента: CN109860970A. Автор: 杨涛,刘宇,彭浩,周翼鸿,赵发举. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-06-07.

Double-frequency substrate-integrated waveguide band-pass filter with double-layer structure

Номер патента: CN104347917A. Автор: 汪凯,王世伟,褚庆昕,郭在成,陈志涵. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2015-02-11.

Half-mode substrate integrated waveguide amplification module

Номер патента: CN109710972B. Автор: 杨涛,刘宇,彭浩,周翼鸿,赵发举. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-05-03.

Mono-pulse antenna for feeding by multi-module substrate integration waveguide

Номер патента: CN201238075Y. Автор: 洪伟,吴柯,程钰间. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-05-13.

H surface substrate integrated waveguide ring-shape bridge

Номер патента: CN1976115A. Автор: 洪伟,吴柯,张玉林,颜力. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-06-06.

Substrate integrates gap waveguide embedded-type electric magnetic-dipole antenna

Номер патента: CN207896267U. Автор: 申东娅,张秀普,袁洪,马超骏,马祖辉. Владелец: Yunnan University YNU. Дата публикации: 2018-09-21.

Seminorm substrate integral waveguide 90 degree 3-dB directional coupler

Номер патента: CN200965912Y. Автор: 洪伟,刘冰. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-10-24.

Substrate integrated waveguide signal level control element and signal processing circuitry

Номер патента: GB201904452D0. Автор: . Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-05-15.

하이 q 집적 인덕터(high q integrated inductor)

Номер патента: KR970703036A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1997-06-10.

Integral inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101777414A. Автор: 郭晓东,张爱国,罗建桥,张宋国. Владелец: Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-14.

Integrated inductor structure

Номер патента: CN105575958A. Автор: 颜孝璁,简育生,叶达勋. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-05-11.

Integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101908535A. Автор: 许丹. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20120038025A1. Автор: Teggatz Ross,Chen Wayne,Smith Brett. Владелец: TRIUNE IP LLC. Дата публикации: 2012-02-16.

Integral Inductor-Susceptor

Номер патента: US20120067870A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

ON CHIP INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20120248570A1. Автор: Golubovic Dusan,Fotopoulou Kyriaki. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-10-04.

MEMS CAPACITIVE SENSOR BIASING CIRCUIT INCLUDING AN INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20120293216A1. Автор: . Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-11-22.

ELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH INTEGRATED INDUCTOR, AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130062730A1. Автор: Paci Dario,PALUMBO Vincenzo,IULIANO Paolo,CARACE Fausto,MORELLI Marco. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-03-14.

LOW-COST RECEIVER USING INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20130171952A1. Автор: Koroglu Mustafa H.,Su Yu. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

High-power mixed magnetic integrated inductor with high insulating property

Номер патента: CN214043281U. Автор: 赵楠楠,肖俊承,王一龙. Владелец: Jian Eaglerise Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Explosion-proof integrated inductor

Номер патента: CN215417749U. Автор: 周智勇,何海菊. Владелец: Shenzhen Santuo Electronics Co ltd. Дата публикации: 2022-01-04.

The common mode differential mode integrated inductor of bimag spatially interlaced arrangement

Номер патента: CN106856140A. Автор: 曹伟杰,周灵兵,罗泠. Владелец: Shanghai LG Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-16.

The measuring method of the magnetic ferrite magnetic core wideband relative permeability of integrated inductor

Номер патента: CN104849680B. Автор: 张刚,刘璇,王立欣,白瑾珺,康代涛. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-17.

Integrated inductor

Номер патента: CN101645445A. Автор: 许丹,孔蔚然. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2010-02-10.

Two-phase direct-current uncoupled integrated inductor

Номер патента: CN203503418U. Автор: 吴坚,杨文焕,方春仁,李鲁阳. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-03-26.

1-out 32 integrated inductor die

Номер патента: CN210305753U. Автор: 伍宜松. Владелец: Guangdong Cincy Industry Co ltd. Дата публикации: 2020-04-14.

Coil and magnetic powder integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102737802A. Автор: 朱金良,戴黎明,张兴元,童元丰. Владелец: ZHEJIANG JIAKANG ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2012-10-17.

Integrated inductor

Номер патента: CN212724967U. Автор: 陈阳,王国华,郭雄志,王伯辉,伍卓权,蒋枝杭. Владелец: Poco Holding Co ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Differential-common mode integrated inductor structure

Номер патента: CN211742822U. Автор: 钟成,雷正雨,黄宇科,岑文成,谭明作,王裕柳,霍本杰,潘懋钊. Владелец: LIUZHOU WULING LIUJI POWER CO Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

Integrated inductor and manufacture of the same

Номер патента: JPH11219821A. Автор: 紀之 後藤,Noriyuki Goto. Владелец: Tokin Corp. Дата публикации: 1999-08-10.

Integrated inductor

Номер патента: CN201435286Y. Автор: 马德邦,饶金火. Владелец: Fenfa Electronics (Dongguan) Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-31.

Paste integrative inductor manufacturing structure of dress

Номер патента: CN218336609U. Автор: 金昌范. Владелец: Weihai Duoyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Glass integrated inductor

Номер патента: CN211088020U. Автор: 王文君,林彬,穆俊宏,奉建华. Владелец: Chengdu Maike Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-24.

Anti-electromagnetic interference integrated inductor

Номер патента: CN217881040U. Автор: 练坚友,孟超雄. Владелец: Guangdong Precision Dragon Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

Integrated inductor based on differential-mode and common-mode filtering

Номер патента: CN201780839U. Автор: 丁心志,曹敏,梁仕斌,张忠才,赵涓. Владелец: Yunnan Electric Power Test and Research Institute Group Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-30.

A kind of high-frequency ultrathin Cloud Server integrated inductor

Номер патента: CN208507411U. Автор: 周洪江,王为易. Владелец: Chengdu Jinzhichuan Electronic Co ltd. Дата публикации: 2019-02-15.

Integrated inductor, parallel current-equalizing circuit and inverter with parallel current-equalizing circuit

Номер патента: CN102682980A. Автор: 马超群,刘伟增,刘乐陶. Владелец: TBEA Xinjiang Sunoasis Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-19.

Integrated inductor

Номер патента: CN201725649U. Автор: 郭晓东,张爱国,罗建桥,张宋国. Владелец: Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-26.

Integrated inductor and electronic product

Номер патента: CN215731206U. Автор: 陶磊,杨乾,卢政学. Владелец: HERUI ELECTRONIC (ZHONGSHAN) CO Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Photomasks

Номер патента: US20120003573A1. Автор: WANG FEI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE COMPRISING HYDROXAMIC ACID OR A SALT THEREOF AS ADDITIVE AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20120000533A1. Автор: Erk Peter,Reichelt Helmut,Schoeneboom Jan,PSCHIRER Neil Gregory,Eickemeyer Felix,Sens Rüdiger,BERGMANN Hermann. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-01-05.

Passive-matrix lcd and method of its control

Номер патента: RU2393517C2. Автор: Борис Исаакович Горфинкель,Николай Дмитриевич Жуков,Сергей Александрович Студенцов,Владимир Алексеевич Брежнев,Владимир Григорьевич Чигринов,Александр Анатольевич Муравский. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "Научно-исследовательский институт "ВОЛГА" (ФГУП "НИИ "ВОЛГА"). Дата публикации: 2010-06-27.

基片集成波导平衡式三倍频器

Номер патента: CN102347729A. Автор: 张波,杨飞,陈燕,王毅,于洪喜,王婷霞,孙树风. Владелец: Xian Institute of Space Radio Technology. Дата публикации: 2012-02-08.

Developer sheet

Номер патента: CA1265337A. Автор: Hiroshi Kawahara,Shuzo Ohara. Владелец: Goyo Paper Working Co Ltd. Дата публикации: 1990-02-06.

一种采用l形缝隙单元的宽带siw背腔缝隙天线阵列

Номер патента: CN109818158. Автор: 洪伟,王海明,无奇,余晨,谢家豪. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-05-28.

Planar leaky-wave antenna

Номер патента: RU2517724C1. Автор: Владимир Иванович Юдин,Александр Иванович Климов,Юрий Борисович Нечаев,Алексей Васильевич Золотухин,Дмитрий Николаевич Борисов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "ВГУ"). Дата публикации: 2014-05-27.

Switchable three-beam SIW slot array antenna

Номер патента: TWI708432B. Автор: 郭庭瑋,金國生,李仲益,廖翊鈞. Владелец: 長庚大學. Дата публикации: 2020-10-21.

Broadband SIW back-cavity slot antenna array adopting L-shaped slot units

Номер патента: CN109818158B. Автор: 洪伟,王海明,无奇,余晨,谢家豪. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-09-11.

一种基片集成波导到矩形波导的过渡结构

Номер патента: CN216354708U. Автор: 刘建华,屈操,邓俊,吴楚. Владелец: Wuxi Weifu High Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.