Substrat rf avec jonctions ayant un agencement ameliore
Номер патента: FR3108443B1
Опубликовано: 29-12-2023
Автор(ы): Jean-Pierre Colinge
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-12-2023
Автор(ы): Jean-Pierre Colinge
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Substrat rf comprenant des régions de désertion induites par effet de champ
Номер патента: FR3136887A1. Автор: Louis HUTIN,Jean-Pierre Raskin,Thibaud FACHE,Martin Rack,Maxime MOULIN,Christophe PLANTIER. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2023-12-22.