Rundum-gate-transistorvorrichtung und fertigungsverfahren.

Rundum-gate-transistorvorrichtung und fertigungsverfahren

Номер патента: DE102021103178A1
Опубликовано: 04-11-2021
Автор(ы): Chia-Ying Su, Chih-Ching Wang, Chung-Wei Wu, Kuan-Lun Cheng, Wen-Hsing Hsieh, Zhiqiang Wu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
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Übergangsmetalldichalkogenidnanodrähte und fertigungsverfahren

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Halbleitervorrichtung und Fertigungsverfahren derselben

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Photodiodenanordnungen und Fertigungsverfahren

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Ic-bauteil und fertigungsverfahren

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Messgerät für Texturgrösse, Fertigungssystem für Solarzelle und Fertigungsverfahren für Solarzelle

Номер патента: DE112012006445T5. Автор: c/o SANYO Electric Co. Ltd. Inoue Hirotada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Solarzelle und Fertigungsverfahren für Solarzelle

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