Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Fin type electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20160351558A1
Опубликовано: 01-12-2016
Автор(ы): Kuan-Cheng Su, Ping-Chen CHANG, Tien-Hao Tang, Yu-Chun Chen
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Fin type electrostatic discharge protection device

Номер патента: US9748222B2. Автор: Yu-Chun Chen,Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Ping-Chen CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-planar electrostatic discharge (esd) protection devices with nano heat sinks

Номер патента: US20180226317A1. Автор: Harald Gossner,Mayank Shrivastava,Christian Russ,Milova PAUL. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2018-08-09.

Diode-triggered schottky silicon-controlled rectifier for fin-fet electrostatic discharge control

Номер патента: US20180219006A1. Автор: Chien-Hsin Lee,Mahadeva Iyer NATARAJAN,Manjunatha Prabhu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Diode structure and electrostatic discharge protection device including the same

Номер патента: US20190198492A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Fang-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Electrostatic discharge (ESD) protection device

Номер патента: US09735144B2. Автор: Shih-Fan Chen,Tai-Hsiang Lai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20180114787A1. Автор: Tien-Hao Tang,Mei-Ling Chao,Heng-Yu Lin,Hou-Jen Chiu,Kuei-Chih Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Electrostatic discharge (esd) protection device and method fabricating the esd protection device

Номер патента: US20180138167A1. Автор: Ping-Chen CHANG,Chung-Yu Huang,Hou-Jen Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Electrostatic discharge (ESD) protection device and method fabricating the ESD protection device

Номер патента: US10008492B2. Автор: Ping-Chen CHANG,Chung-Yu Huang,Hou-Jen Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Semiconductor device for electrostatic discharge protection and method of forming the same

Номер патента: US09691752B1. Автор: Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Mei-Ling Chao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Electrostatic discharge protection device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180254268A1. Автор: Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Po-Ya Lai,Shih-Che Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor device having electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20190057960A1. Автор: Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Method and device for electrostatic discharge protection

Номер патента: US7981753B1. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Hugh SungKi O,Yow-Juang Bill Liu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Semiconductor device for electrostatic discharge protection

Номер патента: US09876006B2. Автор: Tien-Hao Tang,Li-Cih Wang,Kun-Yu Tai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Electrostatic discharge protection device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9748221B2. Автор: Chih-Nan Cheng. Владелец: Fitipower Integrated Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Electrostatic discharge protection device and applications thereof

Номер патента: US20130049112A1. Автор: Tien-Hao Tang,Tai-Hsiang Lai,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20230299158A1. Автор: Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Mei-Ling Chao,Kuan-Yu Lu,Hou-Jen Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor Device for Electrostatic Discharge Protection

Номер патента: US20170323880A1. Автор: Tien-Hao Tang,Li-Cih Wang,Kun-Yu Tai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor structure for electrostatic discharge protection

Номер патента: US20180012882A1. Автор: Tien-Hao Tang,Chung-Yu Huang,Hou-Jen Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Electrostatic discharge guard ring with snapback protection

Номер патента: US11764208B2. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Sunglyong Kim,David LaFonteese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Electrostatic discharge handling for lateral transistor devices

Номер патента: US20200091137A1. Автор: Han-Chung Tai. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Electrostatic discharge guard ring with snapback protection

Номер патента: US20230395589A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Sunglyong Kim,David LaFonteese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Electrostatic discharge device

Номер патента: US09793258B1. Автор: Tien-Hao Tang,Cheng-Te Lin,Li-Cih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Electrostatic discharge handling for lateral transistor devices

Номер патента: US20200243508A1. Автор: Han-Chung Tai. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Electrostatic discharge (esd) robust transistors and related methods

Номер патента: US20170077083A1. Автор: Shuji Fujiwara,Richard Scott Burton. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-16.

Single-diffusion break structure for fin-type field effect transistors

Номер патента: US20180374851A1. Автор: Hui Zang,Yanzhen Wang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Structure and method for providing line end extensions for fin-type active regions

Номер патента: US11721761B2. Автор: Kuei-Liang Lu,Ming-Feng Shieh,Chih-Hao Chang,Hsin-Chih Chen,Chang-Yun Chang,Shao-Ming Yu,Yi-Tang LIN,Kai-Tai Chang. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Structure and method for providing line end extensions for fin-type active regions

Номер патента: US09673328B2. Автор: Kuei-Liang Lu,Ming-Feng Shieh,Chih-Hao Chang,Hsin-Chih Chen,Chang-Yun Chang,Shao-Ming Yu,Yi-Tang LIN,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20190252369A1. Автор: Chih-Feng Lin,Ruei-Siang Syu,Wen-Chu Lo. Владелец: Maxchip Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722079B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768168B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Structure and method for providing line end extensions for fin-type active regions

Номер патента: US20230299203A1. Автор: Kuei-Liang Lu,Ming-Feng Shieh,Chih-Hao Chang,Hsin-Chih Chen,Chang-Yun Chang,Shao-Ming Yu,Yi-Tang LIN,Kai-Tai Chang. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170358678A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200119197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190109235A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Electrostatic discharge protection devices and methods for fabricating electrostatic discharge protection devices

Номер патента: US20220231151A1. Автор: Jie Zeng,Sagar Premnath KARALKAR,Milova PAUL. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200335499A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device of electrostatic discharge protection

Номер патента: US20210091069A1. Автор: Chun Chiang,Tien-Hao Tang,Ping-Chen CHANG,Ting-Yao Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20190371786A1. Автор: Chih-hao Chen,Ming-Chun ChenHsu. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Esd protection device

Номер патента: US20160300828A1. Автор: Rouying Zhan,Patrice Besse,Changsoo Hong,Jean-Phillippe Laine. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-13.

Electrostatic discharge protection structure capable of preventing latch-up issue caused by unexpected noise

Номер патента: US20150228771A1. Автор: Tien-Hao Tang,Lu-An CHEN,Ya-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Esd protection device with breakdown voltage stabilization

Номер патента: US20210104514A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Electro-static discharge protection device

Номер патента: EP4345899A1. Автор: Minho Kim,Jin Heo,Chanhee Jeon,Jongkyu Song,Kyoungil Do,Jooyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-03.

Electrostatic discharge (ESD) device with improved turn-on voltage

Номер патента: US11728381B2. Автор: RAUNAK Kumar,Robert J. Gauthier, Jr.,Kyongjin Hwang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Integrated silicon controlled rectifier (scr) and a low leakage scr supply clamp for electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: US20190319454A1. Автор: Jean Jimenez,Divya Agarwal,Radhakrishnan Sithanandam,Malathi Kar. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200043922A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200235097A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for making high voltage integrated circuit devices in a fin-type process and resulting devices

Номер патента: US20160111422A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Tall single-fin fin-type field effect transistor structures and methods

Номер патента: US09929157B1. Автор: Andreas Knorr,Nigel Graeme Cave,Ruilong Xie,Murat Kerem Akarvardar,Lars Liebmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US09935104B1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Contacts for a fin-type field-effect transistor

Номер патента: US09741615B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Electrostatic discharge protection devices

Номер патента: US12074157B2. Автор: Jong-Mil Youn,Hyun-Jo Kim,Soo-Hun Hong,Dae-Lim Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor devices having fin-type patterns and metal contacts and methods of manufacturing the same

Номер патента: US10147650B2. Автор: Sung-min Kim,Jae-Hyun Park,Ji-su Kang,Byung-Chan RYU,Yu-Ri Lee,Dong-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-04.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180301453A1. Автор: Kei-Wei Chen,Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170256539A1. Автор: Kei-Wei Chen,Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Manufacturing method of fin-type field effect transistor structure

Номер патента: US20220216202A1. Автор: Kei-Wei Chen,Chun-Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Self-aligned gate and/or source/drain contact structure for fin-type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: WO2016160120A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-10-06.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US20180323191A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Self-aligned gate and/or source/drain contact structure for fin-type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3278365A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Method of manufacturing an integrated circuit device including a fin-type active region

Номер патента: US12015063B2. Автор: Kye-Hyun Baek,Jin-Wook Lee,Hong-bae Park,Chang-yeon LEE,Min-Chan GWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of fabricating fin-type field-effect transistor device having substrate with heavy doped and light doped regions

Номер патента: US20230326803A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Fin-type field-effect transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200043792A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Fin-type field-effect transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219773A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Electrostatic discharge protection

Номер патента: US20150214212A1. Автор: Geert Hellings,Dimitri LlNTEN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-07-30.

Double-gate four-terminal semiconductor component with fin-type channel region

Номер патента: US20240186418A1. Автор: Hans Richter,Ulrich Wulf. Владелец: Brandenburgische Technische Universitaet Cottbus Senftenberg Koerperschaft Des Oeffentlichen Rechts. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit device and electrostatic discharge protecting circuit thereof

Номер патента: US8755157B2. Автор: Kyoungmok Son,Yong-Hoan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-17.

Semiconductor device having fin-type active patterns with shared contact plugs

Номер патента: US11901422B2. Автор: Hyun Jin Kim,Deok Han Bae,Hyung Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170250280A1. Автор: Ting-Chun Wang,Cheng-ta Wu,Yung-Hsiang Chan,Yung-Yu Wang,Chia-Ying Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Electrostatic discharge protection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190019788A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Electrostatic discharge protection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10115717B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-30.

Gate-less electrostatic discharge systems and methods for forming

Номер патента: US20180337168A1. Автор: Maxim Klebanov,Washington Lamar. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Electrostatic discharge devices and methods of manufacture

Номер патента: US09704848B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Huiming Bu,Tenko Yamashita,Junjun Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

ESD protection device structure compatible with CMOS process

Номер патента: US10692855B2. Автор: Po-Chuan Lin,Shr-Hau SHIUE. Владелец: Egalax Empia Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-23.

Semiconductor discharge protection device with diode and silicon controlled rectifier arrangements

Номер патента: US20210035970A1. Автор: Ming-Feng Hsieh,Zhihao Pan,Chih-Chun Lin. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Electrostatic discharge protection device with silicon controlled rectifier protection circuit

Номер патента: US12051687B2. Автор: Jong Ho NAM. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Fin-type field effect transistor

Номер патента: US12046661B2. Автор: Kei-Wei Chen,Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20230017089A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor Device Comprising Electrostatic Discharge Protection Structure

Номер патента: US20160307884A1. Автор: Markus Schmitt,Joachim Weyers,Armin Tilke. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-10-20.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20160071832A1. Автор: Jae-Hyun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240055507A1. Автор: Shih-Yu Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20240194668A1. Автор: Yu-Hsuan Lin,Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Mei-Ling Chao,Hou-Jen Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Electrostatic discharge protection apparatuses, method for forming the same, and systems thereof

Номер патента: TWI662680B. Автор: 提姆斯Ｓ 翰德森,羅柏Ｅ 那普. Владелец: 美商三胞半導體公司. Дата публикации: 2019-06-11.

Electrostatic protection device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2497112A2. Автор: David J. Clarke,Andrew David Bain,Edward John Coyne,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-12.

Electrostatic protection device

Номер патента: WO2011056335A2. Автор: David J. Clarke,Andrew David Bain,Edward John Coyne,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-12.

Bidirectional semiconductor device for protection against electrostatic discharges

Номер патента: US09991173B2. Автор: Philippe Galy,Johan Bourgeat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-06-05.

Low leakage gate controlled vertical electrostatic discharge protection device integration with a planar FinFET

Номер патента: US09646962B1. Автор: Qing Liu,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-09.

ESD-protection device and MOS-Transistor having at least one integrated ESD-protection device

Номер патента: US20200388607A1. Автор: Lutz Steinbeck. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2020-12-10.

N-type metal oxide semiconductor (nmos) transistor for electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20160099241A1. Автор: Tsung-Che Tsai,Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

N-type metal oxide semiconductor (NMOS) transistor for electrostatic discharge (ESD)

Номер патента: US9929143B2. Автор: Tsung-Che Tsai,Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US09881914B2. Автор: Bart Sorgeloos,Benjamin Van Camp,Sven Van Wijmeersch,Wim VANHOUTEGHEM. Владелец: Sofics BVBA. Дата публикации: 2018-01-30.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US09653453B2. Автор: Bart Sorgeloos,Benjamin Van Camp,Sven Van Wijmeersch,Wim VANHOUTEGHEM. Владелец: Sofics BVBA. Дата публикации: 2017-05-16.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US12033999B2. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Planar and non-planar fet-based electrostatic discharge protection devices

Номер патента: US20200411506A1. Автор: Jam-Wem Lee,Li-Wei Chu,Han-Jen Yang,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20200328592A1. Автор: Tzu-Yi Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Planar and non-planar FET-based electrostatic discharge protection devices

Номер патента: US12051691B2. Автор: Jam-Wem Lee,Li-Wei Chu,Han-Jen Yang,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Conformal buffer layer in source and drain regions of fin-type transistors

Номер патента: US09634084B1. Автор: Chengwen Pei,Henry K. Utomo,Christopher D. Sheraw,Zhibin Ren,Yue Ke,Eric T. Harley,Yinxiao Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Electrostatic discharge protection devices for bi-directional current protection

Номер патента: US11824125B2. Автор: Jie Zeng,Kyong Jin HWANG,James JERRY JOSEPH,Sagar Premnath KARALKAR,Milova PAUL. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20170243864A1. Автор: Bart Sorgeloos,Benjamin Van Camp,Sven Van Wijmeersch,Wim VANHOUTEGHEM. Владелец: Sofics BVBA. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device for electrostatic discharge protection having regions of alternating conductivity types

Номер патента: WO2013117592A1. Автор: Benjamin Van Camp,Sven Van Wijmeersch,Wim VANHOUTEGHEM,Bart SORGELLOS. Владелец: Sofics BVBA. Дата публикации: 2013-08-15.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20220028853A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Non-snapback scr for electrostatic discharge protection

Номер патента: WO2010147728A3. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Amaury Gendron. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2011-03-03.

Non-snapback scr for electrostatic discharge protection

Номер патента: WO2010147728A2. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Amaury Gendron. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2010-12-23.

Electrostatic discharge (ESD) protection device

Номер патента: US09666576B2. Автор: Chang-Tzu Wang,Yuan-Fu Chung,Bo-Shih Huang,Chien-Kai Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Gate-lifted nmos esd protection device

Номер патента: US20200111778A1. Автор: Da-Wei Lai,Stephen John SQUE,Wilhelmus Cornelis Maria Peters. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-04-09.

Electrostatic discharge (esd) protection device

Номер патента: US20160141285A1. Автор: Chang-Tzu Wang,Yuan-Fu Chung,Bo-Shih Huang,Chien-Kai Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Electro-static discharge protection device

Номер патента: US20240128258A1. Автор: Young Bum EOM. Владелец: SK Hynix System IC Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Electrostatic discharge devices and method of making the same

Номер патента: US20170012035A1. Автор: T. Jordan Davis. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-12.

Electrostatic discharge devices and method of making the same

Номер патента: US09991250B2. Автор: T. Jordan Davis. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Low-capacitance electrostatic damage protection device and method of designing and making same

Номер патента: US20180040602A1. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Dual fin silicon controlled rectifier (scr) electrostatic discharge (esd) protection device

Номер патента: US20190013310A1. Автор: Harald Gossner,Mayank Shrivastava,Christian Russ,Milova PAUL,B. Sampath KUMAR. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2019-01-10.

Electrostatic discharge protection device and method

Номер патента: US20180040605A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20080023766A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Feng-Chi Hung,Hung-Lin Chen,Deng-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor device having fin-type pattern with varying widths along a center vertical line thereof

Номер патента: US11956937B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device having an electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US10418358B2. Автор: Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor device comprising electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US9991252B2. Автор: Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-06-05.

Chip with electrostatic discharge protection function

Номер патента: US20150022920A1. Автор: Shao-Ping Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US7485905B2. Автор: Jian-Hsing Lee,Feng-Chi Hung,Hung-Lin Chen,Deng-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-02-03.

Device for electrostatic discharge protection and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050212050A1. Автор: Kil Kim,Yong Jung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-09-29.

Device for Electrostatic Discharge Protection and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20060244072A1. Автор: Kil Kim,Yong Jung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor Device Having an Electrostatic Discharge Protection Structure

Номер патента: US20180061823A1. Автор: Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-01.

Electrostatic discharge device and electrostatic discharge protection circuit including the same

Номер патента: US20210384188A1. Автор: Sukjin Kim,Mijin LEE,Chanhee Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Co-integrated logic, electrostatic discharge, and well contact devices on a substrate

Номер патента: US11894361B2. Автор: Effendi Leobandung,Andrew M. Greene,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier,Anthony I. Chou,Sagarika Mukesh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Integrated electrostatic discharge (ESD) clamping for an LDMOS transistor device having a bipolar transistor

Номер патента: US09673188B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

ESD protection device

Номер патента: US09659922B2. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and apparatus for enhancing the triggering of an electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2010030968A3. Автор: Jeffrey T. Watt,Antonio Gallerano. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-06-10.

Electrostatic discharge protection device and method for producing an electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20170084602A1. Автор: Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Mei-Ling Chao,Li-Cih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

On-SOI integrated circuit equipped with a device for protecting against electrostatic discharges

Номер патента: US09666577B2. Автор: Sorin Cristoloveanu,Claire Fenouillet-Beranger,Pascal Fonteneau,Yohann Solaro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-30.

Electrostatic discharge protection device and method for producing an electrostatic discharge protection device

Номер патента: US09607977B1. Автор: Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Mei-Ling Chao,Li-Cih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Electrostatic discharge protection device and layout design thereof

Номер патента: US20210091070A1. Автор: Chien-Shao Tang,Ting-Jui Lin,Hsiang-Ming Chou,Fang-Yu Chang. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Electrostatic discharge protection device comprising a silicon controlled rectifier

Номер патента: US09704850B2. Автор: Da-Wei Lai,Guido Wouter Willem Quax. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-07-11.

Esd protection device

Номер патента: US20170236817A1. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Electrostatic discharge protection device structures and methods of manufacture

Номер патента: US09704849B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Chip and electrostatic discharge protection device thereof

Номер патента: US8384158B2. Автор: Yu-Ti Su,Chung-Ti Hsu. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Chip and electrostatic discharge protection device thereof

Номер патента: US20110121394A1. Автор: Yu-Ti Su,Chung-Ti Hsu. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2011-05-26.

Fully silicided nmos device for electrostatic discharge protection

Номер патента: SG151100A1. Автор: Cai Jun,Lo Keng Foo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-04-30.

[metal oxide semiconductor device for electrostatic discharge protection circuit]

Номер патента: US20060033162A1. Автор: Steven Sang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Electrostatic discharge protection devices and methods of forming electrostatic discharge protection devices

Номер патента: US20210327869A1. Автор: Jie Zeng,RAUNAK Kumar. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080164505A1. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8536633B2. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US5430595A. Автор: Jeffrey Smith,Glen R. Wagner,Jose A. Maiz,Clair C. Webb,William M. Holt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-07-04.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: CA2177150C. Автор: Jeffrey Smith,Glen R. Wagner,Jose A. Maiz,Clair C. Webb,William M. Holt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-10-28.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: CA2177150A1. Автор: Jeffrey Smith,Glen R. Wagner,Jose A. Maiz,Clair C. Webb,William M. Holt. Владелец: William M. Holt. Дата публикации: 1995-04-20.

Electrostatic discharge protection device and layout design thereof

Номер патента: US10985157B2. Автор: Chien-Shao Tang,Ting-Jui Lin,Hsiang-Ming Chou,Fang-Yu Chang. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Field transistors for electrostatic discharge protection and methods for fabricating the same

Номер патента: US20020113269A1. Автор: Jong-Hwan Kim,Taeg-Hyun Kang,Jun-Hyeong Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Electrostatic discharge protection circuitry

Номер патента: US09893517B2. Автор: Abhinav Kumar,Fabrice Blanc,Ranabir Dey,Vijaya Kumar Vinukonda. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US7309896B2. Автор: Kil-Ho Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-12-18.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20220231126A1. Автор: Jin Heo,Changsu Kim,Jaehyun Yoo,Chanhee Jeon,Jongkyu Song,Jangkyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US11908895B2. Автор: Jin Heo,Changsu Kim,Jaehyun Yoo,Chanhee Jeon,Jongkyu Song,Jangkyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Bidirectional electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20230352472A1. Автор: Jong Min Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Electro-static discharge protection device

Номер патента: US8796775B2. Автор: Tae-hoon Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Electrostatic discharge protector

Номер патента: US20160086933A1. Автор: Tien-Hao Tang,Mei-Ling Chao,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Integrated circuit and electrostatic discharge protection method

Номер патента: US20210134786A1. Автор: Tay-Her Tsaur,Cheng-Cheng Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and electrostatic discharge protection method

Номер патента: US20210313313A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Shih-Yu Wang,Wen-Tsung Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Snapback electrostatic discharge protection device with tunable parameters

Номер патента: US20230361223A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,Sagar SAXENA,Washington Lamar,Chung C. Kuo,Sebastian Courtney. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Snapback electrostatic discharge protection device with tunable parameters

Номер патента: US11967650B2. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,Sagar SAXENA,Washington Lamar,Chung C. Kuo,Sebastian Courtney. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Electro-static discharge protection devices having a low trigger voltage

Номер патента: US20230307438A1. Автор: Young Bum EOM,Myoung Chul LIM. Владелец: SK Hynix System IC Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor-controlled rectifier with low trigger voltage for electrostatic discharge protection

Номер патента: US11955472B2. Автор: Wei Liang,Robert J. Gauthier, Jr.,Alain Loiseau,Souvick Mitra,Anindya Nath,Meng Miao. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Electrostatic Discharge Protection Circuitry

Номер патента: US20160172350A1. Автор: Abhinav Kumar,Fabrice Blanc,Ranabir Dey,Vijaya Kumar Vinukonda. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-06-16.

Electrostatic protection device for semiconductor circuit

Номер патента: US20100219476A1. Автор: Yoon Sung Lee,Kook Whee KWAK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-02.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: EP4350769A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-10.

Electrostatic discharge (esd) protection circuits using tunneling field effect transistor (tfet) and impact ionization mosfet (imos) devices

Номер патента: US20230318287A1. Автор: Radhakrishnan Sithanandam. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US20160172354A1. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Multi-channel homogenous path for enhanced mutual triggering of electrostatic discharge fingers

Номер патента: EP2735026A1. Автор: Philippe Deval,Patrick Besseux,Marija FERNANDEZ. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-28.

Fin-based and bipolar electrostatic discharge devices

Номер патента: US12107083B2. Автор: You Li,Wei Liang,Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Meng Miao. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Electrostatic discharge (esd) protection circuits using tunneling field effect transistor (tfet) and impact ionization mosfet (imos) devices

Номер патента: US20210226445A1. Автор: Radhakrishnan Sithanandam. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device having fin-type pattern

Номер патента: US09941283B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899526B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Li-Te Hsu,Chih-Hsiang Chu,Chung-Fan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Fin-type transistor structures with extended embedded stress elements and fabrication methods

Номер патента: US20150129983A1. Автор: Hong Yu,LUN Zhao,Puneet Khanna,Hyucksoo Yang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Electrostatic discharge protection devices for bi-directional current protection

Номер патента: US20240363740A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Sagar Premnath KARALKAR,Joseph James Jerry. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Electrostatic discharge device protection structure

Номер патента: US20040140505A1. Автор: Fu-Liang Yang,Yi-Lang Chan,Yi Ming Sheu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Electrostatic discharge protection using a guard region

Номер патента: US20170278839A1. Автор: Da-Wei Lai. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-09-28.

Electrostatic discharge protection devices and methods of forming the same

Номер патента: US09831327B2. Автор: Rouying Zhan. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US11916063B2. Автор: Joung Cheul CHOI,Chang Seok SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US11742343B2. Автор: Joung Cheul CHOI,Chang Seok SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20140151743A1. Автор: Jaehyok Ko,Hangu Kim,Minchang Ko,Kyoungki Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-05.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: EP4432356A1. Автор: Minho Kim,Jin Heo,Chanhee Jeon,Eunsuk LEE,Jongkyu Song,Jooyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Overvoltage protection device

Номер патента: US20180026027A1. Автор: Aurelie Arnaud. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2018-01-25.

Electrostatic discharge protection devices and methods for protecting semiconductor devices against electrostatic discharge events

Номер патента: GB2455682A. Автор: Akram Salman,Stephen Beebe. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-06-24.

Electrostatic discharge protection devices and methods

Номер патента: US20170084599A1. Автор: Rouying Zhan. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device for electrostatic discharge protection

Номер патента: US09685431B2. Автор: Bart Sorgeloos,Benjamin Van Camp,Olivier Marichal. Владелец: Sofics BVBA. Дата публикации: 2017-06-20.

Electrostatic discharge protection apparatus

Номер патента: US20030164508A1. Автор: Wei-Fan Chen,Chien-Ti Hou,Fu-Chien Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-04.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20100301385A1. Автор: Shang-Hui Tu,Hung-Shern Tsai. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Compact area electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240332284A1. Автор: Aravind Chennimalai Appaswamy,Zaichen Chen,James Paul DiSarro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Compact area electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US12040322B2. Автор: Aravind Chennimalai Appaswamy,Zaichen Chen,James Paul DiSarro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Electrostatic discharge protection device and Electrostatic discharge protection circuit thereof

Номер патента: US20120256229A1. Автор: Wei-Fan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-11.

Electrostatic discharge protection circuit with high triggering voltage

Номер патента: US20010007521A1. Автор: Wei-Fan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-07-12.

Electrostatic discharge protection apparatus and its operating method

Номер патента: US11837600B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Shih-Yu Wang,Wen-Tsung Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Electro-static discharge protection devices having a low trigger voltage

Номер патента: US09831234B2. Автор: Hyun Duck Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method and apparatus for electrostatic discharge protection having a stable breakdown voltage and low snapback voltage

Номер патента: EP1923917A3. Автор: Jack L. Glenn. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2011-07-20.

Electrostatic discharge protection with integrated diode

Номер патента: US20170213816A1. Автор: Da-Wei Lai. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-07-27.

Method and apparatus for electrostatic discharge protection having a stable breakdown voltage and low snapback voltage

Номер патента: US20080099848A1. Автор: Jack L. Glenn. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Electronic device for protecting from electrostatic discharge

Номер патента: US20130113017A1. Автор: Jean Jimenez,Philippe Galy,Johan Bourgeat,Boris Heitz. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2013-05-09.

Device for protection against electrostatic discharges with a distributed trigger circuit

Номер патента: US09947650B1. Автор: Philippe Galy,Sotirios Athanasiou. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-04-17.

Tunable electrostatic discharge clamp

Номер патента: US20190206855A1. Автор: Shih-Hung Chen,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-07-04.

Multiple trigger electrostatic discharge esd protection device for integrated circuits with multiple power supply domains

Номер патента: EP4327364A1. Автор: Michael Amato. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Multiple trigger electrostatic discharge (esd) protection device for integrated circuits with multiple power supply domains

Номер патента: US20220337054A1. Автор: Michael Amato. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Multiple trigger electrostatic discharge esd protection device for integrated circuits with multiple power supply domains

Номер патента: WO2022226436A1. Автор: Michael Amato. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device having multiple electrostatic discharge (esd) paths

Номер патента: US20240222363A1. Автор: Jam-Wem Lee,Li-Wei Chu,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device having multiple electrostatic discharge (esd) paths

Номер патента: US20240178216A1. Автор: Jam-Wem Lee,Li-Wei Chu,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Electrostatic discharge protection structure, nitride-based device having the same and method for manufacturing nitride-based device

Номер патента: US11862680B2. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Yuci LIN,Wenbi Cai,Nientze Yeh. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Multi-fin fin-type field effect transistor with fine-tuned effective channel width

Номер патента: US20240347638A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Romain H.A. Feuillette,David Charles PRITCHARD. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US20180026137A1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09905694B2. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09680019B1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having fin-type channel and method for forming the same

Номер патента: US09865460B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Conformal nitridation of one or more fin-type transistor layers

Номер патента: US09698269B2. Автор: Min-Hwa Chi,Haiting Wang,FENG Zhou,Seung Kim,Wei Hua Tong,Jin Ping Liu,Haoran SHI,Tien-Ying Luo,Jun Lian,Yan Ping SHEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device having fin-type channel and method for forming the same

Номер патента: US9147766B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-29.

Device including integrated electrostatic discharge protection component

Номер патента: US11562996B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Ming-Hsiang Song,Tzu-Heng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Fin-type device system and method

Номер патента: US20140313821A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Mohamed Hassan Abu-Rahma,Beom-Mo Han. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Fin-type device system and method

Номер патента: EP2474038A1. Автор: Seung-Chul Song,Mohamed Hassan Abu-Rahma,Beom-Mo Han. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-07-11.

Fin-type field effect transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997632B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Device including integrated electrostatic discharge protection component

Номер патента: US11557586B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Ming-Hsiang Song,Tzu-Heng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Electrostatic discharge protective circuit having rise time detector and discharge sustaining circuitry

Номер патента: US20120127618A1. Автор: Richard J.K. HONG. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-24.

Electrostatic discharge protective circuit having rise time detector and discharge sustaining circuitry

Номер патента: WO2010080319A1. Автор: Richard J. K. Hong. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2010-07-15.

Electrostatic discharge protective circuit having rise time detector and discharge sustaining circuitry

Номер патента: EP2368325A1. Автор: Richard J. K. Hong. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Method for providing a programmable electrostatic discharge (ESD) protection device

Номер патента: US7541235B2. Автор: John D. Husher. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2009-06-02.

Device including integrated electrostatic discharge protection component

Номер патента: US20230123887A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Ming-Hsiang Song,Tzu-Heng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Device including integrated electrostatic discharge protection component

Номер патента: US11935885B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Ming-Hsiang Song,Tzu-Heng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Electrostatic discharge (esd) protection device and method for operating an esd protection device

Номер патента: US20180331090A1. Автор: Da-Wei Lai,Gijs Jan De Raad. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-11-15.

Integrated circuit structures having stacked electrostatic discharge (esd) for backside power delivery

Номер патента: EP4394875A1. Автор: DerChang Kau,Andy Chih-Hung Wei,Po-Yao Ke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Electrostatic discharge guard ring with complementary drain extended devices

Номер патента: US12094970B2. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Sunglyong Kim,David LaFonteese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US09721941B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Three-dimensional electrostatic discharge semiconductor device

Номер патента: US09620587B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Mahadeva Iyer NATARAJAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Tie-off circuit with output node isolation for protection from electrostatic discharge (ESD) damage

Номер патента: US09601921B2. Автор: CHEN GUO,Yutaka Nakamura,Jun Sawada. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Electrostatic discharge unit, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US20210088856A1. Автор: Wenying Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

ESD protection device

Номер патента: US7279726B2. Автор: Kai Esmark,Martin Streibl,Ulrich Glaser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-10-09.

MOS-transistor structure with pedestal for protection against electrostatic discharges, has ESD-protection device provided on MOS-transistor base and transistor configuration is generated with an ESD-protection transistor

Номер патента: DE10053724A1. Автор: Alvin Sugerman. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-05-23.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20240290775A1. Автор: Shih-Chun Yen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20240339447A1. Автор: Tzung-Lin Li,Tung-Hsing Lee,Yuan-Fu Chung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US09607976B2. Автор: Noboru Kato,Toshiyuki Nakaiso. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Manufacturing method for transistor of electrostatic discharge protection device

Номер патента: US7192823B2. Автор: Jung-Cheng Kao. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2007-03-20.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20240312985A1. Автор: Minho Kim,Jin Heo,Chanhee Jeon,Eunsuk LEE,Jongkyu Song,Jooyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20240355807A1. Автор: Sheng-Jun CHUANG. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US09728529B2. Автор: Anton Mauder,Markus Schmitt,Franz Hirler,Joachim Weyers,Armin Tilke,Thomas Bertrams. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-08-08.

Electrostatic discharge protection device having an adjustable triggering threshold

Номер патента: US09793257B1. Автор: Arnaud Florence,Mathieu Rouviere. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon controlled rectifier electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2004093133A3. Автор: John Armer,Koen Verhaege,Markus Mergens,Cornelius Christain Russ. Владелец: Cornelius Christain Russ. Дата публикации: 2005-05-19.

Silicon controlled rectifier electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2004093133A2. Автор: John Armer,Koen Verhaege,Markus Mergens,Cornelius Christain Russ. Владелец: Sarnoff Europe Bvba. Дата публикации: 2004-10-28.

Silicon controlled rectifier electrostatic discharge protection device for power supply lines with powerdown mode of operation

Номер патента: EP1611656A2. Автор: John Armer,Koen Verhaege,Markus Mergens,Cornelius Christain Russ. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2006-01-04.

High voltage electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20140231864A1. Автор: Jong Min Kim,Jae Hyun Yoo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Methods for forming electrostatic discharge protection clamps with increased current capabilities

Номер патента: US20140235026A1. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Amaury Gendron. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-21.

Methods for forming electrostatic discharge protection clamps with increased current capabilities

Номер патента: US9018071B2. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Amaury Gendron. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-04-28.

CMOS silicon-control-rectifier (SCR) structure for electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US20040207020A1. Автор: Mu-Chun Wang,Tien-Hao Tang,Shiao-Chien Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-21.

Resistor triggered electrostatic discharge protection

Номер патента: WO2009108410A2. Автор: Rouying Zhan,James D. Whitfield,Chai Ean E. Gill,Hongzhong Xu. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-09-03.

Electrostatic discharge protection device and method

Номер патента: US20210050341A1. Автор: Wen-Tai Wang. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US7005707B2. Автор: Han-Chung Lai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-28.

System in package structure and electrostatic discharge protection structure thereof

Номер патента: US20190355713A1. Автор: Cheng-Hung Yu,Tai-Jui Wang,Chieh-Wei Feng,Yu-Hua Chung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2019-11-21.

Compact electrostatic discharge (ESD) protection structure

Номер патента: US09685432B2. Автор: Jing Zhu,Steven Schell,Pei-Ming Daniel Chow,Yon-Lin Kok. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods for forming electrostatic discharge protection clamps with increased current capabilities

Номер патента: US8647955B2. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Amaury Gendron. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-02-11.

Low capacitance esd protection devices

Номер патента: US20240113098A1. Автор: Sreeram NASUM SUBRAMANYAM,Shraddha Balasaheb Keripale,Chinna Veerappan Venkatachalam. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Electrostatic discharge protection

Номер патента: US11195826B2. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,Sagar SAXENA,Washington Lamar,Chung C. Kuo,Sebastian Courtney. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2021-12-07.

Electrostatic discharge protection

Номер патента: US20210242193A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,Sagar SAXENA,Washington Lamar,Chung C. Kuo,Sebastian Courtney. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Diode with variable width metal stripes for improved protection against electrostatic discharge (esd) current failure

Номер патента: WO2002025735A3. Автор: Eugene R Worley,Mishel Matloubian. Владелец: Mishel Matloubian. Дата публикации: 2002-10-03.

Diode with variable width metal stripes for improved protection against electrostatic discharge (esd) current failure

Номер патента: WO2002025735A2. Автор: Eugene R. Worley,Mishel Matloubian. Владелец: CONEXANT SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-03-28.

Backend electrostatic discharge diode apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20190304963A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Ilya Karpov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Zero Capacitance Electrostatic Discharge Devices

Номер патента: US20190229074A1. Автор: He Lin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Electrostatic discharge (esd) protection circuits, integrated circuits, systems, and methods for forming the esd protection circuits

Номер патента: US20160284689A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Shu-Chuan Lee,Wade MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Backend electrostatic discharge diode apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US11222885B2. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Ilya Karpov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-01-11.

Electrostatic discharge devices

Номер патента: EP4456137A1. Автор: Jie Zeng,Kyong Jin HWANG,Ajay Ajay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Electrostatic discharge devices

Номер патента: US20240363619A1. Автор: Jie Zeng,Kyong Jin HWANG,Ajay Ajay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuits, integrated circuits, systems, and methods for forming the ESD protection circuits

Номер патента: US09659923B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Shu-Chuan Lee,Wade MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of Forming Electrostatic Discharge Devices

Номер патента: US20130122677A1. Автор: Kai Esmark. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor device having fin-type active patterns and gate nodes

Номер патента: US09627390B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Ji-Hoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Array substrate, electrostatic discharge protection circuit and display apparatus

Номер патента: EP3886164A1. Автор: Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-29.

Electrostatic discharge voltage resistive current modeling method of electrostatic discharge protection device

Номер патента: US8108185B2. Автор: Chang Soo Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Electrostatic Discharge Voltage Resistive Current Modeling Method of Electrostatic Discharge Protection Device

Номер патента: US20090171635A1. Автор: Chang Soo Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Electrostatic discharge protection

Номер патента: US20060145261A1. Автор: Harald Gossner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device for enhancing electrostatic discharge protection and layout structure thereof

Номер патента: US20190198494A1. Автор: Guangyang Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20020191358A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Hung-Der Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20150194808A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Shih-Yu Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US09679886B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Jin-Tae Kim,Jong-Sung Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Electrostatic discharge protection device and integrated circuit using same

Номер патента: US9472951B2. Автор: Chih-Nan Cheng,Ching-Jung Kuo. Владелец: Fitipower Integrated Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Swapped drain structures for electrostatic discharge protection

Номер патента: US20020055219A1. Автор: Todd Randazzo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Apparatus and methods for electrostatic discharge protection of radio frequency interfaces

Номер патента: US09831666B2. Автор: Srivatsan Parthasarathy,Javier Alejandro Salcedo,Rodrigo Carrillo-Ramirez. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Electrostatic discharge performance of a silicon structure and efficient use of area with electrostatic discharge protective device under the pad approach and adjustment of via configuration thereto to control drain junction resistance

Номер патента: US7019366B1. Автор: Yu Sun,Hiroyuki Ogawa,Yider Wu,Kuo-Tung Chang,Nian Yang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-03-28.

Esd protection device with high voltage and negative voltage tolerance

Номер патента: US20050205937A1. Автор: Tai-Ho Wang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-22.

Electrostatic discharge protection device of output driver stage

Номер патента: WO2009028800A1. Автор: HONG Seok Jeong,Dae Seong Kim,Dae Keun Han. Владелец: SILICON WORKS CO., LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US12125843B2. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20030234426A1. Автор: Meng-Huang Liu,Shin Su,Tao-Cheng Lu,Chun-Hsiang Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20190326750A1. Автор: Hsin-Kun Hsu,Chih-Wei Lai,Yun-Jen Ting,Yi-Han Wu,Kun-Hsin LIN. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Bi-directional silicon controlled rectifier for electrostatic discharge protection

Номер патента: US20030205761A1. Автор: Chyh-Yih Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2003-11-06.

Memory device and semiconductor device comprising electrostatic discharge protection element

Номер патента: US12087702B2. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with electrostatic discharge protection device near the edge of the chip

Номер патента: US09812408B2. Автор: Shigeru Hirata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20120146151A1. Автор: Ming-Dou Ker,Yeh-Jen Huang,Hwa-Chyi Chiou,Yeh-Ning Jou,Wen-Yi Chen,Chia-Wei Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

Electrostatic discharge protection devices with multiple-depth trench isolation

Номер патента: US20240194667A1. Автор: Kyongjin Hwang,Robert Gauthier, Jr.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for fabricating devices for electrostatic discharge protection and voltage references, and the resulting structures

Номер патента: WO1996021247A1. Автор: Philip Shiota. Владелец: Philip Shiota. Дата публикации: 1996-07-11.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US8507946B2. Автор: Ming-Dou Ker,Yeh-Jen Huang,Hwa-Chyi Chiou,Yeh-Ning Jou,Wen-Yi Chen,Chia-Wei Hung. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Electrostatic discharge protection device and method for manufacturing the same, and chip component with the same

Номер патента: US09741710B2. Автор: Jeong Min Cho,Young Seuck Yoo,Jin Hyuck Yang,Kyong Bok MIN,Hong Ryul Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Electrostatic discharge protection device having an intermediate voltage supply for limiting voltage stress on components

Номер патента: US8817433B2. Автор: Fabrice Blanc,Jean-Claude Duby,Thierry Padilla. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2014-08-26.

Method and apparatus for improving triggering uniformity of snapback electrostatic discharge protection devices

Номер патента: US8946001B1. Автор: Jeffrey T. Watt,Antonio Gallerano. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-02-03.

Electrostatic discharge protection for high speed transceiver interface

Номер патента: EP4293719A1. Автор: Stuart Patterson,Srivatsan Parthasarathy,Daniel Boyko,Sirui Luo,Piotr Olejarz,Ara Arakelian. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: EP2181462A2. Автор: Paul Padden. Владелец: Toumaz Technology Ltd. Дата публикации: 2010-05-05.

Semiconductor device including electrostatic discharge protection patterns

Номер патента: US10510746B2. Автор: Junghyun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-17.

Semiconductor electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20190131294A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Wei-Ming Liao,Fang-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Fabrication method of an electrostatic discharge protection circuit with a low resistant current path

Номер патента: US6855611B2. Автор: Hua-Chou Tseng,Tien-Hao Tang,Shiao-Shien Chen,Tsun-Lai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-15.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240186220A1. Автор: Andre Schmenn,Klaus Diefenbeck,Joost Adriaan Willemen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Electrostatic discharge protecting circuit with ultra-low standby leakage current for twice supply voltage tolerance

Номер патента: US20110026175A1. Автор: Ming-Dou Ker,Chang-Tzu Wang,Chua-Chin Wang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2011-02-03.

Electrostatic discharge protection circuit and electronic circuit

Номер патента: US12107415B2. Автор: Wen-Hsin Lin,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Yeh-Ning Jou,Chun-Chih Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Cosmetically hidden electrostatic discharge protection structures

Номер патента: WO2017048401A1. Автор: Sheila A. Longo,Filipp DEMENSCHONOK,David lan ROSEN. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Cosmetically hidden electrostatic discharge protection structures

Номер патента: EP3350833A1. Автор: Sheila A. Longo,Filipp DEMENSCHONOK,David lan ROSEN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-07-25.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20230283068A1. Автор: Qi'an Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Electrostatic discharge protection circuit and configuration method

Номер патента: US09876003B2. Автор: Wei Lei,Jie Chen,Yan Chen,Zhenjiang Su. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Electro-static discharge protection for die of a multi-chip module

Номер патента: EP2589080A1. Автор: Michael J. Hart,Mohammed Fakhruddin,James Karp,Steven T. Reilly. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Integrated passive device with electrostatic discharge protection mechanism

Номер патента: US20130157595A1. Автор: Kuang-Lieh Wan. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Electrostatic discharge protection devices

Номер патента: US8373955B2. Автор: CHUN Chang,Yang-Han Lee. Владелец: Princeton Technology Corp. Дата публикации: 2013-02-12.

Amplifier having electrostatic discharge and surge protection circuit

Номер патента: US12063014B2. Автор: David Steven Ripley,John Tzung-Yin LEE,Myunghwan Park,Jermyn Tseng. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Electrostatic discharge protection device and electronic device having the same

Номер патента: US09799641B2. Автор: Jin Heo,Han-Gu Kim,Jae-hyok Ko,Jong-Kyu Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor layout for electrostatic discharge protection, electrostatic discharge protection circuit, and method for forming the same

Номер патента: US20240063215A1. Автор: Fang-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor layout for electrostatic discharge protection, electrostatic discharge protection circuit, and method for forming the same

Номер патента: US11935886B2. Автор: Fang-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor layout for electrostatic discharge protection, electrostatic discharge protection circuit, and method for forming the same

Номер патента: US20240063214A1. Автор: Fang-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Electrostatic discharge protection having multiply segmented diodes in proximity to transistor

Номер патента: US20110266624A1. Автор: Charvaka Duvvury,Yen-Yi Lin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Electrostatic discharge protection network having distributed components connected with inductors

Номер патента: EP1240669A1. Автор: Wolfram Kluge,Dietmar Eggert. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-18.

Bias for electrostatic discharge protection

Номер патента: US20070121262A1. Автор: Jau-Wen Chen,William Loh,Minxuan Liu. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2007-05-31.

Gate coupling electrostatic discharge protection circuit with redundant structures

Номер патента: US20050194644A1. Автор: Joe Wang,Yung-Chi Sung. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20240234410A1. Автор: Chen-Yi Lee,Lin-Yu HUANG,Sheng-Fu Hsu,Shih-Fan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Electrostatic discharge protection circuit for chip

Номер патента: US12088092B2. Автор: Ling Zhu,Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Electrostatic discharge protection

Номер патента: US12100947B2. Автор: Chia-Jung Chang,Chia-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of forming an electrostatic discharge protecting device and integrated circuit arrangment comprising such a device

Номер патента: WO2004008534A3. Автор: Der Meer Hendrik H Van,Eyup Bayram,Johannes L Cuijpers,Albert J Huitsing,Mathijs A H Aalmers. Владелец: Mathijs A H Aalmers. Дата публикации: 2004-12-16.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US7852608B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Tomokazu Higuchi,Masanori Yoshitani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-14.

Cross-domain electrostatic discharge protection

Номер патента: US20230282637A1. Автор: Mikhail Yurievich Semenov,Gijs Jan De Raad,Yury Vladimirovich Alymov,Elena Valentinovna Somova. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-07.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20210343702A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Electrostatic discharge protection structures for eFuses

Номер патента: US09940986B2. Автор: Ephrem G. Gebreselasie,Andreas D. Stricker,Alain F. Loiseau,Ahmed Y. Ginawi,Joseph M. Lukaitis,Richard A. Poro. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Electrostatic discharge protection

Номер патента: US09722419B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse,Philippe Givelin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Integrated circuit device and electrostatic discharge protection device thereof

Номер патента: US20160104683A1. Автор: Shuo-Yen Lin. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Electrostatic discharge protection device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170033097A1. Автор: Jun Adachi,Takahiro Sumi,Takayuki Tsukizawa,Mayu SUZUKI,Sumiyo Nakamura,Katsumi Yasunaka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Electrostatic discharge protection device with integrated series resistors

Номер патента: US11757281B2. Автор: Anton Gutsul,Joost Adriaan Willemen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-12.

Electrostatic Discharge Protection Device with Integrated Series Resistors

Номер патента: US20230369847A1. Автор: Anton Gutsul,Joost Adriaan Willemen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuits with electrostatic discharge protection

Номер патента: US09698139B1. Автор: Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Electrostatic discharge protection device and integrated circuit using same

Номер патента: US20150049404A1. Автор: Chih-Nan Cheng,Ching-Jung Kuo. Владелец: Fitipower Integrated Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Method and System for Improved Noise Isolation in an Electrostatic Discharge Protection Scheme

Номер патента: US20210398920A1. Автор: Michael A. Stockinger,Radu Mircea Secareanu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Circuit for electrostatic discharge protection for wide frequency range multi-band interfaces

Номер патента: US20210044104A1. Автор: Harald Gossner,Krzysztof Domański,David Johnsson,Jenia ELKIND. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Low input capacitance electrostatic discharge protection circuit utilizing feedback

Номер патента: WO2003092074A1. Автор: Larry E. Tyler,James T. May. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device, electronic system, and electrostatic discharge protection method for semiconductor device thereof

Номер патента: US20230290774A1. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Low input capacitance electrostatic discharge protection circuit utilizing feedback

Номер патента: EP1500143A1. Автор: Larry E. Tyler,James T. May. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2005-01-26.

SOI electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US6496341B1. Автор: Tien-Hao Tang,Shiao-Shien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-17.

Electrostatic discharge protection circuitry and method of operation

Номер патента: WO2004015776A2. Автор: James W. Miller,Geoffrey B. Hall,Michael Stockinger,Alexander Krasin,Matthew D. Akers,Vishnu G. Kamat. Владелец: Motorola, Inc., A Corporation Of The State Of Delaware. Дата публикации: 2004-02-19.

Electrostatic discharge protection circuitry and method of operation

Номер патента: EP1527481A2. Автор: James W. Miller,Geoffrey B. Hall,Michael Stockinger,Alexander Krasin,Matthew D. Akers,Vishnu G. Kamat. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Electrostatic discharge protective structure

Номер патента: US20020003236A1. Автор: Peter Graf,Martin Czech. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2002-01-10.

Process to fabricate the non-silicide region for electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US5998247A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Electrostatic discharge protection structures having high holding current for latch-up immunity

Номер патента: US7064393B2. Автор: John Armer,Markus Paul Josef Mergens,Phillip Czeslaw Jozwiak,Cornelius Christian Russ,Koen Gerard Maria Verhaege. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2006-06-20.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20030184933A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20240222361A1. Автор: Ke-Yuan Chen. Владелец: Via Next Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Electric discharge protection for surface mounted and embedded components

Номер патента: EP2540147A1. Автор: Robert Fleming,Lex Kosowsky,Bhret Graydon,Daniel Vasquez. Владелец: Shocking Technologies Inc. Дата публикации: 2013-01-02.

Electrostatic discharge protection apparatus with silicon control rectifier and the method of fabricating the same

Номер патента: US20020030232A1. Автор: Chiu-Tsung Huang,Wen-Kuan Yeh,Lu-Min Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Layout structure of electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US7291918B2. Автор: Ming Lin Tsai,Chih-Long Ho. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-11-06.

Electrostatic discharge protection device and circuit apparatus

Номер патента: EP3357090A1. Автор: Lei Zou,Gino Rocca. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-08-08.

Electrostatic discharge protection devices with high current capability

Номер патента: US20230223395A1. Автор: Christopher Kocon,Sunglyong Kim,Sudheer Prasad,Sreeram N. S.,Sandip Lashkare. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Electrostatic discharge-protection semiconductor device

Номер патента: US20020042195A1. Автор: Jiunn-Way Miaw. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-04-11.

Electrostatic discharge-protection semiconductor device

Номер патента: US6614061B2. Автор: Jiunn-Way Miaw. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-02.

Electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20190081037A1. Автор: Radu Mircea Secareanu,Detlef Clawin,Dolphin Abessolo Bidzo,Janusz Tomasz Klimczak. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor Device and Method of Providing Electrostatic Discharge Protection for Integrated Passive Devices

Номер патента: US20100270549A1. Автор: Rui Huang,Yaojian Lin,Robert C. Frye. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2010-10-28.

Electrostatic discharge protection circuits using biased and terminated PNP transistor chains

Номер патента: US5530612A. Автор: Timothy J. Maloney. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

Electro-static discharge protection device having a modulated control input terminal

Номер патента: US6078487A. Автор: Hamid Partovi,Kaizad R. Mistry,David B. Krakauer,William A. McGee. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Method of manufacturing electrostatic discharge protective circuit

Номер патента: US6225166B1. Автор: Chen-Chung Hsu,Yih-Jau Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-01.

Electrostatic discharge protection device and a method for simultaneously forming MOS devices with both lightly doped and non lightly doped source and drain regions

Номер патента: US5208475A. Автор: Gordon L. Mortensen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-05-04.

Electrostatic discharge protection device and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20140167170A1. Автор: Wei-Lung LI,Chih-Yu KUO. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2023156659A1. Автор: Johan Van der Borght,Olivier Marichal,Bart Paul Sorgeloos. Владелец: Sofics BV. Дата публикации: 2023-08-24.

Electrostatic discharge protection device for high supply voltage operations

Номер патента: US20180351352A1. Автор: Yuh-Yue Chen. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

An electrostatic discharge circuit

Номер патента: US20070040220A1. Автор: Te-Wei Chen,Li-Chiu Weng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2007-02-22.

Electrostatic discharge protection for integrated circuits

Номер патента: US5239440A. Автор: Richard B. Merrill. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

Electrostatic Discharge Protection Circuit

Номер патента: US20100188788A1. Автор: Paul Padden. Владелец: Toumaz Technology Ltd. Дата публикации: 2010-07-29.

Electrostatic discharge protection circuit for compound semiconductor devices and circuits

Номер патента: WO2008027802A3. Автор: Andrew T Ping,Dominic J Ogbonnah. Владелец: Dominic J Ogbonnah. Дата публикации: 2008-05-02.

Electrostatic discharge protection circuit for compound semiconductor devices and circuits

Номер патента: WO2008027802A2. Автор: Andrew T. Ping,Dominic J. Ogbonnah. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2008-03-06.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20080073720A1. Автор: Te-Wei Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20230019523A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20020186517A1. Автор: Meng-Huang Liu,Shin Su,Tao-Cheng Lu,Chun-Hsiang Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for forming electrostatic discharge protection device having a graded junction

Номер патента: US6355508B1. Автор: Kevin Duesman,Stephen R. Porter,Manny K. Ma,Stephen Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-12.

Semiconductor device including electrostatic discharge protection patterns

Номер патента: US20190096875A1. Автор: Junghyun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device including electrostatic discharge protection patterns and method of forming the same

Номер патента: SG10201807599QA. Автор: ROH Junghyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20240213241A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Wen-Hsin Lin,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Ting-Yu Chang,Hsien-Feng LIAO,Chieh-Yao Chuang,Yeh-Ning Jou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240222359A1. Автор: Chung-Yu Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20230343780A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Yeh-Ning Jou,Chang-Min Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Electrostatic discharge protection for integrated circuit during back end-of-line processing

Номер патента: US11764206B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Yu-Lin Chu,Tsung-Yuan Chen,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor devices and arrangements including dummy gates for electrostatic discharge protection

Номер патента: US9595516B2. Автор: Mayank Shrivastava,Christian Russ. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20090309182A1. Автор: Bomy Chen,Kung-Yen Su,Yaw Wen Hu,Kevin Gene-Wah Jew. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-17.

Electrostatic discharge protection diode

Номер патента: US7791142B2. Автор: Dae-Shik Kim,Kyoung-Mok Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-07.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20130182359A1. Автор: Ki Tae Lee,Han Gu Kim,Chan Hee Jeon,Doo Hyung KIM,Woo Jin Seo,Hong Wook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

Versatile system for electrostatic discharge protection utilizing silicon controlled rectifier

Номер патента: US20050087808A1. Автор: Robert Steinhoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-28.

Versatile system for electrostatic discharge protection utilizing silicon controlled rectifier

Номер патента: US20050087761A1. Автор: Robert Steinhoff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

Electrostatic discharge protection diode

Номер патента: US20090273869A1. Автор: Dae-Shik Kim,Kyoung-Mok Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-05.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20230352473A1. Автор: Min Cheol Kong. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of fabricating electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US09627210B2. Автор: Yu-Chun Chen,Chang-Tzu Wang,Tien-Hao Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor devices and arrangements including dummy gates for electrostatic discharge protection

Номер патента: US09595516B2. Автор: Mayank Shrivastava,Christian Russ. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Electrostatic discharge protection in integrated circuits, systems and methods

Номер патента: US5591992A. Автор: Jerald G. Leach. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-01-07.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US11862965B2. Автор: Qi'an Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Electrostatic discharge protection circuit and method for electrostatic discharge protection

Номер патента: WO2015000746A1. Автор: Wolfgang Reinprecht. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2015-01-08.

Electrostatic discharge protection wiring, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US11876091B2. Автор: LI Xu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20200203947A1. Автор: Jae Hyun Lee,Jae Min Kim,Yong Nam Choi. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Electrostatic discharge protection circuit having a metal connection and method for manufacturing the electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US11929305B2. Автор: Andre Schmenn,Klaus Diefenbeck,Joost Adriaan Willemen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-12.

Distributed electrostatic discharge protection for chip-to-chip communications interface

Номер патента: WO2019060317A1. Автор: Christoph Walter,Armin TAJALLI,Kiarash Gharibdoust. Владелец: Kandou Us, Inc.. Дата публикации: 2019-03-28.

Electro-static discharge protection device having a low trigger voltage and reduced size

Номер патента: US20080247103A1. Автор: Jang Hoo KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-09.

Self-aligned silicide (salicide) process for electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US5946573A. Автор: Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Amplifier having electrostatic discharge and surge protection circuit

Номер патента: US20220140792A1. Автор: David Steven Ripley,John Tzung-Yin LEE,Myunghwan Park,Jermyn Tseng. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Electro-static discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US11848322B2. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Using lightly doped resistor for output stage electrostatic discharge protection

Номер патента: EP1150353A3. Автор: Sheng Teng Hsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-09-21.

Semiconductor integrated circuit device having electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180025934A1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device comprising electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20150311191A1. Автор: Anton Mauder,Markus Schmitt,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-10-29.

Electrostatic discharge protection system for mixed voltage application specific integrated circuit design

Номер патента: US5616943A. Автор: Hoang P. Nguyen,John D. Walker. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 1997-04-01.

Analysis apparatus for semiconductor LSI circuit electrostatic discharge by calculating inter-pad voltage between pads

Номер патента: US7340699B2. Автор: Sachio Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-04.

Electrostatic discharge protection circuit with reduced mounting area and junction capacitance

Номер патента: US20070025035A1. Автор: Jang Kim,Kook Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Electrostatic discharge protection for high speed transceiver interface

Номер патента: US11942473B2. Автор: Stuart Patterson,Srivatsan Parthasarathy,Daniel Boyko,Sirui Luo,Piotr Olejarz,Ara Arakelian. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Electrostatic discharge protection for high speed transceiver interface

Номер патента: US20230402448A1. Автор: Stuart Patterson,Srivatsan Parthasarathy,Daniel Boyko,Sirui Luo,Piotr Olejarz,Ara Arakelian. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Miniature passive structures, high frequency electrostatic discharge protection networks, and high frequency electrostatic discharge protection schemes

Номер патента: WO2013100861A1. Автор: Keping Wang,Kiat Seng Yeo,Kai Xue Ma. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-07-04.

Electrostatic discharge protection device for high voltage

Номер патента: US9768159B2. Автор: Roger A. Cline,Kyle C. Schulmeyer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US11811221B2. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-11-07.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20140092504A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Shih-Yu Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Esd protection device

Номер патента: US20160105947A1. Автор: Shingo Suzuki,Takahiro Fujimori,Masaharu Hirakawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Bidirectional electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20210005598A1. Автор: Guangyang Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20230411382A1. Автор: Ming-Hui Chen,Chiu-Tsung Huang,Hsiang-Hung Chang,Chih-Feng Lin. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20150262992A1. Автор: Che-Hong Chen. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US9425186B2. Автор: Che-Hong Chen. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20100302694A1. Автор: Yasuyuki Morishita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Electrostatic discharge protection devices

Номер патента: EP4391055A1. Автор: Robert J. Gauthier,Souvick Mitra,Rajendran Krishnasamy,Sagar Premnath KARALKAR,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Electrostatic discharge protection devices

Номер патента: US20240213240A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Rajendran Krishnasamy,Sagar Premnath KARALKAR,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20220037310A1. Автор: Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Integrated circuit with electrostatic discharge protection

Номер патента: EP3945578A1. Автор: Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Electrostatic discharge protection solutions

Номер патента: US9882377B2. Автор: You Li,WEN Liu,Giuseppe La Rosa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US11811222B2. Автор: Shao-Chang Huang,Ching-ho Li,Chih-Hsuan Lin,Ting-Yu Chang,Hsien-Feng LIAO,Chieh-Yao Chuang,Yeh-Ning Jou,Chang-Min Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20170069618A1. Автор: Ming-Dou Ker,Tzu-Chien Tzeng,Ju-Lin Huang,Federico Agustin ALTOLAGUIRRE. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-03-09.

Sensor chip with electrostatic discharge protection element

Номер патента: EP3292404A1. Автор: Tobias Schmid,Markus Graf,Stephan Braun,Lukas Hoppenau,Markus Wiget,Lukas Winkler. Владелец: SENSIRION AG. Дата публикации: 2018-03-14.

Semiconductor layout for electrostatic discharge protection, electrostatic discharge protection circuit, and method for forming the same

Номер патента: US11955474B2. Автор: Fang-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Electrostatic discharge protection circuit having false-trigger prevention mechanism

Номер патента: US11362515B2. Автор: Po-Ching Lin,Tay-Her Tsaur,Shih-Hsin Liao,Jyun-Ren Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Electrostatic discharge protection devices including a silicon-controlled rectifier

Номер патента: US20230343778A1. Автор: Souvick Mitra,Prantik Mahajan,Ajay,Vishal Ganesan,Ruchil Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Electrostatic discharge protection circuit having false-trigger prevention mechanism

Номер патента: US20220115865A1. Автор: Po-Ching Lin,Tay-Her Tsaur,Shih-Hsin Liao,Jyun-Ren Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US8525265B2. Автор: Ming-Dou Ker,Chun-Yu Lin,Chang-Tzu Wang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-09-03.

Electrostatic discharge protection of isfet sensors

Номер патента: CA2181591C. Автор: Ronald D. Baxter,James G. Connery,John D. Fogel,Spencer V. Silverthorne. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 2008-04-29.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US11404409B2. Автор: Ming-Fu Tsai,Tzu-Heng Chang,Yu-Ti Su,Kai-Ping Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Electrostatic discharge protection transistor element fabrication process

Номер патента: US5436183A. Автор: Stephen C. Park,Jeffrey B. Davis. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Electrostatic discharge (esd) protection structure utilizing floor plan design to protect integrated circuit from esd event, and related integrated circuit and esd protection method

Номер патента: US20190013309A1. Автор: Ching-Ling Tsai,Hung-Yi Chen. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Electrical discharge protection circuit and method of use

Номер патента: US20160036217A1. Автор: Chia-Wei Hsu,Jen-Chou Tseng,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Method and apparatus for electrostatic discharge protection

Номер патента: US9312255B2. Автор: Guangchun Tian. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Electrostatic discharge protection device and circuit thereof

Номер патента: US20060022272A1. Автор: Shiao-Shien Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Electrostatic discharge protection

Номер патента: US20230327429A1. Автор: Chia-Jung Chang,Chia-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Package device comprising electrostatic discharge protection element

Номер патента: US11848278B2. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Electrostatic discharge protection structure and chip

Номер патента: US20230420444A1. Автор: QIAN Xu,Bin Song,Tieh-Chiang Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: EP3944446A1. Автор: Ching-Yun Chang,Yi-Hsun Wu,Ming-Fang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: EP3975248A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Cross-domain electrostatic discharge protection

Номер патента: US12021077B2. Автор: Mikhail Yurievich Semenov,Gijs Jan De Raad,Yury Vladimirovich Alymov,Elena Valentinovna Somova. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-25.

Electrostatic discharge (esd) array with circuit controlled switches

Номер патента: US20240321781A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Electrostatic discharge protection circuit and design

Номер патента: US20200106266A1. Автор: Bhawna Tomar,Rohith Aravind Mahale,Seema Malhotra,Ajay Kanth Chitturi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for forming electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240055369A1. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Circuit for protection of differential amplifier inputs against electrostatic discharge

Номер патента: WO2001031708A8. Автор: Stephen Jonathan Brett. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2001-06-14.

Circuit for protection of differential amplifier inputs against electrostatic discharge

Номер патента: EP1236229A1. Автор: Stephen Jonathan Brett. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-04.

Circuit for protection of differential amplifier inputs against electrostatic discharge

Номер патента: EP1236229B1. Автор: Stephen Jonathan Brett. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Method for fabricating electrostatic discharge protecting transistor

Номер патента: US5545572A. Автор: Woo B. Lee,Se J. Oh,Tae J. Yeo,Jae W. Ko,Yung M. Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-13.

Electronic device and electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: WO2022110133A1. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN,Zhenzhe LI,Junyuan LV. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-02.

Device and method for electrostatic discharge protection

Номер патента: US20220140599A1. Автор: Hang FAN,Shui-Ming Cheng,Ming-Fang Lai. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Optically triggered electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20090230476A1. Автор: Thomas Joseph Krutsick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Electrostatic discharge protection structures for high speed technologies with mixed and ultra-low voltage supplies

Номер патента: WO2006014875A3. Автор: John Armer,Markus Paul Josef Mergens,Cornelius Christian Russ,Koen Gerard Maria Verhaege. Владелец: Sarnoff Europ Bvba. Дата публикации: 2006-09-08.

Circuit for electrostatic discharge protection for wide frequency range multi-band interfaces

Номер патента: WO2020005420A1. Автор: Harald Gossner,Krzysztof Domański,David Johnsson,Jenia ELKIND. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2020-01-02.

Electrostatic discharge protection structures for high speed technologies with mixed and ultra-low voltage supplies

Номер патента: WO2006014875A2. Автор: John Armer,Markus Paul Josef Mergens,Cornelius Christian Russ,Koen Gerard Maria Verhaege. Владелец: Sarnoff Europe Bvba. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor device, electronic system, and electrostatic discharge protection method for semiconductor device thereof

Номер патента: US12002803B2. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Single-gate-oxide power inverter and electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20220302699A1. Автор: Po-Hung Chen,Shao-Yu Chou,Kuo-Ji Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Single-gate-oxide power inverter and electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20210175707A1. Автор: Po-Hung Chen,Shao-Yu Chou,Kuo-Ji Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Electrostatic discharge protection network for large area transducer arrays

Номер патента: CA1310060C. Автор: Hsing Chien Tuan. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1992-11-10.

Low noise electrostatic discharge protection circuit for mixed signal CMOS integrated circuits

Номер патента: US6104588A. Автор: Dan Ion Hariton,Ronald Pasqualini. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US5412527A. Автор: John D. Husher. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 1995-05-02.

Method and device for electrostatic discharge protection

Номер патента: US20080116480A1. Автор: Jack L. Glenn,Mark W. Gose. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Device and method for electrostatic discharge protection

Номер патента: US11764572B2. Автор: Hang FAN,Shui-Ming Cheng,Ming-Fang Lai. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

On-die electrostatic discharge protection

Номер патента: WO2021034575A1. Автор: YE Lu,Kai Liu,Xiaoju YU. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-02-25.

On-die electrostatic discharge protection

Номер патента: EP4018475A1. Автор: YE Lu,Kai Liu,Xiaoju YU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Electrostatic discharge protection apparatus and integrated passive device with capacitors

Номер патента: US11088135B2. Автор: Tai-Jui Wang,Chieh-Wei Feng,Yu-Hua Chung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-08-10.

Electrostatic discharge protection device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240162218A1. Автор: Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Mei-Ling Chao,Chih Hsiang Chang,Yin-Chia Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20230049774A1. Автор: Jin Woo Kim,Yoon Sung Lee,Chang Seok SONG,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Electronic device and electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20220376493A1. Автор: Hang Liao,Chunhua ZHOU. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Electrostatic discharge protection apparatus and integrated passive device with capacitors

Номер патента: US20200212033A1. Автор: Tai-Jui Wang,Chieh-Wei Feng,Yu-Hua Chung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-07-02.

Electrostatic discharge protection device and electronic device having the same

Номер патента: US20180012883A1. Автор: Jin Heo,Han-Gu Kim,Jae-hyok Ko,Jong-Kyu Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

[electrostatic discharge protection circuit]

Номер патента: US20050088791A1. Автор: Tai-Ho Wang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Low voltage trigger and save area electrostatic discharge device

Номер патента: US20070048944A1. Автор: Chi Liu,Talee Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

Electrostatic Discharge Protection Device Having Multiple Pairs of PN Stripes and Methods of Fabrication Thereof

Номер патента: US20230378165A1. Автор: Zihao M. Gao,Xiaowei Ren. Владелец: Hoffmann & Baron LLP. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods for fabricating a compound semiconductor protection device for low voltage and high speed data lines

Номер патента: US20030176042A1. Автор: Vrej Barkhordarian. Владелец: Linfinity Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Electrostatic discharge protection of a capacitive type fingerprint sensing array

Номер патента: US7768273B1. Автор: Alan Kramer,Alexander Kalnitsky. Владелец: Upek Inc. Дата публикации: 2010-08-03.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US7466527B1. Автор: Yih-Cherng Juang. Владелец: ITE Tech Inc. Дата публикации: 2008-12-16.

Electrostatic discharge protection semiconductor structure and a method of manufacture

Номер патента: US20220028965A1. Автор: Hans-Martin Ritter. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-01-27.

Electronic discharge protective circuit for DRAM

Номер патента: US6121080A. Автор: Tsung-Chih Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Structure of manufacturing an electrostatic discharge protective circuit for SRAM

Номер патента: US6018183A. Автор: Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Electrostatic discharge protective circuit for semiconductor device

Номер патента: US6084272A. Автор: Hyuck-Chai Jung. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-04.

Electrostatic discharge protection for integrated circuit during back end-of-line processing

Номер патента: US20230378162A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Yu-Lin Chu,Tsung-Yuan Chen,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit electrostatic discharge protection

Номер патента: US20170302066A1. Автор: Wei Gao,Yi Lu,Handoko Linewih. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Common Centroid Electrostatic Discharge Protection for Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20100127782A1. Автор: James Karp. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor devices and arrangements for electrostatic discharge protection

Номер патента: US20160240525A1. Автор: Mayank Shrivastava,Christian Russ. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Failsafe input/output electrostatic discharge protection with diodes

Номер патента: US11870247B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Tzu-Heng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Failsafe Input/Output Electrostatic Discharge Protection With Diodes

Номер патента: US20220294211A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Tzu-Heng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20230326919A1. Автор: Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Mei-Ling Chao,Hou-Jen Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US11824349B2. Автор: Chung-Yu Huang,Han Hsin Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Fast triggering electrostatic discharge protection

Номер патента: US11804708B2. Автор: Jauwen Chen,Sunitha Venkataraman,Ting Ku. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Electrostatic discharge protection apparatus and method therefor

Номер патента: US8654492B2. Автор: Chih-Ting Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-18.

Failsafe Input/Output Electrostatic Discharge Protection With Diodes

Номер патента: US20240088651A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Tzu-Heng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Shared electrostatic discharge protection for integrated circuit output drivers

Номер патента: WO2011031349A1. Автор: James Karp,Richard C. Li. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-03-17.

Electrostatic discharge protection for salicided devices

Номер патента: US20010012666A1. Автор: Sheng Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Electrostatic discharge protection structure capable of preventing latch-up issue caused by unexpected noise

Номер патента: US20150236010A1. Автор: Yi-Chun Chen,Tien-Hao Tang,Lu-An CHEN,Li-Cih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US11742657B2. Автор: Jhih-Chun Syu,Chao-Lung Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Common centroid electrostatic discharge protection for integrated circuit devices

Номер патента: EP2353181A1. Автор: James Karp. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2011-08-10.

Method of fabricating electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20160268137A1. Автор: Yu-Chun Chen,Chang-Tzu Wang,Tien-Hao Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Distributed electrostatic discharge protection for chip-to-chip communications interface

Номер патента: EP3685436A1. Автор: Christoph Walter,Armin TAJALLI,Kiarash Gharibdoust. Владелец: Kandou Labs SA. Дата публикации: 2020-07-29.

Integrated circuit with electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US7974054B2. Автор: Ching-Jung Yang,Kun-Tai Wu. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Integrated circuit device including electrostatic discharge protection and current limiting circuitry

Номер патента: EP3929982A1. Автор: Steven Poon,Aman Sewani,Lan Vu,Nazar Haider,Shunjiang Xu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Shared electrostatic discharge protection for integrated circuit output drivers

Номер патента: EP2438614A1. Автор: James Karp,Richard C. Li. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-04-11.

Silicon-controlled rectifier for electrostatic discharge protection circuits and structure thereof

Номер патента: US20070034896A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US11855075B2. Автор: Do Hee KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Transistor switches with electrostatic discharge protection

Номер патента: EP4164127A1. Автор: Gijs Jan De Raad,Denizhan Karaca. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-04-12.

Transistor switches with electrostatic discharge protection

Номер патента: US12021076B2. Автор: Gijs Jan De Raad,Denizhan Karaca. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit with electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20090195949A1. Автор: Ching-Jung Yang,Kun-Tai Wu. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-08-06.

Electrostatic discharge using backside power distribution network

Номер патента: US20240363617A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Terence Hook,Anthony I. Chou,John Christopher Arnold,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuits with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20170194311A1. Автор: Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-06.

ESD protection device structure

Номер патента: US20090140340A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Integrated circuit (IC) package comprising electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US09853446B2. Автор: Shiqun Gu,Eugene Robert Worley,Urmi Ray,Ratibor Radojcic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Electrostatic discharge (esd) protection device

Номер патента: US20240234408A1. Автор: Kun-Hsien LIN,Zi-Ping Chen,Tun-Chih Yang. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Electrostatic discharge circuit having stable discharging mechanism

Номер патента: US20230170347A1. Автор: Chung-Yu Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Enhanced immunity from electrostatic discharge

Номер патента: EP2460274A1. Автор: James Karp. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-06-06.

Enhanced immunity from electrostatic discharge

Номер патента: WO2011014276A1. Автор: James Karp. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-02-03.

Electrostatic discharge (ESD) array with circuit controlled switches

Номер патента: US11817403B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Electrostatic discharge (esd) array with circuit controlled switches

Номер патента: US20230395534A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Electrostatic discharge (ESD) array with circuit controlled switches

Номер патента: US12033962B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Adaptive electrostatic discharge (esd) protection circuit

Номер патента: EP2656386A1. Автор: Philippe Deval,Nicolas Furrer,Bart De Geeter. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

Semiconductor device having a circuit for protecting the device from electrostatic discharge

Номер патента: US5521415A. Автор: Yasuo Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-05-28.

Adaptive electrostatic discharge (ESD) protection of device interface for local interconnect network (LIN) bus and the like

Номер патента: US7885047B2. Автор: Philippe Deval,Patrick Besseux,Randy Yach. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-08.

Electrostatic discharge (esd) protection device

Номер патента: US20140054707A1. Автор: Yeh-Ning Jou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Electrostatic discharge (esd) array with back end of line (beol) connection in a carrier wafer

Номер патента: US20240088137A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Techniques for protecting integrated circuitry from plasma-induced electrostatic discharge using a carrier substrate with junction features

Номер патента: EP4141931A1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Electrostatic discharge circuits and methods for operating the same

Номер патента: US12094870B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Tzu-Heng Chang,Pin-Hsin Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Device for protection against electrostatic discharges

Номер патента: US09997907B2. Автор: Jean Jimenez,Johan Bourgeat,Boris Heitz. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-06-12.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuit

Номер патента: US09997509B2. Автор: Muhammad Iqbal Chaudhry,Nathaniel Peachey. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Electrostatic protection circuit, integrated circuit and electrostatic discharge method

Номер патента: US11721688B2. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

ESD protection device

Номер патента: US11749673B2. Автор: Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Shu-Yu Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Electrostatic discharge device with metal option ensuring a pin capacitance

Номер патента: US20090135535A1. Автор: Dong Ju LIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Electrostatic discharge (esd) protection device and forming method thereof

Номер патента: US20200381415A1. Автор: Chun Chiang,Tien-Hao Tang,Ying-Wei Tseng,Ping-Chen CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

ESD Protection Device

Номер патента: US20240021603A1. Автор: Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Shu-Yu Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Overdrive electrostatic discharge clamp

Номер патента: US11916376B2. Автор: Jie-Ting Chen,Wei-Lun SUN. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method, device and system for protection of connection points for power supply from electrostatic discharge

Номер патента: RU2540837C2. Автор: Кристофер П. МОЗАК,Виктор ЗИА. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2015-02-10.

Electrostatic discharge circuit for cross domain esd protection

Номер патента: EP3785341A1. Автор: Gurupada Mandal. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-03.

Electrostatic discharge circuit for cross domain esd protection

Номер патента: US20190371787A1. Автор: Gurupada Mandal. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Electrostatic discharge (esd) protection in an electronic switching circuit

Номер патента: US20170278840A1. Автор: David Robbins,Swaminathan Muthukrishnan. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Electrostatic discharge network for driver gate protection

Номер патента: US11955796B2. Автор: Junjun Li,Hongrui Wang,Abbas Komijani. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Electrostatic Discharge Network for Driver Gate Protection

Номер патента: US20230352932A1. Автор: Junjun Li,Hongrui Wang,Abbas Komijani. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Electrostatic discharge devices for integrated circuits

Номер патента: US20140175610A1. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Yiheng XU. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-06-26.

Electrostatic discharge circuit and method of operating same

Номер патента: US20240120735A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Kuo-Ji Chen,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Esd protection device

Номер патента: US20230163118A1. Автор: Hans-Martin Ritter,Markus Mergens,Ansgar Thorns. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-25.

Electro-static discharge protection device

Номер патента: US20240105711A1. Автор: Minho Kim,Jin Heo,Chanhee Jeon,Jongkyu Song,Kyoungil Do,Jooyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Electrostatic discharge clamp circuit

Номер патента: US20240235189A9. Автор: Sukjin Kim,Sangyoung CHO,Chanhee Jeon,Eonguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

High voltage tolerant electrostatic discharge (esd) bus clamp

Номер патента: WO2002025734A3. Автор: Eugene R Worley. Владелец: Eugene R Worley. Дата публикации: 2002-10-10.

Protective circuit against electrostatic discharges

Номер патента: US12009358B2. Автор: Michael Graf,Henning Lohmeyer,Julia Rauh,Timo Seitzinger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-11.

Electrostatic discharge circuit for switching mode power supply

Номер патента: US20240055977A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Electrostatic discharge circuit and method of forming the same

Номер патента: US12046567B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit electrostatic discharge bus structure and related method

Номер патента: EP3844812A1. Автор: Zhiguo Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Integrated circuit electrostatic discharge bus structure and related method

Номер патента: EP4280267A2. Автор: Zhiguo Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Integrated Circuit Electrostatic Discharge Bus Structure and Related Method

Номер патента: US20200144174A1. Автор: Zhiguo Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Power supply clamp for electrostatic discharge (esd) protection having a circuit for controlling clamp time out behavior

Номер патента: US20190165571A1. Автор: Vicky Batra,Radhakrishnan Sithanandam. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-05-30.

Methods for producing stacked electrostatic discharge clamps

Номер патента: US8921942B2. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Amaury Gendron. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-12-30.

Electrostatic discharge (esd) device and method of fabricating

Номер патента: US20140061803A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Kiran V. Chatty,Mujahid Muhammad,Shunhua Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Protection structure for protection from electrostatic discharge and integrated circuit

Номер патента: US20040218335A1. Автор: Nils Jensen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-04.

Integrated circuit with device for protection against electrostatic discharges

Номер патента: US20110279936A1. Автор: Sergio Pernici,Pierangelo Confalonieri,Riccardo Martignone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-11-17.

Electrostatic discharge (esd) protection structure

Номер патента: US20240243120A1. Автор: Bo-Shih Huang,Han-Sheng Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Ultra-low leakage electrostatic discharge device with controllable trigger voltage

Номер патента: US20220115864A1. Автор: Wei Liang,Alain Loiseau,Souvick Mitra,Anindya Nath,Zhiqing Li. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of improving an electrostatic discharge characteristic in a flash memory device

Номер патента: US6421278B1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Electrostatic Discharge Device and Split Multi Rail Network with Symmetrical Layout Design Technique

Номер патента: US20180130793A1. Автор: Marcus Peitz. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2018-05-10.

Electrostatic discharge circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240347483A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Device for protection against electrostatic discharges

Номер патента: US20240372359A1. Автор: Fabrice Guitton,Eric Laconde,Jerome Heurtier. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-11-07.

Electrostatic discharge (ESD) clamp

Номер патента: US09716016B2. Автор: Chia-Wei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Electrostatic protection devices for protecting semiconductor integrated circuitry

Номер патента: US5744840A. Автор: Kwok Kwok Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-04-28.

Esd protection device

Номер патента: EP4213209A1. Автор: Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Markus Mergens. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-19.

Compact protection device for protecting an integrated circuit against electrostatic discharge

Номер патента: US11887982B2. Автор: Johan Bourgeat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2024-01-30.

Esd protection device

Номер патента: US20230223750A1. Автор: Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Markus Mergens. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Compact protection device for protecting an integrated circuit against electrostatic discharge

Номер патента: US20190267367A1. Автор: Johan Bourgeat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2019-08-29.

Compact protection device for protecting an integrated circuit against electrostatic discharge

Номер патента: US20180254270A1. Автор: Johan Bourgeat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-09-06.

Compact protection device for protecting an integrated circuit against electrostatic discharge

Номер патента: US20210193648A1. Автор: Johan Bourgeat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2021-06-24.

Circuit for electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US5903419A. Автор: Jeremy C. Smith. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-05-11.

Circuit for electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US5917336A. Автор: Jeremy C. Smith,Stephen G. Jamison. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-06-29.

Integrated circuit incorporating a system of protection against electrostatic discharges

Номер патента: US5515226A. Автор: FranÅois Tailliet. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1996-05-07.

Method for preventing electrostatic discharge failure in an integrated circuit package

Номер патента: US5712753A. Автор: Ta-Lee Yu,Yang-Sen Yeh,Kow-Liang Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Method for preventing electrostatic discharge failure in an integrated circuit package

Номер патента: US5715127A. Автор: Ta-Lee Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Radio frequency receiver chip with improved electrostatic discharge level

Номер патента: US20060290455A1. Автор: Tae Kim,Minsu Jeong. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-28.

Three stage ESD protection device

Номер патента: US5672896A. Автор: Mong-Song Liang,Jin-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1997-09-30.

Electrostatic discharge circuits and methods for operating the same

Номер патента: US11798936B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Tzu-Heng Chang,Pin-Hsin Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

System electrostatic discharge circuit

Номер патента: US20190074679A1. Автор: Pao-Shu Chang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Electrostatic discharge (esd) protection in radio frequency (rf) switch circuitry

Номер патента: US20240039276A1. Автор: Turusan Kolcuoglu,Alp OGUZ,Atilim ERGUL,Celal Avci. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-02-01.

Voltage Switchable Dielectric for Die-Level Electrostatic Discharge (ESD) Protection

Номер патента: US20120248582A1. Автор: Shiqun Gu,Yiming Li,Ratibor Radojcic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Voltage switchable dielectric for die-level electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: WO2012135832A2. Автор: Shiqun Gu,Yiming Li,Ratibor Radojcic. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-10-04.

Voltage switchable dielectric for die-level electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: US20130316526A1. Автор: Shiqun Gu,Yiming Li,Ratibor Radojcic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Electrostatic discharge shunt for semiconductor devices

Номер патента: US20150187748A1. Автор: Jia-Sheng Huang. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Electrostatic discharge circuits and methods for operating the same

Номер патента: US20230369316A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Tzu-Heng Chang,Pin-Hsin Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Circuit of protection against electrostatic discharges

Номер патента: US20190296545A1. Автор: Mathieu Rouviere. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2019-09-26.

Electrostatic discharge (ESD) array with back end of line (BEOL) connection in a carrier wafer

Номер патента: US11855076B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Electrostatic discharge (esd) protection circuit

Номер патента: US20150325568A1. Автор: Muhammad Iqbal Chaudhry,Nathaniel Peachey. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Techniques for protecting integrated circuitry from plasma-induced electrostatic discharge using a carrier substrate with junction features

Номер патента: US20230069107A1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Electrostatic discharge protection device with power management

Номер патента: US09583938B2. Автор: Derick G. Behrends,Todd A. Christensen,Anthony G. Aipperspach,David W. Siljenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Electrostatic discharge protection device with power management

Номер патента: US20160322812A1. Автор: Derick G. Behrends,Todd A. Christensen,Anthony G. Aipperspach,David W. Siljenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Electrostatic discharge protection for electrostatically actuated microrelays

Номер патента: US20040125520A1. Автор: Paul Zavracky,Nicol McGruer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Display module having electrostatic discharge protection wiring, and display device comprising same

Номер патента: EP4404286A1. Автор: Hyunjun Kim,Dooyoung KIM,Jihoon Park,Seulki Jeong,Yonghoon YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Display module having electrostatic discharge protection wiring, and display device comprising same

Номер патента: US20240292582A1. Автор: Hyunjun Kim,Dooyoung KIM,Jihoon Park,Seulki Jeong,Yonghoon YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Display module having electrostatic discharge protection wiring and display apparatus including the same

Номер патента: KR20230100381A. Автор: 김현준,박지훈,정슬기,김두영,여용훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-07-05.

Method for protecting an optoelectronic device from electrostatic discharges

Номер патента: US20240120296A1. Автор: Frederic Mayer,Xavier Hugon,Frederic Mercier,lvan-Christophe Robin. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2024-04-11.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor circuit

Номер патента: US20240234411A1. Автор: Liang-Yu SU,Hang FAN,Ming-Fang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Electrostatic discharge protection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09780084B2. Автор: Guangyang Wang,Meng Dai,Zhongyu Lin,Yonghai HU. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor circuit

Номер патента: US11973076B2. Автор: Liang-Yu SU,Hang FAN,Ming-Fang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Electrostatic Discharge Protection Structure And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20160181237A1. Автор: Guangyang Wang,Meng Dai,Zhongyu Lin,Yonghai HU. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Electrostatic discharge protection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9343454B2. Автор: Guangyang Wang,Meng Dai,Zhongyu Lin,Yonghai HU. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20030067039A1. Автор: Meng-Huang Liu,Shin Su,Tao-Cheng Lu,Chun-Hsiang Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US5562489A. Автор: David V. Cronin. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1996-10-08.

Electrostatic discharge protection chip and driving circuit

Номер патента: US09847303B2. Автор: Xiaoyu Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Three dimensional integrated circuit electrostatic discharge protection and prevention test interface

Номер патента: US09900970B2. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Apparatus and method of feeding internal calibration signal through electro-static discharge protection circuitry

Номер патента: US20080077346A1. Автор: Bing-Jye Kuo,Shou-Tsung Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for assembling fins-type heat sink

Номер патента: US8291590B2. Автор: Ken Hsu,Kuo-Len Lin,Chen-Hsiang Lin,Chih-Hung Cheng,Chiao-Li Huang. Владелец: CpuMate Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Electrostatic discharge protection of electronic component embedded in laminate of printed circuit board

Номер патента: US20230164911A1. Автор: Thomas Gebhard,Petteri Palm,Mahadi-Ul Hassan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-05-25.

Integrated circuit package architecture with improved electrostatic discharge protection

Номер патента: US20010003376A1. Автор: Shi-Tron Lin. Владелец: WINBLOD ELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2001-06-14.

T-coil network design for improved bandwidth and electrostatic discharge immunity

Номер патента: US20120188671A1. Автор: James Karp,Toan D. Tran,Vassili Kireev. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Electrostatic discharge protection circuits using carbon nanotube field effect transistor (cntfet) devices and methods of making same

Номер патента: US20140268444A1. Автор: Claude L. Bertin. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device comprising ESD protection circuit for protecting circuit from being destructed by electrostatic discharge

Номер патента: US20040119159A1. Автор: Makoto Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Electrostatic discharge protection for modular equipment

Номер патента: US09627884B2. Автор: Andrew P. Kaufman,Keith O. Satula. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Electrostatic discharge protection circuit, display substrate and display apparatus

Номер патента: US20210223831A1. Автор: Xiaolin Wang,Yajie BAI,Zhuo Xu,Yongli GE,Tongguo MA. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Electrostatic discharge protection circuit, display substrate and display apparatus

Номер патента: US11579667B2. Автор: Xiaolin Wang,Yajie BAI,Zhuo Xu,Yongli GE,Tongguo MA. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-14.

Electrostatic discharge protected integrated circuit module

Номер патента: CA1186418A. Автор: Allen J. Wright. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1985-04-30.

Three dimensional integrated circuit electrostatic discharge protection and prevention test interface

Номер патента: US20180153026A1. Автор: HAO CHENG,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Three dimensional integrated circuit electrostatic discharge protection and prevention test interface

Номер патента: US20200245439A1. Автор: HAO CHENG,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Three dimensional integrated circuit electrostatic discharge protection and prevention test interface

Номер патента: US20160113099A1. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Three dimensional integrated circuit electrostatic discharge protection and prevention test interface

Номер патента: US10652987B2. Автор: HAO CHENG,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Method for assembling fins-type heat sink

Номер патента: US20120137518A1. Автор: Ken Hsu,Kuo-Len Lin,Chen-Hsiang Lin,Chih-Hung Cheng,Chiao-Li Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-07.

Multichip semiconductor structures with interchip electrostatic discharge protection, and fabrication methods therefore

Номер патента: US5703747A. Автор: Steven Howard Voldman,Paul Evans Bakeman, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-30.

Self-healing electrostatic discharge power clamp

Номер патента: US20150348960A1. Автор: You Li,Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Electrostatic discharge protection for cmos amplifier

Номер патента: WO2016137648A1. Автор: Prasad Srinivasa Siva Gudem,Li-Chung Chang,Dongling Pan,Eugene Robert Worley,Ahmed Abdel Monem Youssef. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

Electrostatic Discharge Protection of Transistor Devices

Номер патента: US20190237967A1. Автор: Horst Knoedgen,Nebojsa Jelaca,Christoph N. Nagl. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Electrostatic discharge protection for cmos amplifier

Номер патента: US20160254789A1. Автор: Prasad Srinivasa Siva Gudem,Li-Chung Chang,Dongling Pan,Eugene Robert Worley,Ahmed Abdel Monem Youssef. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Electrostatic discharge protection for cmos amplifier

Номер патента: EP3262753A1. Автор: Prasad Srinivasa Siva Gudem,Li-Chung Chang,Dongling Pan,Eugene Robert Worley,Ahmed Abdel Monem Youssef. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

Electrostatic discharge protection device for integrated circuit

Номер патента: US5545909A. Автор: Richard K. Williams,Peter Hille,Robert G. Wrathall. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1996-08-13.

Electrostatic discharge protection for level-shifter circuit

Номер патента: US09647452B2. Автор: Chia-Hung Chu,Kuo-Ji Chen,Chia-Hui Chen,Ming-Hsiang Song,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Light-emitting diode package having electrostatic discharge protection function and method of fabricating the same

Номер патента: US8129726B2. Автор: Hung-Lieh Hu,Chih-Tsung Shih,Chen-Peng Hsu,Shih-Tsai Huang,Hsin-Yun Tsai,Kuan-Chieh Tu,Bing-Ru Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-03-06.

Apparatus and Method for Electrostatic Discharge Protection

Номер патента: US20110214924A1. Автор: Richard Brian Nelson,Armando Leon Perezselsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Electrostatic discharge protection and method in power supply

Номер патента: CA2977024C. Автор: Tahir Ahmad. Владелец: La Z Boy Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Electrostatic discharge protection circuit for implantable medical device

Номер патента: EP2874696A1. Автор: William J. Linder,Keith R. Maile,Ron A. Balczewski,Lance E. Juffer,Nicholas J. Stessman,Mark Duane JANSEN. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2015-05-27.

Packaging mold with electrostatic discharge protection

Номер патента: US6844617B2. Автор: Chih-Pin Hung,Juang-Sheng Chiang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2005-01-18.

Packaging mold with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20030094680A1. Автор: Chih-Pin Hung,Juang-Sheng Chiang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2003-05-22.

Package for a light emitting element with integrated electrostatic discharge protection

Номер патента: US7528422B2. Автор: Thomas Murphy. Владелец: Hymite AS. Дата публикации: 2009-05-05.

Touch pad module with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20070040246A1. Автор: Ming-Te Lin,I-Tai Chen. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2007-02-22.

An electrostatic discharge protection arrangement

Номер патента: WO2013085531A1. Автор: William John Testin,Ronald Gene WOLENTY. Владелец: Technicolor Usa, Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

Test pin array with electrostatic discharge protection

Номер патента: WO2013023360A1. Автор: Kek Hing Kow. Владелец: ESD TECHNOLOGY CONSULTING & LICENSING CO., LTD. Дата публикации: 2013-02-21.

Spark gap apparatus and method for electrostatic discharge protection

Номер патента: EP1612898B1. Автор: Douglas Edgar Fregin,Tim O. Cheung. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2007-08-29.

Spark gap apparatus and method for electrostatic discharge protection

Номер патента: EP1612897B9. Автор: Douglas Edgar Fregin,Tim O. Cheung. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Electrostatic discharge protection structure and method for forming the same

Номер патента: US20140361400A1. Автор: Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Electrostatic discharge protection in integrated circuits using materials with optically controlled electrical conductivity

Номер патента: US20210202403A1. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Veronica Aleman Strong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Test pin array with electrostatic discharge protection

Номер патента: US9408284B2. Автор: Kek Hing Kow. Владелец: ESD Technology Consulting and Licensing Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Test pin array with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20140204500A1. Автор: Kek Hing Kow. Владелец: ESD Technology Consulting and Licensing Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of creating electrostatic discharge protection in a microelectronic module

Номер патента: US20060028780A1. Автор: Peter Pessl,Franz Zängl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-09.

Output circuits with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20130293993A1. Автор: Chun-Chi Chen,Sheng-Fu Hsu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Electrostatic discharge and electrical overstress detection circuit

Номер патента: US20230170690A1. Автор: Xiong Zhang,Chunlai SUN. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Electrostatic discharge protection for modular equipment

Номер патента: US8923012B2. Автор: Andrew P. Kaufman,Keith O. Satula. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Distributed electrostatic discharge protection circuit with varying clamp size

Номер патента: WO2008027663A2. Автор: James W. Miller,Melanie Etherton,Michael G. Khazhinsky,Michael Stockinger. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-03-06.

Networked electrostatic discharge measurement

Номер патента: US20170336458A1. Автор: Wei Guo,LIN Zhao,Weifeng Zhang,Qiuyi Yu,Licen Mu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of manufacturing an integrated circuit involving performing an electrostatic discharge test and electrostatic discharge test system performing the same

Номер патента: US20220091171A1. Автор: Youngsoo JANG,Heesu KIM,Bonggyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: US20130127046A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson,Ronnie A. Lindley,Matthiew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: WO2010118350A1. Автор: Shiqun Gu,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-14.

Apparatus for protection against electrostatic discharge and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220231501A1. Автор: Chun Geik Tan. Владелец: Hangzhou Geo Chip Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Apparatus and arrangement for shielding a light emitting diode against electrostatic discharge

Номер патента: WO2005057656A1. Автор: Jari Jekkonen,Ari Pekkarinen,Pasi Saukonoja. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2005-06-23.

Electrostatic discharge unit

Номер патента: WO2017207300A1. Автор: Andreas Skupin,Markus Renner. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-12-07.

I/O device, method for providing ESD protection for an I/O device and ESD protection device for an I/O device

Номер патента: US9545041B2. Автор: Da-Wei Lai,Taede Smedes. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-01-10.

Electrostatic discharge and overdrive protection circuitry

Номер патента: US11764204B2. Автор: Franklin M. Murden,Srivatsan Parthasarathy,Ralph D. Moore,Javier Salcedo,John Guido,Peter DELOS. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device having noise isolation between power regulator circuit and electrostatic discharge clamp circuit

Номер патента: EP3614429A1. Автор: Kuo-Chun Hsu,Shih-Fan Chen,Tai-Hsiang Lai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-02-26.

Modified electrostatic discharge arrangement within a single multiple-integrated circuit package

Номер патента: US8587069B1. Автор: Dhiraj Sogani. Владелец: Wi2Wi Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

Reducing susceptibility to electrostatic discharge damage during die-to-die bonding for 3-d packaged integrated circuits

Номер патента: EP2539931A1. Автор: Arvind Chandrasekaran,Brian Matthew Henderson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-01-02.

Reducing susceptibility to electrostatic discharge damage during die-to-die bonding for 3-d packaged integrated circuits

Номер патента: WO2011106346A1. Автор: Arvind Chandrasekaran,Brian Matthew Henderson. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-09-01.

Current source device for electrostatic discharge and display device including the same

Номер патента: EP4383242A1. Автор: Ji Hwan Kim,Min Cheol Kong. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Electrostatic discharge memristive element switching

Номер патента: WO2016122473A1. Автор: Ning Ge,Brent Buchanan,Richard J AULETTA. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-08-04.

Electrostatic discharge memristive element switching

Номер патента: US20180006449A1. Автор: Ning Ge,Brent Buchanan,Richard J. Auletta. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-01-04.

Electrostatic discharge memristive element switching

Номер патента: EP3251149A1. Автор: Ning Ge,Brent Buchanan,Richard J AULETTA. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-06.

T-coil network design for improved bandwidth and electrostatic discharge immunity

Номер патента: US20110113401A1. Автор: James Karp,Toan D. Tran,Vassili Kireev. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

T-coil network design for improved bandwidth and electrostatic discharge immunity

Номер патента: EP2499583A1. Автор: James Karp,Toan D. Tran,Vassili Kireev. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

T-coil network design for improved bandwidth and electrostatic discharge immunity

Номер патента: WO2011056270A1. Автор: James Karp,Toan D. Tran,Vassili Kireev. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-05-12.

Current source device for electrostatic discharge and display device including the same

Номер патента: US20240196498A1. Автор: Ji Hwan Kim,Min Cheol Kong. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Electrostatic discharge guard structure

Номер патента: EP3400613A1. Автор: Eric Bernier,Dominic John Goodwill,Dritan CELO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-14.

Electrostatic discharge guard structure

Номер патента: WO2017190479A1. Автор: Eric Bernier,Dominic John Goodwill,Dritan CELO. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-09.

Defect evaluation method for evaluating defect due to electrostatic discharge and defect evaluation device performing the same

Номер патента: US20240175907A1. Автор: Young Je Cho,Sang Do Yu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Electrostatic discharge guard structure

Номер патента: US09806112B1. Автор: Eric Bernier,Dominic John Goodwill,Dritan CELO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Electrostatic discharge circuit and liquid crystal display device including the same

Номер патента: US09772532B2. Автор: Hoon Jeong,Sang Hee Yu,Sang Woon Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Source driving integrated circuits including an electrostatic discharge circuit and related layout method

Номер патента: US09735053B2. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Visually detecting electrostatic discharge events

Номер патента: US09711422B2. Автор: David J. Hill,John T. KINNEAR, JR.,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard,Heather M. TRUAX. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor Device and Methods of Making and Using an Enhanced Carrier to Reduce Electrostatic Discharge

Номер патента: US20240355655A1. Автор: Youngjun Kim,Moonsu Han,DongChae Kim,Ilhan Jung,Cheolsoo Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

On chip electrostatic discharge (ESD) event monitoring

Номер патента: US09673116B2. Автор: John B. DeForge,Kirk D. Peterson,Junjun Li,Alain F. Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Circuit protection device

Номер патента: US4887182A. Автор: Martin Sweet. Владелец: Raychem Ltd. Дата публикации: 1989-12-12.

Electrostatic discharge circuit and display panel

Номер патента: US20210325741A1. Автор: Zhenfei Cai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method to improve chip scale package electrostatic discharge performance and suppress marking artifacts

Номер патента: US20010039073A1. Автор: Ian Morgan,Colin Hatchard,Richard Blish. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Electrostatic discharge (esd) circuit, array substrate and display device

Номер патента: EP4120235A1. Автор: Chunping Long,Jianbo Xian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-18.

Method of manufacturing an integrated circuit involving performing an electrostatic discharge test and electrostatic discharge test system performing the same

Номер патента: US11650237B2. Автор: Youngsoo JANG,Heesu KIM,Bonggyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-16.

Circuit arrangement for protection against electrostatic discharges and a method for operating same

Номер патента: US20140233145A1. Автор: Dieter Maier. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Integrated circuit package with improved electro-static discharge protection

Номер патента: US20050242415A1. Автор: Robert Abraham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

ESD protection device

Номер патента: US09780559B2. Автор: Shingo Suzuki,Takahiro Fujimori,Kiyoshi Hatanaka,Kensaku Asakura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Electrostatic discharge protective gear in portable communication device

Номер патента: RU2204871C2. Автор: Йёран ПЕРССОН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон. Дата публикации: 2003-05-20.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: CA2188928A1. Автор: David V. Cronin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-11-09.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: CA2188928C. Автор: David V. Cronin. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 2001-10-30.

Vertical cavity surface emitting laser with integrated electrostatic discharge protection

Номер патента: US20060118877A1. Автор: Jimmy Tatum,James Guenter,Jose Aizpuru. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Antenna device and electrostatic discharge protection method thereof

Номер патента: US11417952B2. Автор: Chih-Wei Wang. Владелец: Pegatron Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO1996038888A1. Автор: David V. Cronin. Владелец: Polaroid Corporation. Дата публикации: 1996-12-05.

Electrostatic discharge protection shield device

Номер патента: US20040132325A1. Автор: Holger Janssen,Yat Yu,Ian Liu,Alec Ho,Reza Yazdi,Kenny Hong Che. Владелец: VTech Telecommunications Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

Optoelectronic device electrostatic discharge protection

Номер патента: WO2007095325A3. Автор: Darren Crews. Владелец: Darren Crews. Дата публикации: 2007-10-04.

Optoelectronic device electrostatic discharge protection

Номер патента: WO2007095325A2. Автор: Darren Crews. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-08-23.

Method for electrostatic discharge protection in receiver and associated receiver

Номер патента: US11283259B2. Автор: Guo-Yuan Luo,Shou-Te Yen,Yan-Jyun Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Electrostatic discharge protection using conductive nanoparticles

Номер патента: WO2008027058A3. Автор: Joseph C Fjelstad,Alan Rae,Kevin P Grundy,Simon A Brown. Владелец: Simon A Brown. Дата публикации: 2008-07-24.

Esd protection device and method for producing the same

Номер патента: US20130279064A1. Автор: Yoshihito OTSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuit and method

Номер патента: US20100073834A1. Автор: Hans A. Troemel, Jr.,Brian R. Mcclure. Владелец: Panasonic Automotive Systems Company of America. Дата публикации: 2010-03-25.

Inflator socket pin collar for integrated circuit initaitor with integral metal oxide varistor for electro-static discharge protections

Номер патента: US5616881A. Автор: David D. Hansen. Владелец: Morton International LLC. Дата публикации: 1997-04-01.

Antenna device and electrostatic discharge protection method thereof

Номер патента: US20210151872A1. Автор: Chih-Wei Wang. Владелец: Pegatron Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Matrix addressable display with electrostatic discharge protection

Номер патента: US5844370A. Автор: David A. Cathey,Glen E. Hush,David A. Zimlich,Manny K. F. Ma,Craig M. Dunham. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Non-common-ground bandpass filter circuit with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20210068239A1. Автор: Wei-Ting Tsai,Shau-Gang Mao,Ting-Wei Wu,Yu-Yao Chen,Chong-Yi Liou,Jin-Feng NEO,Zheng-An Peng,Tsu-Yu LO,Je-Yao CHANG,Chien-Bang Chen,Shih-Ping Huang. Владелец: Iwave Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Electrostatic Discharge Protection Receiving System

Номер патента: US20070085746A1. Автор: Yum-Cheng Chang,Ter-Ming Tang. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Electrostatic discharge protection system for window coverings

Номер патента: US09822584B2. Автор: Willis Jay Mullet,Craig Peter Anderson. Владелец: Watt Stopper Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

An electrostatic discharge device with movable shield

Номер патента: GB2398185A. Автор: Holger Janssen,Reza Ahmadian Yazdi,Ian Liu,Alec Ho,Yat Shun Yu,Kenny Veng Hong Che. Владелец: VTech Communications Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Electrostatic discharge protection in a portable communication device

Номер патента: MY123189A. Автор: Goran Persson. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 2006-05-31.

Method for electrostatic discharge protection in receiver and associated receiver

Номер патента: US20200185914A1. Автор: Guo-Yuan Luo,Shou-Te Yen,Yan-Jyun Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Integrated Antenna and Electrostatic Discharge Protection

Номер патента: US20130182880A1. Автор: Perry Jarmuszewski,Yihong Qi,Qian Huang,Rongrong Zhang. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Suppression of noise from electrostatic discharges by means of early discharge of stepped metal element

Номер патента: RU2727128C1. Автор: Тома ТОНДЮ,Мари-Элен ДЕБРЮ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2020-07-20.

Improved meander microstrip delay line, which protects from electrostatic discharge

Номер патента: RU2691844C1. Автор: Тальгат Рашитович Газизов,Роман Сергеевич Суровцев,Александр Вячеславович Носов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2019-06-18.

Corona discharge protection tape and electric machine

Номер патента: RU2693702C2. Автор: Бернхард КЛАУССНЕР,Клаус ШЕФЕР,Иржи ЛАНГ,Штеффен ЛАНГ,Гвидо ШМИДТ,Кристиан ШУЛЬЦ-ДРОСТ,Кристиан ШТАУБАХ,Александер ЛИТИНСКИ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2019-07-04.

Electrostatic discharge protected fuse and fuse holder

Номер патента: US6064292A. Автор: David J. Pongracz. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-05-16.

Electrostatic discharge protection system for window coverings

Номер патента: WO2015179361A1. Автор: Willis Jay Mullet,Craig Peter Anderson. Владелец: QMOTION INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-26.

Electrostatic discharge protection system for window coverings

Номер патента: US20150333510A1. Автор: Willis Jay Mullet,Craig Peter Anderson. Владелец: QMotion Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Meander microstrip line of delay, which protects from electrostatic discharge

Номер патента: RU2694741C1. Автор: Тальгат Рашитович Газизов,Роман Сергеевич Суровцев,Александр Вячеславович Носов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2019-07-16.

Electrode, method for preparing same, and electrostatic discharge system comprising same

Номер патента: EP4393599A1. Автор: Jae Ho Oh,Jeong Hoon Byeon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation Of Yeungnam University. Дата публикации: 2024-07-03.

ESD protection device and method for producing the same

Номер патента: US9398673B2. Автор: Yoshihito OTSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Unit of discharger protecting against overvoltage

Номер патента: RU2155402C2. Автор: Норберт Микли,Штеффен Бориш. Владелец: Рейкем ГмбХ. Дата публикации: 2000-08-27.

Discharge gap filling composition and electrostatic discharge protector

Номер патента: US20110317326A1. Автор: Yoshimitsu Ishihara,Hirofumi Inoue,Mina Onishi,Yukihiko Azuma. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-12-29.

Electrostatic discharge safe under conveyor antenna

Номер патента: EP2140384A1. Автор: Peter J. Goidas,Zhong-Min Liu,Raymond R. Hillegass. Владелец: Accu Sort Systems Inc. Дата публикации: 2010-01-06.

Connector cap to inhibit damage to a connector due to electrostatic discharge

Номер патента: US20030008543A1. Автор: SUNG Kim,Youn Kim,Gregory Tran. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-09.

Wearable Device Control Module with Electrostatic Discharge (ESD) Protection

Номер патента: US20240334666A1. Автор: Daniel D. Gonsalves,James Piper Miglietta. Владелец: Bose Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Electrostatic discharge mitigation tubing

Номер патента: US12135108B2. Автор: John Leys,Barry L. Gregerson. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Wearable device control module with electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: WO2024205757A1. Автор: Daniel D. Gonsalves,James Piper Miglietta. Владелец: Bose Corporation. Дата публикации: 2024-10-03.

Arrangement for protection against electrostatic discharge in electronic apparatuses

Номер патента: US6084759A. Автор: Johan Uggmark,Mats Hansson,Anders Onshage. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-07-04.

Planar contact array switch having improved ground path for dissipating electrostatic discharges

Номер патента: WO1984004850A1. Автор: John P Holland. Владелец: Allen Bradley Co. Дата публикации: 1984-12-06.

Planar contact array switch having improved ground path for dissipating electrostatic discharges

Номер патента: CA1200320A. Автор: John P. Holland. Владелец: Allen Bradley Co LLC. Дата публикации: 1986-02-04.

Electronic circuit protection device

Номер патента: US20030087540A1. Автор: David Dawson,Matthew Gawron,George Kopacz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Keypad overlay with electrostatic discharge dissipation

Номер патента: US12035449B2. Автор: Long Qian,William Miller,Jozsef Varga,Hao CAO,Heming Song. Владелец: Mettler Toledo LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Esd clip for protecting an electronic device against electrostatic discharge

Номер патента: WO1997022160A1. Автор: Ching Kwok Wong,Franciscus Christiaan Van Dorst. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-06-19.

Filter with electrostatic discharge mitigation sleeve

Номер патента: US20240252961A1. Автор: Yasuji Suzuki. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Electrostatic discharge contact

Номер патента: US20100099282A1. Автор: Robert Neil Mulfinger,John Joseph Consoli,Richard Flof Hamner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Protection of device from electrostatic discharge (ESD) damage

Номер патента: US9472949B2. Автор: Icko E. T. Iben,Myron H. GENTRUP,Robert G. Biskeborn,Ho-Yiu Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

System and method for providing electrostatic discharge (esd) protection and electromagnetic interference (emi) protection

Номер патента: EP2102941A1. Автор: Ronald Keen. Владелец: TTE Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-23.

A packaging unit for protecting electronic components from electrostatic discharge, paper for a packing unit and a method of manufacturing said paper

Номер патента: EP1383690B1. Автор: Lars-Anders Ulfheim,Stefan THORÉN. Владелец: Smurfit Munksjo Packaging AB. Дата публикации: 2006-06-21.

Ground sensing plug for determining the amount of electrostatic discharge using a neural network

Номер патента: US20240319255A1. Автор: Jiyoun Kim. Владелец: Worldhomedoctor Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

A packaging unit for protecting electronic components from electrostatic discharge, paper for a packing unit and a method of manufacturing said paper

Номер патента: EP1383690A1. Автор: Lars-Anders Ulfheim,Stefan THOR N. Владелец: Smurfit Munksjo Packaging AB. Дата публикации: 2004-01-28.

Electrode, manufacturing method therefor, and electrostatic discharge system comprising same

Номер патента: EP4429410A1. Автор: Jae Ho Oh,Jeong Hoon Byeon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation Of Yeungnam University. Дата публикации: 2024-09-11.

Overvoltage protection devices containing plate made from varistor material

Номер патента: RU2416834C2. Автор: Шериф И. КЭМЕЛ,Зафирис ПОЛИТИС,Константинос САМАРАС. Владелец: Рейкэп Корпорейшн. Дата публикации: 2011-04-20.

Overvoltage protection device with state alarm

Номер патента: RU2412496C2. Автор: Йозеф ЧЕРНИКА. Владелец: Кива Спол. С Р.О.. Дата публикации: 2011-02-20.

Converter module protection device

Номер патента: RU2455723C2. Автор: Вернер Хартманн,Йорг ДОРН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2012-07-10.

Device for controlling grounding of medium voltage electrical protection device, formed by at least two electrical protection devices

Номер патента: RU2662237C2. Автор: Серж ТЕРПАН,Флоран ПИТИ. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2018-07-25.

Connector cap to inhibit damage to a connector due to electrostatic discharge

Номер патента: US20050181648A1. Автор: SUNG Kim,Youn Kim,Gregory Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Electrostatic discharge mitigation device

Номер патента: US11988308B2. Автор: Jeffrey J. Mckenzie,James C. Linder. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Over-discharge protection for electrochemical cells

Номер патента: US20240234742A9. Автор: Lu Yu. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2024-07-11.

Over-current protection device

Номер патента: US20170018339A1. Автор: David Shau Chew Wang,Chun Teng Tseng,Yao Te Chang,Tsungmin Su. Владелец: Polytronics Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Electrostatic discharge protection apparatus and method for data transceiver

Номер патента: US12088090B1. Автор: Shaowu HUANG,Dance Wu. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Electrostatic discharge protection for microwave guided wave structure

Номер патента: US20080094773A1. Автор: Marc H. Popek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20070093088A1. Автор: Mingsen Hsiao. Владелец: Inventec Appliances Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20240222959A1. Автор: Tzu-Chun Liu,Ke-Yuan Chen. Владелец: Via Next Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Electrostatic discharge protection device and electrostatic discharge detector circuit

Номер патента: US20190341772A1. Автор: Hsin-Cheng HSU,Po-Ching Lin,Tay-Her Tsaur. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Electrostatic discharge protection device of an electric apparatus

Номер патента: US8422181B2. Автор: Lin Lin,Chih-Chiang Lin. Владелец: Dongguan Masstop Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Stacked clamps electrostatic discharge protection device

Номер патента: US20210044106A1. Автор: Sven Van Wijmeersch,Stefaan Verleye,Benjamin Ernest Henri Virginie Van Camp. Владелец: Sofics BV. Дата публикации: 2021-02-11.

Electrostatic discharge protection network for chip

Номер патента: US12081018B2. Автор: Ling Zhu,Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Display and Electrostatic Discharge Protection Apparatus

Номер патента: US20140055893A1. Автор: Wen-Cheng Chang,Kuo-Cheng Lu. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

High voltage tolerant electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20090161273A1. Автор: Xiaoming Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Display and electrostatic discharge protection apparatus

Номер патента: US8995102B2. Автор: Wen-Cheng Chang,Kuo-Cheng Lu. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Electrostatic discharge control and isolation system for spraying systems

Номер патента: US09861999B2. Автор: Bradley H. Hines,Robert W. Kinne,Steven R. Kuczenski,Jimmy W. Tam,Dale C. Pemberton. Владелец: GRACO MINNESOTA INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Electrostatic discharge protection apparatus

Номер патента: US20180351351A1. Автор: Chia-Ku Tsai. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Electrostatic discharge protection apparatus

Номер патента: US20070279830A1. Автор: Jen-Chen Wu,Yao-Jia Chiou,Yao-Ching Tsai. Владелец: Quanta Storage Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US8385034B2. Автор: Shin-Tai Lo. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Electrostatic discharge protection circuit for chip

Номер патента: US20230007947A1. Автор: Ling Zhu,Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Electrostatic discharge protection circuit and organic light emitting display device including the same

Номер патента: US20210225290A1. Автор: Dae-Gwang Jang,Ha Neul Kim,Ho Cheol Kang,Young-soo Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Electrostatic discharge protection circuit for chip

Номер патента: US12088091B2. Автор: Ling Zhu,Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180212422A1. Автор: Cheng-Pang Chan,Chien-Ming Wu,Jian-Ru LIN,Liang-Huan Lei. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Electret condenser microphone for noise isolation and electrostatic discharge protection

Номер патента: US20100208919A1. Автор: Book Sung Park,Seung Hun Paek,Jin Man Jang,Kwang Yeong Park. Владелец: PANTECH CO LTD. Дата публикации: 2010-08-19.

Methods and arrangement for protecting against electrostatic discharge

Номер патента: WO2010019502A1. Автор: Gregory L. Williams,Kwanghyun D. Choi. Владелец: Kyocera Wireless Corp.. Дата публикации: 2010-02-18.

Electret condenser microphone for noise isolation and electrostatic discharge protection

Номер патента: US20050196010A1. Автор: Book Sung Park,Seung Hun Paek,Jin Man Jang,Kwang Yeong Park. Владелец: Curitel Communications Inc. Дата публикации: 2005-09-08.

Transient blocking apparatus with electrostatic discharge protection

Номер патента: WO2006122058A3. Автор: Richard A Harris. Владелец: Richard A Harris. Дата публикации: 2008-09-25.

Electrostatic discharge protection circuit with a fail-safe mechanism

Номер патента: US20150288174A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Christopher S. Putnam,James P. Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Cascoded NPN electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20020060890A1. Автор: Jonathan Brodsky,Robert Steinhoff,Thomas Vrotsos. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Drain-ballasted electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20240372360A1. Автор: James E. Davis,Gregory A. King,Michael D. Chaine,Liuchun Cai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Electrostatic discharge protection network for chip

Номер патента: US20230009631A1. Автор: Ling Zhu,Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Low parasitic capacitance electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20110211285A1. Автор: Huei Wang,Bo-Jr Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Low parasitic capacitance electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US8305718B2. Автор: Huei Wang,Bo-Jr Huang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2012-11-06.

Band-pass structure electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20110181990A1. Автор: Huei Wang,Bo-Jr Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Electrostatic discharge protection circuit and electronic circuit

Номер патента: US20240170953A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Yeh-Ning Jou,Chun-Chih Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Surface acoustic wave resonator with piston mode design and electrostatic discharge protections

Номер патента: EP4285485A1. Автор: Volker Schulz,Philipp Michael JAEGER. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Electrostatic discharge protection for sensors in wound therapy

Номер патента: US20240215906A1. Автор: Ben Alan ASKEM,Allan Kenneth Frazer Grugeon Hunt,Felix Clarence Quintanar,Daniel Lee Steward,Fernando BETTANI,Alberto FASAN. Владелец: Smith and Nephew PLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Electrostatic discharge protection for a printed circuit board

Номер патента: CA1297206C. Автор: Ronald Charles Robinson,Ronald Gordon Field. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1992-03-10.

Material handling container with electrostatic discharge protection

Номер патента: WO2024073317A3. Автор: Ethan Robert ARGETSINGER. Владелец: Schaefer Plastics North America, Llc. Дата публикации: 2024-05-16.

Material handling container with electrostatic discharge protection

Номер патента: WO2024073317A2. Автор: Ethan Robert ARGETSINGER. Владелец: Schaefer Plastics North America, Llc. Дата публикации: 2024-04-04.

Transmit-receive switch with harmonic distortion rejection and electrostatic discharge protection

Номер патента: US12047111B2. Автор: Saihua LIN. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Transmit-receive switch with harmonic distortion rejection and electrostatic discharge protection

Номер патента: US20240356577A1. Автор: Saihua LIN. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Electrostatic discharge control and isolation system for spraying sytems

Номер патента: WO2012097360A3. Автор: Bradley H. Hines,Robert W. Kinne,Steven R. Kuczenski,Jimmy W. Tam,Dale C. Pemberton. Владелец: GRACO MINNESOTA INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

Camera module with electrostatic discharge protection

Номер патента: AU2022440629B2. Автор: Tsung-Dar Cheng,Jingyu Huang,Alexander P. Wroblewski,Warwick Ka Kui Wong,Weifeng PAN,Llang Ching TSENG. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20130027821A1. Автор: Tien-Hao Tang,Tai-Hsiang Lai,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Electrostatic discharge control and isolation system for spraying sytems

Номер патента: EP2663405A2. Автор: Bradley H. Hines,Robert W. Kinne,Steven R. Kuczenski,Jimmy W. Tam,Dale C. Pemberton. Владелец: GRACO MINNESOTA INC. Дата публикации: 2013-11-20.

Electrostatic discharge protection arrangement for frequency converter

Номер патента: US20240074128A1. Автор: Yuedong Liu,Tingzhong Peng. Владелец: Zhejiang Holip Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Electrostatic discharge protection for electrical components, devices including such protection and methods for making the same

Номер патента: US9000453B2. Автор: David Hamby,Adam Scotch. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Camera module with electrostatic discharge protection

Номер патента: AU2022440629A1. Автор: Tsung-Dar Cheng,Jingyu Huang,Alexander P. Wroblewski,Warwick Ka Kui Wong,Weifeng PAN,Llang Ching TSENG. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Electrostatic discharge protection system

Номер патента: US4439809A. Автор: Merle E. Weight,Theodore S. Swenson. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1984-03-27.

Audio device with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20240179462A1. Автор: Donna Marie Sullivan,Thomas Aquinas Nilsen,Mark Mccauley,Richmond Andrew Real,Scott C. PERZANOSKI,James Joung-Mo KANG. Владелец: Bose Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Electrostatic discharge protection with hysteresis trigger circuit

Номер патента: US5463520A. Автор: Dale H. Nelson. Владелец: AT&T IPM Corp. Дата публикации: 1995-10-31.

Electrostatic Discharge Protection Apparatus

Номер патента: US20130201586A1. Автор: Cynthia Ann Torres,Timothy Alan Rost,Senthil Kumar Sundaramoorthy,Victor James Nuss. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Electrostatic discharge protection circuit and electronic system utilizing the same

Номер патента: US20090279219A1. Автор: Cheng-Huang Yu. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Electrostatic discharge protection circuit having high allowable power-up slew rate

Номер патента: US9172241B2. Автор: Jau-Wen Chen. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-10-27.

Esd protection devices for a differential pair of transistors

Номер патента: WO2003012951A3. Автор: Roy A Colclaser,James R Spehar. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-05-22.

Esd protection devices for a differential pair of transistors

Номер патента: EP1417758A2. Автор: Roy A. Colclaser,James R. Spehar. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Esd protection devices for a differential pair of transistors

Номер патента: WO2003012951A2. Автор: Roy A. Colclaser,James R. Spehar. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-02-13.

Input output circuit and electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20220247171A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Shih-Yu Wang,Wen-Tsung Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

System and method for electrostatic discharge protection

Номер патента: US20230199385A1. Автор: Kun Meng,Zhenhui Wang,Liying Wu. Владелец: Plantronics Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

System and method for electrostatic discharge protection

Номер патента: US11991508B2. Автор: Kun Meng,Zhenhui Wang,Liying Wu. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-05-21.

Electrostatic discharge protection

Номер патента: US20100110596A1. Автор: William PUGSLEY. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Camera module with electrostatic discharge protection

Номер патента: WO2024030150A1. Автор: Tsung-Dar Cheng,Jingyu Huang,Liang Ching Tseng,Alexander P. Wroblewski,Warwick Ka Kui Wong,Weifeng PAN. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Packaging substrate with electrostatic discharge protection

Номер патента: US6777793B2. Автор: Kuang-Lin Lo,Meng-Tsang Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2004-08-17.

Camera module with electrostatic discharge protection

Номер патента: EP4342186A1. Автор: Tsung-Dar Cheng,Jingyu Huang,Alexander P. Wroblewski,Warwick Ka Kui Wong,Weifeng PAN,Llang Ching TSENG. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2024-03-27.

Packaging substrate with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20030090861A1. Автор: Kuang-Lin Lo,Meng-Tsang Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2003-05-15.

Electrostatic discharge protection scheme for high-definition multimedia interface transmitters

Номер патента: US8659859B1. Автор: Guangjun He,Xiaojun Zhu. Владелец: Ambarella Inc. Дата публикации: 2014-02-25.

Glow-discharge protective device for electrical machine stator winding

Номер патента: RU2099843C1. Автор: Шулер Роланд. Владелец: Асеа Браун Бовери АГ. Дата публикации: 1997-12-20.

Housing for electrostatic discharge protection of a portable communication device

Номер патента: GB2519264A. Автор: Chan Kee Cheah,Ping Teoh Wool,Kong Hor Weng,Stephen D Hunt,Peter Christopher C Jan. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2015-04-15.

Cartridge having improved electrostatic discharge protection

Номер патента: US4531176A. Автор: II Robert L. Beecher. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1985-07-23.

Electrostatic discharge protection for sensors in wound therapy

Номер патента: EP3681548A1. Автор: Ben Alan ASKEM,Allan Kenneth Frazer Grugeon Hunt,Felix Clarence Quintanar,Daniel Lee Steward,Fernando BETTANI,Alberto FASAN. Владелец: Smith and Nephew PLC. Дата публикации: 2020-07-22.

Post-driver with low voltage operation and electrostatic discharge protection

Номер патента: US11855613B2. Автор: Chin-Hua Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Electrostatic discharge protection for sensors in wound therapy

Номер патента: US11931165B2. Автор: Ben Alan ASKEM,Allan Kenneth Frazer Grugeon Hunt,Felix Clarence Quintanar,Daniel Lee Steward,Fernando BETTANI,Alberto FASAN. Владелец: Smith and Nephew PLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Sensor component with enhanced acoustic overload point and electrostatic discharge protection

Номер патента: US20180352330A1. Автор: Igor Mucha,Marek Matej,Peter Pracny. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Handheld device with electrostatic discharge protection

Номер патента: US6816384B2. Автор: James Wu,Morgan Liu,Steven Peng. Владелец: High Tech Computer Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Surface acoustic wave resonator with piston mode design and electrostatic discharge protections

Номер патента: US11929734B2. Автор: Volker Schulz,Philipp Michael JAEGER. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Post-driver with low voltage operation and electrostatic discharge protection

Номер патента: US20230387903A1. Автор: Chin-Hua Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Post-driver with low voltage operation and electrostatic discharge protection

Номер патента: US20240088883A1. Автор: Chin-Hua Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of electrostatic discharge protection of magnetic heads in a magnetic storage system

Номер патента: MY115075A. Автор: Surya Pattanaik,Randall George Simmons,A David Erpelding. Владелец: Hitachi Global Storage Tech Nl. Дата публикации: 2003-03-31.

Electrostatic discharge protection for sensors in wound therapy

Номер патента: AU2018327682B2. Автор: Ben Alan ASKEM,Allan Kenneth Frazer Grugeon Hunt,Felix Clarence Quintanar,Daniel Lee Steward,Fernando BETTANI,Alberto FASAN. Владелец: Smith and Nephew PLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Programmable electrostatic discharge (esd) protection device

Номер патента: WO2007146557A2. Автор: Babak Taheri,Dan Zupcau,Thurman John Rodgers. Владелец: Cypress Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2007-12-21.

Static event detection/protection device

Номер патента: US6172496B1. Автор: James P. Karins,Niels F. Jacksen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-01-09.

Electrostatic Discharge Clamp

Номер патента: US20150138679A1. Автор: Kent Charles Oertle,Ramachandran Venkatasubramanian. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Destructive Electrostatic Discharge Damage Prevention of Garments

Номер патента: NZ605657B. Автор: John Charles Turner. Владелец: John Charles Turner. Дата публикации: 2014-10-29.

Electrostatic discharge clamp circuit for ultra-low power applications

Номер патента: US09716381B2. Автор: Dennis Sylvester,Jae-Yoon Sim,David Blaauw,Yen-Po Chen,Yoonmyung Lee,Massimo Alioto. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-07-25.

Top-load electrostatic discharge bag for components

Номер патента: EP4383972A1. Автор: Jimmy Chun-Chuen Leung. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Destructive electrostatic discharge damage prevention of garments

Номер патента: NZ605657A. Автор: John Charles Turner. Владелец: John Charles Turner. Дата публикации: 2014-07-25.

Destructive electrostatic discharge damage prevention of garments

Номер патента: GB201300741D0. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-27.

Method and apparatus for protecting a circuit assembly from electrostatic discharge

Номер патента: US20040226732A1. Автор: David Pommerenke,Randy Cunningham. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-11-18.

Compensating for an electrostatic discharge capacitance load

Номер патента: US20110248789A1. Автор: Michael J. Castillo,Xing Jian Cai,Ke W. Wang,Neffody E. Kraskoff,Wei Z. Gao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Top-load electrostatic discharge bag for components

Номер патента: US12084252B2. Автор: Jimmy Chun-Chuen Leung. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus for electrostatically discharging a primary packaging container made of plastics

Номер патента: US20180027639A1. Автор: Christian Haase,Klaus Reichert,Tatjana BUERKER. Владелец: Hoffmann La Roche Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Method and apparatus for electrostatically discharging a primary packaging container made of plastics

Номер патента: EP3278635A1. Автор: Christian Haase,Klaus Reichert,Tatjana BUERKER. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2018-02-07.

Touch panel module and electrostatic discharging method

Номер патента: US09814133B2. Автор: Chih-Chang Lai,He-Wei Huang,Wing-Kai Tang,Ching-Yang Pai. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-11-07.

Electronic devices having electrostatic discharge paths

Номер патента: US09807919B2. Автор: Kelvin Kwong. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Destructive electrostatic discharge damage prevention of garments

Номер патента: US09490630B2. Автор: John C. Turner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-08.

Battery charge and discharge protection device and method

Номер патента: EP4250517A1. Автор: Yi-Nan Tsai. Владелец: Mipro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Battery charge and discharge protection device and method

Номер патента: EP4254716A1. Автор: Yi-Nan Tsai. Владелец: Mipro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Battery charge and discharge protection device and method

Номер патента: US20230299597A1. Автор: Yi-Nan Tsai. Владелец: Mipro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Electrical over stress protection device

Номер патента: US11894671B2. Автор: Chang-Ting Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Electrical over stress protection device

Номер патента: US20230402834A1. Автор: Chang-Ting Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Electronic device and method for protecting against damage by electrostatic discharge

Номер патента: WO2013119611A1. Автор: Markus Rommel. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-08-15.

Electric arc discharge protection device

Номер патента: US20050122066A1. Автор: Chin-Wen Chou,Eddie Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Emergency override of battery discharge protection

Номер патента: EP2622706A2. Автор: Craig W. Northway,Craig M. Brown,Michael W. Paddon,Jessica M. Purser. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Emergency override of battery discharge protection

Номер патента: WO2012050782A2. Автор: Craig W. Northway,Craig M. Brown,Michael W. Paddon,Jessica M. Purser. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-04-19.

Electrostatic discharge trigger circuit using voltage detection circuit to detect occurrence of electrostatic discharge event and associated method

Номер патента: EP4325678A3. Автор: Po-Ya Lai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Method and system for shielding an externally mounted circuit board from electrostatic discharge and mechanical damage while allowing for heat exchange from heat-producing components of the circuit board through the circuit board shield into an external environment

Номер патента: US20020080591A1. Автор: Herbert Tanzer,Michal Warzecha,Timothy Sheridon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Electrostatic discharge systems for autonomous mobile robots

Номер патента: US20190202301A1. Автор: John P. O'brien. Владелец: iRobot Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Printed circuit board capable of resisting electrostatic discharge and routing method thereof

Номер патента: US20060152869A1. Автор: Wei-Chih Liu,Chih-Chiang Su,Chieh-Chih Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Method for protecting a system circuit from electrostatic discharge

Номер патента: US20060217268A1. Автор: Chin-Yuan Lin. Владелец: A Vision Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Electrostatic discharge mitigator for vehicles

Номер патента: US20170057389A1. Автор: Robert Leon Dickerman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-02.

Electronic device with electrostatic discharging detent spring

Номер патента: WO2024137125A1. Автор: Daniel D. Gonsalves,Thomas George Andrikowich. Владелец: Bose Corporation. Дата публикации: 2024-06-27.

Current-mirror-based electrostatic discharge clamping circuit and current-mirror-based electrostatic discharge detector

Номер патента: US09948092B2. Автор: Tay-Her Tsaur,Cheng-Cheng Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Electrostatic discharge mitigator for vehicles

Номер патента: US09751444B2. Автор: Robert Leon Dickerman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-05.

Electrostatic discharge (ESD) control circuit

Номер патента: US09620957B2. Автор: Yu-Ying Hsu,Li-Wei Chu,Jen-Chou Tseng,Tzu-Heng Chang,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuit, integrated circuit, and electrostatic discharge method

Номер патента: US11929610B2. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Arc discharge protection apparatus operating in current detection mode

Номер патента: US20070109706A1. Автор: Chin-Wen Chou,Ying-Nan Cheng. Владелец: Zippy Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Telephone receiver with electrostatic discharge prevention

Номер патента: US5440630A. Автор: Yoshinori Wada,Takuro Yamaguchi,Mark A. Armstrong. Владелец: Mitel Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Electrostatic discharge mitigation of vacuum cleaners

Номер патента: US20230309774A1. Автор: Sanjay Bora,Anthony R. SLECK,Nathan Beining. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Over-discharge protection circuit, battery protection board, and electronic device

Номер патента: EP4258511A1. Автор: CHEN ZHU,Lei Cao,Ting Huang,Haibin Zhou. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Programmable electrostatic discharge (esd) protection device

Номер патента: WO2007146557A3. Автор: Babak Taheri,Dan Zupcau,Thurman John Rodgers. Владелец: Thurman John Rodgers. Дата публикации: 2008-02-21.

Top-load electrostatic discharge bag for components

Номер патента: US20240190637A1. Автор: Jimmy Chun-Chuen Leung. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Gaskets for protecting fingerprint readers from electrostatic discharge surges

Номер патента: WO2007104033A2. Автор: Shelby Ball. Владелец: LAIRD TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-09-13.

Electrostatic discharge chair cover with a grounding disc

Номер патента: SG173434A1. Автор: Kek Hing Kow. Владелец: Kek Hing Kow. Дата публикации: 2011-09-29.

Amplifier for improving electrostatic discharge characteristic

Номер патента: US20080055006A1. Автор: Yo-Jong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Headset with electrostatic discharge reduction

Номер патента: EP2606656A1. Автор: James Wahl,Paul Reynolds,Gordon Slippy. Владелец: Vocollect Inc. Дата публикации: 2013-06-26.

Adjustable mobile electrostatic discharging cart

Номер патента: US10881040B1. Автор: Kenneth Randall Herreid,Max Diederich,Brent Sandstrom. Владелец: Kendall Howard. Дата публикации: 2020-12-29.

Printed circuit board to prevent electrostatic discharge

Номер патента: US20110186337A1. Автор: Chun-Jen Chen,Tsung-Sheng Huang,Wei-Chieh Chou,Duen-Yi Ho. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Biometric sensor and system level electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: US20240275164A1. Автор: Imre Knausz. Владелец: IDEX Biometrics ASA. Дата публикации: 2024-08-15.

Electrostatic discharge chair cover with a grounding disc

Номер патента: EP2382848A1. Автор: Kek Hing Kow. Владелец: ESD Technology Consulting and Licensing Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-02.

Electrostatic discharge clamp compatible with a fast ramping supply

Номер патента: WO2013141864A1. Автор: Timothy J. Maloney,Sami Hyvonen,Chinmay P. JOSHI. Владелец: Maloney Timothy J. Дата публикации: 2013-09-26.

Electrostatic discharge chair with a grounding disc

Номер патента: US20110267735A1. Автор: Kek Hing Kow. Владелец: ESD Technology Consulting and Licensing Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Double time-constant for electrostatic discharge clamping

Номер патента: US20050134295A1. Автор: Jeffrey Blumenthal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-23.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuit

Номер патента: US09972999B2. Автор: Nathaniel Peachey. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Systems and apparatus for controlling electrostatic discharge on electronic circuit board

Номер патента: US09860974B2. Автор: Donald Siu. Владелец: Panasonic Avionics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Modified sensor module for head protection device

Номер патента: RU2731018C2. Автор: Бенджамин А. ДЖОНСОН,Стивен Т. АВИСЗУС,Киран С. КАНУКУРТХЫ,Марк А. ЭГЕЛАНД,Чарльз П. ДЖЕНЦ,Джеймс Э. НАШ,Мило Дж. ОИЕН-РОЧАТ. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2020-08-28.

Led display with protective devices

Номер патента: RU2700006C1. Автор: Цзиньфэн ХЭ,Чжэньли ЯН. Владелец: ЮНИЛУМИН ГРУП КО., ЛТД.. Дата публикации: 2019-09-12.

Modified sensor module for a head protection device

Номер патента: RU2708277C1. Автор: Бенджамин А. ДЖОНСОН,Стивен Т. АВИСЗУС,Киран С. КАНУКУРТХЫ,Марк А. ЭГЕЛАНД,Чарльз П. ДЖЕНЦ,Джеймс Э. НАШ,Мило Дж. ОИЕН-РОЧАТ. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of storing electrostatic discharge sensitive devices

Номер патента: US4817263A. Автор: Robert R. Wilkie,Dennis C. Donalson. Владелец: WR Grace and Co. Дата публикации: 1989-04-04.

Electrostatic discharge trigger circuit using voltage detection circuit to detect occurrence of electrostatic discharge event and associated method

Номер патента: US20240063633A1. Автор: Po-Ya Lai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Devices and systems for controlling electrostatic discharge on electronic devices

Номер патента: US20190357340A1. Автор: Donald Siu. Владелец: Panasonic Avionics Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Device for a controlled electrostatic discharge in persons

Номер патента: WO2013109196A8. Автор: Tase Lazovski,Emil Benko,DOTT. CAV. Angelo PORCARO. Владелец: Porcaro Dott Cav Angelo. Дата публикации: 2014-09-18.

Electrostatic discharge trigger circuit using voltage detection circuit to detect occurrence of electrostatic discharge event and associated method

Номер патента: EP4325678A2. Автор: Po-Ya Lai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Electrostatic discharge robust design for input device

Номер патента: US11997777B2. Автор: John Stephen Smith,Vipin Ayanoor-Vitikkate,Zhibin Wang,Blake R. MARSHALL,Ying Cao,Mohammadali Khorrami,Daniel Jacob Benjamin Bechstein,Robert Ubo LIU. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Device for a controlled" electrostatic discharge in persons

Номер патента: WO2013109196A3. Автор: Emil Benko,DOTT CAV. Angelo PORCARO. Владелец: Lazovski, Tase. Дата публикации: 2013-11-07.

Device for a controlled electrostatic discharge in persons

Номер патента: EP2805592A2. Автор: Angelo Porcaro,Tase Lazovski,Emil Benko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-26.

Device for a controlled" electrostatic discharge in persons

Номер патента: WO2013109196A2. Автор: Emil Benko,DOTT CAV. Angelo PORCARO. Владелец: Lazovski, Tase. Дата публикации: 2013-07-25.

Battery pack charging and discharging protection system

Номер патента: EP4344015A3. Автор: Xian Zhuang,Baoan Li,Yanliang ZHU,Huage Wang. Владелец: Globe Jiangsu Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Electrostatic discharge protection device for an optical disc drive

Номер патента: US20080285189A1. Автор: Chen-Fu Chang,Hsien-Chung Ou,Li-Li Yang. Владелец: Quanta Storage Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Fingerprint sensor having electrostatic discharge protection

Номер патента: US09984275B2. Автор: Chun-Chi Wang,Tsung-Yin Chiang,Chung-An Tang. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Photolithographic reticles with electrostatic discharge protection structures

Номер патента: WO2010051286A3. Автор: Peter J. McElheny,Jeffrey T. Watt,Che Ta Hsu. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-07-29.

Photolithographic reticles with electrostatic discharge protection structures

Номер патента: WO2010051286A2. Автор: Peter J. McElheny,Jeffrey T. Watt,Che Ta Hsu. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-05-06.

Process and device for filling with a hardenable filler gaps where corrosive attack can occur in tube and fin type heat exchangers

Номер патента: US4342150A. Автор: Karl Mack,Zdenek Maly. Владелец: Schweizerische Aluminium AG. Дата публикации: 1982-08-03.

Extruded fin-type weatherstrip

Номер патента: CA1221580A. Автор: Gerald Kessler. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-05-12.

Plate fin type heat exchanger for high temperature

Номер патента: US20030075308A1. Автор: Tetsuo Abiko,Jyuni Tujii,Takashi Eta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Plate-fin-type heat exchanger

Номер патента: US5035284A. Автор: Shoichi Kashima,Junichi Oya. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Shorted magnetoresistive head leads for electrical overstress and electrostatic discharge protection during manufacture of a magnetic storage system

Номер патента: US5465186A. Автор: Christopher H. Bajorek,Albert J. Wallash,Surya Pattanaik,A. David Erpelding,Neil L. Robertson,Glen A. Garfunkel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Electrostatic discharge testing method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060109596A1. Автор: Sachio Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-25.

Packaging mold with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20030072832A1. Автор: Kuang-Lin Lo,Meng-Tsang Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

Electrostatic discharge protection structures for liquid crystal displays

Номер патента: US09841644B2. Автор: Shih-Chang Chang,Kyung-Wook Kim,Byung Duk Yang,Yong Kwan Kim,Kwang Soon Park. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Electrostatic discharge protection system of a micro device

Номер патента: WO2023155088A1. Автор: Qiming Li,Hongyun LIU,Chunming LI,Jing JU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2023-08-24.

Systems and methods for electrostatic discharge protection

Номер патента: US20230074863A1. Автор: Steven Wong,Jay Chung,Bryan Mok,Tony Tsang,Wayne Gan. Владелец: Stripe Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Corrugated fin type heat exchanger

Номер патента: US11828545B2. Автор: Masato Murayama,Kohsuke SEGUCHI,Shotaro KATAKURA. Владелец: T Rad Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method and apparatus forming fin-type back seal using cohesive sealants without externally applied heat

Номер патента: US4555289A. Автор: William D. Kreager. Владелец: Frito Lay Inc. Дата публикации: 1985-11-26.

Inflator initiator with zener diode electrostatic discharge protection

Номер патента: US5672841A. Автор: David D. Hansen,David B. Monk,Mark B. Woodbury. Владелец: Morton International LLC. Дата публикации: 1997-09-30.

Ferrule protected from electrostatic discharge

Номер патента: WO2013115860A3. Автор: James P. Irwin,Christopher Michael HANSOM,Nathan Michael KELLEY. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2013-12-05.

Electrostatic discharge protected ferrule

Номер патента: WO2013115860A2. Автор: James P. Irwin,Christopher Michael HANSOM,Nathan Michael KELLEY. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2013-08-08.

Roller Type Electrostatic Spinning Apparatus

Номер патента: US20120003344A1. Автор: Jen-Hsiung Lee,Yu-Chun Tang,Haw-Jer Chang,Tzu-Hsiang Huang. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated suspension for an information storage system having electrostatic discharge protection

Номер патента: US5680274A. Автор: Darrell Dean Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Heater chip for inkjet printhead with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20060221141A1. Автор: George Parish. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

System for indicating fault condition on operator's electrostatic discharge protection equipment

Номер патента: US5519384A. Автор: Robert Macpherson,Jim King,Gerard Chanudet,Gerard Gourdin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Electrostatic discharge protection of a power efficient stylus for an electronic device

Номер патента: WO2021202612A3. Автор: . Владелец: Shapirten Laboratories LLC. Дата публикации: 2021-11-11.

Display device with electrostatic discharge protection

Номер патента: US5323254A. Автор: Michael G. Pitt. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-06-21.

Legged robot with electrostatic discharging assembly and robot leg

Номер патента: WO2023147841A1. Автор: Joel Schlienger,Taihei Ueno,Mehmet Mutlu,Ayla WATSUJI. Владелец: Anybotics Ag. Дата публикации: 2023-08-10.

High pressure resistant initiator with integral metal oxide varistor for electro-static discharge protection

Номер патента: US5932832A. Автор: II Harry W. Miller,David D. Hansen,David B. Monk,Mark B. Woodbury,Virginia E. Chandler,Gerold W. Pratt. Владелец: Autoliv ASP Inc. Дата публикации: 1999-08-03.

Strike ring based electrostatic discharge protection

Номер патента: US20060203403A1. Автор: Richard Schediwy,Bob Mackey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method and apparatus for electrostatic discharge protection in a removable cartridge

Номер патента: US6628474B1. Автор: Todd R. Shelton,Jeffery D. Penman. Владелец: Iomega Corp. Дата публикации: 2003-09-30.

Iteratively simulating electrostatic discharges for a reduced netlist

Номер патента: US09836562B2. Автор: Qing He,Alexander Korobkov,Wai Chung William Au. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Electrostatic discharge mitigation for a first spacecraft operating in proximity to a second spacecraft and related methods

Номер патента: AU2024204697A1. Автор: Matthew Alan Michel,William A. LLORENS,Christina AGATHON-BURTON,Dewey Edwin Cochran,Ronald Lynn Graham,Gregg A. Herbert. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Transfer type electrostatic copying apparatus

Номер патента: US4345834A. Автор: Hiroshi Kimura,Yutaka Shigemura,Masahiko Hisajima. Владелец: Mita Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-24.

Rotating speed control device of a rotary type electrostatic spray painting device

Номер патента: CA1252285A. Автор: Naoki Yamada,Hitoshi Takeuchi,Shogo Ooishi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1989-04-11.

Safety belt with an electrostatic discharger on a seat of a transport means such as a vehicle, a plane

Номер патента: EP3188933A1. Автор: Tase Lazovski,Emil Benko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-12.

Electrostatic discharge structure of liquid crystal display panel, liquid crystal display panel and liquid crystal display device

Номер патента: US20190064613A1. Автор: Dan Lin. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method and system for testing a semiconductor device against electrostatic discharge

Номер патента: US09897644B2. Автор: Philippe Debosque,Patrice Besse,Alain SALLES,Stephane Compaing. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Electrostatic discharge mitigation for a first spacecraft operating in proximity to a second spacecraft and related methods

Номер патента: NZ758963A. Автор: Matthew Michel,Ronald Graham,Christina AGATHON-BURTON,Dewey Cochran,Gregg Herbert,William Llorens. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-11-24.

Electrostatic discharge mitigation for a first spacecraft operating in proximity to a second spacecraft and related methods

Номер патента: NZ758963B2. Автор: Matthew Alan Michel,Dewey Edwin Cochran,Ronald Lynn Graham,William A Llorens,Burton Christina Agathon,Gregg A Herbert. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2024-02-27.

Cleaning liquid purification device for use in wet-type electrostatic photography

Номер патента: US3790466A. Автор: H Akiyama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1974-02-05.

Electrostatic discharge generator

Номер патента: GB2297175A. Автор: Sam Quon Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-07-24.

Transfer type electrostatic copying apparatus

Номер патента: US4260238A. Автор: Toru Nakazawa,Nobuhiko Kozuka. Владелец: Mita Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-07.

Capacitance-type electrostatic servo acceleration sensor

Номер патента: US5612494A. Автор: Tomio Shibano. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-18.

Electrostatic discharge locating apparatus and method

Номер патента: US6064340A. Автор: Joseph C. Bernier,Rex Lowther,Gregg D. Croft. Владелец: Intersil Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Electrostatic discharge simulation

Номер патента: WO2005072163A3. Автор: Nui Chong,Stewart Logie,Farrokh Kia Omid-Zohoor. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-09-09.

Electrostatic discharge device, liquid crystal display panel and display apparatus

Номер патента: US20210109411A1. Автор: Yuyeh Chen,Yusheng Huang. Владелец: Xianyang Caihong Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Electrostatic discharge device, liquid crystal display panel and display apparatus

Номер патента: US11112660B2. Автор: Yuyeh Chen,Yusheng Huang. Владелец: Xianyang Caihong Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Polymer composition suitable for electrostatic discharge applications

Номер патента: WO2024082077A1. Автор: Xiaoling Lynn XU,Sheng Ying QIAN. Владелец: SOLVAY SPECIALTY POLYMERS USA, LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Systems and methods for monitoring and detecting electrostatic discharge (esd) conditions and events

Номер патента: WO2023245198A3. Автор: Daan STEVENSON,Jonathan Tapson. Владелец: Iona Tech Llc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for preventing or minimizing electrostatic discharge and dielectric breakdown in electric vehicle powertrains

Номер патента: EP3523408A1. Автор: James T. Carey,David G. L. Holt,Samuel FLORES-TORRES. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2019-08-14.

IC tester for preventing damage from electrostatic discharge and operation method thereof

Номер патента: US6924635B2. Автор: Cheng-Huang Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Ic tester for preventing damage from electrostatic discharge and operation method thereof

Номер патента: US20040178786A1. Автор: Cheng-Huang Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Control system for electrostatic discharge mitigation

Номер патента: US20040079744A1. Автор: Philip Leung,John Bodeau. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-04-29.

Optically-pumped magnetometer (opm) with an opm connector that mitigates electrostatic discharge (esd) and stores opm operational data

Номер патента: US20230243902A1. Автор: Orang Alem,Kenneth Jeramiah Hughes,Tyler Louis Maydew. Владелец: Fieldline Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Method and system for efficiently determining differential voltages for electrostatic discharge simulations

Номер патента: US09916403B1. Автор: Hui Zheng,Xin Gu,Nityanand Rai. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Display with opaque border resistant to electrostatic discharge

Номер патента: US09638950B2. Автор: Jin Yan,CHENG Chen,Jun Qi,Young Cheol Yang,Victor H. Yin,Xinyu Zhu,Po-Wen Chiu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

System and method for electrostatic discharge testing of devices under test

Номер патента: US09599649B2. Автор: Kyung Jin Min,Giorgi Muchaidze,Besarion Chikhradze,David J. Pommerenke,Iuri Kalandarishvili. Владелец: Amber Precision Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Antiembolic protection device, method for its folding and forming device

Номер патента: RU2742690C2. Автор: Оливер ШУМАХЕР,Михаель ПФЕННИГ,Виктор Альфонсе ХИМЕНЕС ДИАС,Конрад РАСМУС,Карл ФОН МАНГОЛЬД. Владелец: Протембис Гмбх. Дата публикации: 2021-02-09.

Method of forming hydraulic curtain (embodiments), method of protecting fish from ingress into water intake (embodiments), method of antifouling protection (embodiments), fish-protection device, complex fish-protective device (embodiments), protective element

Номер патента: RU2697091C2. Автор: Сергей Николаевич Салиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Осанна" (ООО "Осанна"). Дата публикации: 2019-08-12.

Fish protection device (options)

Номер патента: RU2770371C2. Автор: Сергей Николаевич Салиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Осанна". Дата публикации: 2022-04-15.

Kitchen appliance with protective device

Номер патента: RU2530871C2. Автор: Юрий ПЕСЕЦ,Дарко РУДЕЗ,Петер КОВАЦИЦ,Алес БРЕЦКО. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2014-10-20.

Electrostatic discharge testing

Номер патента: US7375543B2. Автор: Choshu Ito,William M. Loh,Jau-Wen Chen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2008-05-20.

Method for electron-beam welding of closed spherical and cylindrical vessels and protective device for its implementation

Номер патента: RU2733964C1. Автор: Сергей Викторович Ковалев,Лариса Павловна Шуваева,Сергей Степанович Юхневич,Евгений Владимирович Паничев,Геннадий Иванович Бабичев. Владелец: Акционерное общество "Конструкторское бюро химавтоматики" (АО КБХА). Дата публикации: 2020-10-08.

Explosion-protection device with alarm system warning of initial phase of emergency situations

Номер патента: RU2659591C2. Автор: Анна Михайловна Стареева. Владелец: Анна Михайловна Стареева. Дата публикации: 2018-07-03.

Fish protective device of diversion facility

Номер патента: RU2250954C1. Автор: А.А. Чистяков,ков А.А. Чист,В.Н. Шкура. Владелец: Новочеркасская государственная мелиоративная академия НГМА. Дата публикации: 2005-04-27.

Energy absorbing device, more specifically, presented in a form of impact force protective device for track vehicles

Номер патента: RU2442043C1. Автор: Уве БАИКА,Саша ЭНДЕ. Владелец: Войс Патент Гмбх. Дата публикации: 2012-02-10.

Vehicle key and protection device against driving under influence of alcohol

Номер патента: RU2345201C2. Автор: Хироши КАМИКИ. Владелец: Хироши КАМИКИ. Дата публикации: 2009-01-27.

Protective device for fluid in tank

Номер патента: RU2498935C2. Автор: Бэрри Максвелл РИС. Владелец: Криейтед Бай "Брэйнвейв" Пти Лтд. Дата публикации: 2013-11-20.

Turbojet engine with fuel injection protection and fuel injection protection device

Номер патента: RU2373416C2. Автор: Ален Пьер ПАЖ,Жак Марсель Артюр БЮНЕЛЬ,Жак-А. РОШ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2009-11-20.

Optical protective device (versions), method of manufacturing of the specified device and method of verification of the protected object containing the specified optical protective device

Номер патента: RU2725667C1. Автор: Антон Станиславович Сазонов,Владимир Маркович Козенков,Данила Александрович Кожевников,Андрей Валентинович Смирнов,Леонид Игоревич Смирнов,Александр Михайлович Сергиенко,Борис Рудольфович Шаталов,Тимур Октаевич ПАШАЕВ,Валерий Васильевич БАБЮК. Владелец: Акционерное Общество "Научно-Производственное Объединение "Криптен". Дата публикации: 2020-07-03.

Complex fish protection device

Номер патента: RU2633556C2. Автор: Сергей Николаевич Салиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Осанна" (ООО "Осанна"). Дата публикации: 2017-10-13.

Engine dust-protecting device (versions)

Номер патента: RU2638692C2. Автор: Станислав Дмитриевич Королев,Сергей Александрович Демьянюк,Евгений Витальевич Меркушкин. Владелец: Акционерное общество "Московский вертолетный завод им. М.Л. Миля". Дата публикации: 2017-12-15.

Protection device of male end of component of threaded tube connection in open and closed positions, and appropriate attachment methods and attachment machines

Номер патента: RU2429176C2. Автор: Себастьен КУРТУА,Эрван КАДИУ,Стефан МОРЕЛЬ,Роке ВЕЛАСКЕС. Владелец: Вам Мексико Са Де Св. Дата публикации: 2011-09-20.

Protective device for pre-filled syringe and injection device

Номер патента: RU2578376C2. Автор: Гарет РОБЕРТС,Мэттью ЭКМЕН. Владелец: Санофи-Авентис Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2016-03-27.

Active skimming protection method and atm protection device

Номер патента: RU2703975C1. Автор: Олег Владимирович Изотов. Владелец: Олег Владимирович Изотов. Дата публикации: 2019-10-22.

Protective device

Номер патента: RU2645556C2. Автор: Адам ЛИСТЕР,Роберт Уайтмен,Элис СМИТ. Владелец: Де Ла Рю Интернешнл Лимитед. Дата публикации: 2018-02-21.

Electrostatic discharge immune electric initiator

Номер патента: US5099762A. Автор: Thaddeus R. Drapala. Владелец: Special Devices Inc. Дата публикации: 1992-03-31.

Composition and process for preventing electrostatic discharge

Номер патента: US5320780A. Автор: Greg R. Unruh. Владелец: Tech Spray Inc. Дата публикации: 1994-06-14.

Coating composition having protection against electrostatic discharge and coating system comprising the same

Номер патента: WO2024020854A1. Автор: Qi Wang,HU Zhang,Wenjie Wang. Владелец: SIKA TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Electrostatic discharge mitigation for a first spacecraft operating in proximity to a second spacecraft and related methods

Номер патента: EP4342803A2. Автор: Matthew Alan Michel,William A. LLORENS,Christina AGATHON-BURTON,Dewey Edwin Cochran,Ronald Lynn Graham,Gregg A. Herbert. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

An electrostatic discharge (esd) garment

Номер патента: EP2413724A1. Автор: Kek Hing Kow. Владелец: ESD Technology Consulting and Licensing Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-08.

An electrostatic discharge (esd) garment

Номер патента: WO2010114354A1. Автор: Kek Hing Kow. Владелец: Kek Hing Kow. Дата публикации: 2010-10-07.

Electrostatic discharge mitigation for a first spacecraft operating in proximity to a second spacecraft and related methods

Номер патента: EP4342803A3. Автор: Matthew Alan Michel,William A. LLORENS,Christina AGATHON-BURTON,Dewey Edwin Cochran,Ronald Lynn Graham,Gregg A. Herbert. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Electrostatic discharge mitigation for a first spacecraft operating in proximity to a second spacecraft and related methods

Номер патента: AU2018252956B2. Автор: Matthew Alan Michel,William A. LLORENS,Christina AGATHON-BURTON,Dewey Edwin Cochran,Ronald Lynn Graham,Gregg A. Herbert. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for preventing or minimizing electrostatic discharge and dielectric breakdown in electric vehicle powertrains

Номер патента: SG11201901524YA. Автор: James Carey,David Holt,Samuel FLORES-TORRES. Владелец: Exxonmobil Res & Eng Co. Дата публикации: 2019-04-29.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION DEVICES

Номер патента: US20120001225A1. Автор: Tu Shang-Hui,CHANG Jui-Chun,Wu Chen-Wei,JOU Yeh-Ning. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROSTATIC DISCHARGE CIRCUIT

Номер патента: US20120002334A1. Автор: Anderson Warren R.,Kosonocky Stephen V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Output conditioner of impulse signals with discharge protection device for cmos of chips

Номер патента: RU2540813C1. Автор: Юрий Александрович Чаплыгин,Валерий Петрович Тимошенков,Юрий Федорович Адамов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ). Дата публикации: 2015-02-10.

ELECTRO-STATIC DISCHARGE PROTECTION FOR DIE OF A MULTI-CHIP MODULE

Номер патента: US20120002392A1. Автор: . Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Fin-type propulsive device

Номер патента: RU2284945C1. Автор: Олег Николаевич Канарейкин,Сергей В чеславович Александров,Сергей Вячеславович Александров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Адмиралтейские верфи". Дата публикации: 2006-10-10.

Device for protecting contacts of integration circuits with metal-dielectric-semiconductor structure from electrostatic discharges

Номер патента: RU2308146C2. Автор: Наталья Михайловна Горшкова,Наталь Михайловна Горшкова,Ярослав Сергеевич Губин,Артур Гини тович Сибагатуллин,Артур Гиниятович Сибагатуллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз". Дата публикации: 2007-10-10.

Protective device of low voltage structure for high voltage electrostatic discharge protection

Номер патента: CN102412237A. Автор: 陈永初,陈信良. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-11.

Method to Protect Compound Semiconductor from Electrostatic Discharge Damage

Номер патента: US20120003762A1. Автор: CHANG LIANN-BE,Lin Cheng-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Electrostatic discharge protection with test pin array

Номер патента: MY174396A. Автор: Kek Hing Kow. Владелец: Esd Tech Consulting & Licensing Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Apparatus for protecting microcircuit leads from electrostatic discharges

Номер патента: RU2523115C1. Автор: Алексей Сергеевич Тимошенков,Юрий Александрович Чаплыгин,Валерий Петрович Тимошенков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ". Дата публикации: 2014-07-20.

Rotary type electrostatic spray painting device

Номер патента: CA1255892A. Автор: Hitoshi Takeuchi,Shogo Ooishi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1989-06-20.

Rotary type electrostatic spray painting device

Номер патента: CA1248345A. Автор: Shogo Ooishi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1989-01-10.

PROTECTIVE DEVICE

Номер патента: US20120001720A1. Автор: . Владелец: SONY CHEMICAL & INFORMATION DEVICE CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Energizing a Protective Device, and Associated Method

Номер патента: US20120001764A1. Автор: Naiva Matthew Wilbur,Verheyen Mark Alan,Riley Joseph Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Monitor Protection Device for a Flat Panel Display

Номер патента: US20120003431A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NEEDLE PROTECTIVE DEVICE

Номер патента: US20120004619A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Indicating a Status of an Apparatus That Energizes a Protective Device, and Associated Method

Номер патента: US20120002391A1. Автор: Van Weelden Ronald Arlin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Disconnecting protective device

Номер патента: RU2247455C1. Автор: Д.С. Стребков,Е.В. Халин,С.И. Коструба. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2005-02-27.

Protection device attached to ordinary syringe to transform it to safe syringe

Номер патента: RU2320374C2. Автор: Серджо РЕСТЕЛЛИ,Нардино РИГИ,Роберто РОССИ. Владелец: Роберто РОССИ. Дата публикации: 2008-03-27.

Protection device of electric appliances against increased and decreased voltage in ac mains and impact of phase voltage on zero conductor

Номер патента: RU2478246C2. Автор: Александр Сергеевич Прохоров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭнергоТест" (ООО "ЭнергоТест"). Дата публикации: 2013-03-27.

Selective protection device on reciprocal rods

Номер патента: RU2456719C1. Автор: Виктор Григорьевич Пигарев,Олег Васильевич Кустов. Владелец: Открытое акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники". Дата публикации: 2012-07-20.

Object protection device

Номер патента: RU2285955C1. Автор: Владимир Ильич Баженов,Евгений Алексеевич Никовский,Сергей Константинович Морхов. Владелец: Открытое акционерное общество "Раменское приборостроительное конструкторское бюро". Дата публикации: 2006-10-20.

Plug protection device (switch protection)

Номер патента: RU2368045C1. Автор: Томас БЮРГЛЕР,Ханс АНДРЕС,Ханс-Петер БУВАРД,Матиас ГЕРБЕР,Хуго МАРТИ. Владелец: Рейхл Энд Де-Массари Аг. Дата публикации: 2009-09-20.

An electric circuit protection device

Номер патента: MY187138A. Автор: Ng Thye Sim Andrew,Lok Kum Yin Benson. Владелец: Lok Kum Yin Benson. Дата публикации: 2021-09-03.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.