Vorrichtung zur ansteuerung eines selbstleitenden n-kanal endstufenfeldeffekttransistors
Номер патента: WO2018197096A1
Опубликовано: 01-11-2018
Автор(ы): Thomas Hoffmann
Принадлежит: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-11-2018
Автор(ы): Thomas Hoffmann
Принадлежит: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Vorrichtung zur ansteuerung eines selbstleitenden n-kanal endstufenfeldeffekttransistors
Номер патента: EP3602777A1. Автор: Thomas Hoffmann. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2020-02-05.