Integrato di controllo per lo mosfet di alta potenza e circuito stesso, per applicazioni nella commutazione lato alta tensione.
Номер патента: IT8820326A0
Опубликовано: 26-04-1988
Автор(ы): M Kinzer Daniel
Принадлежит: Int Rectifier Corp
Опубликовано: 26-04-1988
Автор(ы): M Kinzer Daniel
Принадлежит: Int Rectifier Corp
Circuitos utilizando uma estrutura de conexão lado frontal-lado traseiro para acoplamento do roteamento do lado traseiro ao roteamento do lado frontal, e circuitos e métodos relacionados ao semicondutor de óxido de metal (cmos)
Номер патента: BR112023004688A2. Автор: LIM Hyeokjin,VANG FOUA,Seungchul Song Stanley,Hyuk Kang Seung. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-18.