Struttura di isolamento in dispositivi mos e procedimento di preparazione della stessa.
Номер патента: IT8521994A0
Опубликовано: 28-08-1985
Автор(ы): Ravaglia Andrea
Принадлежит: SGS Microelettronica SpA
Опубликовано: 28-08-1985
Автор(ы): Ravaglia Andrea
Принадлежит: SGS Microelettronica SpA
Procedimento di isolamento di elementi di un dispositivo a semiconduttori.
Номер патента: IT1248545B. Автор: Hyeon-Jin Cho,Soo-Gil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-01-19.