Rapid reduction of sodium occupancy in type ii silicon clathrate by chemical etching
Номер патента: US20150376016A1
Опубликовано: 31-12-2015
Автор(ы): Adele Tamboli, Eric Toberer, Lakshmi Krishna
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-12-2015
Автор(ы): Adele Tamboli, Eric Toberer, Lakshmi Krishna
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Rapid reduction of sodium occupancy in type II silicon clathrate by chemical etching
Номер патента: US9416013B2. Автор: Lakshmi Krishna,Eric Toberer,Adele Tamboli. Владелец: COLORADO SCHOOL OF MINES. Дата публикации: 2016-08-16.