Silizium-auf-isolator ("silicon-on-insulator"; soi) -bauelement, das eine bauelementschicht mit unterschiedlicher dicke aufweist und entsprechendes verfahren zur herstellung
Silizium-auf-isolator ("silicon-on-insulator"; soi) -bauelement, das eine bauelementschicht mit unterschiedlicher dicke aufweist und entsprechendes verfahren zur herstellung
Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
Номер патента: DE10228577A1. Автор: Fukashi Morishita,Masakazu Hirose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-24.