Method of preparing nitrogen-doped graphene
Номер патента: US20180254183A1
Опубликовано: 06-09-2018
Автор(ы): Moon Ho Ham, Myung Woo Son
Принадлежит: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-09-2018
Автор(ы): Moon Ho Ham, Myung Woo Son
Принадлежит: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Graphene-based tft comprising nitrogen-doped graphene layer as active layer
Номер патента: US20220109052A1. Автор: Byeong-Ju Park,Soon-Gil Yoon,Yi-Re HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chungnam National University. Дата публикации: 2022-04-07.