VERFAHREN ZUR DOTIERUNG DER EXTERNEN BASISANSCHLUSSGEBIETE VON Si-BASIERTEN EINFACH-POLYSILIZIUM-NPN-BIPOLARTRANSISTOREN
Номер патента: WO2000013206A3
Опубликовано: 02-06-2000
Автор(ы): Bernd Heinemann, Dieter Knoll, Holger Schmundt
Принадлежит: Bernd Heinemann, Dieter Knoll, Holger Schmundt, INST HALBLEITERPHYSIK GmbH
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Автор(ы): Bernd Heinemann, Dieter Knoll, Holger Schmundt
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VERFAHREN ZUR DOTIERUNG DER EXTERNEN BASISANSCHLUSSGEBIETE VON Si-BASIERTEN EINFACH-POLYSILIZIUM-NPN-BIPOLARTRANSISTOREN
Номер патента: WO2000013206A2. Автор: Bernd Heinemann,Dieter Knoll,Holger Schmundt. Владелец: IHP GMBH Innovations for High Performance Microelectronics Institut für innovative Mikroelektronik. Дата публикации: 2000-03-09.