一种低速测量轨道几何参数的方法以及复合测量方法
Номер патента: CN108413918A
Опубликовано: 17-08-2018
Автор(ы): 常亮, 张发成, 白洪林
Принадлежит: Beijing Li Tie Transit Equipment Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-08-2018
Автор(ы): 常亮, 张发成, 白洪林
Принадлежит: Beijing Li Tie Transit Equipment Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method and system of measuring semiconductor device and method of fabricating semiconductor device using the same
Номер патента: US9991174B2. Автор: Jihye Lee,Choonshik Leem,Deokyong KIM,Soobok CHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.