Werkwijze voor de vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met een halfgeleiderlichaam en ten minste twee op dit halfgeleiderlichaam aangebrachte lagen van metalen geleiderpatronen.
Werkwijze voor de vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met een halfgeleiderlichaam en ten minste twee op dit halfgeleiderlichaam aangebrachte lagen van metalen geleiderpatronen.
Номер патента: NL167549B Опубликовано: 16-07-1981 Автор(ы): Принадлежит:Motorola Inc
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door het aanbrengen van gediffundeerde zones in een halfgeleiderlichaam en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
Номер патента: NL148444B. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1976-01-15.