Method to Shorten Crystal Oscillator's Startup Time
Номер патента: US20130141171A1
Опубликовано: 06-06-2013
Автор(ы): Huang Lin, Huang Shuiwen
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-06-2013
Автор(ы): Huang Lin, Huang Shuiwen
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method to shorten crystal oscillator´s startup time
Номер патента: EP2520017A2. Автор: LIN Huang,Shuiwen Huang. Владелец: Shanghai NF Semiconductors Technology Ltd. Дата публикации: 2012-11-07.