Low-cost complementary BiCMOS integration scheme.

Low-cost complementary BiCMOS integration scheme

Номер патента: US09640528B2
Опубликовано: 02-05-2017
Автор(ы): Edward Preisler, Todd Thibeault
Принадлежит: Newport Fab LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

BiCMOS Integration Using a Shared SiGe Layer

Номер патента: US20150303187A1. Автор: Preisler Edward,Thibeault Todd. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Low-Cost Complementary BiCMOS Integration Scheme

Номер патента: US20150303185A1. Автор: Edward Preisler,Todd Thibeault. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2015-10-22.

Low-Cost Complementary BiCMOS Integration Scheme

Номер патента: US20150303185A1. Автор: Preisler Edward,Thibeault Todd. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Vertical integration scheme and circuit elements architecture for area scaling of semiconductor devices

Номер патента: US20230046755A1. Автор: Tahir Ghani,Patrick Morrow,Ranjith Kumar,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea,Cory E. Weber,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Bipolar transistor with raised extrinsic self-aligned base using selective epitaxial growth for BiCMOS integration

Номер патента: US8525293B2. Автор: Natalie B. Feilchenfeld,Bradley A. Orner,Benjamin T. Voegeli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-03.

VERTICAL INTEGRATION SCHEME AND CIRCUIT ELEMENTS ARCHITECTURE FOR AREA SCALING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180204932A1. Автор: Ghani Tahir,Mehandru Rishabh,Kim Seiyon,Cea Stephen M.,WEBER Cory E.,Kumar Ranjith,MORROW Partick. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

VERTICAL INTEGRATION SCHEME AND CIRCUIT ELEMENTS ARCHITECTURE FOR AREA SCALING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190252525A1. Автор: Ghani Tahir,Mehandru Rishabh,Kim Seiyon,Cea Stephen M.,MORROW Patrick,WEBER Cory E.,Kumar Ranjith. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Vertical integration scheme and circuit elements architecture for area scaling of semiconductor devices

Номер патента: US10847635B2. Автор: Tahir Ghani,Patrick Morrow,Ranjith Kumar,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea,Cory E. Weber,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of manufacturing a heterojunction bicmos integrated circuit

Номер патента: EP1273036A2. Автор: John W. Steele,Richard W. Mauntel,Vida Ilderem Burger,Jay P. John,James A. Kirchgessner,Ik-Sung Lim, Michael H. Kaneshiro,Phillip W. Dahl,David L. Stolfa. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-08.

BiCMOS Integration with Reduced Masking Steps

Номер патента: US20150303188A1. Автор: Edward Preisler,Todd Thibeault. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2015-10-22.

Multi-vt integration scheme for semiconductor devices

Номер патента: US20240266414A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Yixiong Yang,Geetika Bajaj,Tianyi Huang,Tengzhou Ma,Hsin-Jung Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Multi-vt integration scheme for semiconductor devices

Номер патента: WO2024167637A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Yixiong Yang,Geetika Bajaj,Tianyi Huang,Tengzhou Ma,Hsin-Jung Yu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Vertical polysilicon diode compatible with CMOS/BiCMOS integrated circuit processes

Номер патента: US5982021A. Автор: PURAKH Raj Verma. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Method of manufacturing a capacitor by BICMOS integrated circuit manufacturing technology

Номер патента: JP2988461B2. Автор: グリイヴォン. Владелец: ESU TEE MIKUROEREKUTORONIKUSU SA. Дата публикации: 1999-12-13.

Integration scheme for multiple metal gate work function structures

Номер патента: US7732872B2. Автор: Michael P. Chudzik,Kangguo Cheng,Haining S. Yang,Geng Wang,Ramachandra Divakaruni,Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-08.

Hybrid gate last integration scheme for multi-layer high-k gate stacks

Номер патента: WO2014062377A2. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2014-04-24.

Heterojunction bipolar transistor device integration schemes on a same wafer

Номер патента: US20180145160A1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Multi-threshold voltage integration scheme for semiconductor devices

Номер патента: WO2024226738A1. Автор: Srinivas Gandikota,Yixiong Yang,Geetika Bajaj,Tengzhou Ma,Pei Hsuan Lin,Hsin-Jung Yu,Debaditya Chatterjee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Multi-threshold voltage integration scheme for semiconductor devices

Номер патента: US20240363723A1. Автор: Srinivas Gandikota,Yixiong Yang,Geetika Bajaj,Tengzhou Ma,Pei Hsuan Lin,Hsin-Jung Yu,Debaditya Chatterjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

INTEGRATION SCHEME FOR GATE HEIGHT CONTROL AND VOID FREE RMG FILL

Номер патента: US20180323113A1. Автор: CHANG Chih-Chiang,PATIL Suraj Kumar,LIU Pei,ONISHI Katsunori. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Integration scheme for gate height control and void free rmg fill

Номер патента: US20180323113A1. Автор: Katsunori Onishi,Pei Liu,Chih-Chiang Chang,Suraj Kumar PATIL. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Method and apparatus for a high yield contact integration scheme

Номер патента: US20160141242A1. Автор: Ryan Kim,Wenhui Wang,Jason R. Cantone. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US12087764B2. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US20220392888A1. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US20220122963A1. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US20240222366A1. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Spacer integration scheme for NFET and PFET devices

Номер патента: TW201816847A. Автор: 彭建偉,吳旭升. Владелец: 格羅方德美國公司. Дата публикации: 2018-05-01.

Integration scheme method and structure for transistors using strained silicon

Номер патента: US20070099369A1. Автор: Xian Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Pre-epitaxial disposable spacer integration scheme with very low temperature selective epitaxy for enhanced device performance

Номер патента: US7682915B2. Автор: Huajie Chen,Kern Rim,Dominic J. Schepis,Judson R. Holt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-23.

BiCMOS integration with raised external base

Номер патента: JP4148518B2. Автор: フアチエ・チェン,セシャドリ・スッバンナ,バサント・ジャガンナタン,グレゴリー・ジー・フリーマン,デイビッド・シー・アールグレン,デイビッド・アンゲル,カトリーヌ・ティー・ショーネンベルグ,ケネス・ジェイ・スタイン,ファン・エフ・ジャマン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-10.

Manufacturing method of BiCMOS integrated circuit

Номер патента: CN105990254A. Автор: 文燕,马万里,潘光燃,王焜,石金成,高振杰. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Wrap-around contact integration scheme

Номер патента: US20180068899A1. Автор: Akiteru Ko,Kaoru Maekawa,Satoru Nakamura,Gerrit J. Leusink,Kandabara N. Tapily,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Spacer-less transistor integration scheme for high-k gate dielectrics and small gate-to-gate spaces applicable to Si, SiGe strained silicon schemes

Номер патента: US20050191812A1. Автор: David Pritchard,David Price,Hemanshu Bhatt. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Integration scheme for an nmos metal gate

Номер патента: US20100178739A1. Автор: Michael Francis Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

Integration scheme for an NMOS metal gate

Номер патента: US8114728B2. Автор: Michael Francis Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-02-14.

Integration scheme for an NMOS metal gate

Номер патента: US8629021B2. Автор: Michael Francis Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-14.

Semiconductor Device Manufactured by Removing Sidewalls During Replacement Gate Integration Scheme

Номер патента: US20090127632A1. Автор: Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Methods for making robust replacement metal gates and multi-threshold devices in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160086860A1. Автор: Balaji Kannan,Rekha Rajaram,Unoh Kwon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Bipolar transistor having a non homogeneous emitter in a BICMOS integrated circuit

Номер патента: EP0843350A1. Автор: Yvon Gris. Владелец: STMICROELECTRONICS STMICROELECTRONICS S A SA. Дата публикации: 1998-05-20.

Packaged integrated scheme containing multi-crystal package connected with wire bridges

Номер патента: RU2663688C1. Автор: Торстен Мейер,Паули ЯЕРВИНЕН,Ричард ПАТТЕН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-08-08.

Beol integration scheme for copper cmp to prevent dendrite formation

Номер патента: US20140065815A1. Автор: Kunaljeet Tanwar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Chamfer-less via integration scheme

Номер патента: US11987876B2. Автор: Hui-Jung Wu,Richard Wise,Arpan Mahorowala,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Chamfer-less via integration scheme

Номер патента: US20240263301A1. Автор: Hui-Jung Wu,Richard Wise,Arpan Pravin Mahorowala,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for increasing pattern density in self-aligned patterning integration schemes

Номер патента: US9673059B2. Автор: Akiteru Ko,Angelique RALEY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of fabricating a stacked poly-poly and MOS capacitor using a SiGe integration scheme

Номер патента: US20020089008A1. Автор: James Dunn,Douglas Coolbaugh,Stephen Onge. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of fabricating a stacked poly-poly and MOS capacitor using a SiGe integration scheme

Номер патента: TW506043B. Автор: Douglas D Coolbaugh,James Stuart Dunn,Stephen Arthur St Onge. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-10-11.

Multilayer-interconnection first integration scheme for graphene and carbon nanotube transistor based integration

Номер патента: WO2012118719A2. Автор: Ghavam G. Shahidi,Zihong Liu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-07.

Multilayer-interconnecting first integration scheme for graphene and carbon nanotube transistor besed integration

Номер патента: GB201317258D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-13.

Multilayer-interconnection first integration scheme for graphene and carbon nanotube transistor based integration

Номер патента: WO2012118719A3. Автор: Ghavam G. Shahidi,Zihong Liu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-24.

Gate structure integration scheme for fin field effect transistors

Номер патента: US09583585B2. Автор: Hong He,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Gate structure integration scheme for fin field effect transistors

Номер патента: US20160118302A1. Автор: Hong He,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Integration scheme to build resistor, capacitor, efuse using silicon-rich dielectric layer as a base dielectric

Номер патента: US20220375856A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Haowen Bu,Yuguo Wang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Gate structure integration scheme for fin field effect transistors

Номер патента: US9391155B2. Автор: Hong He,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Gate structure integration scheme for fin field effect transistors

Method of fabricating a stacked poly-poly and mos capacitor using a sige integration scheme

Номер патента: IL140565A0. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-02-10.

Method of fabricating a stacked poly-poly and mos capacitor using a sige integration scheme

Номер патента: SG107561A1. Автор: Duane Coolbaugh Douglas,Stuart Dunn James,Arthur St Onge Stephen. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-12-29.

Bicmos integration of multiple-times-programmable non-volatile memories

Номер патента: EP2368266A2. Автор: Theodore James Letavic,Wibo D. Van Noort,Francis Zaato,Charudatta Mandhare. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-09-28.

Bicmos integration of multiple-times-programmable non-volatile memories

Номер патента: WO2010058379A3. Автор: Theodore James Letavic,Wibo D. Van Noort,Francis Zaato,Charudatta Mandhare. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-09-02.

Cmos integration scheme employing a silicide electrode and a silicide-germanide alloy electrode

Номер патента: WO2009101093A1. Автор: Jack Oon Chu,Young-Hee Kim,Cyril Cabral. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2009-08-20.

HYBRID GATE LAST INTEGRATION SCHEME FOR MULTI-LAYER HIGH-k GATE STACKS

Номер патента: US20140110791A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Integration scheme for strained source/drain CMOS using oxide hard mask

Номер патента: US8058120B2. Автор: Bei Zhu,Xian Jie Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

CMOS integration scheme employing a silicide electrode and a silicide-germanide alloy electrode

Номер патента: TW200950002A. Автор: Jack O Chu,Young-Hee Kim,Cyril Cabral Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-12-01.

BiCMOS integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2950009B2. Автор: 正一佐々木. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-20.

METHOD FOR MANUFACTURING BICMOS INTEGRATED CIRCUITS ON A CLASSIC CMOS SUBSTRATE

Номер патента: FR2786608B1. Автор: Michel Laurens. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-02-09.

Method of manufacturing BICMOS integrated circuits on a conventional CMOS substrate

Номер патента: US6171894B1. Автор: Michel Laurens. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-01-09.

Method of integrated scheme integration by flip chip method

Номер патента: RU2667741C1. Автор: Енг Сенг НГ,Сзе Йонг ПАНГ. Владелец: Смартфлекс Текнолоджи Пте Лтд. Дата публикации: 2018-09-24.

Method of fabricating a poly-poly capacitor with a SiGe BiCMOS integration scheme

Номер патента: US6440811B1. Автор: Douglas Duane Coolbaugh,James Stuart Dunn,Stephen Arthur St. Onge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-27.

Heterojunction bipolar transistor device integration schemes on a same wafer

Minimum Cost Method for Forming High Density Passive Capacitors for Replacement of Discrete Board Capacitors Using a Minimum Cost 3D Wafer-to-Wafer Modular Integration Scheme

Номер патента: US20100178747A1. Автор: Albert Bergemont,Khanh Tran,Joseph Paul Ellul. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

METHODS FOR MAKING ROBUST REPLACEMENT METAL GATES AND MULTI-THRESHOLD DEVICES IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160086860A1. Автор: Kwon Unoh,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD AND APPARATUS FOR HIGH YIELD CONTACT INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20150097263A1. Автор: Wang Wenhui,Kim Ryan,Cantone Jason R.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-04-09.

SPACER INTEGRATION SCHEME FOR NFET AND PFET DEVICES

Номер патента: US20180114730A1. Автор: Wu Xusheng,PENG Jianwei. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A SELF-ALIGNED CHANNEL AND INTEGRATION SCHEMES

Номер патента: US20220181479A1. Автор: LINEWIH Handoko,CHENG Chor Shu,CHWA SIOW LEE. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Breakdown voltage multiplying integration scheme

Номер патента: US20150270380A1. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Breakdown voltage multiplying integration scheme

Номер патента: US09478651B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Devices with adjustable dual-polarity trigger- and holding-voltage/current for high level of electrostatic discharge protection in sub-micron mixed signal CMOS/BiCMOS integrated circuits

Номер патента: US7566914B2. Автор: Javier A. Salcedo,Juin J. Liou,Joseph C. Bernier,Donald K. Whitney. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2009-07-28.

Semiconductor structure having a thermal shunt below a metallization layer and integration schemes

Номер патента: US20220238409A1. Автор: Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Alvin Joseph,MARK David LEVY. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure having a thermal shunt below a metallization layer and integration schemes

Номер патента: US11842940B2. Автор: Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Alvin Joseph,MARK David LEVY. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Three-dimensional integration schemes for reducing fluorine-induced electrical shorts

Номер патента: US09799671B2. Автор: Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu,Matthias Baenninger,Stephen SHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory device with a doped region between a source and a drain and integration schemes

Номер патента: US11810982B2. Автор: Eng Huat Toh,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Electrical/optical integration scheme using direct copper bonding

Номер патента: US20080135965A1. Автор: Jun-Fei Zheng,Vandentop J. Gilroy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Electrical/optical integration scheme using direct copper bonding

Номер патента: AU2002359506A8. Автор: Jun-Fei Zheng,Gilroy Vandentop. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-09.

Electrical/optical integration scheme using direct copper bonding

Номер патента: EP1456879A2. Автор: Jun-Fei Zheng,Gilroy Vandentop. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-09-15.

Electrical/optical integration scheme using direct copper bonding

Номер патента: AU2002359506A1. Автор: Jun-Fei Zheng,Gilroy Vandentop. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-09.

Integration scheme for semiconductor photodetectors on an integrated circuit chip

Номер патента: WO2007123754A1. Автор: David Kencke,Miriam Reshotko,Bruce Block. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-11-01.

Integration scheme for non-volatile memory on gate-all-around structure

Номер патента: US20200135937A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09824930B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Multi-tier replacement memory stack structure integration scheme

Номер патента: US09728551B1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Johann Alsmeier,Henry Chien,Jixin Yu,Ching-Huang Lu,Wenguang Stephen Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09721842B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Copper etching integration scheme

Номер патента: US09633949B2. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hsiang-Huan Lee,Chih-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Blocking oxide in memory opening integration scheme for three-dimensional memory structure

Номер патента: US09601508B2. Автор: Frank Yu,Hiroyuki Ogawa,Kiyohiko Sakakibara,Tuan Pham,Ryoichi Honma,Chan Park,Naoki Takeguchi,Atsushi Suyama,Jongsun Sel,Kensuke Yamaguchi,Hiroaki Iuchi,Jiao Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of patterning dopant films in high-K dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09472419B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

INTEGRATION SCHEME FOR CHANGING CRYSTAL ORIENTATION IN HYBRID ORIENTATION TECHNOLOGY (HOT) USING DIRECT SILICON BONDED (DSB) SUBSTRATES

Номер патента: US20130292780A1. Автор: Pinto Angelo,YU SHAOFENG,JOHNSON Frank S.,MCKEE Benjamin P.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160027664A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Wrap-around contact integration scheme

GATE STRUCTURE INTEGRATION SCHEME FOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20160079384A1. Автор: Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Copper etching integration scheme

Номер патента: US20140197538A1. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hsiang-Huan Lee,Chih-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-17.

INTEGRATION SCHEME FOR NON-VOLATILE MEMORY ON GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20200135937A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Zheng,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

INTEGRATION SCHEME FOR NON-VOLATILE MEMORY ON GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20200135938A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Zheng,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

MULTI-TIER REPLACEMENT MEMORY STACK STRUCTURE INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20170229472A1. Автор: Alsmeier Johann,Chien Henry,Lu Zhenyu,YU Jixin,LU Ching-Huang,Mao Daxin,SHI Wenguang Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

THREE-DIMENSIONAL INTEGRATION SCHEMES FOR REDUCING FLUORINE-INDUCED ELECTRICAL SHORTS

Номер патента: US20160300848A1. Автор: Alsmeier Johann,PACHAMUTHU Jayavel,BAENNINGER Matthias,Shi Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Copper etching integration scheme

Номер патента: US20180301416A1. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hsiang-Huan Lee,Chih-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

BLOCKING OXIDE IN MEMORY OPENING INTEGRATION SCHEME FOR THREE-DIMENSIONAL MEMORY STRUCTURE

Номер патента: US20160315095A1. Автор: Yu Frank,OGAWA Hiroyuki,Park Chan,Pham Tuan,Iuchi Hiroaki,Suyama Atsushi,SAKAKIBARA Kiyohiko,Takeguchi Naoki,Sel Jongsun,HONMA Ryoichi,Chen Jiao,Yamaguchi Kensuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

WRAP-AROUND CONTACT INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20170345904A1. Автор: Clark Robert D.,Tapily Kandabara N.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Integration scheme for fully silicided gate

Номер патента: US7544553B2. Автор: Hermann Wendt,Marcus Culmsee,Lothar Doni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-06-09.

Integration scheme for high gain fet in standard cmos process

Номер патента: US20070099386A1. Автор: Douglas Coolbaugh,Ebenezer Eshun,James Slinkman,Michael Zierak,Robert Rassel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Wrap-around contact integration scheme

Номер патента: KR101917029B1. Автор: 칸다바라 엔. 타필리,로버트 디 클락. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-11-08.

Integration scheme for fully silicided gate

Номер патента: WO2006103158A2. Автор: Hermann Wendt,Marcus Culmsee,Lothar Doni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-05.

Copper etching integration scheme

Номер патента: US20160254225A1. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hsiang-Huan Lee,Chih-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Integration scheme for changing crystal orientation in hybrid orientation technology (HOT) using direct silicon bonded (DSB) substrates

Номер патента: US9123570B2. Автор: Frank S. Johnson,Angelo Pinto,Shaofeng Yu,Benjamin P. Mckee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-01.

Single well one transistor and one capacitor nonvolatile memory device and integration schemes

Номер патента: US20220059554A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

High-density finfet integration scheme

Номер патента: EP1644988B1. Автор: Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-17.

High-density finfet integration scheme

Номер патента: WO2005001905A2. Автор: Edward J. Nowak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-01-06.

Integration scheme for changing crystal orientation in hybrid orientation technology (hot) using direct silicon bonded (dsb) substrates

Номер патента: US20110108893A1. Автор: Frank S. Johnson,Angelo Pinto,Shaofeng Yu,Benjamin P. Mckee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Integration scheme for changing crystal orientation in hybrid orientation technology (HOT) using direct silicon bonded (DSB) substrates

Номер патента: US8558318B2. Автор: Angelo Pinto,Shaofeng Yu,Frank S Johnson,Benjamin P McKee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Integration scheme for changing crystal orientation in hybrid orientation technology (hot) using direct silicon bonded (dsb) substrates

Номер патента: US20130292780A1. Автор: Frank S. Johnson,Angelo Pinto,Shaofeng Yu,Benjamin P. Mckee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

High electron mobility transistors having barrier liners and integration schemes

Номер патента: US20230155016A1. Автор: Zhong-Xiang He,Anthony Stamper,Ramsey HAZBUN,Pernell Dongmo. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE WITH AN ERASE GATE OVERHANG AND INTEGRATION SCHEMES

Номер патента: US20220293614A1. Автор: Tan Shyue Seng,Quek Kiok Boone Elgin,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Partially silicided nonvolatile memory devices and integration schemes

Номер патента: US20220149057A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Nonvolatile memory device with a metal-insulator-metal (mim) capacitor in a substrate and integration schemes

Номер патента: US20220165739A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Integration scheme for breakdown voltage enhancement of a piezoelectric metal-insulator-metal device

Номер патента: US11984261B2. Автор: Ching-Hui Lin,Yen-Wen Chen,Fan Hu,Yi-Chuan Teng,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Chi-Yuan Shih,Yi Heng Tsai,You-Ru Lin,Shih-Fen Huang,Yan-Jie Liao,Anderson Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Integration scheme for fabricating high precision, low capacitor with unlanded via

Номер патента: US20240186367A1. Автор: Sunil Kumar Singh,Sivashankar Sivasubramanian. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Integration scheme for breakdown voltage enhancement of a piezoelectric metal-insulator-metal device

Номер патента: US20240290541A1. Автор: Ching-Hui Lin,Yen-Wen Chen,Fan Hu,Yi-Chuan Teng,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Chi-Yuan Shih,Yi Heng Tsai,You-Ru Lin,Shih-Fen Huang,Yan-Jie Liao,Anderson Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Double patterning interconnect integration scheme with sav

Номер патента: US20210118732A1. Автор: Chih-Chao Yang,Terry A. Spooner,Shyng-Tsong Chen,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Reliable interconnect integration scheme

Номер патента: US09490165B2. Автор: Fan Zhang,Jun Chen,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Luying Du. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

CHAMFER-LESS VIA INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20210017643A1. Автор: Wu Hui-Jung,Wise Richard,Mahorowala Arpan,Kanakasabapathy Sivananda Krishnan. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

SINGLE WELL ONE TRANSISTOR AND ONE CAPACITOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND INTEGRATION SCHEMES

Номер патента: US20220059554A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,TAN Juan Boon,Quek Kiok Boone Elgin,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

COPPER ETCHING INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20140131872A1. Автор: Lu Chih-Wei,BAO Tien-I,Lee Chung-Ju,Lee Hsiang-Huan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-05-15.

NOVEL INTEGRATION SCHEME FOR BREAKDOWN VOLTAGE ENHANCEMENT OF A PIEZOELECTRIC METAL-INSULATOR-METAL DEVICE

Номер патента: US20200098517A1. Автор: Cheng Chun-Ren,Chen Yen-Wen,Shih Chi-Yuan,Huang Fu-Chun,Lin You-Ru,Tsai Yi Heng,Hu Fan,Lin Ching-Hui,Huang Shih-Fen,Teng Yi-Chuan,Lin Anderson,Liao Yan-Jie. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING FULLY-ALIGNED TRENCH WITH AN UP-VIA INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20200135560A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Lanzillo Nicholas Anthony,Briggs Benjamin D.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

COPPER ETCHING INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20170194258A1. Автор: Lu Chih-Wei,BAO Tien-I,Lee Chung-Ju,Lee Hsiang-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

COBALT PLATED VIA INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20190206729A1. Автор: Ahmed Shafaat,Shu Jiehui,Fang Qiang,Koli Dinesh R.,Sun Zhiguo,Tseng Wei-Tsu. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Replacement Gate Integration Scheme Employing Multiple Types of Disposable Gate Structures

Номер патента: US20140308808A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-16.

METHOD FOR INCREASING PATTERN DENSITY IN SELF-ALIGNED PATTERNING INTEGRATION SCHEMES

Номер патента: US20160225640A1. Автор: KO Akiteru,Raley Angelique. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

GATE STRUCTURE INTEGRATION SCHEME FOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20150228762A1. Автор: Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-13.

BARRIER REMOVAL FOR CONDUCTOR IN TOP VIA INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20210257308A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Choi Kisik,Penny Christopher J.,Lanzillo Nicholas Anthony,ANDERSON Brent Alan. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

COPPER ETCHING INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160254225A1. Автор: Lu Chih-Wei,BAO Tien-I,Lee Chung-Ju,Lee Hsiang-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

TRIM METHOD FOR PATTERNING DURING VARIOUS STAGES OF AN INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20170256395A1. Автор: KO Akiteru,Raley Angelique. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

BREAKDOWN VOLTAGE MULTIPLYING INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20150270380A1. Автор: Bedell Stephen W.,Sadana Devendra K.,Shahidi Ghavam G.,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

PATTERNING INTEGRATION SCHEME WITH TRENCH ALIGNMENT MARKS

Номер патента: US20200350257A1. Автор: Yang Chih-Chao,Tang Hao,Peethala Cornelius Brown,Metzler Dominik. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Integration scheme for metal gap fill, with fixed abrasive CMP

Номер патента: US20040248399A1. Автор: Peter Wrschka,Thomas Goebel,Werner Robl. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Integration scheme for metal gap fill, with fixed abrasive CMP

Номер патента: US6943114B2. Автор: Peter Wrschka,Thomas Goebel,Werner Robl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-13.

Process and integration scheme for fabricating conductive components, through-vias and semiconductor components including conductive through-wafer vias

Номер патента: US7345350B2. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-18.

Process integration scheme to lower overall dielectric constant in beol interconnect structures

Номер патента: KR101433410B1. Автор: 예즈디 도르디,프리츠 레데커,니콜라스 브라이트,데이비드 헴커. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2014-08-26.

Damascene integration scheme for developing metal-insulator-metal capacitors

Номер патента: US6992344B2. Автор: Richard P. Volant,John M. Cotte,Kenneth J. Stein,Ebenezer E. Eshun,Douglas D. Coolbaugh,Kunal Vaed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-01-31.

Inward dielectric spacers for replacement gate integration scheme

Номер патента: US20090189201A1. Автор: Chorng-Ping Chang,Bingxi Sun Wood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-07-30.

Poison-free and low ULK damage integration scheme for damascene interconnects

Номер патента: US8008200B2. Автор: Ping Jiang,William W. Dostalik,Yong Seok Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-08-30.

Method for increasing pattern density in self-aligned patterning integration schemes

Номер патента: TW201642311A. Автор: 安潔莉Ｄ萊利,高明輝. Владелец: 東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2016-12-01.

Poison-free and low ULK damage integration scheme for damascene interconnects

Номер патента: US7884019B2. Автор: Ping Jiang,William W. Dostalik,Yong Seok Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-08.

Integration scheme for filling gaps between metal lines with fixed abrasive CMP

Номер патента: DE10307279B4. Автор: Peter Wrschka,Thomas Goebel,Werner Dr. Robl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.

Novel air gap integration scheme

Номер патента: CN101595559B. Автор: 夏立群,亚历山德罗斯·T·迪莫斯,德里克·R·维迪,金柏涵,伊沙姆·迈'萨德. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-01-04.

Back end of line integration scheme

Номер патента: TWI258200B. Автор: Yung-Cheng Lu,Ying-Tsung Chen,Zhen-Cheng Wu,Pi-Tsung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-07-11.

Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration scheme

Номер патента: TW200527165A. Автор: WEI Liu,Meihua Shen,Saad Hichem M,Christopher D Bencher,Jim Zhongyi He,Sang H Ahn,Wendy H Yeh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Novel air gap integration scheme

Номер патента: US20100151671A1. Автор: Li-Qun Xia,Alexandros T. Demos,Hichem M'Saad,Derek R. Witty,Bok Hoen Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Heterogenous Integration Scheme for III-V/Si and Si CMOS Integrated Circuits

Номер патента: US20230154912A1. Автор: Chan-Hong Chern,Yi-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Back end of line integration scheme

Номер патента: TW200620540A. Автор: Yung-Cheng Lu,Zhen-Cheng Wu,Pi-Tsung Chen,Ying-Sung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-16.

Interconnect integration scheme with fully self-aligned vias

Номер патента: US20210118733A1. Автор: Terry A. Spooner,Shyng-Tsong Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Integration scheme for shunted josephson junctions

Номер патента: US20220384704A1. Автор: Bryan Smith,Karthik Jambunathan,Richard P. Rouse,Manan Patel,Jeremy Warren,Susan E. SHORE,Brian BENTON,Kan MI,Kenneth FLUGAUR,Alexander CHOV. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Dual encapsulation integration scheme for fabricating integrated circuits with magnetic random access memory structures

Номер патента: US09564575B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

INDUCTOR CAPACITOR FILTER IN FAR BACK END OF LINE AND INTEGRATION SCHEMES

Номер патента: US20220068809A1. Автор: PENG Lulu,SUSAI Lawrence Selvaraj,CHENG Chor Shu,SYED MOHAMMED Zishan Ali,YOSOKUMORO NUR AZIZ,NG YONG CHAU. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

MTJ STRUCTURE AND INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20150056722A1. Автор: Li Xia,Nowak Matthew Michael,Kang Seung Hyuk. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

PARTIALLY SILICIDED NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND INTEGRATION SCHEMES

Номер патента: US20220149057A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,CAI Xinshu,Sun Yongshun,Wang Lanxiang. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Novel Integration Scheme for Three Terminal Spin-Orbit-Torque (SOT) Switching Devices

Номер патента: US20210104663A1. Автор: Luc Thomas,Dongna Shen,Jesmin Haq,Tom Zhong,Zhongjian Teng. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

METHOD AND APPARATUS FOR A HIGH YIELD CONTACT INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160141242A1. Автор: Wang Wenhui,Kim Ryan,Cantone Jason R.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

DUAL ENCAPSULATION INTEGRATION SCHEME FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS WITH MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY STRUCTURES

Номер патента: US20160190432A1. Автор: Jiang Yi,Cong Hai,TAN Juan Boon,SHUM Danny Pak-Chum. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

QUANTUM DOT INTEGRATION SCHEMES

Номер патента: US20180190625A1. Автор: Bita Ion,Bibl Andreas,Steckel Jonathan S.,DROLET Jean-Jacques P.,Khan Sajjad A.,Gehlen Elmar,Pedder James E.,Van Gelder Roland,McGroddy Kelly C.,Perkins James Michael. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

INTEGRATION SCHEME FOR FERROELECTRIC MEMORY WITH A DEEP TRENCH STRUCTURE

Номер патента: US20200212055A1. Автор: Manipatruni Sasikanth,Nikonov Dmitri,Gosavi Tanay,Avci Uygar E.,Young Ian A.,LIN Chia-Ching,CHANG Sou-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

RRAM PROCESS INTEGRATION SCHEME AND CELL STRUCTURE WITH REDUCED MASKING OPERATIONS

Номер патента: US20190288037A1. Автор: Haukness Brent Steven,LU Zhichao. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

RRAM PROCESS INTEGRATION SCHEME AND CELL STRUCTURE WITH REDUCED MASKING OPERATIONS

Номер патента: US20200381479A1. Автор: Haukness Brent Steven,LU Zhichao. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Integral scheme of a quick-working matrix receiver of optical radiation

Номер патента: RU2617881C2. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Андрей Андреевич Краснов,Сергей Иванович Диденко,Александр Николаевич Леготин,Ксения Андреевна Кузьмина,Юлия Константиновна Омельченко,Дмитрий Сергеевич Ельников,Валерий Петрович Яромский,Светлана Петровна Бажуткина,Нина Геннадьевна Леготина,Ольга Андреевна Носова,Вячеслав Алексеевич Штыков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2017-04-28.

Light-emitting diode integration scheme

Номер патента: US8058669B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Ding-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-11-15.

Integrated scheme for predicting yield of semiconductor (MOS) devices from designed layout

Номер патента: US6562638B1. Автор: Robert C. Pack,Artur Balasinski,Valery Axelrad,Victor Vladimir Boksha. Владелец: Sequoia Design Systems Inc. Дата публикации: 2003-05-13.

Quantum dot integration schemes

Номер патента: WO2017007770A2. Автор: . Владелец: Sxaymiq Technologies Llc. Дата публикации: 2017-01-12.

Light-emitting diode integration scheme

Номер патента: US8525216B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Ding-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-03.

Integration scheme for extension of via opening depth

Номер патента: WO2009089309A1. Автор: Yun Wang,Richard Volant,Bradley Jones,Ramona Kei,Raymond Knauss,David Colon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-07-16.

Magnetic tunnel junction structure and integration schemes

Номер патента: US20210384416A1. Автор: Young Seon You,Naganivetha Thiyagarajah,Suk Hee JANG,Funan Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Integration scheme for extension of via opening depth

Номер патента: TW200949947A. Автор: Yun-Yu Wang,Richard P Volant,Ramona Kei,David P Colon,Bradley P Jones,Raymond G Knauss. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-12-01.

Integration scheme for extension of via opening depth

Номер патента: EP2240959A1. Автор: Yun Wang,Richard Volant,Bradley Jones,Ramona Kei,Raymond Knauss,David Colon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-20.

Quasi-complementary BiCMOS circuit with enhanced pull down transistor clamp

Номер патента: US5886542A. Автор: Michael D. Cooper. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-03-23.

Iterative decoder of cascade code on programmable logical integral schemes and device for its realization

Номер патента: RU2668401C1. Автор: Евгений Вячеславович Амелютин,Дмитрий Васильевич Босомыкин,Владислав Анатольевич Минеев,Владимир Валерьевич Карцев,Андрей Николаевич Хмельков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт радио. Дата публикации: 2018-09-28.

Semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: GB2362508A. Автор: Seshadri Subbanna,Douglas D Coolbaugh,David L Harame,James S Dunn,Peter J Geiss,Peter B Gray,Kathryn T Schonenberg,Onge Stephen A St. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-11-21.

High density BiCMOS circuits and methods of making same

Номер патента: US4975764A. Автор: Sheng T. Hsu. Владелец: David Sarnoff Research Center Inc. Дата публикации: 1990-12-04.

Method and structure for creating a self-aligned bicmos-compatible bipolar transistor with a laterally graded emitter structure

Номер патента: US5444003A. Автор: Ho-Yuan Yu,Ying-Tsong Loh,Chung S. Wang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-22.

thermally stable bicmos fabrication method and bipolar junction trnasistors formed according to the method

Номер патента: US20100273301A1. Автор: VENKAT RAGHAVAN,Arun K. Nanda,Nace Rossi. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-10-28.

Method of manufacturing high performance bipolar transistors in a bicmos process

Номер патента: WO1996004678A1. Автор: Johan A. Darmawan. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1996-02-15.

Integrated scheme cargo aircraft with unswatable tail ramp for loading and uploading large-size cargo

Номер патента: RU2668881C2. Автор: Артур Георгиевич Арутюнов,Артём Георгиевич Арутюнов,Евгений Валерьевич Голубовский,Константин Валерьевич Кузнецов,Виктор Ильич Толмачев,Виктор Витальевич Дубинин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Авиакомпания Волга-Днепр". Дата публикации: 2018-10-04.

Spacer integration scheme in MRAM technology

Номер патента: TW200406034A. Автор: Kia-Seng Low,Greg Costrini,John P Hummel. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-04-16.

Spacer integration scheme in mram technology

Номер патента: EP1547148A2. Автор: Kia-Seng Low,John P. Hummel,Greg Costrini,Wolfgang Raberg,Igor Kasko,Frank Findeis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-29.

Top oxide nitride liner integration scheme for vertical dram

Номер патента: US20050070108A1. Автор: Ramachandra Divakaruni,Klaus Hummler. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Multi-mode discrete-time delta-sigma modulator power optimization using split-integrator scheme

Номер патента: US09628103B2. Автор: Yan Wang,Dinesh Jagannath Alladi,Elias Hani Dagher,Chieh-Yu Hsieh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

ALTERNATE PAD STRUCTURES/PASSIVATION INTEGRATION SCHEMES TO REDUCE OR ELIMINATE IMC CRACKING IN POST WIRE BONDED DIES DURING CU/LOW-K BEOL PROCESSING

Номер патента: US20140030541A1. Автор: Bhatt Hemanshu,Vijay Dilip,Pallinti Jayanthi,Sun Sey-Shing,Ying Hong,Kao Chi-Yi. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2014-01-30.

MULTI-MODE DISCRETE-TIME DELTA-SIGMA MODULATOR POWER OPTIMIZATION USING SPLIT-INTEGRATOR SCHEME

Номер патента: US20160261277A1. Автор: Wang Yan,Alladi Dinesh Jagannath,Dagher Elias Hani,HSIEH Chieh-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

BOND-PAD INTEGRATION SCHEME FOR IMPROVED MOISTURE BARRIER AND ELECTRICAL CONTACT

Номер патента: US20150338604A1. Автор: Jiang Neng,Soman Joel,Summerfelt Scott,Lassiter Thomas Warren,Mohammed Nayeemuddin,Roby Mary Alyssa Drummond. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

IMAGE PROCESSING DEVICE, PHOTOGRAPHY DEVICE, PLAYBACK DEVICE, INTEGRATED SCHEME AND IMAGE PROCESSING METHOD

Номер патента: RU2010122599A. Автор: Дзун ОМИЯ,Масаюки КИМУРА,Хитоси ЯМАДА,Дзун ОМИЯ (JP),Масаюки КИМУРА (JP),Хитоси ЯМАДА (JP). Владелец: Панасоник Корпорэйшн (Jp). Дата публикации: 2012-01-10.

Process integration scheme of SONOS technology

Номер патента: US7585746B2. Автор: Sung Mun Jung,Dong Kyun Sohn,Yoke Leng Louis Lim,Sripad Nagarad,Dong Hua Liu,Xiao Yu Chen,Rachel Low. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2009-09-08.

Integration scheme for a mobile telephone network with fixed terminals and a wireline network

Номер патента: CA2249974A1. Автор: Daniel Richard Waugh,Wayne Nelson Shelley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-04-07.

Aggregation and integration scheme for grid relevant customization information

Номер патента: US20050138147A1. Автор: Alexander Gebhart,Erol Bozak. Владелец: SAP SE . Дата публикации: 2005-06-23.

METHOD OF OPTIMIZING THE PERFORMANCE OF THE FUNCTION WHICH GENERATES, AT LEAST, A SINGLE KEY IN THE DEVICE ON THE INTEGRAL SCHEME

Номер патента: RU2017143400A. Автор: Кин Ти ЛИ,Набиль АМЗИ,Али ЗЕАМАРИ,Николя РУССЕЛЬ,Карин ВИЛЛЕГА,Шарль КУЛЬЕ,Минетт ОЛИВА,Тсу Сун ВОН. Владелец: Жемальто Са. Дата публикации: 2019-06-13.

Integration scheme for a mobile telephone network with fixed terminals and a wireline network

Номер патента: EP0923258A3. Автор: Daniel Richard Waugh,Wayne Nelson Shelley. Владелец: Nortel Dasa Network Systems GmbH and Co KG. Дата публикации: 2000-04-12.

Cross-regional service integration scheme

Номер патента: CN111010380A. Автор: 韩芳. Владелец: Hangzhou Shidong Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-14.

Spacer integration scheme in MRAM technology

Номер патента: US20050146927A1. Автор: Gregory Costrini. Владелец: Gregory Costrini. Дата публикации: 2005-07-07.

Magnetic non-volatile memory coil layout architecture and process integration scheme

Номер патента: US20040202018A1. Автор: William Witcraft,Joel Drewes,Hongyue Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM, BASE STATION DEVICE, MOBILE STATION DEVICE, WIRELESS COMMUNICATION METHOD AND INTEGRAL SCHEME

Номер патента: EA201290867A1. Автор: Соити Судзуки,Тосидзо Ногами,Дайитиро Накасима. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-03-29.

Ferroelectric nonvolatile memory device and integration schemes

Номер патента: US11825663B2. Автор: Johannes Müller,Ralf Richter,Thomas Melde,Stefan Dunkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Integration scheme for three terminal spin-orbit-torque (SOT) switching devices

Номер патента: US11895928B2. Автор: Luc Thomas,Dongna Shen,Jesmin Haq,Tom Zhong,Zhongjian Teng. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Novel integration scheme to form vertical 3d x-point memory with lower cost

Номер патента: WO2022032550A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Vertical NPNP Structure In a Triple Well CMOS Process

Номер патента: US20120126285A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Rahul Mishra,Shunhua T. Chang,Kiran V. Chatty,Junjun Li,John B. Campi, JR.,Mujahid Muhammad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Schottky diode structure with localized diode well

Номер патента: US5150177A. Автор: Murray J. Robinson,Christopher C. Joyce,Tim W. Luk. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-09-22.

VERTICAL BIPOLAR TRANSISTOR WITH A MAJORITY CARRIER ACCUMULATION LAYER AS A SUBCOLLECTOR FOR SOI BiCMOS WITH REDUCED BURIED OXIDE THICKNESS FOR LOW-SUBSTRATE BIAS OPERATION

Номер патента: US20080261371A1. Автор: Qiging Ouyang,Mahender Kumar,Christopher D. Sheraw,Herbert L. Ho,Paul A. Papworth,Michael D. Steigerwalt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Vertical bipolar transistor with a majority carrier accumulation layer as a subcollector for SOI BiCMOS with reduced buried oxide thickness for low-substrate bias operation

Номер патента: US20060043530A1. Автор: Herbert Ho,Mahender Kumar,Michael Steigerwalt,Qiqing Ouyang,Paul Papworth,Christopher Sheraw. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

METHOD AND MECHANISM AND RECOGNITION OF POLYGONS WHEN DESIGNING INTEGRAL SCHEMES

Номер патента: RU2006120375A. Автор: Анвар ИРМАТОВ,Александр БЕЛОУСОВ,Эйтан КАДОУРИ,Андрей ГРАЧЕВ,Александр РЫЖОВ,Лоран ТЕНИ,Анвар ИРМАТОВ (RU),Александр БЕЛОУСОВ (RU),Эйтан КАДОУРИ (US),Андрей ГРАЧЕВ (RU),Александр РЫЖОВ (RU),Лоран ТЕНИ (FR). Владелец: Кейденс Дизайн Системс, Инк. (Us). Дата публикации: 2007-12-27.

Write failure protection for hierarchical integrity schemes

Номер патента: US8606764B2. Автор: Boris Dolgunov,Arsenly Aharonov. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2013-12-10.

Write failure protection for hierarchical integrity schemes

Номер патента: US20090112823A1. Автор: Arseniy Aharonov,Boris Dolgunov. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

INTEGRATION SCHEME FOR MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS) DEVICES AND COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20180029882A1. Автор: Chu Chia-Hua,Cheng Chun-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

INTEGRATION SCHEME FOR MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS) DEVICES AND COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20200115222A1. Автор: Chu Chia-Hua,Cheng Chun-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

SLIDING WINDOW INTEGRATION SCHEME FOR OBJECT DETECTION IN A RADAR SYSTEM

Номер патента: US20200150222A1. Автор: Longman Oren,Bilik Igal. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Integrated scheme of processes for extracting and treating an extra-heavy or bituminous crude

Номер патента: US7540951B2. Автор: Eric Benazzi,Thierry Gauthier,Mathieu Pinault,Arnault Selmen. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2009-06-02.

Caching for structural integrity schemes

Номер патента: IL187040A0. Автор: . Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-02-09.

SLIDING WINDOW INTEGRATION SCHEME FOR OBJECT DETECTION IN A RADAR SYSTEM

Номер патента: DE102019115661A1. Автор: Oren Longman,Igal Bilik. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2020-05-14.

Starting automatic release control method suitable for EPB and EPS integrated scheme

Номер патента: CN114771488A. Автор: 陈晨,杨梁,葛旭峰,冯逸飞,沈新悦,上官晓阳. Владелец: Kuntai Vehicle System Changzhou Co ltd. Дата публикации: 2022-07-22.

Caching for structural integrity schemes

Номер патента: WO2009057092A1. Автор: Arseniy Aharonov. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2009-05-07.

Selection method of server integration scheme based on energy consumption

Номер патента: CN102567076A. Автор: 金海�,吴松,石宣化,严格知. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-07-11.

Double-gated integrating scheme for electron beam tester

Номер патента: EP0517294B1. Автор: Hitoshi Takahashi,Neil Richardson,Douglas Masnaghetti. Владелец: Schlumberger Technologies Inc. Дата публикации: 1997-07-02.

Control method of transaction exchange between two integrated schemes

Номер патента: RU2617549C2. Автор: Бипин БАЛАКРИШНАН,Абделазиз ГОУЛАХСЕН. Владелец: Телефонактиеболагет Л М Эрикссон(Пабл). Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated scheme for yield improvement by self-consistent minimization of IC design and process interactions

Номер патента: US20050114822A1. Автор: Valery Axelrad,Andrei Shibkov,Victor Boksha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-26.

Write failure protection for hierarchical integrity schemes

Номер патента: WO2009057099A1. Автор: Arseniy Aharonov,Boris Dolgunov. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2009-05-07.

Process plant with flexible heat integration scheme

Номер патента: EP4324561A1. Автор: Hemant Jagannath MAHAJAN,Ashwin Singh TENSINGH. Владелец: Haldor Topsoe AS. Дата публикации: 2024-02-21.

Process plant with flexible heat integration scheme

Номер патента: WO2024038030A1. Автор: Hemant Jagannath MAHAJAN,Ashwin Singh TENSINGH. Владелец: Topsoe A/S. Дата публикации: 2024-02-22.

Write Failure Protection for Hierarchical Integrity Schemes

Номер патента: US20120185442A1. Автор: Boris Dolgunov,Arsenly Aharonov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: WO2006112948A1. Автор: Olubunmi O. Adetutu,David C. Gilmer,Hsing H. Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-26.

Process for making bipolar having graded or modulated collector

Номер патента: US6001701A. Автор: Samir Chaudhry,Kuo-Hua Lee,Michael Scott Carroll,William John Nagy,Alan Sangone Chen,Yih-Feng Chyan. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

3D material modification for advanced processing

Номер патента: US09773675B2. Автор: Jun Xue,Srinivas D. Nemani,Erica Chen,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh,Gary E. Dickerson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

3D material modification for advanced processing

Номер патента: US9620407B2. Автор: Jun Xue,Srinivas D. Nemani,Erica Chen,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh,Gary E. Dickerson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

High voltage tolerant, small footprint BJT-CMOS active clamp

Номер патента: US8451569B2. Автор: Vladislav Vashchenko. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Method of reducing control gate electrode curvature in three-dimensional memory devices

Номер патента: US09589839B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kiyohiko Sakakibara,Akira MATSUDAIRA,Yusuke Ikawa,Eisuke Takii,Seiji Shimabukuro,Kengo Kajiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Contact integration and selective silicide formation methods

Номер патента: WO2018052473A2. Автор: Matthias BAUER. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-03-22.

Contact integration and selective silicide formation methods

Номер патента: US20180076041A1. Автор: Matthias BAUER. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Methods for silicide formation

Номер патента: US20180166288A1. Автор: Matthias BAUER,Hua Chung,Schubert S. Chu,Satheesh Kuppurao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Contact integration for reduced interface and series contact resistance

Номер патента: US09484251B1. Автор: Sanjay Gopinath,Paul Raymond Besser,William Worthington Crew, Jr.. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Composition and process for selectively etching p-doped polysilicon relative to silicon nitride

Номер патента: WO2017091572A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Steven Bilodeau. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2017-06-01.

Device having improved radiation hardness and high breakdown voltages

Номер патента: US09620586B2. Автор: James Fred Salzman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120221987A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Methods for fabricating radiation hardened MOS devices

Номер патента: US09653544B2. Автор: James Fred Salzman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Radiation Hardened MOS Devices and Methods of Fabrication

Номер патента: US20160141389A1. Автор: James Fred Salzman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Radiation Hardened MOS Devices and Methods of Fabrication

Номер патента: US20160163794A1. Автор: James Fred Salzman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Radiation hardened mos devices and methods of fabrication

Номер патента: US20150108588A1. Автор: James Fred Salzman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120112244A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Plasma treatment method to meet line edge roughness and other integration objectives

Номер патента: US09978563B2. Автор: Akiteru Ko,Vinh Luong. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for increasing pattern density in self-aligned patterning schemes without using hard masks

Номер патента: US09786503B2. Автор: Akiteru Ko,Angelique D. Raley,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method and system for selective spacer etch for multi-patterning schemes

Номер патента: US09748110B2. Автор: Subhadeep Kal,Aelan Mosden,Angelique D. Raley,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods for discretized processing and process sequence integration of regions of a substrate

Номер патента: US20120074096A1. Автор: Thomas R. Boussie,Alexander Gorer,Tony P. Chiang,David E. Lazovsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Methods for Discretized Processing and Process Sequence Integration of Regions of a Substrate

Номер патента: US20140070213A1. Автор: Thomas R. Boussie,Alexander Gorer,Tony P. Chiang,David E. Lazovsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Methods for discretized processing and process sequence integration of regions of a substrate

Номер патента: US20120021553A1. Автор: Thomas R. Boussie,Alexander Gorer,Tony P. Chiang,David E. Lazovsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Methods for discretized processing and process sequence integration of regions of a substrate

Номер патента: US20130056101A1. Автор: Thomas R. Boussie,Alexander Gorer,Tony P. Chiang,David E. Lazovsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods for discretized processing and process sequence integration of regions of a substrate

Номер патента: US8610121B2. Автор: Thomas R. Boussie,Alexander Gorer,Tony P. Chiang,David E. Lazovsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-12-17.

Methods for discretized processing and process sequence integration of regions of a substrate

Номер патента: US8697606B2. Автор: Thomas R. Boussie,Alexander Gorer,Tony P. Chiang,David E. Lazovsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Combination of TSV and back side wiring in 3D integration

Номер патента: US09543229B2. Автор: Subramanian S. Iyer,Douglas C. La Tulipe, Jr.,John W. Golz,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel,Pooja R. Batra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Combination of TSV and back side wiring in 3D integration

Номер патента: US09536809B2. Автор: Subramanian S. Iyer,Douglas C. La Tulipe, Jr.,John W. Golz,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel,Pooja R. Batra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Twin monos memory cell and corresponding fabrication method

Номер патента: EP1237192A2. Автор: Seiki Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-04.

Integration of fully aligned via through selective deposition and resistivity reduction

Номер патента: US20240030062A1. Автор: Dennis M. Hausmann,Paul C. LEMAIRE,Kashish SHARMA,Arpan Pravin Mahorowala,Pankaj Ghanshyam Ramnani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Display with embedded pixel driver chips

Номер патента: US20230387097A1. Автор: Hsin-Hua Hu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Integration of fully aligned via through selective deposition and resistivity reduction

Номер патента: WO2022221881A1. Автор: Dennis M. Hausmann,Paul C. LEMAIRE,Kashish SHARMA,Arpan Pravin Mahorowala,Pankaj Ghanshyam Ramnani. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2022-10-20.

Dual damascene fully aligned via interconnects

Номер патента: US20210305090A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Chanro Park,Kenneth Chun Kuen Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Bicmos process utilizing novel planarization technique

Номер патента: WO1991011019A1. Автор: James A. Matthews. Владелец: MICROUNITY SYSTEMS ENGINEERING, INC.. Дата публикации: 1991-07-25.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20130062668A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20120126292A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Trimming inorganic resists with selected etchant gas mixture and modulation of operating variables

Номер патента: US09899219B2. Автор: Akiteru Ko,Vinh Luong. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Backplane structure and process for microdriver and micro led

Номер патента: US20190115274A1. Автор: Ion Bita,James E. Pedder,Shinya Ono,Sunggu Kang,Hsin-Hua Hu,Lun Tsai,Jaein Choi,Hairong Tang,Chih-Lei Chen,Chin Wei Hsu,Sandeep Chalasani,Jung Yen Huang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Flexible solar cell interconnection systems and methods

Номер патента: EP2545595A2. Автор: Dennis R. Hollars,David B. Pearce,Bruce D. Hachtmann,Thomas M. Valeri,Arthur C. Wall. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2013-01-16.

Methods of Combinatorial Processing for Screening Multiple Samples on a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20130138380A1. Автор: Sandra G. Malhotra,Imran Hashim,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak,Kurt H. Weiner,Guarav Verma. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Resistive random access memory and manufacturing method

Номер патента: US20230050843A1. Автор: Han Xiao,Ru Huang,Zongwei Wang. Владелец: Advanded Institute Of Information Technology Aiit Peking University. Дата публикации: 2023-02-16.

Authentication scheme for providing software updates to an update agent

Номер патента: US20240281244A1. Автор: Clara Gifre,David Patino,Federico RUAU. Владелец: Giesecke and Devrient Mobile Security GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Authentication scheme for providing software updates to an update agent

Номер патента: EP4113340A1. Автор: Clara Gifre,David Patino,Federico RUAU. Владелец: Giesecke and Devrient Mobile Security GmbH. Дата публикации: 2023-01-04.

Vertical 3d pcm memory cell and program read scheme

Номер патента: WO2022104591A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

Authentication scheme for providing software updates to an update agent

Номер патента: WO2023274577A1. Автор: Clara Gifre,David Patino,Federico RUAU. Владелец: Giesecke+Devrient Mobile Security Gmbh. Дата публикации: 2023-01-05.

Method and system for optimizing authentication of radio navigation signals

Номер патента: RU2691833C2. Автор: Игнасио ФЕРНАНДЕС-ЭРНАНДЕС. Владелец: Дзе Юэрепиен Юнион, Репрезентед Бай Дзе Юэрепиен Кемишн. Дата публикации: 2019-06-18.

Method and apparatus for transmitting data in an integrated circuit

Номер патента: US20070147430A1. Автор: Brian Connolly,Todd Leonard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

Scalable network security with fast response protocol

Номер патента: US09756082B1. Автор: Markus Hahn,Andreas Seip Haugsnes. Владелец: ServiceNow Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and system for radio navigation authentication

Номер патента: RU2720881C1. Автор: Игнасио ФЕРНАНДЕЗ ЭРНАНДЕЗ. Владелец: Ти Юропиан Юнион, Репрезентид Бай Ти Юропиан Коммишн. Дата публикации: 2020-05-13.

Ultrasonic meter employing two or more dissimilar chordal multipath integration methods in one body

Номер патента: WO2017117242A1. Автор: Gregor J. Brown. Владелец: Cameron International Corporation. Дата публикации: 2017-07-06.

Systems and methods for account ownership verification

Номер патента: US12008571B1. Автор: Jeffrey Walton Easley,Melanie Lynn Thompson,Brian Hurtak,Patrick Lugo. Владелец: United Services Automobile Association USAA. Дата публикации: 2024-06-11.

System and method for managing data using an enumerator

Номер патента: US20210097026A1. Автор: Ravikanth Chaganti,Rizwan Ali,Dharmesh M. Patel. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-04-01.

Номер патента: IN2014CH00378A. Автор: SAMADDAR MITALI,CHAKRABORTY ZINIA,NUVULA ASHOK,Neelima Vadde,Swapna Sagar Duggineni,Devi Komath Uma. Владелец: Hemarus Therapeutics Ltd. Дата публикации: 2015-08-07.

An integrated process for the production of therapeutics (human albumin, intravenous immunoglobulins, clotting factor viii and clotting factor ix) from human plasma

Номер патента: EP3099702A1. Автор: Mitali Samaddar,Neelima Vadde,Swapna Sagar Duggineni,Ashok NUVULA,Zinia CHAKRABORTY,Uma Devi Komath. Владелец: Hemarus Therapeutics Ltd. Дата публикации: 2016-12-07.

System and method for interactive knitting functions

Номер патента: WO2014012088A1. Автор: Jeffrey Blair SMITH,Sally A. HOLT. Владелец: Create2Thrive Llp. Дата публикации: 2014-01-16.

Recognizing a movement of a pointing device

Номер патента: US09454244B2. Автор: Andrew Wilson. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Composition for low-melting soldering material

Номер патента: RU2053211C1. Автор: Н.В. Петровых,Г.Б. Княжер,В.М. Репина,К.Б. Джуринский,И.М. Мурашкина. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт электровакуумного стекла". Дата публикации: 1996-01-27.

Inference device, calculation device, setting method, calculation method, and calculation program

Номер патента: EP4425375A1. Автор: Shuhei Yoshida,Ken Nakamura,Daisuke Kobayashi,Hiroyuki UZAWA,Yuya OMORI,Saki HATTA,Yuko IINUMA. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Compact pointing device "mouse"

Номер патента: RU2630165C2. Автор: . Владелец: Немнюгин Андрей Юрьевич. Дата публикации: 2017-09-05.

Process for separating dehydrogenation products

Номер патента: US5457256A. Автор: Michael J. Mitariten,Robert K. Busch. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1995-10-10.

Three step process for producing light olefins from methane and/or ethane

Номер патента: CA2228738C. Автор: Terry L. Marker,Bipin V. Vora,Henning R. Nilsen. Владелец: NORSK HYDRO ASA. Дата публикации: 2006-09-26.

Purification of beta casein from milk

Номер патента: AU2006312074B2. Автор: John Anthony Lucey,James Anthony O'mahony,Karen E. Smith. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-05-31.

Electrochromic devices, assemblies incorporating electrochromic devices, and/or methods of making the same

Номер патента: US20110048614A1. Автор: Vijayen S. Veerasamy. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Three step process for producing light olefins from crude methane and/or ethane

Номер патента: MY122134A. Автор: Terry L Marker,Bipin V Vora,Henning R Nilsen. Владелец: Uop Inc. Дата публикации: 2006-03-31.

Time-stacking method for dynamic simulations

Номер патента: US20150149132A1. Автор: Yu Zhang,Bin Zheng,Zhenyu Huang,Di Wu,Ruisheng Diao,Yousu Chen,Shuangshuang Jin. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Mode of separation integral schemes according to reliability

Номер патента: RU2290652C2. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Игорь Алексеевич Шишкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2006-12-27.

METHOD FOR COMPARATIVE TESTS ON RELIABILITY OF PARTIES OF INTEGRAL SCHEMES

Номер патента: RU2012116017A. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Михайлович Жуков,Артем Александрович Клюкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2013-10-27.

Light-Emitting Diode Integration Scheme

Номер патента: US20120025222A1. Автор: Yu Chen-Hua,Chen Ding-Yuan,Chiou Wen-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-02-02.

SELF TIMED CURRENT INTEGRATING SCHEME EMPLOYING LEVEL AND SLOPE DETECTION

Номер патента: US20120126783A1. Автор: Backhausen Ulrich,Kern Thomas,Jefremow Mihail,Menczigar Ullrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-05-24.

RELIABLE INTERCONNECT INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20120168915A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-07-05.

Write Failure Protection for Hierarchical Integrity Schemes

Номер патента: US20120185442A1. Автор: Aharonov Arsenly,Dolgunov Boris. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

Multilayer-Interconnection First Integration Scheme for Graphene and Carbon Nanotube Transistor Based Integration

Номер патента: US20120223292A1. Автор: Shahidi Ghavam G.,LIU Zihong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-06.

MTJ STRUCTURE AND INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20130119494A1. Автор: Li Xia,Kang Seung H.,Nowak Matthew M.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-16.

BREAKDOWN VOLTAGE MULTIPLYING INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20130240893A1. Автор: Bedell Stephen W.,Sadana Devendra K.,Shahidi Ghavam G.,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-19.

REDUCING LINE EDGE ROUGHNESS IN HARDMASK INTEGRATION SCHEMES

Номер патента: US20130302989A1. Автор: Huisinga Torsten,Kenny Oisin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

BEOL INTEGRATION SCHEME FOR COPPER CMP TO PREVENT DENDRITE FORMATION

Номер патента: US20140065815A1. Автор: Tanwar Kunaljeet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

LOW-K DAMAGE FREE INTEGRATION SCHEME FOR COPPER INTERCONNECTS

Номер патента: US20140127901A1. Автор: BAO Tien-I,Lee Chung-Ju,Lu Chih Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-05-08.

METHOD OF MEASURING THE TRANSITION HEAT CHARACTERISTICS OF DIGITAL INTEGRAL SCHEMES

Номер патента: RU2017140738A. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-05-23.

WAYS TO ASSEMBLY THREE-DIMENSIONAL INTEGRAL SCHEMES 3D BIS

Номер патента: RU2014129535A. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Александр Владимирович Ачкасов,Анатолий Александрович Колбенков,Андрей Анатольевич Стоянов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2016-02-10.

METHOD FOR DIVIDING INTEGRATED SCHEMES "ON RELIABILITY"

Номер патента: RU2012110696A. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Александрович Винокуров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2013-09-27.

CONTACT DEVICE FOR CONNECTING INTEGRAL SCHEMES

Номер патента: SU364131A1. Автор: К. Гамаюнов Г.. Владелец: . Дата публикации: 1972-12-25.

DEVICE FOR INTEGRAL SCHEME CONTROL

Номер патента: SU419852A1. Автор: В. И. Кнышев Ю. А. Сливицкий А. А. Шибаев В. П. Ерлашов. Владелец: ВПТБ ЯКПйРРТПЯ. Дата публикации: 1974-03-15.

PROBE FOR MEASURING THE PARAMETERS OF INTEGRAL SCHEMES

Номер патента: SU427499A1. Автор: . Владелец: Г. С. Исмаилов. Дата публикации: 1974-05-05.

Medical data integration scheme oriented to digital family

Номер патента: CN101340448A. Автор: 罗笑南,余元龙,卢林发,陈钦基. Владелец: ZHONGSHAN AIKE DIGITAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-07.

DEVICE FOR RECOGNITION ZONE OF DIFFERENCE PARAMETERS OF DIGITAL INTEGRAL SCHEME

Номер патента: SU369521A1. Автор: П. Ерлашов В.. Владелец: . Дата публикации: 1973-02-08.

METHOD OF MANUFACTURING INTERCOMPONENT ISOLATION TO TIR INTEGRAL SCHEMES

Номер патента: SU1356895A1. Автор: В.Н. Плотников,Г.А. Корешков,Н.В. Румак,В.В. Хатько,И.Г. Шевчук. Владелец: Физико-технический институт АН БССР. Дата публикации: 2012-06-20.

METHOD OF CONTROL OF INTEGRAL SCHEMES

Номер патента: SU382031A1. Автор: Ф. Г. Старое И. В. Берг Б. А. Красюк Б. Д. Платонов. Владелец: . Дата публикации: 1973-05-22.

CONVERTER CURRENT CODE FOR THE CONTROL OF INTEGRATED SCHEMES

Номер патента: SU420112A1. Автор: . Владелец: ФОНД ттЕ. Дата публикации: 1974-03-15.

Integrated scheme for simulating sun-earth-moon operation and completely expressing time calendar system by pointer type 24-hour-system clock

Номер патента: CN102467074A. Автор: 姚延忠. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-23.

Номер патента: RU2010130603A. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Роман Михайлович Тихонов,Дмитрий Юрьевич Смирнов (RU),Митрофан Иванович Горлов (RU),Роман Михайлович Тихонов (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический универси. Дата публикации: 2012-01-27.

METHOD FOR TESTING CORROSION RESISTANCE OF INTEGRAL SCHEMES

Номер патента: RU2013100400A. Автор: Виталий Александрович Солодуха,Митрофан Иванович Горлов,Евгений Павлович Самцов,Аркадий Степанович Туркевич. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-07-20.

Integration scheme for raising deep groove capacity in semiconductor integrated circuit device

Номер патента: CN1228849C. Автор: 拉加拉奥·加米,朴炳柱,加利·B·布郎奈尔,拉尔蒂斯·艾克诺米科斯,卡尔·J·拉登,马丁·E·施莱姆斯. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-11-23.

METHOD FOR COMPARATIVE ASSESSMENT OF RELIABILITY OF PARTIES OF INTEGRAL SCHEMES

Номер патента: RU2009144816A. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Роман Михайлович Тихонов,Дмитрий Юрьевич Смирнов (RU),Митрофан Иванович Горлов (RU),Роман Михайлович Тихонов (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический универси. Дата публикации: 2011-06-10.

Strain SiGe HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) vertical channel BiCMOS integrated device and preparation method thereof

Номер патента: CN102800672B. Автор: 宋建军,王海栋,郝跃,舒斌,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2015-01-21.

Номер патента: RU2270452C2. Автор: Сергей Федорович Яцун,Светлана Станиславовна Сысоева,Иван Сафонович Захаров. Владелец: Государственное образовательное учреждение Курский государственный технический университет ГОУ КурскГТУ. Дата публикации: 2006-02-20.

Номер патента: RU2274833C1. Автор: Яков Анатольевич Некрасов,Николай Владимирович Моисеев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2006-04-20.

AVOIDING DEGRADATION OF CHALCOGENIDE MATERIAL DURING DEFINITION OF MULTILAYER STACK STRUCTURE

Номер патента: US20120001145A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ENDPOINT CONTROL DURING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING BY DETECTING INTERFACE BETWEEN DIFFERENT LAYERS THROUGH SELECTIVITY CHANGE

Номер патента: US20120003759A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method of in-band modem for data transmission over digital wireless communication networks

Номер патента: RU2484588C2. Автор: Пэнцзюнь ХУАН,Кристиан ПИЧ,Вольфганг ГРАНЦОВ,Марк В. ВЕРНЕР,Кристиан СГРАЯ,Кристоф А. ЙОЕТТЕН,Георг ФРАНК. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-06-10.

Low-cost complementary BiCMOS integration scheme

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты