PROCESS FOR THE CONCURRENT PRODUCTION OF AT LEAST ONE PAIR OF STRUCTURES COMPRISING AT LEAST ONE USEFUL LAYER REPORTED ON A SUBSTRATE
Номер патента: FR2855909A1
Опубликовано: 10-12-2004
Автор(ы): Benoit Bataillou, Bruno Ghyselen, Carlos Mazure, Cecile Aulnette, Hubert Moriceau
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Soitec SA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-12-2004
Автор(ы): Benoit Bataillou, Bruno Ghyselen, Carlos Mazure, Cecile Aulnette, Hubert Moriceau
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Soitec SA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having at least four side-by-side electrodes of equal length and equal pitch with at least two transistor connections to power or ground
Номер патента: US7989848B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2011-08-02.