Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
26-09-2017 дата публикации

Plasma-assisted atomic layer epitaxy of cubic and hexagonal InN and its alloys with AIN at low temperatures

Номер: US0009773666B2
Автор: Neeraj Nepal, Charles R. Eddy, Jr., Nadeemmullah A. Mahadik, Syed B Qadri, Michael J. Mehl, NEPAL NEERAJ, EDDY JR CHARLES R, MAHADIK NADEEMMULLAH A, QADRI SYED B, MEHL MICHAEL J, Nepal Neeraj, Eddy, Jr. Charles R., Mahadik Nadeemmullah A., Qadri Syed B, Mehl Michael J.
Принадлежит: The United States of America, as represented by the Secretary of the Navy, NEPAL NEERAJ, EDDY JR CHARLES R, MAHADIK NADEEMMULLAH A, QADRI SYED B, MEHL MICHAEL J, US NAVY, Nepal Neeraj, Eddy, Jr. Charles R., Mahadik Nadeemmullah A., Qadri Syed B, Mehl Michael J.

Described herein is a method for growing indium nitride (InN) materials by growing hexagonal and/or cubic InN using a pulsed growth method at a temperature lower than 300° C. Also described is a material comprising InN in a face-centered cubic lattice crystalline structure having an NaCl type phase.

Подробнее
Номер записи: 1
02-03-2021 дата публикации

Epitaxial growth of cubic and hexagonal InN films and their alloys with AlN and GaN

Номер: US0010937649B2
Автор: Neeraj Nepal, Charles R. Eddy, Jr., Nadeemmullah A. Mahadik, Syed B. Qadri, Michael J. Mehl, NEPAL NEERAJ, EDDY JR CHARLES R, MAHADIK NADEEMMULLAH A, QADRI SYED B, MEHL MICHAEL J, Nepal, Neeraj, Eddy, Jr., Charles R., Mahadik, Nadeemmullah A., Qadri, Syed B., Mehl, Michael J.
Принадлежит: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy, NEPAL NEERAJ, EDDY JR CHARLES R, MAHADIK NADEEMMULLAH A, QADRI SYED B, MEHL MICHAEL J, US GOV SEC NAVY, Nepal Neeraj, Eddy, Jr. Charles R., Mahadik Nadeemmullah A., Qadri Syed B., Mehl Michael J.

Described herein is a method for growing InN, GaN, and AlN materials, the method comprising alternate growth of GaN and either InN or AlN to obtain a film of InxGa1−xN, AlxGa1−xN, AlxIn1−xN, or AlxInyGa1−(x+y)N.

Подробнее
Номер записи: 2