ДВУХКОМПОНЕНТНЫЙ ЭЛЕКТРОН-СЕЛЕКТИВНЫЙ БУФЕРНЫЙ СЛОЙ И ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЯЧЕЙКИ НА ЕГО ОСНОВЕ

Настоящее изобретение относится к использованию производных фуллеренов в оптоэлектронных устройствах, таких как фотовольтаические ячейки, формулы (I):,где F - [60]фуллерен или [70]фуллерен, М представляет собой COOH, r представляет собой целое число от 2 до 8, Z представляет собой группу -(СН)-, Ar, или -S-, n представляет собой число от 1 до 12, Y представляет собой алифатическую С-Суглеродную цепь, Ar представляет собой фенил, бифенил или нафтил и X представляет собой Н, Cl или независимую от Y С-Суглеродную цепь. Предложено новое применение указанных соединений в двухкомпонентном электрон-селективном буферном слое органической фотовольтаической ячейке, позволяющее повысить эффективность солнечных батарей. 9 з.п. ф-лы, 1 пр., 1 табл., 5 ил.

ВЕРТИКАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ НАНОТРУБОК И СПОСОБЫ ИХ ФОРМИРОВАНИЯ

Изобретение относится к вертикальным структурам полупроводниковых устройств, включающих нанотрубки в качестве конструктивного элемента, и способам изготовления таких структур. Сущность изобретения: предложена вертикальная структура полупроводникового устройства, включающая подложку, образующую в основном горизонтальную плоскость, электрод затвора, выступающий от подложки в вертикальном направлении, полупроводниковые нанотрубки, проходящие в вертикальном направлении через электрод затвора между их противоположными первым и вторым концами, диэлектрик затвора, электрически изолирующий указанные полупроводниковые нанотрубки от электрода затвора, сток, электрически связанный со вторым концом полупроводниковых нанотрубок, и контакт истока, расположенный на той же стороне, что и сток, и сформированный посредством создания контактного окна в изолирующем слое, изолирующем его от электрода затвора, причем контакт истока электрически связан с указанным первым концом полупроводниковых нанотрубок. Изобретение ...

ФЕРРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ КОНТУР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к Ферроэлектрическому запоминающему контуру и способу его изготовления. Техническим результатом является повышение степени поляризации ферроэлектрической ячейки памяти и снижение напряженности поля. Ферроэлектрический запоминающий контур содержит ферроэлектрическую ячейку памяти в виде тонкой ферроэлектрической полимерной пленки, два электрода, при этом, по меньшей мере, один из электродов содержит, по меньшей мере, один контактный слой, который содержит проводящий полимер, находящийся в контакте с ячейкой памяти, и, в случае необходимости, второй слой в виде металлической пленки, находящейся в контакте с проводящим полимером. Способ изготовления ферроэлектрического запоминающего контура включает в себя операции нанесения на подложку первого контактного слоя в виде тонкой пленки проводящего полимера и нанесения тонкой ферроэлектрической полимерной пленки на первый контактный слой и второго контактного слоя на тонкую ферроэлектрическую полимерную пленку. 2 н. и 13 з.п ...

МАГНИТНЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Изобретение относится к логическим схемам, реализуемым магнитными квантовыми точками. Техническим результатом является обеспечение работы заявленного устройства при высоких температурах, а также повышение экономических показателей производства интегральных схем. Для этого логическое устройство сформировано из цепочек, состоящих из точек из магнитного материала, при этом каждая точка имеет ширину 200 нм или меньше и отделена от других точек достаточно малым расстоянием, чтобы обеспечить магнитное взаимодействие соседних точек. 7 з.п. ф-лы, 5 ил.

ДИСКОВОД МАГНИТНОГО ДИСКА

Изобретение относится к дисководу магнитного диска, имеющему по меньшей мере одну с опирающейся на воздушный зазор поверхностью (ОВЗП) магнитную головку, с выполненными за одно целое считывающей и записывающей частями. Считывающая часть включает используемый в качестве первичного преобразователя спиновый клапан, чувствительный к действию магнитных полей и имеющий ОВЗП. Предложенная в изобретении конструкция дисковода магнитного диска имеет спиновый клапан с повышенной магниторезистивностью, простую конструкцию. 3 з.п. ф-лы, 14 ил.

СИСТЕМА И СПОСОБ ДЛЯ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МОДИФИЦИРОВАННЫХ НУКЛЕИНОВЫХ КИСЛОТ

Настоящее изобретение относится к области биоинформатики. Предложен способ для приготовления улучшенной вычислительной системы, основанной на нуклеиновых кислотах, включающий синтезирование в водном растворе варианта системы молекулярных вычислений, отличающегося включением химической модификации, изменяющей энергию гибридизации молекул нуклеиновых кислот в системе. Также рассмотрена вычислительная система, основанная на нуклеиновых кислотах и содержащая химические модификации в соответствии со способом по настоящему изобретению. Предложенное изобретение позволяет увеличивать вероятность желаемых событий связывания молекул нуклеиновых кислот в составе системы. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 8 ил.

НАНОСТРУКТУРА, ПРЕДШЕСТВЕННИК НАНОСТРУКТУРЫ И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУРЫ И ПРЕДШЕСТВЕННИКА НАНОСТРУКТУРЫ

Изобретение относится с наноструктурам и способам их роста. Сущность изобретения: Способ формирования наноструктуры предусматривает осаждение пакета слоев на проводящей подложке и выращивание наноструктур на упомянутом пакете слоев, при этом упомянутый пакет слоев содержит по меньшей мере один промежуточный слой и слой катализатора, сформированный на упомянутом по меньшей мере одном промежуточном слое, а упомянутый по меньшей мере один промежуточный слой выполнен из материала, который отличается от материала упомянутой проводящей подложки и материала упомянутого слоя катализатора, при этом упомянутый пакет слоев содержит материалы, позволяющие взаимодиффузию упомянутых слоев. Изобретение обеспечивает получение наноструктур с управляемым составом и свойствами. 4 н. и 10 з.п. ф-лы, 55 ил.

ПОСТОЯННАЯ ПАМЯТЬ И ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к электрически адресуемой энергонезависимой постоянной памяти. Техническим результатом является обеспечение возможности многоуровнего кодирования заданных ячеек памяти или адресов ячеек памяти и возможность создания объемного запоминающего устройства. Электрически адресуемая энергонезависимая постоянная память содержит совокупность ячеек памяти, пассивную матрицу, которая содержит параллельные электроды, вертикальные и горизонтальные шины, полупроводниковый материал, изолирующий материал. Постоянная память содержит одну или более электрически адресуемых энергонезависимых постоянных памятей, задающую и управляющую схемы. 3 с. и 17 з. п.ф-лы, 8 ил.

СИСТЕМЫ КВАНТОВОЙ ПАМЯТИ И СИСТЕМЫ КВАНТОВОГО ПОВТОРИТЕЛЯ, СОДЕРЖАЩИЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ ИЗ ЛЕГИРОВАННОЙ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ КЕРАМИКИ, И СПОСОБЫ ИХ ПРОИЗВОДСТВА

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении эффективности хранения фотона в оптическом приборе. Система квантовой памяти содержит оптический прибор из легированной поликристаллической керамики, блок генерации магнитного поля, генератор фотонов памяти и один или более лазеров накачки, причем оптический прибор из легированной поликристаллической керамики расположен в магнитном поле блока генерации магнитного поля, когда блок генерации магнитного поля генерирует магнитное поле; один или более лазеров накачки оптически связаны с оптическим прибором из легированной поликристаллической керамики; и генератор фотонов памяти оптически связан с оптическим прибором из легированной поликристаллической керамики и конструктивно выполнен с возможностью вывода запутанной пары фотонов памяти, содержащей первый запутанный фотон памяти, запутанный со вторым запутанным фотоном памяти; оптический прибор из легированной поликристаллической керамики легирован ...

КОРОТКИЕ УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ

Изобретение может быть использовано в электронной промышленности и при изготовлении материалов для хранения водорода. Короткие многостенные углеродные нанотрубки (к-МСНТ) образованы из концентрически расположенных слоев нанотрубок и имеют средний диаметр от 2 до 15 нм, медианный диаметр от 6 до 8 нм и естественную длину от 100 до 500 нм. Они могут состоять из 2-15 коаксиальных слоев одностенных нанотрубок. Каждая из коротких МСНТ имеет один полусферический конец и один конический конец, причем полусферический конец может быть избирательно открыт путем окисления, оставляя конический конец нетронутым. Короткие МСНТ по изобретению в виде порошкового образца способны к полевой эмиссии электронов, начиная с примерно 2 В/мкм. Полученные короткие МСНТ более однородны по длине и диаметру и обладают улучшенными эмиссионными свойствами по сравнению с известными. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.

СПОСОБ СИНТЕЗА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК

Изобретение относится к получению полупроводниковых квантовых точек типов ядро и ядро-оболочка методом коллоидного синтеза, которые могут быть использованы в производстве различных люминесцентных материалов, а также в качестве основы для производства сверхминиатюрных светодиодов, источников белого света, одноэлектронных транзисторов, нелинейно-оптических устройств, фоточувствительных и фотогальванических устройств. Способ получения полупроводниковых квантовых точек на основе халькогенидов металлов II или IV группы включает синтез ядер нанокристаллов из прекурсора, содержащего халькоген, и прекурсора, содержащего металл II или IV группы, с использованием органического растворителя и модификатора поверхности, в качестве которого используют (аминоалкил)триалкоксисиланы. Синтез ядер осуществляют при постоянной температуре в пределах от 150 до 250°С в течение от 15 с до 1 часа и дополнительно проводят обработку реакционной смеси, содержащей ядра нанокристаллов, УФ-светом в течение 1÷10 мин и ...

ОПТИЧЕСКИЙ НАНОСЧЕТЧИК

Изобретение относится к средствам вычислительной техники и может быть использовано в оптических устройствах обработки информации при разработке и создании оптических вычислительных машин и приемопередающих устройств. Заявленное устройство направлено на решение задачи подсчета количества входных оптических импульсов, а также задачи деления частоты входного сигнала как для когерентных, так и для некогерентных входных оптических сигналов с быстродействием, потенциально возможным для оптических процессорных схем, а также задачи наноразмерного исполнения устройства. Поставленная задача возникает при разработке и создании оптических вычислительных наномашин или приемопередающих наноустройств, обеспечивающих обработку информации в тера- и гигагерцовом диапазонах. Оптический наносчетчик состоит из источника постоянного оптического сигнала, 2N+2 оптических нановолокон, 2N+3 оптических нановолоконных Y-разветвителей, шести телескопических нанотрубок, двух оптических нановолоконных объединителей, ...

ГРАДИЕНТНЫЙ КОНЦЕНТРАТОР

Изобретение относится к основным элементам электрического оборудования, а именно преобразователям. Градиентный концентратор состоит из проводящих электродов, размещенных на общей подложке. Эти электроды выполнены в виде квазиплоской пары острие - антиострие и разнесены на расстояние, обеспечивающее туннелирование электронов и соизмеримое с радиусом кривизны острия. При этом возможно выполнение двумерной матрицы, состоящей из градиентных концентраторов. В результате получена возможность эффективного выпрямления тока в тяжелых температурных условиях, при малых напряжениях, со снижением приложенного напряжения до ничтожно малых значений. 2 с.п.ф-лы, 2 ил.

МОЛЕКУЛЯРНО-ЭЛЕКТРОННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Использование: в цифровой вычислительной технике, а именно в устройствах памяти ЭВМ. Изобретение позволяет повысить информационную емкость запоминающих устройств на полупроводниковых ИС. Сущность изобретения: молекулярно-электронное запоминающее устройство содержит первый модуль накопителя 1, первый дешифратор 2, блок ввода - вывода информации 3, блок синхронизации и управления 4, второй модуль накопителя 5, второй дешифратор 6, молекулярный сдвигающий регистр 7, блок кодирования информации 8, блок декодирования информации 9, блок выделения информации 10, лазер 11, блок управления лазером 12. 3 ил., 2 табл.

ФОТОШАБЛОН (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

Фотошаблон для проецирования рисунка на полупроводниковую пластину, имеющую ступенчатый вид, содержит непроницаемый рисунок фотошаблона и подложку, имеющую ступени, сопряженные со ступенчатой структурой полупроводниковой пластины. Ступени имеют толщину, величина которой зависит от квадрата увеличения проекционной линзы и обеспечивает разность фаз 360±5o между излучениями, проходящими через зону ступени и зону без ступени. В одном из вариантов фотошаблона ступени состоят из рисунка на оптически прозрачной пленке. При изготовлении фотошаблона ступени формируют протравливанием или наложением оптически прозрачного материала на всю подложку фотошаблона и выполнением на нем рисунка. Слой непроницаемого материала накладывается перед или после формирования ступеней из слоя прозрачного материала. Боковые стенки ступеней подложки фотошаблона выполнены перпендикулярными или в виде лестницы с множеством ступеней, или с наклоном. Наклон выполняют наклонным протравливанием с использованием наклона материала ...

УЗКОПОЛОСНАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ УСТАНОВКА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

... 1. Узкополосный рентгеновский фильтр, содержащий подложку, а также пакет из одного или более отражательных блоков, уложенный один на другой на подложку, причем каждый отражательный блок включает в себя первый комплект по меньшей мере из двух отдельных проставок на соответствующей базовой детали, отражатель, размещенный на первом комплекте проставок таким образом, что образуется полость между соответствующей базовой деталью и отражателем, а также первый комплект по меньшей мере из двух отдельных прокладок, расположенных на первом комплекте по меньшей мере из двух отдельных проставок, причем каждая прокладка имеет по меньшей мере по существу такую же толщину, что и отражатель. 2. Фильтр по п.1, отличающийся тем, что каждый отражатель содержит несущий слой, а также пакет из одного или более зеркал, где каждое зеркало содержит слой металла с большой атомным номером Z, а также слой углерода на этом слое металла. 3. Фильтр по п.2, отличающийся тем, что металл с большим атомным номером Z содержит ...

СПОСОБЫ ОЧИСТКИ ВЫСОКОМОЛЕКУЛЯРНЫХ АЛМАЗОИДОВ И СОСТАВЫ, СОДЕРЖАЩИЕ ТАКИЕ АЛМАЗОИДЫ

... 1. Способ извлечения состава, обогащенного компонентами, представляющими собой тетрамантан, и компонентами, представляющими собой другие высокомолекулярные алмазоиды, включающий следующие операции: а) выбор исходного реагента, содержащего компоненты, представляющие собой тетрамантан, и компоненты, представляющие собой другие высокомолекулярные алмазоиды, в количестве, поддающемся извлечению; б) удаление из исходного реагента достаточного количества компонентов, имеющих температуру кипения меньше, чем наиболее низкая температура кипения компонента, представляющего собой тетрамантан, в условиях, при которых компоненты, представляющие собой тетрамантан, и компоненты, представляющие собой другие высокомолекулярные алмазоиды, остаются в обработанном исходном реагенте в количестве, поддающемся извлечению; и в) термическую обработку исходного реагента, извлеченного на операции (б), для пиролиза, по меньшей мере, достаточного количества содержащихся в нем компонентов, не являющихся алмазоидами, ...

ФОТОХРОМНЫЕ ПОЛИМЕРЫ ДЛЯ ТРЕХМЕРНОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ОПТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ

... 1. Фотохромные мономеры общей формулы 2. Способ получения фотохромных мономеров по п.1. 3. Фотохромные мономеры общей формулы Alk=CH3-C10H21 4. Способ получения фотохромных мономеров по п.3. 5. Фотохромные мономеры общей формулы 6. Способ получения фотохромных мономеров по п.5. 7. Фотохромный сополимер-олиго(Шиффово) основание на основе фотохромных мономеров по п.1 8. Способ получения фотохромного олигомера по п.7. 9. Конденсационные и полимеризационные сложные фотохромные полиэфиры на основе фотохромных мономеров по п.3. 10. Способ получения фотохромных полимеров по п.9. 11. Конденсационные и полимеризационные сложные фотохромные полиэфиры на основе фотохромных мономеров по п.5. 12. Способ получения фотохромных полимеров по п.11. 13. Применение фотохромного олигомера по п.7 в полимерном связующем в качестве двухфотонной регистрирующей среды для трехмерной оптической памяти и фотопереключателей оптических сигналов. 14. Применение фотохромных полимеров по п.9 в полимерном связующем в качестве ...

ОПТИЧЕСКИЙ НОСИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ

... 1. Оптический носитель для записи информации, содержащий ! слой записи, в котором формируют метку записи, сформированную в виде полости, в соответствии со светом для записи, и который содержит в себе соединение, имеющее основную цепь общей формулы (1) ! ! где R1, R2, R3 и R4 представляют собой либо атомы водорода или их заместители. ! 2. Оптический носитель для записи информации по п.1, в котором упомянутый слой записи содержит в себе соединение, имеющее основную цепь общей формулы (2) или общей формулы (3) ! ! ! 3. Оптический носитель для записи информации по п.2, в котором упомянутый слой записи содержит в себе соединение, имеющие основную цепь общей формулы (4) ! ! 4. Оптический носитель для записи информации по п.2, в котором упомянутый слой записи содержит в себе соединение, имеющее основную цепь общей формулы (5) ! !5. Оптический носитель для записи информации по п.2, в котором соединение имеет основную цепь общей формулы (2) или общей формулы (3). ! 6. Оптический носитель для записи ...

ФОРМИРОВАНИЕ И РЕАЛИЗАЦИЯ ПРОТОКОЛА ОБМЕНА ДАННЫМИ И ИНТЕРФЕЙСА ДЛЯ ПЕРЕСЫЛКИ СИГНАЛОВ С ВЫСОКОЙ СКОРОСТЬЮ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ

... 1. Интерфейс цифровых данных для пересылки цифровых данных представления с высокой скоростью передачи между устройством-хостом и клиентским устройством по тракту связи, содержащий: множество структур пакетов, связанных вместе с целью формирования протокола обмена данными, для обмена предварительно выбранным набором цифровых данных управления и цифровых данных представления между хостом и клиентом по упомянутому тракту связи; и по меньшей мере один контроллер линии связи, постоянно находящийся в упомянутом устройстве-хосте, подсоединенном к упомянутому клиенту через упомянутый тракт связи, сконфигурированный для генерирования, передачи и приема пакетов, формирующих упомянутый протокол обмена данными, и формирования цифровых данных представления в пакеты данных одного или нескольких типов. 2. Интерфейс по п.1, дополнительно содержащий упомянутые пакеты, сгруппированные вместе в медиакадры, которыми обмениваются между собой упомянутый хост и клиент, и которые имеют предварительно определенную ...

НАНО-УСТРОЙСТВА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В СТВОЛЕ СКВАЖИНЫ

... 1. Устройство, содержащее компонент, предназначенный для использования в стволе скважины, нано-диод, связанный с этим компонентом для приведения его в действие. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что нано-диод содержит признаки нанотехнологии. 3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительно содержит нано-переключатель, электрически связанный с нано-диодом. 4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что нано-диод содержит электрод и нано-эмиттеры, сформированные на электроде, и предназначенные для осуществления электронной эмиссии. 5. Устройство по п.4, отличающееся тем, что нано-эмиттеры содержат нано-трубки. 6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что нано-трубки выбраны из группы, состоящей из углеродных нано-трубок, кремниевых нано-трубок, молибденовых нано-трубок, титановых нано-трубок, и нано-трубок из нитрида бора. 7. Устройство по п.4, отличающееся тем, что нано-эмиттеры содержат нано-размерные алмазы. 8. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительно содержит ...

МОДИФИЦИРОВАННЫЕ БЕЛКИ ШЕЛКА ПАУКОВ

... 1. Способ модификации белка шелка пауков, включающий стадии: ! а) получения последовательности нуклеиновой кислоты, кодирующей белок шелка пауков, который содержит один модуль SEQ ID NO: 1 или его вариант, где вариант содержит 1 аминокислотную замену, 1-2 аминокислотных делеций и/или 1-2 аминокислотных вставок, и который не содержит остатков лизина или цистеина; ! б) замены последовательности нуклеиновой кислоты, кодирующей серин и/или глицин в указанном модуле указанного белка шелка пауков, последовательностью нуклеиновой кислоты, кодирующей лизин и/или цистеин, и/или добавления к указанной последовательности последовательности нуклеиновой кислоты, кодирующей аминоконцевой TAG согласно SEQ ID NO: 20-24, содержащий лизин или цистеин наряду с другими аминокислотами, и/или карбоксиконцевой TAG согласно SEQ ID NO: 25-28, содержащий лизин или цистеин наряду с другими аминокислотами; !в) проведения экспрессии модифицированной последовательности нуклеиновой кислоты, полученной в (б), в подходящем ...

ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА, СОДЕРЖАЩИЕ ПРОЗРАЧНЫЕ ПРОВОДЯЩИЕ ПОКРЫТИЯ, СОДЕРЖАЩИЕ УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ И КОМПОЗИТЫ ИЗ НАНОПРОВОДОВ, И СПОСОБЫ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

... 1. Способ изготовления изделия для холодильного или морозильного аппарата, при этом способ содержит следующие этапы:обеспечивают первую и вторую, по существу, параллельные и разделенные промежутком стеклянные подложки, при этом первую подложку обеспечивают с внутренней стороны изделия и вторую подложку обеспечивают с внешней стороны изделия;размещают одно или более прозрачных проводящих покрытий (TCC) соответственно на одной или более основных поверхностях первой и/или второй подложек; итермически закаливают, по меньшей мере, первую и вторую подложки,причем каждое упомянутое TCC содержит по меньшей мере один слой, содержащий CNT.2. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап соединения по меньшей мере одного слоя, содержащего CNT, с источником питания таким образом, что во время работы по меньшей мере один слой, содержащий CNT, получает ток из источника питания для селективного предотвращения запотевания и/или предотвращения обледенения изделия.3. Датчик дождя, содержащий:регистрирующую ...

СИСТЕМЫ КВАНТОВОЙ ПАМЯТИ И СИСТЕМЫ КВАНТОВОГО ПОВТОРИТЕЛЯ, СОДЕРЖАЩИЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ ИЗ ЛЕГИРОВАННОЙ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ КЕРАМИКИ, И СПОСОБЫ ИХ ПРОИЗВОДСТВА

СИСТЕМЫ И СПОСОБЫ ДНК-ВЫЧИСЛЕНИЙ, ОСНОВАННЫЕ НА ПРИМЕНЕНИИ МЕТИЛИРОВАНИЯ

... 1. Способ применения логики, основанной на метилировании, включающий: ! генерацию логического выражения, в состав которого входят переменные, имеющие множество значений, включающее метилированную переменную и отрицание упомянутой метилированной переменной, соответствующее неметилированной переменной; ! метилирование смеси или образца; ! изменение состояния метилирования образца на обратный; ! разделение упомянутой смеси или образца путем применения одной или нескольких методик разделения с целью выделения хотя бы одной разделенной смеси; ! декодирование хотя бы одной разделенной смеси; и ! считывание по крайней мере одной разделенной смеси для связывания упомянутого логического выражения и упомянутого декодирования. ! 2. Способ по п.1, при котором он является эффективным в проверке биомаркеров и/или создании, или идентификации новых биомаркеров. ! 3. Способ по п.1, когда одна или несколько методик разделения включают в себя получение ряда проб. ! 4. Способ по п.1, при котором считывание ...

ОБОЙМА ОТРАЖАТЕЛЕЙ, СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ, УЗКОПОЛОСНЫЙ РЕНТГЕНОВСКИЙ ФИЛЬТР И УСТАНОВКА, СОДЕРЖАЩАЯ ЕГО

... 1. Наращиваемая обойма, содержащая ! по меньшей мере две направляющие, каждая из которых в поперечном сечении имеет форму, подобную лестнице, имеющей по меньшей мере первую и вторую ступенчатые части; ! первая ступенчатая часть расположена относительно выше несущей конструкции, на которую установлена обойма; ! первая ступенчатая часть представляет собой первую поверхность, на которую установлен отражатель; ! вторая ступенчатая часть представляет собой вторую поверхность, на которую опирается другая направляющая, выполненная с возможностью размещения на этой поверхности. ! 2. Обойма по п.1, отличающаяся тем, что ! первая ступенчатая часть содержит по меньшей мере один паз и по меньшей мере одну площадку; ! по меньшей мере одна площадка определяет по меньшей мере часть первой поверхности; а ! по меньшей мере один паз представляет собой углубление, в которое может быть помещено клеящее вещество, при помощи которого отражатель прикреплен к соответствующей направляющей. ! 3. Обойма по п.2, отличающаяся ...

ДАТЧИК ДЛЯ ОБНАРУЖЕНИЯ ОТСОЕДИНЕНИЯ С НУЛЕВЫМ ПОТРЕБЛЕНИЕМ ЭНЕРГИИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В МЕДИЦИНЕ

... 1. Электрофизиологическое устройство, содержащее датчик для обнаружения отсоединения в виде датчика полного электрического сопротивления и дополнительно содержащее цепь от питающего напряжения до второго напряжения, упомянутая цепь содержит сегменты, имеющие полные электрические сопротивления, по меньшей мере, одно из которых должно быть выявлено, и точку измерения, упомянутый датчик полного электрического сопротивления дополнительно содержит дискриминатор, соединенный с упомянутой точкой измерения и выполненный с возможностью оценивать измеряемый электрический сигнал, наблюдаемый в упомянутой точке измерения. ! 2. Электрофизиологическое устройство по п.1, в котором измеряемым электрическим сигналом является напряжение. ! 3. Электрофизиологическое устройство по любому из предыдущих пунктов, в котором указанным полным сопротивлением является проводимость. ! 4. Электрофизиологическое устройство по п.1, в котором питающее напряжение и/или второе напряжение является напряжением постоянного ...

ЭЛЕКТРОД С ИММОБИЛИЗОВАННЫМ БЕЛКОМ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

... 1. Электрод с иммобилизованным белком, содержащий золотой электрод и цитохром с552, его производное или вариант, иммобилизованный на золотом электроде.2. Электрод с иммобилизованным белком по п.1, в котором цитохром с552, его производное или вариант иммобилизован таким образом, что гидрофобная часть цитохрома, его производного или варианта противоположна стороне золотого электрода.3. Электрод с иммобилизованным белком по п.2, в котором цитохром с552, его производное или вариант и золотой электрод соединены друг с другом с помощью самоорганизующегося монослоя, расположенного между ними.4. Электрод с иммобилизованным белком по п.3, в котором самоорганизующийся монослой образован путем применения гидрофобного и гидрофильного тиолов.5. Электрод с иммобилизованным белком по п.4, в котором гидрофобным тиолом является HS(СН)CH(n=5, 8, 10), а гидрофильным тиолом является HS(CH)CHOH (n=5, 8, 10).6. Электрод с иммобилизованным белком по п.5, в котором содержание HS(CH)CHOH в самоорганизующемся монослое ...

МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ КОМПОЗИТЫ НА ОСНОВЕ ПОКРЫТЫХ НАНОСТРУКТУР

... 1. Изделие, содержащее:множество наноструктур, по меньшей мере некоторые из которых имеют длину по меньшей мере 10 мкм, причем продольные оси наноструктур, по существу, выровнены относительно друг друга; иконформное полимерное покрытие, прикрепленное к наноструктурам, при этом наноструктуры имеют морфологию, по существу, подобную морфологии, по существу, идентичных наноструктур, не имеющих полимерного покрытия, при, по существу, идентичных условиях.2. Изделие, содержащее:множество наноструктур, по меньшей мере некоторые из которых имеют диаметр менее 20 нм, причем продольные оси наноструктур, по существу, выровнены относительно друг друга; иконформное полимерное покрытие, прикрепленное к наноструктурам, при этом наноструктуры имеют морфологию, по существу, подобную морфологии, по существу, идентичных наноструктур, не имеющих полимерного покрытия, при, по существу, идентичных условиях.3. Изделие, содержащее:множество наноструктур, при этом продольные оси наноструктур, по существу, выровнены ...

НЕ УВЛАЖНЯЕМЫЙ, ПОЛНОСТЬЮ ТВЕРДЫЙ БЕЛКОВЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО

... 1. Не увлажняемый, полностью твердый белковый фотоэлектрический преобразователь, содержащий структуру, в которой твердый белковый слой, состоящий из переносящего электроны белка, помещен между первым электродом и вторым электродом.2. Не увлажняемый, полностью твердый белковый фотоэлектрический преобразователь по п.1, в котором твердый белковый слой состоит из мономолекулярной пленки или мультимолекулярной пленки белка, переносящего электроны.3. Не увлажняемый, полностью твердый белковый фотоэлектрический преобразователь по п.2, в котором первый электрод и/или второй электрод представляет собой прозрачный электрод, изготовленный из материала, прозрачного для видимого света.4. Не увлажняемый, полностью твердый белковый фотоэлектрический преобразователь по п.3, в котором твердый белковый слой непосредственно иммобилизирован на первом электроде и на втором электроде.5. Не увлажняемый, полностью твердый белковый фотоэлектрический преобразователь по п.1, характеризующийся тем, что представляет ...

ВИБРОИЗОЛИРУЮЩИЙ МОДУЛЬ И СИСТЕМА ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК

... 1. Модуль (101) для изолирования устройства для обработки подложек, такого как литографическое устройство или устройство контроля, от вибраций, при этом модуль содержит:- опорную раму (102);- промежуточный элемент (103), соединенный с опорной рамой посредством, по меньшей мере, одного пружинного элемента (105) так, что промежуточный элемент представляет собой подвесной элемент; и- опорный элемент (104), который при использовании указанного модуля (101) несет колонну указанного устройства для обработки подложек, при этом опорный элемент (104) соединен с промежуточным элементом (103) посредством, по меньшей мере, одного маятникового стержня (108) так, что опорный элемент представляет собой подвесной элемент; и- при этом данный, по меньшей мере, один маятниковый стержень выполнен с точкой изгиба.2. Модуль по п. 1, в котором данный, по меньшей мере, один маятниковый стержень выполнен с двумя точками изгиба, при этом стержень присоединен к промежуточному элементу в месте, находящемся выше верхней ...

ПОДЛОЖКА ДЛЯ ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

... 1. Подложка для оптической системы, содержащая тонкоструктурный слой, включающий в себя точки, состоящие из множества выпуклых участков или вогнутых участков, проходящих в направлении от главной поверхности подложки наружу поверхности,при этом тонкоструктурный слой образует множество точечных линий, в которых множество точек размещено с шагом Py в первом направлении на главной поверхности подложки, тогда как множество точечных линий образует множество точечных линий, размещенных с шагом Px во втором направлении, ортогональном первому направлению, на главной поверхности подложки, иодин из шага Py и шага Px является постоянным интервалом нанометрового диапазона, тогда как другой является непостоянным интервалом нанометрового диапазона, или оба они являются непостоянными интервалами нанометрового диапазона.2. Подложка для оптической системы по п. 1, в которой непостоянный интервал нанометрового диапазона имеет переменную ширину δ.3. Подложка для оптической системы по п. 1, в которой шаг Py ...

СИСТЕМА ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ, СОДЕРЖАЩАЯ УСТРОЙСТВО-МАНИПУЛЯТОР ДЛЯ МАНИПУЛЯЦИИ ОДНИМ ИЛИ БОЛЕЕ ПУЧКАМИ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ

... 1. Система заряженных частиц, такая как система многолучевой литографии, содержащая устройство-манипулятор для манипулирования одним или более пучками заряженных частиц, при этом устройство-манипулятор содержит:плоскую подложку, содержащую, по меньшей мере, одно сквозное отверстие в плоскости плоской подложки, при этом каждое сквозное отверстие выполнено с возможностью пропускания, по меньшей мере, одного пучка заряженных частиц сквозь него, и каждое сквозное отверстие снабжено электродами, размещенными в первом наборе множества первых электродов вдоль первой части периметра упомянутого сквозного отверстия и во втором наборе множества вторых электродов вдоль второй части упомянутого периметра; иэлектронную схему управления, выполненную с возможностью предоставления разностей напряжения парам электродов, причем каждая пара состоит из первого электрода из первого набора и второго электрода из второго набора в зависимости от позиции первого и второго электродов по периметру сквозного отверстия ...

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЕНЕРИРОВАНИЯ ЖЕСТКОГО УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО СВЕТА И ЕГО ПРИЛОЖЕНИЯ К ИСТОЧНИКУ ЖЕСТКОЙ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ РАДИАЦИИ ДЛЯ ЛИТОГРАФИИ

... 1. Устройство для генерирования излучения в крайней ультрафиолетовой области (EUV), содержащее:a) группу источников лазерного излучения высокой мощности для испускания лазерных пучков (12);b) фокусирующие средства (11; 111) для фокусирования лазерных пучков (12) с формированием сфокусированных лазерных пучков (1);c) средства для создания откачанного объема с давлением менее 1 Па, по меньшей мере, в области фокусировки указанных сфокусированных лазерных пучков (1);d) элемент (2) для формирования плотной мишени (4) в области фокусировки указанных сфокусированных лазерных пучков (1), причем плотная мишень (4) способна взаимодействовать со сфокусированными лазерными пучками (1) с испусканием плазмы, по меньшей мере, одна из линий спектра испускания которой находится в крайней ультрафиолетовой области;e) принимающий элемент (3) для приема мишени (4) после ее взаимодействия со сфокусированными лазерными пучками (1);f) по меньшей мере, один первый компонент (10; 110) для сбора EUV-излучения, испускаемого ...

ГЕНОМНЫЙ АНАЛИЗ

... 1. Способ обнаружения нуклеотидной последовательности в геномном образце, который включаетобеспечение геномного образца, включающего нуклеотидную последовательность-мишень дуплексной нуклеиновой кислоты;обеспечение зонда, включающего нуклеотидную последовательность-зонд;обеспечение гибридизационной смеси, включающей геномный образец, зонд, промотирующий гибридизацию агент и метки;инкубацию гибридизационной смеси с целью обеспечения инкубированной смеси, содержащей комплекс нуклеотидной последовательности-мишени, зонда и меток;облучение инкубированной смеси с помощью излучения, способного стимулировать, по крайней мере, некоторые из меток излучать энергию; иустановление на основании флуоресцентного сигнала, является ли зонд идеально комплементарным нуклеотидной последовательности-мишени для обнаружения, таким образом, присутствует ли эта нуклеотидная последовательность в геномном образце,где обнаружение завершают в пределах шестидесяти минут после обеспечения гибридизационной смеси, а способ ...

Способ корпускулярного облучения мишени и устройство для его осуществления

Изобретение относится к элион- ной технике, в частности к электронному облучению мишени,и может быть использовано, в частности, в эле- .-лучевых приборах для микролитографического структурирования тонких слоев при изготовлении конструктивных элементов с размерами в субмикронном диапазоне. Способ корпускулярного облучения мишени реализован в устройстве, содержащем электронную пушку 1, систему отклонения , систему формирования пучка в виде расположенных в разных плоскостях вдоль оптической оси квадру- польных линз 5, фиксирующую пучок лучей астигматически в .две перпендикулярные к осям и ортогональные одна к другой фокальные линии, модулятор поля, разделенньм на две секции: электродную гребенку (ЭГ) 16 и расположенную за ней и смещенную на расстояние , равное половине шага, ЭГ 17. Для повьш1ения скорости и точности обработки мишени 10 структурирование электронного пучка осуществляют последовательно для четных и нечетных интервалов штрихового зонда 9. 2-е. и 3 3.п. ф-лы, 7 ил. i (Л с: ...

Bipyridyl-Oligothiophenderivate als elektronenleitende Materialien

Magnetowiderstandseffektvorrichtung und hiermit versehener Magnetkopf, Speicher- und Verstärkungsanordnung

GEFILTERTES, SERIELLES EREIGNISGESTEUERTES BEFEHLSTOR FÜR "FLASH" SPEICHER

Thin film patterning method by optical lithography, e.g. for bio-chip manufacture, by forming evanescent sections in thin film to increase their solubility

To increase the solubility of a thin film (6), it is brought into contact with an optical element which guides visible or ultraviolet light (3) by means of total reflection or as a single mode, to form evanescent sections in the thin film. The evanescent sections penetrate the thin films, causing an increased solubility in the thin film, limited to the extent of the evanescent film. An independent claim is included for an apparatus for carrying out the method.

Reflektives optisches Element für den EUV-Wellenlängenbereich, Verfahren zur Erzeugung und zur Korrektur eines solchen Elements, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Element und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv

Die Erfindung betrifft ein reflektives optisches Element 39 für den EUV-Wellenlängenbereich mit einer auf der Oberfläche eines Substrats aufgebrachten Schichtanordnung, wobei die Schichtanordnung mindestens ein Schichtteilsystem 37 umfasst, welches aus einer periodischen Abfolge von mindestens einer Periode an Einzelschichten besteht, wobei die Periode zwei Einzelschichten mit unterschiedlichem Brechungsindex im EUV-Wellenlängenbereich umfasst, wobei das Substrat wenigstens entlang einer gedachten Fläche 30 mit einem festen Abstand zwischen 0 µm und 100 µm von der Oberfläche eine Variation der Dichte von mehr als 1 Vol-% aufweist und wobei das Substrat entweder durch eine Schutzschicht bzw. durch ein Schutzschichtteilsystem der Schichtanordnung oder durch einen entsprechend verdichteten Oberflächenbereich 35 des Substrats vor einer langfristigen Alterung bzw. Verdichtung durch EUV Strahlung geschützt ist. Darüber hinaus betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Erzeugung eines solchen reflektiven ...

Halbleiterbauelement mit einem Aggregat von Mikro-Nadeln aus Halbleitermaterial

Mikromechanische, verformbare Spiegelvorrichtungen (-DMD-)

Diode mit resorantem Tunneleffekt mit verringertem Talstrom

Magnetwiderstands-Sensor mit selbstpolarisiertem Mehrschichtsystem

Vorrichtung zur Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse

PLASMAEINSCHNÜRUNGSSYSTEM UND DESSEN ANWENDUNGSVERFAHREN.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

In einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wird eine Finnenstruktur über einem Substrat gebildet. Die Finnenstruktur wird so herausgearbeitet, dass sie mehrere nicht-geätzte Abschnitte und mehrere geätzte Abschnitte aufweist, die eine schmalere Breite haben als die mehreren nicht-geätzten Abschnitte. Die herausgearbeitete Finnenstruktur wird so oxidiert, dass jeweils mehrere Nanodrähte in den mehreren nicht-geätzten Abschnitten gebildet werden, und die mehreren geätzten Abschnitte oxidiert werden, um Oxide zu bilden. Die mehreren Nanodrähte werden durch Entfernen der Oxide herausgelöst.

Nanodrahttransistor mit Source und Drain induziert durch elektrische Kontakte mit negativer Schottky-Barrierenhöhe

Ein Nanodrahttransistor weist undotierte Source- und Drain-Bereiche auf, die elektrisch mit einem Kanalbereich gekoppelt sind. Ein Source-Stapel, der elektrisch von einem Gate-Leiter isoliert ist, weist eine Grenzflächenschicht und einen Source-Leiter auf und läuft koaxial vollständig um den Source-Bereich, indem er sich entlang mindestens eines Abschnitts des Source-Bereichs erstreckt. Eine Schottky-Barriere zwischen dem Source-Leiter und dem Source-Bereich ist eine negative Schottky-Barriere, und eine Konzentration freier Ladungsträger wird in dem Halbleiter-Source-Bereich induziert.

GESTAPELTE TRANSISTOREN MIT SI PMOS UND HOCHMOBILITÄTS-DÜNNFILMTRANSISTOR-NMOS

Eine Integrierte-Schaltung-Struktur umfasst eine untere Bauelementschicht, umfassend eine erste Struktur, umfassend eine Mehrzahl von PMOS-Transistoren. Eine obere Bauelementschicht wird auf der unteren Bauelementschicht gebildet, wobei die obere Bauelementschicht eine zweite Struktur umfasst, die eine Mehrzahl von NMOS-Dünnfilmtransistoren (TFT) umfasst.

Funktionell laminierte, chemisch adsorbierte Schicht und Verfahren zu deren Herstellung

Optische Abtasteinrichtung

Verfahren zum Herstellen einer rotationsinduzierten Übergitterstruktur

VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM FESTSTELLEN/REGULIEREN DES FREIRAUMS BEI EINER LITHOGRAPHIEMASCHINE.

Nanoelectronic structural element comprising two electrically conducting contacts bridged over by molecular monlayer useful in microelectronics has current/voltage characteristic with region of negative differential resistance

Nanoelectronic structural element comprising two electrically conducting contacts (ECC) bridged over by a monolayer of molecules (10) having at least one anchor group (18) which forms a connection with a first electrically conducting contact (25), two insulating elements (14, 16) and a molecular core (12) consisting of one or more conjugated elements. The current/voltage characteristic of the structural element has a least one region of negative differential resistance (NDR). Independent claims are included for: (1) an electronic circuit with at least one nanoelectric component; (2) an electronic storage element with at least one nanoelectronic structural element.

BILDWIEDERGABEZELLE.

Verfahren zur Nanostrukturierung von amorphen Kohlenstoffschichten

In-plane-gate transistor production by CMOS compatible process

A process for producing an in-plane-gate (IPG) transistor (10) involves: (a) producing a semiconductor substrate (12) having a semiconductor layer (16) insulated from the substrate by an insulation layer (14); (b) photolithographically structuring the semiconductor layer (16) to separate the transistor gate, source and drain electrodes by a trench (18) which extends down to the insulation layer (14); (c) filling the trench (18) and covering the electrodes and the trench (18) with a field oxide; and (d) producing contact structures (28, 30) for the electrodes. Also claimed is a similar process in which steps (b) and (c) are replaced by photolithographically structuring the semiconductor layer to define source and drain electrodes, photolithographically defining and etching away a subsequent gate region, depositing a gate insulation layer in the etched gate region and depositing the gate electrode on the gate insulation layer. Further claimed are IPG transistors produced as described above ...

Three=dimensional microstructure

In a process for manufacturing three-dimensional microstructures of a desired shape an ionising beam is directed at a radiation-sensitive material(1), especially polymethyl methacrylate(PMMA) while the position of the latter is varied relative to the beam. Process equipment comprises of an ion beam emitter and apparatus for varying the position of the radiation sensitive material(1) at which the beam is directed.

Informationsspeicher fuer rechentechnische Anwendungen

Flipflop-Schaltung

AUS CHAPERONIN-POLYPEPTIDEN GEBILDETE GEORDNETE BIOLOGISCHE NANOSTRUKTUREN

Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung

Lithographischer Projektionsapparat und Reflektoranordnung für die Verwendung in diesem Apparat

SPEICHERMODULBAUGRUPPE, DIE TEILWEISE DEFEKTE CHIPS VERWENDET

Flexible Multifunktions-Logikschaltung auf Einfachelektronenbasis und Transistor hierfür

Flexible Multifunktions-Logikschaltung auf Einfachelektronenbasis, mit: ersten und zweiten Einfachelektronen-Transistoren SET1 und SET2 jeweils mit Nebengates Gate1 und Gate2 und Eingangsspannungsanschlüssen Vin1 und Vin2, einer Konstantstromquelle VD zum Zuführen eines vorgegebenen Stroms, einem ersten Feldeffekttransistor FET2 zum Aufrechterhalten einer vorgegebenen Drain-Spannung, die durch die Konstantstromquelle VD an die ersten und zweiten Einfachelektronen-Transistoren SET1 und SET2 angelegt wird, mindestens einem zweiten Feldeffekttransistor FET2 zum Bestimmen des Stromflusses zu den ersten und zweiten Einfachelektronen-Transistoren SET1 und SET2, und zwei Anschlüssen Port1 und Port2 zum Wechseln eine Stromflussrichtung in Abhängigkeit davon, ob der zweite Feldeffekttransistor FET2 eingeschaltet oder ausgeschaltet ist.

Verfahren zum Bilden von Nanostrukturen auf Metallsilizidkristallen und resultierende Strukturen und Bauelemente

Ein Verfahren zum Bilden von Nanostrukturen, das folgende Schritte umfasst: Bilden einer Mehrschichtstruktur (106), die eine Metallschicht (100) und eine Siliziumschicht (104) umfasst; Unterziehen der Mehrschichtstruktur (106) einem thermischen Prozess, um Metallsilizidkristallite (110) zu bilden; und Aufwachsen der Nanostrukturen (114) auf den Metallsilizidkristalliten (110).

Einheit und Methode zumn Schalten einer Einheit

Eine schaltbare elektronische Einheit umfasst eine Lochblockierende Schicht und eine Schicht, die ein leitfähiges Material zwischen ersten und zweiten Elektroden umfasst, wobei die Leitfähigkeit der Einheit durch Anwendung eines Stromes mit einer Stromdichte von weniger als oder gleich 10 Acm2 irreversibel zu einer Leitfähigkeit, die mindestens 100 mal geringer als die Leitfähigkeit der Einheit vor dem Schalten ist, geschaltet werden kann. Das leitfähige Material ist ein dotiertes organisches Material, wie etwa dotiertes optional substituiertes Polyethylen dioxythiophen).

RÖNTGENVORRICHTUNG, VERFAHREN ZUM VERWENDEN DER RÖNTGENVORRICHTUNG UND RÖNTGENBESTRAHLUNGSVERFAHREN

Datenspeicherung auf phasen-veränderbaren Materialien.

Magnetische Direktzugriffsspeichereinheit und Verfahren zum Herstellen einer magnetischen Direktzugriffsspeichereinheit

Die magnetische Direktzugriffsspeicher-(MRAM-)Einheit weist Lesewortleitungen, Schreibwortleitungen und Bitleitungen sowie eine Vielzahl von Bitspeicherzellen auf, die durch die Lesewortleitungen, die Schreibwortleitungen und die Bitleitungen untereinander verbunden sind, wobei jede der Bitspeicherzellen ein Element mit einer festen ferromagnetischen Schicht und ein Element mit einer freien ferromagnetischen Schicht aufweist, die durch ein dielektrisches Tunnelbarrierenelement voneinander getrennt sind, wobei jede der Schreibwortleitungen und eine entsprechende Anzahl der Elemente mit einer freien ferromagnetischen Schicht als eine einzige durchgehende ferromagnetische Leitung gebildet sind.

Silizium-Gitter als Referenz- und Kalibrierungs-Standard in einem Partikelstrahl-Lithographiesystem.

Vorrichtung und Verfahren zum verschlüsselten Sicherheitsmarkierung zum Schutz von Wertgegenständen.

Vorrichtung und Verfahren zum verschlüsselten Sicherheitsmarkierung zum Schutz von Wertgegenständen.

Quantendraht-Feldeffekttransistor

Feldemissionskathodeneinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

The invention concerns a field-emission cathode made of an electrically conducting material and having the shape of a narrow rod or a knife edge to ensure a high magnification of the electric field strength. The field-emission cathode is characterized in that at least part of the electron-emitting zone of the cathode includes preferably cylindrical host molecules and/or compounds with other host molecules and/or cylindrical atom networks, optionally with end-caps with a diameter in the nanometer range.

Mehrschichtiges Gitter für Monochromatisierung und Spektroskopie

Vorrichtung zum Nachweis von fluoreszenten, der Bindung eines Liganden auf einem Substrat entsprechenden Merkmalen

FLASHSPEICHER MIT MOLEKULAREN KREUZLEITUNGEN

Herstellungsverfahren eines Halbleiterspeichers mit Nanodots

Methoden zum Nachweis Analyten in Proben

ELEKTROKONTAKTELEMENT

Nanodraht-Schaltkreise in abgestimmten Einheiten

Eine Invertereinheit beinhaltet einen ersten Nanodraht, der mit dem Kontakt einer Spannungsquelle und einem Massekontakt verbunden ist, eine erste p-leitende Feldeffekttransistor(pFFT)-Einheit, die eine auf dem ersten Nanodraht angeordnete Gate-Elektrode aufweist, und eine erste n-leitende Feldeffekttransistor(nFET)-Einheit, die eine auf dem ersten Nanodraht angeordnete Gate-Elektrode aufweist.

Optische Quanten-Interferenz-Vorrichtung.

HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN

Die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ist mit Folgendem versehen: einem Kanalteil 21; einer gegenüber dem Kanalteil 21 mit einem Gate-Isolierfilm 23 dazwischen angeordneten Gate-Elektrode 22; und an beiden Rändern des Kanalteils 22 angeordneten Source-/Drain-Gebieten 25, wobei die Source-/Drain-Gebiete 25 mit einer Halbleiterschicht 26 von einem ersten Leitfähigkeitstyp versehen sind, die in einem in einem Basiskörper 20 vorgesehenen ausgesparten Gebiet gebildet ist. Eine Störstellenschicht 30 von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, der von dem ersten Leitfähigkeitstyp verschieden ist, ist zwischen dem unteren Teil der Halbleiterschicht 26 und dem Basiskörper 20 gebildet.

Verfahren zum Herstellen eines Nanoelement-Feldeffektransistors, Nanoelement-Feldeffekttransistor und Nanoelement-Anordnung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Nanoelement-Feldeffekttransistors, einen Nanoelement-Feldeffekttransistor und eine Nanoelement-Anordnung. Gemäß dem Verfahren zum Herstellung eines Nanoelement-Feldeffekttransistors wird ein Nanoelement gebildet, ein erster und ein zweiter Source-/Drain-Bereich mit dem Nanoelement gekoppelt, ein Oberflächenbereich eines Substrats derart entfernt, dass ein Bereich des Nanoelements freigelegt wird, und eine Gate-isolierende Struktur und eine Gate-Struktur das Nanoelement vollumfänglich bedeckend gebildet.

Vorrichtung und Verfahren zum Prozessieren eines Wafers

Vorrichtung zum Prozessieren einer Prozessieroberfläche (100) eines Wafers (105) mittels eines Prozessierstrahls (200), enthaltend: ein Mittel zum Bewegen des Wafers (105) und des Prozessierstrahls (200) relativ zueinander, so dass der Prozessierstrahl (200) die Prozessieroberfläche (100) des Wafers (105) in einem Scanweg (110) mit einem gekrümmten Verlauf mit kontinuierlich oder stufenweise sich verändernden Radien scannt.

VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG VON POLYAZETYLEN ODER POLYAZEN KONJUGIERTEN POLYMEREN MIT SEHR LANGER KETTE.

INTEGRIERTE MASSENSPEICHERANORDNUNG.

Halbleiterspeicheranordnung.

Transistoreinheiten mit magnetischem Tunnelübergang

Transistoreinheiten mit einem magnetischen Tunnelübergang sowie Verfahren zum Betreiben und Bilden von Transistoreinheiten mit einem magnetischen Tunnelübergang. In einem Aspekt beinhaltet eine Transistoreinheit mit einem magnetischen Tunnelübergang eine erste Source-/Drain-Elektrode, eine zweite Source-/Drain-Elektrode, eine Gate-Elektrode und einen magnetischen Tunnelübergang, der zwischen der Gate-Elektrode und der zweiten Source-/Drain-Elektrode angeordnet ist. Der magnetische Tunnelübergang beinhaltet eine magnetische freie Schicht, die sich der Länge nach zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode erstreckt und von diesen überlagert ist. Die Gate-Elektrode überlagert die magnetische freie Schicht zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode vollständig. Die Transistoreinheit mit einem magnetischen Tunnelübergang polt eine Magnetisierungsorientierung der magnetischen freien Schicht mittels Anlegen einer Gate-Spannung an die Gate-Elektrode um, wodurch ...

Verfahren zur Herstellung von aus monomolekularen Schichten aufgebauten Filmen unter Anwendung von Silanen, die Acetylen- bindungen enthalten

Strahlenoptische Elemente mit Graphit-Schichten.

Nichtlinearischer Resistor mit einer polymerischen Membran.

Vorrichtung und Verfahren zur Beschreibung von fotolithografischen Systemen.

Integrated magnetoresistive semiconductor memory has integrated connecting conductors located in any one of metallization planes and polysilicon connection plane

The integrated connecting conductors (10) having word lines (1), digit lines (3), bit lines (5) and isolation element activating line, are located in selected plane of any one of the metallization planes and a polysilicon connection plane. An independent claim is included for integrated magnetoresistive semiconductor memory fabrication method.

Vielfachschicht Strukturen für optische Elemente im Bereich weicher Röntgenstrahlung

Photochromer nicht-flüchtger Speicher und partielles Löschverfahren

Halbleiterwiderstandsspeicherbauelement und Herstellungsverfahren

Halbleiterwiderstandsspeicherbauelement mit einem Substrat (1) mit einer Oberseite, Wortleitungsstegen (5), die parallel im Abstand zueinander auf der Oberseite angeordnet sind, Bitleitungen (BLi), die im Abstand zueinander quer zu den Wortleitungen (WLk) angeordnet sind, Source-/Drain-Bereichen, die als dotierte Bereiche jeweils benachbart zu einem Wortleitungssteg (5) und zu einem Zwischenraum zwischen Wortleitungsstegen (5) ausgebildet sind, Aussparungen (13) des Substrates (1), die in jedem zweiten Zwischenraum zwischen den Wortleitungsstegen (5) gebildet sind, wobei die benachbart zu einem betreffenden Zwischenraum angeordneten Source-/Drain-Bereiche jeweils an eine Seitenwand der betreffenden Aussparung (13) angrenzen und die Bitleitungen (BLi) Anteile aufweisen, die in den Aussparungen (13) angeordnet sind, Widerstandsschichten (17), die an den Seitenwänden der Aussparungen (13) jeweils zwischen einem Source-/Drain-Bereich und einem Anteil einer Bitleitung (BLi) angeordnet und aus ...

Method for producing a stamp for hot embossing

The present invention provides a process for producing a stamp for hot embossing (HE). The stamp can be constructed from any photo-resist epoxy that is stable at temperatures equal to the glass transition temperature (T g ) of the material to be stamped. The stamp can be used repeatedly without significant distortion of features. The stamp benefits from low relative cost, high fidelity of features in all three-dimensions and fast construction. The process for producing a stamp for hot embossing from a resist, comprising the steps of producing a seed layer L 1 from a selected photoresist polymer material, soft baking the seed layer L 1 , exposing said seed layer L 1 to initiate cross-linking and then post-exposure bake L 1 to fully cross-link it, coating the cross-linked seed layer L 1 with a second photoresist polymer layer L 2 ; soft baking the second photoresist polymer layer L 2 ; applying a mask to the top surface of the soft baked layer L 2 and illuminating the unmasked portions of the soft baked layer L 2 with UV radiation through the mask, wherein the exposed areas form the pattern of the embossing features, washing away un-exposed regions of the photoresist with a developer to leave behind a relief pattern formed in the second photoresist polymer layer L 2 , which relief pattern corresponds to a pattern in the mask.

Clamping device of micro-nano imprint process and the method thereof

The invention discloses a clamping device of the micro/nano imprint process and the method thereof for clamping a substrate. The clamping device comprises a first module, a second module and a locking module. The first module and the second module are used to accommodate and support at least one mold. The mold has a predetermined structure. The locking module is used to lock the first module and the second module. The clamping device drives the mold to imprint the substrate or the material layer of the substrate by a predetermined way.

Dense Nanoscale Logic Circuitry

One embodiment of the present invention is directed to hybrid-nanoscale/microscale device comprising a microscale layer that includes microscale and/or submicroscale circuit components and that provides an array of microscale or submicroscale pins across an interface surface; and at least two nanoscale-layer sub-layers within a nanoscale layer that interfaces to the microscale layer, each nanoscale-layer sub-layer containing regularly spaced, parallel nanowires, each nanowire of the at least two nanoscale-layer sub-layers in electrical contact with at most one pin provided by the microscale layer, the parallel nanowires of successive nanoscale-layer sub-layers having different directions, with the nanowires of successive nanoscale-layer sub-layers intersecting to form programmable crosspoints.

Nanoelectronic differential amplifiers and related circuits implemented on a segment of a graphene nanoribbon

A multiple transistor differential amplifier is implemented on a segment of a single graphene nanoribbon. Differential amplifier field effect transistors are formed on the graphene nanoribbon from a first group of electrical conductors in contact with the graphene nanoribbon and a second group of electrical conductors insulated from, but exerting electric fields on, the graphene nanoribbon thereby forming the gates of the field effect transistors. A transistor in one portion of the graphene nanoribbon and a transistor in another portion of the graphene nanoribbon are responsive to respective incoming electrical signals. A current source, also formed on the graphene nanoribbon, is connected with the differential amplifier, and the current source and the differential amplifier operating together generate an outgoing signal responsive to the incoming electrical signal. In an example application, the resulting circuit can be used to interface with electrical signals of nanoscale sensors and actuators,

Magnetic recording apparatus and method of testing magnetic recording apparatus

According to one embodiment, there is provided a magnetic recording apparatus including a head slider including read and write elements, and a magnetic recording medium including magnetically recordable recording tracks with a width L 1, a wide land track with a width L 2 larger than the width L 1 of the recording track, and non-recording sections with a width G 1 each provided between adjacent recording tracks. The width L 1 of the recording track is smaller than a bottom read width BRW of the read and write elements, and the width L 2 of the wide land track is larger than the bottom read width BRW of the read and write elements.

CPP-Type Magnetoresistive Element Including Spacer Layer

An MR element includes a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and a spacer layer disposed between the first and second ferromagnetic layers. The spacer layer includes a nonmagnetic metal layer, a first oxide semiconductor layer, and a second oxide semiconductor layer that are stacked in this order. The nonmagnetic metal layer is made of Cu, and has a thickness in the range of 0.3 to 1.5 nm. The first oxide semiconductor layer is made of a Ga oxide semiconductor, and has a thickness in the range of 0.5 to 2.0 nm. The second oxide semiconductor layer is made of a Zn oxide semiconductor, and has a thickness in the range of 0.1 to 1.0 nm.

Biological control of nanoparticle nucleation, shape and crystal phase

The present invention includes compositions and methods for selective binding of amino acid oligomers to semiconductor and elemental carbon-containing materials. One form of the present invention is a method for controlling the particle size of the semiconductor or elemental carbon-containing material by interacting an amino acid oligomer that specifically binds the material with solutions that can result in the formation of the material. The same method can be used to control the aspect ratio of the nanocrystal particles of the semiconductor material. Another form of the present invention is a method to create nanowires from the semiconductor or elemental carbon-containing material. Yet another form of the present invention is a biologic scaffold comprising a substrate capable of binding one or more biologic materials, one or more biologic materials attached to the substrate, and one or more elemental carbon-containing molecules attached to one or more biologic materials.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

The present invention provides a nitride-based semiconductor device. The nitride-based semiconductor device includes: a base substrate having a diode structure; an epi-growth film disposed on the base substrate; and an electrode part disposed on the epi-growth film, wherein the diode structure includes: first-type semiconductor layers; and a second-type semiconductor layer which is disposed within the first-type semiconductor layers and has both sides covered by the first-type semiconductor layers.

Optical information recording reproduction apparatus and optical information recording reproduction method

An optical information recording reproduction apparatus includes: a first light beam source; a second light beam source emitting a beam with a wavelength shorter than that of the first light beam source; and an object lens condensing the beams from the first and second light beam sources to an optical information recording medium. When information is recorded in the optical information recording medium, a recording beam is emitted from the first light beam source and a beam used to generate a signal for controlling a position of the object lens is emitted from the second light beam source. When the information of the optical information recording medium is reproduced, a reproduction beam is emitted from the second light beam source.

Guided self-assembly of block copolymer line structures for integrated circuit interconnects

Complex self-assembled patterns can be created using a sparse template and local changes to the shape or distribution of the posts of the template to direct pattern generation of block copolymer. The post spacing in the template is formed commensurate with the equilibrium periodicity of the block copolymer, which controls the orientation of the linear features. Further, the posts can be arranged such that the template occupies only a few percent of the area of the final self-assembled patterns. Local aperiodic features can be introduced by changing the period or motif of the lattice or by adding guiding posts. According to one embodiment, an array of carefully spaced and shaped posts, prepared by electron-beam patterning of an inorganic resist, can be used to template complex patterns in a cylindrical-morphology block copolymer. These complex self-assembled patterns can form a mask used in fabrication processes of arbitrary structures such as interconnect layouts.

Template manufacturing method, semiconductor device manufacturing method and template

According to one embodiment, a template manufacturing method is a method for manufacturing a template for use in an imprint processing in which a pattern having irregularities are formed on a principal surface, and the pattern is brought into contact with a resist member formed on a substrate to be processed, to transfer the pattern to the resist member, the method including implanting charged particles at least into the bottoms of concave portions of the template.

Electrostatically regulated atomic scale electroconductivity device

An atomic scale electroconductivity device with electrostatic regulation includes a perturbing species having a localized electronic charge. A sensing species having an electronic conductivity is placed in proximity to the perturbing species at a distance sufficient to induce a change in the electronic conductivity associated with the localized electronic charge. Electronics are provided to measure the conductivity via the sensing species. A temporally controlled atomic scale transistor is provided by biasing a substrate to a substrate voltage with respect to ground.

Projection Exposure System, Beam Delivery System and Method of Generating a Beam of Light

A beam delivery system of a projection exposure system comprises a laser generating a beam of laser light from a plurality of longitudinal laser modes in a cavity, wherein light generated by a single longitudinal laser mode has an average line width λ lat , wherein the laser light of the beam has, at each of respective lateral positions of the beam, a second line width λ lat corresponding to lateral laser modes, and wherein the laser light of the beam has, when averaged over a whole cross section thereof, a line width λ b corresponding to plural lateral laser modes, and wherein λ m <λ lat <λ b , and wherein an optical delay apparatus disposed in the beam provides an optical path difference Δl, wherein 0.8 · λ 0 2 ( 2 · Δ   λ l ) < Δ   l < 1.8 · λ 0 2 ( 2 · Δλ l ) , wherein λ 0 is an average wavelength of the light of the first beam of laser light, and Δλ lat represents the second line width.

Imprint lithography alignment method and apparatus

A method of aligning a template and a substrate for imprint lithography involves using a mask pattern of the template and a luminescent marker pattern of the substrate, the method including aligning the template mask pattern and the substrate marker pattern using a radiation intensity measurement of radiation emitted by the luminescent marker pattern and having passed the template mask pattern. The mask pattern and the luminescent marker pattern may each be shaped to provide a turning point in the intensity of detected radiation emitted from the marker pattern, and passing through the mask pattern to a detector, as a function of relative displacement at the aligned position. The displacement of the template and substrate may be aligned by identifying the turning point in radiation intensity. The marker pattern may be fluorescent with the emitted radiation excited by a radiation source.

Method for forming pattern and a semiconductor device

According to one embodiment, a pattern forming method comprises transferring a pattern formed in a surface of a template to a plurality of chip areas in a semiconductor substrate under different transfer conditions. Furthermore, the transferring the pattern formed in the surface of the template to the plurality of chip areas in the semiconductor substrate under the different transfer conditions comprises transferring the pattern formed in the surface of the template to the semiconductor substrate at least twice under each identical transfer condition. Moreover, the pattern forming method comprises dividing each of the plurality of chip areas into a plurality of areas, determining an optimum condition for each set of corresponding divided areas in the plurality of chip areas, and transferring the pattern onto the semiconductor substrate using the optimum transfer condition determined for each divided area.

Method of forming a non-volatile electron storage memory and the resulting device

The invention provides a method of forming an electron memory storage device and the resulting device. The device comprises a gate structure which, in form, comprises a first gate insulating layer formed over a semiconductor substrate, a self-forming electron trapping layer of noble metal nano-crystals formed over the first gate insulating layer, a second gate insulating layer formed over the electron trapping layer, a gate electrode formed over the second gate insulating layer, and source and drain regions formed on opposite sides of the gate structure.

Apparatus and method for conformal mask manufacturing

A manufacturing process technology creates a pattern on a first layer using a focused ion beam process. The pattern is transferred to a second layer, which may act as a traditional etch stop layer. The pattern can be formed on the second layer without irradiation by light through a reticle and without wet chemical developing, thereby enabling conformal coverage and very fine critical feature control. Both dark field patterns and light field patterns are disclosed, which may enable reduced or minimal exposure by the focused ion beam.

Method for manufacturing porous structure and method for forming pattern

A pattern forming material contains a block copolymer or graft copolymer and forms a structure having micro polymer phases, in which, with respect to at least two polymer chains among polymer chains constituting the block copolymer or graft copolymer, the ratio between N/(Nc−No) values of monomer units constituting respective polymer chains is 1.4 or more, where N represents total number of atoms in the monomer unit, Nc represents the number of carbon atoms in the monomer unit, No represents the number of oxygen atoms in the monomer unit.

Contacts for Nanowire Field Effect Transistors

A method for forming a nanowire field effect transistor (FET) device includes forming a nanowire over a semiconductor substrate, forming a gate stack around a portion of the nanowire, forming a capping layer on the gate stack, forming a spacer adjacent to sidewalls of the gate stack and around portions of nanowire extending from the gate stack, forming a hardmask layer on the capping layer and the first spacer, forming a metallic layer over the exposed portions of the device, depositing a conductive material over the metallic layer, removing the hardmask layer from the gate stack, and removing portions of the conductive material to define a source region contact and a drain region contact.

Method, device, and system for forming circular patterns on a surface

A stencil for character projection (CP) charged particle beam lithography and a method for manufacturing the stencil is disclosed, where the stencil contains two circular characters, where each character is capable of forming patterns on a surface in a range of sizes by using different dosages, and where the size ranges for the two characters is continuous. A method for forming circular patterns on a surface using variable-shaped beam (VSB) shots of different dosages is also disclosed. A method for forming circular patterns on a surface using a set of shots, where all of the shots comprise dosages, is also disclosed.

Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system

A substrate support structure for clamping a substrate on a surface by means of a capillary layer of a liquid. The surface has an outer edge and includes one or more substrate supporting elements for receiving the substrate to be clamped, wherein the one or more substrate supporting elements are arranged to provide support for the substrate at a plurality of support locations. The substrate support structure further includes a sealing structure circumscribing the surface and having a top surface or edge forming a sealing rim. A distance between the outer edge of the surface and an outermost of the support locations is greater than a distance between the outer edge and the sealing rim.

Blends of fullerene derivatives, and uses thereof in electronic devices

Disclosed are compositions of mixed fullerene derivatives with utility in organic semiconductors, and methods of making and using such compositions. In certain embodiments, the present invention relates to compositions of mixed fullerene derivatives further comprising one or more additional fullerene-based components within specified ranges. In certain other embodiments, the invention relates to methods of producing mixed fullerene derivatives of a specific composition from mixed fullerene starting materials, or pure fullerene derivatives of a specific composition from mixed fullerene derivatives. In yet other embodiments, the invention relates to semiconductors and devices comprising a composition of the invention.

Methods of forming memory cells, memory cells, and semiconductor devices

A memory device and method of making the memory device. Memory device may include a storage transistor at a surface of a substrate. The storage transistor comprises a body portion between first and second source/drain regions, wherein the source/drain regions are regions of a first conductivity type. The storage transistor also comprises a gate structure that wraps at least partially around the body portion in at least two spatial planes. A bit line is connected to the first source/drain region and a word line is connected to the gate structure.

Methods Of Forming Patterns, And Methods Of Forming Integrated Circuits

Some embodiments include methods of forming patterns in substrates by utilizing block copolymer assemblies as patterning materials. A block copolymer assembly may be formed over a substrate, with the assembly having first and second subunits arranged in a pattern of two or more domains. Metal may be selectively coupled to the first subunits relative to the second subunits to form a pattern of metal-containing regions and non-metal-containing regions. At least some of the block copolymer may be removed to form a patterned mask corresponding to the metal-containing regions. A pattern defined by the patterned mask may be transferred into the substrate with one or more etches. In some embodiments, the patterning may be utilized to form integrated circuitry, such as, for example, gatelines.

Pattern forming method and pattern forming device

According to one embodiment, a pattern forming method includes transferring a first pattern area of a plurality of pattern areas to a to-be-processed substrate, by using a template on which the plurality of pattern areas, where patterns are formed on a substrate, are disposed, counting up a number of times of transfer of the first pattern area, and storing the number of times of transfer, determining whether the stored number of times of transfer of the pattern of the first pattern area has exceeded a specified number, and executing switching to a second pattern of the plurality of pattern areas when it is determined, at a time of the determining, that the stored number of times of transfer of the pattern of the first pattern area has exceeded the specified number, and transferring the second pattern area to the to-be-processed substrate.

Fan-shaped x-ray beam imaging systems employing graded multilayer optic devices

An X-ray imaging system that produces one or more fan-shaped beams is described. The system includes a target for emitting X rays that includes at least one target focal spot, and one or more graded multilayer optic devices in optical communication with the target. The optics transmits at least a portion of the source X rays to produce the one or more fan-shaped beams. The graded multilayer optic devices include at least a first graded multilayer section for redirecting and transmitting X rays through total internal reflection. The graded multilayer section includes a high-index layer of material having a first complex refractive index n 1 , a low-index layer of material having a second complex refractive index n 2 , and a grading zone disposed between the high-index and low-index layers of material. The grading zone includes a grading layer having a third complex refractive index n 3 such that Re(n 1 )>Re(n 2 )>Re(n 3 ).

Methods for adjusting the conductivity range of a nanotube fabric layer

Methods for adjusting and/or limiting the conductivity range of a nanotube fabric layer are disclosed. In some aspects, the conductivity of a nanotube fabric layer is adjusted by functionalizing the nanotube elements within the fabric layer via wet chemistry techniques. In some aspects, the conductivity of a nanotube fabric layer is adjusted by functionalizing the nanotube elements within the fabric layer via plasma treatment. In some aspects, the conductivity of a nanotube fabric layer is adjusted by functionalizing the nanotube elements within the fabric layer via CVD treatment. In some aspects, the conductivity of a nanotube fabric layer is adjusted by functionalizing the nanotube elements within the fabric layer via an inert ion gas implant.

Modified graphene structures and methods of manufacture thereof

The present invention is directed to a modified graphene structure comprising at least one graphene sheet ( 1 ) and a self-assembled monolayer ( 2 ) of functional organic molecules ( 3 ) non-covalently bonded to the top and/or bottom basal planes of the graphene sheet and methods of manufacture thereof. The present invention is also directed to devices comprising the modified graphene structures, including but not limited to field-effect devices and biosensors, and to methods using the modified graphene structures.

Large Scale Patterned Growth of Aligned One-Dimensional Nanostructures

A method of making nanostructures using a self-assembled monolayer of organic spheres is disclosed. The nanostructures include bowl-shaped structures and patterned elongated nanostructures. A bowl-shaped nanostructure with a nanorod grown from a conductive substrate through the bowl-shaped nanostructure may be configured as a field emitter or a vertical field effect transistor. A method of separating nanoparticles of a desired size employs an array of bowl-shaped structures.

Charged-Particle Beam Lithographic Apparatus and Lithographic Method Therefor

A charged-particle beam lithographic method is implemented by irradiating resist applied on a material surface with successive shots of a variably shaped charged-particle beam. A table is drawn up which indicates the relations of the distances of each shot of interest to adjacent shots to corresponding amounts of correction applied to sides of the shot of interest taking account of the influence of forward scattering. Corrective shot data is found from the table by translating the sides of the shot of interest located opposite to the adjacent shots. Corrective values for a proximity effect produced under the influence of backward scattering are calculated based on the corrective shot data. The shots of the beam are carried out based on the corrective shot data and on the corrective values.

Green soluble conjugated polymers with high charge carrier mobilities

A donor-acceptor (DA) π-conjugated polymer with high charge transfer mobility has a plurality of D 1 k AD 1 k portions, where k is 1 or 2, D 1 is a donor unit having at least one solubilizing side chain, and A is an acceptor unit, and the donor-acceptor (DA) π-conjugated polymer has a plurality of D 2 m spacer sequences situated between the D 1 x AD 1 x portions, where m is 1 to 6 and D 2 is a second donor unit where all atoms of the unit are coplanar in at least one conformation that the unit can assume. The DA π-conjugated polymer can reflect a blue tinted green, deep green, or yellow tinted green color. The DA π-conjugated polymers have space-charge limited (SCL) zero field hole mobilities of at least 1×10 −6 cm 2 V −1 s −1 .

Organic photoelectric conversion element

A high photoelectric conversion efficiency is provided by an organic photoelectric conversion element comprising a first electrode, a second electrode and an active layer, wherein the active layer is located between the first electrode and the second electrode and contains an electron-donating compound and an electron-accepting compound, and the active layer side of the first electrode surface is treated with a coupling agent followed by a lyophilic treatment.

Nonvolatile semiconductor memory

According to one embodiment, in a nonvolatile semiconductor memory in which a charge store layer is formed on a tunnel insulating film formed on a channel region of a semiconductor substrate, a first nanoparticle layer containing first conductive nanoparticles is formed on the channel side, and a second nanoparticle layer containing a plurality of second conductive nanoparticles having an average particle size larger than the first conductive nanoparticles is formed on the charge store layer side. An average energy value ΔE 1 required for charging one electron in the first conductive nanoparticle is smaller than an average energy value ΔE required for charging one electron in the second conductive nanoparticle, and a difference between ΔE 1 and ΔE is larger than a heat fluctuation energy (k B T).

Quantum dot-encoded bead set for calibration and quantification of multiplexed assays, and methods for their use

Control beads are disclosed that allow for improved quantitation of analytes in multiplexed bead assays. The control beads have a range of concentrations of calibration moieties that provide for the preparation of a titration curve. The titration curve can be used to quantify the concentration of the analytes. The titration curve can be used to correlate the signal obtained from a bead with the concentration (or absolute number of molecules) of the analyte bound to the bead.

Artificial retina device

The present technology provides an organic based artificial retina device that includes a substrate and an array of micro-electrodes formed on the substrate. The illustrative artificial retina device further includes a photoconducting polymer blend deposited on the array of micro-electrodes. The photoconducting polymer blend is configured to produce a photoelectric signal in response to receiving light.

Non-uniform switching based non-volatile magnetic based memory

A non-uniform switching based non-volatile magnetic memory element includes a fixed layer, a barrier layer formed on top of the fixed layer, a first free layer formed on top of the barrier layer, a non-uniform switching layer (NSL) formed on top of the first free layer, and a second free layer formed on top of the non-uniform switching layer. Switching current is applied, in a direction that is substantially perpendicular to the fixed layer, barrier layer, first free layer, non-uniform switching layer and the second free layer causing switching between states of the first free layer, second free layer and non-uniform switching layer with substantially reduced switching current.

Magnetic head, magnetic head assembly, and magnetic recording/reproducing apparatus

According to one embodiment, a magnetic head includes a reproducing section. The reproducing section has a medium facing surface facing a magnetic recording medium and detects a direction of magnetization recorded in the medium. The reproducing section includes a first magnetic pinned layer, a second magnetic pinned layer, and a magnetic free layer. Directions of magnetizations of the first and second magnetic pinned layers are pinned. The second magnetic pinned layer is stacked with the first magnetic pinned layer in a first direction parallel to the medium facing surface. The magnetic free layer is provided between the first and second magnetic pinned layers. A direction of magnetization of the magnetic free layer is changeable. A length of the magnetic free layer along a second direction perpendicular to the medium facing surface is shorter than lengths of the first and second magnetic pinned layers along the second direction.

Fluorescent conjugated polymers with a bodipy-based backbone and uses thereof

The present invention provides various fluorescent conjugated polymers with a BODIPY-based backbone. The invention also provides methods of using the polymers of the invention, such as for imaging and detection of cells, tumors, bacteria and viruses.

Vapor Delivery System For Use in Imprint Lithography

Described are systems and method of using a vapor delivery system for enabling delivery of an adhesion promoter material during an imprint lithography process.

Quantum Computational Systems

A computer-implemented method for encryption and decryption using quantum computational model is disclosed. Such a method includes providing a model of a lattice having a system of non-abelian anyons disposed thereon. From the lattice model, a first quantum state associated with the lattice is determined. Movement of non-abelian anyons within the lattice is modeled to model formation of first and second quantum braids in the space-time of the lattice. The first quantum braid corresponds to first text. The second quantum braid corresponds to second text. A second quantum state associated with the lattice is determined from the lattice model after formation of the first and second quantum braids has been modeled. The second quantum state corresponds to second text that is different from the first text.

Method of forming lutetium and lanthanum dielectric structures

Methods of forming dielectric structures are shown. Methods of forming dielectric structures are shown that include lutetium oxide and lanthanum aluminum oxide crystals embedded within the lutetium oxide. Specific methods shown include monolayer deposition which yields process improvements such as chemistry control, step coverage, crystallinity/microstructure control.

Semiconductor package with through electrodes and method for manufacturing the same

A semiconductor package may include a substrate with a first surface over which bond fingers are formed. At least two semiconductor chips may be stacked on the first surface of the substrate and each chip may have via holes. The semiconductor chips may be stacked such that the respective via holes expose the respective bond fingers of the substrate. Through electrodes may be formed in the via holes. The through electrodes may comprise carbon nanotubes grown from the exposed bond fingers of the substrate, where the through electrodes may be electrically connected with the semiconductor chips.

System, method and apparatus for shape-engineered islands of exchange spring or exchange coupled composite, bit patterned media

A hard disk drive has a magnetic media disk comprising a substrate having an axis, and an exchange coupled, bit patterned media on the substrate arranged in a plurality of tracks. Each of the tracks has a pattern of islands extending in an axial direction from the disk. Each island comprises a first layer having a first anisotropy and a first layer radial width, and a second layer on the first layer and having a second anisotropy that is lower than the first anisotropy. The second layer radial width is less than the first layer radial width.

Photoelectric conversion element, production method thereof, photosensor, imaging device and their driving method

To provide a photoelectric conversion element capable of functioning as a photoelectric conversion element when a compound having a specific structure is applied to the photoelectric conversion element, causing the element to exhibit a low dark current, and reducing the range of increase in the dark current even when the element is heat-treated, and an imaging device equipped with such a photoelectric conversion element. A photoelectric conversion element having a photoelectric conversion film which is sandwiched between a transparent electrically conductive film and an electrically conductive film and contains a photoelectric conversion layer and an electron blocking layer, wherein the electron blocking layer contains a compound having, as a substituent, a substituted amino group containing three or more ring structures.

Device

According to one embodiment, a device includes an insulating layer with a first trench, a first interconnect layer in the first trench, the first interconnect layer including copper and includes a concave portion, and a first graphene sheet on an inner surface of the concave portion.

Organic light-emitting device and method of manufacturing the same

An organic solar cell and a method of manufacturing the same.

Graphene nanoribbons, method of fabrication and their use in electronic devices

The present disclosure provides a semiconductor structure including a nanoribbon-containing layer of alternating graphene nanoribbons separated by alternating insulating ribbons. The alternating graphene nanoribbons are parallel to a surface of an underlying substrate and, in some embodiments, might be oriented along crystallographic directions of the substrate. The alternating insulating ribbons may comprise hydrogenated graphene, i.e., graphane, fluorinated graphene, or fluorographene. The semiconductor structure mentioned above can be formed by selectively converting portions of an initial graphene layer into alternating insulating ribbons, while the non-converted portions of the initial graphene form the alternating graphene nanoribbons. Semiconductor devices such as, for example, field effect transistors, can be formed atop the semiconductor structure provided in the present disclosure.

Tunnel field effect transistor

A tunnel field effect transistor and a method of making the same. The transistor includes a semiconductor substrate. The transistor also includes a gate located on a major surface of the substrate. The transistor further includes a drain of a first conductivity type. The transistor also includes a source of a second conductivity type extending beneath the gate. The source is separated from the gate by a channel region and a gate dielectric. The transistor is operable to allow charge carrier tunnelling from an inversion layer through an upper surface of the source.

Imprint apparatus and article manufacturing method

The imprint apparatus of the present invention molds an imprint material on a substrate using a mold and cures the imprint material to form a pattern on the substrate. The apparatus includes a holder configured to attract the mold to hold the mold; and a pressure reduction device configured to reduce a back pressure of the mold held by the holder, wherein the apparatus is configured to reduce the back pressure by the pressure reduction device in parallel with release of the mold from the imprint material.

Method of manufacturing vertical semiconductor device

A vertical semiconductor device, a DRAM device, and associated methods, the vertical semiconductor device including single crystalline active bodies vertically disposed on an upper surface of a single crystalline substrate, each of the single crystalline active bodies having a first active portion on the substrate and a second active portion on the first active portion, and the first active portion having a first width smaller than a second width of the second active portion, a gate insulating layer on a sidewall of the first active portion and the upper surface of the substrate, a gate electrode on the gate insulating layer, the gate electrode having a linear shape surrounding the active bodies, a first impurity region in the upper surface of the substrate under the active bodies, and a second impurity region in the second active portion.

Semiconductor device and structure

A method of manufacturing a semiconductor wafer, the method comprising: providing a base wafer comprising a semiconductor substrate; preparing a first monocrystalline layer comprising semiconductor regions; preparing a second monocrystalline layer comprising semiconductor regions overlying the first monocrystalline layer; and etching portions of said first monocrystalline layer and portions of said second monocrystalline layer as part of forming at least one transistor on said first monocrystalline layer.

Imprint lithography

An imprint lithography apparatus is disclosed that has a first array of template holders, a second array of template holders, and a substrate table arranged to support a substrate to be imprinted, wherein the first array of template holders is arranged to hold an array of imprint templates that can be used to imprint a first array of patterns onto the substrate, and the second array of template holders is arranged hold an array of imprint templates that can be used to imprint a second array of patterns onto the substrate, the patterns imprinted by the second array being interspersed between the patterns imprinted by the first array.

Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner

Aspects of the disclosure pertain to methods of depositing silicon oxide layers on substrates. In embodiments, silicon oxide layers are deposited by flowing a silicon-containing precursor having a Si—O bond, an oxygen-containing precursor and a second silicon-containing precursor, having both a Si—C bond and a Si—N bond, into a semiconductor processing chamber to form a conformal liner layer. Upon completion of the liner layer, a gap fill layer is formed by flowing a silicon-containing precursor having a Si—O bond, an oxygen-containing precursor into the semiconductor processing chamber. The presence of the conformal liner layer improves the ability of the gap fill layer to grow more smoothly, fill trenches and produce a reduced quantity and/or size of voids within the silicon oxide filler material.

Photoelectric conversion device and solid-state imaging device

A photoelectric conversion device having: a pair of electrodes; a photoelectric conversion layer sandwiched between the pair of electrodes; and at least one electron blocking layer provided between one electrode of the pair of electrodes and the photoelectric conversion layer, wherein the photoelectric conversion layer contains at least one organic material, and the at least one electron blocking layer has a mixed layer containing fullerene or fullerene derivatives.

Photo-patterned carbon electronics

A system is provided for the manufacture of carbon based electrical components including, an ultraviolet light source; a substrate receiving unit whereby a substrate bearing a first layer of carbon based semiconductor is received and disposed beneath the ultraviolet light source; a mask disposed between the ultraviolet light source and the carbon based semiconductor layer; a doping agent precursor source; and environmental chemical controls, configured such that light from the ultraviolet light source irradiates a doping agent precursor and the first carbon layer.

Method of Selective Separation Of Semiconducting Carbon Nanotubes, Dispersion Of Semiconducting Carbon Nanotubes, And Electronic Device Including Carbon Nanotubes Separated By Using The Method

According to example embodiments, a method includes dispersing carbon nanotubes in a mixed solution containing a solvent, the carbon nanotubes, and a dispersant, the carbon nanotubes including semiconducting carbon nanotubes, the dispersant comprising a polythiophene derivative including a thiophene ring and a hydrocarbon sidechain linked to the thiophene ring. The hydrocarbon sidechain includes an alkyl group containing a carbon number of 7 or greater. The hydrocarbon sidechain may be regioregularly arranged, and the semiconducting carbon nanotubes are selectively separated from the mixed solution. An electronic device includes semiconducting carbon nanotubes and the foregoing described polythiophene derivative.

Formation of ordered thin films of organics on metal oxide surfaces

Provided herein is a method for altering an electronic property of a structure comprising an oxide surface or an oxide surface in electronic communication with the structure, the method comprising providing a covalently-bound film comprising at least one organic acid residue on a portion of the oxide surface so that at least one of the following properties of the structure is modified: (a) the charge carrier injection barrier properties; (b) the charge conductivity properties; (c) the charge transport properties; (d) the work function properties; (e) the sub-threshold slope; and (f) the threshold voltage.

Template, method of forming template, and method of manufacturing semiconductor device

According to one embodiment, a template includes a pattern part which is provided on a substrate and corresponds to a pattern of a semiconductor device, the pattern of the semiconductor device being to be transferred to a wafer, and an alignment mark part which is provided on the substrate, used for positioning of the substrate with respect to the wafer. The alignment mark part has a refractive index that is higher than a refractive index of the substrate.

Flexible gas barrier film, method for preparing the same, and flexible display device using the same

The present invention provides a flexible gas barrier film including: a transparent base film; and a hydrophobic pattern layer formed on the base film. The flexible gas barrier film is capable of maximizing hydrophobicity and effectively reducing water vapor permeability by patterning the hydrophobic layer.

Solution processed thin films and laminates, devices comprising such thin films and laminates, and method for their use and manufacture

Devices having a thin film or laminate structure comprising hafnium and/or zirconium oxy hydroxy compounds, and methods for making such devices, are disclosed. The hafnium and zirconium compounds can be doped, typically with other metals, such as lanthanum. Examples of electronic devices or components that can be made include, without limitation, insulators, transistors and capacitors. A method for patterning a device using the materials as positive or negative resists or as functional device components also is described. For example, a master plate for imprint lithography can be made. An embodiment of a method for making a device having a corrosion barrier also is described. Embodiments of an optical device comprising an optical substrate and coating also are described. Embodiments of a physical ruler also are disclosed, such as for accurately measuring dimensions using an electron microscope.

Device and method for responding to influences of mind

Mental influence detectors and corresponding methods are useful for detecting an influence of mind and hidden or classically non-inferable information. An anomalous effect detector includes a source of non-deterministic random numbers, a converter to convert a property of numbers, a processor to accept converter output and to produce an output signal representative of an influence of mind. The processor output signal contains fewer numbers than the input. A quantum computer includes a physical source of entropy to generate output numbers; a source of test numbers; a measurement processor to accept output numbers and to measure a relationship between process numbers and at least one test number to produce an output representative of an influence of mind.

Connecting and Bonding Adjacent Layers with Nanostructures

An apparatus, comprising two conductive surfaces or layers and a nanostructure assembly bonded to the two conductive surfaces or layers to create electrical or thermal connections between the two conductive surfaces or layers, and a method of making same.

Charged particle beam drawing apparatus and article manufacturing method using same

The drawing apparatus of the present inventions includes a detector having a size for which the detector can simultaneously detect two adjacent charged particle beams among a plurality of charged particle beams, and configured to detect an intensity of a charged particle beam incident thereon. A controller is configured to perform a control of a position of the detector and a control of a blanking deflector array such that one of two adjacent charged particle beams is in a blanking state and the other is in a non-blanking state on the detector that is moved, and each of the plurality of charged particle beams becomes in a blanking state and a non-blanking state sequentially, to cause the detector to perform an output in parallel with the control, and to inspect a defect in each blanking deflector in the blanking deflector array based on the output.

Micro/nano imprint mold of the fabricating process and the method of fabricating high aspect ratio anti-etch structure by utilizing thereof

The invention discloses a mold performing in the micro/nano imprint fabricating process, wherein the mold is utilized to imprint a pattern on a substrate via a material layer. The mold comprises an upper surface, a lower surface, a pre-determined structure and an overflow controlling device. The upper surface and the lower surface are corresponded to each other. The pre-determined structure is disposed on the lower surface of the mold. The overflow controlling device is utilized to maintain the pressure among the material layer and the substrate.

Pattern forming method

According to one embodiment, a pattern including first and second block phases is formed by self-assembling a block copolymer onto a film to be processed. The entire block copolymer present in a first region is removed under a first condition by carrying out energy beam irradiation and development, thereby leaving a pattern including the first and second block phases in a region other than the first region. The first block phase present in a second region is selectively removed under a second condition by carrying out energy beam irradiation and development, thereby leaving a pattern including the first and second block phases in an overlap region between a region other than the first region and a region other than the second region, and leaving a pattern of second block phase in the second region excluding the overlap region. The film is etched with the left patterns as masks.

Magnetic tunnel junction having a magnetic insertion layer and methods of producing the same

According to one embodiment, a magnetic head includes a barrier layer having a crystalline structure, a first magnetic layer above the barrier layer, a magnetic insertion layer above the first magnetic layer, and a second magnetic layer above the magnetic insertion layer, the second magnetic layer having a textured face-centered cubic (fcc) structure. The first magnetic layer comprises a high spin polarization magnetic material having a crystalline structure and a characteristic of crystallization being more similar to the crystalline structure of the barrier layer than a crystalline structure of the second magnetic layer and the magnetic insertion layer comprises a magnetic material having a crystalline structure and a characteristic of crystallization being more similar to the crystalline structure of the second magnetic layer than the crystalline structure of the barrier layer. Additional magnetic head structures and methods of producing magnetic heads are described according to more embodiments.

Anticorrosion layer and manufacturing method thereof

The present invention relates to an anticorrosion layer and a manufacturing method thereof, wherein the anticorrosion layer is capable of being coated onto the surface of a substrate for preventing the substrate surface from corrosion, the anticorrosion layer comprises: a polymer material layer, coated on the substrate surface; and a continuous rough surface layer, formed on the surface of the polymer material layer, wherein the continuous rough surface layer has a surface roughness great than 10 nm. Moreover, through the manufacturing method, a protective layer (the anticorrosion layer) with excellent anticorrosion efficiency and low pollution property can be rapidly and massively formed on the substrate surface by way of using a replica mold.

Imprinting method, imprinting apparatus and medium

According to one embodiment, there is provided an imprinting method for applying a first hardening resin material on a substrate to be processed and transferring a pattern of a semiconductor integrated circuit formed on a template onto the substrate to be processed on which the first hardening resin material is applied, wherein a second hardening resin material with higher separability than the first hardening resin material is applied on at least part of the outer periphery of an area in which the pattern is formed by one transferring.

Photomask and formation method thereof

A method for forming a photomask includes detecting a defect of the photomask which has a mirror layer formed on a first surface of a substrate, and forming a recess groove on a first layer which is formed on a second surface of the substrate, wherein the coordinate of the recess groove corresponds to the coordinate of the defect.

Method of removing nanocrystals

A method for forming a semiconductor structure includes providing a semiconductor layer, forming nanocrystals over the semiconductor layer, and using a solution comprising pure water, hydrogen peroxide, and ammonium hydroxide to remove at least a portion of the nanocrystals. A ratio by volume of pure water to ammonium hydroxide of the solution may be equivalent to or less than a ratio by volume of 10:1 of pure water to ammonium hydroxide when ammonium hydroxide has a concentration of 29% ammonia by weight. The step of using the solution to remove the at least a portion of the nanocrystals may be performed at a temperature of 50 degrees Celsius or more.

Multilayer transparent light-receiving device and electronic device

A multilayer transparent light-receiving device with significantly high photoresponsive speed that is easily manufactured, and a high-performance electronic device using the multilayer transparent light-receiving device are provided. The multilayer transparent light-receiving device is composed by laminating a plurality of protein transparent light-receiving elements using an electron transfer protein. The protein transparent light-receiving element has a structure in which a transparent substrate, a transparent electrode, an electron transfer protein layer, an electrolyte layer, and a transparent counter electrode are sequentially laminated. The multilayer transparent light-receiving device is used as a light-receiving device for a camera, an optical disc system and the like.

Programmable metallization memory cell with planarized silver electrode

Programmable metallization memory cells having a planarized silver electrode and methods of forming the same are disclosed. The programmable metallization memory cells include a first metal contact and a second metal contact, an ion conductor solid electrolyte material is between the first metal contact and the second metal contact, and either a silver alloy doping electrode separates the ion conductor solid electrolyte material from the first metal contact or the second metal contact, or a silver doping electrode separates the ion conductor solid electrolyte material from the first metal contact. The silver electrode includes a silver layer and a metal seed layer separating the silver layer from the first metal contact.

Lithography system, modulation device and method of manufacturing a fiber fixation substrate

The invention relates to a charged-particle multi-beamlet lithography system for transferring a pattern onto the surface of a target. The system comprises a beam generator for generating a plurality of charged particle beamlets, a beamlet blanker array for patterning the beamlets in accordance with a pattern, and a projection system for projecting the patterned beamlets onto the target surface. The blanker array comprises a plurality of modulators and a plurality of light sensitive elements. The light sensitive elements are arranged to receive pattern data carrying light beams and to convert the light beams into electrical signals. The light sensitive elements are electrically connected to one or more modulators for providing the received pattern data. The blanker array is coupled to a fiber fixation substrate which accommodates end sections of a plurality of fibers for providing pattern data carrying light beams as an assembled group with a fixed connection.

Method of manufacturing printed circuit board

A method of manufacturing a printed circuit board, including: applying a conductive paste including carbon nanotubes and a photosensitive binder on a bump-forming area of a circuit substrate having a circuit layer for transferring electrical signals; and patterning the conductive paste, thus forming bumps.

Attenuator

An attenuator is provided. The attenuator includes a first resistor, which is electrically connected to an input node; a nanowire, which is connected to the first resistor in series, for filtering low frequency signal; a second resistor, having an output node, which is electrically connected to the nanowire; wherein when a low frequency voltage is received by the input node, the nanowire filters the low frequency voltage such that the output node generates an output voltage lower than the low frequency voltage.

Method for high density data storage and imaging

An approach is presented for designing a polymeric layer for nanometer scale thermo-mechanical storage devices. Cross-linked polyimide oligomers are used as the recording layers in atomic force data storage device, giving significantly improved performance when compared to previously reported cross-linked and linear polymers. The cross-linking of the polyimide oligomers may be tuned to match thermal and force parameters required in read-write-erase cycles. Additionally, the cross-linked polyimide oligomers are suitable for use in nano-scale imaging.

Methods of increasing fidelity of quantum operations

Systems and methods are provided for improving fidelity of a quantum operation on a quantum bit of interest. A controlled quantum gate operation, controlled by the quantum bit of interest, id performed on an ancillary quantum bit. An energy state of the ancillary quantum bit is measured to facilitate the improvement of the fidelity of the quantum operation.

Chemical sensing and/or measuring devices and methods

Methods for fabricating silicon nanowire chemical sensing devices, devices thus obtained, and methods for utilizing devices for sensing and measuring chemical concentration of selected species in a fluid are described. Devices may comprise a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) structure.

Magnetic tunnel junction device

The output voltage of an MRAM is increased by means of an Fe(001)/MgO(001)/Fe(001) MTJ device, which is formed by microfabrication of a sample prepared as follows: A single-crystalline MgO (001) substrate is prepared. An epitaxial Fe(001) lower electrode (a first electrode) is grown on a MgO(001) seed layer at room temperature, followed by annealing under ultrahigh vacuum. A MgO(001) barrier layer is epitaxially formed on the Fe(001) lower electrode (the first electrode) at room temperature, using a MgO electron-beam evaporation. A Fe(001) upper electrode (a second electrode) is then formed on the MgO(001) barrier layer at room temperature. This is successively followed by the deposition of a Co layer on the Fe(001) upper electrode (the second electrode). The Co layer is provided so as to increase the coercive force of the upper electrode in order to realize an antiparallel magnetization alignment.

Process for producing article having fine concavo-convex structure on its surface and process for producing wire-grid polarizer

Processes for producing an article having a fine concavo-convex structure on the surface of a transparent substrate and a wire-grid polarizer, with high quality with high productivity, with which a concavo-convex layer having a large area can easily be achieved. The process comprises a step (I) of forming an interlayer (A) on the surface of a substrate film, a step (II) of forming a concavo-convex layer (B) having a fine concavo-convex structure on its surface, on the surface of the interlayer (A) by imprinting technology, and a step (IV) of separating a laminate comprising the interlayer (A) and the concavo-convex layer (B) from the substrate film and laminating the laminate to the surface of a transparent substrate so that the interlayer (A) faces the transparent substrate side. Further, a process for producing a wire-grid polarizer employing the production process.

Methods of fabricating nanoimprint stamp

A method of fabricating a nanoimprint stamp includes forming a resist pattern having a nano size width on a stamp substrate by performing imprint processes repeatedly. In the imprint processes, resist layers that are selectively etched are sequentially used. The stamp substrate is etched using the resist pattern as an etch mask.

Mirror, method of manufacturing the same, exposure apparatus, and device manufacturing method

A method of manufacturing a mirror includes a first step of arranging, on a substrate, a shape adjusting layer having a layer thickness which changes by heat, a second step of arranging, on the shape adjusting layer, a reflection layer including a first layer, a second layer, and a barrier layer which is arranged between the first layer and the second layer, and prevents a diffusion of a material of the first layer and a material of the second layer, and a third step of bringing a shape of the reflection layer close to a target shape by changing a layer thickness profile of the shape adjusting layer after the second step, the third step including a process of partially annealing the shape adjusting layer.

Chemical annealing method for fabrication of organic thin films for optoelectronic devices

There is disclosed a method of coordinating ligands, such as nitrogen-containing ligands to metal centers of metal-containing macrocyclic compounds, such as Magnesium Tetraphenyl Porphyrin (MgTPP) or Zinc Tetraphenyl Porphyrin (ZnTPP). The disclosed method comprises (a) forming an organic film comprising the disclosed metal-containing, macrocyclic compound; and (b) exposing the organic film to a vapor comprising at least one ligand for a time sufficient to coordinate the ligand to metal centers in the metal-containing, macrocyclic compound. There is also disclosed a method for preparing an organic photovoltaic device, such as a solar cell, comprising an ordered crystalline organic film made by the disclosed chemical annealing process.

Energy beam drawing apparatus and method of manufacturing device

An energy beam drawing apparatus includes a member, positioned between an energy beam source and a substrate, on which a deposit is deposited and a removing unit which removes the deposit. The removing unit includes a catalyst for generating, from a gas, an active species for decomposing the deposit by irradiation with the energy beam, a supplying mechanism for supplying the gas to a position where the active species is generated, and a moving mechanism for moving, when executing processing of removing the deposit, the catalyst to a first position which is irradiated with the energy beam, and moving, when executing drawing processing on the substrate, the catalyst to a second position which is not irradiated with the energy beam.

Optical materials, optical components, and methods

An optical component including an optical material comprising quantum confined semiconductor nanoparticles, wherein at least a portion of the nanoparticles are in a charge neutral state. Further disclosed is an optical component including an optical material comprising quantum confined semiconductor nanoparticles, wherein at least a portion of the nanoparticles are in a charge neutral state, and wherein the optical material is at least partially encapsulated. Methods, optical materials, and devices are also disclosed.

Stepwise Surface Assembly of Quantum Dot-Fullerene Heterodimers

The present invention relates to high-purity quantum dot-fullerene dimers with controllable linker length and the process of fabricating the same. More particularly, this invention relates to the design, synthesis, and application of high-purity quantum dot-fullerene dimers by applying a novel stepwise surface assembly procedure that ensures the formation of conjugates due to steric repulsion effects between the quantum dots.

Multilayer mirror for euv lithography and process for its production

Provided are a multilayer mirror for EUVL in which deterioration in reflectivity due to oxidation of a Ru protective layer is prevented, and a process for its production. A multilayer mirror for EUV lithography comprising a substrate, and a reflective layer for reflecting EUV light and a protective layer for protecting the reflective layer, formed in this order on the substrate, wherein the reflective layer is a Mo/Si multilayer reflective film, the protective layer is a Ru layer or a Ru compound layer, and an intermediate layer containing from 0.5 to 25 at % of nitrogen and from 75 to 99.5 at % of Si is formed between the reflective layer and the protective layer.

Imprint apparatus and article manufacturing method

An imprint apparatus that includes a holding unit, and performs an imprint process, including molding of an imprint material on a substrate held by the holding unit using a mold, curing of the molded imprint material, and releasing of the cured imprint material from the mold, to form a pattern on the substrate. The apparatus includes a first cure device configured to perform a first cure process for the imprint material molded by the mold prior to the releasing; and a second cure device configured to perform a second cure process for the imprint material on the substrate conveyed out from the holding unit after the releasing.

Elastic device using carbon nanotube film

An elastic device includes a first elastic supporter; a second elastic supporter and a carbon nanotube film. The second elastic supporter is spaced from the first elastic supporter. The carbon nanotube film has a first side fixed on the first elastic supporter and a second side opposite to the first side and fixed on the second elastic supporter. The carbon nanotube film includes a plurality of carbon nanotube strings separately arranged, located side by side and extending substantially along a first direction from the first side to the second side and one or more carbon nanotubes located between adjacent carbon nanotube strings. The carbon nanotube film is capable of elastic deformation along a second direction that is substantially perpendicular to the first direction.

Organic photovoltaic cell

An organic photovoltaic cell ( 10 ) of the present invention includes an active layer ( 40 ) containing an organic compound and being provided between a pair of electrodes of a first electrode ( 32 ) and a second electrode ( 34 ), and because the active layer contains metallic oxide nano-particles wearing a carbon material on its surface, the organic photovoltaic cell can be manufactured from an inexpensive material.

Defect-controlling structure for epitaxial growth, light emitting device containing defect-controlling structure, and method of forming the same

A method for reducing dislocations or other defects in a light emitting device, such as light emitting diode (LED), by in-situ introducing nanoparticles into at least one of a defect-controlling layer, an n-type layer, a p-type layer, and a quantum well of the light emitting device. A light emitting device is provided, and nanoparticles are dispensed in-situ in at least one of a defect-controlling layer, an n-type layer, a p-type layer, and a quantum well of the light emitting device.

Photovoltaic cell

The present invention provides a photovoltaic cell having a large short-circuit current density and a large photoelectric conversion efficiency. This photovoltaic cell comprises: a first electrode; a second electrode; an active layer between the first electrode and the second electrode; wherein the active layer contains a macromolecular compound having a structural unit represented by Formula (1): wherein Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other and represent a trivalent aromatic hydrocarbon group or a trivalent heterocyclic group; X 1 and X 2 are the same as or different from each other and represent —O—, —S—, —C(═O)—, —S(═O)—, —SO 2 —, —C(R 50 )(R 51 )—, —Si(R 3 )(R 4 )—, —N(R 5 )—, —B(R 6 )—, —P(R 7 )—, or —P(═O)(R 8 )—; R 50 , R 51 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , and R 8 are the same as or different from each other and represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a monovalent organic group; and X 1 and Ar 2 are bonded with atoms adjacent to each other on a ring that constitutes Ar 1 , and X 2 and Ar 1 are bonded with atoms adjacent to each other on a ring that constitutes Ar 2 , wherein an inverse of the excitation energy of the macromolecular compound from a ground singlet state to a lowest excited singlet state that is calculated using the time-dependent density functional theory is 0.43 (eV −1 ) or more.

Photovoltaic cell

The present invention provides a photovoltaic cell having a large short-circuit current density and a large photoelectric conversion efficiency. This photovoltaic cell comprises: a first electrode; a second electrode; and an active layer between the first electrode and the second electrode; wherein the active layer contains a compound having a structural unit represented by Formula (1): wherein Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other and represent a trivalent aromatic hydrocarbon group or a trivalent heterocyclic group, with at least one of Ar 1 and Ar 2 being a trivalent heterocyclic group; X 1 and X 2 are the same as or different from each other and represent —O—, —S—, —C(═O)—, —S(═O)—, —SO 2 —, —C(R 50 )(R 51 )—, —Si(R 3 )(R 4 )—, —N(R 5 )—, —B(R 6 )—, —P(R 7 )—, or —P(═O)(R 8 )—; R 50 , R 51 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , and R 8 are the same as or different from each other and represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a monovalent organic group; and X 1 and Ar 2 are bonded with atoms adjacent to each other on a ring that constitutes Ar 1 , and X 2 and Ar 1 are bonded with atoms adjacent to each other on a ring that constitutes Ar 2 .

Magnetic tunnel junction device

The magnetic tunnel junction device of the present invention includes a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, an insulating layer formed between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer. The insulating layer is composed of fluorine-added MgO. The fluorine content in the insulating layer is 0.00487 at. % or more and 0.15080 at. % or less. This device, although it includes a MgO insulating layer, exhibits superior magnetoresistance properties to conventional devices including MgO insulating layers. The fluorine content is preferably 0.00487 at. % or more and 0.05256 at. % or less.

Non-volatile magnetic memory with low switching current and high thermal stability

A non-volatile current-switching magnetic memory element includes a bottom electrode, a pinning layer formed on top of the bottom electrode, and a fixed layer formed on top of the pinning layer. The memory element further includes a tunnel layer formed on top of the pinning layer, a first free layer formed on top of the tunnel layer, a granular film layer formed on top of the free layer, a second free layer formed on top of the granular film layer, a cap layer formed on top of the second layer and a top electrode formed on top of the cap layer.

Imprinting apparatus, imprinting method, and manufacturing method of uneven plate

According to one embodiment, an imprinting apparatus includes an ejecting unit, a stage, a moving unit, and an observation unit. The ejecting unit ejects and drips a hardening resin material onto a substrate to be processed. The substrate to be processed is placed onto the stage. The moving unit relatively moves the ejecting unit and the stage. The observation unit observes the dripped hardening resin material and the pattern with the state in which the dripped hardening resin material and the pattern are overlaid on a plane, before the template is brought into contact with the hardening resin material.

Bioactivation of particles

Particles are bioactivated by attaching bioactivation peptides to the particle surface. The bioactivation peptides are peptide-based compounds that impart one or more biologically important functions to the particles. Each bioactivation peptide includes a molecular or surface recognition part that binds with the surface of the particle and one or more functional parts. The surface recognition part includes an amino-end and a carboxy-end and is composed of one or more hydrophobic spacers and one or more binding clusters. The functional part(s) is attached to the surface recognition part at the amino-end and/or said carboxy-end.

Bi-layer pseudo-spin field-effect transistor

A bi-layer pseudo-spin field-effect transistor (BiSFET) is disclosed. The BiSFET includes a first and second conduction layers separated by a tunnel dielectric. The BiSFET transistor also includes a first gate separated from the first conduction layer by an insulating dielectric layer, and a second gate separated from the second conduction layer by an insulating layer. These conduction layers may be composed of graphene. The voltages applied to the first and/or second gates can control the peak current and associated voltage value for current flow between top and bottom conduction channels, and interlayer current voltage characteristic exhibiting negative differential resistance. BiSFETs may be used to make a variety of logic gates. A clocked power supply scheme may be used to facilitate BiSFET-based logic.

Magneto-resistive effect element having spacer layer including gallium oxide layer with metal element

A magneto-resistive effect (MR) element includes: first and second magnetic layers in which a relative angle formed by magnetization directions changes according to an external magnetic field; and a spacer layer positioned between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The spacer layer includes a main spacer layer composed of gallium oxide as a primary component and containing at least one metal element selected from a group of magnesium, zinc, indium and aluminum.

MOSFET with a Nanowire Channel and Fully Silicided (FUSI) Wrapped Around Gate

Nanowire-channel metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) and techniques for the fabrication thereof are provided. In one aspect, a MOSFET includes a nanowire channel; a fully silicided gate surrounding the nanowire channel; and a raised source and drain connected by the nanowire channel. A method of fabricating a MOSFET is also provided.