Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год

Применить Всего найдено 144113. Отображено 100.
16-10-1998 дата публикации

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000008159U1

Выпрямительный модуль для много фазного выпрямителя, содержащий не менее трех таблеточных полупроводниковых вентилей, анодную и катодную сборные шины, одна из которых является групповым жидкостным охладителем, и токоотводы по числу вентилей, отличающийся тем, что одна из сборных шин выполнена в виде правильной призмы или круглого цилиндра, а таблеточные полупроводниковые вентили и токоотводы симметрично относительно ее оси закреплены на групповом жидкостном охладителе. (19) RU (11) (13) 8 159 U1 (51) МПК H01L 25/03 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97106852/20, 24.04.1997 (46) Опубликовано: 16.10.1998 (71) Заявитель(и): Открытое акционерное общество "Российская электротехническая компания" (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Российская электротехническая компания" U 1 8 1 5 9 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Выпрямительный модуль для много фазного выпрямителя, содержащий не менее трех таблеточных полупроводниковых вентилей, анодную и катодную сборные шины, одна из которых является групповым жидкостным охладителем, и токоотводы по числу вентилей, отличающийся тем, что одна из сборных шин выполнена в виде правильной призмы или круглого цилиндра, а таблеточные полупроводниковые вентили и токоотводы симметрично относительно ее оси закреплены на групповом жидкостном охладителе. 8 1 5 9 (54) ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ R U (72) Автор(ы): Неуймин О.А., Бобков В.А. U 1 U 1 8 1 5 9 8 1 5 9 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 8 159 U1 RU 8 159 U1 RU 8 159 U1 RU 8 159 U1 RU 8 159 U1

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Led chip package structure

Номер: US20120001203A1
Принадлежит: Harvatek Corp

A LED chip package structure includes a substrate unit, a light-emitting unit, and a package unit. The substrate unit includes a strip substrate body. The light-emitting unit includes a plurality of LED chips disposed on the strip substrate body and electrically connected to the strip substrate body. The package unit includes a strip package colloid body disposed on the strip substrate body to cover the LED chips, wherein the strip package colloid body has an exposed top surface and an exposed surrounding peripheral surface connected between the exposed top surface and the strip substrate body, and the strip package colloid body has at least one exposed lens portion projected upwardly from the exposed top surface thereof and corresponding to the LED chips. Hence, light beams generated by the LED chips pass through the strip package colloid body to form a strip light-emitting area on the strip package colloid body.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Optoelectronic Semiconductor Component and Display Means

Номер: US20120001208A1
Принадлежит: Individual

In at least one embodiment, an optoelectronic semiconductor component includes at least two optoelectronic semiconductor chips, which are designed to emit electromagnetic radiation in mutually different wavelength ranges when in operation. The semiconductor chips are mounted on a mounting surface of a common carrier. Furthermore, the optoelectronic semiconductor component contains at least two non-rotationally symmetrical lens bodies, which are designed to shape the radiation into mutually different emission angles in two mutually orthogonal directions parallel to the mounting surface. One of the lens bodies is here associated with or arranged downstream of each of the semiconductor chips in an emission direction.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Double molded chip scale package

Номер: US20120001322A1
Автор: Luke England, Yong Liu
Принадлежит: Fairchild Semiconductor Corp

Chip scale semiconductor packages and methods for making and using the same are described. The chip scale semiconductor packages (CSPs) contain a die with an integrated circuit device, a patterned plating layer, and a second interconnect structure formed from a Cu etched substrate that has a portion of an upper surface connected to the patterned plating layer, a side surface, and a bottom surface. The die can be attached to the patterned plating layer by a first interconnect structure that uses wirebonding or that uses a flip chip attachment process. The CSP contains a double molded structure where a first molding layer encapsulates the die, the patterned plating layer, the first interconnect structure, and the upper surface of the second interconnect structure. The second molding layer encapsulates the side surface of the second interconnect structure without encapsulating the bottom surface of the second interconnect structure. With such a configuration, the second molding layer helps control warpage during the manufacturing process and no printed circuit board (PCB) substrate is needed when the package is used in an electronic device since the signal routing is performed by the second interconnect structure. Other embodiments are described.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor device

Номер: US20120001341A1
Автор: Akihiro Niimi, Shigeo Ide
Принадлежит: Denso Corp

The semiconductor device has a unit stack body including a plurality of units stacked on one another. Each unit includes a power terminal constituted of a lead part and a connection part. The connection part is formed with a projection and a recess. When the units are stacked on one another, the projection of one unit is fitted to the recess of the adjacent unit, so that the power terminals of the respective unit are connected to one another.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor package having a stacked structure

Номер: US20120001347A1
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

A semiconductor package includes a substrate, a first semiconductor chip stacked on the substrate and a second semiconductor chip stacked on the first semiconductor chip. In the semiconductor package, the second semiconductor chip is rotated to be stacked on the first semiconductor chip. The semiconductor package is used in an electronic system.

Подробнее
20-09-2000 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Номер: RU0000015148U1

1. Полупроводниковый преобразователь, содержащий трансформаторный узел и полупроводниковые вентили, отличающийся тем, что трансформаторный узел выполнен в виде трех однофазных трансформаторов, каждый из которых содержит по меньшей мере один кольцевой магнитопровод, сетевую и вентильные обмотки, причем каждая вентильная обмотка имеет по меньшей мере один виток, состоящий из одного вертикального и одного горизонтального элементов, выполненных из жестких прямолинейных шин, вертикальный элемент обмотки охвачен кольцевым магнитопроводом, а горизонтальные элементы обмотки трех однофазных трансформаторов являются основанием преобразователя. 2. Полупроводниковый преобразователь по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковые вентили установлены на вертикальных элементах вентильных обмоток однофазных трансформаторов непосредственно на выходе из магнитопровода. (19) RU (11) 15 148 (13) U1 (51) МПК H01L 25/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000104618/20 , 28.02.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.02.2000 (46) Опубликовано: 20.09.2000 (72) Автор(ы): Бобков А.В., Неуймин О.А. (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Российская электротехническая компания" U 1 1 5 1 4 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. Полупроводниковый преобразователь, содержащий трансформаторный узел и полупроводниковые вентили, отличающийся тем, что трансформаторный узел выполнен в виде трех однофазных трансформаторов, каждый из которых содержит по меньшей мере один кольцевой магнитопровод, сетевую и вентильные обмотки, причем каждая вентильная обмотка имеет по меньшей мере один виток, состоящий из одного вертикального и одного горизонтального элементов, выполненных из жестких прямолинейных шин, вертикальный элемент обмотки охвачен кольцевым магнитопроводом, а горизонтальные элементы обмотки трех однофазных трансформаторов являются основанием преобразователя. 2 ...

Подробнее
10-06-2001 дата публикации

КОНСТРУКЦИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО БЛОКА

Номер: RU0000018325U1

1. Конструкция силового полупроводникового блока, состоящая из полупроводниковых приборов, одним из электродов которых является металлический корпус, вторым электродом является вывод металлических перемычек, служащих для параллельного соединения полупроводниковых приборов, токоподводящих шин, предназначенных для присоединения полупроводникового блока к электрической схеме, не менее двух оребренных охладителей, имеющих плоскую область, тарельчатых пружин, обеспечивающих прижимной электрический контакт, изоляторов, стяжных устройств, в которой полупроводниковые приборы запрессованы в отверстия, изготовленные в плоской области охладителей, корпусы полупроводниковых приборов находятся в тепловом и электрическом контакте с охладителем, выводы приборов направлены в сторону, противоположную ребрам охладителя, полупроводниковые приборы каждого охладителя разделены на группы, в каждой группе выводы приборов соединены между собой металлической перемычкой, охладители с установленными в них полупроводниковыми приборами соединены посредством стяжных устройств, при этом ребра охладителей ориентированы в противоположные стороны, токоподводящие шины расположены между плоскими областями охладителей, отличающаяся тем, что в металлических перемычках и охладителях не менее чем в двух точках изготовлены соосные отверстия, куда вставлены направляющие штифты, на которых размещены изоляторы, тарельчатые пружины и токоподводящие шины, при этом изоляторы и тарельчатые пружины находятся между плоской областью охладителя и металлическими перемычками, а токоподводящие шины установлены на металлических перемычках. 2. Конструкция силового полупроводникового блока по п.1, отличающаяся тем, что плоская область охладителя выступает за его ребра по длине. 3. Конструкция силового полупроводникового блока по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что между металлическими перемычками и токоподводящими шинами помещены пластины из электрически изоляционного материала. 4. Конструкция силового полупроводникового блока ...

Подробнее
27-11-2001 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Номер: RU0000020808U1

1. Полупроводниковое устройство, содержащее металлическое основание, корпус, внутри которого расположены изоляционные подложки, полупроводниковые элементы, металлические шины, изоляционный слой герметика, крышку, внешние электроды, отличающееся тем, что на металлическом основании размещена, по крайней мере, одна дополнительная металлическая подложка, на которой размещена изоляционная подложка, размеры которой больше размеров дополнительной металлической подложки, при этом на изоляционной подложке размещена первая металлическая шина, размеры основания которой равны размерам дополнительной металлической подложки, на поверхности первой металлической шины расположен катод или анод, по крайней мере, одного полупроводникового элемента, а на аноде или катоде полупроводникового элемента расположена вторая металлическая шина, при этом ширина металлических шин совпадает с наибольшей из сторон (диаметром) полупроводникового элемента, вокруг которого расположено дополнительное изоляционное кольцо, а корпус снабжен, по крайней мере, двумя дополнительными выступами с отверстиями, в которых размещены винты. 2. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительная металлическая подложка, изоляционная подложка, металлические шины, полупроводниковый элемент соединены с металлическим основанием методом прижима, при этом пружина размещена таким образом, что отверстия дополнительных выступов корпуса совпадают с отверстиями на концах пружины, в которых размещены винты для соединения корпуса, дополнительной металлической подложки, изоляционной подложки, полупроводникового элемента, металлических шин с металлическим основанием. 3. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что в дополнительном изоляционном кольце выполнен паз, в котором размещена пружина. 4. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что на второй металлической шине расположен анод или катод, по крайней мере, одного полупроводникового элемента, на катоде или аноде которого ...

Подробнее
20-12-2001 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО

Номер: RU0000021114U1

1. Полупроводниковое выпрямительное устройство, содержащее полупроводниковые структуры с р-n-переходом и/или полупроводниковые приборы, контактные металлические пластины, фасонные металлические шины, электроизолирующий теплопроводящий слой, общее металлическое основание, опорный элемент, нажимные болты, изолирующие кольца, корпус, крышку, компаунд, отличающееся тем, что в корпусе выполнен, по крайней мере, один кольцеобразный паз, в котором размещен электроизолирующий теплопроводящий слой, на котором размещена первая фасонная металлическая шина, на которой размещена, по крайней мере, одна полупроводниковая структура и/или полупроводниковый прибор, на верхней поверхности которых размещена контактная металлическая пластина и вторая фасонная металлическая шина, изолирующее кольцо, на котором в свою очередь размещена, по крайней мере, одна дополнительная пружина, соединенная с опорным элементом, в котором выполнены отверстия, в которых размещены управляющие выводы и/или выводы излучающих диодов, нажимные болты, прижимающие опорный элемент к дополнительной пружине, полупроводниковую структуру к контактной металлической пластине, фасонную металлическую шину через электроизолирующий теплопроводящий слой, а также корпус к общему металлическому основанию. 2. Полупроводниковое выпрямительное устройство по п.1, отличающееся тем, что опорный элемент и дополнительная пружина выполнены из металла. 3. Полупроводниковое выпрямительное устройство по п.1, отличающееся тем, что опорный элемент выполнен из изоляционного материала. 4. Полупроводниковое выпрямительное устройство по п.1, отличающееся тем, что в корпусе выполнены отверстия, в которых размещены нажимные болты, соединяющие опорный элемент и корпус с общим металлическим основанием. 5. Полупроводниковое выпрямительное устройство по п.1, отличающееся тем, что первая фасонная металлическая шина одной полупроводниковой структуры соединена с контактной металлической пластиной другой полупроводниковой структуры дополнительной ...

Подробнее
10-04-2002 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ БЛОК С ТАБЛЕТОЧНЫМИ ПРИБОРАМИ

Номер: RU0000022586U1
Автор: Савкин А.И.

1. Полупроводниковый блок с таблеточными приборами, состоящий из полупроводниковых приборов таблеточной конструкции, имеющих не менее двух электродов, металлических перемычек, служащей для электрического соединения полупроводниковых приборов между собой, оребренного охладителя, имеющего плоскую область, расположенную перпендикулярно плоскости ребер, на которой расположены полупроводниковые приборы, тарельчатых пружин, обеспечивающих прижимной электрический контакт, электрических изоляторов, отличающийся тем, что полупроводниковый блок содержит множество полупроводниковых приборов таблеточной конструкции, на каждом из которых установлен контакт, представляющий собой металлическое тело, состоящее из основания, прилегающего к полупроводниковому прибору, и хвостовика, на хвостовики контактов надета металлическая перемычка и электрические изоляторы с установленными на них тарельчатыми пружинами, на части электрических изоляторов, выступающие за тарельчатые пружины, одета траверса, имеющая отверстия, соосные с отверстиями в плоской части охладителя, и соединенная с ним винтами для создания прижимного электрического контакта. 2. Полупроводниковый блок с таблеточными приборами по п.1, отличающийся тем, что к металлической перемычке тарельчатыми прижат токовод. 3. Полупроводниковый блок с таблеточными приборами по пп.1 и 2, отличающийся тем, что металлические перемычки имеют части, выступающие за плоскость траверсы, к которым прижаты тоководы, расположенные над траверсой и электрически изолированные от траверсы. 4. Полупроводниковый блок с таблеточными приборами по пп.1-3, отличающийся тем, что не менее двух оребренных охладителей механически соединены между собой таким образом, что их ребра направлены в противоположные стороны. (19) RU (11) 22 586 (13) U1 (51) МПК H01L 25/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001112915/20 , 16.05.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: ...

Подробнее
27-08-2002 дата публикации

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Номер: RU0000024880U1

Интегральный тензопреобразователь, содержащий резистивный делитель напряжения со средним отводом, подключенный одним плечом к первой шине питания, другим плечом - к "минусовой" шине питания, операционный усилитель с неинвертирующим и инвертирующим входами, подключенный неинвертирующим входом к среднему отводу резистивного делителя напряжения, тензометрический мост, включенный одной диагональю между первым и вторым выходными выводами устройства, другой диагональю - между выходом операционного усилителя и "минусовой" шиной питания, первый резистор, включенный между инвертирующим входом операционного усилителя и "минусовой" шиной питания, термоэлемент, отличающийся тем, что в него дополнительно введен второй резистор, включенный между выходом операционного усилителя и его инвертирующим входом, а термоэлемент включен последовательно в цепь другого плеча резистивного делителя напряжения. (19) RU (11) 24 880 (13) U1 (51) МПК G01L 19/00 (2000.01) H01L 25/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2002103236/20 , 14.02.2002 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 14.02.2002 (46) Опубликовано: 27.08.2002 (72) Автор(ы): Ратанин С.Б., Кужненков А.С. 2 4 8 8 0 R U (57) Формула полезной модели Интегральный тензопреобразователь, содержащий резистивный делитель напряжения со средним отводом, подключенный одним плечом к первой шине питания, другим плечом - к "минусовой" шине питания, операционный усилитель с неинвертирующим и инвертирующим входами, подключенный неинвертирующим входом к среднему отводу резистивного делителя напряжения, тензометрический мост, включенный одной диагональю между первым и вторым выходными выводами устройства, другой диагональю - между выходом операционного усилителя и "минусовой" шиной питания, первый резистор, включенный между инвертирующим входом операционного усилителя и "минусовой" шиной питания, термоэлемент, отличающийся тем, что в него дополнительно ...

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive for re-release and dicing die-bonding film

Номер: US20120003470A1
Принадлежит: Nitto Denko Corp

Provided is an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive for re-release, which has a small influence on an environment or a human body, can be easily handled, can largely change its pressure-sensitive adhesiveness before and after irradiation with an active energy ray, and can express high pressure-sensitive adhesiveness before the irradiation with the active energy ray and express high releasability after the irradiation with the active energy ray. The active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive for re-release includes an active energy ray-curable polymer (P), in which the polymer (P) includes one of a polymer obtained by causing a carboxyl group-containing polymer (P3) and an oxazoline group-containing monomer (m3) to react with each other, and a polymer obtained by causing an oxazoline group-containing polymer (P4) and a carboxyl group-containing monomer (m2) to react with each other.

Подробнее
10-09-2003 дата публикации

Выпрямительный блок-клеммник

Номер: RU0000032332U1

1. Выпрямительный блок-клеммник, содержащий панель с ламелями и клеммами для подключения внешних устройств, отверстиями для крепления и выступами для пространственного разделения элементов, расположенных на панели, выпрямитель, охладитель, отличающийся тем, что на панели выполнен элемент фиксации корпуса выпрямителя, на котором расположен охладитель. 2. Выпрямительный блок-клеммник по п.1, отличающийся тем, что охладитель выполнен из пластин. 3. Выпрямительный блок-клеммник по п.1, отличающийся тем, что клеммы для подключения внешних устройств расположены на панели. 4. Выпрямительный блок-клеммник по п.1, отличающийся тем, что имеет элемент крепления выпрямителя и охладителя к панели. 5. Выпрямительный блок-клеммник по п.1, отличающийся тем, что с оборотной стороны в местах крепления панели выполнены выступы. 6. Выпрямительный блок-клеммник по п.1, отличающийся тем, что две стороны панели, смежные меньшей, выполнены вогнутыми. (19) RU (11) 32 332 (13) U1 (51) МПК H02M 7/00 (2000.01) H01L 25/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2003100303/20 , 04.01.2003 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 04.01.2003 (46) Опубликовано: 10.09.2003 (72) Автор(ы): Леонов Ю.К., Григорьев В.Н. 3 2 3 3 2 (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский проектно-конструкторский и технологический институт релестроения с опытным производством" R U Адрес для переписки: 428000, г.Чебоксары, пр-т И. Яковлева, 4, ОАО "ВНИИР" (71) Заявитель(и): Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский проектно-конструкторский и технологический институт релестроения с опытным производством" 3 2 3 3 2 R U (57) Формула полезной модели 1. Выпрямительный блок-клеммник, содержащий панель с ламелями и клеммами для подключения внешних устройств, отверстиями для крепления и выступами для пространственного разделения элементов, расположенных на ...

Подробнее
10-05-2005 дата публикации

СИСТЕМА ПРЕОБРАЗОВАНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ

Номер: RU0000045560U1

1. Система преобразования напряжения, включающая преобразовательный блок, блок управления и внутренний контур охлаждения с охлаждающей жидкостью, отличающаяся тем, что дополнительно содержит наружный контур воздушного охлаждения, включающий теплообменник с регулируемым коэффициентом теплопередачи, а в качестве охлаждающей жидкости во внутреннем контуре охлаждения использована незамерзающая жидкость. 2. Система преобразования напряжения по п.1, отличающаяся тем, что в качестве незамерзающей жидкости использована деионизированная жидкость на основе этиленгликоля. 3. Система преобразования напряжения по п.1, отличающаяся тем, что теплообменник с регулируемым коэффициентом теплопередачи включает регулируемый привод вентилятора. 4. Система преобразования напряжения по п.1, отличающаяся тем, что теплообменник с регулируемым коэффициентом теплопередачи включает устройство плавного пуска двигателя вентилятора. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 45 560 (13) U1 (51) МПК H01L 25/03 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004123479/22 , 30.07.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.07.2004 (45) Опубликовано: 10.05.2005 (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Российская электротехническая компания" (RU) U 1 4 5 5 6 0 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели 1. Система преобразования напряжения, включающая преобразовательный блок, блок управления и внутренний контур охлаждения с охлаждающей жидкостью, отличающаяся тем, что дополнительно содержит наружный контур воздушного охлаждения, включающий теплообменник с регулируемым коэффициентом теплопередачи, а в качестве охлаждающей жидкости во внутреннем контуре охлаждения использована незамерзающая жидкость. 2. Система преобразования напряжения по п.1, отличающаяся тем, что в качестве незамерзающей жидкости использована деионизированная жидкость на основе этиленгликоля. 3. Система ...

Подробнее
10-08-2005 дата публикации

СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ СТАТИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Номер: RU0000047134U1

Силовой полупроводниковый модуль для статических преобразователей, содержащий монтажное изолирующее средство с основной опорной пластиной, с которой соединены установленные с зазором параллельно друг другу два охлаждающих радиатора, каждый из которых имеет теплопринимающую поверхность и теплоотдающие ребра, а также установленные в упомянутом зазоре две шины, свободные концы которых пропущены в щелевые отверстия основной опорной пластины, а между зажимающими противоположными концами шин размещен силовой тиристор в корпусе-таблетке, отличающийся тем, что он снабжен платой формирования импульсов управления силовым тиристором и дополнительными первой и второй опорными пластинами, установленными под радиаторами поверх основной опорной пластины, при этом первая опорная пластина выполнена из пластического материала, например, резины, а вторая опорная пластина выполнена из материала с повышенной электрической и механической прочностью, например, стеклотекстолита, а монтажное изолирующее средство выполнено в виде коробки с основанием в виде трех упомянутых основной, первой и второй опорных пластин и с фигурными боковыми сторонами, из которых две первые противолежащие стороны выполнены в виде фигурного коромысла с трапецеидальным вырезом, обращенными наружу, а две другие противолежащие стороны снабжены угловыми наружными фиксаторами, причем зажимающие концы упомянутых шин закреплены на радиаторах, а плата формирования импульсов управления силовым тиристором размещена на стойках, установленных на внутренней поверхности основной опорной пластины монтажного изолирующего средства. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 47 134 (13) U1 (51) МПК H01L 25/00 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ Адрес для переписки: 394062, г.Воронеж, ул. Дорожная, 17/2, ОАО "РИФ", А.С.Иванову (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "РИФ" (RU) (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 04.02. ...

Подробнее
10-08-2005 дата публикации

СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ СТАТИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Номер: RU0000047135U1

Силовой полупроводниковый модуль для статических преобразователей, содержащий монтажное изолирующее средство с основной опорной пластиной, с которой соединены установленные с зазором параллельно друг другу два охлаждающих радиатора, каждый из которых имеет теплопринимающую поверхность и теплоотдающие ребра, а также установленные в упомянутом зазоре две шины, свободные концы которых пропущены в щелевые отверстия основной опорной пластины, а между зажимающими противоположными концами шин размещен силовой тиристор в корпусе-таблетке, отличающийся тем, что он снабжен платой формирования импульсов управления силовым тиристором и дополнительными первой и второй опорными пластинами, установленными под радиаторами поверх основной опорной пластины, при этом первая опорная пластина выполнена из пластического материала, например, резины, а вторая опорная пластина выполнена из материала с повышенной электрической и механической прочностью, например, стеклотекстолита, а монтажное изолирующее средство выполнено в виде коробки с основанием в виде трех упомянутых основной, первой и второй опорных пластин и с прямоугольными боковыми сторонами, причем зажимающие концы упомянутых шин закреплены на радиаторах, а плата формирования импульсов управления силовым тиристором размещена на стойках, установленных на внутренней поверхности основной опорной пластины монтажного изолирующего средства. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 47 135 (13) U1 (51) МПК H01L 25/00 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ Адрес для переписки: 394062, г.Воронеж, ул. Дорожная, 17/2, ОАО "РИФ" (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "РИФ" (RU) (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 04.02.2005 Ñòðàíèöà: 1 U 1 4 7 1 3 5 R U U 1 Формула полезной модели Силовой полупроводниковый модуль для статических преобразователей, содержащий монтажное изолирующее средство с основной опорной пластиной, с которой ...

Подробнее
10-09-2005 дата публикации

СИЛОВОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТРАНСПОРТНОГО СРЕДСТВА

Номер: RU0000048108U1

Силовое полупроводниковое выпрямительное устройство для транспортного средства, содержащее клеммы А, В, С для подключения соответствующих фаз трехфазного переменного напряжения к трем шинам, к которым подключен силовыми входами функциональный блок трехфазного мостового выпрямителя, имеющий первое, второе и третье плечи, подключенные к выходной анодной шине выпрямленного напряжения, и четвертое, пятое и шестое плечи, подключенные к катодной выходной шине выпрямленного напряжения, причем каждое из упомянутых плеч блока трехфазного мостового выпрямителя включает основную электрическую ветвь из последовательно соединенных силового полупроводникового диода и предохранителя, отличающееся тем, что оно снабжено первым блоком сигнализации о неисправности в первом, втором и третьем упомянутых плечах, вторым блоком сигнализации о неисправности в четвертом, пятом и шестом упомянутых плечах, а также первым, вторым и третьем блоками селективной диагностики состояния каждого диода и предохранителя соответственно в первом, втором и третьем плечах, и четвертым, пятым и шестым блоками селективной диагностики состояния каждого диода и предохранителя четвертого, пятого и шестого плеч соответственно, клеммный блок для подключения упомянутых первого и второго блоков сигнализации о неисправностях к пульту управления транспортным средством, причем в каждое из упомянутых плеч трехфазного мостового выпрямителя введены две дополнительные электрические ветви с силовым полупроводниковым диодом и предохранителем, которые подсоединены параллельно основной электрической ветви, при этом входы первого, второго и третьего блоков селективной диагностики каждого диода и предохранителя подключены соответственно к третьему, четвертому и пятому выходам функционального блока трехфазного мостового выпрямителя, а входы четвертого, пятого и шестого блоков селективной диагностики каждого диода и предохранителя подключены соответственно к шестому, седьмому и восьмому выходам функционального блока трехфазного ...

Подробнее
27-01-2006 дата публикации

СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ СТАТИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Номер: RU0000051285U1

Силовой полупроводниковый модуль для статических преобразователей, содержащий силовой полупроводниковый вентиль в плоском таблеточном корпусе, например, тиристор, который установлен между двумя концами выходных электропроводящих шин, к которым прижаты с обеих сторон теплопринимающие поверхности оснований первого и второго охладителей, имеющих противоположно направленные теплоотводящие ребра, размещенные на отходящих от основания коллекторах, изоляционную панель и элемент защиты вентиля, отличающийся тем, что элемент защиты вентиля выполнен в виде микропроцессорного датчика температуры, установленного перпендикулярно коллекторам на боковой поверхности теплопринимающего основания второго охладителя и имеющего прямоугольный электроизолирующий корпус с центральной сквозной полостью с внутренним опорным выступом, на котором установлена плата с размещенной под ней теплопроводящей упругой прокладкой, например, из герметика виксинта, при этом на одной стороне платы, обращенной к внешней части корпуса, закреплен в центре воспринимающий термочувствительный элемент, а на противоположной стороне этой платы размещена управляющая блок-схема с контактами, соединенными с термочувствительным элементом и с кабелем для подключения к внешним устройствам, причем упомянутый корпус имеет металлическую внешнюю рубашку с выполненным в поверхности ее контакта с охладителем центральным отверстием для измерения температуры. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 51 285 (13) U1 (51) МПК H01L 25/00 H01L 25/03 (2006.01) (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2005130918/22 , 05.10.2005 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 05.10.2005 (45) Опубликовано: 27.01.2006 (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "РИФ" (RU) Ñòðàíèöà: 1 U 1 5 1 2 8 5 R U U 1 Формула полезной модели Силовой полупроводниковый модуль для статических преобразователей, содержащий силовой ...

Подробнее
10-09-2007 дата публикации

ТРЕХФАЗНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОСТ

Номер: RU0000066605U1

1. Трехфазный выпрямительный мост, содержащий пары согласно и последовательно соединенных через шинопровод переменного тока таблеточных полупроводниковых вентилей, каждый из которых сблокирован с охладителем, присоединенным к одному из разноименных общих шинопроводов, соединяющему крайние одноименные полюса пар таблеточных полупроводниковых вентилей, при этом вентили каждой пары, их охладители и общие разноименные шинопроводы стянуты между собой с обеих сторон в осевом направлении, отличающийся тем, что каждая пара таблеточных полупроводниковых вентилей дополнительно содержит взрывной предохранитель, встроенный в силовую цепь переменного тока, и схему его управления, соединенную с датчиком или датчиками аварийного состояния, а каждый вентиль снабжен вторым охладителем, через который он соединен с шинопроводом переменного тока. 2. Выпрямительный мост по п.1, отличающийся тем, что он снабжен основанием, на котором через изоляционные пластины размещен один из разноименных общих шинопроводов, а каждая пара вентилей с охладителями и общими разноименными шинопроводами стянута с обеих сторон с помощью изолированных шпилек, одни концы которых жестко закреплены в основании, а другие концы соединены между собой упругой перемычкой. 3. Выпрямительный мост по п.1, отличающийся тем, что в качестве датчиков аварийного состояния использованы датчики обратного тока, установленные в силовой цепи каждого вентиля. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 66 605 (13) U1 (51) МПК H01L 25/03 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2007106260/22 , 19.02.2007 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 19.02.2007 (45) Опубликовано: 10.09.2007 (73) Патентообладатель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный архитектурно-строительный университет" (ГОУВПО "ТГАСУ") (RU) Ñòðàíèöà: 1 U 1 6 6 6 0 5 R U U 1 Формула полезной ...

Подробнее
10-11-2007 дата публикации

МОЩНЫЙ ТРЕХФАЗНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОСТ

Номер: RU0000068183U1

1. Мощный трехфазный выпрямительный мост, содержащий согласно и последовательно соединенные через шинопровод переменного тока таблеточные полупроводниковые вентили, каждый из которых сблокирован с охладителем, присоединенным к одному из разноименных общих шинопроводов, соединяющему крайние одноименные полюса таблеточных полупроводниковых вентилей, при этом вентили, их охладители и общие разноименные шинопроводы сблокированы между собой в плечи и стянуты в осевом направлении, отличающийся тем, что каждое плечо снабжено взрывным предохранителем, установленным в цепь постоянного тока, и схемой его управления, соединенной с датчиком или датчиками аварийного состояния, а каждый вентиль снабжен вторым охладителем. 2. Выпрямительный мост по п.1, отличающийся тем, что он снабжен основанием, на котором через изоляционные пластины размещен один из разноименных общих шинопроводов, а вентили с охладителями и общими разноименными шинопроводами стянуты между собой с помощью изолированных шпилек, одни концы которых жестко закреплены в основании, а другие в каждой стяжке соединены между собой попарно упругой перемычкой. 3. Выпрямительный мост по п.1, отличающийся тем, что каждое плечо моста содержит два и более параллельно соединенных вентилей. 4. Выпрямительный мост по пп.1 и 3, отличающийся тем, что взрывной предохранитель установлен последовательно с каждым вентилем, а в качестве датчиков аварийного состояния использованы датчики обратного тока, установленные в силовой цепи постоянного тока каждого вентиля. 5. Выпрямительный мост по п.1, отличающийся тем, что разноименные общие шинопроводы выполнены пустотелыми, а охладители встроены в них. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 68 183 (13) U1 (51) МПК H01L 25/03 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2007108311/22 , 05.03.2007 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 05.03.2007 (45) Опубликовано: 10.11.2007 (73) ...

Подробнее
10-01-2008 дата публикации

СВЕТОДИОДНАЯ ЛАМПА

Номер: RU0000070050U1

1. Светодиодная лампа, включающая средство соединения с внешней электрической сетью, элементы блока питания, основание, крышку и полую цилиндрическую плату со светодиодами на внешней поверхности платы, характеризующаяся тем, что крышка соединена крепежом с основанием и фиксирует вертикально установленную на основание полую цилиндрическую плату, во внутренней полости которой элементы блока питания размещены на части платы, загнутой внутрь полости. 2. Светодиодная лампа по п.1, характеризующаяся тем, что полая цилиндрическая плата выполнена из металла, или двухслойного материала «металл-пластик», или термопласта, или реактопласта. 3. Светодиодная лампа по п.1, характеризующаяся тем, что полая цилиндрическая плата выполнена с сечением в форме круга или с сечением в форме многоугольника. 4. Светодиодная лампа по п.1, характеризующаяся тем, что снабжена дополнительными светодиодами, размещенными на крышке. 5. Светодиодная лампа по п.1, характеризующаяся тем, что основание скреплено со средством соединения с внешней электрической сетью, выполненным в виде цоколя традиционной лампы. 6. Светодиодная лампа по п.1, характеризующаяся тем, что основание и крышка 9 выполнены с отбортовками. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 70 050 (13) U1 (51) МПК H01L 25/075 (2006.01) F21V 23/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2007132572/22 , 30.08.2007 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.08.2007 (45) Опубликовано: 10.01.2008 (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "Связь Инжиниринг П" (RU) Ñòðàíèöà: 1 U 1 7 0 0 5 0 R U U 1 Формула полезной модели 1. Светодиодная лампа, включающая средство соединения с внешней электрической сетью, элементы блока питания, основание, крышку и полую цилиндрическую плату со светодиодами на внешней поверхности платы, характеризующаяся тем, что крышка соединена крепежом с основанием и фиксирует вертикально ...

Подробнее
10-07-2011 дата публикации

ТРЕХФАЗНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОСТ

Номер: RU0000106441U1

1. Трехфазный выпрямительный мост, фазы которого соединены между собой разноименными шинопроводами постоянного тока, при этом каждая фаза содержит пару согласно и последовательно соединенных через шинопровод переменного тока и стянутых в осевом направлении таблеточных полупроводниковых вентилей, охладители, расположенные с обеих сторон каждого вентиля и соединенные соответственно положению с одним из разноименных общих шинопроводов постоянного тока, соединяющим крайние одноименные полюса пар вентилей или с шинопроводом переменного тока, взрывной предохранитель, встроенный в силовую цепь переменного тока и стянутый в осевом направлении с помощью упругой перемычки и изолированных шпилек, схему управления взрывным предохранителем, соединенную с датчиком аварийного состояния, отличающийся тем, что взрывной предохранитель в каждой фазе установлен между таблеточными полупроводниковыми вентилями на шинопроводе переменного тока, который закреплен на раме, причем шинопровод переменного тока и шинопроводы постоянного тока выполнены пустотелыми, а охладители встроены в соответствующие пустотелые шинопроводы, при этом в осевом направлении стянут со своими охладителями, шинопроводом переменного тока и шинопроводом постоянного тока каждый вентиль, кроме того, взрывной предохранитель стянут с шинопроводом переменного тока, а узел крепления взрывного предохранителя дополнительно содержит осевой компенсатор, который установлен между упругой перемычкой и взрывным предохранителем. 2. Трехфазный выпрямительный мост по п.1, отличающийся тем, что корпус осевого компенсатора выполнен из двух частей, между которыми встроен упругий элемент, а торец взрывного предохранителя упирается в корпус компенсатора. 3. Трехфазный выпрямительный мост по п.1, отличающийся тем, что таблеточные полупроводниковые вентили стянуты в осевом направлении с помощью перемычек и изолированных шпилек. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 106 441 (13) U1 (51) МПК H01L 25/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ...

Подробнее
10-07-2013 дата публикации

ВЛАГОЗАЩИЩЕННАЯ УПАКОВКА ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Номер: RU0000130139U1
Принадлежит: ЮМИКОР

1. Упаковочная система для полупроводниковых пластин, содержащая по меньшей мере одну коробку для хранения пластин, последовательно заключенную в по меньшей мере два газонепроницаемых пакета, отличающаяся тем, что в пространстве между любыми двумя пакетами размещается влагопоглощающее вещество. 2. Упаковочная система по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере одна коробка для хранения пластин последовательно заключена в три пакета: внутренний пакет, средний пакет и внешний пакет, при этом влагопоглощающее вещество помещено между средним и внешним пакетами. 3. Упаковочная система по п.2, отличающаяся тем, что листовой материал внутреннего пакета состоит из металлизированного полимера, листовой материал среднего пакета состоит из полимера, и листовой материал внешнего пакета состоит из металлизированного полимера. 4. Упаковочная система по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что полупроводниковые пластины являются германиевыми пластинами. 5. Упаковочная система по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что влагопоглощающее вещество является силикагелем. 6. Упаковочная система по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что влагопоглощающее вещество содержится в контейнере. 7. Упаковочная система по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что по меньшей мере один пакет является влагонепроницаемым пакетом. 8. Упаковочная система по п.2 или 3, отличающаяся тем, что внутренний пакет формирует замкнутое пространство, при этом в указанном пространстве находится либо вакуум, созданный вакуумной откачкой, либо сухой инертный газ. 9. Упаковочная система по любому из пп.1-3, в которой любые два соседних пакета формируют внутреннее пространство, при этом в указанном пространстве находится либо вакуум, созданный вакуумной откачкой, либо сухой инертный газ. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 25/00 (13) 130 139 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2012113283/28, 30.03.2012 (24) Дата начала ...

Подробнее
27-07-2013 дата публикации

СВЕТОДИОДНЫЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000130752U1

1. Светодиодный модуль, имеющий корпус с установленным в нем светоизлучателем и линзой, отличающийся тем, что перед светоизлучателем установлена вогнуто-выпуклая линза, внутренняя центральная часть которой имеет вогнутую поверхность в виде сферы в радиусом R1, при этом внешняя поверхность линзы представляет собой две выпуклые сферы с радиусом, равным (1,35±0,20) R1, причем внутренняя вогнутая сфера и обе внешние выпуклые сферы имеют общую продольную ось, кроме того, оптические оси внешних выпуклых сфер расположены друг от друга на расстоянии, равном (2,25±0,50) R1, и выполнены в одной плоскости с оптической осью вогнутой сферы. 2. Светодиодный модуль по п.1, отличающийся тем, что сопряжение выпуклых сферических частей линзы выполнено плавным, край линзы поверхностей имеет буртик. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 130 752 U1 (51) МПК H01L 25/075 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2012126358/28, 22.06.2012 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 22.06.2012 (72) Автор(ы): Кузнецов Николай Александрович (RU) (73) Патентообладатель(и): Кузнецов Николай Александрович (RU) R U Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 22.06.2012 (45) Опубликовано: 27.07.2013 Бюл. № 21 1 3 0 7 5 2 R U Формула полезной модели 1. Светодиодный модуль, имеющий корпус с установленным в нем светоизлучателем и линзой, отличающийся тем, что перед светоизлучателем установлена вогнуто-выпуклая линза, внутренняя центральная часть которой имеет вогнутую поверхность в виде сферы в радиусом R1, при этом внешняя поверхность линзы представляет собой две выпуклые сферы с радиусом, равным (1,35±0,20) R1, причем внутренняя вогнутая сфера и обе внешние выпуклые сферы имеют общую продольную ось, кроме того, оптические оси внешних выпуклых сфер расположены друг от друга на расстоянии, равном (2,25±0,50) R1, и выполнены в одной плоскости с оптической осью вогнутой сферы. 2. Светодиодный модуль по п.1, отличающийся тем, ...

Подробнее
10-08-2013 дата публикации

СВЕТОДИОДНАЯ ЛАМПА, ЦОКОЛЬ ЛАМПЫ

Номер: RU0000131236U1

1. Светодиодная лампа, включающая в себя цоколь для соединения с внешней электрической цепью, элементы блока электропитания, один или более конструктивных несущих элементов, светодиодных, полупроводниковых светоизлучающих элементов, формообразующих элементов, в том числе элементов поверхности излучения, светопередающих, светоотражающих и/или светорассеивающих элементов и/или теплоотводящих, токопроводящих и/или электроизолирующих элементов, отличающаяся тем, что эта лампа изготовлена из одной основной детали постоянного или переменного сечения в виде полосы, ленты и/или длинного прута, в том числе имеющего сечение в форме квадрата, круга, равнобедренного треугольника, эллипса и/или прямоугольника, из материала, при котором степень жесткости детали позволяет держать ее постоянную заданную форму, преимущественно из металла или металлсодержащего материала, эта деталь в лампе, выполняя функции формообразующего, теплоотводящего, токопроводящего, корпусного и/или электроизолирующего элементов, является также несущим элементом и основой, на/к которой закреплены/прикреплены, наварены, припаяны, наплавлены, нанесены и/или выращены остальные элементы, детали и узлы лампы, в том числе один или более электроизолирующих участков, слоев, пленок и/или элементов с заданной степенью прозрачности, содержащих или не содержащих в своем составе люминофор, один или более токопроводящих, в том числе металлических, участков, слоев, пленок и/или элементов, один или более светодиодных, полупроводниковых светоизлучающих источников, а именно, послойных структур, кристаллов, сборок кристаллов и/или готовых, в том числе корпусных, светодиодов, один или более элементов электропитания и/или блок электропитания целиком и/или один или более светопередающих, светоотражающих и/или светорассеивающих участков, слоев, пленок и/или элементов с заданной степенью прозрачности, содержащих или не содержащих в своем составе люминофор, при этом на указанной основной детали, вдоль нее, имеются, по меньшей мере, ...

Подробнее
10-10-2013 дата публикации

СВЕТОВОЙ ПРИБОР

Номер: RU0000133380U1

1. Световой прибор, содержащий светодиодный источник света, электромагнитный источник вторичного электропитания, конденсатор и светорассеивающий элемент с люминофорным покрытием, отличающийся тем, что он дополнительно содержит выпрямительный мост и пиковый стабилизатор напряжения, причем светодиоды или ветви светодиодной матрицы светодиодного источника света соединены последовательно и подключены параллельно с пиковым стабилизатором напряжения и конденсатором в диагональ выпрямительного моста, первый вход которого соединен с первым выходом электромагнитного источника вторичного электропитания, а второй вход выпрямительного моста соединен со вторым выходом электромагнитного источника вторичного электропитания. 2. Световой прибор по п.1, отличающийся тем, что в качестве светодиодного источника света он содержит группу не менее чем двух светодиодов. 3. Световой прибор по п.1, отличающийся тем, что в качестве светодиодного источника света он содержит светодиодную матрицу. 4. Световой прибор по п.1, отличающийся тем, что в качестве светодиодного источника света он содержит группу светодиодных матриц. 5. Световой прибор по п.1, отличающийся тем, что в качестве светодиодного источника света он содержит ветви, состоящие из одинакового числа последовательно включенных светодиодов, включенные параллельно между собой. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 133 380 U1 (51) МПК H05B 37/00 (2006.01) F21S 8/00 (2006.01) H01L 25/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2012158381/07, 28.12.2012 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.12.2012 (72) Автор(ы): Махлин Александр Маркович (RU), Пименов Юрий Евгеньевич (RU) (45) Опубликовано: 10.10.2013 Бюл. № 28 1 3 3 3 8 0 R U Формула полезной модели 1. Световой прибор, содержащий светодиодный источник света, электромагнитный источник вторичного электропитания, конденсатор и светорассеивающий элемент с люминофорным покрытием, отличающийся тем, ...

Подробнее
27-02-2014 дата публикации

КОММУТАЦИОННАЯ ПЛАТА

Номер: RU0000137936U1

1. Коммутационная плата, содержащая подложку с размещенным в ее теле по меньшей мере одним электронным элементом, имеющим общую поверхность с внешней верхней поверхностью подложки, на которой расположены проводники, отличающаяся тем, что в зонах контакта внешних углов электронного элемента с телом подложки выполнены сквозные отверстия с линейными размерами не менее 0,1 от минимальной длины сопрягаемой поверхности электронного элемента и/или пазы, расположенные вдоль граней электронного элемента для уменьшения механической нагрузки, а толщина зоны тела подложки, перекрывающая обратную поверхность электронного элемента, составляет не более 1/3 от толщины электронного элемента. 2. Коммутационная плата по п.1, отличающаяся тем, что электронный элемент расположен в сквозном окне подложки с зазором для компенсации изменения размеров окна в подложке платы и размеров электронного элемента при изменении температуры окружающей среды, при этом зазор заполнен первоначально фиксирующим материалом с возможностью его удаления, при этом проводники снабжены пружинными изгибами, расположенными в зонах зазора между окном в подложке платы и электронным элементом. 3. Коммутационная плата по п.1, отличающаяся тем, что пазы, расположенные вдоль граней электронного элемента, имеют Π-образный профиль. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 25/03 (13) 137 936 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2013132337/28, 12.07.2013 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 12.07.2013 (72) Автор(ы): Сасов Юрий Дмитриевич (RU), Халатов Сергей Говардович (RU) (45) Опубликовано: 27.02.2014 Бюл. № 6 1 3 7 9 3 6 R U Формула полезной модели 1. Коммутационная плата, содержащая подложку с размещенным в ее теле по меньшей мере одним электронным элементом, имеющим общую поверхность с внешней верхней поверхностью подложки, на которой расположены проводники, отличающаяся тем, что в зонах контакта внешних углов ...

Подробнее
10-03-2014 дата публикации

ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ СВЧ ЗАЩИТНЫХ УСТРОЙСТВ

Номер: RU0000138411U1

1. Ограничительный элемент для СВЧ защитных устройств, представляющий собой двухэлектродный электронный прибор, способный изменять состояние проводимости при воздействии интенсивного электромагнитного излучения, отличающийся тем, что один из его электродов выполнен в виде автоэлектронного катода, находящегося вместе со вторым электродом в среде, являющейся техническим вакуумом или газом, при расстоянии между указанными электродами, не превышающем длины свободного пробега электронов в этой среде. 2. Ограничительный элемент по п.1, отличающийся тем, что его второй электрод тоже выполнен в виде автоэлектронного катода. 3. Ограничительный элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что эмитирующая часть автоэлектронного катода представляет собой покрытие из автоэмиссионного материала. 4. Ограничительный элемент по п.3, отличающийся тем, что указанное покрытие выполнено двухслойным, при этом внешний слой выполнен в виде наноалмазной пленки, под которой находится внутренний графитовый наноострийный слой. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 138 411 U1 (51) МПК H01J 1/30 (2006.01) H01L 25/03 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2013148163/07, 30.10.2013 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.10.2013 (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Научнопроизводственное предприятие "Радий" (RU) (45) Опубликовано: 10.03.2014 Бюл. № 7 1 3 8 4 1 1 R U Формула полезной модели 1. Ограничительный элемент для СВЧ защитных устройств, представляющий собой двухэлектродный электронный прибор, способный изменять состояние проводимости при воздействии интенсивного электромагнитного излучения, отличающийся тем, что один из его электродов выполнен в виде автоэлектронного катода, находящегося вместе со вторым электродом в среде, являющейся техническим вакуумом или газом, при расстоянии между указанными электродами, не превышающем длины свободного пробега электронов в этой среде. 2. ...

Подробнее
20-07-2015 дата публикации

СИЛОВОЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000153466U1

Силовой модуль, содержащий основание, выводы, корпус, плату с закрепленным на ней полупроводниковым элементом, отличающийся тем, что полупроводниковые и другие элементы электрической схемы прикреплены пайкой к металлическим проводникам платы, выполненной на алюминиевом основании по алюмооксидной технологии, и соединены с образованием электрической схемы силового модуля, при этом указанная плата является основанием силового модуля. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 25/00 (13) 153 466 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2014152611/28, 24.12.2014 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 24.12.2014 (72) Автор(ы): Савенков Владимир Владимирович (RU), Новиков Андрей Михайлович (RU) (45) Опубликовано: 20.07.2015 Бюл. № 20 1 5 3 4 6 6 R U Формула полезной модели Силовой модуль, содержащий основание, выводы, корпус, плату с закрепленным на ней полупроводниковым элементом, отличающийся тем, что полупроводниковые и другие элементы электрической схемы прикреплены пайкой к металлическим проводникам платы, выполненной на алюминиевом основании по алюмооксидной технологии, и соединены с образованием электрической схемы силового модуля, при этом указанная плата является основанием силового модуля. Силовой модуль относится к электротехнике и может быть использован для изготовления электронной, электротехнической и радиотехнической аппаратуры в качестве модуля электропитания. Силовой модуль, содержит основание, выводы, корпус, плату с закрепленным на ней полупроводниковым элементом. Полупроводниковые и другие элементы электрической схемы прикреплены пайкой к металлическим проводникам платы, выполненной на алюминиевом основании по алюмооксидной технологии, и соединены с образованием электрической схемы силового модуля, при этом указанная плата является основанием силового модуля (1 н.п.ф.,1 илл.). Стр.: 1 U 1 U 1 (54) СИЛОВОЙ МОДУЛЬ 1 5 3 4 6 6 Адрес для переписки: 394006, г. ...

Подробнее
27-07-2015 дата публикации

СИЛОВОЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000153627U1

1. Силовой модуль, содержащий основание, выводы, корпус, плату с закрепленным на ней полупроводниковым элементом, отличающийся тем, что основание модуля выполнено по алюмооксидной технологии и включает слой алюминия и слой оксида алюминия с металлическими проводниками, образующими печатную плату, при этом корпус выполнен из металла, допускающего пайку, или покрыт материалом, допускающим пайку, полупроводниковые и другие элементы электрической схемы прикреплены пайкой к металлическим проводникам платы, и соединены с образованием электрической схемы силового модуля, причем на поверхность основания, соединяемую с корпусом, также нанесен металлический проводник, корпус соединен с основанием пайкой, а выводы изолированы от металлических частей конструкции втулками. 2. Силовой модуль по п. 1, отличающийся тем, что выводы выведены через фронтальную поверхность корпуса. 3. Силовой модуль по п. 1, отличающийся тем, что выводы выведены через основание корпуса. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 25/00 (13) 153 627 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2015100391/28, 12.01.2015 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 12.01.2015 (72) Автор(ы): Савенков Владимир Владимирович (RU), Новиков Андрей Михайлоыич (RU) (45) Опубликовано: 27.07.2015 Бюл. № 21 1 5 3 6 2 7 R U Формула полезной модели 1. Силовой модуль, содержащий основание, выводы, корпус, плату с закрепленным на ней полупроводниковым элементом, отличающийся тем, что основание модуля выполнено по алюмооксидной технологии и включает слой алюминия и слой оксида алюминия с металлическими проводниками, образующими печатную плату, при этом корпус выполнен из металла, допускающего пайку, или покрыт материалом, допускающим пайку, полупроводниковые и другие элементы электрической схемы прикреплены пайкой к металлическим проводникам платы, и соединены с образованием электрической схемы силового модуля, причем на поверхность ...

Подробнее
20-08-2015 дата публикации

КРЕМНИЕВАЯ КОММУТАЦИОННАЯ ПЛАТА

Номер: RU0000154339U1

Кремниевая коммутационная плата, состоящая из кремниевой подложки, слоев диэлектриков и слоев металлической разводки с межсоединениями и контактными площадками для монтажа микросхем методом перевернутого кристалла, отличающаяся тем, что контактные площадки выполнены во впадинах кремниевой коммутационной платы глубиной 15-25 мкм, а в качестве верхнего слоя диэлектрика используют нитрид кремния. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 154 339 U1 (51) МПК H01L 25/00 (2006.01) H01L 23/482 (2006.01) H01L 23/50 (2006.01) H05K 1/14 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2014148449/07, 01.12.2014 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 01.12.2014 (45) Опубликовано: 20.08.2015 Бюл. № 23 (73) Патентообладатель(и): ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" (RU) 1 5 4 3 3 9 R U Формула полезной модели Кремниевая коммутационная плата, состоящая из кремниевой подложки, слоев диэлектриков и слоев металлической разводки с межсоединениями и контактными площадками для монтажа микросхем методом перевернутого кристалла, отличающаяся тем, что контактные площадки выполнены во впадинах кремниевой коммутационной платы глубиной 15-25 мкм, а в качестве верхнего слоя диэлектрика используют нитрид кремния. Областью применения данной полезной модели является сборочное производство многофункциональных многокристальных модулей и сверхбольших интегральных схем (СБИС) на их основе. Целью предполагаемой полезной модели является увеличение плотности монтажа за счет уменьшения замыканий соседних шариков или столбиков излишками припоя. Указанная цель достигается тем, что в отличие от известной, в предлагаемой кремниевой коммутационной плате, состоящей из кремниевой подложки, слоев диэлектриков и слоев металлической разводки с межсоединениями и контактными площадками для монтажа микросхем методом перевернутого кристалла, контактные площадки выполнены во впадинах кремниевой коммутационной платы глубиной 1525 мкм, а в качестве верхнего ...

Подробнее
20-11-2015 дата публикации

МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000156842U1

Многокристальный модуль, содержащий пакет кристаллодержателей и микроплат, на наружную поверхность которого нанесено защитное покрытие на основе полипараксилилена, с конструктивным исполнением, приспособленным для размещения в пакете кристаллодержателей электронных компонентов, внутренних и внешних выводов, отличающийся тем, что зоны размещения внешних выводов выполнены свободными от защитного покрытия, при этом ширина каждой зоны равна величине шага выводов, увеличенной на 2 мм и расположенной симметрично относительно продольной оси выводов. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 25/04 (13) 156 842 U1 (2014.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2014146717/28, 21.11.2014 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 21.11.2014 (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "НПО "НИИТАЛ" (RU) (45) Опубликовано: 20.11.2015 Бюл. № 32 R U 1 5 6 8 4 2 Формула полезной модели Многокристальный модуль, содержащий пакет кристаллодержателей и микроплат, на наружную поверхность которого нанесено защитное покрытие на основе полипараксилилена, с конструктивным исполнением, приспособленным для размещения в пакете кристаллодержателей электронных компонентов, внутренних и внешних выводов, отличающийся тем, что зоны размещения внешних выводов выполнены свободными от защитного покрытия, при этом ширина каждой зоны равна величине шага выводов, увеличенной на 2 мм и расположенной симметрично относительно продольной оси выводов. Стр.: 1 U 1 U 1 (54) МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ 1 5 6 8 4 2 Адрес для переписки: 124460, Москва, Зеленоград, к-460, а/я 93, ЗАО "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" R U Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 21.11.2014 (72) Автор(ы): Пилавова Лариса Владимировна (RU), Серегин Вячеслав Сергеевич (RU), Горьков Алексей Викторович (RU), Пилавова Елена Сергеевна (RU) U 1 U 1 1 5 6 8 4 2 1 5 6 8 4 2 R U R U Стр.: 2 RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 156 842 U1 ...

Подробнее
20-01-2016 дата публикации

СИЛОВАЯ КОММУТАЦИОННАЯ ПЛАТА

Номер: RU0000158855U1

1. Силовая коммутационная плата, содержащая твердую подложку, на поверхность которой нанесен топологический рисунок металлизации, соединенный с посадочной площадкой, на которой расположен полупроводниковый элемент, и через проводник соединенный с контактной площадкой полупроводникового элемента, на поверхности подложки выполнено углубление, на дне которого расположена указанная посадочная площадка, соединение которой с частью топологического рисунка металлизации, примыкающего к углублению, осуществлено через металлизацию боковой поверхности углубления, глубина которого выбрана такой, что поверхность контактной площадки полупроводникового элемента находится в одной плоскости с поверхностью топологического рисунка металлизации, отличающаяся тем, что твердая подложка платы выполнена по алюмооксидной технологии и включает слой алюминия, слой оксида алюминия и металлические проводники, образующие указанный топологический рисунок. 2. Силовая коммутационная плата по п. 1, отличающаяся тем, что углубление с установленным полупроводниковым элементом заполнено диэлектрическим теплопроводящим веществом. И 1 158855 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 158 855” 44 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 17.07.2021 Дата внесения записи в Государственный реестр: 21.07.2022 Дата публикации и номер бюллетеня: 21.07.2022 Бюл. №21 Стр.: 1 па 98391 ЕП

Подробнее
27-02-2016 дата публикации

БОРТОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЕТОВОЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ УПРАВЛЯЕМОГО СНАРЯДА

Номер: RU0000160007U1

1. Бортовой полупроводниковый световой излучатель управляемого снаряда, расположенный на заднем торце управляемого снаряда, содержит направленный назад электрический световой блок и программное устройство изменения мощности светового излучения, отличающийся тем, что электрический световой блок состоит из последовательно соединенных светодиодов высокой яркости красного цвета с иммерсионной полимерной оптикой, причем длина волны излучателя находится в диапазоне 620-630 нм, а программное устройство содержит цифровой таймер и два коммутатора тока с токозадающими резисторами. 2. Бортовой полупроводниковый световой излучатель по п. 1, отличающийся тем, что электрический световой блок содержит девять светодиодов эллиптической формы с иммерсионной полимерной оптикой с широким полем диаграммы направленности излучения в вертикальной плоскости и узким полем диаграммы направленности в горизонтальной плоскости. И 1 160007 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ 'Во“” 160 007“ Ц4 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ МО9К Выдача нового патента в связи с признанием ранее выданного патента недействительным частично (11) Номер патента (аннулированного): 160007 (21) Номер заявки: 2015142589 Номер патента (нового патента): 195720 Дата публикации патента (нового патента): 04.02.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 12.02.2020 Дата публикации и номер бюллетеня: 12.02.2020 Бюл. №5 Стр.: 1 па 00091 ЕП

Подробнее
10-03-2016 дата публикации

СИЛОВОЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000160165U1

Силовой модуль, содержащий основание, корпус, выводы, силовые полупроводниковые приборы, отличающийся тем, что силовые полупроводниковые приборы прикреплены методом низкотемпературного спекания металлических нанопорошков к основанию модуля через металлизированные высокотеплопроводящие пластины, выполненные из поликристаллического алмаза, и соединены с образованием электрической схемы силового модуля, при этом указанные металлизированные поликристаллические алмазные пластины являются изолирующим теплоотводом между силовыми полупроводниковыми приборами и основанием силового модуля. Ц 160165 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 160 165” 44 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 02.09.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 01.06.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 01.06.2021 Бюл. №16 Стр.: 1 па ч90Э ЕП

Подробнее
10-09-2016 дата публикации

СВЕТОДИОДНЫЙ ОСВЕТИТЕЛЬНЫЙ ПРИБОР С РЕГУЛИРУЕМЫМ НАПРАВЛЕНИЕМ СВЕТОВОГО ПОТОКА

Номер: RU0000164741U1

Светодиодный осветительный прибор, включающий корпус, защитную прозрачную крышку, профили с установленными на них по крайней мере по одной монтажной плате с размещенным на плате, по крайней мере, одним светодиодом, профили выполнены в виде прямоугольных пластин, закрепленных на корпусе, отличающийся тем, что профили соединены между собой шарнирным устройством, изменяющим угол между ними при помощи регулировочного винта. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 25/13 (13) 164 741 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2015155773/28, 24.12.2015 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 24.12.2015 (45) Опубликовано: 10.09.2016 Бюл. № 25 R U 1 6 4 7 4 1 Формула полезной модели Светодиодный осветительный прибор, включающий корпус, защитную прозрачную крышку, профили с установленными на них по крайней мере по одной монтажной плате с размещенным на плате, по крайней мере, одним светодиодом, профили выполнены в виде прямоугольных пластин, закрепленных на корпусе, отличающийся тем, что профили соединены между собой шарнирным устройством, изменяющим угол между ними при помощи регулировочного винта. Стр.: 1 U 1 U 1 (54) СВЕТОДИОДНЫЙ ОСВЕТИТЕЛЬНЫЙ ПРИБОР С РЕГУЛИРУЕМЫМ НАПРАВЛЕНИЕМ СВЕТОВОГО ПОТОКА 1 6 4 7 4 1 Адрес для переписки: 305021, г. Курск, ул. К. Маркса, 70, Курская ГСХА, патентный отдел (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Курская государственная сельскохозяйственная академия имени И.И. Иванова (RU) R U Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 24.12.2015 (72) Автор(ы): Коняев Николай Васильевич (RU), Блинков Борис Сергеевич (RU), Назаренко Юрий Владимирович (RU) U 1 U 1 1 6 4 7 4 1 1 6 4 7 4 1 R U R U Стр.: 2 RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 164 741 U1 Полезная модель относится к области светотехники, и, в частности, к осветительным устройствам на основе полупроводниковых источников света для ...

Подробнее
20-10-2016 дата публикации

МНОГОСЛОЙНАЯ КОНСТРУКЦИЯ СВЕТОДИОДНОГО МОДУЛЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ

Номер: RU0000165459U1

1. Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке, отличающаяся тем, что содержит слой модуля источника света и слой модуля привода, при этом слой модуля источника света и слой модуля привода наложены друг на друга и соединены припоем; при этом указанный слой модуля источника света содержит верхнюю подложку и светодиодный чип; при этом поверхность указанной верхней подложки, противоположной слою модуля привода, снабжена первым пазом; при этом указанный светодиодный чип расположен в первом пазу; при этом на указанной верхней подложке расположен первый провод; при этом светодиодный чип снабжен штыревым контактом; при этом один конец первого провода и штыревой контакт светодиодного чипа электрически соединены; при этом указанный слой модуля привода содержит нижнюю подложку и привод IC; при этом поверхность указанной нижней подложки, противоположной указанному слою модуля источника света, снабжена вторым пазом; при этом указанный привод IC расположен во втором пазу; при этом на указанной нижней подложке расположен второй провод; при этом привод IC снабжен штыревым контактом; при этом один конец второго провода и штыревой контакт привода IC электрически соединены; при этом припой представляет собой токопроводящий припой; при этом другой конец первого провода на верхней подложке и другой конец второго провода на нижней подложке посредством токопроводящего припоя находятся в электрическом контакте. 2. Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке по п. 1, отличающаяся тем, что поверхность указанной нижней подложки, противоположной указанному слою модуля источника света, снабжена по меньшей мере одним третьим пазом; при этом в третьем пазу расположен указанный токопроводящий припой. 3. Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке по п. 2, отличающаяся тем, что указанный третий паз представляет собой несколько пазов; при этом в поперечном сечении нижней подложки указанные несколько третьих пазов образуют ...

Подробнее
11-04-2017 дата публикации

СПИНОВЫЙ ТРАНЗИСТОР

Номер: RU0000170009U1

Использование: для создания оптически управляемых спиновых логических элементов. Сущность полезной модели заключается в том, что спиновый транзистор содержит эмиттер и коллектор, которые выполнены из ферромагнитного материала, базу в виде тонкого слоя полупроводника нецентросимметричного класса и источник управляющего поля, выполненный в виде источника электромагнитного излучения с плотностью мощности от 1÷10 Вт/см и длиной волны излучения от 1 до 100 микрон. Технический результат: обеспечение возможности увеличения эффективности управления спиновым током транзистора. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 170 009 U1 (51) МПК H01L 25/11 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22) Заявка: 2016140439, 13.10.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 13.10.2016 Дата регистрации: Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 13.10.2016 (45) Опубликовано: 11.04.2017 Бюл. № 11 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 2387047 C1, 20.04.2010. RU 1 7 0 0 0 9 R U (54) СПИНОВЫЙ ТРАНЗИСТОР (57) Реферат: Использование: для создания оптически управляемых спиновых логических элементов. Сущность полезной модели заключается в том, что спиновый транзистор содержит эмиттер и коллектор, которые выполнены из ферромагнитного материала, базу в виде тонкого слоя полупроводника нецентросимметричного класса и источник управляющего поля, Стр.: 1 выполненный в виде источника электромагнитного излучения с плотностью мощности от 1÷10 Вт/см2 и длиной волны излучения от 1 до 100 микрон. Технический результат: обеспечение возможности увеличения эффективности управления спиновым током транзистора. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. U 1 U 1 81598 U1, 20.03.2009. US 5432373 A, 11.07.1995. US 5565695 A, 15.10.1996. US 20110248325 A1, 13.10.2011 . 1 7 0 0 0 9 Адрес для переписки: 197101, Санкт-Петербург, Кронверкский пр., 49, Университет ИТМО, ОИС и НТИ (73) Патентообладатель(и): федеральное государственное ...

Подробнее
25-04-2019 дата публикации

ДОЛИННЫЙ ТРАНЗИСТОР

Номер: RU0000188856U1

Полезная модель относится к области радиотехники и быстродействующей электроники, в частности к оптически управляемым транзисторам, и может быть использована для построения быстродействующих ключей для логических оптоэлектронных элементов. Долинный транзистор состоит из расположенных на подложке истока, стока, токопроводящего канала, выполненного из графена, и резонатора, а также затвора, и отличается тем, что токопроводящий канал, выполнен из однородного монослоя графена, экранированного резонатором на 25%, а затвор выполнен из терагерцового лазера с функцией изменения электронных свойств графена, находящегося вне площади резонатора Благодаря использованию однородного монослоя графена значительно повышается технологичность изготовления устройства, а его высокое быстродействие обеспечивается использованием излучения терагерцового лазера в качестве управляющего воздействия. 3 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 188 856 U1 (51) МПК H01L 25/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 25/00 (2019.02) (21) (22) Заявка: 2018145663, 20.12.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 20.12.2018 25.04.2019 (45) Опубликовано: 25.04.2019 Бюл. № 12 Адрес для переписки: 197101, Санкт-Петербург, Кронверкский пр., 49, Университет ИТМО, ОИС и НТИ (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 2554694 C1, 27.06.2015. RU U 1 1 8 8 8 5 6 R U (54) ДОЛИННЫЙ ТРАНЗИСТОР (57) Реферат: Полезная модель относится к области радиотехники и быстродействующей электроники, в частности к оптически управляемым транзисторам, и может быть использована для построения быстродействующих ключей для логических оптоэлектронных элементов. Долинный транзистор состоит из расположенных на подложке истока, стока, токопроводящего канала, выполненного из графена, и резонатора, а также затвора, и отличается тем, что токопроводящий канал, Стр.: 1 выполнен из однородного монослоя графена, экранированного ...

Подробнее
21-06-2019 дата публикации

МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ ПАМЯТИ

Номер: RU0000190135U1

Использование: для производства как многокристальных модулей, так и компонентов и изделий уровня «система в корпусе» на основе гибких плат. Сущность полезной модели заключается в том, что многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом, при этом межуровневая коммутация включает припойные микробампы в отверстиях компаунда, расположенные по периферии модуля, полимерное основание выполнено гибким или гибко-жестким, а уровни с бескорпусными микросхемами расположены друг над другом, создавая вертикальную коммутацию. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения массогабаритных показателей конструкции, повышения надежности и расширения функциональных возможностей. 3 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 190 135 U1 (51) МПК H01L 25/04 (2014.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 25/04 (2019.05) (21)(22) Заявка: 2019111306, 16.04.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 21.06.2019 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 16.04.2019 (45) Опубликовано: 21.06.2019 Бюл. № 18 (54) МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ ПАМЯТИ (57) Реферат: Использование: для производства как многокристальных модулей, так и компонентов и изделий уровня «система в корпусе» на основе гибких плат. Сущность полезной модели заключается в том, что многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом, при этом межуровневая коммутация включает припойные R U 1 9 0 1 3 5 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 2364006 C1, 10.08.2009. RU Стр.: 1 2657092 C1, 08.06.2018. RU 2488913 C1, 27.07.2013. US 20160381799 A1, 29.12.2016. US 8567051 B2, 29.10.2013. микробампы в отверстиях компаунда, расположенные по периферии модуля, полимерное основание выполнено гибким или гибко-жестким, а уровни с ...

Подробнее
04-02-2020 дата публикации

Бортовой полупроводниковый световой излучатель управляемого снаряда

Номер: RU0000195720U1

Полезная модель относится к бортовым световым излучателям, предназначенным для визуального наблюдения за полетом и траекторных измерений летательных аппаратов (управляемых снарядов или ракет) с помощью видеокамер или кинофототеодолитов. Бортовой полупроводниковый световой излучатель управляемого снаряда, расположенный на заднем торце управляемого снаряда, содержит направленный назад электрический световой блок и программное устройство изменения мощности светового излучения, причем электрический световой блок состоит из последовательно соединенных светодиодов высокой яркости красного цвета с иммерсионной полимерной оптикой, длина волны излучателя находится в диапазоне 620-630 нм, а программное устройство содержит цифровой таймер и два коммутатора тока с токозадающими резисторами. Электрический световой блок содержит светодиоды эллиптической формы с иммерсионной полимерной оптикой с широким полем диаграммы направленности в вертикальной плоскости и узким полем диаграммы направленности в горизонтальной плоскости. Применение в излучателе светодиодов красного цвета в диапазоне 620-630 нм и программное изменение мощности светового излучения по мере увеличения дальности полета снаряда предотвращает «ослепление» оператора на начальном участке полета и обеспечивает надежное визуальное наблюдение на конечном участке траектории полета. Применение светодиодов с иммерсионной полимерной оптикой эллиптической формы с широким полем диаграммы направленности в вертикальной плоскости обеспечивает визуальное наблюдение при маневрах снаряда в вертикальной плоскости. 2 фиг. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 195 720 U1 (51) МПК F42B 15/00 (2006.01) H01L 25/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК F42B 15/00 (2020.01); H01L 25/00 (2020.01) (21)(22) Заявка: 2015142589, 07.10.2015 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 04.02.2020 (45) Опубликовано: 04.02.2020 Бюл. № 4 (65) Номер ...

Подробнее
03-03-2020 дата публикации

ВЫСОКОПЛОТНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000196513U1

Полезная модель относится к микроэлектронике, а именно к высокоплотному электронному модулю, содержащему набор микроплат с электронными элементами, между которыми размещены изоляционные слои, образованные отвержденным компаундом, который выполнен из материала на основе фото-термоотверждаемой полимерной композиции, содержащей в качестве полимеризующегося компонента смесь 3,0÷6,0 мас. ч. перфторгексилдиакрилата с 4,7÷6,0 мас. ч. бензоциклобутен-3-ил-диметил-((Е)-стирил)-силана, а также 0,3÷1,0 мас. ч. фотоинициатора. Полезная модель обеспечивает повышение плотности упаковки электронных модулей путем улучшения электроизоляционных свойств промежуточных изоляционных слоев. 1 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 196 513 U1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ QB9K Государственная регистрация предоставления права использования по договору Вид договора: лицензионный Лицо(а), которому(ым) предоставлено право использования: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский технологический институт "Техномаш" (RU) Дата и номер государственной регистрации предоставления права использования по договору: 17.12.2020 РД0349490 Дата внесения записи в Государственный реестр: 17.12.2020 Дата публикации и номер бюллетеня: 17.12.2020 Бюл. №35 1 9 6 5 1 3 Условия договора: неисключительная лицензия сроком на 5 лет на территории РФ. R U Лицо(а), предоставляющее(ие) право использования: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "МИРЭА - Российский технологический университет" (RU) R U 1 9 6 5 1 3 U 1 U 1 Стр.: 1

Подробнее
17-03-2020 дата публикации

УСТРОЙСТВО КОРРЕКЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ДЛИНЫ КАНАЛОВ УСИЛЕНИЯ

Номер: RU0000196826U1

Полезная модель относится к области твердотельных передающих устройств. Достигаемым техническим результатом является повышение эффективности усиления и снижение требований к идентичности электрических длин компонент СВЧ-тракта. Данная полезная модель представляет собой устройство коррекции электрической длины каналов усиления, состоящее из усилителей мощности, коаксиальных кабелей, подводящих СВЧ-мощность к этим усилителям, коаксиальных кабелей, подводящих СВЧ-мощность к сумматорам итоговой мощности, при этом часть итогового сигнала ответвляется направленными ответвителями, объединяется маломощным сумматором в один обобщенный канал и подается на модуль цифровой обработки сигналов, который выдает на формирователь сигналов корректирующие команды для фазовращателей. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 196 826 U1 (51) МПК H01L 25/10 (2006.01) H04B 7/005 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 25/10 (2019.08); H04B 7/005 (2019.08) (21)(22) Заявка: 2019129068, 13.09.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 17.03.2020 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 13.09.2019 (45) Опубликовано: 17.03.2020 Бюл. № 8 1 9 6 8 2 6 R U (54) УСТРОЙСТВО КОРРЕКЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ДЛИНЫ КАНАЛОВ УСИЛЕНИЯ (57) Реферат: Полезная модель относится к области усилителям, коаксиальных кабелей, подводящих твердотельных передающих устройств. СВЧ-мощность к сумматорам итоговой Достигаемым техническим результатом является мощности, при этом часть итогового сигнала повышение эффективности усиления и снижение ответвляется направленными ответвителями, требований к идентичности электрических длин объединяется маломощным сумматором в один компонент СВЧ-тракта. Данная полезная модель обобщенный канал и подается на модуль представляет собой устройство коррекции цифровой обработки сигналов, который выдает электрической длины каналов усиления, на формирователь сигналов корректирующие состоящее из усилителей мощности, ...

Подробнее
12-01-2012 дата публикации

Method for molecular adhesion bonding with compensation for radial misalignment

Номер: US20120006463A1
Автор: Gweltaz Gaudin
Принадлежит: Soitec SA

A method for bonding a first wafer on a second wafer by molecular adhesion, where the wafers have an initial radial misalignment between them. The method includes bringing the two wafers into contact so as to initiate the propagation of a bonding wave between the two wafers while a predefined bonding curvature is imposed on at least one of the two wafers during the contacting step as a function of the initial radial misalignment.

Подробнее
28-09-2021 дата публикации

Модульный блок выпрямителей для микропроцессорных устройств железнодорожной централизации

Номер: RU0000206787U1

Полезная модель относится к железнодорожной автоматике и может быть использована для работы в составе контрольной цепи схем управления и контроля стрелками при электрической централизации. Сущность полезной модели заключается в модульном блоке выпрямителей для микропроцессорных устройств железнодорожной централизации, содержащем корпус с размещенной в нем платой, содержащей схему выпрямления тока и электрический разъем для подключения к микропроцессорным устройствам железнодорожной централизации, при этом плата подключена к электрическому разъему. Технический результат, на достижение которого направлена полезная модель, заключается в повышении надежности и снижении риска потери работоспособности модульного блока выпрямителей. 2 з.п. ф-лы, 3 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 206 787 U1 (51) МПК B61L 5/06 (2006.01) H01L 25/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК B61L 5/06 (2021.05); H01L 25/03 (2021.05) (21)(22) Заявка: 2021115439, 31.05.2021 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 31.05.2021 (45) Опубликовано: 28.09.2021 Бюл. № 28 2 0 6 7 8 7 R U (54) Модульный блок выпрямителей для микропроцессорных устройств железнодорожной централизации (57) Реферат: Полезная модель относится к схему выпрямления тока и электрический разъем железнодорожной автоматике и может быть для подключения к микропроцессорным использована для работы в составе контрольной устройствам железнодорожной централизации, цепи схем управления и контроля стрелками при при этом плата подключена к электрическому электрической централизации. Сущность полезной разъему. Технический результат, на достижение модели заключается в модульном блоке которого направлена полезная модель, выпрямителей для микропроцессорных устройств заключается в повышении надежности и снижении железнодорожной централизации, содержащем риска потери работоспособности модульного корпус с ...

Подробнее
12-01-2012 дата публикации

Light emitting module

Номер: US20120007076A1
Автор: Yun Min CHO
Принадлежит: LG Innotek Co Ltd

Disclosed is a light emitting module capable of representing improved heat radiation and improved light collection. there is provided a light emitting module. The light emitting module includes a metallic circuit board formed therein with a cavity, and a light emitting device package including a nitride insulating substrate attached in the cavity of the metallic circuit board, at least one pad part on the nitride insulating substrate, and at least one light emitting device attached on the pad part.

Подробнее
12-01-2012 дата публикации

Light emitting apparatus, and method for manufacturing the same, and lighting system

Номер: US20120007123A1
Автор: Bum Chul Cho
Принадлежит: Bum Chul Cho

A light emitting apparatus includes: a substrate including a first conductive type impurity; a first heatsink and a second heatsink on a first region and a second region of the substrate; second conductive type impurity regions on the substrate and electrically connected to the first heatsink and the second heatsink, respectively; a first electrode electrically connected to the first heatsink on the substrate; a second electrode electrically connected to the second heatsink on the substrate; and a light emitting device electrically connected to the first electrode and the second electrode on the substrate.

Подробнее
12-01-2012 дата публикации

System-in-a-package based flash memory card

Номер: US20120007226A1
Принадлежит: SanDisk Technologies LLC

A system-in-a-package based flash memory card including an integrated circuit package occupying a small overall area within the card and cut to conform to the shape of a lid for the card. An integrated circuit may be cut from a panel into a shape that fits within and conforms to the shape of lids for a finished memory card, such as for example an SD Card. The integrated circuit package may be a system-in-a-package, a multi-chip module, or other arrangement where a complete electronic system is formed in a single package.

Подробнее
12-01-2012 дата публикации

Microelectronic packages with dual or multiple-etched flip-chip connectors

Номер: US20120007232A1
Автор: Belgacem Haba
Принадлежит: TESSERA RESEARCH LLC

A packaged microelectronic element includes a microelectronic element having a front surface and a plurality of first solid metal posts extending away from the front surface. A substrate has a major surface and a plurality of conductive elements exposed at the major surface and joined to the first solid metal posts. In particular examples, the conductive elements can be bond pads or can be second posts having top surfaces and edge surfaces extending at substantial angles away therefrom. Each first solid metal post includes a base region adjacent the microelectronic element and a tip region remote from the microelectronic element, the base region and tip region having respective concave circumferential surfaces. Each first solid metal post has a horizontal dimension which is a first function of vertical location in the base region and which is a second function of vertical location in the tip region.

Подробнее
12-01-2012 дата публикации

Semiconductor device and package

Номер: US20120007236A1
Автор: Jin Ho Bae
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc

A semiconductor device includes a semiconductor substrate having an upper surface, a lower surface, a first side and a second side, wherein the lower surface has a slope so that the first side is thicker than the second side, and a circuit pattern including a bonding pad on the upper surface of the semiconductor substrate.

Подробнее
12-01-2012 дата публикации

Redistribution layers for microfeature workpieces, and associated systems and methods

Номер: US20120007256A1
Автор: David Pratt
Принадлежит: Micron Technology Inc

Redistribution layers for microfeature workpieces, and associated systems and methods are disclosed. One method for processing a microfeature workpiece system includes positioning a pre-formed redistribution layer as a unit proximate to and spaced apart from a microfeature workpiece having an operable microfeature device. The method can further include attaching the redistribution layer to the microfeature workpiece and electrically coupling the redistribution layer to the operable microfeature device.

Подробнее
12-01-2012 дата публикации

Method of fabricating light emitting device

Номер: US20120009701A1
Автор: Yu-Sik Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

A method of fabricating a light emitting device includes forming a plurality of light emitting elements on light emitting element mounting regions, respectively, of a substrate, forming lens supports on the light emitting element mounting regions, respectively, are raised relative to isolation regions of the substrate located between neighboring ones of the light emitting element mounting regions, and forming lenses covering the light emitting elements on the lens support patterns, respectively.

Подробнее
12-01-2012 дата публикации

Power semiconductor module and fabrication method

Номер: US20120009733A1
Принадлежит: General Electric Co

A power semiconductor module includes: an interconnect layer including an electrical conductor patterned on a dielectric layer, the electrical conductor including a power coupling portion having a thickness sufficient to carry power currents and a control coupling portion having a thickness thinner than that of the power coupling portion; and a semiconductor power device physically coupled to the interconnect layer and electrically coupled to the power coupling portion of the electrical conductor.

Подробнее
19-01-2012 дата публикации

Conductive Sidewall for Microbumps

Номер: US20120012998A1
Принадлежит: Qualcomm Inc

Electromigration in microbump connections causes voids in the microbumps, which reduces the lifetime of an integrated circuit containing the microbump. Electromigration lifetime may be increased in microbumps by forming a copper shell around the solder. The copper shell of one microbump contacts the copper shell of a second microbump to enclose the solder of the microbump connection. The copper shell allows higher current densities through the microbump. Thus, smaller microbumps may be manufactured on a smaller pitch without suffering failure from electromigration. Additionally, the copper shell reduces shorting or bridging between microbump connections on a substrate.

Подробнее
19-01-2012 дата публикации

Stacked semiconductor package and method of fabricating the same

Номер: US20120013026A1
Автор: Won-Gil HAN
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

A stacked semiconductor package and an electronic system, the stacked semiconductor package including a plurality of semiconductor chips, a set of the semiconductor chips being stacked such that an extension region of a top surface of each semiconductor chip of the set extends beyond an end of a semiconductor chip stacked thereon to form a plurality of extension regions; and a plurality of protection layers on the extension regions and on an uppermost semiconductor chip of the plurality of semiconductor chips.

Подробнее
19-01-2012 дата публикации

Stacked microelectronic packages having at least two stacked microelectronic elements adjacent one another

Номер: US20120013028A1
Принадлежит: Tessera LLC

A microelectronic assembly includes first and second microelectronic elements. Each of the microelectronic elements has oppositely-facing first and second surfaces and edges bounding the surfaces. The first microelectronic element is disposed on the second microelectronic element with the second surface of the first microelectronic element facing toward the first surface of the second microelectronic element. The first microelectronic element preferably extends beyond at least one edge of the second microelectronic element and the second microelectronic element preferably extends beyond at least one edge of the first microelectronic element. A first edge of the first microelectronic element has a length that is smaller than a first edge of the second microelectronic element. A second edge of the first microelectronic element has a length that is greater than the second edge of the second microelectronic element.

Подробнее
26-01-2012 дата публикации

Integrated lighting apparatus and method of manufacturing the same

Номер: US20120018745A1
Принадлежит: Epistar Corp

An integrated lighting apparatus includes at least a lighting device, a control device comprising an integrated circuit, and a connector that is used to electrically connect the lighting device and the control device. With the combination, the integrated circuit drives the lighting device in accordance with its various designed functionality, thus expands applications of the integrated lighting apparatus.

Подробнее
26-01-2012 дата публикации

Stack package and method for manufacturing the same

Номер: US20120018879A1
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc

A stack package includes a cover film, a first package having a first semiconductor chip which is attached to the cover film, a first adhesive member which is formed to seal the first semiconductor chip and a surface of the cover film, and a first circuit pattern which is disposed over the first adhesive member and electrically connected with the first semiconductor chip; a second package disposed over the first package, having a second semiconductor chip which is electrically connected with the first circuit pattern, a second adhesive member which is formed to seal the second semiconductor chip, and a second circuit pattern which is formed over the second adhesive member, and a via formed to pass through the second circuit pattern and the second adhesive member and to be electrically connected with the first circuit pattern and the second circuit pattern.

Подробнее
02-02-2012 дата публикации

Process for electrodeposition of copper chip to chip, chip to wafer and wafer to wafer interconnects in through-silicon vias (tsv) with heated substrate and cooled electrolyte

Номер: US20120024713A1
Автор: Robert F. Preisser
Принадлежит: Individual

Process of electrodepositing a metal in a high aspect ratio via in a silicon substrate to form a through-silicon-via (TSV), utilizing an electrolytic bath including a redox mediator, in an electrolytic metal plating system including a chuck adapted to hold the silicon substrate and to heat the silicon substrate to a first temperature, a temperature control device to maintain temperature of the electrolytic bath at a second temperature, in which the first temperature is maintained in a range from about 30° C. to about 60° C. and the second temperature is maintained at a temperature (a) at least 5° C. lower than the first temperature and (b) in a range from about 15° C. to about 35° C.

Подробнее
02-02-2012 дата публикации

Integrated circuit combination of a target integrated circuit and a plurality of cells connected thereto using the top conductive layer

Номер: US20120025342A1
Принадлежит: SOL CHIP Ltd

A target integrated circuit (TIC) having a top conductive layer (TCL) that may be connected to a plurality of cells that are further integrated over the TIC. Each of the plurality of cells comprises two conductive layers, a lower conductive layer (LCL) below the cell and an upper conductive layer (UCL) above the cell. Both conductive layers may connect to the TCL of the TIC to form a super IC structure combined of the TIC and the plurality of cells connected thereto. Accordingly, conductivity between the TIC as well as auxiliary circuitry to the TIC maybe achieved.

Подробнее
02-02-2012 дата публикации

Semiconductor device comprising a passive component of capacitors and process for fabrication

Номер: US20120025348A1
Принадлежит: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS

A semiconductor device includes a wafer having a frontside and a backside. The wafer is formed from at least one integrated circuit chip having an electrical connection frontside co-planar with the wafer frontside and a backside co-planar with the wafer backside. A passive component including at least one conductive plate and a dielectric plate is positioned adjacent the integrated circuit chip. An encapsulation block embeds the integrated circuit chip and the passive component, the block having a frontside co-planar with the wafer frontside and a backside co-planar with the wafer backside. An electrical connection is made between the electrical connection frontside and the passive component. That electrical connection includes connection lines placed on the wafer frontside and wafer backside. The electrical connection further includes at least one via passing through the encapsulation block.

Подробнее
02-02-2012 дата публикации

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер: US20120025349A1
Принадлежит: Individual

Provided is a semiconductor device capable of removing a power ground grid noise using a small area. The semiconductor device includes a first chip including at least one decoupling capacitor; and a second semiconductor chip stacked over the first semiconductor chip, including internal circuits.

Подробнее
02-02-2012 дата публикации

Laminated semiconductor substrate, laminated chip package and method of manufacturing the same

Номер: US20120025354A1

In a laminated semiconductor substrate, a plurality of semiconductor substrates are laminated. Each of the semiconductor substrate has a plurality of scribe-groove parts formed along scribe lines. Further, each of the semiconductor substrate has a plurality of device regions insulated from each other and has a semiconductor device formed therein. Further, an uppermost substrate and a lowermost substrate have an electromagnetic shielding layer formed using a ferromagnetic body. The electromagnetic shielding layer is formed in a shielding region except the extending zone. The extending zone is set a part which the wiring electrode crosses, in a peripheral edge part of the device region.

Подробнее
02-02-2012 дата публикации

Semiconductor device

Номер: US20120025367A1
Принадлежит: J Devices Corp, Toshiba Corp

A semiconductor device which includes a substrate, a semiconductor element arranged on the substrate, a heat dissipation component arranged on the semiconductor element, and a mold component covering an upper part of the substrate, the semiconductor element and the heat dissipation component, wherein an area of a surface on the semiconductor element of the heat dissipation component is larger than an area of a surface on which the heat dissipation component of the semiconductor element is arranged.

Подробнее
02-02-2012 дата публикации

Power Semiconductor Module, Method for Producing a Power Semiconductor Module and a Housing Element for a Power Semiconductor Module

Номер: US20120025393A1
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG

A power semiconductor module includes a housing element into which one or more connecting lugs are inserted. Each connecting lug has a foot region on the topside of which one or more bonding connections can be produced. In order to fix the foot regions, press-on elements are provided, which press against the end of the connecting lug.

Подробнее
02-02-2012 дата публикации

Color-temperature-tunable device

Номер: US20120025695A1
Принадлежит: Everlight Electronics Co Ltd

A color-temperature-tunable device comprises a first light emitting diode (LED) chip group comprising at least one first blue LED chip that emits a first light having a first peak wavelength, a second LED chip group comprising at least one second blue LED chip that emits a second light having a second peak wavelength different from the first peak wavelength, and a wavelength converting layer above at least a portion of the first LED chip group and a portion of the second LED chip group. The first LED chip group and the second LED chip group are driven by a first driving current and a second driving current, respectively.

Подробнее
02-02-2012 дата публикации

Method of manufacturing semiconductor chip

Номер: US20120028414A1
Принадлежит: Canon Inc

A method of manufacturing a semiconductor chip including an integrated circuit and a through-electrode penetrating a semiconductor layer includes the steps of preparing a first substrate including a release layer and a semiconductor layer formed on the release layer; forming an integrated circuit in the semiconductor layer; forming, in the semiconductor layer, a hole or groove having a depth that does not reach the release layer; filling the hole or the groove with an electrical conductor; bonding a second substrate to the semiconductor layer to form a bonded structure; separating the bonded structure at the release layer to prepare the second substrate to which the semiconductor layer is transferred; and removing at least a portion of the reverse surface side of the semiconductor layer exposed by the separation to expose the bottom of the electrical conductor.

Подробнее
02-02-2012 дата публикации

Methods of operating electronic devices, and methods of providing electronic devices

Номер: US20120028582A1
Автор: Patrick W. Tandy
Принадлежит: Round Rock Research LLC

Some embodiments include a method disposing an integrated circuit die within a housing, the integrated circuit die having integrated circuitry formed thereon, the integrated circuitry including first transponder circuitry configured to transmit and receive radio frequency signals, wherein the integrated circuit die is void of external electrical connections for anything except power supply external connections; and disposing second transponder circuitry, discrete from the first transponder circuitry, within the housing, the second transponder circuitry being configured to transmit and receive radio frequency signals, wherein the first and second transponder circuitry are configured to establish wireless communication between one another within the housing, the second transponder circuitry being disposed within 24 inches of the first transponder circuitry within the housing.

Подробнее
09-02-2012 дата публикации

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер: US20120032298A1
Принадлежит: Renesas Electronics Corp

A semiconductor chip is mounted on a first surface of an interconnect substrate, and has a multilayer interconnect layer. A first inductor is formed over the multilayer interconnect layer, and a wiring axis direction thereof is directed in a horizontal direction to the interconnect substrate. A second inductor is formed on the multilayer interconnect layer, and a wiring axis direction thereof is directed in the horizontal direction to the interconnect substrate. The second inductor is opposite to the first inductor. A sealing resin seals at least the first surface of the interconnect substrate and the semiconductor chip. A groove is formed over the whole area of a portion that is positioned between the at least first inductor and the second inductor of a boundary surface of the multilayer interconnect layer and the sealing resin.

Подробнее
16-02-2012 дата публикации

Surface-modified silicate luminophores

Номер: US20120037850A1
Принадлежит: Litec LLL GmbH, Seoul Semiconductor Co Ltd

A surface-modified silicate luminophore includes a silicate luminophore and a coating includes at least one of (a) a fluorinated coating including a fluorinated inorganic agent, a fluorinated organic agent, or a combination of fluorinated inorganic and organic agents, the fluorinated coating generating hydrophobic surface sites and (b) a combination of the fluorinated coating and at least one moisture barrier layer. The moisture barrier layer includes MgO, Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , La 2 O 3 , Gd 2 O 3 , Lu 2 O 3 , and SiO 2 or the corresponding precursors, and the coating is disposed on the surface of the silicate luminophore.

Подробнее
16-02-2012 дата публикации

Method for molecular adhesion bonding at low pressure

Номер: US20120038027A1
Автор: Marcel Broekaart
Принадлежит: Soitec SA

The present invention relates to a method for molecular adhesion bonding between at least a first wafer and a second wafer involving aligning the first and second wafers, placing the first and second wafers in an environment having a first pressure (P 1 ) greater than a predetermined threshold pressure; bringing the first wafer and the second wafer into alignment and contact; and initiating the propagation of a bonding wave between the first and second wafer after the wafers are aligned and in contact by reducing the pressure within the environment to a second pressure (P 2 ) below the threshold pressure. The invention also relates to the three-dimensional composite structure that is obtained by the described method of adhesion bonding.

Подробнее
16-02-2012 дата публикации

Stitch bump stacking design for overall package size reduction for multiple stack

Номер: US20120038059A1
Принадлежит: Individual

A method for die stacking is disclosed. In one embodiment a first die is formed overlying a substrate. A first wire is bonded to the first die and to a bond finger of the substrate, wherein the first wire is bonded to the bond finger with a first bond. A first stitch bump is formed overlying the first stitch bond, wherein the first stitch bump is formed from a molten ball of conductive material. A second die is formed overlying the first die. A second wire is bonded to the second die and to the first stitch bump, wherein the second wire is bonded to the first stitch bump with a second bond.

Подробнее
16-02-2012 дата публикации

Composite Electronic Circuit Assembly

Номер: US20120039004A1
Автор: Alain Artieri
Принадлежит: ST Ericsson Grenoble SAS, St Ericsson SA

A composite electronic circuit assembly comprises two MOS or CMOS circuit dice ( 100, 200 ) superimposed inside a package. Different modules of the circuit assembly are distributed between the two dice based on the digital, analog, or hybrid nature of said modules. Such a distribution makes it possible to group together the digital modules of the circuit assembly in one of the die and the analog or hybrid modules in the other die. The production cost, development time, and electrical energy consumption of the circuit assembly may thus be reduced.

Подробнее
23-02-2012 дата публикации

Light emitting device and manufacturing method thereof

Номер: US20120043573A1
Принадлежит: Toshiba Corp

A light emitting device according to one embodiment includes a light emitting element that emits light having a wavelength of 250 nm to 500 nm and a fluorescent layer that is disposed on the light emitting element. The fluorescent layer includes a phosphor having a composition expressed by the following equation (1) and an average particle diameter of 12 μm or more. (M 1−x1 Eu x1 ) 3−y Si 13−z Al 3+z O 2+u N 21−w   (1) (In the equation ( 1 ), M is an element that is selected from IA group elements, IIA group elements, IIIA group elements, IIIB group elements except Al, rare-earth elements, and IVB group elements. x1, y, z, u, and w satisfy the following relationship. 0<x1<1, −0.1<y<0.3, −3<z≦1, −3<u−w≦1.5)

Подробнее
23-02-2012 дата публикации

Integrated Heat Conductive Light Emitting Diode (LED) White Light Source Module

Номер: US20120043886A1
Автор: Hua Ji, Robert Nail Lee
Принадлежит: HARBOUR LED LIGHTING Co Ltd

This invention discloses a new and advanced light emitting diodes (LEDs) light source module, and more specifically surface mounting LED dice and/or driver circuits on a slim linear Silicon wafer to provide superior heat dissipation capability through eutectic bonding onto a small Silicon base and the overall performance/cost ratio of the LED white light source module by an advanced integrated.

Подробнее
01-03-2012 дата публикации

Light emitting device

Номер: US20120049208A1
Принадлежит: Individual

The present disclosure provides a light emitting device, including a serially-connected LED array including a plurality of LED cells on a single substrate, including a first LED cell, a second LED cell, and a serially-connected LED sub-array including at least three LED cells intervening the first and second LED cell, wherein each of the first and second LED cell including a first side and a second side that the first side of the first LED cell and/or the second LED cell neighboring to the LED sub-array, and the second side of the first LED cell neighboring to the second side of the second LED cell; a trench between the second sides of the first and second LED cells; and a protecting structure formed near the trench to prevent the light-emitting device from being damaged near the trench by a surge voltage higher than a normal operating voltage of the light emitting device.

Подробнее
01-03-2012 дата публикации

Semiconductor structure having conductive vias and method for manufacturing the same

Номер: US20120049347A1
Автор: Meng-Jen Wang
Принадлежит: Advanced Semiconductor Engineering Inc

A semiconductor structure includes a plurality of thermal vias and a heat dissipation layer disposed at a periphery of a back surface of a lower chip in a stacked-chip package. This arrangement improves solderability of a subsequently-bonded heat sink. Additionally, the thermal vias and the heat dissipation layer provide an improved thermal conduction path for enhancing heat dissipation efficiency of the semiconductor structure. A method for manufacturing the semiconductor structure is also provided.

Подробнее
01-03-2012 дата публикации

Semiconductor Device and Semiconductor Process for Making the Same

Номер: US20120049358A1
Автор: Bin-Hong Cheng
Принадлежит: Advanced Semiconductor Engineering Inc

The present invention relates to a semiconductor device and a semiconductor process for making the same. The semiconductor device of the present invention includes a semiconductor substrate, at least one conductive via and at least one insulation ring. The semiconductor substrate has a first surface. The conductive via is disposed in the semiconductor substrate. Each conductive via has a conductor and an insulation wall disposed the peripheral of the conductor, and the conductive via is exposed on the first surface of the semiconductor substrate. The insulation ring is disposed the peripheral of the conductive via, and the depth of the insulation ring is smaller than that of the insulation wall. Since the insulation ring is disposed the peripheral of the conductive via, the insulation ring can protect the end of the conductive via from being damaged. Furthermore, the size of the insulation ring and the conductive via is larger than the conventional conductive via, the semiconductor device of the invention can utilize surface finish layer, RDL or UBM to easily connect the other semiconductor device.

Подробнее
01-03-2012 дата публикации

Bumpless build-up layer package with pre-stacked microelectronic devices

Номер: US20120049382A1
Автор: Pramod Malatkar
Принадлежит: Intel Corp

The present disclosure relates to the field of integrated circuit package design and, more particularly, to packages using a bumpless build-up layer (BBUL) designs. Embodiments of the present description relate to the field of fabricating microelectronic packages, wherein a first microelectronic device having through-silicon vias may be stacked with a second microelectronic device and used in a bumpless build-up layer package.

Подробнее
01-03-2012 дата публикации

Process for assembling two parts of a circuit

Номер: US20120052629A1
Принадлежит: STMICROELECTRONICS SA

A three-dimensional integrated structure is fabricated by assembling at least two parts together, wherein each part contains at least one metallic line covered with a covering region and having a free side. A cavity is formed in the covering region of each part, that cavity opening onto the metallic line. The two parts are joined together with the free sides facing each other and the cavities in each covering region aligned with each other. The metallic lines are then electrically joined to each other through an electromigration of the metal within at least one of the metallic lines, the electromigrated material filling the aligned cavities.

Подробнее
08-03-2012 дата публикации

Light emitting diode package

Номер: US20120056217A1
Принадлежит: Seoul Semiconductor Co Ltd

Disclosed herein is a light emitting diode package including a package body having a cavity, a light emitting diode chip having a plurality of light emitting cells connected in series to one another, a phosphor converting a frequency of light emitted from the light emitting diode chip, and a pair of lead electrodes. The light emitting cells are connected in series between the pair of lead electrodes.

Подробнее
08-03-2012 дата публикации

Multi-chip package with offset die stacking

Номер: US20120056335A1
Автор: Peter B. Gillingham
Принадлежит: Mosaid Technologies Inc

A semiconductor device has a plurality of stacked semiconductor dice mounted on a substrate. Each die has similar dimensions. Each die has a first plurality of bonding pads arranged along a bonding edge of the die. A first group of the dice are mounted to the substrate with the bonding edge oriented in a first direction. A second group of the dice are mounted to the substrate with the bonding edge oriented in a second direction opposite the first direction. Each die is laterally offset in the second direction relative to the remaining dice by a respective lateral offset distance such that the bonding pads of each die are not disposed between the substrate and any portion of the remaining dice in a direction perpendicular to the substrate. A plurality of bonding wires connects the bonding pads to the substrate. A method of manufacturing a semiconductor device is also disclosed.

Подробнее
08-03-2012 дата публикации

Light emitting device

Номер: US20120057339A1
Принадлежит: Toshiba Corp

A light emitting device according to one embodiment includes: a board; plural first light emitting units each including a first light emitting element and a first fluorescent layer formed on the first light emitting element having a green phosphor; plural second light emitting units each including a second light emitting element and a second fluorescent layer formed on the second light emitting element having a red phosphor; the second fluorescent layers and the first fluorescent layers being separated in a non-contact manner with gas interposed there between; and plural third light emitting units each including a third light emitting element and a resin layer formed on the third light emitting element having neither a green phosphor nor the red phosphor, the third light emitting units being disposed between the first light emitting units and the second light emitting units.

Подробнее
15-03-2012 дата публикации

Light emitting device and manufacturing method of light emitting device

Номер: US20120061703A1
Автор: Mitsuhiro Kobayashi
Принадлежит: Toshiba Corp

A light emitting device may include a base provided with a recess portion in a side surface thereof, a light emitting element mounted on a main surface of the base, a first resin body filled in an inside of the recess portion, and covering at least the main surface and the light emitting element, a second resin body covering an outside of the first resin body from the main surface side to at least a position of the lowermost end of the recess portion in a direction orthogonal to the main surface, and phosphor, provided in the second resin body, for absorbing light emitted from the light emitting element and then emitting light having a different wavelength.

Подробнее
15-03-2012 дата публикации

Control device of semiconductor device

Номер: US20120061722A1
Принадлежит: Renesas Electronics Corp

A control device of a semiconductor device is provided. The control device of a semiconductor device is capable of reducing both ON resistance and feedback capacitance in a hollow-gate type planar MOSFET to which a second gate electrode is provided or a trench MOSFET to which a second gate electrode is provided. In the control device controlling driving of a hollow-gate type planar MOSFET to which a second gate electrode is provided or a trench MOSFET to which a second gate electrode is provided, a signal of tuning ON or OFF is outputted to a gate electrode in a state of outputting a signal of turning OFF to the second gate electrode.

Подробнее
15-03-2012 дата публикации

Semiconductor chip with redundant thru-silicon-vias

Номер: US20120061821A1

A semiconductor chip with conductive vias and a method of manufacturing the same are disclosed. The method includes forming a first plurality of conductive vias in a layer of a first semiconductor chip. The first plurality of conductive vias includes first ends and second ends. A first conductor pad is formed in ohmic contact with the first ends of the first plurality of conductive vias.

Подробнее
15-03-2012 дата публикации

Semiconductor chip, stacked chip semiconductor package including the same, and fabricating method thereof

Номер: US20120061834A1
Автор: Tae Min Kang
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc

A semiconductor chip includes a silicon wafer formed with a via hole, a metal wire disposed in the via hole, and a filler that exposes a part of an upper portion of the metal wire while filing the via hole.

Подробнее
15-03-2012 дата публикации

Semiconductor chip device with polymeric filler trench

Номер: US20120061852A1

A method of manufacturing is provided that includes providing a semiconductor chip with an insulating layer. The insulating layer includes a trench. A second semiconductor chip is stacked on the first semiconductor chip to leave a gap. A polymeric filler is placed in the gap wherein a portion of the polymeric filler is drawn into the trench.

Подробнее
15-03-2012 дата публикации

Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna

Номер: US20120062439A1
Принадлежит: Advanced Semiconductor Engineering Inc

A semiconductor package integrated with conformal shield and antenna is provided. The semiconductor package includes a semiconductor element, an electromagnetic interference shielding element, a dielectric structure, an antenna element and an antenna signal feeding element. The electromagnetic interference shielding element includes an electromagnetic interference shielding film and a grounding element, wherein the electromagnetic interference shielding film covers the semiconductor element and the grounding element is electrically connected to the electromagnetic interference shielding layer and a grounding segment of the semiconductor element. The dielectric structure covers a part of the electromagnetic interference shielding element and has an upper surface. The antenna element is formed adjacent to the upper surface of the dielectric structure. The antenna signal feeding element passing through the dielectric structure electrically connects the antenna element and the semiconductor element.

Подробнее
15-03-2012 дата публикации

Foldable LED light recycling cavity

Номер: US20120063137A1
Принадлежит: Goldeneye Inc

LEDs are mounted onto a flat, thermally conductive, substrate, which is folded to form a light recycling cavity. A planar substrate is first coated with a metal layer, which is patterned to electrically connect the LEDs and to form bonding pads for wirebonds to connect the LEDs to external circuitry. The LEDs are mounted on the substrate. The substrate is then scribed on the backside to form the folds. The LED dies are then attached onto the metal islands (pads) defined on the substrate and wirebonds are used to connect the top side of the LED to adjacent patterned metal islands (pads) on the substrate. The substrate is then folded into a light recycling cavity where the LEDs are facing the inside of the cavity.

Подробнее
15-03-2012 дата публикации

Light source device and display device provided with same

Номер: US20120063150A1
Автор: Hideto Takeuchi
Принадлежит: Individual

A light source device includes a circuit board having a LED mounted on a surface, a lens attached to the surface so as to diffuse light emitted from the LED, a reflecting sheet having a through hole in the inside of which the lens is disposed and reflecting light emitted from the LED at an opposite side of the surface, and a restricting member which is disposed at one of an edge of the through hole in the reflecting sheet and the lens, and restricts a deviation of the reflecting sheet in a direction departing from the surface.

Подробнее
15-03-2012 дата публикации

Method of manufacture of integrated circuit packaging system with stacked integrated circuit

Номер: US20120064668A1
Принадлежит: Individual

A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes: forming a base lead having an outer protrusion and an inner protrusion with a recess in between; forming a stack lead having an elongated portion; mounting a base integrated circuit over the inner protrusion or under the elongated portion; mounting the stack lead over the base lead and the base integrated circuit; connecting a stack integrated circuit and the stack lead with the stack integrated circuit over the base integrated circuit; and encapsulating at least a portion of both the base integrated circuit and the stack integrated circuit with the base lead and the stack lead exposed.

Подробнее
15-03-2012 дата публикации

Semiconductor device including coupling conductive pattern

Номер: US20120064827A1
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

A semiconductor device is disclosed including a through electrode. The semiconductor device may include a first semiconductor chip including a transceiver circuit formed on a first surface, a first coupling conductive pattern which is formed on a second surface opposite the first surface, and a through electrode which connects the transceiver circuit and the first coupling conductive pattern. There may be a transceiver located on a second semiconductor chip and including a second coupling conductive pattern facing the first coupling conductive pattern which communicates wirelessly with the first coupling conductive pattern.

Подробнее
22-03-2012 дата публикации

Massively Parallel Interconnect Fabric for Complex Semiconductor Devices

Номер: US20120068229A1
Принадлежит: Individual

An embodiment of this invention uses a massive parallel interconnect fabric (MPIF) at the flipped interface of a core die substrate (having the core logic blocks) and a context die (used for in circuit programming/context/customization of the core die substrate), to produce ASIC-like density and FPGA-like flexibility/programmability, while reducing the time and cost for development and going from prototyping to production, reducing cost per die, reducing or eliminating NRE, and increasing performance. Other embodiments of this invention enable debugging complex SoC through large contact points provided through the MPIF, provide for multi-platform functionality, and enable incorporating FGPA core in ASIC platform through the MPIF. Various examples are also given for different implementations.

Подробнее
22-03-2012 дата публикации

Integrated circuit packaging system with stack interconnect and method of manufacture thereof

Номер: US20120068319A1
Принадлежит: Individual

A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes: forming a connection carrier having base device pads and base interconnect pads on a carrier top side of the connection carrier; connecting a base integrated circuit to the base device pads and mounted over the carrier top side; mounting base vertical interconnects directly on the base interconnect pads; attaching a base package substrate to the base integrated circuit and directly on the base vertical interconnects; forming a base encapsulation on the base package substrate, the base device pads, and the base interconnect pads; and removing a portion of the connection carrier with the base device pads and the base interconnect pads partially exposed opposite the base package substrate.

Подробнее
22-03-2012 дата публикации

Integrated Power Converter Package With Die Stacking

Номер: US20120068320A1
Принадлежит: Monolithic Power Systems Inc

An integrated circuit for implementing a switch-mode power converter is disclosed. The integrated circuit comprises at least a first semiconductor die having an electrically quiet surface, a second semiconductor die for controlling the operation of said first semiconductor die stacked on said first semiconductor die having said electrically quiet surface and a lead frame structure for supporting said first semiconductor die and electrically coupling said first and second semiconductor dies to external circuitry.

Подробнее
22-03-2012 дата публикации

High speed digital interconnect and method

Номер: US20120068890A1
Принадлежит: Texas Instruments Inc

In some developing interconnect technologies, such as chip-to-chip optical interconnect or metal waveguide interconnects, misalignment can be a serious issue. Here, however, a interconnect that uses an on-chip directional antenna (which operates in the sub-millimeter range) to form a radio frequency (RF) interconnect through a dielectric waveguide is provided. This system allows for misalignment while providing the increased communication bandwidth.

Подробнее
22-03-2012 дата публикации

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер: US20120069530A1
Принадлежит: Toshiba Corp

According to one embodiment, a semiconductor device includes a stacked chip includes semiconductor chips which are stacked, the semiconductor chips comprises semiconductor substrates and through electrodes formed in the semiconductor substrates, respectively, the through electrodes being electrically connected, and deactivating circuits provided in the semiconductor chips, respectively, and configured to deactivate a failed semiconductor chip.

Подробнее
22-03-2012 дата публикации

Multi-chip led devices

Номер: US20120069564A1
Принадлежит: Cree Inc

Multi-chip LED devices are described. Embodiments of the present invention provide multi-chip LED devices with relatively high efficiency and good color rendering. The LED device includes a plurality of interconnected LED chips and an optical element such as a lens. The optical element may be molded from silicone. The LED chips may be connected in parallel. In some embodiments, the LED device includes a submount, which may be made of a ceramic material such as alumina or aluminum nitride. Wire bonds can be connected to the LED chips so that all the wire bonds tend the outside of a group of LED chips. Various sizes and types of LED chips may be used, including vertical LED chips and sideview LED chips.

Подробнее